Формирование границы раздела при послойном росте Cr, Co и Fe на Si(111) тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 01.04.07, кандидат физико-математических наук Ильященко, Владимир Михайлович

• Ильященко, Владимир Михайлович
• кандидат физико-математических наук
• 2007

Оглавление диссертации кандидат физико-математических наук Ильященко, Владимир Михайлович

Введение

1. Исследование механизма роста и свойств тонких пленок переходных металлов на кремнии (Литературный обзор)

1.1. Рост, структура и морфология нанослоев Со, Сг и Fe на кремнии

1.2. Электрофизические характеристики нанослоев переходных металлов на кремнии

2. Экспериментальное оборудование и методы исследования

2.1. Экспериментальная установка

2.2. Подготовка подложек и образцов

2.3. Методика осаждения металлов

2.4. Оценка температуры косвенного нагрева образца от источника металла

2.5. Оже- электронная спектроскопия, спектроскопия характеристических потерь энергии электронов и дифракция медленных электронов

2.6. Электрофизические измерения

3. Исследование влияния условий роста на формирование границы

раздела

3.1. Рост кобальта на Si(l 11)

3.2. Рост хрома на Si(111)

3.3. "Ex situ" измерения электрофизических свойств гетеросистем кобальт/Si(111) и хром/Si(111)

3.4. Рост железа на Si(lll)

4. Послойный рост кобальта на Si(lll): электронная структура и транспорт

4.1. Данные ЭОС: изменение состава пленки в процессе послойного роста.

4.2. Спектры ХПЭЭ и электронное распределение в пленках 83 кобальта на Si(lll).

4.3. "In situ" исследование проводимости в пленках кобальта

HaSi(lll)

5. Исследование влияния модификации состояния поверхности

Si(lll) на механизм роста нанослоев кобальта

5.1. Зависимости интенсивности Оже-пиков от толщины

5.2. Электронные Оже-спектры

5.3. Спектры характеристических потерь энергии электронов

5.4. Зависимость проводимости от толщины 93 Заключение 98 Список литературы

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Формирование границы раздела при послойном росте Cr, Co и Fe на Si(111)»

Выбор переходных и магнитных металлов и их силицидов, как потенциальных материалов наноэлектроники, спинтроники и оптоэлектроники, обусловлен их стабильностью, способностью расти на кремнии с небольшим рассогласованием решеток, а также их металлическими, магнитными и полупроводниковыми свойствами. Рост и свойства нанослоев или сверхтонких, толщиной <1 нм, пленок немагнитных и магнитных переходных металлов на атомарно-чистой поверхности кремни с резкой границей раздела имеют фундаментальное и прикладное значение [5]. В таких тонких слоях можно ожидать формирование новых тонкопленочных нанофаз и новые свойства этих пленок вследствие квантоворазмерных эффектов и модификации их электронной структуры подложкой. С другой стороны, гетероструктуры на основе металлов и силицидов на кремнии расширяют функциональные возможности кремниевой микроэлектроники. Они находят применение в быстродействующих КМОП-интегральных схемах, в быстродействующих и перестраиваемых по длине волны ИК - фотоприемниках, для построения спин-управляемых транзисторов, наноэлектронных схем, а также терабитовых систем памяти с произвольной выборкой. Наноструктуры на основе силицидов представляют, кроме того, интерес для приборов оптоэлектроники (светодиоды и т.д.) и термоэлектроники (термоэлектрические преобразователи).

В последнее время этому направлению уделяется значительное внимание во всех ведущих мировых центрах по наноэлектронике и физике наноструктур, поскольку использование в дополнение к заряду еще и спина электрона делает информационные системы значительно более универсальными и мощными. В частности на приборах спинтроники предполагается построение квантовых компьютеров.

Одним из путей создания таких наноструктур является самоорганизующийся молекулярно-лучевой рост упорядоченных ансамблей объектов наноразмерной толщины (наноточек, нанопроволок) переходных магнитных металлов на наноструктурированной подложке кремния. Самоорганизация происходит вследствие селективного зарождения на упорядоченных центрах (ступени, элементы ячеек сверхструктурно-реконструированной поверхности, искусственно-созданный рельеф), а также под влиянием упругих напряжений в подложке и в самих нанообъектах. При этом для переходных металлов на кремнии определяющее значение имеет кинетика роста, так различное термодинамическое равновесное состояние реализуется при соответствующем составе и толщине покрытия. Последние зависят от конкуренции ряда кинетических параметров осаждения (скорость поверхностной диффузии, скорость агломерации, скорость зарождения и т.д.) со скоростью диффузии в подложку и реакцией перемешивания, которая для переходных металлов имеет существенное значение [6]. Причинами перемешивания являются взаимная диффузия, активированная реакцией между атомами переходного металла и поверхностью кремния, температура подложки, и/или кинетическая энергия молекулярного пучка.

Механизм реакции переходного металла с поверхностью Si(lll) 7x7 при комнатной температуре связан с частичным внедрением атомов металла, имеющих достаточную кинетическую энергию, внутрь приповерхностного слоя подложки Si(lll) в процессе вакуумного осаждения из сублимационного источника. Внедрение атомов металла из молекулярного пучка в междоузлия и узлы приповерхностного слоя решетки Si - это фундаментальный процесс, определяющий все последующие стадии формирования границы раздела. Вероятность этого процесса напрямую зависит от кинетической энергии атомов и коллективных эффектов взаимодействия атомов, осажденных на поверхность. Исключение этого внедрения и последующей реакции силицидообразования возможно, если обеспечить низкую кинетическую энергию атомов в пучке и высокую плотность атомного потока. Увеличение скорости осаждения ведет также к увеличению поверхностной диффузии и/или плотности центров зародышеобразования.

С целью предотвращения перемешивания и получения сверхтонких пленок переходных металлов на кремнии было предложено проводить осаждение из ленточного источника. По отношению к методам осаждения из точечного источника (эффузионная ячейка, испарение электронным пучком), использование большой площади приводит, либо к уменьшению температуры потока и, следовательно, его кинетической энергии, либо к увеличению его плотности [60,61]. Однако использование ленточного источника в случае значительного перегрева ленты может приводить и к противоположному результату - граничной взаимодиффузии и росту силицида, вследствие высокой тепловой мощности, переносимой атомным пучком к подложке.

Целью диссертационной работы являлось 1) получение послойного роста Сг, Со и Fe на атомарно-чистой поверхности Si(lll) и 2) исследование механизма формирования, состава и электронной структуры границы раздела, а также электрических транспортных свойств полученных двумерных фаз и нанослоев.

Основные задачи работы включали в себя:

1. Исследование влияния параметров осаждения (температура потока, степень непрерывности потока), а также состояния поверхности (рельеф, затравочные центры, силицидная прослойка) на формирование границы раздела переходной металл - атомарно-чистая поверхность кремния.

2. Определение условий осаждения для обеспечения послойного роста на чистой поверхности кремния.

3. Исследование пространственной электронной структуры и проводимости двумерных покрытий и сверхтонких пленок переходных металлов на кремнии в процессе их роста.

Научная новизна

1. На основе исследования механизма роста в зависимости от условий осаждения (температура потока, степень непрерывности потока) впервые был разработан метод послойного роста Сг, Со и Fe на Si(lll) для получения резкой границы раздела между переходным металлом и подложкой кремния. Показано, что уменьшение кинетической энергии атомов в пучке позволяет в значительной степени уменьшить внедрение и силицидообразование и тем самым реализовать рост практически чистого переходного металла на кремнии. Впервые была получена пленка переходного (Сг) и магнитного переходного металла (Fe, Со), а также его силицида (FeSi) на кремнии без прослойки и с толщиной, изменяющейся от монослоя до десятка монослоев.

2. Впервые были исследованы электронная плотность пленок Сг, Со и Fe субнанометровых толщин при их послойном росте на кремнии. Показано, что в диапазоне толщин 0-2 А в пленке Со на Si(lll) и подповерхностной области подложки Si(lll), имеет место уменьшение и соответственно увеличение концентрации электронов, связанное с их перераспределением на границе раздела.

3. Впервые была исследована проводимость пленок Со субнанометровых толщин при их послойном росте на кремнии. Обнаружен квантово-размерный тип поведения зависимости проводимости от толщины после 1-го монослоя.

4. Было впервые показано, что отклонение от послойного механизма роста пленки Со на Si(lll) при модификации поверхности Si(lll) проявляется как в зависимости электронной плотности в системе пленка-подложка, так и в зависимости её проводимости от толщины.

На защиту выносятся: следующие научные положения:

1. Уменьшение кинетической энергии пучка способствует послойному росту Сг, Со и Fe на Si(lll) и формированию резкой границы раздела, а увеличение - формированию силицида.

2. Обнаружено перераспределение плотности валентных электронов из пленки Со в подложку Si(lll) в процессе ее послойного роста: в приповерхностной области подложки наблюдалась повышенная концентрация валентных электронов по сравнению с объемным Si, а в пленке Со, толщиной 2-3 А, - пониженная концентрация по сравнению с объемным Со.

3. Изменение состояния поверхности подложки изменяет характер распределения электронной плотности на границе раздела, механизм роста Со на Si(lll) и зависимость сопротивления от толщины, которая коррелирует с механизмом роста.

4. Зависимость удельного сопротивления от толщины в случае послойного роста имеет экпоненциально-подобный спадающий характер в области толщин равных одной - двум длинам волны Де Бройля.

Научная и практическая ценность.

Полученные в настоящей работе экспериментальные результаты дают сведения об оптимальных условиях формирования резкой границы раздела в нанослоях переходных металлов на Si(lll). Найдены параметры импульсного источника, условия осаждения и состояние поверхности, определяющие последующий механизм роста Сг, Со и Fe на Si(lll). Разработанная методика выращивания сверхтонких нанослоев переходных металлов на кремнии может быть положена в основу технологии создания приборов наноэлектроники.

Апробация работы. Результаты диссертационной работы докладывались и обсуждались на II Международной научно-практической конференции студентов, аспирантов и молодых ученых "Высокие интеллектуальные технологии развития профессионального образования и науки". 25-28 апреля 2000 г. г. Владивосток ВГУЭС; III Международной научно-практической конференции студентов, аспирантов и молодых ученых "Научный потенциал вузов - на развитие производительных сил приморского края". 3-13 апреля 2001 г. г. Владивосток ВГУЭС; осенней школе "Diffusion and Reactions at Solid-Solid interfaces" г. Халле, Германия 2001 г.; Ill Региональной научной конференции "Физика: фундаментальные и прикладные исследования, образование" 27-29 мая 2002 г. Благовещенск АмГУ; VI Региональной конференции студентов аспирантов и молодых ученых по физике полупроводников, диэлектриков и магнитных материалов. 2-3 декабря 2002 г. Владивосток ИАПУ ДВО РАН; The Fifth Russia-Japan Seminar on Semiconductor Surfaces, September 15-20, 2002, Vladivostok, Russia; V Региональной научной конференции "Физика: фундаментальные и прикладные исследования, образование" 2-4 октября 2003 г. Владивосток ИАПУ ДВО РАН; VIII Региональная конференция студентов, аспирантов и молодых ученых по физике полупроводниковых, диэлектрических и магнитных материалов "ПДММ-2004", 17-19 мая, 2004; VI Международная очно - заочная научно-практическая конференция студентов, аспирантов и молодых исследователей "Интеллектуальный потенциал вузов - на развитие Дальневосточного региона России", 19-20 мая, 2004; The Sixth Japan-Russia Seminar on Semiconductor Surfaces "JRSSS-6", October 10-17, 2004; Региональная конференция студентов, аспирантов и молодых ученых по физике, 18-19 ноября, 2004. Владивосток; ISSS-4, November 14-17, 2005, Saitama, Japan; Региональная конференция студентов, аспирантов и молодых ученых по физике, 13-15 декабря, 2005. Владивосток.

Публикации. Основные результаты, вошедшие в диссертацию, изложены в 7-и статьях в научных журналах и сборниках, а также в 13-ати тезисах докладов, которые были представлены на Региональных и Международных конференциях, школах и семинарах.

Структура и объем диссертации. Диссертация состоит из введения, пяти глав, заключения и списка цитируемой литературы. Общий объем диссертации составляет 110 страниц, включает 39 рисунков, 3 таблицы и список литературы из 116 наименований.

Заключение диссертации по теме «Физика конденсированного состояния», Ильященко, Владимир Михайлович

Заключение

На основе проведенных исследований получены следующие результаты:

1. Методами ЭОС и ХПЭЭ показано влияние параметров осаждения на изменение механизма роста нанослоев Сг, Со и Fe на кремнии. Показано, что наряду с увеличением скорости осаждения и формированием прослойки, уменьшение кинетической энергии пучка, прерывистое осаждение и уменьшение косвенного нагрева подложки способствуют послойному росту Сг, Со и Fe.

2. Получен послойный рост нанослоев Со, Сг, Fe и FeSi на кремнии и измерены величины сопротивления мезоструктур из нанослоев Со и Сг. Показано, что послойный рост Сг и Со на Si(lll) для ленточного источника реализуется при длительности импульса нагрева Та ленты, равной 1 сек, и при температуре ее нагрева в 1450 °С, а послойный рост Fe в случае W спирали реализуется при длительности нагрева спирали равной 60 сек, и при температуре ее нагрева в 1100 °С.

3. В двумерной системе Co-Si(l 11) определены изменения в электронной плотности с толщиной Со и с изменением состояния подложки Si(lll). Обнаружено перераспределение плотности валентных электронов из пленки Со в подложку Si(lll): в приповерхностной области подложки наблюдалась повышенная концентрация валентных электронов по сравнению с объемным Si, а в пленке Со (толщиной <3 А), - пониженная концентрация электронов по сравнению с объемным Со.

4. Определен характер изменения проводимости с толщиной и с изменением состояния подложки в двумерной системе Co-Si(lll). Показано влияние состояния поверхности подложки после ее модификации на механизм роста Со на Si(lll) и влияние механизма роста на зависимость сопротивления от толщины. В случае послойного роста последняя имела экспоненциально-подобный, спадающий характер в диапазоне квантоворазмерных толщин (одна - две длины волны Де Бройля).

Автор выражает глубокую благодарность Н. И. Плюснину за научное руководство, непосредственную помощь в проведении экспериментов и помощь на всех этапах работы над диссертацией, а также благодарность всем сотрудникам НТЦ Института автоматики и процессов управления ДВО РАН за содействие в работе. Отдельно автор выражает благодарность С.А. Китань и С.В. Крылову за участие в экспериментах.

Также выражаю благодарность за информационную и техническую поддержку соответствующим службам Института автоматики и процессов управления.

Список литературы диссертационного исследования кандидат физико-математических наук Ильященко, Владимир Михайлович, 2007 год

1. Плюснин Н.И., Миленин А.П. Кинетический механизм формирования границы раздела металл-полупроводник// Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования.- 1997.-№3.-с. 36-44.

2. Плюснин Н. И., Галкин Н. Г., Каменев А. Н., Лифшиц В. Г., Лобачев С. А. Атомное перемешивание на границе раздела Si-Cr и начальные стадии эпитаксии CrSi2//Поверхность. 9 (1989) стр. 55-61.

3. Лифшиц В. Г., Плюснин Н. И. Электронное взаимодействие и силицидообразование в системе Cr-Si(lll) на начальной стадии роста// Поверхность. 9 (1984) стр. 78-84.

4. N.I. Plusnin, N.G. Galkin, V.G. Lifshits, S.A. Lobachev. Formation of interfaces and templates in the Si(l 11)-Cr system// Surf. Rev. Lett., 2 (1995) 439-449.

5. B. Heinrich, Ultrathin Magnetic Structures II. Measurement Techniques and Novel Magnetic Properties/ Edited by J.A.C.Bland -Berlin-Paris-Tokyo-Hong-Kong-Barselona-Budapest: Springer-Verlag, 1994. -350p.

6. G. Rossi, // Surf.Sci.Repts. (1987) Vo. 7 No. Pt. p. 1-101.

7. Zhang Z., Lagally M.G. Atomistic processes in the early stages of thin-film growth// Science (1997) Vo. 276 No. Pt. p. 377 383

8. N.I. Plusnin, A.P. Milenin, D.P. Prihod'ko. Formation of the Co/Si(l 11)7x7 interface: AES- and EELS-study// Applied Surface Science 166 (2000) 125-129.

9. S. A. Chambers, F. Boscherini, S. B. Anderson, J. J. Joyce, H. W. Chen, M. W. Ruckman, and J. H. Weaver. Summary Abstract: Reaction and epitaxy at the Co/Si(l 11) interface// J. Vac. Sci. Technol. A 5(4) -1987.- P. 2142-2143.

10. Галкин Н.Г., Лифшиц В.Г., Плюснин Н.И. Упорядоченные поверхностные фазы в системе Si(l 11)-Сг Поверхность (1987) Vo. No. 12 Pt. p. 50 58

11. Лифшиц В. Г., Заводинский В. Г. и Плюснин Н. И. // Поверхность. 3 (1983) стр. 82.

12. Oura К., Okada S., and Hanava Т. Procedings of VIII International Vacuum Congress. Trienn. Meeting of International Union Of Vacuum Science, Technology and Applications, Cannes, 22-26 September, Vol. 1. France, September, 1980.- Paris, 1980, P. 181.

13. P. Wetzel, С. Pirn, J.C. Peruchetti, D. Bolmont, and G. Gewinner, Epitaxial growth of CrSi and CrSi$2$ on Si(lll)// Solid State Commun. 65, 1217 (1988).

14. A. Franciosi, D.J. Peterman, and J.H. Weaver. Silicon-refractory metal interfaces: Evidence of room-temperature intermixing for Si-Cr// J. Vac. Sci. Technol., 19(3), (1981) pp. 657-660.

15. A. Franciosi, D.J. Peterman, and J.H. Weaver, V.L. Moruzzi. Structural morphology and electronic properties of the Si-Cr interface// Physical review В., V.25, N.8, (1982) pp. 4981-4993.

16. A. Franciosi and J.H. Weaver, D.G. O'Neill, F.A. Schmidt, O. Bisi and C. Calandra. Electronic structure of Cr silicides and Si-Cr interface reactions// Physical review В., V.28, N.12, (1983) pp. 7000-7008.

17. Shiraki Y., Kobayashi K.L.I., Daimon H., Ishizuka A., Sugaki S., Murata Y. Systematic study of $3d$ transition metal-silicon interfaces by photoemission Physica В (1983) Vo. 117-118 No. Pt. 2 p. 843 845.

18. L. Lozzi, M. Passacantando, P. Picozzi, S. Santucci and M. De Crescenzi. Structural investigation of the Cr/Si interface// Surface Science 251/252 (1991) pp. 579-582.

19. N. G. Galkin, D. L. Goroshko, S. Ts. Krivoshchapov, E. S. Zakharova. Conductivity mechanisms in the ordered surface phases and two-dimensional monosilicides of Cr and Fe on Si(lll)// Applied Surface Science 175-176 (2001)230-236.

20. Bensaoula, J. Y. Veuillen, T. A. Nguyen Tan, J. Derrien and M. De Crescenzi. Study of the Co/Si(lll) interface formation using electron energy loss spectroscopy// Surface Science 241 (1991) 425-430.

21. M. De Crescenzi and J. Derrien, E. Chainet and K. Orumchain. Core-level electron-energy-loss spectroscopy as a local probe for the electronic structure of the Co/Si(l 11) interface// Phys. Rev. B. -1989.- V. 39. N. 8.- P. 5520-5523.

22. С. Pirri, J. С. Peruchetti and G. Gewinner, J. Derrien. Early stages of epitaxial CoSi2 formation on Si(l 11) surface as investigated by ARUPS, XPS, LEED and work function variation // Surface Science 152/153 (1985) 1106-1112.

23. E. Dolbak, B. Z. Olshanetsky, and S. A. Teys. Initial Stages of Co Silicides Growth on Si: Surface Structures// Phys. Low-Dim. Struct., 3Л (1997) pp. 113126.

24. G. Rangelov, P. Augustin, J. Stober, Th. Fauster. Reaction of ultrathin Co layers with Si(l 11) and Si(100) surfaces// Surface Science 307-309 (1994) 264-268.

25. J. Derrien. Structural and electronic properties of CoSi2 epitaxially grown on Si(lll)// Surface Science 168 (1986) 171-183.

26. F. Boscherini, J. J. Joyce, M. W. Ruckman, and J. H. Weaver. High-resolution photoemission study of Co/Si(l 11) interface formation// Phys. Rev. B. -1987.-V. 35.- P. 4216-4220.

27. J. Derrien, M. De Crescenzi, E. Chainet, and C. d'Anterroches, C. Pirri, G. Gewinner, and J.C. Peruchetti. Co/Si(l 11) interface formation at room temperature// Physical review В., V.36, N.12, (1987) pp. 6681-6684.

28. G. Rossi, A. Santaniello, P. De Padova, X. Jin and D. Chandesris. Structural Chemisorption of Co onto Si(lll) 7x7// Europhys. Letters. -1990.- 11(3).- pp. 235-241.

29. P. A. Bennett, David G. Cahill, M. Copel. Interstitial Precursor to Silicide Formation on Si(lll)-(7x7)// Phys. Rev. Letters. -1994.- V. 73. N. 3.- P. 452455.

30. By Jan O. Hauch, Mikhail Fonine, Ulrich May, Raffaella Calarco, Harish Kittur, Jin M. Choi, Ulrich Rudiger and Gemot Guntherodt. The Growth of Transition Metals on H-Passivated Si(lll) Substrates// Adv. Funct. Mater. 11(3) (2001) 179-185.

31. J. M. Gallego, R. Miranda, S. Molodtsov, C. Laubschat and G. Kaindl. Growth of cobalt and cobalt disilicide on Si(100)// Surface Science 239 (1990) 203-212.

32. Lifshits V.G., Saranin A.A., Zotov A.V. Surface Phases on Silicon// John Wiley & Sons, Chichester, (1994) Vo. No. Pt. p. 448 -450.

33. Gavriljuk Yu.L., Kachanova L.Y., Lifshits V.G. Thin iron films on Si(lll) andformation of S x л/3 -R30°-FeSi structure// Surf.Sci. (1991) Vo. 256 No. Pt. p. L589 L592.

34. H. J. Kim, D. Y. Noh, J. H. Je, and Y. Hwu. Evolution of surface morphology during Fe/Si(l 11) and Fe/Si(001) heteroepitaxy// Physical Review В. V. 59 N.7, 4650 (1999).

35. A. Mascaraque, J. Avila. et. al. Atomic structure of the reactive Fe/Si(l 11)7x7 interface. // Physical review Vol 55 #12 (1997) 315-318.

36. J. Avila, A. Mascaraque. et. al. Fe/Si(l 11) interface formation studied by photoelectron diffraction. // Surface Science 377-379 (1997) 856-860.

37. M.G. Martin, J. Avila, M. Gruyters, C. Teodorescu, P. Dumas, Y.J. Chabal, M.C. Asensio. Initial stage of the growth of Fe on Si(lll)-H// Appl. Surf. Sci., 123-124(1998) 156.

38. X. Wallart, H.S. Zeng, J.P. Nys, G. Dalmai. Electron spectroscopy study of the Fe/Si(l 11) interface formation and reactivity annealing// Appl. Surf. Sci., 56/58 (1992)427.

39. H.S. Zeng, X. Wallart, J.P. Nys, G. Dalmai, P. Friedel. Probing the local atomic environment at the interfaces in the Fe-Si system by the surface-extended energy-loss fine-structure technique //Phys. Rev. В., 44 (1991) 13811.

40. N. Cherief, R.C. Cinti, M. Crescenzi, J. Derrien, T.A. Nguyen Tan, J.Y. Veuillen. Heteroepitaxy of metallic and semiconducting silicides on silicon// Appl. Surf. Sci, 41/42 (1989) 241.

41. Li B.-Q, Ji M.-R, Wu J.-R. Photoemission studies of chemical bonding and electronic states at the Fe/Si interface// J.Appl.Phys. (1990) Vo. 68 No. 3 Pt. p. 1099- 1103.

42. Scarinci F., Lagomarsino S., Giannini C, Savelli G., Castrucci P., Rodia A., Scopa L. Solid phase epitaxy and characterization of FeSi$2$ layers on Si(l 11)// Appl.Surf.Sci. (1992) Vo. 56-58 No. Pt. p. 444 448.

43. Derrien J., Chevrier J., Le Thanh V., Mahan J.E. Semiconducting silicide-silicon heterostructures: growth, properties and applications// Appl.Surf.Sci. (1992) Vo. 56-58 No. Pt. p. 382-393.

44. Rizzi A., Moritz H., Luth H. Electronic and vibrational properties of semiconducting crystalline FeSi2 layers grown on Si(l 11)// J.Vac.Sci.Technol.A (1991) Vo. 9 No. 3 Pt. p. 912-916.

45. K. Ruhrnschopf, D. Borgmann, G. Wedler. Growth of Fe on Si(100) at room temperature and formation of iron silicide. // Thin Solid Films 280 (1996) 171177.

46. Florin Zavaliche, et. al. Suppression of silicide formation in Fe films grown on Si(001). // Journal of applied physics. Vol.88, #9 (2000) 5289-5292.

47. P. Bertoncini et.al. Epitaxial magnetic Fe layers grown on Si(001) by means of a template method. // Surface Science 454-456 (2000) 755-760.

48. M. Hasegawa, N. Kobayashi, N. Hayashi. Reaction of monolayer Fe with Si(001)-dihydride and -2x1 surfaces. // Surface Science 357-358 (1996) 931936.

49. M. Fanciulli, S. Degroote, et. al. Investigation of the Fe/Si interface and its phase transformations. // Surface Science 377-379 (1997) 529-533.

50. W. WeiB, M. Kutschera. et al. Development of structural phases of iron silicide films on Si(lll) studied by LEED, AES and STM. // Surface Science 377-379 (1997) 861-865.

51. J. Alvarez, A.L. Vazquez de Parga, J.J. Hinarejos, J. de la Figuera, E.G. Michel, C. Ocal and R. Miranda. Initial stages of the growth of Fe on Si(lll) 7x7// Physical Review B. V.47 N.23,16048 (1993).

52. Brillson L.J. //Surface Science Report. 1982 V.2 N.2 P.123.

53. Ту К., Мейер Дж. // Тонкие пленки. Взаимная диффузия и реакции. / Под Ред. Поута Дж., Ту К. и Мейера Дж. Москва: Мир. 1982. С. 576.

54. М.-А. Nicolet, S.S. Lau, in: N.G. Einspruch, G.B. Larrabee (Eds.), VLSL Electronics: Microstructure Science, Chapt. 6, Vol. 6, Academic, New York, 1983.

55. Reader A.H., van Ommen A.H., Weijs P.J.W., Wolters R.A.M. and Oostra D.J. // Rep. Prog. Phys. 1992. V. 56. P. 1397-1467.

56. Гомоюнова М.В., Пронин И.И., Малыгин Д.Е., Соловьев С.М., Вялых Д.В., Молодцов C.JI. Взаимодействие атомов железа с поверхностью Si( 100)2 х 1// ЖТФ. 2005 Т 75 №9 с. 106-110.

57. Плюснин Н.И. Низкоразмерные фазы и формирование наногетероструктур в системе переходный Зс1-металл-кремний // Поверхность. 1 (2005) с. 17-27.

58. N. I. Plusnin, А. P. Milenin, V. М. Il'yashenko, V. G. Lifshits, Elevated Rate Growth of Nanolayers of Cr and CrSi2 on Si(lll)// Phys. Low-Dim. Struct., N9/10,129 (2002).

59. N. I. Plusnin, V. M. Il'yashenko, A. P. Milenin, The growth and conductivity of transition metal nanolayers on silicon// Phys. Low-Dim. Struct., N11/12, 39 (2002).

60. S. Hasegawa, X. Tong, S. Takeda, N. Sato, T. Nagao, "Structures and electronic transport on silicon surfaces", Prog. Surf. Sci. 60. pp. 89-257, 1999.

61. F. Bauerle, W. Monch, and M. Henzler, "Correlation of electronic surface properties and surface structure on cleaved silicon surfaces", J. Appl. Phys. 43, pp. 3917-3919,1972.

62. S. Hasegawa, S. Ino, "Correlation between atomic-scale structures and macroscopic electrical properties of metal- covered Si(lll) surfaces", Int. Journal of Modern Physics B7, pp. 3817-3876,1993.

63. D.A. Tsukanov, S.V. Ryzhkov, S. Hasegawa, V.G. Lifshits, "Surface conductivity of submonolayer Au/Si system", Phys. Low-Dim. Struct. 7/8, pp. 149-154,1999.

64. Y. Nakajima, S. Takeda, T. Nagao, and S. Hasegawa, "Surface electrical conduction due to carrier doping into a surface-state band on Si(lll)- л/Зхл/З-Ag", Phys. Rev. B. 56, pp. 6782-6787, 1997.

65. S. Hasegawa, "Atomic imaging of macroscopic surface conductivity", Current Opinion in Solid State and Material Science 4, pp. 429-434, 1999.

66. C.L. Petersen, F. Grey, I. Shiraki, S. Hasegawa, "Micro-four-point probe for studying electronic transport through surface states", Appl. Phys. Lett. 77, pp. 3782-3786, 2000.

67. I. Siraki, C.L. Petersen, P. Boggild, T.M. Hansen, T. Nagao, F. Grey, S. Hasegawa, "Microfour-point probes in a UHV-scanning electron microscope for in-situ syrface conductivity measurements", Surf. Rev. Lett. 7, pp. 533-539, 2000.

68. I. Shiraki, F. Tanabe, R. Hobara, T. Nagao, S. Hasegawa, "Independently driven four-tip probes for conductivity measurements in ultrahigh vacuum", Surf. Sci. 493, pp. 633-643,2001.

69. B.NJ. Persson, "Electronic conductivity of Si(l 1 l)-7x7", Phys. Rev. B. 34, pp. 5916-5917, 1986.

70. Y. Hasegawa, I.-W. Luo, Ph. Avouris, "Electronic properties of nanometer-size metal-semiconductor point contacts studied by STM", Appl. Surf. Sci. 76/77, pp. 347-352, 1994.

71. S. Heike, S. Watanabe, Y. Wada, T. Hashizume, "Electron conduction through surface states of the Si(lll)-7x7 surface", Phys Rev. Lett. 81, pp. 890-893, 1998.

72. S. Heun, J. Bange, R. Schad, M. Henzler, "Conductance of Ag on Si(lll): a two-dimensional percolation problem", J.Phys.:Cond.Matt. 5, pp. 2913-2918, 1993.

73. E.Z. Luo, S. Heun, M. Kennedy, J. Wollschlager, and M. Henzler, "Surface roughness and conductivity of thin Ag films", Phys. Rev. B. 49, pp. 4858-4865, 1993.

74. M. Jalochowski, E. Bauer, "Quantum size and surface effects in the electrical resistivity and high-energy electron reflectivity of ultrathin lead films", Phys. Rev. B. 38, pp. 5272-5280, 1998.

75. D.A. Tsoukanov, S.V. Ryzhkov, D.V. Gruznev, V.G. Lifshits, "The role of the surface phases in surface conductivity", Appl. Surf. Sci. 162-163, pp. 168-171, 2000.

76. N.I.Plusnin, V.M. Il'yashenko, S.A.Kitan', S.V.Krylov. Formation of Co ultrathin films on Si(lll): Growth mechanisms, electronic structure and transport// Applied Surface Science 253 (2007) 7225-7229

77. К. Hricovini, J.E. Bonnet, В. Carriere, J.P. Deville, M. Hanbucken, G. Le Lay, Photoelectron spectroscopy studies of the formation of the Au-Si(lOO) interface using synchrotron radiation //Surf. Sci. 211/212 (1989) 630.

78. F. Nava, T. Lien and K.N. Tu, J. Appl. Phys, 57,2018 (1985).

79. V.A. Gasparov, V.A. Grazhulis, V.V. Bondarev, T.M. Bychkova, V.G. Lifshits, B.K. Churusov, N.G. Galkin and N.I. Plusnin. Electrophysical properties of the surface phases of In and Cr on Si(lll)// Vacuum, Vol. 41, N. 4-6, 1207-1210. 1990.

80. P. Wetzel, C. Pirri, J.C. Peruchetti, D. Bolmont, and G. Gewinner, Formation of CrSi and CrSi2 upon annealing of Cr overlayers on Si(lll) //Phys. Rev. B. 35, 5880(1987).

81. S. L. Hsia and T.Y. Tan, P. Smith and G.E. McGuire. Resistance and structural stabilities of epitaxial CoSi2 films on (001) Si substrates// J. Appl. Phys. 72(5) (1992) 1864-1872.

82. J. Henz, J. Hugi, M. Ospelt, H. von Kanel. Fabrication and electrical properties of ultrathin CoSi2/Si heterostructures// Surface Science 228 (1990) 9-12.

83. Н.Г. Галкин, Д.Л. Горошко, A.B. Конченко, E.C. Захарова, С.Ц. Кривощапов. Эффект Холла в субмонослойных системах Fe на Si(l 11) п- и р-типа проводимости.// Физика и техника полупроводников, 2000 том 34, вып. 7, 827-830.

84. В.В. Емцев, Т.В. Машовец. Примеси и точечные дефекты в полупроводниках.//М. Радио и связь, 1981 гл.2, с. 101.

85. S. Hasegawa, X. Tong, C.-S. Jiang, Y. Nakajima, T. Nagao. Electrical conduction via surface-state bands //Surf. Sci., 386,322 (1997).

86. X. Tong, C.-S. Jiang, S. Hasegawa. Electronic structure of the Si(l 1 l)-(Ag+Au) surface //Phys. Rev. B, 57, 9015 (1998).

87. N. G. Galkin, D. L. Goroshko, S. I. Kosikov, V. A. Ivanov. In situ Hall measurements of Si(lll)/Cr, Si(lll)/Fe and Si(lll)/Mg disordered systems at submonolayer coverages//Applied Surface Science 175-176 (2001) 223-229.

88. N. G. Galkin, D. L. Goroshko, A. V. Konchenko, V. A. Ivanov and A. S. Gouralnik. In situ Hall measurements of macroscopic electrical properties of chromium-covered Si(lll) surfaces// Surface Review and Letters, Vol. 6, No. 1 (1999)7-12

89. N. G. Galkin, A. V. Konchenko, S. V. Vavanova, A. M. Maslov, A. O. Talanov. Transport, optical and thermoelectrical properties of Cr and Fe disilicides and their alloys on Si(l 11)//Applied Surface Science 175-176 (2001) 299-305.

90. N. G. Galkin, D. L. Goroshko, S. Ts. Krivoshchapov, E. S. Zakharova. Conductivity mechanisms in the ordered surface phases and two-dimensional monosilicides of Cr and Fe on Si(lll)// Applied Surface Science 175-176 (2001)230-236

91. F. La Via, C. Spinella, A. H. Reader, J.P.W.B. Duchateau, R.A. Hakvoort and A. van Veen. Formation and characterization of epitaxial CoSi2 on Si(lll)// Applied Surface Science 73 (1993) 108-116.

92. Bousetta, A.H. A1 Bayati, J.A. van den Berg and D.G. Armour. Structural and electrical properties of Co grown on Si(lll) by low energy ion beam deposition// Applied Surface Science 56-58 (1992) 480-485.

93. J. Henz, J. Hugi, N. Onda, H. von Kanel. Electrical measurements on ultra-thin CoSi2/Si heterostructures// Helv.Phys.Acta (1989) Vo. 62 No. 6-7 Pt. p. 868 -869.

94. A.H. Reader, J.P.W.B. Duchateau and J.E. Crombeen. Epitaxial CoSi2 formation on (001) Si by reactive deposition// Semicond. Sci. Technol. 8 (1993) 12041207.

95. V. G. Lifshits and N. I. Plusnin, Physics, Chemistry and Mechanics surf. No 3 (1985)2669.

96. V.M. Il'yashenko, S.A.Kitan', S.V.Krylov, N.I.Plusnin. Formation of Fe and FeSi nano-heterostructures on Si(lll). Phys. Low-Dim. Struct.,Vol. 2 p. 42-46 (2006).

97. Knowles M.P., Leone S.R. Hyperthermal (1--10 eV) cobalt deposition on

98. Si(lOO) // Chemical Physics Letters. 1996. V. 268. P. 217-222.

99. Zeng-ju T, Satoko C, Ohnishi S. Chemisorption processes of transition metals Ti, Cr, and Fe on a Si(l 11) surface // Physical Review B. 1987. V. 36. P. 6390.

100. Satoko C., Ohnishi S., and Zeng-ju T. Chemisorption and silicide formation processes of transition metals Ti, V, Cr, Fe and Ni on Si(lll) surfaces //Applied Surface Science. 1988. V. 33/34. P. 277.

101. Ma L, Wang J., Jijun Zhao, Wang G. Chemisorption of Co monolayer on H-passivated Si(lll) surface: Comparison with clean Si(lll) surface // Chemical Physics Letters. 2005. V. 414. P. 500-504.

102. D. Pines, Elementary Excitation in solids, (Benjiamin, New York, 1964).

103. C. Calandra, O. Bisi and G. Ottaviani, Electronic properties of silicon-transition metal interface compounds //Surf. Sci. Reports, 4,271 (1985).

104. E. de Fresart, Y.C. Kao and K.L. Wang, Study of solid phase and molecular beam epitaxial cobalt silicide films on Si(lll) using electron energy loss spectroscopy// J. Vac. Sci. Technol. B4 (2), 1986, c. 645-648.

105. Миленин А. П. Кинетика атомных процессов и формирование сверхтонких пленок Сг, Со и их дисилицидов на Si(lll)// Диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук (2000).

106. Luth Н. Surfaces and Interfaces of Solids, Second Edition, Springer Verlag, Berlin Heidelberg, 1993.-487 p.

107. Анализ поверхности методами Оже- и рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии/ Под ред. Д. Бриггса, М.П. Сиха.- М.: Мир, 1987.- 600 с.

108. Фельдман JI, Майер Д. Основы анализа поверхности и тонких пленок,- М.: Мир, 1989.- 564 с.

109. Лифшиц В.Г, Луняков Ю. В. Спектры ХПЭЭ поверхностных фаз на кремнии. Владивосток: Дальнаука, 2004.315 с.

110. Блад П., Ортон Дж. В. Методы измерения электрических свойств полупроводников // Reports on Progress in Physics, 1978, v. 41, №2.

111. Кучис Е.В. Методика исследования эффекта Холла // М.: Сов. Радио -1974.-328с.

112. L J. van der Pauw A method of measuring specific resistivity and Hall effect of disks of arbitrary shape // Philips Research Reports, 1958.- v.13, #3. -p. 1-9.

113. Рабинович B.A., Хавин З.Я Краткий химический справочник. Издание 2-ое, исправленное и доработанное // Изд. Химия 1978 г.