Исследование процессов роста гетерокомпозиций Si1-x Ge x /Si(100) из сублимирующего источника Si и молекулярного потока GeH4 тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 01.04.07, кандидат физико-математических наук Потапов, Александр Васильевич

• Потапов, Александр Васильевич
• кандидат физико-математических наук
• 1999

Оглавление диссертации кандидат физико-математических наук Потапов, Александр Васильевич

СОДЕРЖАНИЕ

Введение

Глава 1. Проблема гетероэпитаксии релаксированных Si-Ge слоев

на Si и Ge (современное состояние)

§ 1.1. Введение

§ 1.2. Рост слоев Si, Ge и твердых растворов Sii_xGex из газовой фазы

§1.3. Поверхностные процессы в гидридной эпитаксии

германия и кремния

§ 1.4. Моделирование кинетики роста слоев Si¡.xGex

в гидридной технологии

§ 1.5. Режимы роста Ge и Si пленок при гомо- и гетероэпитаксии

§ 1.6; Упругие напряжения и дефектообразование в гетеросистемах

на основе Ge и Si

Глава 2. Стационарная кинетика роста слоев Si].xGex из атомарного

потока Si и молекулярного потока GeH4

§ 2.1. Введение

§ 2.2. Общая характеристика зависимостей состава и скорости роста

слоев от основных технологических параметров

§ 2.3. Модель кинетики роста Si-Ge слоев в методе Si-GeKU-Mro

§ 2.4. Определение параметров модели

§ 2.5. Стационарная кинетика роста

§ 2.6. Основные результаты

Глава 3. Нестационарные процессы роста Si-Ge гетерокомпозиций,

растущих из атомарного потока Si и молекулярного потока GetU

§3.1. Введение

§ 3.2. Переходные процессы на поверхности роста и распределение С1е на гетеропереходе 8н.хС1сх/8и растущего из сублимирующего источника

Si и молекулярного потока GeH4

§ 3.3. Островковый рост и самоорганизация при зарождении пленки Ge, растущей из GeH4

§ 3.4. Основные результаты

Глава 4. Структурные свойства релаксированных Si-Ge слоев, выращенных из атомарного потока Si и молекулярного потока GeH4 на подложках Si(100)

§4.1. Введение

§ 4.2. Реальная структура слоев Sii-xGex и сверхрешеток [Sii.xGex/Ge], выращенных на Si(100), и распределение Ge в них

§ 4.3. Остаточные упругие деформации в слоях Sij.xGex и

сверхрешетках [Sii_xGex/Ge], выращенных на Si(100)

§ 4.4. Закономерности и механизмы дефектообразования в гетероструктурах Sii-xGex/Si(100)

§ 4.5. Основные результаты

Заключение

Литература

Приложения

Приложение 1. Определение плотности потока атомов кремния, получаемого путем сублимации

Приложение 2. Программа численного моделирования кинетики роста слоев Sii_xGex из атомарных потоков Si и Ge

из молекулярных потоков SÍH4, GeH4, SÍ2H6 и ОегНб

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Исследование процессов роста гетерокомпозиций Si1-x Ge x /Si(100) из сублимирующего источника Si и молекулярного потока GeH4»

Введение

Актуальность. Использование твердых растворов Sii.xGex позволяет существенно расширить функциональные возможности и области применения традиционной кремниевой электроники. Псевдоморфные гетероструктуры на основе кремния, германия и их твердых растворов уже нашли широкое применение в самых разнообразных устройствах микро-, опто- и СВЧ-электроники. Дальнейшее продвижение кремний-германиевых гетероструктур в массовое производство полупроводниковых приборов зависит, помимо развития физических принципов работы приборов на гетеропереходах, также от успешной разработки технологии роста и поиска условий получения сложных, в том числе релаксированных, Si-Ge гетерокомпозиций на кремниевых подложках.

Первые основополагающие работы по выращиванию напряженных Si-Ge гетероструктур были выполнены с использованием техники молекуляр-но-пучковой эпитаксии (МПЭ) еще в 1977 году [1]. Отдавая должное этому методу, нельзя не отметить возникающие при его использовании трудности получения стабильного и интенсивного потока атомарного Ge, связанные с низкими температурой плавления и давлением насыщенных паров этого элемента. Сложность, дороговизна и низкая производительность оборудования для МПЭ делают этот метод малопривлекательным для промышленного производства. Эти обстоятельства подвигнули большое число исследователей на поиск альтернативных путей развития Si-Ge технологии.

В последнее десятилетие интенсивно развиваются газофазные методы эпитаксии, использующие гидриды Ge и Si при пониженных давлениях в реакторе [2]. Использование низких давлений в гидридной технологии позволяет улучшить однородность пленок по площади и дает возможность формирования более резких гетеропереходов, что особенно важно при создании структур на-нометрового масштаба. Сравнительно небольшие скорости роста (менее 2

нм/мин), характерные для этой технологии, облегчают контроль толщины выращиваемых слоев, но вместе с тем создают определенные неудобства при эпи-таксии структур с микронными размерами. Особенно остро этот недостаток проявляется при низкотемпературной эпитаксии. Для увеличения скорости роста применяются различные способы ускорения химических процессов на поверхности роста и в объеме реактора, что, в свою очередь, приводит к усложнению технологического оборудования и эпитаксиального процесса.

Наличие значительного рассогласования постоянных решеток германия и кремния приводит к возникновению напряжений несоответствия в гетеро-структурах, выращенных на основе этих материалов. Долгое время эта проблема казалась неразрешимой и лишь в середине 70-х годов была высказана идея получения псевдоморфных Si-Ge слоев с толщинами, не превышающими некоторое критическое значение [3,4]. Такие слои впоследствии нашли применение в быстродействующих гетеробиполярных транзисторах и других устройствах твердотельной электроники. Однако для ряда приложений требуются структуры с гораздо большими толщинами, чем критические. В этой связи активно ведутся работы по изучению дефектообразования в релаксированных гетероси-стемах [5]. Как показали проведенные за последние годы исследования, закономерности формирования дислокационной структуры зависят не только от состава, толщины и температуры роста слоев, но во многом определяются технологией выращивания гетерокомпозиций [6].

В свете вышесказанного в настоящее время актуальна задача поиска и разработки технологии выращивания Si-Ge слоев на Si, которая позволила бы обойти отмеченные недостатки МПЭ и гидридной эпитаксии при пониженном давлении. Одним из возможных вариантов решения этой проблемы может стать сочетание техники молекулярно-пучковой эпитаксии кремния и гидридной эпитаксии германия при пониженном давлении (Si-GeH4-Mn3). Впервые такой способ получения Si-Ge гетерокомпозиций был использован японскими _

исследователями в 1991 году (см. работу [7] и ссылки в ней). Одновременно независимо от авторов работы [7] в НИФТИ МИГУ начал развиваться вариант метода Si-GeH4-Mn3, в котором, в отличие от [7], был использован сублимирующий источник паров Si [8]. Ожидалось, что использование атомарного потока Si позволит ослабить температурную зависимость скорости роста Si-Ge пленок, а применение газообразного источника Ge устранит проблему получения стабильного атомарного потока этого вещества из жидкой фазы. Более того, применение сублимирующего источника паров Si позволяло просто решить проблему легирования Si-Ge слоев, для чего достаточно выбрать источник с требуемыми типом и концентрацией примеси. Дополнительным преимуществом метода [8] является возможность использования более высоких дав-

i

лений гидрида (до 10" тор), недостижимых в варианте [7].

Цель данной работы состояла в разработке физико-химических основ комбинированного метода Si-GeH4-Mri3 и выращивании данным методом ре-лаксированных Si-Ge гетерокомпозиций на подложках Si(100). Достижение указанной цели потребовало:

1. детального экспериментального изучения закономерностей роста слоев Sii.xGex в зависимости от основных технологических параметров эпитаксиального процесса;

2. проведения теоретического анализа элементарных физико-химических процессов, протекающих на поверхности роста и в объеме реактора и установления их взаимосвязи с наблюдаемыми зависимостями состава и скорости роста Si-Ge слоев от условий их получения;

3. исследования структурных характеристик выращенных гетерокомпозиций и поиска условий для получения релаксированных Si-Ge/Si(100) гетероструктур с низкой концентрацией дислокаций несоответствия в них.

Научная новизна. Физико-химические основы кинетики роста Si-Ge слоев из сублимирующего источника паров Si и молекулярного потока GeH4 разработаны нами впервые. Проведенный анализ позволил с новых позиций объяснить наблюдаемые экспериментальные зависимости состава и скорости роста слоев Sit.xGex от условий их получения и выявить ряд ранее неизвестных особенностей изучаемого метода роста.

1. Впервые в методе Si-GeH4-]Vffl3 с сублимирующим источником Si обнаружена немонотонная зависимость скорости роста Si-Ge слоев от давления GeH4 при постоянных температуре подложки и плотности атомарного потока Si.

2. Теоретически предсказана и экспериментально подтверждена важная роль в ростовом процессе атомарного потока Ge, образующегося за счет распада молекул GeH4 на нагретом источнике паров Si.

3. Впервые определена эффективная кинетическая константа скорости реакции полного распада молекул GeH3 на поверхности роста в методе Si-GeH4-Mn3.

4. Впервые установлена связь между скоростью распада адсорбированных гидридов Ge и резкостью гетерограниц Sii-xGex/Si, формируемых методом Si-GeH4-Mn3.

5. Теоретически найдены условия, при которых пространственно однородное распределение адсорбированных атомов Ge и молекул GeH3 распадается вследствие кинетической неустойчивости процесса пиролиза, приводя на начальных стадиях роста к образованию объемных зародышей.

6. Проведен комплексный анализ свойств реальной структуры релакси-рованных Si-Ge/Si( 100) гетерокомпозиций, выращенных методом Si-CieH4-Mn3. '

Практическая ценность.

1. Разработанная для метода Si-GeH4-Mn3 модель кинетики роста позволяет определить значения технологических параметров для получения слоев Sii-xGex с наперед заданными составом и толщиной.

2. Для метода Si-GeH4-Mn3 развита методика экспресс-оценки минимальной толщины переходной области на гетерогранице Sii_xGex/Sii-yGey.

3. Релаксированные слои твердого раствора Sii.xGex с х = 0,15 0,2 могут быть использованы в качестве буферного слоя для выращивания на подложках Si(100) разнообразных напряженных Si-Ge гетероком-позиций с толщинами, превышающими критические значения.

На защиту выносятся следующие основные положения.

1. Зависимость скорости роста Si-Ge слоев от давления GeH4 в методе Si-GeH4-Mn3 имеет минимум. Причина появления минимума - наличие в данном методе роста двух механизмов массопереноса Ge.

2. Эффективная частота полного распада молекул GeH3 на поверхности слоя Si].xGex, растущего из сублимирующего источника паров Si и молекулярного потока GeH4, при температурах роста 600 -ь 850 °С определяется выражением v = 2хехр(-0,47(эВ)/£7) с"1.

3. При росте гетероструктуры Si].xGex/Si методом Si-GeH4-Mn3, когда вклад атомарного потока Ge в массоперенос этого вещества незначителен, даже при быстрой (мгновенной) откачке GeH4 в окрестности границы вследствие конечной скорости распада поверхностных гидридов Ge образуется переходная область, толщина котор®й уменьшается с увеличением давления GeH4, уменьшением потока атомарного Si и температуры подложки.

4. Плотность наклонных дислокаций в релаксированных слоях Si|_xGex, выращенных из атомарного потока Si и молекулярного потока GeH4 при постоянной температуре подложки Si(100), не превы-

S 2

шает 3x10" см" при Jt < 0,2, а в области составов х = 0,15 0;2 -3x104 см"2. Указанные слои могут быть использованы в качестве эффективного буфера для выращивания более сложных гетерокомпози-ций, в том числе сверхрешеток.

Структура и объем диссертации. Диссертация состоит из введения, четырех глав, заключения и двух приложений. Объем диссертации составляет 155 страниц машинописного текста, включая приложения, 52 рисунка и 4 таблицы. Список литературы содержит 236 наименований.

Содержание работы. В первой главе сделан литературный обзор современного состояния проблемы роста кремний-германиевых гетерокомпозиций на кремниевых подложках. Рассмотрены различные варианты гидридной эпи-таксии, которые широко используются в мировой практике для выращивания Si-Ge структур. Основное внимание уделено методам роста при пониженных давлениях исходных реагентов. Обсуждены основные закономерности роста, элементарные физико-химические процессы распада гидридов Ge и Si в объеме реактора и на поверхности растущей пленки, проблемы низкотемпературной эпитаксии, а также легирование слоев донорными и акцепторными примесями. Затронуты вопросы дефектообразования и релаксации упругих напряжений в гетерокомпозициях, обсуждены предлагаемые в литературе способы уменьшения влияния кремниевой подложки на эпитаксиальные слои, рассмотрены режимы роста пленок и самоорганизация островков на начальных стадиях роста.

Во второй главе впервые изложена оригинальная интерпретация экспериментальных зависимостей состава и скорости роста слоев твердого раствора SÍ!-xGex от основных технологических параметров: парциального давления GeH4, плотности потока атомарного кремния и температуры подложки. Анализ

этих зависимостей привел к выводу о том, что в рассматриваемом методе роста существуют два механизма массопереноса Се. Первый механизм связан доставкой атомов Ое на поверхность растущего слоя в виде молекул ОеЬЦ. Появление второго механизма массопереноса связано с пиролизом моногермана на поверхности сублимирующего кремниевого бруска (источника паров 81). Образующиеся атомы Ое также сублимируют и попадают на подложку.

Для обсуждаемого метода роста разработана физико-химическая модель кинетики роста слоев 81ьхОех. При этом было использовано приближение эффективной частоты полного распада поверхностных молекул ОеНз, что позволило свести число неизвестных кинетических констант до одной. Сопоставление теории и эксперимента впервые позволило оценить эффективную частоту распада молекул ОеНз на поверхности роста. Численное моделирование стационарной кинетики ростового процесса подтвердило наличие двух механизмов массопереноса германия и позволило объяснить наблюдаемые закономерности.

Проведенное в третьей главе теоретическое исследование нестационарной кинетики роста выявило существенную роль скорости распада молекул ОеНз на концентрационные профили гетеропереходов 8м.хОех/81. Конечная скорость распада этих молекул приводит к тому, что атомы ве продолжают встраиваться в растущий слой даже после полного удаления веЩ из камеры роста (источником являются адсорбированные молекулы ОеНз). Моделирование показало, что в ряде случаев концентрационные "хвосты" германия могут распространяться на расстояние до 10 нм. Проведенный анализ нестационарных процессов позволил выявить связь толщины переходной области на границе 8и.хОех/81 от условий роста и дать рекомендации по ее минимизации.

Анализ устойчивости популяции атомов и молекул, адсорбированных поверхностью растущей из веЩ пленки, показал, что пространственно однородное распределение компонентов адсорбата при определенных условиях мо-

жет распадаться. При этом образуются области с повышенной относительно однородного распределения концентрацией адатомов Ge. В этих областях наиболее вероятно образование объемных зародышей новой фазы. Увеличение температуры подложки и уменьшение плотности атомарного потока Si приводит к переходу от островкового роста к послойному и, следовательно, к уменьшению скорости хемосорбции молекул GeH4. Это позволило с новых позиций объяснить природу температурных зависимостей скорости роста слоев Ge [9] и концентрации Ge в слоях Si(.xGex [8] с отрицательной энергией активации.

В четвертой главе приведены результаты исследований реальной структуры пленок Sii-xGex, выращенных методом Si-GeH4-Mn3 с сублимирующим источником паров Si на подложках Si(100). Рентгенодифракционный анализ выявил монокристалличность выращенных гетерокомпозиций и позволил определить характеристики сверхрешеток [Sii.xGex/Ge]. Исследование распределения Ge в гетероструктурах Sii.xGex/Si(100) методом масс-спектрометрии вторичных ионов показало наличие заметного градиента концентрации Ge в направлении роста. Неоднородное распределение Ge подтверждено также результатами исследований спектров фотопроводимости.

Исследования упруго-напряженного состояния методами дифракции рентгеновских лучей и комбинационного рассеяния света показали, что доля остаточной упругой деформации в слоях твердого раствора уменьшается по мере увеличения состава, толщины и температуры роста пленок и стремится к « 30 %. Изучение закономерностей дефектообразования показало, что концентрация наклонных дислокаций в релаксированных слоях Si|„xGex, выращенных на Si(100), не превышает 3x104 см"2 при 0,15 < х < 0,2. Эта особенность позволила нам вырастить на подложках Si(100) с релаксированными буферными Si-Ge слоями указанного состава серию напряженных сверхрешеток с толщинами, превышающими критические значения.

В заключении сформулированы наиболее значимые результаты, полученные в данной работе.

В приложениях приведены методика расчета плотности потока сублимирующих атомов для некоторых геометрий взаимного расположения источника паров и подложки, а также программа для численного моделирования стационарной и нестационарной кинетики роста по модели, описанной в третьей главе.

Апробация работы и публикации. Основные результаты работы докладывались на трех международных симпозиумах "Nanostructures: Physics and Technology" (С.-Петербург, 1995, 1997 и 1998 гг.), международном симпозиуме ISCS-23 (С.-Петербург, 1996 г.), на 2-й Российской конференции по физике полупроводников (Зеленогорск, 1996 г.), Всероссийской конференции "Структура и свойства кристаллических и аморфных материалов" (Н. Новгород, 1996 г.), на International Conference on Semiconducting and Insulating Materials (SIMC-9, Тулуза, Франция, 1996 г.), 1-й Всероссийской конференции по материаловедению и физико-химическим основам технологий получения легированных кристаллов кремния (Москва, 1996 г.), на 1-й и 2-й Нижегородских сессиях молодых ученых (Н. Новгород, 1996 и 1997 г. г.), на XII Уральской международной зимней школе по физике полупроводников (Екатеринбург, 1997 г.), на международном симпозиуме "Physics, Chemistry and Application of Nanostructures" (Минск, Беларусь, 1997 г.), 2-ом российском симпозиуме "Процессы тепломассопереноса и рост монокристаллов и тонкопленочных структур" (Обнинск, 1997 г.), на двух международных конференциях Европейского общества материаловедов E-MRS'98 (Страсбург, Франция, 1996 и 1998 г. г.), на Всероссийском совещании "Наноструктуры на основе кремния и германия" (Н. Новгород, 1998 Всероссийского совещания "Наноструктуры на основе кремния и германия", г. Н. Новгород, 10-13 марта 1998 г.).

По материалам диссертации опубликовано 25 печатных работ.

Заключение диссертации по теме «Физика конденсированного состояния», Потапов, Александр Васильевич

Основные результаты, полученные в настоящей работе, подробно изложены в § 2.6, § 3.4 и § 4.5. Ниже приводятся наиболее важные результаты, которые могут быть сформулированы следующим образом.

1. Для метода Si-GeH4-Mn3 разработана оригинальная модель кинетики роста Si-Ge слоев. Модель адекватно описывает экспериментальные данные и объясняет наблюдаемые закономерности вхождения атомов Ge в слои от основных технологических параметров. Впервые экспериментально и теоретически доказано, что в методе Si-GeH4-Mn3 существуют два механизма массопереноса атомов Ge.

2. Впервые теоретически предсказано и подтверждено экспериментально существование минимума на зависимости скорости роста слоев Sii-xGex от давления GeH4 при постоянных температуре подложки и плотности атомарного потока Si. Появление этой особенности связано с разным вкладом двух механизмов массопереноса Ge в зависимости от давления моногермана.

3. Впервые определена эффективная кинетическая константа скорости реакции полного распада молекул GeH3 на поверхности растущего Si-Ge слоя в методе Si-GeH4-Mn3 для области температур 600 н- 850 °С: vGeH3 = 2хехр(-0,47(эВ)/А;Г) с"1.

4. Впервые показано, что кинетика поверхностных переходных процессов в методе Si-GetLj-Mro вносит существенный вклад в ухудшение резкости границ между слоями SiixGex и Si, когда вклад атомарного потока Ge в общий массоперенос этого элемента незначителен. Изучено влияние условий роста на распределение Si и Ge в окрестности гетерограницы.

5. Разработана методика экспресс-оценки минимального размера переходной области на гетерограницах Sii.xGex/Sii.yGey, формируемых методом Si-GeH4-Mn3.

6. Получено аналитическое условие перехода популяции адсорбированных атомов Ge и молекул йеНз, присутствующих на поверхности при росте слоя из GeHU, из устойчивого состояния в неустойчивое. Исследовано влияние условий роста на устойчивость пространственно однородного распределения адчастиц.

7. Впервые проведен комплексный анализ свойств реальной структуры релаксированных Si-Ge гетероструктур, выращенных на подложках Si(100) методом Si-GeH4-M113 с сублимирующим источником Si.

8. На примере гетероструктур [Si|.yGey/Ge]/Sii.xGex/Si(100) показано, что релаксированные слои Sit.xGex с 0,15 < х < 0,2 могут служить буферами для выращивания нерелаксированных Si-Ge гетерокомпозиций с закритической толщиной и плотностью наклонных дислокаций не

5 2 более 1x10 см" при условии, что средний состав гетерокомпозиции такой же, как состав буферного слоя.

В заключение автор выражает благодарность всем соавторам за плодотворное сотрудничество в процессе выполнения работы. Автор признателен А. В. Корнаухову за предоставленную возможность работать в лаборатории № 32 НИФТИ ННГУ; В. А. Толомасову, Н. В. Гудковой и С. П. Светлову (НИФТИ ННГУ, г. Н. Новгород) - за сотрудничество при проведении ростовых экспериментов; А. Д. Гудковой (НИФТИ ННГУ, г. Н. Новгород) и Ю. Н. Дроздову (ИФМ РАН, г. Н. Новгород) - за проведение рентгенодифракционных исследований; В. И. Вдовину (ИХПМ, г. Москва) - за электронно-микроскопические исследования и анализ закономерностей формирования дислокационной структуры; Т. Г. Юговой ("Гиредмет", г. Москва) - за проведений металлографических исследований; Э. А. Штейнману (ИФТТ РАН, г. Черноголовка) - за измерения спектров фотолюминесценции; проф. Б. Дитриху (prof. В. Dietrich, IHP, г. Франкфурт-на-Одере, Германия) - за предоставленную возможность провести исследования комбинационного рассеяния света; П. Б. Орлову ("Гиредмет", г. Москва) - за проведение ВИМС-измерений. Автор особенно признателен д. ф.-м. н. Л. К. Орлову (ИФМ РАН, г. Н. Новгород) - за научное руководство диссертационной работой, д. ф.-м. н. В. А. Толомасову (НИФТИ, г. Н. Новгород) - за руководство при проведении ростовых экспериментов и ценные замечания, чл.-корр. РАН С. В. Гапонову (ИФМ РАН, г. Н. Новгород) и акад. РАЕН М. Г. Мильвидскому (ИХПМ, г. Москва) - за моральную и финансовую поддержку, которая способствовала успешному выполнению настоящей работы.

Работа выполнена при поддержке межвузовской программы "Перспективные материалы микроэлектроники" (ИХПМ) и межотраслевой научно-технической программы "Физика и технология твердотельных наноструктур" (грант № 97-2023).

Заключение

Список литературы диссертационного исследования кандидат физико-математических наук Потапов, Александр Васильевич, 1999 год

Литература

1. Kasper Е., Herzog И.-J. Elastic strain and misfit dislocation density in Si0.92Ge0.08 films on silicon substrates. // Thin Solid Films. - 1977. - Vf 44. - № 3. - P. 357 -370.

2. Greve D. W. Growth of epitaxial germanium-silicon heterostructures by chemical vapour deposition. // Materials Science and Engineering. - 1993. - V. В18. - P. 22 -51.

3. Matthews J. W., Blakeslee A. E. Defects in epitaxial multilayers. I. Misfit diclocations. // J. Cryst. Growth. - 1974. - V. 27. - № 1. - P. 118 - 125.

4. Matthews J. W., Blakeslee A. E. Defects in epitaxial multilayers. III. Preparation of almost perfect multilayers. // J. Cryst. Growth. - 1976. - V. 32. - № 2. - P. 265 -273.

5. LeGoues F. K., Meyerson B. S., Morar J. F. Anomalous strain relaxation in SiGe thin films and superlattices. // Phys. Rev. Lett. - 1991. - V. 66. - № 22. - P. 2903 -2906.

6. Heterostructures and strained superlattices in the Ge-Si system: growth, structure defects, and electronic properties. Mil'vidskii M. G., Vdovin V. I., Orlov L. K., et al. // Growth of crystals. V. 20. Edited by E. I. Givargizov and A. M. Melnikova. Consultants Bureau, New York and London, p. 13-28.

7. Karasawa Т., Kunii Y., Tabe M. Thermal stability of B-doped SiGe layers formed on Si substrates by Si-GeH4-B2H6 molecular beam epitaxy. // Jpn. J. Appl. Phys. -1993. - V. 32. - Part 1. - № ЗА. - P. 1039 -1044.

8. Гетероэпитаксия слоев Si].xGex на Si(100) из атомарного потока Si и молекулярного потока GeH4. В.А.Толомасов, Р.А.Рубцова, С.П.Светлов и др. // Изв. ВУЗов. Сер. "Цветная металлургия". - 1994. - № 1 - 2. - С. 172 - 175.

9. Ge(001) gas-source molecular-beam epitaxy on Ge(001)2xl and Si(001)2xl from ОегНб: growth kinetics and surface roughening. Bramblett T. R., Lu Q., Lee N.-E., et al. // J. Appl. Phys. - 1995. - V. 77. - № 4. - P. 1504 - 1513.

1 O.Miller K. J., Grieco M. J. Epitaxial Si-Ge alloy films on silicon substrates. // J. Electrochem. Soc. -1962. - V. 109. - № 1. - P. 70 - 71.

1 l.GexSi].x strained layer superlattice grown by molecular beam epitaxy. Bean J. C., Feldman L. C., Fiory А. Т., et al. // J. Vac. Sci. Technol. A. - 1984. - V. 2. - № 2. -P. 436 - 440.

12.Pseudomorphic growth of GexSi].x on silicon by molecular beam epitaxy. Bean J.

C., Sheng Т. Т., Feldman L. C., et al. // Appl. Phys. Lett. - 1984. - V. 44. - № 1. -P. 102- 104.

13.Measurement of the band gap of GexSii_x/Si strained-layer heterostructures. Lang

D. V., People R., Bean J. C., Sergent A. M. // Appl. Phys. Lett. - 1985. - V. 47. -№12.-P. 1333 - 1335.

14.Avalanche gain in GeSi/Si infrared waveguide detectors. Pearsall T. P., Temkin H., Bean J. C., Luryi S. // IEEE Electron Device Letters. - 1986. - V. EDL-7. - P. 330 - 332.

15.Atomic layer doping of SiGe by low pressure (rapid thermal) chemical vapor deposition. Tillack В., Kruger D., Gaworzewski P., Ritter G. // Thin Solid Films. -1997,- V. 294. -P. 15- 17. '

16.Cold-walled UlIV/CVI) batch reactor for the growth of Sii-xGex layers. Thomson E. V., Christensen C„ Andersen C. R., et al. // Thin Solid Films. - 1997. - V. 294.

- P. 72 - 75.

17.Caymax M. R., Poortmans J., Van Ammel A. UHV-VLPCVD heteroepitaxial growth of thin SiGe-layers on Si-substrates: influence of pressure on kinetics and on surface morphology. // Solid State Phenomena. - 1993. - V. 32 - 33. - P. 361 -372.

18.Effects of mixing germane in silane gas-source molecular beam epitaxy. Kim K.J., Suemitsu M., Yamanaka M., Miyamoto N. // Appl. Phys. Lett. - 1993. - V. 62. -№26.-P. 3461 -3463.

19.UHV-CVD heteroepitaxial growth of Sii-xGex alloys on Si(100) using silane and germane. Vinh L. T., Aubry-Fortuna V., Zheng Y., et al. // Thin Solid Films. -1997.-V. 294.-P. 59-63.

20.Low temperature growth of silicon-boron layer by ultrahigh vacuum chemical vapor deposition. Chen T. P., Lei T. F., Lin H. C., et al. // Appl. Phys. Lett. - 1994.

- V. 64.-№ 14.-P. 1853 - 1855.

21.Low-temperature epitaxial growth of silicon and silicon-germanium alloy by ultrahigh-vacuum chemical vapor deposition. Jung T.-G., Chang C.-Y., Chang T. C., et al. // Jpn. J. Appl. Phys. - 1994. - V. 33. - Part 1. - № 1A. - P. 240 - 246.

22.Low-temperature growth of microcrystalline silicon using 100% SiH4 by rf glow discharge method. Jagatissa A. H., Hatanaka Y., Nakanishi Y., Ishikawa K. // Appl. Phys. D. - 1996. - V. 29. - P. 1636 - 1640.

23.Bodnar S., Morin C., Regolini J. L. Single-wafer Si and SiGe processes for advanced ULSI technologies. // Thin Solid Films. - 1997. - V. 294. - P. 11 - 14.

24.Cunningham B., Chu J. O., Akbar S. Heteroepitaxial growth of Ge on (100) Si by ultrahigh vacuum, chemical vapor deposition. // Appl. Phys. Lett. - 1991. - V. 59. -№27.-P. 3574-3576.

25.Growth of epitaxial Si].xGex layers on Si(001) surface, by catalytical decomposition of disilane and germane: photoemission studies. Chelly R., Angot T., Bolmont D., Koulmann J. J. // Appl. Phys. Lett. - 1995. - V. 67. - № 12. - P. 1733 - 1735.

26.Relationship between growth processes and strain relaxation in Sii_xGex films grown on (100)Si-(2xl) surfaces by gas source molecular beam epitaxy. Yasuda Y., Koide Y., Furukawa A., et al. // J. Appl. Phys. - 1993. - V. 73. - № 5. - P. 2288

- 2292.

27.Ito S., Nakamura T., Hishikawa S. Pattern dependence in selective epitaxial Six-xGex growth using reduced-pressure chemical vapor deposition. // J. Appl. Phys. -1995. - V. 78. - № 4. - P. 2716 - 2719. 28.Ito S., Nakamura T., Hishikawa S. Kinetics of epitaxial Sii.xGex growth using SiH2Cl2-GeH4-H2 mixture in reduced-pressure chemical vapor deposition. // Appl. Phys. Lett. - 1996. r V. 69. - № 8. - P. 1098- 1100.

29.Fujinaga K. Low-temperature heteroepitaxy of Ge on Si by GeH4 gas low-pressure chemical vapor deposition. // J. Vac. Sci. Technol. B. - 1991. - V. 9. - № 3. - P. 1511-1516.

30.Jung K. H., Kim Y. M., Kwong D. L. Relaxed GexSii.x films grown by rapid thermal processing chemical vapor deposition. // Appl. Phys. Lett. - 1990. - V. 56.

-№ 18. - P. 1775 - 1777. 31.Transient growth rate change during gas source molecular beam epitaxy of Si|_ xGex alloys. Ohtani N.. Mokler S. M., Xie M. H., et al. // Appl. Phys. Lett. - 1993.

- V. 62. - № 17. - P. 2042 - 2044.

32.Si(001)2x1 gas-source molecular-beam epitaxy from Si2H6: growth kinetics and boron doping. Bramblett T. R., Lu Q., Karasawa T., et al. // J. Appl. Phys. - 1994.

- V. 76.-№ 3.-P. 1884- 1888.

33.Zhang F. C., Singh J., Bhattacharya P. K. Kinetics of Sii.xGex/Si(0 < jc < 1) growth by molecular beam epitaxy using disilane and germanium. // Appl. Phys. Lett. -1995. - V. 67.-№ 1.-P. 85 - 87.

34.The growth properties of SiGe films on Si(100) using Si2H6 gas and Ge solid source molecular beam epitaxy. Wado H., Shimizu T., Ishida M., Nakamura T. // J. Cryst. Growth. - 1995. - V. 147. - P. 320 - 325.

35.Yamamoto M., Hanna J., Miyauchi M. New low pressure chemical vapor deposition technique for Ge crystalline thin films. // Appl. Phys. Lett. - 1993. - V. 63.-№ 18.-P. 2508-2510.

36.Surface morphology of homoepitaxial silicon thin films grown using energetic supersonic jets of disilane. Pacheco K. A., Ferguson B. A., Baneijee S., Mullins C. B. // Appl. Phys. Lett. - 1996. - V. 69. - № 8. - P. 1110 -1112. 37.Aketagawa K., Tatsumi T., Sakai J. Limiting conditions of Si selective epitaxial growth in Si2H6 gas-source molecular beam epitaxy. // Appl. Phys. Lett. - 1991. -V. 59.-№14.-P. 1735 - 1736.

38.1n situ boron-doped polycrystalline silicon films prepared by a novel low-pressure chemical vapour deposition method using a Si2H6-B2H6-N2 gas system. Nam S. H., Kim B. H„ Moon J., et al. // Appl. Phys. D. - 1996. - V. 29. - P. 1088 - 1092.

39.B incorporation in Ge(001) grown by gas-source molecular-beam epitaxy from Ge2H6 and B2H6. Lu Q., Bramblett T. R., Hasan M.-A., et al. // J. Appl. Phys. -1995. - V. 78. - № 10. - P. 6027 - 6032.

40.Akazawa H., Utsumi Y. Reaction kinetics in synchrotron-radiation-excited Si epitaxy with disilane. 1. Atomic layer epitaxy. // J. Appl. Phys. - 1995. - V. 78. -№ 4. - P. 2725 - 2739.

41.Akazawa H., Utsumi Y. Reaction kinetics in synchrotron-radiation-excited Si epitaxy with disilane. 2. Photochemical-vapor deposition. // J. Appl. Phys. - 1995.

- V. 78. - № 4. - P. 2740 - 2750.

42.Utsumi Y. Low-temperature B doping of Si by synchrotron radiation irradiation of disilane/decaborane during gas-source molecular beam epitaxy. // Appl. Phys. Lett. - 1995. - V. 67. - № 7. - P. 992 - 994.

43.In situ observation of silicon hydrides on Si(100) surfaces during synchrotron-radiation-stimulated Si2H6 gas source molecular beam epitaxy. Yoshigoe A., Mase K., Tsusaka Y., et al. // Appl. Phys. Lett. - 1995. - V. 67. - № 16. - P. 2364 -2366.

44.Low-temperature homoepitaxial growth of Si by electron cyclotron resonance plasma enhanced chemical vapor deposition. Rogers J. L., Andry P. S., Varhue W. J., et al. // Appl. Phys. Lett. - 1995. - V. 67. - № 7. - P. 971 - 973.

45.Thwaites M. J., Reehal H. S. Growth of single-crystal Si, Ge, and SiGe layers using plasma-assisted CVD. // Thin Solid Films. - 1997. - V. 294. - P. 76 - 79.

46.Surface hydrogen content and passivation of silicon deposited by plasma induced chemical vapor deposition from si lane and the implications for the reaction mechanism. Veprek S., Sarrott F.-A., Rambert S., Taglauer E. // J. Vac. Sci. Technol. A. - 1989. - V. 7. - № 4. - P. 2614 - 2624.

47.Veprek S„ Veprek-Heijman M. G. J. Possible contribution of SiHz and SiH3 in the plasma-induced deposition of amorphous silicon from silane. // Appl. Phys. Lett. -1990.-V. 56.-№ 18.-P. 1766- 1768.

48.Change in crystalline morphologies of polycrystalline silicon films prepared by radio-frequency plasma-enhanced chemical vapor deposition using SiF4+H2 gas mixture at 350 °C. Kaneko Т., Wakagi M., Onisawa K., Minemura T. // Appl. Phys. Lett. - 1994. - V. 64. - № 14. - P. 1865 - 1867.

49.Kakinuma H., Mohri M., Tsuruoka T. Preparation of p-type silicon films by plasma decomposition of a SiRt/Lk/BFj gas mixture. // J. Appl. Phys. - 1993. - V. 74.-№ 7.-P. 4614-4619.

50.Low filament temperature deposition of a-Si:H by hot-wire chemical vapor deposition. Brogueira P., Conde J. P., Arekat S., Chu V. // J. Appl. Phys. - 1995. -V. 78. - № 6. - P. 3776 - 3783.

51.Growth of epitaxial SiGe nanostructures at low temperature on Si(100) using hotwire assisted gas source molecular beam epitaxy. Chelly R., Werckmann J., Angot Т., et al. // Thin Solid Films. - 1997. - V. 294. - P. 84 - 87.

52.Heteroepitaxy of Sii„xGex layers on Si(100) from the atomic Si and molecular GetLj flows. Orlov L. K., Potapov A. V., Tolomasov V. A., et al. // Int. Symp. "Nanostructures: Physics and Technology". St.Peterburg, Russia, 26 - 30, June 1995. - Proc. - P. 357 - 360.

53.Гетероэпитаксия слоев Si!_xGex на Si(100) из атомарного потока Si и молекулярного потока GeHU. Толомасов В. А., Орлов JI. К., Светлов С. П., Рубцова Р. А., Гудкова А. Д., Корнаухов А. В., Потапов А. В., Дроздов Ю. Н. // Кристаллография. - 1998. - Т. 43. - № 3. - С. 535 - 540.

54.Heteroepitaxy of Sii-xGex layers and Ge-Sii-xGex superlattices on Si(100) substrates by GeH4-Si MBE-method: growth kinetics and structural studies. Orlov L. K., Tolomasov V. A., Potapov A. V., et al. // Inst. Phys. Conf. Ser. - 1997. - № 155.-Ch. 3.-P. 205 - 208.

55.Sakai A., Tatsumi T. Ge growth on Si using atomic hydrogen as a surfactant. // Appl. Phys. Lett. - 1994. - V. 64. - № 1. - P. 52 - 54.

56.Growth of high quality Ge films on Si(l 11) using Sb as surfactant. Larsson M. I., Ni W.-X., Joelsson K., Hansson G. V. // Appl. Phys. Lett. - 1994. - V. 65. - № 11. -P. 1409- 1411.

57.Кукушкин С. А., Осипов А. В. Самоорганизация при зарождении многокомпонентных пленок. // ФТТ. - 1995. - Т. 37. - № 7. - С. 2127 - 2132.

58.Potapov А. V. Self-organizing during film nucleation in GSMBE from silane and germane. // Int. Symp. "Nanostructures: Physics and Technology". St. Petersburg. Russia. June 23 - 27. - 1997. - Proc. - P. 331 - 334.

59.CaIculation of the fractional interstitial component of boron diffusion and segregation coefficient of boron in Sio.gGeo^. Fang Т. Т., Fang W. Т. C., Griffin P. В., Plummer J. D. // Appl. Phys. Lett. - 1996. - V. 68. - № 6. - P. 791 - 793.

60.Nonequilibrium boron doping effects in low-temperature epitaxial silicon films.

Meyerson В. S„ LeGoues F. K., Nguyen T. N.. Harame D. L. // Appl. Phys. Lett. -1987. - V. 50. - № 2. - P. 113-115.

61 .Abruptness of Ge composition at the Si/SiGe interface grown by ultrahigh vacuum chemical vapor deposition. Tsai W. C., Chang C. Y., Jung T7 G., et al. // Appl. Phys. Lett. - 1995. - V. 67. - № 8. - P. 1092 - 1094.

62.Ge segregation in SiGe/Si heterostructures and its dependence on deposition technique and growth atmosphere. Grutzmacher D. A., Sedgwick Т. O., Powell A., et al.//Appl. Phys. Lett. - 1993. - V. 63.-№ 18.-P. 2531 -2533.

63.Вдовин В. И., Щербачев К. Д. Исследование упругонапряженных сверхрешеток SiGe-Si методами РД и ПЭМ. // Материалы Всероссийского совещания "Наноструктуры на основе кремния и германия". Н. Новгород. 10 - 13 марта 1998 г.-С. Sll -S18.

64.Структурные перестройки на атомно-чистой поверхности кремния в процессах сублимации и эпитаксии. Латышев А. В., Асеев А. Л., Красильников А. Б., Стенин С. И. // В кн.: Рост кристаллов. Под ред. Е. И. Гиваргизова и С. А. Гринберга. Москва, "Наука". - 1990. - Т. 18. - С. 61 - 80.

65.Стенин С. И., Кантер Б. 3., Никифоров А. И. Молекулярно-лучевая эпитаксия кремния. // В кн.: Рост кристаллов. Под ред. Е. И. Гиваргизова и С. А. Гринберга. Москва, "Наука". - 1990. - Т. 18. - С. 81 - 90.

66.Сверхструктурные переходы на поверхности Ge в процессе молекулярно-лучевой эпитаксии Ge на Si(lll). Соколов Л. В., Стенин С. И., Торопов А. И., Пчеляков О. П. // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. - 1996. - № 10. - С. 28 - 34.

67.Packard W. Е., Dow J. D. Scanning tunneling microscope of the "16x2" reconstructed Si(110) surface. // J. Appl. Phys. - 1997. - V. 81. - № 2. - P. 994 -996.

68.Reconstructions on the Si(113) surface. Sakama H., Kunimatsu D., Kageshima M., Kawazu A. // Phys. Rev. B. - 1996. - V. 53. - № 11. - P. 6927 - 6930.

69.Nakamura Y., Kawai H., Nakayama M. Influence of defects on the order-disorder phase transition of a Si(001) surface. // Phys. Rev. B. - 1997. - V. 55. - № 16. - P. 10549- 10560.

70.Erwin S. C., Baski A. A., Whitman L. J. Structure and stability of Si(114)-(2xl). // Phys. Rev. Lett. - 1996. - V. 77. - № 4. - P. 687 - 690.

71.Fehrenbacher, H. Rauscher, R. J. Behm. Influence of SiH4 deposition on the Si(lll) lxl-»7x7 phase transition. // Phys. Rev. B. - 1996. - V. 54. - № 24. - P. R17284 - R17287.

72. Atomic structure of the c(4x2) surface reconstruction of Ge(001) as determined by X-ray diffraction. Ferrer S., Torrelles X., Etgens V. H., et al. // Phys. Rev. Lett. -1995. - V. 75. - № 9. - P. 1771 - 1774.

73.New bonding configuration on Si(lll) and Ge(lll) surfaces induced by the adsorption of alkali metals. Lottermoser L., Landemark E., Smilgies D.-M., et al. // Phys. Rev. Lett. - 1998. - V. 80. - № 18. - P. 3980 - 3983.

74.Латышев А. В., Асеев А. Л. Начальные стадии эпитаксии Ge и Si на ступенчатой поверхности Si(lll), изучаемые с помощью отражательной электронной микроскопии. // Материалы Всероссийского совещания "Наноструктуры на основе кремния и германия". - Н. Новгород. - 10 - 13

марта 1998 г.-С. SI -S10.

75. Теоретический анализ и моделирование методом Монте-Карло изменений микрорельефа поверхности при формировании эпитаксиальных наноструктур. Пчеляков О. П., Яновицкая 3. 111., Рыженков И. П. и др. // Поверхность. - 1996. - № 5. - С. 20 - 28.

76.Неизвестный И. Г., Шварц Н. JI., Яновицкая 3. III. Связь формы ДБЭ-осцилляций с преобразованием поверхностного рельефа в процессе МЛЭ. // Материалы Всероссийского совещания "Наноструктуры на основе кремния и германия". - Н. Новгород. - 10 - 13 марта 1998 г. - С. 98 - 101.

77.Никифоров А. П., Марков В. А., Пчеляков О. П. Влияние температуры роста эпитаксиальной пленки на период осцилляций зеркального рефлекса при дифракции быстрых электронов. // Письма в ЖТФ. - 1996. - Т. 22. - В. 24. -С. 54 - 59.

78.Si(001) step dynamics. Pearson С., Borovsky В., Krueger M. et al. // Phys. Rev. Lett. - 1995. - V. 74. - № 14. - P. 2710 - 2713.

79.Hibino H., Ogino T. Reducing domain boundaries of surface reconstruction during molecular beam epitaxy on Si(lll). // Appl. Phys. Lett. - 1995. - V. 67. -№7.-P. 915-917.

80.Schwoebel R. L., Shipsey E. J. Step motion on crystal surfaces. // J. Appl. Phys. -1966. - V. 37. - № 10. - P. 3682 - 3686.

81.Larsson M. I., Ni W.-X., Hansson G. V. Manipulation of nucleation by growth rate modulation. // J. Appl. Phys. - 1995. - V. 78. - № 6. - P. 3792 - 3796.

82.Williams D. R. M., Krishnamurthy M. Step equalization in epitaxial growth: A noise limited process. // Appl. Phys. Lett. - 1993. - V. 62. - № 12. - P. 1350 -1352.

83.Bena I., Misbah C., Valance A. Nonlinear evolution of a terrace edge during step-flow growth. // Phys. Rev. B. - 1993. - V. 47. - № 12. - P. 7408 - 7419.

84.Evidence of spontaneous formation of steps on silicon (100). Zhong L., Hojo A., Matsushita Y., et al. // Phys. Rev. B. - 1996. - V. 54. - № 4. - P. R2304 - R2307.

85.Harris. Step-motion-imposed asymmetry during molecular-beam epitaxy on vicinal surfaces. // Phys. Rev. B. - 1993. - V. 48. - № 11. - P. 8286 - 8289.

86.Перов А. С., Перова В. И., Перов А. А. Структура поверхности (110)Si, растущей из молекулярных пучков в вакууме. // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. - 1998 - № 3. -С. 45 - 48.

87.Wang Y., Tsong Т. Т. Structure of atomic steps on the 7x7 reconstructed Si(l 11) surface. // Phys. Rev. B. - 1996. - V. 53. - № 11. - P. 6915 - 6918.

88.Sublimation of the Si(lll) surface in ultrahigh vacuum. Homma Y., Hibino H., Ogino Т., Aizawa N. // Phys. Rev. B. - 1997. - V. 55. - № 16. - P. R10237 -R10240.

89.Smoothing of the surface relief during MBE process as a cause of RHEED oscillation distortions. Katkov M. I., Neizvestny I. G., Ryzhenkov I. P., et al. // Phys. Low-Dim. Struct. - 1997. - V. 5/6. - P. 13 - 22.

90.Pearson C., Krueger M., Ganz E. Direct tests of microscopic growth models using hot scanning tunneling microscopy movies. // Phys. Rev. Lett. - 1996. - V. 76. - №

13. -P. 2306-2309.

91.Потапенко С. lO. Кинетика ступени на поверхности кристалла при наличии анизотропиии адсорбции примесей. // В кн.: Рост кристаллов. Под ред. Е. И. Гиваргизова и С. А. Гринберга. Москва. "Наука". - 1990. - Т. 18. - С. 31 - 42.

92.Latyshev А. V., Krasilnikov А. В., Aseev A. L. Self-diffusion on Si(lll) surfaces. // Phys. Rev. В. - 1996. - V. 54. - № 4. - P. 2586 - 2589.

93.Abbink H. C., Broudy R. M., McCarthy G. P. Surface Processes in the Growth of Silicon on (111) Silicon in Ultrahigh Vacuum. // J. Appl. Phys. - 1968. - V. 39. -№ 10.-P. 4673 -4681.

94.Stich I., Kohanoff J., Terakura K. Low-temperature atomic dynamics of the Si(l 1 l)-7x7. // Phys. Rev. B. - 1996. - V. 54. - № 4. - P. 2642 - 2653.

95.Energetics and dynamics of Si ad-dimers on Si(001). Zhang Z., Wu F., Zandvliet H. J. W., et al. // Phys. Rev. Lett. - 1995. - V. 74. - № 18. - P. 3644 - 3647.

96.Jin J.-M., Lewis L. J. Ge-dimer relaxation on Si(100). // Phys. Rev. B. - 1994. - V. 49. - № 3. - P. 2201 - 2204.

97.Dunham S. Т., Wu C. D. Atomistic models of vacancy-mediated diffusion in silicon. // J. Appl. Phys. - 1995. - V. 78. - № 4. - P. 2362 - 2366.

98.Mixed Ge-Si dimer growth at the Ge/Si(001)-(2xl) surface. Patthey L., Bullock E. L., Abukawa Т., et al. // Phys. Rev. Lett. - 1995. - V. 75. - № 13. - P. 2538 - 2541.

99. Wu F., Lagally M. G. Ge-induced reversal of surface stress anisotropy on Si(001). // Phys. Rev. Lett. - 1995. - V. 75. - № 13. - P. 2534 - 2537.

100-Doi Т., Ichikawa M., Hosoki S. The driving force of Si adsorbate: transfer on a Si(001) surface. // Appl. Phys. Lett. - 1996. - V. 69. - № 4. - P. 532 - 534.

101.Nutzel J. F., Abstreiter G. Segregation and diffusion on semiconductor surfaces. // Phys. Rev. B. - 1996. - V. 53. - № 20. - P. 13551 - 13558.

102.Gai Z., Yu H., Yang W. S. Adatom diffusion on Ge(l 11) and the corresponding activation energy barrier. // Phys. Rev. B. - 1996. - V. 53. - № 20. - P. 13547 -13550.

103.Si adatom binding and diffusion on the Si(100) surface: Comparison of ab initio, semiempirical potential results. Smith A. P., Wiggs J. K., Jonsson H,, et al. // J.Chem.Phys. - 1995. - V. 102. - № 2. - P. 1044 - 1056.

104.Theis W., Tromp R. M. Nucleation in Si(001) homoepitaxial growth. // Phys. Rev. Lett. - 1996. - V. 76. - № 15. - P. 2770 - 2773.

105.Bedrossian P. J. Si binding and nucleation on Si(100). // Phys. Rev. Lett. - 1995. -V. 74.-№ 18.-P. 3648-3651.

106.Step site bonding on a vicinal Si(100) surface upon СЬ adsorption. Dohnalek Z., Gao Q., Choyke W. J., Yates J. T. Jr. // J.Chem.Phys. - 1995. - V. 102. - № 7. - P. 2946 - 2950.

107. Wang J., Drabold D. A., Rockett A. Binding and diffusion of a Si adatom around the type A step on Si(001) c(4x2). // Appl. Phys. Lett. - 1995. - V. 66. - № 15. - P. 1954- 1956.

108.Kim E., Oh C. W., Lee Y. H. Diffusion mechanism of Si adatoms on a double-layer stepped Si(001) surface. // Phys. Rev. Lett. - 1997. - V. 79. - № 23. - P. 4621 - 4624.

109.Gates S. M., Greenlief С. M., Beach D. B. Decomposition mechanisms of SiH*

spccics on Si(100)-(2x I) for x = 2, 3, and 4. // J. Chem. Phys. - 1900. - V. 93. - №

10.-P. 7493 -7503.

llO.New mechanism for hydrogen desorption from covalent surfaces: the monohydride phase on Si(100). Sinniah K., Sherman M. G., Lewis L. В., et al. // Phys. Rev. Lett. - 1989. - V. 62. - № 5. - P. 567 - 570.

111 .Lin D.-S., Miller Т., Chiang Т. C. Adsorption and thermal reactions of disilane and the growth of Si films on Ge(100)-(2xl). // Phys. Rev. B. - 1993. - V. 47. - №

11.-P. 6543 -6554.

112.Adsorption, thermal reaction, and desorption of disilane on Ge(l 1 l)-c(2x8). Lin D.-S., Hirschorn E. S., Miller Т., Chiang T.-C. // Phys. Rev. B. - 1994. - V. 49. -№3.-P. 1836- 1843.

113.Morita Y., Miki K., Tokumoto H. Direct observation of SiHh on a 1%-HF-treated Si(lll) surface by scanning tunneling microscopy. // Appl. Phys. Lett. -1991.-V. 59. -№11. -P. 1347- 1349.

114.Adsorption and desorption kinetics for SiCLj on Si(l 11)7x7. Gupta P., Coon P. A., Koehler B. G., Gearge S. M. // J. Chem. Phys. - 1990. - V. 93. - № 4. - P. 2827 -2835.

115.Akazawa H. Characterization of self-limiting SiH2Cl2 chemisorption and photon-stimulated desorption as elementary steps for Si atomic-layer epitaxy. // Phys. Rev. B. - 1996. - V. 54. -№ 15. - P. 10917 - 10926.

116.Temperature programmed desorption of molecular hydrogen from a Si(lll) surface: Theory and experiment. Flowers M. C., Jonathan N. В. H., Liu Y., Morris A. // J. Chem. Phys. - 1995. - V. 102. - № 2. - P. 1034 - 1043.

117.Vittadini A., Selloni A. Binding sites, migration paths, and barriers for hydrogen on Si(l 1 l)-(7x7). // Phys. Rev. Lett. - 1995. - V. 75. - № 26. - P. 4756 - 4759.

118.Bratu P., Hofer U. Phonon-assisted sticking of molecular hydrogen on Si(lll)-(7x7). // Phys. Rev. Lett. - 1995. - V. 74. - № 9. - P. 1625 - 1628.

119.Theoretical and experimental optical spectroscopy study of hydrogen adsorption at Si(l 1 l)-(7x7). Noguez C„ Beitia C., Preyss W., et al. // Phys. Rev. Lett. - 1996. - V. 76. - № 26. - P. 4923 - 4926.

120.Rogers D., Tiedje T. Binding energies of hydrogen to the Si(lll) 7x7 surface studied by statistical scanning tunneling microscopy. // Phys. Rev. B. - 1996. - V. 53. - № 20. - P. R13227 - R13230.

121.The desorption of molecular hydrogen from Si(100)-2xl and Si(lll)-7x7 surfaces at low coverages. Flowers M. C., Jonathan N. В. H., Morris A., Wright S. // J. Chem. Phys. - 1998. - V. 108. - № 8. - P. 3342 - 3352.

122.Yoshinobu J., Tanaka S., Nishijima M. Elementary chemical-reaction processes on silicon surfaces. // Jpn. J. Appl. Phys. - 1993. - V. 32. - Part 1. - № ЗА. - P. 1171 -1181.

123.Рузайкин М.П., Свечников А.Б. Квантовомеханическое исследование адсорбции и поверхностной миграции атомов и молекул на гранях (111) и (100) кристаллов кремния. // В кн.: Рост кристаллов. Под ред. Е. И. Гиваргизова и С. А. Гринберга. Москва, "Наука". - 1990. - Т. 18. - С. 18 - 31.

124.Hydrogen Adsorption on and Desorption from Si: Considerations on the Applicability of Detailed Balance. Kolasinski K. W., Nessler W., de Meijere A.,

Hasselbrink Li. // Phys. Rev. Lett. - 1994. - V. 72. - № 9. - P. 1356 - 1359.

125.Guyot-Sionnest P., Lin P. П., Miller E. M. Vibrational dynamics of the Si-H stretching modes of the Si(100)/H:2xl surface. // J. Chem. Phys. - 1995. - V. 102. -№ 10.-P. 4269-4278.

126.Pai S., Doren D. First principles calculation of prepairing mechanism for H2 desorption from Si(100)-2xl. // J. Chem. Phys. - 1995. - V. 103. - № 3. - P. 1232 -1234.

127.Greenlief С. M., Liehr M. Hydrogen desorption kinetics from epitaxially grown Si(100). // Appl. Phys. Lett. - 1994. - V. 64. - № 5. - P. 601 - 603.

128.Yoo D. S., Suemitsu M., Miyamoto N. Hydrogen desorption process of Si(100)/PH3. // J. Appl. Phys. - 1995. - V. 78. - № 8. - P. 4988 - 4993.

129.Lewis L. В., Segall J., Janda К. C. Recombinative desorption of hydrogen from the Ge(100)-(2xl) surface: A laser-induced, desorption study. // J. Chem. Phys. -1995. - V. 102. - № 18. - P. 7222 - 7228.

130.Кукушкин С. А., Осипов А. В. Термодинамика и кинетика фазовых переходов первого рода на поверхности твердых тел. // Химическая физика.

- 1996.-Т. 15.-№ 9.-С. 5-104.

131.Кукушкин С. А., Слезов В. В. Дисперсные системы на поверхности твердых тел (эволюционный подход): механизмы образования тонких пленок. СПб., Наука. 1996. - 304 е., ил.

132.Kuhne Н. Chemically deposited epitaxial Sii_xGex thin film growth at atmospheric pressure. // Appl. Phys. Lett. - 1993. - V. 62. - № 16. - P. 1967 -1969.

133.Kuhne H., Richter H. Transport-reaction controlled chemical vapor deposition of epitaxial Sii.xGex thin films and thermodynamic equilibrium composition. // J. Mater. Res. - 1993. - V. 8. -№ 1. - P. 131 -137.

134.Kuhne H. On a substituting, sticking and trapping model of CVD Sii_xGex layer growth. //J. Cryst. Growth. - 1992. - V. 125. - P. 291 - 300.

135.How CVD Si/Ge layer growth is controlled by each one of the reaction gas components. Kuhne H., Kissinger G., Hinrich P., Richter H. // Mat: Res. Soc. Symp. Proc. - 1993. - V. 280. - P.183 - 188.

136.Kuhne H. Epitaxial chemically vapour deposited Sii.xGex thin film growth at very low total pressure. // Thin Solid Films. - 1993. - V. 223. - P. 230 - 234.

137.Товбин Ю. К. Кинетические уравнения неидеальных моделей поверхностных процессов. // Поверхность. - 1989. - № 5. - С. 5 - 34.

138.Товбин Ю. К. Теория физико-химических процессов на границе газ -твердое тело. - М.: Наука, 1990. - 288 е., ил.

139.Eres G. Kinetic modeling of the atomic layer epitaxy processing window in group IV semiconductor growth. // Appl. Phys. Lett. - 1995. - V. 67. - № 12. - P. 1727- 1729.

140.A model for heterogeneouse growth of Sij.xGex films from hydrides. Robbins D. J., Glasper J. L., Cullis A. G., Leong W. Y. // J. Appl. Phys. - 1991. - V. 69. - № 6.

- P. 3729 - 3732.

141.Silicon vapor phase epitaxial growth catalysis by the presence of germane. Garone P. M., Sturm J. C., Schwartz P. V., et al. // Appl. Phys. Lett. - 1990. - V.

56. -№ 13. - P. 1275 - 1277.

142.Modeling growth of Sii_xGex epitaxial films from disilane and germane. Malik R., Gulari E., Li S., Bhattacharya P. K. // J. Appl. Phys. - 1993. - V. 73. - № 10. -P. 5193 -5196.

143.Strain in nanoscale germanium hut clusters on Si(001) studied by x-ray diffraction. Steinfort A. J., Scholte P. M. L. O., Ettema A., et al. // Phys. Rev, Lett.

- 1996,-V. 77.-№ 10.-P. 2009-2012.

144.Самоорганизующиеся наностровки германия в кремнии, полученные методом молекулярно-лучевой эпитаксии. Алешкин В. Я., Бекин Н. А., Калугин Н. Г. и др. // Письма в ЖЭТФ. - 1998. - Т. 67. - Вып. 1. - С. 46 - 50. 145.Self-organized Ge clustering on partially Ga-terminated Si(lll) surfaces. Maruno S., Fujita S., Watanabe H., et al. // J. Appl.Phys. - 1998. - V. 83. - № 1. -P. 205-211.

146.1sland formation during growth of Ge on Si(100): a study using photoluminescence spectroscopy. Sunamura H., Usami N., Shiraki Y., Fukatsu S. // Appl. Phys. Lett. - 1995. - V. 66. - № 22. - P. 3024 - 3026.

147.Atomic force microscopy and photoluminescence study of Ge layers and self-organized Ge quantum dots on Si(100). Palange E., Capellini G., Gaspare L. D., Evangelisti F. // Appl. Phys. Lett. - 1996. - V. 68. - № 21. - P. 2982 - 2984.

148.Прямой синтез наноструктур при молекулярно-лучевой эпитаксии германия на кремнии. Пчеляков О. П., Двуреченский А. В., Марков В. А. и др. // Материалы Всероссийского совещания "Наноструктуры на основе кремния и германия". - Н. Новгород. -10 -13 марта 1998 г. - С. 7 -14.

149.Kinetic pathway in Stranski-Krastanov growth of Ge on Si(001). Mo Y.-W., Savage D. E., Swartzentruber B. S., Lagally M. G. // Phys. Rev. Lett. - 1990. - V. 65,-№8.-P. 1020- 1023.

150.Eaglesham D. J., Cerullo M. Dislocation-free Stransi-Krastanow growth of Ge on Si(100). // Phys. Rev. Lett. - 1990. - V. 64. - № 16. - P. 1943 - 1946.

151.Вяткин А. Ф. Кремний-германиевые квантоворазмерные структуры: способы формирования, перспективы и проблемы. // Материалы Всероссийского совещания "Наноструктуры на основе кремния и германия".

- Н. Новгород. -10 -13 марта 1998 г. - С. 15 -16.

152.Surfactants in epitaxial growth. Copel M., Reuter M. C., Kaxiras E., Tromp R. M. // Phys. Rev. Lett. - 1989. - V. 63. - № 6. - P. 632 - 635.

153.Boshart M. A., Bailes III A. A., Seiberling L. E. Site exchange of Ge and Sb on Si(100) during surfactant-mediated epitaxial growth. // Phys. Rev. Lett. - 1996. -V. 77.-№6.-P. 1087- 1090. 154.Surfactant adsorption site and growth mechanism of Ge- on Ga-terminated Si(lll). Falta J., Schmidt Т., Hille A., Materlik G. // Phys. Rev. B. - 1996. - V. 54. - № 24. - P. R17288 - R17291. 155.Germanium dots with highly uniform size distribution grown on Si(100) substrate by molecular beam epitaxy. Wang X., Jiang Z., Zhu H., et al. // Appl. Phys. Lett. - 1997. - V. 71. - № 24. - P. 3543 - 3545. 156.Strain-induced island scaling during Sii.xGex heteroepitaxy. Dorsch W., Strunk

H. P., Wawra H., et al. // Appl. Phys. Lett. - 1998. - V. 72. - № 2. - P. 179 - 181. 157.Fujita K., Kusumi Y. Ichikawa M. A nanoscale self-organization induced by

removing Ga atoms on the Si(lll)- -y/3xV3 -Ga surface. 11 Appl. Phys. Lett. -

1996. - V. 68. - № 6. - P. 770 - 772.

158.Sunamura H., Shiraki Y., Fukatsu S. Growth mode transition and photoluminescence properties of Si|.xGex/Si quantum well structures with high Ge composition. // Appl. Phys. Lett. - 1995. - V. 66. - № 8. - P. 953 - 955.

159.Growth of self-assembled homogeneous SiGe-dots on Si(100). Schittenhelm P., Abstreiter G., Darhuber A., et al. // Thin Solid Flims. - 1997. - V. 294. - P. 291 -

295.

160.Kinetic instability in the epitaxial growth of semiconductor solid solutions. Ipatova I. P., Malyshkin V. G., Shchukin V. A., et al. // Phys. Low-Dim. Struct. -

1997.-V. s.-P. 23 -38.

161.Strain relaxation phenomena in GexSii_x/Si strained structures. Hull R., Bean J. C., Eaglesham D. J., et al. // Thin Solid Films. - 1989. - V. 183. - P. 117 - 132.

162.Thermal relaxation of metastable strained-layer GexSii.x/Si epitaxy. Fiory A. T., Bean J. C., Hull R., Nakahara S. // Phys. Rev. B. - 1985. - V. 31. - № 6. - P. 4063 -4065.

163.Dodson B. W., Tsao J. Y. Relaxation of strained-layer semiconductor structures via plastic flow. // Appl. Phys. Lett. - 1987. - V. 51. - № 17. - P. 1325 - 1327.

164.Dodson B. W., Tsao J. Y. Erratum: Relaxation of strained-layer semiconductor structures via plastic flow [Appl. Phys. Lett. 51, 1325 (1987)]. // Appl. Phys. Lett.

- 1988.-V. 52.-№10. -P. 852.

165.Critical stresses for Sii_xGex strained-layer plasticity. Tsao J. Y., Dodson B. W., Picraux S. T., Cornelison D. M. // Phys. Rev. Lett. - 1987. - V. 59. - № 21. - P. 2455 -2458.

166.Dodson B. W., Tsao J. Y. Stress dependence of dislocation glide activation energy in single-crystal silicon-germanium alloys up to 2,6 GPa. // Phys. Rev. B. -1988. - V. 36. - № 17. - P. 12383 - 12387.

167.Relaxation of coherent strain in Si].xGex/Si superlattices and alloys. Hauenstein R. J., Miles R. H., Croke E. T., McGill T. C. // Thin Solid Films. - 1989. - V. 183.

- P. 79 - 86.

168.Strain relaxation kinetics in Sii_xGex/Si heterostructures. Hauenstein R. J., Clemens B. M., Miles R. H„ et al. // J. Vac. Sci. Thechnol. B. - 1989. - V. 7. - № 4. - P. 767 - 774.

169.Duan X. F. Thin film relaxation in cross-sectional transmission electron microscopy specimens of GexSii.x/Si strained-layer superlattices. // Appl. Phys. Lett. - 1995. - V. 66. - № 17. - P. 2247 - 2249.

170.Growth mechanisms of SiGe on (111) and (100) Si substrates. Gallas B., Berbezier I., Ronda A., Derrien J. // Thin Solid Films. - 1997. - V. 294. - P. 22 -26.

171 .Zi J., Zhang K., Xie X. Theoretical study of structures and growth of strained Si/Ge superlattices. // Appl. Phys. Lett. - 1990. - V. 57. - № 2. - P. 165 - 167.

172.Tuppen C. G., Gibbings C. J., Hockly M. The effects of misfit dislocation nucleation and propagation on Si/Si|.xGex critical thickness values. // J. Cryst. Growth. - 1989. - V. 94. - P. 392 - 404.

173.Powell A. R., Iyer S. S., LeGoues F. K. New approach to the growth of low

dislocation relaxed SiCic material. // Appl. Phys. Lett. - 1994. - V. 64. - № 14. - I'. 1856- 1858.

174.Sakai A., Tatsumi Т., Aoyama K. Growth of strain-relaxed Ge films on Si(OOl) surfaces. // Appl. Phys. Lett. - 1997. - V. 71. - № 24. - P. 3510 - 3512.

175.Влияние состава твердого раствора на дефектообразование в гетероструктурах GexSi|.x/Si, полученных методом МПЭ. Вдовин В. И., Лютович К. Л., Мильвидский М. Г. и др. // Кристаллография. - 1992. - Т. 37.

- Вып. 2. - С. 487 - 496.

176.Vdovin V. I., Mil'vidskii М. G., Yugova Т. G. Mechanisms of dislocation generation in heterostructures based on SiGe allows. // Solid State Phenomena. -

1996. - V. 47 - 48. - P. 497 - 502.

177.Вдовин В. И., Мильвидский М. Г., Югова Т. Г. Механизмы генерации дислокаций в гетероструктурах на основе твердых растворов SiGe. // Кристаллография. - 1996. - Т. 41. - № 2. - С. 1087 - 1092.

178.Calculation of critical layer thickness considering thermal strain in Sii_xGex/Si strained-layer heterostructures. Huang J., Ye. Z., Lu H., Que D. // J. Appl. Phys. -1998.-V. 83.-№ l.-P. 171 - 173.

179.Hull R., Bean J. C. Nucleation of misfit dislocations in strained-layer epitaxy in the GexSi,.x/Si system. // J. Vac. Sci. Technol. A. - 1989. - V. 7. - № 4. - P. 2580 -2585.

180.Samavedam S. В., Fitzgerald E. A. Novel dislocation structure and surface morphology effects in relaxed Ge/Si-Ge(graded)/Si structures. // J. Appl.Phys. -

1997. - V. 81. - № 7. - P. 3108 - 3116.

181.Stepwise equilibrated graded GexSi]-x buffer with very low threading dislocation density on Si(001). Kissinger G., Morgenstern Т., Morgenstern G., Richter H. // Appl. Phys. Lett. - 1995. - V. 66.-№ 16. - P. 2083 - 2085. 182.Fitzgerald E. A., Samavedam S. B. Line, point and surface defect morphology of graded, relaxed GeSi alloys on Si substrates. // Thin Solid Films. - 1997. - V. 294.

- P. 3 - 10.

183.1smail K. Correlation between dislocations and electron transport properties in Si/SiGe. // Solid State Phenomena. - 1996. - V. 47 - 48. - P. 409 - 417.

184.Misfit dislocation multiplication processes in Sii-xGex alloys for x < 0.15. Tuppen C. G., Gibbings C. J., Hockly M., Roberts S. G. // Appl. Phys. Lett. -1990.-V. 56,- № l.-P. 54-56.

185.Temperature and strain dependence of the roughening transition in III-V semiconductor and SiGe epitaxial growth. Bangert U., Harvey A. J., Dieker C., et al. // J. Appl. Phys. - 1995. - V. 78. - № 2. - P. 811 - 816.

186.1nfluence of misfit dislocations on the surface morphology of Si|_xGex films. Lutz M. A., Feenstra R. M., LeGoues F. K, et al. // Appl. Phys. Lett. - 1995. - V. 66. - № 6. - P. 724 - 726.

187.Dislocation patterning - a new tool for spatial manipulation of Ge islands. Shiryaev S. Yu., Pedersen E. V., Jensen F., et al. // Thin Solid Films. - 1997. - V. 294.-P. 311 -314.

188.Weil J. D., Deng X., Krishnamurthy M. Preferential nucleation of Ge islands at self-organized pits formed during the growth of thin Si buffer layers on Si(l 10). // J. Appl.Phys. - 1998. -V. 83,- № 1. - P. 212 - 216.

I89.HRTEM study of Si|.xGex multilayer. Werekmann J., Chelly R., Ulhaq-Bouillet C„ et al. // Thin Solid 141ms. - 1997. - V. 294. - P. 80 - 83.

190.Strain relaxation of Ge|.xSix buffer systems grown on Ge(001). Li J. H., Holy V.,

Bauer G., et al. // Appl. Phys. Lett. - 1995. - V. 67. - № 6. - P. 789 - 791. 191.Structural analysis of imperfect GeSi superlattices grown on Ge(001) substrates. Tweet D. J., Tatsumi Т., Miyanaga K, Terashima K. // J. Appl.Phys. - 1995. - V. 78. - № l.-P. 117-121.

192.Koleske D. D., Gates S. M. Atomic layer epitaxy of Si on Ge(100): direct recoiling studies of film morphology. // J. Appl.Phys. - 1994. - V. 76. - № 3. - P. 1615-1621.

193.Nucleation of dislocation loops in strained epitaxial layers. Jain U., Jain S. C., Harker A. H., Bullough R. // J. Appl. Phys. - 1995. - V. 77. - № 1. - P. 103 - 109.

194.Ayers J. E. New model for the thickness and mismatch dependensies of threading dislocation densities in mismatched heteroepitaxial layers. // J. Appl. Phys. - 1995. - V. 78. - № 6. - P. 3724 - 3726.

195.Абрамчук С. С, Монахов Э. В., Похил Г. П. Релаксация напряжений и дефектообразование в эпитаксиальной структуре GexSii-x/Si(100) при ионном облучении. // Поверхность. Физика, химия, механика. - 1995. - № 10.-С. 80-85.

196.Reduction in misfit dislocation density by the selective growth of Sii_xGex/Si in small areas. Noble D. В., Hoyt J. L., King C. A., et al. // Appl. Phys. Lett. - 1990. -V. 56.-№ l.-P. 51-53.

197.Lattice engineered compliant substrate for defect-free heteroepitaxial growth. Ejeckam F. E., Lo Y. H., Subramanian S., et al. // Appl. Phys. Lett. - 1997. - V. 70.-№13.-P. 1685 - 1687.

198.Analysis of Ino^Gao^As layers on GaAs compliant substrates by double crystal x-ray diffraction. Carter-Coman C., Bicknell-Tassius R., Brown A. S., Jokerst N. M. // Appl. Phys. Lett. - 1997. - V. 70. - № 13. - P. 1754 - 1756.

199.Powell A. R., Iyer S. S., LeGoues F. K. New approach to the growth of low dislocation relaxed SiGe material. // Appl. Phys. Lett. - 1994. - V. 64. - № 14. - P.

± \j+s \j л OjO.

200.0vercoming the pseudomorphic critical thickness limit using compliant substrates. Chua C. L., Hsu W. Y., Lin С. H., et al. // Appl. Phys. Lett. - 1994. - V. 64. - № 26. - P. 3640 - 3642.

201.Lo Y. H. New approach to grow pseudomorphic structures over the critical thickness. // Appl. Phys. Lett. -1991. - V. 59. - № 18. - P. 2311 - 2313.

202.Tan T. Y., Gosele U. Twist wafer bonded 'fixed-film' versus 'compliant' substrates: correlated misfit dislocation generation and contaminant gettering. // Appl. Phys. A. - 1997. - V. 64. - P. 631 - 633.

203.Эпитаксия кремния и твердых растворов германий-кремний на пористом кремнии. Гутаковский А. К., Романов С. И., Пчеляков О. П. и др. // Материалы Всероссийского совещания "Наноструктуры на основе кремния и германия". Н. Новгород. 10 - 13 марта 1998 г. - С. S28 - S38.

204.Толомасов В. А. Физические основы роста и легирования эпитаксиальных слоев кремния из молекулярных потоков в вакууме. // Дисс. докт. физ.-мат. наук. - Горький, 1980. - 317 с.

205.0rlov L. К., Tolomasov V. Л., Potapov. Л. V. The growth kinetics of Sii„xGex layers in Gcll4-Si MBE. // E-MRS'98 Spring meeting. June 16 - 19, 1998. Strasbourg, France. Final book of abstracts. P. D-23.

206.Гетероэпитаксия слоев Sii_vGev и сверхрешеток Ge-Sii_vGev на Si(100) методом GeH4-Si молекулярно-лучевой эпитаксии: кинетика роста и структурные исследования. Орлов JI. К., Толомасов В. А., Потапов А. В., Вдовин В. И. // Изв. ВУЗов. Сер. Мат. электрон, техн. - 1998. - № 2. - С. 30 -34.

207.McDonald В., Goetzberger А. Измерение глубины диффузных слоев в Si методом косых шлифов. // J. Electrochem. Soc. - 1962. - V. 109. - № 2. - P. 141

- 149.

208.Ирин И. В., Мурель А. В. Автоматизированный измерительный комплекс для электрохимического C-V-профилирования. // Приборы и техника эксперимента. - 1993. -№ 6. - С. 150 - 155.

209.Heteroepitaxy of Ge-GeSi superlattices on Si(100) substrate by GeH4-Si MBE. Orlov L. K., Tolomasov V. A., Potapov A. V., et al. // IEEE SIMC-9. - 1996. -SIMC'9 proceedings. Edit. C. Fontaine. - P. 215 - 218.

2Ю.Гетероэпитаксия слоев Sii-xGex на Si(100) методом GeH4-Si МПЭ: кинетика роста и самоорганизация. Орлов JI. К., Толомасов В. А., Потапов А. В., Вдовин В. И. // Труды 2-го Российского симпозиума "Процессы тепломассопереноса и рост монокристаллов и тонкопленочных структур" (г. Обнинск, 22-24 сентября 1997 г.). Под ред. В. П. Гинкина. - С. 89 - 100.

211.Кинетика роста эпитаксиальных слоев Sii.xGex в методе GeH4-Si МПЭ Орлов Л. К., Толомасов В. А., Потапов А. В., Вдовин В. И. // Труды 2-го Российского симпозиума "Процессы тепломассопереноса и рост монокристаллов и тонкопленочных структур" (г. Обнинск, 22-24 сентября 1997 г.). Под ред. В. П. Гинкина. - С. 288 - 302.

212.Heteroepitaxy of Ge-GeSi superlattices on Si(100) substrate by GeH4-Si MBE. Orlov L. K., Tolomasov V. A., Potapov A. V., et al. // Int. Conf. on Semicond. and Insul. Mat. April 29 - May 3, 1996. Toulouse, France. Abstracts. - P. 92. ■

213.Потапов А. В., Орлов JI. К. Кинетика роста слоев Sii_xGex из германа и силана. // Труды Всероссийского совещания "Наноструктуры на основе кремния и германия", г. Н. Новгород, 10-13 марта 1998 г. - С. 168 - 171.

214.Potapov А. V., Orlov L. К., Ivin S. V. The growth kinetics of Sii„xGex layers from SiH4 and GeH4. // Thin Solid Films. - 1999. - V. 336. - № 1 - 2. - P. 191 -195.

215.Potapov A. V., Orlov L. K. The growth kinetics of Si).xGex layers from germane and silane. // Int. Symp. "Nanostructures: Physics and Technology". St. Petersburg, Russia, June 22 - 26,1998. - Proc. - P. 487 - 490.

216.Myers-Beaghton A. K., Vvedensky D. D. Nonlinear equation for diffusion and adatom interactions during epitaxial growth on vicinal surfaces. // Phys. Rev. B. -1990. - V. 42. - № 9. - P. 5544 - 5554.

217.Жданов В. П. Элементарные физико-химические процессы на поверхности.

- Новосибирск: Наука, 1988. - 320 е., ил.

218.0рлов Я. К., Толомасов В. А., Потапов А. В. Гегероэпитаксия слоев Sii-xGex и сверхрешеток Ge-Si|_xGex на Si(100) из атомарного потока Si и

молекулярного потока Clel I4. // Мат. 2-ой Российской конференция по физике полупроводников. 26 февраля - 1 марта 1996 года. г. Зеленогорек. -Т. 2.-С. 184.

219.Толомасов В. А., Орлов J1. К., Потапов А. В. Гетероэпитаксия слоев GeSi и сверхрешеток Ge-GeSi на -Si(lOO) методом совмещенной газовой и вакуумной эпитаксии. // Всероссийская конференция "Структура и свойства кристаллических и аморфных материалов". 12-14 марта 1996 года. г. Н. Новгород. - Тез. докл. - С. 117 - 118.

220.Heteroepitaxy of Ge-GeSi superlattices on Si(lOO) substrate by GeH4-Si MBE. Orlov L. K., Tolomasov V. A., Potapov A. V., et al. // Int. Conf. "Semiconducting and Insulating Materials". April 29 - May 3, 1996. Toulouse, France. - Proc. - P. 92.

221.Heteroepitaxy of Si].xGex layers and Ge-Sii_xGex superlattices on Si(lOO) substrates by GeH4-Si MBE-method: growth kinetics and structural studies. Orlov L. K., Tolomasov V. A., Potapov A. V., et al. // 23rd International Symposium on Compound Semiconductors (ISCS-23). St.Petersburg, Russia, September 23 - 27, 1996. - Program and Summuries. - P. 7.

222.Гетероэпитаксия слоев Sit_xGex и сверхрешеток Ge-Sii-xGex на Si(lOO) методом GeH4-Si МЛЭ: кинетика роста и структурные исследования. Орлов Л. К., Толомасов В. А., Потапов А. В., Вдовин В. И. // 1-я Всероссийская конференция по материало ведению и физико-химическим основам технологий получения легированных кристаллов кремния ("Кремний-96"). Москва, 19-22 ноября 1996 года. - Тез. докл. - С. 247 - 248.

223.Potapov А. V., Orlov L. К. Investigation of the influence of GeH3 molecule disintegration kinetics on abruptness of Ge composition at Sii.xGex/Si interface in Si-GeH4 MBE. // Physics, Chemistry and Application of Nanostructures. Review and short notes to Nanomeeting '97. Minsk, Belarus. 19-23 may 1997. Editors: V. E. Borisenko, A. B. Filonov, S. V. Gaponenko, V. S. Gurin. P. 69-71.

224.Potapov A. V., Orlov L. K. Non-stationary growth kinetics in GeH4-Si MBE: composition abruptness at Sii.xGex/Si interface. // Int. Symp. "Nanostructures: Physics and Technology". St. Petersburg, Russia, June 23 - 27, 1997. - Proc. - P. 327 - 330.

225.Гетероэпитаксия слоев Sii_xGex и сверхрешеток Ge-Sij-xGex на Si(100) методом GeH4-Si МЛЭ: кинетика роста и структурные исследования. Орлов Л. К., Толомасов В. А., Потапов А. В., Вдовин В. И. // 2-ой Российский симпозиум "Процессы тепломассопереноса и рост монокристаллов и тонкопленочных структур", г. Обнинск. 1997. - Тез. докл. - С. 110.

226.Si/SiGe quantum wells grown on vicinal Si(OOl) substrates: morphology, dislocation dynamics, and transport properties. Waltereit P., Fernandez J. M., Kaya S., Thornton T. J. // Appl. Phys. Lett. - 1998. - V. 72. - № 18. - P. 2262 -2264.

227.Проблема резкости гетерограниц в гидридной технологии квантовых Ge-GeSi гетероструктур. Орлов Л. К., Потапов А. В., Рубцова Р. А., Орлова Н. Л. // Изв. РАН. Сер. Физ. - 1999. - Т. 63. - № 2. - С. 267 - 273.

228.0собенности использования гидридной технологии для эпитаксии Ge-GeSi гетероструктур со слоями нанометровой толщины. Орлов Л. К., Рубцова Р. А., Орлова Н. Л., В. И. Вдовин. // Труды Всероссийского совещания

"Наноструктуры на основе кремния и германия'", г. II. Новгород, 10 - 13 марта 1998 г. - С. 127-133.

229.Филатов Д. О. Диагностика квантоворазмерных гетероструктур GaAs/InxGai-xAs методом спектроскопии конденсаторной фотоэде. // Дисс. канд. физ.-мат. наук. - Нижний Новгород, 1997. - 162 с.

230.Исследование гетероэпитаксиальных структур GexSi[_x/Si, полученных в вакууме. Абросимова Jl. Н., Дроздов Ю. Н., Кунцевич Т. С., Толомасов В. А. // Изв. АН СССР. Неорг. матер. - 1990. - Т. 26. - № 10. - С. 2009 - 2012.

231.Segmuller A., Blakeslee А. Е. X-Ray diffraction from one-dimensional superlattices in GaAsi_xPx crystals. // J. Appl. Crystallogr. - 1973. - V. 6. - № 1. -P. 19-25.

232.0rlov L. K., Dietrich B. Peculiarities of Raman spectra and real structure of GeSi solid solution. // Solid State Phenomena. - 1993. - V. 57 - 58. - P. 465 - 470.

233.Формирование дислокационной структуры в гетерокомпозициях SiGe/Si. Вдовин В. И., Югова Т. Г., Мильвидский М. Г., Орлов Л. К., Толомасов В. А., Потапов А. В. // 2-ой Российский симпозиум "Процессы тепломассопереноса и рост монокристаллов и тонкопленочных структур", г. Обнинск. 1997. - Тез. докл. - С. 27.

234.Yugova Т. G., Vdovin V. I., Mil'vidskii М. G., Orlov L. К., Tolomasov V. А., Potapov А. V., Abrosimov N. V. Dislocation pattern formation in epitaxial structures based on SiGe alloys. // E-MRS'98 Spring meeting. June 16 - 19, 1998. Strasbourg, France. Final book of abstracts. P. D-18.

235.Dislocation pattern formation in epitaxial structures based on SiGe alloys. T. G. Yugova, V. I. Vdovin, M. G. Mil'vidskii, L. K. Orlov, V. A. Tolomasov, A. V. Potapov, N. V. Abrosimov. // Thin Solid Films. - 1999. - V. 336. - № 1 - 2. - P. 112-115.

236.Вдовин В. И. Электронно-микроскопическое исследование эпитаксиальных структур на основе четверных твердых растворов соединений А3В5. //Дисс. канд. физ.-мат. наук. - Москва, 1987. - 236 с.