Исследование специфики фликкерных и естественных шумов в полупроводниковых структурах на основе GaAs тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 01.04.03, кандидат физико-математических наук Шмелев, Евгений Игоревич

• Шмелев, Евгений Игоревич
• кандидат физико-математических наук
• 2010

Оглавление диссертации кандидат физико-математических наук Шмелев, Евгений Игоревич

Введение.

1. Мультистабильные дефекты как источник фликкерного шума в структурах на основе ваАв.

1.1. Дефекты в кристаллах.

1.1.1. Точечные дефекты.

1.1.2. Комплексы дефектов.

1.1.3. Мультистабильность дефектов.

1.2. Модель бистабильных дефектов.

1.2.1. Подвижность носителей тока в ваАБ структурах.

1.2.2. Спектр СТП, образованного бистабильным дефектом.

1.2.3. Синтез спектра шума в модели ансамбля СТП.

1.2.4. Высоты потенциальных барьеров ДУС.

1.3. Донорно-акцепторные пары как причина 1//шума.

1.3.1. Анализ вольтамперных характеристик ПТШ.

1.3.2. Исследование спектра шумового напряжения I//шума ПТШ.

1.3.3. Оценка флуктуаций подвижности, обусловленных переключением бистабильных дефектов для ПТШ и ЭП.

1.3.4. Оценка минимальной длины плеча диполя.

1.3.5. Структура донорно-акцепторных пар в СаАэ, легированном Б!.

1.4. Механизм мультистабильности дефектов.

1.4.1. Эффект Яна-Теллера в кристаллических телах.

1.4.2. Механизм пространственной мультистабильности комплексов дефектов.

1.4.3. Механизм зарядовой мультистабильности дефектов.

1.5. Бистабильные точечные и сложные дефекты как источник фликкерных флуктуаций подвижности и концентрации свободных электронов.

1.5.1 Спектральные составляющие фликкерных флуктуаций подвижности и концентрации свободных электронов.

1.5.2. Сравнение спектральных составляющих фликкерных флуктуаций подвижности и концентрации свободных электронов при изменении заряда точечного дефекта.

1.5.3. Сравнение спектра фликкерного шума для ансамбля бистабильных точеных и сложных дефектов.

1.6. Выводы по первой главе.

2. Источники 1 If шума в наноразмерных полупроводниковых диодах с барьером Шоттки.

2.1. Декомпозиция ВАХ диодов с барьером Шоттки.

2.1.1. Структура НБДШ.

2.1.2. Модель диода.

2.1.3. Процедура аппроксимации экспериментальных данных и оценка точности аппроксимации.

2.1.4. Полные ВАХ диода.

2.2. Модели формирования 1 If шума в диодах Шоттки с 5-легированием.

2.2.1. Спектр НЧ шума диодов Шоттки при прямом и обратном смещениях в области малых токов.

2.2.2. Модель тока утечки.

2.2.3. ANS- модель.

2.3. Источники 1 If шума в диодах Шоттки с ö-легированием при малых токах.

2.4. Выводы по второй главе.

3. Спектр естественного шума диодов и детекторов на базе диодов

Шоттки с б-легированием.

3.1. Спектр естественного шума диода при малом токе.

3.1.1. Естественный шум диода при малом токе.

3.1.2. Модификация соотношения Ван Дер Зила.

3.1.3. Экспериментальные результаты.

3.2. Спектр естественного шума детектора на базе диода Шоттки с 5-легированием.

3.2.1. Детектор на базе НБДШ.

3.2.2. Естественные шумы НБДШ в детекторном режиме.

3.2.3. Шумовые параметры детекторов.

3.3. Выводы по третьей главе.

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Исследование специфики фликкерных и естественных шумов в полупроводниковых структурах на основе GaAs»

Общая характеристика диссертации

Диссертация посвящена исследованию специфики фликкерного (1 If) и естественного шумов в структурах на основе арсенида галлия. Определение механизмов шумообразования имеет принципиальное значение для решения задачи по разработке прецизионных малошумящих приборов.

Обзор литературы и актуальность темы диссертационной работы

Настоящая работа представляет собой развитие цикла исследований природы низкочастотных шумов полупроводниковых приборов, выполняемых на кафедре бионики и статистической радиофизики Нижегородского госуниверситета. Основные результаты, полученные ранее, обобщены в диссертациях C.B. Макарова [1], М.Ю. Перова [2], A.B. Белякова [3], A.B. Моряшина [4], A.B. Клюева [5].

Флуктуационные явления (шумы) в полупроводниках обусловлены случайным характером происходящих в них различных физических процессов. Так, случайные изменения скорости свободных носителей заряда, вызванные случайным характером процессов их, рассеяния, приводят к флуктуациям их локальной плотности, в результате чего появляются случайные микроскопические диффузионные токи. По этой причине в системе, содержащей свободные носители заряда, существует флуктуирующий ток, равный сумме таких микротоков. При этом на электрических контактах системы возникает флуктуирующее напряжение.

К наиболее часто встречающимся шумам относятся: тепловой, дробовой, генерационно-рекомбинационный шумы, шум, обусловленный флуктуациями температуры, а также фликкерный шум.

Тепловой шум вызывается случайным движением заряда в любом проводнике. Вследствие этого движения на концах проводника возникает флуктуирующая электродвижущая сила ej(f). Этот источник шума присутствует в любом устройстве, имеющем электрическую природу и находящемся в тепловом равновесии с окружающей средой.

Дробовой шум связан с дискретностью тока, представленного потоком заряженных частиц. Здесь шум рассматривается как последовательность независимых случайных событий. Например, в случае испускания электронов термокатодом или фотокатодом эмиссия электронов представляет собой последовательность независимых случайных событий. Следовательно, в эмиссионных токах наблюдается дробовой шум. Для обследованных в работе полупроводниковых структур мощность дробового шума, как правило, на несколько порядков меньше мощности фликкерного шума.

Генерационно-рекомбинационный шум возникает, когда свободные носители генерируются или рекомбинируют в полупроводниковом материале. Акты генерации и рекомбинации могут рассматриваться как последовательности независимых случайно возникающих событий. Возникающие флуктуации концентрации носителей заряда Sri приводят к возникновению флуктуаций сопротивления SR образца.

Шум, обусловленный температурными флуктуациями небольшого тела (источника шума), возникает из-за теплообмена между этим телом и окружающей его средой из-за флуктуаций испускаемого и поглощаемого излучения. Этот процесс можно описать флуктуациями скорости испускания и поглощения квантов малым телом. Существуют и флуктуации теплообмена, поскольку тело должно иметь теплопроводящие элементы (провода, соединения и т.д.), связанные с окружающим пространством. При обтекании источника шума газом (воздухом) или жидкостью возникают также флуктуации конвективного теплообмена. Здесь такие флуктуации не рассматриваются, поскольку они могут быть исключены с использованием соответствующих методов.

Фликкерный шум, иначе называемый шумом эффекта мерцания, а также 1 If шумом, был впервые обнаружен при исследовании дробового шума электронных ламп на низких частотах [6], [7].

Фликкерный шум существенно ограничивает эксплуатационные качества приборов (например, чувствительность и стабильность), требования к которым постоянно повышаются. В связи с этим исследования фликкерного шума в полупроводниках является важной проблемой современной радиофизики.

Фликкерные шумы обусловлены флуктуациями параметров радиоэлементов (например, сопротивления, ёмкости и др.) и могут наблюдаться при наложении на элемент напряжения или при пропускании через него электрического тока. Фликкерный шум характеризуется своей спектральной у плотностью мощности (далее просто спектром), которая пропорциональна 1//, где у - параметр формы спектра. Для многих объектов параметр формы спектра принимает значения около единицы: 0,8 < у < 1,2. Поэтому такой шум часто называют "Mf шумом". Влияние фликкерного шума наиболее существенно на низких частотах.

Исследования фликкерного шума, в том числе измерения его спектра, проводятся более 80 лет, однако природа шума до конца не выявлена [8, 9, 10, 11, 12]. Измерения спектра шума используются для получения информации об его происхождении. На данный момент имеется значительное количество публикаций по исследованиям фликкерного шума различных объектов, выполненных рядом исследователей: Ван дер Зил (A. Van der Ziel) [13, 14, 15], Дю Пре (F.K. Du Pre) [16], A.H. Малахов [7,8, 17], Xoyxe (F.N. Hooge),

Клайнпеннин (T.G.M. Kleinpenning) и Фандамме (L.KJ.Vandamme) [10, 18, 19, 20, 21], Ш.М. Коган [9], Датга (P.Dutta) и Хорн (Р.М.Ногп) [22, 23], Кларк (J. Clarke) и Восс (R.F.Voss) [24], Вейсман (M.B.Weissman) [25], Г.Н. Бочков и Ю.Е. Кузовлев [11], В .П. Паленскис [26], Н.Б. Лукьянчикова [27, 28, 29], Р.З. Бахтизин и С.С. Гоц [30], А.К. Нарышкин и A.C. Врачев [31], Г.П. Жигальский [12, 32-44],

B.В. Потемкин [45], С.А. Корнилов [46], В.Н. Кулешов [47], М.Е Левинштейн и

C.Л. Румянцев [48, 49], А.П. Дмитриев [50], С.Ф. Тимашев [51, 52], Г.А. Леонтьев [53], Муша (Т. Musha) и Ямомото (М. Yamamoto) [54], Хандель (Handel Р.Н.) [55], и др.

Разнообразие свойств фликкерного шума, наблюдающихся в идентичных образцах и в различных системах, не согласуется с положением о фундаментальности 1 If шума. Если бы это явление было фундаментальным, то шум во всех исследуемых объектах имел бы одинаковый механизм возникновения и обладал бы одинаковыми свойствами. В действительности в некоторых структурах обнаружена зависимость шума от условий на поверхности образца [9], в то время как в большинстве структур он обусловлен объемным эффектом [10, 18].

Для объяснения возникновения 1 If шума создано большое количество моделей. В настоящее время фликкерный шум (например, напряжения) связывают с проявлением флуктуаций сопротивления образца R при наложении на образец напряжения или при пропускании через него тока. Поскольку удельное сопротивление р определяется концентрацией п и подвижностью // носителей заряда, согласно терминологии, введенной Хоухе, существует две альтернативные модели объяснения 1 If шума в твердых телах. Первая модель связывает 1 If шум с флуктуациями числа носителей тока (¿n-модель), вторая - с флуктуациями подвижности (¿//-модель), [10].

В твердых телах 1 If шум может быть объяснен с помощью движения дефектов в пространстве кристаллической решетки [9, 25, 56-58]. Связь между \!f шумом и качеством кристаллической решетки в настоящее время хорошо представлена в экспериментах как для металлов [57, 59, 60], так и для полупроводников [61, 62, 72].

В рамках первой модели шум может объясняться изменением концентрации в результате захвата и испускания носителей тока поверхностными ловушками (модель Мак Уортера [63]), ловушками, расположенными в объеме [64], флуктуациями концентрации глубоко-уровневых ловушек в области пространственного заряда (ОПЗ) [65]. Во втором случае (¿//-модель) флуктуации подвижности могут быть вызваны изменением пространственной конфигурации точечных дефектов, не приводящей к изменению их зарядового состояния [58, 66, 67].

На данный момент одной из наиболее распространенных моделей для объяснения 1 If шума в полупроводниках является модель бистабильных дефектов. Данные дефекты формируются, предположительно, бистабильными (в общем случае мультистабильными) дефектами кристаллической решетки образца. Разновидностями такой модели являются модель Когана и Нагаева [68, 69] для случая туннельного перехода частиц, а также модель, связывающая возникновение фликкерного шума с наличием подвижных дефектов в твердом теле [57, 67, 70, 71, 72]. Модель, связывающая возникновение фликкерного шума с наличием подвижных дефектов, развивается в настоящей работе. При этом достоверная информация о природе и специфике источников, вызывающих флуктуации подвижности, в рамках данной модели до сих пор, по-видимому, отсутствует.

Имеется определенное количество экспериментальных данных, которые подтверждают ту точку зрения, что 1// флуктуации сопротивления не связаны с флуктуациями концентрации свободных носителей (флуктуациями числа носителей). Величина термо-э.д.с. в разомкнутой цепи, состоящей из двух образцов, изготовленных из одинакового материала и находящихся при разных температурах, зависит от концентрации носителей и, следовательно, должна реагировать на возможные флуктуации числа носителей. Однако Хоухе и Галл [72] не обнаружили 1// шум у термоэлементов в режиме разомкнутой цепи, а Клайнпеннин [74] не нашел экспериментального подтверждения гипотезы о флуктуации числа носителей при измерениях термо-э.д.с., проведенных на образцах германия с почти собственной проводимостью. Казалось бы, это должно ясно указывать на то, что 1 If шум сопротивления обуславливается не флуктуациями числа носителей тока.

Несмотря на это, гипотеза о флуктуациях числа носителей не может вообще не приниматься во внимание. Некоторые экспериментальные результаты по измерению 1 If шума у различных типов кремниевых резисторов интерпретировались, исходя из флуктуаций числа носителей [75]; измерения по эффекту Холла, проведенные Брофи и Ростокером [76], и также Клайнпеннином [77], свидетельствуют в пользу этой гипотезы.

Модель флуктуаций числа носителей используется Левинштейном и Румянцевым для объяснения НЧ шума в я-GaAs, наблюдаемого в условиях сильного геометрического магнитосопротивления [48], а также при сильном легировании [78]. Авторами приводится обоснование того, что флуктуации подвижности нельзя рассматривать в качестве источников фликкерного шума. При этом ими не учитывается возможность существования анизотропных флуктуаций подвижности, возникающих, в частности, при рассеянии носителей подвижными дефектами, имеющими несимметричную конфигурацию [67].

Одним из вариантов модели флуктуаций числа носителей тока является модель Мак Уортера [63]. Данная модель используется для описания И/ шума в полупроводниковых структурах, где имеется сравнительно большая поверхность раздела полупроводник-окисел [79].

Необходимо отметить, что в настоящее время в научно-технической литературе обсуждается проблема связи И/ шума в полупроводниковых структурах с флуктуациями либо концентрации носителей тока, либо подвижности.

На сегодняшний день при изготовлении полупроводниковых материалов в значительной мере удается контролировать и концентрацию дефектов, и их характер. Имеются различные методы определения качества структуры полупроводникового прибора, например, метод электронного парамагнитного резонанса, метод нестационарной емкостной спектроскопии, метод фотолюминесценции. В частности, с помощью нестационарной емкостной спектроскопии можно получать информацию о концентрации, энергетических уровнях и скоростях захвата на ловушки. Кроме того, этот метод позволяет различать ловушки для основных и неосновных носителей. С разработкой метода ББТ (метод теории функционала плотности) [80, 81] появилась возможность моделирования поведения атомов в кристаллической решетке. Метод ОБТ широко используются для моделирований механизмов диффузии собственных дефектов и примесей, релаксации атомов, окружающих дефект [82]. Все это привело в последнее время к появлению большого количества работ, направленных на выявление нестабильных дефектов в полупроводниковых структурах. Так в [83] приводятся примеры нестабильных дефектов в 81, в [84, 85, 86] - для ОаАв. Но анализа структуры нестабильных дефектов в контексте определения флуктуаций подвижности и, соответственно, связи с фликкерным шумом в известной литературе обнаружено не было.

Таким образом, исследования по выявлению источников, способных приводить к флуктуациям подвижности, и исследования, позволяющие определить соотношение вклада от 8[л- и 8п- составляющих данными источниками в результирующий спектр фликкерного шума, являются актуальными.

По мере того как флуктуационные исследования расширялись и углублялись, становилось очевидным, что их результаты содержат ценную информацию о физических процессах в полупроводниках и полупроводниковых структурах. Поэтому такие исследования открывают дополнительные возможности для изучения процессов, определяющих не только шумовые, но и нешумовые параметры и характеристики полупроводниковых материалов и приборов.

Именно такой подход к роли и значению флуктуационных исследований наиболее полно отражают их актуальность для современной полупроводниковой электроники.

Следует подчеркнуть, что флуктуационные исследования имеют, по крайней мере, три важных достоинства:

- шумовые методы позволяют определять параметры полупроводников по результатам измерений, проводимых в условиях, когда исследуемые объекты не подвергают каким-либо изменяющимся во времени внешним воздействиям;

- такие методы, в сущности, являются дифференциальными и обеспечивают строго линейный режим измерений;

- шумовые методы во многих случаях оказываются гораздо чувствительнее других методов исследования.

В связи с этим, помимо изучения фундаментальных аспектов, касающихся природы И/ шума, отдельный интерес представляет практическое приложение шумового анализа. Одним из направлений, активно развиваемых в последние годы, является использование И/шумового анализа в качестве неразрушающего инструмента диагностики качества структуры полупроводникового прибора. Во фликкерных флуктуациях, по-видимому, находят свое отражение электронные и атомные процессы в веществе, характеризующие особенности микроструктуры твердых тел. Это дает возможность использовать И/ шум для получения информации о качестве и надежности полупроводниковых структур. В частности, на основе исследования статистических свойств \// шума возможно тестирование, контроль качества полупроводниковых приборов и выявление потенциально ненадежных образцов [например, 6, 7, 21].

Процедура расшифровки шумовых исследований осложняется тем, что в процессе измерений получаемые оценки статистических характеристик шума прибора зачастую искажаются из-за влияния внешних электромагнитных помех. Это особенно характерно для нелинейных образцов, обладающих малыми шумами (по сравнению с собственным шумом измерительной установки) и способных детектировать внешние помехи. В этой связи разработка установки, позволяющей осуществлять измерения шумовых характеристик прибора в наиболее благоприятных, с точки зрения внешних помех, условиях, является актуальной проблемой.

В настоящей работе также развивается метод, первоначально описанный в работе [87] и направленный на выявление областей шумообразования в полупроводниковых структурах по анализу токовой зависимости спектра фликкерного шума. Существуют различные модели, описывающие эмпирические зависимости спектра фликкерного шума от величины тока, протекающего через диод. Так, например, в [88, 89] отмечается, что максимизация токовой зависимости фликкерного шума диода с р-п переходом, может быть результатом проявления флуктуаций тока "утечки"; насыщение токовой зависимости связывают с флуктуациями "диффузионного" тока [87].

В диссертации предложено для локализации источников фликкерного шума и выявления его специфики использовать экспериментальные данные не только при прямом, но и при обратном напряжении смещения. В качестве исследуемой структуры в данной работе выступают низкобарьерные диоды Шоттки с 5-легированием (НБДШ), разрабатываемые в Институте физики микроструктур РАН [90-94]. Применение 8-легирования позволяет использовать такие диоды в детекторах терагерцового излучения, работающих без начального смещения.

Исследования в части локализации области шумообразования в полупроводниках, а также выявление источников фликкерного шума (дефектов) направлены на комплексный анализ специфики фликкерного (1//) шума в структурах на основе ваАз.

Кроме У/ шума в работе исследуется также специфика естественных шумов (теплового, дробового) в полупроводниковых структурах.

Естественные шумы проявляются в приборах при малых токах, а также при работе без внешнего постоянного смещения. При исследовании диодных структур за основу была взята теория работы диода с р-п переходом. В соответствии с моделью, предложенной Ван дер Зилом (см., например, [14]), в диоде с р-п переходом существуют естественные шумы, то есть дробовой шум, возникающий при направленном движении носителей тока, и тепловой шум, связанный со случайностью процесса диффузии. Причем тепловой шум преобладает в несмещенном диоде, а дробовой шум — при наличии прямого или обратного напряжения, приложенного к диоду. В работе [5] показано, что подход Ван дер Зила не применим для определения спектра естественных шумов р-п перехода, а также барьера Шоттки, обладающих коэффициентом неидеальности ВАХ, превышающим единицу. В настоящей работе в рамках обоснования результата, полученного в [5], предлагается модификация соотношения Ван дер Зила для спектра естественных шумов диода.

Цели диссертации

Основные цели настоящей работы:

1. Модификация модели У/ шума в С а Аз на основе анализа известных данных об электрофизических параметрах и спектре У/ шума в планарных полевых транзисторах Шоттки и эпитаксиальных пленках.

2. Выявление потенциальных источников У/ шума в структурах на основе ваАв путём исследования строения и механизма мультистабильности существующих точечных дефектов.

3. Сравнительный анализ проявления фликкерных флуктуаций подвижности и концентрации свободных электронов в ОаАэ, вызванных стохастическими изменениями состояния мультистабильных точечных дефектов и сложных дефектов (комплексов).

4. Разработка эквивалентной схемы низкобарьерного диода Шоттки с 5-легированием для конкретизации природы и дифференциации возможных источников фликкерного шума на основе измерения семейства спектров низкочастотного шума при прямом и обратном напряжениях смещения.

5. Модификация соотношения Ван дер Зила для определения спектра естественных шумов диодов с р-п переходом, а также барьером Шоттки, обладающих коэффициентом неидеальности ВАХ, превышающим единицу. Экспериментальная проверка модифицированного соотношения. Уточнение шумовых параметров приборов, использующих подобные полупроводниковые диоды.

Научная новизна

1. Предложено в качестве механизма, приводящего к мультистабильности дефектов, рассматривать влияние эффекта Яна-Теллера, которому подвергаются собственные дефекты и атомы легирующей примеси в полупроводниках. Впервые механизм образования шума связывается с дефектами, подверженными влиянию эффекта Яна-Теллера.

2. Показана способность бистабильных точечных дефектов к генерации фликкерных флуктуаций в подвижности и концентрации свободных электронов. Для наиболее типичных параметров легирования ваАБ кремнием впервые показано доминирование составляющей, вызванной флуктуациями подвижности. Подобный результат свидетельствует в пользу ¿»//-модели 1// шума.

3. Впервые показано, что в ваАв, легированном кремнием, удельный вклад спектральной составляющей фликкерного шума, определяемой бистабильными точечными дефектами с флуктуирующим зарядом, существенно превышает вклад сложных дефектов (комплексов), бистабильность которых проявляется через переориентацию в пространстве.

4. Предложена модифицированная модель, описывающая источники и проявление фликкерного шума в низкобарьерных диодах Шоттки с 5-легированием. Показано, что фликкерные шумы в исследуемых образцах могут быть обусловлены не только флуктуациями эффективного числа атомов донорной примеси в 5-слое перехода Шоттки, но и флуктуациями тока утечки.

5. Модифицировано соотношение Ван дер Зила для определения спектра естественных шумов р-п перехода, а также барьера Шоттки, с коэффициентом неидеальности ВАХ, превышающем единицу. Модифицированное соотношение подтверждено экспериментально.

Краткое содержание диссертации

Диссертация состоит из введения, трех глав, заключения, двух приложений, а также списка цитируемой литературы.

Заключение диссертации по теме «Радиофизика», Шмелев, Евгений Игоревич

3.3. Выводы по третьей главе

В главе представлено модифицированное соотношение Ван дер Зила для спектра естественных шумов р-п перехода, а также барьера Шоттки, с коэффициентом неидеальности ВАХ, превышающем единицу, rjD > 1. Предложенная модификация учитывает специфику механизмов токопереноса при r¡D> 1.

Получено выражение для спектра эквивалентного генератора тока, трансформирующееся, в условии термодинамического равновесия с окружающей средой, в формулу Найквиста. На основе измерений НЧ шума

НБДШ с г]0 > 1 в области малых токов экспериментально подтверждена модификация соотношения Ван дер Зила.

Исследовано влияние предложенной модификации соотношения Ван дер Зила на значения шумовых параметров (отношение «сигнал/шум», эквивалентная шумовая мощность) детекторов, работающих без внешнего постоянного смещения.

Заключение

Ниже представлены основные результаты, полученные в данной работе.

1. Для двух типов структур, выполненных на основе СаАэ, эпитаксиальных пленок и планарных субмикронных полевых транзисторов с плоским затвором Шоггки, подтверждено, что диполи, спонтанно изменяющие свою ориентацию в кристаллической решетке, могут являться источником наблюдаемого шума. В рамках ¿/¿-модели фликкерного шума выполнен поиск донорно-акцепторных пар, имеющих дипольный тип рассеяния для электронов в и-ваАз, легированном кремнием. Предложено рассматривать такие донорно-акцепторные пары, как Уса81са> УА581А5, Уса^АБ

2. В качестве механизма, приводящего к появлению мультистабильности дефектов, предложено учесть эффект Яна-Теллера, которому подвергаются собственные дефекты и атомы легирующей примеси в полупроводниках. Выявлена способность сложного дефекта, содержащего вакансию галлия и мелкоуровневый донор кремния (Уса81са)5 выступать в роли пространственного мультистабильного дефекта и БХ-центра в качестве дефекта с зарядовой мультистабильностью. Показано, что данные дефекты способны формировать наблюдаемый спектр фликкерного шума в ОаАэ образцах. Сформулировано предположение, что механизм образования И/ шума связан с дефектами, подверженными влиянию эффекта Яна-Теллера.

3. Для наиболее типичных параметров легирования ваАБ кремнием (в рамках модифицированной модели бистабильных дефектов) показан доминирующий вклад фликкерных флуктуаций подвижности. Подобный результат свидетельствует в пользу ¿/¿-модели И/ шума. Показано, что спектральная составляющая шума, обусловленная бистабильными точечными дефектами с флуктуирующим зарядом, существенно превышает составляющую, обусловленную пространственно бистабильными сложными дефектами (комплексами).

4. Предложена модель низкобарьерного диода Шоттки с 8-легированием, что позволило описать полученные экспериментальные токовые зависимости спектра фликкерного шума при прямом и обратном напряжениях смещения. Показано, что фликкерные шумы в исследуемых образцах могут быть обусловлены не только флуктуациями эффективного числа атомов донорной примеси в 8-слое перехода Шоттки, но и флуктуациями тока утечки.

5. Модифицировано соотношение Ван дер Зила для спектра естественных шумов р-п перехода, а также барьера Шоттки, обладающих коэффициентом неидеальности ВАХ, превышающим единицу. Модифицированное соотношение подтверждено экспериментально. Уточнены значения шумовых параметров (отношение «сигнал/шум», эквивалентная шумовая мощность) полупроводниковых детекторов, работающих без постоянного смещения.

Список литературы диссертационного исследования кандидат физико-математических наук Шмелев, Евгений Игоревич, 2010 год

1. Макаров, C.B. Развитие методов выявления негауссовости 1/f шума для исследования его природы: Дис. канд. физ.-мат. наук: 01.04.03 / C.B. Макаров. Н. Новгород, 2001. - 150 с.

2. Перов, М.Ю. Развитие методов анализа 1/f шума полупроводниковых наноразмерных структур: Дис. канд. физ.-мат. наук: 01.04.03 / М.Ю. Перов. Н. Новгород, 2003. - 134 с.

3. Беляков, A.B. Исследование низкочастотных шумов светоизлучающих структур с целью диагностики их физических свойств: Дис. канд. физ.-мат. наук: 01.04.03 / A.B. Беляков. -Н. Новгород, 2005. 144 с.

4. Моряшин A.B. Уточнение природы 1// шума на основании исследования естественного старения субмикронных планарных GaAs полевых транзисторов с затвором Шотки // Дис. канд. физ.-мат. наук: 01.04.03/ A.B. Моряшин. Н. Новгород, 2007. - 91 с.

5. Клюев A.B. Источники низкочастотных шумов в квантово-размерных светоизлучающих структурах и диодах Шотгки с дельта-легированием // Дис. канд. физ.-мат. наук: 01.04.03, Н. Новгород, 2008. 158 с.

6. Johnson, J.B. The Schottky effect in low frequency circuits / J.B. Johnson // Phys. Rev. 1925. - Vol. 26. - № 71.

7. Малахов, A.H. Флуктуации в автоколебательных системах / А. H. Малахов. M.: Наука, 1968. - 660 с.

8. Малахов, А.Н. К вопросу о спектре фликкер-шума / А.Н. Малахов // Радиотехника и электроника. 1959. - Т. 4. - № 1. - С. 54.

9. Коган, Ш.М. Низкочастотный токовый шум со спектром 1/f в твердых телах / Ш.М. Коган // УФН. 1985. - Т. 145. - № 2. - С. 285 - 328.

10. Hooge, F.N. Experimental studies on 1/f noise / F.N. Hooge, T.G.M. Kleinpenning, L.K.J. Vandamme // Reports on progress in Physics. 1981. - Vol. 4. -№5.-P. 479-532.

11. Бочков, Г.Н. О некоторых вероятностных характеристиках 1/f шума / Г.Н. Бочков, Ю.Е. Кузовлев // Известия ВУЗов. Радиофизика. 1984. - Т. 27. -№ 9. - С. 1151-1157.

12. Жигальский, Г.П. Шум вида 1/f и нелинейные эффекты в тонких металлических пленках / Г.П. Жигальский // УФН. -1997. Т. 167, № 6. - С. 623648.

13. Van der Ziel, A. On the noise spectra of semi-conductor noise and of flicker effect / A. Van der Ziel // Physica. 1950. - Vol. 16. - № 4. - P. 359 - 372.

14. Ван дер Зил, А. Шумы в полупроводниковых приборах и лазерах / А. Ван дер Зил // Пер. с англ. ТИИЭР. - 1970. - Т. 58. - № 8. - С. 5 - 34.

15. Ван дер Зил, А. Единое представление шумов типа 1/f в электронных приборах: Фундаментальные источники / А. Ван дер Зил // Пер. с англ. -ТИИЭР. 1988. - Т. 76. - № 3. - С. 5 - 34.

16. Du Pre, F. К. A suggestion regarding the spectral density of flicker noise / F.K. Du Pre // Physical Review. 1950. - Vol. 78. - № 5, - P. 615.

17. Малахов, A.H. К вопросу о природе фликкерных флуктуаций / А.Н. Малахов, А.В. Якимов // Радиотехника и электроника. 1974. - Т. 19. - № 11.-С. 2436-2438.

18. Hooge, F.N. The relation between 1/f noise and number of electrons / F.N. Hooge // Physica B. 1990. - Vol. 162. - P. 344 - 352.

19. Kleinpenning, T.G.M. 1/f noise in p-n diodes / T.G.M. Kleinpenning // Physica. 1980. - Vol. 98 B+C, no. 4, - P. 289 - 299.

20. Van Kemenade, A.J. 1/f noise in the extinction coefficient of an optical fibre / A.J. van Kemenade, P. Herve, L.K.J. Vandamme // Electronic Letters. 1994. -Vol. 30. -№ 16. - P. 1338 - 1339.

21. Vandamme, L.K.J. Noise as a diagnostic tool for quality and reliabiliry of electron devices / L.K.J. Vandamme // IEEE Trans. Electron Devices. 1994. -Vol.41.-№11. -P.2176-2187.

22. Dutta, P. Low-frequency fluctuations in solids: 1/f noise / P. Dutta, P.M. Horn // Reviews of Modern Physics. 1981. - Vol. 53. - № 3. - P. 497 - 516.

23. Dutta, P. Energy scales for noise processes in metals / P. Dutta, P. Dimon, P. M. Horn //Phys. Rev. Lett. 1979. - Vol. 43. - № 9. - P. 646 - 649.

24. Voss, R.F. Fliker 1/f noise: Equilibrium temperature and resistance fluctuations / R.F. Voss, J. Clarke // Phys. Rev. 1976. - Vol. В13. - №.2. - P. 556 -573.

25. Weissman, M.B. 1/f noise and other slow, nonexponential kinetics in condensed matter / M.B. Weissman //Rev. Mod. Phys. 1988, Vol. 60. - № 2. - P. 537-571.

26. Паленскис, В.П. К вопросу о природе 1/f шума в линейных резисторах и р-n переходах / В.П. Паленскис, Г.Е. Леонтьев, Г.С. Миколайтис // Радиотехника и электроника. 1976. - Т.21. - №11. - С. 2433-2434.

27. Лукьянчикова, Н.Б. Физические основы электрофлуктуационной диагностики надежности и срока службы полупроводниковых приборов / Н.Б. Лукьянчикова // Электронная промышленность. 1983. - №6. - С. 28-35.

28. Лукьянчикова, Н.Б. Низкочастотный шум в полупроводниковых диодах / Н.Б. Лукьянчикова // Литовский физический сборник. 1984. - Т.24. -№1.-С. 51-67.

29. Лукьянчикова, Н.Б. Флуктуационные явления в полупроводниках и полупроводниковых приборах. / Н.Б. Лукьянчикова // М.: «Радио и связь». 1990, - 296 с.

30. Бахтизин, Р.З. Фликкер-шум в полупроводниковых автокатодах / Р.З. Бахтизин, С. С. Гоц // Известия ВУЗов. Радиофизика. 1981. - Т.24. - № 10. -С. 1276-1281.

31. Нарышкин, А.К. Теория низкочастотных шумов / А.К. Нарышкин, A.C. Врачев. -М.: Энергия, 1972. 153 с.

32. Жигальский, Г.П. Исследование зависимости шума 1/f в тонких металлических пленках от внутренних механических напряжений / Г.П. Жигальский, Ю.Е. Соков, Н.Г. Томсон // Радиотехника и электроника. 1979. -Т.24. -№ 2. -С. 410-412.

33. Жигальский, Г.П. Влияние структурных факторов на фликкерный шум в мелкодисперсных пленках хрома / Г.П. Жигальский, A.B. Карев, И.Ш. Сиранашвили и др. // Известия ВУЗов. Радиофизика. 1990. - Т.ЗЗ, № 10. - С. 1181-1184.

34. Жигальский, Г.П. Взаимосвязь 1/f шума и эффектов нелинейности в металлических пленках / Г.П. Жигальский // Письма в ЖЭТФ. 1991. - Т.54. -№.9.-С. 510-513.

35. Жигальский, Г.П. Исследование фликкерного шума в тонкопленочных резисторах на основе пленок тантала / Г.П. Жигальский, A.B. Карев, В.Е. Косенко // Электронная техника. Серия 6, Материалы. 1992. -№ 1(148). -С.70-73.

36. Potemkin, V.V. 1/f noise in thin metal films: The role of steady and mobile defects/ V.V. Potemkin, A.V. Stepanov, G.P. Zhigal'skii // Proceedings of the International Conference on Noise in Physical Systems and 1/f Fluctuations. AIP. -1993.- P. 61-64.

37. Жигальский, Г.П. Шум вида 1/f, обусловленный равновесными флуктуациями в металлических пленках/ Г.П. Жигальский, A.C. Федоров // Известия Вузов. Радиофизика. 1994. -Т.37. -№ 2. - С. 161-182.

38. Жигальский, Г.П. Неравновесный фликкер-шум в тонкопленочных резисторах на основе тантала / Г.П. Жигальский, A.B. Карев // Радиотехника и электроника. 1999. - Т. 44. - № 2. - С. 220-224.

39. Zhigal'skii, G.P. Non-equilibrium 1/f noise in metal and alloy films. / G.P. Zhigal'skii, B.K. Jones // Proc. of 15-th Intern. Confer. ICNF-99 (Hong Kong). -1999.-P. 172-175.

40. Жигальский, Г.П. Неравновесный l/f-шум в проводящих пленках и контактах / Г.П. Жигальский // УФН -2003. Т. 173. - № 5. - С. 465-490.

41. Потемкин, В.В. Проявление нулевых колебаний решетки в температурной зависимости 1/f шума металлов / В.В. Потемкин, М.Е. Герценштейн, И.С. Бакши // Известия ВУЗов. Физика. 1983. - Т.26. - № 4. - С. 114-115.

42. Корнилов, С.А. Фликкерные флуктуации колебаний генераторов на лавинно-пролетных диодах / С.А. Корнилов, К.Д. Овчинников, В.М. Павлов // Известия ВУЗов. Радиофизика. 1985. - Т.28. - № 6. - С. 725-730.

43. Кулешов, В.Н. Фликкер-шум в транзисторах и флуктуации амплитуды и фазы в высокочастотных усилителях / В.Н. Кулешов, И.П. Бережняк // Радиотехника и электроника. 1980. - Т.25. - № 11. - С. 2393-2399.

44. Левинштейн, М.Е. Шум 1/f в условиях сильного геометрического магнитосопротивления / М.Е. Левинштейн, С.Л. Румянцев // Физика и техника полупроводников. 1983.-Т. 17.-№10.-С. 1830-1834.

45. Levinshtein, М. Е. Nature of the volume 1/f noise in the main materials of semiconductor electronics: Si, GaAs, and SiC / M.E. Levinshtein // Physica Scripta. 1997. - Vol. T69. - P.79-84.

46. Dmitriev, A.P. A model of the 1/f noise in a forward-biased p-n diode / A.P. Dmitriev, M.E. Levinshtein, E.N. Kolesnikova, J.W. Palmour, M.K. Das, B.A. Hull// Semicond. Sci. Technol. -2008. Vol.23. -№1. - P. 1-5.

47. Timashev, S.F. Review of flicker-noise spectroscopy in electrochemistry / S.F. Timashev, Yu.S. Polyakov // FNL. World Scientific. - 2007. - Vol.7. - №2. -P.15-47.

48. Leontjev, G. Surface and bulk 1/f noise in silicon bipolar transistors / G. Leontjev // Proceedings of the 12 International Conference on Noise in Physical Systems and 1/f Fluctuations ICNF -1993. AIP. - 1993. - P. 268 - 271.

49. Musha, T. 1/f-like fluctuations of biological rhythm / T. Musha, M. Yamamoto // Proc. 13th Int. Conf. on Noise in Physical Systems and 1/f Fluctuations.-Singapore:World Scientific. 1995. -P.22-31.

50. Handel, P.H. Quantum 1/f Noise, a New Aspect of Quantum Physics in

51. Hi-Tech Devices, Sensors, Nanostructures and Systems / P.H. Handel, A.M. Truong,th

52. T.F. George, H. Morkoc // ICNF-2007. 19 international conference on Noise and Fluctuations, edited by M.Tacano, Yo. Yamamoto, M. Nakao, AIP Conference Proceedings, Japan, Tokyo, 2007. - Vol. 922. - P. 425-430.

53. Pelz, J. Dependence of 1/f noise on defects induced in copper films by electron irradiation / J. Pelz, J. Clark // Phys. Rev. Lett. 1985. - Vol. 55. -P.738-741.

54. Orlov, V.B. A further interpretation of Hooge's 1/f noise formula / V. B. Orlov, A. V. Yakimov//PhysicaB. 1990. - V.162. -P.13-20.

55. Якимов, A.B. Могут ли подвижные дефекты вызвать 1/f шум в полупроводнике? / А.В. Якимов // Известия ВУЗов. Радиофизика. 1999. - Т.42. - №6. - С.594-600.

56. Fleetwood, D.M. Direct link between 1/f noise and defects in metal films /D.M. Fleetwood, N. Giordano // Phys. Rev. B. 1985. -Vol.31. -P.l 157-1160.

57. Zimmerman, N.M. Microscopic scatterer displacements generate the 1/f resistance noise of H in Pd / N.M. Zimmerman, W.W. Webb // Phys. Rev. Lett. -1988.-Vol.61.-P.889-892.

58. Vandamme, L.K.J. Annealing of ion-implanted resistors reduces the 1/f noise / L.K.J. Vandamme, S. Oosterhof// J. Appl. Phys. 1986. - Vol.59. - P.3169-3274.

59. Clevers, R.H.M. 1/f noise in ion-implanted resistors between 77 and 300 К / R.H.M. Clevers // J. Appl. Phys. 1987. - Vol.62 - P. 1877-1881.

60. Мак Уортер, А. в кн. Физика поверхности полупроводников (пер. с англ. Под ред. Г.Е. Пикуса) / А. Мак Уортер. М.: ИЛ., 1959. -263 с.

61. Van der Ziel, A. Noise, Sources, Characterization Measurement / A. Van der Ziel // Prentice-Hall, New Jersey. 1970, Chap. 1.

62. Sah, C.T. Theory of low-frequency generation noise in junction-gate field-effect transistors / C.T. Sah // Proc. IEEE. 1964. - Vol. 52. - P.795 - 814.

63. Hooge, F.N. 1 If noise is no surface effect / F.N. Hooge // Phys. Lett. A. -1969.-Vol. 29.-P. 139.

64. Орлов, В.Б. Анизотропные флуктуации подвижности тока и 1 If -шум магнитосопротивления в полупроводниках /В.Б. Орлов, А.В. Якимов // Физика и техника полупроводников. 1989. -Т.23. -№8. - С. 1341-1344.

65. Коган, Ш.М. Низкочастотный токовый шум в твердых телах и внутреннее трение / Ш.М. Коган, К.Э. Нагаев // Физика твердого тела. 1982. -Т.24.-№ И. -С. 3381-3388.

66. Коган, Ш.М. Шум в туннельных переходах, вызываемый двухуровневыми системами в диэлектрической прослойке / Коган Ш.М., Нагаев К.Э. // Письма в ЖТФ. 1984. - Т.10. - № 5. - С. 313-316.

67. Якимов, А.В. Проблема обоснования спектра вида 1 If в термоактивационных моделях фликкерного шума / А.В. Якимов // Известия ВУЗов. Радиофизика. 1985. -Т.28. -№8. -С.1071-1073.

68. Орлов, В. Б. Диффузия примесей и фликкерные флуктуации подвижности носителей тока в полупроводниках / В.Б. Орлов, А.В. Якимов // Известия ВУЗов. Радиофизика. 1984. - Т. 27. -№12. - С.1584 - 1589.

69. Chen, X.Y. Annealing of proton-damaged GaAs and 1/f noise / X.Y. Chen, Folter L.C. // Semicond. Sci. Technol. 1997. - Vol.12. - P. 1195-1201.

70. Hooge, F.N. Experimental study of 1/f noise in thermo E.M.F. / F.N. Hooge, J.L.M. Gaal // Phillips Res. Rep. -1971. Vol. 26. - P. 345- 358.

71. Kleinpenning, T.G.M. 1/f noise in the thermo e.m.f. of intrinsic and extrinsic semiconductors / T.G.M. Kleinpenning // Physica. -1974. -Vol. 77. P. 7898.

72. Jones, B.K. Excess conductance noise in silicon resistors / B.K. Jones // tb

73. Proc. 6 Int. Conf. On Noise in Physical Systems held at the National Bureau of Standards, Gaithersburg, MD, USA, April 6-10. 1981. - P. 206-209.

74. Brophy, J.J. Low-frequency variance noise / J.J. Brophy // J. Appl. Phys. -1970.-Vol. 41.-P. 1697-1701.

75. Kleinpenning, T.G.M. 1/f noise in Hall effect: fluctuations in mobility / T.G.M. Kleinpenning // J. Appl. Phys. -1980. Vol. 51. - P. 3438.

76. Дьяконова, H.B. Шум 1/f в сильно легированном n-GaAs в условиях зона-зонной подсветки / Н.В. Дьяконова, М.Е Левинштейн, F. Pascal, С.Л. Румянцев // Физика и техника полупроводников. -1997. Т.31. -№7. - С.858-863.

77. Букингем, М. Шумы в электронных приборах и системах / М. Букингем. М.: Мир, 1986, - 399 с.

78. Кон, В. Электронная структура вещества волновые функции и функционалы плотности / В. Кон //УФН. - 2002. - Т.172. - №3. - С. 336-348.

79. Drabold, D.A. Theory of Defects in Semiconductors / D.A. Drabold, S.K. Estreicher. -2007. Springer-Verlag Berlin Heidelberg. - 296 p.

80. Malouin, M-A. Gallium self-interstitial relaxation in GaAs: An ab initio characterization / M-A. Malouin, F. El-Mellouhi, N. Mousseau // Phys. Rev. B. -2007.-Vol.76.-P.045211.

81. Suski, T. Metastable donors in GaAs / T. Suski, M. Ba // Physica Scripta. 1991. - Vol.39. -P.250-257.

82. El-Mellouhi, F. Self-vacancies in gallium arsenide: an ab initio calculation / F. El-Mellouhi, N. Mousseau // Phys. Rev. B. 2005. - Vol. 71. -P. 125207-125229.

83. Малахов, A.H. Флуктуации сопротивления полупроводниковых детекторов / A.H. Малахов // Радиотехника и электроника. 1958. - Т.З. - №4. -С. 547-551.

84. Якимов, А.В. Фликкерные шумы токов утечки в полупроводниковых диодах / А.В. Якимов // Известия ВУЗов. Радиофизика. -1984. -Т.27. — №1. С. 120-123.

85. Климов, А.Э. Избыточные шумы в диодах на основе PbixSnxTe и их связь с вольтамперными характеристиками / А.Э. Климов, И.Г. Неизвестный, В.Н. Шумской // Физика и техника полупроводников. 1983. - Т. 17. - №10. - С. 1766-1770.

86. Шашкин, В.И. Диагностика низкобарьерных диодов Шоттки с приповерхностным 8-легированием / В.И. Шашкин, А.В. Мурель // Физика и техника полупроводников. 2008. - Т 42, вып. 4. - С. 500 - 502.

87. Шашкин, В.И. Теория туннельного токопереноса в контактах металл полупроводник с приповерхностным изотипным 8-легированием / В.И. Шашкин, А.В. Мурель // Физика и техника полупроводников. - 2004. - Т. 38. -№. 5. - С. 574 - 579.

88. Востоков, Н.В. Электрические свойства наноконтактов металл -полупроводник / Н.В. Востоков, В.И. Шашкин // Физика и техника полупроводников. -2004. Т. 38. -№9. - С. 1084 - 1089.

89. Моряшин А.В., Донорно-акцепторные пары как причина 1//шума в приборах на основе GaAs // А.В. Моряшин, Е.И. Шмелев, А.В. Якимов // Вестник Нижегородского университета им. Н.И. Лобачевского. Серия Радиофизика. 2007. - Вып. 1. - С.78-82.

90. Шмелев Е.И. Мобильная установка для исследования низкочастотных шумов // Е.И. Шмелев, А.В. Клюев, А.В. Якимов // Вестник Нижегородского университета им. Н.И. Лобачевского. Серия Радиофизика. -2009. Вып.5. - С. 81-85.

91. Klyuev, A.V. Modification of Van der Ziel Relation for Spectrum of Noise in p-n Junction / A.V. Kluev, E.I. Shmelev, A.V. Yakimov // Fluctuation and Noise Letters Vol. 0, No. 0 (принято к печати).

92. Клюев А.В. Источники фликкерного шума в дельта-легированных кремнием диодах Шоттки / А.В. Клюев, Е.И. Шмелев, А.В. Якимов // Вестник Нижегородского университета им. Н.И. Лобачевского. Серия Радиофизика.2010. Вып. 5 (принято к печати).

93. Шмелев, Е.И. Дефектные комплексы как причина 1/f шума в приборах на основе GaAs // Шмелев Е.И., Якимов A.B. // XII Международный Симпозиум, Нанофизика и наноэлектроника, Н. Новгород. 2008. - Т.2. - С. 368-369.

94. Ю, П. Основы физики полупроводников / П. Ю., М. Кардона. -М.:Физматлит, 2002. 560с.

95. Лано, М. Точечные дефекты в полупроводниках. Теория / М. Лано, Ж. Бургуэн М.: Мир, 1984. - 264 с.

96. Бургуэн, Ж. Точечные дефекты в полупроводниках. Экспериментальные аспекты / Ж. Бургуэн, М. Лано. М.: Мир, 1985. - 304 с.

97. Фистуль, В.И. Введение в физику полупроводников / В.И. Фистуль. М.: Высш. шк., 1984. - 352 с.

98. Chantre, A. Introduction to defect bistability / A. Chantre // Appl. Phys. A.-1989.-Vol.48.-P.3-9.

99. Seebauer, E.G. Charged semiconductor defects: structure, thermodynamics and diffusion / E.G. Seebauer, M.C. Kratzer. Springer, 2008. -294p.

100. Бонч-Бруевич, В. Л. Физика полупроводников / В. Л. Бонч-Бруевич, С. Г. Калашников. М.: Наука, 1990. - 685 с.

101. Зеегер, К. Физика полупроводников / К. Зеегер. М.: Мир, 1977.615 с.

102. Conwell, Е. Theory of impurity scattering in semiconductors / E. Conwell, F. Weisscopf// Phys. Rev. 1950. - Vol.77. - P.388.

103. Reiss, H Chemical interactions among defects in germanium and silicon / H, Reiss H., C.S. Fuller, F. Morin // J. Bell. Syst. Techn. J. 1956. - Vol.35. -P.535-636.

104. Самойлович, А. Г. К вопросу о рассеивании на диполях / А.Г. Самойлович, М.В. Ницович // Физика твердого тела. 1963. - Т.5. - №10. -Р.2981-2984.

105. Boardman, A.D. The theory of dipole scattering in semiconductors / A.D. Boardman//Proc. Phys. Soc. 1965. - Vol.85. -P.141-148.

106. Левин, Б.Р. Теоретические основы радиотехники / Б.Р. Левин. М.: Сов. радио, 1969. - Кн. 1, гл. И.

107. Machlup, S. Spectrum of two-parameter random signal / S. Machlup // J. of Applied Physics. 1954. - Vol. 25. - №3. - P.341-343.

108. Стрельченко, C.C. Соединения A3B5. / С.С. Стрельченко, В.В. Лебедев. // Справ, изд. М.: Металлургия, 1984. - 144с.

109. Шур, М. Современные приборы на основе арсенида галлия / М. Шур.-М.: Мир, 1991.-632 с.

110. Orlov, V.B. 1/f noise in Corbino disk: anisotropic mobility fluctuations / V.B. Orlov, A.V. Yakimov // Solid-State Electronics. 1990. - Vol. 33. - P.21-25.

111. Song, M.-H. Influence of magnetic field on 1/f noise in GaAs Corbino disks / M.-H. Song, H.S. Min // J. of Applied Physics. 1985. Vol.58. - №11. - P. 4221-4224.

112. Chen, X.Y. Annealing of proton irradiated GaAs reduces the 1/f noise / X.Y. Chen, V. Aninkevicius // Proc. 7th Vilnius Conf. Fluctuation Phenomena in Physical System, Vilnius University Press. 1994. -P.260-265.

113. Yakimov, A.V. A simple test of the Gaussian character of noise / A.V. Yakimov, F.N. Hooge // Physica B. 2000. - Vol. 291. - P.97-104.

114. Bersucer, I.B. The Jahn-Teller effect / I.B. Bersucer. Cambridge: Cambridge University Press, 2006. - 632p.

115. Stavolta, M. Identification of defects in semiconductors. Part 2. / M. Stavolta. USA: Academic Press, - 1998 - 434p.

116. Аверкиев, H.C. Изменение энергии ян-теллеровских конфигураций комплексов вакансия-донор под влиянием внешней одноосной дефформации /

117. H.С. Аверкиев, А.А. Гуткин, М.А. Рещиков // Физика и техника полупроводников.- 1999.-Т. 33.-№ 11.-С. 1323-1329.

118. Anderson, P.W. Model for the electronic structure of amorphous semiconductors / P.W. Anderson // Phys. Rev. Lett. 1975. - Vol.34. - P.953-955.

119. Zhang, S.B. Cation antisite defects and antisite-interstitial complexes in gallium arsenide / S.B. Zhang, D.J. Chadi // Phys. Rev. Lett. 1990. - Vol.64. -P. 1789-1792.

120. Adachi, S. Properties of Aluminium Gallium Arsenide / S. Adachi. -Institution of Electrical Engineers: INSPEC, 1993. 325p.

121. Dupasquier, A. Positron spectroscopy of solids / A. Dupasquier, A.P. Mills. IOS Press, 1993. - 780p.

122. Wall, E.L. Edge injection currents and their effects on 1/f noise in planar Schottky diodes / E.L. Wall // Solid-State Electronics. 1976. - Vol.19. - №5. - P. 389-396.

123. Головко, А.Г. l/f-шумы в барьерных слоях / А.Г. Головко // Известия ВУЗов. Радиофизика. 1978.-Т.21.-№ 10.-С. 1531-1534.

124. Smullin, К. D. Noise in Electron Devices / К. D. Smullin, A. Haus. -Cambridge: MA, MIT Press, 1959.

125. Ван дер Зил, А. Шумы в полупроводниковых приборах и лазерах / А. Ван дер Зил // Пер. с англ. ТИИЭР. - 1970. - Т. 58. - № 8. - С. 5 - 34.

126. Hubi'k, P. Deep levels in GaAs due to Si 5 doping / P. Hubi'k, J. Krisvtofik, J. J. Mares" J. Maly', E. Hulicius, J. Pangra'c // J. of Applied Physics. -2000. Vol.88. -№11.- P.6488-6494.

127. Nyquist, H. Thermal agitation of electric charge in conductors / H. Nyquist//Physical Review. 1928.-Vol.32.-P. 110-113.

128. Sah, С. T. Carrier generation and recombination in p-n junctions and p-n junction characteristics / С. T. Sah, R. N. Noyce, W. Shockley // Proceedings of IRE. -1957. Vol. 45. -№ 9. - P. 1228-1243.

129. Gupta, M. S. Thermal fluctuations in driven nonlinear resistive systems / M. S. Gupta // Physical Review A. 1978. - Vol. 18. - №6. - P.2725-2731.

130. Su, N. Temperature dependence of high frequency and noise performance of Sb-heterostructure millimeter-wave detectors / N. Su, Z. Zhang, J.N. Schulman, P. Fay // IEEE Electron Device Letters. 2007. - Vol. 28. - № 5. - P.336-339.

131. Ван дер Зил, А. Шумы при измерениях / А. Ван дер Зил // Пер. с англ. Издательство МИР, 1979. - 293 с.

132. Spieler, Н. Semiconductor Detector Systems / Н. Spieler. Oxford University Press, 2005. - 506p.

133. Якимов, А. В. Физические модели и анализ флуктуаций и шумов в трердотельных генераторных системах СВЧ: Дис. докт. физ.-мат. наук: 01.04.03 / А. В. Якимов. Горький, 1986. - 362 с.

134. Корнилов С.А., Фликкерный шум СВЧ детекторов а диодах с барьером Шоттки / Корнилов С.А., Лосев В.Л., Мещеряков A.B. // Известия ВУЗов. Радиофизика. 1979. - Т.22. - №11. - С. 1392-1400.

135. В. М. Малышев Низкочастотный шум в диодах Шоттки в статическом и детекторном режимах / В. М. Малышев, В.Г. Усученко // Известия ВУЗов. Радиофизика. 1989. - Т.32. - №5. - С.632-641.

136. Шашкин, В.И. Нелинейные транспортные эффекты в селективнолегированных гетероэпитаксиальных микроструктурах металл-полупроводник: Автореферат дис. докт. физ.-мат. наук: 01.04.10 / В.И. Шашкин. Н. Новгород, 2009. - 39 с.

137. Сайт производителя Low Noise Preamplifier 5113 и Ultra Low Noise Preamplifier 5184 Электронный ресурс. URL: http://www.signalrecovery.com (дата обращения 10.12.2009).

138. Сайт производителя модулей N1-9239 и N1 cDAQ-9172 Электронный ресурс. URL: http://www.ni.com (дата обращения 10.12.2009).