Особенности электрофизических свойств твердотельных структур при воздействии наносекундных импульсов электромагнитного излучения тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 01.04.10, кандидат физико-математических наук Требунских, Сергей Юрьевич

• Требунских, Сергей Юрьевич
• кандидат физико-математических наук
• 2006

Оглавление диссертации кандидат физико-математических наук Требунских, Сергей Юрьевич

ВВЕДЕНИЕ

ГЛАВА 1. ВОЗДЕЙСТВИЕ ЭЛЕКТРОМАГНИТНЫХ ИЗЛУЧЕНИЙ

НА ЭЛЕМЕНТЫ ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ ЭЛЕКТРОНИКИ

1.1 Воздействие СВЧ излучения на элементы полупроводниковой электроники

1.2 Физические основы нарушения работоспособности изделий электронной техники при воздействии импульсных микроволновых помех

1.2. Модели воздействия ИМП

1.2.1 Первичные эффекты

1.2.2 Вторичные эффекты. Вторичный тепловой пробой

1.2.3 Электрическое защелкивание в ИМС

1.2.4 Доминирующие механизмы отказа в полупроводниковых структурах при воздействии ИМП

1.3 Сверхкороткие импульсы электромагнитного излучения

ГЛАВА 2. МЕТОДИКА ПРОВЕДЕНИЯ ЭКСПЕРИМЕНТОВ

2.1 Лабораторный измерительный стенд с широкополосной коаксиальной нагрузкой для изучения воздействия СКИ ЭМИ на полупроводниковые структуры

2.2 Исследуемые объекты и методики проводимых с ними экспериментов

ГЛАВА 3. ВЛИЯНИЕ СКИ ЭМИ НА ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА МДП - СТРУКТУР

3.1 Влияние энергии СКИ ЭМИ на ВФХ МДП - структур

3.2 Перестройка ВФХ МДП - структур при изменении частоты следования СКИ ЭМИ

3.3 Влияние СКИ ЭМИ на емкостные свойства МДМ - и р-п- структур

3.4 Физические модели перестройки ВФХ МДП - структур под воздействием СКИ ЭМИ

3.4.1 Поляризационный характер изменения емкости МДП-структуры в режиме обогащения основными носителями при воздействии СКИ ЭМИ

3.4.2 Моделирование перестройки плотности поверхностных состояний под действием СКИ ЭМИ

3.5 Проявление процессов перестройки параметров МДП - структур под действием СКИ ЭМИ в полевых транзисторах

ГЛАВА 4. ПЕРЕСТРОЙКА ПОДВИЖНЫХ ДЕФЕКТОВ И

ИЗМЕНЕНИЯ В ПОЛЯРИЗАЦИИ ДИЭЛЕКТРИКА ПОД

ДЕЙСТВИЕМ СКИ ЭМИ НА ПРИМЕРЕ КРИСТАЛЛОВ ТГС

4.1 Рост поляризации кристалла ТГС под действием СКИ ЭМИ

4.2 Релаксационные процессы в доменной структуре ТГС после снятия воздействия СКИ ЭМИ

4.3 Механизмы изменения свойств кристаллов ТГС при воздействии

СКИ ЭМИ

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Особенности электрофизических свойств твердотельных структур при воздействии наносекундных импульсов электромагнитного излучения»

Актуальность темы. Риски, связанные с эффектами нарушения работоспособности электронных схем, простираются от простейших эффектов пробоя в бытовых устройствах до опасных отказов и аварий электронного оборудования. Они проявляются в виде сбоев различного характера в работе электронного оборудования в системах контроля движения, системах связи и системах обороны и могут привести к фатальным последствиям для указанных областей и всей экономики в целом.

В настоящее время подавляющая часть электронных систем, применяемых как в военных и разведывательных целях, так и в устройствах гражданского назначения - системы связи и коммуникации, средства навигации, и т.п. - работает в условиях, в которых она подвержена в той или иной мере воздействию естественного или искусственного излучения. Эти системы при облучении должны в течение определенного заданного промежутка времени сохранять неизменными свои параметры и поддерживать работоспособность.

Однако, при облучении материалов и приборов, составляющих основу элементной базы радиоэлектронной аппаратуры (РЭА), в них могут протекать различные процессы, приводящие к временному или постоянному изменению их оптических, электрофизических свойств, включая такие , как генерация электронно-дырочных пар при облучении импульсами микроволнового излучения или фотонов, комптоновское рассеяние, фотоэлектрические процессы, образование Оже-электронов и т.д. Под действием нейтронов могут происходить ядерные превращения, а нейтронно-стимулированные реакции могут приводить к появлению вторичных фотонов и заряженных частиц. Эти процессы приводят к изменению параметров элементной базы и характера функционирования блоков и узлов в РЭА. Кроме того, современное развитие микроэлектронной базы направлено на повышение быстродействия и экономичности электронных устройств, следствием чего является уменьшение размеров активных элементов и толщин слоев в планарных структурах. В результате существенно возрастает роль состояния поверхности и границ раздела разнородных материалов, таких как металл-полупроводник, диэлектрик-полупроводник и полупроводник-полупроводник (разного состава или уровня легирования). При прохождении электромагнитного излучения (ЭМИ) через микроэлектронное устройство значительная часть энергии будет рассеиваться и поглощаться на таких структурных неоднородностях и вызывать изменения их оптических и электрофизических характеристик. В результате это может привести к кратковременному или долговременному изменению в функционировании активного элемента и схемы, параметры которого зависят от физического состояния структурной неоднородности.

Развитие техники генерации электромагнитного излучения привело к созданию источников излучения, позволяющих формировать на выходе очень короткие (< 10"9 с) биполярные и однополярные (видео) импульсы достаточно большой амплитуды ~ 103 В, период следования которых велик

2 6

10' ч-Ю" с) по сравнению с длительностью импульса. Взаимодействие таких мощных сверхкоротких импульсов (СКИ) электромагнитного излучения (ЭМИ) с твердотельными структурами, когда времена нарастания и спада фронтов импульса сопоставимы или даже меньше характерных времен релаксационных процессов в диэлектриках и полупроводниках, могут вызывать изменения различных параметров облучаемых объектов, которые могут носить как временный характер (во время и после облучения), так и катастрофический.

Экспериментальные исследования процессов нестационарного нелинейного преобразования энергии СКИ ЭМИ в энергию отклика твердых тел и активных элементов и схем на их основе представляются актуальными.

Сложность построения математического аппарата для адекватного описания процессов взаимодействия сверхкоротких импульсов с различными материалами и структурами приводит к тому, что на данном этапе развития этого научного направления приоритетными являются экспериментальные исследования.

Цель работы: Экспериментальное исследование вольт-фарадных характеристик (ВФХ) МДП - структур, емкостных свойств МДМ - и р-п -структур, входных и выходных ВАХ полевых транзисторов, а также процессов релаксации в диэлектрических материалах при воздействии наносекундных импульсов электромагнитного излучения.

В соответствии с целью работы были сформулированы следующие задачи:

1. Разработка и создание экспериментального стенда для исследования электрофизических свойств твердотельных структур при воздействии наносекундных импульсов электромагнитного излучения.

2. Определение характера воздействия наносекундных импульсов электромагнитного излучения на параметры МДП - структур и МДП -транзисторов.

3. Определение характера воздействия наносекундных импульсов электромагнитного излучения на емкостные свойства МДМ - и р-п -структур.

4. Изучение процессов релаксации, возникающих в результате воздействия наносекундных импульсов электромагнитного излучения, в диэлектрических материалах с подвижными дефектами.

Объекты и методы исследования. В качестве исследуемых были использованы МДП - структуры, изготовленные на основе пластин кристаллического кремния марки КЭФ 4,5 и КДБ - 12, ориентации <100> с термическим окислом толщиной 125 нм и пирогенным окислом толщиной 68 нм соответственно и алюминиевыми управляющими электродами (затворами) диаметром 0,8 мм, нанесёнными методом вакуумной конденсации. Влияние наносекундных импульсов электромагнитного излучения на электрофизические свойства МДП - структур исследовалось методом высокочастотных вольт-фарадных характеристик (ВФХ).

В экспериментах по исследованию влияния СКИ ЭМИ на полевые СВЧ -транзисторы в качестве тестовых объектов были выбраны транзисторы: 2П 305Б, КП 305Д, КП 305Е. Характер и степень воздействия оценивались по входным и выходным ВАХ транзисторов.

При исследовании влияния СКИ ЭМИ на емкостные свойства МДМ - и р-п -структур были проведены эксперименты по оценке степени влияния СКИ на кварцевые резонаторы РК 169 в металлическом корпусе и РК 258 в стеклянном корпусе и варикапы 2В104Б. В ходе проведения экспериментов регистрировалась емкость приборов на частоте тестового сигнала 1МГц в малосигнальном режиме (амплитуда сигнала 25 мВ).

В экспериментах по исследованию процессов релаксации в диэлектрических материалах с подвижными дефектами при воздействии СКИ ЭМИ изучалось поведение петель гистерезиса кристаллов триглицинсульфата (ТГС). В экспериментах фиксировались значения иэт , форма и размеры петли до воздействия, во время и после воздействия СКИ ЭМИ. Изменения поляризации оценивались по величине эталонного напряжения иэтпо схеме Сойера - Тауэра.

В экспериментах в качестве источников внешнего воздействия использовались генераторы СКИ ЭМИ, задающие биполярные и однополярные импульсы с частотой следования до 100 кГц. Энергия импульсов на выходе генераторов - 2,4х10"4 Дж, 1,6х10"4 Дж, 3,5х10"5 Дж; 1,2x10"5 Дж. Длительности импульсов и фронтов имели значения 11,5 не и 1,4 - 3,2 не; 10 не и 0,6 - 0,7 не; 10 не и 0,8 - 1,4 не; 4 не и 0,5 - 0,8 не соответственно.

Научная новизна

1. Впервые установлено, что при воздействии СКИ ЭМИ происходит перестройка ВФХ МДП - структур, зависящая от энергии и частоты следования импульсов.

2. Установлено, что воздействие СКИ ЭМИ приводит к изменению входных и выходных ВАХ МДП - транзисторов.

3. Обнаружено, что под воздействием СКИ ЭМИ происходит скачкообразное увеличение поляризации кристалла ТГС с последующей длительной релаксацией.

На защиту выносятся следующие положения:

1. Возрастание на порядок плотности поверхностных состояний на границе раздела диэлектрик - полупроводник при воздействии на МДП -структуры СКИ ЭМИ с энергией Е=1,3х 10"5Дж.

2. Перестройка подвижных дефектов в диэлектрике при воздействии СКИ ЭМИ с Е = 2,5x10"5 Дж с последующей долговременной (до нескольких часов) релаксацией дефектной структуры.

3. Поляризация диэлектрика в МДП - структурах, происходящая при воздействии СКИ ЭМИ с достаточно большой энергией в импульсах (Е=1,Зх10'5Дж), приводит к возрастанию емкости структуры до 40%.

4. Воздействие СКИ ЭМИ приводит к перестройке входных и выходных ВАХ МДП - транзисторов с увеличением тока стока и уменьшением напряжения отсечки.

Практическая значимость результатов. Результаты исследований, освещенные в работе, могут быть использованы для:

- решения актуальных проблем защиты информационных ресурсов, оценки устойчивости гражданских и других объектов к различного рода электромагнитным воздействиям, как природного, так и искусственного происхождения;

- обеспечения функциональной безопасности информационных и телекоммуникационных систем в рамках антитеррористических программ;

- контроля качества изделий полупроводниковой промышленности, как на промежуточных, так и на конечных стадиях производства элементной базы, радиоэлектронной аппаратуры и систем связи.

Личный вклад автора. Постановка задач, определение направлений исследований выполнены д.ф.-м.н., профессором Тереховым В.А. Разработка методов исследования и основные экспериментальные данные, включенные в диссертацию, осуществлены и получены лично автором или при его непосредственном участии. Автором выполнен анализ и интерпретация полученных результатов, сформулированы выводы и научные положения, выносимые на защиту.

Апробации работы. Основные положения диссертационной работы были представлены в виде докладов и обсуждались на:

- VII, XII Международных научно-технических конференциях «Радиолокация, навигация, связь», Воронеж, 2001г., 2006 г. соответственно;

- Международной конференции студентов, аспирантов и молодых ученых «Ломоносов - 2005», Москва, 2005 г.

- X Всероссийской научной конференции студентов-физиков и молодых ученых «ВНКСФ - 10», Москва, 2004 г.

Публикации. По теме диссертации опубликовано 8 работ из них 1 статья в реферируемом журнале и 7 работ в трудах конференций.

Структура и объем диссертации.

Во введении к диссертации обоснована актуальность темы, сформулированы цель и задачи работы, ее научная новизна, практическая значимость полученных результатов и научные положения, выносимые на защиту. Коротко изложена структура диссертации и ее содержание, даны сведения о публикациях и апробация работы.

В первой главе на основе литературных данных даётся обзор по теме диссертации. Рассмотрено влияние электромагнитных излучений на элементы полупроводниковой электроники и показан характер отклика некоторых объектов при воздействии СВЧ излучения.

В главе рассмотрен материал о сверхкоротких импульсах электромагнитного излучения (СКИ ЭМИ), представляющих собой последовательности импульсов с амплитудой ~ 103 В длительностью фронтов < 10'9с в диапазоне частот следования от 100 Гц до 1 МГц. Показано, что повторяющиеся ЭМИ с подобными параметрами обладают целым рядом специфических свойств, позволяющих их использовать для решения новых задач, недоступных для классической радиотехники, как в областях стратегического, так и гражданского назначения.

Во второй главе показан лабораторный измерительный стенд с широкополосной коаксиальной нагрузкой для изучения воздействия СКИ ЭМИ на полупроводниковые структуры. Приведены осциллограммы и характеристики генераторов СКИ ЭМИ, перечень исследуемых объектов, их конструктивные параметры и рабочие характеристики. В главе также описаны схемы и методики проводимых экспериментов с исследуемыми полупроводниковыми объектами при воздействии СКИ ЭМИ.

В третьей главе представлены экспериментальные результаты влияния энергии и частоты следования СКИ ЭМИ на характер ВФХ МДП - структур. Рассмотрено изменение емкостных характеристик МДМ- и р-п- структур при воздействии СКИ ЭМИ. Показан рост плотности поверхностных состояний на границе раздела полупроводник-диэлектрик, а также изменение емкости МДП - структур в области обогащения основными носителями и в области инверсии. Рассмотрены модели перестройки плотности поверхностных состояний и изменения емкости МДП - структур. Показано проявление процессов перестройки параметров МДП - структур в полевых транзисторах под действием СКИ ЭМИ.

В четвертой главе представлены экспериментальные результаты по влиянию СКИ ЭМИ на перестройку подвижных дефектов и поляризации диэлектрика под действием СКИ ЭМИ на примере кристаллов ТГС. Показан рост поляризации кристалла ТГС при воздействии СКИ ЭМИ, проанализированы процессы релаксации доменной структуры образца после снятия воздействия и рассмотрены механизм изменения свойств кристаллов ТГС при воздействии СКИ ЭМИ.

В заключении и выводах подведены итоги по диссертационной работе в целом и сформулированы основные результаты.

Заключение диссертации по теме «Физика полупроводников», Требунских, Сергей Юрьевич

ЗАКЛЮЧЕНИЕ И ВЫВОДЫ

По экспериментальным результатам, полученным в ходе проведенной работы по изучению электрофизических свойств твердотельных структур при воздействии наносекундных импульсов электромагнитного излучения, можно сделать вывод о проявлении ряда особенностей в полупроводниковых и диэлектрических структурах при воздействии сверхкоротких импульсов электромагнитного излучения, которые сводятся к следующему:

1. При воздействии СКИ ЭМИ происходит перестройка вольт-фарадных характеристик МДП - структур, зависящая от энергии и частоты их следования.

2.Изменение наклона ВФХ МДП - структур обусловлено возрастанием плотности поверхностных состояний на границе раздела диэлектрик -полупроводник.

3. Обнаруженное возрастание емкости МДП - структур вызвано увеличением поляризации диэлектрика.

4. Воздействие СКИ ЭМИ на МДП - транзисторы приводит к возрастанию тока через транзистор и увеличению значения напряжения отсечки.

5. При воздействии СКИ ЭМИ наблюдается скачкообразное увеличение поляризации кристалла ТГС, обусловленное перестройкой подвижных дефектов, с последующей долговременной релаксацией.

Список литературы диссертационного исследования кандидат физико-математических наук Требунских, Сергей Юрьевич, 2006 год

1. Стрюков Б. А. О некоторых закономерностях кинетики деградации полупроводниковых структур под воздействием мощных сверхвысокочастотных импульсов / Б.А. Стрюков, С.И. Ленчук // Радиотехника и электроника, 2000, №7, -С. 887-892.

2. Усанов Д. А. Возникновение S-образных участков на вольт-амперных характеристиках диодов с р-п-переходом под действием СВЧ-излучения / Д.А. Усанов, A.B. Скрипаль, Н.В. Угрюмова // ПЖТФ, 1999, - Т 25, №1, -С. 42-44.

3. Усанов Д. А. Отрицательное дифференциальное сопротивление туннельного диода, наведенное внешним СВЧ-сигналом / Д.А.Усанов,

4. C.Б.Вениг, В.Е.Орлов // ПЖТФ, 1999, - Т 25, №2, -С. 39-42.

5. Усанов Д. А. Возникновение отрицательного сопротивления в структурах на основе р-п-перехода в СВЧ поле / Д.А. Усанов, A.B. Скрипаль, Н.В. Угрюмова//ФТП, -1998, -Т 32, №11,-С. 1399-1402.

6. Беляев А. А. Влияние сверхвысокочастотной обработки на электрофизические характеристики технически важных полупроводников и поверхностно-барьерных структур / A.A. Беляев, А.Е. Беляев, И.Б. Ермолович // ЖТФ, 1998, - Т 68, №12, -С. 49-53.

7. Антипин В.В. Влияние мощных импульсных микроволновых помех на полупроводниковые приборы и интегральные микросхемы / В.В. Антипин, Д.В. Громов, В.А. Годовицын, А.О. Кожевников, A.A. Раваев // Зарубежная электронная техника, 1995, №1, -С. 37-52.

8. Camp М. Influence of the Technology on the Destruction Effects of Semiconductors by Impact of EMP and UWB Pulses / M.Camp, H.Garbe,

9. D.Nitsch // IEEE EMC, 2002, P. 87-92.

10. Camp M. Predicting the breakdown behaviour of microcontrollers under EMP/UWB impact using a statistical analysis / M. Camp, H. Gerth, and H. Haase // IEEE EMC, 2002, P. 368-379.

11. Nitsch D. Susceptibility of some electronic equipment to HPEM threats / D. Nitsch, M. Camp, F. Sabath, J. Luiken, and H, Garbe // IEEE Transaction on electromagnetic compatibility, 2004, -V 46, № 3, -P. 380-388.

12. Camp M. Influence of the Technology on the Destruction Effects of Semiconducters by Impact of EMP and UWB Pulses / M. Camp, H. Garbe, D. Nitsch // Technical reports of München University, 2004.

13. Herlemann H. Shielding of Electronic Systems against Transient Electromagnetic Interferences / H. Herlemann, S. Korte, M. Camp, H. Garbe, M. Koch, and F. Sabath // Advances in Radio Science, -2005, -V 3, -P. 131-135.

14. Richardson R.E. Modeling of low- level rectification RFI in bipolar circuitry / R.E. Richardson // IEEE Transaction on electromagnetic compatibility, 1979, -V 21, №4, -P. 307-311.

15. Lertsirimit C. EMC coupling to a circuit board from a wire penetrating a cavity aperture / C. Lertsirimit, D.R. Jackson, D.R. Wilton, D. Erricolo, and H.Y. Yang // 2004 IEEE AP-s International Symposium Digest, 2004.

16. Florig H.K. IEEE Spectrum, 1988, March. P.50-53

17. Goldstein B.M., Stettner R. IEEE Trabs., 1979, v. NS-27, N 6. P. 50065011.

18. Anderson W.T., Simons M., King E.E., Dietrich H.B., Lambert R.J. // IEEE Trans., 1982, VNS-29, №6, -P. 1533-1538.

19. Kocot C., Stolter C.A. // IEEE Trans., 1982, V ED-29, №7, - P. 1059-1064.

20. Барановский O.K. Увеличение частотного диапазона спектральной плотности шума кремниевых р-п-структур при облучении гамма-квантами / O.K. Барановский, П.В. Кучинский, В.М. Лутковский, А.П. Петрунин, Е.Д. Савенок // ФТП, 2001, -Т 35, №3, -С. 352-356.

21. Викулин Н.М. Физика полупроводниковых приборов / Н.М.Викулин, В.И.Стафеев ИМ.: Советское радио, -1980, С. 296.

22. Wunsch D., Bell R. // IEEE Trans. 1968, V NS-15, №6, -P. 244-259.

23. Tasca D.M. // IEEE Trans. 1970, V NS-17, -P. 364-372.

24. Christou A. Annual Proc. Reliab. Physics, 1980, P. 140-144.

25. Anand Y. // Microwave Journ., March, 1979.

26. Amdory R.A. / R.A. Amdory, V.G. Puglielly, R.E. Richardson // IEEE Trans., -1975, V EMC-17, № 4, -P. 216-225.

27. Whalen J.J. // IEEE Trans., 1977, V EMC-19, № 2, - P. 49-56.

28. Whalen J.J. // IEEE Trans, -1975, V EMC-17, № 1, P. 220-225.

29. Larson C.E, Roe J.M. // IEEE Trans., 1979, V EMC-21, - P. 283-290.

30. Диденко A.H. Моделирование воздействия СВЧ-излучения на диодные структуры / А.Н. Диденко, В.В. Шуренков // Техническая физика, 2001, №4, -С. 16-19.

31. Аблязимова Н.А. Электрические свойства кремниевого р-n перехода в сильных СВЧ полях / Н.А. Аблязимова // ФТП, 1988, Т 22, №11, -С. 20012007.

32. Николаевский И.Ф. Некоторые свойства кремниевых диодов, облученных электронами / И.Ф. Николаевский, В.В. Шуренков // ФТП, -1974, -Т 7, -С. 1509-1511.

33. Jenkins C.R, Durgin D.L. // IEEE Trans, 1975, -V NS-22, № 6, - P. 24042409.

34. Зи С. Технология СБИС / С. Зи // М.: Мир, 1986. -С. 405.

35. Бормонтов Е.Н. Физика и метрология МДП-структур / Е.Н. Бормонтов // Воронеж, 1997. -С 184.

36. Nicollian Е.Н. The Si-SiC^ interface electrical properties as determined be metal-insulator-silicon conductance technique / Nicollian E.H, Goetzberger A. // Bell Syst. Tech. Jour, -1967, -V 46, №5, -P. 1055-1133.

37. Bormontov E.N. Simulation of C-V curves of MIS structures with nonuniformly distributed surface potential / E.N. Bormontov, S.V. Lukin // Proc. Of the 5th International Conference on Simulation of Devices and Technologies, -1996, -P. 35-39.

38. Bertoni H.L., Carin L., Felsen L.B. // Ultra Wideband, Short - Pulse Electromagnetics / Plenum Press, - 1993.

39. Bertoni H.L. Ultra Wideband, Short - Pulse Electromagnetics 2 / H.L. Bertoni and L. B. Felsen // Plenum Press, New York, - 1995.

40. Baum C.E. Ultra Wideband, Short - Pulse Electromagnetics 3 / C.E. Baum, L. Carin and A.P. Stone (eds.), Plenum Press, New York, 1997.

41. Heyman E. Ultra Wideband, Short - Pulse Electromagnetics 4 / E. Heyman, B. Mandel-Baum, J.Shilon // Kluwer Academic Plenum Publishers, New York, -1999.

42. Euroem 2000 (Euro Electromagnetics), Edinburg, Book of Abstracts.

43. International Ultra Wideband Conference. Washington, D.C., September 2830,1999. Hosted by the UWB Working Group. 1999.

44. Withington P. An Impulse Radio Communications System Ultra Wideband, Short - Pulse Electromagnetics / P. Withington, L.W. Fullerton // Plenum Press, -1993,-P. 113-120.

45. Euroem 2004 (Euro Electromagnetics), Magdeburg, Book of Abstracts.

46. Сахаров К.Ю. Излучатели электромагнитных импульсов и методы измерений их параметров / К.Ю. Сахаров // М., Московский государственный институт электроники и математики, - 2006, -С. 159.

47. Иммореев И. Я. Сверхширокополосная локация: основные особенности и отличия от традиционной локации / И. Я. Иммореев // Электромагнитные волны и электронные системы, 1997, -Т 2, №1, -С. 81-88.

48. Финкелыптейн М.И. Подповерхностная радиолокация / М. И. Финкелыптейн // М.: Радио и связь, - 1994.

49. М. Janoz М. Modelling and Simulation Methods to Asses EM Terrorism Effects / M. Janoz, H. Wipf // Proc. Of 13 Internat. Zurich Synposium and Technical Exhibition on EMC, 1999, -P. 191-194.

50. Барсуков B.C. Комплексная защита от электромагнитного терроризма /

51. B.C. Барсуков // Системы безопасности связи и телекоммуникаций, 2000, №32, - С. 94-98.

52. Лобарев В. Электромагнитный терроризм угроза XXI века / В. Лобарев, Ю. Парфенов, В. Фортов // Известия, - 1999, 20 янв., - С. 7.

53. Рукин С. Н. Генераторы мощных наносекундных импульсов с полупроводниковыми прерывателями тока / С.Н. Рукин // ПТЭ, 1999, №4,1. C. 5-36.

54. Карауш А. С. Генератор излучатель наносекундных импульсов для систем видеоимпульсной подповерхностной радиолокации / A.C. Карауш, С.П. Лукьянов, В.Е. Семенчук, Р.В. Потемин // Электронная промышленность, - 1998, №1, № 2, -С. 93-95.

55. Шпак В. Г., Яландин М. И., Шунайлов С. А. и др. // Доклады РАН, -1999, №1,-С. 50-53.

56. Лайнс М. Сегнетоэлектрики и родственные им материалы / М. Лайнс, А. Глас. // -М.: Мир, -1981, -С. 736.

57. Терехов В.А. Воздействие импульсного электромагнитного излучения наносекундного диапазона на полупроводниковые материалы и структуры / В.А. Терехов, Е.А. Тутов, А.Н. Манько, Э.П. Домашевская // Конд. Среды и межфазн. границы, 2001, -Т 3, №1, -С. 86-90.

58. Ландау Л. Д. Электродинамика сплошных сред : Учебное пособие для студ. физ. специальностей ун-тов / Л.Д. Ландау и Е.М. Лифшиц// -М.: «Наука», -1982, -С. 620.

59. Аваев H.A. Основы микроэлектроники: Учебное пособие для вузов / H.A. Аваев, Ю.Е. Наумов, В.Т. Фролкин // -М.: «Радио и связь», -1991, -С. 288.

60. Рудяк В.М. Эффект Баркгаузена / В.М. Рудяк // УФН, 1970, Т 101, -С. 429.

61. Рудяк В.М. // ИАН 45,1586 (1981).

62. Сидоркин A.C. Доменная структура в сегнетоэлектриках и родственных материалах / A.C. Сидоркин // -М.: «Физматлит», 2000, -С. 240.