Исследование влияния структуры и состава пленок аморфного гидрогенизированного карбида кремния на механизмы переноса заряда тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 01.04.07, кандидат физико-математических наук Кашарина, Леся Алексеевна

• Кашарина, Леся Алексеевна
• кандидат физико-математических наук
• 2009

Оглавление диссертации кандидат физико-математических наук Кашарина, Леся Алексеевна

ВВЕДЕНИЕ.

Глава I ОБЗОР ЛИТЕРАТУРЫ.

1.1 Физические свойства аморфных полупроводников.

1.2 Электропроводность аморфных и микрокристаллических полупроводников.

1.3 Фотопроводимость аморфных полупроводников.

1.4 Фрактальное строение и перколяционная проводимость аморфных полупроводников.

1.5 Выводы к главе 1.

Глава II МЕТОДИКА ЭКСПЕРИМЕНТА.

2.1 Объекты исследования.

2.2 Измерение толщины плёнок а-81С:Н.

2.3 Исследование плёнок а-8Ю:Н методом ИК — спектроскопии.

2.3.1 Анализ состава и структуры плёнок я-БЮгН по результатам ИК-спектроскопии.

2.4 Спектроскопия комбинационного рассеяния света (КРС).

2.5 Рентгеноструктурный анализ.

2.6 Просвечивающая электронная микроскопия (ПЭМ).

2.7 Растровая электронная микроскопия (РЭМ).

2.8 Сканирующая зондовая микроскопия (СЗМ).

2.9 Исследование электрических параметров плёнок карбида кремния четырехзондовым методом.

2.10 Исследование электрических параметров гетеропереходов а-81С:Н/с-81 методом вольт-амперных характеристик.

2.11 Импедансная спектроскопия (ИС).

2.12 Выводы к главе II.

Глава III СТРУКТУРА ПЛЕНОК а-$[С:Н.

3.1 Моделирование структуры плёнок а-8Ю:Н.

3.2 Анализ состава и структуры плёнок а-81С:Н по данным ИК-спектроскопии.

3.3 Анализ состава и структуры плёнок я-81С:Н по результатам спектроскопии КРС.

3.4 Исследование состава и структуры плёнок я-БЮгН методами рентгеноструктурного анализа, ПЭМ и РЭМ.

3.5 Анализ структуры плёнок я-81С:Н по результатам СЗМ.

3.6 Выводы к главе III.

Глава IV ИССЛЕДОВАНИЕ МЕХАНИЗМОВ ПЕРЕНОСА ЗАРЯДА В ПЛЕНКАХ а-81С:Н.

4.1 Моделирование процессов переноса заряда.

4.2 Анализ результатов исследования пленок я-81С:Н четырехзондовым методом.

4.3 Описание процесса переноса заряда в плёнках а—81С:Н с учётом особенностей структуры материала (по результатам метода ИС).

4.4 Перенос заряда через гетеропереход я-81С:НУс—81.

4.5 Выводы к главе IV.

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Исследование влияния структуры и состава пленок аморфного гидрогенизированного карбида кремния на механизмы переноса заряда»

Анализ тенденций развития материалов электронной техники показывает, что резко возрос интерес к полимероподобным, аморфным и аморфно-кристаллическим (нанокристаллическим) материалам, в связи с их большим потенциалом для создания: солнечных элементов [170, 176], светодиодов [105], датчиков света [128], давления и температуры [30, 41], элементов силовой и высокочастотной электроники [105]. Отечественными и зарубежными учеными (Шерченков A. A., Hamakawa Y., Теруков Е., Wagner Т. и др.) показана актуальность применения аморфных полупроводниковых материалов, в технологии изготовления нового поколения устройств микро- и наноэлектроники.

Однако, по причине сильной зависимости свойств пленок данных материалов, и в частности, аморфного гидрогенизированного карбида кремния (a-SiC:H), от структуры и состава, широкого распространения в изделиях электронной техники они пока не получили. Основная проблема обусловлена тем, что нет четких представлений о структуре этого материала, и о характере взаимосвязи свойств с ней. В связи с этим, детальные и всесторонние исследования, направленные на решение данной проблемы являются актуальными.

Существующие способы описания структуры аморфных и аморфно-кристаллических материалов, основанные на представлении о веществах, в которых отсутствует дальний порядок, не могут объяснить всего многообразия свойств. Эта важная проблема лежит в области интересов физики конденсированного состояния. В то же время, по мнению многих ученых, наиболее точную и полную картину о структуре можно получить только в рамках теории фракталов [198, 202]. Некоторые успехи в данной области были достигнуты для слоёв различных металлов [198, 199, 202, 207], оксидных [138], полимерных [156] и других материалов, которые нашли свое применение в различных областях электроники.

В связи с этим, построение модели структуры пленок карбида кремния, в рамках теории фракталов имеет не только научный, но и практический интерес, так как данный материал перспективен для изделий электронной техники. Учитывая области его возможного применения, разрабатываемая модель должна в первую очередь позволить адекватно описывать электрические свойства.

На основании этого, были сформулированы цели и задачи настоящей диссертационной работы.

Цель и задачи исследований. Установить взаимосвязь между механизмами переноса заряда и особенностями структуры тонких пленок а-81С:Н, синтезированных методом химического осаждения из газовой фазы (Н\У" СУО) из паров кремнийорганических хлорсодержащих мономеров (КХМ).

Для достижения поставленной цели решались следующие задачи:

- исследовать структуру тонких плёнок ¿г-81С:Н серий образцов, синтезированных в различных условиях;

- изучить закономерности формирования структуры материала плёнок а-81С:Н и разработать модель, описывающую структуру в рамках теории фракталов;

- исследовать электрические свойства серий образцов тонких пленок а-81С:Н в темновом режиме и при УФ облучении;

- в рамках теорий перколяции и фракталов разработать модель, адекватно описывающую взаимосвязь структуры материала и механизмов переноса заряда в пленках а-8Ю:Н.

Научная новизна. На основе экспериментальных и теоретических исследований впервые предложен новый способ описания структуры пленок а-81С:Н в рамках теории фракталов.

В рамках теории перколяции и фракталов разработана модель описания процессов переноса заряда в плёнках а—81С:Н, описывающая зависимость удельного сопротивления материала пленок от концентрации связанного водорода и кристаллической фазы карбида кремния.

Практическая значимость

- разработана модель описания фрактальной структуры материала плёнок аморфного гидрогенизированного карбида кремния;

- показана возможность описания электрических свойств плёнок я-81С:Н в рамках теории перколяции. Разработанная модель переноса заряда позволяет адекватно описывать зависимость удельного сопротивления от структуры плёнок я-81С:Н;

- разработанные модели могут быть применены для решения фундаментальных и прикладных задач связанных с описанием электрических параметров пленок неупорядоченных материалов на основе карбида кремния.

Основные положения, выносимые на защиту:

- модель, описывающая мультифрактальную структуру пленок аморфного гидрогенизированного карбида кремния;

- влияние особенностей структуры материала пленок <я-81С:Н на их электрические и оптические свойства;

- модель, описывающая процессы переноса заряда в пленках а-81С:Н в рамках теории перколяции и фракталов.

Реализация результатов работы. Тематика данной работы соответствует перечню приоритетных направлений фундаментальных исследований, утвержденных президиумом РАН.

Работа является частью комплексных исследований, проводимых на кафедре «Нанотехнологии и технологии материалов электронной техники»

Северо-Кавказского государственного технического университета в рамках грантов:

Мин. Образования РФ, РНП 1.2.05 «Исследование особенностей синтеза полупроводниковых широкозонных материалов для экстремальной электроники»;

Мин. Образования РФ, РНП 3.4.05 «Исследование процессов формирования аморфных гидрогенизированных пленок карбида кремния и углерода»;

Мин. Образования РФ, РНП 1.1.08 «Исследование особенностей синтеза гетероэпитаксиальных тонких пленок карбида и оксида кремния»;

ФЦНТП РНП 2.2.2.2.8767 «Фундаментальные исследования новых изолирующих и полупроводниковых материалов на основе аморфного и гидрогенизированного карбида кремния совместно с Кемницким техническим университетом».

Апробация работы. Основные результаты диссертационной работы докладывались и обсуждались на следующих конференциях: научно-технической конференции по результатам работы профессорско-преподавательского состава, аспирантов и студентов Северо-Кавказского государственного технического университета, (Ставрополь, 2005, 2007, 2008г.); международной научной конференции «Химия твердого тела и современные микро - и нанотехнологии», (Кисловодск, 2005 - 2009г.); международной конференции «Аморфные и микрокристаллические полупроводники», (Санкт-Петербург, 2006г.); Российско-японском семинаре «Перспективные технологии и оборудование для материаловедения, микро — и наноэлектроники» (Астрахань, 2006, Саратов, 2007 г.); региональной научно-технической конференции «Вузовская наука — Северо-Кавказскому региону», (Ставрополь, 2006г.); ежегодной научной конференции студентов и аспирантов базовых кафедр Южного научного центра РАН. (Ростов-на-Дону, 2007г.).

Публикации. По результатам научных исследований опубликовано 16 работ, в том числе 3 статьи и 13 тезисов к докладам на международных, российских и региональных научно-технических конференциях.

Структура и объем работы. Диссертационная работа состоит из введения, 4 глав, выводов, списка литературы из 208 источников. Работа содержит 130 страниц основного текста, 37 рисунков и 10 таблиц.

Заключение диссертации по теме «Физика конденсированного состояния», Кашарина, Леся Алексеевна

ОСНОВНЫЕ РЕЗУЛЬТАТЫ И ВЫВОДЫ

На основании проведенных в диссертационной работе исследований получены следующие результаты:

1. Установлено, что пленки ¿z-SiC:H, синтезированные методом HW CVD в реакторе с горячей стенкой, при различных технологических режимах синтеза из паров ДДХС и ТМХС являются материалами с мультифрактальной структурой.

2. Впервые разработана модель структуры пленок a-SiC:H, согласно которой мультифрактальная структура, исследуемых материалов представляет собой комбинацию двух типов кластеров самоподобно изменяющихся в зависимости от условий синтеза. Показано, что с уменьшением доли полимероподобных фрактальных кластеров происходит одновременное повышение доли кристаллитоподобных фрактальных кластеров.

3. В рамках теории перколяции и фракталов разработана модель переноса заряда в пленках ¿z-SiC:H, согласно которой токоперенос осуществляется за счет перколяционных цепочек, сформированных фрактальными кластерами полимероподобного и кристаллитоподобного типа. При разрушении перколяционных цепочек одного типа фрактальных кластеров и возникновение цепочек другого типа происходит перколяционный переход, который приводит к значительному увеличению электрического сопротивления материала от 100 кОм до 1 МОм.

4. Показано, что перенос заряда в плёнках происходит по прыжковому механизму Мотта, а общий характер электропроводности зависит от процессов формирования перколяционных цепочек. С повышением количества, которых происходит расширение области разрешенных энергетических уровней в щели подвижности и, как результат, уменьшение сопротивления.

5. Установлено, что облучение образцов пленок а — 81С:Н УФ-излучением не изменяет характер температурной зависимости электропроводности и лишь незначительно влияет на значения сопротивления образцов. Фрактальные кластеры полимероподобного/ кристаллитоподобного типов (перколяционные цепочки) или их смесь (перколяционные переходы) влияют не только на свойства самих пленок, но и на свойства гетеропереходов ими образованных.

Список литературы диссертационного исследования кандидат физико-математических наук Кашарина, Леся Алексеевна, 2009 год

1. Аморфные полупроводники и приборы на их основе / под общ. ред. Й. Хамакавы; пер. с англ. М.: Металлургия; 1986. — 376 с.

2. Ананьев A.C., Коньков О.И., Лебедев В.М., Новохацкий А.Н., Теруков Е.И., Трапезникова И.Н. Получение и свойства пленок аморфного гидрогенизированного карбида бора. //Физика и техника полупроводников, 2002, том 36, вып. 8. С. 1006-1009.

3. Беллами, Л. Инфракрасные спектры сложных молекул. / Л. Беллами. М. : Мир, 1963. 590 с.

4. Божокин С. В., Паршин Д. А. Фракталы и мультифракталы. -Ижевск: НИЦ «Регулярная и хаотическая динамика», 2001. 128 с.

5. Бонч-Бруевич В.Л., Калашников С.Г. Физика полупроводников. -М. : Наука, 1977.-679 с.

6. Бугаев, С.П. Свойства алмазоподобных пленок, полученных в барьерном разряде при атмосферном давлении / С.П. Бугаев и др. // Журнал технической физики. 1997. — Т. 67. — №8. С. 100.

7. Голикова, О. А. Пленки аморфного гидрированного кремния с повышенной фоточувствительностью / О. А. Голикова, М. М. Казанин // Физика и техника полупроводников. 1999. - Т. 33. — №1. - С. 110-113.

8. Гулд, X. Компьютерное моделирование в физике. Часть 2 / X. Гулд, Я. Тобочник. М.: Мир, 1992. - 394 с.

9. Давыдов, С. Ю. Адсорбция на аморфных полупроводниках: модифицированная модель Халдейна-Андерсона / С. Ю. Давыдов, С. В. Трошин // Физика твердого тела. 2008. - Т. 50. - Вып. 7. - С. 1206- 1210.

10. Джалилов, Н.З. Инжекционные токи в аморфных твердых растворах системы Se~S / Н.З. Джалилов, Г.М. Дамиров // Физика и техника полупроводников. 2009. - Т. 43.-Вып. 11.-С. 1521 - 1525.

11. Дикман, С. М. О рекоменбинации в аморфных полупроводниках при температурах выше 100 К / С. М. Дикман // Письма в ЖЭТФ. 1993. - Т. 57.-Вып. 11.-С. 684-689.

12. Дуцяк, И. С. Механизмы электропроводности у-облученных пленок аморфного теллурида германия / И. С. Дуцяк // Журнал технической физики. 1997. - Т. 67. - № 9. - С. 56 - 59.

13. Ершов, А.В. Оптические свойства аморфных пленок SiixGex / А.В. Ершов, А.И.Машин, А.Ф.Хохлов, Д.Е.Касьянов, А.В.Нежданов, Н.И.Машин, И.А.Карабанова // Труды 1-го совещания по проекту НАТО SfP-973799 Semiconductors. Нижний Новгород. — 2001. С. 124-135.

14. Жмуриков, Е. И. Квантовые поправки в проводимости углерод-углеродного композита на основе изотопа углерода 13С с повышенной плотностью / Е. И. Жмуриков, А. И. Романенко, О. Б. Аникеева, Tecchio Luigi // ИЯФ 2006-31. Новосибирск : ИЯФ. - 2006. - 12 с.

15. Жмуриков, Е.И. К вопросу о перколяционной проводимости гетерогенных мезоскопических систем / Е.И. Жмуриков Новосибирск : ИЯФ им. Г.И. Будкера СО РАН 2005. - 12 с.

16. Зи С. М. Физика полупроводниковых приборов. Пер. с англ. под ред. А. Ф. Трутко М.: Энергия, 1973. - 656 с.

17. Золотухин, И. В. Твердотельные фрактальные структуры / И. В. Золотухин, Ю. Е. Калинин, В. И. Логинова // Международный научный журанл «Альтернативная энергетика и экология» АЭЭ. 2005. - №9(29). — С. 56 - 66.

18. Измеритель иммитанса Е7-20. Руководство по эксплуатации УШЯИ.411218.012 РЭ / ОАО «МНИЛИ». Минск : ОАО «МНИЛИ». - 2006. -32 с.

19. Калинин, Ю. Е. Электрические свойства многослоек металл-полупроводник с аморфной структурой / Ю. Е. Калинин, К. Г. Королев, А. В. Ситников // Письма в ЖТФ. 2006. - Т. 32. - Вып. 6. - С. 61 - 67.

20. Карачинов, В. А. Эффект самосопряженной перфорации аморфных слоев карбида кремния / В. А. Карачинов, С. Б. Торицин, Д. В. Карачинов // Журнал технической физики. 2004. - Т.74. - Вып. 12. - С. 96 - 97.

21. Киреев В. Ю. Технологии микроэлектроники. Химическое осаждение из газовой фазы / В. Ю. Киреев, А. А. Столяров М. : Техносфера. 2006.- 192 с.

22. Коньков, О. И. Проводимость и структутра пленок аморфного гидрированного кремния, легированного эрбием a-Si:H(Er) / О. И. Коньков, Е. И. Теруков, JI. С. Границына // Физика и техника полупроводников. — 2002. Т. 36. - Вып. 11. - С. 1332 - 1336.

23. Косарев, В. А. Расчет функции плотности электронных состояний в аморфном кремнии / В. А. Косарев // RAU Scientific Reports & Solid State Electronics and Technologies. 1996. - №1. - C. 50-53.

24. Кроновер, P. M. Фракталы и хаос в динамических системах. Основы теории. М. : Постмаркет. - 2000 - 352 с.

25. Крылов, П.Н. Прыжковый механизм переноса носителей заряда в ОПЗ барьера шоттки металл аморфный кремний / П.Н. Крылов // Вестник удмуртского университета. Физика. - 2007. - №4. - стр. 35-42.

26. Кузьменко, В. М. Влияние полупроводникового покрытия на электроперенос в аморфных и кристаллических пленках металлов / В. М. Кузьменко // Физика низких температур. 2008. - Т. 34. - №8 - С. 781 - 789.

27. Литтл, Л. Инфракрасные спектры адсорбированных молекул / Л. Литтл; пер. с англ. М. : Мир, 1969. - 513 с.

28. Лопин, А. В. Оптический датчик температуры на основе нанокристаллической пленки SiC / А. В. Лопин, А. В. Семенов, В. М. Пузиков // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. 2007. - №4. - С. 19-22.

29. Мазуров, А. В. Электрофизические и оптические свойства гетероструктур на основе а-БкИ и его сплавов. Дисс. канд. техн. наук. 05.27.06 / Мазуров Александр Вячеславович М. 2004. - 220 с.

30. Мандельброт, Б. Фрактальная геометрия природы. — М. : Институт компьютерных исследований. 2002. - 656 с.

31. Машин, А. И. Проводимость и край поглощения аморфного силицина / А. И. Машин, А. Ф. Хохлов // Физика и техника полупроводников. 1999.-Т. 33.-Вып. 11.-С. 1384-1387.

32. Меден А., Шо М. Физика и применение аморфных полупроводников. Пер. с англ. — М.: Мир; 1991. 670 с.

33. Митченко, И. С. Исследование влияния условий химического осаждения из газовой фазы на микроструктуру пленок карбида кремния / Дисс. канд. техн. наук. 05.27.06 / Митченко Иван Сергеевич Ставрополь. 2008.- 156 с.

34. Морозов, А. Д. Введение в теорию фракталов. М. : Институт компьютерных исследований. - 2002. — 160 с.

35. Наджафов Б.А. Электрические свойства аморфных пленок твердого раствора Ое0.9о81оло:Нх.// Физика и техника полупроводников, 2000, том 34, вып. 11, С. 1383-1385.

36. Наджафов, Б.А. Фотопроводимость аморфных пленок a-Sio.8sGeo.22 : Нх для солнечных элементов / Б.А. Наджафов, Г.И. Исаков // 181АЕЕ. 2004. V. 22. № 2. Р. 35-37.

37. Павлов П.В., Хохлов А.Ф. Физика твердого тела: Учеб. 3-е изд., стер. - М.: Высш. шк.; 2000. - 494 с.

38. Приготовление и исследование карбидизированного пористого кремния / О.М. Сресели, Д.Н. Горячев, В.Ю.Осипов, и др. // Физика и техника полупроводников. —2000. Т.36. - Вып. 5. — С.604 — 610.

39. Рембеза С. И., Синельников Б. М., Рембеза Е. С., Каргин Н. И. Физические методы исследования материалов твердотельной электроники. — Ставрополь: СевКавГТУ, 2002.- 432 с.

40. Семёнов, A.B. Влияние облучения на свойства нанокристаллических пленок карбида кремния / A.B. Семёнов, A.B. Лопин, В.М. Пузиков, В.Н. Борискин // Физика и техника полупроводников. 2009. Т. 43. - Вып. 10. С. 1362 - 1367.

41. Синельников, Б. М. Синтез и исследование физических свойств а-С:Н пленок, осажденных из радиочастотной плазмы / Б. М. Синельников, Ё.

42. Лутц, В. А. Тарала, Т. Н. Прохода, К. Ширмер // Вестник Северо-Кавказского государственного технического университета. 2007. - № 1 (10).- С. 5-12.

43. Соло духа, А. М. Особенности прыжковой электропроводности в тонких слоях триоксида вольфрама / А. М. Солодуха // Вестник ВГУ. Серия: Физика, Математика. 2005. - №2. - С. 70 - 76.

44. Соцков В. А. Электрофизические характеристики макросистем диэлектрик-проводник, диэлектрик-полупроводник.// Физика и техника полупроводников, 2005, том 39, вып. 2. — С. 269-275.

45. Соцков В. А., Карпенко С. В. Общие закономерности процессов электропроводности в бинарных микросистемах.// Журнал технической физики, 2003, том 73, вып. 1. С. 106-109.

46. Тарасевич Ю. Ю. Перколяция: теория, приложения , алгоритмы. Учебное пособие. М.: Едиториал УРСС, 2002. - 112 с.

47. Техническое описание и инструкция по эксплуатации микроинтерферометра МИИ-4 // Ленинградское оптико-механическое объединение имени В. И. Ленина, — 1975.

48. Торхов, Н. И. Определение фрактальной размерности поверхности эпитаксиального n-GaAs в локальном пределе / Н. И. Торхов, В. Г. Божков, И. В. Ивонин, В. А. Новиков // Физика и техника полупроводников. 2009. -Т.43. - Вып. 1.-С. 38-47.

49. Федер Е. Фракталы: Пер. с англ. М.: Мир, 1991. - 254 с.

50. Физика гидрогенизированного аморфного кремния. Вып. I Структура, приготовление и приборы. Пер. с англ./Под ред. Дж. Джоунопулоса, Дж. Люковски. М.: Мир; 1987. — 368 с.

51. Физика гидрогенизированного аморфного кремния. Вып. II Электронные и колебательные свойства. Пер. с англ./Под ред. Дж. Джоунопулоса, Дж. Люковски. -М.: Мир; 1988. -448 с.

52. Фурье-спектрометры инфракрасные ФСМ: Руководство по эксплуатации. С. - Петербург : АОЗТ «СПб Инструметс», 2003. - 46 с.

53. Шалимова К.В. Физика полупроводников. М.: Энергоатомиздат, 1985.-392 с.

54. Шерченков, А.А. Механизмы токопереноса и свойства гетероструктур a-SiC : H/oSi / А.А. Шерченков, Б.Г. Будагян, А.В. Мазуров // Физика и техника полупроводников. — 2005. Т. 39. - Вып. 8. - С. 964 - 969.

55. Шишковский, И. В. Фрактальная размерность распределения пор при лазерном спекании порошка Ti / И. В. Шишковский // Физика и химия обработки материалов. — 2004. №6. - С. 66 - 70.

56. Шредер М. Фракталы, хаос, степенные законы. Миниатюры из бесконечного рая. Ижевск: НИЦ «Регулярная и хаотическая динамика», 2001.-528 с.

57. Шкловский, Б. И. Электронные свойства легированных полупроводников / Б. И. Шкловский, A. JI. Эфрос. Монография. — М. : Наука. -1979.-416 с.

58. Aleksic, O.A. Thermal diffusivity of NTC layers obtained with photoacoustic technique / O.A. Aleksic, P.M. Nikolic, D. Lukovic, K. Radulovic, D. Vasiljevic Radovic, S. Savic // Microelectronics International Journal. 2004. -Vol.21. -№1.-P. 10-14.

59. Ambrosone, G. Silicon-carbon films deposited at low substrate temperature / G. Ambrosone, U. Coscia, S. Lettieri, P. Maddalena, M. Delia Noce,

60. S. Ferrero, S. Restello, V. Rigato, M. Tucci // Journal of Non-Crystalline Solids. -2006. Vol.352. - №№9-20. - P. 1371-1375.

61. Baia Neto, A. L. Conductivity and ESR Measurements on Carbon Rich Cathodic Amorphous Silicon Carbon Alloys / A. L. Baia Neto, F. Finger and S. S. Camargo Jr. // Brazilian Journal of Physics. 1996. - Vol. 26. - №1. P. 359-363/.

62. Barba, D. Evidence of localized amorphous silicon clustering from Raman depth-probing of silicon nanocrystals in fused silica / D Barba, F. Martin and G G Ross // Nanotechnology. 2008. - №19. - P. 115707 - 115712.

63. Basa, D.K. Optical bandgap and quantum well model in hydrogenated amorphous silicon carbon alloy films / D.K. Basa // Physica status solidi (a). — 2003.-Vol.195.-№1.-P. 87-92.

64. Bockstedte, Michel. Different roles of carbon and silicon interstitials in the interstitial-mediated boron diffusion in SiC / Michel Bockstedte, Alexander Mattausch, and Oleg Pankratov // Physics Review B. 2004. - Vol.70. -№11.-P.l 15203-115214.

65. Bozhko, A. Space-charge-limited current in hydrogenated amorphous carbon films containing silicon and oxygen / A. Bozhko, M. Shupegin and T. Takagi // Progress in Polymer Science. 2007. - Vol.32. - №№ 8-9. - P. 876-921.

66. Brandt, Martin S. Excitons and light-induced degradation of amorphous hydrogenated silicon // Martin S. Brandt, Martin Stutzmann // Applied physics letters. 1991. - №58(15). - P. 1620 - 1622.

67. Brehm, M. Matrix isolation and theoretical study of the reaction of HSiCl3 and CH3OH: infrared spectroscopic characterization of Cl2HSiOCH3 / M. Brehm, B. S.Ault // Journal of Molecular Structure. -2003. V. 649. - P. 95 - 103.

68. Brodsky, M.H. Infrared and Raman spectra of the silicon-hydrogen bonds in amorphous silicon prepared by glow discharge and sputtering / M.H. Brodsky, M.Cardona, J.J. Cuomo // Phys. Rev. B. 1977. - V.16. - №8. -P. 3556-3871.

69. Carbone, A. Physical properties of amorphous silicon-carbon alloys produced by different techniques / A. Carbone, F. Demichelis, G. Kaniadakis, G.

70. Delia Mea, F. Freire, P. Rava 11 Journal of Materials Research. 1990. - Vol.5. -№12.- P. 2877-2881.

71. Chao, Ye. Fractal Aggregation Behavior in Amorphous Silicon Nitride Films / Ye Chao, Ning Zhao-yuan, Guo Yu-hua, Wang Xiang-ying, Xin Yu, Wang Yuan-chang, Shen Ming-rong and Wang Hao // Chinese Physics Letters. 1997. - № 14. - P. 446-448.

72. Chelnokov, V.E. High temperature electronics using SiC: actual situation and unsolved problems / V. E. Chelnokov, A. L. Syrkin // Materials science and Engineering B. -1997. -V. 46. P. 248 - 253.

73. Chen, J. Grows and Characterization of N-doped SiC Films from Trimethylsilane / J. Chen, A. Steckl, M. Loboda // Materials science forum. — 2000. V. 338 - 342. - P. 273 - 276.

74. Chen, J. Occurrence of Polytype Transformation during Nitrogen Doping of SiC Bulk Wafer / J. Chen, S. C. Lien, Y. C. Shin, Z. C. Feng, C. H. Kuan, J. H. Zhao and W. J. Lu // Materials Science Forum. 2009. - Vols. 600-603.-P. 39-42.

75. Chen, Z.W. Nanocrystals formation and fractal microstructural assessment in Au/Ge bilayer films upon annealing / Z.W. Chen, J.K.L. Lai, C.H. Shek and H.D. Chen // Applied Surface Science. 2005. - Vol.250. - №№ 1-4. -P.3-8.

76. Chou, Lih-Hsin. Thermally Activated Conductivity of Hydrogenated Amorphous Carbon Films Induced by Argon Plasma Bombardment / Lih-Hsin Chou, Wu-Tzung Hsieh and Pu-Wei Wu // Japanese Journal of Applied Physics. -1993. №32. - P. L539-L542.

77. Chou, Y.C. Doping and electrical properties of amorphous silicon carbon nitride films / Y.C. Chou, S. Chattopadhyay, L.C. Chen, Y.F. Chen, K.H. Chen // Diamond and Related Materials. 2003. - №12. - P. 1213-1219.

78. Chung, Gwiy-Sang. Raman Characteristics of Poly 3C-SiC Thin Films Deposited on A1N Buffer Layer / Gwiy-Sang Chung, and Junho Jeong // Materials Science Forum. 2009. - Vols. 600-603. - P. 61-65.

79. Compagnini, G. Vibrational analysis of compositional disorder in amorphous silicon carbon alloys / G. Compagnini, G. Foti, A. Makhtari. // Europhys. Lett. 1998. - № 41 (2). - P. 225 - 230.

80. Coscia, U. Carbon incorporation in silicon-carbon films grown at different substrate temperatures / U.Coscia, G. Ambrosone, P. Maddalena, A. Setaro, A.R. Phani and M. Passacantando // Thin Solid Films. 2007. - Vol.515. -№19.-P. 7634-7638.

81. David, Adler. Localized electronic states in amorphous semiconductors / Adler David, Ellen J. Yoffa // Canadian Journal of Chemistry. -1977.-№55.-P. 1920.

82. Demichelis, F. Amorphous hydrogenated silicon-carbon-tin alloy films / F. Demichelis, G. Kaniadakis, A. Tagliaferro, E. Tresso, P. Rava // Physical Review B (Condensed Matter). 1988. - Vol.37.- №3. - P. 1231-1236.

83. Domke, Katrin F. Tip-enhanced Raman spectroscopy of 6H-SiC with graphene adlayers: selective suppression of El modes / Katrin F. Domke, Bruno Pettinger // Journal of Raman Spectroscopy. 2009. - Vol.40. - №10. P. 14271433.

84. Dorfman, V.F. Diamond-like nanocomposites (DLN) / V.F. Dorfman // Thin Solid Films. 1992. - Vol.212. - №№1-2. - P. 267-273.

85. Dultsev, F.N. Investigation of the mechanism of fractal» growth of porous silicon dioxide layers from gas phase / F.N. Dultsev // Thin Solid Films. -2005. Vol.478. - №№1-2. - P.91-95.

86. Fanchini, G. Density of electronic states in amorphous carbons / G. Fanchini, S.C. Ray, A. Tagliaferro // Diamond and Related Materials. 2003. -№12.-P. 891-899.

87. Fathallah, M. Photoinduced defects in wide-gap materials: hydrogenated amorphous silicon-carbon and silicon-nitrogen films / M. Fathallah, M. Mars, C. F. Prirri, E. Tresso // Philosophical magazine B. 2002. - Vol. 82. -№11.-P. 1267-1274.

88. FERRO, G. Growth Mechanism of 3C-SiC Heteroepitaxial Layers on a-SiC by VLS / Gabriel FERRO, Maher SOUEIDAN, Olivier KIM-HAK, Jacques DAZORD, François CAUWET and Bilal NSOULI // Materials Science Forum. -2009. Vols. 600-603. - P. 52-56.

89. Fixel, F. An on-chip thin film photodetector for the quantification of DNA probes and targets in microarrays / F. Fixel, V. Chu, D. M. F. Prazeres and J. P. Conde // Nucleic Acids Research. 2004. - Vol. 32. - №9. - P. e70-e70(l).

90. Fluoroformic Acid Anhydride, FC(0)0C(0)F / H. Pernice, H. Willner, K. Bierbrauer, M. B. Paci and C. A. Arguello, // Angewandte Chemie International Edition. 2002. -V. 41. - Iss. 20. - P. 3832 - 3834.

91. Giuseppina Ambrosone, Ubaldo Coscia, Stefano Lettieri, Pasqualino Maddalena, Carlo Privato, Sergio Ferrero. Hydrogenated amorphous silicon carbon alloys for solar cells//Thin solid films, 403-404, 2002, P. 349-353.

92. Goh, Boon Tong. Photoconductivity in Pulsed PECVD Hydrogenated Amorphous Silicon Thin Films / Boon Tong Goh, Shi, Chee Han, Ritikos, Richard, Muhamad Rasat Muhamat, Saadah A. Rahman // . Jurnal Fizik Malaysia. 2006. -№27.-P. 121-123.

93. Golikova, O. A. Amorphous hydrogenated silicon films exhibiting enhanced photosensitivity // O. A. Golikova M. M. Kazanin // Semiconductors. -2006. Vol.33. - №1. - P. 97-100.

94. Grim, J. Diffuse x-ray reflectivity of strain-compensated Si/SiGe/SiC multilayers / J. Grim, V Holy, J Kubena, J Stangl, A A Darhuber, S Zerlauth, F Schäffler and G Bauer // Journal of Physics D: Applied Physics.- 1999. №32. -P. A216-A219.

95. Haba, T. Cisse. Influence of the electrical parameters on the input impedance of a fractal structure realised on silicon / T. Cisse Haba, G. Ablart, T. Camps and F. Olivie // Chaos, Solitons & Fractals. 2005. Vol.24. - №2. - Pages 479-490.

96. Hahn, W. The charge transport properties of a-Si:H thin films under hydrostatic pressure / W. Hahn, M. Boshta, K. Bärner and R. Braunstein // Materials Science and Engineering: B. -2006. Vol.130. - №№ 1-3. - P. 184-188.

97. Hellmich, W. Optical absorption and electronic transport in ion-implantation-doped polyciystalline SiC films / W. Hellmich, G. Muller, G. Krotz, G. Derst, S. Kalbitzer // Applied physics A. 1995. - №61. - P. 193-201.

98. Hongyi, Lin. Crystallization of hydrogenated amorphous silicon film and its fractal structure / Lin Hongyi, Yang Daoming, Li Yingxue // Vacuum. — 1991. Vol.42. -№ 16.-P. 1039.

99. Hou, S. M. Fractal structure» in the silver oxide thin film / S. M. Hou, M. Ouyang, H. F. Chen, W. M. Liu, Z. Q. Xue, Q. D. Wu, H. X. Zhang, H. J. Gao and S. J. Pang // Thin Solid Films. 1998. - Vol.315. - №№1-2. - P.322-326.

100. Huang, Fon-Shan. Investigations of Localized States in Hydrogenated Amorphous Silicon / Fon-Shan Huang, Hua Chang, Jiann-Ruey Chen and Yuen-Chung Liu // Japanese Journal of Applied Physics.- 1984. №23. - P. 6-10.

101. Hydrogenated amorphous silicon carbon alloys for solar cells / G. Ambrosonea, U. Cosciaa, S. Lettieria, P. Maddalenaa, C. Privatob, S. Ferrero // Thin Solid Films. -2002. -V. 403 -404. P. 349-353.

102. Pereyra, C. A. Villacorta, M.N.P. Carreno, R.J. Prado, M.C.A. Fantini. Highly Ordered Amorphous Silicon-Carbon Alloys Obtained by RF PECVD. // Brazilian Journal of Physics, vol. 30, No. 3, 2000. P. 533-540.

103. Interpretation of amorphous silicon behavior using fractal geometry / R.D. McLeod and H.C. Card // Journal of Non-Crystalline Solids. 1988. Vol. 105.-№№1-2. - P. 17-26.

104. Irace, Andrea. Thermal Conductivity Measurement on a SiC Thin Film / Andrea Irace, Pasqualina M. Sarro // EUROSENSORS XIII. The 13th European Conference on Solid-State Transducers, September 12-15. 1999. - P. 809-812.

105. Isomura, Masao. Two kinds of dopant activation in boron-doped hydrogenated amorphous silicon-carbon / Masao Isomura, Makoto Tanaka, and Shinya Tsuda // Applied Physics Letters. 1996. - Vol.69. - №10. - P. 1396-1398.

106. Jeong, Junho. Raman scattering studies of polycrystalline 3C-SiC deposited on Si02 and A1N thin films / Jeong, Junho; Jang, Kiwan; Lee, Ho Sueb;

107. Chung, Gwiy-Sang; Kim, Gwi-Yeol // Physica B: Physics of Condensed Matter. 2008.-Vol.404.-№1.-p. 7-10.

108. Kodolba, Alp Osman. Empirical calibration of the optical gap in a-Sii-xCjiH (jc<0.20) alloys / Alp Osman Kodolba // Materials Science and Engineering B. -2003. Vol.98.-№2. - P. 161-166.

109. Kolasinski, Kurt W. Etching of silicon in fluoride solutions / Kurt W. Kolasinski // Surface Science. 2009. - Vol.603. - P. 1904-1911.

110. Kusunoki, K. Solution Growth of 3C-SiC on 6H-S1C Using Si Solvent under N2-He Atmosphere / K. Kusunoki, K. Kamei, N. Yashiro, T. Tanaka and A. Yauchi // Materials Science Forum. 2009. - Vols. 600-603. - P. 48-51.

111. Lazar G. Infrared Absoption properties of amorphous carbon films. // Journal of Optoelectronics and Advanced Materials. 2005, Vol. 7, № 2, P. 647 — 652.

112. Lazar, G. Infrared Absoption properties of amorphous carbon films / G. Lazar // J. of Optoelectr. and Advanc. Mater. 2005. - V. 7. - № 2. - P. 647 -652.

113. Lee, Choochon. The origin of persistent photoconductivity in hydrogenated amorphous silicon / Choochon Lee, Byueng-Su Yoo // Chineese journal of physics. 1990. - Vol. 28. - №1. - P. 93 - 103.

114. Lin, Hong Y. Crystallization of hydrogenated amorphous silicon film and its fractal structure / Hong Y. Lin, Dao M. Yang, Ying X. Li // Proceedings of SPIE. 1991. Vol. 1519. - P. 210-213.

115. Local structure and bonding states in a-Sil~xCx:H / Van Swaaij, A.J.M. Berntsen, W.G.J.H.M. van Sark, H. Herremans, J.Bezemer, W.F.van der Weg // Journal of Applied Physics.- 1994. V.76. - P.251.

116. M. Vetter, I. Martin, A. Orpella, C. Voz, J. Puigdollers and R. Alcubilla. Characterization of a-SiCx:H Films for c-Si Surface Passivation. // Mat. Res. Soc. Symp. Proc. Vol. 715, 2002. P A24.5.1-A24.5.6.

117. Malek, Kourosh. A study of the fractal dimension and percolative structure of lithium-inserted BaTiOs film / Kourosh Malek // Thin Solid Films. — 2002. Vol.408, Ms 1-2. -P.73-78.

118. Marsala, L. F. Annealing effects on the conduction mechanisms of p-amorphous- Sio.sCo^H n-crystalline-Si diodes / L. F. Marsala, I. Martin, J. Pallares, A. Orpella and R. Alcubilla // Journal of applied physics. 2003. -Vol.94. - №4. - P. 2622-2626.

119. Micocci G. Photoconductivity in Halogenated and Hydrogenated Amorphous Silicon Films / G. Micocci, A. Rizzo, A. Tepore // Physica status solidi (a). 2006. - Vol.85. - №2. - P. 609 - 614.

120. Mollot, F. Study of localized states in amorphous semiconductor chalcogenides by radiative recombination / F. Mollot, J. Cernogora, C. Benoit a la Guillaume //Physica status solidi (a). 2006. - Vol.21. - Issue 1. - P. 281 -289.

121. NaiMan, Liao. Raman and ellipsometric characterization of hydrogenated amorphous silicon thin films / NaiMan Liao, Wei Li, YueJun Kuang

122. YaDong Jiang, ShiBin Li, ZhiMing Wu and KangCheng Qi // Science in China Series E-Technological Sciences. 2009. - №52(2). - P. 339-343.

123. Nathan, M. Fractal-like Si crystallization during interfacial reactions in thin Al/amorphous SiC layers / M. Nathan, J. S. Ahearn // Journal of Applied Physics. 1990. - Vol. 67. - P. 6586-6588.

124. Navkhandewala, R. Electron irradiation in amorphous hydrogenated silicon / R. Navkhandewala, K. Narasimhan, S. Guha // Journal de Physique Colloques. 1981. - №42. - P. C4-803-C4-806.

125. Neisy, A. E. Characterization of Si.xCx:H thin films deposited by PECVD for SiCOI heterojuntion fabrication / Neisy A. E., Forhan Marcia C. A. Fantini, Ines Pereyra // Journal of the Brazilian Chemical Society. — 2006. -Vol.17. №6.-P. 1158-1162.

126. Nguyen-Tran, Th. Optical study of disorder and defects in hydrogenated amorphous silicon carbon alloys / Th. Nguyen-Tran, V. Suendo and P. Roca I Cabarrocas // Applied Physics Letters. 2005. - Vol. 87. - P. 011903 -011906.

127. Ni, Z. H. Z. H. Raman spectroscopy of epitaxial graphene on a SiC substrate / Z. H. Ni, W. Chen, X. F. Fan, J. L. Kuo, T. Yu, A. T. S. Wee, and Z. X. Shen // Physical review B. 2008. - № 77. - P. 115416-115420.

128. Novikov, Vitaly V. Dynamic conductivity of composites of fractal structure / Vitaly V.Novikov, Dmitry Y. Zubkov // Physica B: Condensed Matter.- 2009. Vol.404. - № 21. - P.3867-3876.

129. N-type emitter surface passivation in c-Si solar cells by means of antireflective amorphous silicon carbide layers / R. Ferre, I. Martin, P. Ortega, M. Vetter // Journal of applied physics. 2006. - V.100. -073703.

130. Oliveira, M. L. On the carbon incorporation into a-SiC:H films with low carbon content / M. L. de Oliveira, S.S. Camargo, F.L. Freire // J. Appl. Phys.- V.71. — №31. -P. 1531 1533.

131. Onokhov, Arcadii P. Novel liquid crystal spatial light modulators for adaptive optics and image processing / Arcadii P. Onokhov, Vladimir A.

132. Park, Nae-Man. Amorphous Silicon Carbon Nitride Films Grown by the Pulsed Laser Deposition of a SiC-Si3N4 Mixed Target / Nae-Man Park, Sang Hyeob Kim, and Gun Yong Sung // ETRJ Journal. 2004. - Vol.26. - №3. - P. 257-261.

133. Prado, R. J. Thin Films of a-Sil-xCx:H Deposited by PECVD: The rf Power and H2 Dilution Role / R. J. Prado, M.C.A. Frantiny // Materials science forum. 2000. - V. 338 - 342. - P. 329 - 332.

134. Properties and structure of a-SiC:H for high-efficiency a-Si solar cell / Y. Tawada, K. Tsuge, M. Kondo, H. Okamoto, Y. Hamakawa // Journal of applied physics. 1982. -V. 53. - P. 5273 - 5281.

135. Rohrl, J. Graphene Layers on Silicon Carbide Studied by Raman Spectroscopy / J. Rohrl, M. Hundhausenl, K.V. Emtsev, Th. Seyller, and L. Ley //Materials Science Forum. 2009. - Vols. 600-603. - P. 567-570.

136. Roldughin, V. I. Percolation properties of metal-filled polymer films, structure and mechanisms of conductivity / V. I. Roldughin, V. V. Vysotskii // Progress in Organic Coatings. 2000. - Vol.39. - №№ 2-4. -P.81-100.

137. Rudder R. A. High photoconductivity in dual magnetron sputtered amorphous hydrogenated silicon and germanium alloy films / R. A. Rudder, J. W. Cook, Jr., and G. Lucovsky // Applied Physics Letters. 1984. - Vol.45. - P. 887889.

138. Se-Guen Park. Changes in electrical Conduction of polymeric Carbon films induced by low energy hydrogen ion beams / Se-Guen Park // Journal of Korean physical society. 1989. - Vol. 22. - № 2. - P. 203-207.

139. Shimakawa, K. Influence of ac photoconductivity of hydrogenated amorphous silicon: long-range potential fluctuations / K. Shimakawa, Ashtosh Ganjoo // Physical Review B. 2002. - № 65. - P. 165213-165218.

140. Shrivastava, A. Investigation of Triangular Defects in 4H-SiC 4° off cut (0001) Si Face Epilayers Grown by CVD / A. Shrivastava, P.Muzykov, B.Pearman, S.Michael Angel, T. S.Sudarshan // Materials Science Forum. 2009. -Vols. 600-603.-P. 43-47.

141. Soukup R.J, Ianno N.J., Scott A. Darveau, Christopher L. Exstrom. Thin films of a-SiGe:H with device quality properties prepared by a novel hollow cathode deposition technicque. // Solar Energy Materials & Solar Cells, 87, 2005. -P. 87-98.

142. Stauffer, D. Introduction To Percolation Theory / D. Stauffer, A. Aharony. London : Taylor&Francis. — 2003. - 179 p.

143. Street, R. A. Hydrogenated amorphous silicon / R. A. Street. -Cambridge : Cambridge University Press, 1991. 417 p.

144. Subarna, Maiti. Silicon-doped carbon semiconductor from rice husk char / Maiti Subarna, , Pushan Banerjee, Swati Purakayastha and Biswajit Ghosh // Materials Chemistry and Physics. 20078. - Vol.109. - №1. - P. 169-173.

145. Synthesis and Characterization of the First Amino- and Iminosilsesquioxanes / Z. Fei, K. Ibrom and F. T. Edelmann // Z. anorg. allg. Chem. 2002. - V. 628. - P. 2109.

146. Terekhov, V. A. Density of States and Photoconductivity of Hydrogenated Amorphous Silicon // V. A. Terekhov, S. N. Trostyanskii , E. P.

147. Domashevskaya, 0. A. Golikova, M. M. Mezdrogina, K. L. Sorokina, M. M. Kazanin // Physica status solidi (b). 2006. - Vol.138. - №2. - P. 647 - 653.

148. Thermal oxidation of polymer-like amorphous SiCHOxywz nanoparticles / D. Dasa, J. Farjasa, P. Rouraa, G. Vierab, E. Bertranb // Diamond and Related Materials. 2001. - № 10. - P. 1295 - 1299.

149. Tiedje, T. Time-resolved charge transport in hydrogenated amorphous silicon / T. Tiedje // The Physics of Hydrogenated Amorphous Silicon II. 2006. -Vol.56.-P. 261-300.

150. Tolstoy, V. P. Handbook of infrared spectroscopy of ultrathin films / V. P. Tolstoy, I. V. Chemyshova, V. A. Skryshevsky. New Jersey : John Wiley & Sons.-2003.- 139 p.

151. Torkhov, N. A. Formation of a native-oxide structure on the surface of n-GaAs under natural oxidation in air / N. A. Torkhov // Semiconductors. 2006. -Vol.37.-№10.-P. 1177-1184.

152. Volz, S. Thermal Conductivity Measurements of Thin Amorphous Silicon Films by Scanning Thermal Microscopy / S. Volz, X. Feng, C. Fuentes, P. Guerin and M. Jaouen // International Journal of Thermophysics. 2002. - Vol. 23.-№6.-P. 1645-1657.

153. Von Keudell, A. // Interaction of hydrogen plasmas with hydrocarbon films, investigated by infrared spectroscopy using an optical cavity substrate / A. Von Keudell, W. Jacob // J. Vac. Sci. Technol. A. 1997. -№ 15(2). -P. 402-407.

154. Wang, H. Z. Intergrowth of a carbon layer and fractal-like trees on 3Y-TZP in TEM observations / H. Z. Wang, X. H. Liu, X. J. Yang and X. Wang // Materials Science and Engineering A. -2001. Vol.311. - №№1-2.- P. 180-184.

155. Wang, W.C. Fractal morphologies of dual amorphous phases observed in Y-Ti(Nb)-Co ternary systems upon ion beam mixing / W.C. Wang, J.H. Li, F. Zeng, Y.L. Gu and B.X. Liu // Journal of Alloys and Compounds. — 2009. -Vol.478. №№ 1-2. - P. L28-L32.

156. Wang, Y. Characterization of surface morphology of copper tungsten thin film by surface fractal geometry and resistivity / Y. Wang, K. -W. Xu // Thin Solid Films. 2004. - Vol.468. - №№1-2. -P.310-315.

157. Yang, Qing. The formation of fractal Ag nanocrystallites via y-irradiation route in isopropyl alcohol / Qing Yang, Feng Wang, Kaibin Tang, Chunrui Wang, Zhiwen Chen and yitai Qian // Materials Chemistry and Physics. -2003. Vol.78. - №2. - P.495-500.

158. Yihua Wang, Jianyi Lin, Zhe Chuan Feng, Soo Jin Chua, Cheng Hon Huan Alfred. Plasma Enhansed Chemical Vapor Deposition and Characterization of Hydrogenated Amorphous SiC Films on Si. //Materials Science Forum Vols. 338-342, 2000, P. 325-328.

159. Yihua, W. Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition and Characterization of Hydrogenated Amorphous SiC Films on Si. / W. Yihua, L. Jiianyi // Materials science forum. 2000.- V. 338 - 342. - P. 325 - 328.

160. Zallen. The Physics of Amorphous Solids. New York: Virginia Tech. Blacksburg, Virginia Wiley Classics Library Edition Published 1998A Wiley-Interscience Publication. - John Wiley & Sons, Inc., 1998. - 254 p.

161. Zhao, Y.M. Heteroepitaxial Growth of 3C-SiC on Si (111) Substrate using A1N as a Buffer Layer / Y.M.Zhao, G.S.Sun, X.F.Liu, J.Y.Li, W.S.Zhao, L.Wang, J.M.Li, Y.P.Zeng // Materials Science Forum. 2009. - Vols. 600-603. -P. 57-61.

162. Zhiwen, Chen. Fractal formation and tunneling effects on the conductivity of Au/a-Ge bilayer films / Chen Zhiwen, Zhang Shuyuan, Tan Shun, Tian Mingliang, Hou Jianguo and Zhang Yuheng // Thin Solid Films. 1988. -Vol.322. №№1-2, P.194-197.

163. Миронов В.И. Основы сканирующей зондовой микроскопии / В.И. Миронов. М. : Техносфера, 2004. 144 с.