Эффект замороженной туннельной фотопроводимости в двумерной электронной системе приповерхностного δ-легированного слоя в GaAs тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 01.04.10, кандидат физико-математических наук Дижур, Сергей Евгеньевич

• Дижур, Сергей Евгеньевич
• кандидат физико-математических наук
• 2006

Оглавление диссертации кандидат физико-математических наук Дижур, Сергей Евгеньевич

Введение

1 Структуры с ^-легированием и замороженная фотопроводимость

1.1. Структуры с J-легированием.

1.2. Замороженная фотопроводимость в структурах с ^-слоями

1.3. Резонансные поляронные и фононные особенности в туннельных спектрах.

2 Образцы и методы исследований

2.1. Структуры с 5-слоем.

2.2. Туннельная спектроскопия.

2.3. Экспериментальные методики.

3 Экспериментальное исследование эффекта замороженной туннельной фотопроводимости

3.1. Первые наблюдения замороженной туннельной фотопроводимости. Описание эффекта

3.2. Зависимость эффекта замороженной туннельной фотопроводимости от времени и энергии кванта облучения при различных размерах туннельных затворов.

3.3. Температурные зависимости эффекта замороженной туннельной фотопроводимости.

4 Анализ экспериментальных данных

4.1. Оценки прохождения излучения в структуре Al/J-GaAs

4.2. Предположения о влиянии облучения на процессы в к\/5-GaAs.

4.3. Механизм возникновения эффекта замороженной туннельной фотопроводимости.

4.4. Участие примесных центров.

5 Применение эффекта замороженной туннельной фотопроводимости для исследования резонансного взаимодействия с LO-фононами

5.1. Изменение состояния двумерной электронной системы за счёт эффекта замороженной туннельной фотопроводимости

5.2. Отражение электронов при туннелировании

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Эффект замороженной туннельной фотопроводимости в двумерной электронной системе приповерхностного δ-легированного слоя в GaAs»

Актуальность темы На протяжении последних лет акценты в интересе к полупроводниковым структурам сместились в сторону нанотехнологий. Современные способы получения таких систем (например, метод молекулярно-лучевой эпитак-сии [1]) позволяют получать системы с квантовыми точками, напряжёнными слоями, дельта-слоями и пр. Структуры с предельно неоднородным (дельта-, 8-) легированием [2,3] вызывают огромный интерес для фундаментальных исследований в области физики твёрдого тела, а также при отработке новых способов изготовления полупроводниковых структур. С практической точки зрения, эти структуры перспективны для создания высокоэффективных электронных устройств. Однако, формирование 5-слоя, находящегося в полупроводнике вблизи (около 20 нм) высококачественной границы с металлом, связано с рядом трудностей. Поэтому, изучению таких структур уделено крайне мало внимания.

Данная работа посвящена исследованию влияния внешнего излучения на электронную систему в приповерхностном £-слое таких структур. Исследуемые GaAs структуры с ^-легированным кремнием слоем (А1/6si-GaAs) обладают важным свойством: практически монослойная легирующая примесь кремния создаёт потенциальную яму в однородном (от границы с металлом до подложки) объёме полупроводника, и туннельно-проз-рачный барьер между А1 и J-слоем позволяет контролировать изменение как заполненных, так и пустых подзон в этой квантовой яме через туннельный ток.

Эффект замороженной, или удержанной (persistent), фотопроводимости (ЗФП) наблюдался, как правило, в n-легированных GaAs и AlGaAs структурах. ЗФП проявляется в виде изменения проводимости после облучения образца излучением видимого, инфракрасного или рентгеновского диапазонов [2]. В литературе этот эффект объяснялся за счёт влияния примесных состояний: DX-центров, ЕЬ2-центров, глубоких уровней, примесных уровней в подложке, барьерных примесей. Подавляющее большинство таких работ было выполнено с помощью магнитотранспортных измерений, не позволяющих получить информацию о незаполненных подзонах и проследить за изменением потенциального профиля структур вне области проводящих каналов. При этом, эффект ЗФП определялся, в основном, по изменениям в концентрации носителей. Туннельная структура типа Al/J-GaAs является наиболее подходящим объектом для исследования эффекта ЗФП в 5-слоях. Преимущества такой системы заключаются в следующем. Кроме возможности анализа спектра как пустых, так и заполненных состояний в двумерной электронной системе 5-слоя, через туннельное сопротивление можно контролировать изменения потенциального барьера на границе между алюминием и <5-слоем, возникающие после подсветки. Как показали расчёты, по туннельным спектрам возможно отличить изменения (после засветки) числа заряженных центров в объёме полупроводника от ионизации DX-центров в самом <5-слое.

В связи с вышеизложенным, целью работы являлось изучение состояний двумерной электронной системы J-слоя после облучения и получение информации о механизмах, определяющих свойства носителей в двумерной электронной системе после подсветки излучением видимого или инфракрасного диапазонов и, используя обнаруженный эффект замороженной туннельной фотопроводимости (ЗТФП), исследовать резонансные особенности, связанные с поляронным взаимодействием между разными уровнями размерного квантования двумерного электронного газа (ДЭГ) в квантовой яме £-слоя.

В соответствии с целью исследования были поставлены следующие конкретные задачи:

1. Использовать метод туннельной спектроскопии для изучения поведения как заполненных, так и пустых подзон в квантовой яме J-слоя в режиме ЗТФП.

2. Использовать излучение красного и ближнего инфракрасного диапазонов с энергиями hv ~ 2 и ~ 1.3 эВ, соответственно, что больше и меньше ширины запрещённой зоны в GaAs при температуре 4.2 К, составляющей 1.52 эВ.

3. Исследовать зависимость величины эффекта ЗТФП от геометрии туннельных контактов.

4. Определить температурную зависимость эффекта ЗТФП и найти критическую температуру, при которой эффект исчезает.

5. Провести анализ полученных экспериментальных данных, сравнить их с теоретическими расчётами и предложить механизмы образования и исчезновения эффекта.

6. Изучить резонансные поляронные эффекты в ДЭГ квантовой ямы J-слоя, используя режим ЗТФП как инструмент для изменения меж-подзонных энергий.

Положения, выносимые на защиту.

1. Обнаружение эффекта замороженной туннельной фотопроводимости, заключающегося в сгущении пустых подзон к заполненным состояниям после засветки структуры Al/J-GaAs при низких температурах.

2. Обнаружение влияния энергии кванта излучения на эффект замороженной туннельной фотопроводимости.

3. Эффект замороженной туннельной фотопроводимости существует лишь при температурах ниже критической Тс = 45 ± 3 К.

4. Доказательство равномерности сдвига уровней при изменении зарядового состояния доноров в самом 5-слое.

5. Наблюдение отражения электронов на пороге эмиссии LO-фононов при туннелировании в двумерную электронную систему с помощью эффекта замороженной туннельной фотопроводимости.

Научная новизна.

Благодаря технике туннельной спектроскопии [4] и высококачественным туннельным структурам Al/5-GaAs, впервые наблюдался и описан эффект замороженной туннельной фотопроводимости (ЗТФП); проведены исследования влияния энергии кванта излучения на этот эффект; определена зависимость ЗТФП от температуры и найдена критическая температура эффекта; проведены сравнения экспериментально полученных данных с результатами самосогласованных расчётов для структур с (^-слоями; показано, что эффект ЗТФП зависит как от числа заряженных центров в объёме GaAs, так и от величины заряда на границе эпитаксиального слоя и подложки. При этом, влияние фотоионизации DX-центров на электронный спектр двумерных подзон отличается от ЗТФП, приводя к равномерному сдвигу подзон в (5-слое. В туннельной системе Al/J-GaAs при подстройке уровней в режиме ЗТФП впервые наблюдались эффекты отражения электронов на пороге эмиссии LO-фононов.

Достоверность полученных результатов не вызывает сомнений, подтверждена исследованиями на большом количестве образцов и теоретическими расчётами. Часть результатов согласуется с рядом исследований, выполненными как при участии автора, так и другими научными группами.

Практическая значимость диссертации обусловлена следующим. В результате облучения, состояния незаполненных уровней меняются на десятки мэВ. Это позволяет, в принципе, создать на основе туннельных 6-легированных структур, например, высокоэффективные фотоэлектрические приёмники. Благодаря тому, что замороженные состояния сохраняются при гелиевых температурах в течение продолжительного времени (изменения не превышают 0.1% в час), на основе таких систем возможно создание элементов памяти. Засветка, так же как, например, магнитное поле или давление, может применяться в качестве инструмента воздействия на электронную систему, вызывая эффект ЗТФП. Это, в частности, продемонстрировано в представляемой работе.

Автор внёс значительный личный вклад в исследование эффекта ЗТФП, как то:

• Изготовление и модернизация частей экспериментальной установки.

• Усовершенствование методики измерений, отбор и монтаж образцов.

• Получение экспериментального материала при исследовании обнаруженного с его участием эффекта замороженной туннельной фотопроводимости.

• Создание методики компьютерной обработки полученных экспериментальных данных и оценки ошибок.

Самосогласованные расчёты были выполнены автором по программе В.А. Кокина. Некоторые расчёты были проведены М.Н. Фейгиновым. Эксперименты с СОг-лазером выполнены Н.А. Мордовцом. Эксперименты под давлением проводились Е.М.Дижуром и А.Н. Вороновским при участии автора.

Апробация работы и публикации. Результаты диссертации были доложены на российских и международных конференциях: II всероссийская молодежная конференция по физике полупроводников и полупроводниковой опто- и наноэлектронике (С.-Петербург, 2000); Нанофотоника (Н. Новгород, 2001); International Symposium Nanostructures: Physics and Technology

St. Petersburg, Russia, 2001 — 2006); Российская конференция ио физике полупроводников (H. Новгород, 2001, С.-Петербург, 2003, Москва, 2005); 3rd International Conference 'Physics of low-dimensional structures - 3' (Cher-nogolovka, Moscow District, Russia, 2001); International Conference on the Physics of Semiconductors (Edinburg, Scotland, UK, 2002, Vienna, Austria, 2006); 15th International Conference on High Magnetic Fields in Semiconductor Physics (Oxford, UK, 2002); 2nd Asian Conference on High Pressure Research (Nara, Japan, 2004); 16th International Conference on Electronic Properties of Two-dimensional Systems (Albuquerque, New Mexico, 2005); на семинаре "Сильно коррелированные электронные системы и квантовые критические явления" (Троицк, Московская, обл 2005, 2006); на VIII Международной Школе-семинаре молодых ученых "Проблемы физики твердого тела и высоких давлений" (Сочи, 2004); на конкурсах молодых специалистов ИРЭ РАН (2003 - 2005).

Заключение диссертации по теме «Физика полупроводников», Дижур, Сергей Евгеньевич

Основные результаты, полученные в работе

1. Исследовано влияние облучения видимым светом на структуры К\/5-GaAs с приповерхностным дельта-легированным слоем с помощью метода туннельной спектроскопии. Обнаружен эффект замороженной туннельной фотопроводимости в таких структурах при гелиевых температурах: незаполненные уровни размерного квантования в яме 5-слоя сгущаются к основному состоянию. При этом, сдвиг пустых уровней составлял 10. 50 мэВ, в то время как энергия заполненного состояния изменялась на 2. 5 мэВ.

2. Определено влияние энергии кванта излучения на эффект ЗТФП. Показано, что эффект ЗТФП при засветке видимым (красным) светом с энергией Дг/ ~ 2 эВ примерно вдвое превышает результат воздействия излучения ближнего инфракрасного диапазона с энергией ~ 1.3 эВ. Обнаружено, что после воздействия излучением СОг-лазера с hv ~ 0.13 эВ <С Ед величина эффекта совпадает с результатом засветки ИК-светодиодом.

3. Получена зависимость эффекта ЗТФП от температуры. Найдена критическая температура Тс = 45 ± 3 К, ниже которой эффект ЗТФП сохраняется. При более высокой Т >ТС положения подзон возвращаются практически к своим "темновым" значениям.

4. Показано, что с помощью метода туннельной спектроскопии в туннельных структурах с (5-слоем можно отличить изменение зарядового состояния в объёме GaAs от зарядового состояния в 5-слое.

5. Сделан вывод о том, что при межзонной подсветке (hu > Ед) в наблюдаемый эффект дают вклад процессы фотовозбуждения в объёме GaAs: а) межзонные переходы электронов с последующим накоплением положительного заряда в глубине полупроводника б) ионизация глубоких центров в эпитаксиальном слое и/или подложке.

При hv<Eg сдвиг подзон связан только с последним процессом.

6. Применение эффекта замороженной туннельной фотопроводимости позволило обнаружить и исследовать отражение электронов на пороге эмиссии LO-фононов при туннелировании в двумерную электронную систему <5-слоя в GaAs. Кроме того, удалось проследить переход от обычного неупругого туннелирования к эффекту отражения электронов.

Благодарности

В первую очередь, мне хочется поблагодарить своего научного руководителя, Игоря Николаевича Котельникова. Его влияние на мою научную деятельность невозможно переоценить. Я очень благодарен Игорю Николаевичу за определение научного направления, обсуждения возникающих целей и результатов исследований, помощь в работе, ежедневные полезные советы и дискуссии, моральную поддержку на протяжении всех этапов исследования. И конечно же, за здоровую и объективную критику.

Хотелось бы поблагодарить своих коллег и основных соавторов, без которых данная работа была бы невозможна. Н.А. Мордовца — за его талант как экспериментатора; М.Е. Фейгинова и В.А. Кокина — за теоретические расчеты; В.Г. Мокерова и его сотрудников Ю.В. Фёдорова, А.С. Бугаева и А.В. Гука за изготовленные высококачественные образцы (иначе и не было бы объектов исследования!).

Крайне признателен сотрудникам ИФВД А.Н. Вороновскому и А.В. Фёдорову за их блестящее проведение экспериментов под высоким давлением. И особенно благодарен их руководителю, Дижуру Евгению Михайловичу, моему отцу, по недоразумению являющимся соавтором, коллегой и учителем.

Мне очень приятно выразить благодарность сотрудникам и коллегам Института радиотехники и электроники РАН, за ту великолепную рабочую атмосферу, которая сложилась в нашем институре. Искренняя благодарность всему коллективу 18 отдела и ее руководителю, В.Н. Губанкову за доброжелательное отношение и внимание, В. А. Волкову, С.Н. Артёменко, С.В, Зайцеву-Зотову, А.Я. Шульману благодарен за консультации, обсуждения, советы, замечания, интерес, а также за совместное чаепитие.

За неоценимую помощь в решении всевозможных организационных вопросов, связанных с защитой диссертации, не могу не поблагодарить Дьячкову Ольгу Николаевну. Без её помощи процесс растянулся бы на века.

К сожалению, из-за недостатка места не могу поблагодарить всех сотрудников, коллег, друзей из МФТИ, ИФВД, ФИАН, ИРЭ, с кем мне доводилось работать и у кого учиться, но я признателен всем этим людям.

Напоследок, хочу также сказать спасибо всем, кто меня поддерживал и сочувствовал, и конечно. <дарей семье, особенно жене Юттеза ппни= мание и помощь, а также детям за то, что не всегда отвлекали от работы.

Сергей Дижур

Основное содержание диссертационной работы изложено в следующих публикациях

А1. Дижур С.Е., Котельников И.Н. // Туннельная замороженная фотопроводимость в структурах Al/delta-GaAs. Вторая всероссийская молодёжная конференция по физике полупроводников и полупроводниковой опто- и наноэлектронике. Тезисы докладов. Нестор, С.-Петербург, 2000, 48.

А2. И.Н. Котельников, С.Е. Дижур // Туннельная спектроскопия 2D подзон дельта-слоя в режиме замороженной туннельной фотопроводимости. Нанофотоника. Материалы совещания. Нижний Новгород 26-29 марта 2001 г. Институт физики микроструктур РАН. 236-239.

A3, /it И.Н. Котельников, С.Е. Дижур // Межподзонный резонансный полярон в приповерхностном дельта-легированном слое GaAs. Нанофотоника. Материалы совещания. Нижний Новгород 26-29 марта 2001 г. Институт физики микроструктур РАН. 159-162.

А4. I.N. Kotel'nikov, S.E. Dizhur. // Persistent 2D states of 5-layer quantum well and resonant polaron in 5-GaAs/Al structures. Proceedings of 9th International Symposium Nanostructures: Physics and Technology, St. Petersburg, Russia, June 17-22, 2001, 286-289.

A5. И.Н. Котельников, С.Е. Дижур, Ю.В. Федоров, А.В. Гук // Резонансный 20-полярон в приповерхностном дельта-легированном слое GaAs. V Российская конференция по физике полупроводников. 2001,

Нижний Новгород, 10-14 сентября. Тезисы докладов. 2, 308.

А6. Е.М. Дижур, А.Я. Шулъман, И.Н. Котельников, А.Н. Вороновский, С.Е. Дижур

Исследование влияния гидростатического давления до 3 ГПа на высоту барьера Шоттки и зарядовое состояние примеси по туннельным спектрам переходов n-GaAs/Me. V Российская конференция по физике полупроводников. 2001, Нижний Новгород, 10-14 сентября. Тезисы докладов. 1 145.

А7. I.N. Kotel'nikov, S.E. Dizhur // Inter-Particle Effects in High Density 2DEG of Near-Surface Delta-Layer in Tunnel Delta-GaAs/Al Junctions. Abstracts of 3rd International Conference 'Physics of low-dimensional structures - 3' Chernogolovka, Moscow District, Russia, 15-20 october 2001. 89

A8. S.E. Dizhur, I.N. Kotel'nikov

2D-subband spectra variations under persistent tunnelling photoconductivity condition in tunnel delta-GaAs/Al structures. Abstracts of 3rd International Conference 'Physics of low-dimensional structures - 3' Chernogolovka, Moscow District, Russia, 15-20 october 2001. p.90

A9. S.E.Dizhur, I.N.Kotel'nikov, V. A.Kokin, and F. V. Shtrom // 2D-subband spectra variations under persistent tunnelling photoconductivity condition in tunnel delta-GaAs/Al structures. PLDS 11/12, 233-244 (2001).

A10. I.N. Kotel'nikov, S.E. Dizhur, F. V. Shtrom// Many-body lines in tunneling spectra of Al/J-GaAs junctions near resonant polaron threshold. Proceedings of 10th International Symposium Nanostructures: Physics and Technology, St. Petersburg, Russia, June 17-21, 2002, 323-326.

All. S.E. Dizhur, I.N. Kotel'nikov, F.V. Shtrorn // Many-body singularities in tunnelling near resonant intersubband polaron threshold. Abstracts of 15th International Conference on High Magnetic Fields in Semiconductor Physics, Oxford, UK, 5 - 9 August 2002, 97.

A12. Dizhur S.E., Kotel'nikov I.N., ShtromF.V. // Quasi-particle spectrum of

2DEG and many-body singularities in tunnelling at resonant polaron conditions. Proc. of 26th Int. conf. of phys. and Semicond. "Physics of Semiconductors 2002" (Edinburgh, Scotland, UK), Institute of Physics Publishing, Bristol, 2003. Ser.171, P158.

A13. E. M. Dizhur, A. N. Voronovsky, I. N. Kotelnikov, S. E. Dizhur, and M. N. Feiginov // Experimental study of pressure influence on tunnel transport into 2DEG. Phys. Stat. Sol. (b) 235(2), WILEY-VCH Verlag GmbH к Co. KGaA, Weinheim, 531-535 (2003).

A14. I. N. Kotel'nikov, E. M. Dizhur, A. N. Voronovsky, S. E. Dizhur, V. A. Kokin and M. N. Feiginov // Tunneling spectroscopy near-surface delta-layer in GaAs at high pressure Proceedings of the 11th International Symposium "Nanostructures: Physics and Technology", St.Petersburg, Russia, June, 23-28, 2003, 117-118, Ioffe Institute, St.Petersburg, 2003.

A15. /it E.M. Dizhur, A.N. Voronovsky, I.N. Kotel'nikov, S.E. Dizhur, M.N.

Feiginov // Experimental Study of Pressure Influence on Tunnel Transport into 2DEG http://xxx.lanl.gov/abs/cond-mat/0209407

A16. /it И.Н. Котельников, С. E. Дижур, Ф. В. Штром, Н. А. Варванин // Поляронные и пороговые фононные особенности в туннельных спектрах структур на основе GaAs с дельта-легированием. Тезисы докладов 6-ой Российской конференции по физике полупроводников, С.Петербург, Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе, 27-31 октября 2003 г. 347-348.

А17. С. Е. Дижур, И.Н. Котельников, Н.А. Мордовец, В.А.Кокин, Ф. В.

Штром // Туннельная спектроскопия приповерхностного дельта-легирован слоя как метод исследования "замороженных"состояний в GaAs. Тезисы докладов 6-ой Российской конференции по физике полупроводников, С.-Петербург, Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе, 27-31 октября 2003 г. 510-511.

А18. I.N. Kotel'nikov, S.E. Dizhur // Polaron singularities in tunnelling spectra of high density 2D electron system in delta-layer. Proceedings of 12th International Symposium Nanostructures: Physics and Technology, St. Petersburg, Russia, June, 21-25,2004,366-367. Ioffe Institute, St.Petersburg, 2004.

A19. it Е.М.Дижур, А.Н.Вороновский, А.В.Федоров, И.Н.Котельников, С.Е.Диж // Переход приповерхностного <5-слоя туннельной структуры А1 /<5(Si)-GaAs в диэлектрическое состояние под давлением. Письма в ЖЭТФ, 80(6), 489-492 (2004).

E.M. Dizhur, A.N. Voronovsky,A.V. Fedorov, I.N. KoteVnikov, S.E. Dizhur // Tunneling and Lateral Conductance in GaAs delta-Layer Structure at Pressure Induced Transition to Insulating State. Book of abstract 2nd Asian Conference on High Pressure Research (ACHPR-2), November 1-5, 2004, Nara Japan Research Center for Explosion Safety, National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (AIST), Onogawa, Tsukuba-shi, Ibaraki, Japan p. 2.

A20. И. H. Котельников, С. E. Дижур // Рассеяние с участием LO-фононов при туннелировании в двумерную электронную систему дельта-слоя. Письма в ЖЭТФ 81(9), 574-577 (2005).

А21. I. N. KoteVnikov, S. Е. Dizhur, N. A. Mordovets Decrease of tunnelling conductance near LO-phonon emission threshold in Al/delta-GaAs junctions. Proceedings of 13th International Symposium Nanostructures: Physics and Technology, St. Petersburg, Russia, June 20-25, 2005, 171-172.

A22. E.M. Dizhur, A.N. Voronovsky, A.V. Fedorov, I.N. KoteVnikov and S.E. Dizhur // Pressure Induced Transition of 2DEG in £-doped GaAs to Insulating State. Theses of 13th International Symposium Nanostructures: Physics and Technology St Petersburg, Russia, June 20-25, 2005, 409, 2005 Ioffe Institute.

A23. E Dizhur, A Voronovsky, A Fedorov, I KoteVnikov, and S Dizhur // Metal-insulator transition of the 2DEG in Al/<5-Si:GaAs under pressure. Theses of 16th International Conference on Electronic Properties of Two-dimensional Systems, (EP2DS-16), Jul. 10-15, 2005, Albuquerque, New

Mexico, USA, P-C-52

A24. 25 (5) E.M.Дижур, А.Н.Вороновский, А.В Федоров, И.Н.Котельников, С.Е.Дижур // Переход типа металл-диэлектрик в дельта-слое туннельной структуры Al/d(Si)-GaAs под давлением. VII Российская конференция по физике полупроводников "Полупроводники-2005 "Москва, 18-23 сентября 2005 г. (Звенигород, пансионат "Ершово") Тезисы докладов. Москва, Физический институт им. П.Н. Лебедева РАН, 2005, Пн Б 2-Зу с.40

А25. И. Н. Котельников, С. Е. Дижур Пороговые особенности и межподзон-ный полярон в туннельной системе Al/delta-слой GaAs VII Российская конференция по физике полупроводников " Полупроводники-2005"Moci 18-23 сентября 2005 г. (Звенигород, пансионат "Ершово") Тезисы докладов. Москва, Физический институт им. П.Н. Лебедева РАН, 2005, Вт П-15с с.215.

А26. С.Е.Дижур, И.Н.Котельников, М. Е. Фейгинов // Температурная граница эффекта замороженной туннельной фотопроводимости в переходе Al/d-GaAs. VII Российская конференция по физике полупроводников "Полупроводники-2005"Москва, 18-23 сентября 2005 г. (Звенигород, пансионат "Ершово") Тезисы докладов. Москва, Физический институт им. П.Н. Лебедева РАН, 2005, Вт Н-16с с.216.

А27. И.Н. Котельников, С.Е. Дижур, М.Н. Фейгинов, Н.А. Мордовец // Влияние энергии фотонов и температуры на эффект замороженной туннельной фотопроводимости структур Al/delta-GaAs. ФТП 40(7), 839

845 (2006).

А28. С.Е. Дижур, И.Н. Котельников, Е.М. Дижур Отражение электронов при туннелировании и межподзонный полярон в двумерной электронной системе дельта-слоя в GaAs Радиотехника и электроника 4 2006

А29. I.N.Kotel'nikov, E.M.Dizhur, A.N.Voronovskii and S.E.Dizhur Tunnel density of states at the Fermi level in the two-dimensional electron system of the delta-doped layer in GaAs Proceedings of 14th International Symposium Nanostructures: Physics and Technology, St. Petersburg, Russia, June 2006.

A30. E. Dizhur, A. Voronovsky, A. Fedorov, I. Kotel'nikov and S. Dizhur Metal-insulator transition in the 2DEG in Al/<5-Si:GaAs under pressure. Physica E: Low-dimensional Systems and Nanostructures 34(1-2), 628-631 (2006)

Заключение

Список литературы диссертационного исследования кандидат физико-математических наук Дижур, Сергей Евгеньевич, 2006 год

1. Молекулярно-лучевая эпитаксия и гетероструктуры. // Под редакцией Ченга JL, Плога К., перевод с английского под ред. Ж.И. Алферова, Москва, Мир, (1989).

2. А.Я. Шик. // Полупроводниковые структуры с (^-слоями. ФТП 26(7), 1161-1181 (1992).

3. Schubert E.F. 11 Delta Doping of Semiconductors (Cambridge: Cambridge Univ. Press) 616 (1996).

4. WolfE.L. I) Principles of Electron Tunneling Spectroscopy. (Oxford Univ. Press, Oxford) 576 (1985).

5. K. Ploog II Delta-doping in MBE-grown GaAs: concept and device application. Journal of Crystal Growth. 81, 304-313 (1987).

6. Котельников И.Н., КокинВ.А., Медведев Б.К., и др.// ФТП 26(8), 1462 (1992).

7. Schubert E.F., Ploog К. // Japan Journ. Appl. Phys. 24(8), L608-L610 (1985).

8. Koch F., Zrenner A., Ploog К. 11 Int. Conf. of High Magnetic Fields in Semiconductor Physics. Wurzburg. Germany, 18 Aug. 1986, p.308.

9. Zrenner A., Koch F., Ploog K. // Surface Science 196, 671-676 (1988).

10. Zachau M., Koch F., Ploog K., Roentgen P., Beneking H. // Solid State Commun. 59(8), 591-594 (1986).

11. Ye Qiu-yi, Zrenner A., Koch F., Sigg H., Heitmann D., Ploog K. // Surface Science 228, 453-455 (1990).

12. Гуляев Ю.В., Мокеров В.Г., Медведев Б.К., Родионов А.В., Слетев Ю.В., Шмелев С. С. // Труды VII Международной конференции по микроэлектронике Microelectronics'90, Минск, 16-18 октября 1990 г., 261-265.

13. Pilkington S.J., Missons М. // The growth of epitaxial aluminium on As containing compound semiconductors. Journal of Crystal Growth, 196, 1-12 (1999).

14. Котельников И.Н., Кокин,В.А., Федоров Ю.В., Гук А.В., Талбаев Д. Т. /J Межподзонные резонансные поляроны в туннельных переходах Al/5-GaAs Письма в ЖЭТФ 71(9), 564-569 (2000)

15. A.G.de Oliveira, G.M.Ribeiro, D.A.W. Soares, J.A. CorreaF., M.I.N, daSilva, and H.Chacham. // Photoconductivity and n-typeto p-type transition in silicon planar doped GaAs structures with a doped cap layer. J. Appl. Phys 78(4), 2659-2665 (1995).

16. A.Zrenner PhD Thesis. (Munich: Technische Universitat Munchen), (1987).

17. P.M.Koenraad, A.P.J.Vonchen, J.Singleton, F.A.P.Blom, C.J.G.M.Langerak, M.R.Leys, J.A.A.J.Perenboom, S.J.R.M.Spermon, W.C. van Vleuten and J.H. Wolter // Surface Science 228, 538 (1990).

18. S. Arscott, M. Missous, L. Dobaczewski // Observation of persistent photoconductivity in delta-doped GaAs. Semicond. Sci. Technol. 7, 620— 623 (1992).

19. G.Li and C.Jagadish // Effect of illumination on the subband electronic structure of Si 5-doped GaAs. Appl. Phys. Lett., 70, 90-92 (1997).

20. C.Y.Chen and Tineke Thio, K.L. Wang, K.W.Alt and P.C.Shama // Persistent photoconductivity in Si delta-doped GaAs at low doping concentration. Appl. Phys. Lett. 73(22), 3235-3237 (1998).

21. Piotrzkowski R., Litwin-Staszewska E., Bosc F., Sicart J., Robert J.L. // New type of persistent photoconductivity related to DX-center: thestudy of interband PPC in Si-doped AlGaAs. Physica B. 273-274, 792795 (1999).

22. Левинсон И.Б., Рашба Э.И., Пороговые явления и связанные состояния в поляронной проблеме// УФН 111(4), 683 (1973).

23. Т. Андо, А. Фаулер, Ф. Стерн. Электронные свойства двумерных систем. Москва, Мир, (1985).

24. Н. С. Liu, Iva W. Cheung, A. J. SpringThorpe, C. Dharma-wardana, Z. R. Wasilewski, D. J. Lockwood, and G. C. Aers // Intersubband Raman Laser. Appl. Phys. Lett. 78(23), 3580-3582 (2001).

25. ConleyJ. W., Mahan G.D. // Tunneling Spectroscopy in GaAs. Phys. Rev. 161(3), 681-695 (1967).

26. AppelbaumJ.A., BrinkmanW.F. // Interface effects in normal metal tunneling. Phys. Rev. B. 2(4), 907-915 (1970).

27. G.D. Mahan // Many-particle physics. (New York: Kluwer), Ch. 7, Sec.7.3, 2000.

28. P. Guetin and G. Schreder // Tunneling Spectroscopy and Band-Structure Effects in n GaSb under Pressure Phys. Rev. В 6, 3816-3835 (1972).

29. D.C. Tsui // Tunneling study of Holl-TO-phonon interaction in GaAs and GaSb Phys. Rev. В 9(2), 487-494 (1974).

30. A. N. Voronovsky et al, // Theses Of The Conf. On "Advanced Methods of Pressure Treatment"(Bratislava) 1982.

31. P.M.Mooney // Appl. Phys. Lett. 67, R1 (1990).

32. J.S. Blakemore // Semiconducting and other major properties of gallium arsenide. J.Appl.Phys. 53(10), R123-R181 (1982).

33. E.M. Лифшиц Л. П. Питаевский // Теоретическая физика. Том X, Физическая кинетика (М., ФИЗМАТЛИТ, 2002), с. 453.

34. V.A. Kulbachinskii, R.A.Lunin, V.G.Kytin, V.A.Rogozin, P.V.Gurin, B.N. Zvonkov, D.O.Filatov // Persistent photoconductivity in quantum dot layers in InAs/GaAs structures, phys.stat.sol. (c) 0(4), 1297-1300 (2003).

35. O.A. Soltanovich, E.B. Yakimov, V.A. Kagadei and L.M. Romas // Study of depth distribution of metastable hydrogen-related defects in n-type GaAs. Physica B, 308-310, 827-830 (2001).

36. D.J. Chadi // Arsenic-antisite defect in GaAs: Multiplicity of charge and spin states. Phys.Rev. В 68, 193204-193208 (2003).

37. D. K. Maude, J. C. Portal, L. Dmowski, T. Foster, L. Eaves, M. Nathan, M. Heiblum, J. J. Harris, and R. B. Beall // Investigation of the DX center in heavily doped n-GaAs. Phys. Rev. Lett. 59, 815-818 (1987).

38. Дижур E.M., Федоров А.В. // Туннельная спектроскопия на постоянном токе и цифровой метод анализа экспериментальных данных. ПТЭ 4, 38-42 (2005).