Получение пленок многокомпонентных материалов из эрозионной лазерной плазмы в химически активной газовой среде тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 01.04.07, кандидат физико-математических наук Клюенков, Евгений Борисович

• Клюенков, Евгений Борисович
• кандидат физико-математических наук
• 2003

Оглавление диссертации кандидат физико-математических наук Клюенков, Евгений Борисович

Введение.

Глава 1. Вакуумное лазерное напыление и эпитаксия (литературный обзор)

1.1. Лазерная плазма, используемая для получения пленок.

1.2. Получение тонких и сверхтонких пленок из лазерной плазмы.

Глава 2. Экспериментальное оборудование для получения пленок и исследования их свойств

2.1. Комплекс экспериментального оборудования для получения тонких пленок.

2.2. Методики исследования свойств пленок и многослойных структур.

Глава 3. Получение из лазерной плазмы пленок полупроводников группы AniBv

3.1. Исследование влияния интенсивных импульсных потоков ионов на электрофизические свойства арсенида галлия.

3.2. Получение из эрозионной лазерной плазмы тонких слоев арсенида галлия.

Глава 4. Особенности роста пленок простых и сложных окислов из эрозионной лазерной плазмы в химически - активной газовой среде

4.1. Получение из лазерной плазмы неориентированных пленок окислов.

4.2. Низкотемпературная эпитаксия диэлектриков при лазерном распылении материалов.

4.3. Свойства тонких пленок PbZri.* Tix Оз, полученных из лазерной плазмы.

Глава 5. Особенности роста высокотемпературных сверхпроводников из эрозионной лазерной плазмы в химически - активной газовой среде

5.1. Исследование возможности получения пленок УВагСизОх из эрозионной лазерной плазмы.

5.2.Структурные исследования пленок УВагСизО* полученных из эрозионной лазерной плазмы.

5.3. Токонесущая способность сверхпроводящих плснокУВа^Си^О^, полученных из лазерной плазмы в слабых магнитных полях.

5.4. Некоторые проблемы получения однородных пленок YBCO для СВЧприменений.

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Получение пленок многокомпонентных материалов из эрозионной лазерной плазмы в химически активной газовой среде»

Актуальность темы

С тех пор, как тонкие пленки в значительных масштабах стали использоваться в электронике и оптике, стремление расширить круг веществ, которые можно получить в виде пленок, улучшить качество конденсатов и упростить технологический процесс заставляло искать все новые способы их получения. Стремление интенсифицировать процесс, получить возможность нанесения высокотемпературных тонкопленочных композиций, сохранить стехиометрический состав при нанесении пленок сплавов и сложных соединений, повысить чистоту и улучшить адгезию приводит к необходимости использовать в тонкопленочной технологии высокоинтесивные источники тепла, а также потоки пара (плазмы), создаваемые плазменными испарителями. Как правило, такие «испарители» характеризуются не только высокой интенсивностью, но и импульсным характером рабочего процесса [1].

Вакуумное лазерное напыление и эпитаксия (ВЛНЭ), в сравнении с традиционными тонкопленочными технологиями и современными «высокоскоростными» методами осаждения пленок, выгодно отличается простотой осуществления и широкими потенциальными технологическими возможностями [2]. Высокие интенсивности потоков частиц лазерной плазмы приводят к большим скоростям возникновения зародышей и, как следствие, к снижению минимально возможной толщины сплошных пленок, обеспечивают высокий эффективный вакуум за счет больших скоростей роста пленок. Наиболее близкий к лазерному напылению по основным параметрам процесса метод электрического взрыва менее технологичен по сравнению с ним. При использовании метода электрического взрыва необходимо приготавливать образцы в виде тонких проволочек длиной 1-4см и диаметром 0,1 -0,2мм [3], при лазерном напылении мишень может быть произвольных размеров и формы. Методом электрического взрыва сложно получать многослойные структуры, так как это требует большого количества электродов в вакуумной камере или смены проволочек в электродах. При лазерном напылении для получения многослойных структур достаточно поочередно воздействовать излучением на соответствующие мишени. Лазерное напыление позволяет получать многослойные структуры с большим числом слоев и точным контролем толщины каждого слоя, послойно вводить легирующие примеси в пленку с требуемым профилем распределения лигатуры. Из-за технологической сложности метод электрического взрыва не нашел широкого распространения, хотя результаты по исследованию метастабильных фаз в пленках при высоких скоростях осаждения [4,5] и квантовых размерных эффектов в тонких пленках Bi и InSb, полученных данным методом [6,7], представляют некоторый интерес, а сам метод в большей мере интересен исторически и методологически. Важнейшей характеристикой процессов лазерно-плазменной технологии является энергетический состав ионов и нейтральных частиц лазерного факела. Управление энергетическим спектром возможно как на стадии образования плазмы путем выбора режима облучения мишени, так и во время пролета плазмой расстояния между мишенью и подложкой. В последнем случае следует использовать различные методы торможения или разгона частиц и разделение направлений разлета быстрой и медленной частей лазерного факела. В зависимости от энергии поступающих на поверхность подложки частиц существуют два кардинально отличных друг от друга процесса. Если в лазерном факеле превалируют «быстрые» частицы, кинетическая энергия которых превышает энергию, необходимую для выбивания атомов из кристаллической решетки, реализуется процесс модификации (легирования или компенсации) приповерхностных слоев подложки. Если лазерная плазма целиком или большей частью состоит из низкоэнергетичных частиц, основным процессом является синтез напыляемого материала на поверхности подложки.

В этом случае возможно формирование отдельных пленок или многослойных структур. При лазерном напылении тонких пленок сильная неравновесность процесса осаждения в случае отсутствия у подложки ориентирующих свойств обеспечивает формирование аморфных или мелкодисперсных слоев, что отвечает возможности получения минимальных неровностей на границах разделов слоев материалов, взаимная эпитаксия которых невозможна. Такие структуры находят применение в рентгеновской и нейтронной оптике. На ориентирующих подложках лазерно-плазменным методом возможен синтез эпитаксиальных слоев. Следует отметить мощный фактор, способствующий эпитаксиальному росту пленок. При подлете лазерной плазмы к подложке первыми прилетают наиболее быстрые частицы, которые способны выбивать атомы из приповерхностного слоя. Образовавшиеся таким образом вакансии служат дополнительными центрами кристаллизации для поступающей затем массы вещества. Поэтому образование пленки идет на поверхности с искусственно наведенным потенциальным рельефом, при этом числом центров кристаллизации можно управлять, меняя количество быстрых ионов[2]. Таким образом формирование и конечное структурное состояние конденсатов, полученных из эрозионной лазерной плазмы, полностью определяется двумя взаимосвязанными группами явлений и соответствующих параметров :

1. Процессы на мишени и характеристики пара (плазмы) - учет определяющего влияния плотности потока излучения q на механизмы испарения, режим работы лазера, интенсивность потока и энергетический спектр частиц лазерной плазмы.

2. Процессы, происходящие на подложке при формировании пленки - учет экстремальных величин скорости конденсации, толщины слоя, осаждаемого за импульс, частота следования импульсов и влияние фоновой среды на кинетику роста лазерного конденсата.

Если закономерности процессов на мишени при лазерном испарении сравнительно хорошо изучены, то многообразие возможных явлений на подложке при формировании пленок все еще остается во многом неисследованным. Исследования в этих областях велись многими научными группами как в России так и за рубежом. В большом количестве работ показана возможность эпитаксиального роста пленок из эрозионной лазерной плазмы, в том числе формирование сверхтонких(~0,1 нм) сплошных монокристаллических слоев; обнаружена возможность ориентированного роста пленок на кристаллических поверхностях, закрытых тонкими(0,1-0,3нм) аморфными пленками. Методом лазерной эпитаксии были получены и исследованы свойства сверхтонких пленок InSb, CdTe, РЬТе и других, построены квантовые сверхрешетки на основе InSb-CdTe, InSb- РЬТе, Bi-CdTe; получены и исследованы квантовые сверхрешетки с аморфными барьерными слоями; получены и исследованы дисперсионные и отражающие рентгеновские покрытия; получены и исследованы инверсные слои кремния с оптимальным для преобразователей солнечной энергии профилем лигатуры; исследовано влияние деформации на рост и рекристаллизацию пленок, на аморфных подложках. Основной задачей настоящей работы является исследование возможности получения из эрозионной лазерной плазмы пленок многокомпонентных материалов с разностью упругости паров компонент 9 порядков и выше. К таким материалам относятся полупроводники из группы АщВу, простые и сложные окислы включая ысокотемпературные сверхпроводники. До начала настоящей работы подобные материалы не были получены из эрозионной лазерной плазмы.

Цели и задачи диссертационной работы

Целью настоящей работы является разработка технологии получения из эрозионной лазерной плазмы и исследование свойств аморфных и эпитаксиальных пленок: GaAs; Zr02; Bi203; Si02; Ti02; SrTi03; (BaSr)Ti03; PbZr,xTix03 и YBa2Cu307. Получение пленок такого многообразия материалов от полупроводников до высокотемпературных сверхпроводников в одной работе связывает одна немаловажная деталь, во всех этих многокомпонентных соединениях присутствует легколетучая компонента (в арсениде галлия это мышьяк, в окислах-кислород). Одним из важных преимуществ лазерного напыления является возможность испарять материалы в газовой среде. Это позволяет компенсировать недостаток более летучей компоненты в сложных материалах и использовать мишени с неполным элементным составом, если это выгодно по причине их оптических, механических, химических или теплофизических свойств. Большинство окислов прозрачны для излучения лазеров видимого и ближнего ИК диапазонов длин волн. Несмотря на это, существуют некоторые возможности при лазерном напылении использовать в качестве мишеней металлы или полупроводники, а напыление вести в среде кислорода. При этом должны сохраняться основные закономерности лазерного напыления. В случае же нанесения пленок GaAs из эрозионной лазерной плазмы процесс напыления необходимо вести в среде паров мышьяка.

Из вышесказанного вытекают основные задачи диссертационной работы:

• Разработка и изготовление ряда установок получения из эрозионной лазерной плазмы аморфных и монокристаллических пленок простых и сложных окислов и эпитаксиальных слоев арсенида галлия.

• Исследование процессов роста из эрозионной лазерной плазмы в газовой среде тонких слоев простых и сложных окислов, многослойных структур на их основе, а также изучение структурных и электрофизических свойств полученных конденсатов.

• Изучение механизмов эпитаксиального роста из лазерной плазмы тонких пленок арсенида галлия и исследование их свойств.

• Исследование процессов роста пленок высокотемпературных сверхпроводников УВагСизСЬ и изучение их свойств.

Научная новизна

• Обнаружен и исследован эффект компенсации проводимости пленок GaAs под действием интенсивных потоков низкоэнергетичных ионов As. Показано, что компенсация проводимости при температурах облучения 350-500°С связана с миграцией первичных радиационных дефектов в глубь GaAs и образованием сложных комплексов в режиме, нелинейном относительно интенсивности облучения. Предложена феноменологическая модель процесса, предполагающая накопление комплексов дивакансия-атом донора через промежуточное короткоживущее состояние.

• Экспериментально исследованы структурные и электрофизические характеристики тонких слоев GaAs, полученных осаждением частиц из эрозионной лазерной плазмы. Показано, что специфика метода лазерного напыления обусловлена

18 20 2 1 17 большой плотностью потока частиц (j~ 10 -10 см" -с") и их энергией (Е~ 2-10" Дж), достаточной для генерации точечных дефектов и образования сложных комплексов дефектов. Исследована зависимость электрофизических характеристик пленок GaAs от энергии потока частиц лазерной плазмы. Показана необходимость снижения количества «быстрых» ионов до некоторых допустимых пределов при получении эпитаксиальных слоев GaAs из эрозионной лазерной плазмы. Предложены методы снижения количества дефектообразующих частиц в лазерной плазме. Получены эпитаксиальные слои GaAs, ф концентрация носителей которых соответствовала содержанию донора в мишени- 2-1017 см"3 и подвижностью - З-Ю3 см2 /В-с.

• Большинство окислов прозрачны для излучения лазеров видимого и ближнего ИК диапазонов длин волн, поэтому взаимодействие излучения с веществом носит характер глубинного взрыва, что сопровождается выносом макрочастиц на поверхность подложки. Предложен новый метод получения тонких пленок простых и сложных окислов из эрозионной лазерной плазмы в химически активной газовой среде. Сущность метода заключается в использовании в качестве мишеней металлов или полупроводников и проведение процесса напыления в газовой среде кислорода. Экспериментально показано сохранение основных закономерностей лазерного напыления при условии ограничения рабочего давления фоновой среды (до Р(Ог) ~10"2 мм.рт.ст.) влияющей на динамику разлета плазмы. Экспериментально исследованы зависимости электрофизических свойств полученных конденсатов от условий их роста. Показана существенная зависимость электрофизических характеристик полученных пленок (8, tg5 и Епробоя) от температуры получения, давления фоновой среды кислорода в рабочем объеме и скорости конденсации. Получены сверхтонкие (~2нм) сплошные аморфные пленки простых и сложных окислов: Z1O2; BiiO^; SiCh; ТЮ2; SrTiCh (BaSr)TiOv Электрофизические свойства более толстых (~100нм) полученных конденсатов близки к свойствам массивных мелкодисперсных образцов.

• Из эрозионной лазерной плазмы получены монокристаллические пленки ZrC>2; Bi2C>3; Re02; SrTiCb; (BaSr)TiC>3 на подложках из кристаллов NaCl, LiF, GaAs. Предложен и экспериментально проверен механизм ориентированного роста пленок простых и сложных окислов из лазерной плазмы. Известно, что ионное облучение активизирует в пленках процессы кристаллизации и коалесценции. Аналогичную роль играют потоки эрозионной лазерной плазмы. Показано, что ответственность за ориентированный рост пленок окислов несет высокоэнергетичная часть лазерной плазмы. Экспериментально показано явление радиационно-стимулированного отжига начальных слоев диэлектрической пленки под воздействием последующих импульсов эрозионной лазерной плазмы. Неориентированный слой на поверхности имеется, по-видимому, при любой толщине пленки. Толщина его зависит от температуры подложки и энергии ионов и по порядку величины совпадает с минимальной толщиной сплошной пленки, получаемой при данных условиях.

• Методом лазерного напыления получены эпитаксиальные пленки кобальтата лантана-стронция La0,5Sr0,5CoO3(LSCO) на подложках галлата неодима и титаната стронция. Установлено, что решетка слоя LSCO имеет тетрагональное искажение, степень тетрагонального искажения зависит от дефицита кислорода. При комнатной температуре удельное сопротивление LSCO составляет около 200 мкОм-см. Зависимость сопротивления от температуры носит металлический характер. Показана возможность использования слоев LSCO в качестве материала электрода при изготовлении конденсаторных структур на основе пленок сегнетоэлектриков PbZrixTix03(PZT). Изготовлены структуры LSCO/PZT/LSCO, относительное снижение остаточной поляризации которых после 1010 циклов переполяризации не превышает 5%.

• Методом лазерного напыления получены эпитаксиальные пленки титаната-цирконата свинца PbZrix Т1хОз (PZT) на подложках из NdGa03 (110) и БгТЮз (100) с подслоем высокотемпературного сверхпроводника YBaCuO. Показана зависимость структурного совершенства и диэлектрических свойств пленок PZT от условий их получения. Исследованы усталостные характеристики пленок PZT с различными верхними электродами. Изготовлены структуры NdGa03(SrTi03)/YBC0/PZT/Ni, относительное снижение остаточной поляризации которых после 1010 циклов переполяризации не превышает 25%.

• Впервые методом импульсного лазерного напыления на подложках из кристаллов SrTi03; MgO, А12Оз, NdGa03 получены тонкие эпитаксиальные (100-200нм) сверхпроводящие пленки УВа2Сиз07.х с температурой нулевого сопротивления 85-91,5 К и критическои плотностью тока jc~

7-10° А/см при 78К. Экспериментально исследованы зависимости электрофизических свойств полученных конденсатов от условий их роста. Показана существенная зависимость электрофизических характеристик полученных пленок (температура перехода в сверхпроводящее состояние, ширина перехода и плотность критического тока) от температуры роста, давления фоновой среды кислорода в рабочем объеме и скорости конденсации. Предложен и реализован метод снижения количества дефектообразующих (макрочастиц и капель) в лазерной плазме, состоящий в использовании системы пересекающихся плазменных потоков для получения пленок высокотемпературных сверхпроводников. Исследованы температурная зависимость вольт-амперных характеристик пленок УВагСизСЬ-х и влияние на плотность критического тока слабых магнитных полей (<0,1 Тл). Показано, что при отсутствии слабых межкристаллитных связей в пленке ее критический ток близок к значению, определяемому элементарной силой пиннинга вихря Абрикосова.

• Проведены электронно-микроскопические исследования пленок УВагСизО? на подложках (100) SrTi03i ZrCb /Si, ZrC>2 /a- AI2O3, полученных из эрозионной лазерной плазмы. В случае использования подложек БгТЮз наблюдается эпитаксиальный рост пленок. При этом на (100) SrTiCb, как правило, формируется блочный монокристалл с осью С, перпендикулярной границе раздела. Величина jc для таких пленок достигает значения-7-10 А/см при 78К. Механизмом ориентации поликристаллических пленок на подложках из а-АЬОз с буферными слоями поликристаллического Zr02 могут служить анизатропные напряжения подложек. Увеличение ширины критического перехода АТС и уменьшение плотности критического поля связываются с большим количеством дефектов в зернах, наличием дополнительных фаз и дефектов на межзеренных границах.

Практическая значимость.

• Разработаны и изготовлены несколько типов установок получения тонких пленок многокомпонентных материалов и многослойных структур на их основе из эрозионной лазерной плазмы, в том числе установки с пересекающимися плазменными пучками.

Установки могут быть оснащены различными типами лазеров и разными средствами откачки позволяющими достигать разный предельный вакуум, могут быть оснащены источниками легколетучей компоненты со средствами контроля параметров технического процесса напыления. Подобные установки напыления были внедрены в ряде организаций в нашей стране и за рубежом.

• Разработана и изготовлена установка модификации приповерхностных слоев полупроводниковых структур. Предложен и реализован процесс компенсации проводимости в приповерхностных слоях GaAs. Компенсированные слои нашли применение для защиты от поверхностных пробоев и утечек при изготовлении планарных приборов на основе GaAs.

• Исследованы условия роста из эрозионной лазерной плазмы неориентированных пленок простых и сложных окислов. По своим электрофизическим параметрам аморфные пленки окислов не отличаются от массивных образцов, что может найти применение при изготовлении микроэлектронных устройств.

• Исследован процесс роста из эрозионной лазерной плазмы эпитаксиальных пленок т простых и сложных окислов и многослойных структур на их основе. Эпитаксиальные слои простых окислов нашли применение в качестве буферных подслоев при изготовлении приборов на основе высокотемпературных сверхпроводников.

Исследованный процесс роста позволил получить в одном технологическом цикле структуры полностью состоявших из окислов, которые по своим свойствам несли разные функции: металл-пьезоэлектрик-металл или сверхпроводник-пьезоэлектриксверхпроводник. Подобные структуры могут найти применение при изготовлении тонкопленочных элементов памяти. w

• Исследован рост эпитаксиальных пленок высокотемпературных сверхпроводников УВагСизОу из эрозионной лазерной плазмы. Использование настоящей технологии позволило в короткий срок провести цикл исследований ВТСП-пленок, позволивших в значительной мере определить перспективы применения ВТСП-материалов в электронике и электротехнике. ВТСП-пленки, полученные по этой технологии, нашли применение при изготовлении Джозефсоновских контактов, приборов СВЧ и сильноточной электроники.

Апробация результатов

Результаты диссертационной работы докладывались на двадцати одной российской и международных конференциях:

Всесоюзное совещания по нерезонансному взаимодействию излучения с веществом. Ленинград. 1976

Отраслевая техническая конференция: Тонкие пленки в производстве полупроводниковых приборов и интегральных схем. Воронеж, 1976

Симпозиум по взаимодействию атомных частиц с поверхностью твердого тела. Ташкент, 1979

Всесоюзная конференция « Оптика лазеров». Ленинград, 1980.

Всесоюзный симпозиум по электронным процессам на поверхности полупроводников. Новосибирск, 1980.

Международный симпозиум «Оптика 80». Будапешт 1980.

Всесоюзная конференция « Актуальные проблеммы получения и применения сегнетоэлектрических материалов» Москва, 1979

Всесоюзное совещание по нерезонансному взаимодействию излучения с веществом. Ленинград. 1981

Всесоюзная конференция «Интеграция и нетермическая стимуляция для технологических процессов в микроэлектронике» Зеленоград, 1981

Всесоюзное совещание по исследованию арсенида галлия. Томск, 1982

Итоговая научная конференция ГГУ за 1981. У11, 1982, № 3425-82

Всесоюзная конференция по физике полупроводников. Баку, 1982.

Всесроссийская конференция по физике сегнетоэлектриков. Иваново, 1995.

Spring Meeting San Fracisco,CA, 1994.

Applied Superconductivity Conference, Boston, USA, 1994.

5th International Superconductivity Electronic Conference. 1995., Nagoya, Japan

Applied Superconductivity Conference, Pittsburgh, USA, 1996.

USSR-FRG bilateral seminar, 1991, St. Petersburg, Scientific Council on HTSC Problem.

12 International Vacuum Congress(IVC-12), The Hague, The Netherlands, 1992 12th General. Conf. Of the Condenced Matter Division of the E.P.S., 1992, Prague. 6 Trilateral German-Russian-Ukranian Seminar on HTSC Dubna, Russia, 1993

Публикации

Результаты диссертационной работы отражены в научных статьях в отечественных и зарубежных журналах, сборниках трудов и в авторских свидетельствах. Всего по материалам диссертации опубликовано 75 работ, из них 47 журнальных статьи, 14 публикаций в трудах конференций, 1 авторское свидетельство, 13 тезисов докладов на конференциях.

Структура и объем диссертации

Диссертация состоит из введения, пяти глав, заключения и списка литературы. Общий объем диссертации составляет 147 страниц. Список литературы включает 102 наименований.

Заключение диссертации по теме «Физика конденсированного состояния», Клюенков, Евгений Борисович

ОСНОВНЫЕ РЕЗУЛЬТАТЫ РАБОТЫ

1. Разработаны и изготовлены установки лазерного напыления в химически активной газовой среде тонких пленок полупроводников, диэлектриков, пьезоэлектриков и многослойных структур на их основе.

2. Исследован процесс роста тонких пленок GaAs из эрозионной лазерной плазмы. Показано существенное влияние высокоэнергетичных частиц лазерной плазмы на электрофизические характеристики (подвижность и концентрация носителей) полученных конденсатов. Предложен и реализован метод снижения энергетики частиц лазерной плазмы, представляющий из себя систему пересекающихся плазменных потоков с образованием новой диаграммы разлета плазмы, свободной от "быстрых" ионов. Получены эпитаксиальные тонкие пленки с подвижностью и=3000см7В-с и

17 3 п=2-10 см" , что соответствует параметрам использованных мишеней для лазерного напыления.

3. Обнаружен и исследован эффект компенсации проводимости тонких пленок GaAs, основанный на образовании сложных комплексов дефектов в полупроводниковом слое под воздействием высокоэнергетичной части лазерной плазмы. Эффект компенсации проводимости может быть использован в микроэлектронике для пассивации при изготовлении планарных полупроводниковых приборов.

4. Изучен механизм роста мелкодисперсных пленок простых и сложных окислов из эрозионной лазерной плазмы в химически активной газовой среде. Получены сверхтонкие (~2нм) сплошные аморфные пленки простых и сложных окислов: Zr02; В12Оз; Si02; Ti02; БгТЮз. Электрофизические свойства более толстых образцов не отличаются от свойств массивных диэлектриков.

5. Предложена и экспериментально проверена модель ориентированного роста тонких пленок окислов из лазерной плазмы. Показано, что высокоэнергетичные частицы лазерной плазмы ответственны за снижение температуры ориентированного роста пленок окислов. Из эрозионной лазерной плазмы получены монокристаллические пленки Zr02; Bi203;Re02; SrTi03;(BaSr)Ti03; Lao,5Sro(5Co03; PbZrixTix03 и многослойные структуры на их основе на подложках из кристаллов NaCl, LiF, GaAs, SrTiQ3 и GaNdOj

6. Исследован процесс роста эпитаксиальных пленок высокотемпературных сверхпроводников из эрозионной лазерной плазмы в химически активной газовой среде. На подложках из SrTi03, MgO, А1203, NdGa03 получены тонкие (1000-2000А) сверхпроводящие пленки YBa2Cu3(>7 с температурой нулевого сопротивления 85-91,5 К 6 2 и критической плотностью тока jc-710 А/см при 78К. Показано, что при отсутствии слабых межкристаллитных связей в пленке ее критический ток близок к значению, определяемому элементарной силой пиннинга вихря Абрикосова. Предложен и реализован метод сепарации макровключений лазерной плазмы, состоящий из пересечения двух потоков лазерной плазмы и образования новой диаграммы разлета, свободной от включений. Получены сверхпроводящие пленки с количеством

5 2 макровключений менее 10 см" .

Вклад автора в проведенных исследованиях

Основные научные результаты, представленные в диссертации, получены автором лично. В совместных работах он принимал активное участие в постановке задач, разработке экспериментальных методик, проведении экспериментов и в обсуждении полученных результатов.

Автору принадлежат основные идеи и практическая реализация в разработке и изготовлении технологических установок получения тонких пленок из эрозионной лазерной плазмы в химически - активной газовой среде.

Автору принадлежит определяющее участие в разработке технологий получения из лазерной плазмы пленок полупроводников, высокотемпературных сверхпроводников, простых и сложных окислов.

Автору принадлежат основные идеи в реализации схемы пересекающихся потоков позволяющей отсепарировать макровключения и высокоэнергетичную часть лазерной Ф плазмы.

Структуры о которых сообщается в настоящей работе, изготовлены в основном лично автором, за исключением PZT и LSCO пленок.

Все экспериментальные работы по компенсации проводимости в тонких слоях полупроводников выполнены лично автором.

Автор принимал непосредственное участие в разработке методик измерений электрофизических свойств полученных конденсатов.

Список литературы диссертационного исследования кандидат физико-математических наук Клюенков, Евгений Борисович, 2003 год

1. Б.А. Осадин «Импульсное нанесение пленок» Обзоры по электронной технике Сер.З Микроэлектроника вып.4. 1976

2. Ю.Ю. Фирцак, О.В. Лукша., П.А. Фенич и др. « Процессы роста пленок полупроводниковых веществ, осаждаемых из лазерной плазмы» в книге « Рост полупроводниковых кристаллов и пленок» Наука Сибирское отделение Новосибирск 1984

3. Петросян В.И., Дагман Э.И Проблемы эпитаксии полупроводниковых пленок. Новосибирск Наука, 1972, с. 136-193

4. Петросян В.И., Васин О.И. и др. Полупроводниковые пленки для микроэлектроники. Новосибирск Наука, 1977, с. 20-47

5. Петросян В.И., Молин В.Н. и др. ЖЭТФ., 1974, т .66, с. 996-1004

6. Петросян В.И., Молин В.Н. и др. ФММ, 1971, т. 31, с. 725-730

7. Молин В.Н., Васин О.И., Скрипкина П.А. и др. ФТП., 1972, т. 6, вып. 8,с.1447-1451

8. Бекетова З.П., Гапонов С.В., Салащенко Н.Н. и др. Изв. Вузов, Радиофизика, 1975,т. 18,№6,с 908-909

9. Гапонов С.В., Лускин Б.М., Салащенко Н.Н. и др. Письма ЖТФ,1977,т.З,вып.12,с 573-576

10. Гапонов С.В., Лускин Б.М., Салащенко Н.Н. и др. ФТТ,1977,т.19,вып.10,с 29642967

11. Анисимов С.И.,Бонч-Бруевич A.M. и др. ЖТФ, 1966,т.36,с. 1273-1284

12. Анисимов С.И. Имас Ф.А., и др. Действие лазерного излучения большой мощности на металлы. М. Наука, 1970, с.272

13. Рэди Дж. Действие мощного лазерного излучения М. Мир, 1974 с. 673

14. Басов Н.Г., Крохин О.Н., Склизов Г.В. Труды ФИАН, 1970,т.52, с.171-236

15. Бойко В.А., Крохин О.Н., Склизов Г.В. Труды ФИАН, 1974,т.76, с. 1986

16. Афанасьев Ю.В., Крохин О.Н. Труды ФИАН, 1970,т.52, с.171-236

17. Лучин В.И. Известия Вузов Радиофизика 1986,т.23,№2,с. 177-181

18. Гапонов С.В., Салащенко Н.Н. Электронная техника, 1976,вып. 1 (49) с. 11 -20

19. Немчинов И.В. ПММ,1964,т.29,с.134-140

20. Ахсахалян А.Д., Битюрин Ю.А., Гапонов С.В. и др. ЖТФ,т.52,вып8,с. 1584-1596

21. Быковский Ю.А., Дегтяренко Н.Н., Елесин В.Ф. ЖТФ, 43,2540(1973)

22. Puell Н., Neusser H.J. II Experiments-Z. Naturforsch., 1970, v.25a,p,1815-1822

23. Добкин A.B., Немчинов И.В. Письма в ЖТФ,1984,т.10,вып.23,с. 1426-1430

24. Dyer Р.Е., Ransden S.A., J Phys.D: Appl. Phys. 1976, v/9, p.373-382

25. Бойко B.A., Крохин O.H., Склизов Г.В. Труды ФИАН, 1974,т.76, с.186-228

26. Агеев В.П., Горбунов А.А. и др. Известия АН СССР,сер. физическая, 1985,т.49,№4,с.732-73727. « Исследование взаимодействия лазерной плазмы с конденсированными средами» Отчет Института Прикладной физики АН 1983г. № гос. Регистрации 78083103

27. Бекетова З.П., Гапонов С.В., Салащенко Н.Н. и др. Изв. Вузов, Радиофизика,1975,т.28,№6,с 908-909

28. Гапонов С.В., Салащенко Н.Н. Электронная промышленность, 1976,№1 с.11

29. Быковский Ю.А., Дудоладов А.Г. и др. Письма ЖЭТФ, 1974,20, с 136

30. Петросян В.И., Дагман Э.И. в кн. Проблемы эпитаксии полупроводниковых пленок Новосибирск, Наука, 1972,с. 136

31. Александров JI.H. Кинетика образования и структура твердых слоев Новосибирск, Наука, 1972 с. 130

32. Равич Ю.И., Ефимова Б.А., Смирнов И.А. Методы исследования полупроводников в применении к халькогенидам свинца РЬТе, PbSe, PbS. М. Физматгиз,1963,с21

33. Салащенко Н.Н., Звонков Б.Н. и др. ФТТ,1975,т.17,№12, с3641-3643

34. Салащенко Н.Н.,Филатов О.Н. и др. ФТТ,1975,т.17,№7, с2105

35. Гапонов С.В. Салащенко Н.Н.,Филатов О.Н в кн. Полупроводники с узкой зоной и полуметаллы. Материалы IV Всесоюзного симпозиума. Львов, 1975,с 136

36. Звонков Б.Н.,Салащенко Н.Н.,Филатов О.Н. ФТТ,21,1979 с. 1346

37. Гапонов С.В., Лускин Б.М., Салащенко Н.Н. Письма ЖТФ,1979,с.516

38. Гапонов С.В., Лускин Б.М., Салащенко Н.Н. Письма ЖТФ,1979,том 5,вып 9,с.516-521

39. Гапонов С.В., Лускин Б.М., Салащенко Н.Н. ФТП, 1979, т.14,вып.8. с1468-1472

40. Гапонов С.В., Лускин Б.М., Салащенко Н.Н. Письма ЖЭТФ,1980,том 33,вып 10,с.533-537

41. Gaponov S.V., Luskin В.М., Salashchenko N.N. Solid State Communication,vol39,1981,pp.301 -302

42. Чопра К.Л. Электрические явления в тонких пленках. М. Изд. Мир, 1972

43. Воробьев Г.А., Мухачев В.А. Пробой тонких диэлектрических пленок. М. Сов. Радио 1977г.

44. Физические процссы в облученных полупроводниках. Под ред. Смирнова Л.С. Наука Новосибирск, 1977,с. 164

45. Maby E.W. J. Appl.Phys. 1976, v.47, р 830

46. Woodcock J.M., Shannon J.M. Solid State Electronics, 1975,v. 18, 3, p. 267

47. Гаврилов Ф.Ф., Качурин Г.А. и др. ФТП, 1981, т. 10,№8, с. 1425

48. Борисенко В.Е., Буйко Л.Д., Лабунов В.А. ФТП, 1981, т.15,№1, с.З

49. Качурин Г.А., Ловигин Р.Н. и др. ФТП, 1981, т. 15, №2, с.290

50. Гапонов С.В., Стриковский М.Д. ЖТФ,1982, т.52 ,№9, с.1838-1842

51. Мейер Дж, Эриксон Л., Дэвис Дж., Ионное легирование полупроводников. М. Мир,1977, с.296

52. Физические процессы в облученных полупроводниках. Ред. Смирнов JI.C. Новосибирск. Наука , 1977, с. 164

53. Ганина Н.В., Уфимцев В.Б., Фистуль В.И. Письма в ЖТФ,1982,т.8, №10,с.620-622

54. Глинчук К.Д., Заяц М.С., Прохорович А.В. ФТП, 1982, т. 16,в. 12, с. 2214-2216

55. Гапонов С.В., Стриковский М.Д. Препринт № 134 ФИАН СССР, М. 1986 ФТП, 1984, №10,

56. Jtoh Т, Kushiro J. J. Appl. Phys., 1971, v.42 ., №12, p 5120-5124

57. Гапонов C.B., Стриковский М.Д. ФТП,1984, №10,

58. Гапонов С.В., Лучин В.И. и др. Труды ГГУ «Химия и химическая технология» №1,1975,с. 151-157

59. Стенин С.И., Олыпанецкий Б.З. Материалы IV Всесоюзной школы-семинара поСфизике поверхности полупроводников. Ленинград, изд-во ЛГУ, 1979, с 120-139

60. Гуляев Ю.В., Дворянкин В.Ф. и др. Квантовая электроника., 1979,т.6, №1 ,с 5-24

61. Shiota J., Matoya К., Ohmi Т. J. Elektrochem. Soc., 1977,v.l24, №1, p. 155-157

62. Adams A.C., Pruniauxs B.R. J. Elektrochem. Soc., 1973,v.l20, №3, p. 408-414

63. Кейси X., Панши H. Лазеры на гетероструктурах Москва, Мир, 1981, т 2

64. Сегнетоэлектрики в технике СВЧ. Под редакцией О.Г. Вендика Москва, Сов. Радио, 1979ф 66. Чопра К.Л. Электрические явления в тонких пленках. Москва, Мир, 1972

65. Мухотров В.М., Головко Ю.И. Письма в ЖТФ, 1979, 5, с.1177

66. Томашпольский Ю.Я., Севастьянов М.А. Кристаллография , 1970, 23, с.401

67. Томашпольский Ю.Я., Севастьянов М.А. Кристаллография , 1974, 19, с.1040

68. Kubo Y., et.all Jap. J. of Appl. Phys., 1987,v.26,l l,p. L1888-L1891

69. Абрамович Г.И. Прикладная газовая динамика. М. Наука, 1976

70. Гапонов С.В., Гудков А.А., Фраерман А.А. ЖТФ,т. 52,с. 1834-1848

71. Барьяхтар В.Г., Пан В.М. и др. Письма в ЖЭТФ 1987, т.64, с.168

72. Прохоров В.Г., Танзей Г.А. и др. Проблемы высокотемпературной сверхпроводимости. Т.2 Свердловское изд. Ур. Отд. АНСССР, с. 162

73. Herwiell М., Demenges В., et.all Phys. Rev. В. 1987,v.36,p3920

74. Muller K.A., Takashige M. et.all Phys. Rev. Lett. 1987,v.58,pl 143

75. Grabtree G.W., Lin J.Z. et.all Phys. Rev. B. 1987,v.36,p4021

76. Gyorgy E.M., Grader G.S. et. all. Appl. Phys. Lett. 1988,v.52,p328

77. Chaundhari P., Koch R.H. et all Phys. Rev. Lett. 1987,v.58,p2684

78. Oh В., Naito M. et.all Appl. Phys. Lett. 1987,v.51,p852

79. Ogalle S.B., Venkatesan et.all Phys. Rev. B. 1987,v.36,p7210

80. Kupfer H., Apfelstend I. et.all Z.Phys. B. 1987,B.69,s.l59

81. Matsushita Т., Ywakama M. et.all. Jap. J. Appl. Phys. 1987,v.26,p. LI 524

82. Worthington Т.К., Gallagher W.J. et.all Phys. Rev. Lett. 1987,v.59,pl 160

83. Iye Y., Tamegai T et.all Jap. J. Appl. Phys. 1987,v.26,p. L1850

84. Umezawa A., Grabtree G.W. et.all Phisica С v.153. p.1461

85. Карцовник M.B., Ларкин B.A. и др. Письма в ЖЭТФ 1988, т.47, с.595

86. Duiker Н.М., Beale P.D., et. al. J. Appl. Phys. 1990,v.68,p. 5783-5791

87. Ramesh R., Chan W.K.,et.al. Integrated Ferroeletrics, 1992,v.l , 1,p. 1-15

88. Ramesh R., Dutta В., et.al. Appl. Phys. Lett. 1994,v.64,pl588-1590

89. Dat R., Auciello O., et.al. Appl. Phys. Lett. 1994,v.64,p2673-2678

90. Пальгуев С.В., Гильдерман В.К. и др. Высокотемпературные оксидные электронные проводники для электрохимических устройств. М. Наука, 1990.C.190

91. Wellstood F.C., Kingston J.J. et.al. J. Appl. Phys. 1994,v.75,p. 683-700

92. Nassau K., Miller A.E. et.al J. Growth. 1988.v.91.p.373-381

93. Хартон B.B., Жук П.П. и др. Ионика твердого телаю Екатеринбург, УИФ, Наука,1993,с.3-13

94. Grabowski K.S., Horwitz J.S. et.al. Ferroeletrics, 1991,v.l 16 „p.19-33

95. Ярмаркин B.K., Зайцева H.B. и др. ФТТ, 1995,т.37,с.324

96. Vorotilov К.A., Vanovskaja M.I.,et.al. Int. Ferroeletrics, 1993,v.3 , p.33

97. Свойства неорганических материалов. Справочник. Под ред. Ефимова и др. Химия, 1983, с.392

98. Terada N., Thara Н. et. Al„ Jap. J. Appl. Phys. 1998, v. 27(4). P. L639-L642

99. Sakuta K., Iuori M. et. al., Jap. J. Appl. Phys. 1990, v. 29(4). P. L611-L613.

100. Taber R.C Rev. Sci. Instrum. 1990. v.61. #8.P.2200-22061. Список работ автора

101. Al. С.В. Гапонов, Е.Б. Клюенков, Н.Н. Салащенко, М.И. Хейфец. Лазерное напыление пленок в активной среде. Письма в ЖТФ, вып.13, 1977.С.632-635

102. А2. С.В. Гапонов, Е.Б. Клюенков, Н.Н. Салащенко, М.И. Хейфец. Низкотемпературная эпитаксия пленок диэлектриков. Письма в ЖТФ, т.5,вып.8, 1979.С.472-475

103. A3. С.В. Гапонов, А.А. Гудков, Е.Б. Клюенков, В.В. Кропотин. Исследование режимов образования из лазерной плазмы пленок сегнетоэлектриков и высокотемпературных окислов. Известия АН СССР сер. Физическая, т.44, №10,1980. с. 2097-2100

104. А4. А.А. Гудков, Е.Б. Клюенков, Б.М. Лускин, В.И. Лучин. Особенности ориентированного роста пленок из эрозионной лазерной плазмы. В сб. Применение лазеров в резистостроении. 198I.e.5-18

105. А5. С.В. Гапонов, А.А. Гудков, Е.Б. Клюенков, М.Д. Стриковский. Вакуумное лазерное напыление и эпитаксия. Электронная промышленность.№5-6,1981.с110-115

106. А6. Ю.А. Битюрин, С.В. Гапонов, Е.Б. Клюенков, М.Д. Стриковский. Действие мощных импульсных потоков ионов малой энергии на GaAs. ФТП, 1984,т.18,в.10x1743-1745

107. А7. Ю.А. Битюрин, С.В. Гапонов, Е.Б. Клюенков, М.Д. Стриковский. GaAs compensation by intense fluxes of low-energy particles. Solid State Comm.1983.v.45,№12,p.997-999

108. А9. Б.А.Володин, С.В.Гапонов, Е.Б.Клюенков, Б.А.Нестеров,Н.Н.Салащенко. Влияние импульсного нагрева подложек на ориентированный рост пленок при лазерном напылении. ФТП, 1981,т.15,в.6.с.53-55

109. А10. Ю.Н. Дроздов, Е.Б. Клюенков, JI.A. Суслов. Структурные и диэлектрические свойства пленок PZT, полученных методом лазерного распыления. ЖТФ,т.64,в. 10,1994,с. 185-188

110. А11. Ю.Н. Дроздов, Е.Б. Клюенков, Н.Н. Салащенко, JI.A. Суслов. Свойства тонких пленок PbZrixTix03, полученных методом лазерного распыления. Известия АН СССР сер. Физическая, т.61, №2,1997. с. 372-374

111. А12. Ю.Н. Дроздов, Е.Б. Клюенков, Н.Н. Салащенко, JI.A. Суслов. Свойства тонких ^ пленок Lao 5Sro.5Co03, полученных методом лазерного распыления. Неорганическиематериалы. 1997, т.ЗЗ, № 6,с.765-768

112. А13. В.Я. Шур. С.Д. Макаров, Н.Ю. Пономарев, В.В. Волегов, Н.А. Тонкачева, Е.Б. Клюенков, Н.Н. Салащенко, JI.A. Суслов. Кинетика переключения поляризации в эпитаксиальных тонких пленках цирконата-титаната свинца. ФТТ, 1996, Т.38, №6,с. 1889-1895

113. А14. В.Я. Шур. С.Д. Макаров, Н.Ю. Пономарев, Е.В. Николаева, Е.И. Шишкин, Н.А. Тонкачева, Е.Б. Клюенков, Н.Н. Салащенко, Л.А. Суслов. Явление усталости в эпитаксиальных пленках цирконата-титаната свинца. ФТТ, 1997, Т.39,№4,с.694-696я

114. А15. V.Ya. Shur, S.D. Makarov, N.Yu. Ponomarev, V.V. Volegov, N.A. Tonkachyova, L.A. Suslov, N.N. Salashchenko, E.B. Kluenkov. Switching kinetics in epitaial PZT thin films. Microelectronic engineering. 29 (1995) 153-157

115. A16. V. Trtik, M. Jelinek and E.B. Kluenkov. A study of laser-deposited PZT, PLZT, PMN and YBCO thin films. J. Phys. D. Appl. Phys. 27 (1994) 1544-1547

116. A17. С.В. Гапонов, Г.Г. Каминский, Е.Б. Клюенков, Д.В. Кузин, В.М. Пан, М.Д. Стриковский и др. Токонесущая способность сверхпроводящих пленок УВа2Си3075 в сильных магнитных полях. ЖЭТФ, т.95,вып.6,1989,с.2191-2199.

117. А18. О.Р. Байдаков, В.Н. Голубев, В.А. Ермаков, Е.Б. Клюенков. Получение тонких сверхпроводящих пленок Tl-Ba-Ca-Cu-O. Письма в ЖТФ, т.17, вып.6, 1991, с.61-64

118. А20. С.В. Гапонов, Ф.В. Гарин, В.Н. Голубев, М.В. Калягин, Е.Б. Клюенков, В.А. Косыев, А.В. Кочемасов, М.Д. Стриковский . Вольтамперная характеристика и критические токи в слабых магнитных полях в УВагСизСЬ-б • ЖЭТФ, 1989, т.95, в.З, с.1086-1091.

119. А21. С.В. Гапонов, Г.Г. Каминский, Е.Б. Клюенков, Д.В. Кузин, В.М. Пан, А.Г. Прохоров, М.Д. Стриковский. A current-carrying capacity of superconducting YBa2Cu3075 films in strong magnetic fields. Sov. Phys. JETP. 1989. v.68(6). P.1266-1270

120. A22. В.А. Воронин, И.А. Годованик, В.Н. Голубев, М.Н. Дроздов, А.Ю. Климов, Е.Б. Клюенков, Н.Н. Салащенко. Эпитаксиальные УВа2Си307-5 \ РгВа2Сиз07.й структуры. Письма в ЖТФ, т.17, вып. 16, 1991,с.22-25

121. А23. М. Jelinek, Е. Kluenkov, L. Jastrabik, L. Maso. Laser deposited YBCO thin films. Czeckoslovac Journal of Physics, vol.43, №6, 1993, p. 1-9

122. A24. Б.А. Володин, A.K. Воробьев, Ю.Н. Дроздов, Е.Б. Клюенков, Ю.Н. Ноздрин, А.И. Сперанский, В.В. Таланов. YBCO- тонкие пленки большого размера для СВЧ применений. Письма в ЖТФ., т.21, в. 16, 1995, с.90-95

123. А26. A.JI. Васильев, С.В. Гапонов, С.А. Гусев, Н.А. Киселев, Е.Б. Клюенков, А.В. Кочемасов, М.Д. Стриковский. High resolution electron microscopy of superconducting films YBa2Cu307-5. Inst. Phys. Conf. Ser. 1988., v.2, №93, Chapter 6, p. 223-229

124. A27. С.В. Гапонов, H.B. Ильин, М.А. Калягин, Е.Б. Клюенков, М.Д. Стриковский, J1.M. Фишер. Анизатропия магнитных и электрических свойств тонких сверхпроводящих пленок YBa2Cu307-s • Письма в ЖЭТФ, т.48, вып. 3, с. 155-158

125. А28. A. Basovich, S. Gaponov, E. Kluenkov, P. Kolokolchikov, U. Kudasov, V. Platonov et.al. Measurements of upper critical field and magnetic field dependence of the microwave Щ, resistance of YBCO thin film. Phisics Letters A 163, 1992, p. 322-325

126. A29. A.A. Gorbunov, W. Pompe, S.V. Gaponov, A.D. Akhsakhalyan, E.B. Kluenkov, N.N. Salaschenko et.al. Ultrathin film deposition by laser ablation using crossed beams. Applied Surface Science 96-98(1996) p.949-955

127. A30. S.V. Gaponov, M.D. Strikovsky, E.B. Kluenkov, J. Schubert and C. Copetti. Crossed fluxes technigue for pulsed laser deposition of smooth YBa2Cu307-g films and multilayers. Appl. Phys. Lett. 63(8), 1993, p.l 146-1148

128. A31. S. Gaponov, J. Gavrilov, M. Jelinek, E. Kluenkov, L. Maso. YBCO and Zr02 laser deposition on sapphire using two crossed laser beams. Supercond. Sci. Technol. 5(1992), p.645-647

129. A32 C.B. Гапонов, B.H. Голубев, Е.Б. Клюенков, В.И. Лучин, Н.Н. Салащенко, М.Д. Стриковский. Авторское свидетельство СССР, №284235 от 28.12.87.

130. АЗЗ. R.K. Belov, Yu. N. Drozdov, S.V. Gaponov, E.B. Kluenkov et. al. Thin film on sapphire up to 2-inch diameter for microwave application. IEEE on Trans. On Appl. Superconduct. Vol.5, n.2, pp. 1797-1800, 1995

131. A34. A.K. Vorobyev, Yu. N. Drozdov, S.V. Gaponov, E.B. Kluenkov et.al. Microstructure and Electrical properties of YBCO films. Supercond. Sci. Technol. 9. (1996) A166-A169

132. A35. P.K. Белов, A.B. Варганов, Б.А. Володин, A.K. Воробьев, Ю.Н. Дроздов, Е.Б. Клюенков и др. Эпитаксиальные пленки УВа2Си307^на сапфире для СВЧ применения. Письма в ЖТФ, т.20, вып. 11, с. 1 -5, 1994

133. А36. А.К. Воробьев, С.В. Гапонов, М.Н. Дроздов, Е.Б. Клюенков, В.И. Лучин,

134. Д.В. Мастеров. Влияние десорбции на формирование состава тонких пленок высокотемпературных сверхпроводников при магнетронном напылении" Письма в ЖТФ, т.24, вып. 24, с. 13-17, 1998.

135. А37. M.N. Drozdov, S.V. Gaponov, S.A. Gusev, E.B. Kluenkov, V.I. Luchin, D.V. Masterov, S.K. Saykov, A.K. Vorobiev. "Y-Ba-Cu-0 Thin Films Composition Formation during Magnetron Sputtering". IEEE Trans. Appl. Supercond., v. 9, №2, p. 2371-2374, 1999.

136. А38. А.К. Воробьев, С.В. Гапонов, М.Н. Дроздов, Е.Б. Клюенков, Д.В. Мастеров. Исследование изменений состава мишени высокотемпературного сверхпроводника YФ

137. Ва-Cu-O при ионном распылении. ФТТ, т. 42, вып. 4, с. 589-594, 2000.

138. А39. Б.А. Володин, А.К. Воробьев, Ю.Н. Дроздов, Е.Б. Клюенков, Ю.Н. Ноздрин и др. YBCO- тонкие пленки большого размера для СВЧ- применений. Письма в ЖТФ, т.21, вып. 16, с.90-93, 1995

139. А43. А.К. Vorobyev, Yu. N. Drozdov, S.V. Gaponov, E.B. Kluenkov et.al. Surface morphology, microstructure and electrical properties of YBCO thin films. IEEE Trans. Appl. Supercond., v. 7, № 2, p. 1642-1645, 1997.

140. A44. Yu.N. Drozdov, A.S.Melnikov, I.D. Tokman, E.B. Kluenkov, A.K. Vorobiev et.al.

141. Experimental investigation of a local mixed state induced by a small ferroparticle in YBaCuO films. IEEE Trans. Appl. Supercond., v. 9, № 2, p. 1602-1605, 1999.

142. A45. А.К. Воробьев, С.В. Гапонов, С.А. Гусев, Ю.Н. Дроздов, Е.Б. Клюенков, В.И. Лучин. Влияние давления рабочего газа на свойства тонких пленок высокотемпературных сверхпроводников, полученных магнетронным распылением. Письма в ЖТФ, № 4, с.80-85, 1998

143. А46. А.К. Воробьев, Н.В. Востоков, С.В. Гапонов, Е.Б. Клюенков, В.Л. Миронов. Исследование неоднородностей в тонких пленках высокотемпературныхсверхпроводников методами сканирующей зондовой микроскопии. Письма в ЖТФ, т. 25, №4, с.68-73, 1999

144. A48. А.К. Воробьев, С.В. Гапонов, М.Н. Дроздов, Е.Б. Клюенков, Д.В. Мастеров. Исследование изменений состава мишени высокотемпературного сверхпроводника Y-Ba-Cu-0 при ионном распылении. ФТТ, том 42, вып. 4, с.589-594, 200041. Тезисы докладов

145. Т4. Е.Б. Клюенков, В.В. Кропотин, Низкотемпературная эпитаксия сегнетоэлектрических пленок, образованных из лазерной плазмы. Тезисы докладов 2 «6 Всесоюзной конференции « Оптика лазеров». Ленинград, 1980.

146. Т5. С.В. Гапонов, А.А. Гудков, Е.Б. Клюенков. Исследование режимов образования и свойства пленок высокотемпературных окислов, используемых для покрытий силовой оптики. Тезисы докладов 2 Всесоюзной конференции « Оптика лазеров». Ленинград, 1980.

147. Т7. Ю.А. Битюрин, С.В. Гапонов, А.А. Гудков, Е.Б. Клюенков, Б.М.Лускин, Н.Н. Салащенко. Взаимодействие эрозионной лазерной плазмы с поверхностью твердого тела и получение пленочных структур. Международный симпозиум «Оптика 80». Будапешт1980.

148. Т8. Ю.А. Битюрин, З.П. Бекетова,Е.Б. Клюенков, М.И. Хейфец Получение пленок сложных окислов методом лазерного напыления. Тезисы докладов 1 Всесоюзной конференции « Актуальные проблеммы получения и применения сегнетоэлектрических материалов» Москва, 1979

149. Т9. Ю.А. Битюрин, Е.Б. Клюенков, В.И. Лучин, В.Л. Миронов. Лазерный отжиг многослойных гетероэпитаксиальных пленочных структур. Тезисы докладов 5 Всесоюзного совещания по нерезонансному взаимодействию излучения с веществом. Ленинград. 1981

150. Т11. С.В. Гапонов, Е.Б. Клюенков, М.Д. Стриковский, С.А. Чурин. Исследование особенностей эпитаксии GaAs из эрозионной лазерной плазмы. Тезисы докладов 5 Всесоюзного совещания по исследованию арсенида галлия. Томск, 1982

151. Т12. Ю.А. Битюрин, Е.Б. Клюенков. Получение пленок сложных окислов методом лазерного напыления. Материалы итоговой научной конференции ГГУ за 1981. У11, 1982, № 3425-82

152. Т13. Ю.А. Битюрин, С.В. Гапонов, Е.Б. Клюенков, М.Д. Стриковский. О возможности управления концентрацией и подвижностью носителей тока в приповерхностных слоях

153. GaAs. Труды Всесоюзной конференции по физике полупроводников. Баку, 1982.

154. Т14. Ю.Н. Дроздов, Е.Б. Клюенков, Н.Н. Салащенко, J1.A. Суслов. Свойства тонких пленок PZT, полученных методом лазерного напыления. Тезисы докладов 14 Всесроссийской конференции по физике сегнетоэлектриков. Иваново, 1995.

155. Т15. V.Ya. Shur, S.D. Makarov, V.V. Volegov, L.A. Suslov, N.N. Salashchenko, E.B. Kluenkov. Polarization reversal in epitaxial ferroelectric thin films. Abstracts of materials research Society. Spring Meeting San Fracisco,CA,1994.

156. T16. Е.Б. Клюенков, С.А. Чурин, Л.П. Черненко. Получение из эрозионной лазерной пламы сверхтонких слоев Nb и исследование их свойств. Сообщения Объедененного института ядерных исследований. Дубна, 1993.

157. Т17. R.K. Belov, Yu. N. Drozdov, S.V. Gaponov, S.A. Gusev, A.Yu. Klimov, Yu.N. Nozdrin, E.B. Kluenkov et. al. Thin film on sapphire up to 2-inch diameter for microwave application.

158. Presented at 1994 Applied Superconductivity Conference, Boston, USA, 1994.

159. T18. Yu. N. Drozdov, S.V. Gaponov, S.A. Gusev, E.B. Kluenkov, V.V. Talanov. V.A. Volodin. Microstructure and Electrical properties of YBCO films. Presented at 5th International Superconductivity Electronic Conference. 1995., Nagoya, Japan

160. T19. Yu. N. Drozdov, S.V. Gaponov, S.A. Gusev, Yu.N. Nozdrin, E.B. Kluenkov, a.K. Vorobyev. Microstructure and Electrical properties of YBCO films. Presented at 1996 Applied Superconductivity Conference, Pittsburgh, USA, 1996.

161. T21. A. Basovich, S. Gaponov, E. Kluenkov et.al. Study of laser deposited YBCO-ZrO-sapphire layers and interfaces. 12 International Vacuum Congress (IVC-12), The Hague, The Netherlands, 1992

162. T22. S. Gaponov, J. Gavrilov, M. Jelinek, E. Kluenkov, L. Maso et.al. . YBCO-ZrO-sapphire laser deposition. 12th General. Conf. Of the Condenced Matter Division of the E.P.S., 1992, Prague.

163. Т23. S. Gaponov, I. Godovanik, M. Jelinek, E. Kluenkov, A. Klimov, L. Maso et.al. The problems of multilevel circuit fabrication. 6 Trilateral German-Russian-Ukranian Seminar on ф HTSC Dubna, Russia, 1993

164. T25. Yu. N. Drozdov, S.V. Gaponov, S.A. Gusev, E.B. Kluenkov, A.K. Vorobyev, D.V. Masterov. YBCO thin films compothition formation during magnetron sputtering. Presented at 1998 Applied Superconductivity Conference, Palm Desert, California, USA, 1998.

165. T27. A.K. Vorobyev, Yu. N. Drozdov, S.V. Gaponov, S.A. Gusev, E.B. Kluenkov et.al.