Электрофизические свойства металлических нанопроводов, полученных методом селективного изменения атомного состава тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 01.04.01, кандидат физико-математических наук Кутузов, Леонид Вячеславович

• Кутузов, Леонид Вячеславович
• кандидат физико-математических наук
• 2012

Оглавление диссертации кандидат физико-математических наук Кутузов, Леонид Вячеславович

ВВЕДЕНИЕ

Глава 1. Основные методы получения и применение нанопроводов

1.1 Перспективы использования нанопроводов

1.1.1 Металлические нанопровода

1.1.2 Висмутовые нанопровода

1.1.3 Использование нанопроводов в детектировании

1.2 Методы изготовления нанопроводов

1.2.1 Изготовление нанопроводов с использованием трафаретов

1.2.2 Методы создания наноструктур из жидкой фазы

1.2.2.1 Метод продавливания через трафарет

1.2.2.2 Электрохимическое осаждение

1.2.2.3 Золь-гель процесс

1.2.3 Методы создания наноструктур из газовой фазы

1.2.3.1 Физическое осаждение

1.2.3.2 Химическое осаждение

1.2.3.3 Метод пар-жидкость-твердое тело

1.2.3.4 Химическое осаждение металлоорганики

1.2.4 Методы создания наноструктур из твердой фазы 37 1.2.4.1 Кремний на изоляторе

1.2.5 Метод селективного удаления атомов

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Электрофизические свойства металлических нанопроводов, полученных методом селективного изменения атомного состава»

Актуальность темы диссертации обусловлена большим интересом к разработке способов изготовления и исследованию электрофизических характеристик нанопроводов.

Нанопровода представляют собой широкий класс одномерных наноструктур, перспективных для самых разных нанотехнологических применений, главным образом, для будущей наноэлектроники. Их характеристики легко контролируемы уже на этапе создания и сопоставимы с параметрами массивных материалов (зачастую превосходя их). Именно возможность управлять параметрами и их временная стабильность являются главными преимуществами нанопроводов. Указанные преимущества дают возможность рационально осуществлять различные стратегии интеграции элементов. В частности, уже были изготовлены наноразмерные полевые транзисторы, а также реальные приборы на их основе -сверхчувствительные газовые и биологические сенсоры. Их высокая чувствительность обусловлена огромным отношением поверхности нанопровода к объему по сравнению с планарными структурами. Связывание химической или биологической молекулы на поверхности нанопровода приводит к изменению концентрации носителей во всем сечении нанопровода, тогда как в планарной структуре это изменение происходит только в приповерхностном слое.

Одним из перспективных материалов для создания и исследования свойств нанопроводов является висмут. На его основе возможно создание сенсоров и различных термоэлектрических устройств. Висмут отличается от других металлов самой низкой теплопроводностью, малой эффективной массой и большой длиной свободного пробега носителей, что в области наноразмеров предвещает скорое проявление квантовых эффектов. Висмутовые нанопровода изготавливают традиционными методами электроники с использованием электронной литографии. Проблема состоит в том, что из-за низкой точки плавления висмута и его химической нестабильности тонкие висмутовые провода получаются очень хрупкими. К тому же, они чрезвычайно чувствительны к статическим электрическим зарядам и окислению, что приводит к очень низкому выходу годных проводов. Разработка эффективного метода создания висмутовых нанопроводов в рамках имеющихся МОП и КМОП-технологии позволит практически реализовать все их достоинства.

Цель работы

Целью работы являлись разработка методики создания металлических нанопроводов одним из методов селективного изменения атомного состава -селективным удалением атомов (СУА) под действием протонного облучения и получение новых знаний о служебных свойствах металлических нанопроводов: структуре, геометрических параметрах и электрических свойствах. Для достижения поставленной цели были сформулированы следующие задачи:

• исследовать дозовые зависимости электрического сопротивления пленок исходного материала при облучении протонами различных энергий и таким образом выявить оптимальные параметры облучения для конкретных толщин исходных пленок;

• разработать шаблоны, на основе которых методом электронной литографии создать защитные маски требуемой геометрии и оптимальной толщины, способной обеспечить точность передачи рисунка при сохранении защитных свойств под действием ионного пучка;

• создать образцы наноструктур двух видов (из одиночных нанопроводов и пар параллельных близкорасположенных нанопроводов) путем облучения протонами;

• изучить методом просвечивающей электронной микроскопии структуру нанопровода и профиль защитной маски;

• разработать методику измерений, а также выполнить измерения электрических свойств полученных наноструктур: электросопротивления нанопроводов, токов утечки через подложку и через тонкий слой диэлектрика, разделяющий пары нанопроводов;

Объект и предмет исследования

Объектами исследования были пленки оксида висмута до и после процесса протонного облучения, а также образцы висмутовых нанопроводов, полученные из оксида под действием протонного облучения.

Предметом исследования являлись структурные и электрические свойства пленок и сформированных наноструктур.

Научная новизна

• Методом селективного удаления атомов впервые получены одиночные металлические нанопровода и структуры из пар нанопроводов в диэлектрической матрице.

• Определены основные требования к подложке, напыляемым слоям исходного оксида и параметрам литографической маски, обеспечивающим получение требуемых характеристик металлических нанопроводов.

• Методами растровой и просвечивающей электронной микроскопии исследованы геометрические и структурные параметры металлических нанопроводов.

• Разработана методика и впервые измерены электрические сопротивления созданных методом СУА наноструктур и токи утечки через слой разделяющего диэлектрика в парах проводов.

• Впервые созданы параллельные металлические нанопровода на расстоянии менее 50 нм друг от друга.

• Проведено компьютерное моделирование процесса формирования нанопроводов в оксиде под действием протонного облучения.

Практическая ценность работы

Практическая ценность работы состоит в развитии метода селективного удаления атомов под действием протонного облучения применительно к созданию металлических нанопроводов:

• Созданы серии образцов с различными геометрическими параметрами и определены их размеры, а также предельное расстояние между проводами в паре при заданной энергии пучка.

• Измерены электрические сопротивления созданных металлических нанопроводов из висмута и токи утечки через слой разделяющего диэлектрика в парах проводов.

• Проведено исследование процесса эволюции во времени данных нанопроводов и доказана их лучшая временная стабильность по сравнению с аналогами.

• Выполнено компьютерное моделирование процесса формирования нанопроводов под действием протонного облучения и экспериментально подтверждено, что модель применима для расчета профиля нанопроводов, полученных этим методом.

• Показано что метод СУА является перспективным для создания сенсоров различного типа, а также элементов электронной техники.

Степень обоснованности и достоверности полученных научных результатов

Полученные в диссертационной работе научные результаты обоснованы большой базой проведенных исследований на высокоточном оборудовании и использованием апробированных методик измерения, а также подтверждены воспроизводимостью параметров и соответствием полученных расчетных и экспериментальных данных.

Основные положения, выносимые на защиту

• Экспериментальное подтверждение возможности изготовления висмутовых нанопроводов в матрице собственного оксида путем модификации атомного состава материала под действием протонного облучения.

• Результаты структурных исследований и измерений электрических свойств металлических наноструктур в диэлектрической матрице.

• Компьютерная модель процесса образования нанопроводов методом СУА.

Личный вклад автора

• Выполнил работу по выбору параметров протонного облучения исходной пленки оксида висмута для создания наноструктур.

• Отработал технологию создания и изготовил электронно-литографические маски для получения нанопроводов с заданными геометрическими размерами путем последующего облучения через эту маску.

• Участвовал в проведении экспериментальных работ: подготовке образцов, процедуре облучения ускоренными частицами и измерении электрических свойств полученных образцов наноструктур.

• Провел анализ и обобщение результатов измерений.

• Выполнил компьютерное моделирование процесса селективного удаления атомов и осуществил сопоставление расчетных и экспериментальных данных.

Апробация работы

Основные результаты работы были представлены на ряде конференций:

• VI национальная конференция РСНЭ-НБИК 2009, "Рентгеновское, Синхротронное излучения, Нейтроны и Электроны для исследования наносистем и материалов. Нано-Био-Инфо-Когнитивные технологии", Москва, 16-21 ноября 2009 г.

• III Высшие курсы стран СНГ для молодых ученых, аспирантов и студентов старших курсов по современным методам исследований наносистем и материалов "Синхротронные и нейтронные исследования наносистем" (СИН-нано-2010), Москва - Дубна, 4-17 июля 2010 г.

• Международная научно-техническая конференция и молодежная школа-семинар "Нанотехнологии-2010", Геленджик, 19-24 сентября 2010 г.

• Четвертая Всероссийская конференция по наноматериалам "Нано2011", Москва, 1-4 марта 2011 г.

• VII национальная конференция РСНЭ-НБИК 2011, "Рентгеновское, Синхротронное излучения, Нейтроны и Электроны для исследования наносистем и материалов. Нано-Био-Инфо-Когнитивные технологии", Москва, 14-18 ноября 2011 г.

• Конференция-конкурс научных работ студентов, аспирантов и молодых специалистов, Москва, 13 февраля 2012 г.

• Конференция выпускников Высших курсов стран СНГ для молодых ученых, аспирантов и студентов старших курсов по современным методам исследований наносистем и материалов "Синхротронные и нейтронные исследования наносистем" (СИН-нано-2012), Дубна, 17-21 июля 2012 г.

• Международная научно-техническая конференция «Нанотехнологии функциональных материалов» (НФМ'2012), Санкт-Петербург, 27-29 июня 2012 г.

Публикации

Основные результаты были опубликованы в 3 статьях, а также представлены в тезисах на 8 конференциях.

Структура и объем работы

Работа состоит из введения, 4 глав, основных результатов, выводов и списка используемой литературы. Общий объем работы 142 страница, включая 75 рисунков, 8 таблиц, и список цитированной литературы из 124 наименований.

СПИСОК ОБОЗНАЧЕНИЙ И СОКРАЩЕНИЙ pH - водородный показатель

ДНК - дезоксирибонуклеиновая кислота

УФ - ультрафиолет

КМОП - комплементарная логика на транзисторах металл-оксид-полупроводник CVD - химическое осаждение

MOCVD - химическое осаждение металлоорганики VLS - метод пар-жидкость-твердое тело ТЕМ (ПЭМ) - просвечивающая электронная микроскопия КНИ - кремний на изоляторе

РФЭС - рентгеновская фотоэлектронная спектроскопия SEM (РЭМ) - растровая электронная микроскопия EELS - спектроскопия потерь энергии электронов EDS - дисперсионная рентгеновская спектроскопия ПММА - полиметилметакрилат СУА - селективное удаление атомов ВАХ - вольтамперная характеристика

Заключение диссертации по теме «Приборы и методы экспериментальной физики», Кутузов, Леонид Вячеславович

1.2.6 Заключение

Проведенный литературный обзор показал, что среди существующих методов создания нанопроводов нет ни одного, одновременно обладающего достаточной технологичностью, производительностью и воспроизводимостью характеристик готовых наноструктур. Следовательно, возникает необходимость разработки новых подходов создания нанопроводов, способных стать основой полноценной промышленной технологии. Примененный в данной работе способ получения наноструктур выгодно отличается от других рассмотренных методов и может претендовать на место наиболее перспективного из них.

Однако для успешного применения метода СУА при получении висмутовых нанопроводов необходимо было определить конкретные толщины исходных пленок оксида висмута, литографических масок, а также параметров облучения исходных пленок оксида. Кроме того, необходимо было исследовать структуры созданных нанопроводов и изучить их электрофизические свойства, т.к. именно они определяют качество созданных элементов. Целью настоящей работы являлись отработка методики создания металлических нанопроводов из оксида методом селективного удаления атомов и получение новых знаний о свойствах данных наноструктур.

ГЛАВА 2. СОЗДАНИЕ НАНОПРОВОДОВ ПОД ДЕЙСТВИЕМ ПРОТОННОГО

ОБЛУЧЕНИЯ

При создании нанопроводов методом СУ А, в первую очередь, необходимо было выбрать наиболее подходящий исходный материал для создания проводов. Ключевым вопросом является уровень получаемых электрических характеристик металлов, созданных выбранным методом. Для исследования электрических характеристик материалов, восстановленных методом селективного изменения атомного состава из оксидов металлов, были изучены дозовые зависимости изменения электрического сопротивления тонких пленок в процессе облучения (рисунок 16) [83]. Как видно из рисунка 16, для всех исследованных оксидов при определенной дозе облучения происходит падение уровня электрического сопротивления. Измеренные удельные сопротивления восстановленных пленок металлов достигают значений, характерных для пленок чистых металлов.

СиО| 20 нм1-С|5 нм к Еи- = 0.8 кэВ

О— СсО^ 150 нм >. £к- = ! кэВ ц- = 2 кэВ —.е— Ре;От(ЗС> нм), £к- = 2 кэВ (30 нм). Ец- = 2 кэВ \]Оз (20 нм>. £к- = 2.5хэВ СозО^ЗОнм), £к- =2.5 кэВ ТвдО«40 нм I. £к- = 5 кэВ

JI I М I п!

10

Лоза облучения, см**

Рисунок 16 - Дозовые зависимости сопротивления тонких пленок оксидов металлов в ходе их облучения протонами различных энергий [83]

При создании нанопроводов следует учитывать значение удельного электрического сопротивления исходного оксида, в противном случае неизбежно появление значительных токов утечки в структурах, что приведет к значительным электрическим потерям и нарушению режима функционирования устройства. По этой причине ряд оксидов с достаточно малыми величинами электросопротивления восстановленного металла не целесообразно использовать в данной методике.

Результаты измерений диэлектрических свойств исходных оксидов показали, что самыми высокими значениями удельного электрического сопротивления характеризуются оксиды висмута и вольфрама, что делает их перспективными в качестве материалов для создания нанопроводов в матрице собственного оксида с точки зрения минимизации токов утечки. Однако при облучении оксида вольфрама требуется гораздо большая доза протонного облучения по сравнению с оксидом висмута, что требует увеличения толщины литографической маски, а, следовательно, не позволяет достичь требуемых размеров нанопроводов.

В работе [88] были исследованы электрические свойства микропроводов из разных металлов, восстановленных с помощью метода СУА. В таблице 3 показаны удельные сопротивления металлов, восстановленных из оксидов. Из анализа таблицы 3 следует, что наиболее близкие значения удельного электрического сопротивления восстановленного и осажденного металлов характерны для висмута. В сочетании с высокими диэлектрическими свойствами исходного оксида висмут является наиболее удачным выбором для создания нанопроводов методом СУА.

Список литературы диссертационного исследования кандидат физико-математических наук Кутузов, Леонид Вячеславович, 2012 год

1. X. Duan, Y. Huang, Y. Cui, J. Wang, and C.M. Lieber. Indium phosphide nanowires as building blocks for nanoscale electronic and optoelectronic devices. Nature. 2001,409, 66-69

2. M. Arnold, P. Avouris, Z.W. Pan and Z.L. Wang. Field-effect transistors based on single semiconducting oxide nanobelts. Journal of Physical Chemistry B. 2002, 107, 659663

3. Y. Cui and C.M. Lieber. Functional Nanoscale electronic devices assembled using silicon nanowire building blocks. Science. 2001, 91, 851-853

4. M.H. Huang, S. Mao, H. Feick, et al. Room-temperature ultraviolet nanowire nanolasers. Science. 2001, 292, 1897-1899

5. Y. Huang, X. Duan, Y. Cui, et al. Logic gates and computation from assembled nanowire building blocks. Science. 2001, 294, 1313-1317

6. E. Comini, G. Faglia, G. Sberveglieri, et al. Stable and highly sensitive gas sensors based on semiconducting oxide nanobelts. Applied Physics Letters. 2002, 81, 1869-1871

7. F. Patolsky, G. Zheng, and C.M. Lieber. Nanowire sensors for medicine and the life sciences. Nanomedicine. 2006, 1, 51-65

8. F. Patolsky, G. Zheng, et al. Electrical detection of single viruses. Proceedings of the National Academy of Sciences of the USA. 2004, 101, 14017-14022

9. M.Meyyappan, M.K.Sunkara. Inorganic nanowires, application, properties and characterization. CRC Press. 2010, P.450

10. M. E. Toimil Molares, E. M. Hohberger, Ch. Schaeflein, R.H. Blick, R. Neumann, C. Trautmann. Electrical characterization of electrochemically grown single copper nanowires. Applied Physics Letters. 2003, 82, 2139-2141

11. E.E.M. Perez. Thesis (Ph. D.), Reflectivity studies of semimetals under pressure. Massachusetts Institute of Technology, Department of Physics. 1979

12. H.J. Goldsmid. Thermoelectric refrigeration. Plenum Press, New York. 2004, P.240

13. L.D. Hicks, M.S. Dresselhaus. Thermoelectric figure of merit of a one-dimensional conductor. Physical Review B. 1993, 47, 16631-16634

14. L.D. Hicks, T.S. Hartman, M.S. Dresselhaus. Use of quantum-well superlattices to obtain a high figure of merit from nonconventional thermoelectric materials. Applied Physics Letters. 1993, 63, 3230-3232

15. A.L. Moore, M.T. Pettes, F. Zhou, L. Shi. Thermal conductivity suppression in bismuth nanowires. Journal of Applied Physics. 2009, 106, 34310, P.7

16. G.A. Ozin. Nanochemistry: synthesis in diminishing dimensions. Advanced Materials. 1992, 4, 612-649

17. R.J. Tonucci, B.L. Justus, A.J. Campillo, C.E. Ford. Nanochannel array glass. Science. 1992, 258, 783-785

18. D. Crouse, Y.H. Lo, A.E. Miller, M.Crouse. Self-ordered pore structure of anodized aluminum on silicon and pattern transfer. Applied Physics Letters. 2000, 76, 49-51

19. Z. Zhang, D. Gekhtman, M.S. Dresselhaus, J.Y. Ying. Processing and characterization of single-crystalline ultrafme bismuth nanowires. Chemistry of Materials. 1999, 11, 1659-1665

20. D. Al-Mawlawi, N. Coombs, M. Moskovits. Magnetic-properties of Fe deposited into anodic aluminum-oxide pores as a function of particle-size. Journal of Applied Physics. 1991, 70, 4421-4425

21. F. Li, L. Zhang, R.M. Metzger. On the growth of highly ordered pores in anodized aluminum oxide. Chemistry of Materials. 1998, 10, 2470-2480

22. K. Liu, C.L. Chien, P.C. Searson, Y.Z. Kui. Structural and magneto-transport properties of electrodeposited bismuth nanowires. Applied Physics Letters. 1998, 73, 14361438

23. L. Sun, P.C. Searson, C.L. Chien. Electrochemical deposition of nickel nanowire arrays in single-crystal mica films. Applied Physics Letters. 1999, 74, 2803-28051. n J J

24. E. Braun, Y. Eichen, U. Sivan, G. Bcn-Yoseph. DNA-templated assembly and electrode attachment of a conducting silver wire. Nature. 1998, 391, 775-778

25. Y. Zhang, H. Dai. Formation of metal nanowires on suspended single-walled carbon nanotubes. Applied Physics Letters. 2000, 77, 3015-3017

26. H. He, N.J. Tao. Encyclopedia of nanoscience and nanotechnology. American Scientific Publishers. 2003, 2, P.755

27. Y. J. Han, J. M. Kim, G. D. Stucky. Preparation of noble metal nanowires using hexagonal mesoporous silica SBA-15. Chemistry of Materials. 2000, 12, 2068-2069

28. C.A. Huber, T.E. Huber, M. Sadoqi, J.A. Lubin, S. Manalis, C.B. Prater. Nanowire array composites. Science. 1994, 263, 800-802

29. Y.-M. Lin, S.B. Cronin, J.Y. Ying, M.S. Dresselhaus, J.P. Heremans. Transport properties of Bi nanowire arrays. Applied Physics Letters. 2000, 76, 3944-3946

30. Z. Zhang, D. Gekhtman, M.S. Dresselhaus, J.Y. Ying. Processing and characterization of single-crystalline ultrafine bismuth nanowires. Chemistry of materials. 1999, 11, 1659-1665

31. T.E. Huber, M.J. Graf, C.A. Foss Jr., P. Constant. Processing and characterization of high-conductance bismuth wire array composites. Journal of Materials Research. 2000, 15, 1816-1821

32. T. Thurn-Albrecht, J. Schotter, et al. Ultrahigh-density nanowire arrays grown in self-assembled diblock copolymer templates. Science. 2000, 290, 2126-2129

33. S. R. Nicewarner-Pena, R. G. Freeman, B. D. Reiss, L. He, D. J. Pena, I. D. Walton, R. Cromer, C. D. Keating, M. J. Natan: Submicrometer metallic barcodes. Science. 2001, 294, 137-141

34. M.P. Zach, K.H. Ng, R.M. Penner. Molybdenum nanowires by electrodeposition. Science. 2000, 290, 2120-2123

35. L. Piraux, S. Dubois, J.L. Duvail, A. Radulescu. Fabrication and properties of organic and metal nanocylinders in nanoporous membranes. Journal of Materials Research. 1999, 14, 3042-3050

36. H. Zeng, M. Zheng, R. Skomski, D.J. Sellmyer, Y. Liu, L. Menon, S. Bandyopadhyay. Magnetic properties of self-assembled Co nanowires of varying length and diameter. Journal of Applied Physics. 2000, 87, 4718-4720

37. M.J. Zheng, L.D. Zhang, G.H. Li, W.Z. Shen. Fabrication and optical properties of large-scale uniform zinc oxide nanowire arrays by one-step electrochemical deposition technique. Chemical Physics Letters. 2002, 363, 123-128

38. M. Lai, J.A.G. Martinez, M. Gratzel, D.J. Riley. Preparation of tin dioxide nanotubes via electrosynthesis in a template. Journal of Materials Chemistry. 2006, 16, 2843-2845

39. D. S. Xu, D. P. Chen, Y. J. Xu, X. S. Shi, et al. Preparation of II-VI group semiconductor nanowire arrays by dc electrochemical deposition in porous aluminum oxide templates. Pure and Applied Chemistry. 2000, 72, 127-135

40. D. Routkevitch, T. Bigioni, M. Moskovits, J.M.Xu. Electrochemical fabrication of CdS nanowire arrays in porous anodic aluminum oxide templates. Journal of Physical Chemistry. 1996, 100, 14037-14047

41. C.M. Hangarter, et al. Maslcless electrodeposited contact for conducting polymer nanowires. Applied Physics Letters. 2008, 92, 073104, P.3

42. T. Ohgai et al. CdTe semiconductor nanowires and NiFe ferro-magnetic metal nanowires electrodeposited into cylindrical nano-pores on the surface of anodized aluminium. Journal of Applied Electrochemistry. 2005, 35, 479-485

43. M.S. Sander, A.L. Prieto, R. Gronsky, T. Sands, A.M. Stacy. Fabrication of high-density, high aspect ratio large-area bismuth telluride nanowire arrays by electrodeposition into porous anodic alumina templates. Advanced Materials. 2002, 14, 665-667

44. G. Yi, W. Schwarzacher. Single crystal superconductor nanowires by electrodeposition. Applied Physics Letters. 1999, 74, 1746-1748

45. G. Sauer, G. Brehm, S. Schneider, K. Nielsch, R.B. Wehrspohn, J. Choi, H. Hofmeister, U. Gaosele. Highly ordered monocrystalline silver nanowire arrays. Journal of Applied Physics. 2002, 91, 3243-3247

46. L. Piraux, J.M. George, J.F. Despres, C. Leroy, E. Ferain, R. Legras, K. Ounadjela, A. Fert, Giant magnetoresistance in magnetic multilayered nanowires. Applied Physics Letters. 1994, 65, 2484-2486

47. G. Wu, L. Zang, B. Cheng, T. Xie, X. Yuan. Synthesis of Eu203 nanotube arrays through a facile sol—gel template approach. Journal of the American Chemical Society.2004, 126, 5976-5977

48. M. Wang, X. Cao, H. Wang, G. Hua, Y. Lin, L. Zhang. Transition-metal-doped ZnO nanowire arrays embedded in anodic alumina membrane by a sol precipitation method. Chemistry Letters. 2006, 35, 1234-1235

49. R.S. Wagner, W.C. Ellis. Vapor-liquid-solid mechanism of single crystal growth. Applied Physics Letters. 1964, 4, 89-90

50. T.E. Bogart, S. Dey, K.-K. Lew, S.E. Mohney, J.M. Redwing. Diameter-controlled synthesis of silicon nanowires using nanoporous alumina membranes. Advanced Materials.2005, 17, 114-117

51. J. Heremans, C.M. Thrush, Z. Zhang, X. Sun, M.S. Dresselhaus, J.Y. Ying, D.T. Morelli. Magnetoresistance of bismuth nanowire arrays: a possible transition from ID to 3D localization. Physical Review B. 1998, 58, R10091-R10095

52. G.S. Cheng, L.D. Zhang, S.H. Chen, Y. Li, L. Li, X.G. Zhu, Y. Zhu, G.T. Fei, Y.Q. Mao. Ordered nanostructure of single-crystalline GaN nanowires in a honeycomb structure of anodic alumina. Journal of Materials Research. 2000, 15, 347-350

53. A.D. Berry, R.J. Tonucci, M. Fatemi. Fabrication of GaAs and InAs wires in nanochannel glass. Applied Physics Letters. 1996, 69, 2846-2848

54. J. Heremans, C.M. Thrush, Y.-M. Lin, S. Cronin, Z. Zhang, M.S. Dresselhaus, J.F. Mans Eld. Bismuth nanowire arrays: synthesis and galvanomagnetic properties. Physical Review B. 2000, 61, 2921-2930

55. Y. Chen, et all. Bulk-quantity synthesis and self-catalytic VLS growth of Sn02 nanowires by lower-temperature evaporation. Chemical Physics Letters. 2003, 369, 16-20

56. Y. Dai, et all. Bicrystalline zinc oxide nanowire. Chemical Physics Letters. 2003, 375,96-101

57. Y.F. Zhang, Y.H. Tang, N. Wang, C.S. Lee, I. Bello, S.T. Lee. Germanium nanowires sheathed with an oxide layer. Physical Review B. 2000, 61, 4518-4521

58. S.T. Lee, Y.F. Zhang, et al. Semiconductor nanowires from oxides. Journal of Materials Research. 1999, 14, 4503-4507

59. D.D.D. Ma, C.S. Lee, Y. Lifshitz, S.T. Lee. Periodic array of intramolecular junctions of silicon nanowires. Applied Physics Letters. 2002, 81, 3233-3235

60. W. Lee, M.-C. Jeong and J.-M. Myoung. Fabrication and application potential of ZnO nanowires grown on GaAs (002) substrates by metal-organic chemical vapour deposition. Nanotechnology. 2004, 15, 254-259

61. H.W. Kim, N.H. Kim. Formation of amorphous and crystalline gallium oxide nanowires by metalorganic chemical vapor deposition. Applied Surface Science. 2004, 233, 294-298

62. L. Lauhon, M.S. Gudiksen, D. Wang, C.M. Lieber. Epitaxial core-shell and core— multishell nanowire heterostructures. Nature. 2002, 420, 57-60

63. M. Mozetic, U. Cvelbar, M.K. Sunkara, S. Vaddiraju. A Method for the rapid synthesis of large quantities of metal oxide nanowires at low temperatures. Advanced Materials. 2005, 17, 2138-2142

64. S.Sharma, M.K.Sankara. Direct synthesis of gallium oxide tubes, nanowires, and nanopaintbrushes. Journal of the American Chemical Society. 2002, 124, 12288-12293

65. G.G. Shahidi. SOI technology for the GHz era. IBM Journal of Research and Development. 2002, 46, 121-131

66. Б.А. Гурович, К.Е. Приходько. Физические механизмы, лежащие в основе процесса селективного удаления атомов. Успехи физических наук. 2009, 179, 179-195

67. Б.А. Гурович, Д.И. Долгий, Е.А. Кулешова, Е.П. Велихов, Е.Д. Ольшанский, А.Г. Домантовский, Б.А. Аронзон, Е.З. Мейлихов. Управляемая трансформация

68. C.R. Martin. Nanomaterials: A membrane-based synthetic approach. Science. 1994, 266, 1961-1966

69. M.H. Huang, S. Mao, H. Feick, H. Yan, Y. Wu, H. Kind, E. Weber, R. Russo, P. Yang. Room-temperature ultraviolet nanowire nanolasers. Science. 2001, 292, 1897-1899

70. Y. Huang, X. Duan, Y. Cui, C.M. Lieber. Gallium nitride nanowires nanodevices. Nano Letters. 2002, 2, 101-104

71. Y.H. Tang, Y.F. Zhang, N. Wang, C.S. Lee, X.D. Han, I. Bello, S.T. Lee. Morphology of Si nanowires synthesized by high-temperature laser ablation. Journal of Applied Physics. 1999, 85, 7981-7983

72. S.B. Cronin, Y.-M. Lin, O. Rabin, M.R. Black, G. Dresselhaus, M.S. Dresselhaus, P.L. Gai. Bismuth nanowires for potential applications in nanoscale electronics technology. Microscopy and Microanalysis. 2002, 8, 58-63

73. M.S. Sander, R. Gronsky, Y.-M. Lin, M.S. Dresselhaus. Plasmon excitation modes in nanowire arrays. Journal of Applied Physics. 2001, 89, 2733-2736

74. L. Schmidt-Mende, J. MacManus-Driscoll. ZnO nanostructures, defects, and devices. Materials Today. 2007, 10, 40-48

75. Y. Yao, Q. Fu, Z. Wang, D. Tan, X. Bao. Growth and charactcrization of two-dimensional FeO nanoislands supported on Pt (111). Journal of Physical Chemistry C. 2010, 114, 17069-17079

76. B.B. Батавин, Ю.А. Концевой, Ю.В. Федорович. Измерение параметров полупроводниковых материалов и структур. М.: Радио и связь. 1985, 264 с.

77. Х.И. Кунце. Методы физических измерений. М.: Мир. 1972, 216 с.

78. Л.П. Павлов. Методы измерения параметров полупроводниковых материалов. М.: Высшая школа. 1987, 239 с.

79. Е.В. Кучис. Гальваномагнитные эффекты и методы их исследования. М.: Радио и связь. 1990, 260 с.

80. Ю.В. Воробьев, В.Н. Добровольский, В.И. Стриха. Методы исследования полупроводников. К.: Высшая школа. 1988, 232 с.

81. S.B. Cronin, Y.-M. Lin, et al. Making electrical contacts to nanowires with a thick oxide coating. Nanotechnology. 2002, 13, 653-658

82. A.I. Boukai. Thermoelectric properties of bismuth and silicon nanowires. Dissertation (Ph.D.). California Institute of Technology, Pasadena, California. 2008

83. H. Fangohr, D. S. Chernyshenko, M. Franchin, T. Fischbacher, G. Meier. Joule heating in nanowires. Physical Review B. 2011, 84, 054437, P.12

84. C.-Y. You, I. M. Sung, B.-K. Joe. Analytic expression for the temperature of the current-heated nanowire for the current-induced domain wall motion. Applied Physics Letters. 2006, 89, 222513, P.3

85. S.-M. Lee and D. G. Cahill. Heat transport in thin dielectric films. Journal of Applied Physics. 1997, 81, 2590, P.6

86. J. H. Kim, A. Feldman, and D. Novotny. Application of the three omega thermal conductivity measurement method to a film on a substrate of finite thickness. Journal of Applied Physics. 1999, 86, 3959, P.5

87. T. Yamane, N. Nagai, S. Katayama, M. Todoki, Measurement of thermal conductivity of silicon dioxide thin films using a 3co method. Journal of Applied Physics. 2002,91,9772, P.5

88. D. G. Cahill, K. Goodson, A. Majumdar, Thermometry and thermal transport in micro/nanoscale solid-state devices and structures. Journal of Heat Transfer. 2002, 124, 223-240

89. С. Зи. Физика полупроводниковых приборов. М.: Мир. 1984, 456 с.

90. A. Yamaguchi, S. Nasu, FI. Tanigawa, T. Ono, K. Miyake, K. Mibu, and T. Shinjo. Effect of Joule heating in current-driven domain wall motion. Applied Physics Letters. 2005, 86, 012511, P.3

91. S. Hankemeier, K. Sachse, Y. Stark, R. Fromter, and H. P. Oepen. Ultrahigh current densities in permalloy nanowires on diamond. Applied Physics Letters. 2008, 92, 242503, P.3

92. В. Q. Wei, R. Vajtai, and P. M. Ajayan. Reliability and current carrying capacity of carbon nanotubes. Applied Physics Letters. 2001, 79, 1172, P.3

93. M. L. Trouwborst, S. J. van der Molen, and B. J. van Wees. The role of Joule heating in the formation of nanogaps by electromigration. Journal of Applied Physics. 2006, 99, 114316, P.7

94. Б.И. Шкловский, A.JI. Эфрос. Электронные свойства легированных полупроводников. М.: Наука. 1979, 416 с.

95. E.Z. Meilikhov. Conductance of finite-scale systems with multiple percolation channels. Physics Letters A. 2005, 346, 193-203

96. J. Schmelzer Jr., S.A. Brown, A. Wurl, M. Hyslop, R.J. Blaikie. Finite-size effects in the conductivity of cluster assembled nanostructures. Physical Review Letters. 2002, 88, 226802, P.4

97. J.F. Ziegler, M.D. Ziegler, J.P. Biersack. SRIM The stopping and range of ions in matter. Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section B. 2010, 268, 18181823