Люминесценция пористого кремния с примесями редкоземельных элементов тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 01.04.10, кандидат физико-математических наук Карзанова, Мария Вадимовна

• Карзанова, Мария Вадимовна
• кандидат физико-математических наук
• 2013

Оглавление диссертации кандидат физико-математических наук Карзанова, Мария Вадимовна

ВВЕДЕНИЕ.

Глава1. ФОТОЛЮМИНЕСЦЕНЦИЯ ЭРБИЯ В КРЕМНИЕВЫХ НАНОСТРУКТУРАХ

1.1 Фотолюминесценция эрбия в структурах с нанокристаллами кремния и в пористом кремнии.

1.1.1 Фотолюминесценция эрбия в кремниевых нанокристаллах.

1.1.2 Фотолюминесценция эрбия в монокристаллическом кремнии.

1.1.3 Фотолюминесценция эрбия в пористом кремнии.

1.2 Фотолюминесценция, ЭПР и транспорт тока в пористом кремнии.

1.2.1 Фотолюминесценция в пористом кремнии.

1.2.2 Модели ФЛ пористого кремния.

1.2.3 Рь-центры в пористом кремнии.

1.3 Выводы, постановка задачи.

Глава 2. ТЕХНОЛОГИЯ ИЗГОТОВЛЕНИЯ И МЕТОДЫ ИССЛЕДОВАНИЯ СЛОЁВ ПОРИСТОГО КРЕМНИЯ, ПРОПИТАННОГО ВОЛЬФРАМ-ТЕЛЛУРИТНЫМ СТЕКЛОМ С ПРИМЕСЯМИ РЕДКОЗЕМЕЛЬНЫХ ЭЛЕМЕНТОВ

2.1. Изготовление образцов.

2.1.1. Приготовление слоев пористого кремния.

2.1.2. Получение плёнок вольфрам-теллуритного стекла методом ВЧ-магнетронного распыления.

2.1.3. Приготовление слоев пористого кремния, пропитанного вольфрам-теллуритным стеклом с примесями РЗЭ.

2.1.4. Окислительный отжиг пористого кремния.

2.2. Измерение электрических свойств, ЭПР и ФЛ пористого кремния пропитанного ВТС с примесями РЗМ.

2.2.1. Измерение ВАХ диодных структур с прослойкой ПКУВТС:РЗМ.

2.2.2. Измерение ЭПР исследуемых структур.

2.2.3. Измерение оптических и люминесцентных параметров исследуемых структур.

Глава 3. ФОТОЛЮМИНЕСЦЕНЦИЯ ПОРИСТОГО КРЕМНИЯ, ПРОПИТАННОГО ВОЛЬФРАМ-ТЕЛЛУРИТНЫМ СТЕКЛОМ С ПРИМЕСЯМИ РЕДКОЗЕМЕЛЬНЫХ ЭЛЕМЕНТОВ

3.1. Свойства пористого кремния, пропитанного вольфрам-теллуритным стеклом с примесями редкоземельных элементов.

3.1.1. Введение.

3.1.2. Технология вплавления ВТС в пористый кремний и детали измерения ФЛ, ЭПР, транспортных свойств и рентгеноспектрального анализа.

3.1.3. Рентгеноспектральный анализ элементного состава плёнки ВТС на пористом кремнии.

3.1.4 Транспортные свойства ПК/ВТС.

3.\.5 ЭПР ПК/ВТС.

3.1.6 ФЛ слоев ПК/ВТС.

3.2. Оптимизация состава вольфрам-теллуритного стекла по его фотолюминесцентным характеристикам.

3.2.1. Методы многофакторного эксперимента.

3.2.2. Полный факторный эксперимент.

3.2.3. Метод крутого восхождения по поверхности отклика.

3.2.4. Ортогональное планирование второго порядка.

3.2.5 Постановка и результаты экспериметов.

3.3. Влияние предварительного окислительного отжига на фотолюминесценцию пористого кремния, пропитанного вольфрам-теллуритным стеклом с примесями редкоземельных элементов.

3.3.1. Введение.

3.3.2. Технология окисления и формирования слоев ПК/ВТС, методы измерений их свойств.

3.3.3 Результаты влияния предварительного окислительного отжига на поперечный транспорт, ЭПР и ФЛ.

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Люминесценция пористого кремния с примесями редкоземельных элементов»

4.1.2. Методика введения РЗЭ в слои ПК, легированного ионами фосфора.90

4.1.3. Влияние ионного легирования фосфором на фотолюминесценцию окисленного пористого кремния с эрбием.91

4.2. Исследование влияния облучения ионами Аг+, и Р+ на люминесцентные свойства пористого кремния, пропитанного вольфрам-теллуритным стеклом с примесями Ег и УЬ.98

4.2.1.Введени е.98

4.2.2. Технология изготовления образцов.98

4.2.3. Влияние облучения ионами инертных элементов Аг+, Ые+.102

I +

4.2.4. Влияние облучения электрически активным элементом Р .106 I

4.2.5. Обсуждение и анализ результатов.108

4.3. Заключение к главе 4.119

ЗАКЛЮЧЕНИЕ.120

Список использованной литературы.122

Публикации по теме диссертации.130

Введение

Актуальность работы

Волоконно-оптическая связь находит всё более широкое применение для передачи сигналов. Вместе с тем важной является проблема совместимости оптоэлектроники с современной технологией кремниевой твердотельной электроники. В этой связи перспективным является исследование люминесценции ионов эрбия Ег3+ в I кристаллическом, аморфном и пористом кремнии. Это вызвано потребностью в создании кремниевых светодиодов, оптических усилителей и лазеров, эффективно излучающих в районе длин волн около 1.5 мкм в интервале максимума пропускания волоконных линий связи. К настоящему времени детально изучены свойства кремния, легированного эрбием либо непосредственно в процессе эпитаксиального роста [1,2], либо с использованием методов ионной имплантации и диффузии [3]. Для повышения эффективности излучательной способности эрбия в кремнии было также предложено использовать пористый кремний, который представляет собой систему кремниевых нанокристаллов вкрапленных в матрицу ЭЮг [4]. Квантово-размерные эффекты приводят к такой перестройке электронных состояний, которая позволяют преодолеть непрямозонность монокристаллического кремния, препятствующую созданию кремниевых I светоизлучателей для оптоэлектронных устройств. Есть работы, где эрбий вводился в пористый кремний ионной имплантацией, электрохимическим способом, золь-гель методом и пропиткой в растворе солей редкоземельных элементов. При этом предполагалось повышение эффективности излучения Ег за счёт сенсибилизации нанокристаллами кремния. Однако к началу выполнения настоящей работы квантовый выход фотолюминесценции в таких структурах был невелик. Данная экспериментальная работа посвящена разработке нового более эффективного композиционного материала, в котором планировалось объединение полезных свойств одного из самых эффективных матричных материалов для люминесценции ионов Ег3+ - вольфрам-теллуритного стекла (ВТС), легированного иттербием и эрбием, и пористого кремния за счёт дополнительных каналов передачи внешнего возбуждения по схемам: пс81->Ег3+, пс81 —>УЬ3+—>Ег3+. Исследовались тонкоплёночные структуры, представляющих собой слои ПК с вплавленным в них ВТС с примесями иттербия и эрбия.

Цель работы и задачи исследования

Целью настоящей работы является исследование возможностей сочетания полезных свойств одного из самых эффективных матричных материалов для ионов Ег3+ - вольфрам-теллуритного стекла и пористого кремния в тонкоплёночных структурах за счёт многоканальной передачи энергии внешнего возбуждения к ионам эрбия через нанокристаллы кремния и ионы иттербия в пористом кремнии. Для достижения поставленной цели потребовалось решение следующих задач.

1. Анализ литературных данных и данных предварительных экспериментальных | исследований фотолюминесценции эрбия в пористом кремнии и в структурах с нанокристалами кремния.

2. Исследование фотолюминесцентных и электрофизических свойств структур на основе слоёв пористого кремния, пропитанного ВТС, влияние степени окисления пористого кремния, а также оптимизация состава ВТС для усиления ФЛ таких структур.

I 3. Выяснение влияние ионной имплантации электрически активных и инертных элементов на свойства пористого кремния с примесями редкоземельных элементов.

В ходе выполнения работы применялся комплекс современных экспериментальных методов: высокочастотное магнетронное распыление, электронный парамагнитный резонанс (ЭПР), фотолюминесцентная спектроскопия, поперечный транспорт тока, эллипсометрия, высокоразрешающая электронная микроскопия и элементный анализ, рентгеновская дифракция.

Научная новизна работы

1. Впервые была применена методика введения редкоземельных элементов эрбия и иттербия в пористый кремний ВЧ-магнетронным напылением плёнок вольфрам-теллуритного стекла на слои ПК с последующими отжигами.

2. Применительно к вольфрам-теллуритным стёклам, легированным РЗЭ, впервые ' была использована методика многофакторного анализа при определении оптимального состава для достижения максимума ФЛ на длинах волн в районе 1.54 мкм.

3. Впервые были исследованы электрофизические и фотолюминесцентные свойства структур ПК с вплавленным в него ВТС с примесями РЗЭ в зависимости от степени окисления ПК или облучения ионами электрически активных и инертных I компонентов.

4. В ионно-легированных фосфором образцах ПК обнаружена широкая сравнительно интенсивная полоса ФЛ, захватывающая актуальный для волоконной оптики диапазон длин волн 1,45-1,65 мкм, и не связанная с присутствием эрбия.

Практическая значимость

1. Показана возможность создания структур на основе пористого кремния, имеющих эффективную фотолюминесценцию на актуальной для волоконной оптики длине волны 1.54 мкм путём вплавления в пористый кремний вольфрам-теллуритного стекла с примесями эрбия и иттербия.

2. Показано существенное влияние на фотолюминесцентные свойства структур предварительного окисления пористого кремния, а также облучение ионами , инертных (Аг , Ne ) и электрически активных (Р ) элементов. Определены оптимальные режимы таких обработок для максимального усиления ФЛ.

3. Установлена возможность формирования интенсивной ФЛ в актуальном для волоконной оптики диапазоне длин волн 1,45-1,65 мкм, не связанной с присутствием эрбия.

Положения, выносимые на защиту

1. Вплавление ВТС в ПК не приводит к исчезновению в нём наночастиц кремния. При этом подавляется безызлучательная рекомбинация на известных Рь-центрах, сохраняется дискретное туннелирование электронов сквозь ne-Si. Подавление безызлучательной рекомбинации и улучшение люминесцентных характеристик структур nK/BTC:(Yb,Er) связано с тем, что вплавление ВТС снимает механические напряжения в ПК на границе раздела Si/SiCh и уменьшает количество Рь-центров.

2. Вплавление ВТС, активированного РЗЭ Ег и Yb, в окисленный ПК является эффективным способом усиления ФЛ ионов Ег3+в районе 1,5 мкм. Присутствие наночастиц кремния в пропитанном ВТС слое ПК на кремнии позволяет на порядок и более увеличить интенсивность ФЛ эрбия и иттербия по сравнению с объёмным ВТС с теми же примесями РЗЭ. Температура предварительного окислительного отжига 700°С является оптимальной для достижения максимума такой ФЛ.

3. Существует оптимальный уровень ионно-лучевого легирования фосфором ПК для усиления его люминесценции в области актуального для волоконной оптики диапазона длин волн 1,45-1,65 мкм, и не связанной с присутствием эрбия При

13 2 дозах фосфора более 5 10 см" происходит снижение интенсивности ФЛ в указанном диапазоне.

I 4. Увеличение до 5 раз интенсивности ФЛ эрбия на длине волны 1,54 мкм в результате облучения структур ПК/ВТС:(УЬ,Ег) ионами Р+ и Аг+ связано с ионным I перемешиванием, в результате которого более значительная доля ионов Ег3+ оказывается близко расположенной к границам нанокристаллов кремния в ПК, и улучшаются условия передачи энергии от возбужденных светом этих нанокристаллов к ионам Ег3+.

Личный вклад автора:

Автор самостоятельно осуществляла изготовление структур пористого кремния, вместе с к.ф.-м.н. Ю.И. Чигиринским проводила оптимизацию состава вольфрам-теллуритного стекла методами многофакторного анализа, осуществляла ВЧ магнетронное напыление пленок на основе этого стекла на кремний и пористый кремний, самостоятельно проводила измерения спектров фотолюминесценции, вместе с Е.А. Европейцевым - электротранспортных свойств слоев и спектров ЭПР пористого кремния после различных обработок, совместно с научным руководителем выполняла теоретические оценки и расчёты, подготовку графических материалов и написание статей по результатам исследований, лично докладывала часть результатов на научных конференциях.

Достоверность научных результатов

Достоверность полученных результатов и обоснованность научных положений и выводов, сформулированных в диссертации, обеспечиваются использованием современного научного оборудования, комплекса хорошо апробированных физических методов исследования, корректных теоретических представлений при анализе и интерпретации экспериментальных результатов.

Апробация работы

Основные результаты работы обсуждались и докладывались на конференциях: 15-я и 16-я Нижегородская сессия молодых учёных ( г.Нижний Новгород 2010, 2011 гг), 16-я Всероссийская конференция студентов физиков и молодых учёных (г. Волгоград, 2010г.). 9-я и 10-я Всероссийская конференция с элементами молодёжной научной школы: " Материалы нано-, микро-, оптоэлектроники и волоконной оптики" (г. Саранск, 2010, 2011гг.), XI и XIII Всероссийская молодёжная школа- семинар по проблемам физики конденсированного состояния вещества (г. Екатеринбург, 2010, 2012 гг.), ХУ-й и XVI международный симпозиум "'Нанофизика и наноэлектроника" (Н. Новгород, ИФМ РАН t

2011 и 2012 гг.), 17-я Всероссийская конференция студентов физиков и молодых учёных, (г. Екатеринбург, 2011г ), XLIX Международная научная студенческая конференция "Студент и научно-технический прогресс", (Новосибирск, 2011г.), XIV Всероссийская конференция и VI Школа молодых учёных " Высокочистые вещества и материалы. Получение, анализ, применение." (Нижний Новгород ИХВВ 2011г.) , VIII и IX Международная конференция и VII и VIII Школа молодых ученых и специалистов «КРЕМНИЙ 2011» (Москва, НИТУ «МИСиС» 2011), XIII Международная конференция "Опто-, наноэлектроника, нанотехнологии и микросистемы" (Ульяновск 2011 г), V

Всероссийская школа семинар студентов, аспирантов и молодых учёных i

Нанодиагностика - 2012" (г. Рязань, 2012г.). i

Публикации

По материалам работы опубликовано три статьи в научных журналах из списка ВАК и 16 публикаций в материалах конференций.

Диссертационная работа выполнялась при поддержке Министерства образования и науки Российской Федерации в рамках ФЦП «Научные и научно-педагогические кадры инновационной России» и при поддержке РФФИ (гранты №№ 08-02-97044р, 11-02-00855а).

ГЛАВ Al. ФОТОЛЮМИНЕСЦЕНЦИЯ ЭРБИЯ В КРЕМНИЕВЫХ ! НАНОСТРУКТУРАХ

Заключение диссертации по теме «Физика полупроводников», Карзанова, Мария Вадимовна

ЗАКЛЮЧЕНИЕ На основании проведенных исследовании можно сделать выводы i i t

I 1 Данные ЭПР и поперечного транспорта тока показали, что вплавление ВТС не приводиТ| к исчезновению в нем наночастиц кремния При вплавлении ВТС в ПК подавляются Рь - центры безызлучательной рекомбинации, сохраняется дискретное ту|ннелирс>вание электронов сквозь ne-Si Подавление Рь-центров безызлучательной рекомбинации и улучшение люминесцентных характеристик ПК-ВТС связано с тем, что вплавление ВТС снимает механические напряжения в ПК на границе раздела S1/S1O2 и i ¡i n уменьшает количество Рь-центров 2 установлено, что вплавление ВТС, активированного РЗЭ Ег и Yb, в окисленный,! i i'

ПК является эффективным способом многократного усиления ФЛ ионов Ег в районе

1540 нм и ионов Yb3+ в районе 980 нм по сравнению с объемным ВТС с теми же примесями РЗЭ Это усиление ФЛ связывается с присутствием наночастиц кремния в пропитанном ВТС слое ПК

3 Предварительный окислительный отжиг ПК перед вплавлением ВТС способствуют 121 многократному усилению ФЛ как ионов Ег в ВТС, так и ne-Si в ПК на длинах волн 750 и' '! 1540 нм[ соответственно. Оптимальной для усиления ФЛ ионов эрбия является i I !l + температура отжига 700°С. При таком отжиге квантовый выход ФЛ ионов Ег3+ увеличился1 в '170 раз при коротковолновой накачке и в 7 раз при длинноволновой по сравнению со

1 ! структурой без предварительного отжига. В структуре с предварительным окислительным | отжигом 900°С интенсивность ФЛ ne-Si возросла в 16 раз.

1 i i| ' i

I I ' I 13 2 ! 4. В ¡ионно-легированных фосфором образцах ПК (ЮОкэВ, 5 10 см" ), где эрбий | '! > 1 вв'одился! пропиткой водными растворами солей, обнаружена широкая сравнительно i интенсивная полоса ФЛ, захватывающая актуальный для волоконной оптики диапазон длин волн 1,45-1,65 мкм, и не связанная с присутствием эрбия. Эта люминесценция спадает при превышении дозы имплантации фосфора свыше 1015 см"2:, существует! j i î оптимальный уровень легирования фосфором для улучшения такой люминесценции. i + +

1 5. При облучении ионами Р и Аг слоев ПК/ВТС:(УЬ,Ег) до 5 раз усиливается интенсивность фотолюминесценции эрбия на длине волны 1,54 мкм. Это связано с i ионным перемешиванием, в результате которого более значительная доля ионов Ег3+ оказывается расположенной близко к границам нанокристаллов кремния в ПК и; ' улучшаются условия передачи энергии от возбужденных светом этих нанокристаллов к ионам Ег.' I

В заключение автор выражает искреннюю благодарность и признательность i научному руководителю - заведующему кафедрой электроники твердого тела физического

II факультета ННГУ профессору Демидову Е.С. за большое внимание к данной работе,' ' старшим научным сотрудникам НИФТИ ННГУ Чигиринскому Ю.И. и Михайлову А.Н., профессорам Тетельбауму Д.И. и Павлову Д.А. за помощь в организации некоторых экспериментов и обсуждении результатов, а также сотрудникам физического факультета i

ННГУ и| НИФТИ ННГУ, принимавшим участие в исследованиях на разных этапах i « выполнения работы.

Список литературы диссертационного исследования кандидат физико-математических наук Карзанова, Мария Вадимовна, 2013 год

1. Electroluminescence of erbium-oxygen-doped silicon diodes grown by molecular beam jjepitaxy /siimmer J., Reittinger A., Nutzel J.F., Abstreiter G. // Appl.Phys.Lett. -1996,- Vol.68. ii ' i 3290-3293 * iIj 1! |

2. Erbium in Silicon: Problems and Challenges /S. Binetti, M. Donghi, S. Pizzini and oth. //

3. Solid State Phenomena -1997 -Vol. 57 -58 -P. 197-206i ;3|. Соболев H.A. ФТП Светоизлучающие структуры Si : Er. Технология и физические1.ii ! Miсвойства Обзор/ Соболев H.A. // ФТП-1995. Т. 29. В.7- С. 1153-1178. I l"I

4. Optically active erbium centers in silicon/ H. Przybylinska, W.Jantsch, Yu.Suprun-Belevich> et al.// Phys.Rev. B. 1996 - Vol.54 - P.2532 -2547

5. JMater Sci., Springer-Verlag, Berlin 1996 -Vol. 301.|j

6. The erbium-impurity interaction and its effects on the 1.54 цт luminescence of Er3+ in crystalline silicon / F. Priolo, G. Franzo, S. Coffa and oth.// J. Appl. Phys. 1995. - Vol.78: -P.3874-3883.1 J • 1

7. Excitaltion and temperature quenching of Er-induced luminescence in a-Si:H(Er) / W. Fuhs, I. I i i i ; i

8. Time-resolved photoluminescence of erbium centers in amorphous hydrogenated silicon / ^ B.V. Kamenev, V.Yu. Timoshenko, E.A. Konstantinova and oth. // J. Non-Cryst., Sol. 2002 - >1. Vol. 299TiP.668-672.ij

9. Ы. Photoluminescence of Er + ions in amorphous silicon layers under intensive laser excitation1i ;

10. B.V. Kamenev, V.I. Emelyanov, E.A. Konstantinova et al. //Appl. Phys. В 2002 - Vol.74 -i P.¡151-154. ■ ;1 ¡1 : и

11. Luminescence from erbium-doped silicon nanocrystals in silica: Excitation mechanisms /> >1.'' '

12. AiJ. Kenyon, C.E. Chryssou, C.W. Pitt and oth. //J. Appl. Phys. 2002 - Vol. 91 - P.367-375.I

13. Size-controlled highly luminescent silicon nanocrystals: A Si0/Si02 superlattice approach/j

14. Solid Film-2001 Vol. 397 - P.211-215.

15. Эффективная люминесценция ионов эрбия в системах кремниевых нанокристаллов / П.К. Кашкаров, Б.В. Каменев, М.Г. Лисаченко и др.// ФТТ 2004 -Т. 46. В.1 - С 105-110.

16. Агранович В.М. Перенос энергии электронного возбуждения в конденсированных ср(едах. /В.М.Агранович, М.Д. Галанин. Москва: Наука, 1978 - 383с. ,

17. Воздействие мощного лазерного излучения на поверхность полупроводников и ! металлов1! нелинейно-оптические эффекты и нелинейно-оптическая диагностика / С.А. 1

18. Особенности фотолюминесценции монокристаллических и пористых слоев кремния, легированных эрбием /Л.К. Орлов, С.В. Ивин, Д.В. Шенгуров, Э.А. Штейнман// Письма в ЖТФ- 1999 -Т. 25, В.Ю С.31-35. I1., 1 1

19. Толомасов, В.А. Получение эпитаксиальных пленок кремния n-типа сублимацией в ' вакууме /'В.А.Толомасов, Л.Н. Абросимова, Г.Н. Горшенин // Кристаллография 1970 - ,1.1

20. Т.| 15.В.6 С. 1233 - 1238.

21. D. Pacifici', G. Franzo, F. Priolo et al. // Phys. Rev. B 2003 - Vol. 67 - P.245301-245313.

22. Excitation of Er3+ ions in silicon dioxide films thermally grown on silicon / A. Kozanecki, Ml Stephikova, H. Pzybylinska et al. // Appl. Phys.Lett. 1998 - Vol.73 - P.2929-29311.j 3+

23. Kozanecki, A. Sensitization of Er emission at 1.5 jj.m in Si02 thermally grown on siliconby coimplantation of Yb / A. Kozanecki, K. Homewood, B.J. Sealy // Appl. Phys.Lett. 19991. Vol. 75 P.793-7951 i

24. Kozanecki, A. Room-temperature photoluminescence excitation spectroscopy of Er3+ ionsi1 in! Er- and (Er+Yb)-doped Si02 films / A. Kozanecki, H. Przybylinska, L. Palmetshofer, W.

25. Jantsch. // Дрр1. Phys. Lett. 1999 - Vol. 75 - P. 2041-2043i | '1 35. Kozanecki, A. Excitation of Er3+ emission in Er, Yb codoped thin silica films / A. <

26. Kozanecki, B.J. Sealy, K. Homewood. //J. Alloys Compd. 2000 - Vol. 300-301 - P.61-64• 1

27. M. V. Volkin, J. Jorne, P.M. Fauchet et al. // Phys. Rev. Lett. 1999 - Vol.82 - P. 197-200.1

28. Фотолюминесценция в кремнии, имплантированном ионами эрбия при повышенной ' I Iтемпературе / Н.А. Соболев, А.Е. Калядин, И.Е. Шеек и др. // ФТП -2011 Т.45. В 8 1.I Р.,1038-10401. I !!

29. Соболев, ¡М.С. Бреслер., О.Б Гусев и др. // ФТП 1995 - Т. 28, B.l 1 - С. 1995-2000.1.I

30. Штейман, Э.А. Модификация центров дислокационной люминесценции в кремнии под влиянием кислорода / Штейман Э.А. // ФТТ -2005 Т.47, В.1 - С.9-12. (

31. Light guiding in oxidised porous silicon optical waveguides / Maiello G., La Monica S., Ferrari A.;et al. // Thin Solid Films 1997 - Vol. 297 - P.311-314i < i311 ' ' '

32. Homewood, К. P. Light from Si via dislocation loops / K.P. Homewood, M.A. Lourenco //,,il i Ii MaterialsiToday 2005 (January) - P.34-39.!

33. Adler, 'D.L. Local structure of 1.54-pm-luminescence Er3+ implanted in Si / D.L. Adler,i

34. DJC. Jacobson, D.J. Eaglesham // Appl. Phys. Lett. -1993 Vol.61 - P. 2181-2183 5^. Namâvar F., Lu F., Perry C.H. et al. // Mater. Res. Soc. Symp. Proc. - 1995 - Vol. 358, P.1.i3^5. ! i 1 ! 5 7. ¡Shin]В

35. Jung H. Origin of the 1.54pm luminescence of erbium-implanted porous silicon / Jung

36. Shin, G. N. van den Hoven and A. Polman // Appl.Phys. Lett. 1995 - Vol.66 - P.2379-2381

37. Erbium luminescence in porous silicon doped from spinon films / A.M. Dorofeev, N.V.I

38. Gaponenko, V.P. Bondarenko et al. // J. Appl. Phys. -1995 Vol.77 - P.2679-268

39. Luminescent properties of visible and near-infrared emissions from porous silicon preparedi'

40. On the origin of 1.5 pm luminescence in porous silicon coated with sol-gel derived erbium doped Fe^s films / N.V. Gaponenko, A.V. Mudryi, O.V. Sergeev et al. // J. Lumin. 1999.1. Vi80. -P.399-403.i I

41. Lopez, Herman A. Porous Silicon Nanocomposites for Optoelectronics andj t

42. Telecommunication Application / Herman A. Lopez University of Rochester. Rochester, New1. York, 200*1 216 c. iI

43. Porous silicon: a quantum sponge structure for silicon based optoelectronics / O. Bisi, S.i

44. Ossicini, Ij. Pavesi // Surface Science Reports 2000 - Vol.38 - 126 p.

45. Raman and Optical Characterization of Porous Silicon / J. V. Harvey, M. Shen, R.A. Lux et alJ // Mater Res. Soc.Symp. Proc. 1992 -Vol. 256 - P. 175

46. Tsybekov, L. Blue emission in porous silicon: Oxygen-related photoluminescencei< I , !ii 1'70.; CanГi >,ii i i ii

47. Tsybeskov, J.V. Vandyshev, and P.M. Fauchet. // Phys. Rev. B. 1994 - Vol. 49 - P.782'1-7824.i

48. Oxidation and Other Treatments Help Us Understand the Nature of Light-Emitting ' Porous Silicon? / P.M. Fauchet, E. Ettedgui, A. Raisanen et al.//Mat. Res. Soc. Symp. Proc.9t93 Vol.298 - P.307.1

49. Pavesi, L "Porous silicon dielectric multilayers and microcavities" / L. Pavesi // La Rivistadel Nuovo Cimento 1997 - Vol.20 - P. 1-76. : n,i ii 1 И1 it 1 if

50. Optical band gap of Si nanoclusters / C. Delerue, G. Allan, M. Lannoo / J. Lumin. -1999 j 1 Vol.80 -P'65-73.i ii , iи 1

51. Structural change from crystalline to amorphous states in siloxene by thermal annealing /1.i

52. H. Ubara, T. Imura, A. Hikari et al. // J. Non-Cryst. Solids 1983 - Vol. 59 -60 - P.641-644.

53. Демидова H.E. Транспорт тока, ЭПР и фотолюминесценция в пористом кремнии: i11 '

54. Дисс. кандидата физ.-мат. наук Н.Новгород 2010 - 143с. i •!1.'! 1

55. Bardeleben„D. Stievenard, A. Grosman et al. // Phys. Rev. 1993. - Vol. 47. - P. 10899 - 10902 \1.| i 1179.' Stesmans, A. / Undetectability of the point defect as an interface state in thermal (100)1.»

56. SiySi02 / X. Stesmans, V.V. Afanas'ev // J. Phys. Condens. Mat. 1998. - Vol. 10. - P. L1915. ;

57. Brandt, M.S. Spin-dependent effects in porous silicon / M.S. Brandt, M. Stutzman // Appl.

58. Pliys. Lett! 1992. - Vol. 61. - P. 2569 - 2571. it! ii i

59. Electron paramagnetic resonance in heat treated porous silicon / R. Laiho, L.S. Vlasenko,') M;.M. Afanasiev, M.P. Vlasenko // J. Appl. Phys. 1994. - Vol. 76 - P. 4290-4293.1.i

60. Щенгуров, H.E. Демидова, В.Н. Шабанов. // ФТП. 1994. - Т. 28, В.4. - С. 701 - 705.ii Iг! i ii i !

61. Weber, E.R. Electronic paramagnetic resonance characterization of defects insemiconductors / E.R.Weber // SPIE, 524 Spectroscopic Characterization Techniques for'jii ''

62. Semiconductor Technology II. 1985. - P. 160. 11.!8(7. Яхкинд А. Физико-химические свойства и структура теллуритных стёкол. / Под. ред. ,• |

63. AJ Власова.и В. Флоринской. JL: Химия, 1974 - 353с. | 1

64. Rare-|earth doped tungsten tellurite glasses and waveguides: fabrication and characterizationi

65. Conti G Nunzi, S. Bernesch, M. Betinelli et al. // J. of Non-Crystalline Solids 2004 - P 343J ,ii I348 I

66. Чигиринский, Ю.И. Получение плёнок твёрдого электролита на основе стабилизированного скандием диоксида циркония методом ВЧ-магнетронногоосаждения. Описание к лабораторной работе. / Ю. И. Чигиринский, В. А Новиков /!

67. Н.'Новгор'од изд-во ННГУ, 1997 - 15с. j1.¡1 I 'i

68. Демидов, Е.С. Дискретное туннелирование дырок в пористом кремнии / ЕС. Демидов '

69. В'.| В.Карз'анов, В.Г Шенгуров //, Письма в ЖЭТФ 1998 - Т. 67, В. 10 - с. 794 -797.1.I

70. Интюшин Е.Б. Получение плёнок вольфрам-теллуритного стекла методом ВЧ-магнетронного распыления и исследование их оптических свойств: Дисс. кандидата физ1 Iмат наук.|- Н. Новгород 2006.!

71. Пики избыточных шумов диодных структур на пористом кремнии / Демидов Е. С.,! i| I I I ' I

72. Демидова Н.Е., Карзанов В.В., Шабанов В.Н//,Письма в ЖЭТФ 2002 - Т. 75, В 11 -С.I6^3-675. .I

73. Физика твёрдого тела 2005 - В 8 - С. 22-46.

74. Кулик, И. О Кинетические явления и эффекты дискретности заряда ' в1.Iгранулированных средах / И.О Кулик, Р.И. Шехтер //ЖЭТФ — 1975 — Т 68 — С. 623640 , I129I1.i i

75. Дискретное туннелирование в электронных транспортных свойствах1.'Iнаногранулнрованного пористого кремния и подобных гетерофазных системах / Демидов1.' !

76. E.G., Демидова Н.Е., Карзанов В.В. и др. / ФТТ 2009 - Т.51, В. 10 - С. 1894-19009¡7. Налимов В.В. Статистические методы планирования экстремальных экспериментов /i' IÍ

77. В .(В. Налимов, Н.А. Чернова-М.: Наука, 1965 340 с.9^8. Patent USA, N: US 6,266,181 Bl. 24. 07. 2001. Tellurite Glass, Optical amplifier, and '1.¡I 11.ght Source. Assignee: Nippon Telegraph and Telefon Corporation, Shinjuku-ku (JP). / Ohishi11 '

78. Yj; Mori A.; Yamada M.; Ono H.; Kanamori Т.; Shimada T. i iк i

79. Interaction between Er ions and shallow impurities in Si nanocrystals within SÍO2 / K.i ! i Imakita, I^Fujii, Y. Yamaguchi, S. Hayashi // Phys. Rev. B. 2005. - Vol.71. - P. 115440 11¡5446. I1. I iM ¡

80. Люминесцентные свойства пористого кремния, сформированного на п+- и р+| 'монокристаллах, легированных ионной имплантацией бора или фосфора / Е.С. Демидов,I

81. Photoluminescence of porous silicon stain etched and doped with erbium and ytterbium /

82. BJ Díaz-Herrera, В. González-Díaz, R. Guerrero-Lemus et al. // Physica E. 2008i 'i I• doi:10.1016/j.physe.2008.09.015.1 '! >i '

83. Control of photoluminescence properties of Si nanocrystals by simultaneously doping n• Iand p-type impurities / M. Fujii, Y. Yamaguchi, Y. Takase et al. // Appl. Phys. Lett. 2004. -' Vol.85 -P.1158-1160.1-P. 537-5,39.1

84. Действие облучения и последующего отжига на нанокристаллы Si, сформированные! 'i1.в слоях S1O2 / Г.А. Качурин, С.Г. Яновская, М.-О. Ruault et al. // ФТП. 2000. - Т.34, №8. 1 СЛ 004-1009.i

85. Defect production and annealing in ion-irradiated Si nanocrystals / D. Pacifici, E.C. , Moreira, G.iFranzo et al. / Phys. Rev. B. 2002. - Vol.65. - P.144-109.1. S > ! ! 1 !| '130h,1. I if I .)l

86. Влияние интенсивности торможения ионов на дефектообразование при имплантации1.1в нанокристаллы кремния / Г.А. Качурин, С.Г. Черкова, Д.В. Марин и др. // ФТП. 2008. 1.i T.42,№9.!-C.l 145-1149.'I

87. Effect of ion doping with donor and acceptor impurities on intensity and lifetime of1• | 'I I i ;j i photoluminescence from S1O2 films with silicon quantum dots / A.N. Mikhaylov, Ю,.1.'|

88. Fabrication and emission properties of Er3+/Yb3+ codoped tellurite glass fiber for broadband optical amplification / J. Zhang, S. Dai, G. Wang et al. // J. Lumin. 2005. - Vol.115.1.j P.45-52.и 1 I

89. Co. Pte. Ltd., 2009. 452 p. ! ,1 . + !'• lil5. Guha, S. Characterization of Si+ ion-implanted Si02 films and silica glasses / Soumyendu1 I 1 I 1• Guha // Jj'Appl. Phys. 1998. - Vol.84, №9. - P.5210-5217.i

90. Optical and electrical properties of Si-nanocrystals ion beam synthesized in Si02 / B.1

91. Garrido, M. Lopez, A. Perez-Rodriguez et al. // Nucl. Instr. Meth. Phys. Res. B. 2004. - Vol. 21'6. - P.213-221. j1 1 i

92. Чигиринский, М.В. Карзанова, Ю.И. Калинина // Сборник трудов Девятой >

93. И. А. Гришин, О. Н. Горшков, Е С. Демидов, М.В. Карзанова и др. // Тезисы I Iдокладов XIV Всероссийской конференции и VI Школы молодых учёных ;1.и

94. Школы молодых ученых и специалистов «КРЕМНИИ 2011». Москва, НИТУ

95. CÍ Демидов, Ю.И. Чигиринский, Е.А. Европейцев// Труды V Всероссийскойшколы-семинара студентов, аспирантов и молодых учёных по направлению

96. Диагностика наноматериалов и наноструктур». г. Рязань, 17-20 сентября 2012 г. - : '1. С.7^-73. : ■ j ' || ' ¡i18А. ИКтЛюминесценция пористого кремния с примесями редкоземельных элементов /