Повышение эффективности моделирования схем силовой электроники на основеадаптивных алгоритмов численного интегрирования тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 05.13.18, кандидат технических наук Таназлы, Георгий Иванович

• Таназлы, Георгий Иванович
• кандидат технических наук
• 2005

Оглавление диссертации кандидат технических наук Таназлы, Георгий Иванович

Введение

Глава 1. Анализ проблемы моделирования схем силовой электроники.

1.1. Особенности проектирования схем силовой электроники.

1.2. Анализ существующих методов моделирования 22 схем силовой электроники.

1.3. Анализ систем моделирования и проектирования 33 электронных схем.

1.4. Цель и задачи работы. 40 Выводы и результаты главы 1.

Глава 2. Решение задачи устойчивости процесса моделирования 43 схем силовой электроники на основе разработки алгоритма адаптации численных методов интегрирования.

2.1. Оценка погрешности методов численного интегрирования.

2.2. Разработка алгоритма моделирования схем силовой 49 электроники на основе настройки численных методов интегрирования.

2.3. Тестирование алгоритма моделирования схем силовой 56 электроники на примере анализа схемы тиристорного двухполупериодного выпрямителя.

Выводы и результаты главы 2.

Глава 3. Разработка методики моделирования схем силовой электроники.

3.1. Методика анализа схем силовой электроники.

3.2. Алгоритм повышения быстродействия моделирования 73 схем силовой электроники.

3.3. Разработка и тестирование моделей элементов схем 81 силовой электроники.

3.3.1. Модели диодов.

3.3.2. Модели тиристоров.

3.3.3. Модель высоковольтного высокочастотного 99 трансформатора с учетом межвитковых и межобмоточных емкостей. Выводы и результаты главы 3.

Глава 4. Прикладные аспекты моделирования схем силовой электроники с использованием САПР OrCAD.

4.1. Анализ электромагнитных процессов в схемах 111 источников питания на базе двухтактного преобразователя напряжения.

4.2. Подтверждение эффективности методики моделирования 123 схем силовой электроники с помощью САПР OrCAD на примере физической модели системы заряда емкостных накопителей энергии.

4.3. Анализ электромагнитных процессов в схеме источника 131 питания на базе мостового инвертора частоты с обратным диодом, включенным параллельно мосту для индукционного нагрева металлов.

4.4. Модели генераторов с переменной длительностью и 141 частотой следования выходных импульсов.

Выводы и результаты главы 4.

Выводы и результаты работы.

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Повышение эффективности моделирования схем силовой электроники на основеадаптивных алгоритмов численного интегрирования»

В настоящее время устройства силовой электроники широко используются в системах энергообеспечения и для реализации различных технологических процессов. При этом перечень систем энергообеспечения и технологических процессов непрерывно расширяется. Кроме этого идет непрерывная разработка новых силовых электронных элементов, позволяющих улучшать функциональные характеристики систем преобразования.

Известно большое количество универсальных средств моделирования, позволяющих провести анализ электромагнитных процессов в схемах силовой электроники (OrCAD, MatLab, MicroCap, WEWB и т.д.). Однако, из-за своей универсальности, эффективность их применения для узкого класса анализируемых схем в ряде случаев недостаточна. Из-за этого актуальной является задача повышения эффективности моделирования при анализе конкретного класса схем силовой электроники.

Моделированием электронных схем в России и за рубежом занимается широкий круг исследователей. Среди них - Архангельский А.Я., Афанасьев А.О., Кузнецова С.А., Нестеренко А.В., Петраков О., Разевиг В.Д., Джиле Д.К., Атертон Д.Л., Кертис В.Р., Штатц Г. и др. Анализ литературных источников показал, однако, что в работах перечисленных авторов не рассматривались вопросы, связанные с моделированием в области конкретного класса схем силовой электроники.

Решение этих вопросов затруднено многообразием элементов, применяемых в системах силовой электроники и сложностью средств моделирования, функциональные возможности которых в имеющейся литературе освещены не полностью. Поэтому до настоящего времени не удавалось создать адекватные модели и практическую реализацию ряда схем силовой электроники. Попытки применения существующих методик и моделей [23, 34, 44, 54] для исследования данных схем силовой электроники себя не оправдали. Использование стандартных процедур настройки численных методов интегрирования зачастую приводит к численной неустойчивости процесса моделирования. Также стандартные пакеты не обладают полной базой элементов, применяемых в схемах силовой электроники. Анализ схемы силовой электроники требует получения уточненных моделей таких элементов. Кроме этого, необходимо учитывать специфику работы схемы силовой электроники.

Таким образом, создание методики анализа схем силовой электроники и моделей ряда элементов является актуальной задачей, и это определило цель настоящей работы - повышение эффективности моделирования схем силовой электроники за счет применения адаптивных алгоритмов численного интегрирования, создания новой методики моделирования и использования уточненных моделей элементов.

Основные задачи работы

1. На основе оценки погрешностей существующих методов численного интегрирования разработать алгоритм моделирования схем силовой электроники, обеспечивающий устойчивость процесса моделирования в исследуемом временном диапазоне за счет адаптивной настройки шага интегрирования по критериям быстродействия и точности.

2. С учетом особенностей, характерных для схем силовой электроники, разработать методику моделирования, повышающую эффективность анализа исследуемых схем.

3. Разработать алгоритм повышения быстродействия процесса моделирования схем силовой электроники на основе метода постоянно-переменной структуры.

4. Разработать на языке PSpice уточненные модели базовых элементов, позволяющих автоматизировать процесс моделирования схем силовой электроники с использованием стандартных пакетов моделирования.

5. Провести анализ эффективности предложенных алгоритмов и методик путем их тестирования на примерах моделирования реально существующих схем силовой электроники.

На защиту выносятся

1. Алгоритм моделирования схем силовой электроники, основанный на адаптивной настройке управляющих опций с учетом сходимости численных методов интегрирования по критериям быстродействия и точности и позволяющий обеспечить эффективный анализ исследуемых схем за счет достижения устойчивости процесса моделирования во всем исследуемом временном диапазоне.

2. Методика моделирования, учитывающую особенности, характерные для схем силовой электроники, накладываемые топологические ограничения и позволяющую осуществлять анализ как штатных, так и аварийных режимов работы исследуемой схемы.

3. Алгоритм повышения быстродействия процесса моделирования схем силовой электроники на основе метода постоянно-переменной структуры, позволяющего сократить количество элементов исследуемой схемы за счет исключения на время между коммутациями закрытых вентилей.

4. Уточненные модели быстродействующего таблеточного диода ДЧ143-80-20, псевдоидеального диода, быстродействующего тиристора ТБ143-630-14, тороидального ферритового сердечника TNM2000-32-16-8, высоковольтного высокочастотного трансформатора с учетом межвитковых и межобмоточных емкостей, разработанные на языке PSpice и позволяющие автоматизировать процесс анализа схем силовой электроники с использованием стандартных пакетов моделирования.

5. Результаты экспериментальных исследований предложенных алгоритмов и методик на примерах моделирования работы схем зарядного устройства емкостного накопителя энергии на базе двухтактного преобразователя напряжения, источника питания на базе мостового инвертора частоты с обратным диодом, включенным параллельно мосту для индукционного нагрева металлов и генератора с переменной длительностью и частотой следования выходных импульсов.

Научная новизна работы

1. Разработан алгоритм моделирования схем силовой электроники, повышающий эффективность их анализа за счет обеспечения устойчивости процесса моделирования во всем исследуемом временном диапазоне. Алгоритм основан на адаптивной настройке на каждом шаге итераций управляющих опций численных методов интегрирования с учетом обеспечения гарантированной сходимости выбранного метода и критериев быстродействия и точности.

2. Разработана методика моделирования схем силовой электроники, повышающая эффективность анализа исследуемых схем за счет учета особенностей, характерных для функционирования схем силовой электроники и топологических ограничений. Методика позволяет анализировать как штатные, так и аварийные режимы работы схем.

3. Разработан алгоритм повышения быстродействия моделирования схем силовой электроники. Алгоритм основан на использовании метода постоянно-переменной структуры, упрощающего процесс анализа за счет исключения из схемы на время между коммутациями закрытых вентилей.

Практическая ценность

1. Разработаны модели силового тиристора (Свидетельство об официальной регистрации программы для ЭВМ № 2003610933) и тороидального ферритового сердечника (Свидетельство об официальной регистрации программы для ЭВМ №2004611837), псевдоидеального диода, быстровосстанавливающегося таблеточного диода ДЧ143-80-20, высокочастотного высоковольтного трансформатора с учетом межвитковых и межобмоточных емкостей. Вышеперечисленные уточненные модели базовых элементов разработаны на языке PSpice и могут быть использованы при работе со стандартными пакетами моделирования.

2. Проведен анализ эффективности предложенных алгоритмов и методик путем их тестирования на примерах моделирования ряда схем силовой электроники:

- зарядных устройств емкостных накопителей энергии на базе мостовой схемы, мостовой схемы с индуктивно-емкостным преобразователем, схем однотактного и двухтактного преобразователей напряжения, обеспечивающих в системах резонансный подъем напряжения в 103104 раз; источников питания для индукционного нагрева металлов, выполненных на базе мостового инвертора частоты с обратным диодом, включенным параллельно мосту и на базе мостового инвертора с обратными диодами и включением нагрузки в цепь разделительного конденсатора.

Объем работы

Диссертационная работа изложена на 161 странице текста, иллюстрирована 54 рисунками, 20 таблицами состоит из введения, четырех глав, списка использованных источников из 105 наименований и приложения на 42 страницах.

Заключение диссертации по теме «Математическое моделирование, численные методы и комплексы программ», Таназлы, Георгий Иванович

ВЫВОДЫ И РЕЗУЛЬТАТЫ РАБОТЫ

1. Разработан алгоритм моделирования схем силовой электроники, основанный на адаптивной настройке управляющих опций численных методов интегрирования на каждом шаге итераций с учетом обеспечения гарантированной сходимости выбранного метода и критериев быстродействия и точности. Алгоритм обеспечивает устойчивость процесса моделирования во всем исследуемом временном диапазоне вне зависимости от выбранного метода численного интегрирования и, соответственно, повышает эффективность анализа схем силовой электроники.

2. Разработана методика моделирования схем силовой электроники, обеспечивающая эффективный анализ исследуемых схем за счет учета особенностей, характерных для функционирования схем силовой электроники и накладываемых топологических ограничений на соединение элементов схемы. Методика позволяет анализировать как штатные, так и аварийные режимы работы схем, а также проводить сравнительный анализ режимов работы нескольких схем в одном временном диапазоне.

3. Разработан алгоритм повышения быстродействия процесса моделирования схем силовой электроники, основанный на использовании метода постоянно-переменной структуры для упрощения процесса анализа исследуемой схемы. Алгоритм позволяет сократить общее время моделирования схем силовой электроники за счет исключения из схемы на время между коммутациями закрытых вентилей в среднем в 2,8 раза по сравнению с анализом полной схемы, при этом анализ переходного процесса (который занимает наибольшее время от общего) с применением алгоритма в среднем выполняется быстрее в 3,4 раза, а число итераций уменьшается в 2,4 раза.

4. На языке PSpice разработаны модели силового тиристора (Свидетельство об официальной регистрации программы для ЭВМ №

2003610933), тороидального ферритового сердечника (Свидетельство об официальной регистрации программы для ЭВМ №2004611837), псевдоидеального диода, быстровосстанавливающегося таблеточного диода ДЧ143-80-20, высокочастотного высоковольтного трансформатора с учетом межвитковых и межобмоточных емкостей. Вышеперечисленные уточненные модели базовых элементов могут быть использованы при работе со стандартными пакетами моделирования.

Разработан упрощенный метод тестирования диодов и тиристоров с использованием возможностей САПР OrCAD, который дает достоверные результаты.

Показано, что построение PSpice модели силового диода ДЧ143-800-20 по неполной входной информации с использованием значений неизвестных параметров по умолчанию дает достоверные результаты по параметрам импульсного прямого напряжения, повторяющегося импульсного обратного тока и удовлетворительный результат по времени обратного восстановления, что необходимо учитывать при использовании данного типа диодов в моделях схем силовой электроники. Результаты тестирования модели диода ДЧ143-800-20 показывают: Ufm=1>48 В (паспортное значение 1,4 В), время обратного восстановления - 0,5 мкс (паспортное значение - около 1 микросекунды), повторяющийся импульсный обратный ток при 25°С - 3,9 мА, при 140°С - 2,7 мА (паспортное значение при напряжении 2200 В - 2 - 3 мА).

Установлено, что построение PSpice модели силового тиристора ТБ143-630-14 по паспортным данным дает по электрическим параметрам достоверные результаты, соответствующие технической документации завода-изготовителя в полном объеме.

По сравнению с экспериментальными результатами модели высоковольтных высокочастотных трансформаторов с учет межвитковых и межобмоточных емкостей, обеспечивают хорошее совпадение (порядка десятков герц на резонансной частоте 25 кГц) амплитудно-частотных характеристик по резонансной частоте. Особенностью амплитудных характеристик, полученных при моделировании является то, что они располагаются выше характеристик, полученных экспериментально. Это объясняется тем, что в модели сердечника не учитываются потери.

5. Проведен сравнительный анализ эффективности предложенных алгоритмов и методик путем их тестирования на примерах моделирования ряда схем силовой электроники:

- зарядных устройств емкостных накопителей энергии на базе мостовой схемы, мостовой схемы с индуктивно-емкостным преобразователем, схем однотактного и двухтактного преобразователей напряжения, обеспечивающих в системах резонансный подъем напряжения в 103104 раз; источников питания для индукционного нагрева металлов, выполненных на базе мостового инвертора частоты с обратным диодом, включенным параллельно мосту и на базе мостового инвертора с обратными диодами и включением нагрузки в цепь разделительного конденсатора.

Эффективность применения данных алгоритмов и методик подтверждена сопоставлением результатов моделирования с результатами, полученными на физической модели источников питания на базе двухтактного преобразователя напряжения. Получен коэффициент раскачки по напряжению 3,23*103, что соответствует полученному при расчете диапазону 103104.

Список литературы диссертационного исследования кандидат технических наук Таназлы, Георгий Иванович, 2005 год

1. Государственный стандарт № 24461-80 «Приборы полупроводниковые силовые. Методы измерений и испытаний». Введен 01.01.1982.

2. Автоматизация проектирования радиоэлектронных средств. Под ред. О.В. Алексеева, М.: Высшая школа, 2000.

3. Аксаков А., Богомяков А., Ковалев Ф. Элементная база современной силовой электроники // Радиоэлектроника и управление. 2003. № 4-6.

4. Аксенов А.И., Нефедов А.В. Отечественные полупроводниковые приборы. Справочное пособие. Издание 3. М.: Солон-Р, 2002. - 540 с.

5. Архангельский А.Я., PSpice и Design Center, Часть1: Схемотехническое моделирование. Модели элементов. Макромоделирование, М.: МИФИ, 1996 г.

6. Архангельский А.Я., PSpice и Design Center, Часть 2: Модели цифровых и аналого-цифровых устройств. Идентификация параметров моделей. Графические редакторы, М.: МИФИ, 1996 г.

7. Афанасьев А.О., Кузнецова С.А., Наше решение проблемы // EDA Express, 2001, №3-с. 19.

8. Афанасьев А.О., Кузнецова С.А., Нестеренко А.В. Проектирование в OrCAD, Киев, Наука и техника, 2001.

9. Болотовский Ю.И., Таназлы Г.И. PSpice-модвли силовых тиристоров // Межвузовский научный сборник «Электромеханика, электротехнические комплексы и системы», Уфа, 2002 г, с. 88-90

10. Болотовский Ю.И., Таназлы Г.И. Имитационная модель «Быстродействующий тиристор ТБ143-630-14», Свидетельство об официальной регистрации программы для ЭВМ № 2003610933, М.: 17 апреля 2003 г.

11. Болотовский Ю.И., Таназлы Г.И. Имитационная модель «Тороидальный ферритовый сердечник TNM2000-32xl6x8», Свидетельство об официальной регистрации программы для ЭВМ №2004611837, М.:09 августа 2004 г.

12. Болотовский Ю.И., Таназлы Г.И. Опыт моделирования систем силовой электроники в среде OrCAD 9.2 // Силовая Электроника. 2004. №1 с. 90-95.

13. Болотовский Ю.И., Таназлы Г.И. Опыт моделирования систем силовой электроники в среде OrCAD 9.2. Часть 2 // Силовая Электроника. 2004. №2.-с. 96-102.

14. Болотовский Ю.И., Таназлы Г.И. OrCAD. Моделирование. «Поваренная» книга, М.: COJIOH-Пресс, 2005 200 с.

15. Влах И., Сингхал К. Машинные методы анализа и проектирования электронных схем. М.: Радио и связь, 1988 - 560 с.

16. Вдовин С.С. Проектирование импульсных трансформаторов. Л.: Энергия, 1971.

17. Воронин П.А. Силовые полупроводниковые ключи: семейства, характеристики и применение, М.: Додэка-ХХ1, 2001 380 с.

18. Добрусин JI.A., Шитов В.А. Макромоделирование сложных преобразователей // Электро: электроэнергетика, электротехника, электротехническая промышленность. 2002. № 6. с. 9-15.

19. Житников В.П., Шерыхалина Н.М., Ураков А.Р. Линейные некорректные задачи. Верификация численных результатов. Уфа, УГАТУ, 2002 г. -90 с.

20. Зиновьев Г.С. Основы силовой электроники. Издание 2., Новосибирск: Издательство НГТУ, 2003 г. 664 с.

21. Карлащук В.И. Электронная лаборатория на IBM PC. Программа Electronics Workbench и ее применение. М.: Солон-Р, 2000. 736 с.

22. Карлов Б., Есин Е. Современные преобразователи частоты. Методы управления и аппаратная реализация // Силовая электроника. 2004. №1. -с. 50-54.

23. Колпаков А. Конденсаторы ELECTRONICON для высоковольтных преобразовательных устройств // Компоненты и технологии. 2004. № 6. -с. 22-25.

24. Колпаков А. Особенности проектирования частотных преобразователей средней и большой мощности // Электронные компоненты. 2003. № 6.

25. Конструкция сердечника для индукционного нагрева и способ нагревания. Illinois Tool Works Inc.

26. Максимов Д.А., Федотов Ю.А., Федосин С.А. Структура программы моделирования устройств силовой электроники «DIFUR» // Технические и естественные науки: пробл., теория, эксперим. 2002. № 2. с. 146-149.

27. Марков В.Ю., Бобков В.А. Преобразовательная техника, поставляемая Российской электротехнической компанией для алюминиевых заводов // Промышленная энергетика. 1999. № 9.

28. Патент 2106712 (РФ). Дроссель насыщения. В.А. Бобков, О.А. Неуй-мин. Опубл. в Б.И. 1998. № 7.

29. Переверзев А.В., Василенко О.В., Шмалий С.Л. Экономичная макромодель мощного БПТ // Электротехника и электроэнергетика. 2002. № 1. — с. 12-15.

30. Перегудов Ф.И., Тарасенко Ф.П. Введение в системный анализ М.: Высшая школа, 1989 - 367 с.

31. Петраков О., Серия статей в журнале "Схемотехника" за 2001 год.

32. Петраков О., Создание аналоговых PSpice-моделей радиоэлементов, М.: Радиософт, 2002 г.

33. Полищук А. Проблемы выбора ключевых транзисторов для преобразователей с жестким переключением. // Силовая электроника. 2004. № 2 — с. 22-25.

34. Потапов Ю. Проектирование блоков питания с применением современных САПР // Электронные компоненты. 2002. № 6 с. 122-125.

35. Разевиг В.Д. Среда проектирования OrCAD 9.2, М.: Солон-Р, 2001 -519 с.

36. Разевиг В.Д. Система сквозного проектирования электронных устройств DesignLab 8.0, М.: Солон, 1999 700 с.

37. Разевиг В.Д. Система схемотехнического моделирования MicroCap V. -М.: Солон, 1997.

38. Сбродов А. Тенденции развития и особенности применения преобразователей электрической энергии // Электронные компоненты. 2004. № 6. с. 64-67.

39. Силовые полупроводниковые приборы. Пер. с англ. под ред. В.В. Токарева. Первое издание. Воронеж. 1995 662 с.

40. Таназлы Г.И., Подсистема автоматизированного проектирования сложных динамических систем на основе структурных функций // Диссертация на соискание ученой степени магистра техники и технологии, Уфа, УГАТУ, 2002 г.

41. Таназлы Г.И., Разработка среды визуального проектирования «Структурный синтез // Квалификационная работа на соискание ученой степени бакалавра техники и технологии, Уфа, УГАТУ, 2000 г.

42. Тиховод С.М., Корнус Т.М. Программа для компьютерного моделирования электрических процессов в тиристорных цепях // Электротехника и электроэнергетика. 2002. № 1.-е. 54-62.

43. Фидлер Дж. К., Найтингейл К. Машинное проектирование электронных схем, М.: Высшая школа, 1985 216 с.

44. Флоренцев С. Силовая электроника начала тысячелетия // Электротехника. 2003. №6.-с. 3-9.

45. Флоренцев С. Силовые IGBT модули основа современного преобразовательного оборудования // Электронные компоненты. 2002. № 6.

46. Херберт Д.Б. Моделирование источников шума с помощью программы Spice // Электроника. 1991. № 16. с. 68-69.

47. Хрисанов В.И., Бржезинский Р. Анализ состояния и перспектив развития силовой электроники и электропривода // Электротехника. 2003. № 6.-е. 10-15.

48. Черепанов В.П., Хрулев А.К. Тиристоры и их зарубежные аналоги. Справочник в 2 т. — М.: ИП Радиософт, 2003 г.

49. Чуа Л.О., Ли Пен-Мин, Машинный анализ электронных схем. Алгоритмы и вычислительные методы, М.: Энергия, 1980 640 с.

50. Энкарначчо Ж., Шлехтендаль Э. Автоматизированное проектирование: основные понятия и архитектура системы, М.: Радио и связь, 1986 -288 с.

51. А.Е. Parker, Device Characterization and Circuit Design for High Performance Microwave Applications. IEE EEDMO'93, London, October 18, 1993.

52. A.E. Parker, D.J. Skellern, Improved MESFET Characterization for Analog Circuit Design and Analysis // IEEE GaAs 1С Symposium Technical Digest, Miami Beach, October 4-7, 1992, pp. 225-228.

53. A.J. McCamant, G.D. McCormack, D.H. Smith, An Improved GaAs MESFET Model for SPICE // IEEE Transactions on Microwave Theory and Techniques, vol. 38, no. 6, June 1990, pp. 822-824.

54. A.R. Hefner, Jr., An Investigation of the Drive Circuit Requirements for the Power Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) // IEEE Transactions on Power Electronics, Vol. 6, No 2, April 1991, pp. 208-219.

55. A.R. Hefner, Jr., INSTANT IGBT Network Simulation and Transient Analysis Tool // National Institute of Standards and Technology Special Publication SP 400-88, June 1992.

56. A.R. Hefner, Jr., Modeling Buffer Layer IGBTs for Circuit Simulation // IEEE Transactions on Power Electronics, Vol. 10, No. 2, March 1995, pp. 111-123.

57. A.S. Grove, Physics and Technology of Semiconductor Devices. John Wiley and Sons, Inc., 1967.

58. A. Vladimirescu, S. Lui, The Simulation of MOS Integrated Circuits Using SPICE2 // Memorandum No. M80/7, February 1980.

59. B.J. Sheu, D.L. Scharfetter, P.-K. Ко, M.C. Jeng, BSIM: Berkeley Short-Channel IGFET Model for MOS Transistors // IEEE Journal of Solid-State Circuits, SC-22, August 1987, pp. 558-566,

60. D.C. Jiles, D.L. Atherton, Theory of ferromagnetic hysteresis // Journal of Magnetism and Magnetic Materials, 61,48, 1986.

61. D.H. Smith, An Improved Model for GaAs MESFETs, Publication forthcoming (Copies available from TriQuint Semiconductors Corporation or OrCAD).

62. G.M. Kull, L.W. Nagel, S.W. Lee, P. Lloyd, E.J. Prendergast, H.K. Dirks, A Unified Circuit Model for Bipolar Transistors Including Quasi-Saturation Effects // IEEE Transactions on Electron Devices, ED-32, 1985, pp. 11031113.

63. G.T. Oziemkiewicz, Implementation and Development of the NIST IGBT Model in a SPICE-based Commercial Circuit Simulator // Engineer's Thesis, University of Florida, December 1995.

64. H. Shichman, D.A. Hodges, Modeling and simulation of insulated-gate field-effect transistor switching circuits // IEEE Journal of Solid-State Circuits, SC-3,285, September 1968.

65. H. Statz, P. Newman, I.W. Smith, R.A. Pucel, H.A. Haus, GaAsFET Device and Circuit Simulation in SPICE // IEEE Transactions on Electron Devices, ED-34, 1987, pp. 160-169.

66. Getreu, Modeling the Bipolar Transistor // Tektronix, Inc. part# 062-284100.

67. J.C. Bowers, N.A. Neinhaus, SPICE2 Computer Models for HEXFETs // Application Note 954A, reprinted in HEXFET Power MOSFET Databook, International Rectifier Corporation #HDB-3.

68. J.H. Huangm Z.H. Liu, M.C. Jeng, K. Hui, M. Chan, P.K. Ко, С. Ни, BSIM3 Manual. Department of Electrical Engineering and Computer Science, University of California, Berkeley, CA 94720.

69. J.R. Pierret, A MOS Parameter Extraction Program for the BSIM Model // Memorandum No. M84/99 and M84/100, November 1984.

70. P. Antognetti, G. Massobrio, Semiconductor Device Modeling with SPICE. McGraw-Hill, 1988.

71. PSpice Application Notes, www.orcad.com

72. PSpice Datasheet, www.orcad.com91 .PSpice Frequently Asked Question, www.orcad.com

73. PSpice Library List, Cadence Design System, Inc. 678 p.

74. PSpice Optimizer User's Guide, Cadence Design System, Inc. 172 p.

75. PSpice Quick Reference Guide, Cadence Design System, Inc. 10 p.

76. PSpice Reference Guide, Cadence Design System, Inc. 360 p.

77. PSpice Schematics. User's Guide. Cadence Design System, Inc. 350 p.

78. PSpice Tutorial, www.orcad.com

79. PSpice User's Guide. Cadence Design System, Inc. 600 p.

80. P. Yang, B. Epler, P.K. Chatteijee, An Investigation of the Charge Conservation Problem for MOSFET Circuit Simulation // IEEE Journal of Solid-State Circuits, Vol. SC-18, No. 1, Februaiy 1983.

81. Roychowdhury, Pederson Efficient Transient Simulation of Lossy Interconnect // Design Automation Conference, 1991.

82. S.E. Sussman-Fort, S. Narasimhan, K. Marayam, A complete GaAs MESFET computer model for SPICE // IEEE Transactions on Microwave Theory and Techniques, MMT-32, 1984, pp. 471-473.

83. Tripathi, Rettig, A SPICE Model for Multiple Coupled Microstrips and Other Transmissions Lines // IEEE MTT-S Internal Microwave Symposium Digest, 1985.

84. Using OrCAD Capture, wwav.orcad.com

85. W.R. Curtice, A MESFET model for use in design of GaAs integrated circuits // IEEE Transactions on Microwave Theory and Techniques, MMT-28,1980, pp. 448-456.