Экспериментальные методы изготовления и исследования диодных структур на базе нанокристаллического пористого кремния тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 01.04.01, кандидат наук Рогожина Галина Андреевна

• Рогожина Галина Андреевна
• кандидат наук
• 2019

Оглавление диссертации кандидат наук Рогожина Галина Андреевна

Введение

Глава 1. Структуры с пористым кремнием, методы получения и области применения

1.1 Структурные свойства и состав пористого кремния

1.2 Области применения структур с пористым кремнием

1.2.1 Применение ПК в качестве основы для фотодиодных структур

1.2.2 Применение ПК в качестве основы для светодиодов

1.2.3 Биомедицинское применение структур с ПК

1.3 Методы получения структур с пористым кремнием

1.4 Механизм формирования пористого кремния при электролитическом травлении

1.4.1 Химические процессы при образовании пористого кремния

1.4.2 Распределение потенциала в системе кремний-электролит и условия начального формирования пор

1.5 Основные факторы, влияющие на порообразование в кремниевых структурах

1.6 Компьютерное моделирование процессов порообразования

1.6.1 Моделирование электрических полей в электролитах с планарной границей «электрод-электролит» на основе интервальных вычислений

1.6.2 Модель порообразования на основе вероятностных клеточных автоматов

1.7 Выводы к главе

Глава 2. Методы изготовления нанокристаллических пористых кремниевых структур

2.1 Исходные характеристики и параметры образцов

2.2 Экспериментальная установка по получению ПК

2.3 Создание гетероструктуры SiC / Si

2.4 Метод легирования кремниевых пластин

2.5 Метод создания контактов к структурам с ПК

2.6 Выводы к главе

Глава 3. Методы исследование структур на базе ПК

3.1 Методы исследования структуры и состава

3.1.1 Оптическая микроскопия

3.1.2 Электронная микроскопия

3.1.3 ИК-спектроскопия и фотолюминесценция

3.2 Методы исследование электрических и оптических характеристик диодных структур на основе пористого кремния

3.2.1 Удельное сопротивление

3.3 Фотоэлектрические и оптические характеристики

3.3.1 Люкс-амперные характеристики

3.3.2 Измерение спектральных характеристик

3.4 Выводы к главе

Глава 4. Модель распределения поля в электролитической ячейке при образовании ПК на поверхностях с микрорельефом

4.1 Основные положения и уравнения модели

4.2 Распределение поля в объеме электролита

4.3 Распределение поля вблизи и внутри поры

4.4 Выводы к главе

Основные результаты и выводы

Список литературы

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Экспериментальные методы изготовления и исследования диодных структур на базе нанокристаллического пористого кремния»

Введение

Актуальность исследования определяется тем, что применение нанокристаллических материалов в различных отраслях электроники позволяет не только значительно улучшить характеристики существующих приборов и устройств, но и создавать принципиально новые, с новыми функциональными возможностями (J. Salonen, E. Mäkilä,Adv. Mater, 2018). Это связано с особыми электронными свойствами нанокристаллических материалов, обусловленных квантово-размерными эффектами. Одним из перспективных нанокристаллических материалов может служить пористый кремний, т.к. стенки пор представляют собой неупорядоченную или упорядоченную в некоторых случаях систему квантово-размерных образований - нанокристаллов (Гусев О.Б. и др., 2013). От других наноматериалов пористый кремний выгодно отличается относительно простой технологией изготовления (Трегулов В.В., 2011) и широчайшим спектром электрических и оптических свойств (Torres Costa and Martin-Palma, 2010; Golovan and Timoshenko, 2013; Pacholski, 2013). Интерес к пористому кремнию как материалу оптоэлектроники связан в первую очередь с большой площадью его поверхности и наличием наноразмерных кристаллов в его порах, что делает его перспективным для использования как в фоточувствительных, так и в люминесцентных структурах (G. Conebeer etal., 2006; S.A. Sokolovetal., 2014). Однако, практическому использованию пористого кремния препятствует ряд обстоятельств. В первую очередь широкое применение пористого кремния в электронных устройствах сдерживается из-за сложности в управлении свойствами получаемого пористого слоя, особенно в возможности получить низкоомный материал (Forsh et al, 2005, 2006). Проблемой является также создание на основе пористого кремния диодных структур, составляющих основу большинства электронных приборов. По своим электрическим свойствам пористый кремний при высокой пористости может быть практически диэлектриком, при этом достичь высокой степени легирования материала сложно (Лозовский В.Н. и др., 2015). Это связано с фундаментальными свойствами нанокристаллического

состояния вещества, в котором наличие примесей термодинамически невыгодно. Свободная поверхность наночастицы является стоком бесконечной емкости для точечных и линейных кристаллических дефектов. При малых размерах частиц этот эффект заметно возрастает, что может приводить к выходу большинства структурных дефектов на поверхность и очистке материала наночастицы от дефектов структуры и химических примесей (Шик А.Я. и др., 2001).

Чтобы сделать процесс создания пористого кремния хорошо воспроизводимым, в качестве исходной можно использовать поверхность с заранее заданными центрами порообразования Oakesetal., 2013), или поверхность с выраженным микрорельефом, например, текстурированную, представляющую собой поверхность, заполненную правильными четырехгранными пирамидами, на которой порообразование происходит главным образом на стыках пирамид. При этом, если использовать структуры с уже сформированным р-п-переходом, на вершинах пирамид и в их объеме сохраняется исходный тип и уровень легирования, так что образовавшаяся структура представляет собой матрицу микродиодов на общей монокристаллической подложке. Метод электролитического травления для создания подобных структур обладает рядом преимуществ по сравнению с остальными методами: при помощи вариации состава электролита, плотности тока анодирования от (10 - 50) мА/см2 и времени анодирования 5-40 минут, создаются слои ПК от (0,01 - 30) мкм с возможностью формирования всех основных морфологических типов структур от нано- до макропористых. Созданная электролитическая ячейка позволяет работать с образцами различных размеров и конфигураций.

Цель диссертационной работы: разработка методов изготовления диодных структур на основе нанокристаллического пористого кремния, со стабильными, воспроизводимыми характеристиками, пригодных по своим параметрам для создания новых приборов.

Основные задачи:

1. Исследовать методами численного и натурного экспериментов процесс порообразования, возникающий при электролитическом травлении кремниевых

структур с микрорельефом, для определения основных управляющих параметров процесса.

2. Разработать метод получения диодных структур с рабочим слоем из пористого нанокристаллического кремния со стабильными воспроизводимыми характеристиками, допускающими приборную реализацию.

3. Разработать методы исследования и исследовать электрические и оптические свойства диодных структур с рабочим слоем из пористого нанокристаллического кремния.

Основными объектами исследований являются:

Система электролит-непланарный кремниевый анод, структуры, содержащие слои нанокристаллического пористого кремния

Научная новизна:

1. На основе проведенных исследований физико-химических процессов, проходящих во время электролитического травления при образовании пор на поверхностях с микрорельефом, впервые показано, что основным фактором, определяющим локацию, концентрацию и геометрию пор является распределение напряженности электрического поля вблизи микрорельефа. Полученные данные позволяют управлять параметрами создаваемых диодных структур.

2. Разработан метод, основанный на электролитическом травлении кремниевых пластин с текстурированной поверхностью и заранее созданным р-п переходом, позволяющий получать диодные структуры на базе пористого кремния со стабильными воспроизводимыми характеристиками, допускающими приборную реализацию.

3. Впервые исследованы электрические и оптические характеристики изготовленных по разработанному методу диодных структур с рабочим слоем из пористого кремния. Показано, что по своим параметрам такие структуры превосходят классические планарные кремниевые диодные структуры: фоточувствительность и квантовая эффективность образцов с рабочим слоем из пористого кремния превышает эти характеристики в 8-10 раз и расширена в спектральную область (200 - 400) нм, где классические структуры проявляют

минимальную фоточувствительность. Показано, что допированные эрбием образцы с рабочим слоем из пористого кремния проявляют устойчивую, интенсивную люминесценцию с пиком на 1,5 мкм при комнатной температуре, при этом электрические характеристики структуры допускают возбуждение люминесценции электрическим током.

Положения, выносимые на защиту:

1. Метод управления характеристиками получаемых диодных структур (толщина пористого слоя, пористость, распределение пор, удельное сопротивление) через технологические параметры (геометрия анода, плотность анодного тока, время травления), основанный на разработанной модели порообразования на поверхностях кремниевых пластин с микрорельефом при электролитическом травлении.

2. Метод получения диодных структур с рабочим слоем из пористого нанокристаллического кремния с низким удельным сопротивлением (1,8-10,0) Ом • см, воспроизводимыми стабильными фотоэлектрическими параметрами (сохранение значений параметров после 2-х лет пребывания в открытом космосе), включающий в себя электролитическое травление кремниевых монокристаллических подложек с микрорельефом и заранее созданным р-п-переходом, металлизацию и создание стабилизирующих покрытий.

3. Результаты экспериментальных исследований электрических и оптических характеристик, изготовленных диодных структур с рабочим слоем из пористого нанокристаллического кремния, созданных по разработанному методу.

Достоверность полученных результатов обеспечивается

взаимодополняющими экспериментальными методами исследования, воспроизводимостью экспериментальных результатов, использованием общепринятого математического аппарата физики полупроводников, а также взаимным согласованием результатов численного и натурного экспериментов.

Практическая значимость

Разработаны экспериментальные методы изготовления диодных структур с рабочим слоем из пористого нанокристаллического кремния, обладающими

высокими электрическими и оптическими параметрами: четко выраженной фотолюминесценцией, повышенной фоточувствительностью в коротковолновой части спектра (450-550) нм, высокой квантовой эффективностью (70-85) % во всем спектральном диапазоне (300-1000) нм, низким удельным сопротивлением (2-10) Ом • см и коэффициентом отражения до 0,2% в диапазоне (200-1000) нм. Это делает их перспективными для использования в качестве основы фотоэлектрических и люминесцентных устройств: ФЭП, СИД, искусственная сетчатка. Полученные результаты использовались при создании экспериментальных панелей солнечных элементов для МКА «Аист-2Д», предназначенного для дистанционного зондирования Земли и научных экспериментов, в рамках проекта «Создание высокотехнологичного производства МКА наблюдения с использованием гиперспектральной аппаратуры в интересах социально-экономического развития России и международного сотрудничества», реализуемого по постановлению Правительства РФ от 9 апреля 2010 г. №218.

Апробация

Основные результаты работы докладывались и обсуждались на XII, XIII всероссийской молодежной конференции по физике полупроводников и наноструктур, полупроводниковой опто- и наноэлектронике (г.Санкт-Петербург, 2010, 2011), Всероссийской научной школе для молодежи «Образование в сфере нанотехнологий: современные подходы и перспективы» (г. Москва, 2010), IV Всероссийской конференции по наноматериалам «НАНО - ИМЕТ РАН» (г. Москва, 2011), Asia-Pacific Conference on Fundamental Problems of Opto- and Microelectronics (г. Самара, 2011), Всероссийском конкурсе научно-исследовательских работ студентов и аспирантов в области физических наук (г. Томск, 2011), II International Conference on Modern Problem in Physics of Surface and Nanostructures (г. Ярославль, 2012), IX Международной конференции и VIII школе молодых ученых «Кремний 2012» (г. Санкт-Петербург, 2012), XII международная научной школе-конференции «Материалы нано-, микро-, оптоэлектроники и волоконной оптики: физические свойства и применение» (г. Саранск, 2013), V всероссийской конференции по наноматериалам «Нано-2013»

(г. Звенигород, 2013), X Конференции по актуальным проблем физики, материаловедения, технологии и диагностики кремния, нанометровых структур и приборов на его основе «Кремний - 2014» (г. Иркутск, 2014), Международной научной конференции «Актуальные проблемы физики твердого тела» (г. Минск, 2016), XIV Всероссийском молодежном Самарском конкурсе-конференции научных работ по оптике и лазерной физике (г. Самара, 2016),XV международной научной конференции-школы «Материалы нано-, микро-, оптоэлектроники и волоконной оптики: физические свойства и применение» (г. Саранск, 2016), XI конференции и Х школы молодых ученых и специалистов по актуальным проблемам физики, материаловедения, технологии и диагностики кремния, нанометровых структур и приборов на его основе «Кремний-2016» (г. Новосибирск, 2016), ХХ международном симпозиуме «Нанофизика и наноэлектроника» (г. Нижний Новгород, 2016),XII Международной конференции «КРЕМНИЙ-2018» (г. Черноголовка, 2018), VIII Международной научной конференции «Актуальные проблемы физики твердого тела» (г. Минск, 2018), Proceedings of International Conference on Advanced Materials (г. Самара, 2019), Всероссийской конференции по актуальным проблемам полупроводниковой фотоэлектроники (с участием иностранных ученых) «Фотоника 2019» (г.Новосибирск, 2019).

Публикации

По материалам диссертации опубликовано 26 печатных работ, в том числе 7 статей в рецензируемых научных журналах, рекомендованных ВАК, 19 публикаций в трудах Международных и Всероссийских конференций.

Связь с государственными программами и НИР

Работы по теме диссертации выполнялись в соответствии с планами фундаментальных научно-исследовательских работ по грантам и программам: государственное задание Минобрнауки РФ3.1158.2017/4.6, грант РФФИ 16-48-630688, грант Программы повышения конкурентоспособности федерального государственного автономного образовательного учреждения высшего образования «Самарский государственный аэрокосмический

университет имени академика С.П. Королёва (национальный исследовательский университет)» среди ведущих мировых научно-образовательных центров на 20132020 гг. по Соглашению от 01.11.2015 года №С-1/14-2015.

Личный вклад автора

Все изложенные в диссертации результаты исследований получены автором лично, либо при его участии. Вклад в получение экспериментальных результатов заключается в проведении работ по электрохимическому травлению, изготовлении покрытий и металлизации, и других технологических операций: измерении оптических и фотоэлектрических характеристик. Проведена обработка результатов исследований и обсуждение полученных результатов, подготовлены и представлены материалы для научных публикаций и докладов на международных конференциях, сделаны научные и практические выводы. Из работ в соавторстве на защиту выносятся результаты, в получении которых автор принимал непосредственное участие.

Структура и объем диссертации

Диссертация включает введение, 4 главы, заключение, содержащее основные результаты и выводы, список литературы из 129 наименований. Диссертация изложена на 122 страницах, содержит 62 рисунка и 10 таблиц.

Глава 1. Структуры с пористым кремнием, методы получения и области применения

1.1 Структурные свойства и состав пористого кремния

Кремний является основным материалом современной электроники и фотовольтаики. Как химический элемент, он широко распространен в природе, и его содержание в земной коре по разным данным составляет от 27,6% до 29,5% по массе. Он технологичен, инертен в обычных условиях, выдерживает высокие температуры, сопровождающие процесс изготовления приборов и интегральных схем [1]. Для создания диэлектрических слоев нет необходимости специально искать диэлектрические материалы - собственный окисел SiO2, формируемый на кремнии при высоких температурах в окислительной среде, прекрасно выполняет изолирующие и маскирующие функции [2]. В кристаллической решетке атомы кремния занимают только 25% объема, в результате чего материал имеет малую плотность (2,32 г/см3, для Ge 5,35 г/см3) и допускает сильное легирование элементами III и V групп. Каждый введенный в кристалл кремния атом III или V группы добавляет один носитель заряда с положительным знаком (дырку) или один электрон соответственно. Концентрация носителей заряда в результате этого может изменяться в широких пределах - от 1010 до 1021 см-3. Высокие значения коэффициентов диффузии легирующих элементов в кремнии позволяют формировать локальные области микронных и субмикронных размеров с дырочным (р - Бг ) или электронным (п - ) типом проводимости, совокупность которых и составляет основу любой интегральной схемы или полупроводникового прибора. Производство кремниевых монокристаллов превышает 3000 тонн в год [3].

Однако, монокристаллический кремний как полупроводниковый электронный материал все же не универсален, имеет и недостатки, один из них заключается в том, что монокристаллический кремний сложно использовать для создания светоизлучающих приборов. В связи с непрямой структурой его энергетических зон эффективность межзонной излучательной рекомбинации

крайне низка [3]. Один из способов решения данной проблемы - формирование на поверхности или в объеме кремниевых кристаллов нанометровых размеров. Известно, что при переходе к наноразмерному масштабу фундаментальные свойства материалов кардинально меняются. Благодаря квантово-размерному эффекту изменяется ширина запрещенной зоны, собственные переходы в кремнии смещаются из ИК-области спектра в более коротковолновую, структура зон «спрямляется», излучательные переходы становятся возможными, наблюдается люминесценция кремния в видимой части спектра [4].

2+2 2+2

Е _ Е ж п ж п Е _ ++(1Л)

Где Е - ширина запрещенной зоны нанокристаллического материала, Е,

я °

монокристаллического кремния, П _ 1, °5 -10"34 Дж • с - постоянная Планка, тп и

тр - эффективные массы электрона и дырки соответственно, ё - ширина ямы.

Это делает нанокристаллический кремний перспективным материалом для оптоэлектроники.

Наиболее доступным и дешевым способом является создание нанокристаллов посредством вытравливания в монокристаллах кремния мельчайших пустот, в результате чего оставшиеся области кремния могут иметь размеры в несколько нанометров. Таким способом получают пористый кремний.

Пористый кремний — это наноструктурный материал, представляющий собой монокристаллический кремний, пронизанный сетью пор (пустот). Для нанокристаллов с размерами менее 4 нм в пористом кремнии наблюдаются те же явления, что и в других наноструктурированных материалах: квантование энергетического спектра, увеличение ширины запрещенной зоны с 1,1 до (1,8,....,2,9) эВ, уменьшение диэлектрической проницаемости. Возможности технологии формирования ПК позволяют получать квантовые точки, квантовые нити, элементы с различной фрактальной размерностью. Поэтому пористый кремний с пористостью более 5°% следует рассматривать как один из материалов

наноэлектроники. Заполнение пор другими химическими соединениями дает возможность формировать дополнительные низкоразмерные элементы в объеме пористого кремния [5]. Такой материал не только обладает светоизлучающими, но и другими уникальными свойствами [3].

Применяя термин «пористый кремний», имеют в виду, что речь идет о материале не с фиксированными параметрами, а с изменяющимися разнообразными свойствами, зависящими от показателя пористости и морфологии пор. Практически это целый класс материалов с самыми разнообразными свойствами на базе одного элемента - кремния. Известно, что поры принимают самые причудливые формы и могут иметь вид кактуса с отростками, зигзагообразного колодца, корневой системы дерева, цилиндрических колонн и т.д. (рисунок 1.1).

а) б)

Рисунок 1.1 - Внутренняя структура пористого кремния: а) упорядоченная,

б) фракталоподобная

Многообразие морфологии пор пористого кремния неизбежно приводит к многообразию оптических, электрических, механических характеристик материала [6]. Кроме этого необходимо иметь в виду, что стенки пор покрыты продуктами электрохимических реакций и адсорбированными атомами, химический состав которых заметно влияет на свойства пористого кремния. Для классификации пористого кремния по размерам пор вводят следующий принцип:

• Микропористый кремний (нанопористый) — R < 2 нм.

• Мезопористый кремний — 2 нм< R < 50 нм.

• Макропористый кремний — R > 50 нм.

Характерной чертой пористого кремния является большая суммарная площадь его внутренней поверхности. В зависимости от величины пористости и геометрии пор она может составлять для макропористого кремния от (10 ^100) м2/см3, для мезопористого от (100 ^ 300) м2/см3 и для нанопористого от (300 ^ 800) м2/см3. В работе [7] для оценки активной поверхности пористого кремния получена формула зависимости площади от пористости, глубины пористого слоя и диаметра пор:

^ = ^ 2(1 + , (1.2) d

где R-радиус пластины, Ь- глубина пористого слоя, d- диаметр пор, П -пористость структуры.

Еще одной из важнейших характеристик пористого кремния, определяющей большинство его физических параметров, является степень пористости или пористость (П). Она определяется выражением:

П = Рт ~ррог, (1.3)

Рг

где и pp0r-Si— плотности монокристаллического и пористого кремния соответственно. ПК в зависимости от режимов электрохимической обработки, степени легирования исходного кремния донорными или акцепторными примесями, состава электролита и т. д. может иметь широкий диапазон пористости от (2 ^ 85) %. Очевидно, что пористый материал с объемом пор в несколько процентов и ПК с максимальной пористостью неизбежно отличаются друг от друга не только структурными, но и оптическими, люминесцентными и электрическими свойствами. В таблице 1.1 приведены некоторые характерные свойства пористого кремния различных типов [8].

Таблица 1.1 - Физические свойства пористого кремния в зависимости от пористости или размера пор

Физическая характеристика С^ PSi/ (пористость, %)

1. Модуль Юнга 16° GPa 83 GPa (20%) - 0,87 GPa (90%)

2.Удельное сопротивление °,°1>1°°° Ост 1°10-1°12йст - нанопористый

3. Запрещенная зона 1,12 eV 1,4 eV (70%) - 2 eV(9°%)

4.Удельная поверхность 0,2 т2/ст3 1000 т2/ст3 - нанопористый

5.Коэффициент преломления 3,94 1,2 - 2,87 - нанопористый

б.Протонная проводимость — 10-3 -10-^/ст - нанопористый

7. Теплопроводность 157 W/(mK) 1,2 W/(mK) - нанопористый 80 W/(mK) - мезопористый

В связи со своими уникальными свойствами пористый кремний находит большое применение для технических нужд, например, для создания кремниевых приборов, работающих при высоких напряжениях; интегральных схем, использование в качестве буферного слоя при выращивании (эпитаксии) монокристаллических пленок других полупроводников на кремнии. Высокая физико-химическая активность при сохранении исходной монокристаллической структуры обуславливают широкие возможности его применения в полупроводниковой электронике. Кроме того, технология пористого кремния полностью совместима с кремниевой технологией интегральных микросхем (ИМС) и технологией микро-электро-механических систем (МЭМС) [9]. Пористый кремний в зависимости от пористости обладает широким интервалом величин удельного сопротивления (10-2^10п) Омсм, диэлектрической проницаемости (1,75^12) и показателя преломления (1,2^3,5). Широкий диапазон значений удельного сопротивления ПК является привлекательным для приборной реализации качеством, однако высокое удельное сопротивление ПК в ряде случаев представляет собой ощутимую проблему. В связи с трудностью легирования ПК до высокой концентрации носителей заряда, сложно создать на основе ПК диодную структуру с качественным р-ппереходом, обеспечить

омический контакт с металлическим электродом. Это важно учитывать при разработке на основе ПК фотоэлектрических преобразователей (ФЭП) для солнечных элементов, светодиодных структур. В целом набор характеристик ПК означает, что пористый кремний может быть использован как в качестве полупроводниковых, так и диэлектрических слоев в приборах и интегральных схемах.

1.2 Области применения структур с пористым кремнием

Широкий спектр применения ПК обусловлен многообразием свойств получаемых пористых слоев, зависящих от диаметра пор, величины пористости, структуры и толщины пористого слоя, фазового состава на внутренней поверхности пор. На основе ПК получены коротковолновые оптические фильтры [10], матрицы, работающие в рентгеновском спектре излучения, микронасосы, микроканальные структуры [11], текстурированные антибликовые покрытия для солнечных элементов [12-13] и т.д. В связи с развитием технологии светоизлучающих диодов на в ближайшее время возможен переход к полностью кремниевой оптоэлектронике. На базе пористого кремния могут быть созданы светоизлучающие диоды, фотоприемники и световоды, которые в одной твердотельной схеме могут быть объединены в единый комплекс излучатель - оптическая среда передачи информации -приемник. Легкость управления свойствами пористого материала, совместимость с технологическими операциями кремниевой микроэлектроники позволяют надеяться на разработку и других электронных и оптических приборов на основе слоев с низкой, средней, высокой пористостью и макропористых регулярных структур. В таблице 1.2 отображена зависимость области применения структур с ПК от пористости и свойств ПК.

Таблица 1.2 - Область применения структур с ПК

Тип ПК Свойство ПК Область применения

Нанопористый Si Фотолю минесценция Твердотельные люминесцентные приборы (светодиоды, лавинные светодиоды)

Большая эффективная поверхность, высокая химическая активность Сенсоры адсорбционного типа, датчики влажности (дискретные интегральные)

Наличие пор, на которых возможна релаксация механических напряжений, возникающих на границе слой-подложка. Буферные слои для гетероэпитаксии

Мезопористый Si Значительно развитая морфология поверхности, низкая отражающая способность Антиотражающее покрытие (для солнечных элементов)

рог^, окисленный до SiO2 (диэлектрик) Интегральные резисторы относительно больших номиналов (более1МОм/кв)

Биосовместимость, значительно развитая морфология поверхности. Имплантаты, биосенсоры, доставка лекарственных средств.

Макропористый Si В случае формирования строго упорядоченной структуры рог^. Фотонные кристаллы

Наличие пор, большая эффективная площадь, изменение электрофизических свойств относительно подложки Si. МЭМС

Наличие пор различной конфигурации, разного размера. Электроды топливных элементов

Вариативная структура рог-& Различие в показателях преломления слоев с различной пористостью и диаметром пор. Волноводы, зеркала Брэгга, интерференционные фильтры Фабри-Перро, микрорезонаторы.

Благодаря таким своим свойствам как биосовместимость, биорезистивность и, одновременно, способность к биодеградации, пористый кремний имеет хорошие перспективы применения в биомедицинских приложениях для диагностики и лечения заболеваний. В небольшом количестве кремний содержится в организме человека, поэтому продукты распада пористого кремния не токсичны, образующаяся при этом ортофосфорная кислота содержится в пище и подвержена обычному метаболизму. Большая химически активная поверхность пористого кремния очень чувствительна к различным примесям, что делает его перспективным материалом для биосенсорики [14].

Список литературы диссертационного исследования кандидат наук Рогожина Галина Андреевна, 2019 год

Список литературы

1. Кашкаров, К.П. Необычные свойства пористого кремния / К.П. Кашкаров // Соросовский образовательный журнал. - 2001. - Т. 7, № 1, - С. 102-107.

2. Захвалинский, В.С. Исследования частотной зависимости проводимости пористого кремния / В.С. Захвалинский, Л.В. Борисенко, А.Н. Хмара, Е.А. Пилюк, Д.А. Колесников // Успехи современного естествознания. Химические науки. -2016. - № 1. - С. 18-22.

3. Зимин, С.П. Пористый кремний - материал с новыми свойствами / С.П. Зимин // Соросовский образовательный журнал. - 2004. - Т. 8, № 1. - С.101-107.

4. Демиховский, В.Я. Квантовые ямы, нити, точки. Что это такое? / В.Я. Демиховский // Соросовский образовательный журнал. - 1995. - № 5. - С. 80-86.

5. Canham, L.T. Silicon quantum wire array fabrication by electrochemical and chemical dissolution of wafers / L.T. Canham // Appl. Phys. Lett. - 1990. - V. 57, №10. - P. 1046-1048.

6. Зимин, С.П. Классификация электрических свойств пористого кремния / С.П. Зимин // Физика и техника полупроводников. - 2000. - Т. 34, № 3. - С. 359363.

7. Гусейнов, М.К. Способ получения нанопористого кремния / М.К. Гусейнов, Б.А. Билалов, Р.Г. Махмудов, М.Э Исмаилов // Мониторинг науки и технологии. -2014. - № 1(18). - С. 54-56.

8. Старков, В.В. Получение, свойства и применение пористого кремния / В.В. Старков // Все материалы. Энциклопедический справочник. - 2009. - № 4. - С. 1321.

9. Балагуров, Л.А. Пористый кремний: Получение, свойства, возможные применения / Л.А. Балагуров // Материаловедение. - М: Наука, 1998. - С. 50-56.

10. Смердов, Р.С. Плазмонный фильтр оптического диапазона на основе композиционной структуры пористый кремний-серебро (n-Si/Ag) / Р.С. Смердов, В.В. Лобода, Ю.М. Спивак, В.А. Мошников // Сборник материалов научной конференции с международным участием «Неделя науки СПБПУ». - 2016. - С. 123-127.

11. Паращенко, М.А. Электрокинетический сенсор потока жидкости / М.А. Паращенко, Н.С. Филиппов, В.В. Кириенко, С.И. Романов // Вестник НГУ. Серия: Физика. - 2014. - Т. 9, № 4. - С. 89-96.

12. Strehlke, S. The porous silicon emitter concept applied to multicrystalline silicon solar cells / S. Strehlke, D. Sarti, A. Krotkus, K. Grigoras, C. Levy-Clement // Thin Solid Films. - 1997. - V. 297, № 1/2. - P. 291-295.

13. Adamian Z.N. Investigations of solar cells with porous silicon as antireflection layer / Z.N. Adamian, A.P. Hakhoyan, V.M. Aroutiounian, R.S. Barseghian, K. Touryan // Solar Energy Materials & Solar Cells. - 2000, V. 64. - P. 347-351.

14. Salonen, J. Fabrication and chemical surface modification of mesoporous silicon for biomedical application / J. Salonen, V.P. Lento // Chemical Engineering Journal. -2008. - V. 137. - №1. - Р. 162 -172.

15. Conebeer, G. Silicon nanostructures for third generation photovoltaic solar cells. / G. Conebeer, M. Green, R. Corkish et al. // Thin Solid Films. - 2006. - V. 511-512. - P. 654-662.

16. Zhang, G. Semiconductor nanostructure-based photovoltaic solar cells / G. Zhang, S. Finefrock, D. Liang, G.G. Yadav, H. Yang, H. Fang, Y. Wu // Nanoscale. -2011. V. 3. - P. 2430-2443.

17. Conebeer, G. Silicon nanostructures for third generation photovoltaic solar cells / G. Conebeer, M. Green, R. Corkish, Y. Cho,E.-C. Cho, C.-W. Jiang, T. Fangsuwannarak, E. Pink, Y.Huang, T. Puzzer, T. Trupke, B. Richards, A. Shalav, K.-L. Lin // Thin Solid Films. - 2006. - V. 511-512. - P. 654-662.

18. Latukhina, N.V. Photosensitive heterostructures based on porous nanocrystalline silicon / N.V. Latukhina, A.S. Rogozhin, S. Saed, V.I. Chepurnov // Russian Microelectronics. - 2016. - V. 45, № 8. - Р. 1-6.

19. Латухина, Н.В. Фотоэлектрические свойства структур с микро- и нано-пористым кремнием / Н.В. Латухина, Т.С. Дереглазова, С.В. Ивков, А.В. Волков, В.А. Деева // Известия Самарского научного центра РАН. - 2009. - Т. 11, № 3 (29). - С. 66-71.

20. Hyukyong Kwon. Investigation of Antireflective Porous Silicon Coating for Solar Cells/ Hyukyong Kwon, Jaedoo Lee, Minjeong Kim, and Soohong Lee // International Scholarly Research Network ISRN Nanotechnology. - 2011. - Р. 1-4.

21. Латухина, Н.В. Структуры с макропористым кремнием для фотопреобразователей на кремниевой подложке / Н.В. Латухина, Н.А. Нечаева,

B.А. Храмков, А.В. Волков, А.Н. Агафонов // Тонкие пленки в оптике и наноэлектронике. Сборник докладов 18 междyнародного симпозиума. - Харьков, 2006. - Т.2. - С. 207-211.

22. Latukhina, N. Efficient Silicon Solar Cells for Space and Ground-Based Aircraft / N. Latukhina, A. Rogozhin, G. Puzyrnaya, D. Lizunkova, A. Gurtov, S. Ivkov // Procedia Engineering. - 2015. - V. 104. - Р. 157-161.

23. Яровой, Г.П. Кремниевые фотопреобразователи для космической и авиационной отрасли / Г.П. Яровой, Н.В. Латухина, А.С. Рогожин, А.С. Гуртов,

C.В. Ивков, С.И. Миненко // Известия Самарского научного центра Российской академии наук. - 2012. - Т. 14, № 1(2). - С. 521-524.

24. Аношин, Ю.А. Просветляющие и пассивирующие свойства пленок оксидов и фторидов редкоземельных элементов / Ю.А. Аношин, А.И. Петров, В.А. Рожков, М.Б. Шалимова // Журнал технической физики. - 1994. - Т. 64, № 10. - С. 118-123.

25. Ю.П. Пирятинский, Фотолюминесценция пористого кремния, сформированного на ионно-имплантированных пластинах кремния / Ю.П. Пирятинский, Н.И. Клюй, А.Г. Рожин // Письма в ЖТФ. - 2000. - Т. 26, вып. 21. -С. 20-25.

26. Демидов, Е.С. Люминесцентные свойства пористого кремния, сформированного на n+ и p+ монокристаллах, легированного ионной имплантацией бора или фосфора / Е.С. Демидов, И.С. Рассолова и др. // Вестник ННГУ, сер. Физика твердого тела. - 2007. - № 6. - С. 22-27.

27. Котковский, Г.Е. Фотофизические свойства пористого кремния и его применение в технике и биомедицине / Г.Е. Котковский, Ю.А. Кузищин, И.Л. Мартынов, И.Р. Набиев, А.А. Чистяков // Ядерная физика и инжиниринг. - 2013. -Т. 4, № 2. - С. 174-192.

28. Filippov, V.V. Photoluminescence excitation properties of porous silicon with and without Er3+-Yb3+-containing complex / V.V. Filippov, P.P. Pershukevich, V.V. Kuznetsova, V.S. Homenko // Journal of Luminescence. - 2002. V. 99. - Р. 185-195.

29. Sokolov, S. A. Timoshenko. Photoluminescence of Rare Earth Ions (Er3+, Yb3+) in a Porous Silicon Matrix / S.A. Sokolov, R. Rosslhuber, D.M. Zhiguno N.V. Latukhina, V. Yu. // Thin Solid Films. - 2014. - V. 562. - Р. 462-466.

30. Лазарук, С.К. Эффективность лавинных светодиодов на основе пористого кремния / С.К. Лазарук, А.А. Лешок, В.А. Лабунов, В.Е. Борисенко // Физика и техника полупроводников. - 2005. - Т. 39, №1. - С.149-152.

31. Ксенофонтова, О.И. Пористый кремний и его применение в биологии и медицине / О.И. Ксенофонтова, А.В. Васин, В.В. Егоров, А.В. Бобыль, Ф.Ю. Солдатенков, Е.И. Теруков, В.П. Улин, Н.В. Улин, О.И. Киселев // Журнал технической физики. - 2014. - Т. 84, вып. 1. - С. 67-77.

32. Anglin, E.J. Porous silicon in drug delivery devices and materials / E.J. Anglin, L. Cheng, W.R. Freeman, and M.J. Sailor // Adv. Drug Deliv. Rev. - 2008. - V. 60 (11). - P. 1266-1277.

33. Laaksonen, T. Failure of MTT as a Toxicity Testing Agent for Mesoporous Silicon Microparticles / T. Laaksonen, H. Santos, H. Vihola, J. Salonen et al. // Chemical Research in Toxicology. - 2007. - V. 20. - P. 1913-1918.

34. Salonen, J. Fabrication and chemical surface modification of mesoporous silicon for biomedical applications / J. Salonen, V.P. Lehto // Chemical Engineering Journal. -2008. - T. 137, №. 1. - C. 162-172.

35. Clement, D. Highly explosive nanosilicon-based composite materials / D. Clement, J. Diener, E. Gross, N. Kunzner et al. // Physica Status Solidi (A). - 2005.

- V. 202, №. 8. - P. 1357-1364.

36. Canham, L.T. Silicon quantum wire array fabrication by electrochemical and chemical dissolution of wafers / L.T. Canham // Appl. Phys. Lett. - 1990. - V. 57, №10.

- P. 1046.

37. Palestino, G. et al. Biosensing and protein fluorescence en-hancement by functionalized porous silicon devices / G. Palestino, et al. // Langmuir. - 2008. - V. 24, № 23. - P. 13765-13771.

38. Orosco, M.M. Real-time monitoring of enzyme activity in a mesoporous silicon double layer / M.M. Orosco, C. Pacholski, M.J. Sailor // Nature Nanotech. - 2009. - V. 4, № April. - P. 255-258.

39. De Tommasi, E. Porous silicon based resonant mirrors for biochemical sensing / De Tommasi E. et al. // Sensors. - 2008. - V. 8, № 10. - P. 6549-6556.

40. Chan, S. Porous silicon microcavities for biosensing applications / S. Chan et al. // Phys. Stat. Sol. (a). - 2000. - V. 182, № 1. - P. 541-546.

41. Li, S. A porous silicon optical microcavity for sensitive bacteria detection / S. Li, J. Huang, L. Cai // Nanotechnology. - 2011. - V. 22, № 42. - P. 425-502.

42. Будников, Г. К. Биосенсоры как новый тип аналитических устройств / Г.К. Будников // Соросовский образовательный журнал. - 1996. - №. 12. - С. 26-32.

43. Точицкий, Э.И. О возможности использования нанопористого кремния для определения концентрации холестерина / Э.И. Точицкий, И.Г. Милашевская, Е.В. Станкевич, В.П. Бондаренко, Г.И. Сидоренко, С.Ф. Золотухина // Белорусская наука. Минск. - 2012. - Т.50, №2. - С. 73-78.

44. Zhao, Y. Mesoporous silica nanoparticle based double drug delivery system for glucose responsive controlled release of insulin and cyclic AMP / Zhao Y. et al. // J. Am. Chem. Soc. - 2009. - V. 131, № 24. - P. 398-400.

45. Park, J.H. Biodegradable luminescent porous silicon nanoparticles for in vivo applications / Park J.H. et al. // Nature materials. Nature Publishing Group. - 2009. - V. 8, № 4. - P. 331-336.

46. Anglin, E.J. Porous silicon in drug delivery devices and materials / Anglin E.J. et al. // NIH Public Access Author Manuscript. - 2009. - V. 60, № 11. - P. 1266-1277.

47. Bimbo, L.M. Biocompatibility of thermally hydrocarbonized porous silicon nanoparticles and their biodistribution in rats / L.M. Bimbo et al. // ACS nano. - 2010. -V. 4, № 6. - P. 3023-3032.

48. Earl, J. Hydroxyapatite nanoparticle synthesis and in-vitro study of dentinal tubule occlusion / J. Earl, D. Wood, S.J. Milne // Nanotech. - 2006. - V. 1. - P. 407-410.

49. Lakshmi, S. Nanofibers and nanoparticles for orthopaedic surgery applications / S. Lakshmi et al. // J. Bone Joint. Surg. - 2008. - V. 90. - P. 128-131.

50. Журавель, Л.В. Метрология наноразмерных порошков биоматериала с использованием поверхности пористого кремния / Л.В. Журавель, Н.В. Латухина,

Е.В. Писарева и др. // Нанотехнологии. Сборник докладов Харьковской нанотехнологической ассамблеи. - 2008. - Т. 1. - С. 187-191.

51. Vivero-Escoto, J.L. Mesoporous Silica Nanoparticles for Intracellular Controlled Drug Delivery / J.L. Vivero-Escoto, I.I. Slowing, B.G. Trewyn, V.S.-Y. Lin // Small. -2010. - V. 6, №. 18. - P. 1952-1967.

52. Haidary, S.M. Nanoporous Silicon as Drug Delivery Systems for Cancer Therapies / S.M. Haidary, E.P. Corcoles, N.K. Ali // Journal of Nanomaterials. - 2012. -V. 2012. - P.1-15

53. Hernandez, M. Development of drug delivery systems based on nanostructured porous silicon loaded with the anti-tumoral drug emodin adsorbed on silver nanoparticles / M. Hernandez, G. Recio, P. Sevilla, V. Torres-Costa et al. // Proceedings of SPIE. - 2012. - V. 8465. - P. 1-5.

54. Tao, S.L. Microfabricated drug delivery systems: from particlesto pores / S.L. Tao, T.A. Desai. // Advanced Drug Delivery Reviews. - 2003. - V. 55. - P. 315-328.

55. Shang, Y. FTRIFS biosensor based on double layer porous silicon as a LC detector for target molecule screening from complex samples / Y. Shang, W. Zhao, E. Xu, C. Tong et al. // Biosensors and Bioelectronics. - 2010. - V. 25. - P. 1056- 1063.

56. Stewart, M.P. Chemical and Biological Applications of Porous Silicon Technology / M.P. Stewart, J.M. Buriak // Advanced Materials. - 2000. - V. 12. - №. 12. - P. 859-869.

57. Tasciotti, E. Mesoporous silicon particles as a multistage delivery system for imaging and therapeutic applications / E. Tasciotti, X. Liu, R. Bhavane, K. Plant et al. // Nature Nanotechnology. - 2008. - V. 3. - P. 151-157.

58. Тимошенко, В.Ю. Кремниевые нанокристаллы как фотосенсибилизаторы активного кислорода для биомедицинских применений / В.Ю. Тимошенко, А.А.

Кудрявцева, Л.А. Осминкина, А.С. Воронцов и др. // Письма в ЖЭТФ. - 2006. - Т. 83, №. 9. - С. 492-495.

59. Arruebo, M. Drug delivery from structured porous inorganic materials / M. Arruebo // WIREs Nanomedicine and Nanobiotechnology. - 2012. - V. 4. - P. 16-30

60. Xiao, L. Porous Silicon Nanoparticle Photosensitizers for Singlet Oxygenand Their Phototoxicity against Cancer Cells / L. Xiao, L. Gu, S.B. Howell, M.J.Sailor // ACS Nano. - 2011. - V. 5, №. 5. - P. 3651-3659.

61. Sailor, M.J. Photoluminescence Based Sensing with Porous Silicon / M.J. Sailor, E.C. Wu // Advanced Functional Materials. - 2009. - V. 19. - P. 3195- 3208.

62. Kumar, S. Nanostructured porous silicon - a novel biomaterial for drug delivery / S. Kumar, D. Banji, B. Madhavi, V. Bodanapu et al. // International Journalof Pharmacy and Pharmaceutical Sciences. - 2009. - V. 1, №. 2. - P. 8-16.

63. Ranganathan, S.I. Shaping the micromechanical behavior of multi-phase composites for bone tissue engineering / S.I. Ranganathan, D.M. Yoon, A.M. Henslee, M.B. Nair et al. // ActaBiomaterialia. - 2010. - V. 6. - P. 3448-3456.

64. Colilla, M. Novel biomaterials for drug delivery / M. Colilla, I. Izquierdo Barba, M. Vallet-Regi // Expert Opinion on Therapeutic Patents. - 2008. - V. 18. - P. 639-656.

65. Limnell, T. Surface chemistry and pore size affect carrier properties of mesoporous silicon microparticles / T. Limnell, J. Riikonen, J. Salonen, A.M. Kaukonen et al. // International Journal of Pharmaceutics. - 2007. - V. 343. - P. 141-147.

66. Cheng, L. Intravitreal properties of porous silicon photonic crystals: a potential self-reporting intraocular drug- delivery vehicle / L. Cheng, E. Anglin, F. Cunin, D. Kim et al. // British Journal of Ophthalmology. - 2008. - V. 92. - P. 705-711.

67. Ravaine, V. Chemically controlled closed-loop insulin delivery / V. Ravaine, C. Ancla, B. Catargi // Journal of Controlled Release. - 2008. - V. 132. - P. 2-11.

68. Aj, M.Z. Implantable Drug Delivery System: A Review / M.Z. Aj, S.K. Patil,

D.T. Baviskar, D.K. Jain // International Journal of PharmTech Research. - 2012. - V. 4, №. 1. - P. 280-292.

69. Desai, T.A. Micromachined interfaces: new approaches in cell immunoisolation and biomolecular separation / T.A. Desai, D. Hansford, M. Ferrari // Biomolecular Engineering. - 2000. - V. 17. - P. 23-36.

70. Chow, A.Y. The Artificial Silicon Retina Microchip for the Treatment of Vision Loss From Retinitis Pigmentosa / A.Y. Chow et al. //Arch.Optalmol. - 2004. - P. 460469.

71. Трегулов, В.В. Пористый кремний: технология, свойства, применение. Монография /В.В. Трегулов // Ряз. гос. ун-т им. С.А. Есенина. - Рязань, 2011. - С. 1-124.

72. Pandhumsoporn, T. High etch rate, anisotropic silicon plasma etching for the fabrication of microsensors / T. Pandhumsoporn, M. Feldbaum, P. Gadgil // SPIE Proceedings. - 1996. - V. 2879. - P. 9-12.

73. Юраков, Ю.А. Получение пористого кремния / Ю.А. Юраков, А.С. Леньшин, П.В. Середин // Издательский дом ВГУ. - Воронеж, 2014. - С.3.

74. Степанов, А.Л. Новая технология формирования пористого кремния имплантацией ионами металла / А.Л. Степанов, А.А. Трифонов, Ю.Н. Осин, В.Ф. Валеев, В.И. Нуждин // Современные наукоемкие технологии. - 2013. - №11. - С. 119-123.

75. Астрова, Е.В. Получение пористого кремния путем спекания нанопорошка /

E.В. Астрова, В.Б. Воронков, А.В. Нащекин, А.В. Парфеньева, Д.А. Ложкина, М.В. Томкович, Ю.А. Кукушкина // Физика и техника полупроводников. - 2019. -Т. 53, вып. 4. - С. 540-549.

76. Процессы жидкостного химического травления. Учебное пособие по дисциплине «Процессы микро- и нанотехнологий» «Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина). - Санкт-Петербург, 2008. - С. 1-142.

77. Белик, Т.Ю. Особенности пористого кремния, полученного химическим травлением / Т.Ю. Белик // Наноматериалы и нанотехнологии. - 2012. - №4. - С. 65-66.

78. Chen, C.-Y. Tailoring broadband antireflection on a silicon surface through twostep silver-assisted chemical etching / C.-Y. Chen, W.-J. Li, H.-H. Chen // Chemphyschem: European journal of chemical physics and physical chemistry. -2012. - V. 13. - P. 1415-1420.

79. Жарова, Ю.А., Технология получения гетеропереходов в решетке двумерного фотонного кристалла на основе макропористого кремния / Ю.А. Жарова, Г.В. Федулова, Е.В. Астрова и др. // Физика и техника полупроводников. - 2011. - Вып. 7. - С. 1136-1143.

80. Гостева Е.А. Градиентно-пористые структуры с графеноподобными слоями: дис. ...канд. физ.-мат. наук: 01.04.10 / Гостева Екатерина Александровна. - М., 2018. - 130 с.

81. Улин, В.П. Анодные процессы в условиях химического и электрохимического травления кристаллов кремния в кислых фторидных растворах. Механизм порообразования / В.П. Улин, Н.В. Улин, Ф.Ю. Солдатенков // Физика и техника полупроводников. - 2017. Т. 51, вып. 4. - С. 481-496.

82. Новиков П.Л. Моделирование процессов порообразования и гомоэпитаксии на его поверхности: дис. .канд. физ.-мат. наук: 01.04.10 /Новиков Павел Леонидович. - Новосибирск, 2000. - 140 с.

83. Lehmann, V. Microporous Silicon: Formation Mechanism and Preparation Method / V. Lehmann, U. Gosele // Adv. Mater. - 1992. - V. 4. - P. 114-116.

84. Beale, M.I.J. An Experimental and Theoretical Study of the Formation and Microstructure of Porous Silicon / M.I.J. Beale, J.D. Benjamin, M.J. Uren, N.G. Chew et al. // Journal of Crystal Growth. - 1985. - V. 73. - P. 622-636.

85. Мороз, Г.К. К вопросу о механизме формирования пористого кремния / Г.К. Мороз, А.В. Жерздев // ФТП. - 1994. - Т. 28, вып. 6. - С. 949-953.

86. Горячев, Д.Н. О механизме образования пористого кремния [Текст] / Д.Н. Горячев, Л.В. Беляков, О.М. Сресели // Физика и техника полупроводников. -2000. - Т. 34, вып. 9. - C. 1130-1134.

87. Beale, M.LJ. An Experimental and Theoretical Study of The Formation and Microstructure of Porous Silicon / M.LJ. Beale, J.D. Benjamin, M.J. Vren, N.G. Chew and A.G.Cullis // J. Crystal Growth. -1985. - V.73. - P. 622-636.

88. Foll, H. Properties of Silicon-Electrolyte Junctions and Their Application to Silicon Characterization / H. Foll // Appl. Phys. A-Solids and surfaces. - 1991. - V.53, №1. - P.8-19.

89. Gaspard, F. Electric field distribution at Si/HF interface during anodic etching of silicon / F. Gaspard, A. Bsiesy, M. Ligeon, F. Muller, and R. Herino // J. Electrochem. Soc. - 1989. - V. 136. - P.3043-3050.

90. Smith, R.L. Porous silicon fornation mechanisms / R.L. Smith, S.D. Collins // J. Appl. Phys. - 1992. - V. 71. Р. 1-22.

91. Korotcenkov, G. Porous Silicon: From Formation to Application: Formation and Properties, Volume One / G. Korotcenkov // CRC Press. - 2015. - P. 1-3.

92. Григорьев, Л.В. Кремниевая фотоника. Учебно-методическое пособие по практическим работам / Л.В. Григорьев. - СПб: Университет ИТМО. - 2016. - С.17

93. Компан, М.Е. О механизме самоформирования наноразмерных структур пористого кремния при бестоковом водном травлении / М.Е. Компан, И.Ю. Шабанов // ФТП. - 1995. - Т.29, в. 10. - С. 1859-1869.

94. Балагуров, Л.А. Пористый кремний. Получение, свойства, возможные применения / Л.А. Балагуров // Материаловедение. - 1998. - Вып.1. - С. 50-56.

95. Гаврилов, С.А. Изменение механизма формирования слоев пористого кремния при анодной поляризации / С.А. Гаврилов, Т.Н. Заварицкая, В.А. Караванский и др. // Электрохимия. - 1997. - Т. 35, вып. 9. - С. 1064-1068.

96. Bockris, J. On the Structure of Charged Interfaces [Text] / J. Bockris, M. Devanathan, K. Muller // Proc. Roy. Soc. - 1963. - Vol. 274, № 1356. -P. 55-79.

97. Фролов Д.С. Диагностика полупроводниковых структур методом электрохимического вольт-фарадного профилирования: дис. .канд. физ.-мат. наук: 01.04.10 / Фролов Дмитрий Сергеевич - Санкт-Петербург, 2016. - 151 с.

98. Фрумкин, А.Н. Двойной слой и электродная кинетика [Текст] / А.Н. Фрумкин, В.Н. Андрев, Л.И. Богуславский [и др.]; Под ред. В.Е. Казаринов. - М.: Наука. - 1981. - 376 с.

99. Bockris, J.O'M. Modem Electrochemistry, II, Dekker / J.O'M. Bockris and A.K.N.Reddy. - New York, 1990. - 304 р.

100. Lehmann, V. The Physics of macroporous silicon formation / V. Lehmann // Thin Solid Films. - 1995. - V. 255, № 1/2. - P. 1-4.

101. Астрова, Е.В. Структура и свойства пористого кремния, полученного фотоанодированием / Е.В. Астрова, В.В. Ратников, Р.Ф. Витман и др. // Физика и техника полупроводников. - 1997. - Т. 31, вып. 10. - C. 1261-1268.

102. Горячев, Д.Н. Формирование толстых слоев пористого кремния при недостаточной концентрации неосновных носителей / Д.Н. Горячев, Л.В. Беляков, О.М. Сресели // Физика и техника полупроводников. - 2004. Т. 38, вып. 6. - C. 739-744.

103. Parkhutik, V. Poroussilicon - mechanisms of growth and applications / V. Parkhutik // Solid-State Electronics. - 1999. - V. 43. - P. 1121-1141

104. Бучин, Э.Ю. Управление морфологией пористого кремния n-типа / Э.Ю. Бучин, А.В. Проказников // Письма в ЖТФ. - 1997. Т. 23, №6. - С. 80-84.

105. Buchin, E.Yu. Electroluminescence and current-voltage characteristics of n-type porous silicon structures / E.Yu. Buchin, A.B. Churilov, A.V. Prokaznikov // Appl. Surf. Sci. - 1996. - V. 102. - P. 431-435.

106. Бучин, Э.Ю. Характер динамики системы электролит -кремний n-типа при анодировании в растворах плавиковой кислоты / Э.Ю. Бучин, А.В. Проказников // Письма в ЖТФ. - 1997. - Т.23, вып.5. - С.1-7.

107. Onnebeck, S.R. Crystal Orientation Dependence of Macropore Formation in n-Si With Backside-Illumination in HF-Electrolyte / S.R. Onnebeck, S. Ottow, J. Carstensen, H. Foll // Journal of Porous Materials. - 2000. - V. 7. - P. 353-356.

108. Crona, M. Effect of irrradiant wavelength during porous silicon formation / M. Crona, J. Jacob // Appl. Phys. Lett. - 1997. - 70, № 26. - P. 3537-3539.

109. Болотов, А.М. Компьютерное моделирование потенциальных электрических полей в электролитах на основе интервальных вычислений / А.М. Болотов // Современные проблемы науки и образования. - 2014. - №2. - С. 670678.

110. Erlebacher, J. Computer simulations of pore growth in silicon / J. Erlebacher, K. Sieradzki, P. C. Searson // Journal of Applied Physics. - 1994. - № 76. - P. 182-187.

111. Parkhutik, V. Porous silicon mechanisms of growth and applications / V. Parkhutik // Solid - State Electronics. - 1999. - № 43. - P. 1121-1141.

112. Можаев, А.В. Динамическая дискретная трехмерная модель порообразования в кремнии / А. В. Можаев, А. В. Проказников, В. В. Тимофеев // Электронный научный журнал «Исследовано в России». - 2006. - №69. С. 687-694.

113. Lehmann, V. The Physics of Macropore Formation in Low Doped n-Type Silicon / V. Lehmann // Journal of Elecrochemical Society. - 1993. - V. 140, № 10. - P. 28362843.

114. Чепурнов, В.И. Патент №2370851 Способ самоорганизующейся эндотаксии моно 3C-SiC на Si подложке 01.2006 г.

115. Чепурнов, В.И. Высокочувствительный датчик температуры на основе гетероэпитаксиальной структуры SiC/Si / В.И. Чепурнов, Т.П. Фридман // Микросистемная техника. -2002. - №2. - С .17-21

116. Леньшин, А.С. Оптические характеристики различных структур пористого кремния / А.С. Леньшин, В.М. Кашкаров, П.В. Середин и др. // ЖТФ. - 2014. - Т. 84, вып. 2. - С. 70-75

117. L.T. Canham. Appl. Phys. Lett., 57, 1046 (1990)

118. Булах, Б.М. О влиянии процесса окисления на эффективность и спектр люминесценции пористого кремния / Б.М. Булах, Н.Е. Корсунская, Л.Ю. Хоменкова и др. // ФТП. - 2006. - Т. 40, вып. 5. - С. 614-619.

119. Зимин, С.П. Классификация электрических свойств пористого кремния / С.П. Зимин // ФТП. - 2000. - Т.34, в.3. - С. 359-363.

120. Латухина, Н.В. Контактные и бесконтактные методы измерения параметров пористого кремния / Н.В. Латухина, С.П. Кобелева, Г.А. Рогожина, И.А. Шишкин, И.В. Щемеров // Физические свойства и методы исследования. Известия Вузов. Материалы электронной техники. - 2018. - Т.21, №5. - С. 112-121.

121. Анфимов, И.М. Установка для измерения удельного электросопротивления бесконтактным СВЧ методом / И.М. Анфимов, С.П. Кобелева, И.В. Щемеров // Материалы I Международной конф. «Актуальные проблемы прикладной физики 2012». - Севастополь, 2012. - С. 82-83.

122. Kirsanov, N.Y. Multilayer photosensitive structures based on porous silicon and rare-earth-element compounds: Study of spectral characteristics / N.Y. Kirsanov, N.V. Latukhina, D.A. Lizunkova etc. // Semiconductors. - 2017. - V. 51. I. 3. - P. 353-356

123. Антошин, Ю.А. Просветляющие и пассивирующие свойства пленок оксидов и фторидов редкоземельных элементов / Ю.А. Аношин, А.И. Петров, В.А. Рожков, М.Б. Шалимова // Журнал технической физики - 1994. - Т. 64, № 10. - С. 118-123

124. Латухина, Н.В. Фоточувствительная матрица на основе пористого микрокристаллического кремния / Н.В. Латухина, Г.А. Писаренко// Вестник Самарского университета. Естественнонаучная серия. - 2011. - № 5 (89). - С. 115122.

125. Латухина, Н.В. Влияние неконтролируемых факторов на свойства пористого кремния / Н.В. Латухина, Д.А. Лизункова, Г.А. Рогожина и др. // Сборник докладов VIII Международной научной конференции. - М: Ковчег, 2018. - Т. 3. - С. 63-65.

126. Берлова, Е.В. Спектральные исследования нанокомпозитов на основе пористого кремния / Е.В. Берлова, А.В. Жукова, Н.В. Латухина, Г.А. Писаренко // Вестник Самарского университета. Естественнонаучная серия. -2013. - № 3(104). - С. 75-85.

127. Latukhina , N. Photosensitive and Luminescence Porous Silicon Based Structures / N. Latukhina, A. Rogozhin, V. Timoshenko, G. Pisarenko // Book of Abstracts of the II International Conference on Modern Problems in Physics of Surface and Nanostructures. Yaroslavl, Russia. - 2012. - P. 132-133.

128. Латухина, Н.В. Многослойные наноструктуры на базе пористого кремния для оптоэлектроники / Н.В. Латухина, Д.А. Лизункова, Г.А. Рогожина, И.М. Жильцов, М.В. Степихова, В.И. Чепурнов // Фотоника. - 2018. - № 5. - С. 508513.

129. Латухина, Н.В. Спектральные характеристики многослойных фоточувствительных структур на базе пористого кремния / Н.В. Латухина, Д.А. Лизункова, Г.А. Рогожина и др. // Тезисы докладов XI конференции и Х школы молодых ученых и специалистов по актуальным проблемам физики, материаловедения, технологии и диагностики кремния, нанометровых структур и приборов на его основе «Кремний-2016». - Новосибирск, 2016. - С. 207.