Экспериментальная оценка устойчивости устройств телекоммуникационных сетей при деструктивном воздействии сверхкороткоимпульсного электромагнитного излучения тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 05.12.13, кандидат технических наук Корнев, Андрей Николаевич

• Корнев, Андрей Николаевич
• кандидат технических наук
• 2010

Оглавление диссертации кандидат технических наук Корнев, Андрей Николаевич

Обозначения и сокращения

Введение

1 Анализ состояния вопроса по оценке воздействия сверхкороткоимпульсных электромагнитных полей высокой мощности на аппаратуру телекоммуникационных систем

1.1 Характеристика телекоммуникационных систем и их 10 составных частей как объектов потенциально уязвимых к действию импульсных ЭМП

1.2 Анализ влияния электромагнитного воздействия на 11 функционирование элементов и узлов РЭА

1.3 Анализ средств формирования СКИ ЭМИ высокой 16 мощности

1.4 Анализ методов оценки воздействия СКИ ЭМИ на РЭА и её 18 элементы

1.5 Выбор направлений исследований. Постановка задач 20 2. Экспериментальные исследования эффектов воздействия 21 СКИ ЭМИ НА телекоммуникационные системы и их элементы

2.1 Исследования воздействия импульсных ЭМИ на 21 элементную базу устройств передачи и обработки информации

2.2 Исследования эффектов воздействия СКИ ЭМИ на типовые 35 устройства ТС

2.3 Критерии оценки воздействия ЭМИ высокой мощности на 43 ТС и их элементы

2.4 Разработка алгоритма оценки воздействия СКИ ЭМИ на 45 типовые устройства ТС

2.4.1 Модель воздействия СКИ ЭМИ на типовые устройства

2.4.2 Алгоритм оценки воздействия СКИ ЭМИ на типовые устройства ТКС

2.5 Выводы по главе

3. Разработка методов и средств расчетно-экспериментальной оценки воздействия СКИ ЭМИ на типовые элементы телекоммуникационных систем

3.1 Разработка методики экспериментальной оценки 49 параметров сигналов формируемых в критических цепях элементов ТКС при воздействии СКИ ЭМИ

3.1.1 Методология экспериментальной оценки параметров 49 сигналов формируемых в критических цепях РЭА при воздействии СКИ ЭМИ

3.1.2 Разработка средств измерения параметров критических 62 цепей элементов и устройств ТС

3.1.3 Экспериментальное определение параметров сигналов 69 наводимых в критических цепях базовых элементов ТС при воздействии СКИ ЭМИ

3.2 Разработка расчетно-экспериментальной методики оценки 72 обратимых отказов элементной базы ТКС при воздействии

СКИ ЭМИ

3.3 Разработка расчетно-экспериментальной методики оценки 77 необратимых отказов элементной базы ТС при воздействии

СКИ ЭМИ

3.3.1 Моделирование функционирования интегральных схем с 78 учетом влияния источников помеховых сигналов

3.3.2 Физико-топологическое моделирование функциониро- 83 вания уязвимого элемента ИС при воздействии СКИ ЭМИ

3.3.3 Разработка электротепловой модели уязвимого элемента 86 интегральной схемы

3.3.4 Моделирование воздействия СВЧ-помехи на уязвимый элемент ИС методом электротепловых аналогий

3.4 Выводы по главе

4. Оценка устойчивости систем передачи и обработки информации к действию СКИ ЭМИ

4.1 Оценка уязвимости ТКС и определение их критериальных 98 уровней

4.2 Оценка влияния спектральных и временных характеристик 105 СКИ ЭМИ на критериальные уровни

4.3 Разработка рекомендаций по обеспечению устойчивости 111 функционирования ТС в условиях воздействия СКИ ЭМИ

4.4 Выводы по главе

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Экспериментальная оценка устойчивости устройств телекоммуникационных сетей при деструктивном воздействии сверхкороткоимпульсного электромагнитного излучения»

В настоящее время активно развиваются средства электромагнитного поражения радиоэлектронных систем (РЭС) и устройств, и особенно средства поражения, основанные на новых физических принципах. Так в последние годы появились новые мощные генераторы, излучающие периодические и однократные сверхкороткие электромагнитные импульсы (СКИ ЭМИ). Они обладают новыми качествами, отсутствующими у традиционных источников преднамеренных помех - сверхширокополосностыо и большой амплитудой. Спектральная плотность их распределена в интервале от сотен МГц до единиц ГГц [1,2].

Особенностью данного типа излучения является соизмеримость длительности воздействующих импульсов с длительностью рабочих импульсов, при обработке цифровой информации. Поэтому при воздействии СКИ ЭМИ на компьютеры и цифровые устройства в их цепях наводятся сигналы, аналогичные рабочим, что приводит к нарушению работы цифровых систем. Одной из возможных областей применения таких излучателей является дистанционное поражение электронных компонентов изделий радиоэлектронного вооружения (РЭВ), в частности микропроцессоров устройств и построенных на их основе систем передачи и обработки информации. Сегодня они составляют основную часть используемых элементов в РЭС, работают на все более высоких частотах и низких напряжениях и, таким образом, становятся все более восприимчивы к СКИ ЭМИ [2, 3, 4].

Кроме того, необходимо учитывать, что на современном этапе отмечаются следующие особенности развития составляющих инфокоммуникаций:

- на долю программного обеспечения приходится 80 % реализаций функций, а на долю аппаратных средств - примерно 20% функциональных возможностей, внедрение СБИС позволяет реализовать практически любые функции, в том числе и в мобильных аппаратах;

- произошел довольно резкий переход от аналоговых систем передачи к цифровым, причем в последних осуществлен переход от систем PDH к системам синхронной цифровой иерархии (SDH) и к применению широкополосных систем B-ISDN и ATM;

- под влиянием развития базовых технологий развиваются телекоммуникационные процессы и системы, в сторону увеличения быстродействия;

- происходит глобализация требований стандартов как в области информационных технологий, так и сфере электромагнитной совместимости и стойкости объектов к намеренным электромагнитным воздействиям.

Поэтому, СКИ ЭМИ являются сегодня новой серьезной угрозой для радиоэлектронных систем. Кроме того, бурное развитие микроэлектроники и активное повсеместное внедрение в деятельность государственных структур различных систем обработки, передачи и хранения информации ведёт к активному развитию информационных инфраструктур (ИИ) [4].

Анализ цифровых устройств являющихся основой систем передачи и обработки информации показывает их высокую уязвимость к действию СКИ ЭМИ. Проведённые исследования воздействия СКИ ЭМИ на электронные компоненты информационных инфраструктур показывают, что для адекватной оценки реальной стойкости информационных инфраструктур необходимо проведение исследований и испытаний в условиях их реального расположения.

Решение задачи оценки воздействия СКИ ЭМИ на электронные системы ИИ методами математического моделирования на сегодня не представляется возможным ввиду отсутствия соответствующего методического аппарата. При этом анализ численных методов решения таких задач показывает невозможность получения достоверных расчетных результатов.

При этом следует отметить, что методы создания перспективных, защищенных от преднамеренного воздействия СКИ ЭМИ, информационных инфраструктур, в том числе стационарных или разнесенных в пространстве сегодня является крайне неизученным, ввиду его многогранности и сложности. В настоящее время наиболее перспективным методом оценки уязвимости электронных систем является расчетно-экспериментальный метод, позволяющий с приемлемой точностью оценить критические уровни воздействия на распределённые системы, к которым относятся ИИ.

Потенциальную значимость вопроса оценки уязвимости ИИ показывает и разработка комплекса стандартов, регламентирующих требования и порядок проведения испытаний систем обработки информации, выполненных в защищенном исполнении, к действию СКИ ЭМИ — ожидаемый срок ввода стандартов 2010 год. Работа по разработке комплекса стандартов ведется кооперацией организаций представляющих промышленность, Госстандарт, ФСБ, ФСТЭК. В настоящее время действует ГОСТ Р 52863-2007 «Автоматизированные системы в защищенном исполнении. Испытания на устойчивость к намеренным силовым электромагнитным воздействиям» [1,2].

В настоящее время на этапах введения в действие и в разработке находятся следующие документы:

ГОСТ Р «Защита информации. Автоматизированные системы в защищенном исполнении. Организация и содержание работ по защите от преднамеренных деструктивных электромагнитных и электрических воздействий. Общие положения».

ГОСТ Р «Защита информации. Автоматизированные системы в защищенном исполнении. Средства защиты от преднамеренных деструктивных электромагнитных и электрических воздействий. Общие требования».

ГОСТ Р «Защита информации. Автоматизированные системы в защищенном исполнении. Средства обнаружения преднамеренных деструктивных электромагнитных и электрических воздействий. Общие требования».

Проект нормативного документа «Специальные требования и рекомендации по технической защите информации от преднамеренных деструктивных электромагнитных и электрических воздействий».

Заключение диссертации по теме «Системы, сети и устройства телекоммуникаций», Корнев, Андрей Николаевич

4.4 Выводы по разделу

Таким образом, проведённые экспериментальные исследования позволили получить следующие результаты:

- экспериментально получены зависимости уровней уязвимости устройств ТКС от основных параметров воздействующего СКИ ЭМИ;

- определены параметры СКИ ЭМИ при которых наиболее сильно проявляются основные эффекты воздействия

- проведён сравнительный анализ воздействия СКИ ЭМИ и моночастотного импульсного ЭМИ микросекундной длительности;

- на основе анализа эффектов воздействия определены рекомендации по снижению влияния СКИ ЭМИ на эффективность функционирования ТКС.

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

Проведение широкого спектра экспериментальных работ позволило определить уровни функционального поражения настольных и портативных ПК общего и специального назначения, а так же устройств на их основе, СВЧ-излучением с различными спектрально-временными характеристиками.

Проведенные исследования позволили определить основные принципиальные различия в воздействии СВЧ-излучения на аналоговые и цифровые устройства. Если в аналоговых устройствах сбои в их элементах жестко привязаны к моменту воздействия и имеют вполне определенные последствия для объекта в целом, то в цифровых устройствах возникновение сбоев обуславливается изменением логического состояния микросхем, носит, как правило, случайный характер и характеризуется большим разнообразием эффектов, наблюдаемых на уровне объекта.

Показана жизнеспособность выбранного подхода к решению задачи. Получены достаточно точные данные о физике процессов, протекающих в нерезонансных объектах при воздействии СВЧ-излучения.

Отработаны методики проведения экспериментальных исследований по выявлению уязвимых элементов и получению исходных данных для расчетного моделирования.

Отработана методика построения модели воздействия для различных нерезонансных объектов.

Показана нецелесообразность разработки универсальных (обобщенных) моделей воздействия, обусловленная:

- различными эффектами воздействия на один и тот же уязвимый элемент объекта;

- возможной сменой уязвимых элементов объекта при изменении параметров воздействия;

- наличием равностойких уязвимых элементов в объекте исследований

Основным результатом, определяющим научную и практическую значимость, выполненных в работе исследований, является решение важной научно-технической задачи направленной на снижение влияния СКИ ЭМИ на эффективность функционирования телекоммуникационных сетей.

В процессе решения задач, поставленных в диссертационной работе, получены следующие наиболее значимые научные и практические результаты:

1. Проведено обобщение результатов исследований устойчивости РЭА и методов её оценки при деструктивном воздействии сверхкороткоимпульсного электромагнитного излучения, при выполнении которого показана потенциальная уязвимость современных ТКС к действию СКИ ЭМИ и установлено, что для решения задачи снижения влияния СКИ ЭМИ на эффективность функционирования ТКС целесообразно использовать экспериментальные методы исследования

2. Проведен анализ средств формирования СКИ ЭМИ высокой мощности и определён перечень параметров подлежащих измерению при оценке воздействия на РЭА для его адекватного описания.

3. Проведены экспериментальные исследования эффектов воздействия СКИ ЭМИ на типовые устройства ТКС, которые показали, что основными причинами функционального поражения СВТ, ЛВС и других компонентов ТКС являются сбои и обратимые отказы элементной базы, приводящие к нарушению целостности информации находящейся в обработке, а так же к нарушению режимов функционирования.

4. Проведены исследования воздействия СКИ ЭМИ и формируемых ими в критических цепях наводок на функционирование базовых логических элементов ряда серий ИМС, что позволило получить экспериментальные данные, определяющие зависимость уровней бессбойной работы от спектральных характеристик воздействующих сигналов.

5. Разработаны критерии оценки устойчивости устройств телекоммуникационных систем к деструктивному воздействию СКИ ЭМИ, основанные на анализе экспериментальных данных по эффектам воздействия, как обратимых, так и необратимых, позволяющие оценить уязвимость СВТ, ЛВС и других элементов ТКС в широком диапазоне требований к эффективности функционирования.

6. Разработана модель деструктивного воздействия СКИ ЭМИ на ТКС учитывающая особенности их функционирования.

7. Разработан алгоритм оценки деструктивного действия СКИ ЭМИ на элементы и устройства ТКС, основанный на знании антенных свойств критических цепей, а именно коэффициента усиления паразитной («случайной») антенны, позволяющего связать параметры воздействующего поля и параметры наведённого сигнала.

8. Разработаны средства измерения характеристик критичных цепей, являющихся «случайными антеннами», и определяющих уязвимость типовых элементов ТКС к деструктивному воздействию СКИ ЭМИ. Разработанный измерительный комплекс позволяет определять характеристики «случайных» (паразитных) антенн в широком диапазоне частот (0,1.12 ГГц) используя метод сверхширокополосного зондирования исследуемой антенны и сравнения отклика с сигналом от эталонного приёмника.

9. Разработана методика расчетно-экспериментальной оценки уязвимости ТКС к деструктивному воздействию СКИ ЭМИ, основанная на экспериментальном определении законов поражения элементной базы и коэффициента преобразования «случайных антенн».

11. Проведены экспериментальные исследования устойчивости типовых элементов ТКС к деструктивному воздействию СКИ ЭМИ для оценки влияния характеристик излучения на критериальные уровни, получены зависимости критериальных параметров от основных характеристик воздействующего СКИ ЭМИ

12. Разработаны рекомендации по обеспечению эффективного функционирования ТКС при деструктивном воздействии СКИ ЭМИ.

Список литературы диссертационного исследования кандидат технических наук Корнев, Андрей Николаевич, 2010 год

1. НРМ (high power microwave) testing of electronic components. Antinone R., Ng W.C. (Lawrence Livermore National Lab., CA(USA)). 10 May 1989. 80p.

2. Балюк H.B., Кечиев JI.H., Степанов П.В. Мощный электромагнитный импульс: воздействие на электронные средства и методы защиты, М.: ООО «Группа ИДТ», 2007. 478 е.

3. Т. Уильяме ЭМС для разработчиков продукции, М.: издательский дом технологии, 2003 г. 540 с.

4. Сахаров К.Ю., Излучатели сверхкоротких электромагнитных импульсов и методы измерения их параметров, М.: МИЭМ, 2006 г. 159 с.

5. ГОСТ Р 52863-2007 «Автоматизированные системы в защищенном исполнении. Испытания на устойчивость к намеренным силовым электромагнитным воздействиям»

6. Зи С. Физика полупроводниковых приборов, т. 1 Москва: «Мир» 1984.

7. Красюк Н.П., Дымович Н.Д. Электродинамика и распространение радиоволн. Учеб. пособие для радиотехн. вузов и факультетов. М.: «Высшая школа», 1974.

8. Введенский Б.А., Аренберг А.Г. Распространение ультракоротких радиоволн.- М.: Советское радио, 1938.- 284 с.

9. Фейнберг Е. Л. Распространение радиоволн вдоль земной поверхности.- М.: Изд. АН СССР, 1961.- 547 с. (2-е изд.- М.: Наука, 1999.- 496с.)

10. Mikheev О. V., Podosenov S. A., Sakharov К. Yu., Sokolov A. A., and Türkin V. A. Approximate Calculation Methods for Radiation of а ТЕМ Horn Array. IEEE Trans. Electromagn. Compat. 2001. V. 43, N 1. P. 67-74.

11. Никольский B.B., Никольская Т.И. «Электродинамика и распространение радиоволн.» — М.: «Наука», 1989, 544 с.

12. Герасименко В.Г., Авдеев В.Б., Бердышев A.B. Мощныесверхкороткоимпульсные и сверхширокополосные электромагнитныеизлучения и их помеховое и поражающее воздействие на электроннуюаппаратуру передачи-приёма, обработки и хранения информации,117

13. Воронеж: Научная книга, 2008. -397 с

14. Методика расчетно-экспериментальных исследований воздействия импульсного СВЧ-излучения на радиоуправляемые устройства. Санкт-Петербург: ФТИ им. Иоффе, 2002.

15. Протокол экспериментальных исследований функционирования радиостанции «Kenwood TK-270G» в условиях воздействия СВЧ-излучения. Санкт-Петербург: ФТИ им. Иоффе, 2002.

16. Протокол экспериментальных исследований функционирования радиостанции «Беркут» в условиях воздействия СВЧ-излучения. — Санкт-Петербург: ФТИ им. Иоффе, 2002.

17. Протокол экспериментальных исследований функционирования автомобильного пейджера «Mongoose PS-30» в условиях воздействия СВЧ-излучения. Санкт-Петербург: ФТИ им. Иоффе, 2002.

18. Антипин В.В., Громов Д.В., Полунин В.А., Долбня С.Н., Корнев А.Н. Моделирование воздействия СПЕЦ-наводок на цифровые интегральные схемы, сборник по материалам конференции " Стойкость-2000", выпуск 3, 2000 г.

19. Громов Д.В., Долбня С.Н., Елесин В.В., Корнев А.Н., Певнев A.B., Полевич С.А. Функционирование персональных компьютеров в условиях воздействия полей PJIC, сборник по материалам конференции " Стойкость-2003", выпуск 6, 2003 г.

20. Громов Д.В., Долбня С.Н., Елесин В.В., Корнев А.Н., Певнев A.B., Полевич С.А. Функционирование оптического датчика цели в условиях воздействия полей PJIC, сборник по материалам конференции " Стойкость-2003", выпуск 6, 2003 г.

21. Газизов Т.Р. Преднамеренные электромагнитные помехи и авионика. Успехи современной радиоэлектроники, 2004. № 2, С. 37-51.

22. Экспериментальные исследования воздействия СВЧ-импульсов на содержащие интегральные микросхемы радиоэлектронные устройства / Бердышев A.B., В.Ф. Ивойлов, A.B. Исайкин и др. // Радиотехника. 2000. № 6, С. 85-88.

23. Floring H.K. The future battlefield: a blast of gigawatts? // IEEE Spectrum. 1988, vol.25, №3,p.50-54.

24. Ю.Г. Юшков, П.Ю. Чумерин, С.H. Артеменко и др. Экспериментальное исследование воздействия сверхвысокочастотных импульсов на работу персонального компьютера // Радиотехника и электроника. 2001. Т. 46. №8, С. 1020-1024.

25. Ключник A.B., Маслов Д.Е., Солодов A.B. Тепловое повреждение интегральных микросхем. Электронная техника. Сер. Электроника СВЧ, 1994, Вып. 1(461). - С. 46-48.

26. Шеин А.Г., Григорьев E.B., Старостенко B.B. Влияние ориентации электромагнитного поля при воздействии на интегральные микросхемы. Электронная техника. Сер. Упр. кач-вом., 1992, Вып. 2(149). С.16-18.

27. Генерирование мощных СВЧ импульсов ультракороткой длительности и их воздействие на интегральную электронную технику / С.Б. Блудов, Н.П. Годецкий, К.А. Кравцов и др. // Физика плазмы. 1994. Т. 20, № 7, 8.-С. 712-717.

28. Вдовин В.А., Кулагин В.В., Черепенин В.А. Помехи и сбои при нетепловом воздействии коротких СВЧ- импульсов на радиоэлектронные устройства. Электромагнитные волны и электронные системы, 2003, №1. С.64-73.

29. Бердышев A.B., Щеренков В.В. Энергетические и временные характеристики сверхвысокочастотного импульса на выходе антенно-фидерного тракта радиоэлектронного средства // Физика волновых процессов и радиотехнические системы, 2003, Т. 6. №2. С. 52-57.

30. Изменение параметров малошумящего усилителя при воздействии мощных импульсных помех / В.В. Антипин, В.А. Годовицын, Д.В. Громов и др. // Радиотехника. 1991. №8.-С. 18-20.

31. Корнев А.Н. Экспериментальные исследования уязвимости средств вычислительной техники к воздействию импульсного электромагнитного излучения, Доклад на конференции памяти Тихонравова, 4 ЦНИИ МО РФ, 2008 г.

32. Гришняев H.H., Козлов А.Н. Оценка поражающего действия микроволнового излучения на радиоэлектронные средства, содержащие антенно-фидерные устройства // Оборонная техника. 1997. №1-2.-С. 66121

33. Гришняев H.H., Ткач Ю.В. Исследование стойкости объектов ВВТ, содержащих антенно-фидерные устройства, к воздействию микроволнового излучения // Оборонная техника. 1997. №6-7.-С. 22-24.

34. Зубрилов A.C., Котин O.A., Шуман В.Б. Однородный лавинный пробой в кремниевых диодах // Физика и техника полупроводников. 1989. Т.23, №4.-С. 607-611.

35. Осипов В.В., Холоднов В.А. Явление изотермического шнурования тока при инжекционном пробое полупроводниковых структур / Микроэлектроника. 1973.Т. 2. № 6.-С. 529-547.

36. Грибников З.С. Об одном механизме неустойчивости однородного лавинного пробоя слоев Шоттки // Физика и техника полупроводников. 1977. Т.11,№11.-С. 2111-2118.

37. Wunsh D.C., Bell R.R. Determination of thresold failure levels semiconductor diods and transistors due to pulse voltage. IEEE Trans. Nucl. Science, 1968, v. NS-15, № 6. P.244-259.

38. Рикетс Л.У., Бриджес Дж., Майлетта Дж. Электромагнитный импульс и методы защиты: Пер. с англ. / Под ред. H.A. Ухина. М.: Атомиздат, 1979.-328 с.

39. Larson С.Е., Roe J.M. A modified Ebers-Moll transistor model for RF-interference analysis. // IEEE Trans, on EMC. 1979. V. EMC-21. № 4.-P. 283-290.

40. B.B. Пухов, Ю.Д. Ильин. Воздействие ВЧ- и СВЧ- помех на полупроводниковые приборы и интегральные схемы. Электронная техника. Сер. Электроника СВЧ, 1986, Вып. 9(393). - С. 25-28.

41. Влияние электромагнитных помех на работоспособность полупроводниковых приборов и интегральных схем. / A.M. Бригидин, H.A. Титович, В.М. Кириллов и др. // Электронная техника. Сер. Упр. кач-вом., 1992, Вып. 1(148).-С. 3-13.

42. Протокол экспериментальных исследований параметров электрическихнаводок на внутренних токопроводниках радиостанции «Kenwood ТК-270G» от сверхвысокочастотных электромагнитных полей. Санкт-Петербург: ФТИ им. Иоффе, 2002.

43. Протокол экспериментальных исследований параметров электрических наводок на внутренних токопроводниках радиостанции «Беркут» от сверхвысокочастотных электромагнитных полей. — Санкт-Петербург: ФТИ им. Иоффе, 2002.

44. Протокол экспериментальных исследований параметров электрических наводок на внутренних токопроводниках автомобильного пейджера «Mongoose PS-ЗО» от сверхвысокочастотных электромагнитных полей. -Санкт-Петербург: ФТИ им. Иоффе, 2002.

45. Протокол выполнения измерений электрических сигналов в цепях радиоуправляемого устройства на основе УКВ-радиостанции Беркут-603М при воздействии СВЧ-излучения 10-см диапазона. ЦФТИ МО РФ, 2003 г.

46. Протокол выполнения измерений электрических сигналов в цепях радиоуправляемого устройства на основе УКВ-радиостанции Беркут-603М при воздействии СВЧ-излучения 30-см диапазона. ЦФТИ МО РФ, 2003 г.

47. Протокол выполнения измерений электрических сигналов в цепях радиоуправляемого устройства на основе автомобильного пейджера Mongoose PS-30 при воздействии СВЧ-излучения 10-см диапазона. -ЦФТИ МО РФ, 2003 г.

48. Протокол выполнения измерений электрических сигналов в цепях радиоуправляемого устройства на основе автомобильного пейджера Mongoose PS-30 при воздействии СВЧ-излучения 30-см диапазона. — ЦФТИ МО РФ, 2003 г.

49. Результаты расчетного моделирования функционирования радиоуправляемого устройства на основе радиостанции «Беркут 603» в условиях электромагнитного воздействия. Приложение №1 к итоговомуотчету о НИР «Абиджан» Санкт-Петербург: ФТИ им. Иоффе, 2003.

50. Исходные данные для расчетного моделирования функционирования радиоуправляемых устройств в условиях электромагнитного воздействия. Приложение №2 к итоговому отчету о НИР «Абиджан» — Санкт-Петербург: ФТИ им. Иоффе, 2003.

51. Протокол экспериментальных исследований воздействия сверхкоротких импульсов СВЧ-излучения на персональные компьютеры. — Сергиев Посад: ЦФТИ МО РФ, 2003.

52. Протокол № 3 экспериментальных исследований взаимодействия импульсов электромагнитного излучения сверхкороткой длительности с радиоэлектронной аппаратурой. Санкт-Петербург: ФТИ им. Иоффе, 2001.

53. Протокол экспериментальных исследований воздействия сверхкоротких импульсов СВЧ-излучения на электронные блоки. Сергиев Посад: ЦФТИ МО РФ, 2003.

54. Протокол экспериментальных исследований воздействия сверхкоротких импульсов СВЧ-излучения на УКВ-радиостанции. Сергиев Посад: ЦФТИ МО РФ, 2003.

55. Протокол экспериментальных исследований воздействия сверхкоротких импульсов СВЧ-излучения на радиоуправляемые устройства. Сергиев Посад: ЦФТИ МО РФ, 2003.

56. Протокол экспериментальных исследований воздействия импульсов СВЧ-излучения микросекундной длительности на радиоуправляемые устройства. Сергиев Посад: ЦФТИ МО РФ, 2003.

57. Архангельский А.Я. PSpice и Design Centre. В 2-х ч. Часть 1. Схемотехническое моделирование. Модели элементов. Макромоделирование. Учебное пособие. МИФИ. 1996 г. -236 с.

58. Методика расчетно-экспериментальных исследований воздействия сверхширокополосного излучения на радиоэлектронную аппаратуру. — Санкт-Петербург: ФТИ им. Иоффе, 2002.

59. Протокол № 1 экспериментальных исследований взаимодействия импульсов электромагнитного излучения сверхкороткой длительности с радиоэлектронной аппаратурой. — Санкт-Петербург: ФТИ им. Иоффе, 2001.

60. Алферов Ж.И., Уваров А.И. О тепловом пробое мощных германиевых вентилей // Электричество. 1964. № 5, С. 46-50.

61. Мартиросов И.М. О лавинно-тепловом пробое р-n переходов // Физика и техника полупроводников. 1967. Т. 2. № 11, С. 1075-1080.

62. Усыченко В.Г., Сорокин JI.H., Якимов A.B. Видеоимпульсный метод определения параметров выгорания полупроводниковых приборов СВЧ. М.: Вопросы атомной науки и техники, Серия: физика радиационного воздействия на РЭА, вып.З, 2002. С. 13 - 15.

63. Усыченко В.Г., Якимов A.B., Сорокин JI.H. Выгорание сверхвысокочастотных диодов и транзисторов под воздействием видеоимпульсов разной полярности и длительности. М.: Радиотехника и электроника. 2002. Т. 47. № 9, С. 1138-1144.

64. Изделия электронной техники, квантовой электроники и электротехнические военного назначения. Испытания на импульсную электрическую прочность. РДВ 319.03.30-98. М.: МО РФ, 1998.-19 с.

65. Громов Д.В., Корнев А.Н., Певнев A.B., Полевич С.А., Фотеев A.B.

66. Влияние мощного ЭМИ СВЧ на функционирование БИС ОЗУ, сборник по материалам конференции " Стойкость-2007", выпуск 10, 2007 г.

67. Сахаров К.Ю., Михеев О.В., Туркин В.А., Корнев А.Н. Долбня С.Н., Певнев A.B., Акбашев Б.Б. Исследование функционирования персональных компьютеров в условиях воздействия сверхкоротких электромагнитных импульсов, «Технологии ЭМС», №2 2006 г.

68. Алешко О.В., Соколов A.A., Сахаров К.Ю., Михеев А.И., Туркин В.А., Корнев А.Н. Датчик напряженности электрического поля сверхкоротких электромагнитных импульсов со сверхвысокой частотой повторения, «Технологии ЭМС», №2 2006 г.

69. Сахаров К.Ю., Михеев О.В., Туркин В.А., Корнев А.Н. Долбня С.Н., Певнев А.В Исследование функционирования локальных вычислительных сетей в условиях воздействия сверхкоротких электромагнитных импульсов, «Технологии ЭМС», №1 2007 г.