Дырочный транспорт и накопление радиационно-индуцированного заряда в подзатворном окисле моп-структур при криогенных температурах тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 01.04.10, кандидат физико-математических наук Вишняков, Алексей Витальевич

• Вишняков, Алексей Витальевич
• кандидат физико-математических наук
• 1999

Оглавление диссертации кандидат физико-математических наук Вишняков, Алексей Витальевич

ВВЕДЕНИЕ

ГЛАВА 1. ЭЛЕКТРОННЫЕ ПРОЦЕССЫ В МОП- СТРУКТУРАХ,

СТИМУЛИРОВАННЫЕ РАДИАЦИЕЙ (ОБЗОР ЛИТЕРАТУРЫ).

1.1.Действие ионизирующего излучения на структуры МДП

1. 2 . Транспорт электронов и дырок в окисле.

1.3.Релаксация индуцированного радиацией положительного заряда в окисле.

1.4.Генерация поверхнныхстояний (п)на границе раздела 31/5Ю2 при облучении.

1.5.Моделирование процесса- накопления заряда в окисле

МОП-структур при облучении.

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Дырочный транспорт и накопление радиационно-индуцированного заряда в подзатворном окисле моп-структур при криогенных температурах»

Оксид кремния до настоящего времени продолжает оставаться основным изолирующим материалом в миьфоэлектронике. С этим связан интерес специалистов к процессам, происходящим в окисле при облучении, полевой инжекции, фотоинжекции. Практическая значимость изучения этих процессов обусловлена применением радиационных технологий, деградацией приборов при эксплуатации, применением полупроводниковых приборов и интегральных схем в условиях повышенного уровня радиации и связанной с этим необходимостью моделирования поведения МДП-приборов в условиях облучения. Необходимость надежного функционирования электроники при повышенном уровне радиации требует создания радиационно-стойких полупроводниковых приборов. Сказанное выше относится прежде всего к криогенной микроэлектронике, где, в силу особенностей транспорта дырок,индуцированный облучением заряд в окисле намного превышает заряд при комнатной температуре.

Физической первопричиной, вызывающей радиационные изменения параметров ЩП-структур, является генерация в диэлектрике при облучении электронно- дырочных пар, их пространственное разделение в электрическом поле и захват носителей заряда на ловушки. Дырки по мере дрейфа в приложенном поле частично захватываются на ловушки, расположенные в запрещенной зоне окисла вблизи его границ, что приводит к встраиванию положительного заряда в окисел и сдвигу вольт-амперных и вольт- фарадных характеристик МДП-структур. При криогенных температурах дырочный транспорт подавлен (дырки захватываются на ловушки вблизи точки своего рождения ) и происходит только в полях больше 4-106В/см.

Относительно возможного механизма дырочного транспорта в термическом окисле до настоящего времени существует две точки зрения: имеет место либо прыжковый перенос по ловушкам распределенным в запрещенной зоне окисла, либо многозахватный, лимитируемый выбросом с ловушек перенос дырок по валентной зоне. Модель прыжковой проводимости с участием поляроков малого радиуса, ранее применявшаяся для. . описания электронного (дырочного) транспорта в некоторых веществах, нами была использована для исследования возможных механизмов переноса дырок в пленках термического оксида кремния /91/.

Перенос дырок в подзатворном окисле МОП-структур легко экспериментально изучать, наблюдая растекание неоднородно распределенного захваченного заряда при криогенных температурах /90/ ■ (под криогенными температурами мы понимаем температуры, равные и немного выше точки кипения азота - от 77 до 100К) . Таким методом нами была оценена характерная длина пробега дырок между захватами.

Захваченные вблизи границы 5±/ЗЮ2 дырки частично рекомбинируют с туннелируюш^ми из кремниевой подложки электронами. Существующие в настоящее время модели туннельной рекомбинации, как показано в главе 1 диссертации, не объясняют сильную температурную зависимость скорости стекания заряда после облучения.

При комнатной температуре на границе Si/Si02 под действием радиации образуются поверхностные состояния, дающяе вклад в изменение порогового напряжения МДП-приборов. Для р-канальных МОП-транзисторов заряд на поверхностных состояниях положителен и складывается с положительным зарядом в окисле, для п-канальных транзисторов заряд отрицателен и вычитается от заряда в окисле. При повышенной температуре и большом времени выдержки после облучения для n-канальных транзисторов имеет место сверхвосстановление (rebound), когда отрицательный заряд на поверхностных состояниях превышает положительный заряд в окисле. При криогенных температурах поверхностные состояния на границе кремний/окисел при облучении практически не образуются.

Для прогнозирования последствий действия радиации на полупроводниковые приборы важное значение имеет численное моделирование деградации приборов под действием облучения и после него. Создание адекватных математических моделей предполагает необходимый уровень понимания протекающих процессов. Существующие численные расчеты, описывающие накопление заряда в окисле при облучении при криогенных температурах; используют упрощающие предположения, не учитывающие полевой зависимости вероятности разделения электронно-дырочных пар, вероятности туннелирования, сечения рекомбинации. Учет полевой зависимости двух последних, как показывают результаты главы 4 диссертации, важен для количественного описания накопления заряда в окисле. Сравнение результатов расчета с экспериментом необходимо провести в более широком диапазоне толщин окисла и смещений на затворе, чем это делалось ранее.

В представляемой работе нами будут рассматриваться процессы, протекающие в МОП-системах при облучении электронами. Тем самым будут опущены случаи облучения тяжелыми частицами (нейтроны, протоны, а-частииы, ионы тяжелых металлов).

В связи с изложенным выше нами были поставлены следующие цели работы: 1)Определение механизмов дырочного транспорта в окисле и туннельной рекомбинации дырок, захваченных вблизи границы с кремнием; 2)Разработка математических моделей, описывающих действие излучения на МДП-системы при криогенных температурах.

Основные задачи исследования: 1.Экспериментально исследовать механизм дырочного транспорта в окисле. Изучить особенности растекания индуцированного облучением в подзатворном окисле неоднородно распределеного положительного заряда под действием приложенного поля при криогенных температурах.

2.Применить представление о поляроне малого радиуса к теоретическому исследованию механизма переноса дырок в окисле. В рамках данного представления исследовать модели стохастического прыжкового транспорта дырок по локализованным состояниям и многозахватного, лимитируемого выбросом с ловушек переноса дырок по валентной зоне окисла.

3.Построить физическую модель, описывающую туннельную рекомбинацию захваченного в окисле вблизи границы с кремнием положительного заряда, с учетом сильной температурной зависимости скорости стекания.

4.Провести численное моделирование накопления заряда в подзатворном окисле МОП-структуры при облучении при комнатной температуре. Определить параметры модели, провести сравнение с экспериментом и выявить влияние различных типов распределения ловушек по толщине окисла на результаты расчета.

5.Провести численное моделирование генерации радиационно-индуцированного заряда в подзатворном окисле при криогенных температурах с учетом полевых зависимостей кинетических коэффициентов. Сравнением, с экспериментом в широком диапазоне толщин окисла и смещений на затворе провести проверку применимости модели. Выявить физические механизмы, определяющие величину встраиваемого в окисел при облучении заряда.

Научная новизна работы:

1.На основе исследования особенностей растекания индуцированного радиацией положительного заряда, локализованного вблизи затвора МОП-структур^ предложен метод определения средней длины пробега дырок в окисле. Показано, что результаты, полученные при применении этого метода, хорошо согласуются с многозахватным механизмом переноса дырок и противоречат модели стохастического прыжкового транспорта по локализованным состояниям.

2.Применена модель прыжковой проводимости с участием поляронов малого радиуса для теоретического исследования возможных механизмов переноса дырок в окисле: стохастического транспорта по ловушкам и многозахватного переноса. Показано, что результаты расчетов для многозахватного механизма лучше согласуются с экспериментом.

3.Показано, что релаксация положительного заряда в окисле при комнатных температурах определяется туннельной рекомбинацией дырок на ловушках, расположенных в окисле на расстояниях до 4нм от границы 31/3102? с энергией находящейся в диапазоне от края зоны проводимости до края валентной зоны кремния.

4.Численным расчетом показано, что представление о локализации ловушек для дырок вблизи границ окисла лучше соответствует экспериментальным данным по накоплению радиационно-индуцированного заряда при комнатной температуре, чем представление об однородном распределении ловушек по толщине. Определены отношения коэффициентов захвата к подвижности для электронов и дырок.

5. С помощью численного моделирования накопления радиационно-индуцированного заряда в окисле МОП-структур при криогенных (77-100К) температурах показано, что величина заряда в окисле в насыщении, т.е. при больших дозах облучения, устанавливается в результате баланса тока электронов из окисла и одной из дырочных составляющих тока- дырочного транспорта по ловушкам или туннельной рекомбинацией с электронами. При смещениях на затворе меньше 3-5вольт заряд лимитируется туннельной рекомбинацией, а при смещениях больше 3-5вольт -дырочным транспортом. На основе представления о балансе полного тока в равновесии приведена оценка влияния обоих механизмов на заряд в окисле и сделан вывод о существенном влиянии диффузии электронов на заряд в окисле при смещениях на затворе близких к нулю.

Практическая значимость работы.

Сформулированные в работе математические модели для накопления заряда хорошо описывают деградацию приборов под действием радиации при 300К и криогенных температурах и являются основой для прогнозирования изменения параметров МОП-приборов при облучении и после него, оптимизации параметров приборов с целью повышения радиационной стойкости. Результаты исследований позволяют проанализировать механизмы изменений, происходящих, в окисных пленках кремния при изготовлении МДП-приборов и интегральных схем с использованием радиационных технологий.

Положения, выносимые на защиту:

1.Транспорт радиационно-индуцированньк дырок в термическом подзатворном окисле МОП-структур при криогенных температурах происходит по механизму многозахватного переноса.

2.Стационарная величина положительного заряда, захваченного в окисле МОП-структур при низкотемпературном облучении определяется дырочным транспортом по ловушкам и туннельной рекомбинацией захваченных вблизи границ окисла дырок.

Структура диссертации

Диссертация состоит из введения, четырех глав, заключения, изложена на 152 страницах текста, содержит 30 рисунков и список литературы из 93 наименований.

Заключение диссертации по теме «Физика полупроводников», Вишняков, Алексей Витальевич

1.Результаты исследования растекания заряда при криогенной температуре явно говорят в пользу многозахватного механизма перед прыжковым транспортом по ловушкам по крайней мере при криогенных температурах. Даже с учетом возможного несовершенства предложенной методики полученная оценка длины пробега А>20нм представляется достаточной для такого утверждения. Применение теоретической концепции прыжковой проводимости поляронов малого радиуса для исследования обоих возможных механизмов дырочного транспорта показало: для стохастического прыжкового транспорта по ловушкам не удается (по крайней мере в рамках использованных предположений-взаимодействие полярона с одной модой, приближение наибольшего времени прыжка) добиться хорошего согласия с экспериментом; в случае многозахватного механизма удается достичь большего успеха даже в рамках рассмотренных упрощенных моделей. Таким образом, наши исследования говорят в пользу многозахватного механизма переноса дырок.

Предложенная качественная модель релаксации заряда после облучения утверждает, что ответственные за положительный заряд ловушки являются медленными поверхностным/! состояниями (медленными состояниями диэлектрика по терминологии /1/). На это указывает их энергетическое положение- напротив запрещенной зоны кремния^и факт их появления в результате облучения. Вывод о том, что захват дырок происходит не на "биографические" ловушки в окисле, а на медленные поверхностные состояния следует из ■■ предположения о простом обмене электронами между ловушками и кремнием в процессе стекания заряда.

2. Результаты моделирования облучения при криогенных температурах, которые мы оцениваем как вполне удовлетворительные, указывают на адекватность развитой модели. Небольшие расхождения расчета и эксперимента нами были указаны и проанализированы. Удовлетворительные результаты моделирования обусловлены на наш взгляд как учетом известных эмпирических зависимостей, так относительно более простым случаем облучения при криогенных температурах-отсутствие вклада поверхностных состояний, транспорт низкотемпературной" компоненты заряда достаточно просто описывается, заряд на глубоких ловушках у границы окисла дает небольшой вклад. Важное значение для понимания значимости тех или иных процессов при генерации заряда в окисле при криогенных температурах имеют соображения о балансе полного тока в окисле в насыщении (т.е. о сохранении полного электрического заряда) а также полученные при этом простые оценки сдвига напряжения плоских зон.

Случай моделирования облучения при комнатной температуре, более сложен по сравнению с облучением при криогенных температурах. Причин этому несколько: вклад поверхностных состояний,сложный характер распределения ловушек вблизи обеих границ окисла. Параметры, характеризующие распределение ловушек существенным образом определяют

131

ЛУвэ ^ поэтому решение является многопараметрическим, что усложняет задачу моделирования.

В заключение автор хотел бы выразить признательность Болотову Валерию Викторовичу—за руководство и сотрудничество в работе, Камаеву Геннадию Николаевичу-за проведение облучений, Эмексузяну Вячеславу Мелконовичу — за помощь в проведении емкостных измерений, Смирнову Леониду Степановичу—за работу и замечания по тексту диссертации, соавторам и коллегам, сотрудникам лаборатории 23, всему Отделу Радиационной Физики ИФП СО РАН—за помощь в работе,. стимулирующие и плодотворные обсуждения.

Результаты проведенных ' исследований были представлены и обсуждались на Всесоюзной научной конференции "Физика окисных пленок" (Петрозаводск,1991), Всесоюзном совещании "Радиационная физика полупроводников" (Новосибирск, 1988), 4 Международной конференциии по прыжковой проводимости и связанным с ней явлениям (Марбург, ФРГ, 1991), 2 Международной конференции по пространственному заряду в диэлектриках (Антибы, Франция, 1995). Основные результаты работы изложены в б публикациях: 88-93 .

СПИСОК УСЛОВНЫХ ОБОЗНАЧЕНИЙ И СОКРАЩЕНИЙ:

МОП -металл-диэлектрик-полупроводник; п. с.-поверхностные состояния;

-плотность поверхностных состояний;

Ды35-изменение плотности поверхностных состояний; яэ/ Упз -напряжение плоских зон МОП-структуры;

ДУ^, ДУпз -сдвиг напряжения плоских зон МОП-структуры;

Ут -пороговое напряжение МОП-транзистора;

ДУТ -сдвиг порогового напряжения МОП-транзистора;

Т -абсолютная температура; t -время( облучения, отжига); х -декартова координата, направленная поперек тощины окисла; Е-электрическое поле в окисле, энергия; Да/ Е>р- коэффициенты диффузии для электронов и дырок; ип, ¿ир -подвижности электронов и дырок; Ы, Ыт-об'емная концентрация дырочных ловушек в окисле; рт-об'емная концентрация захваченного положительного заряда в окисле;

X -средняя длина пробега дырок в многозахватной модели; а -безразмерный параметр характеризующий растянутость во времени релаксационных кривых ДУ:йэ (1;);

1/2 -характерное время удаления половины заряда из окисла; Хй -толщина окисла; напряжение на затворе МОП-структуры

2 4 6 8 10 12

Рис.4.1.Дозовая зависимость изменения порогового напряжения. Эксперимент. Плотность тока пучка 0.2 мкаА/см2. Смещение на затворе: ОВ-кривая 2, -ЗВ-кривая 3, -10В-кривая 4, -1В-кривая 5, +10В-кривая 1 (а, б) до дозы 3.8 1014см~2 и: ОВ-кривая 1а, -10В-кривая 16 выше дозы 3.8 1014см~2. лУт,В

Рис.4.3. Сдвиг порогового напряжения как функция смещения на затворе после облучения дозой 3.8 1014см~2. Сплошная кривая - расчет для однородного распределения,значения параметров те же,что и на рис.4.2.

AVT.B

10 В i i у / i// ш/ i.I.!.L 3

1.1.!.

0B -10B

-3B -1B

11

-14 ■-> Ф 1U см

Рис.4.5.Результаты расчета дозовых зависимостей порогового напряжения для двухслойного распределения ловушек при различных смещениях на затворе, толщина обоих слоев 4нм. yjfin =2.2 10~8В см, ур//./.р=0. 9.10~8

В.см, N(Si/SiOz) =9.4 1018 см"3, N(A1/Si02)= 9.4 1019см~3.

Рис.4.6.Релаксация ДУа при различных смещениях на затворе. Все времена в единицах Толщина окисла 50нм. о-р-тип, Уе=-20В; 0-р,-25В; П-р,-ЗОВ; Д-р,-28В; •-п,+20В; ♦-п,+25В; и-п,+30В.

Сплошная кривая- используемая аппроксимация (см.текст).

Рис.4.11.Расчетная кривая зависимости ДУа от времени при облучении электронным пучком со средней плотностью □=0.2 мкА/см2. Толщина окисла 50нм.Туннелированием и дырочным транспортом пренебреналось. Смещение на затворе: +2В-кривая 1, +5В-кривая 2, +10В-кривая 3. Точками на кривых показаны экспериментальные значения ДУ£Ь при соответствующих смещениях на затворе.

100 150

1,с

Рис.4.12а.Расчетное среднее расстояние от слоя захваченного заряда до границы 31/31С>2 при облучении. Туннелированием и дырочным транспортом пренебрегалось. Все параметры и обозначения те же,что и на рис.4.11. Смещение на затворе: +2В-кривая 1, +5В-кривая 2, +10В-кривая 3.

ЗАКЛЮЧЕНИЕ.

Изложение материала в диссертации было разделено, как легко было видеть, на исследование физических процессов стимулированных облучением в окисле -глава 3, и проблему моделирования действия облучения на МДП- структуры -глава 4. В заключении нам хотелось бы подвести итоги по обоим этим направлениям исследования.

Список литературы диссертационного исследования кандидат физико-математических наук Вишняков, Алексей Витальевич, 1999 год

1. Вавилов В.С.,Киселев В.Ф.,Мукашев Б.Н.Дефекты в кремнии и на его поверхности-М. .Наука, 1990,216с.,ил.

2. Гриценко В.А.Строение и электронная структура аморфных диэлектриков в кремниевых МДП-структурах.-Новосибирск.: Наука, 1993,280с.,ил.

3. Aubuchon KG.Radiation hardening of p-MOS devices by optimization of the thermal Si02 gate insulator.-ffiEE Trans.on Nucl.Sci.,1971, V.18,N 6,p.ll7-125.

4. Debenwick G.K.,Gregory B.L.Process optimization of radiation- hardened CMOS integrated circuits.EEEE Trans.on Nucl. Sci., 1975, V.22,N 6,p.2151-2156.

5. Swartz G.A.Two-step-temperature oxidation for improved oxide integrity in radiation hardened MOS devices with edge topology.- RCA Review, 1986,V.47,p. 154-161.

6. Wrnokur P.S.,Enett E.В.,Fleetwood D.M.,Dressendorfer P.V., Turpin D.C.Optimizing and controlling the radiation hardness of a Si-gate CMOS process.-IEEE Trans, on Nucl. Sci.,1985,V.32, N 6,p.3955-3960.

7. Вавилов В.С.,Ухин Н.А.Радиационные эффекты в полупроводниках и полупроводниковых приборах -М.: Атомиздат, 1969,312с.,ил.

8. Митчел Дж.,Уилсон Д. Поверхностные эффекты в полупроводниковых приборах,вызванные радиацией-М.: Атомиздат, 1970,93с.,ил.

9. Ausman G.A., McLean F.B.Electron-hole pair creation energy in Si02.-Appl.Phys.Lett.,1975,V.26,N 4,p.l73-175.

10. Boesch H.E.,McGanity J.M.Carge yield and dose effect in MOS capacitors at 80К,-EEEE Trans.on Nucl.Sci., 1976,V.23, N 6,p. 1520-1525.

11. Benedetto J.M.,Boesch H.E.The relationship between 60Co and lOkeV X-ray damage in MOS devices.-lEEE Trans, on Nucl.Sci.,1986,V.33,N 6,p. 1318-1323.

12. Hughes R.C.Hole mobility and transport in thin SiChfilms.-Appl.Phys.Lett., 1975,V.26,N 8,p.436-438.

13. McGanity J.M.Consideration for hardening MOS devices and circuits for low radiation doses.-IEEE Trans.on Nucl. Sei.,1980,V.27,N 6,p. 1739-1744.

14. Saks N.S.,Ancona M.G.,Modolo J.A.Radiation effects in MOS capacitors with very thin oxiges at 80К.-ШЕЕ Trans.on Nucl.ScL, 1984,V.31,N 6,p. 1249-1255.

15. Sander H.H.,Gregory B.L.Unified model of damage annealing in CMOS, from freeze-in to transient annealing.-IEEE Trans.on Nucl.ScL,1975,V.22,N 6,p.2157-2162.

16. Otlirner S.,Srour J.RElectron trauspoit in SiOî films at low temperatures.-bi:The phys. of MOS insulators. Lucovsky G., Pantelides S.T.,Galeener F.L.Ed., 1980,p.49-53.

17. Мотт Н.,Дэвис Э.Электронные процессы в некристаллических веществах. -М.:Мир, 1982,том 2,662с.,ил.

18. Hughes R.C.Change-carrier transport phenomena in amoiphous SiOî: direct measurement of the drift mobility and lifetime.-Phys.Rev.Lett.,1973,V.30,N 26,p. 13331336.

19. Goodman A.M.Electr on Hall effect in silicon-dioxide.- Phys.Rev., 1967,V. 164,N 3,p. 1145-1150.

20. Boesch H.E,McGanity J.M.,McLean F.B. Hole transport and recovery characteristic of Si02 gate insulators.-lEEE Trans, on Nucl.Sci.,1976,V.23,N 6,p.l506-1512.

21. Boesch HE.,McLean F.B.,McGanity J.M.,Austrian G.A.Hole transport and charge relaxation in irradiated Si02 MOS capasitors.-ŒEE Trans, on Nucl.Sci.,1975,V.22,N 6, p.2163-2167.

22. McLean F.B.,Ausman G.A.,Boesch H.E.,McGanity J.M. Application of stochastic hopping transport to hole conduction in amoiphous Si02.- Joum. of Appl.Phys.,1976,V.47,N 4,p. 1529-1532.

23. Boesch H.E.,McLean F.B.,McGarrity J.M.AVinokur P.S. Enhanced flatband voltage recovery in hardened thin MOS capacitors.- IEEE Trans, on Nucl.Sci.,1978,V.25, N 6,p. 1239-1245.

24. Boesch H E.,McLean F.B.Hole transport and trapping in field oxides.-IEEE Trans, on Nucl.Sei., 1983,V.32,N 6, p.3940-3945.

25. Hughes R.C.Time resolved hole transport in a-SiCh. -Phys.Rev.B,1977,V.15,N 4,p.2012-2020.

26. Белоусов И.И.,Ефимов В.M.,Синица С.П. Электропроводность слоев SiC>2 полученных при низких температурах.-МЭ,1987, т.16,в.З,с.275-280.

27. McLean F.B.Generic impulse response function for MOS system and its application to linear response analysis. -IEEE Trans, on Nucl.Sci. ,1988,V.35,N 6, p. 1178-1185.

28. Scher H.,Montrol E.W.Anomalous transit-time dispersion in amorphous solids.-Phys.Rev.B,1975,V. 12,N 6, p.2455-2477.

29. Scher H.,Lax M. Stochastic transport in a disordered solids.I. Theory. -Phys.Rev.B.,1973,V.7,N 10, p.4491-4502.

30. Scher H.,Lax M. Stochastic transport in a disordered solids. ILImpurity conduction.-Phys.Rev.B, 1973, V.7, N 10,p.4502-4519.

31. Srour J.R,Othmer S.,Curtis O.L.,Chiu K.Y.Radiation- induced charge transport and charge buildup in Si02 films at low temperatures.-EEEE Trans.on Nucl.Sci., 1976, V.23, N 6, p.1513-1519.

32. Cuitis O.L.,Srour J.R.The multiple-trapping model and hole transport in SiO2.-J.of Appl.Phys.,1977,V.48, N 9,p.3819-3831.

33. Oldham T.R., Lelis A.J., McLean F.B. Spartial dependence of trapped holes determined from tunneling analysis and measured annealing.-IEEE Trans.on Nucl.Sci., 1986,V.33,N 6, p. 1203-1209.

34. McWhoiter P.J.,Miller S.L.,Miller W.M. Modeling the anneal of radiation-induced trapped holes in a varying thermal environment.-IEEE Trans.on Nucl.Sci.,1990,V.37, N 6,p.1682-1689.

35. Lakshmanna V.,Vengurlekar A.S.Logarithmic detrapping responce for holes injected into Si02 and the influence of thermal activation and electric fields.-J. Appl.Phys.,1988,V.63,N 9, p.4548-4554.

36. Schwank J.R.,Winokur P.S.,McWhorter P.J.Sexton F.W.,Dressendorfer P.V.,Turpin D.C.-Physical mechanism contributing to device "rebound".-IEEE Trans.on Nucl.Sci., 1984,V.31,N 6, p. 1434-1438.

37. Kuboyama S.,Goka Т., Tamura T. A bias voltage dependence of trapped hole annealing and its measurement tequnique. -ШЕЕ Trans.on Nucl.Sci., 1991, V.38,Pait 1,N 6,p. 1140-1144.

38. Boesch H.E.,Oldham T.R, McLean F.B. Reversibility of trapped hole annealmg.-ffiEE Trans.on Nucl.Sci., 1988, V.35,N 6,p. 1186-1191.

39. Баринов Ю.В.,Безбородов В.H.,Емельянов В.В.,Першенков B.C. Исследование кинетики термостимулированной релаксации объемного заряда в окисле структур металл-окисел-полупроводник облученных -квантами 60Со.-ФТП., 1995, т.29, в.2, с.323-327.

40. Юсов Ю.П.,Ведерников В.В.,Лавренцов В.Д.Дорохина Л.Н. Восстановление параметров МДП-приборов После воздействия ионизирующего излучения.-ЗЭТ, 1987, N 8, с.3-47.

41. Баринов Ю.В.,Гайсин Ф.Е., Усеинор Р.Е. ,Чайковский Н.Е. Влияние Мощности дозы гамма-облучения на сдвиг порогового напряжения МОП-транзисторов-ФТП,1985, т. 19, в. 10, с. 1883-1885.

42. Johnston A.H.,Roeske S.В.Total dose effects at low dose rates.-ШЕЕ Trans on Nucl.Sci., 1986, V.33, N 6, p. 1487-1492.

43. Schrimpf R.D.,Wahle P. J., Andrew s R.C.,Cooper D.B., Galloway K.F.Dose-rate effects oil the total-dose threshold-voltage shift of power MOSFETs.-lEEE Trans, on Nucl.Sei., 1988, V.35, N 6, p. 1536-1540.

44. Neamen D.A.Modeling of MOS radiation and post irradiation effects.-IEEE Trans.on Nucl.Sei., 1984, V.31,N 6, p. 1439-1443.

45. H.E.Boesch,T.L.Taylor.Charge and interface states generation in field oxides.-DEEE Trans.on Nucl.Sei., 1984, V.31, N 6, p. 1273-1279.

46. P.M.Lenahan,P.V.Dressendorfer.Hole traps and trivalent silicon centers in metal/oxide/silicon devices.-J.Appl.Phys., 1984, V.55, N 10, p.3495-3499.

47. P. J.McWhorter.,P. S.Winokur,R. A.Pastorek.Donor/ Acceptor nature of radiation-iedeced interface traps.-IEEE Trans.on Nucl.Sei., 1988, V.35, N 6, p. 1154-1159.

48. N.S.Saks,C.M.Dozier,D.B.Brown.Time dependence of intenface trap formation in MOSFETs following pulsed irradiation.-IEEE Trans.on Nucl.Sei., 1988, V.35, N 6, p.1168-1177.

49. F.B.McLean.A framework for understanding radiation- induced interface states in Si02 MOS structures. -IEEE Trans.on Nucl.Sei., 1980, V.27, N 6, p. 1651-1657.

50. N.S. Saks,M.G.Ancona,J. A.Modolo.Generation of interface states by ionizing radiation in very thin MOS oxides.- IEEE Trans.on Nucl.Sei., 1986, V.33, N 6, p. 1185-1190.

51. H.E.Boesch.Time-dependent interface trap effects in MOS devices.-IEEE Trans.on Nucl.Sei., 1988, V.35, N 6, p. 1160-1167.

52. J.R. Schwank, P.S.Winokur, F.W. Sexton, D.M.Fleetwood, T.H.Perry, P. V.Dressendorfer, D.T.Sanders, D.C.Turpin. Radiation-induced interface-state generation in MOS -devices.-IEEE Trans, on Nucl.Sei., 1986, V.33, N 6, p. 1178-1184.

53. P.S.Winokur,H.E.Boesch.Interface state generation in radiation-hard oxides.-EEEE Trans.on Nucl.Sei., 1980, V.27, N 6,p. 1647-1650.

54. M.L.Reed,J,D.Plummer.Two reaction model of interface trap annealing.-IEEE Trans.on Nucl.Sci., 1986, V.33, N 6, p.1198-1201.

55. N.S.Saks,M.G.Ancona.Generation of interface states by ionizing radiation at 80K measured by charge pumping and subthreshold slopn technuques.-ГЕЕЕ Trans.on Nucl.Sci., 1987, V.34, N 6, p. 1348-1354.

56. R.K.Freitag,C.M.Dozier,D.B.Brown.Growth and annealing of trapped holes and interface states using time-dependent biases.-EEEE Trans.on Nucl.Sci., 1987, V.34, N 6, p.1172-1177.

57. Sabnis A.G.Process dependent build-up of interface states in irradiated n-chanuel MOSFETs.-IEEE Trans.on Nucl.Sci., 1985, V.32, N 6, p.3905-3909.

58. Mitchel J. Radiation-induced space-charge buildup in MOS- structures. -ШЕЕ Trans.on Electron Dev.,1967, V.14, N 11, p.764-774.

59. Churchill J.N.,Holmstron F.E.,Collins T.W. Modelling of irradiation-induced changes in the electrical properties of metal-oxide-semiconductor structures. -Adv.in electronic and electron phys., 1982, V.58, p. 1-79.

60. Sokel R.,Hughes R.C.Numerical analysis of transient photoconductivity in insulator.-J.Appl.Phys., 1982, V.53,N 11, part l,p.7414-7424.

61. Vasidevan V.,Vasi J.A numerical simulation of hole and electron trapping due to radiation in silicon dioxide. -J.Appl.Phys., 1991, V.70, N 8, p.4490-4495.

62. Гуртов В.А.Радиационные процессы в структурах металл- диэлектрик-полупроводник: Учебное пособие. -Петрозаводск: Изд. Петрозаводск, унив., 1988,96с.

63. Tkachev Y.D., Lysenko V.S., Turchanikov V.I. Modelling of radiation-induced charge trapping at the Si*-Si02 inteface of MOS-structure.-Phys.Stat.Sol.(a), 1993, V. 140, N 1, p.163-171.

64. Niiig Т.Н.High-field capture of electron by coulomb- attractive centres in SiO?.-J.Appl.Phys., 1976, V.47, N 7, p.3203-3208.

65. Boesch H.E.,McLean F.B.,Benedetto J.M.,McGarrity J.M. Saturation of threshold voltage shift in MOSFET's at high total dose.-IEEE Trans.on Nucl.Sci., 1986, V.33, N 6, p. 1191-1197.

66. Nielsen R.L., Nichols D.K. Total dose effects of ionizing radiation on MOS structures at 90K.-IEEE Trans.on Nucl.Sei., 1973, V.20, N 6, p.319-325.

67. Klein R.B.,Saks N.S.,Shanfield Z.Saturation of radiation- induced threshold-voltage shifts in thin-oxide MOSFET's at 80K.-IEEE Trans.on Nucl.Sci., 1990, V.37, N 6, p. 1690-1695.

68. Зи.С.Физика полупроводниковых приборов.в 2-х книгах.Кн.2 -М.:Мир, 1984,456 е.,ил.

69. Scharfetter D.L.,Guinrnel H.K. Large-signal analysis of a silicon read diode oscilator.-EEEE Trans.on Electr.Dev., 1969, V. 16, N 1. p.64-77.

70. Harari E.,Wang S.,Royce B.S.H.Low-temperature irradiation effects in Si02-insulated MIS devices. -Journal of Appl. Phys., 1975, V.46, N 3, p.1310-1317.

71. Holstein T.Studies of polaron motion. Part II. The small polaron. -Annals of Phys., 1959, V.8, p.343-389.

72. Поляроны.Под ред.Ю.А.Фирсова.-М.:Наука, 1975, 423 е., ил.

73. Pantelides S.Т.,Harrison W.A.Electronic structure, spectra and properties of 4:2 coordinated materials. I.Crustallme and amoiphous Si02 and Ge02. -Phys.Rev.B, 1976, V. 13,N 6, p.2664-2691.

74. Yarnashita J.,Kurosava T. Heitler-London approach to ecectrical conductivity and application to d-electron conductions. -J.Phys.Soc.of Jap., 1960, V. 1 5, N 5, p.802-821.

75. Holstein T. Studies of polaron motion. Part 1. The molecular-crystal model. -Annals of Phys. ,1959, V.8, p.325-342.

76. Ernin D.Phonon-assisted transition rates. LOptical-phonon- assisted hopping in silids.-Adv.in Phys., 1975, V.24, N 3, p.305-348.

77. Bottger H.,Bxyksin V.V. Hopping conductivity in ordered and disordered systems(III).-Phys. Stat. Sol.(b), 1982, V.113,N 1, p.9-49.

78. Makram-Ebeid S.,Lannoo M.Quantum model for phonon-assisted tunnel ionization of deep levels in a semiconductor. -Phys.Rev.B, 1982, V.25, N 10, p.6406-6424.

79. Бургуэн Ж.,Ланно M. Точечные дефекты в полупроводниках: Теория М.Мир, 1984,263с.,ил.

80. Winokur P.S.,Boesch H.E.,McGanity J.M.,McLean F.B. Field- and time- dependent radiation effects at the Si02/Si interface of hardened MOS capacitors. -ШЕЕ Trans, on Nucl.Sci., 1977, V.24, N 6, p.2113-2118.

81. Srour J R.,Curtis O.L,Chin K.Y. Charge transport studies in Si02: processsing effects and implications for radiation hardening.-ШЕЕ Trans.on NucLSci., 1974, V.21, N 6, p.73-80.

82. Chang S.T.,Lyon S.A.Location of positive charge trapped near the Si/SiOi interface at low temperatures. Appl.Phys.Lett., 1986, V.48, N 2, p. 136-138.

83. Benedetto J.M.,Boesch H.E.,McLean F.B.,Mize J.P. Hole removal in thin-gate MOSFETs by tunneling. -ШЕЕ Trans.on nucl.Sci., 1985, V.32, N 6, p.3916-3920.

84. Shirley C.G. J.Elestroch.Soc. 1985.V. 132, N 2, p.488-499.

85. Weinberg Z.A.,Fischetti M.V.Investigation of the Si02-induced substrate current in silicon field-effect transistors. -J.Appl.Phys. 1985, V.57, N 2, p.443-452.

86. DiMaria D.J.,Fischetti M.V. Hot electron transport in silicon dioxide.-Proc.of the Symp.on the Phys. and Chem.of Si02 and the Si/Si02 interf. Ed.Hehns C.R,Deal В. E. ,N Y : Plenum., 1988. p.509-518.

87. Ахметов В.Д.,Болотов В.В., Вишняков А.В. Количественная модель накопления заряда в МДП-транзисторах под действием ионизирующего излучения.-ЖТФ, 1989, т.59, вып.7, стр.55-60.

88. Болотов В.В.,Вишняков А.В.Механизм переноса дырок в оксиде кремния при криогенных температурах.- В сборнике тезисов докладов III Всесоюзной научной конференции "Физика окисных пленок" (Петрозаводск, 1991), Петрозаводск;с.44.

89. Болотов ВВ., Вишняков А.В. Релаксация индуцированного радиацией положительного заряда в термическом Si02 под действием электрического поля,-Поверхность, 1993, N10, стр.79-85.

90. Bolotov V.V.,Vislmyakov А.V.Hopping mechanism of hole transport in Si02 at cryogenic temperatures. -Phys. Stat. Sol.(b), 1993, v.176, N1, p.157-162.

91. Болотов В.В., Вишняков А.В. Насыщение положительного заряда в окисле МОП-структур при облучении при криогенных температурах. -ЖТФ, 1996, т.66, вып. 10, стр. 145-154.

92. Bolotov V.V.,Vishnyakov A.V. Hopping Mechanism of Hole Transport in Si02 at Criogenic Temperatures.- In.: 4-th Int. Conf. On Hopping and Related Phenomena. (Marburg,FRG, 1991)