ЭДС в полупроводниковых структурах при фоторазогреве носителей заряда тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 01.04.07, кандидат физико-математических наук Юрченко, Владимир Борисович

• Юрченко, Владимир Борисович
• кандидат физико-математических наук
• 1984

Оглавление диссертации кандидат физико-математических наук Юрченко, Владимир Борисович

ВВЕДЕНИЕ.

Глава I. ФОТО ЭЛЕКТРИЧЕСКИЙ ЭФФЕКТ И ФОТОРАЗОГРЕВ

НОСИТЕЛЕЙ В ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ СТРУКТУРАХ.

§ I. Фотоэлектрический эффект в структурах с холодными" носителями заряда

§ 2. Уравнения непрерывности тока и баланса энергии при фоторазогреве носителей заряда

§ 3. Граничные условия в теории контактных явлений.

Глава 2. ФОТОЭФФЕКТ В СТРУКТУРАХ С ГРЕЮЩИМИСЯ

НОСИТЕЛЯМИ ПРИ СЛАБОМ ОСВЕЩЕНИИ.

§ I. Фотоэдс в р -п -структурах в условиях фото разогрева неосновных носителей.

§ 2. Фотоэдс в структурах с одинаково разогретыми основными и неосновными носителями

§ 3. Фотоэдс при разогреве носителей в гетероструктурах.

Глава 3. НЕЛИНЕЙНЫЙ ФОТОЭФФЕКТ ПРИ ЗНАЧИТЕЛЬНОМ

РАЗОГРЕВЕ НОСИТЕЛЕЙ.

§ I. Фотоэдс в структурах с греющимися носителями при сильном освещении.

§ 2. Нелинейный фотоэффект, вызванный фоторазогревом неосновных носителей.

§ 3. Оптимизация фотоэлектрических преобразователей с горячими носителями заряда

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «ЭДС в полупроводниковых структурах при фоторазогреве носителей заряда»

Необходимость широкого использования энергии солнечного излучения сделала актуальной проблему создания эффективных солнечных элементов-устройств, преобразующих солнечную энергию в электрическую £1,22 • Самыми перспективными из таких устройств ока -зываются твердотельные фотоэлектрические преобразователи, пост -роенные на основе различных полупроводниковых структур. В нас -тоящее время кпд солнечных элементов этого типа превышает 20% для лучших монокристаллических преобразователей (кремниевых и арсенид-галлиевых) и 10% - для наиболее совершенных пленочных (поликристаллических) С1-5Ц . Применение таких преобразователей остается, однако, весьма ограниченным. Связано это с тем, что солнечные элементы оправдывают себя экономически лишь в тех случаях, когда их эффективность оказывается выше определенного уровня, зависящего от их стоимости, долговечности и других факторов С 6 J. Известные же устройства еще не достигают такого уровня эффективности. Поэтоцу повышение кпд твердотельных фотопреобразователей наряду с уменьшением их стоимости, увеличением долговечности и т.п.,по-прекнему является насущной задачей. Решение этой задачи требует более глубокого изучения эффектов, определяющих работоспособность данных устройств.

Настоящая диссертация посвящена построению нелинейной тео -рии твердотельных фотоэлектрических преобразователей, позволяю -щей предложить новые пути повышения их эффективности.

Работа твердотельных фотопреобразователей основана на испо -льзовании фотоэлектрического эффекта. Этот эффект состоит в по -явлении электродвижущей силы (эдс) в различных полупроводниковых структурах при освещении последних межзонно поглощаемым светом til. Суть эффекта нагляднее всего проявляется в р- /г-структуpax. При межзонном поглощении света в этих структурах генерируются неравновесные электронно-дырочные пары, которые разделяются затем электрическим полем р — п -перехода; носители заряда, неосновные в той или иной области структуры, вытягиваются этим полем в соседнюю область, тогда как носители, являющиеся основными, возвращаются им вглубь исходной области. В результате этих процессов в структурах формируется фотоэдс, а во внешней электрической цепи появляется фототок [7-10 ] .

Твердотельные фотопреобразователи,как уже говорилось,являются самими эффективными солнечными элементами. В то Ее время их кпд в силу многих причин в целом остается невысоким. Одна из главных причин, ограничивающих кпд этих солнечных элементов,за -ключается в том, что неравновесные электроны и дырки,рожденные высокоэнергичными фотонами, неупрзто рассеиваются на фононах и, таким образом, передав большую избыточную энергию £~ ^/xtico = = ~ ) ^ Т кристаллической решетке, быстро "термализуются" [ 7,9] (здесь Еи р~ кинетическая энергия электронов и дырок, 1iСо - энергия фотонов, В^ - ширина запрещенной зоны полу -проводника, Т0 - температура кристаллической решетки). В кремнии,например, при То =300 К "термализация" носителей происходит всего за ~ 10 с. • При этом время жизни неравно весных носителей обычно гораздо больше (в том же кремнии

-4 -3

Т^ может достигать ~ i0 -f Ю с [12] ). В этих условиях фотоэдс формируется носителями, почти потерявшими избыточную энергию, вследствие чего на создание полезного эффекта расходуется только часть энергии фотонов, равная ширине запрещенной зоны полупроводника В ^ .В случае солнечного излучения (как и другого излучения с широким спектром) указанный эффект сразу же приводит к значительного снижению кпд фотопреобразователей.^ Кпд в таком случае зависит от ширины запрещенной зоны полупроводника В. ^ ,причем существует некоторое оптимальное значение £ ^ £* , при котором кпд становится максимальным oflT 13] (мы говорим пока лишь о преобразователях на основе р-п-структуры).

Обычно эффект "термализации" неравновесных носителей выра -жен довольно ярко. В связи с этим в существующей теории фотоэлектрического эффекта вовсе пренебрегают возможной энергетической неравновесностью носителей заряда, т.е. считают, что фотоэдс создается полностью "термализованными" ("холодными") носителями [ 7,9 J . Теоретический анализ условий максимальной эффективности солнечных элементов, выполненный в таком предположении, приводит к значению — 1,5эв С13,141 , соответствующему средней

Jf ОПТ энергии фотонов в солнечном излучении. Максимальный же кпд такого оптимизированного солнечного элемента, согласно оценке [ 14 3 , даже в отсутствие всяких других потерь энергии составлял бы всего а 25$.

В действительности наряду с эффектом "термализации" неравновесных носителей действуют и другие причины снижения кпд солнеч -ных элементов, приобретающие в некоторых случаях решающее значе -ние. В частности, в реальных структурах в силу ограниченности времени жизни неравновесных носителей определенная их доля ре-комбинирует, не достигая р-п. -перехода и, следовательно,не участвуя в образований фототока [ 10,12 3 . Такие потери особенно значительны в случае пленочных и поликристаллических преобразователей С4,14,15 ] . Заметно снижает кпд солнечных элементов их внут

I)Заметим,что поступление значительной избыточной энергии фотонов в кристаллическую решетку полупроводника вызывает нагрев всего преобразователя в целом, что дополнительно ухудшает его работоспособность ПО J . реннее отческое сопротивление [3,16] , а также то обстоятель -ство, что во многих случаях (особенно в гетероструктурах) действует не самый оптимальный механизм прохождения тока через р-п-переход [ 16-183 (см.ниже).

Эти причины вызывают уменьшение коэффициента заполнения вольтамперной характеристики (ВАХ) и увеличение темнового тока, вследствие чего падают напряжение и ток преобразователя в режиме максимальной генерируемой мощности £3,163 •

Снижается кпд еще и потому, что с увеличением энергии фотонов уменьшается глубина, на которой они поглощаются, в результате чего становится существенной поверхностная рекомбинация не -равновесных носителей [19,20J .

Все эти и другие причины (см. Г1-3]), действуя совместно, приводят к тому, что фотоэдс в солнечных элементах на основе обычных р-п. -структур фактически создается только фотонами с энергией 1гсо с^ В^ , да и те часто используются неэффективно. Это наглядно проявляется в спектральной чувствительности та-, ких солнечных элементов, которая будучи довольно низкой, не только не остается постоянной при Ъи) > (как было бы в случае потерь исключительно за счет "термализации" носителей),но,напротив, быстро обращается в нуль f2I] .

Устранить те или иные негативные явления и тем самым повы -сить кпд солнечных элементов удается за счет применения более сложных полупроводниковых структур. В частности, довольно эффективными фотопреобразователями оказываются р- п -гетероструктуры с различными по ширине запрещенной зоны р- и -областями [ 16, 22-24 J . Широкозонная область выполняет в них роль "окна", благодаря которому свет достигает активной узкозонной области почти без потерь и поглощается в ней прямо у гетероперехода. Делая широкозонную область достаточно толстой, в таких структурах можно резко уменьшить рекомбинацию фотоносителей на освещаемой поверхности и сопротивление растеканию тока { 16,24 3* Это особенно важно для пленочных солнечных элементов, использующих сильно поглощающие свет прямозонные полупроводники [14 3•

Следует,однако, отметить, что создание хороших гетерострук-тур представляет собой непростую задачу. Дело в том, что для гетеропереходов характерна сложная зонная диаграмма: наличие на гетерогранице многочисленных поверхностных состояний, а также разрывов, "пичков" и "впадин" в энергетических зонах [17,18 3. Из-за этого в таких структурах, как правило, реализуются не самые оптимальные механизмы переноса тока £16,18 Д. Если в гомо -структурах чаще преобладает диффузионный механизм [8 J ,то в ге-тероструктурах - термоэмиссионный, рекомбинационный или туннельный С 17,18,25 3 • Процесс переноса тока в этих случаях в основном определяется не объемными свойствами полупроводников, а состоя -нием гетерограницы [ 16,26,27 . При этом характер тока может зависеть и от режима работы структуры: напряжения на переходе и интенсивности света £26-30 3• Все это приводит к тому, что лишь немногие гетероструктуры рассмотренного типа становятся эффек -тивными фотопреобразователями [31,32 ] .

До сих пор речь шла о структурах, позволяющих использовать лишь часть энергии фотонов, равную заданной постоянной величине-ширине запрещенной зоны полупроводника Е^- const. но сущест -вуют и другие структуры, такие, в которых одинаково эффективно могут использоваться фотоны как с малой, так и с большой энер -гией. Последнее возможно, например, в каскадных солнечных эле -ментах £33,34 J , в гетероструктурах, преобразующих коротковол -новое излучение в более длинноволновое £35,36 3 , или в различных так называемых варизонных структурах £ 37-43 J. При этом наиболее совершенными являются варизонные структуры, в которых за счет непрерывного изменения ширины запрещенной зоны полупроводника(обусловленного изменением его состава) создается квазиэлектрическое поле, оттягивающее неосновные неравновесные носители от освещаемой поверхности и ускоряющее их в направлении гетероперехода(такое направление поля соответствует уменьшению ширины запрещенной зоны по мере удаления от освещаемой поверхности) £37,40] . Созданное поле как раз и позволяет достаточно эффективно использовать не только низкоэнергичные, но и высокоэнергичные фотоны,поскольку ускорение этим полем носителей, рожденных вблизи поверхности, приводит к дополнительному увеличению фототока (не говоря уже о том, что при этом одновременно уменьшаются потери,связан -ные как с поверхностной, так и с объемной рекомбинацией носите -лей в широкозонной области) [ 16,37,40 ] . Кроме того,благодаря изменению состава полупроводника в варизонных структурах удается в некоторой степени согласовать свойства широкозонной и узкозонной области и таким образом, получив совершенный гетеропереход, резко уменьшить темновой ток [16] . Все это обеспечивает сравнительно высокую эффективность солнечных элементов на основе варизонных структур. Кпд таких солнечных элементов уже сейчас превышает 25$ [1,16,41 ]. Оценки же показывают, что с помощью варизонных структур в случае естественного освещения можно получить кпд около 35% [37 ] , а в условиях концентрированного излучения - и выше [ 42 ] .

Таким образом, в настоящее время известно уже довольно много различных по своим возможностям методов повышения кпд полупроводниковых фотоэлектрических преобразователей. Но все известные методы, в том числе и самые перспективные, не исчерпывают проблем создания высокоэффективных фотопреобразователей, предназначенных для работы в условиях освещения с широким спектром. Связано это с тем, что при таком освещении даже в наиболее совершенных полупроводниковых структурах(включая и варизонные гетеро -структуры) определенная часть энергии фотонов неизбежно превращается в кинетическую энергию неравновесных носителей заряда. Последняя же, как отмечалось выше, теряется в столкновениях с фононами, практически не используясь для создания фотоэффекта. В теории при этом полагают, что в результате быстрой "термализа-ции" носителей теряется вся указанная энергия. Однако, в дейст -вительности дело обстоит несколько иначе. "Термализация" носителей в реальных полупроводниках не происходит мгновенно. Поэтов в течение определенного времени (^t'g.) носители заряда, рожденные высокоэнергичными фотонами, сохраняют энергию, намного превышающую среднюю энергию их теплового движения при температзфе

Т0 . Это значит, что при поглощении таких фотонов непременно возникает некоторый разогрев носителей заряда (фоторазогрев) [ 44-49 Ц . Из-за малой глубины межзонного поглощения света такай разогрев оказывается существенно неоднородным [48,49J и,следовательно, сопровождается появлением термоэдс, действующей наряду с обычной фотоэдс, описанной выше. В принципе, эта термоэдс может как улучшать, так и ухудшать работу фотопреобразователей. При этом традиционная теория фотоэффекта,пренебрегающая энергетической неравновесностью носителей, не позволяет указать, какая ситуация реализуется в том или ином конкретном случае. Конечно, в обычных случаях вследствие малости времени релаксации энергии носителей эффект, обусловленный разогревом, сравнительно мал и особой роли не играет (см.выше). Но в определенных условиях (например, при квазиупругом рассеянии носителей) он должен быть значительным и его необходимо учитывать. Если в таких условиях термоэдс будет складываться с обычной фотоэдс, то это позволит эффективно использовать избыточную энергию фотонов а Й со — Йо) — у- О ив результате заметно повысить кпд солнеч-<г ных элементов.

Заметим, что о возможности повышения кпд полупроводниковых солнечных элементов в результате появления значительного фоторазогрева носителей заряда недавно говорилось в работе С503"^« В ней на основе термодинамических соображений была оценена мак -симальная эффективность таких солнечных элементов, которые каким-то образом могли бы полностью использовать этот разогрев(никаких конкретных механизмов влияния разогрева носителей на работу фотопреобразователей при этом не называлось). Кпд таких солнечных элементов должен достигать кпд идеальной тепловой машины с тем -пературой нагревателя Т ~ , где Т^абОООК (-0,5эЗ)п ^ С. температура излучающей поверхности Солнца (до этой температуры, согласно оценке, могут разогреваться носители заряда), и температурой холодильника Тх ~ TQ , что при Т0 ~ 300 К соответствует кпд более 90^ £50]. Приведенный результат показывает,что использование фоторазогрева носителей (даже частичное) было бы весьма целесообразно. Однако вопрос о том, как фоторазогрев носителей влияет на работу реальных фотопреобразователей и каким образом его можно использовать для повышения кпд солнечных эле -ментов, до сих пор совершенно не исследовался.

В связи с этим, целью настоящей работы является построение теории фотоэлектрического эффекта в полупроводниковых структурах с учетом фоторазогрева носителей заряда и выяснение возможностей использования этого разогрева для максимального повышения кпд солнечных элементов.

Особую актуальность такому исследованию придают следующие об

I) Эта работа выполнена несколько позже, хотя и независимо от наших первых исследований солнечных элементов с горячими носителями заряда 51-53 3 • стоятельства:

1. Эффективность лучших солнечных элементов, не использую -щих фоторазогрев носителей, приближается к своему теоретическому пределу £54 Д. Это значит, что возможности традиционных методов повышения кпд фотоэлектрических преобразователей в ряде случаев оказываются практически исчерпанными.

2. Для создания солнечных элементов все более широко применяются прямозонные полупроводники [ 14 Д . В этих полупроводниках из-за малой глубины поглощения света и небольшого времени жизни неравновесных носителей заряда эффекты, связанные с фоторазогревом носителей, должны быть выражены ярче, чем в непрямозонных материалах.

3. Экспериментально исследуется возможность эффективной работы солнечных элементов в условиях концентрированного излучения С 32,36,43 J. В таких условиях заметный разогрев носителей возможен из-за большой мощности поглощаемого светового потока.

Наряду с этим данное исследование представляет и самостоятельный теоретический интерес, поскольку термоэдс, возникающая в полупроводниковых структурах в результате неоднородного фото -разогрева носителей, в теории горячих носителей заряда ранее не рассматривалась.

Вообще говоря, эффекты, связанные с появлением эдс при разогреве носителей заряда, в последнее время изучаются весьма активно. Эти эффекты составляют широкий класс так называемых электроградиентных явлений £55 J . Возникают они либо вследствие неоднородности разогрева носителей (в однородном полупроводнике), либо благодаря исходной неоднородности самого полупроводника. В первом случае причиной термоэдс является возникновение потока носителей из более разогретой области в менее разогретую. Такая термоэдс впервые была рассмотрена в работах £ 56-58Д на примере внутризонного разогрева носителей. Во втором случае появление термоэдс связано с наличием в неоднородном полупроводнике встроенного электрического поля. Величина встроенного поля зависит от вида функции распределения носителей. Поэтому разогрев последних (даже однородный) сопровождается изменением этого поля, что означает возникновение некоторой эдс С 55 ] . Указанная термоэдс ши + роко исследовалась в полупроводниках с р-п- 9 р -р- и п - П. -переходами £55,59-68 3 . В этих исследованиях, в частности, было установлено, что в р-п. -структурах внутризонный разогрев носителей, однородный в окрестности р - п. -перехода, создает термоэдс, знак которой противоположен знаку фотоэдс £63-68] . Но до сих пор такой термоэлектрический эффект изучали только в гомо -стрз'ктурах и только в условиях внутризонного разогрева носителей, который всегда полагали однородным в окрестности перехода в теоретических работах£63,64] и, для простоты интерпретации, стремились создать таковым в эксперименте £ 65-68] Тот же разогрев, который возникает при межзонном поглощении света, является существенно неоднородным (особенно в гетероструктурах), и поэтому к таким ситуациям результаты работ [63-68] непосредственно неприменимы.

В условиях фоторазогрева носителей различные эффекты,связанные с появлением термоэдс, тоже изучались довольно много. Так,например, весьма детально исследовано влияние фоторазогрева носителей заряда на фотоэлектромагнитный эффект £70-76] . Недавно на случай фоторазогрева носителей обобщен фотоэлектрический эффект Дембера [77 J . Результаты этих исследований показывают, что обычные фотоэлектрические эффекты в условиях фоторазогрева носи

I) В работе £ 69 3 говорилось о возможности возникновения такого эффекта и при фоторазогреве носителей, но при этом фоторазогрев тоже предполагался однородным. телей заряда качественно изменяют свою природу. Если обычно причиной тех или иных фотоэффектов служит возникновение диффузион -ных токов неравновесных электронов и дырок, то в условиях значительного фоторазогрева носителей такой причиной становится уже появление соответствующих термотоков горячих носителей С 76] . Но подобные исследования были проведены пока только для тех эффектов, которые возникают в однородных полупроводниковых образцах. Нас же интересует аналогичный эффект в неоднородных полупроводниковых структурах.

Заметим, что в ряде работ были рассмотрены и такие случаи,в которых эдс, возникающая в неоднородной среде,вызывалась одновременно и межзонным поглощением света,и разогревом носителей заря -да (описанная ситуация реализуется,например, при исследовании фотоградиентного эффекта С 78,793 или при изучении термоэдс горячих носителей на р- п -переходе с подсветкой £801). Но во всех этих случаях разогрев носителей тоже был внутризонным и однородным, а подсветка осуществлялась независимо и на разогрев носителей не влияла.

Таким образом, к настоящему времени в многочисленных экспериментальных и теоретических работах были исследованы весьма разнообразные термоэлектрические эффекты,обусловленные разогревом носителей заряда. Однако результаты всех работ,выполненных ранее, не позволяют ответить на вопросы,поставленные в данной диссертации,поскольку в ней, в отличие от этих работ, рассматривается ситуация,когда неоднородный фоторазогрев носителей заряда происходит в неоднородных полупроводниковых структурах. В такой ситуации явления, связанные с неоднородностью разогрева, и явления,обус -ловленные неоднородностью структуры,переплетаются настолько, что в итоге возникает качественно новый физический эффект. Исследование особенностей этого эффекта и составляет основное содержание настоящей работы.

Научная новизна данной диссертационной работы заключается в том, что в ней впервые построена теория фотоэлектрического эффекта в различных полупроводниковых структурах, возникающего в условиях фоторазогрева носителей заряда, и впервые указаны основные условия,обеспечивающие использование фоторазогрева носителей для повышения эффективности полупроводниковых фотоэлектрических пре -образователен.

Практическая значимость работы обуславливается тем,что ее результаты могут служить теоретической базой для создания высокоэффективных фотоэлектрических преобразователей, предназначенных для работы в условиях освещения с широким спектром, а также для создания фотоприемников, обладающих высокой чувствительностью.

Объем и структура работы. Диссертация содержит 123 страницы и состоит из введения, трех глав, заключения и списка цитируемой литературы из 106 названий.

Заключение диссертации по теме «Физика конденсированного состояния», Юрченко, Владимир Борисович

Основные результаты работы состоят в следующем:

1. Установлен общий вид граничных условий, определяющих электрические токи и потоки энергии носителей заряда на контакте двух сред в условиях, когда имеет место как концентрационная, так и энергетическая неравновесность носителей. Показано, что структура таких граничных условий соответствует структуре дифференциальных уравнений, описывающих электрические токи и потоки энергии в объеме этих сред. Исходя из указанных общих граничных условий, справедливых на любом контакте, установлены граничные условия, определяющие электрические токи, потоки энергии, концентрации и температуры носителей заряда на гетеропереходе с горячими носителями.

2. Исследован фотоэффект, возникающий при слабом освещении в р -п -структуре с греющимися легкими электронами и энергети -чески равновесными тяжелыми дырками. Установлено, что максимальный фототок в этой структуре вследствие неоднородного фоторазогрева электронов намного превышает максимальный фототок анало -гичной структуры с "холодными" носителями заряда. Показано, что возникает этот эффект в том случае, когда реализуются нетради -ционные соотношения между характерными физическими длинами(когда длина остывания электронов становится больше, а диффузионная длина - меньше глубины поглощения света). Если же, как обычно, диффузионная длина превышает глубину поглощения света, то даже при медленной релаксации энергии электронов фоторазогрев не приводит к увеличению фототока.

3. Изучен фотоэффект, который возникает в гетероструктурах в условиях фоторазогрева как электронов, так и дырок. Показано, что и в этих условиях благодаря фоторазогреву носителей макси -мальный фототок может возрастать. При этом установлено, что в асимметричных структурах, в которых на переходе разогреваются носители заряда лишь одного сорта, а перенос тока осуществляется в основном неразогретыми носителями другого сорта, отрица -тельный эффект, связанный с разогревом носителей на переходе, практически исключается (остается только положительный эффект, обусловленный неоднородным фоторазогревом носителей в объеме квазинейтральных областей структуры).

4. Построена нелинейная теория фотоэффекта, возникающего в структурах с греющимися носителями заряда при сильном освеще -нии. Установлено, что в условиях сильного освещения в структурах с одинаково греющимися основными и неосновными носителями фото -ток, обусловленный разогревом, растет с увеличением интенсивности света квадратично (обычный фототок линеен по интенсивности) и становится значительным уже при таком освещении, при котором сам разогрев остается еще сравнительно слабым. Установлено также, что величина и даже знак фототока, вызванного фоторазогре -вом носителей, при сильном освещении во многом определяется видом температурной зависимости времени жизни неравновесных носителей. Показано, что использование особенностей, свойственных нелинейному режиму работы фотоэлектрических преобразователей с горячими носителями заряда, позволяет резко повысить кпд этих преобразователей в условиях сильного освещения.

Автор благодарит научного руководителя доктора физико-ма -тематических наук Гуревича Ю.Г. за постоянную помощь в работе, многочисленные полезные обсуждения и ценные рекомендации; проф.Бойко Б.Т. за поддержку данной работы; проф.Басса Ф.Г., к.ф.-м.н. Ваксера А.И., к.т.н. Копача В.Р. и Опанасюка А.С. за плодотворные дискусии, а также всех участников научных семинаров кафедры физики металлов и полупроводников ХПИ им.В.И.Ленина и отдела теории твердого тела ИРЭ АН УССР за обсуждение полученных в работе результатов.

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

Список литературы диссертационного исследования кандидат физико-математических наук Юрченко, Владимир Борисович, 1984 год

1. Алферов Ж.И. Фотоэлектрическое преобразование солнечной энергии.- В кн.; Чтения памяти А.Ф.Иоффе Д980.-Л. ;Наука, 1983, с. 4-21.

2. Flavin Ch. Photovoltaics international competition for the sun.-Environment, 1983, v.25, n.3, p.7-11» 39-44.

3. Bucher E. Solar cell materials and their basic parameters.-Appl. Phys., 1978, v.17, n.1, p.1-25.

4. Yang E.S. Structure and performance of polycrystalline thin film solar cells.-!Ehin Solid Films,1982,v.93,n.3-4,p.287-300.

5. Hermann A.M., Fabic L. Reseach on polycrystalline thin-film photovoltaic devices.- J.Cryst.Growth, 1983, v.61, n.3,p.658-664.

6. Barnett A.M. Appraisal of thin-film solar cells.- In: Proc. of the 2-nd EC Photovoltaic Solar Energy Conf., Berlin(west), 1979, p.328-343.

7. Бонч-Бруевич В.Л., Калашников С.Г. Физика полупроводников М.;Наука, 1977.- 672 с.

8. Пикус Г.Е. Основы теории полупроводниковых приборов.- М.: Наука, 1965.- 448 с.

9. Рыбкин С.М. Фотоэлектрические явления в полупроводниках.-М.:Физматгиз, 1963.^ 494 с.

10. Васильев A.M., Ландсман А.П. Полупроводниковые фотопреобразователи .- М.; Сов.радио, 1971.- 248 с.

11. Денис В., Канцлерис Ж., Мартунас 3. Инерционность разогрева электронов в кремнии при комнатной температуре.- ФТП, 1979, т.13, вып.9, с.1706-1709.

12. Графф К., Фишер Г. Время жизни носителей в кремнии и его влияние на характеристики солнечных элементов.- В кн.: Преобразование солнечной энергии. Вопросы физики твердого тела.- М.; Энергоиздат, 1982, с. I5I-I89.

13. Фаренбрух А., Аранович Дж. Гетеропереходы и поверхностные явления в фотоэлектрических преобразователях.- В кн.Преобразование солнечной энергии. Вопросы физики твердого тела.- М.; Энергоиздат, 1982,с. 227-293.

14. Милне А., Фойхт Д. Гетеропереходы и переходы металл-полупроводник.- М.; Мир, 1975.- 432 с.

15. Шарма Б.Л., Пурохит Р.К. Полупроводниковые гетеропереходы. М.; Сов.радио, 1979.- 227 с.

16. De Vore Н.В. Spectral distribution of photoconductivity.-Phys. Rev., 1956, v.102, n. 1, p.86-91.

17. Бир Г.Л., Пикус Г.Е. Влияние поверхностной рекомбинации на коэффициент полезного действия фотоэлемента с р п -пере -ходом.- ЖТФ, 1957, т.ХХУП, вып.З, с.467-472.

18. Каган М.Б., Любашевская Т.Л. Спектральное распределение фо -тотока в гетероструктурах с учетом рекомбинационных процессов в области объемного заряда.- ФТП, 1970, т.4, вып.8,с. I42I-I425.

19. Алферов Ж.И., Андреев В.М., Зимогорова Н.С., Третьяков Д.Н. Фотоэлектрические свойства гетеропереходов AlxGa^<xAs-GaAs .- ФТП, 1969, т.З, вып.II, с. 1633-1637.

20. Алферов Ж.И., Андреев В.М., Каган М.Б. и др. Солнечные преобразователи на основе гетеропереходов p-A^Ga^^s-n-GaAs .- ФТП, 1970, т.4, вып.12, с. 2378-2379.

21. Фотоэлектрические свойства гетеропереходов. Ред.Рацауцан С.И.- Кишинев: Штиинца, 1980.- 184 с.

22. Шик А.Я. Туннельно-рекомбинационные токи в неидеальных гетеропереходах.- ФТП, 1983, т.17, вып.7, с. 1295-1299.

23. Шик А.Я., Шмарцев 10.В. 0 влиянии состояний на границе раз -дела на свойства гетероперехода.- ФТП, 1980, т.14, вып,9, с. I724-1727.

24. Шик А.Я. Вольт-амперная и вольт-фарадная характеристики реальных гетеропереходов.- ФТП, 1980, т.14, вып.9, с.1728-1738.

25. Шик А.Я., Шмарцев Ю.В. Электронные явления в неидеальных гетеропереходах.- Доклады АН СССР, 1983, т.270, вып.З, с. 593-596.

26. Fahrenbruch A.L., ВиЪе R.H. Heat treatment effects in Cu2S -CdS heterojunction photovoltaic cells.-J. Appl. Phys., 1974, v.45, n.3, p.1264-1275

27. Aershodt Van A.E., Capart J.J., David K.H. et al. The photovoltaic effect in the Cu-Cd-S system.- IEEE Trans. Electron. Devices, 1971, v.18, n.8, p.471-482.

28. Алферов Ж.И., Андреев B.M., Задиранов Ю.М. Фотоэлементы на основе гетероструктур с "переходным" слоем.- Письма ЖТФД978, т.4, вып.б , с.305-308.

29. Алферов Ж.И., Андреев В.М., Архипов Х.К. и др. Солнечная фотоэлектрическая установка мощностью 200 Вт на основе Ai-Ga-As гетеропереходов и зеркальных концентратов.- Гелиотехника,1981, № 6, с.3-6.

30. Алферов Ж.И., Андреев В.М., Зимогорова Н.С. и др. Двухэлементный каскадный солнечный фотопреобразователь в системе А1

31. Ga As Письма ЖТФ, 1981, т.7, вып.14, с. 833-836.

32. Алферов Ж.И., Андреев В.М., Зимогорова Н.С. и др. Исследова -ние каскадных солнечных элементов в системе Al -Ga As- ФТП, 1982, т.16, вып.6, с. 982-987.

33. Алферов Ж.И., Андреев В.М., Гарбузов Д.З. и др. Гетерофото -элемент с промежуточным преобразованием излучения.- ФТП,1977, т.II, вып.9, с. 1765-1770.

34. Царенков Б.В., Данилова Т.Н., Именков А.Н., Яковлев Ю.П. Се -лективные фотоэлементы из варизонных Ga^^^As : si р-п-структур.- ФТП, 1973, т.7, вып.7, с.1426-1429.

35. Kawakami Т., Sugiyama К. Electron diffusion lengths in Ge -doped Ga A1 As. Japan. J. Appl. Phys., 1973, v.12, n.1, p.151-154.

36. Царенков Г.В. Фотоэффект в варизонной р-п~структуре.- ФТП, 1975, т.9, вып.2, с.253-262.

37. Алферов Ж.И., Андреев В.М., Задиранов 10.М. и др. Фотоэдс в плавной гетероструктуре на основе твердых растворов AlxGa As Письма ЖТФ, 1978, т.4, вып.7, с. 369-372.

38. Евдокимов В.М., Милованов А.Ф., Стребков Д.С. Использование излучения в полупроводниках с объемным фотогальваническим эффектом.- ФТП, 1977, т.II, вып.II, с. 2224-2226.

39. Корольков В.И., Юферев B.C. Расчет преобразователей солнечной энергии на основе плавных Ai Ga As гетерострзтстур при вы -соких уровнях освещенности.- ФТП, 1980, т.14, вып.6,с. 1064-1070.

40. Shah J., Leite R.C. Radiative recombination from photoexcited hot carriers in GaAs. Phys. Rev. Lett., 1969, v.22, n.24, p.1304-1306'.

41. Shah J. Hot electrons and phonons under high intensity photo-excitation of semiconductors.- Solid-State Electron., 1978, v.21, n.1, p.43-50.

42. Shah J., Nahory R.E., Leheny R.F. et; al. Hot-carrier relaxation in p-InQ^^Ga0e^As. Appl. Phys. Lett., 1982, v.40, n.6, p.505-507.

43. Ulbrich R.G. Low density photoexcitation phenomena in semiconductors: aspects of theory and experiment. Solid-State Electron., 1978, v.21, n.1, p.51-59*

44. Ulbrich R.G. Optical excitation of hot carriers. In: Physics of Nonlinear Transport in Semiconductors. Proc. NATO Adv. Study Inst. Phys. Nonlinear Electron Transp. (Urbino, 1978), 'I960, p.327-341.

45. Балтрамеюнас P., Жукаускас А., Куокштис Э. Разогрев фотовозбужденной электронно-дырочной плазмы в соединениях группы

46. АП В1У.- ЖЭТФ, 1982, т.83, вып.З, с. I2I5-I222.

47. Юрченко В.Б. Фотоэдс в неоднородных полупроводниковых структурах с горячими носителями заряда.- В сб.: Республ.школа молодых ученых и специалистов "Актуальные проблемы физики полупроводников". Тезисы докладов.- Фергана, 1982, с.15-16.

48. Гуревич Ю.Г., Юрченко В.Б. Фотовольтаический эффект на горячих электронах.- В сб.: П Республ. конф. по фотоэлектрическим явлениям в полупроводниках. Тезисы докладов (Одесса, 1982 г.). Киев; Наук.думка, 1982,с.100.

49. Amic J.A., Ghosh А.К. Practical limiting efficiencies for crystalline silicon solar cells. J. Electrochem. Soc., 1983, v.130, n.1, p.160-164.

50. Денис В., Покела Ю. Горячие электроны.- Вильнюс: Минтис, 1971. 290 с.

51. Лифшиц Т.М., Коган Ш.М., Выставкин А.Н. и др. Некоторые явления, возникающие в сурьмянистом индии п-типа под действием радиочастотного излучения.- ЖЭТФ, 1962, т.42, вып.4,с. 959-966.

52. Conwell Е.М., Zucker J. "Thermoelectric effect" of hot carriers." J. Appl. Phys., 1965, v.36, n.7, p.2192-2196.

53. Басс Ф.Г., Гуревич Ю.Г. Термомагнитные эффекты в электронном газе полупроводников, нагретом высокочастотным электрическим полем.- ЖЭТФ, 1967, т.52, вып.1, с.175-181.

54. Pozhela J.К., Repshas К.К.,Thermoelectric force of hot carriers. -Phys.Stat.Sol,,1968,v.27, n.2, p.757-762.

55. Ашмонтас С.П., Пожела Ю.К., Субачюс Л.Е. Разогрев и остыва -ние электронного газа в электрических полях в компенсированном антимониде индия.- Письма ЖЭТФ, 1981, т.33, вып.II,с. 580-583.

56. Ашмонтас С.П., Вингялис Л.Л., Субачюс Л.Е. Термо-э.д.с. горячих электронов в кремнии.- ФТП, 1982, т.16, вып.12,с. 2II0-2II5.

57. Вейнгер А .И. ,Парицкий Л.Г.,Акопян Э.А. ,Дадамирзаев Г. Термоэдс горячих носителей тока на р-п-переходе.- ФТП,1975, т.9, вып. 2, с. 216-224.

58. Гулямов Г., Шамирзаев С.Х. Термоэдс горячих носителей тока в р-п-переходе с учетом нагрева решетки.- ФТП, 1981, т.15, вып.9, с.1858-1860.

59. Вейнгер А.И., Гнилов С.В., Саргсян М.П. Вольтамперные характеристики р-п-перехода с горячими носителями заряда.- ФТП, 1979, т.13, вып.2, с. 318-321.

60. Umeno М., Sugito Y., Jimbo Т. et al. Hot photocarriers andhot electron effects in p-n -junctions,- Solid-State Electron., 1978, v.21, n.1, p.191-195.

61. Вейнгер А.И., Саргсян М.П. Кинетика термоэдс, возникающей на р-п-переходе при разогреве носителей заряда.- ФТП, 1980,т.14, вып.10, с.2020-2028.

62. Андрианов А.В., Валов П.М., Суханов B.JI. и др. Фотоэффект на р-п-переходе из кремния в условиях внутризонного разогрева носителей светом.- ФТП, 1980, т.14, вып.5, с.859-864.

63. Валов П.М., Вейнгер А.И., Рывкин Б.С. и др. 0 токе через р-п-переход, обусловленном разогревом электронного газа.- ФТП, 1972, т.6, вып.II, с. 2270-2272.

64. Stocker W., Staunard С., Kaplan Н. et al. Multiphonon processes in the photoconductivity of InSb.- Phys. Rev. Lett., 1964, v.12, n.7, p.163-166.

65. Лягущенко Р.И., Наследов Д.Н., Попов Ю.Г.,Яссиевич И.Н. Фотомагнитный эффект в n InSb в случае разогрева электронов.- Письма ЖЭТФ, 1967, т.6, вып.9, с. 845-849.

66. Гусейнов Э.К., Наследов Д.Н., Попов Ю.Г. и др. Некоторые особенности фотомагнитного эффекта и фотопроводимости в n-inSb при разогреве электронов излучением.- ФТП, 1970, т.4, вып.9, с. 1689-1696.

67. Лягутценко Р.К., Яссиевич И.Н. Теория фотомагнитного эффекта на горячих электронах.- ФТТ, 1967, т.9, вып.12,с.3547-3558.

68. Абакумов В.Н., Лягущенко Р.И., Яссиевич И.Н. Фотоэлектрические явления в вырожденных полупроводниках при разогреве электронов светом.- ФТТ, 1968, т.10, вып.10, с.2920-2931.

69. Абакумов В.Н., Яссиевич И.Н. Фотоэлектрические явления при разогреве электронов светом с учетом поверхностной рекомби-нанди.- ФТП, 1969, т.З, вып.5, с. 736-743.

70. Яссиевич И.Н. Кинетическая теория фотоэлектрических и фотомагнитных явлений в полупроводниках. Автореферат докт.дисс. М.: ИАЭ им.И.В.Курчатова, 1975.- 24 с.

71. Белиничер В.И., Новиков В.Н. Теория ЭДС Дембера на межзонных переходах в арсениде галлия при низких температурах.- ФТП, 1982, т.16, вып.7, с. II84-II89.

72. Ашмонтас С.П., Репшас К. Фотоградиентная эдс горячих носителей тока.- Лит. физ.сб., 1970, т.10, вып.З, с. 413-418.

73. Дадамирзаев Г. Термофотоэлектрические явления на р-п-переходе с горячими носителями заряда.- ФТП, 1978, т.12, вып.II,с. 2259-2263.

74. Гуревич Ю.Г., Юрченко В.Б. Граничные условия в теории не -равновесных контактных явлений.- УФЖ, 1982, т.27, вып.2, с. 229-234.

75. Юрченко В.Б. Нелинейный фотоэффект в пленочных структурах с горячими неосновными носителями.- В сб.: П Всесоюзн. конф. по физике и технологии тонких пленок. Тезисы докладов.- Ивано-Франковск, 1984,с.344.

76. Басс Ф.Г., Гуревич Ю.Г., Юрченко В.Б. Пленочные фотопреоб -разователи на горячих носителях заряда.- В сб.; П Всесоюзн. конф. по физике и технологии тонких пленок. Тезисы .цокла -дов.- Ивано-Франковск, 1984, с.346.

77. Cummerow R.L. Photovoltaic effect in p-n -junctions. -Phys. Rev., 1954-, v.95, n,1, p.16-21.

78. Gummel H.K. Hole-electron product of p-n junctions. -Solid State Electron., 1967, v.10, n.7, p.647-652.

79. Hauser J.R. Boundary conditions at p-n junctions. Solid State Electron., 1971, v.14, n.2, p.133-139*

80. Van der Ziel A. Boundary conditions for forward biased p-n junctions.- Solid State Electron'., 1973, v.'16, n.12, p.1509- 1511.

81. Nussbaum A. The modified Fletcher boundary conditions. -Solid State Electron., 1975, v.18, n.1, p.107-109.

82. Heasell E.L. Boundary conditions at p-n junctions.- Solid State Electron., 1979, v.22, n.10, p.853-S56.

83. Абакумов В.Н.,Перель В.И., Яссиевич И.Н. Захват носителей заряда на притягивающие центры в полупроводниках.- ФТП, 1978, т.12, вып.1, с.3-32.

84. Sumi H. Nonradiative multiphonon capture of free carriers by deep-level defects in semiconductors: adiabatic and non-adiabatic limits. Phys. Eev. B: Condens. Matter., 1983, v.27, n.4, p.2374-2386.

85. Басс Ф.Г., Гуревич Ю.Г. Горячие электроны и сильные электромагнитные волны в плазме полупроводников и газового разря -да.- М.; Наука, 1975.- 400 с.

86. Гуревич А.В., Шварцбург А.Б. Нелинейная теория распростра -нения радиоволн в ионосфере.- М.: Наука,1973.- 272 с.

87. Гуревич Ю.Г., Конин A.M. Нелинейные гальваномагнитные эффекты при разогреве и увлечении фононов.~ Лит.физ.сб., 1980, т.20, вып.З, с.57-64.

88. Ансельм А.И. Введение в теорию полупроводников.- М.; Наука, 1978.- 616 с.

89. Дыкман И.М., Томчук П.М. Явления переноса и флуктуации в полупроводниках.- Киев: Наукова думка, 1981.- 320 с.

90. Силин В.П., Рухадзе А.А. Электромагнитные свойства плазмы и плазмоподобных сред.- М.;Госатомиздат, 1961.- 244 с.

91. Singh R.V., Singal С.М. Open-circuit voltages across two junctions in n+- p-p+ solar cells under high illumination levels. Solar Cells, 1983» v.8, n.2, р.97-123!

92. Dhariwall S.R., Mathur R.K., Mehrotra D.R. et al. The physics of p-n junction solar cells operated under concentrated sunlight. Solar Cells, 1983, v.8, n.2, p.137-155*

93. ТОО.Тамм И.Е. Основы теории электричества.- М.:Наука, 1976.- 616 с.

94. Баранский П .И.,Клочков В .П. ,Потыкевич И .В. Полупроводниковая электроника. Свойства материалов.Справочник.-Киев: Наук.думка, 1975.- 704 с.

95. Васильева А.Б., Бутузов Б.Ф. Асимптотические разложения решений сингулярно возмущенных уравнений.- М.:Наука, 1973.- 272 с.

96. Климовская А.И., Снитко О.В., Кириллова С.И. Анизотропия поперечного магнитосопротивления тонких слоев электронного кремния.- ФТП, 1971, т.5, вып.7, с.1281-1286.

97. Зотьев Б.П., Кравченко А.Ф., Скок Э.М. и др. Размерная анизотропия поперечного магнитосопротивления в полупроводниковых пленках в сильном магнитном поле.- ФТП, 1972, т.6, вып.6, с. 1072-1076.

98. Теплые электроны/ Денис В., Канцлерис Ж., Мартунас 3. Под ред.проф. Ю.Пожелы.- Вильнюс: Мокслас, 1983.- 144 с.

99. Грибковский В.П. Теория поглощения и испускания света в полупроводниках.- Минск: Наука и техника, 1975.- 464 с.