Фотоэлектронные процессы в наноструктурированном кремнии со спиновыми центрами тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 01.04.10, доктор физико-математических наук Константинова, Елизавета Александровна

• Константинова, Елизавета Александровна
• доктор физико-математических наук
• 2007

Оглавление диссертации доктор физико-математических наук Константинова, Елизавета Александровна

СОДЕРЖАНИЕ.

ВВЕДЕНИЕ.

Глава 1. Исследование фотоэлектронных процессов в нанокристаллах в слоях микропористого кремния.

1.1 Способы получения и структурные свойства пористого кремния (обзор литературы).

1.1.1 Способы получения кремниевых наноструктур.

1.1.2 Структурные свойства пористого кремния.

1.2 Поверхностное покрытие нанокристаллов кремния в слоях пористого кремния (обзор литературы).

1.3 Формирование исследуемых образцов пористого кремния и их структурные свойства. Получение и очистка используемых адсорбатов.

1.4 Природа и основные свойства спиновых центров в пористом кремнии.

1.4.1 Исследование спиновых центров в пористом кремнии (обзор литературы)

1.4.2 Исследование спиновых центров в кремниевых нанокристаллах в слоях пористого кремния с различным составом адсорбционного покрытия поверхности

1.5 Исследование процессов рекомбинации неравновесных носителей заряда в нанокристаллах пористого кремния.

1.5.1 Модель рекомбинационных процессов фотовозбужденных носителей заряда

1.5.2 Расчет параметров экситонов в зависимости от диаметра квантовых нитей ПК и диэлектрической проницаемости окружающей их среды.

1.5.3 Экспериментальное исследование рекомбинационных процессов в наноструктурах кремния.

1.5.4 Фотолюминесцентные свойства пористого кремния в вакууме.

1.5.5 Температурная зависимость фотолюминесценции пористого кремния.

1.5.6 Температурная зависимость сигнала поглощения на свободных носителях заряда

1.5.7 Модификация оптических и электронных свойств кремниевых наноструктур при заполнении пор образцов различными диэлектрическими средами! 1 1.5.8. Временная зависимость сигнала фотолюминесценции пористого кремния в вакууме и после заполнения пор диэлектрическими жидкостями.

1.5.9 Исследование инфракрасного поглощения на свободных неравновесных носителях заряда с временным разрешением в вакууме и в различных диэлектрических средах.

1.5.10 Влияние адсорбции акцепторных и донорных молекул на спектры фотолюминесценции и электронного парамагнитного резонанса образцов пористого кремния.

1.5.11 Влияние адсорбции молекул кислорода и воды на спектры фотолюминесценции и электронного парамагнитного резонанса нанокристаллов кремния в слоях пористого кремния.

1.6 Исследование влияния радиационного воздействия на электронные свойства пористого кремния.

1.7 Фотовольтаические эффекты в наноструктурированных полупроводниках .ЛОЗ

1.7.1 Исследование фото-ЭДС и накопления заряда в структурах пористый кремний /монокристаллическая подложка методом Кельвина.

1.1.2 Исследование фото-ЭДС и накопления заряда в структурах пористый кремний /монокристаллическая подложка методом импульсного фотонапряжения!

1.8 Выводы к Гл. 1.

Глава 2. Особенности релаксации электронного возбуждения в нанокристаллах в слоях мезопористого кремния и адсорбционно-индуцированные изменения его электронных свойств.

2.1 Исследуемые образцы и их структурные свойства.

2.2 Детектирование Рьо и Ры-центров в мезопористом кремнии.

2.3 Исследование особенностей рекомбинации неравновесных носителей заряда в пористом кремнии с различной морфологией наноструктур.

2.3.1 Феноменологическая модель релаксации фотовозбуждения в объемных полупроводниках и системах связанных нанокристаллов.

2.3.2 Экспериментальное исследование особенностей рекомбинации неравновесных носителей заряда в пористом кремнии с различной морфологией наноструктур.

2.4 Свободные носители заряда в свежеприготовленном и окисленном мезопористом кремнии.

2.4.1 Наличие равновесных свободных носителей заряда в мезопористом кремнии (литературные данные).

2.4.2 Зависимость концентрации свободных носителей заряда в мезопористом кремнии от пористости образцов.

2.4.3 Метод расчета концентрации свободных носителей заряда с помощью теоретического моделирования спектров отражения и поглощения слоев мезопористого кремния.

2.4.4 Зависимость концентрации свободных носителей заряда в пористом кремнии от степени легирования подложки, на которой они были выращены. Расчет концентрации равновесных носителей заряда по спектрам пропускания пористого кремния.

2.5 Влияние адсорбции акцепторных молекул диоксида азота на концентрации свободных носителей заряда и спиновых центров в нанокристаллах кремния.

2.5.1 Увеличение концентрации свободных носителей заряда в кремниевых нанокристаллах при адсорбции молекул NO2.

2.5.2 Влияние адсорбции молекул NO2 на спиновые центры в пористом кремнии\

2.5.3 Исследование механизмов взаимодействия активных молекул NO2 с нанокристаллами кремния.

2.6 Изменение концентрации свободных носителей заряда и спиновых центров в нанокристаллах кремния при адсорбции акцепторных молекул парабензохинона.

2.6.1 Влияние адсорбции молекул СбН402 на концентрацию свободных дырок в нанокристаллах кремния.

2.6.2 Влияние адсорбции молекул СбН402 на спектры электронного парамагнитного резонанса нанокристаллов кремния и концентрацию спиновых центров в них.

2.7 Модификация электронных свойств пористого кремния при адсорбции акцепторных молекул йода.

2.8 Вариации концентрации свободных носителей заряда и спиновых центров в нанокристаллах кремния при адсорбции донорных молекул пиридина.

2.9 Влияние адсорбции донорных молекул аммиака на электронные свойства нанокристаллов кремния.

2.10 Модель взаимодействия акцепторных и донорных молекул с поверхностью кремниевых нанокристаллов.

2.11 Выводы к Гл. 2.

Глава 3. Исследование генерации синглетного кислорода при фотовозбуждении нанокристаллов кремния.

3.1 Особенности спиновых центров на поверхности нанокристаллов кремния.

3.2 ЭПР-диагностика генерации синглетного кислорода при фотовозбуждении нанокристаллов кремния.

3.3 Исследование фотосенсибилизации кислорода в пористом кремнии методом импульсного электронного парамагнитного резонанса.

3.3.1 Явление спинового эхо как способ определения времен парамагнитной релаксации (литературный обзор).

3.3.2 Измерение времен парамагнитной релаксации Рь-центров пористого кремния методом «спинового эхо».

3.4 Исследование спектров электронного парамагнитного резонанса молекулярного кислорода при фотовозбуждении пористого кремния.

3.5 Модификация спектров фотолюминесценции пористого кремния при освещении в кислороде.

3.6 Выводы к Гл.З.

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Фотоэлектронные процессы в наноструктурированном кремнии со спиновыми центрами»

Благодаря своим уникальным свойствам наноматериалы находят широкое применение в различных областях науки и техники. Например, углеродные нанотрубки на порядок прочнее стали (имея при этом в шесть раз меньший удельный вес), наночастицы способны избирательно проникать в раковые клетки и поражать их, некоторые наноструктуры могут в миллионы раз повышать быстродействие компьютеров и т.д. Важное место среди данных объектов занимает наноструюурированный кремний. Одним из распространенных способов формирования последнего является электрохимическое травление монокристаллических подложек (с-Б^, приводящее к образованию пористого слоя на поверхности. При определенных режимах приготовления непротравленные участки представляют собой системы пересекающихся квантовых нитей и/или относительно изолированных нанокристаллов с характерными поперечными размерами порядка нескольких нанометров. Актуальность исследования слоев пористого кремния (ПК) определяется присущим данному материалу многообразием физических свойств, возможность управления которыми достигается путем изменения молекулярного окружения и адсорбционного покрытия поверхности составляющих его нанокристаллов.

Действительно, важным свойством ПК является наличие чрезвычайно развитой (до 800 м2/г) и открытой для воздействия различных молекул окружающей среды внутренней поверхности, на которой неизбежно присутствуют образующиеся в процессе формирования, а также при адсорбции молекул точечные дефекты типа ненасыщенных химических связей, большая часть которых обладает ненулевым спином (спиновые центры (СЦ)). Последние являются центрами рекомбинации и захвата неравновесных носителей заряда, что оказывает существенное влияние на фотоэлектронные свойства ПК. С поверхностными эффектами, по-видимому, связана нестабильность люминесцентных характеристик ПК, что препятствует созданию светоизлучающих устройств на его основе. С другой стороны, наличие огромной удельной поверхности делает ПК хорошим модельным объектом для исследования фундаментальных закономерностей адсорбционных процессов, природы и свойств СЦ на поверхности нанокристаллов и, кроме того, открывает перспективу для новых практических приложений наноструктурированного кремния. В частности, как показывают исследования последних лет, ПК может быть использован в качестве основного элемента высокочувствительных газовых сенсоров нового поколения. Также, недавно было обнаружено, что на поверхности данного материала происходит эффективная генерация синглетного кислорода, который широко используется при лечении онкологических заболеваний.

На момент начала исследования в литературе не было единой точки зрения в отношении механизмов излучательной рекомбинации в ПК. Отсутствие контроля концентрации СЦ и химического состава поверхности в исследуемых образцах при изучении процессов рекомбинации фотовозбужденных носителей заряда является, по-видимому, причиной ряда противоречий между литературными данными по исследованию физических свойств ПК, характеризующегося исходно различным адсорбционным покрытием поверхности. Кроме того, вплоть до настоящего времени лишь единичные публикации посвящены изучению возможностей управления электронными б свойствами наноструктур кремния путем изменения их молекулярного окружения.

Целью диссертационной работы было изучение фотоэлектронных процессов в наноструктурированном кремнии, со СЦ, и исследование возможности управления его электронными свойствами путем адсорбции различных молекул на поверхности составляющих его нанокристаллов. Для достижения этой цели были поставлены и решались следующие конкретные задачи:

1. Изучение природы и свойств СЦ в ПК с различным составом адсорбционного покрытия поверхности.

2. Исследование процессов рекомбинации фотовозбужденных носителей заряда в ПК в вакууме и при различном молекулярном окружении составляющих его наноструктур.

3. Исследование процессов разделения, накопления заряда и перезарядки центров захвата заряда в наноструктурах кремния.

4. Изучение влияния ионного облучения на структурные и люминесцентные свойства кремниевых нанокристаллов в слоях ПК.

5. Анализ возможности управления концентрацией равновесных свободных носителей заряда (СНЗ) в нанокристаллах кремния в слоях мезо-ПК посредством адсорбции акцепторных (на примере диоксида азота, парабензохинона, йода) и донорных (на примере пиридина, аммиака) молекул.

6. Изучение методом электронного парамагнитного резонанса (ЭПР) процесса генерации синглетного кислорода и определение его концентрации в ПК при различных давлениях кислорода и интенсивностях возбуждающего света. В качестве объекта исследования был выбран пористый кремний, формируемый электрохимическим способом, позволяющим варьировать параметры составляющих его наноструктур.

Для решения поставленных задач использовались разнообразные экспериментальные и теоретические методы. Исследование физических свойств пористого кремния проводилось методами комбинационного рассеяния света, ЭПР, фотолюминесценции, оптического пропускания в видимой и инфракрасной области, импульсного фотонапряжения и контактной разности потенциалов. Фотовозбуждение осуществлялось излучением непрерывных газовых лазеров, а также импульсами азотного лазера. Для описания процессов рекомбинации использовалась теоретическая модель, в основе которой лежит концепция об экситонной природе фотолюминесценции в наноструктурах кремния. Выполненный в работе анализ поглощения инфракрасного излучения на свободных носителях заряда в кремниевых наноструктурах основан на классической модели Друде. Для анализа экспериментальных данных, полученных методом ЭПР использован подход, основанный на теории Блоха.

Диссертация состоит из введения, трех глав, заключения и списка цитированной литературы.

Заключение диссертации по теме «Физика полупроводников», Константинова, Елизавета Александровна

3.6 Выводы к Гл.3

1 Обнаружен эффект замедления спин-решёточной релаксации оборванных связей кремния в пористом кремнии по сравнению с монокристаллическим кремнием. Дано объяснение данного эффекта, учитывающее изменение электрон-фононного взаимодействия в наноструктурах кремния.

2 Впервые реализован новый метод ЭПР-диагностики генерации синглетного кислорода и определения его концентрации в процессе фотосенсибилизации молекул кислорода в ансамблях кремниевых нанокристаллов. В основе указанного метода лежит изменение времен релаксации спинов - оборванных связей кремния.

3 С помощью предложенного метода в режиме непрерывного воздействия СВЧ излучения изучен процесс фотосенсибилизации кислорода в слоях микропористого кремния при различных давлениях кислорода и интенсивностях возбуждающего света.

4 С использованием метода импульсного ЭПР зафиксировано увеличение времен продольной Тх и поперечной Т2 релаксации спиновых центров при освещении образцов микропористого кремния в кислороде, что объясняется процессом генерации синглетного кислорода.

5 Обнаружено уменьшение концентрации триплетного кислорода примерно на 30 % при фотовозбуждении нанокристаллов кремния, что свидетельствует о переходе части молекул 02 в непарамагнитное синглетное состояние и согласуется с другими данными по исследованию процесса генерации синглетного кислорода.

Заключение

В работе были изучены фотоэлектронные процессы в наноструктурированном кремнии, содержащем спиновые центры, и исследована возможность управления электронными свойствами данного объекта путем адсорбции различных молекул на поверхности составляющих его нанокристаллов. В результате выполненных экспериментальных и теоретических исследований были получены следующие основные результаты и выводы:

1. Исследована природа и определена концентрация спиновых центров в свежеприготовленном и окисленном пористом кремнии при различном молекулярном окружении составляющих его нанокристаллов. Обнаружено, что основным типом спиновых центров в данном материале являются оборванные связи кремния на границе раздела Э^Юг (Рь- центры). Концентрация последних зависела от условий формирования, хранения пористого кремния и составляла Л^~1017 см'3 для свежеприготовленных А 1 образцов и увеличивалась до 5-10 см' для естественно окисленных в течение месяца слоев пористого кремния. При адсорбции молекул воды, тетрацианэтилена, парабензохинона на поверхности наноструктур кремния зарегистрированы спиновые центры типа ОН*, [Сг(СК4)]~, (С6Н4О2)-.

2. Исследованы фотоэлектронные свойства микропористого кремния. Показано, что энергии связей экситонов в кремниевых нитях диаметром 2-4 нм, находящихся на воздухе или в вакууме, составляют сотни мэВ, а для нитей в среде с диэлектрической проницаемостью большей, чем у кремния, энергии связи экситонов уменьшаются до единиц мэВ. В первом случае экситоны стабильны при комнатной температуре, а во втором повышается вероятность их термической диссоциации. Развита модель рекомбинации фотовозбужденных носителей заряда в наноструктурах кремния, в основе которой лежит концепция экситонной природы фотолюминесценции. Полученные экспериментальные данные по исследованию фотолюминесценции, концентрации спиновых центров и свободных неравновесных носителей заряда в нанокристаллах кремния в вакууме в широком температурном интервале, при заполнении пор диэлектрическими средами и при адсорбции акцепторных и донорных молекул на поверхности образцов находятся в хорошем согласии с выводами модели.

3. На основе экспериментальных данных предложена модель фотовольтаических эффектов в наноструктурах кремния, в основе которой лежит идея «оптического легирования» наноструктур кремния. Формирование фото-ЭДС объясняется пространственным разделением электронов и дырок, имеющих различные коэффициенты диффузии, и последующим захватом их на поверхностные дефекты. Установлено, что на поверхности свежеприготовленного микропористого кремния происходит перезарядка состояний, характеризующихся временами релаксации порядка нескольких минут. В окисленных образцах присутствуют состояния, перезаряжающиеся при освещении с временами захвата заряда длительностью в несколько часов.

4. Исследованы процессы рекомбинации фотовозбужденных носителей заряда в мезопористом кремнии, в котором эффект размерного квантования не приводит к существенному изменению ширины запрещенной зоны. Предложена модель релаксации фотовозбуждения в таких структурах, учитывающая перенос носителей заряда из одного нанокристалла в другой. Выполнено сравнительное исследование фотолюминесценции в мезо-ПК и микро-ПК. Полученные экспериментальные результаты находятся в полном согласии с выводами теоретического рассмотрения. Обнаружено, что в зависимости от морфологии наноструктур в слоях пористого кремния релаксация электронного возбуждения в нем может носить бимолекулярный (мезопористый кремний) или мономолекулярный характер (микропористый кремний).

5. Исследовано влияние адсорбции акцепторных (на примере диоксида азота, парабензохинона, йода) и донорных (на примере пиридина, аммиака) молекул на поверхности мезопористого кремния на его электронные свойства. Предложена модель взаимодействия акцепторных молекул с поверхностью кремниевых нанокристаллов, в основе которой лежит представление о формировании донорно-акцепторных состояний типа (оборванная связь кремния)+-(адсорбат)~, в результате чего в объем нанокристаллов инжектируются свободные носители заряда - дырки. Предложена модель взаимодействия донорных молекул с поверхностью нанокристаллов кремния, учитывающая формирование положительно заряженных центров (адсорбат)+, вследствие чего концентрация свободных дырок в объеме нанокристаллов уменьшается. В случае жидкого адсорбата (пиридин) происходит конденсация его паров в порах образцов при давлениях, близких к давлению насыщенного пара, что приводит к уменьшению энергии активации примесных атомов бора, энергии связи дырок с поверхностными центрами захвата. Концентрация свободных дырок при этом увеличивается. Полученные результаты свидетельствуют о возможности управления концентрацией равновесных носителей заряда в слоях мезопористого кремния путем адсорбции акцепторных молекул.

6. Обнаружен эффект замедления спин-решёточной релаксации оборванных связей кремния в пористом кремнии по сравнению с монокристаллическим I кремнием. Дано объяснение данного эффекта, учитывающее изменение электрон-фононного взаимодействия в наноструктурах кремния. Реализован новый метод ЭПР-диагностики генерации синглетного кислорода и определения его концентрации в ансамблях кремниевых нанокристаллов, основанный на изменении времен релаксации спинов - оборванных связей кремния. С помощью предложенного метода в режиме непрерывного воздействия микроволнового излучения изучен процесс генерации синглетного кислорода в слоях микропористого кремния при различных давлениях кислорода и интенсивностях возбуждающего света и получены оценки концентрации генерируемого синглетного кислорода. С использованием метода импульсного ЭПР зафиксировано увеличение времен продольной Г, и поперечной Т2 релаксации спиновых центров при освещении образцов микропористого кремния в кислороде, что обусловлено генерацией синглетного кислорода.

Автор выражает свою самую глубокую благодарность за полезные советы, постоянное внимание и поддержку в процессе выполнения исследований, представленных в диссертации, профессорам Кашкарову Павлу Константиновичу и Тимошенко Виктору Юрьевичу; за плодотворные дискуссии - профессору Киселеву В.Ф.; своим ученикам Лисаченко М.Г., Силочу A.A., Азметову Э.М., Кутергину С.А., Шарову К.С., Воронцову A.C., Осминкиной Л.А., Демину В.А. и многим другим - за неоценимую помощь при выполнении данной работы. Автор весьма признателен всему коллективу кафедры общей физики и молекулярной электроники физического факультета МГУ, на которой был выполнен основной объем представленных исследований. Автор очень благодарен Баландиной Г.А. и Демидович В.М. за помощь в подготовке образцов на первых этапах исследования; Обушеву Ю.А. - за техническое обслуживание экспериментальной установки. Выполнение данной работы проходило при широкой кооперации с учеными Института Хана и Майтнер в Берлине и физического факультета El6 Технического Университета Мюнхена. В связи с этим автор считает своим приятным долгом поблагодарить своих коллег Диттриха Т. и Липса К и профессоров Коха Ф. и Фуса В. Автор признателен также за плодотворное сотрудничество своим коллегам Ушакову В.В., Дравину В.А., Мельнику H.H. из Физического института им. П.Н. Лебедева РАН и Караванскому В.А. из Института общей физики РАН.

Список литературы диссертационного исследования доктор физико-математических наук Константинова, Елизавета Александровна, 2007 год

1. Smith R.L., Collins S.D. Porous silicon formation mechanisms I I J. Appl. Phys. -1992.-V. 71.-No 8.-P. R1-R22.

2. Uhlir A. Electrolytic shaping of germanium and silicon // Bell Syst. Tech. -1956.-V. 35.-No2.-P. 333-347.

3. Canham L.T. Silicon Quantum Wire Array Fabrication by Electrochemical and Chemical Dissolution of Wafers // Appl. Phys. Lett.- 1990.- V. 57. No 10. - P. 1046-1048.

4. Лабунов B.A., Бондаренко В.П., Борисенко B.E. Получение, свойства и применение пористого кремния // Зарубежная электронная техника. 1978. -№ 15. - С. 3-27.

5. Lehmann V., Stengl R., Luigart A. On the morphology and the electrochemical formation mechanism of mesoporous silicon // Materials Science and Engineering. 2000. - V. - B69-70. - No 11-12. - P. 11-22.

6. Turner D.R., Electropolishing silicon in hydrofluoric acid solutions // J. Electrochem. Soc. 1958. - V. 105. - No 7. - P. 402-408.

7. Pickering C., Beale M.I.J., Robbins D.J., Pearson P.J., Greet R. Optical studies of the structure of porous silicon films formed in p-type degenerate and non-degenerate silicon // J. Phys. C: Sol. St. Phys. 1984. - V. 17. - No 10. - P. 65356552.

8. Beale M.I.J., Chew N.G., Uren M.J., Cullis A.G., Benjamin J.D. Microstructure and Formation Mechanism of Porous Silicon // Appl. Phys. Lett. 1985. - V.46. -No l.-P. 86-88.

9. Lehmann V., Gosele U. Porous Silicon Formation: A quantum Wire Effect // Appl. Phys. Lett. 1991. - V. 58. -No 8. - P. 856-858.

10. Jung K.H., Shin S., Kwon D.L. Developments in luminescent porous Si // J. Electrochem. Soc., 1993. V. 140. - No 10. - P. 3016-3064.

11. Teschke 0., dos Santos M. C., Kleinke M. U., Soares D. M., and Galvao D. S. Spatially variable reaction in the formation of anodically grown porous silicon structures // J. App. Phys. 1995. - V. 78. - No 1. - P. 590-592.

12. Горячев Д.Н., Беляков Jl.В., Сресели О.М. О механизме образования пористого кремния // Физика и техника полупроводников 2000. - Т. 34. -В. 9.-С. 1130-1134.

13. Gullis A. G., Canham L. Т., Calcott P. D. J. The structural and luminescence properties of porous silicon // Appl. Phys. Lett. 1997. - V. 82. - P. 909-965.

14. Theis W. Optical properties of porous silicon // Surf. Science Rep. 1997. - V. 29.-P. 91-192.

15. Herino R., Bomchil G., Baria K., Bertrand C., Ginoux J. L. Porosity and pore size distribution of porous silicon layers // J. Electrochem. Soc. 1987. - V. 134. - P. 1994-2000.

16. Свечников C.B., Савченко A.B., Сукач Г.А., Евстигнеев A.M., Каганович Э.Б. Светоизлучающие слои пористого: получение, свойства и применение // Оптоэл. и п/п техника. 1994. -.21.- С. 3-29.

17. Rouquerol, J., Avnir, D., Fairbridge, C.W., Everett, D.H., Haynes, J.H., Pernicone, N., Ramsay, J.D.F., Sing, K.S.W., Unger, K.K. Recommendations for the characterization of porous solids // Pure Appl. Chem. 1994. - V. 66. - P. 1739-1758.

18. Canham L. Т., Cullis A. G., Pickering C., Dosser O.D., Cox D.I., Lynch T.P. Luminescent anodized silicon aerocrystal networks prepared by supercritical drying // Nature. 1994. - V. 368. - P. 133.

19. Cullis A. G., Canham L. T. Visible light emission due to quantum size effects in highly porous crystalline silicon // Nature. 1991. - V. 353. - P. 335.

20. Canham L. Т., Groszek A. J. Characterization of microporous silicon by flow calorimetry: comparison with a hydrophobic Si02 molecular sieve // J. Appl. Phys. -1992. V. 72. - No 4. - P. 1558 - 1565.

21. Накамото К. Инфракрасные спектры неорганических и координационных соединений. М.: Мир.,1966. - Пер. с англ. - 345 с.

22. Bai G. R.,. Qi M. W, Xie L. M. and Shi T. S. The isotope study of the Si—H absorption peaks in the FZ—Si grown in hydrogen atmosphere //Sol. Stat. Comm. 1985. - V. 56. - No 3.- P.277-281.

23. Borghei A., Sassella A., Pivac В., Pavesi L. Characterization of porous silicon inhomogeneties by high spatial resolution infrared spectroscopy // Sol. St. Comm. 1993. - V. 87.- No 1.- P. 1-4.

24. Литгл Л. Инфракрасные спектры адсорбированных молекул М.: Мир., 1978. Пер. с англ. -368 с.

25. Xie Y.H., Wilson W.L., Ross F.M., Mucha J.A., Fitzgerald, Macaulay J.M., Harris T.D. Luminescence and structural study of porous silicon films // J. Appl. Phys. 1992. - V. 71. - No 5. - P. 2403-2407.

26. Tsai C., Li K.H., Campbell J.C., Hance B.V., White J.M. Laser-induced degradation of the photoluminescence intensity of porous silicon // J. Electr. Mater. 1992. - V. 21. - No 10. - P. 589-591.

27. Anderson R.C., Muller R.S., Tobias C.W. Chemical surface modification of porous silicon // J. Electrochem. Soc. 1993. - V.140. - No 5. - P.1393-1396.

28. Salonen J., Lehto V-P., Laine E. Thermal oxidation of free-standing porous silicon films"// Appl Phys. Lett. 1997. - V. 70. - P. 637.

29. Yon J.J., Barla K., Herino R., Bomchil G. The kinetics and mechanism of oxide layer formation from porous silicon formed on p-Si substrates // J. Appl. Phys. -1987. V. 62. - No. 3. - P. 1042-1048.

30. Mawhinney D.B., Glass J.A., Yates J.T. FTIR study of the oxidation of porous silicon"//J. Phys. Chem. B.-1997.-V. 101.-No 7.-P. 1202-1206.

31. Robinson M.B., Dillon A.C., Haynes D.R., George S.M. Effect of thermal annealing and surface coverage on porous silicon photoluminescence // Appl. Phys. Lett.- 1992.-V. 61.-No 12.-P. 1414-1416.

32. Ookubo N., Ono H., Ochiai Y., Mochizuki Y., Matsui S. "Effects of thermal annealing on porous silicon photoluminescence dynamics // Appl. Phys. Lett. -1992. V. 61. - No 8. - P. 940-942.

33. Richter H., Wang Z.P., Ley L. The One Phonon Spectrum in Microcrystalline Si // Solid State Communication. 1981. - V.39. - P.625-628.

34. Cambel I. H., Fauchet P. M. The Effect of Microcrystal Size and Shape on the One Phonon Raman Spectra of Crystalline Semiconductors // Solid State Communications. 1986. - V. 58. - P. 739-743.

35. Практикум по общей и неорганической химии, Под редакцией Карапетъянца М.Х., Дракина С.И. М: Высшая школа, 1969. -278 с.

36. Рапопорт Ф.М., Ильинская А.А., Лабораторные методы получения чистых газов, Изд-во химической литературы, 1963. -315 с.

37. Вавилов B.C., Киселев В.Ф., Мукашев Б.Н., Дефекты в кремнии и на его поверхности. М.: Наука, 1990.256 с.

38. McMahon T.J., Xiao Y. Electron spin resonance study of the dangling bond in amorphous Si and porous Si // Appl. Phys. Lett. 1993. - V. 63. - No 12. - P. 1657-1659.

39. Демидов M.E., Шенгуров В.Г., Демидова B.H., Шабанов В.Н. Электронный парамагнитный резонанс в пористом кремнии // ФТП 1994. - Т. 28, №4. -С. 701-705.

40. Xiao Y., McMacon T.J., Pancov J.I., Tsuo Y.S. Existence of a Ры-like defect centers in porous silicon // J. Appl. Phys. 1994. - V. 76. - No3. - P. 1759-1763.

41. Cantin J.L., Schoisswohl M., Bardeleben H.J., Hadj N., Vergnat M. "Electron-paramagnetic-resonance study of the microscopic structure of the Si (100)-Si02 interface // Phys. Rev. B. -1995. V. 52. - No 16. - P. R11599-R11602.

42. Nishi Y. Study of silicon-silicon dioxide structure by electron spin resonance // Jpn. J. Appl. Phys. 1971. - V. 10. - No 1. - P. 52-62.

43. Poindexter E. H., Caplan P. J., Deal В. E., Razouk R. R. Interface states and electron spin resonance centers in thermally oxidized (111) and (100) silicon wafers // J. Appl. Phys. -1981. V. 52. - No 2. - P. 879-884.

44. Helms C.R., Poindexter E.H. The silicon-silicon-dioxide system: its microstructure and imperfection // Rep. Prog. Phys. 1994. - V. 57. - P.791-852.

45. Edwards A.H. in Physics and Chemistry of Si02 Interface, edited by Helms C.R. and Deal B.E. Plenum: New York, 1988. 324 c.

46. Д. Вертц, Д. Болтон, Теория и практические приложения метода ЭПР. М.: Мир1975. -552 с.

47. Е.A. Konstantinova, Р.К. Kashkarov, V.Yu. Timoshenko. Spin centers peculiarities in nanostructures of porous silicon // Physics of Low-Dimensional Structures. 1996. -V. 12. -C. 127-130.

48. Van der Walle C. G. Energies of various configurations of hydrogen in silicon // Phys. Rev. B. 1994. - V. 49. - P. 4579-4585.

49. Sanders G.D., Chang Y.-C. Theory of optical properties of quantum wires in porous silicon // Phys. Rev. B. 1992. - V.45. - P. 9202-9213.

50. C.Delerue, G.Allan, and M.Lannoo Theoretical Aspects of the Luminescence of Porous Silicon // Phys.Rev. B. 1993. -V. 48. - P.l 1024.

51. П.К. Кашкаров, Б.В. Каменев, E.A. Константинова, А.И. Ефимова, А.В. Павликов, В.Ю. Тимошенко. Динамика неравновесных носителей заряда в кремниевых квантовых нитях // УФН. 1998. - Т. 168, № 5. - С. 577-582.

52. M.G. Lisachenko, E.A. Konstantinova, Р.К. Kashkarov, V.Yu. Timoshenko. Dielectric effect in silicon quantum wires // Phys. Stat. Sol. (a). 2000. - V. 182, № 1.-P.297-300.

53. Ландау Л.Д., Лифшиц Е.М. Квантовая механика. Нерелятивистская теория М.: Наука, 1989. 426 с.

54. Бабиченко B.C., Келдыш Л.В., Силин А.П. Кулоновское взаимодействие в тонких полупроводниковых и полуметалических нитях // ФТТ. 1980. - Т. 22. - С. 1238-1240.

55. Иваненко Д.Д., Соколов А.А. Классическая теория поля Л.: ГИТТЛ., 1949. -477 с.

56. Р. П. Федоренко Введение в вычислительную физику МФТИ, 1994. -487 с.

57. П.К. Кашкаров, В.Ю. Тимошенко, Е.А. Константинова, С.А. Петрова. О рекомбинации носителей заряда в пористом кремнии // ФТП. 1994. - Т. 28, вып. 1.-С. 100-104.

58. Th. Dittrich, Р.К. Kashkarov, Е.А. Konstantinova, V.Yu. Timoshenko. Relaxation mechanisms of electronic excitation in nanostructures of porous silicon // Thin Solid Films. 1995. - V. 255. - P. 74-76.

59. Ю.В.Копаев., C.H. Молотков, C.C. Назин I¡Размерный эффект в квантовых проводах кремния!! Письма в ЖЭТФ. 1992. - Т. 55ю - вып. 12. - С. 696700.

60. Buda F., Kohanoff J., Parrinello M. Optical properties of porous silicon: a first-principles study // Phys. Rev. Lett. 1992. - V. 69, No.8. - P. 1272-1275.

61. Delley В., Steigmeier E. F. Size dependence of band gaps in silicon nanostructures // Appl. Phys. Lett. 1995. - V. 67. - P. 2370-2371.

62. Вао X.-M., Wu X.-W., Zheng X.-Q., Yan F. Photoluminescence spectrum shifts of porous Si by spontaneous oxidation // Phys.Stat.Sol.(a). 1994. - V. 141. - P. K63-K66.

63. T. Tamura, A. Takazawa, M. Yamada. Blueshifts in the photoluminescence of porous Si by immersion in deionized water // Jpn. J. Appl. Phys. 1993. - V. 32 part 2. - No. ЗА. - P.L322-L325.

64. Myrayama K., Miyazaki S., Hirose M., "Visible photoluminescence from porous silicon // Jpn. J. Appl. Phys. 1992. - V. 31 part 2. - No. 9B. - P. L1358-L1361.

65. П.К. Кашкаров, Е.А. Константинова, С.А. Петрова, В.Ю. Тимошенко, А.Э. Юнович. К вопросу о температурной зависимости фотолюминесценции пористого кремния // ФТП. 1997. - Т. 31, вып. 6. - С. 745-748.

66. N.Yassievich Recombination-Induced Defect Heating and Related Phenomena // Semicond. Sci. Technol. 1994 V. 9. - P. 1433 (1994).

67. П.К. Кашкаров, Е.А. Константинова, В.Ю. Тимошенко. Механизмы влияния адсорбции молекул на рекомбинационные процессы в пористом кремнии // ФТП. 1996. - Т. 30, вып. 8. - С. 1479-1490.

68. Е.А. Konstantinova, V.Yu. Timoshenko, Р.К. Kashkarov. Effect of molecular adsorption on photoluminescence and spin centers in porous silicon // Ukrainian Journal of Physics. 1996. - T. 41, no.l 1-12. - С. 1103-1109.

69. Р.К. Kashkarov, E.A. Konstantinova, A.V. Pavlikov, V.Yu. Timoshenko. Influence of ambient dielectric properties on the luminescence in quantum wires of porous silicon // Physics of Low-Dimensional Structures. 1997. - V. 1/2. -C. 123-130.

70. Th. Dittrich, E.A. Konstantinova, V.Yu. Timoshenko. Influence of molecule adsorption on porous silicon photoluminescence // Thin Solid Films. 1995. - V. 255. - P. 238-240.

71. P.Maly, Picosecond and millisecond dynamics of photoexcited carriers in porous silicon // Phys.Rev. 1996. - V. B54, no. 11. - P. 7929-7936.

72. Киселев В. Ф., Крылов О. В. Электронные явления в адсорбции и катализе на полупроводниках и диэлектриках М.: Наука, 1979.

73. Волькенштейн Ф. Ф., Электронные процессы на поверхности полупроводников при хемосорбции М.: Наука,1987. -468 с.

74. Chiesa М., Amato G., Boarino L., Garrone E., Geobaldo F., Giamello E. Reversible Insulator-to-Metal Transition in p+-type mesoporous silicon induced by the adsorption of ammonia // Angew. Chem. Int. Ed. 2003. - V. 42. - P. 5032-5035.

75. Boarino L., Baratto C., Geobaldo F., Amato G., Comini E., Rossi A.M., Faglia G., Lerondel G., Sberveglieri G. "N02 monitoring at room temperature by a porous silicon gas sensor // Mater. Sci. Engin. B. 2000. - V. 69-70. - PP. 210214.

76. Rocchia M., Garrone E., Geobaldo F., Boarino L., Sailor M. J. Sensing C02 in a chemically modified porous silicon film // Phys. Stat. Sol. (a). 2003. - V. 197. -No2.-P. 365-369.

77. Geobaldo F., Onida В., Rivolo P., Borini S., Boarino L., Rossi A., Amato G., Garrone E. "IR detection of N02 using p+ porous silicon as high sensitivity sensor"//Chem. Commun. -2001. P. 2196-2197.

78. E.A. Константинова, Ю.В. Рябчиков, JI.А. Осминкина, А.С.Воронцов, П.К. Кашкаров. Влияние адсорбции донорных и акцепторных молекул на рекомбинационные свойства кремниевых нанокристаллов // ФТП. 2004. -Т. 38.-№11.-С. 1386-1391.

79. Несмеянов А.Н., Несмеянов Н.А., Начала органической химии М.: Химия, Т. 2,1974. -298 с.

80. Е.A. Konstantinova, Th. Dittrich, V.Yu. Timoshenko, P.K. Kashkarov Adsorption induced modification of spin and recombination centers in porous silicon // Thin Solid Films. 1996. - V. 276. - P. 265-267 0.

81. Baneijee S., Narasimhan K.L., Sardesai A, Role of hydrogen and oxygen-terminated surfaces in the luminescence of porous silicon// Phys. Rev.B. 1994. -V. 49.-No 4.-P. 2915-2918.

82. Nishitani H., Nakata H., Fujiwara Y., Ohyama T. Light-induced degradation and recovery of visible photoluminescence in porous silicon// Jpn. J. Appl. Phys. -1992. V. 31. - pt.2. - No 1 IB. pp.L1557-L1579.

83. Hamilton B. Topical review: Porous silicon // Semicond. Sci. & TechnoL. -1995.-V.10.-P. 1187-1207.

84. Бресслер M.C., Яссиевич И.И, Физические свойства и фотолюминесценция пористого кремния // ФТП. 1993. - т. 27. - №5. - С.871-883.

85. DA. Redman, D.M, Follstaedt, T.R. Guilinger, MJ. Kelly. Photoluminescence and passivation of silicon nanostructures // Appl. Phys. Lett. 1994. - V. 65. - P. 2386-2388.

86. L. Pavesti, G. Giebel, F. Ziglio, G. Mariotto, F. Priolo, S.V. Campisano, C. Spinella. Nanocrystal size modifications porous silicon by preanodization ion implantation // Appl. Phys. Lett. 1994. - V. 65. - P. 2182-2184.

87. F Namavar, Feng Lu, C.H. Perry, RA. Siref. Strong room-temperature infrared emission from Er-imlanted porous Si // J. Appl. Phys. 1995. - V. 77. - P. 48134815.

88. B.B. Ушаков, B.A. Дравин, H.H. Мельник, В.А. Караванский, Е.А. Константинова, В.Ю. Тимошенко. Радиационная стойкость пористого кремния ФТП. 1997. - Т. 31, вып. 9. - С. 1126-1129.

89. Х. Риссел, И. Руге. Ионная имплантация М.: Наука 1983. -476 с.

90. Решина И.И., Гук Е.Г. Комбинационное рассеяние и люминесценция пористого кремния // ФТП. -1993. Т. 27, вып. 5. - С. 728-735.

91. П.К. Кашкаров, В.Ю. Тимошенко, Е.А. Константинова, С.А. Петрова. О рекомбинации носителей заряда в пористом кремнии // ФТП. 1994. - Т. 28, вып. 1.-С. 100-104.

92. В.Ю. Тимошенко, Е.А. Константинова, Т. Дитрих. Исследование фотоэдс в структурах пористый Si / Si методом импульсного фотонапряжения // ФТП. 1998. - Т. 32, вып. 5. - С. 613-619.

93. Р.К. Kashkarov, Е.А. Konstantinova, А.В. Matveeva, V.Yu. Timoshenko. Photovoltage and Photo-Induced Charge Trapping in Porous Silicon // Appl. Phys. A. 1996. - V. 62. - P. 547-551.

94. V.Yu. Timoshenko, A.B. Matveeva, E.A. Konstantinova, P.K. Kashkarov, H. Flietner, Th. Dittrich. Influence of photoluminescence and trapping on the photovoltage at the por-Si/p-Si interface // Thin Solid Films. 1996. - V. 276. -P. 216-218.

95. А.Б. Матвеева, E.A. Константинова, В.Ю. Тимошенко, П.К. Кашкаров. Исследование фотоэдс и фотоиндуцированного захвата заряда в пористом кремнии // ФТП. 1995. - Т. 29, вып. 12. - С. 2180-2188.

96. П.К. Кашкаров, Е.А. Константинова, А.В. Петров, А.Г. Петрухин, В.Ю. Тимошенко. Особенности накопления заряда на поверхности пористого кремния // Поверхность. Физика, химия, механика. 1994. - № 6. -С. 75-78.

97. Yan F., Bao Х.-М., Gao Т. Photovoltage spectra of silicon/porous silicon heterojunction // Sol. St. Comm. -1994. V. 91, No5. - P. 341-343.

98. Jonson E.O. Large signal surface photovoltage studies with germanium // Phys. Rev., 1958.-V. 111.-P. 153-166.

99. Th. Dittrich, M. Braue, L. Elstner. Simultaneous determination of surface potential and excess carrier concentration with the pulsed surface photovoltage method // Phys. Stat. Sol. (a), 1993. V. 137. - P. K29-K32

100. Watanabe K. Increase in effective carries lifetime of silicon at low carrier injection levels // Semicond. Sci. Technol., 1994. V. 9. - P. 370-372.

101. Киселев В.Ф., Козлов С.Н., Зотеев A.B. Основы физики поверхности твердого тела. М.: Изд. Московского Университета, Физич. факультет МГУ им. М.В. Ломоносова, 1999. 288 с.

102. M.Lannoo, C.Delerue, G.Allan Theory of radiative and nonradiative transitions for semiconductor nanocrystals II Journal of Lumin. 1996, V. 70. -P. 170-184.

103. В. И. Гавриленко, A. M. Грехов, Д. В. Корбутяк, В. Г. Литовченко Оптические свойства полупроводников Киев: Наукова думка, 1987. -608 с.

104. Y.M.Niquet, C.Delerue, G.Allan, M.Lannoo Method for tight-binding parametrization: Application to silicon nanostructures II Phys. Rev. B. 2000. -V. 62.-P. 5109-5116.

105. Timoshenko V.Yu., Dittrich Th., Lysenko V., Lisachenko M.G., Koch F. Free carriers in mesoporous silicon // Phys. Rev. B. 2001. - V. 64. -P. 085314.

106. Lehmann V., Hofmann F., Möller F., Grüning U. Resistivity of porous silicon: a surface effect// Thin Solid Films. 1995. - V. 255. - No 1. - P. 20-22.

107. Polisski G., Kovalev D., Dollinger G.G., Sulima T., Koch F. Boron in mesoporous Si — Where have all the carriers gone? // Physica В. 1999. - V. 273-274.-P. 951-954.

108. Timoshenko V. Yu., Dittrich Th., Koch F. Infrared free carrier absorption in mesoporous silicon // Phys. Stat, sol (b). 2000. - V. 222. - P. R1-R2.

109. Уханов Ю.И. Оптические свойства полупроводников M.: Наука, 1977. -366 с.

110. Шалимова К.В. Физика полупроводников М.: Энергоатомиздат 1985. -392 с.

111. Борн М., Вольф Э. Основы оптики М.: Наука 1970. -654 с.

112. Бонч-Бруевич В.Л., Калашников С.Г. Физика полупроводников М.: Наука, 1990. -688 с.

113. Bruggeman D.A.G Berechnung verschiedener physikalisher Konstanten von heterogen Substanzen // Annalen der Physik. 1935. - V. 24. - P. 636-664.

114. A. V. Pavlikov, L. A. Osminkina, E. A. Konstantinova A. I. Efimova, E. V. Kurepina, V. Yu. Timoshenko, P. K. Kashkarov. Optical study ofequilibrium charge carriers in mesoporous silicon // Phys. stat. sol (c). 2005. -V. 2, №. 9.-P. 3495-3499.

115. Нага H., Nishi Y. Free carrier absorption in p-type silicon // J. Phys. Soc. Jpn. 1966. - V. 21. - P. 1222.

116. Spitzer W., Fan H.Y. Infrared Absorption in n-type silicon // Phys. Rew., 1957.-V. 108.-No2.-P. 268-271.

117. Иван Федоров Краткий справочник физико-химических величин, С.Петербург., 2002. -288 с.

118. Е.А. Константинова, J1.A. Осминкина, К.С. Шаров, Е.В. Курепина, П.К. Кашкаров, В.Ю. Тимошенко. Взаимодействие молекул диоксида азота с поверхностью кремниевых нанокристаллов в слоях пористого кремния // ЖЭТФ. 2004. - Т. 126, № 10. - С. 857-865.

119. Е.А. Konstantinova, L.A. Osminkina, C.S. Sharov, V.Yu. Timoshenko, P.K. Kashkarov. Influence of N02 molecule adsorption on free charge carriers and spin centers in porous silicon // Phys. stat. sol (a). 2005. - V. 202, №. 8. -P. 1592-1596.

120. JI.A. Осминкина, Е.А. Константинова, К.С. Шаров, П.К. Кашкаров, В.Ю. Тимошенко. Роль примеси бора в слоях пористого кремния для активации в них свободных носителей заряда при адсорбции акцепторных молекул // ФТП. 2005. - Т. 39, вып. 3. - С. 365-368.

121. C.S. Sharov, Е.А. Konstantinova, L.A. Osminkina, V.Yu. Timoshenko, P.K. Kashkarov. Chemical Modification of a Porous Silicon Surface Induced by Nitrogen Dioxide Adsorption // J. Phys. Chem. B. 2005. - V. 109. - P. 46844693.

122. Беллами JI. Инфракрасные спектры сложных молекул М.: ИЛ 1963. -215 с.

123. Беллами Л. Новые данные по ИК-спектрам сложных молекул М.: Мир, 1971.-234 с.

124. Наканиси К. Инфракрасные спектры и строение органических соединений М.: Мир,1965. -266 с.

125. Y. Yang, J.A. Yarmoff. // Surf. Sci. 2004. - V. 573. - P. 335

126. D.Rioux, F.Stepniak, RJ.Pechman, J.H. Weaver. // Phys.Rev.B. 1995. -V. 51.-P. 10981

127. К Kurita, T. Shingyouji // Jpn. J. Appl. Phys. 1999. - 38. - P. 5710

128. Jl.A. Осминкина, A.C. Воронцов, E.A. Константинова, В.Ю. Тимошенко, П.К. Кашкаров. Влияние адсорбции молекул пиридина на концентрацию свободных носителей заряда и спиновых центров в слоях пористого кремния // ФТП. 2005. - Т. 39, вып. 4. - С. 482-486.

129. Lawerhaas J.M., Sailor M.J, Chemical modification of the photoluminescence quenching of porous silicon // Science. 1993. - V. 261. - P. 1567-1568.

130. Ben-Chorin M., Kux A., Schechter I. Adsorbate effects on PL and electrical conductivity of porous silicon // Appl.Phys.Lett. 1994. - V. 64. - No 4.-P. 481-483.

131. M. Chiesa, G. Amato, L. Boarino, E. Garrone, F. Geobaldo, E. Giamello. Effect of ammonia adsorption on porous silicon surface // Angew. Chem. -2003. -V. 42.-P. 5031.

132. L. Packer and Н. Sies, Singlet Oxygen, UV-A, and Ozone // London: Academic Press, 2000. -234 c.

133. Turro N.J. Modern molecular photochemistry, University Science Books, Sausalito, CA, 1991.-198 c.

134. Gilbert D.L., Colton C.A. Reactive oxygen species in biological system, Plenum, New York 1999. -229 c.

135. Moser J. G. Photodynamic Tumor Therapy: 2nd and 3rd Generation Photosensitizers Harwood Academic Publishers, Amsterdam, 1998. -265 c.

136. Rabeck J.F. Photochemistry and photophysics CRC Press, Boca Raton, 1990.-256 c.

137. D. Kovalev, Gross, N. Ktinzner, F. Koch, V.Yu. Timoshenko, M. Fujii. Resonant Electronic Energy Transfer from Excitons Confined in Silicon Nanocrystals to Oxygen Molecules // Phys. Rev. Lett. 2002. -V. 89. - P. 137401-1-4.

138. D. Kovalev, E. Gross, J. Diener, V. Yu. Timoshenko, M. Fujii. Photodegradation of porous silicon induced by photogenerated singlet oxygen molecules // Appl. Phys. Lett. 2004. - V 85. - P.3590-3593.

139. Timoshenko. Time-resolved photoluminescence studies of the energy transfer from excitons confined in Si nanocrystals to oxygen molecules // Phys. Rev. B. -2005.-V. 72.-P. 165321.

140. Ч. Пул, Техника ЭПР-спектроскопии, «Мир», Москва, 1970. -496 с.

141. Е.А. Константинова, В.Ю. Тимошенко, П.К. Кашкаров. Особенности спиновых центров на поверхности пористого кремния // Поверхность. Физика, химия, механика. 1996. - № 2. - С. 32-35.

142. Dexter D.L. //J. Chem. Phys. -1953. V. 21. - P. 836-847.

143. А. Керингтон, Э. Мак-Лечлан Магнитный резонанс и его применение в химии Москва: Мир, 1970. -448 с.

144. Е.А. Константинова, В.А. Демин, В.Ю. Тимошенко, П.К. Кашкаров. ЭПР-диагностика фотосенсибилизированной генерации синглетногокислорода на поверхности нанокристаллов кремния // Письма в ЖЭТФ. -2007.-Т. 85, вып. 1.-С. 65-68.

145. B.W. Henderson, V.H. Fingar, Oxygen Limitation of Direct Tumor Cell Kill During Photodynamic Treatment of a Murine Tumor Model // Photochem. Photobiol. 1989. -V. 49. - P. 299.

146. Yokomichi Н., Takakura Н., Kondo М. Electron spin resonance centers and light-induced effects in porous silicon // Jpn. J. Appl. Phys. 1993. - V. 32. -part 2. - No 3B. - P. L365-L367.

147. Meyer B.K., Petrova-Koch V., Muschik Т., Linke H., Omling P., Lehmann V. Electron spin resonance investigations of oxidized porous silicon // Appl. Phys. Lett. 1993. - V. 63, No. 14. - P. 1930-1932.

148. Bhat S.V., Jayaram K., Victor D., Sood A.K. Electron paramagnetic resonance study of porous silicon // Appl. Phys. Lett. 1992. - V. 60, No. 17. - P. 2116-2117.

149. Carlos W.E., Prokes S.M. Light-induced electron spin resonance in porous silicon // Appl. Phys. Lett. 1994. - V. 65, No. 10. - P. 1245-1247.

150. E.L. Hahn, Spin echoes // Phys. Rev. 1950. - V. 80. - P. 580.

151. H.M. Померанцев, Явление спиновых эхо и его применение // УФН. -1958.-V. 65. -Р. 1.

152. Сликтер Ч. Основы теории магнитного резонанса. М.: Мир, 1967. -324 с.

153. Carr H.Y., Purcell E.M. Effects of Diffusion on Free Precession in Nuclear Magnetic Resonance Experiments // Phys. Rev. 1954. - V. 94. - P. 630-643.

154. Bloch F., Siegert A. Magnetic Resonance for Nonrotating Fields // Phys. Rev. 1940. - V. 57. - P. 522-529.

155. Vahtras O., Loboda O., Minaev B., Ägren H., Ruud K. Ab Initio Calculations of Zero-Field Splitting Parameters // Chem. Phys. 2002. - V. 279. -P. 133-142.

156. Lepine D.J. "Spin-dependent recombination on silicon surface"// Phys. Rev. B. -1972. V. 6, no. 2. - P.436-441.

157. Lyer S.S., Xie Y.H. Light emission from porous silicon // Science. 1993. - V. 260, no. 5104.-P. 133-142.

158. Weng Y.M., Fan zh.N., Zong X.F. Luminescence studies on porous silicon // Appl. Phys. Lett. 1993. - V. 63, no.2. - P. 168-170.

159. Zheng X.L., Chen H.C., Wang W. Laser induced oxygen adsorption and intensity degradation of porous silicon // Appl. Phys. Lett. 1992. - V. 72, no.8. -P. 3841-3842.

160. Petrova-Koch V., Muschik T., Kux A., Meyer B.K., Kox F., Lehmann V. Rapid-thermal-oxidized porous silicon the superior photoluminescent Si // Appl. Phys. Lett. - 1992. - V. 61, no.8. - P. 943-945.