Прецизионная обработка поверхности подложек микроэлектроники порошками ультрадисперсного алмаза тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 05.03.01, кандидат технических наук Семенова, Ольга Васильевна

• Семенова, Ольга Васильевна
• кандидат технических наук
• 2000

Оглавление диссертации кандидат технических наук Семенова, Ольга Васильевна

Введение.

1. Анализ методов размерной обработки подложек микроэлектроники.

1.1. Особенности обработки подложек микроэлектроники.

1.1.1. Требования, предъявляемые к подложкам микроэлектроники.

1.1.2. Схема процесса и физико-химические характеристики обработки подложек микроэлектроники.

1.2. Метод механического полирования подложек микроэлектроники.

1.2.1. Абразивное полирование.

1.2.2. Абразив в процессах механического полирования.

1.2.3. Роль жидкости в процессах механической обработки.

1.3. Химические методы обработки поверхности подложек микроэлектроники.

1.3. Химико-механическое полирование подложек микроэлектроники.

1.4. Формирование структуры поверхностных слоев материала при размерной обработке.

1.5. Использование ультрадисперсных материалов в процессах суперфи-шинишной обработки оптических и полупроводниковых поверхностей.

1.6. Постановка задач диссертационного исследования.

2. Разработка инструмента на основе порошков ультрадисперсного алмаза для прецизионной обработки поверхности подложек микроэлектроники.

2.1. Изучение методов получения и свойств ультрадисперсного алмаза,

2.1.1. Физико-химические свойства УДА детонационного синтеза.

2.1.2. Методы получения УДА детонационного синтеза.

2.1.3. Формирование функционального покрова УДА в процессах его химической очистки.

2.2. Исследование взаимодействия УДА с технологическими жидкостями.

2.2.1. Дисперсионные среды на стадиях финишной и суперфинишной обработки поверхности подложек микроэлектроники.

2.2.2. Кинетическая и термодинамическая стабилизация дисперсий УДА. Седиментационная устойчивость УДА различных методов получения.

2.2.3. Исследование коллоидно-поверхностных и структурных свойств УДА.

2.2.4. Исследование порогов и характера струтурообразования УДА в технологических жидкостях.

2.3. Исследование методов диспергирования и стабилизации УДА в различных технологических средах.

2.3.1. Исследование кавитационного и ультразвукового воздействия на агрегативную и седиментационную устойчивость дисперсий УДА.

2.3.2. Исследование методов стабилизации водных суспензий УДА.

2.4. Разработка компонентного состава и технологии приготовления абразивного инструмента на основе УДА.

2.4.1. Разработка связнодисперсных составов на основе УДА.

2.4.2. Формирование свободнодисперсных систем на основе УДА.

3. Разработка модели механизма полирования и технологии прецизионной обработки поверхности подложек микроэлектроники инструментом на основе УДА.

3.1. Разработка модели механо-химического механизма взаимодействия УДА с поверхностью обрабатываемого материала. 3.1.1. Исследование механизма взаимодействия абразивов в ультрадисперсном состоянии с поверхностью обрабатываемого материала.

Бесконтактные методы полирования.

3.1.2. Эласто-эммисионный метод обработки.

3.1.3. Механо-химическое полирование ультрадисперсным алмазом.

3.1.4. Факторы, обеспечивающие механо-химический механизм взаимодействия.

3.2. Исследование процессов прецизионной обработки поверхности подложек из пьезокварца и ниобата лития полировальными композициями на основе УДА.

3.3. Разработка и исследование процесса прецизионой обработки поверхности кремниевых подложек различными типами инструмента на основе ультрадисперсного алмаза.

3.3.1. Исследование технологических параметров процесса механической обработки пластин кремния УДА.

3.3.2. Исследование и выбор полировальника для финишной и суперфинишной стадии обработки пластин кремния.

3.3.3. Разработка технологии финишной и суперфинишной обработки кремниевых подложек УДА.

3.4. Исследование структуры и химического состава поверхности кремниевых подложек после различных видов механической обработки.

3.4.1. Выбор методики исследования структуры и химического состава кремниевых пластин.

3.4.2. Описание экспериментальной установки.

3.4.3. Выбор травителя для подготовки поверхности образцов кремния к спектроскопическим исследованиям.

3.4.4. Исследование поверхности кремния методом дифракции быстрых электронов.

3.4.5. Исследование образцов кремния методами электронной ожэ-спектроскопии и спектроскопии характеристических потерь энергии электронов.

3.5. Обработка поверхности арсенида галлия суспензиями УДА.

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Прецизионная обработка поверхности подложек микроэлектроники порошками ультрадисперсного алмаза»

Многие отрасли промышленности предъявляют повышенные требования к качеству поверхностей применяемых материалов. Эта проблема актуальна для электронных технологий, когда именно поверхность тех или иных материалов обеспечивает нужные физические эффекты и условия работы микросхем и деталей приборов. Повышение надежности и долговечности микросхем, полупроводниковых приборов и микроструктур является одной из главных проблем современной микроэлектроники. Экономическое значение этой проблемы очевидно. Как показал статистический анализ главной причиной выхода из строя полупроводниковых приборов и устройств является не их механическая поломка, а электрические пробои или утечки тока, обусловленные и зависящие от совершенства структуры приповерхностного слоя и поверхностных дефектов подложки, являющейся основной несущей конструкционной базой микросхем и микроэлектронных устройств.

Изменения структуры и свойств поверхностного слоя, происходящие при обработке монокристаллов, оказывают существенное влияние на выход годных изделий, их эксплуатационные характеристики и надежность. Так, качество поверхностного слоя подложки существенно влияет на структурное совершенство эпитаксиального слоя при изготовлении эпитаксиально-планарных структур. Наличие на поверхности подложек дислокаций, загрязнений, микротрещин приводит к образованию дефектов в эпитаксиальных слоях, причем их плотность, как правило, выше, чем в подложках. Основные дефекты эпитаксиальных слоев дислокации и дефекты упаковки прорастают с подложки и наследуют ее отрицательные свойства, которые ухудшают эксплуатационные характеристики электронных приборов. Диффузионно-планарная технология также требует высокого структурного совершенства поверхностного слоя подложек. Дефекты обработки поверхности и собственные дефекты приповерхностного слоя полупроводника изменяют однородность диффузионного фронта и положение р-п перехода за счет ускорения или замедления процессов диффузии на неоднородностях и дефектах. Это приводит к тому, что возникающие неоднородности электрического поля увеличивают токи утечки, уровень шумов и способствуют деградации характеристик приборов.

При механической обработке подложек не всегда используются наиболее эффективные средства снижения дефектности поверхности и нарушений структуры материала, а также учитываются конкретные условия работы. По этой причине наша страна и другие технически развитые страны несут огромные материальные затраты, связанные с выходом из строя большого количества приборов и устройств, снижением срока их эксплуатации, вынужденной заменой на новые. 5

В последнее время значительные усилия исследователей направлены на разработку различных типов малоразмерных приборов (МРП), в которых, по крайней мере один из геометрических размеров активной области имеет величину порядка 10 нм, что приводит к проявлению квантово-размерных эффектов. С уменьшением топологических размеров возрастает отношение поверхность/объем, что приводит к ужесточению требований к пассивации и обработке поверхности структур. Кроме того, диффузия атомов или дефектов в пределах нескольких атомных слоев может привести к деградации характеристик МРП. Теоретически установлено, что при геометрических размерах активной области менее 20 нм традиционные физические подходы не имеют место. Это связанно с тем, что собственная квантовая длина волны носителей при комнатной температуре составляет порядка 20 нм. Расстояние между квантованными энергетическими уровнями становится соизмеримым с энергией тепловых флуктуаций. В типичных полупроводниках носители заряда на расстоянии 20 нм могут туннелировать через потенциальные барьеры, со скоростью, устраняющей возможность их хранения в потенциальных ямах столь малого размера. В структурах с размерами, меньшими длины рассеяния, проявляются эффекты квантовой интерференции.

Развитие технологических методов наноэлектроники, а именно электронно-лучевой и рентгеновской литографии, дало импульс к развитию микромеханики. Для формирования микромеханики была разработана и использована ЛИГА-технология, которая позволяет тиражировать устройства и элементы микромеханики в исходной матрице и решить интегральные задачи нанотехнологии, т.е. совместить устройства микромеханики с электронными схемами. Однако ЛИГА-технология поставила и ряд новых задач, одной из которых является нахождение методов формирования наноразмерного рельефа в масках и матрицах с высоким аспектным соотношением. Формообразование - получение заданного рельефа поверхности, сильно зависит от микро- и макро-геометрии обработанных поверхностей, которые наследуются в процессе термической и механической обработки и зависят от предварительной обработки, вида и режимов финишных операций. Наследование обусловлено переносом отдельных свойств обрабатываемой заготовки от предшествующих операций. Попытки применить традиционные методы обработки материалов микроэлектроники и теоретические представления о процессах, происходящих при этом применительно к новым направлениям микроэлектроники, становятся неэффективными.

Актуальным на настоящий момент является разработка теоретических основ управления процессами формообразования нанометрового рельефа поверхностей микро- и наноструктур, а также построение технологических процессов, которые существенно влияют на достижение требуемой точности обработки и структурного совершенства материала. 6

Целью работы является повышение качества прецизионной обработки поверхности подложек микроэлектроники.

Для поставленной цели необходимо решить следующие основные задачи:

1. Исследовать возможность использования для эффективной обработки поверхности подложек микроэлектроники нового типа абразивного материала - ультрадисперсного алмаза (УДА), полученного методом детонационного синтеза.

2. Разработать технологические процессы прецизионной обработки подложек микроэлектроники с помощью инструмента на основе ультрадисперсного алмаза.

3. Изучить факторы процесса прецизионной обработки данным типом абразива на качество и эффективность обработки.

4. Исследовать процесс взаимодействия УДА с поверхностью обрабатываемого материала.

5. Создать инструмент для прецизионной обработки подложек микроэлектроники в виде агрегативно и седиментационно устойчивых полировальных композиций на основе УДА;

Методы и средства исследования: При решении поставленных задач был использован комплекс методов исследования свойств ультрадисперсных систем, включающих спектральные и седиментационные методы. Исследование рельефа поверхности проводилось с помощью профилометра модели 296 ТУ 2-034-4-83, лазерного профилографа-профилометра ЛИП 2/1 и туннельной микроскопии. Для определения химического состава поверхности и структурных нарушений использовались спектроскопические, электронно-микроскопический и оптический методы. Обработка экспериментальных результатов осуществлялась с использованием программного пакета Math CAD.

В работе получены следующие научные результаты:

1. Впервые доказана возможность использования в прецизионной обработке подложек микроэлектроники ультрадисперсного алмаза детонационного синтеза (УДА).

2. Впервые экспериментально показано улучшение качества поверхности подложек при использовании в их обработке инструмента, созданного на основе УДА.

3. Экспериментально установлены пороги структурообразования УДА в жидкостях в процессе их приготовления и эксплуатации, позволяющих регулировать переход от коллективного воздействия частиц инструмента на обрабатываемый материал к индивидуальному.

4. Представлена новая модель механизма взаимодействия УДА с обрабатываемой поверхностью и выявлены факторы, обеспечивающие данный механизм. 7

Практическая ценность работы состоит в следующем :

1. Разработаны научно-обоснованные рекомендации по использованию поверхностно-активных веществ, ультразвуковой и гидродинамической кавитации, а также центробежной сепарации, обеспечивающих узкофракционированность УДА и стабильность эксплуатационных характеристик инструмента на его основе, позволяющих получить высокое качество обрабатываемых поверхностей подложек.

2. Разработан на основе УДА инструмент для эффективной прецизионной обработки поверхности материалов.

3. Разработана и внедрена технологическая схема изготовления инструмента на основе УДА.

4. Разработана технологическая документация на промышленное изготовление полировальных паст «Суфипол» и осуществлен серийный выпуск универсальной пасты типа «Суфипол» по ТУ-40-2067910-03-91 на Новосибирском заводе искусственного волокна (г. Искитим).

5. Проведены испытания полировальных составов на основе УДА на ОАО «Искра» (г. Красноярск) и НПО «Полюс» (г. Москва).

6. Создана технология прецизионной обработки подложек микроэлектроники с использованием разработанного инструмента.

На защиту выносятся следующие положения:

1. Эффективность прецизионной обработки рабочих поверхностей подложек микроэлектроники повышается в результате использования инструмента, созданного на основе ультрадисперсных алмазных порошков детонационного синтеза.

2. Высокое качество обработки поверхности обусловлено особенностями физико-химических, поверхностных свойств и структуры частиц УДА, а также компонентным составом, технологией изготовления инструмента и схемой обработки.

3. Механизм взаимодействия абразива с поверхностью материала определяется физико-химическими свойствами УДА и условиями проведения процесса механической обработки.

4. Для обработки поверхности подложек микроэлектроники на стадиях суперфинишного полирования целесообразно использовать свободнодисперсные системы на основе узкофракционированного УДА.

Апробация работы. Материалы диссертации докладывались на II International conference on Nanometer scale science and technology (Moscow, 1993); ряде Российских, межрегиональных научно-технических конференций с международным участием. Отдельные результаты работы докладывались на научно-технических семинарах и советах. 8

Публикации. По материалам диссертации имеется 20 публикаций, в том числе Патент РФ, 13 статей, 6 докладов и тезисов на конференциях, в том числе международных.

Структура и объем работы. Диссертация состоит из введения, 3 глав, основных результатов и выводов, списка цитируемой литературы. Диссертация изложена на 163 страницах, включая 47 рисунков, 19 таблиц и трех приложений на 26 страницах. Список цитируемой литературы содержит 107 наименований.

Заключение диссертации по теме «Технологии и оборудование механической и физико-технической обработки», Семенова, Ольга Васильевна

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

В диссертационной работе решены важные научно-технические задачи в области прецизионной обработки поверхности различных материалов микроэлектроники и технологии создания инструмента на основе ультрадисперсного абразива.

На основании проведенных в рамках поставленных цели и задач исследований получены следующие основные результаты.

1. Проанализированы методы размерной обработки поверхности подложек микроэлектроники, определены основные пути совершенствования процессов механической обработки и сформулированы основные требования к абразивному инструменту, применяемому на прецизионной стадии обработки поверхности подложек микроэлектроники. Показана перспективность использования в качестве абразивного инструмента полировальных композиций на основе ультрадисперсного алмаза (УДА) детонационного синтеза.

2. Осуществлен анализ физико-химических свойств УДА детонационного синтеза и изучены поверхностные и структурные свойства УДА, извлеченного из продуктов детонационного синтеза жидкофазным окислением в кислотно-хромовой смеси. Установлено, что свойства УДА в большой степени зависят от методов получения и очистки его от технологических примесей.

3. Исследовано взаимодействие алмазосодержащих порошков УДА с различными технологическими средами, используемыми при полировании подложек микроэлектроники, и выявлены факторы, влияющие на технологические и эксплуатационные характеристики полировальных композиций. Экспериментально установлено, что порошки УДА обладают высокими структурирующими свойствами, возможностью и обратимостью процесса диспергирования. Размер равновесных агрегатов, образовавшихся в результате процессов коагуляции УДА, зависит от концентрации порошка и свойств технологической среды.

4. Экспериментально реализованы методы повышения агрегативной и седи-ментационной устойчивости исследуемых полировальных составов УДА с помощью ультразвуковой и гидродинамической кавитации, а также применением поверхностно-активных веществ. Определены оптимальное время и режимы диспергирования суспензий УДА различными методами кавитации.

127

5. На основе УДА созданы различные типы инструмента, представляющие собой полировальные пасты и суспензии. Определены условия применимости конкретного типа инструмента.

6. Создана основа для промышленного производства полировальных паст в рамках Всероссийской инновационной программы «Алмазные нанотехно-логии» и региональной программы « Экология, новые технологии и материалы Красноярского края». На основе проведенных исследований разработаны технологические регламенты и технические условия на промышленное изготовление и испытание паст «Суфипол», которые утверждены Краевым отделом Госстандарта и санитарноэпидемиологической станцией г. Красноярска.

7. Предложены и технически реализованы технологические процессы прецизионной обработки поверхностей пьезоматериалов и полупроводников, обладающих различной твердостью и механической прочностью. Впервые экспериментально доказана возможность и эффективность использования в технологических процессах прецизионной обработки поверхности подложек микроэлектроники ультрадисперсного алмаза детонационного синтеза.

8. Установлено влияние режимов обработки, способов очистки, У ДА, характеристик инструмента на качество поверхности и структуру приповерхностных слоев обрабатываемого материала и эффективность процесса обработки в целом. Показано, что необходимым фактором, обеспечивающим высокое качество обработки является постепенный переход от коллективного воздействия абразивных частиц УДА на поверхность к индивидуальному.

9. Впервые определены пороги структурирования УДА в технологических жидкостях, позволяющих регулировать переход от коллективного воздействия частиц к индивидуальному. Установлено, что структурообразование в суспензиях УДА начинается при концентрациях (0,6 - 1,1) % масс, в зависимости от типа дисперсионной среды.

10. Изучено взаимодействие УДА с поверхностью обрабатываемого материала. Установлено, что взаимодействие носит трибомеханический (механо-химический) характер и полирование осуществляется при соответствующем подборе пары материалов: материал ультрадисперсных частиц и обрабатываемый материал.

11. Представлена новая модель механо-химического механизма полирования. Установлено, что для реализации данного механизма взаимодействия необходимы условия, обеспечивающие индивидуальные свойства частиц алмаза. К таким условиям относятся определенное соотношение твердой и жидкой фазы (1:1000), значение водородного показателя среды (рН =7), создание гидродинамических условий за счет подбора соотношения

128 между скоростью вращения полировальника и давлением на образец. Показано, что введение в технологию изготовления полировальных композиций на основе УДА операций ультразвукового или кавитационного диспергирования, а также центробежной сепарации позволяет получать узко-фракционированные свободнодисперсные системы алмаза, позволяющие проводить процесс обработки в условиях механо-химического полирования.

12. Показана целесообразность применения данного типа абразива в бесконтактных методах обработки поверхности материалов, где достаточно эффективно могут использоваться индивидуальные свойства частиц УДА.

129

Список литературы диссертационного исследования кандидат технических наук Семенова, Ольга Васильевна, 2000 год

1. ГОСТ 11141-84. Детали оптические. Классы чистоты поверхностей. Методы контроля. М.: Госстандатр,1984,

2. Материалы для электроники. Состояние и перспективы. // Электронная промышленность, N 11, 1993, с,- 30-37.

3. ОСТ // 14.7006-86. Изделия электронной техники. Технологические требования к технологическому процессу изготовления пластин кремния.

4. Гжиров Р.И. Краткий справочник конструктора: Л.: Машиностроение, 1984„

5. МазельЕ.З. и Пресс Ф.П. "Планарная технология кремниевых приборов" М., Энергия, 1974.

6. Запорожский В.П., Лапшинов В.А. Обработка полупроводниковых материалов. // М.: Высш. шк., 1988 , С, 184

7. Новые направления развития технологии ИС на международной конференции по электронным приборам. // Электроника, N 3, 1992, с-112

8. Полупроводниковые материалы. Свечение кремния. /У Электроника, N 5, 1982 ,

9. Технология СБИС. Продесс создания трехмерных СБИС, повышающие плотность упаковки.// Электроника, N 17, 1991, с 4-6.

10. ТИИЭР т.70 N5 май 1982 год стр.8-12.

11. Под редакцией Б.Д. Луфт "Физико-химические методы обработки поверхности полупроводников. -М.: Радио и связь, 1982, с-19.

12. Карбань В.И., Борзаков Ю.И. Обработка монокристаллов в микроэлектронике. //М., радио и связь, 1988.

13. Г.С. Ходаков, Н.Л. Кудрявцева "Физико-химические процессы полирования оптического стекла". // М., Машиностроение,1985.

14. Готра 3 Ю. Технология микроэлеюронных устройств. Справочник. М.: Радио и связь, 1991.

15. Технология полупроводниковых приборов и изделий микроэлектроники: В 10 кн. Кр. 4

16. Бочккн О.Й , Брук В.А. Механическая обработка полупроводниковых материалов.// М., Высш. шк., 1983.

17. Концевой Ю.А., Литвинов Ю.М., Фаттахов Э.А. Пластичность и прочность полупроводниковых материалов и структур. /УМ., Радио и связь, 1982.

18. Судзуки , Контимау. Хрупкое разрушение и пластическое течение неметаллических материалов.// Разрушение твердых тел/ Пер. с англ. М. Металлургия, 1967.

19. Чистяков Ю.Д., Районова Ю.П. Физико-химические основы технологии микроэлектроники : Учебное пособие для вузов. М., Металлургия, 1979.130

20. Татаренков А.И., Епимерлова К.Л., Рукан Т Ф. и др. Методы контроля нарушенных слоев при механической обработке материалов.// М.: Энергия, 1978.

21. Карбань В.И., Кой П., Рогов В В. и др. Обработка полупроводниковых материалов. // Киев: Наукова думка, 1982.

22. Резвый Р.Р., Русак Т Ф. Напряжения, возникающие в кремнйи при механической обработке поверхности //Электронная техника. Сер. Материалы. 1973. Вып. 2. с 31.

23. Алехин В.П., Тарновский А.П. Структурные и кинематические особенности формирования материалов при микровдавливании// Новое в области испытаний на микротвердость . М.: Наука, 1974.

24. Арушанов С.З., Бабчук A.C., Гранов Д А. Исследования механизма образования деформированного приповерхностного слоя при обработке хрупких прозрачных материалов. // Физика и химия обработки материалов, N 1, 1978, с-117-122.

25. Даценко Л.И., Короткович Н.Ф. Дефекты, возникающие при механической обработке поверхности.// Укр. физ. журн. 1973, т. 18, N1, с. 146.

26. Захаров A.A. Барыбин A.A. Выявление неоднородностей распределения примесей в эпигаксиальных структурах арсенида галлия // Электронная промышленность. 1973. N 3. С 4-8.

27. Говорова P.A., Лукашенко В.И. Зависимость величины нарушенного слоя от давления и размера абразива при шлифовании монокристаллов.// Монокристаллы и сцинтиляторы Харьков, Всесоюз. НИИ монокристаллов, 1977.

28. Райхельс E.H., Рай М.А. Влияние параметров абразивной обработки на степень искаженности поверхностного слоя монокристаллов.// Физика и химия обработки материалов, N2, 1980, с-96-98.

29. Гаршин А.П., Гропянов В.М., Лагунов Ю.В. Абразивные материалы. Л.: Машиностроение, 1983.

30. ГОСТ 3647-80. Материалы шлифовальные. Классификация. Зернистость и зерновой состав. Методы контроля. // М.: Госстандарт, 1980.

31. ГОСТ 9206-80. Порошки алмазные. Технические условия. М.: Госстандарт, 1980.

32. Захаров A.A., Юзова В.А. Физико-химические основы размерной обработки полупроводников. Механическая обработка. // Учебное пособие. Красноярск. -1995. -с 139-143.

33. Рогов В.В. Финишная алмазно-абразивная обработка неметаллических деталей.// Киев Наукова Думка, 1985.

34. Семко М.Ф., Грабченко А.И., Раб и др. Основы алмазного шлифования. /7 Киев: Техника, 1978.

35. Пичугин И.Г., Тамров Ю.М. Технология полупроводниковых приборов //М.: Высш. шк, 1984.131

36. Абразивная и алмазная обработка материалов. Справочник./ Под ред. Ру-никова А.Н. М.: Машиностроение, 1977.

37. Лобанова С.С., Стальнов А.К. Влияние химических сред на деформацию и структуру поверхности монокристаллов. // Оптическая промышленность, N10, 1983, с-56-62.

38. Релинский С.М. Физико-химический аспект процессов на границе раздела полупроводник-раствор.// Некоторые проблемы физики и химии поверхности, под. ред. Ржанова Новосибирск, СОАН СССР, 1972, с 9 - 72.

39. Плесков Ю.В., Мямлин В.И. Электрохимия полупроводников.// М.: Наука, 1965.

40. Орлов П.Н., Марин К Г. Исследование процесса химико-механического полирования кремниевых подложек. // Электронная техника. Сер. Материалы, 1979, N 3, с 80-83.

41. Бублик Н.Т., Котелинский И М Химико-механическое полирование пластин ниобата лития. // Электронная техника. Сер. Материалы, 1981, N 12, с 17-18.

42. Электронная промышленность N 12 1989 т, стр.37-38.

43. В. А. Перевощи ков, В.К. Гусев. Химическое полирование пластин кремния в условиях повышенной скорости движения травите ля. Журнал прикладной химии, 1970, т. 43 .

44. В.АПеревощиков, В.К.Гусев. Гидродинамические условия химического полирования пластин кремния.//Журнал прикладной химии, т.43, N 6, 1970, с 1238-1245.

45. Заводская В.Ф., Марин К.Г., Хохлов А.И. Прецизионная обработка поверхности пластин монокристаллического кремния.// Электронная промышленность 1990. N 4, с 36-38.

46. Ставер А.М., Губарева М.В., Лямкин А.И. Петров Е.А. Ульрадисперсные алмазы, полученные с использованием энергии взрыва. // Физика гореная и взрыва. N 5. 1984, с 104-106.

47. Губаревич Т.М., Долматов В.Ю. Полировальные системы на основе ультрадисперсных алмазов. // Журнал прикладной химии. Вып. 8, т. 66,1993, с 1878-1881.

48. Чиганова Г.А. Физико-химические свойства ультрадисперсных алмазов детонационного синтеза. //Диссерт. раб. !995.

49. Верещагин А.Л. Сакович Г.В., Брыляков П.М. и др. Строение алмазопо-добной фазы углерода детонационного синтеза. // Докл. АН СССР. 1990. Т. 314. N4. С. 866-867.

50. Верещагин А.Л., Петрова Л.А., Золотухина И.И. и др. Энергонасыщенность и реакционная способность алмазных кластеров. // В сб.: Материалы IX Всес. симпозиума по горения и взрыву. Суздаль. 1989. С. 49-52.132

51. Верещагин А.Л., Сакович Г.В., Петрова Л.А. Исследование химического состава поверхности УДА детонационного синтеза. // ДАН СССР. 1990. Т.315. N 1. С. 104-107.

52. Ададуров Г.А., Балуев A.B., Бреусов О.Н. и др. Некоторые свойства алмаза полученного взрывным методом.// Изв. АН СССР. Неорган, материалы. 1977. Т. 13. N 4. С. 649-652.

53. Физикохимия ультрадисперсных систем. -М.: Мир. 1976. С 155.

54. Вайвадс Я.К. Особенности строения поверхности ультрадисперсных систем.: Сб. докладов 2 Всес. конференции. Юрмала. 1989. С. 138-139.

55. Волков К В., Даниленко В.В., Елин В.И. Синтез алмаза из углерода продуктов детонации ВВ.// Физ. гор. и взрыва. 1990. Т. 26. N3. С. 123-125.

56. Саввакин Г.И., Трефилов В.И. Формирование структуры и свойств ульт-радисперных алмазнов при детонации в различных средах конденсированных углеродсодержащих ВВ с отрицательным кислородным балансом. // Докл. АН СССР. 1991. Т. 321. N1. С. 99-103.

57. Лямкин А.И., Петров Е.А., Ершов А.П. Получение алмазов из взрывчатых веществ. // ДАН СССР. Т. 302. N 3 . 1988. С. 611.

58. Губаревич Т.М., Кулагина Ю.В. Полева Л.И. Окисление ультрадисперсных алмазов в жидких средах. // Сверхтвердые материалы. 1993. N 3. С. 34-40. '

59. Губаревич Т.М., Костюкова Н.М., Сатаев P.P., Фомина Л.В. Исследование микропримесного состава ультрадисперсного алмаза. /У Сверхтвердые материалы. 1991. N 5. С. 30-34.

60. Губаревич Т.М., Костюкова Н.М., Ларионова И.С. и др. Закономерности изменения адсорбционно-структурных характеристик углеродных алмаз-содержащих материалов детонационной природы.// Журн. прикл. химии. 1993. Т. 66. N 1.С. 113-117.

61. Овчаренко А.Г., Солохина А.Б., Сатаев P.P., Игнатченко A.B. Электрофо-ретическое поведение агрегатов ультрадисперсных алмазных частиц.// Коллоидный журнал. 1991. Т. 53. N 6. С. 1067-1074.

62. Верещагин А.Л., Ульянов Г.М. и др. Комплексный термический анализ алмазоподобной фазы углерода в контролируемой атмосфе-ре.//Сверхтвердые материалы, 1990, N 5.

63. Ставер A.M., Лямкин А.И. К вопросу о кинетике образования ультрадисперсных частиц в ударных и детонационных волнах. // Сб. Ультрадисперсные материалы. Получение и свойства / Красноярск, 1990.

64. Мальков И.Ю. Строение детонационного углерода в зависимости от плотности зарядов на основе тротила и гексогена.// Сб. КГТ¥ под ред. Редькина В.Е. Красноярск. 1996. С. 17-18.

65. Мальков И.Ю. Анализ факторов, определяющих эффективность образования алмаза в условиях детонации. // Сб. КГТУ под ред. Редькина В.Е. Красноярск. 1996.67. С. 47-48.

66. Мальков И.Ю., Филатов Л.И., Титов В.М. и др. Образование алмаза из жидкой фазы углерода. // Физика горения и взрыва. 1993. Т. 29. N4, с.131-134.

67. И.Г. Кузьмин, А.И. Лямкин, А.М. Ставер. Экспериментальное изучение состава газообразных продуктов детонации конденсированных взрывчатых веществ в различных атмосферах. // Межвуз. сб." УДМ. Получение и свойства."-Красноярск. 1990. С. 23-27.

68. Пугач Э.А., Андреев В.Д., Огородник В.В. и др. Кинетика окисления алмазов АВ.// Синтетические алмазы. 1980. N 4. С. 10-13.

69. Василишен М.С., Братилов Б.И. и др. Способ получения порошка УДА из водной суспензии.// Сб. КГТУ под рел. Редькина В.Е. Красноярск, с 4950.

70. Белобров П.И. Надмолекулярная структура ставерита.//Сб. КГТУ под ред. Редькина В.Е. Красноярск. 1996. С. 27-28.

71. Долгушин Д.С., Комаров В.Ф., Анисичкин В.Ф. Ударно-волновое Ком-пактирование ультрадисперсных алмазов. // Сб. КГТУ под ред. Редькина В.Е. Красноярск, 1996. С. 15-16.

72. Ларионова И.С. Химия поверхности детонационного углерода.//Сб. КГТУ под ред. Редькина В.Е.Красноярск, с 35-36.

73. Верещагин А.Л. Влияние состава поверхности на электропроводность алмазоподобной фазы углерода.// Сб. КГТУ под ред. Редькина В.Е. Красноярск. с 38-39.

74. А.С. №545017. Состав для шлифования полупроводниковых структур / Пинчук Я.М., Рюмшин В.М. // Б.И. 1977. - №4.

75. А С. №654662. Композиция для химико-механического полирования / „ Губа ГЛ., Огенко Б.М., Воробкало Л.М. // Б.И. 1979. - №12.

76. А С. №957684. Полировальный состав для полупроводниковых материалов / Топоровоский Ю.С., Кизилов В.Д., Семенюк-Иванюк В.А. и др.

77. Захаров А. А., Семенова О.В., Сухорослова Л.А., Юзова В.А. Седимента-ционная устойчивость ультрадисперсных порошков.// Ультрадисперсные материалы. Получение и свойства. Межвузовский сборник, Красноярск, КПИ, 1990, с. 181-185.

78. Захаров А.А., Кирилов В.И., Семенова О.В., Юзова В.А. Суперфинишное полирование кремния. // Сб. тезисов научно-технической конферен134ции с международным участием "Проблемы техники и технологии XXI века". Красноярск, 1994, с. 136.

79. Юзова В.А. «Полировальные композиции на основе новых высокодисперсных абразивных порошков для обработки элементов РЭС» // Диссертационная работа, 1998, с. 93-110.

80. Семенова 0:В. Исследование влияния гидродинамических кавитаций на водные дисперсии алмаза детонационного синтеза. // Отв. ред. Кулагин. Вестник КГТУ, выпуск 9, 1997, с 114-119.

81. В.М. Ивченко, В.А. Кулагин, А.Ф. Немченко. Кавитационная технология. Изд-во КГТУ, г. Красноярск, 1990, с.116.

82. ТУ 40-2067910 — 03 — 91 Пасты полировальные на основе ультрадисперсного алмазного и алмазографитового порошков. Красноярск, 1991.

83. Zakharov A.A., Semenova О. V., Uzova V.A. Superfinish treatment of silicon by ultrafine diamond. // Proc. of Nano II, Herald of Russion Acad. Tesh. Sei. 1994, vi, No 7, p. 275.

84. Хамагути Т., Кимура M., Этами Э. Бесконтактное полирование пластин с гидростатическим регулированием зазора.// Приборы для научных исследований. 1984, N11.

85. Mori Y., Yamauchi К., Endo К. //Precesión Eng. 9,123,1987.

86. Mori Y., Yamauchi К., Endo К. Mechanism of atomic removal m elastic em-mission machining // Presión Engineering. -1988, vol. N 1, p. 24-28.

87. Справочник по триботехнике. Под. ред. Хедбы М., Чичанадзе A.B. В 3-х т. Т.1, Теоретические основы. -М: Машиностроение, 1989. 400 с.

88. Патент РФ № 1671073. Способ полирования полупроводниковых пластин. Бакин М.М., Захаров A.A., Ставер A.A.

89. Захаров A.A., Семенова О.В. Формирование наноразмерного рельефа с помощью ультрадисперсного алмаза. // Региональный научно-технический сборник "Экология, новые материалы и технологии". Красноярск, 1995, с. 77-81.

90. Захаров A.A., Семенова О.В., Юзова В.А. Исследование взаимодействия ультрадисперсного алмаза с поверхностью кремния при полировании. //135

91. Сб. "Цифровые радиотехнические системы и приборы". Красноярск, 1996, с. 232-242.

92. Захаров А.А., Семенова О.В., Юзова В.А. Исследование взаимодействия ультрадисперсного алмаза с поверхностью кремния при полировании. // Сб. "Цифровые радиотехнические системы и приборы". Красноярск, 1996, с. 232-242.

93. Зубов А.Е., Семенова О.В. Исследование технических параметров процесса полирования кремния. // Отв. ред. Кулагин. Вестник КГТУ, выпуск 14, 1998, с. 135.

94. Богданов Е.И. и др. Химико-механическое полирование кремниевых подложек. Электронная промышленность. № 12. 1989. С. 37-38.

95. Семенова О.В. Исследование влияния гидродинамических кавитаций на водные дисперсии алмаза детонационного синтеза. // Отв. ред. Кулагин. Вестник КГТУ, выпуск 9, 1997, с. 114-119.

96. Рылькова Н.М., Семенова О.В. Изучение поверхности монокристаллического кремния после различных видов механической обработки. //Отв. ред. А. В. Сарафанов. Красноярск. КГТУ. 1998. с. 17&-178.

97. Николаенко В.В., Семенова О.В. Подготовка пластин кремния для исследования структуры и глубин кристаллографических нарушений приповерхностных слоев методом оже-спектроскопии. // Отв. ред. Кулагин. Вестник КГТУ, выпуск 14, 1998, с. 157-158.

98. Рылькова Н.М., Семенова О.В. Выбор методик и способа подготовки поверхности кремния к спектроскопическому исследованию. // Отв. ред. А. В. Сарафанов. Красноярск. КГТУ. 6-7 мая 1999. с. 135-142.

99. Захаров А. А., Ронжин И.Л., Семенова О.В. Исследование поверхности кремния после механического полирования. // Отв. ред. Кулагин. Вестник КГТУ, выпуск 14, 1998, с. 208-213.