Оболочки с двумерным электронным газом и их магнитотранспортные свойства тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 01.04.10, кандидат физико-математических наук Юкечева, Юлия Сергеевна

• Юкечева, Юлия Сергеевна
• кандидат физико-математических наук
• 2009

Оглавление диссертации кандидат физико-математических наук Юкечева, Юлия Сергеевна

Введение.

1. Транспорт носителей заряда в однородном и неоднородном магнитных полях

1.1 Двумерный электронный газ в квантующих магнитных полях.

1.2 Краевые состояния. Формализм Ландауэра-Бюттикера.

1.3 Транспорт носителей заряда в неоднородном магнитном поле.

1.4 Способы создания неоднородного магнитного поля на образце.

2. Изготовление оболочек с двумерным электронным газом из гетероструктур на основе GaAs

2.1 Принцип изготовления полупроводниковых оболочек.

2.2 Изготовление оболочек малого радиуса на основе гетероструктур GaAs/InGaAs с двумерным электронным газом.

2.3 Изготовление оболочек с высокоподвижным двумерным электронным газом.

3. Магнитотранспортные свойства двумерного электронного газа (ДЭГ) на цилиндрической поверхности

3.1 Результаты гальваномагнитных измерений в планарных гетероструктурах с одиночными барьерами и оболочках на их основе.

3.2 Результаты гальваномагнитных измерений в планарных гетероструктурах с высокоподвижным ДЭГ.

3.3 Продольное и поперечное сопротивление в оболочках с высокоподвижным ДЭГ.

3.4 Краевые состояния в оболочках с ДЭГ и расчеты зависимостей сопротивлений от магнитного поля.

4. Изготовление субмикронных оболочек для магнитотранспортных измерений

4.1 Оболочки на основе InAs

4.2 Оболочки на основе Si/SiGe.

4.3 Электрическая изоляция оболочек от проводящих подложек.

4.4 Управление радиусом изгиба оболочек.

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Оболочки с двумерным электронным газом и их магнитотранспортные свойства»

Прогресс полупроводниковой технологии, в частности, эпитаксиальных методов роста, во второй половине XX века сделал возможным получение высококачественных пленок толщиной порядка фермиевской длины волны, в которых проявляется размерное квантование, и приборов на их основе. Уменьшение влияния механизмов рассеяния на ионизованной примеси путем введения в структуры спейсеров привел к созданию структур с высокоподвижным двумерным электронным газом; к настоящему времени в гетероструктурах GaAs/AlGaAs достигнута подвижность порядка нескольких л десятков миллионов см л/В*с [1], что соответствует длине свободного пробега электрона в несколько сотен микрон. Плоские структуры с двумерным электронным газом стали объектом интенсивных исследований и способствовали открытию новых физических эффектов, в т.ч. целочисленного и дробного квантового эффекта Холла [2, 3], квантования проводимости в квазиодномерных проводниках в баллистическом режиме и др. Полевые транзисторы на основе двумерного электронного газа в системе GaAs/AlGaAs широко используются в быстродействующих устройствах.

Создание трехмерных структур из двумерных гетеропленок [4] открывает новые возможности в разработке приборов и исследовании физических эффектов. Оболочки с двумерным электронным газом - новые физические объекты, в которых ожидается ряд уникальных свойств вследствие влияния нескольких факторов:

1. Геометрический. Баллистический электрон в изогнутой пленке может испытывать рассеяние и отражаться [5, 6].

2. Особое распределение механических напряжений и соответствующие изменения зонной структуры. Было показано, что областям сжатия и растяжения в гофрировке соответствуют потенциальные барьеры и ямы глубиной до 1 эВ [7], а в трубке ширина запрещенной зоны возрастает у внутренней поверхности и уменьшается у внешней [8].

3. «Изменение» внешних полей: помещение двумерного электронного газа на цилиндрической поверхности в магнитное поле таким образом, чтобы вектор напряженности поля был перпендикулярен оси цилиндра, приведет к пространственной неоднородности перпендикулярной поверхности компоненты магнитного поля [9].

По сравнению с известными методами создания неоднородного магнитного поля в двумерном газе [21-28], помещение его на цилиндрическую поверхность дает следующие преимущества: а) возможность создания больших градиентов магнитного поля (>10бТ/м), б) возможность менять величину градиента in situ.

Цель исследования

Целями данной диссертационной работы являлись изготовление нового физического объекта - двумерного газа носителей заряда на цилиндрической поверхности и исследование его магнитотранспортных свойств. Для достижения поставленных целей решались следующие задачи:

1. Изготовление оболочек с двумерным газом носителей заряда на основе гетеропереходов GaAs/InGaAs, ТпАвЯпОаАБ, Si/SiGe с токовыми и потенциальными контактами;

2. Исследование гальваномагнитных эффектов в изготовленных оболочках в классических и квантующих магнитных полях;

3. Расчет зависимостей сопротивлений двумерного электронного газа на цилиндрической поверхности от магнитного поля и сравнение результатов расчета с наблюдениями.

Научная новизна

1. Изготовлены оболочки, содержащие высокоподвижный (>105 см2/(В-сек)) двумерный электронный газ на цилиндрической поверхности.

2. Экспериментально показано, что отношение сопротивлений двумерного электронного газа на цилиндрической поверхности, измеряемых вдоль направления протекания тока (вдоль направляющей цилиндрической поверхности) при противоположных направлениях поперечного магнитного поля, достигает 104, если градиент нормальной к поверхности компоненты магнитного поля не меняет знака между точками измерения сопротивлений.

Научная и практическая значимость

Предложены и реализованы методики:

• изготовления оболочек с высокоподвижным двумерным электронным газом,

• электрической изоляции оболочек от проводящих подложек и буферных слоев,

• контролируемого локального изменения кривизны оболочек путем нанесения на нее пленки диоксида кремния и последующего локального воздействия на нее электронным пучком.

Основные положения, выносимые на защиту:

1. На цилиндрической поверхности с радиусом кривизны порядка десятков микрон возможно формирование двумерного электронного газа высокой подвижности (> 105 см2/(В-с)). Это достигается контролируемым сворачиванием тонких свободных гшеиок под действием встроенных механических напряжений.

2. Мапштосопротивлеиие двумерного электронного газа высокой подвижности на цилиндрической поверхности, измеренное при протекании тока вдоль направляющей этой поверхности, асимметрично по направлению магнитного поля, перпендикулярного образующей цилиндрической поверхности: отношение сопротивлений, измеренных при противоположных направлениях магнитного поля величиной 1 Тл и более, достигает 104. Эта величина зависит от положения точек измерения сопротивления и максимальна, если градиент нормальной к поверхности компоненты магнитного поля не меняет знака между этими точками.

3. В двумерном электронном газе на цилиндрической поверхности положение экстремумов сопротивления, измеряемого при протекании тока вдоль направляющей цилиндрической поверхности, определяется максимальным значением нормальной к поверхности компоненты магнитного поля между точками измерения сопротивления как для целочисленного, так и для дробного квантового эффекта Холла.

4. Реализуемо контролируемое локальное изменение диаметра оболочки, содержащей пленку диоксида кремния, локальным воздействием электронным пучком.

Заключение диссертации по теме «Физика полупроводников», Юкечева, Юлия Сергеевна

Заключение

Результаты и выводы диссертационной работы

1. Впервые изготовлены оболочки с электрическими контактами в холловской конфигурации, содержащие ДЭГ высокой подвижности (2,5-105 см /(В-с)) на цилиндрической поверхности в GaAs квантовой яме.

2. Впервые экспериментально показано, что отношение сопротивлений ДЭГ на цилиндрической поверхности, измеряемых вдоль направления тока (вдоль направляющей цилиндрической поверхности) при противоположных направлениях поперечного магнитного поля, достигает 104.

3. Обнаружено, что сопротивление ДЭГ на цилиндрической поверхности, измеренное в направлении тока, с ростом поперечного магнитного поля зануляется и остается вблизи нуля при уменьшении фактора заполнения до 1 при следующих условиях:

- ток протекает вдоль направляющей цилиндрической поверхности,

- градиент нормальной к поверхности компоненты магнитного поля не меняет знак между точками измерения сопротивления,

- точки измерения сопротивления выбраны так, что направления тока краевых состояний между ними и градиента нормальной к поверхности компоненты магнитного поля составляют угол менее 90°.

4. Впервые в ДЭГ на цилиндрической поверхности наблюдался дробный квантовый эффект Холла. Экспериментально показано, что положение пиков продольного сопротивления как для целочисленного, так и для дробного квантового эффекта Холла определяется максимальным значением нормальной к поверхности компоненты магнитного поля.

5. Проведены расчеты зависимостей сопротивлений ДЭГ на цилиндрической поверхности от магнитного поля в рамках модели Ландауэра-Бюттикера. Согласие результатов расчета и эксперимента говорит о достаточности модели краевых состояний для объяснения наблюдаемых эффектов.

6. Впервые изготовлены субмикронные модулировано легированные оболочки на основе напряженного гетероперехода InAs/InGaAs.

7. Разработаны два способа получения оболочек на основе Si/SiGe, электрически изолированных от проводящих подложек; с их помощью изготовлены модулировано легированные оболочки в форме свитков, спиралей и выпуклых греческих крестов, снабженные электрическими контактами.

8. Разработана методика локального изменения кривизны оболочек с помощью воздействия электронным пучком. Экспериментально показано уменьшение диаметра оболочки в 2 раза.

Большая часть диссертационной работы выполнена в лаборатории трехмерных наноструктур Института физики полупроводников СО РАН. Автор выражает искреннюю признательность научному руководителю, совместно с которым разрабатывалась методика создания оболочек с двумерным электронным газом и проводились исследования магнитотранспорта в созданных структурах; зав. лаб. №7 В. Я. Принцу за общее руководство работой, а также всем сотрудникам лаборатории, оказавшим содействие в этих исследованиях. Автор благодарен А. И Торопову, А. К, Бакарову и А. К. Калагину за рост методом МЛЭ гетероструктур с высокоподвижным двумерным электронным газом на основе GaAs; В. В. Преображенскому и М. А. Путято за рост методом МЛЭ гетероструктур на основе InAs; А. К. Гутаковскому за получение изображений методом высокоразрешающей электронной микроскопии. Автор очень благодарен Г. Мюсслеру и В. Шушуновой, выполнившим рост гетероструктур на основе Si/SiGe методом МЛЭ в лаборатории Института Пауля Шеррера (Швейцария) и Исследовательском Центре г. Юлих

Германия); сотруднику лаборатории сильных магнитных полей D. Maude (г. Гренобль, Франция) за организацию измерений в сильных магнитных полях и участие в них; кураторам проекта SCOPES Д. Грютцмахеру и X. Зиггу за возможность выполнения технологической работы со структурами Si/SiGe в лабораториях Института Пауля Шеррера (Швейцария).

Личный вклад

Разработка методик создания оболочек для магнитотранспортных измерений на основе напряженных гетероструктур GaAs/InGaAs и InAs/InGaAs выполнена соискателем совместно с научным руководителем; на основе модулировано легированных гетероструктур Si/SiGe - соискателем. Способ электрической изоляции оболочек от подложек и буферных слоев, а также способ управления кривизной оболочек нанесением на нее пленки диоксида кремния и ее последующего локального экспонирования электронным пучком предложены и реализованы соискателем. Измерения в сильных полях (до 28Т) выполнены соискателем совместно с сотрудниками лаборатории сильных магнитных полей, г. Гренобль. Анализ результатов и написание статей были выполнены совместно с научным руководителем. Объяснение зануления сопротивления в рамках модели краевых состояний и соответствующие расчеты сопротивлений выполнены соискателем.

Апробация работы

Результаты диссертационной работы докладывались на:

14th, 15th, 16th International Symposium "Nanostructures: Physics and Technology". Россия, Санкт-Петербург (2006), Новосибирск (2007), Владивосток (2008);

9ая Российская конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V". Россия, Томск, 2006;

International Symposium on Mesoscopic Superconductivity and Spintronics. Japan, Atsugi, 2006;

7-я Российская конференция по физике полупроводников. Россия, Москва, 2005;

Autumn School on Materials Science and Electron Microscopy. Germany, Berlin, 2005.

Публикации Статьи

1. Yukecheva Yu.S. Modulation-doped SixGe!x/Si shells electrically isolated from conductive substrates / Yu.S. Yukecheva, G. Mussler, V. Shushunova, A. Weber, E. Deckardt, V.Ya. Prinz, D. Gruetzmacher // Semicond. Sci. Technol. -2008. - Vol. 23, № 10. - P. 105007-1-5.

2. Milekhin A. Raman scattering on semiconductor microtubes /А. Milekhin, S. Mutilin, J. Yukecheva, M. Putyato, A. Vorob'ev, V. Prinz, V. Kolchuzhin, J. Mehner, D. Zahn // Physica status solidi (c). - 2009. - Vol. 6, №9. -P. 2060^2063.

3. Vorob'ev A. B. Giant asymmetry of the longitudinal magnetoresistance in cylindrical, high-mobility two-dimensional electron gas / A. B. Vorob'ev, K.-J. Friedland, H. Kostial, R. Hey, U. Jahn, E. Wiebicke, Ju. S. Yukecheva, V.Ya. Prinz // Phys. Rev. B. - 2007. - Vol. 75, №. 20. - P. 205309-1-6.

4. Vorob'ev A. B. Magnetotransport properties of two-dimensional electron gas on cylindrical surface / A. B. Vorob'ev, V.Ya. Prinz, Yu.S. Yukecheva and A.I. Toropov // Physica E. - 2004. - Vol. 23, № 1-2. - P. 171-176 .

Труды конференций и тезисы

1. Yu. S. Yukecheva, A. B. Vorob'ev, V Ya. Prinz, A. I. Toropov, D. K. Maude "Observation of 2DEG transport in helical geometry at low filling factors" Proceedings of the 16th Int. Symp. "Nanostructures: Physics and Technology", Vladivostok, Russia, July 15-19, 2008

2. Yu.S. Yukecheva, A. B. Vorob'ev, V. Ya. Prinz, G. Mussler, V. Shushunova, A. Weber, E. Deckardt, D. Gruetzmacher. SiGe/Si undoped and modulation-doped micrometer and submicrometer tubes and spirals, 15th International Symposium "Nanostructures: Physics and Technology", Novosibirsk, Russia, June 25-29 2007.

3. Yu. S. Yukecheva, A. B. Vorob'ev, V. Ya. Prinz, V. V. Preobrazhenskii, M. A. Putyato, A. K. Gutakovsky, Fabrication of InGaAs/InAsSb micro- and submicron tubes with two-dimensional electron gas on АЬОз(0001) and GaSb(lOO) substrates, 14th International Symposium "Nanostructures: Physics and Technology", St.Petersburg, Russia, June 26-30, 2006.

4. J. Yukecheva. EFM as a tool for characterization of free-standing micro-and nanoobjects. Autumn School on Materials Science and Electron Microscopy (Berlin, October 3d - October 8th, 2005).

5. Alexander G. Milekhin, Sergei Mutilin , Julia Yukecheva, Michael Putyato, Alexander Vorob'ev, Victor Prinz, Vladimir Kolchuzhin, Jan Mehner, Dietrich RTZahn. "Raman scattering on semiconductor microtubes" Presentation: Poster at E-MRS Fall Meeting 2008, Symposium J, by Alexander G. Milekhin.

6. K.-J. Friedland, R. Hey, H. Kostial, U. Jahn, E. Wiebicke, К H. Ploog, A. Vorob'ev, Ju. Yukecheva, and V. Prinz. Magnetotransport in two-dimensional electron gases on cylindrical surfaces, Proceedings of the International Symposium on Mesoscopic Superconductivity and Spintronics, Atsugi, Japan, 2006, edited by H. Takayanagi and J. Nitta (World Scientific, 2007).

7. K.-J. Friedland, R. Hey, H. Kostial, U. Jahn, E. Wiebicke, К. H. Ploog, A. Vorob 'ev, Ju. Yukecheva, and V. Prinz . Magnetotransport in high mobility two-dimensional electron gases on cylindrical surfaces, 12th Advanced Heterostructure Workshop, Kohala Coast, Big Island of Hawai'i, December 3-8 2006.

8. А. Воробьев, K.-J. Friedland, H. Kostial, R. Hey, U. Jahn, E. Wiebicke, Ю. Юкечева, В. Принц. Гигантская асимметрия магнитосопротивления в высокоподвижном двумерном электронном газе на цилиндрической поверхности. 9м Российская конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V", Томск, 3-5 октября 2006.

9. А.В. Vorob'ev, K.-J. Friedland, Н. Kostial, R. Hey, Ju. S. Yukecheva, U. Jahn, E. Wiebicke, and V. Ya. Prinz, Magnetotransport properties of high-mobility two-dimensional electron gas on cylindrical surface, 14th International Symposium

Nanostructures: Physics and Technology", St.Petersburg, Russia, June 26-30 2006.

10. K.-J. Friedland, A. Vorob'ev, H. Kostial, U. Jahn, E.Wiebicke, R. Hey, Ju. Yukecheva, V. Prinz, Ballistic transport in two-dimensional GaAs electron gases on cylindrical surfaces, International Symposium on Mesoscopic Superconductivity and Spintronics, Atsugi, Japan, 2006.

11. А.Б. Воробьев, Ю.С. Юкечева, А. С. Майоров,В.M. Осадчий, В.Я. Принц, А.И. Торопов, Двумерный электронный газ на цилиндрической поверхности: магнитотранспортные исследования в холловской геометрии, 7-я Российская конференция по физике полупроводников, Москва , 18-23 сентября 2005.

12. А.Б. Воробьев, Ю.С. Юкечева, В.Я. Принц, В.В. Преображенский, Б.Р. Семягин, Проводящие InAs/InGaAs микротрубки и микроспирали на InAs(100) и GaSb(100) подложках, 7-я Российская конференция по физике полупроводников, Москва , 18-23 сентября 2005.

13. А. В. Vorob'ev, V. Ya. Prinz, Ju. S. Yukecheva, A. I. Toropov, V. V. Preobrazhenskii and B. R. Semyagin, Two-dimensional electron gas in rolled-up quantum well: fabrication and magnetotransport properties, Proceedings of the Autumn School on Materials Science and Electron Microscopy (Berlin, September 27th - October 1st, 2003).

14. A. B. Vorob'ev, v. Ya. Prinz, A. I. Toropov, Yu. S. Yukecheva. Magnetotransport measurements in two-dimensional gas on cylindrical surface. The 26th International Conference on the Physics of Semiconductors Proceedings p. H 118 (July 29 - August 2, 2002, Edinburgh, United Kingdom.).

15. A.B. Vorob'ev, V. Ya. Prinz, A. I. Toropov, Yu. S. Yukecheva. Magnetotransport properties of two-dimensional gas on cylindrical surface. 2002 Siberian Russian Workshop on Electron Devices and Materials Proceedings, v.l p. 64 (July 1-5, 2002, Novosibirsk, Russia).

Список литературы диссертационного исследования кандидат физико-математических наук Юкечева, Юлия Сергеевна, 2009 год

1. Tsui D. C. Two-Dimensional Magnetotransport in the Extreme Quantum Limit /D. C. Tsui, H. L. Stoermer, A. C. Gossard // Phys. Rev. Lett. 1982. -Vol. 48, №22. - P. 1559-1562.

2. Zhen-Li Ji. Ballistic transport through a double bend in an electron waveguide // J. Appl. Phys. 1993. - Vol. 73, № 9. - P. 4468-4472.

3. Osadchii V. M. Quantum confinement in nanocorrugated semiconductor films / V. M. Osadchii, V. Ya. Prinz // Phys. Rev. B. 2005. - Vol. 72, №3. -P. 033313-1-4.

4. Осадчий В. M. Разделение носителей заряда в свернутых гетероструктурах / В. М. Осадчий, В. Я. Принц // Письма в ЖЭТФ. -2000. Т. 72, вып. 6. - С. 451-456.

5. Magarill L. I. Ballistic transport and spin-orbit interaction of two-dimensional electrons on a cylindrical surface / L. I. Magarill, D. A. Romanov, A. V. Chaplik // JETP. 1998. - Vol. 86, № 4. - P. 771-779.

6. Ландау Л.Д. Квантовая механика / Л.Д. Ландау, Е. М. Лифшиц. -Москва: Наука, 1974. 523 р.

7. Ando Т. Electronic properties of two-dimensional systems / T. Ando, A. Fowler, F. Stern // Rev. Mod. Phys. 1982. - Vol. 54, №2. - P. 437-672.

8. Heinzel Th. Mesoscopic electronics in solid state nanostructures. -Weinheim: Wiley-VCH Verlag GmbH & Co. KGaA, 2007. 163 p.

9. Bockelmann U. Single-particle and transport scattering times in narrow GaAs/AlxGa^x quantum wells / U. Bockelmann, G. Abstreiter, G. Weimann, W. Schlapp // Phys. Rev. B. 1990. - Vol. 41, № 11. - P. 7864-7867.

10. Halperin В. I. Quantized Hall conductance, current-carrying edge states, and the existence of extended states in a two-dimensional disordered potential // Phys. Rev. B. 1982. - Vol. 25, №4. - P. 2185-2190.

11. Martin T. Suppression of scattering in electron transport in mesoscopic quantum Hall systems / T. Martin, S. Feng //Phys. Rev. Lett. 1990. - Vol. 64, № 16.-P. 1971-1974.

12. Mueller G. Equilibration length of electrons in spin-polarized edge channels / G. Mueller, D. Weiss, A. V. Khaetskii, K. von Klirzing, S. Koch, H. Nickel, W. Schlapp, R. Loesch // Phys. Rev. B. 1992. - Vol. 45, №7. - P. 39323935.

13. Herfort J. Equilibration length of edge states in a GaAs/InyGal-yAs/AlxGal-xAs quantum well / J. Herfort, Y. Takagaki, K.-J. Friedland, R. Hey, H. Kostial, K. Ploog // Phys. Rev. B. 1997. - Vol. 55, №3. p. 1357-1360.

14. Biittiker. M. Four-Terminal Phase-Coherent Conductance // Phys. Rev. Lett. -1986. Vol. 57, №14. - P. 1761-1764.

15. Ferry D. К. Transport in nanostructures / D. K. Ferry, S. M. Goodnick. -Cambridge: Cambridge University Press, 1997. 202 p.

16. Chaplik A.V. Some exact solutions for the classical hall effect in inhomogeneous magnetic field // JETP Lett. 2000. - Vol. 72, №10. - P. 723-726.

17. Mueller J. E. Effect of a nonuniform magnetic field on a two-dimensional electron gas in the ballistic regime // Phys. Rev. Lett. 1992. Vol. 68, №3. -P. 385-388.

18. Нага M. Transport in Two-Dimensional Electron Gas with Isolated Magnetic Barriers / M. Hara, A. Endo, S. Katsumoto, Y. Iye // Jpn. J. Phys. Soc. -2002.-Vol. 71.-P. 543-549.

19. Нага M. Transport in a two-dimensional electron-gas narrow channel with a magnetic-field gradient / M. Hara, A. Endo, S. Katsumoto, Y. Iye // Phys. Rev. B. 2004. - Vol. 69. - P. 153304-1-4.

20. Carmona H. A. Two Dimensional Electrons in a Lateral Magnetic Superlattice / H. A. Carmona, A. K. Geim, A. Nogaret, P. C. Main, T. J. Foster, M. Henini, S. P. Beaumont, M. G. Blamire // Phys. Rev. Lett. -1995. Vol. 74, №15. - P. 3009-3012.

21. Rammer J. Weak localization in inhomogeneous magnetic fields / J. Rammer and A. L. Shelankov // Phys. Rev. B. 1987. - Vol. 36, № 6. - P. 3135-3146.

22. Leadbeater M. L. Magnetotransport in a nonplanar two-dimensional electron gas / M. L. Leadbeater, C. L. Foden, J. H. Burroughes, M. Pepper, Т. M. Burke, L. L. Wang, M. P. Grimshaw, D.A. Ritchie // Phys. Rev. B. 1995. -Vol. 52, №12. - P. R8629-R8632.

23. Bykov A. A. Hall effect in a spatially fluctuating magnetic field with zero mean / A. A. Bykov, G. M. Gusev, J. R Leite, A. K. Bakarov, N. T. Moshegov, M. Casse, D. K. Maude, J. C. Portal // Phys. Rev. B. 2000. -Vol. 61, №8.-P. 5505-5510.

24. Ibrahim I. S. Classical transport of electrons through magnetic barriers / I. S. Ibrahim, V. A. Schweigert, F. M. Peeters // Phys. Rev. B. 1997. - Vol. 56, №12.-P. 7508-7516.

25. Lorke A. Curved two-dimensional electron gases / A. Lorke, S. Bohm, and W. Wegscheider // Superlatt.& Microstruct. 2003. - Vol. 33, № 5-6, P.347-356.

26. Yablonovitch E. Van der Waals bonding of GaAs epitaxial liftoff films onto arbitrary substrates / E. Yablonovitch, D. M. Hwang, T. J. Gmitter, L. T. Florez, J. P. Harbison // Appl. Phys. Lett. 1990. - Vol. 56, №24. - P. 24192421.

27. Tsui Y. C. An analytical model for predicting residual stresses in progressively deposited coatings Part 1: Planar geometry / Y. C. Tsui, T. W. Clyne // Thin Solid Films 1997 - Vol. 306, №1. - P. 23-33.

28. Prinz V.Ya. Precise semiconductor nanotubes and nanoshells fabricated on (110) and (111) Si and GaAs // Physica E 2004. - Vol. 23. - P. 260-268.

29. Golod S. V. Fabrication of conducting GeSi/Si micro- and nanotubes and helical microcoils / S. V. Golod, V. Ya. Prinz, V. I. Mashanov, A. K. Gutakovsky // Semicond. Sci. Technol. 2001. - Vol. 16, № 3. - P. 181-185.

30. Golod S. V. Directional-rolling method for strained SiGe/Si films and its application to fabrication of hollow needles / S. V. Golod, V. Ya. Prinz, V. I. Mashanov // Thin solid films. 2005. - Vol. 489, № 1-2. - P. 169-176.

31. Vorob'ev A. B. Directional rolling of strained heterofilms / A. B. Vorob'ev, V. Ya. Prinz // Semicond. Sci. Technol. 2002. - Vol. 17, № 6. - P. 614-616.

32. Wu X. S. Selective etching characteristics of HF for AlxGai.xAs/GaAs / X. S. Wu, L. A. Coldren, J. L. Merz // Electronics Letters. 1985. -Vol. 21, №13. -P. 558-559.

33. Mendach S. Preparation of curved two-dimensional electron systems in InGaAs/GaAs-microtubes / S. Mendach, O. Schumacher, Ch. Heyn, S. Schnuell, H. Welsch, W. Hansen // Physica E. 2004. - Vol. 23, № 3-4. -P. 274 -279.

34. Friedland K.-J. New concept for the reduction of impurity scattering in remotely doped GaAs quantum wells / K.-J. Friedland R. Hey, H. Kostial, R. Klann, and K. Ploog // Phys. Rev. Lett. 1996. - Vol. 77, №22. -P. 46164619.

35. Mendach S. InGaAs-Mikro- und Nanorohrchen: Diss. . Doktorgrades des Fachbereichs Physik. Hamburg, 2005. S. 46.

36. Linke H. Application of microwave detection of the Shubnikov-de Haas effect in two-dimensional systems / H. Linke, P. Omling, P. Ramvall, В. K. Meyer, M. Drechsler, C. Wetzel, R. Rudeloff, F. Scholz // J. Appl. Phys. -1993. Vol.73, №ll. p. 7533-7542.

37. Friedland K.-J. Quantum Hall effect in a high-mobility two-dimensional electron gas on the surface of a cylinder / K.-J. Friedland, A. Siddiki, R. Hey, H. Kostial, A. Riedel, D. K. Maude // Phys. Rev. B. 2009. - Vol. 79, № 12. -P. 125320-1-7.

38. Энтин M. В. Частное сообщение.

39. Dier О. Selective and non-selective wet-chemical etchants for GaSb-based materials / O. Dier, Ch. Lin, M. Grau, M.-C. Amann // Semicond. Sci. Technol. 2004. - Vol. 19, №11.-P. 1250-1253.

40. Бир Г. JI. Симметрия и деформационные эффекты в полупроводниках / Г. Л. Бир, Г. Е. Пикус. Москва: Наука, 1972.

41. Schaffler. F. High-mobility Si and Ge structures // Semicond. Sci. Technol. -1997.-Vol. 12, № 12.-P. 1515-1549.

42. Schmidt O. G. Free-standing SiGe-based nanopipelines on Si (001) substrates / O. G. Schmidt, N. Y. Jin-Phillipp // Appl. Phys. Lett. 2001. -Vol. 78,№21.-P. 3310-3312.

43. Vorob'ev A. SiGe/Si microtubes fabricated on a silicon-on-insulator substrate / A. Vorob'ev, P. O. Vaccaro, K. Kubota, T. Aida, T. Tokuda, T. Hayashi, Y. Sakano, J. Ohta, M. Nunoshita // J. Phys. D: Appl. Phys. 2003. - Vol. 36, №17. - P. L67-L69.

44. Yang L. Si/SiGe heterostructure parameters for device simulations / L. Yang, J. R. Watling, R. C. W. Wilkins M. Borici, J. R. Barker, A. Asenov, S. Roy // Semicond. Sci. Technol. 2004. - Vol. 19, №10. -P. 1174-1182.

45. Chen G. S. Electron-beam-induced damage in amorphous SiC>2 and the direct fabrication of silicon nanostructures / G. S. Chen, С. B. Boothroyd, C. J. Humphreys // Phil. Mag. A. 1998. -Vol. 78, № 2. - P. 491-506.