Изменение электрофизических свойств системы кремний-подзатворный окисел МОП-транзисторов с поликремниевым затвором при воздействии ионизирующего излучения тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 05.13.05, кандидат технических наук Халецкий, Роман Александрович

• Халецкий, Роман Александрович
• кандидат технических наук
• 2006

Оглавление диссертации кандидат технических наук Халецкий, Роман Александрович

Введение

Глава 1. Влияние ионизирующего излучения на МОПструктуру1 СУ

1.1.Общие представления о влиянии ионизирующего излучения на МОП-структуру

1.2.Влияние технологии формирования МОПструктур на характер радиационной деградации

1. 3 . Влияние гамма-облучения на диэлектрические параметры термического диоксида кремния

1.4.Исследование радиационной стабильности МДП-структур с модифицированными окислами кремния и другими видами диэлектрика24/

1. 5 . Отжиг радиационно-индуцированного заряда

Глава 2. Сущность эксперимента и методы исследования

2.1. Экспериментальные МОП-структуры

2.2.Установка для измерения вольт-фарадных характеристик и.метод измерения

2 . 3 . Сущность метода катодолюминесценции

2 .4 . Люминесцентные свойства системы Si-Si

Глава 3. Исследование электрофизических характеристик тестовых структур

3.1.Изменение заряда в окисле тестовых структур при формировании затвора из поликристаллического кремния

3.2.Релаксация механических напряжений при формировании подзатворного диоксида кремния

3.3.Исследование гистерезиса вольт-фарадных характеристик тестовых структур

Глава 4. Исследование влияния гамма-излучения на тестовые структуры Si-Si02-Si*-Al

4.1.Заряд в окисле тестовых структур при облученииб

4.2.Гистерезис ВФХ тестовых структур при облучении

4 . 3.Изменение радиационного заряда тестовых структур после облучения

4.4.Радиационная и пострадиационная деградация электрофизических параметров при низкотемпературном облучении

4.5.Особенности радиационной деградации электрофизических свойств тестовых структур при облучении под смещением на затворе

4.6.Изменение дефектной структуры окисла при воздействии ионизирующего излучения

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Изменение электрофизических свойств системы кремний-подзатворный окисел МОП-транзисторов с поликремниевым затвором при воздействии ионизирующего излучения»

Актуальность работы. Интегральные полупроводниковые микросхемы (ИМС), созданные на основе МДП- или КМДП-технологии, находят широкое применение в качестве элементной базы современной вычислительной техники различного назначения, в том числе работающей в полях радиационного воздействия, например, бортовая техника космических летательных аппаратов. В этом случае устойчивость электрических параметров к воздействию ионизирующего излучения является одним из основных требований, предъявляемых к элементам МДП ИМС.

Основной структурной единицей элементов МДП ИМС является система затвор (металл или полупроводник) - подза-творный диэлектрик (Si3N4, Si02) - полупроводник (кремний) . Известно, что самой уязвимой областью в такой слоистой структуре при воздействии ионизирующего излучения является подзатворный диэлектрик МДП-транзисторов, в качестве которого наиболее часто используется Si02. Радиационная стойкость электрофизических параметров подзатвор-ного окисла, межфазных границ кремний-окисел и окисел-затвор в значительной мере и определяет надежность МОП ИМС при их эксплуатации в условиях воздействия ионизирующего излучения.

Существует большое количество экспериментальных и теоретических работ, связанных с исследованиями по влиянию ионизирующего излучения на МОП-структуры. Основное внимание в этих работах уделяется влиянию технологии формирования МОП-структуры на чувствительность ее электрофизических параметров к воздействию ионизирующего излучения.

Считается, что окисел, полученный термическим окислением в среде влажного кислорода, обладает худшей радиационной стойкостью по сравнению с окислом, полученным в среде су*-хого кислорода. Дополнительные операции термической обработки в различных средах позволяют в некоторых случаях улучшать радиационную стабильность МОП-структур.

Однако, разработанные технологические процессы, использующиеся при изготовлении МОП ИМС, предназначенных для функционирования в условиях радиационного воздействия, основаны, как правило, на уникальных результатах экспериментальных исследований структур, полученных на конкретном предприятии и для конкретной технологии. Пог этому технологические особенности каждого производства, постоянное совершенствование технологии изготовления, применение новых основных и вспомогательных материалов при изготовлении МОП ИМС являются причинами отсутствия однозначной и общепринятой теории, объясняющей результаты исследований влияния радиации на МОП-структуры и способной спрогнозировать поведение будущего МОП-прибора при облучении в зависимости от технологии его изготовления. Так, например, недостаточно изучены свойства окислов, пог лученных с использованием широко распространенного хлорного окисления. Тем более плохо изучено влияние хлора на поведение МОП-структур при облучении. Использование поликристаллического кремния в качестве материала затвора МОП-транзисторов приводит к значительным изменениям электрофизических свойств МОП-структур и чувствительности к воздействию ионизирующего излучения. Механизм этих изменений остается плохо изученным.

При эксплуатации МОП ИС после облучения, в структуре продолжают протекать процессы изменения электрофизических свойств, которые приводят к пострадиационному дрейфу электрических параметров ИМС. Механизм этого пострадиационного изменения и его связь с технологией формирование МОП-структуры также остаются плохо изученными.

Таким образом, основной целью работы явилось исследование характера изменения электрофизических и структурных свойств системы Si-Si02 МОП-транзистора с поликремниевым затвором при воздействии ионизирующего излучения и в процессе пострадиационный обработки. При этом были поставлены следующие задачи:

- исследование влияния режимов формирования структуры кремний-окисел МОП-транзисторов с поликремниевым затвором на ее электрофизические характеристики;

- исследование влияния режимов процесса термического окисления на характер радиационной деградации структур кремний-окисел МОП-транзисторов с поликремниевым затвором;

- исследование влияния величины и полярности напряжения смещения на затворе во время облучения на характер радиационной деградации структур Si-Si02-Si*;

- исследование влияния температуры среды, в которой осуществляется облучение, на характер деградации электрофизических свойств структуры Si-Si02-Si*;

- исследование характера изменения структуры подза-творного окисла МОП-транзистора при воздействии ионизирующего излучения;

- исследование пострадиационных процессов изменения радиационно-индуцированного заряда в структурах Si-Si02-Si .

Методы исследований. При исследовании электрофизических свойств экспериментальных структур и характера их радиационной деградации использовался метод высокочастотных вольт-фарадных характеристик (ВФХ). По изменению видд экспериментальных ВФХ рассчитывались: изменение встроенного заряда в окисле, изменение плотности поверхностных состояний и заряд, обуславливающий гистерезис ВФХ. Исследование структурных дефектов подзатворного диэлектрика производилось методом локальной катодолюминесценции.

Научная новизна диссертационной работы заключается в следующем:

- исследован характер изменения электрофизических свойств подзатворного окисла, вызванного использование^ поликристаллического кремния в качестве материала затвора;

- определено влияние пленки поликристаллического кремния на характер изменения заряда в подзатворном окисле МОП-транзистора при воздействии гамма-излучения в зависимости от режимов формирования подзатворного окисла;

- обнаружены и исследованы два вида гистерезиса ВФХ, предложены механизмы их возникновения;

- выявлен характер деградации структур Si-Si02 с поликремниевым затвором при электрическом смещении при облучении в зависимости от режимов термического окисления; выявлены особенности изменения электрофизических свойств подзатворного диэлектрика МОП-структур в процессе пострадиационной выдержки при комнатной температуре и дополнительном термическом отжиге;

- исследовано влияние гамма-излучения на структурные дефекты окисла; предложен механизм трансформации структурных дефектов в процессе радиационной деградации. На защиту выносятся следующие основные результаты:

- механизм изменения заряда в пленках термической двуокиси кремния на кремнии при формировании поликристаллического затвора;

- механизм изменения заряда в подзатворном окисле МОП-структур с поликремниевым затвором при воздействии ионизирующего излучения;

- свойства и механизм образования заряда, обуславливающего появление гистерезиса ВФХ при воздействии гамма-излучения;

- свойства подзатворного окисла МОП-структур с поликремниевым затвором при облучении под напряжением смещения;

- механизм трансформации структурных дефектов подзатворного диоксида кремния МОП-транзистора при воздействии ионизирующего излучения.

Содержание диссертации

Диссертация состоит их четырех глав. В первой главе приводится обзор литературы, посвященной воздействию ионизирующего излучения на электрофизические свойства МОП-структур. Рассмотрены процессы, происходящие в окисле и на границе раздела кремний-окисел и приводящие к деградации зарядовых характеристик МОП-структур. Рассмотрены вопросы, связанные с влиянием различных технологических режимов формирования МОП-структуры на характер ее радиационной деградации. Приводятся нерешенные проблемы в области воздействия ионизирующего излучения на МОП-структуры, обосновывается и формулируется цель настоящей работы.

Во второй главе рассмотрены методы исследования эка-периментальных структур: метод высокочастотных вольт-фарадных характеристик (ВФХ) и метод локальной катодолю-минесценции. Приведен краткий обзор литературы, связанный с известными положениями метода катодолюминесценции при анализе спектров для описания состояния дефектной структуры диоксида кремния.

В третьей главе приведены результаты исследований влияния поликристаллического затвора, а также технологических режимов его формирования на зарядовые свойства системы кремний-окисел. Также в этой главе приведен анализ полученных экспериментальных результатов и сформулированы основные выводы.

Четвертая глава посвящена исследованиям влияния гамма-излучения на электрофизические и структурные свойства системы кремний-окисел с поликремниевым затвором. В конце главы сделаны выводы по результатам этих исследований.

В заключении диссертационной работы приведены общие выводы. /

Заключение диссертации по теме «Элементы и устройства вычислительной техники и систем управления», Халецкий, Роман Александрович

Основные выводы

1.Обоснованы конструкция, технология изготовления тестовых структур и методы их исследования.

2.Определено влияние пленки поликремниевого затвора и технологии ее формировании на встроенный заряд в окисле yi заряд, обуславливающий гистерезис ВФХ.

3.Предложен механизм, обуславливающий изменение встроенного заряда в диоксиде кремния при формировании поликремниевой пленки, который связан с перераспределением внутренних механических напряжений в системе кремний-диоксид кремния.

4.Установлено, что накопление радиационно-индуцированного заряда связано с величиной внутренних механических напряжений в Si02. Показано, что уменьшение внутренних механических напряжений в диоксиде кремния приводит к увеличению заряда при воздействии ионизирующего излучения.

5.Показано, что гамма-излучение стимулирует появление ловушечных центров в диоксиде кремния, которые приводят к появлению характерного гистерезиса ВФХ, обусловленного процессом обмена носителями заряда с кремниевой подложкой .

6.Показано, что полярность электрического смещения на затворе в процессе облучения существенно влияет как на характер накопления радиационного заряда в диоксиде кремния тестовых структур, так и на энергетическое положение дефектов, ответственных за появление радиационного встроенного заряда, относительно валентной зоны кремния.

7.Показано, что температура среды, в которой осуществляется облучение, влияет на величину радиационно-индуцированного заряда при облучении и пострадиационной выдержке при комнатной температуре.

8.Установлено, что электрическое смещение на затворе при облучении влияет на характер изменения радиационно-индуцированного заряда в процессе пострадиационной выдержке тестовых структур при комнатной температуре.

9. Показано, что процесс радиационной деградации элек/-трофизических характеристик тестовых структур сопровождается изменением дефектной структуры диоксида кремния. При этом характер такого структурного изменения связан с внутренними механическими напряжениями в окисле.

Ниже приведен список публикаций по теме работы:

1. Халецкий Р. А. Радиационная стойкость планарных структур с введенными дефектами // В сборн.: Современные технологии. СПб: СП6ГИТМ0 (ТУ), 2001. - С. 302-307.

2. Соколов В. И., Плотников В. В., Скворцов А. М./, Фролкова Е. Г., Халецкий Р. А. Стационарное окисление кремния// Известия вузов. Электроника, 2002. - С. 17-21.

3. Халецкий Р. А., Соколов В. И. Исследование деградации параметров планарных транзисторов при гамма-облучении // «Юбилейная научно-техническая конференция профессорско-преподавательского состава посвященная 100-летию университета: 29-31 марта 2000 г», Тезисы докладов. Часть 2 СПб 2000. - С. 23.

4. Халецкий Р. А., Фролков В. Н., Коротков К. Г. Исследование кремниевых структур методом газоразрядной визуализации // В сборн.: Тезисы докл. девятой всероссийской межвузовской научн.-технич. конференции студентов и аспирантов "Микроэлектроника и информатика - 2002". Зеленоград, 17-18 апреля 2002. - С 59.

5. Халецкий Р. А., Фролков В. Н. . Параметрический ГРВ-анализ систем Si-Si02 с различными включениями р окисле в динамическом режиме // Оптические методы исследования дефектов и дефектообразования элементной базы микроэлектроники и микросенсорной техники. Сборник научных статей./ под ред. д. т.н. Ю.А. Гатчина и д. т.н. B.JI. Ткалич. СПб: СП6ГИТМ0 (ТУ), 2002. - С. 126-131.

6. Семенов А. М., Скворцов А. М., Халецкий Р. А. Исследование структур типа Sin/K-Si02-Si с окислами, полученными в различных режимах окисления // Научнотехнический вестник "Информация и управление в техниче ских системах". Выпуск 10. СПб: СПбГИТМО (ТУ), 2003. - С. 157-158.

7. Семенов А. М., Скворцов А. М., Халецкий Р. А. Исследование МОП-структур с окислами, полученными в различных режимах окисления // Научно-технический вестник "Информация и управление в технических системах". Выпуск 10. СПб: СПбГИТМО (ТУ), 2003. - С. 159-160.

8. Новиков С. Н., Семенов А. Е., Скворцов А. М., Халецкий Р. А., Фролкова Е. Г. Исследование структурных дефектов межслойной изоляции в К-МОП ИС // Научно-технический вестник "Информация и управление в технических системах". Выпуск 10. СПб: СПбГИТМО (ТУ), 2003. - С. 145-147.

9. Новиков С. Н., Семенов А. Е., Скворцов А. М., Халецкий Р. А., Фролкова Е. Г. Исследование пробивных напряжений межслойной изоляции в КМОП ИС // Научно-технический вестник "Информация и управление в технических системах". Выпуск 10. СПб: СПбГИТМО (ТУ), 2003. - С. 148-150. /

10. Скворцов A.M., Халецкий Р.А. Литография в микроэлектронике. Учебное пособие. СПб: СПбГИТМО (ТУ), 2003. -78 с.

11. Соколов В. И., Скворцов А. М., Халецкий Р. А., Фролкова Е. Г. Способ формирования решетки нанокластероё кремния на структурированной подложке. Патент № 2214359 RU С1. Опубл. 20.10.2003. Бюлл. № 29.

12. Скворцов А. М., Соколов В. И., Халецкий Р. А., Шамарин П. А. Особенности радиационной деградации системы кремний-окисел, полученной в различных технологических условиях с участием хлора // Микроэлектроника и информатика - 2004. 11-ая Всероссийская межвузовская научно-техническая конференция студентов и аспирантов: Тезисы докладов. - М.: МИЭТ, 2004. - С. 26. /

13. Скворцов А. М., Соколов В. И., Заморянская М. В., Халецкий Р. А. Исследование деградации спектров катодолю-минесценции в результате гамма облучения структур Si/Si02 с окислами, полученными в различных технологических условиях // Материалы второй Всероссийской конференции «Физико-химические процессы в конденсированном состоянии и межфазных границах» («Фагран-2004»), Воронеж, 2004. том 2. - С. 490.

14. Халецкий Р. А. Особенности радиационной деградации МОП-структур при различных температурах гамма-облучения // Микроэлектроника и информатика - 2005. 12-ая Всероссийская межвузовская научно-техническая конференция студентов и аспирантов: Тезисы докладов. - М. : МИЭТ, 2005. - С. 48.

Список литературы диссертационного исследования кандидат технических наук Халецкий, Роман Александрович, 2006 год

1. Согоян А. В., Чумаков А. И., Никифоров А. Ю. Подход к прогнозированию радиационной деградации параметров КМОП ИС с учетом сроков и условий эксплуатации// Микроэлектроника.- 1999. - Т.28.- №4.- С. 263-275.

2. Гуртов В. А. Влияние ионизирующего излучения на свойства МДП-приборов// Обзоры по электронной технике. Серия 2.- Выпуск. 14.- 1978.- 34 с.

3. Шапошников А.В., Гриценко В.А., Жидомиров Г.М., Роджер М. Захват дырок на двухкоординированный атом кремния в Si02// Физ. тверд, тела.- 2002.- Т. 44.- В. 6.- С. 985987 .

4. Autran J., Balland В., Babot D. Three-level charge pumping study of radiation-induced defects at Si-Si02 interface in submicrometer MOS transistors// J.Non-cryst.Sol.- 1995,- v.187.- P. 211-215.

5. Батавин В. В., Концевой Ю. А., Федорович Ю. В. Измерения параметров полупроводниковых материалов и структур.- М: Радио и связь, 1985.- 240 с.

6. С. Зи. Физика полупроводниковых приборов. В 2-х кн. Кн. 1,- М.: Мир, 1984.- 455 с.

7. Гуртов В.А. Радиационные процессы в структурах металл-диэлектрик-полупроводник: Учебное пособие. Петрозаводск, 1988.- 96 с.

8. Ringel Н., Knoll М., Braunig D., Fahrner W.R. Charges in metal-oxide-semiconductor samples of various technologies induced by 60Co-y and x-ray quanta// J. Appl. Phys.- 1985.- V. 57.- № 2.- P. 393-399.

9. E. H. Poindexter, G. J. Gerardi, M.-E. Rueckel, P. J. Caplan. Electronic traps and Pb centers at the Si/Si02 interface: Band-gap energy distribution// Journal of Applied Physics.- 1984.- V. 56.- P. 2844-2849.

10. Lenahan P. M., Dressendorfer P. V. Radiation-induced paramagnetic defects in MOS structures//IEEE Transactions on Nuclear Science.- vol. NS-29.- Dec. 1982.- P. 1459-1461.

11. МОП-СБИС. Моделирование элементов и технологических процессов/ Под. ред. П. Антонетти, Д. Антониадиса, Р. Даттона, У. Оулдхема: Пер. с англ.- М.: Радио и связь, 1988.- 496 с.

12. Романов О.В., Урицкий В.Я., Яфясов A.M. Влияние факторов формирования структуры Si-Si02 на ее электрофизические свойства// Поверхность. Физика, химия, механика.- № 6.- 1983.- С. 70-76.

13. Александров О.В., Н.Н. Афонин. Влияние окислительных сред на диффузионно-сегрегационное перераспределение бора в системе термический диоксид кремния-кремний//ЖТФ.- 2003.- т. 73.- вып.5.- С. 57-63.

14. Барабан А. П., Булавинов В. В., Коноров П. П. Электроника слоев Si02 на кремнии.- JI. : Издательство Ленинградского университета, 1988.- 304 с.

15. Зайнабидинов С. 3., Власов С. И., Заугольникова Е. Г. и др. Влияние у-облучения на свойства МДП-структур// Физ.и тех. полупр.- в.4.- 1984.- С. 727-729.

16. McGinn, J. N. Effects of gamma ray irradiation on HC1 oxides// Thesis Rome Air Development Center, Griffiss AFB, NY., 1976.

17. K.B. Санин, A.M. Скворцов. Технология БИС микропроцессоров и микроэвм. Учебное пособие. Л.: ЛИТМО, 1988.102 с.

18. Усачева А.И., Минаков С.А. Влияние "хлорного" окисления на зарядовую стабильность МОП-структур// Вторая всесоюзная конф. "Физические основы надежности и деградации полупроводниковых приборов": Тезисы докладов, часть 2.- Кишинев.- 198 6.- С. 44.

19. Скворцов A.M., Фролкова Е.Г. Дефектообразование и надежность больших интегральных схем. Учебное пособие. СПб: СПб ГИТМО (ТУ), 2003.- 139 с.

20. Гриценко В.А. Строение и электронная структура аморфных диэлектриков в кремниевых МДП структурах.- Новосибирск: ВО "Наука". Сибирская издательская фирма, 1993.- 280 с.

21. Литовченко В. Г., Горбань А. П. Основы физики микроэлектронных систем металл-диэлектрик-полупроводник.-Киев: "Наук, думка", 197 8.- 316 с.

22. Kaschieva S. В., Smirnov N. D. Effect of gamma-radiation on spectra of surface of Si-Si02 interface//

23. Bolgarskaia Akademiia Nauk, Doklady.- vol. 2 9.- no. 3.- 1976.- P. 323-326.

24. Grunthaner F. J., Lewis B. F., Zamini N., Maserjian J., Madhukar A. XPS studies of structure-induced radiation effects at the Si/Si02 interface// IEEE Transactions on Nuclear Science.- vol. 27.- 1980.- P. 16401646.

25. Garibov A.A., Velibekova G.Z., Agaev T.N. Effect of degree of order of silicon dioxide on localization processes of non-equilibrium charge carriers under the influence of gamma-radiation// Radiation Physics and Chemistry.- 1999.- v.54.- P.131-134.

26. Литвиненко С.А., Цыганов И.Н. Исследование влияния фазовых переходов в окисле на зарядовые и механические свойства системы кремний-окисел// Поверхность. Физика, химия, механика.- № 5.- 1982.- С. 73-75.

27. Sokolov V.I., Fedorovich N.A. Mechanical stresses on the Si-Si02 interface// Phys.Stat.Sol. (a).- 1987.- v. 99.- P. 151-158.

28. Dragan M., Draghici I., Sachelarie D., Sachelarie M. Technology of the radiation hardened MOS devices// Technology of the radiation hardened MOS.- 1981.- v. 33.- № 3.- P. 285-296.

29. Е.Д. Васильева, M.H. Колотов, M.B. Нахимович, В.И. Соколов. Зарядовые состояния переходной области Si-Si02 при радиационной и термополевой обработке// Микроэлектроника.- 2000.- Т. 29.- N'1.- С. 27-31.

30. Касимова Ф.Ф., Джавадов Н.Г., Исмайлов Н.М. Влияние механических напряжений на свойства границы раздела Si-Si02// Труды 6-й международной НТК "Актуальные проблемы твердотельной электроники и микроэлектроники", Таганрог.- 1999.- С. 126.

31. McLean F. В. A framework for understanding radiation-induced interface states in Si02 MOS structures// IEEE Transactions on Nuclear Science.- vol. 27.- Dec. 1980.- P. 1651-1657.

32. Stahlbush R. E., Mrstik B. J., Lawrence R. K. Post-irradiation behavior of the interface state density and the trapped positive charge// IEEE Transactions on Nuclear Science.- vol. 37.- pt. 1.- 1990.- P. 16411649.

33. Saks N. S., Griscom D. L., Klein R. B. Formation of interface traps in MOSFETs during annealing following low temperature irradiation// IEEE Transactions on Nuclear Science.- vol. 35.- 1988.- pt. 1.- P. 1234-1240.

34. Mrstik B. J., Rendell R. W. Si-Si02 interface state generation during X-ray irradiation and during post-irradiation exposure to a hydrogen ambient// IEEE Transactions on Nuclear Science.- vol. 38.- pt. I.Dec. 1991.- p. 1101-1110.

35. Шварц К. К., Экманис Ю. А. Диэлектрические материалы: радиационные процессы и радиационная стойкость. Рига: Зинатне, 1989.- 220 с.

36. Мельникова Г.А., Попов В.Д. Пути повышения стабильности и надежности микроэлементов и микросхем// Тезисы докладов всесоюзного науч.-техн. семинара.- Рязань.-1984.- С. 192-193.

37. Попов В.Д. Влияние ионизирующего излучения на пробой подзатворного диэлектрика в МОП-приборах// Вторая всесоюзная конф. "Физические основы надежности и деградации полупроводниковых приборов": Тезисы докладов, часть 1. Кишинев.- 1986.- С. 113.

38. Т. Brozek, P. I. Didenko, V. Y. Kiblik, О. I. Locush. Radiation properties of silicon-oxide-semiconductor structures with zinc-doped oxides. Jap. J. Appl.Phys.-Pt 1.- 1994.- v. 33.- № 10.- P. 159-166.

39. Emms C. G., Holmes-Siedle A. G., Groombridge I., Bos-nell J. R. Gamma and vacuum ultraviolet irradiations of ion implanted Si02 for MOS dielectrics// IEEE Transactions on Nuclear Science.- vol. NS-21.- Dec. 1974.- P. 159-166.

40. Барабан А.П., Малявка JI.В. Влияние ультрафиолетового облучения на зарядовое состояние ионно-имплантированных структур кремний-двуокись кремния// Письма в ЖТФ.- 2000.- Т.26.- Вып.- 4.- С. 53-57.

41. Барабан А.П., Милоглядова J1.B. Дефекты и дефектообра-зование в окисном слое ионно-имплантированных структур кремний-двуокись кремния// ЖТФ.- 2002.- Т. 72.- вып. 5.- С. 56-60.

42. Аскинази А.Ю., Барабан А.П., Милоглядова JI.B. Диагностика окисного слоя структур Si-Si02 с использованием света из области ближнего ультрафиолета//Письма в ЖТФ.- 2003.- Т. 29.- вып. 17.- С. 49-54.

43. Kaschieva A., Dmitriev S.N., Angelov Ch. Electron and gamma-irradiation of ion implanted MOS structures with different oxide thickness// Nucl. Instr. and Meth. B.2003.- vol. 206.- P. 452-456.

44. Ma T.P., Chin M.R. Rf annealing mechanisms in metal-oxide-semiconductor structures—an experimental simulation // J. appl. Phys.- 1988.- v.51.- P. 5458-5470.

45. Kaschieva S., Alexandrova S. Effect of low dose y-radiation on the annealing temperature of radiation defects in ion implanted MOS structures// Materials Science and Engineering В.- 2002.- v.95.- P. 295-298.

46. Парчинский П.Б., Власов С.И., Насиров А.А. Влияние у-облучения на характеристики границы раздела кремний-свинцово-боросиликатное стекло//Физ. и тех. полупров.2004.- Т. 38.- Вып.- 11.- С. 1345-1348.

47. Пичугин И.Г., Таиров Ю.М. Технология полупроводниковых приборов.- М.: Высш. шк., 1984.- 288 с.

48. Федоренко Я.Г., Отавина JI.A., Леденева Е.В., Свердлова A.M. Влияние радиационного воздействия на характеристики МДП-структур с окислами редкоземельных элементов// Физ. и тех. полупров.- 1997.- т. 31.- №. 7.- С. 885-888.

49. Барчук и др. Исследование воздействия ионизирующего излучения на электрофизические свойства внутренних многослойных диэлектриков КНИ-структур, полученных методом лазерной зонной перекристаллизации// Микроэлектроника.- 1996.- Т. 25.- № 5. С. 34-38.

50. Дырков В.А. Воздействие быстрых электронов на объемный заряд в диэлектриках// Изв. вузов СССР, Физика.-1985.- № 11.- С. 125-130.

51. Горлов М.И., Королев С.Ю. Физические основы надежности интегральных микросхем// Воронеж: Изд-во Воронежского государственного университета.- 1995.- 200 с.

52. Schwank J.R., Dawes W.R. Irradiated silicon gate MOS device bias annealing// IEEE Transactions on Nuclear Science.- 1983.- vol. 30.- P. 4100-4104.

53. Schwank J.R., Winokur P.S., McWroter P.J., Dressendor-fer et al. Physical mechanism contributing to device "rebound"// IEEE Transactions on Nuclear Science.-1984.- vol. 31.- P. 1434-1438.

54. Oldham T.R., Lelis A.J., McLean F.B. Spatial dependence of trapped holes determined from tunneling analysis and measured annealing// IEEE Transactions on Nuclear Science.- 1986.- vol. 33.- P. 1203-1209.

55. Lelis A.J., Oldham T.R., Boesch H.E., McLean F.B. The nature of trapped hole annealing process// IEEE Transactions on Nuclear Science.- 1989.- vol. 36.- P. 18081815.

56. McWhorter P.J., Miller S.L., Miller W.M. Modeling the anneal of radiation-induced trapped holes in a varying thermal environment// IEEE Transactions on Nuclear Science.- 1990.- vol. 37.- P. 1682-1689.

57. Preffer R.L. Molecular diffusion in a-Si02: its role in annealing radiation-induced defect centres// Structure and Bonding in Non-Crystalline Solids. New York: Plenum Press.- 1986,- P. 169-176.

58. Shanfield Z., Moriwaki M.M. Characteristics of hole traps in dry and pyrogenic gate oxides// IEEE Transactions on Nuclear Science.- 1984.- vol. 31.- P. 12421247.

59. Miller S.L., Fleetwood D.M., McWhorter P.J. Determining the energy distribution of traps in insulating thin films using the thermally stimulated current technique// Phys. Rev. Lett.- 1992.- v. 69.- P. 820823.

60. Заморянская М.В., Заморянский А.Н., Вайшенкер И. А. Оптический спектрометр к электронно-зондовому микроанализатору// ПТЭ.- 1987.- № 4.- С. 161-163.

61. Z. Gaburro, G. Pucker, P. Bellutti and L. Pavesi. Electroluminescence in MOS structures with Si/Si02 nanometric multilayers// Solid State Communications.-v. 114.- 2000.- P. 33-37.

62. G. F. Bai, Y Q. Wang, Z. C. Ma, W. H. Zong and G. G. Qin. Electroluminescence from Au/native silicon oxide layer/pC-Si and Au/native silicon oxide layer/nC-Sistructures under reverse biases// J. Phys.: Condens. Matter.- v. 10.- 1998.- P. 717-721.

63. C.-F. Lin, C. W. Liu, M.-J. Chen, M. H. Lee and I. C. Lin. Infrared electroluminescence from metal-oxide-semiconductor structures on silicon// J. Phys.: Condens. Matter.- v. 12.- 2000.- P. 205-210.

64. N. Porjo, T. Kuusela and L. Heikkila. Characterization of photonic dots in Si/Si02 thin-film structures// J. Appl. Phys.- v. 89.- 2001.- P. 4902-4906.

65. S.Chelan, R.G.Elliman, K.Gaff and A.Durandet. Luminescence from Si nanocrystals in silica deposited by heliconactivated reactive evaporation// Appl. Phys. Lett.- v. 78.- 2001.- P. 1670-1672.

66. Силинь A. P., Трухин A. H. Точечные дефекты и элементарные возбуждения в кристаллическом и стеклообразном Si02.- Рига: Зинатне, 1985.- 244 с.

67. L. N. Skuja, A. R. Silin. A model for the non-bridging oxygen center in fused silica. The dynamic Jahn-Teller effect// Phys. Status Solidi. A.- v. 70.1982.- P. 43-49.

68. L. N. Skuja, A. N. Streletsky, A. B. Pakovich. A new intrinsic defect in amorphous Si02: Twofold-coordinated silicon// Sol. State. Comm.- v. 50.1984.- P. 1069-1072.

69. M. V. Zamoryanskaya and V. I. Sokolov. Structural study of thermal-oxyde films on silicon by cathodolu-minescence// Phys. Solid State.- v. 47.- № 11.- 1998.-P. 1797-1801.

70. М. V. Zamoryanskaya, V. I. Sokolov, A. A. Sitnikova and C. G. Konnikov. Cathodoluminescence study of defect distribution at different depths in films Si02/Si// Sol. State Phen.- v. 63-64.- 1998.- P. 237242.

71. Богомолов В. H., Гуревич С. А., Заморянская М. В., Ситникова А. А., Смирнова И. П., Соколов В. И. Образование нанокластеров кремния при модификации силикатной матрицы электронным пучком// ФТТ.- Т. 43,- в. 2.2001.- С. 357-359.

72. С. Diaz-Guerra, J. Piqueras, D. A. Kurdyukov, V. I. Sokolov and M. V. Zamoryanskaya. Defect and nanocrys-tal cathodoluminescence of synthetic opals infilled with Si and Pt// J. Appl. Phys.- v. 89.- 2001.- P. 2720-2726.

73. H. -J. Fitting, T. Ziems, A. von Czarnowski, B. Schidt. Luminescence center transformation in wet and dry Si02// Radiation Measurement.- v. 38.- 2004.- P. 649-653.

74. M. Schmidt, J. Heitmann, R. Scholz and M. Zacharias. Bright luminescence from erbium doped nc-Si/Si02 su-perlattices// J. Non-Crystalline Solids.- v. 299-302.2002.- P. 678-682.

75. M. Zacharias, S. Richter, P. Fischer, M. Schmidt and E. Wendler. Room temperature luminescence of Er doped nc-Si/Si02 superlattices// J. Non-Crystalline Solids.-v. 266-269.- 2000.- P. 608-613.

76. Качурин Г.А., Реболе JI., Скорупа В., Янков Р.А., Тыс-ченко И.Е., Фреб X., Беме Т., Лео К. Коротковолноваяфотолюминесценция слоев Si02, имплантированных большими дозами ионов Si+, Ge+ и Аг+// ФТП.- Т. 32.- в. 4.1998.- С. 439-444.

77. Барабан А.П., Малявка JI.B. Эффекты дальнодействия в ионно-имплантированных структурах кремний-двуокись кремния// ПЖТФ.- 1997.- Т. 23.- в. 20.- С. 26-31.

78. Барабан А.П., Милоглядова J1.B. Дефекты и дефектообра-зование в окисном слое ионно-имплантированных структур кремний-двуокись кремния// ЖТФ.- 2002.- Т. 72.- в. 5.-С. 56-60.

79. Барабан А.П., Коноров П.П., Малявка Л. В., Трошихин А.Г. Электролюминесценция ионно-имплантированных структур кремний-двуокись кремния// ЖТФ.- 2000.- Т. 70.- в. 8.- С. 87-90.

80. Качурин Г.А., Реболе JI.f Тысченко И.Е., Володин В.А. , Фельсков М., Скорупа В., Фреб X. Формирование центров фотолюминесценции при отжиге слоев Si02, имплантированных ионами Ge// ФТП.- 2000.- Т. 34.- в.1.- С. 23-27

81. Methods in Physics Research В.- v. 127/128.- 1997.-P.583-586.

82. Т. Shimizu-Iwayama and N. Kurumado. Optical properties of silicon nanoclusters fabricated by ion implantation// J. Appl. Phys.- v. 83.- № 11.- 1998.- P. 6018-6022.

83. С. Wu. С. H. Crouch, L. Zhao and E. Mazur. Visible luminescence from silicon surfaces microstructured in air// Appl. Phys. Lett.- v. 81.- № 11.- 2002.- P. 1999-2001.

84. Образцов A.H., Тимошенко В.Ю., Окуши X., Ватанабе X. Сравнительное исследование оптических свойств пористого кремния и оксидов SiO и Si02// ФТП.- Т. 33.- в. 3.1999.- С. 322-326.

85. Т. Torchinska, J. Aguilar-Hernandez, М. Morales-Rodriguez, et all. Comparative investigation of photi-luminiscence of silicon wire structures and silicon oxide films// Journal of Physics and Chemistry of Solids.- v. 63.- 2002.- P. 561-568.

86. Т. V. Torchynska, В. M. Bulakh, G. P. Polupan et all. Comparative investigation of surface structure, photoluminescence and its excitation in silicon wires// Journal of Electron Spectroscopy and Related Phenomena.- v. 114-116.- 2001.- P. 235-241.

87. E. Degoli and S. Ossicini. The electronic and optical properties of Si/Si02 superlattices: role of confined and defect states// Surface Science.- v. 470.- 2000.-P.32-42.

88. Журавлев К.С., Кобицкий А.Ю. Рекомбинация автолокали-зованных зкситонов в нанокристаллах кремния, сформированных в оксиде кремния// ФТП.- Т. 34.- в. 10.- 2000.-С. 1154-1157.

89. J. S. de Sousa, Н. Wang, G. A. Farias, V. N. Freire and E. F. da Silva Jr. Strong exciton energy blue-shift in annealed Si/Si02 quantum wells// Applied Surface Science.- v. 166.- 2000.- P. 469-474.

90. D. Kovalev, H. Heckler, G. Polisski, J. Diener and F. Koch. Optical properties of silicon nanocrystals// Optical Materials.- v. 17.- 2001.- P. 35-40.

91. Саченко А.В., Каганович Э.Б., Манойлов Э.Г., Свечников С.В. Кинетика экситонной фотолюминесценции в низкоразмерных структурах кремния// ФТП.- Т. 35.- в. 12.2001.- С. 1445-1451.

92. Каганович Э.Б., Манойлов Э.Г., Базылюк И.Р., Свечников С. В. Спектры фотолюминесценции нанокристаллов кремния// ФТП.- Т. 37.- в. 3.- 2003.- С. 353-357.

93. Ш.Дракин К.А., Манжа Н.М., Патюков С.М., Чистяков Ю.Д. Стабилизация сопротивления пленок поликристаллического кремния при физикотермических воздействиях// Электронная промышленность. 1988.- вып. 7. - С. 35-38.

94. Глебов А.С., Зайцев Н.А., Манжа Н.М. Снижение величины эффективного заряда в МДП-структурах// Электронная промышленность.- 1994.- № 1.- С. 71-72.

95. Зайцев Н.А., Шурчков И.О. Структурно-примесные и электрофизические свойства системы Si02-Si.- М.: Радио и связь.- 1993.- 192 с.

96. Irene Е. A., Tierney Е. Viscous flow model to explain the appearance of high density thermal Si02 at low oxidation temperature// J. Electrochem. Soc.- 1982.-vol. 129.- № 11.- P. 2594-2599.

97. Литвиненко С.А., Соколов В.И., Федорович Н.А. Влияние температуры окисления на механизм напряжения в пленках двуокиси кремния на кремнии// ФТТ.- 1985.- Т. 27.- № 11.- С. 3504-3506.

98. Румак Н.В. Система кремний-двуокись кремния в МОП-структурах.- Минск: Наука и техника.- 1986.- 240 с.

99. Верховский Е.И., Епифанов Г.И. Внутренние напряжения в пленках моно- и двуокиси кремния// Обзоры по электронной технике. Сер. 2. Полупроводниковые приборы.-1982.- Вып. 9.- 23 с.

100. V.I. Sokolov, N.A. Fedorovich. Mechanical stresses on the Si-Si02 interface// Phys.stat.sol. (a).- v. 99.1987.- P.151-158.

101. Денисенко А.И., Литвиненко С.А., Соколов В.И. Анализ элементарных процессов, протекающих при формированииструктуры диэлектрик-полупроводник// Препринт ФТИ им. А.Ф.Иоффе РАН, № 1469, 1990.- 35 с.

102. Schaeffer Н. Oxygen and silicon diffusion-controlled processes in vitreous silica// J.Non-Cryst.Sol.- vol. 38-39,- 1980.- P. 545-550.

103. Соколов В.И., Плотников В.В., Скворцов A.M., Фролкова Е.Г., Халецкий Р.А. Стационарное окисление кремния// Известия ВУЗов. Электроника.- 2002.- С. 17-21.

104. Красников Г.Я., Зайцев Н.А. Система кремний диоксид кремния субмикронных СБИС.- М.: Техносфера, 2003.- 384 с.

105. Bravman J.С., Sinclair R. The Morphology of the polysilicon-Si02 interface// Thin films and interface. 2 Symp. Boston, Mass., 14-18 Nov., 1983.- New York.-1984.- P. 311-316.

106. Howe K.T., Muller R.S. Stress in polycrystalline and amorphous silicon thin films// J. Appl. Phys.- 1983.-vol. 54.- № 8.- P. 4674-4675.

107. D.M. Fleetwood, R.A. Reber Jr., L. C. Riewe, P.S. Wi-nokur. Thermally stimulated current in Si02// Microelectronics Reliability.- 1999.- v. 39.- P. 1323-1336.

108. Геворкян P.Г. Курс физики: учебное пособие.- М.: Высш. школа, 1979.- 656 с.

109. Попов В.Д. Пострадиационный контроль в ИС. Неразру-шающий контроль качества ИС// Электроника: Наука, технология, бизнес.- 2002.- № 4.- С. 36-39.