Эмиссия электронов при изменении макроскопической поляризации сегнетоэлектриков тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 01.04.07, кандидат физико-математических наук Пономарева, Наталья Юрьевна

• Пономарева, Наталья Юрьевна
• кандидат физико-математических наук
• 1999

Оглавление диссертации кандидат физико-математических наук Пономарева, Наталья Юрьевна

ВВЕДЕНИЕ.

ГЛАВА I. ЛИТЕРАТУРНЫЙ ОБЗОР.

1.1. Общие сведения об электронной эмиссии из твердых тел.

1.2. Эмиссия электронов из сегнетоэлектрических материалов. Общие закономерности.

1.3. Фото- и термостимулированная эмиссия электронов из сегнетоэлектриков.

1.4. Эмиссия электронов из сегнетоэлектриков стимулированная переменным электрическим полем.

ГЛАВА И. ЭМИССИЯ ИЗ СЛАБЫХ СЕГНЕТОЭЛЕКТРИКОВ.

II. 1. Описание методики исследования. Блок-схема и параметры экспериментальной установки.

11.2. Некоторые сведения о слабых сегнетоэлектриках. Характеристика основных диэлектрических свойств гептагерманата лития.

11.3. Эмиссия из слабого сегнетоэлектрика гептагерманата лития.

ГЛАВА III. КИНЕТИКА ЭМИССИИ.

III. 1. Кинетика эмиссии слабого сегнетоэлектрика 1л20е7015.

111.2. Кинетика электростимулированной эмиссии кристаллов

ТГС различной степени дефектности.

111.3. Влияние частоты переключающего поля на эмиссию из сегнетоэлектриков.

ГЛАВА IV. ИССЛЕДОВАНИЕ ВЗАИМОСВЯЗИ КОЭРЦИТИВНОГО И ПОРОГОВОГО ПОЛЕЙ.

IV. 1. Особенности электростимулированной эмиссии из кристаллов ТГС различной степени дефектности.

IV.2. Влияние толщины образцов на электронную эмиссию из сегнетоэлектрика триглицинсульфата.

IV.3. Теоретическое рассмотрение эмиссии из сегнетоэлектрических кристаллов, стимулированной переключением.

ОСНОВНЫЕ РЕЗУЛЬТАТЫ РАБОТЫ.

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Эмиссия электронов при изменении макроскопической поляризации сегнетоэлектриков»

Актуальность темы. Развитие наукоемких технологий в мировой практике по-прежнему в существенной степени определяется успехами и темпами разработок электронной техники и, в частности, активно развивающейся области - эмиссионной электроники. Приборы, действие которых основано на этом явлении, находят широкое применение в различных областях науки и техники. В частности, высокая структурная чувствительность метода эмиссии обуславливает широкие возможности его использования для неразрушающего контроля свойств различных материалов.

Потребности техники стимулируют работы по дальнейшему изучению, усовершенствованию и поиску новых эмиттеров. В последнее время в качестве таких материалов рассматриваются сегнетоэлектрики. Свойства электронной эмиссии из сегнетоактивных материалов (высокая плотность эмиссионного тока, кинетическая энергия эмитируемых электронов порядка нескольких кило-электрон-вольт) доказывают их конкурентоспособность с общепринятыми импульсными источниками электронов и хорошие перспективы использования в различных устройствах микроэлектроники.

Существенный прогресс в практическом применении сегнетоэлектриче-ских эмиттеров не может быть достигнут без глубокого понимания физики эмиссионных явлений. Однако, несмотря на то, что к настоящему времени предложен целый ряд гипотез, существующие попытки создания теории происхождения электронной эмиссии из сегнетоэлектриков пока ещё далеки от завершения. Это объясняет постоянно высокий научный интерес к проблеме и стимулирует активные исследования в данном направлении.

Помимо этого, эмиссия электронов интересна и перспективна как один из чувствительных методов исследования сегнетоэлектрических материалов. Эмиссионные характеристики несут в себе информацию не только о поверхностном слое эмиттера, но и о процессах, происходящих в объеме сегнетоэлек-трика (например, при изменении его полярного состояния), его дефектной 5 структуре. Это дает возможность лучше понять физические механизмы, лежащие в основе процессов доменного переключения.

Таким образом, исследования электронной эмиссии из сегнетоактивных материалов представляются весьма важным и перспективными.

Цель и задачи исследования. К настоящему времени установлено, что эмиссия электронов из сегнетоэлектриков возникает при всяком изменении макроскопической поляризации этих материалов. Наиболее радикальным путем для этого является переключение, т.е. полная переполяризация сегнето-электрического материала. В связи с этим целью настоящей работы является изучение эмиссии электронов, возникающей при изменении макроскопической поляризации в сегнетоэлектрических материалах и исследование взаимосвязи параметров процессов переключения с эмиссионными характеристиками.

В соответствии с поставленной целью были сформулированы следующие основные задачи данной работы:

- изучение эмиссии электронов из слабого сегнетоэлектрика монокристалла гептагерманата лития, стимулированной изменением температуры и обращением спонтанной поляризации, приложением электрического поля к образцу;

- экспериментальное изучение кинетики эмиссионных процессов из различных материалов, исследование влияния частоты переключающего поля на пороговое поле эмиссии;

- изучение порогового поля возникновения эмиссии в зависимости от толщины и дефектной структуры сегнетоэлектрических образцов. Объект исследования. В качестве основного объекта исследования были выбраны кристаллы триглицинсульфата (ТГС) номинально чистого и легированного примесью ионов хрома, выращенные на кафедре экспериментальной физики ВГУ. Такой выбор обусловлен хорошей изученностью свойств данного сегнетоэлектрика, делающей его своеобразным модельным сегнетоэлектриком с удобной для практических исследований температурой Кюри, равной 49°С.

Эти обстоятельства значительно облегчают проведение и интерпретацию данных экспериментальных исследований.

Помимо этого серии экспериментов были проведены на образцах слабого сегнетоэлектрика гептагерманата лития, керамиках титаната бария и ЦТС, технология получения которых экономична и постоянно совершенствуется, что указывает на серьезные перспективы их применения в твердотельной электронике.

Научная новизна. Все основные результаты данной работы являются новыми. В ней впервые наблюдалась электронная эмиссия из слабого сегнетоэлектрика гептагерманата лития, стимулированная изменением температуры образца и переключением приложенного электрического поля. Обнаружена корреляция между низкотемпературной границей существования эмиссии и коэрцитивным полем материала. Определены времена релаксации плотности электростимулированного эмиссионного тока для различных материалов. Обнаружена зависимость порогового поля возникновения эмиссии от степени дефектности и толщины исследуемых образцов. Показано, что температурные, концентрационные и толщинные зависимости порогового поля могут быть объяснены соответствующими зависимостями коэрцитивного поля материала. Научные положения, выносимые на защиту.

1. Величина термо- и электрически стимулированного эмиссионного сигнала в сегнетоэлектриках растет с увеличением численного значения спонтанной поляризации.

2. Эмиссионный сигнал во внешнем электрическом возникает только в процессе переключения образца, которое реализуется от точки Кюри до температуры, при которой приложенное поле равно коэрцитивному полю материала.

3. Пороговое поле эмиссии коррелирует с коэрцитивным полем материала. Указанные поля согласованно меняются в зависимости от типа сегнетоэлектрика (слабый, сильный), частоты измерительного поля, концентрации примеси и толщины образца. 7

Научная и практическая значимость работы. Одним из основных результатов диссертационной работы является обнаружение корреляции между коэрцитивным полем образца и пороговым полем эмиссии. И то, и другое поле могут быть изменены разными способами: изменением типа сегнетоэлектрика (слабый или обычный), температуры образца, его толщины, изменением степени дефектности материала. Таким образом, появляется возможность целенаправленного изменения температурного интервала существования эмиссии при переключении сегнетоэлектриков, что важно для практического применения этого эффекта.

Апробация работы. Основные результаты работы докладывались и обсуждались на 6-ом Японо-СНГ/Балтийском симпозиуме по сегнетоэлектриче-ству, (г. Токио, Япония, 1998г.), 5 Международной конференции по доменам в ферроиках и мезоскопическим структурам (Пенсильвания, США, 1998 г.), 2-ом Международном семинаре по релаксорным сегнетоэлектрикам (г.Дубна, 1998 г.), 9 европейской конференции по сегнетоэлектричеству (г.Прага, Чешская Республика, 1999 г.), XV Всероссийской Конференции по физике сегнетоэлектриков (г.Ростов-на-Дону, 1999 г.), Международной Конференции "Релаксационные явления в твердых телах" (г. Воронеж, 1999 г.).

Публикаиии и вклад автора. Основное содержание диссертации опубликовано в 15 печатных работах. Автором получены все основные экспериментальные результаты. Определение направления исследований, большинство теоретических расчетов, обсуждение результатов экспериментов и подготовка работ к печати осуществлялось совместно с научным руководителем д.ф.-м.н., проф. Сидоркиным A.C.

Основное содержание диссертационной работы отражено в следующих публикациях:

1. А.С.Сидоркин, П.В.Логинов, А.М.Саввинов, А.Ю.Кудзин, Н.Ю. Короткова (Н.Ю. Пономарёва). Эмиссия электронов из слабого сегнетоэлектрика гептагерманата лития // Физика твердого тела. - 1996. - т.38. - в.2. -с.624-629. 8

2. A.S. Sidorkin, P.V. Loginov, O.D. Gurin, A.M. Sawinov, N.Yu. Ponomareva, S.D. Milovidova. Electron emission Stimulated by Switching of Ferroelectrics // Journal of the Korean Physical Society. - 1998. - v.32. - pp. S793-S795.

3. A.S. Sidorkin, S.D. Milovidova, N. Yu. Ponomareva, O.V. Rogazinskaya. Electron emission in ferroelectrics with different value of coercive field // Ferroelectrics. - 1998. - v.219. - pp.23-28.

4. А.С.Сидоркин, Н.Ю. Пономарёва, С.Д. Миловидова. Электронная эмиссия в сегнетоэлектриках с различной величиной коэрцитивного поля // Физика твердого тела. - 1999. - том 41. - вып. 9. - с.1675-1678.

Объем и структура диссертаиии. Диссертация состоит из введения, четырех глав, выводов и списка цитируемой литературы. Работа изложена на 108 страницах машинописного текста, иллюстрирована 24 рисунками. Библиографический раздел включает 109 наименований.

Заключение диссертации по теме «Физика конденсированного состояния», Пономарева, Наталья Юрьевна

ОСНОВНЫЕ РЕЗУЛЬТАТЫ РАБОТЫ

По результатам проведенного исследования можно сформулировать следующие выводы:

1. Экспериментально обнаружена эмиссия электронов из слабого сегнето-электрика гептагерманата лития, стимулированная изменением температуры образца и переключением направления приложенного электрического поля. Малые значения эмиссионного сигнала в данном кристалле связаны с чрезвычайной малостью величины спонтанной поляризации, которая здесь минимум на два порядка меньше, чем для обычных сегнетоэлектри-ков.

2. Выявлены высокие значения порогового поля эмиссии для слабых сегне-тоэлектриков, которые коррелируют с высокими значениями коэрцитивного поля в данных составах. Причиной высоких значений указанных полей является малая диэлектрическая проницаемость монодоменного кристалла, которая затрудняет рост зародышей на доменной стенке и, следовательно, процесс переключения в исследуемом материале.

3. Показано, что во всех исследуемых сегнетоэлектрических материалах эмиссия, стимулированная полем, существует в определенном температурном интервале от точки Кюри до температур, где приложенное к кристаллу поле превышает коэрцитивное поле материала.

4. Исследована связь между основными параметрами процессов переключения и эмиссии электронов из сегнетоэлектриков - коэрцитивным полем и пороговым полем возникновения эмиссии. Показано, что температурные, концентрационные и толщинные зависимости порогового поля могут быть объяснены соответствующими зависимостями коэрцитивного поля.

5. С увеличением амплитуды переключающего поля из-за роста коэрцитивного поля при удалении от точки Кюри появляется возможность переключать образец в области более низких температур, что ведёт к расширению температурного интервала существования эмиссии в область низких температур.

Увеличение концентрации примесей приводит к росту коэрцитивного поля по сравнению с его величиной в бездефектном материале во всем температурном интервале существования сегнетоэлектрической фазы. В результате при том же значении внешнего переключающего поля диапазон температур, где образец может быть переключен данным прикладываемым полем будет сужен с ростом концентрации примесей из-за сдвига его низкотемпературной границы в сторону более высоких температур. С уменьшением толщины образца с/ пороговое поле возникновения эмиссии также как и коэрцитивное поле материала растет обратно пропорционально й, что свидетельствует о взаимосвязи указанных величин. Экспериментально обнаружен рост порогового поля эмиссии с увеличением частоты переключающего поля в области достаточно малых частот измерительного поля, который затем сменяется спадом порогового поля с ростом частоты. Причиной роста коэрцитивного, а, значит, и порогового поля эмиссии является уменьшение времени на образование критической флуктуации, приводящей к образованию необходимого зародыша обратного домена на доменной стенке или отрыва доменной стенки от дефектов. Уменьшение порогового поля с частотой обусловлено нагревом образца, приводящим к уменьшению коэрцитивного поля материала.

100

Список литературы диссертационного исследования кандидат физико-математических наук Пономарева, Наталья Юрьевна, 1999 год

1. Беляев Л.М., Бендрикова Г.Г. Влияние спонтанной поляризации на выход фото-стимулированной экзоэлектронной эмиссии с кристаллов триглицинсульфата //ФТТ.- 1964.- Т.6.- В.2.- С. 645-647.

2. Sujak В., Kusz J. Field exited electron emission from Rochelle salt crystals. //Acta.Phys.Polon.-l 965 v.28. N4.- p.491^97; 1968.-v33.-p.845.

3. Sujak В., Biedrzycki K. Exoemission exitation of ferroelectrics in vacuum by alternating voltage. //Jap.JAppl.Phys-1985-V.24.-Suppl.224.-P.81-82.

4. Biedrzycki K., Mikolajczak A. Relation between the coercive and the threshold effective electric field generating the electric discharges at the surface of TGS single cristals. //Acta Physica Polonica.- 1981.-V.A59.-№4.-P.507-509.

5. Biedrzycki K. New Aspects of Electron Emission from Virgin TGS Single Crystals. //Phys. Stat. Sol. A.- 1986.- v.93.-pp.503-508.

6. Biedrzycki K. and Kosturek B. Termally Stimulated Electron Emission from Triglycine Sulphate Crystals with Well-Defined Initial Domain Structure. //Phys.Stat.Sol. A-1987.- v. 100.- pp.327-330.

7. Biedrzycki K. Termally Stimulated Electron Emission from Triglycine Sulphate Crystals with Well-Defined Initial Macroscopic Polarization. //Phys.Stat.Sol. A 1990 - v.l 17-pp.313-318.

8. Biedrzycki K. Termally Stimulated Electron Emission from Triglycine Sulphate Crystals Excited by AC Electric Field. //Phys.Stat.Sol. A.- 1988.- v.109.- pp.K79-K83.

9. Biedrzycki K., Le Bihan R. Electron emission from ferroelectrics. //Ferroelectrics-1992 V.126 - P.253-261.

10. Biedrzycki K. Electron Emission of Ferroelectrics Induced by AC Electric Field in the Vicinity of the Phase Transition Temperature. //Ferroelectrics 1997.- pp.192,269-277.

11. Biedrzycki K., Markowski L., Czapla Z. Pulsed TGS-based electron and ion emitter //Phys. Status solidi. A.- 1998.-t.165.-N1.- стр.283-293.

12. Biedrzycki K., Markowski L. Vacuum emission of electrons from (Pb,Ca)Ti03 thin films. //Solid State Commun.- 1998.-т. 107.-N8.- стр.391-393.

13. Айрапетов А.Ш., Красных А.К., Левшин И.В., Никитский А.Ю. Измерение эмис101сионного тока при переключении направления поляризации сегнетоэлектрика. //Письма в ЖТФ.-т. 16.-№5.-с.46-49.

14. Айрапетов А.Ш., Иванчик И.И., Лебедев А.Н., Левшин И.В., Тихомирова Н.А. Импульсная экзоэмиссия электронов при неполной переполяризации сегнетоэлектрика. //Докл.АН СССР.- 1990 т.311 -№3.-с.594-596.

15. Ivanchik I.I. On Electron Emission Under Destabilization of Ferroelectric with a Short High-Voltage Pulse. //Ferroelectrics.-1990.-v.l 11.-pp. 147-153.

16. MesyatsG.A. Physics of electron emission from ferroelectric cathodes. //SPIE.-1994-Vol. 2259.-pp.419^22.

17. Okuyama M. and Kuratani Y. Electron emission from ferroelectric ceramic thin plate by pulsed electric field. // J.Korean Ph.Society.- 1996.- v.29.- pp.S607-S611.

18. Kuratani Y., Morikawa Y, and Okuyama M. Electron emission from PZT ceramic and supression of fatigue by PZT thin film coating. // J.Korean Ph.Society-1998 v.32-S1629-S1631.

19. Kuratani Y., Morikawa Y, and Okuyama M. Improvement of Field-Induced Electron Emission Using Ir or Ir02 Electrode and Ferroelectric Film Coating. // Jpn. J. Appl. Phys.- 1998.-Vol.37.-Part l.-No. 9B.-pp.5421-5423.

20. Okuyama M., Asano J. and Hamakawa Y. Electron emission from lead-zirconate-titanate ferroelectric ceramic induced by pulse electric field. // Jpn. J. Appl Phys-1994-part 1.- N9B- v.33- pp.5506-5509.

21. Kuratani Y., Okuyama M., Asano J. and Hamakawa Y. Field-excited electron emission from (1 -у)РЬ(М^1/3№>2/з)03-уРЬТЮз ceramic. // Jpn.J.Appl Phys.- 1996.-part 1.-N9B- v.35.- pp.5185-5187.

22. Kuratani Y., Seiji O., Okuyama M., and Hamakawa Y. Enhancement of Field-Excited Electron Emission from Lead-Zirconate-Titanate Ceramic Using Ultrathin Metal Elec-trode//Jpn. J. Appl. Phys.- 1995.- Part l.-No. 9B.- Vol.34.- pp.5471-5474.

23. Gundel H., Riege H., Handerek J., Zioutas K. Low-pressure hollow cathode switch triggered by a pulsed electron beam emitted from ferroelectrics. //Appl. Phys. Lett 1989-v.54.- N21.-pp.2071-2073.

24. Gundel H., Handerek J., Riege H., Wilson E. Electric field-excited electron emission from PLZT-x/65/35 ceramics // Ferroelectrics.-1990.-vl 10(Pt. B).- pp. 183-192.102

25. Gundel H. High-intense pulsed electron emission by fast polarization changes in ferroe-lectrics. //Ferroelectrics.-1996.-Vol. 184.-pp. 89-98.

26. Weiming Z., Wayne H., George D. Waddill. Electron Energy Distributions Of Ferroelectric Emission From Plzt8/65/35. //Ferroelectrics 1998.

27. Flechtner Donald. Electron Emission And Beam Generation Using Ferroelectric Cathodes (Electron Beam Generation, Lead Lanthanum Zicronate Titanate, High Power Traveling Wave Tube Amplfier) // PHD, Cornell University, USA. DAI-B- 1999 -59/12.-p.6364.

28. Poprawski R. and Kolarz A. Thermally stimulated light emission from the linear pyroe-lectric and ferroelectric surfaces. // J.Phys.Chem.Solids.-1989.-v.50.-N7.-pp.693-701.

29. Riege H. Ferroelectric electron emission: Principles and technology //Appl. Surface Science.- 1997,-v. 111.-pp.318-324.

30. Riege H.; Boscolo I.; Handerek J.; Herleb U. Features and technology of ferroelectric electron emission. //J. Appl. Phys- 1998- V. 84 Issue 3, August 01- pp. 1602-1617.

31. Geissler, K., Meineke, A., Riege, H., de Silvestri, S., Nisoli, M., Svelto, O., Boscolo, I., Handerek, J. Femtosecond laser-induced electron emission from ferroelectrics. // Nuclear Instruments And Methods In Physics Research Section A 1996.- N3- A372.

32. Benedek G., Boscolo I., Handerek J., Riege H. Electron emission from ferroelectric/antiferroelectic cathodes excided by short high-voltage pulses //J. Appl. Phys. 3.- 1997 t.81- pp. 1396-1403.

33. Wang, J.T., Dawson, W., Chinkhota, M., Chen, T.P. Theoretical model for electron emission from the coating-layer on the ferroelectric disk. //Nuclear Instruments And Methods In Physics Research Section A.-1997.-v387 N3.

34. Sampayan, S. E., Caporaso, G. J., Holmes, C. L., Lauer, E. J., Prosnitz, D., Trimble, D. O. Westenskow, G. A. Emission from ferroelectric cathodes //тезисы NASA Technical Reports Report Number: DE94-006732 .- 1993.- p50.

35. Sampayan S., Caporaso, G., Trimble D., Westenskow G. Emission, plasma formation,103and brightness of a PZT ferroelectric cathode. // NASA Technical Reports, Report Number: DE95-015411.-1995.

36. Wada M., Savada A., Ishibashi Y. Ferroelektrisity and soft mode in Li2Ge70i5 //J.Phys.Soc. Jap.-1981-V.50.- 6.-pp.l811-1812.

37. Волнянский М.Д., Кудзин А.Ю. Исследование сегнетоэлектрического фазового перехода в Li2Ge7015 // ФТТ.- 1987.-Т.29 в.1.- с.213-215.

38. Trubitsyn М.Р., Volnianskii M.D., Kudzin A.Yu. ESR study of the local order parameter behaviour in weak ferroelectric Li2Ge70i5. //Ferroelectrics, The Gordon and Breach Publishing Group.-April 1998.

39. Фридкин B.M. Сегнетоэлектрики полупроводники. - M.: Наука, - 1976.

40. Желудев И.С. Физика кристаллических диэлектриков М:Наука, 1968.^463с.

41. Кортов B.C., Минц Р.И. Экзоэлектронная эмиссия при фазовых превращениях в сегнетоэлектриках. // ФТТ.-1967.-т.9.-с.1828.

42. Кортов B.C., Слесарев А.И., Рогов В.В. Экзоэмиссионный контроль поверхности деталей после обработки Киев: Наук, думка, 1986 - 176с.

43. Козаков А.Т., Колесников В.В., Никольский А.В., Сахненко В.П. Анализ поверхности твердого тела по спектрам медленных электронов, возбужденных мягким рентгеновским излучением. //ФТТ.-1994.-т.36.-№2 -с.317-329.

44. Козаков А.Т., Колесников В.В., Никольский А.В., Сахненко В.П. Аномальная электронная эмиссия из монокристаллов ниобата и танталата лития. // ФТТ-1997.- том 39.- выпуск 4.-С.679-682.

45. Козаков А.Т., Никольский А.В., Новиков И.В., Мухортов Вл.М., Шевцова С.И. Особенности аномальной электронной эмиссии с поверхности сегнетоэлектриче-ских пленок состава PbTi03 и Pb(Zr,Ti)03 //ПЖТФ.- 1997 том 23- выпуск 16-с.55-61.

46. Крамер И. Экзоэлектронная эмиссия. -Мир: Ил., 1962.-306с.

47. КрыловаИ.В. Экзоэмиссия. Химическийаспект.(обзор)//Успехихимии 1976-t.IV- в. 12- с.2138-2167.

48. Лайнс М., Гласс А. Сегнетоэлектрики и родственные им материалы М:Мир, 1981.—736с.

49. Литвинов В.А., Коваль А.Г., Грицаенко С.В. Коэффициенты вторичной ионной104эмиссии с поверхности металлов, полупроводников и диэлектриков// Радиотехника и электроника.- 1998.- Т.43 N10.- с. 1254-1261.

50. Минакова Е.В., Тихомирова H.A., Хрусталёв Ю.А. Особенности эмиссии электронов с ювенильной поверхнолсти скола полярного кристалла сегнетоэлектрика триглицинсульфата. //Поверхность - 1986.-Т.7.-С.135-136.

51. Рабкин J1.M., Петин Т.П., Зарубин H.A., Иванов В.Н. Исследование некоторых характеристик электронной эмиссии с поверхности сегнетоэлектрика типа PLZT. // ПЖТФ.- 1998.- том 24.- выпуск 23 .-с. 19-22.

52. Рабкин JI.M., Иванов В.Н. Энергия электронов при экзоэлектронной эмиссии с сегнетоэлектрика. //ПЖТФ 1998-том24-выпуск 14.-C.54-57.

53. Рез И.С., Розенман Г.И., Чепелев Ю.Л., Ангерт Н.Б., Жашков A.A. Эмиссия высокоэнергетических электронов при пироэффекте в танталате лития. //Письма в ЖТФ.- 1979.- Т. 5 в22.- с.1352-1354.

54. Розенман Г.И., Рез И.С., Чепелев Ю.Л., Ангерт Н.Б., Жашков A.A. Экзоэмисссия пироэлектрика LiTa03 //ФТТ.- 1980.- Т.22.- в.11.- с.3466-3469.

55. Розенман Г.И., Рез И.С., Чепелев Ю.Л., Ангерт Н.Б. Экзоэмисссия дефектной поверхности танталата лития //ЖТФ 1981- Т.51- в.2 - с.404-408.

56. Розенман Г.И., Рез И.С., Чепелев Ю.Л., Сорокина Е.А., Бойкова Е.И. Экзоэмиссия легированного ТГС. //ФТТ.- 1980.- Т.22.-№11.-с.3488-3490.

57. Розенман Г.И., Рез И.С., Чепелев Ю.Л., Ангерт Н.Б., Бойкова Е.И. Экзоэмиссия и электретный эффект в кристаллах ниобата лития. //ЖТФ.-1982.-т.52.-№9.-с.1890-1892.

58. Розенман Г.И., Бодягин В.А., Чепелев Ю.Л., Исакова Л.Е. Электронный эмиттер с регулируемым энергетическим спектром на основе сегнетоэлектрика //Радиотехника и электроника 1987.- Т.32.- в.9.- с. 1997-1999.

59. Розенман Г.И., Бойкова Е.И. Ориентационная зависимость экзоэлектронной эмиссии при фазовых переходах в титанате бария //ФТТ 1978 - Т.20 - в.8 - с.2498-2500.

60. Бойкова Е.И., Розенман Г.И. //ФТТ.- 1978.- Т.20.- с.3425.

61. Розенман Г.И., Бойкова Е.И. Униполярная эмиссия Малтера в условиях пироэлектрического эффекта в LiNb03:Fe. //ФТТ.- 1979.- Т.21.- в.6.- С.1888-1891.105

62. Кортов B.C., Шварц А.Ф., Зацепин А.И. и др. Термостимулированная электронная эмиссия ниобата лития //ФТТ.- 1979.- Т.21- В.6.- С.1897-1899.

63. Томашпольский Ю.Я., Бойкова Е.И., Розенман Г.И., Севастьянов М.А. Экзоэлек-тронная эмиссия сегнетоэлектрических пленок.// ФТТ 1978 - Т.20 - С.3491.

64. Розенман Г.И., Бойкова Е.И., Севастьянов М.А., Томашпольский Ю.Я. Анизотропная эмиссия экзоэлектронов в титанате бария в области фазовых переходов. //Письма в ЖЭТФ.- 1978.- Т.27 в.5.- С.271-274.

65. Розенман Г.И., Охапкин В.А., Чепелев Ю.Л., Шур В.Я. Эмисссия электронов при переключении сегнетоэлектрика германата свинца //Письма в ЖЭТФ 1984-Т.39 - в.9.- С.397-399.

66. Розенман Г.И., Охапкин В.А., Шур В.Я. Визуализация динамики доменной структуры германата свинца методом экзоэмиссии. //ЖТФ- 1985 Т.55 - в.6 - С.1239-1241.

67. Розенман Г.И., Печорский В.И. Экзоэмиссиия при поперечном пьезоэффекте в ниобате лития //ЖТФ.- 1980.- Т.6.- в.24.- С. 1531-1534.

68. Розенман Г.И., Печорский В.И. Экзоэмиссионное обнаружение диэлектрического слоя на поверхности сегнетоэлектриков. //ФТТ.-1983—т.25.-№3.-С.888-890.

69. Rosenman G. and Rez I. Electron emission from feroelectric materials//J.Appl.Phys-1993.-v.73.-N4.-pp. 1904-1908.

70. Rosenman G.I., Letuchev V.V., Chepelev Yu.L., Malyshkina O.V., Shur V.Ya. and Ku-minov V.P. Emission of Electrons on Switching of the Gd2(Mo04)3 Ferroelectric-Ferroelastic in Electric Field //Appl. Phys. Lett.- 1990.- V. 56.- N.7.- pp. 689-691.

71. Rosenman G.; Shur D.; Skliar A. Ferroelectric electron emission flat panel display. //J.Appl.Phys.- 1996.- Issue 9, May l.-V.79.-pp. 7401-7403.

72. Shur D. And Rosenman G. A high-perveance ferroelectric cathode with a narrowed electron energy spread. // J. Phys. D: Appl. Phys 7 June 1998.-31 No 11 .

73. Shur D. And Rosenman G. Two modes of plasma-assisted electron emission from ferroelectric ceramics. //J. Phys. D: Appl. Phys 1999.-32- No 6.-L29-L33.

74. Kugel V. D.; Rosenman G.; Shur D.; Krasik YA.E. Copious electron emission from triglycine sulfate ferroelectric crystals. //J.Appl.Phys 1995.-V.78.-pp. 2248-2252.

75. Shannon D. N. J.; Smith P. W.; Dobson P. J.; Shaw M. J. Dual mode electron emission106from ferroelectric ceramics. // Applied Physics Letters 1997-Volume 70 - pp. 16251627.

76. Таганцев A.K. Слабополярное сегнетоэлектричество: диэлектрические свойства и возможная природа //Письма в ЖЭТФ.- 1987.- T.45.-B.7.- С.352-355.

77. Сидоркин А.С., Федосов В.Н. Ионизация заряженного примесного центра при переполяризации сегнетоэлектрика // ФТТ.-1981.-Т.23.-№9.-С.2854-2856.

78. Сидоркин А.С. Внутренняя холодная эмиссия при переполяризации сегнетоэлектрика. // ФТТ.-1982 Т.24.-№5.-С. 1542-1544.

79. Даринский Б.М., Сидоркин А.С. Концентрация электрического поля в полидоменных сегнетоэлектриках //ФТТ.-1984.-Т.26 -№6.-С. 1634-1639.

80. Darinsky В.М., Sidorkin A.S. and Milovidova S.D. Appearance of internal bias field in ferroelectric growth process. //Ferroelectrics 1993-v.l42.-pp.45-50.

81. Швец T.B. Исследование процессов переключения кристаллов гентферманата лития: Дис.канд.физ.-мат.наук. Воронеж, 1993.

82. Косцов A.M., Сидоркин А.С., Зальцберг B.C., Грибков С.П. Экзоэлектронная эмиссия из поверхностных состояний в сегнетоэлектрике. // ФТТ- 1982 Т.24- С 3436-3438.

83. Миловидова С.Д., Сидоркин А.С., Саввинов A.M., Маслаков А.И. Особенности электропроводности кристаллов ТГС. // ФТТ.-1986 Т.28.-№8 - С.2541-2543.

84. Косцов A.M. Экзоэлектронная эмиссия в кристаллах тригмицинсульфата, связанная с изменением состояния доменной структуры: Дис.канд.физ.-мат.наук. Воронеж, 1990.

85. Gundel Н., Riege Н., Handerek J. //Appl. Phys. Lett.- 1991.- v.69.-p.975.

86. Сидоркин A.C., Миловидова С.Д.,Саввинов A.M., А.Ю.Кудзина, М.А.Шушарьян Пироэлектрические свойствагептагерманаталития. //Кристалография 1996-т.41 -B.3.-C.750-752.

87. Сидоркин А.С., Косцов А.М., Зальцберг B.C., Грибков С.П. Кинетика экзоэлек-тронной эмиссии кристалла триглицинсульфата. // ФТТ 1985 - Т.27 - С.2200-2203.

88. Сидоркин А.С., Даринский Б.М., Панкова Т.Н. Происхождение и спектральный состав люминесценции при перестройке доменной структуры сегнетоэлектриков.107

89. Изв. АН СССР. Сер.физ.-1984.-т.48-с.1057-1064.

90. Саввинов A.M., Сидоркин А.С., Чернышев В.В.,.Либерман З.А. Гистерезиные явления в температурной зависимости люминесценции, сопровождающей переполяризацию сегнетоэлектриков. //ЖТФ- 1985.-t.55 с. 1877-1879.

91. Сидоркин А.С. Влияние туннелирования на строение и подвижность доменных границ в сегнетоэлектриках типа порядок-беспорядок. //ФТТ.-1989 -т.31- с.293-295.

92. Сидоркин А.С., Косцов A.M. Экзоэлектронная эмиссия в сегнетоэлектрическом кристалле триглицинсульфата с дефектами. //ФТТ 1991- Т.ЗЗ.-№8 - С.2458-2459.

93. Sidorkin A. S., Shevchenko A. A. The interaction of domain wall in ferroelectric-ferroelastic crystal with dilatation center. //Ferroelectrics.-1993.-v.142- c.235-242.

94. Darinskii B.M., Sidorkin A.S., Kostsov A.M. The oscillations of the domain boundaries in real ferroelectrics and ferroelectrics-ferroelastics. //Ferroelectrics.-1994.-v.160.-c.35-45.

95. Sidorkin A.S. Translational vibrations of domain srtucture in ferroelectrics. //J.Appl.Phys.-l 998.- v.83- N 7- pp.3762-3768.

96. Kamysheva L.N., Sidorkin A.S. //Ferroelectrics.- 1984.- v.55.- p.205.

97. Иона Ф., Ширане Д. Сегнетоэлектрические кристаллы. M.: Мир, 1965. - 556 с.

98. Цедрик М.С. Физические свойства кристаллов семейства триглицин-сульфата. -Минск.: Наука и техника, 1986. 216 с.

99. Sidorkin A.S., Sigov A.S. Translational vibrations of domain boundaries in ferroelectrics with different defect concentration. //Ferroelectrics 1998 - v.219 - pp.199-205.

100. Сидоркин A.C., Сигов А.С. Униполярное состояние сегнетоэлектрической пластины с ориентированными полярными дефектами.// Кристаллография 1998 - т.43-в.11.

101. Даринский Б.М., Сидоркин А.С., A.M. Косцов. Колебания доменных границ в сегнетоэлектриках и сегнетоэластиках с точечными дефектами. //Изв. АН СССР. Сер.физ.-1991.-т.55 с. 583-590.

102. Король Э.Н. Ионизация примесных состояний в полупроводниках электрическим полем. //ФТТ.-1977.-Т.19.-в.8.-С. 1266-1272108

103. ЮЗ.Карпус В., Перель В.И. Термоионизация глубоких примесных центров вполупроводниках в электрическом поле. //Письма в ЖЭТФ-1985-T.42.-b.10.-С.403-405.

104. Sidorkin A.S., Darinskii В.М., Lazarev А.Р., Kostsov A.M. Exoelectron Emission From Ferroelectric Surfase In Alternating Electric Field. // Ferroelectrics 1993- V.143-P.209-213.

105. Sidorkin A.S., Darinskii B.M Electron emission from ferroelectric plate stimulated by switching //Appl.Surface Science 1997.-N111.-c.325-328.

106. Миловидова С.Д., Сидоркин А.С., Гришаев JI.A., Панкова Т.Н. //ФТТ.-1987.-Т.29.-С.1913-1915.

107. К. Biedrzycki, Н. Aboura and R. Le Bihan,phys. stat. sol. (a). 1993.-140.-p. 257.

108. Rosenblum В., Braundlich P., Carrico P., Appl.Phys.Lett- 1974 v.25.-p,17 .

109. Шихалиев П.М. О механизме усиленной полем самоподдерживающейся вторичной электронной эмиссии в пористых диэлектриках // Писма в ЖТФ.-1998-т.24.-№ 19.-е. 13-18.