Магнитооптический эллипсометрический комплекс для получения и исследования наноструктур в установке молекулярно-лучевой эпитаксии тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 01.04.01, кандидат физико-математических наук Косырев, Николай Николаевич

• Косырев, Николай Николаевич
• кандидат физико-математических наук
• 2008

Оглавление диссертации кандидат физико-математических наук Косырев, Николай Николаевич

ВВЕДЕНИЕ

ОГЛАВЛЕНИЕ

ГЛАВА 1. ЭЛЛИПС ОМЕТРИЯ И МАГНИТООПТИЧЕСКИЙ ЭФФЕКТ КЕРРА: ТЕОРИЯ, МЕТОДЫ, ПРИЛОЖЕНИЯ. ОБЗОР ЛИТЕРАТУРЫ.

§1.1. Основное уравнение эллипсометрии. Прямая и обратная задачи.

§1.2 Поверхностный магнитооптический эффект Керра.

§1.3.Структурные схемы эллипсометров и магнитометров

Постановка задачи

ГЛАВА 2. ЭЛЛИПСОМЕТРИЧЕСКАЯ МЕТОДИКА ИССЛЕДОВАНИЯ НАНОСТРУКТУР

§2.1. Описание экспериментальной установки.

§2.2. Контроль качества подготовки подложек с помощью ex situ спектральной эллипсометрии.

§2.3. Исследование начальных стадий роста пленок Fe и Si на подложках монокристаллического кремния

§2.4. Определения показателя поглощения пленок кремния.

§2.5. Решение обратной задачи эллипсометрии для систем (Fe/Si\ Выводы к главе 2.

ГЛАВА 3. УСТАНОВКА ДЛЯ ИЗМЕРЕНИЯ ПОВЕРХНОСТНОГО

МАГНИТООПТИЧЕСКОГО ЭФФЕКТА КЕРРА.

§ЗЛ. Структурная схема и описание работы.

§3.2. Блок перемагничивания образца.

§3.3. Интерпретация экспериментальных данных.

§3.4. Исследование двухслойных систем Оу(1.х)№х/№.

Выводы к главе 3.

ГЛАВА 4. ПРОГРАМНО - АППАРАТНЫЙ КОМПЛЕКС ДЛЯ УПРАВЛЕНИЯ ПРОЦЕССОМ РОСТА И ИССЛЕДОВАНИЯ НАНОСТРУКТУР В СВЕРХВЫСОКОМ ВАКУУМЕ.

§4.1. Интерпретация эволюции эллипсометрических параметров в реальном времени в процессе роста структур {^е/ 5/)п.

§4.2 Автоматизированная система управления испарителями в установке молекулярно-лучевой эпитаксии.

§4.2.1. Аппаратная часть системы управления испарителями.

§4.2.2. Программная часть системы управления испарителями.

§4.3. Программный эллипсометрический комплекс.

Выводы к главе 4.

РЕЗУЛЬТАТЫ РАБОТЫ И ВЫВОДЫ.

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Магнитооптический эллипсометрический комплекс для получения и исследования наноструктур в установке молекулярно-лучевой эпитаксии»

В настоящее время весьма актуален вопрос исследования свойств поверхностей тонких пленок, которые имеют достаточно большую перспективу использования в устройствах наноэлектроники. Однако, измерение параметров пленок нанометровых толщин имеет свою специфику. В частности, при получении наноструктур в условиях сверхвысокого вакуума, встает проблема контроля их свойств in situ непосредственно в процессе изготовления — исследование таких структур ex situ на воздухе зачастую невозможно, в связи с высокой химической активностью многих материалов, используемых в данной области. Здесь большое преимущество имеют оптические методы, т.к. не оказывают влияния на исследуемый образец и имеют определенную гибкость при использовании in situ непосредственно в сверхвысоковакуумной камере. В частности, известен метод эллипсометрии, основанный на анализе изменения поляризации света при отражении от исследуемого образца. Известен также метод магнитооптического эффекта Керра (МОКЕ). У обоих методов схожи оптические схемы измерений, а по набору измеряемых параметров они взаимно дополняют друг друга. Метод эллипсометрии используется для измерения оптических постоянных преломления и поглощения материала, а также для измерения толщин тонких пленок. Метод МОКЕ применяется для изучения магнитных свойств материала. Оба метода удовлетворяют нас, т.к. являются неразрушающими, не изменяющими свойства материала и обладающие достаточной чувствительностью. В этой связи достаточно привлекательной выглядит идея создания установки, объединяющей в себе метод эллипсометрии и МОКЕ.

Настоящее диссертационное исследование посвящено реализации такой установки, а также разработке методики управления технологическим процессом молекулярно-лучевой эпитаксии через обратную связь эллипсометр — блок управления испарителей. Диссертация состоит из четырех глав.

В первой главе проведен литературный и теоретический обзор методов эллипсометрии и магнитооптического эффекта Керра. Приведены различные схемы реализации эллипсометров и магнитометров

Во второй главе разработана оригинальная методика исследования свойств структур (Fe/Si)n методом эллипсометрии. Исследованы однослойные пленки Fe, Si, а также многослойные структуры Fe/Si

В третьей главе описана установка, позволяющая проводить измерения магнитооптического эффекта Керра in situ, т.е. непосредственно в вакуумной камере во время напыления.

В четвертой главе предложен программно-аппаратный комплекс, позволяющий получать структуры с заданными свойствами. Управление основано на корректировке технологических режимов в реальном времени по эллипсометрическим измерениям получаемых пленок.

Заключение диссертации по теме «Приборы и методы экспериментальной физики», Косырев, Николай Николаевич

РЕЗУЛЬТАТЫ РАБОТЫ И ВЫВОДЫ

1. На базе лазерного эллипсометра ЛЭФ-757 создана новая установка, позволяющая кроме традиционных эллипсометрических углов \|/ и А также измерять in situ поверхностный магнитооптический эффект Керра. Таким образом, реализована возможность полной оптической и магнитооптической характеризации образца непосредственно в вакуумной камере в процессе напыления.

2. Разработан новый блок управления нагревом в установке молекулярно - лучевой эпитаксии «Ангара», позволяющий проводить нагрев испарителей, а также подложек по заданному закону и поддерживать температуру на заданном уровне.

3. Разработано оригинальное программное обеспечение, позволяющее управлять процессом роста наноструктур в установке молекулярно-лучевой эпитаксии. Алгоритмы основаны на решении обратной задачи эллипсометрии в реальном времени. Программа анализирует эволюцию эллипсометрических углов \j/ и А, вычисляет оптические параметры структуры, скорость роста и передает управляющие команды в блок управления испарителями.

4. Предложена новая эллипсометрическая методика исследования наноструктур (Fe/Si)n. Впервые осуществлено in situ измерение толщин слоев Fe и Si при росте наноструктур Fe/Si. Выявлен островковый рост Fe и Si на подложке Si и определен радиус островка

5. В качестве апробации нового комплекса методом термического испарения в вакууме были получены наноструктуры (Fe/Si)n с п=1-г-5, однослойные пленки Fe, Ni, Dy с толщинами 0,5-^50 nm, а также пленки сплава Dy(iX)Nix. Показано, что при толщине Fe 0,5 nm, что соответствует двум атомным слоям, имеется ферромагнитное упорядочение при Т=300 К. Пленки 0у(1х)№х впервые исследованы непосредственно в сверхвысоковакуумной камере в процессе напыления с помощью поверхностного меридионального эффекта Керра. Было показано возникновение ферромагнитного упорядочения в пленках Ву(1х)№х/№ при х > 0.05, при комнатной температуре.

Автор выражает глубокую признательность и благодарность своему научному руководителю, доктору физико-математических наук, профессору Овчинникову Сергею Геннадьевичу за предложенную тему, внимание, поддержку и помощь в работе. За помощь в проведении эксперимента выражаю признательность Худякову Алексею Евгеньевичу, Варнакову Сергею Николаевичу и Заблуде Владимиру Николаевичу. Особую благодарность выражаю Швецу Василию Александровичу за ценные методические указания и консультации. За помощь в интерпретации магнитооптических измерений выражаю благодарность Эдельман Ирине Самсоновне. Благодарю за помощь всех сотрудников лаборатории ФМЯ Института физики СО РАН и лаборатории эллипсометрии Института физики полупроводников СО РАН.

Работа выполнена в рамках программ ОФН 2.4.2 «Спинтроника», комплексного интеграционного проекта СО РАН № 3.5, а также гранта РФФИ 07-03-00320.

Список литературы диссертационного исследования кандидат физико-математических наук Косырев, Николай Николаевич, 2008 год

1. Ржанов А.В., Свиташев К.К. Основы эллипсометрии. Новосибирск: Наука, 1979. - 423 с.

2. Ландау Л.Д., Лифшиц Е.М. Электродинамика сплошных сред. М.: Физматгиз, 1982. - 621 с.

3. Fujiwara Н. Spectroscopic Ellipsometry. Principles and Application. -Wiley, 2007. 369 p.

4. Аззам P., Башара H. Эллипсометрия и поляризованный свет. М.: Мир, 1981.-583 с.

5. Швец В.А., Рыхлицкий С.В. Метод эллипсометрии в науке и технике // Автометрия. 1997. -№1. - С. 5-21.

6. Aspnes D.E., Studna А.А. Dielectric functions and optical parameters of Si, Ge, GaP, GaAs, GaSb, InP, InAs, and InSb from 1.5 to 6.0 eV // Phys. Rev. B. 1983. - V. 27. - № 2. - P. 985-1010.

7. Vina L., Cardona M. Optical properties of ultraheavily doped germanium: Theory and experiment // Phys. Rev. B. — 1986. — V. 34. № 4. -P.2586-2598.

8. Vina L., Cardona M. Effect of heavy doping on the optical properties and the band structure of silicon // Phys. Rev. B. 1984. - V. 29. - №12. - P. 6739-6751.

9. De Sande J.C.G., Afonso C.N., Escudero J.L. et al. Optical properties of laser-deposited a-Ge films: a comparison with sputtered and e-beam-deposited films // Appl. Opt. 1992. - V. 31. - №28. - P. 6133- 6138.

10. Aspnes D.E., Studna A.A., Kinsborn E. Dielectric properties of heavily doped crystalline and amorphous silicon from 1.5 to 6.0 eV // Phys. Rev. B. 1984. - V. 29. - № 2. - P. 768-780.

11. Suto K., Adachi S. Optical properties of ZnTe // J. Appl. Phys. 1993. - V. 73,-№2.-P. 926-931.

12. Aspnes D.E., Kelso S.M., Logan R. A. Bhat R. Optical properties of

13. AlxGaixAs // J. Appl. Phys. 1986. - V. 60. - №2. - P. 754-767.

14. Vina L., Umbach C., Cardona M., Vodopyanov L. Ellipsometric studies of electronic interband transition in CdxHgixTe // Phys. Rev. B. 1984. — V. 29. -№12. - P. 6752-6760.

15. Arvin H., Aspnes D.E. Nondestructive analysis of CdxHgixTe (x=0.00, 0.20, 0.29, and 1.00) by spectroscopic ellipsometry // J. Vac. Sei. Technol. A. 1984. -V. 2. -№ 3. -P.1316.

16. Burkhard H., Dinges H. W., Kuphal E. Optical properties of In(.xGaxPi. yAsy, InP,GaAs, and GaP determined by ellipsometry // J. Appl. Phys. -1982.-V. 53.-P. 655-662.

17. Biswas D., Lee H., Salvador A. et. al. Characterization of InxGaixP/GaAs grown by gas source molecular-beam epitaxy (0.35 < x < 0.60) by spectroscopic ellipsometry // J. Vac.Sei. Technol B. 1992. - V. 10. - № 2. -P. 962.

18. Meyer F., Bootsma G. A. Ellipsometric investigation of chemisorption of clean silicon (111) and (100) surfaces // Surf. Sei. 1969. - V.16. - P. 221-233.

19. Aliev. V.S., Kruchinin V. N., Baklanov M. R. Adsorption of molecular fluorine on the Si (100) surface: an ellipsometric study // Surf. Sei. 1996. — V. 347.-P. 97-104.

20. Kruchinin V. N., Repinsky S.M., Shklyaev A.A. Monosilane adsorption and initial growth stages of silicon layers on the (100) and oxidized silicon surfaces // Surf. Sei. 1992. - V.275. - P. 433-442.

21. Almeida L.A., Johnson J.N., Benson J.D. et al. Automated compositional control of HgixCdxTe during MBE using in situ spectroscopic ellipsometry // J. of Electronic Materials. V.27. - № 6. - P. 500-503.

22. Butler S.W., Stefani J., Sullivan m. et al. Intelligent model-based control system employing in situ ellipsometry // J. Vac. Sei. Technol. A. 1994. V. 12.- №4.-P. 1984.

23. Duncan W.M., Henck S.A., Kuehne J. W. et al. High-speed spectral ellipsometry for in situ diagnostics and process control // J. Vac. Sei. Technol B. 1994. - V. 12. - № 4. - P. 2779

24. Aspnes D.E. New developments in spectroellipsometry: the challenge of surface // Thin. Sol. Films. 1993. - V. 233. - P. 1-8.

25. Kircher J., Gopalan S., Cardona M. Optical properties of the Y-Ba cuprates: mainly a band structure point of view // Spectroscopic Ellipsometry: Proc. Of the 1st Int. Conf. Paris, France, Jan. 11-14, 1993. - P. 522.

26. Kircher J., Cardona M., Zibold A. et al. Optical investigation of room-temperature chain ordering in YBa2Cu307// Phys. Rev. B. 1993. - V. 48. -№ 13.- P. 9684-9688.

27. Brink D.J., Lee M. E. Ellipsometry of diffractive insect reflectors // Appl. Opt. 1996. - V. 35. - № 12. - P. 1950-1955.

28. Moog E.R., Bader S.D., Montano P.A. et al. Search for ferromagnetism in ultrathin epitaxial films: Cr/Au(100), Cr/Cu(100), and Fe/Cu(100) // Superlattices and Microstructures. 1987. - V. 3. - № 4. - P. 435-443.

29. Bader S.D. Surface magneto-optic Kerr effect // Journal of Magnetism and Magnetic Materials. 1991. - V.100. - P. 440-454.

30. Zak J., Moog E.R., Liu C., Bader S.D. Kerr effects // Journal of Magnetism and Magnetic Materials 1990. - V.89. - P. 107-128.

31. Zak J., Moog E.R., Liu C., Bader S.D. Kerr rotation and ellipticity for Sand P-polarized light. // Phys. Rev. Lett. 1990. - V.43. - P. 6423-6450.

32. Zak J., Moog E.R., Liu C., Bader S.D. Kerr effects // Journal of Magnetism and Magnetic Materials 1990. - V.88. - P. 261-290.

33. Соколов А. В. Оптические свойства металлов. M: Физматгиз, 1961. — 464 с.

34. Bader S.D. Qiu Z.Q. Surface magneto-optic Kerr effect (SMOKE) // Journal of Magnetism and Magnetic Materials. 1999. - V.200. - P. 664-678.

35. Falicov L.M., Pierce D.T., Bader S.D., Gronsky R. SMOKE system. //

36. Mater. Res. 1990. - V5. - P. 1299-1306.

37. Bader S.D. SMOKE experiment. Experimental approaches // Proc. IEEE. -1990.-V.78.- P. 909-912.

38. Ballentine C.A., Fink R.L., Araya-Pochet J. Erskine J.L. Vacuum magnet // Apple. Phys. 1989. - V.49. -P.677-685.

39. Qian J.P., Wang G.C. Magnetic materials // Journal of Vacuum Sci. Technology. 1990. - V.8. - P.27-40.

40. Edelman I.S., Kim P.D., Turpanov I.A., Morozova T.P., Betenkova A.Ja., Zabluda V.N., Bondarenko G.M. Kerr rotation and magnetic circular dichroism in Co/Si02 multilayers. 11 J. Magn. Mater. 1996. - V 109. - P. 1.

41. Montano P.A., Fernando G.W., Cooper B.R. et al. Ferromagnetic and nonmagnetic phase of Fe on Cu. // Phys. Rev. Lett. 1988. - V.59. -P.l 041-1050.

42. Liu C., Moog E.R., Bader S.D. Magneto-optical properties of Fe films // Phys. Rev. Lett. 1988. - V.60. - P. 2422-2436.

43. Liu C., Bader S.D. The growth of Fe on Pd(100) // J. Appl. Phys. 1990. -V.67.-P. 57-58.

44. Liu C., Bader S.D. The growth of Fe on Ru(0001) // Phys. Rev. Lett. 1990. -V.41.-P. 553.

45. United States Patent № 5311285, Measuring method for ellipsometric parameter and ellipsometer / Oshige Т., Yamada Т., Kazama A.; published 10.05.1994.

46. Пат. 2302623 Российская Федерация, Эллипсометр / Спесивцев Е.В., Рыхлицкий С.В., Швец В.А.; опубл. 10.07.2007, Бюл. № 19.

47. Krafft C.S., R.M. Josephs and D.S. Crompton. Magneto-optical Kerr effect hysteresis loop measurements on particulate recording media // IEEE Transaction on Magnetics. 1986. - V. MAG-22. - N. 5. - p. 662-664.

48. United States Patent № 4922200, Apparatus for measuring hysteresis loop of magnetic film / Jackson L.D., Hills В., Moms D., Nagi T.J.; published0105.1990

49. United States Patent № № 4816761, Apparatus for measuring the hysteresis loop of hard magnetic films on large magnetic recording disk / Josephs R.M.; published 28.03.1989

50. Wrona J., Stobiecki Т., Rak R., et al. Kerr magnetometer based on a differential amplifier // Phys. stat. sol. (a). 2003. - V. 196. - №1. - P. 161-164.

51. Молекулярно-лучевая эпитаксия и гетероструктуры.: Пер. с англ./ Под ред. JL Ченга, К Плога,- М: Мир, 1989 584 с.

52. Драгунов В.П., Неизвестный И.Г., Гридчин В.А. Основы наноэлектроники. Новосибирск, 2000. - 331с.

53. Патрин Г.С., Волков Н.В., Кононов В.П. Влияние оптического излучения на магнитный резонанс в трехслойных пленках Fe/Si/Fe // Письма в ЖЭТФ.- 1998.-Т. 68.-№4,- С. 287-291.

54. Техническое описание и инструкция по экслплуатации быстродействующего лазерного эллипсометра ЛЭФ-751М. -Новосибирск, 2002. 50 с.

55. Техническое описание и инструкция по эксплуатации установки «Ангара». Новосибирск, 1986. - 72 с.

56. Shvets V.A, Chikichev S.I., Pridachin D.N. et al. Ellipsometric study of tellurium molecular beam interaction with dehydrogenated vicinal silicon surfaces // Thin solid Films. 1998.-V. 313-314.-P.561-564.

57. Волков H.B., Патрин Г.С., Петраковский Г.А. и др. Магнитосопротивление туннельного типа в структуре

58. E11O0.7PbO0.3MnO:, (монокристалл)/Те (пленка) // Письма в ЖТФ. 2003. - Т.29. - № 5. С.54-60.

59. Елисеева Е. Г., Кононов В. П., Попел В. М., Тепляков У. И., Худяков А. Е. Модернизация установки молекулярно-лучевой эпитаксии "Ангара" для получения пленок и структур магнитных материалов // ПТЭ. — 1997.-№2.- С. 141.

60. Ishizaka A., Shiraki Y. Low temperature surface cleaning of silicon and its application to silicon MBE // J. Electrochem. Soc.: Electrochemical science and technology. 1986. - V. 133. - № 4. - P. 666-671.

61. Фельдман JI., Майер Д. Основы анализа поверхности и тонких пленок. -М: Мир, 1989.-344 с.60.http://isp.nsc.ru

62. Aspnes D.E., J.B. Theeten, F. Hottier. Investigation of effective-medium models of microscopic surface roughness by spectroscopic ellipsometry // Phys. Rev. B. 1979. - V. 20. - № 8. - P. 3292-3304.

63. D.E. Aspnes. Microstructural information from optical properties in semiconductor technology // SPIE. 1981. - Optical Characterization Techniques for Semiconductor Technology. - Vol. 276.

64. Бондаренко Г.В. Рентгеноспектральный флуоресцентный анализ пленок, слоев и покрытий. Препринт ИФСО-16Ф. - Красноярск, 1974. -40 с.

65. Установка молекулярно-лучевой эпитаксии «Ангара». Новосибирск, ИФП С ОРАН, 1986.

66. Варнаков С.Н., Лепешев А.А., Овчинников С. Г. и др. Автоматизация технологического оборудования для получения многослойных структур в сверхвысоком вакууме // ПТЭ. — 2004. — №6. С. 125.

67. Клюев А.С. Автоматическое регулирование. М.: Высшая школа, 1986. -351 с.

68. Варнаков С.Н., Паршин А.С, Овчинников С.Г. и др. Структурные и магнитные характеристики однослойных и многослойных пленок Fe/Si,98полученных термическим испарением в сверхвысоком вакууме // Письма в ЖТФ. 2005. - Т. 31. - №22. - С. 1-8.

69. Мэтьюз Дж. Г., Финк К. Д. Численные методы. Использование Matlab. -М.: Вильяме, 2001.-713 с.

70. Литюга А. М., Клиначёв Н. В., Мазуров. В. М. Теоретические основы построения эффективных АСУ ТП // http://model.exponenta.ru/autoreg.ziphttp://model.exponenta.ru/auto reg.html

71. Корниенко Д.Г. Измерители-регуляторы температуры.http ://icm-tec .сот/

72. Ким Д.П. Теория автоматического управления. М: Физматлит, 2003.- 288 с.

73. Филлипс Ч. Харбор Р. Системы управления с обратной связью. -М.: Лаборатория базовых знаний, 2001. 616 с.

74. Бесекерский В.А. Попов Е.П. Теория систем автоматического управления. — СПб: Профессия, 2003. — 752 с.

75. Варнаков С.Н., Bartolomé J., Sesé J. и др. Размерные эффекты и намагниченность многослойных пленочных наноструктур (Fe/Si)n // ФТТ. 2007. - Т. 49. -№.8,- С.1401.

76. Швец В.А., Спесивцев Е.В., Рыхлицкий С.В. Анализ статической схемы эллипсометрических измерений // Оптика и спектр. 2004. -Т.97. - №3.-С. 514-525.

77. Ридико Л. И. Контроллер шагового двигателя. http://radiotech.by.ru/Shematic PCB/Avtomatika/step motor.htm

78. Choi B.-Ch., Folsch S., Farle M. et al. Correlation of the magnetic properties with structure and morphology in ultrathin Fe films grown on Cu(311)// Phys. Rev. B. 1997. - V. 56. -№ 6. -P. 3271.

79. Варнаков C.H., Паршин A.C., Овчинников С.Г. и др. Структурные и магнитные характеристики однослойных и многослойных пленок

80. Варнаков С.Н., Косырев H.H. Система управления испарителями в установке молекулярно-лучевой эпитаксии «Ангара» // Сборник тезисов десятой всероссийской научной конфер. студентов-физиков и молодых ученых «ВНКСФ-10». Москва, 2004. - С. 1036.

81. Варнаков С.Н., Косырев H.H. Получение однослойных и многослойных пленочных структур Fe и Si в сверхвысоком вакууме // Тез. докл. VII Всерос. науч. конф. «Решетневские чтения». Красноярск, 2003. - С 114-115.

82. Косырев H.H., Варнаков С.Н. Метод эллипсометрии в технологии получения тонких пленок Fe и Si // Сборник тезисов девятой всероссийской научной конфер. студентов-физиков и молодых ученых. «ВНКСФ-9». Красноярск, 2003. - С. 590-591.

83. Варнаков С.Н., Косырев Н.Н. Исследование процесса роста тонких слоев кремния in situ методом эллипсометрии // Труды межвузовской научной конференция «Молодежь и наука — третье тысячелетие». — Красноярск, 2003. С. 317.

84. Косырев Н.Н., Варнаков С.Н. Исследование тонких пленок Fe методом эллипсометрии // Сборник тезисов десятой всероссийской научной конфер. Студентов-Физиков и молодых ученых «ВНКСФ-10». -Москва, 2004. С. 191-192

85. Косырев H.H., Варнаков C.H., Овчинников С.Г., Худяков А.Е. Автоматизированная система управления испарителями в установке молекулярно-лучевой эпитаксии // Материалы всероссийского совещания «Кремний 2006». — Красноярск, 2006. — С. 112

86. Kosyrev N.N., Kolechin V.A., Zabluda V.N., Hudyakov A.E., Edelman I.S. and Ovchinnikov S.G. In situ SMOKE Measurements in ultrahigh vacuum by ellipsometry // Euro-Asian symposium "Magnetism on a nanoscale". -Kazan, 2007.-P. 264

87. Косырев Н.Н., Овчинников С.Г. Ферромагнетизм при комнатной температуре в двухслойной структуре Dy(i.X)Nix/Ni : магнитооптические измерения in situ // Письма в ЖЭТФ. 2008. - Т. 88. - №2. - С. 152-154.

88. Варнаков С.Н., Комогорцев С.В., Bartolome J., Sese S., Овчинников С.Г., Паршин А.С., Косырев Н.Н. Изменение намагниченности мультислойных наноструктур Fe/Si в процессе синтеза и постростового нагрева // ФММ. 2008. - Т. 106. - № 1. - С. 54-58

89. Edelman I., Ovchinnikov S., Markov V., Kosyrev N., Seredkin V.,. Khudjakov A, Bondarenko G., Kesler V. Room-temperature ferromagnetism in Dy films doped with Ni // Physica B. 2008. - V. 403. - №18. - P. 3295-3301.