Получение многокомпонентных полупроводниковых материалов на основе соединений А3 В5 с заданными свойствами тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 05.27.06, кандидат технических наук Столяров, Сергей Михайлович

• Столяров, Сергей Михайлович
• кандидат технических наук
• 1998

Оглавление диссертации кандидат технических наук Столяров, Сергей Михайлович

2.6. Легирование ПТР

2.7. Выводы

3. Моделирование и исследование подвижности носителей заряда и ширины запрещенной зоны

3.1. Экспериментальные данные подвижности носителей заряда

3

твердых растворов на основе соединений А В

3.2. Методика определения зависимости подвижности носителей заряда от их концентрации в ПТР

3.3. Применение методики определения "легирующих" коэффициентов для ПТР InAlGaPAs(GaAs)

3.4. Анализ функции-составляющей /4 в ПТР AlGalnAsP(InP) и InAlGaAsSb(GaSb)

3.5. Методика определения множества возможных составов ПТР на

о с

основе соединений АВ

3.6. Нахождение ряда "легирующих" коэффициентов ПТР InAlGaPAs(GaAs) с помощью методики определения множества возможных составов

3.7. Моделирование ширины запрещенной зоны

3.8. Выводы

4. Управление составом ПТР InAlGaPAs(GaAs) с помощью

изменения коэффициента сегрегации алюминия в

эпитаксиальных слоях

4.1. Определение концентрации основных носителей заряда расчетными и экспериментальными методами

4.2. Температурная и концентрационная зависимость коэффициента сегрегации А1 в эпитаксиальных слоях InAlGaPAs(GaAs)

4.3. Выводы

Общие выводы работы

Литература

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Получение многокомпонентных полупроводниковых материалов на основе соединений А3 В5 с заданными свойствами»

ВВЕДЕНИЕ

Развитие электроники в последнее время в значительной степени определяется достижениями технологии новых полупроводниковых

3 5

материалов на основе пятикомпонентных твердых растворов А В , интерес к которым вызван возможностью на их основе повышать совершенство гетерограницы эпитаксиальных структур за счет одновременного согласования параметров решетки и коэффициентов теплового расширения сопрягающихся материалов и создавать таким образом "идеальные" гетероструктуры для высокоэффективных приборов.

Наиболее технологичным среди жидкофазных методов эпитаксии представляется на данный момент метод зонной перекристаллизации градиентом температуры, который позволяет получать толстые слои с заданным распределением компонентов, обладая высокой равновесностью процесса и возможностью обеспечения подпитки растущего кристалла. Накопленный экспериментальный материал по бинарным, трехкомпонентным и четырехкомпонентным системам позволяет наиболее точно исследовать влияние пятого компонента на электрофизические свойства и качество получаемых гетероструктур.

Сложности, связанные с недостаточным количеством экспериментальных данных для получения высокосовершенных гетероструктур и приборов на их основе делают актуальной данную диссертационную работу, в которой рассматриваются возможности получения гетероструктур такого класса с заданными значениями основных параметров ПТР.

Целью настоящей работы является моделирование и получение пятикомпонентных твердых растворов 1пАЮаРАз(СаАя), АЮа1пАзР(1пР), 1пАЮаА88Ь(Оа5Ь) с заданными

электрофизическими свойствами.

Для реализации поставленной цели решались следующие задачи:

- анализ возможностей получения "идеальных" гетероструктур на

3 5

основе ПТР соединений А В ;

- анализ методик определения ширины запрещенной зоны рассматриваемых ПТР с уточнением интерполяционной формулы расчета;

- разработка методики определения зависимости подвижности носителей заряда от их концентрации в ПТР на основе соединений А3В5 и ее применение для определения "легирующих" коэффициентов;

- разработка методики определения множества возможных составов и ее применение для нахождения "легирующих"коэффициентов;

исследование температурно-концентрационной зависимости коэффициента сегрегации алюминия в эпитаксиальных слоях ПТР 1пАЮаРА8 на подложке СаАя;

- получение ПТР 1пАЮаРАз(ОаАя) с заданными значениями основных электрофизических параметров.

Научная новизна работы заключается в следующем:

1. При расчете значений ширины запрещенной зоны ПТР 1пАЮаРАз(0аА8) , 1пА Юа А б^Ъ (Оа8Ь) уточнена интерполяционная формула расчета от тройных соединений.

2. Разработана методика определения зависимости подвижности носителей заряда от их концентрации в ПТР.

3. Найдены "легирующие" коэффициенты для нескольких ПТР.

4. Получены зависимости концентрации носителей заряда от содержания примеси в растворе-расплаве.

5. Получены зависимости подвижности носителей заряда от содержания 1п в ПТР ЫАЮаРАя^аАя), 1пАЮаА() и А1 в ПТР АЮа1пАзР(1пР).

6. Разработана методика определения множества возможных составов и представлены возможности ее применения для определения ряда "легирующих" коэффициентов.

7. Получена температурно-концентрационная зависимость коэффициента сегрегации А1 в ПТР 1пАЮаРАз(ОаАя).

8. Проведены расчеты определения параметров, необходимых для получения эпитаксиальных слоев с заданным содержанием алюминия.

9. Разработана модель ПТР 1пАЮаРА$(ОаАя) с заданными значениями подвижности носителей заряда, ширины запрещенной зоны.

Научные положения, выносимые на защиту:

1. Реализованный метод ЗПГТ позволяет получать однородные эпитаксиальные слои многокомпонентных твердых растворов 1пхА1уСа]_х_уА$гЗЬ]_г (СаБЬ). Наиболее оптимальным для воспроизводимого получения многослойных гетероструктур, применяемых для создания инжекционных лазеров, является температурный интервал - 375-475°С. При получении многослойных структур данной пятикомпонентной системы необходимо учитывать следующие особенности: 1). проблему введения мышьяка в твердую фазу; 2). затруднение поддержания точной величины переохлаждения расплава вследствие окисления алюминия; 3). подбор минимально возможного переохлаждения

для раствора-расплава; 4). резкая зависимость величины рассогласования периодов решетки на гетерогранице от содержания мышьяка в жидкой фазе.

2. Разработанная на основе проведенного исследования методика определения зависимости подвижности носителей заряда от их концентрации и состава упрощает получение ПТР на основе

3 5

соединений А В с заданными основными электрофизическими свойствами. Возможности практического применения методики рассмотрены на примере следующих твердых растворов:

ЫАЮаРАя^аАз), 1пАЮаАз8Ь(ва8Ь), АЮа1пАзР(1пР).

3. Проведенный анализ возможных интерполяционных методик определения ширины запрещенной зоны пятикомпонентных твердых растворов позволил определить наиболее оптимальные для различных составов ПТР ЫАЮаРАБ^аАз), ЫАЮаАяЗЬ^аЗЬ).

4. Полученная температурно-концентрационная зависимость коэффициента сегрегации алюминия к = к С ж) в эпитаксиальных слоях ПТР 1пАЮаРА$(ОаАя), являющегося одной из важнейших характеристик этого компонента в данной системе, дает возможность управления распределения алюминия в слоях путем программированного изменения параметров роста, а также получать данный пятикомпонентный твердый раствор с заданными основными свойствами.

Практическое значение работы.

Использование разработанных моделей ПТР позволяет прогнозировать получение пятикомпонентных эпитаксиальных слоев с заданными основными электрофизическими параметрами без проведения дорогостоящих экспериментов.

Апробация работы.

Основные результаты диссертации докладывались и обсуждались на семинарах кафедры физики НГТУ, проблемной лаборатории микроэлектроники НГТУ, Четвертой Всероссийской научно-технической конференции с международным участием по актуальным проблемам твердотельной электроники и

микроэлектроники (г. Таганрог, 1997 г.), научно-технической конференции студентов и аспирантов НГТУ, посвященной 100-летию университета (г. Новочеркасск, 1997 г.).

Публикации и вклад автора.

По результатам исследования опубликовано 10 печатных работ, в которых изложены основные положения диссертации [ 43, 45, 77, 80, 111, 112, 113, 114, 115, 116 ]. Основные результаты работы получены автором самостоятельно.

Структура и объем работы.

Диссертация состоит из введения, четырех глав, выводов, содержит 148 страниц машинописного текста, 16 иллюстраций, 32 таблицы. Библиография включает 120 наименований.

В первой главе проведен критический анализ теоретических и экспериментальных работ по бинарным и многокомпонентным твердым растворам на основе соединений А3В5, технологических методов жидкофазной эпитаксии получения пятикомпонентных твердых растворов. Рассмотрены основные положения интерполяционной методики расчета основных параметров многокомпонентных систем. Представлена уточненная формула расчета ширины запрещенной зоны ПТР . Обоснована постановка задачи исследования.

Во второй главе описано технологическое оборудование, применяемое для выращивания пятикомпонентных полупроводниковых слоев методом ЗПГТ. Рассмотрены подготовка исходных материалов и методика проведения процесса ЗПГТ. Большое внимание уделено рассмотрению стадии гомогенизации раствора-расплава и возможным трудностям совмещения раствора-расплава с подложкой. Представлены физическая модель процесса гомогенизации и математическая модель физических процессов, происходящих в системе, включающая процессы растворения и гомогенизации. Рассмотрены особенности эпитаксии многослойных структур на примере пятикомпонентной системы InAlGaAsSb и возможности получения многослойных лазерных структур с помощью подбора минимально возможного переохлаждения для

каждого отдельного расплава. Проанализирована возможность легирования ПТР и получены связи концентрации носителей в эпитаксиальных слоях некоторых ПТР от содержания примеси в растворе-расплаве. Рассмотрены преимущества ПТР, выращенных с подпиткой.

В третьей главе представлены экспериментальные данные, на основе которых разработана методика зависимости величины подвижности носителей заряда от их концентрации и состава. Проведен анализ зависимости подвижности носителей заряда от изменения содержания некоторых компонентов в ПТР. Введено понятие "легирующего" коэффициента. Найдены "легирующие" коэффициенты для рассматриваемых ПТР. Представлена методика определения области возможных составов, позволяющая определять недостающие "легирующие" коэффициенты.

В четвертой главе рассмотрены возможности получения температурно-концентрационной зависимости коэффициента сегрегации алюминия в эпитаксиальных слоях ПТР ЫАЮаРАз^аАя). Представлены зависимости текущей температуры процесса t от концентрации алюминия в жидкой фазе. Разработана методика получения ПТР с заданными значениями ширины запрещенной зоны, подвижности носителей заряда и фиксированной концентрацией алюминия на примере ПТР 1пАЮаРА8(ваАз).

1. Обзор литературы и постановка задачи

Заключение диссертации по теме «Технология и оборудование для производства полупроводников, материалов и приборов электронной техники», Столяров, Сергей Михайлович

5. Общие выводы работы.

1. Разработана математическая модель процесса гомогенизации ПТР, содержащая уравнения тепломассопереноса, гидродинамики, непрерывности и т.д., позволяющая повышать качество получаемых структур.

2. Рассмотрены особенности эпитаксии многослойных структур на примере пятикомпонентной системы ЫАЮаАзБЬ. Сложности получения изопериодных с подложкой СаЗЪ ПТР при низких температурах эпитаксии (375 - 475° С) определяется более резкой зависимостью величины рассогласования периодов решетки на гетерогранице от содержания мышьяка в жидкой фазе. Результаты исследований показали, что градиент концентрации мышьяка по толщине слоя наблюдался во всех гетероструктурах, выращенных при температурах ниже 475 °С.

3. Разработана методика определения зависимости подвижности носителей заряда от их концентрации и состава, упрощающая получение ПТР на основе соединений А В с заданными основными параметрами.

4. Проведен анализ интерполяционных формул определения ширины запрещенной зоны, что позволяет сделать выбор для каждой отдельной системы.

5. Получена модифицированная формула определения ширины запрещенной зоны, которая позволяет интерполировать расчетные значения данного параметра наиболее точно к экспериментальным значениям.

6. Предложена формула зависимости концентрации носителей заряда от содержания примеси в растворе-расплаве, являющаяся перспективной при получении ПТР с заданными значениями основных параметров.

7. Получена температурно-концентрационная зависимость коэффициента сегрегации алюминия, позволяющая моделировать процессы получения эпитаксиальных слоев ПТР, особенности распределения А1 в этих слоях, значение подвижности носителей заряда в зависимости от содержания примеси, концентрации алюминия в твердой фазе, температуры процесса, что может быть использовано при создании систем отображения информации и сигнализации в расчете на визуальный контроль.

Список литературы диссертационного исследования кандидат технических наук Столяров, Сергей Михайлович, 1998 год

Список использованной литературы.

1. Лозовский В. Н., Лунин Л. С. Пятикомпонентные твердые растворы соединений А3В5.//Ростов-на-Дону, 1992, 191 стр.

2. Алферов Ж.И. Полупроводниковые гетероструктуры. Обзор. // ФТП. 1977. Т.П. № И. Стр. 2072-2083.

3. Долгинов В.Н., Елисеев П.Г., Мильвидский М.Г. Многокомпонентные полупроводниковые твердые растворы и их применение в лазерах. // Квантовая электроника. 1976. Т.8. № 7. Стр. 1381-1383.

4. Долгинов В.Н., Елисеев П.Г., Исмаилов И. Инжекционные излучательные приборы на основе многокомпонентных твердых растворов. // Итоги науки и техники. Сер. Радиотехника. Т.21. Стр.З-115.

5. Овчинников В.А. Разработка физико-химических основ получения ПТР InAlGaAsSb в поле температурного градиента. // Канд. диссертация. Новочеркасск. 1994. Стр.178.

6. А. Милис, Д. Фойхт Гетеропереходы и переходы металл-полупроводник. / Под ред. Вавилова B.C.. М., 1975. 432стр.

7. Шарма Б.Л., Пурохит Р.К. Полупроводниковые гетеропереходы. / Под ред. Гуляева. Ю.В.. М., 1979. 227стр.

8. Андреев В.М., Долгинов Л.М., Третьяков Д.Н. Жидкостная эпитаксия в технологии полупроводниковых приборов. // М., 1975. 320 стр.

9. Богданкевич О.В., Даранок С.А., Елисеев П.Г. Полупроводниковые лазеры. //М., 1976. 416 стр.

10. Крессел Г., Нельсон Г. Свойства и применения пленок соединений элементов групп 3 и 5, полученных эпитаксией из жидкой фазы. // ФТП. М., 1977. Т.7. Стр. 276.

11. Мильвидский М.Г., Освенский В.Б. Структурные дефекты в эпитаксиальных слоях полупроводников. // М., 1985. Стр.160.

12. Бублик В.Т., Морозов А.Н., Освенский В.Б. и др. // Кристаллография. 1979. Т.24. № 6. стр.1230.

13. Зотова Н.В., Ясиневич И.Н. Оже- рекомбинация в n-InAs и твердых растворах GaxIni.xAs. // ФТП. 1977. T.l 1. № 10. Стр. 1882.

14. Данилин Б.С. Интегральная оптоэлектроника. Современное состояние и перспективы развития. // Итоги науки и техники. Сер. Электротехника. 1986. Т.18. Стр. 89-132.

15. Долгинов JI.M., Дружинина Л.В., Мильвидский М.Г. и др. Дефекты структуры в эпитаксиальных слоях твердых растворов соединений А3В5. // 4-й Всесоюзный симпозиум по процессам роста и синтеза полупроводниковых кристаллов и пленок. Новосибирск, 1977. 4.2. Стр.240.

16. Долгинов Л.М., Дружинина Л.В., Елисеев П.Г. и др. Структурное совершенство эпитаксиальной гетерограницы GaAs- AlxGa!_xAs // Научные труды Гиредмета. М., 1974. Вып. 56. Стр.8.

17. Бублик В.Т., Долгинов Л.М., Дружинина Л.В. и др. Исследование кристаллического совершенства гетероструктур в системе твердых растворов GaAs-AlAs и его влияние на характеристики инжекционных лазеров. // ЖТФ. 1974. Т.44. № 7. Стр.1499.

18. Tsang W.T. Extension of lazing wavelengths beyond 0,87 [i min GaAs/ AlxGai_xAs doble-geterostructure lasers by in the GaAso,87 active layers during molecular beam epitaxy. // Appl. Phys. Let. 1981.V.38. №9. P.664.

19. Гришин A.H., Горбатый Н.Ш. Электролюминесценция p-n структур на основе твердых растворов InxGai_xAs :Si // Изв. Вузов. Сер.Физика. 1979. № 8. Стр.97.

20. Лебедев А.И., Стрельникова И.А. Электролюминесценция р-п-переходов из GaAs, легированных амфотерной примесью олова. // ФТП. 1979. Т. 18. № 10. Стр.2032.

21. Ahmad К., Mabbitt A.W. Gallium-indium arsenide photodiodes // Solidstate Electron. 1979. V.22. № 3.P.387.

22. Nagai E., Noguche I. Ge-doped GaxIni.xAs LED's in 1цт wavelength region // J. Appl. Phys. 1978. V.49. № 1. P.45.

23. Kressel H., Nuese C. J., Olsen G.H. Red-emitting GaAsP/InGaP heterojunction lasers // J. Appl. Phys. 1978. V.49. № 6. P.3140.

24. Говорков A.B., Долгинов Л.М., Дружинина Л.В. и др. Дефекты структуры и люминесценция в эпитаксиальных слоях GaAsxSbi_x. // Кристаллография. 1977. Т.22. № 5. Стр.1060.

25. Nuese С. J., Olsen G.H., Ettenberg H., Gannon J.J., Zamerowsky T.J. C-W room -temperature InxGai.xAs/ biyGa^yP l,06fim lasers. // Appl. Phys. Lett. 1976. V.29. № 12. P.387.

26. Идеи P. Фотодиоды с гетеропереходом на твердых растворах

•з с

соединений А В для высокочувствительных 1,06 мкм приемников // ТИИЭР. 1975. Т.68. Стр.32.

27. Загарьянц М.Н., Киселев А.А., Мазин Ю.С., Полякова В.П. Эффективное излучение диодов из AlxGai_xSb на длине волны 1,64 мкм при 300 К. // Письма в ЖТФ. 1978. Т.4. № 12. Стр.727.

28. Law M.P., Iamasetta I.R., Nakaso K., Narris J.S.. 1,0-1,4цт High-speed avalanche photodiodes. //Appl. Phys. Lett. 1978. V.33. № 5. P.416.

29. Лебедев A.M., Стрельникова И.А., Юдович А.Э. Исследование фотолюминесценции тройных твердых растворов. // ФТП. 1977. T.l 1. № 11. Стр.2123.

30. Cheung D. Т., Andrews A.N., Gertner F.R., Williams С. S. etal. // Sacrside-illuminated InAsi_xSb-InAs narrowand. // Ibid. 1977. V.30. №11. P.587.

31. James L., Moon R., Antypas G. Photoemission from cesium oxide-activated InGaAsP. // Appl. Phys. Lett 1973. V.22. № 6. P.270.

32. Moon R., Antypas G. Surface irregularities due to spralgrowth in LPE layers of AlGaAs and InGaAsP. //J. Cryst. Growth. 1973. V.19. № 2. P. 109.

33. Moon R., Antypas G., James L. Growth and characterisation of InP-InGaAsP lattice-matched heterojunction. // J. Electron. Mater. 1974. V.3. № 3. P.635.

34. Батура В.П., Вигдорович B.H., Селин A.A. Четырехкомпонентные

•2 с

твердые растворы соединений А В - перспективные материалы оптоэлектроники. // Зарубежная электронная техника. М., 1980. Стр.З-52.

35. Panish М. В., Ilegems I. Phase equilibria in ternary Systems. // Progress in Solid State chemistry. N. Y., 1972. V.7. P.39-83.

36. Onabe K. Unstable regions in 3-5 quaternary solid solutions composition plane calculated with stricily regular solution approximation. // J. Appl. Phys. 1982. V.21. № 6. P.323-325.

37. Казаков B.B. Твердые растворы AlGalnAsP на основе GaAs и InP полученные в поле температурного градиента и их свойства. // Канд. диссертация. Новочеркасск. 1996. 188 стр.

38. Долгинов С.Г., Ильин М.А., Михайлова Н.Г., Рашевская Е.П. Электрические и оптические свойства твердых растворов GaxIni_xAsyPi.y, легированных Те, Sn, Ge. // ФТП. 1978. Т. 12. № 2. Стр.343-346.

39. Казаков А.И., Мокрицкий В.А., Романенко В.Н., Хитова JI. Расчет фазовых равновесий в многокомпонентных системах. // М., 1987. 137стр.

40. Ondra Т., Ito R., Ogasawara N. Thermodynamics theory of 3-5 semiconductor ternary solid solutions. // Jap. J. Appl. Phys. 1986. V.25. № 1. P.79-82.

41.0синский В.И., Привалов В.И., Тихоненко О.Я. Оптоэлектронные структуры на многокомпонентных полупроводниках. // Минск. Наука и техника. 1981. Стр.208.

42. Аскарян Т.А. Исследование гетеросистем на основе пятикомпонентных

3 5

твердых растворов А В . // Канд. диссертация. Новочеркасск. 1988. Стр.112-187.

43. Лунин JI.C., Столяров С.М., Столярова В.В. Моделирование процесса изменения процесса ширины запрещенной зоны пятикомпонентной гетероструктуры InAlGaPAs/GaAs. // Сборник научных трудов. Новочеркасск. 1997.Стр.56-61.

44. Вигдорович В.Н., Селин А.А., Ханин В.А. Анализ зависимости свойств от состава для пятикомпонентных твердых растворов. // Изв. АН СССР. Неорганические материалы. 1982. Т. 18. № 10. Стр. 1697-1699.

45. Столяров С.М. Построение модели гетероструктуры InxAl j _xGai _x_yAszSb i JGaAs путем изменения величин периода решетки, ширины запрещенной зоны и КТР. // Сборник статей НГТУ, посвященный 100-летию университета. Новочеркасск. 1997. Стр. 120-127.

46. Stringfellow G. В. Calculation of energy gap in quarternary 3/5 alloys. // J. Electron Mater. 1981. V.10. № 5. P.919-939.

47. Glisson Т.Н., Hauser J.R., Littlejoin M. A., Williams C.K. Energy dandgap and lattice constant contours of 3-5 quarternary alloys. // Ibid. 1978. V.7. № l.P.1-16.

48. Deitch R. N. Liquid-phase epitaxial growth of gallium arsenide under transient thermal conditions. // J. Cryst. Growth. 1970. V.7. № 1. P.69-73.

49. Мильвидский М.Г , Пелевин O.B., Сахаров В.Б. Физико-химические основы получения разлагающихся полупроводниковых соединений. // М, 1968. 392стр.

50. Грачев В.М., Сабанова Л.Д. Методы и аппаратура жидкостной эпитаксии. //М., 1974. 41стр.

51. Woodall J. М. Isothermal solution mixing growth of thin GaxAli_xAs layers. // J. Electrochem. Soc. 1971. V.l 18. № 1. p. 150-152.

52. Rode D.L. Isothermal diffusion theory of LPE: GaAs, Gap bubble. // J. Cryst. Growth. 1973. V.20. № 1. P.13-23.

53. Hsieh J.J. Thickness and surface morphology of GaAs LPE laser growth by supercolling, step-cooling, equilibring-cooling and twophase solution techniques. // Ibid. 1977. V.27. № 1. P.49-55.

54. Иоффе А.Ф. Два новых применения явления Пельте. //ЖТФ. 1956. Т.26. Стр.478-482.

55. Геворкян В.А. и др. Электрожидкостная эпитаксия -1,11. // ЖТФ. 1977. Т.47. Вып.6. Стр.1306-1313, 1314-1318.

56. Демин В.Н. и др. Процессы роста полупроводниковых кристаллов и пленок.//Новосибирск. 1981. Стр.67-73.

57. Хачатурян О.А., Авакян М.С., Аракелян В.Б. Влияние постоянного тока на процессы жидкофазной эпитаксии. // Ереван. 1987. Стр.57.

58. Лозовский В.Н. Зонная плавка с градиентом температуры. // М., 1972. Стр.3-115.

59. Лозовский В.Н., Лунин Л.С., Попов В.П. Зонная перекристаллизация градиентом температуры полупроводниковых материалов. // М., 1987. 232стр.

60. Долгинов Л.М., Нашельский А.Я. Зонная плавка с градиентом температуры и ее применение в технологии полупроводниковых приборов. // М., Цветметинформация. 1966. 36стр.

61. Пфанн В. Зонная плавка. // Пер. с англ. М.: Мир. 1970. 366стр.

62. Лунин Л.С., Кеда А.И. Исследование свойств эпитаксиальных слоев, полученных при зонной плавке с градиентом температуры в системах на основе арсенида галлия. // Кристаллизация и свойства кристаллов. Новочеркасск. 1972. Т.259.Стр.50-58.

63. Буланникова Н.Д., Лозовский В.Н., Лунин Л.С. и др. Выращивание однородных эпитаксиальных слоев AlxGa!_xAs из жидкой фазы. // Электронная техника. Сер. Полупроводниковые приборы. 1973. № 8. Стр.3-6.

64. Казаков В.В., Шевченко А.Г., Сысоев И.А. Некоторые закономерности

3 5

роста слоев твердых растворов А В . // Известия высших учебных заведений. Сер. Естественные науки. Ростов-н-Д. 1996. № 3. Стр.47.

65. Ilegems М., Panish М. В. Phase equilibria in 3-5 quarternary systems-application to Al-Ga-P-As. // J. Phys. Chem. Solids. 1974. V.35. P.409-420.

66. Благин A.B., Казаков B.B., Шевченко А.Г. Моделирование роста многокомпонентных слоев твердых растворов соединений А3В5 получаемых методом ЗПГТ. // Крист. и свойства кристаллов. Межвузовский сборник научных трудов. Новочеркасск. 1996. Стр.3-7.

67. Казаков В.В., Шевченко А.Г., Сысоев И.А. Исследование

л г

гетероструктур изготовленных на основе твердых растворов А В . // Известия высших учебных заведений. Сер. Естественные науки. Ростов-н-Д. 1996. № 3. Стр.26.

68. Казаков В.В., Шевченко А.Г., Сысоев И.А. Распределение компонент и

3 5

электрофизические свойства в твердых растворах А В . // Известия высших учебных заведений. Сер. Естественные науки. Ростов-н-Д. 1996. №3. Стр.15.

69. Лунин Л.С., Овчинников В.А., Шевченко А.Г., Казаков В.В. Особенности локальной кристаллизационной очистки многокомпонентных полупроводников методом движущегося растворителя. // Тезисы докладов 10-й конференции по химии высокочистых веществ. Нижний Новгород. 1995. Стр.17.

70. Лунин Л.С. Исследование гетеросистем на основе пятикомпонентных

3 5

твердых растворов AB.// Докт. диссертация. Новочеркасск. 1992. Стр.112-187.

71.Жовнир Г.И., Захленюк H.A. К теории равновесной электрожидкофазной эпитаксии твердых растворов Ai_xBxC. // ЖТФ. 1985. Т.55. Вып.7. Стр.1406-1413.

72. Хачатурян O.A., Геворкян В.А. Влияние условий эпитаксиального роста на структуру и морфологию пленок антимонида галлия. // Молодой научный работник. 1975. № 2. Стр.81-85.

73. Abul-Fade A., Stefanakos Е.К., Collis W.J. Curren controlled LPE Growth of InxGabxAs. // J. Cryst. Growth. 1981. V.54. № 1. P.279-282.

74. Ends R. Preparation and proportions of Vapor-Phase-epitaxial-grown GalnAsP. //Jap. J. Appl. Phys. 1979. V.18. № 11. P.2183.

75. Гуляев Ю.В., Дворянкина Г.Г., Дворянкин В.Ф. Молекулярно-лучевая эпитаксия - перспективный метод получения интегрально-оптических устройств. // Квантовая электроника. 1979. Т.6. № 1. Стр.5.

76. Eiller В. I., Мс Pec J.R., Martin R.J., Tien P.K. Room temperature operation of lattice-matched InP/ Gao^Ino^As / InP double-heterostructure lasers growth by MPE. // Appl. Phys. Letters. 1978. V.33. № 1. P.44.

77. Лунин Л.С., Овчинников B.A., Разумовский П.И., Столяров C.M. Особенности технологии получения многослойных гетероструктур на

С

основе соединений AB.// Известия высших учебных заведений. Сер. Технические науки. Ростов-н-Д. 1997. № 2. Стр.93-95.

78. Лунин Л.С., Ратушный В.И., Шевченко А.Г., Казаков В.В. Пятикомпонентные твердые растворы. // Сборник трудов Международной научно-практической конференции "Пьезотехника-95". Т.1. 1995. Стр.46-53.

79. Лозовский В.Н., Лунин Л.С., Казаков В.В., Шевченко А.Г. Физико-химические основы технологии многоканальных фотоприемников на

Л с _

основе пятикомпонентных соединений AB. // Тезисы докладов российской научно-технической конференции "Технологические процессы и материалы приборостроения и микроэлектроники". Москва. 1994. Стр.7.

80. Лунин Л.С., Алфимова Д.Л., Столяров С.М., Чарихов А.Ю.

о *

Пятикомпонентные гетероструктуры соединений AB. // Труды четвертой всероссийской научно-технической конференции с международным участием. Таганрог. 1997. Стр.7.

81. Лунин Л.С., Овчинников В.А., Благин A.B., Константинов П.А. Твердые растворы AlGaAsSbBi/ GaSb и их применение в оптоэлектронных приборах. // Труды четвертой всероссийской научно-технической конференции с международным участием. Таганрог. 1997. Стр.12.

82. Лозовский В.Н., Князев С.Ю., Середин Л.М., Нефедов A.C. Влияние температурных колебаний в жидкой фазе на кинетику роста эпитаксиальных слоев кремния. // Труды четвертой всероссийской научно-технической конференции с международным участием. Таганрог. 1997. Стр.20.

83. Лунин Л.С., Ратушный В.И., Разумовский П.И. Предотвращение травления подложки GaAs при получении гетероструктур InAlGaAsSb/ GaSb. // Труды четвертой всероссийской научно-технической конференции с международным участием. Таганрог. 1997. Стр.46.

84. Жукова Л.А., Гуревич М.А. Интерпретация электронограмм, получаемых методом отражения. // Научные труды Гиредмета. М. 1969. Т.20. Стр.32.

85. Гапоненко В.Н., Лунин Л.С., Лунина О.Д. Управление процессом выращивания варизонных гетероструктур GaAs - AlxGai_xAs в поле температурного градиента. // Изв. вузов СССР. Физика. 1984. № 11. Стр.44-47.

86. Лозовский В.Н. и др. Распределение легирующих примесей в варизонных слоях AlxGai_xAs, выращенных в поле температурного градиента. // Изв. АН СССР. Неорганические материалы. 1985. Т.21. № 2. Стр. 189-193.

87. Лозовский В.Н., Лунин Л.С., Лунина О.Д. Перераспределение собственных примесей в варизонных слоях AlxGai_xAs в процессе зонной перекристаллизации. // Изв. АН СССР. Неорганические материалы. 1985. Т.21. № 5. Стр.752-755.

88. Гапоненко В.Н., Лунин Л.С., Лунина О.Д., Ратушный В.И. Совершенство эпитаксиальных слоев арсенида галлия, выращенных в поле температурного градиента. // Изв. АН СССР. Неорганические материалы. 1985. Т.21. № 11. Стр. 1839-1842.

89. Лунин Л.С., Аскарян Т.А., Сысоев И.А. Исследование дефектов в варизонных гетероструктурах GaSb-AlxGai_xSb, GaSb-AlxGai_xSbyAsi.y. //

Тезисы докл. 4-й Всесоюзной конференции по физическим процессам в полупроводниковых гетероструктурах. 4.1. Минск. 1986. Стр. 144-145.

90. Лозовский В.Н. и др. Особенности гетероструктур Оах1п1.хАз-1пР, Оах1п1_хА8уР1_у-1пР, полученных методом зонной перекристаллизации градиентом температуры. // Тезисы докл. 4-й Всесоюзной конференции по физическим процессам в полупроводниковых гетероструктурах. Ч. 1. Минск. 1986. Стр. 146-147.

91. Лозовский В.Н. и др. Особенности зонной перекристаллизации градиентом температуры в четверных системах на основе фосфида индия. // Тезисы докл. 7-й Всесоюзной конференции по процессам роста и синтеза полупроводниковых кристаллов. Т.2. Новосибирск. 1986. Стр.7-8.

92. Лозовский В.Н., Лунин Л.С. и др. Свойства широкозонных четверных твердых растворов соединений А3В5, полученных методом зонной перекристаллизации градиентом температуры. // Тезисы докл. 3-го Всесоюзного совещания "Физика и технология широкозонных полупроводников". Махачкала. 1986. Стр.201-202.

93. Лунин Л.С. и др. Планирование процесса выращивания совершенных варизонных гетероструктур ОаАэ - А1хОа1_хАз. // Изв. АН СССР. Неорганические материалы. 1987. Т.23. № 7. Стр. 1098-1102.

94. Лунин Л.С. и др. Выращивание совершенных варизонных слоев А1хОа1_хАз с увеличивающейся к поверхности шириной запрещенной зоны // Изв. АН СССР. Неорганические материалы. 1987. Т.23. № 8. Стр. 1247-1250.

95. Лунин Л.С., Ратушный В.И. Особенности эпитаксии Оах1п!_хА8 на фосфиде индия в поле температурного градиента. // Кристаллография. 1987. Т.32. Вып.4. Стр.989-993.

96. Лунин Л.С., Ратушный В.И. Распределение арсенида галлия в эпитаксиальных слоях Оах1п1_хАз, растущих на подложках из фосфида индия. // Изв. Вузов СССР. Физика. 1987. № 12. Стр.1127.

97. Коноров П.П. Электрофизические свойства и некоторые проблемы практического исследования МДП-структур на основе широкозонных

•3 с

полупроводников А В . // Материалы 12-й Всесоюз. научной конф. Тбилиси. 1987. Стр. 199-210.

98. Сысоев И.А. Метод зонной перекристаллизации градиентом температуры в технологии оптоэлектронных приборов на основе

3 5

многокомпонентных полупроводниковых соединений А В . // Канд. диссертация. Новочеркасск. 1993. Стр.120.

99. Мильвидский М.Г., Долгинов JIM. Гетерокомпозиции на основе многокомпонентных твердых растворов. // В книге "Процессы роста полупроводниковых кристаллов и пленок". Новосибирск. "Наука". 1981. Стр.41-52.

100. Пригожин П., Дефей Р. Химическая термодинамика. // Пер. с англ. Новосибирск. "Наука". 1966. 510стр.

101. Mukai S., Yajima Н., Mitsuhashi Y., Yanagisawa S. Liquid phase epitaxial growth of AlGalnPAs lattice matched to GaAs / / Appl. Phys. Lett. 1984. V.44. № 9. P.904-906.

102. Кузнецов B.B., Сорокин П.С., Москвин П.П. Неравновесные явления при жидкостной гетероэпитаксии полупроводниковых твердых растворов. //Москва. "Металлургия". 1991. Стр.130-152.

103. Зибольд А.Ф., Капуста А.Б., Петров Г.Н., Ремизов O.A. О влиянии постоянного осевого и вращающегося магнитных полей на гидродинамику жидкого кремния в процессе Чохральского.

104. Заварыкин М.П., Зорин С.В., Путин Г.Ф. Моделирование управления тепловой конвекцией в жидкой фазе переменными инерционными ускорениями. // 2-я Всесоюз. конф. "Моделирование роста кристаллов". Рига. 1987. Стр.302-305.

105. Исследование фазовых превращений в жидких средах с помощью механических колебательных систем. // "Фазовые переходы в чистых металлах и бинарных сплавах". Новосибирск. ИТФ СО АН СССР. 1980. Стр.87-116.

106. Якушев В.Г., Исаенко Л.И., Канаев Н.Ф. Влияние условий роста на совершенство кристаллической структуры AlGalnAs // 6-я Всесоюз. конф. по росту кристаллов. Ереван. 1985. Стр.155-161.

107. Кириллова Л.Г., Иваненко Н.П.. Степанов Ф.Е. Математическое моделирование тепловых и гидродинамических полей при выращивании кристаллов. // Выч. техника и краевые задачи. Методы, алгоритмы, процессоры и применение. Рига. РПИ. 1986. Стр.25-82.

108. Численные методы решения дифференциальных уравнений. // Учеб. для ВУЗов. М. "Наука". 1982.

109. Воднев В.Т. и др. Основные математические формулы. // Минск. "Вышэйшая школа". 1988. Стр.54.

110. Математическая теория планирования эксперимента. // Под редакцией Ермакова С.М. М. "Наука". Главная редакция физ.-мат. литературы. 1983. 392стр.

Ш.Лунин Л.С., Столяров С.М. Зависимость подвижности носителей заряда от концентрации легирующей примеси и состава

о г

пятикомпонентных твердых растворов соединений AB.// Известия высших учебных заведений. Сер. Технические науки. Ростов-н-Д. 1998. № 1. Стр.87-90.

112. Лунин Л.С., Столяров С.М. Моделирование пятикомпонентных

3 5

гетероструктур на основе соединений А В с заданными свойствами. // Известия высших учебных заведений. Сер. Естественные науки. Ростов-н-Д. 1998. № 2. Стр.34-39.

113. Столяров С.М. Возможности прогнозирования электрофизических характеристик пятикомпонентных твердых растворов на основе соединений А3В5. // Новочеркасск. НГТУ. 1997. Деп. в ВИНИТИ 19.05.98.

114. Столяров С.М. Определение "легирующих" коэффициентов и анализ полученных результатов пятикомпонентного твердого раствора InxAlyGai.x.yPzAsi_z(GaAs). // Новочеркасск. НГТУ. 1997. Деп. в ВИНИТИ 19.05.98.

115. Столяров С.М. Исследование функции-составляющей подвижности носителей заряда |ix ПТР AlGalnAsP и InAlGaAsSb. // Новочеркасск. НГТУ. 1997. Деп. в ВИНИТИ .

116. Столяров С.М. Определение множества возможных составов ПТР на

Л f

основе соединений AB.// Новочеркасск. НГТУ. 1997. Деп. в ВИНИТИ 19.05.98.

117. Бочкарев А.Э., Долгинов Л.М., Капанадзе З.Б. Физико-химические особенности жидкофазной эпитаксии структур AlGaAsSb/ InGaAsSb/ GaSb. //Физика полупроводниковых лазеров. Вильнюс. 1989. Стр.34-35.

118. Лунин Л.С. и др. Особенности эпитаксии пятикомпонентных твердых растворов InAlGaAsSb // Кристаллизация и свойства кристаллов. Межвуз. сборник. Новочеркасск. 1996. Стр. 14-17.

119. Cusano D. A. Radiative recombination from GaAs directly excited by electron beams. // Sol. St. Commun. 1964. V.2. P.353-358.

120. Лунин Л.С. Исследование жидкофазной эпитаксии AlxGai_xAs на основе зонной перекристаллизации градиентом температуры. // Канд. диссертация. Новочеркасск. 1975. Стр.99-104.