Исследование и разработка технологических процессов внутреннего монтажа бескорпусных микросхем на основе полиимидных микроструктур для производства высокоинтегрированных микросборок тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 05.27.06, кандидат наук Вертянов Денис Васильевич

• Вертянов Денис Васильевич
• кандидат наук
• 2020

Оглавление диссертации кандидат наук Вертянов Денис Васильевич

СПИСОК ИСПОЛЬЗУЕМЫХ СОКРАЩЕНИЙ

ВВЕДЕНИЕ

ГЛАВА 1. Обзор и анализ высокоплотных технологий беспроволочного монтажа бескорпусных микросхем

1.1 Современное состояние технологий производства микро- и радиоэлектронных модулей с применением беспроволочного монтажа

1.1.1 Технологии на основе flip-chip монтажа

1.1.2 Технологии 2,5D и 3D интеграции с применением TSV

1.1.3 Технологии сборки микросхем на гибком полиимидном носителе

1.1.4 Технологии корпусирования кристаллов на уровне пластины

1.1.5 Технологии внутреннего монтажа активных и пассивных элементов

1.2 Конструктивно-технологические решения в создании многокристальных модулей и микросборок с применением технологий внутреннего монтажа

1.2.1 Встроенный монтаж в жесткие основания

1.2.2 Встроенный монтаж в компаунды

1.2.3 Встроенный монтаж в гибкие полимеры

1.2.4 Отечественные технологии внутреннего монтажа

1.3 Преимущества методов беспаечного и бессварочного монтажа в производстве

микросборок

Выводы к главе

ГЛАВА 2. Исследование процессов установки и герметизации бескорпусных микросхем

2.1 Технология изготовления МКМ и МСБ со встроенными бескорпусными микросхемами

2.2 Исследование физико-технологических особенностей процесса установки кристаллов на временный носитель

2.2.1 Варианты процессов установки кристаллов на временный носитель

2.2.2 Анализ и выбор материала временного носителя

2.2.3 Анализ и выбор полиимидного адгезива

2.2.4 Описание тестовых кристаллов

2.2.5 Исследование адгезионной прочности тестовых кристаллов

2.3 Исследование процессов герметизации бескорпусных микросхем в технологии внутреннего монтажа

Выводы по главе

ГЛАВА 3. Исследование процессов формирования коммутационных слоев при внутреннем монтаже

3.1 Исследование методов активации поверхности плёнок из ПАК

3.2 Исследование процесса глубокого плазменного травления полиимидных материалов

3.2.1 Расчет скорости ионно-плазменного травления

3.3 Исследование процессов металлизации полиимидных микроструктур

3.3.1 Расчет скорости вакуумного распыления слоев металлизации

3.3.2 Химическое и гальваническое осаждение металлов в отверстиях

Выводы к главе

ГЛАВА 4. Проектирование микросборок и многокристальных модулей со встроенными кристаллами

4.1 Особенности систем автоматизированного проектирования многокристальных модулей и микросборок

4.2 Рекомендации по проектированию микросборок со встроенными кристаллами с помощью маршрута Xpedition Enterprise

4.3 Расчёт и моделирование электрических параметров корпусов, выполненных по технологии внутреннего монтажа

4.3.1 Моделирование целостности питания в корпусах кристаллов навигационного приёмника средствами HyperLynx

4.3.2 Расчёт и проектирование высокочастотных цепей в корпусе РЧНП

4.3.3 Расчёт уровня ЭМИ, величины дребезга земли и перекрестной помехи для межсоединений по технологии внутреннего монтажа

4.4 Расчет наработки на отказ

Выводы к главе

ГЛАВА 5. Разработка технологических процессов внутреннего монтажа бескорпусных микросхем для производства микросборок

5.1 Технологический маршрут изготовления микросборки СУ ПВУ со встроенными кристаллами на гибко-пластичном носителе

5.2 Технологический маршрут изготовления высокоплотных корпусов и многокристальных модулей методом внутреннего монтажа кристаллов в кремний

5.3 Технологический маршрут внутреннего монтажа кристаллов в алюминиевое основание

5.4 Технологический маршрут изготовления многокристального модуля памяти на гибком

носителе без процессов пайки и сварки

Выводы к главе

ОСНОВНЫЕ РЕЗУЛЬТАТЫ И ВЫВОДЫ

СПИСОК ИСПОЛЬЗОВАННЫХ ИСТОЧНИКОВ

ПРИЛОЖЕНИЯ

СПИСОК ИСПОЛЬЗУЕМЫХ СОКРАЩЕНИЙ

АСЛН - автоматизированная сборка с использованием ленты носителя

АСМ - атомно-силовой микроскоп

ВАК - Высшая аттестационная комиссия

ВМКК - внутренний монтаж кристаллов в кремний

ДМАА - К,К-диметилацетамид

ДМФ - К,К-диметилформамид

ИК - инфракрасный

ИПТ - ионно-плазменное травление

ИС - интегральная схема

КП - контактная площадка

МККП - многослойная конформная коммутационная плата МКМ - многокристальный модуль МСБ - микросборка

МЭМС - микроэлектромеханическая система НИР - научно-исследовательская работа ОКР - опытно-конструкторская работа ПАВ - поверхностно-активные вещества ПАК - полиамидокислота ПИ - полиимид

ПМДА - пиромеллитовый диангидрид ПП - печатная плата

РИНЦ - Российский индекс научного цитирования

РИТ - реактивное ионное травление

РЧНП - радиочастотный навигационный приёмник

РЭМ - растровый электронный микроскоп

САПР - система автоматизированного проектирования

СБИС - сверхбольшая интегральная схема

СвК - система в корпусе

СВЧ - сверхвысокочастотный

ТКЛР - температурный коэффициент линейного расширения ТС - термокомпрессия

УЗ - ультразвук

ЦНП - цифровой навигационный приёмник ЭКБ - электронная компонентная база ЭМИ - электромагнитное излучение ЭМП - электромагнитная помеха

ASIC (application-specific integrated circuit) - интегральная схема специального назначения

BBUL (bumpless buildup layer) - технология внутреннего монтажа без столбиковых выводов с помощью послойного наращивания от Intel

BGA (ball grid array) - тип корпуса микросхемы с матрицей шариковых выводов CAGR (compound annual growth rate) - совокупный среднегодовой темп роста C2 (cu-pillar with solder cap) - микробамп из меди с припойной крышкой C4 (control collapse chip connection) - присоединение кристалла методом контролируемого зазора

CiP (chip-in-polymer) - технология внутреннего монтажа кристаллов в гибкие полимеры CSP (chip scale package) - тип корпуса микросхемы с размерами кристалла DCA (direct chip attach) - прямое присоединение кристалла

EMIB (embedded multi-die interconnect bridge) - технология соединения элементов в многокристальной сборке методом встраивания в органическую подложку ePLP (embedded panel level packaging) - технология корпусирования кристаллов на уровне панели по методу внутреннего монтажа

EWLP (embedded wafer level packaging) - технология внутреннего монтажа кристаллов в подложку от Casio

FCOF (flip chip on flex) - технология flip-chip монтажа кристалла на гибкую подложку Flip-chip - монтаж методом перевёрнутого кристалла

FOWLP (fanout wafer level package) - способ корпусирования кристаллов на уровне пластины по технологии внутреннего монтажа

HBC (hybrid memory cube) - гибридный многокристальный модуль памяти с TSV HDI (high density interconnection) - высокая плотность межсоединений 1MB (integrated module buildup) - технология создания модулей со встроенными компонентами методом наращивания от Imbera Electronics

IMEC (Interuniversity Microelectronics Centre) - межвузовский центр микроэлектроники

InFO (integrated fan out) - название технологии корпусирования кристаллов на уровне

пластины от TSMC

NMP - ^метил-2-пирролидон

PBO (polybenzoxazole) - полибензоксазол

PDK (process design kit) - библиотека технологических процессов

PLP (panel level packaging) - корпусирование на уровне панели

PSPI (photo-sensitive polyimide) - фоточувствительный полиимид

QFN (quad flat no-lead package) - тип корпуса микросхемы с планарными выводами,

расположенными непосредственно под телом корпуса по четырём сторонам

RCP (redistributed chip packaging) - технология корпусирования кристаллов с

использованием слоёв перераспределения

RDL (redistribution layer) - слои перераспределения

SBL (stress buffer layer) - буферный слой

SLT (solid logic technology) - технология изготовления толстоплёночных логических ИС TAB (tape automated bonding) - автоматизированная сборка кристаллов на ленточном носителе

TSV (through silicon via) - сквозные металлизированные отверстия в кремнии UBM (under bump metallurgy) - металлическое покрытие под формирование бампов UTCP (ultra-thin packaging technology) - ультратонкая технология корпусирования кристаллов

WLCSP (wafer level chip scale packaging) - корпусирование на уровне пластины по размерам кристалла

WLP (wafer level package) - корпусирование на уровне пластины

ВВЕДЕНИЕ

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Исследование и разработка технологических процессов внутреннего монтажа бескорпусных микросхем на основе полиимидных микроструктур для производства высокоинтегрированных микросборок»

Актуальность работы

С момента появления первых микросборок и многокристальных модулей до настоящего времени прошёл уже не один десяток лет. Разработаны сотни различных технологий и конструкторско-технологических решений ведущими научно-исследовательскими организациями по всему миру. При этом тенденции к микроминиатюризации, повышению быстродействия, помехоустойчивости и надежности всегда остаются приоритетными в развитии современной электроники. Одним из последних в области высокоплотных технологий сформировано направление встраивания бескорпусных элементов в структуру подложки (платы, носителя) электронного узла (в мире известно как embedded die technology). Согласно оценке Yole Developpment в 2019 г. темп роста исследований в данном направлении составил 49% от общего объема разработок высокоплотных технологий сборки и монтажа.

Наиболее известные конструкторские и технологические решения разработаны крупными коммерческими компаниями в области корпусирования кристаллов - Amkor Technologies, ASE Group, Stats chip PAC; в области производства печатных плат - Imbera Electronics (Integrated Module Buildup), Verdant Electronics (OCCAM Process); производителями кристаллов - Intel Corporation (Bumpless Buildup Layer), Freescale (Redistributed Chip Packaging), TSMC (InFO для микропроцессора Apple A10), Samsung (для микропроцессора Exynos 8); передовых исследовательских центров -FraunhoferIZM (Embedded Chip), Массачусетский Технологический Институт. Среди авторов известны J. McPherson, A. Sundaram, A. Ostmann, R. Tuominen, Ph. Garrou и другие.

В России значимый вклад в создание и развитие технологий внутреннего монтажа бескорпусных микросхем (планарные технологии) внесли Черный Б.И., Найда С.М., Назаров Е.С., Воронцов Л.В. Среди организаций наиболее известны: «Концерн «ПВО «Алмаз-Антей», Концерн радиостроения «Вега», «НПП «Исток« им. Шокина, «Авиаавтоматика» им. В.В. Тарасова», «Кремний», ЦНИТИ «ТЕХНОМАШ», «НИИМЭ», «Ангстрем», НПП КБ «Радуга».

Несмотря на достижения перечисленных предприятий и разработчиков в области технологий внутреннего монтажа, на сегодняшний день имеется ряд научных,

конструкторских и технологических проблем, связанных с процессами фиксации кристаллов на временном носителе, герметизации и формировании глухих микроотверстий до их контактных площадок в специализированных полимерах, которые оказывают значительное влияние на надежность микромонтажных соединений в микросборках при повышении уровня топологических норм бескорпусных микросхем.

Поэтому исследование физико-технологических процессов, происходящих в материалах конструкций высокоинтегрированных микросборок при проведении операций микромонтажа, и поиск оптимальных конструктивно-технологических решений для реализации и внедрения в промышленность технологии внутреннего монтажа является актуальной задачей.

Объектом исследования является технология внутреннего монтажа бескорпусных микросхем для производства высокоинтегрированных микросборок, многокристальных модулей и электронных модулей уровня «система в корпусе».

Предметом исследования являются технологические процессы микромонтажа бескорпусных микросхем из кремния без применения процессов пайки и сварки.

Цель и задачи работы

Целью диссертационной работы является разработка физико-технологических подходов внутреннего монтажа бескорпусных микросхем для создания высокоинтегрированных микросборок, обеспечивающих за счёт применения полиимидных микроструктур, групповых методов обработки и отсутствия процессов пайки и сварки уменьшение массогабаритных параметров, более высокое быстродействие и надежность.

Для достижения поставленной цели необходимо решить следующие основные задачи:

1. Исследовать физико-технологические особенности процесса установки кристаллов активной стороной вниз на временный носитель с помощью различных растворов полиамидокислот (ПАК).

2. Установить факторы, влияющие на планарность поверхности многокристального модуля со встроенными и зафиксированными с помощью компаунда в структуру алюминиевой подложки кремниевыми кристаллами.

3. Исследовать влияние режимов проведения ионно-инициированных процессов сухого травления полиимидной микроструктуры в различных плазмообразующих средах (в кислородсодержащей плазме, в элегазе и в кислородно-аргоновых смесях) на формирование глухих отверстий в коммутационных подложках.

4. Провести сравнительный анализ эффективности применения разработанных технологических подходов в производстве микросборок по параметрам: масса, габариты, надежность и быстродействие.

5. Разработать технологические процессы внутреннего монтажа бескорпусных микросхем с применением полиимидных микроструктур и вакуумно-плазменных методов обработки для производства высокоинтегрированных микросборок, многокристальных модулей и электронных модулей уровня «система в корпусе».

Научная новизна работы

1. Предложен оригинальный технологический метод фиксации кремниевых кристаллов активной стороной вниз на временный носитель из магнитного железоникелькобальтового сплава с использованием раствора ПАК на основе ароматического диамина и диангидрида ароматической тетракарбоновой кислоты в N метил-2-пирролидоне.

2. Выявлена зависимость адгезионной прочности кремниевых кристаллов от времени жизни растворов ПАК, позволяющая подобрать параметры технологического процесса сборки на прецизионном оборудовании по критерию надежность/количество установленных кристаллов за единицу времени.

3. Определена зависимость скорости реактивного ионного травления полиимидной микроструктуры, сформированной на основе двух ранее не используемых вместе полиамидокислот АД-9103 ИС и ПИ-ЛК Радуга 6, от расхода гексафторида серы и молекулярного кислорода, что обеспечивает реализацию процесса глубокого анизотропного травления при создании глухих микроотверстий до контактных площадок, встроенных в подложку бескорпусных микросхем.

4. Разработан новый технологический процесс внутреннего монтажа бескорпусных микросхем в подложку микросборок, многокристальных модулей и электронных модулей типа «система в корпусе» на уровне пластины посредством

групповых методов с применением АД-9103 ИС и ПИ-ЛК Радуга 6 и временного носителя из магнитного железоникелькобальтового сплава.

Практическая значимость работы

Для внедрения на предприятиях по производству микросборок (МСБ), многокристальных модулей (МКМ) и модулей уровня «система в корпусе» (СвК) разработаны:

1. Новые конструктивно-технологические способы изготовления МКМ, МСБ, СвК по технологии внутреннего монтажа кристаллов без применения процессов пайки и сварки, приоритетность которых подтверждена четырьмя патентами РФ (№2597210 от 17.08.2016 г., №2581155 от 23.03.2016 г., №2571880 от 28.12.2015 г., №2572588 от 14.12.2015 г.).

2. Комплекты конструкторской и технологической документации, по которым изготовлены образцы:

- МСБ согласующего устройства системы управления со встроенными кристаллами на гибко-пластичном носителе;

- МКМ памяти со встроенными кристаллами в кремниевой пластине;

- МСБ вычислительного устройства со встроенными в алюминиевое основание кристаллами и поверхностно-монтируемыми компонентами;

- микромодули цифровой и радиочастотной СБИС СнК.

3. Рекомендации по проектированию МКМ и МСБ с использованием технологии внутреннего монтажа в сквозном маршруте САПР Xpedition Enterprise компании Mentor Graphics.

4. Технологические режимы установки кристаллов на временный носитель из сплава 29НК с помощью двух типов ПАК, позволяющие достичь бездефектной поверхности и адгезионной прочности не менее 2,9х106 Н/м2.

5. Технологические режимы глубокого реактивного ионного травления полиимидных структур, обеспечивающие скорость травления 0,8 мкм/мин, равномерность травления не менее 92% и анизотропию 0,95.

Реализация результатов работы

Изложенные в диссертации результаты исследований были использованы при выполнении научно-исследовательских и опытно-конструкторских работ со

следующими предприятиями электронной промышленности: АО «НИИМЭ» (шифр «К-Небоскрёб-МТ», 2016-2017 гг.), ФГУП НПЦАП им. Пилюгина (шифр «Автоматизация», 2015 г.), АО «Концерн «Вега» (шифр «К-Симбиоз-К», 2014-2015 гг.), АО «НИИМА «Прогресс» (шифр «Сложность-13Р», 2014-2015 гг.), АО НПП «Геофизика-Космос» (шифр «К-Ориент», 2013-2014 гг.), ОХП ОКБ «Авиаавтоматика» (шифр «Модуль-2», 2013 г.).

Реализация результатов работы подтверждена:

- тремя актами о внедрении и одним об использовании, представленными в приложениях к диссертации;

- дипломами победителя конкурса «Фестиваль Инноваций 2016» в рамках Международного форума «Микроэлектроника 2016» и участника конкурса «Золотой Чип» в номинации «Зелёный Чип» в рамках выставки ChipEXPO 2016.

Результаты диссертации используются:

- в учебном процессе Института нано- и микросистемной техники МИЭТ при подготовке магистров по направлению 11.04.03 «Конструирование и технология электронных средств», программы «Комплексное проектирование микросистем средствами Mentor Graphics» в дисциплине «Проектирование микросистем на печатных платах средствами Expedition Enterprise»;

- в материалах, используемых автором при проведении курсов повышения квалификации для сотрудников предприятий «Основы конструирования и технологии изготовления микросборок» и «Проектирование микросборок по технологии внутреннего монтажа элементов», что подтверждено актом об использовании.

Основные научные положения, выносимые на защиту

1. Растворы ПАК на основе ароматического диамина и диангидрида ароматической тетракарбоновой кислоты в К-метил-2-пирролидоне позволяют фиксировать кремниевые кристаллы на временном носителе с минимальной адгезионной прочностью 2,9 Н/м2.

2. Сила адгезии кремниевых кристаллов повышается с уменьшением времени жизни ПАК. При уменьшении времени от 100 до 20 минут до установки кристаллов на раствор ПИ-ЛК Радуга 6 адгезионная прочность повышается с 1х106 Н/м2 до 4,9х106 Н/м2.

3. Скорость реактивного ионного травления полиимидной микроструктуры на основе двух типов ПАК в коммутационной подложке растёт с повышением расхода O2 (с 0,1 мкм/мин при 0,2 л/ч до 0,42 мкм/мин при 0,8 л/ч) и с нарастанием концентрации гексафторида серы в рабочей смеси O2+SF6 (с 0,4 мкм/мин при 7% до 0,8 мкм/мин при 20%), снижается при увеличении концентрации аргона в рабочей смеси O2+Ar (с 0,37 мкм/мин при 20% до 0,21 мкм/мин при 70%).

4. Новый метод встраивания бескорпусных микросхем в основание микросборок на уровне пластины с применением двух типов полиамидокислот АД-9103 ИС и ПИ-ЛК Радуга 6, временного носителя из магнитного железоникелькобальтового сплава, обеспечивает проведение трёхстадийной имидизации при температурах до 250 °С в процессе формирования первого слоя полиимидной микроструктуры и установки кристаллов, получение планарной поверхности на границе кремний-компаунд с величиной плавного перепада высоты не более 2 мкм.

Методики исследований

Теоретические исследования базировались на математических расчётах и компьютерном моделировании средствами САПР маршрута Xpedition Enterprise компании Mentor Graphics и Comsol Multiphysics.

В обеспечении экспериментальных исследований применялось лабораторное оборудование: растровый электронный микроскоп JEOL JSM-6490LV с приставкой рентгеновского энергодисперсионного микроанализа Oxford Instruments INCA Energy X-MAX 20, FEI Quanta 3D FEG, сканирующий зондовый микроскоп SMART-SPM с полуконтактными кантилеверами серии NSC19/AIBS, цифровой мультиметр Agilent 34405A, динамометр PCE-FM50, стилусный профилометр Alpha-Step D-120, оптический микроскоп Hirox.

Достоверность результатов подтверждается:

- использованием современных методов и техники физического эксперимента, таких как: растровая электронная микроскопия, атомно-силовая микроскопия, рентгеноспектральный микроанализ, прецизионное измерение и построение профилограмм поверхности;

- патентами и экспертизами Федеральной службы по интеллектуальной собственности РФ;

- публикациями в периодических рецензируемых научных изданиях (РИНЦ, ВАК), в сборниках трудов российских и зарубежных научных конференциях, индексируемых в базах данных Web of Science, Scopus.

Апробация работы

Основные результаты диссертации обсуждались на следующих научно-технических конференциях: Международная конференция EIConRus (2018, 2019 гг., г. Зеленоград), научная международная конференция «Микроэлектроника - ЭКБ и электронные модули» (2015-2019 гг., г. Алушта, Республика Крым), Международная научно-практическая конференция «Интеллектуальные системы и микросистемная техника» (2017, 2018 гг., пос. Эльбрус, Кабардино-Балкария), V всероссийская конференция «Обмен опытом в области создания сверхширополосных РЭС» (2014, г. Омск), 5-ая Международная научно-практическая конференция «Современные информационные и электронные технологии» (2014, г. Одесса, Украина), Международная конференция «Электроника и наноэлектроника» (2013, 2014 гг., г. Киев, Украина), Международная конференция «Физика и технология наноструктурированных материалов» (2013, г. Владивосток).

Публикации

Общее количество публикаций 55. По теме диссертации опубликовано 33 печатные работы, в том числе 9 статей в журналах из перечня ВАК РФ, 7 публикаций включенных в реферативные базы данных Web of Science, Scopus, 6 патентов на изобретения и 1 патент на полезную модель РФ, 10 тезисов докладов на научно-технических конференциях.

Структура и объем работы

Диссертация состоит из введения, пяти глав, заключения, списка литературы из 150 наименований и приложений. Содержит 127 рисунков и 26 таблиц. Общий объём работы без учёта приложений составляет 206 страниц.

ГЛАВА 1. Обзор и анализ высокоплотных технологий беспроволочного монтажа бескорпусных микросхем

1.1 Современное состояние технологий производства микро- и радиоэлектронных модулей с применением беспроволочного монтажа

Разработка микроэлектронной аппаратуры следует по пути постоянного уменьшения габаритов и массы, повышения быстродействия, помехоустойчивости и надежности изделий. Развитие микроэлектронных компонентов и радиоэлектронных модулей происходит в направлении увеличения интеграции, производительности и функциональности.

Общие тенденции микроминиатюризации связаны со значительными затратами на обновление основных фондов в микроэлектронике, производстве печатных плат и в сборочно-монтажном производстве. Тем не менее, эти тенденции проявляют себя в разнообразии приемов увеличения плотности межсоединений в корпусах микросхем, печатных платах, при сборке и монтаже многокристальных модулей и систем в корпусе [1, 2].

Потребности в уменьшении массы и габаритов конструкций электронной аппаратуры обусловили интерес к методам непосредственного монтажа кристаллов микросхем на плату или подложку, что подтверждается анализом рынка современных технологий корпусирования [3-5].

В настоящее время существует множество различных способов производства высокоплотных радиоэлектронных модулей, в которых не применяется разварка проволокой, например, оригинальная технология от Intel под названием EMIB [6]. Тем не менее, наиболее распространенными и известными конструктивно-технологическими решениями в изготовлении высокоплотных электронных сборок, можно считать следующие [3]:

- монтаж методом перевернутого кристалла со столбиковыми (шариковыми) выводами на контактных площадках (flip-chip);

- 2,5D и 3D интеграции с применением TSV;

- монтаж бескорпусных микросхем на гибком носителе (TAB);

- корпусирование на уровне пластины (Wafer level packaging - WLP);

- встроенный монтаж элементов и компонентов в подложку.

Созданные по данным технологиям микросборки используются в различных областях [7]. Так на рынке массовых изделий относительно небольшой стоимости (low-end) наиболее широко микросборки применяются для создания радиочастотных модулей систем связи.

На рынке изделий средней стоимости технологии высокоплотной интеграции применяются для создания носимой электроники (умные браслеты, часы), смартфонов (рисунок 1.1 [8]), планшетов, а также цифровых фотокамер.

WHV<MlCS«f£

А11

НаМбТООМСМТЙ VIFM

г.-ТГ---—

. .

! ) £SL.\ ¿-¿J

а б В

Рисунок 1.1 - Использование высокоплотных микросборок WLP (технология InFo) в микропроцессоре Apple A11: а - кристалл микропроцессора; б - компонент микропроцессора Apple А11(вид сверху и в разрезе); в - iPhone X на основе процессора А11[8]

В дорогостоящих изделиях и изделиях специального назначения высокоплотная интеграция применяется для высокопроизводительных вычислительных систем (системы обработки информации, виртуальная реальность), вычислительных модулей в автомобилях, медицинских приборах, а также для изделий оборонной и аэрокосмической отрасли (микрокамеры, радиационно-стойкая компонентная база, навигационные автономные системы).

Рассмотрим конструктивно-технологические решения беспроволочного монтажа кристаллов.

1.1.1 Технологии на основе flip-chip монтажа

Первой среди современных технологий беспроволочного монтажа появилась flipchip технология, предполагающая монтаж кристалла со сформированными бампами (шариковыми или столбиковыми выводами) на подложку активной стороной вниз. В роли подложки может выступать коммутационное основание корпуса либо системная плата электронного устройства. В последнем случае говорят о бескорпусной посадке кристалла непосредственно на плату или о монтаже DCA (direct chip attach - прямое присоединение кристалла) [9].

Flip-chip технология получила широкое распространение как метод монтажа кристаллов в BGA (ball grid array) и CSP (chip scale package) корпуса. Также метод используется практически во всех технологиях трёхмерной интеграции для соединения уровней микросборок и в некоторых технологиях двухмерной интеграции совместно с другими современными технологиями сборки и монтажа (например, в технологиях внутреннего монтажа для установки кристаллов на слои перераспределения). Использование flip-chip посадки позволяет уменьшить габариты и улучшить электрические характеристики электронных компонентов за счёт меньшей длины соединений по сравнению с проволочным монтажом [9,10].

Первая технология flip-chip монтажа была создана IBM в 1961 и получила название SLT (solid logic technology) [11]. Данная технология предполагала использование покрытых припоем медных столбиковых выводов. В 1965 году IBM представила ещё одну технологию flip-chip монтажа под названием C4 (control collapse chip connection - присоединение кристалла методом контролируемого зазора, рисунок 1.2 (а) [11, 12]. В C4 уже использовались шарики, полностью состоящие из припоя. Общая последовательность операции в исходном варианте технологии С4 следующая: очистка контактных площадок (КП) путём обработки в аргоновой плазме, создание слоёв UBM (например, Ti/Cu/Au), осаждение слоёв олово-свинец (иногда к C4 относят также гальваническое формирование припойных бампов до 5 мкм) [13].

В настоящее время под С4 понимают припойные бампы кристалла диаметром от 100 мкм и более, в противовес бампам меньшего диаметра C2 (Cu-Pillar With Solder Cap

или просто Cupper-pillar, рисунок 1.2, б). Первая C2 технология также была разработана IBM и представлена в 2001 году (сегодня свои технологии C2 имеют многие компании, например, Amkor Technologies) [14].

Рисунок 1.2 - Этапы изготовления flip-chip выводов согласно технологиям:

а - С2; б - С4

Несмотря на все достоинства, у flip-chip монтажа выявлен и ряд недостатков. Один из важнейших - малая пластичность выводов и как следствие высокие механические напряжения в контактах. По этой причине изначально flip-chip технологию использовали только на подложках с температурным коэффициентом линейного расширения (ТКЛР) близким к кремнию, например, сделанных из керамики [13, 14]. Однако в 1987 году компания Hitachi впервые применила при flip-chip монтаже компаунд для инкапсуляции (заполнения пространства между смонтированным кристаллом и подложкой) [11, 15]. Изначально этот компаунд использовался для защиты кристалла от агрессивных воздействий. Однако было замечено, что его использование позволяло перераспределить механические напряжения, снизив вызванные разностью ТКЛР кристалла и подложки перемещения. В 1992 году IBM предложила использовать flip-chip монтаж для подложек из композитных диэлектриков, скомпенсировав разницу ТКЛР за счёт специальных компаундов, получивших в дальнейшем название underfill.

Основные требования, предъявляемые к компаундам underfill - это малые значения ТКЛР, высокий модуль упругости, хорошая адгезия к материалам сборки, малое время отверждения, малое газовыделение, малая усадка при отверждении и достаточно высокая текучесть [16-18]. В основном underfill изготавливают на основе эпоксидных полимеров, иногда добавляя 65-75% порошка оксида кремния для обеспечения среднего (примерно 23 миллионных доли на С°) ТКЛР между кремнием и подложкой из стеклопластика [19, 20]. Для уменьшения внутренних механических напряжений в underfill используют смолы с низкой плотностью сшивки. Заливку underfill компаунда между смонтированным кристаллом и основанием осуществляют с помощью дозатора. Для обеспечения равномерной заливки может применяться заливка под наклоном (под действием силы тяжести) или заливка в вакуумированную полость

[17].

Также недостатком flip-chip монтажа является проблема различной высоты контактов, формируемых на кристалле. Использование групповых процессов вакуумного осаждения и гальванического наращивания вместе с выбором оптимальных параметров процессов позволяет минимизировать разновысотность. Однако небольшие механические напряжения остаются, кроме того при отклонении процессов от оптимальных параметров могут возникать дефекты (отрыв бампа от площадки), которые крайне сложно обнаружить у смонтированного кристалла (так как выводы скрыты под

плоскостью кристалла). Сложность контроля - это ещё один недостаток flip-chip технологии.

Чтобы гарантировано избежать дефектов, необходимо не только обеспечить одинаковую высоту выводов, но и сформировать качественные слои UBM на кристалле и качественное финишное покрытие на плате [21]. Именно в областях соединения шарика с кристаллом и шарика с платой чаще всего формируются дефекты - например, интерметаллиды или дефект «голова на подушке» для шариков из бессвинцового припоя.

1.1.2 Технологии 2,5D и 3D интеграции с применением TSV

Наибольшую плотность интеграции среди всех технологий создания микросборок обеспечивает технология Through Silicon Via (TSV) [22].

Межсоединения TSV представляют собой вертикальные переходные отверстия в кремниевой подложке, заполненные электропроводящим материалом, и таким образом соединяющие коммутацию на верхней и обратной стороне кристалла или коммутационной платы (рисунок 1.3, а).

Сквозные металлизированные отверстия в кремнии являются частным случаем сквозных металлизированных отверстий в субстрате, к числу которых относятся как традиционные переходные отверстия в подложках из стеклопластика, так и отверстия в керамике или стекле. Уникальность же TSV заключается в использовании традиционного для интегральных схем материала - кремния. За счёт этого при изготовлении по технологии TSV коммутационных плат не возникает разности ТКЛР между кристаллом и подложкой. Также монокристаллический кремний обладает высокой теплопроводностью и однородными по объёму свойствами (в отличие от стеклопластика), а пластины из кремния имеют поверхность с минимальной шероховатостью, что вместе с низким ТКЛР позволяет создавать коммутацию максимальной плотности [23].

TSV используется для создания 3D сборок микросхем памяти, для корпусирования структур МЭМС совместно с кристаллами ASIC [24], а также для создания интерпозеров (структура и варианты применения TSV показаны на рисунке 1.3 (б), (в), (г)). Однако 2,5D и 3D TSV сборкам присущи такие недостатки, как высокая стоимость и сложность (особенно при небольших объёмах производства).

Металлизированное отверстие б кристалле-основании

Кремниевая крышка

Зона соединения крышки и основания

Основание корпуса (МЗМС) Бамп корпуса

нвя

Побложка (плата или

основание корпуса)

б

Металлизиробанное отверстие 6 кристалле

КРишаллИС Бамп Зля соединения уровней

тпн1

тяишишидлтг! niBiwwm

Uli III 1ИИПГТШЖИИЯ11ГМ "|ПТиТ|П"|Т

Компаунб побкристальной заливки (underfiil)

Капсулирующий защитный компаунб

Побложка (плата или основание корпуса)

в

Металлизированное отберстие Б интерпозере

Кремниевый интерпозер мп кристалла Кристалл ИС

Компаунб побкристальной _залибки (underfiil)

Капсу/шрующии защитный компаунд

Бамп интерпозера

Побложка (плата или основание корпуса)

Рисунок 1.3 - Структура (а) и варианты использования TSV для корпусирования МЭМС (б), создания трёхмерной сборки микросхем (в) и 2,5D сборки на основе

интеропозера (г)

Для изготовления сборки TSV может быть использовано соединение нескольких кристаллов в стек (вертикальную структуру), соединение кристаллов с пластиной и соединение пластин между собой с последующим разделением на дискретные компоненты.

В настоящее время TSV технологии используются для изготовления изделий различной ценовой категории, начиная от относительно высокочастотных фильтров и сборок памяти для массового потребления, и заканчивая изделиями для высокопроизводительных вычислений (в последние могут быть интегрированы также оптические элементы, например, сквозные каналы связи). Ожидается, что на рынке 2,5D и 3D интеграции в 2021 году будет около двух миллионов пластин с TSV, что говорит о 22% среднегодового темпа роста направления (CAGR) [25].

Среди примеров практического использования TSV [26] в электронных изделиях можно назвать сборку Hybrid Memory Cube (HBC) от IBM и Micron Technology, представленную в 2007 году и позволившую увеличить быстродействие памяти почти в 10 раз при уменьшении энергопотребления на 70%. Также известны решения компаний Elpida Memory (Япония, 2009 год), NEC Electronics, Elpida Memory и Oki Electric [27], и сборки по технологии LPM от Globalfoundries.

Список литературы диссертационного исследования кандидат наук Вертянов Денис Васильевич, 2020 год

СПИСОК ИСПОЛЬЗОВАННЫХ ИСТОЧНИКОВ

1. Вертянов, Д.В. Перспективные конструктивно-технологические решения для производства «систем в корпусе» / Д.В. Вертянов, В.Н. Сидоренко, С.П. Тимошенков, А.А. Ковалёв // Технологии в электронной промышленности. -2019, - №4, - С.60-64.

2. Герасименко, Ю.В. Новые конструкторско-технологические решения технохимических операций изготовления элементов МЭМС и микросборок / Ю.В. Герасименко, А.И. Сергиенко, А.Н. Ермаков, А.С. Ермакова, Д.В. Вертянов // «Наноиндустрия». - 2018. - № S (82). - С. 532-537.

3. Shukla, G. 3D Semiconductor Packaging Market by Technology by Material, by Industry vertical. Global Opportunity Analysis and Industry Forecast, 2014-2022 [Электронный ресурс]/ G. Shukla, K. Sharma. - 2016. - URL: https://www.alliedmarketresearch.com/3D-semiconductor-packaging-market (дата обращения 20.01.2018).

4. Беляков, И.А. Анализ рынка современных технологий корпусирования и трёхмерной интеграции электронных компонентов: сб. науч. Трудов / И.А. Беляков, Д.В. Вертянов, С.П. Тимошенков // Конференция «Интеллектуальные системы и микросистемная техника». - Кабардино-Балкария: 2018. - С. 10-16.

5. Назаров, Е.С. Внутренний монтаж функциональных радиоэлектронных блоков / Е.С. Назаров //Электроника: Наука, Технология, Бизнес. - 2008. - №3. - С. 36-39.

6. Pat. 20180261545 A1 USA, IPC H 01 L 23/538, H 01 L 23/00, H 01 L 23/498. Embedded multi-die interconnect bridge / Arvind Sundaram; Intel Corporation (Santa Clara, CA, US). - № 15/457102; заявл. 13.03.2017; опубл. 25. 01.2018.

7. Artificial Intelligence: a new era of the advanced packaging industry [Электронный ресурс] / Yole Developpement; 3D TSV and 2.5D Business Update - 2017. - URL: http://www.yole .fr/3DBusinessUpdate_AI_ DeepLearning.aspx#. XccNpB_VKUm, (дата обращения 04.02.2018).

8. Lau, H.J. Fan-Out Wafer-Level Packaging for 3D IC Heterogeneous Integration: IEEE/EPS Chapter Lecture in the Silicon Valley Area / John H. Lau. - 2018. - 79 p.

9. Долговых, Ю.Г. Бескорпусная технология сборки интегральных микросхем с шариковыми выводами: сб. науч. Трудов / Ю.Г. Долговых, А.И. Погалов, А.Б. Спиридонов, A.M. Грушевский, Д.В. Вертянов; Под. ред. С.П. Тимошенкова //

«Микросистемная техника. Моделирование, технология, контроль» - М.: МИЭТ, 2007. - С. 46-51.

10. Вертянов, Д. В. Обзор зарубежных технологий беспаечного и бессварочного монтажа кристаллов и других электронных компонентов / Вертянов Д.В. // «Вестник Радиоэлектроники». - 2013. - С.32-35.

11. Fei, D. Flip chip and lid attachment assembly process development [Текст]: дис. на соиск. учён. степ. Doctor of Philosophy (15.12.2006) / Ding Fei; Graduate Faculty of Auburn University - Auburn, Alabama, USA, 2006. - 127 p.

12. Sheldon, L. Package-Chip Co-Design to Increase Flip-Chip C4 Reliability/ L. Sheldon // 12th Int'l Symposium on Quality Electronic Design. - California, Santa Cruz: IEEE. -2011. - P. 553-558.

13. Vahakangas, J. Chapter B: Flip-Chip Technology [Электронный ресурс] / J. Vahakangas, O. Rusanen, T. Jaakola, J. Lenkkeri - The Nordic Electronics Packaging Guideline. - Режим доступа: http://extra.ivf.se/ngl/documents/ Chapterb/Chapterb.pdf (дата обращения 05.02.2018).

14. Lau, J.H. Status and Outlooks of Flip Chip Technology / J. H. Lau // In IPC EXPO Proceedings - February, 2017. - P. 1-20.

15. Гераничев, B.H. Повышение надежности паяных соединений в условиях термомеханических воздействий путем капсулирования матрицы шариковых выводов BGA корпусов / В.Н. Гераничев // Научно-технический вестник Санкт-Петербургского государственного университета информационных технологий, механики и оптики. - 2009. - №1 (59). - С.61-66.

16. Gilleo, K. The chemistry & physics of underfill / Ken Gilleo // NEPCON West. -1998. - №1. - P. 280-292.

17. Zhuqing, Z. Recent Advances in Flip-Chip Underfill: Materials, Process, and Reliability / Z. Zhuqing, Wong C.P. // TRANSACTIONS ON ADVANCED PACKAGING. -- 2004. - №3. - P. 515-524.

18. Chang-Chun, L. Effect of Wafer Level Underfill on the Microbump Reliability of Ultrathin-Chip Stacking Type 3D-IC Assembly during Thermal Cycling Tests/ L. Chang-Chung // US National Library of Medicine National Institutes of Health Search database - 2017. - №10 - 13 p.

19. Wilcox, J.R. Package Interconnection [Электронный ресурс]/ J.R. Wilcox. - IBM corporation. - Режим доступа: https://docplayer.net/29212726-Package-interconnects.html (дата обращения: 11.02.2018).

20. Chiang, Diana C. Underfill material selection for flip chip technology [Текст]: дис. на соиск. учён. степ. Master of Science in Materials Science and Engineering (06.1998)/ Diana C. Chang; Department of materials science and engineering, Massachusetts Institute of Technology. - Massachusetts, USA, 1998. - 34 p.

21. Сидоренко, B.H. Конструктивно-технологические особенности flip-chip монтажа кристаллов в производстве высокоинтегрированных 2,5D и 3D микросборок /

B.Н. Сидоренко, Д.В. Вертянов, Ю.Г. Долговых, А.А. Ковалев, С.В. Змеев, С.П. Тимошенков // «Наноиндустрия». - 2018. - № 9 (82). — С. 203-210.

22. Garrou, P. Handbook of 3D Integration. Technology and Applications of 3D Integrated Circuits / P. Garrou, Ch. Bower, P. Ramm. - WILEY. A John Wiley and Sons, Ltd, Publication, 2008. - 190 p.

23. Вертянов, Д.В. Трёхмерная микросборка на основе коммутационных плат из кремния и бескорпусных элементов МЭМС / Д.В. Вертянов, М.М. Бураков, С.М. Кручинин, В. Н. Сидоренко, А.В. Брыкин // Наноиндустрия. - 2018. - № S (82). -

C. 521-531.

24. Burakov, M.M. Investigation of TSV metallization for MEMS encapsulation technology / M. M. Burakov, D. V. Vertyanov, A. N. Boyko, A. V. Sosnovsky // ElConRus ConferenceIEEE, 2018. - P. 1599-1603.

25. 3D TSV technologies are essential for the development of heterogeneous interconnection, high end memory and performance applications. 3DIC and 2.5D TSV Interconnect for Advanced Packaging: 2016 Business Update report [Электронный ресурс] / Yole Developpment, I-Micronews. - Бизнес-отчёт. - Lyon, France. - 2016. -Режим доступа: http://yole.fr/iso_upload/News/ 2016/PR_3D_BUSINESS%20UPDATE_Market0verview_Y0LE_Sep2016.pdf, (дата обращения 30.02.2018).

26. Dukovic, J. Through-silicon-via technology for 3D integration/ J. Ducovic // 2010 IEEE International Memory Workshop, Seoul. - 2010. - P. 1-2.

27. Garrou, P. Elpida Preparing for 3-D Commercialization. 2011 [Электронный ресурс]/ P. Garrou, Semi. Org. China. - Режим доступа: http://ic.semi.org.cn/a/technology/waferprocessing/20187.html (дата обращения 05.05.2018).

28. Mahajan, R. Advances in Embedded and Fan-Out Wafer-Level Packaging Technologies / R. Mahajan - IEEE PRESS, 2019. - P.487-499.

29. Вертянов Д.В., Сидоренко В.Н., Бураков М.М., Беляков И.А. Технологии формирования межуровневой коммутации для изготовления трехмерных микросборок // Наноиндустрия. - 2019 - № S (82). - С. 515-526.

30. Manish, D. Enabling Next-Generation Platforms Using Intel's 3D System-in-Package Technology: whitepaper [электронный ресурс]/ D. Manish; Intel Programmable Solutions Group. - URL: https://www.intel.com/content/dam/ www/programmable/us/en/pdfs/literature/wp/wp-01251-enabling-nextgen-with-3d-system-in-package.pdf (дата обращения 11.03.2018).

31. Liu, C. High-performance integrated fan-out wafer level packaging (3D-WLP): Technology and system integration / C. Liu - San Francisco, CA, International Electron Devices Meeting 2012. - P. 14.1.1-14.1.4.

32. Burgyan, L. Heterogeneous integration paving the way beyond silicon scaling limits/ Burgyan L // Chip Scale Review. - 2017. - № 6. - P. 10-14.

33. Тимошенков, В.П. Расчет и моделирование микрополосковых устройств СВЧ на основе многослойных полиимидных структур / В.П. Тимошенков, С.П. Тимошенков, Д.В. Вертянов, А.С. Мусаткин, Н.Е. Коробова // Наноиндустрия. -2017. - С. 579-582.

34. Тимошенков, В.П. Исследования 3D СВЧ Сборок на полиимидном шлейфе для систем в корпусе / В.П. Тимошенков, Д.В. Родионов, И. Хлыбов, А.С. Мусаткин, Д.В. Вертянов // Нано- и микросистемная техника. - 2016. - С. 650-656.

35. Вертянов, Д.В. Свойства и практическое применение полиимидных микроструктур / Д.В. Вертянов, С.П. Тимошенков, B.C. Петров, Е.П. Горюнова // Нано- и микросистемная техника. - 2014. - С. 19-24.

36. Vertyanov, D. V. Peculiarities of multichip micro module frameless design with ball contacts on the flexible board/ D.V. Vertyanov, K.S. Tikhonov, S.P. Timoshenkov, V.S. Petrov, G.A. Blinov // Electronics and Nanotechnology (ELNANO), 2013 IEEE XXXIII International Scientific Conference, Kiev. - 2013. - P. 417-419.

37. Ponomarev, N. Research of the Constructions of Conductors on Flexible Carriers / N. Ponomarev, D. Vertyanov, V. Nikolaev, S. Timoshenkov // 2018 ElConRus Conference IEEE - 2018. - P. 1626-1630.

38. Hubbard, R.L. New material and reliability issues of re-distribution layers/ Robert L. Hubbard // IWLPC (Wafer-Level Packaging) 2007. - Сан Хосе, Калифорния, 2007. -

5 p.

39. Garrou, Ph. IFTLE 358 SEMICON Taiwan Part 3: ASE & Powertech Fan Out Options [Электронный ресурс] / Phil Garrou - Ежемесячный обзор конференций в области Advanced packaging 2017 - Режим доступа: http://electroiq.com/insights-from-leading-edge/2017/11/ (дата обращения 24.05.18).

40. Fan-Out Wafer-Level Packaging (FOWLP) [Электронный ресурс] / 3D IC Org. Энциклопедия 3D интеграции. - Режим доступа: http://www.3dic.org/ FOWLP (дата обращения 24.05.18).

41. Byung, J. Packaging at STATS ChipPAC: A closer look/ J. Byung // 3D packaging. -2013. - №26. - P. 20-22.

42. Braun, T. Opportunities and Challenges for Fan-out Panel Level Packaging (FOPLP) / T. Braun. - Taiwan, Taipei: Semicon Taiwan. - 2015. -34 c.

43. Von Trapp, F. Fan-out Panel-level Packaging Comes to the ECTC Technology Corner [Электронный ресурс] / F. Von Trapp. - 2019. - URL: https://www.3dincites.com/2019/06/fan-out-panel-level-packaging-comes-to-the-ectc-technology-corner/ (дата обращения 27.05.19).

44. Xuejun, F Design and Reliability in Wafer Level Packaging / Fan Xuejun, Han Qiang // Electronics Packaging Technology Conference. - 2008. - №10. - P. 834-841.

45. Погудкин, А.В. Исследование возможности корпусирования кристаллов: сб. науч. Трудов / А.В. Погудкин, С. Кручинин, Н.Е. Коробова, Д.В. Вертянов // «Интеллектуальные системы и микросистемная техника». - Кабардино-Балкария.

- 2018. - С. 73-79.

46. Flack, W.W. Photosensitive Material for Redistribution and Stress Buffer Reduction on 300 mm Wafers / Warren W. Flack, Ha-Ai Nguyen // SPIE. - 2006. - №173. - P. 1-12.

47. Masahiko, H. Thicker Film photodefinable polymer / H. Masahiko, Craig C. Schuckert // Advanced packaging. - 2000. - P. 1-4.

48. Lapedus, M. Embedded die packaging emerges [Электронный ресурс] / Lapedus, M.

- Semiconductor Engineering, 2018 - статья в интернете. - Режим доступа: https://semiengineering.com/embedded-die-packaging-emerges, свободный, дата обращения (25.06.19).

49. Lu, D. Materials for advanced packaging: second edition / D. Lu, C. P. Wong -Springer, 2017. - 974 p.

50. Fraux, R TDK SESUB Bluetooth Module. Latest Release of TDK Embedded Die

Package Technology / R. Fraux, Y. Le Goff - System plus consulting report, 2017. - 94 p.

51. Narveson, B. Significant developments and trends in 3d packaging with focus on embedded substrate/ B. Narveson, E. Parker - PSMA Packaging Committee, 2015 - 25 p.

52. Ma, S. Embedded silicon fan-out (ESIFO): a promising wafer level packaging technology for multi-chip and 3d system integration / S. Ma, J. Wang, F. Zheng, Z. Xiao, T. Wang, D. Yu // 2018 IEEE 68th Electronic Components and Technology Conference (ECTC). - San Diego, 2018. - P.1493-1498.

53. Ostmann, A. High density interconnect processes for panel level packaging/ A. Ostmann, F.-L. Schein, M. Dietterle, M. Kunz, K.D. Lang // 2018 7th Electronic System-Integration Technology Conference (ESTC). - Dresden, 2018. - P.1-5.

54. Fraux, R. Texas Instruments embedded die package/ R. Fraux // 3D packaging: System Plus Consulting. - 2012. - №23. - P.20-21

55. Zwenger, C. Silicon Wafer Integrated Fan-out Technology Packaging/ C. Zwenger, G. Scott, B. Baloglu, S. Jayaraman // Advanced Microelectronics: everything in electronics between the chip and the systems. - 2018. - №1. - P. 6-9.

56. Tuominen, R. IMB Technology for Embedded Active and Passive Components in SiP, SiB and Single IC Package Applications / R. Tuominen, T. Waris, J.Mettovaara // IEEE Transactions on Components, Packaging and Manufacturing Technology. - 2012. - №7 - P. 1099-1106.

57. Carias, V. Development of Mold Compounds With Ultralow Coefficient of Thermal Expansion and HighGlass Transition Temperature for Fan-OutWafer-Level Packaging / V. Carias, J. Thompson, P. D. Myers, P. Kumar, L. M. Racz, R. Toomey, J. Wang// IEEE Transactions on Components, Packaging, and Manufacturing Technology. -2015. - P.921-929

58. Towle, S.N. Bumpless Build-Up Layer Packaging/S. N. Towle, H. Braunisch, C. Hu, R. D. Emery, G.J.Vandentop // ASME International Mechanical Engineering Congress and Exposition. - 2001, New York - 7 p.

59. Tuominen, R. IMB technology for embedded active and passive components in SiP, SiB and single IC package applications / R. Tuominen, T. Waris, J. Mettovaara // Transactions of The Japan Institute of Electronics Packaging. - 2009. - P.134-138.

60. Von Trapp, F. Simplicity Leads to 3D Packaging Success [Электронный ресурс] / F. Von Trapp - URL: https://electroiq.com/2009/04/simplicity-leads-to-3d-packaging-success / (дата обращения 04.07.19).

61. Tuominen, R. Embedded Components in PCB [Электронный ресурс]/ R. Tuominen, Imbera Electronics Oy. - URL: http://pwrsocevents.com/wp-content/uploads/2008-presentations/Invited%20Talk%20S6x7%20-%20Risto% 20Tuominen%20-%20Embedded%20Components%20in%20PCB.pdf (дата обращения 06.07.19)

62. Keser, B. The redistributed chip package: a breakthrough for advanced packaging / B. Keser [at all] // 2007 Proceedings 57th Electronic Components and Technology Conference. - 2007. - P.286-291.

63. Braun, T. Fan-Out wafer and panel level packaging as packaging platform for heterogeneous integration/ T.Braun [at all]// Micromachines 2019. - 2019. - №10 - 9 p.

64. Boettcher, L. Embedding of chips for system in package realization - technology and applications/ L. Boettcher, D. Manessis, A. Ostmann, S. Karaszkiewicz, H. Reichl// 2008 3rd International Microsystems, Packaging, Assembly & Circuits Technology Conference. - 2008. - P.383-386.

65. Wang, L. Fabrication and characterization of flexible ultrathin chip package using photosensitive polyimide / L. Wang, T. Sterken, M. Cauwe, D.Cuypers, J. Vanfleteren // IEEE transactions on components, packaging and manufacturing technology. - 2012. - P. 1099-1105.

66. Sterken, T. Ultra-Thin Chip Package (UTCP) and stretchable circuit technologies for wearable ECG system / T. Sterken, J. Vanfleteren, T. Torfs, M. Op de Beeck, F. Bossuyt, C. Van Hoof // IEEE Transactions on Advanced Packaging. - № 1. - 2010. -P. 72-78.

67. Назаров, E. Производители РЭА голосуют за технологию внутреннего монтажа / Е. Назаров // Электроника: наука, технология, бизнес. - №3. - 2009. - С.58-64.

68. Кокорева, И. Внутренний монтаж радиоэлектронных блоков. Что нового? / И. Кокорева // Печатный монтаж. - №9. - 2009. - с.22-26.

69. Найда, С.М. Создание многокристальных модулей с использованием групповой технологии формирования межэлементных соединений [Текст]: автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. техн. наук (04.1999) / Сергей Михайлович Найда. ОАО ЦНИИ «ТЕХНОМАШ». - Москва, 1999. - 26 с.

70. Lu, T.B. Failure Analysis (FA) Introduction (IC Failure Mode) [Электронный ресурс] / Tung-Bao Lu. - электронная презентация. - URL: http://www.isu.edu.tw/upload/81201/48/news/postfile_22447.pdf (дата обращения 07.07.19).

71. XRM characterization for determining the reliability of wire bond packaging processes [Электронный ресурс] / AZO Materials, sponsored by Xradia, 2013. - URL: https://www.azom.com/article.aspx?ArticleID=8528 (дата обращения 07.07.19).

72. Riley, A. G. Doctor flip-chip [Электронный ресурс]/ Flip Chips Dot Com -открытый справочник по flip-chipмoнтaжy. - URL: www.flipchips.com (дата обращения 20.07.19).

73. Electromagnetic modeling of three dimensional integrated circuits [Электронный ресурс] / Mentor Graphics Whitepaper, high speed design - URL: https://www.3dincite s .com/2017/10/electromagnetic-modeling-three-dimensional-integrated-circuits/ (дата обращения 14.07.19).

74. Swaminathan, M. WSPC Series in Advanced Integration and Packaging: Volume 2. Design and Modeling for 3D ICs and Interposers / M. Swaminathan, Ki Jin Han. -World Scientific, 2013. - 380 p.

75. McPherson, R. J. Flexible, Ultra-Thin, Embedded Die Packaging [Текст]: дис. на соиск. учён. степ. Doctor of Philosophy (13.12.2010)/ R. G. McPherson; Graduate Faculty of Auburn University. - Auburn, Alabama, USA, 2010. - 106 p.

76. Gustina, B. C. Laser processing of polymer on copper [Текст]: автореф. дис. на соиск. учён. степ. Master of science in electrical engineering (08.05.2001) / Gustina B. Collins; Virginia Polytechnic Institute and State University. - Blacksburg, Virginia, USA, 2001. - 64 p.

77. Вертянов, Д.В. Преимущества технологии внутреннего монтажа при производстве инерциальных систем на основе отечественных МЭМС/ Д.В. Вертянов, B.C. Петров, Д.А. Шабунин, М.М. Бураков, А.В. Брыкин // Наноиндустрия - 2017. - P. 537-541.

78. Назаров, Е.С., Преимущества технологии внутреннего монтажа при производстве СБИС СнК и GPS/ГЛОНАСС-приемников / Е.С. Назаров, Д.В. Вертянов // Микроэлектроника. - 2015. - С. 89-95.

79. Chen, A. Why signal always be loss in a high speed high frequency transmission line / Albert Chen // IPC APEX EXPO conference and Exhibition 2013. - San Diego, USA, 2013. - P.934-961.

80. Advanced Packaging for Implantable Devices [Электронный ресурс] / Microsemi corporation 2015. - Электронная презентация. - URL: https://semiengineering.com/embedded-die-packaging-emerges/ (дата обращения 24.07.19).

81. Tyler, P. Temporary bonding and the challenge of cleaning post-debond / Phillip Tyler, Kenji Nulman, Michelle Fowler, Seth Molenhour // Chip Scale Review. - 2019. - №1.

- P. 26-30.

82. Lecarpentier, G. Die-to-die and die-to-wafer bonding solution for high density, fine pitch micro-bumped die / Gilbert Lecarpentier, Joeri De Vos // IMAPS, 8th Device Packaging. - March, 2012. - 38p.

83. Braun, T. Opportunities and Challenges for Fan-out Panel Level Packaging (FOPLP) / T. Braun [at all]. - Fraunhofer IZM, Semicon Taiwan 2015. - Taiwan, Taipei, 2015. -34 p.

84. Huemoeller, R. Silicon wafer integrated fan-out technology/ Ron Huemoeller, Curtis Zwenger // Chip Scale Review. - 2015. - №2. - P.34-37.

85. Butler, D. Advanced Packaging Enablement [Электронный ресурс]/ D. Butler, B. Chylak // Semicone West 2016. Moscone Center. - URL: http://www.semiconwest.org/sites/semiconwest.org/files/data15/docs/ 5_Bob%20 Chylak%20%26%20David%20Butler_K%26S_SPTS.pdf (дата обращения 01.08.19).

86. Strothmann, T. Optimizing Equipment Selection for Diverse Fan-Out Process Flows [Электронный ресурс] / T. Strothmann // Semicone Taiwan. - URL: http://www.semicontaiwan.org/en/sites/semicontaiwan.org/files/data 16/docs/%2811%2 9Optimizing%20Equipment%20Selection%20for%20FOWLP%20Final.pdf (дата обращения 01.08.19).

87. Bezuk, S. Panel Fan-Out Manufacturing: Why, When, How? The Jury Has Convened /S. Bezuk. //ECTC 2017, The 67th Electronic Components and Technology Conference.

- Orlando, USA, 2017. - 6 p.

88. Keser, B. Advances in Embedded and Fan-Out Wafer Level Packaging Technologies/ Beth Keser, Steffen Kroehnert. - IEEE Press, 2018. - P. 461-463.

89. Lee, C. Where is the Packaging Technology Drifting?: Speed/Flexibility [Электронный ресурс] / C. Lee // Amkor Technology - URL: http://www.sitrigroup.com/wp-content/uploads/2016/06/1 .-Where-is-the-packaging-technology-drifting_Amkor.pdf (дата обращения 14.08.19)

90. Tummala, Rao R. Future of embedding and fan-out technologies / Rao R. Tummala, Venky Sundaram, P.M. Raj, Vanessa Smet, Tailong Shi // Chip Scale Review. - 2017. -№2. - P. 20-28.

91. Lau, J. H. Fan-Out Wafer-Level Packaging/ John H Lau. - Springer, 2018. - P. 298301.

92. Kirchberger, H. Process equipment for next generation of WLP Technologies / H. Kirchberger, K. Bioh, S. Pargfrieder // Advanced Packaging. - 2008. - №2. - P.45-49.

93. Коленко, E.A. Технология лабораторного эксперимента: измерения, конструкционные материалы и их обработка, технохимия и экспрессное материаловедение, микротехнология / Е.А. Коленко. - Санкт-Петербург: Политехника, 1994. - С. 117-119.

94. Stocks Kovar Alloy in a wide variety of forms/ Carborundum Company Elctronics Division; Latrobe Plant Lantrob. - USA, Pensilvania, 1962. - 7 p.

95. Car Tech Covar Alloy: datasheet [Электронный ресурс] / Carpenter Technology. -

2016. - URL : https://www.engineeringclicks.com/wp-content/uploads/2016/10/ CarTech®-Kovar®-Alloy.pdf. (дата обращения 17.08.19).

96. Fowler, M. Advances in Temporary Bonding and Debonding Technologies for use with Wafer-Level System-in-Package (WLSiP) and Fan-Out Wafer-Level Packaging (FOWLP) Processes/ M. Fowler and all // IMAPS Pasadena. - 2018. - P. 51-56.

97. Miller, A. The Increasing Role of Polymers in Advanced Packaging - From Stress Buffer Layers to Wafer Level Underfills and Beyond/ A. Miller, K. J. Rebibis, F. D. D. Duval, T. Wang, J. Slabbekoorn, J. De Vos, E. Beyne// Journal of Polymer Science Technology. - 2017. - №1. - P. 17-24.

98. Fleming, D. Thin Wafer Handling Using Mechanical- or Laser-Debondable Temporary Adhesives/ D. Fleming and all, IMAPS 11th International Conference and Exhibition on Device Packaging. - 2015. - 30 p.

99. Жуков, А.А. Метод получения и свойства малонапряженных толстых полиимидных покрытий и свободных плёнок и технология элементов МЭУ на их основе [Текст]: автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. техн. наук / А.А.Жуков, МАТИ - РГТУ им. К. Э. Циолковского - Москва, 1997. - 24с.

100. Кравцова, В. Д. Медьсодержащие композиции на основе алициклического полиимида для микроэлектроники / В.Д. Кравцова, М.Б. Умерзакова, Н.Е. Коробова, Д.В. Вертянов // Известия высших учебных заведений. Электроника. -

2017. - С. 509-517.

101. Бюлер, К.У. Тепло- и термостойкие полимеры / К. У. Бюлер; пер. с нем. Н. В. Афанасьева, Г. М. Цейтлина. - M., 1984. - 1056 с.

102. Abadie, M.M. High performance polymers - polyimides based - from chemistry to applications / M. M. Abadie. - Croatia, Rijeka: Janeza Trdine 9, 2012. - 256 p.

103. ГОСТ 27890-88. Покрытия лакокрасочные защитные дезактивируемые. Метод определения адгезионной прочности нормальным отрывом. Москва, Изд-во стандартов, 1988, 17 с.

104. Пат. 2534122 Российская федерация. Термостойкие адгезивы для соединения кристаллов и металлов с полиимидным основанием / Лебедева Г.К., Рудая Л.И., Большаков М.Н., Марфичев А.Ю., Шаманин В.В., Назаров Е.С., Вертянов Д.В.; заявитель и патентообладатель Институт высокомолекулярных соединений РАН; ООО «НПП «КБ Радуга». - № 2013115858/05: заявл. 10.04.2013: опубл. 27.11.2014, Бюл. № 33. - 8 с.

105. Кручинин, С. М. Исследование влияния температурных нагрузок на микроэлектронные устройства в 3D сборке: сб. науч. Трудов / С.М. Кручинин, Д.В. Вертянов, В.М. Николаев, А.С. Мусаткин, A.M. Шишов. - 2016. - С. 554-559

106. Timoshenkov, S.P. Study of the stress-strain state in the bare crystals in technology implementation of internal mounting: сб. науч. трудов / S.P. Timoshenkov, Yu. Dolgovykh, A. Titov, K. Tikhonov, D. Vertyanov // «Lecture notes in electrical engineering». - T. 235. - C. 491-496.

107. A.V. Pogudkin, I.A. Belyakov, D.V. Vertyanov, S.M. Kruchinin, S.P. Timoshenkov. Research of reconstructed wafer surface planarity on the metal-compound-silicon boundary for multi-chip module with embedded dies // ElConRus Conference. - IEEE, 2019 - P. 2008-2012.

108. Petrov, V. Surface treatment of polyimide film for metal magnetron deposition in vacuum / V. Petrov, D. Vertyanov, S. Timoshenkov, V. Nikolaev // conference «Proceedings of SPIE - The International Society for Optical Engineering - 2014. - P. 1-9.

109. Chollet, F. SU-8: Thick Photo-Resist for MEMS [Электронный ресурс] / F.Chollet, MEMSCYCLOPEDIA. Free MEMS Encyclopedia, 2018. - URL: http://memscyclopedia.org/su8.html (дата обращения 01.09.19).

110. Martinez-Duarte, R. SU-8 Photolithography and Its Impact on Microfluidics. Microfluidics and Nanofluidics Handbook/ R. Martinez-Duarte, Marc J. Madou. - CRC Press, 2011. - P.231-268.

111. O'Connor, C. Photopatternable Laminate BCB Dielectric / Corey O'Connor and all. - IMAPS 2014, 2014. - 4 p.

112. Pang, S. W. Handbook of Microlithography, Micromachining, and Microfabrication, chapter 2: Applications of Dry Etching to Microsensors, Field

Emitters, and Optical Devices / S. W. Pang, P. Rai-Choudhury - Institution Of Engineering And Technology, 1997. - P.147-149.

113. Sharifi, H. Plasma RIE etching fundamentals and applications/H. Sharifi, G. Gardner. - Purdue University, 2008. - 59 p.

114. Puliyalil, H. Selective plasma etching of polymeric substrates for advanced applications / H. Puliyalil, U. Cvelbar//MDPI: Nanomaterials. - 2016, №6. - 24 p.

115. Nguyen T.N.T. Deep reactive ion etching of polyimide for microfluidic applications/T. N. T. Nguyen, N.-E. Lee // Journal of the Korean Physical Society. -2007, Vol. 61, №3. - P. 984-988.

116. Vertyanov, D.V. Deep Plasma Etching Process Investigation of Polyimide Materials for Forming Interlayer Connections in Microelectronic Nodes / D.V. Vertyanov // IEEE XXXIV, International Scientific Conference Electronics and Nanotechnology. - 2014. - P. 54-58.

117. Kim, S.H. Effects of SF6 Addition to O2 Plasma on Polyimide Etching/ Sang Hoon Kim // Japanese Journal of Applied Physics. - Jpn.: 2000 - Vol.39, №12B. - P. 7011-7014.

118. Seung, S.G. Transparent Superhydrophobic/Translucent Superamphiphobic Coatings Based on Silica-Fluoropolymer Hybrid Nanoparticles / S.G. Seung, Y.L. Dong, H. Kilwon, S.H. Dong, B. Hyojin // Langmuir : the ACS journal of surfaces and colloids. - 2013. - №29. - p. 15051-15055.

119. Вернигоров, К.Б. Изучение модифицированной структуры полимеров методом травления кислородной плазмой/ К.Б. Вернигоров, А.Ю. Алентьев, A.M. Музафаров, Л.С. Новиков, В.Н. Черник, Г.Г. Бондаренко // Известия ВУЗов. Физика. - 2011. - Т.54, № 1/2. - С.125-132.

120. Wohl, C.J. Modification of the Surface Properties of Polyimide Films using POSS Deposition and Oxygen Plasma Exposure [Электронный ресурс]/ Christopher J. Wohl, Marcus A. Belcher, Sayata Ghose, John W. Connell. - 2019. - URL: https://ntrs.nasa.gov/archive/nasa/ casi.ntrs.nasa.gov/ 20090026494.pdf (дата обращения 03.09.19).

121. Колесников, А.С. Эрозия поверхности и первичное радиационное повреждение металлов при бомбардировке многоатомными нанокластерами с энергией (0.1...1) кэВ/атом [Текст]: автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. техн. наук (01.2006) / А.С. Колесников, ГОУ ВПО «Санкт-Петербургский политехнический университет». - Санкт-Петербург, 2005. - 20 с.

122. Venkataraman, A. Etching of Polyphenylene Oxide in a Downstream Microwave Plasma using NF3, SF6, O2 and Ar Gas Mixtures. [Текст]: дис. на соиск. учён. степ. Master of Science in Chemical Engineering (29.09.2004)/ A. Venkataraman; Oregon State University - Oregon, USA, 2005. - 185 p.

123. Пономарёв, H.A. Исследование различных форм проводников на пластичных подложках/ Н.А. Пономарёв, В.В. Калугин, Д.В. Вертянов, В.М. Николаев // «Интеллектуальные системы и микросистемная техника». -Кабардино-Балкария, 2018. - С. 141-148.

124. Vertyanov, D.V. Peculiarities of multichip micro module frameless design with ball contacts on the flexible board/ D.V. Vertyanov, K.S. Tikhonov, S.P. Timoshenkov, V.S. Petrov, G.A. Blinov // 2013 IEEE 33rd International Scientific Conference Electronics and Nanotechnology. - 2013. - P. 417-419.

125. Kruchinin, S. Correction factor calculation for photomasks in a flexible microassemblies production / S. Kruchinin, S. Evstafyev, M. Golovinskiy, A. Musatkin, D. Vertyanov // Conference IEEE. - 2018. - P. 1622-162.

126. Рольский, K.A. Проектирование электронного модуля со встроенными в печатную плату бескорпусными микросхемами / К.А. Рольский, Е.В. Ефремов, Д.В. Вертянов // «Интеллектуальные системы и микросистемная техника». -Кабардино-Балкария. - 2019. - С. -163-172.

127. Иовдальский, В. А. Совершенствование геометрии плоских выводов кристаллов компонентов ГИС СВЧ-диапазона / Л. В. Манченко, С. К. Давронов // Электронная техника, Сер. 1, СВЧ-техника. - 2015, вып. 4(527). - С. 67 -70.

128. Гусев, А. П. Высокоизбирательный малогабаритный СВЧ-модуль в керамике LTCC с применением монтажа «FLIP-CHIP» / А. В. Павлов, С. Г. Павлова, В. Ю. Мякиньков и др. // Электронная техника, Сер. 1, СВЧ-техника. -2016, вып. 4(531). - С. 45-55.

129. Максимов, В. М. Линии передачи СВЧ-диапазона: учеб. пособие / В.М. Максимов; ред. П.А. Бакулев [и др.]; рец. В.А. Каплун [и др.]. - Москва: Сайнс-пресс, 2002. - 80 с.

130. Джонсон, Г. Конструирование высокоскоростных цифровых устройств: начальный курс черной магии.: пер. с англ./ Г. Джонсон, М. Грэхэм - М.: Издательский дом «Вильяме», 2006. - 624 с.

131. Бахарев, С.И. Справочник по расчету и конструированию СВЧ полосковых устройств / С.И.Бахарев, В.И. Вольман, Ю.Н. Либ [и др.], под ред. В.И. Вольмана.

- М.: Радио и связь, 1982 - 328с.

132. Morton, M. "On the Design and Implementation of Transmission Lines in Commercial SiGe HBT BiCMOS Processes" 2004 Topical Meeting on Silicon Monolithic Integrated Circuits in RF Systems / M. Morton, Andrews. J. Lee , J. Papapolymerou, J. D. Cressler, D. Cho, K. Hong, H. Shin, K. Park, and S. Yi. -Atlanta, GA. - 2004. - P. 53-56.

133. Иовдальский В. А. Конструкция и технология микрополосковых плат ГИС СВЧ-диапазона: Учебное пособие. - 2018. - М.: Курс. - 176 С.

134. Антенно-фидерные устройства / Драбкин А.Л., Зузенко В.Л., Кислов А.Г. -М.: Сов. радио, 1974. - 536 с.

135. Линии передачи СВЧ-диапазона: Учебное пособие для вузов по направлению 654200 - Радиотехника / В.М. Максимов. - М.: Сайнс-пресс, 2002. -80 с.

136. Надёжность изделий электронной техники для устройств народнохозяйственного назначения: справочник / Разработан в соответствии с руководящим документом РД 50-670-88. - М.: ВНИИ «Электронстандарт», 1990.

- 188 с.

137. Надёжность электрорадиоизделий, 2002: справочник / С. Ф. Прытков [и др.]. -М.: ФГУП «22 ЦНИИИ МО РФ», 2004. - 574 с.

138. Надёжность электрорадиоизделий, 2006: справочник / С. Ф. Прытков [и др.]. -М.: ФГУП «22 ЦНИИИ МО РФ», 2008. - 641 с.

139. Надёжность электрорадиоизделий ИП, 2006: справочник / С. Ф. Прытков [и др.].

- М.: ФГУП «22 ЦНИИИ МО РФ», 2008. - 52 с.

140. Пат. 2636575 Российская федерация, МПК H 05 K 3/46. Способ изготовления пластичных радиоэлектронных узлов и межсоединений / Тимошенков С.П., Вертянов Д.В., Николаев В.М., Шишов A.M.; заявитель и патентообладатель НИУ "МИЭТ". - № 2016126452: заявл. 01.07.2016: опубл. 24.11.2017, Бюл. № 33. - 12 с.

141. Пат. 2597210 Российская федерация, Способ изготовления микроэлектронного узла на пластичном основании / Тимошенков С.П., Вертянов Д.В., Назаров Е.С.; заявитель и патентообладатель НИУ "МИЭТ". - № 2015120242/07: заявл. 28.05.2016: опубл. 10.09.2016, Бюл. № 25 - 8 с.

142. Пат. 2581155 Российская федерация. Способ изготовления электронного узла / Тимошенков С.П., Вертянов Д.В., Назаров Е.С.; заявитель и патентообладатель НИУ "МИЭТ". - № 2016148054: заявл. 07.12.2016: опубл: 2018.04.20, Бюл. №11. - 13 с.

143. Иовдальский, В. А. Выводная рамка для многокристального полупроводникового прибора СВЧ / К. В. Дудинов, С. К. Давронов // Электронная техника, Сер. 1, СВЧ-техника. - 2015, вып. 4(527). - С. 70 -73.

144. Пат. 2571880 Российская федерация. Способ монтажа микроэлектронных компонентов/ Тимошенков С.П., Вертянов Д.В., Назаров Е.С.; заявитель и патентообладатель НИУ "МИЭТ". - 2015102982/07: заявл. 30.01.2015: опубл. 2015.12.27, Бюл. № 26 - 8 с.

145. Пат. 2572588 Российская федерация. Способ изготовления электронных узлов на гибком носителе без процессов пайки и сварки / Вертянов Д.В., Назаров Е.С., Тимошенков С.П., Петров B.C., Коробова Н.Е.; заявитель и патентообладатель НИУ "МИЭТ". 14.12.2015 г.

146. Назаров, Е.С. Технология производства гибко-пластичных радиоэлектронных узлов: сб. ст. / Е.С. Назаров, Д.В. Вертянов // Обмен опытом в области создания сверхширокополосных радиоэлектронных систем. - 2014. - С. 184-187.

147. Вертянов, Д.В. Исследование процесса плазменного травления полиимидных материалов / Д.В. Вертянов, А.А. Голишников, Д.А. Костюков, М.Г. Путря, С.П. Тимошенков // Сборник трудов конференции «Современные информационные и электронные технологии». - 2014, Т. 2, № 15. - с. 123-124.

148. Lysenko, I.E. Ezhova O.A. Research of the microelectromechanical switch with different materials of metal membrane / I.E. Lysenko, A.V. Tkachenko, O.A. Ezhova // Proceedings of SPIE - The International Society for Optical Engineering. - 2019. - C. 110220Q.

149. Gamkrelidze, S.A. Effect of diamond dicing of sic device wafers on The technical and operational parameters of monolithic integrated circuits / S.A. Gamkrelidze, A.A. Trofimov, N.V. Shchavruk // Russian Microelectronics. -2017. T. 46. № 5. - C. 323-328.

150. Черный, Б.И. Проблемы разработки и производства многокристальных модулей / Б.И. Черный, А. Черный // Журнал «Электроника: Наука/Технологии/Бизнес». - 2008, №3. - С. 40-43.

207 ПРИЛОЖЕНИЯ

УТВЕРЖДАЮ Директор по научной работе

о внедрении результатов диссертационной работы Вертянова Дениса Васильевича

Комиссия в составе:

Председатель:

- директор по научной работе - Корнеев И. Л., ктн,

Члены комиссии:

- начальник отделения навигации - Александров A.B.,

- начальник отделения систем на кристалле - Куликов Д.В., ктн,

- начальник отделения микроэлектроники СВЧ - Мухин И.И., ктн,

- начальник научно технического отдела - Савищев Н.И.,

- начальник PCO - Вольнов Р.В.,

- начальник отдела комплексной безопасности -

и.о. директора по режиму и безопасности - Медведев М.В.

Составили настоящий акт о том, что диссертационная работа Вертянова Д.В., посвященная исследованию и разработке технологических процессов внутреннего монтажа бескорпусных микросхем на полиимидных микроструктурах для производства высокоинтегрированных микросборок, включает результаты, которые использовались при выполнении государственного контракта №12411.1400099.11.057 от 14 июня 2012 г. (в рамках Федеральной целевой программы №1) в части работы «Сборка и испытания комплекта СБИС типа «система на кристалле» для навигационного приемника Глонасс/GPS с низким энергопотреблением», шифр «Сложность-13Р».

АО «НИИМА «Прогресс» заинтересовано в развитии и во внедрении высокоплотных технологий с применением внутреннего монтажа и пространственной сборки кристаллов без процессов пайки, и сварки для реализации своих перспективных разработок в исполнении «система в корпусе», многокристальный микромодуль или микросборка. Данные

технологии

позволят улучшить быстродействие, помехозащищенность, массогабаритные показатели разрабатываемых модулей и микросхем, а также осуществить групповое корпусирование систем на кристалле с топологическими нормами 90 нм и менее.

Председатель комиссии:

Члены комиссии:

fftM-wy Корнеев И.Л. Александров A.B., Куликов Д.В.

Мухин И.И., Савищев Н.И. Вольнов Р.В. Медведев М.В.

УТВЕРЖДАЮ Генеральный конструктор - заместитель

АКа

об использовании результатов диссертациоииой работы Вертяиова Дениса Васильевича, представленной на соискание ученой степени кандидата технических наук

Комиссия в составе:

Председателя: главного конструктора специальных проектов, доктора технических наук Мухина И.Е.,

членов: главного конструктора по бортовым регистраторам Будянского О.Ф., начальника отдела кандидата технических наук Векленко Ю.А.,

составила настоящий акт о том, что в деятельности АО «Авиаавтоматика» им. В.В. Тарасова» при разработке технологии внутреннего монтажа бескорпусных кристаллов на основе полиимидных микроструктур для изготовления модулей памяти (шифр работы «Модуль-2», договор №7/2013 от 01.03.2013 г.), использованы результаты диссертационной работы Вертянова Д.В., посвященной исследованию и разработке технологических процессов внутреннего монтажа бескорпусных микросхем для производства высокоинтегрированных микросборок.

Новые технологические процессы могут быть использованы при разработке следующих видов бортовой аппаратуры:

- модернизированном малогабаритном бортовом регистраторе (МБР), предназначенном для сбора, накопления и сохранения полётной информации самолётов и вертолётов гражданской и военной авиации (типа Як-40, Ми-171А2 и других) в случае лётного происшествия.

Данный вид продукции разрабатывается в нашей организации серийно в течение более двадцати лет. Применение технологических процессов беспаечного и бессварочного микромонтажа на полиимидных микроструктурах позволят не только увеличить надежность аппаратуры за счёт дополнительного резервирования узлов, но и осуществить импортозамещение используемой в данных разработках компонентой базы, а также снизить себестоимость производства радиоэлектронной аппаратуры.

Председатель комиссии:

Члены комиссии:

/Ю А.Векленко /

/ О.Ф. Буянский

И.Е. Мухин/

УТВЕРЖДАЮ Первый заместитель генерального

конструктора ФГУП «НПЦАП»

У^ А.И. Сапожников

АКТ ВНЕДРЕНИЯ

результатов диссертационной работы Вертянова Дениса Васильевича

«.....У

»

Настоящим подтверждается, что диссертационная работа Вертянова Д.В., посвященная исследованию и разработке технологических процессов внутреннего монтажа бескорпусных микросхем для производства высокоинтегрированных микросборок, включает результаты, которые использовались в научной и производственной деятельности ФГУП «НПЦАП» при выполнении проекта «Разработка конструкции и изготовление микросборки СУ ПВУ по высокоплотной технологии в гибридном исполнении», шифр «Автоматизация» по договору №3/2015 от 10.08.2015г.

Начальник конструкторско-технологического отделения 05

ФГУП «НПЦАП»

УТВЕРЖДАЮ Главный конструктор

_2019 г.

АО Н ка-Космос» _ Г.Пирогов

АКТ

о внедрении результатов диссертационной работы Вертянова Дениса Васильевича в опытно-конструкторской работе АО НПП «Геофизика-Космос»

Комиссия в составе председателя главного конструктора Пирогова М.Г., заместителя генерального директора - главного контролера Исаичева В.Ю., заместителя главного технолога Иванова Е.Н., составила настоящий акт о том, что следующие результаты диссертационной работы Вертянова Д.В.:

- технологические режимы установки кристаллов на гибко-пластичные носители из полиимидных микроструктур;

- технологические режимы глубокого плазмохимического травления полиимидных структур, которые обеспечивают скорость травления 0,8 мкм/мин;

- технологические режимы по формированию металлизации полиимидных микроструктур комплексом методов, состоящие из последовательного проведения процессов вакуумного напыления, химического и электрохимического осаждения структуры из металлов Cr, Си, Ni;

- рекомендации по проектированию микросборок на основе технологии внутреннего монтажа на примере сквозного маршрута САПР Expedition Enterprise компании Mentor Graphics,

использованы в научной и производственной деятельности АО НПП «Геофизика-Космос» при выполнении ОКР «Разработка технологии монтажа электронных компонентов для изготовления микроэлектронных изделий, применяемых в электронных блоках бортовых систем космических аппаратов», шифр «Ориент» по государственному контракту №111-К402/13/174 от 08 мая 2013 г., проводимого в рамках Федеральной целевой программы «Развитие оборонно-промышленного комплекса Российской Федерации на 2011-2020 годы».

Председатель комиссии:

Члены комиссии:

УТВЕРЖДАЮ

„ ^НйМекздр по учебной работе,

fo«bi i

1г,

И.Г. Игнатова

20 /Уг.

АКТ

об использовании в учебном процессе МИЭТ материалов диссертации Вертянова Дениса Васильевича

Настоящим актом подтверждается, что диссертационная работа Вертянова Д.В. на соискание ученой степени кандидата технических наук по специальности 05.27.06, посвященная исследованию и разработке технологических процессов внутреннего монтажа бескорпусных микросхем для производства высокоинтегрированных микросборок, включает материалы, которые используются:

1. В учебном процессе Института нано- и микросистемной техники МИЭТ при подготовке магистров по направлению 11.04.03 «Конструирование и технология электронных средств», программы «Комплексное проектирование микросистем средствами Mentor Graphics» в дисциплине «Проектирование микросистем на печатных платах средствами Expedition Enterprise»;

2. При проведении курсов повышения квалификации для сотрудников предприятий «Основы конструирования и технологии изготовления микросборок» и «Проектирование микросборок по технологии внутреннего монтажа элементов».

Директор Института НМСТ д.т.н., профессор

Тимошенков С.П.