Электрические свойства кристаллов триглицинсульфата, выращенных при температуре ниже 00C тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 01.04.07, кандидат физико-математических наук Юрьев, Алексей Николаевич

• Юрьев, Алексей Николаевич
• кандидат физико-математических наук
• 2007

Оглавление диссертации кандидат физико-математических наук Юрьев, Алексей Николаевич

ВВЕДЕНИЕ.

1. РОСТ И СВОЙСТВА КРИСТАЛЛОВ ТРИГИЦИНСУЛЬФАТА.

1.1. Строение и свойства кристалла триглицинсульфат (ТГС).

1.2. Униполярность и внутренние смещающие поля в сегнетоэлектриках.

1.3. Нелинейные свойства сегнетоэлектриков.

1.4. Влияние примесей на диэлектрическую нелинейность ТГС.

1.5. Электронная эмиссия сегнетоэлектрических материалов.

1.6. Особенности поведения воды и водных систем при низких температурах

2. ДИЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ИССЛЕДОВАНИЯ.

2.1. Выращивание кристаллов триглицинсульфата из раствора ниже 0°С.

2.2. Диэлектрические исследования низкотемпературных кристаллов ТГС.

2.3. Влияние условий роста на диэлектрическую нелинейность кристаллов ТГС.

3. ОТЖИГ ДЕФЕКТОВ И РЕЛАКСАЦИЯ СВОЙСТВ НИЗКОТЕМПЕРАТУРНОГО ТРИГЛИЦИНСУЛЬФАТА.

3.1. Релаксация диэлектрических свойств низкотемпературного кристалла ТГС.

3.2. Влияние низкотемпературного «отжига» на свойства кристаллов ТГС.6Р

3.3. Влияние высокотемпературного «отжига» на свойства кристаллов ТГС

4. ЭМИССИЯ ЭЛЕКТРОНОВ ИЗ КРИСТАЛЛОВ ТГС, ВЫРАЩЕННЫХ ПРИ ОТРИЦАТЕЛЬНЫХ ТЕМПЕРАТУРАХ.

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Электрические свойства кристаллов триглицинсульфата, выращенных при температуре ниже 00C»

Актуальность темы.

Сегнетоэлектрические кристаллы играют заметную роль в науке и технике. Одним из так называемых «модельных» кристаллов является триглицинсульфат (ТГС, химическая формула (NH2CH2COOH)3.-H2S04), свойства которого хорошо изучены, и который, кроме того, обладает уникальной практически важной пирочувствительностью. Актуальной задачей физики сегнетоэлектричества по-прежнему остается управление их характеристиками или получение кристаллов с заданными свойствами. Факторами, которые позволяют модифицировать свойства материала, очевидно, являются введение примесей или дефектов при различных воздействиях, в том числе в процессе роста кристалла. Известно, что на свойства сегнетоэлектрического триглицинсульфата ТГС большое влияние оказывают различного рода примеси, всегда имеющиеся даже в номинально "чистом" кристалле. В литературе отмечается важная роль диапазона температур, в котором выращивается кристалл. Кристаллы триглицинсульфата являются водорастворимыми и их свойства в значительной степени определяются водородными связями. Состояние водородных связей в кристаллах ТГС можно изменять за счет условий их роста, например, изменяя температуру раствора. Традиционно указанные -кристаллы выращивают при комнатной и при более высоких температурах. В то же время особый интерес представляет зарождение и рост кристаллов при температурах, близких к точке эвтектики (О °С + -7 °С) раствора "триглицинсульфат - вода", при которых водородные связи в воде и водных растворах могут претерпевать существенные изменения. Выращиванию кристалла ТГС при отрицательных температурах вблизи точки эвтектики, исследованию свойств «низкотемпературного» кристалла ТГС и посвящена настоящая работа.

Цель работы.

Целью настоящей работы являлось исследование электрических свойств кристаллов триглицинсульфата, выращенных при температурах ниже О °С, а также стабильность этих свойств во времени и от внешних воздействия » температуры и электрических полей. Задачи работы:

• Выращивание кристаллов триглицинсульфата при температурах ниже 0°С.

• Анализ температурной зависимости диэлектрической проницаемости полученных кристаллов для определения точки Кюри и типа фазового перехода. Исследование основных диэлектрических параметров характерных для сегнетоэлектриков.

• Изучение доменной структуры кристаллов триглицинсульфата, выращенных при температурах ниже О °С, и определение степени монодоменности.

• Исследование релаксации электрических свойств кристаллов в зависимости от времени хранения при нормальных условиях.

• Анализ влияния внешних воздействий - температуры и электрического поля на доменную структуру и электрические свойства низкотемпературных кристаллов триглицинсульфата.

• Исследование термостимулированной электронной эмиссии с поверхности низкотемпературных кристаллов.

Объект и методики исследования. Объектом исследования являлись кристаллы триглицинсульфата, выращенные при температурах ниже О °С, образцы для исследований были получены путем скола по плоскости спаянности, для электрических измерений на образцы наносились электроды напылением серебра в вакууме. Исследования диэлектрической проницаемости и тангенса угла потерь проводились цифровым измерителем импеданса LCR83. Измерения частотных зависимостей диэлектрической проницаемости проводились по стандартной схеме с помощью цифрового мультиметра-генератора MS 1932. Петли диэлектрического гистерезиса наблюдались и обрабатывались на цифровом осциллографе OSC486. Эмиссионные исследования проводились по стандартной методике в вакууме порядка 10 ~5 мм. рт. ст. В качестве детектора эмиссии электронов использовался вторичный электронный умножитель ВЭУ-6.

Данные всех исследований обрабатывались в реальном времени на ЭВМ с помощью согласующих интерфейсов. Наблюдение и анализ доменной стурктуры кристаллов проводился с помощью металлографического микроскопа и зондового микроскопа Femtoscan-001 -Online.

Научная новизна. Все основные результаты данной работы являются новыми. В рамках данного исследования

• проведено всесторонне исследование электрических свойств кристаллов низкотемпературного триглицинсульфата, определен характер фазового перехода.

• по сравнению с обычным ТГС в низкотемпературном триглицинсульфате обнаружены сдвиг точки Кюри в область высоких температур, наличие внутреннего смещающего поля и высокие значения пироэлектрического коэффициента;

• исследована релаксация электрических свойств низкотемпературного * триглицинсульфата; обнаружена зависимость основных свойств от времени хранения;

• исследованы внешние воздействия на доменную структуру и электрические свойства низкотемпературных кристаллов триглицинсульфата; выявлена стабильность основных характеристик эффективной нелинейности при изменении частоты внешнего поля;

• исследована термостимулированная электронная эмиссия с поверхности кристаллов низкотемпературных кристаллов.

Практическая ценность работы определяется возможностью использования полученных результатов для оптимизации технологии < изготовления и улучшения основных рабочих характеристик устройств пиродатчиков, использующих в качестве чувствительного элемента ТГС, а также для оптимизации технологии выращивания номинально чистых кристаллов триглицинсульфата с заданными свойствами.

Основные положения, выносимые на защиту;

• Диэлектрические свойства номинально чистых низкотемпературных кристаллов ТГС аналогичны свойствам кристалла ТГС со специально введенными дефектами.

• Для низкотемпературных кристаллов ТГС, по сравнению с кристаллами выращенными при обычных температурах, обнаружено смещение температуры Кюри в сторону высоких температур на 0,5ч-0,7 К, наличие внутреннего поля смещения, появление минимума на зависимости еея(Е~).

• В противоположность с обычным кристаллом ТГС увеличение частоты измерительного поля практически не меняет диэлектрическую восприимчивость, что может быть связано с полевым отжигом дефектов.

• Высокие и стабильные значения пироэлектрического коэффициента, большая величина коэрцитивного поля, зависимость поляризации от амплитуды измерительного поля указывают на жесткость доменной структуры для кристаллов ТГС, выращенных ниже О °С.

• Эмиссионные свойства низкотемпературных кристаллов (меньший общий уровень эмиссии, интервал затягивания эмиссии в парафазу) характерны для кристаллов с повышенным содержанием дефектов.

Апробация работы. Основные результаты работы докладывались и обсуждались на 10-ой Европейской конференции по сегнетоэлектричеству (Кэмбридж, Великобритания, 2003); 4-ой Европейской рабочей школе по пьезоэлектрическим материалам (Монпелье, Франция, 2004); 11-ой Международной конференции по сегнетоэлектричеству (Бразилия /Аргентина, 2005), XVII-ой Всероссийской Конференции по физике сегнетоэлектриков (Пенза, 2005), 4-м Международном семинаре по физике сегнетоэластиков (Воронеж, 2003); 1-ой, 2-ой и 4-ой Международных научно-практических конференциях «Фундаментальные проблемы радиоэлектронного приборостроения» (Москва, 2003, 2004, 2006), XV-ом Международном Совещании «Рентгенография и Кристаллохимия Минералов», Санкт-Петербург, 2004.

Публикации и вклад автора. Настоящая работа выполнена на кафедре экспериментальной физики Воронежского госуниверситета в соответствии с планом научно-исследовательских работ кафедры. Все включенные в диссертацию данные получены лично автором или при его непосредственном участии. Автором обоснован выбор метода и объекта исследования, получены все основные экспериментальные результаты, проведены анализ и интерпретация полученных данных. Обсуждение полученных результатов проводилось совместно с научным руководителем д.ф.-м.н., проф. Сидоркиным А.С.

По теме диссертации опубликовано 7 статей, в том числе 4 статьи в реферируемых изданиях, сделано 6 докладов на международных и российских научно-технических конференциях, симпозиумах, семинарах.

Объём и структура диссертации. Диссертация состоит из введения,

Заключение диссертации по теме «Физика конденсированного состояния», Юрьев, Алексей Николаевич

Заключение.

Исследования, проведенные в данной диссертационной работе, позволили сделать следующие выводы:

1. Исследованы электрические свойства кристаллов ТГС, выращенные при температурах ниже О °С. Во всем исследуемом интервале температур для образцов низкотемпературного ТГС в сравнении с контрольными материалами наблюдаются меньшие значения диэлектрической проницаемости и увеличение температуры фазового перехода Тс на 0,5 + 0,7 К. При этом тип фазового перехода не меняется, на что указывает сохранение закона «двойки».

2. После хранения низкотемпературных кристаллов в течение трех месяцев точка Кюри Тс возвращается к положению, характерному для обычного ТГС. При этом максимальное значение диэлектрической проницаемости увеличивается примерно в пять раз по сравнению с первоначальной величиной, что указывает на релаксацию доменной структуры и отжиг ростовых дефектов в низкотемпературном кристалле ТГС.

3. Поведение эффективной диэлектрической нелинейности низкотемпературных кристаллов ТГС демонстрирует минимум на зависимости ееП(Е~), характерный для кристаллов, отличающихся наличием внутреннего поля смещения. Каждое последующее измерение приводит к уменьшению ширины минимума на зависимости 8eff(E) и смещению максимума указанной зависимости в сторону низких полей, что говорит об уменьшении внутреннего поля и отжиге ростовых дефектов для кристаллов ТГС, выращенных ниже 0 °С.

4. Величина пироэлектрического коэффициента для образцов кристалла ТГС, выращенного при температурах ниже 0 °С значительно больше во всем исследуемом температурном интервале в сравнении с обычным ТГС. При той же величине стимулирующего поля поляризация в низкотемпературных кристаллах ТГС существенно меньше, чем для образцов высокотемпературных кристаллов, что указывает на относительно высокую степень униполярности низкотемпературных кристаллов ТГС. Величина макроскопической поляризации, рассчитанная из данных пироэлектрических измерений (Р 1,5-4,7 цС/сш ) близка к величине спонтанной поляризации, определенной из петель диэлектрического гистерезиса.

5. Коэрцитивное поле в низкотемпературных кристаллах выше, чем для обычных кристаллов ТГС, что также позволяет рассматривать их как жесткие кристаллы. Насыщение петель диэлектрического гистерезиса происходит в полях порядка 3 kV/cm, что примерно на порядок выше по сравнению с обычными кристаллами. Кристаллы, выращенные при низких температурах, характеризуются небольшой величиной внутреннего смещающего поля (от 200 до 450 В/см. для различных кристаллов). Переключение в этих кристаллах начинается при некотором пороговом поле, величина которого уменьшается с температурой роста.

Список литературы диссертационного исследования кандидат физико-математических наук Юрьев, Алексей Николаевич, 2007 год

1. Струков Б.А. Физические основы сегнетоэлектрических явлений в кристаллах / Б.А. Струков, А.П. Леванюк. М.: Наука, 1995. - 304 с.

2. Фесенко Е.Г. Семейство перовскита и сегнетоэлектричество / Е.Г. Фесенко. М.: Атомиздат, 1972. - 228 с.

3. Желудев И.С. Основы сегнетоэлектричества / И.С. Желудев. М. : Атомиздат, 1973. - 472 с.

4. Сонин А.С. Введение в сегнетоэлектричество / А.С. Сонин, Б.А. Струков. М.: Высшая школа, 1970. - 272 с.

5. Смоленский Г.А. Сегнетоэлектрики и антисегнетоэлектрики / Г.А. Смоленский, В.А. Боков, В.А. Исупов, Н.Н. Крайник, Р.Е. Пасынков, М.С. Шур. Ленинград : Наука, 1971.-476 с.

6. Иона Ф. Сегнетоэлектрические кристаллы / Ф. Иона, Д. Ширане ; перевод с англ. Л.А. Фейгина; под ред. Л.А. Шувалова. М. : Мир, 1965.- 555 с.

7. Лайнс М. Сегнетоэлектрики и родственные им материалы / М. Лайнс, А. Гласс ; перевод с англ. под ред. В.В. Леманова, Г.А. Смоленского. -М.: Мир, 1981.-282 с.

8. Синюков В.В. Структура одноатомных жидкостей, воды и водных растворов электролитов. Историко-химический анализ / В.В. Синюков -М.: Наука, 1976.-256 с.

9. Фрицман Э.Х. Природа воды. Тяжелая вода / Э.Х.Фрицман Л.: ОНТИ -Химтеорет, 1935

10. Ю.Андрианова И.С. Теплопроводность и структура воды / И.С. Андрианова, О.Я. Самойлов, И.З. Фишер // Журнал структурной химии. 1967. -Т.8., № 5. - С. 813-816.

11. Ястремский П.С. Диэлектрическая проницаемость и структурные особенности водных растворов электролитов / П.С. Ястремский // Журнал структурной химии, 1961. Т.2, № 3. - С. 268 - 278

12. Вода и водные растворы при температуре ниже О °С / Под ред. Ф. Франка. Киев: Наукова думка, 1985. - 388 с.

13. Иона Ф. Сегнетоэлектрические кристаллы / Иона Ф., Ширане Д. М.: Мир, 1965.-600 с.

14. Цедрик М.С. Физические свойства кристаллов триглицинсульфата / Цедрик М.С. Мн.: Наука и техника, 1986. 216 с.

15. Лайнс М. Сегнетоэлектрики и родственные им материалы / Лайнс М., ГлассА. М.: Мир. 1981

16. Носов Г.А. Концентрирование водных растворов методом контактного фракционного плавления / Носов Г.А., Михайлова Н.А. // Химическая промышленность, 1999. -№ 9 (561). С. 27-31.

17. Гельперин Н.И. Основы техники фракционной кристаллизации // Гельперин Н.И., Носов Г.А. М.: Химия, 1986.

18. Яценко О.Б. Особенности водно-солевых систем при низких температурах / Яценко О.Б., Котова Д.Л., Селеменев В.Ф., Угай Я.А., Крысанова Т.А. // Журнал прикладной химии, 1997. Т. 70, Вып. 12. -С. 1948-1954.

19. Яценко О.Б. Особенности кристаллизации и плавления льда в водно-солевых системах / Яценко О.Б., Котова Д.Л., Селеменев В.Ф., Угай Я.А., Федорец А.А. // Конденсированные среды и межфазные границы, 1999.- Т.1,№1. -С.87-91.

20. Яценко О.Б. Выращивание кристаллов различных хлоридов металлов в водных системах при низких температурах / О.Б. Яценко, И.Г. Чудотворцев, А.А. Федорец, Д.Л. Котова, И.А. Попова // Неорганические материалы, 2001. Т.37, № 5. - С. 617-621

21. Современная кристаллография (в четырех томах). Т. 3. Образование кристаллов / Чернов А.А., Гиваргизов Е.И., Багдасаров Х.С. и др. М.: Наука, 1980.

22. Смоленский А.Г. Физика сегнетоэлектрических явлений / А.Г. Смоленский, В.А. Боков, В.А. Исупов, Н.Н. Крайник, Р.Е. Пасынков, А.И. Соколов, Н.К. Юшин. Л.: Наука, 1985. - 396 с.

23. Колесников В.В. Особенности динамики 180°-х доменов в сегнетоэлектрике в процессах переключения поляризации и эмиссии электронов / В.В. Колесников, А.Т. Козаков, А.В. Никольский // Физика твердого тела. 2000. - Т. 42, № 1. - С. 141-146.

24. Камышева Л.Н. Импульсная переполяризация в дефектных кристаллах триглицинсульфата / Л.Н. Камышева, О.А. Косарева, С.Н. Дрождин, О.М. Голицина // Кристаллография. 1995. - Т. 40, № 1. - С. 93-96

25. Таблицы физических величин: справочник. / под ред. акад. И.К. Кикоин. М.: Атомиздат, 1976. - 1008 с.94

26. Сидоркин А.С. Доменная структура в сегнетоэлектриках и родственных материалах / А.С. Сидоркин. М.: Физматлит, 2000. - 240 с.

27. Гриднев С.А. Физика пьезоэлектрических кристаллов : учеб. пособие / С.А. Гриднев. Воронеж: Изд-во ВГТУ, 2001. - 122 с.

28. IMS Associates Program Newsletter. CT : University of Connecticut, Institute of Materials Science. - 2004. - V. 8, № 1. - P. 3.

29. Сидоркин А.С. Кинетика экзоэлектронной эмиссии кристалла триглицинсульфата/ А.С.Сидоркин, А.М.Косцов, В.С.Зальцберг// Физика твердого тела 1985 - № 7 - С.2200-2203.

30. Косцов A.M. Экзоэлектронная эмиссия из поверхностных состояний в сегнетоэлектрике/А.М. Косцов, А.С.Сидоркин, В.С.Зальцберг, С.П.Грибков// Физика твердого тела 1982 - №11С. 3436-3438.

31. Sidorkin A.S. Electron emission from ferroelectric plate stimulated by switching/ A.S. Sidorkin, B.M. Darinskii// Appl.Surface Science. 1997-N111.-C.325-328.

32. Сидоркин A.A. Термостимулированная эмиссия электронов в параэлектрической фазе триглицинсульфата, нагреваемого с большой скоростью/ А.А.Сидоркин, А.С.Сидоркин, О.В.Рогазинская, С.Д.Миловидова// Физика твердого тела 2002 - № 2 - С. 344-346

33. Мищенко К.П. Сольватация ионов в растворах электролитов. I. Химические теплоты сольватации отдельных ионов и приближенное вычисление энергии сольватации / К.П. Мищенко // Журнал физической химии. 1952. - Т. 26, вып. 12. - С. 1736.

34. Смоленский А.Г. Физика сегнетоэлектрических явлений / А.Г. Смоленский, В.А. Боков, В.А. Исупов, Н.Н. Крайник, Р.Е. Пасынков, А.И. Соколов, Н.К. Юшин. Л.: Наука, 1985. - 396 с.

35. Колесников В.В. Особенности динамики 180°-х доменов в сегнетоэлектрике в процессах переключения поляризации и эмиссии электронов / В.В. Колесников, А.Т. Козаков, А.В. Никольский // Физика твердого тела. 2000. - Т. 42, № 1. - С. 141-146.

36. Камышева JI.H. Импульсная переполяризация в дефектных кристаллах триглицинсульфата / JI.H. Камышева, О.А. Косарева, С.Н. Дрождин, О.М. Голицина // Кристаллография. 1995. - Т. 40, № 1. - С. 93-96

37. Таблицы физических величин: справочник. / под ред. акад. И.К. Кикоин. -М.: Атомиздат, 1976. 1008 с.

38. Сидоркин А.С. Доменная структура в сегнетоэлектриках и родственных материалах / А.С. Сидоркин. М.: Физматлит, 2000. - 240 с.

39. Гриднев С.А. Физика пьезоэлектрических кристаллов : учеб. пособие / С.А. Гриднев. Воронеж: Изд-во ВГТУ, 2001. - 122 с.

40. IMS Associates Program Newsletter. СТ : University of Connecticut, Institute of Materials Science. - 2004. - V. 8, № 1. - P. 3.

41. Сидоркин А.С. Кинетика экзоэлектронной эмиссии кристалла триглицинсульфата/ А.С.Сидоркин, А.М.Косцов, В.С.Зальцберг// Физика твердого тела.- 1985.- № 7.- С.2200-2203.

42. Косцов A.M. Экзоэлектронная эмиссия из поверхностных состояний в сегнетоэлектрике/А.М. Косцов, А.С.Сидоркин, В.С.Зальцберг, С.П.Грибков// Физика твердого тела 1982.- №11С. 3436-3438.

43. Sidorkin A.S. Electron emission from ferroelectric plate stimulated by switching / A.S. Sidorkin, B.M. Darinskii// Appl.Surface Science. 1997-N111.-C.325-328.

44. Сидорки A.A. Термостимулированная эмиссия электронов в параэлектрической фазе триглицинсульфата, нагреваемого с большой скоростью/ А.А.Сидоркин, А.С.Сидоркин, О.В.Рогазинская, С.Д.Миловидова// Физика твердого тела 2002 - № 2 - С. 344-346

45. Мищенко К.П. Сольватация ионов в растворах электролитов. I. Химические теплоты сольватации отдельных ионов и приближенное вычисление энергии сольватации / К.П. Мищенко // Журнал физической химии. 1952. - Т. 26, вып.12.-С.1736.

46. Ястремский П.С. Диэлектрическая проницаемость и структурные особенности водных растворов электролитов / П.С. Ястремский // Журнал структурной химии, 1961. Т.2, № 3. - С. 268 - 278.

47. Бакеев М.И. Основы теории гидратации и растворения солей / М.И. Бакеев Алма-ата: Наука, 1990. - 136 е., прил. 56 с.

48. Латышева В.А. Водно-солевые растворы: системный подход / В.А. Латышева СПб.: Изд-во С.-Петербургского ун-та, 1998. - 344 с.

49. Борина А.Ф. Количественная характеристика ближней гидратации некоторых ионов в разбавленных водных растворах / Борина А.Ф., Самойлов О.Я. // Журнал структурной химии, 1967. Т.8, № 5. - С. 817-821.

50. Глебов А.Н. Структурно-динамические свойства водных растворов электролитов / А.Н. Глебов, А.Р. Буданов // Соросовский образовательный журнал, 1996. № 9. - С. 72-78.

51. Гончаров В.В. Количественная характеристика ближней гидратации некоторых ионов в разбавленных растворах /В.В. Гончаров, И.И. Романова, О.Я. Самойлов, В.И. Яшкичев // Журнал структурной химии, 1967. Т.8, № 4. - С. 613.

52. Михайлов В.А. Расчет энергии гидратации катионов / Михайлов В.А., Дракин С.И. // Журнал физической химии, 1955. Т. 29, в. 12. - С. 2133-2144.

53. Дракин С.И. Расчет энтропии гидратации катионов / Дракин С.И., Михайлов В.А // Журнал физической химии, 1959. Т.ЗЗ, № 7. - С. 1544-1550.

54. Дракин С.И. Расчет термодинамических характеристик гидратации ионов, не способных к длительному существованию в растворе / Дракин С.И., Михайлов В.А. // Журнал физической химии, 1962. Т. 36, №8.-С. 1698-1704.

55. Крестов Г. А. Термодинамическая характеристика структурных изменений воды, связанных с гидратацией ионов / Г.А. Крестов // Журнал структурной химии, 1962. Т.З, № 2. - С. 137-142.

56. Крестов Г.А. Влияние температуры на отрицательную гидратацию ионов / Крестов Г.А., Абросимов В.К. // Журнал структурной химии, 1967.-№8.-С. 822-826.

57. Ю.Э. Кирш. Особенности ассоциации молекул воды в водно-солевых и водно-органических растворах / Ю.Э. Кирш, К.К. Калниньш. // Журнал прикладной химии, 1999. Т. 72, вып. 8. - С. 1233-1246.

58. Вода и водные растворы при температуре ниже 0 °С / Под ред. Ф. Франка. Киев: Наукова думка, 1985. - 388 с.

59. Shimada W. Pattern formation of ice crystals during free growth in supercooled water / Shimada W., Furukawa Y. // J. Phys. Chem. В 1997, 101.-P. 6171- 6173.

60. Yokoyana E. Growth trajectories of disk crystals of ice growing from supercooled water / Yokoyana E., Sekerka R., Furukawa Y. // J. Phys. Chem. В 2000,104.-P. 65-67.

61. Розенталь О.М. Структура и вмерзание в лед гидратационных комплексов ионов / О.М. Розенталь // Журнал структурной химии, 1971.-Т.12,№5.-С. 917-919.

62. Бронштейн B.JT. Разделение зарядов при замерзании воды и кристаллизационный гидролиз / Бронштейн В.Л., Чернов А.А. // 7 Всесоюзная конференция по росту кристаллов. Расширенные тезисы. М, 1988.-Т.З.-С. 116-117.

63. Шибков А.А. Собственное электромагнитное излучение растущего льда Шибков А.А., Желтов М.А., Королев А.А. // Природа, 2000. № 9. -С. 12-20.

64. Shuji Kawada. Dielectric Properties and 110 К Anomalies in KOH- and HCl-Doped Ice Single Crystals / Shuji Kawada, Ru Gui Jin, Mituro Abo // J. Phys. Chem. В 1997, V. 101, P. 6223-6225.

65. T. Ishizaki. Premelting of ice in porous silica glass / T. Ishizaki, M. Mamyama, Y.Furukawa, J.G. Dash // J. Crystal Growth, 1996. V. 163. -P. 455-460.

66. Makkonen L. Surface melting of ice / Makkonen L. // J. Phys. Chem. В 1997, V. 101.-P. 6196-6200.

67. Данилов В.И. Строение и кристаллизация жидкостей / В.И. Данилов -Киев: изд-во АН УССР, 1956. 568 с.

68. Waplak В. S., Yurin V.A. , Stankoujki J. EPR study of the process of ferroelectric polarization reversal in chromium doped TGS. //Acta phys. Pol-1974. A46.-№2.-p. 175-183.

69. Пешиков E.B. Радиационны эффекты в сегнетоэлектриках. Ташкент, ФАН,1986-139 с.

70. Донцова Л.И., Тихомирова Н.А., Гинзбург А.В. Кинетика процесса переключения локально облученных образцов триглицинсульфата //ФТТ.-1988.-т.30.-№9.-с.2692-2697.100

71. Вавресюк И.В., Миловидова С.Д.,Евсеев ИМ. Изменение свойств кристаллов триглицинсульфата при введении металлических ионов.//Кристаллография.-1996-том 41. №3.-C.572-573.

72. Тихомирова Н.А. Гинзберг А.В. Донцова Л.И. Чумакова С.П. Шувалов Л.А.Дефекты и их роль в процессах переполяризации.// ФТТ.- 1986.- т.28 В. 10 - с.3055-3058.

73. Чернов А.А., Мельникова A.M. Теория электрических явлений, сопровождающих кристаллизацию. I. Электрическое поле в кристаллизующемся водном растворе электролита.//Кристаллография-1971 -т. 16 в.З.- с.477-487.

74. Черненко А.А. К теории прохождения постоянного тока через раствор бинарного электролита.// Доклады АН СССР.-1963.-т.153.-№5-с.1113-1125.

75. Яценко О.Б. Выращивание кристаллов различных хлоридов металлов в водных системах при низких температурах /, И.Г. Чудотворцев, А.А. Федорец, Д.Л. Котова, И.А. Попова.// Неорганические материалы, 2001. -Т.37, № 5. -С. 617-621.

76. Б. Яценко, Д.JI. Кошоеа, А.А. Федорец, И.Г. Чудотворцев Особенности кристаллизации и плавления компонентов в водных растворах // Конденсированные среды и межфазные границы, 1999. Т. 1, №4.-С.328-333.

77. Смоленский Г.А., Крайник Н.Н. Сегнетоэлектрики и анти-сегнетоэлектрики. М.: Наука, 1968. 183 с.

78. Б. Яценко, И.Г. Чудотворцев Кристаллизация и плавление льда в водно-солевых системах // Неорганические материалы, 2002. -Т.38, № 9.-С. 1079-1086.

79. Леванюк А.П. Изменение структуры дефектов и обусловленные ими аномалии свойств веществ вблизи точек фазовых переходов./ А.П.Леванюк, В.В.Осипов, А.С.Сигов, А.А.Собянин // ЖЭТФ.- 1971.-т.76- В.1.-с.345-368.

80. Jaskiewics A. Domain Formation in uniaxial ferroelectrics during second order phase transition// Ferroelectrics.-1978.-v.20.-p.257-258.

81. Миловидова С.Д., Евсеев И.И., Вавресюк И.В., Алешин С.А. Структура и свойства кристаллов ТГС, выращенных из облученных затравок.//Кристаллография.-1997.-т. 42. -№6.-с.1137-1138.

82. Блинц Р., Жекш Б. Сегнетоэлектрики и антисегнетоэлек-трики. М.: Мир, 1975.398 с.

83. Shil'nikov A.V., Pozdnyakov А.Р., Nesterov V.N., Fedo-rikhin V.A., Uzakov R.H. The analysis of dynamic domain boundaries of TGS crystals in low and infralow frequencies electrical fields / Ferroelectrics. 1999. Vol. 223. P. 149.

84. Белоненко М.Б., Шакирзянов MM. // ЖЭТФ. 1991. Т. 99. № 3. С. 860873.

85. Белоненко М.Б., Донская КС, Кесселъ А.Р. // ТМФ. 1991. Т. 88. № 1. С. 222-236.

86. Livitskii R.R., Zachek I.R., Verkholyak Т.М., Moina А.Р. // Phys. Rev. В 67. 2003. N17. P. 174 112.

87. Поздняков А.П. Влияние некоторых дефектов структуры на процессы поляризации и переполяризации одноосных модельных сегнетоэлектриков, принадлежащих к различным кристаллографическим классификационным типам. Канд. дис. Волгоград: ВолГАСУ 2003.

88. Fletcher S.R. Keve Е.Т., Shapski A.Structural etudies of triglycine sulfate triglycine sulfate (structura A)// Ferroelectrics 1976 14,№ 3-4, p.768 -775.

89. Юрин B.A., Желудев И.С. Стабилизация спонтанной поляризации и пироэлектрический эффект в у облученных кристаллах ТГС.// Изв.АН СССР сер. физ.-1964. -Т.28.-№ 4.-С.726-730.

90. Бородин В.З., Гах С.Г. Влияние электродов на униполярность сегнетоэлектриков // Изв АН СССР.Сер.Физ.- 1984- Т.48.- №6.-сЛ081-1085.

91. Галстян Г.Т., Рез И.С., Рейзер М.Ю. О природе примесной униполярности кристаллов ТГС.// ФТТ- 1982.-Т.24.-В.7.-С 21862190.

92. Keve Е.Т.,Вуе K.L.,Wipps P.W., Annis A.D. Structural inhibition of ferroelectric switching un triglycine sulfate. I Additives.//)//Ferroelectrics-1971-V.-3.-№ l/2.-pp.39-48.

93. Новик B.K., Гаврилова Н.Д. Галстян Г.Т. О механизме стабилизации лигандами (L, а аланин и L, а - аланин + Сг )полярного состояния ТГС.// Кристаллография -1983- т.28- В.6.-с.1165-1171.

94. Milovodova S.D. Electret effect in triglycine sulfate./ S.D. Milovodova, N.D.Gavrilova, L.N.Kamisheva, V.K.Novik// Ferroelectrics-1978.-V.18.-pp. 103-104.

95. Сидоркин A.C. Релаксация электронной эмиссии из кристалла ТГС с дефектами./ А.С.Сидоркин, О.В.Рогазинская, С.Д.Миловидова, Н.Ю.Пономарева, А.А.Сидоркин// Изв. РАН, Сер. физ.- 2000,- № 9.-С. 1763-1766.

96. В.К. Новик, Н.Д. Гаврилова, Г.Т. Галстян, Кристаллография .1983 т.28 - В.6.- с.1165-117

97. Миловидова С.Д. Свойства кристаллов триглицинсульфата облученного рентгеновским излучением. /С.Д. Миловидова, И.И. Евсеев, И.В. Вавресюк, З.А. Либерман // Сегнетоэлектрики и пьезоэлектрики: Сб. науч. тр. Тверь, 1991.-е. 108-114

98. Rogazinskaya O.V. Dielectric Non-Linearity of TGS Crystals with an Admixture of Europium Ions./ O.V. Rogazinskaya, S.D. Milovidova, A.S. Sidorkin, A.B. Plaksitsky , A.A. Sidorkin, T.V. Vorobzhanskaya // Ferroelectrics, Volume 307 / 2004, pp.255 259