Спин-зависимые и нелинейно-оптические явления при внутризонном поглощении в полупроводниковых структурах тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 01.04.10, доктор физико-математических наук Бельков, Василий Валентинович

• Бельков, Василий Валентинович
• доктор физико-математических наук
• 2004

Оглавление диссертации доктор физико-математических наук Бельков, Василий Валентинович

Введение

1 Фототоки, обусловленные спиновой ориентацией

1.1 Линейное по волновому вектору слагаемое в эффективном гамильтониане.

1.2 Спиновое расщепление в А3В5 квантово-размерных структурах.

1.3 Циркулярный фотогальванический эффект.

1.3.1 Микроскопическая модель.

1.3.2 Феноменологическое описание ЦФГЭ

1.4 Независящие от спина фототоки при однородном возбуждении

1.4.1 Линейный фотогальванический эффект.

1.4.2 Эффект увлечения.

2 Циркулярный фотогальванический эффект в полупроводниковых гетероструктурах

2.1 Методика эксперимента.

2.1.1 Образцы.

2.1.2 Экспериментальная техника.

2.2 ЦФГЭ при межподзонном возбуждении в СаАз/АЮаАв структурах п—типа

2.2.1 Экспериментальные результаты

2.2.2 Спектральная инверсия ЦФГЭ при резонансных межподзонных переходах.

2.2.3 Микроскопический механизм резонансного ЦФГЭ

2.3 Спин-зависимая нелинейность циркулярного фотогальванического эффекта.

2.4 ЦФГЭ в кремний-германиевых структурах.

3 Спин-гальванический эффект

3.1 Феноменологическое описание спин-гальванического эффекта

3.1.1 Спин-гальванический эффект при оптической ориентации.

I 3.1.2 Спин-гальванический эффект в магнитном поле

3.2 Экспериментальные результаты

3.2.1 Спин-гальванический эффект в магнитном поле

3.2.2 Спин-гальванический эффект при межподзонном возбуждении.

3.2.3 Спин-гальванический эффект в отсутствие магнитного поля.

3.3 Микроскопическая модель спин-гальванического эффекта

3.4 Микроскопическая теория спин-гальванического эффекта

3.5 Монополярная спиновая ориентация.

3.5.1 Прямые переходы между подзонами размерного квантования.

3.5.2 Внутриподзонное поглощение, непрямые переходы

4 Магнито-гиротропные фотогальванические эффекты

4.1 Феноменология магнито-гиротропных ФГЭ.

4.2 Результаты эксперимента.

4.3 Микроскопическая модель магнито-гиротропных ФГЭ

4.4 Экспериментальное разделение спиновых расщеплений, связанных с объемной и структурной асимметрией

5 Нелинейно-оптические явления при разогреве носителей заряда в микроволновом поле

5.1 Тепловой пробой экситонов.

5.1.1 Экспериментальные результаты

5.1.2 Микроскопическая модель теплового пробоя экситонов

5.1.3 Кинетика теплового пробоя экситонов.

5.1.4 Автоколебания в электрон-экситонной системе

5.2 Ударная ионизация экситонов в кремнии в электрическом СВЧ поле

5.3 Разогрев электронов в арсениде галлия.

5.3.1 Экспериментальные результаты

5.3.2 Влияние разогрева электронов на процесс связывания в экситоны.

5.3.3 Микроволновый циклотронный резонанс в арсениде галлия.

5.3.4 Гашение люминесценции при разогреве электронов в постоянном электрическом поле

5.4 Формирование пространственно-неоднородных структур при разогреве электронов в СВЧ поле.

Основные результаты

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Спин-зависимые и нелинейно-оптические явления при внутризонном поглощении в полупроводниковых структурах»

Актуальность темы. Спектр физических явлений, обусловленных воздействием миллиметрового и субмиллиметрового излучения на полупроводники, чрезвычайно широк. Среди них внутри- и межподзонное поглощение в квантово-размерных структурах, процессы с участием оптических фононов, разогрев свободных носителей заряда, ионизация экситонов и мелких примесей. Использование интенсивного тера-герцового излучения дает возможность наблюдать многофотонное поглощение, эффект увлечения электронов фотонами, туннелирование в высокочастотном электрическом поле. Внутризонное поглощение эллиптически поляризованного излучения может приводить к генерации неравновесного спина в полупроводниках. Этот эффект сочетает в себе особенности двух широко известных способов создания спиновой ориентации. С одной стороны, речь идет об оптической ориентации (как и при межзонном возбуждении циркулярно поляризованным светом [1]), с другой - как и в случае спиновой инжекции, процесс затрагивает лишь один сорт носителей заряда, что позволяет говорить о монополярной спиновой .ориентации. Спин-зависимые эффекты в низкоразмерных полупроводниковых структурах являются в настоящее время предметом интенсивных исследований, что обусловлено надеждами на создание нового поколения приборов, сочетающих в себе достоинства полупроводниковых и магнитных материалов. Низкая по сравнению с объемными кристаллами симметрия наноструктур позволяет наблюдать принципиально новые явления, которые невозможны в объемных полупроводниках. К их числу относятся спин-зависимые фотогальванические эффекты. Исследование этих явлений в условиях внутризонного возбуждения дает возможность выявлять специфику спинового расщепления в низкоразмерных полупроводниковых структурах, получать информацию о кинетике процесса спиновой релаксации, а также предоставляет новые возможности для изучения симметрии наноструктур.

Воздействие субмиллиметрового излучения приводит и к росту температуры электронного газа в полупроводнике. Однако, более эффективный разогрев свободных носителей заряда достигается при поглощении излучения миллиметрового диапазона, то есть при воздействии электрического СВЧ поля. Рост энергии носителей заряда изменяет как параметры электронного транспорта, так и, благодаря ударной ионизации связанных состояний (примесей, экситонов), их концентрацию. Далекие от термодинамически равновесных состояния сравнительно легко достигаются путем приложения внешних полей. Возможность модуляции поля и высокое временное разрешение регистрации отклика электронной системы позволяют изучать кинетику неравновесных систем. Таким образом, электронный газ в полупроводниках является хорошим модельным объектом для исследования общих закономерностей неравновесных фазовых переходов и процессов самоорганизации [2]. Отметим, что и начало изучения влияния сильных электрических полей на поведение электронов в полупроводниках было связано с удобством моделирования загадочного тогда - полвека назад - процесса электрического пробоя диэлектриков. Очевидным достоинством исследований с использованием высокочастотного излу

Т чения является бесконтактный характер приложения электрического поля.

Целью работы является обнаружение, исследование и выявление микроскопических механизмов новых фотогальванических и нелинейно-оптических эффектов, обусловленных неравновесными процессами в полупроводниках при внутризонном поглощении.

Объекты и методы исследования: Использование субмиллиметрового и микроволнового излучения позволяет бесконтактно прикладывать однородные электрические поля к объемным полупроводникам и низкоразмерным полупроводниковым структурам. Регистрируемые гальванические сигналы, величина СВЧ поглощения, а также спектры, кинетика и пространственное распределение фотолюминесценции нес-^ ли информацию о физических процессах в исследуемых структурах.

Научная новизна работы состоит в обнаружении целого ряда новых физических эффектов, обусловленных спин-зависимыми процессами в полупроводниках и нелинейными явлениями, характерными для далеких от термодинамического равновесия систем.

Основные научные положения, выносимые на защиту:

1. Внутризонное поглощение эллиптически поляризованного излучения приводит к созданию неравновесного спина в полупроводниковых гетероструктурах.

2. Процесс спиновой релаксации в двумерных А3В5 структурах сопровождается генерацией тока в плоскости структуры (спин-гальванический эффект).

3. Циркулярный фотогальванический эффект, обусловленный резонансными межподзонными переходами в двумерных структурах n-типа, демонстрирует спектральную инверсию.

4. Направление тока, вызванного спин-зависимыми фотогальваническими эффектами в полупроводниковых гетероструктурах, определяется природой спинового расщепления.

5. Разогрев неравновесных носителей заряда в электрическом СВЧ поле вызывает тепловой пробой экситонов.

6. Ударная ионизация примесей в микроволновом поле приводит к формированию пространственно неоднородных структур.

Апробация работы: результаты исследований, вошедшие в диссертацию, докладывались на следующих конференциях: б Всероссийская конференция по физике полупроводников (Санкт-Петербург, 2003); Совещание "Нанофотонйка" (Н.Новгород, 2003); 1 — 3 Международные конференции по физике спин-зависимых явлений в полупроводниках (Сендай, 2000, Вюрцбург, 2002, Санта-Барбара, 2004); 25-27 Международные конференции по физике полупроводников (Осака, 2000, Эдинбург, 2002, Флагстаф 2004); 9 — 12 Международные симпозиумы "Наноструктуры: физика и технология" (Санкт-Петербург, 2001-2004); Симпозиумы Общества по исследованию материалов (Бостон, 2001, 2003), 13 Конференция Европейского физического общества (Регенс-бург, 1993); Конференция "Физические принципы новых материалов оптоэлектроники" (Аахен, 1990); 11 и 12 Всесоюзные конференции по физике полупроводников (Кишинев 1988, Киев 1990); Международная конференция "Оптическая нелинейность и бистабильность в полупроводниках" (Берлин, 1988); Международные конференции "Экситоны-84", "Экситоны-86", "Экситоны-87" (Гюстроф, 1984, Ленинград, 1986, Вильнюс, 1987); Всесоюзная конференция "Люминесценция-87" (Таллинн, 1987); Международные симпозиумы "Нелинейная оптика и кинетика возбуждения в полупроводниках" (Бад-Штуер, 1987, Карлсруэ, 2003). Результаты работы докладывались также на семинарах различных лабораторий ФТИ им. А.Ф. Иоффе РАН, в СПбГУ, СПбГПУ, МГУ им. М.В. Ломоносова, Физическом институте им. П.Н. Лебедева РАН, Институте спектроскопии РАН, Институте физики твердого тела РАН, Институте радиотехники и электроники РАН, университетах Регенсбурга и Ганновера, Техническом университете Мюнхена. Основное содержание работы опубликовано в 31 статье, список публикаций приведен в конце диссертации.

Исследование спиновой системы полупроводников позволило обнаружить немало интересных физических эффектов. В последнее время интерес к спин-зависимым явлениям усилился в связи с надеждами на создание новых полупроводниковых приборных структур, в которых спин носителей заряда используется наряду с самим зарядом [3]. Необходимыми условиями создания приборов спинтроники является возможность достижения высокой степени спиновой поляризации в низкоразмерной структуре и снятие спинового вырождения зоны проводимости. Наличие расщепления, обусловленного линейным по волновому вектору к слагаемым в эффективном гамильтониане, позволяет управлять спином путем приложения внешнего электрического поля [4]. В последнее время достигнут существенный прогресс в осуществлении спиновой инжекции, изучении природы спинового расщепления и его использования для управления состоянием спиновой системы полупроводниковой гетероструктуры. Наиболее широко используемым способом создания и исследования спиновой поляризации является оптическая ориентация [1]. Оптическое возбуждение неравновесного спинового распределения может приводить к появлению спиновой фотопроводимости и спинового фототока. В первом случае спиновая поляризация изменяет проводимость полупроводника, что при приложении внешнего электрического поля приводит к спин-поляризованному току [5, 6, 7].

В двумерных А3В5 структурах, для которых характерно наличие спинового расщепления в /е-пространстве, наблюдался циркулярный фотогальванический эффект [8]. В этом случае однородное фотовозбуждение образца циркулярно поляризованным излучением приводит к неоднородному распределению фотовозбужденных носителей в к-пространстве, то есть к появлению электрического тока [9, 10, 11, 12]. Происходит это благодаря действию правил отбора и законов сохранения энергии и импульса-. При этом не нарушается однородность распределения носителей в реальном пространстве (Глава 2).

Еще один гальванический эффект обусловлен неравновесной спиновой поляризацией электронов в двумерных структурах. Полученная каким-либо способом (не обязательно оптическим) однородная спиновая ориентация приводит к генерации электрического тока в квантово-размерных структурах, симметрия которых допускает наличие в гамильтониане линейного по волновому вектору слагаемого [13,14]. Этот эффект мы назвали спин-гальваническим [15]. Необычность явления состоит в том, что ток. возникает при пространственно однородном спиновом распределении и в отсутствие электрического поля (Глава 3). Микроскопически спин-гальванический эффект обусловлен асимметричностью процесса спиновой релаксации в системах со снятым спиновым вырождением [15, 16, 17].

В низкоразмерных полупроводниковых структурах, представляющих собой гиротропные среды, наблюдение спин-зависимого фотогальванического эффекта возможно и при использовании неполяризованного возбуждающего излучения. Доказательством тому служат обнаруженные и исследованные нами магнито-гиротропные эффекты (Глава 4).

Генерация спин-зависимого тока наблюдается в двумерных структурах п- и р-типа, созданных на основе различных полупроводниковых материалов, при использовании широкого спектрального диапазона излучения - от дальнего инфракрасного до видимого. Особый интерес представляет изучение спин-зависимых гальванических эффектов при внутризонном поглощении излучения. В этом случае, в отличие от обычно применяемого межзонного возбуждения [1], в процесс спиновой ориентации вовлечен лишь один тип носителей [15, 18, 19, 20, 21, 22], что позволяет избежать электрон-дырочного взаимодействия и образования экситонов. Тем самым достигается монополярная спиновая ориентация [15, 19, 20] и реализуются условия близкие к случаю спиновой инжекции. Отметим, что спин-зависимые фотогальванические эффекты могут найти практическое применение, например для создания анализаторов поляризации терагерцового излучения с пикосекундным временным разрешением.

Полученные нами экспериментальные результаты хорошо согласуются с феноменологической теорией. Это означает, что определив соотношение токов вдоль различных кристаллографических направлений, можно сделать вывод о соотношении вкладов механизмов спинового расщепления. Кроме того, исследованные фотогальванические эффекты дают возможность выявлять симметрию квантово-размерных структур.

Обнаруженный нелинейно-оптический эффект спин-зависимого просветления позволил определить параметры кинетики спиновой релаксации в условиях монополярной спиновой ориентации.

Нелинейно-оптические эффекты при внутризонном поглощении излучения могут быть обусловлены увеличением электронной температуры. Горячие носители заряда в полупроводниках давно привлекает к себе пристальное внимание [24]. Особый интерес представляют неустойчивости и неравновесные фазовые переходы в электронно-дырочной плазме [2].

В нашей работе изучен ряд новых нелинейно-оптических эффектов, возникающих при разогреве электронов в электрическом СВЧ поле. Была обнаружена бистабильность фотопроводимости и люминесценции, вызванная тепловым пробоем экситонов в кремнии [25, 26]; наблюдался значительный рост интенсивности экситонной люминесценции, сопровождающийся уменьшением свечения экситон-примесных комплексов [27]. Исследование специфики разогрева носителей микро* волновым полем в арсениде галлия привело к обнаружению формирования пространственно неоднородных структур в электронной системе полупроводника (Глава 5).

Пороговый характер, существование гистерезиса и явление критического замедления, наблюдавшиеся при исследовании динамики теплового пробоя и процесса возникновения пространственных структур, позволяют рассматривать эти явления как неравновесные фазовые переходы I рода.

Заключение диссертации по теме «Физика полупроводников», Бельков, Василий Валентинович

Основные результаты

1. Обнаружено и детально изучено новое физическое явление - генерация электрического тока, вызванная процессом спиновой релаксации (спин-гальванический эффект).

2. Показано, что внутризонное поглощение циркулярно поляризованного излучения приводит к созданию неравновесного спина в полупроводниковых гетероструктурах.

3. В двумерных полупроводниковых структурах обнаружен и исследован циркулярный фотогальванический эффект при резонансном межподзонном поглощении излучения. Наблюдалась спектральная инверсия эффекта.

4. В ваАя/АЮаАв структурах обнаружено и изучено спин-зависимое просветление и поперечный эффект Ханле. Это позволило определить время спиновой релаксации в условиях монополярной спиновой ориентации.

5. Предложен и реализован экспериментальный метод разделения вкладов слагаемых Рашба и Дрессельхауса в тонкую структуру энергетического спектра.

6. Продемонстрировано, что асимметрия кремний-германиевых наноструктур приводит к снятию спинового вырождения.

7. Показано, что в прямозонных полупроводниках влияние разогрева электронов на экситонную люминесценцию определяется зависимостью сечения связывания в экситоны от электронной температуры.

8. В объемных полупроводниках в условиях разогрева неравновесных носителей заряда в электрическом СВЧ поле наблюдались нелинейные оптические и электрические явления: тепловой пробой экситонов и осцилляции электронной плотности.

9. Выявлена специфика формирования пространственно неоднородных структур в полупроводниках при примесном пробое в электрическом СВЧ поле.

На протяжении всего времени выполнения данной работы я неизменно чувствовал поддержку и внимание своих друзей и коллег. Многое дала мне работа под руководством Б.М. Ашкинадзе и участие в семинарах лаборатории, основанной С.М. Рыбкиным. На протяжении нескольких лет существенно было доброжелательное отношение к моей работе со стороны Ю.В. Жиляева. Последние годы исключительно важным и во всех отношениях приятным является сотрудничество с Сергеем Ганичевым, Е.Л. Ивченко, С.А. Тарасенко, Л.Е. Голубом. Много значит для меня возможность общения с И.Н. Яссие-вич. Немаловажную роль играет обсуждение широкого круга вопросов с Д.И. Ковалевым и В.П. Евтихиевым. Чрезвычайно признателен Е.В. Берегулину за его многолетнее внимание и поддержку.

Всех своих коллег - а среди них есть и представители старшего поколения и ровесники, и теперь уже и те, кто заметно младше - я считаю своими учителями. Возможно, необходимость творческого общения с представителями трех поколений и имел ввиду известный политический деятель прошлого века, когда призывал "Учиться, учиться и учиться".

Список литературы диссертационного исследования доктор физико-математических наук Бельков, Василий Валентинович, 2004 год

1. Оптическая ориентация, под ред. Б.П. Захарчени и Ф. Майера, Наука, J1., 1989.

2. Е. Schöll, Nonequilibrium Phase Transitions in Semiconductors, Springer, Berlin, 1987.

3. Semiconductor Spintronics and Quantum Computation, eds. D.D. Awschalom, D. Loss, and N. Samarth, in the series Nanoscience and Technology, eds. K. von Klitzing, H. Sakaki, and R. Wiesendanger, Springer, Berlin, 2002.

4. Ю.А. Бычков, Е.И. Рашба, Свойства двумерного электронного газа со снятым вырождением // Письма ЖЭТФ 39, 66 (1984).

5. D. Hagele, М. Oestreich, W.W. Rühle, N. Nestle, К. Eberl, Spin transport in GaAs // Appl. Phys. Lett. 73, 1580 (1998).

6. J.M. Kikkawa, D.D. Awschalom, Lateral drag of spin coherence in gallium arsenide // Nature 397, 139 (1999).

7. A. Hirohata, Y.B. Xu, C.M. Guertler, A.C. Bland, Spin-dependent electron transport at the ferromagnet/semiconductor interface // J. Appl. Phys. 85, 5804 (1999).

8. S.D. Ganichev, E.L. Ivchenko, S.N. Danilov, J. Eroms, W. Wegscheider, D. Weiss, W. Prettl, Conversion of spin intodirect electric current in quantum wells // Phys. Rev! Lett. 86, 4358 (2001).

9. S.D. Ganichev, U. Rossler, W. Prettl, E.L. Ivchenko, V.V. Bel'kov, R. Neumann, K. Brunner, G. Abstreiter, Removal of spin degeneracy in p-SiGe quantum wells demonstrated by spin photocurrents // Phys. Rev. В 66, 075328 (2002).

10. S.D. Ganichev, V.V. Bel'kov, Petra Schneider, E.L. Ivchenko, S.A. Tarasenko, D. Schuh, W. Wegscheider, D. Weiss, W. Prettl, Resonant inversion of the circular photogalvanic effect in n-doped quantum wells // Phys. Rev. В 68, 0353 (2003).

11. L.E. Golub, Spin splitting induced circular photocurrent in quantum wells // Physica E 17, 342 (2003).

12. L.E. Golub, Spin splitting induced photogalvanic effect in quantum wells // Phys. Rev. В 67, 235320 (2003).

13. E.JI. Ивченко, Ю.Б. Лянда-Геллер, Г.Е. Пикус, Фототок в структурах с квантовыми ямами при оптической ориентации свободных носителей // Письма в ЖЭТФ 50, 156 (1989).

14. E.J1. Ивченко, Ю.Б. Лянда-Геллер, Г.Е. Пикус, Ток термализо-ванных носителей, ориентированных по спину // ЖЭТФ 98, 989 (1990).

15. S.D. Ganichev, E.L. Ivchenko, V.V. Bel'kov, S.A. Tarasenko, M. Sollinger, D. Weiss, W. Wegscheider, W. Prettl, Spin-galvanic effect // Nature 417, 153 (2002).

16. S.D. Ganichev, E.L. Ivchenko, V.V. Bel'kov, S.A. Tarasenko, M. Sollinger, D. Schowalter, D. Weiss, W. Wegscheider, W. Prettl,

17. Spin-galvanic effect in quantum wells //J. Supercond.: Incorp. Novel Magn. 16, 369 (2003).

18. S.D. Ganichev, V.V. Bel'kov, S.N. Danilov, E.L. Ivchenko, H. Ketterl, L.E. Vorobjev, M. Bichler, W. Wegscheider, W. Prettl, Nonlinear photogalvanic effect induced by monopolar spin orientation of holes in QWs // Physica E 10, 52 (2001).

19. S.D. Ganichev, S.N. Danilov, V.V. Bel'kov, E.L. Ivchenko, M. Bichler, W. Wegscheider, D. Weiss, W. Prettl, Spin-sensitive bleaching and momopolar spin orientation in quantum wells // Phys. Rev. Lett. 88, 057401 (2002).

20. D. Schowalter, Petra Schneider, M. Sollinger, W. Prettl, V.M. Ustinov, A.E. Zhukov, L.E. Vorobjev, Optical spin orientation under inter-and intra-subband transitions in QWs //J. Supercond.: Incorp. Novel Magn. 16, 419 (2003).

21. R. Fiederling M. Keim, G. Reuscher, W. Ossau, G. Schmidt, A. Waag, L.W. Molenkamp, Injection and detection of a spin-polarized current in a light-emitting diode // Nature 402, 787 (1999).

22. Э. Конуэлл, Кинетические свойства полупроводников в сильных электрических полях, Мир, М., 1970.

23. Б.М. Ашкинадзе, В.В. Бельков, A.B. Субашиев, Тепловой пробой % экситонов // ФТТ 29, 1193 (1987).

24. В.М. Ashkinadze, V.V. Bel'kov, A.V. Subashiev, Optical and electrical bistabilities induced by exciton ionization process // Phys. Stat. Sol. (b) 150, 533 (1988).

25. Б.М. Ашкинадзе, B.B. Бельков, Взаимодействие горячих электронов с экситонами в кремнии // ФТТ 30, 1084 (1988).

26. V.V. Bel'kov, J. Hirschinger, F,-J. Niedernostheide, S.D. Ganichev, W. Prettl, V. Noväk, Pattern formation in semiconductors // Nature 397, 398 (1999).

27. V.V. Bel'kov, J. Hirschinger, D. Schowalter, F.-J. Niedernostheide, S.D. Ganichev, W. Prettl, D. Mac Mathuna, V. Noväk, Microwave induced patterns in n-GaAs // Phys. Rev. В 61, 13698 (2000).

28. M.И. Дьяконов, В.И. Перель, О возможности оптической ориентации равновесных электронов в полупроводнике // Письма в ЖЭТФ 13, 206 (1971).

29. Н.С. Аверкиев, М.И. Дьяконов, Ток, обусловленный неоднородностью спиновой ориентации электронов в полупроводнике // ФТП 17, 629 (1983).

30. J.E. Hirsch, Spin Hall effect // Phys. Rev. Lett. 83, 1834 (1999).

31. A.A. Бакун, Б.П. Захарченя, А.А. Рогачев, М.Н. Ткачук, В.Г. Флейшер, Обнаружение поверхностного фототока, обусловленного оптической ориентацией электронов в полупроводнике // Письма в ЖЭТФ 40, 464 (1984).

32. J. Kessler, Polarized electrons, Springer, Berlin, 1976.

33. J.N. Chazalviel, I. Solomon, Experimental evidence of the anomalous Hall effect in a nonmagnetic semiconductor // Phys. Rev. Lett. 29, 1676 (1972).

34. I. Zutic, J. Fabian, S. Das Sarma, Proposal for a spin-polarized solar battery // Appl. Phys. Lett. 79, 1558 (2001).

35. I. Zutié, J. Fabian, S. Das Sarma, Spin-polarized transport in inhomogeneous magnetic semiconductors: theory of magnetic/nonmagnetic p-n junctions // Phys. Rev. Lett. 88, 066603 (2002).

36. B.H. Абакумов, Б.И. Резников, Г.В. Царенков, Циркулярный фотогальванический эффект в варизонном полупроводнике // ФТП 26, 284 (1992).

37. E.JI. Ивченко, Г.Е. Пикус, Фотогальванические эффекты в полупроводниках, в сб. Проблемы современной физики, ред. В.М. Туч-кевич и В.Я. Френкель, Наука, Л., 1980.

38. В.И. Белиничер, Б.И. Стурман, Фотогальванический эффект в средах без центра инверсии // УФН 130, 415 (1980).

39. Б.И. Стурман, В.М. Фридкин, Фотогальванический эффект в средах без центра инверсии и родственные явления, Наука, М., 1992.

40. E.L. Ivchenko, G.E. Pikus, Superlattices and Other Heterostructures. Symmetry and Optical Phenomena, Springer, Berlin, 1997.

41. Е.Л. Ивченко, Г.Е. Пикус, Новый фотогальванический эффект в гиротропных кристаллах // Письма в ЖЭТФ 27, 640 (1978).

42. V.I. Belinicher, Space-oscillating photocurrent in crystals without symmetry center // Phys. Lett. A 66, 213 (1978).

43. В.М. Аснин, A.A. Бакун, A.M. Данишевский, Е.Л. Ивченко, Г.Е. Пикус, A.A. Рогачев, Обнаружение фотоЭДС, зависящей от знака циркулярной поляризации света // Письма в ЖЭТФ 28, 80 (1978).

44. V.M. Asnin, A.A. Bakun, A.M. Danishevskii, E.L. Ivchenko, G.E. Pikus, A.A. Rogachev, "Circular" photogalvanic effect in optically active crystals // Sol. St. Commun. 30, 565 (1979).

45. H.C. Аверкиев, В.М. Аснин, A.A. Бакун, A.M. Данишевский, Е.Л. Ивченко, Г.Е. Пикус, А.А. Рогачев, Циркулярный фотогальванический эффект в теллуре. // ФТП 18, 639; 648 (1984).

46. D. Stein, К. von Klitzing, G. Weimann, Electron spin resonance on GaAs/AlGaAs heterostructures // Phys. Rev. Lett. 51, 130 (1983).

47. H.L. Stormer, Z. Schlesinger, A. Chang, D.C. Tsui, A.C. Gossard, W. Wiegmann, Energy structure and quantized Hall effect of two-dimensional holes //'Phys. Rev. Lett. 51, 126 (1983).

48. М.И. Дьяконов, В.Ю. Качоровский, Спиновая релаксация двумерных электронов в полупроводниках без центра инверсии // ФТП 20, 178 (1986).

49. N.S. Averkiev, L.E. Golub, М. Willander, Spin relaxation anisotropy in two-dimensional semiconductor systems //J. Phys.: Condens. Matter 14, R271 (2002).

50. A. Voskoboynikov, S.S. Liu, C.P. Lee, Spin-dependent tunneling in double-barrier semiconductor heterostructures // Phys. Rev. В 58, 15397 (1998).

51. E.A. de Andrada e Silva, G.C. La Rocca, Electron-spin polarization by resonant tunneling // Phys. Rev. В 59, R15583 (1999).

52. Т. Koga, J. Nitta, H. Takayanagi, S. Datta, Spin-filter device based on the Rashba effect using a nonmagnetic resonant tunneling diode // Phys. Rev. Lett. 88, 126601 (2002).

53. V.I. Perel', S.A. Tarasenko, I.N. Yassievich, S.D. Ganichev, V.V. Bel'kov, W. Prettl, Spin-dependent tunneling through a symmetric barrier // Phys. Rev. B. 67, 201304 (2003).

54. B.K. Калевич, В.JI. Коренев, Влияние электрического тока на оптическую ориентацию двумерных электронов // Письма в ЖЭТФ 52, 859 (1990).

55. J. Nitta, Т. Akazaki, H. Takayanagi, Gate control of spin-orbit interaction in an inverted InGaAs/InAlAs heterostructure // Phys. Rev. Lett. 78, 1335 (1997).

56. J.P. Lu, J.B. Yau, S.P. Shukla, M. Shayegan, L. Wissinger, U. Rössler, R. Winkler, Tunable spin-splitting and spin-resolved ballistic transport in GaAs/AlGaAs two-dimensional holes // Phys. Rev. Lett. 81, 1282 (1998).

57. J.P. Heida, B.J. van Wees, J.J. Kuipers, T.M. Klapwijk, G. Borghs, Spin-orbit interaction in a two-dimensional electron gas in a InAs/AlSb quantum well with gate-controlled electron density // Phys. Rev. В 57, 11911 (1998).

58. C.-M. Hu, J. Nitta, T. Akazaki, H. Takayanagi, J. Osaka, P. Pfeffer, W. Zawadski, Zero-field spin splitting in an inverted InGaAs/InAlAs heterostructure: band nonparabolicity influence and the subband dependence // Phys. Rev. В 60, 7736 (1999).

59. G. Salis, Y. Kato, K. Ensslin, D.C. Driscoll, A.C. Gossard, D.D. Awschalom, Electrical control of spin coherence in semiconductor nanostructures // Nature 414, 619 (2001).

60. J.H. Smet, R.A. Deutschmann, F. Ertl, W. Wegscheider, G. Abstreiter, K. von Klitzing, Gate-voltage control of spin interactions between electrons and nuclei in a semiconductor // Nature 415, 281 (2002).

61. Ф.Т. Васько, H.A. Прима, Спиновое расщепление в спектре двумерных электронов // ФТТ 21, 1734 (1979).

62. U. Rössler, Nonparabolicity and warping in the conduction band of GaAs // Sol. St. Comm. 49, 943 (1984).

63. M. Cardona, N.E. Christensen, G. Fasol, Relativistic band structure and spin-orbit splitting of zinc-blende-type semiconductors // Phys. Rev. В 38, 1806 (1988).

64. G. Lommer, F. Malcher, U. Rossler, Spin splitting in semiconductor heterostructures // Phys. Rev. Lett. 60, 728 (1988).

65. J. Luo, H. Munekata, F.F. Fang, P.J. Stiles, Observation of the zero-field splitting in GaSb/InAs/GaSb quantum wells // Phys. Rev. В 38, 10142 (1988).

66. В. Das, D.C Miller, S. Datta, R. Reifenberger, W.P. Hong, P.K. Bhattacharya, J. Singh, M. Jaffe, Evidence of spin splitting in InGaAs/InAlAs heterostructures // Phys. Rev. В 39, 1411 (1989).

67. J. Luo, H. Munekata, F.F. Fang, P.J. Stiles, Effect of inversion asymmetry on electron energy band structures in GaSb/InAs/GaSb quantum wells // Phys. Rev. В 41, 7685 (1990).

68. Ю.Л. Иванов, П.С. Копьев, С.Д. Сучалкин, В.М. Устинов, Особенности циклотронного поглощения в квантовых ямах GaSb-InAs-GaSb // Письма в ЖЭТФ 53, 470 (1991).

69. P.D. Dresselhaus, С.М. A. Papavassiliou, R.G. Wheeler, R.N. Sacks, Observation of spin precession in GaAs inversion layers using antilocalization // Phys. Rev. Lett. 68, 106 (1992).

70. E.A. de Andrada e Silva, Conduction-subband anisotropic spin splitting in III-V semiconductor heterojunctions // Phys. Rev. В 46, 1921 (1992).

71. R.V. Santos, M. Cardona, Observation of spin precession in GaAs inversion layers // Phys. Rev. Lett. 72, 432 (1994).

72. E.A. Andrada e Silva, G.C. La Rocca, F. Bassani, Spin-splitting and magneto-oscillations in III-V asymmetric heterostructures // Phys. Rev. B 50, 8523 (1994).

73. B. Jusserand, D. Richards, G. Allan, C. Priester, B. Etienne, Spin orientation at semiconductor interfaces // Phys. Rev. B 51, 4707 (1995).

74. P. Pfeffer, W. Zawadski, Spin splitting of conduction subbands in GaAs/AlGaAs heterostructures // Phys. Rev. B 52, R14332 (1995).

75. E.L. Ivchenko, A.Yu. Kaminski, U. Rössler, Heavy-light hole mixing at zinc-blende (001) interface under normal incidence // Phys. Rev. B 54, 5852 (1996).

76. G. Engels, J. Lange, Th. Schäpers, H. Lüth, Experimental and theoretical approach to spin splitting in modulation-doped InGaAs/InP quantum wells // Phys. Rev. B 55, R1958 (1997).

77. E.A. Andrada e Silva, G.C. La Rocca, F. Bassani, Spin-orbit splitting of electronic state in semiconductor asymmetric quantum wells // Phys. Rev. B 55, 16293 (1997).

78. D. Grundler, Large Rashba splitting in In As quantum wells due to electron wave function penetration into the barrier layers // Phys. Rev. Lett. 84, 6074 (2000).

79. P.R. Hammar, M. Johnson, Potentiometrie measurements of the spin-split subbands in a two-dimensional electron gas // Phys. Rev. B 61, 7207 (2000).

80. J.A. Majewski, P. Vogl, P. Lugli, First principles study of spin-electronics: zero-field spin-splitting in superlattices // Proc. of the25th Int. Conf. of Physics of Semiconductors (ICPS), Eds. N. Miura, T. Ando, Springer Verlag, Berlin, 791 (2001).

81. Z. Wilamowski, W. Jantsch, H. Malissa, U. Rossler, Evidence and evalution of the Bychkov-Rashba effect in SiGe/Si/SiGe quantum wells // Phys. Rev. В 66, 195315 (2002).

82. С.А. Тарасенко, H.C. Аверкиев, Интерференция спиновых расщеплений в магнитоосцилляционных явлениях в двумерных системах // Письма в'ЖЭТФ 75, 669 (2002).

83. О. Krebs, P. Voisin, Giant optical anisotropy of semiconductor heterostructures with no common atom and the quantum-confined Pockels effect // Phys. Rev. Lett. 77, 1829 (1996).

84. О. Krebs, D. Rondi, J.L. Gentner, L. Goldstein, P. Voisin, Inversion asymmetry in heterostructures of zinc-blende semiconductors: interface and external potential versus bulk effects // Phys. Rev. Lett. 80, 5770 (1998).

85. A.A. Toropov, E.L. Ivchenko, O. Krebs, S. Cortez, P. Voisin, J.L. Gentner, Excitonic contributions to the quantum-confined Pockels effect // Phys. Rev. В 63, 035302 (2000).

86. J.T. Olesberg, W.H. Lau, M. Flatte, C.Yu.E. Altunkaya, E.M. Shaw, T.C. Hasenberg, T. Bogges, Interface contributions to spin relaxation in a short-period InAs/GaSb superlattice // Phys. Rev. В 64, 201301 (2001).

87. U. Rossler, J. Kainz, Microscopic interface asymmetry and spinsplitting of electron subbands in semiconductor quantum structures // Sol. St. Commun. 121, 313 (2002).

88. L.E. Golub, E.L. Ivchenko, Spin splitting in symmetrical SiGe quantum wells // Phys. Rev. В 69, 115333 (2004).

89. G. Dresselhaus, Spin-orbit coupling effect in zinc blende structures // Phys. Rev. 100, 580 (1955).

90. Е.И. Рашба, Свойства полупроводников с петлей экстремумов. I. Циклотронный и комбинированный резонанс в магнитном поле, перпендикулярном плоскости петли // ФТТ 2, 1224 (1960).

91. S. Datta, В. Das, Electronic analog of the electro-optic modulator // Appl. Phys. Lett. 56, 665 (1990).

92. R.D.R. Bhat, J.E. Sipe, Optically injected spin currents in semiconductors // Phys. Rev. Lett. 85, 5432 (2000).

93. M.J. Stevens, A.L. Smirl, R.D.R. Bhat, J.E. Sipe, H.M. van Driel, Coherent control of an optically injected ballistic spin-polarized current in bulk GaAs //J. Appl. Phys. 91, 4382 (2002).

94. M.B. Энтин, Теория когерентного фотогальванического эффекта // ФТП 23, 1066 (1989).

95. L.I. Magarill, Photogalvanic effect in asymmetric lateral superlattice // Physica E 9, 652 (2001).

96. A. Haché, Y. Kostoulas, R. Atanasov, J.L.P Hudges, J.E. Sipe, H.M. van Driel, Observation of coherently controlled photocurrent in unbiased, bulk GaAs // Phys. Rev. Lett. 78, 306 (1997).

97. И.Д. Ярошецкий, С.М. Рыбкин, Увлечение электронов фотонами в полупроводниках, в сб. Проблемы современной физики, ред. В.М. Тучкевич и В.Я. Френкель, Наука, Д., 1980, с.173.

98. A.F. Gibson, M.F. Kimmitt, Photon Drag Detection in: Infrared and Millimeter Waves, ed. by K.J. Button, Academic Press, N.Y., 3, 182 (1980).

99. A.M. Glass, D. von der Linde, T.J. Negran, High-voltage bulk photovoltaic effect and the photorefractive process in LiNb03 // Appl. Phys. Lett. 25, 233 (1974).

100. В.И. Белиничер, B.K. Малиновский, Б.И. Стурман, Фотогальванический эффект в. кристаллах с полярной осью // ЖЭТФ 73, 692 (1977).

101. Л.И. Магарилл, М.В. Энтин, Фотогальванический эффект в размерно-квантованной системе // Поверхность 1, 74 (1982).

102. Г.М. Гусев, З.Д. Квон, Л.И. Магарилл, A.M. Палкин, В.И. Сози-нов, O.A. Шегай, М.В. Энтин, Резонансный фотогальванический эффект в инверсионном слое на поверхности полупроводника // Письма в ЖЭТФ 46, 28 (1987).

103. Н. Schneider, S. Ehret, С. Schönbein, К. Schwarz, G. Bihlmann, J. Fleissner, G. Tränkle, G. Böhm, Photogalvanic effect in asymmetric quantum wells and superlattices // Superlatt. Microstruct. 23, 1289 (1998).

104. R. von Baltz, W. Kraut, Bulk photovoltaic effect in pure pyro- and piezoelectrics // Phys. Lett. A 79, 364 (1980).

105. В.И. Белиничер, E.JI. Ивченко, Б.И. Стурман, Кинетическая теория сдвигового фотОгальванического эффекта в пьезоэлектриках // ЖЭТФ 83, 649 (1982).V

106. E.J1. Ивченко, Ю.Б. Лянда-Геллер, Г.Е. Пикус, Магнитоинду-цированный фотогальванический эффект в полупроводниках // ФТП 18, 93 (1984).

107. С. Schonbein, Н. Schneider, G. Bihlmann, К. Schwarz, P. Koidl, A 10 fim GaAs/AlGaAs intersubband photodetector operating at zero bias voltage // Appl. Phys. Lett. 68, 973 (1995).

108. A.M. Данишевский, A.A. Кастальский, C.M. Рывкин, И.Д. Яро-шецкий, Увлечение свободных носителей фотонами при прямых межзонных переходах в полупроводниках // ЖЭТФ 58, 544 (1970).

109. A.F. Gibson, M.F. Kimmitt, А.С. Walker, Photon drag in germanium // Appl. Phys. Lett. 17, 75 (1970).

110. S. Luryi, Photon-drag effect in intersubband absorption by a two-dimensional electron gas // Phys. Rev. Lett. 58, 2263 (1987).

111. A.D. Wieck, H. Sigg, K. Ploog, Observation of resonant photon drag in a two-dimensional electron gas // Phys. Rev. Lett. 64, 463 (1990).

112. A.A. Grinberg, S. Luryi, Theory of the photon-drag effect in a two-dimensional electron gas // Phys. Rev. В 38, 87 (1988).

113. А.П. Дмитриев, C.A. Емельянов, С.В. Иванов, П.С. Копьев, Я.В. Терентьев, И.Д. Ярошецкий, Фототок увлечения в двумерном электронном газе в области циклотронного резонанса и его первой субгармоники // Письма в ЖЭТФ 54, 460 (1991).

114. О. Keller, Photon drag in a single-level metallic quantum well // Phys. Rev. В 48, 4786 (1993).

115. E.B. Берегулин, П.М. Воронов, C.B. Иванов, П.С. Копьев, И.Д. Ярошецкий, Экспериментальное обнаружение увлечения двумерных электронов дальним ИК излучением // Письма в ЖЭТФ 59, 83 (1994).

116. F.T. Vasko, Photon drag effect in tunnel-coupled quantum wells // Phys. Rev. В 53, 9576 (1996).

117. F.T. Vasko, 0. Keller, Photon drag current due to spin-flip transitions of electrons in nonsymmetric quantum wells // Phys. Rev. p. 58, 15666 (1998).

118. H. Slgg, M.H. Kwakermaak, B. Margotte, D. Erni, P. van Son, K. Köhler, Ultrafast far-infrared GaAs/AlGaAs photon drag detector in microwave transmission line topology // Appl. Phys. Lett. 67, 2827 (1995).

119. M. Behet, S. Nemeth, J. De Boeck, G. Borghs, J. Tümmler, J. Woitok, J. Geurts, MBE and characterization of InAs/AlGaSb heterostructures for magnetic sensing applications // Semicond. Sei. Techn. 13, 428 (1998).

120. G.M.H. Knippels, X. Yan, A.M. MacLeod, W.A. Gillespie, M. Yasumoto, D. Oepts, A.F.G. van der Meer, Generation and complete electric-field characterization of intense ultrashort tunable far-infrared laser pulses // Phys. Rev. Lett. 83, 1578 (1999).

121. V.V. Bel'kov, S.D. Ganichev, Petra Schneider, C. Back, M. Oestereich, J. Rudolph, D. Haegele, L.E. Golub, W. Wegscheider

122. W. Prettl, Circular photogalvanic effect at inter-band excitation in semiconductor quantum wells // Solid State Commun. 128, 283 (2003).

123. R.J. Warburton, C. Gauer, A. Wixforth, J.P. Kotthaus, B. Brar, H. Kroemer, Intersubband resonanse in InAs/AlSb quantum wells: selection rules, matrix elements and the depolarization field // Phys. Rev. В 53, 7903 (1996).

124. E.JI. Ивченко, C.A. Тарасенко, Монополярная оптическая ориентация электронных спинов в объемных полупроводниках и гете-роструктурах // ЖЭТФ 99, 376 (2004).

125. R. Ferreira, G. Bastard, Spin-flip scattering of holes in semiconductors quantum wells /■/ Phys. Rev. B. 43, 9687 (1991).

126. Jl.E. Воробьев, Д.В. Донецкий, J1.E. Голуб, Поглощение и эмиссия дальнего ИК излучения горячими дырками в GaAs/AlGaAs квантовых слоях // Письма в ЖЭТФ 63, 928 (1996).

127. Petra Schneider, S.D. Ganichev, J. Kainz, U. Rossler, W. Wegscheider, D. Weiss, W. Prettl, V.V. Bel'kov, L.E. Golub, D. Schuh, Spin-sensitive bleaching and spin relaxation in QW's // phys. stat. sol. (b) 238, 533 (2003).

128. J. Shah, Ultrafast spectroscopy of semiconductor nanostructures, Springer, Berlin, 1999, pp. 243-261.

129. L. Vina, Spin relaxation in low-dimensional systems //J. Phys.: Condens. Matter 11, 5929 (1999).

130. W. Hanle, Uber magnetische Beeinflussung der Polarisation der Resonanzfluoreszenz // Zeitschrift für Physik 30, 93 (1924).

131. A.B. Андрианов, И.Д. Ярошецкий, Магнитоиндуцированный циркулярный фотогальванический эффект в полупроводниках // Письма в ЖЭТФ 40, 131 (1984).

132. E.L. Ivchenko, Yu.B. Lyanda-Geller, G.E. Pikus, Circular magnetophotocurrent and spin splitting of band states in optically-inactive crystals // Sol. St. Commun. 69, 663 (1989).

133. X. Marie, T. Amand, P. Le Jeune, M. Paillard, P. Renucci, L.E. Golub, V.D. Dymnikov, E.L. Ivchenko, Hole spin quantum beats in quantum-well structures // Phys. Rev. В 60, 5811 (1999).

134. А.Г. Аронов, Ю.Б. Лянда-Геллер, Ядерный электронный резонанс и ориентация спинов носителей электрическим полем // Письма в ЖЭТФ 50, 398 (1989).

135. V.M. Edelstein, Spin polarization of conduction electrons induced by electric current in two-dimensional system // Sol. St. Commun. 73, 233 (1990).

136. R.R. Parson, Optical pumping and optical detection of spin-polarized electrons in a conduction band // Can. J. Phys. 49, 1850 (1971).

137. G. Lampel, Nuclear dynamic polarization by optical electronic saturation and optical pumping in semiconductors // Phys. Rev. Lett. 20, 491 (1968).

138. А.И Екимов, В.И. Сафаров, Оптическая ориентация носителей при межзонных переходах в полупроводниках // Письма в ЖЭТФ 12, 293 (1970).

139. Б.П. Захарченя, В.Г. Флейшер, Р.И. Джиоев, Ю.П. Вещунов, И.Б Русанов, Эффект оптической ориентации электронных спинов в кристалле GaAs // Письма в ЖЭТФ 13, 195 (1971).

140. A.M. Данишевский, E.J1. Ивченко, С.Ф. Кочегаров, В.К. Субаши-ев, Оптическая ориентация по спину и выстраивание импульсов дырок в p-InAs // ФТТ 27, 710 (1985).

141. E.JI. Ивченко, Г.Е. Пикус, Оптическая ориентация спинов свободных носителей и фотогальванические эффекты в гиротропных кристаллах // Известия АН СССР (серия физическая) 47, 2369 (1983).

142. Л.И. Магарилл, Фотогальванический эффект в двумерных системах в магнитном поле // ФТТ 32, 3558 (1990).

143. А.А. Горбацевич, В.В. Капаев, Ю.В. Копаев, Асимметричные наноструктуры в магнитном поле.// Письма в ЖЭТФ 57, 565 (1993).

144. O.V. Kibis, Electronic phenomena in chiral carbon nanotubes in the presence of a magnetic field // Physica E 12, 741 (2002).

145. E.L. Ivchenko, В. Spivak, Chirality effects in carbon nanotubes // Phys. Rev. В 66, 155404 (2002).

146. А.П. Дмитриев, С.А. Емельянов, С.В. Иванов, П.С. Копьев, Я.В. Терентьев, И.Д. Ярошецкий, Гигантский фототок в двумерных структурах в магнитном поле параллельном 2Б-слою // Письма в ЖЭТФ 54, 279 (1991).

147. Ю.А. Алешенко, И.Д. Воронова, С.П. Гришечкина, В.В. Капаев, Ю.В. Копаев, И.В. Кучеренко, В.И. Кадушкин, С.И. Фомичев, Индуцированный магнитным полем фотогальванический эффект в асимметричной системе квантовых ям // Письма в ЖЭТФ 58, 377 (1993).

148. И.В. Кучеренко, J1.K. Водопьянов, В.И. Кадушкин, Фотовольта-ический эффект в асимметричных GaAs/AlGaAs наноструктурах под действием лазерного излучения // ФТП 31, 872 (1997).

149. Т. Ando, А.В. Fowler, F. Stern, Electronic properties of two-dimensional systems // Rev. Mod. Phys. 54, 437 (1982).

150. V.V. Bel'kov, S.D. Ganichev, E.L. Ivchenko et al., Magneto-gyrotropic photogalvanic effects in semiconductor quantum wells // Arxiv: cond-mat/0502191.

151. N.S. Averkiev, L.E. Golub, Giant spin relaxation anisotropy in zinc-blende heterostructures // Phys, Rev. В 60, 15582 (1999).

152. J. Schliemann, J. Carlos Egues, Daniel Loss, Nonballistic spin-field-effect transistor // Phys. Rev. Lett. 90, 146801 (2003).

153. A. Takeuchi, T. Kuroda, S. Muto, O. Wada, Picosend electron-spin relaxation in GaAs/AlGaAs quantum wells and InGaAs/InP quantum wells // Physica B 272, 318 (1999).

154. P. Pfeffer, W. Zawadski, Spin splitting of conduction subbands in III-V heterostructures due to inversion asymmetry // Phys. Rev. B 59, R5312 (1999).

155. J. Miller, D.M. Zumbul, Yu.B. Lyanda-Geller, D. Goldhaber-Gordon, K. Campman, A.C. Gossard, Gate-controlled spin-orbit quantum interference effects in lateral transport // Phys. Rev. Lett. 90, 076807 (2003).

156. A. Lusakowski, J. Wrobel, T. Dietl, Effect of bulk inversion asymmetry on the Datta-Das transistor // Phys. Rev. B 68, 081201 (2003).

157. Y. Ohno, R. Terauchi, T. Adachi, F. Matsukura, H. Ohno, Spin relaxation in GaAs (110) quantum wells // Phys. Rev. Lett. 83, 4196 (1999).

158. O.Z. Karimov, G.H. John, R.T. Harley, W.H. Lau, M.E. Flatte, M. Henini, R. Airey, High temperature gate control of quantum well spin memory // Phys. Rev. Lett. 20, 246601 (2003).

159. С. Weisbuch, Photocarrier thermalization by laser excitation spectroscopy // Sol. St. Electron. 21, 179 (1978).

160. B.J. Skromme, G.E. Stillman, Impact ionization of excitons and shallow donors in InP // Phys. Rev. В 28, 4602 (1983).

161. W. Bludau, E. Wagner, Impact ionization of excitons in GaAs // Phys. Rev. В 13, 5410 (1976).

162. R. Romenstein, C. Weisbuch, Optical detection of cyclotron resonance in semiconductors // Phys. Rev. Lett. 45, 2067 (1980).

163. Б.М. Ашкинадзе, И.М. Фишман, Исследование электронно-дырочных капель в германии в греющем СВЧ поле. Нестационарное зарождение // ЖЭТФ 78, 1793 (1980).

164. JI.B. Келдыш, А.А. Маненков, В.А. Миляев, Г.Н. Михайлова, СВЧ пробой и конденсация эксйтонов в германии // ЖЭТФ 66, 2178 (1974).

165. Б.М. Ашкинадзе, В.В. Бельков, Влияние магнитного поля на люминесценцию эксйтонов и электронно-дырочной жидкости в кристаллах германия // ФТТ 26, 595 (1984).

166. W. Franz, Dielectischer Durschshlag, in Handbuch der Physik, ed. by S. Flugge, 17, Springer Verlag, Berlin, 1956.

167. E.M. Эпштейн, Оптический тепловой пробой полупроводниковой пластины // ЖТФ 48, 1733 (1978).

168. JLJI. Голик, А.В. Григорьянц, М.И. Елинсон, Гистерезис лазерного теплового пробоя в германии // Письма ЖТФ 7, 118 (1981).

169. В.Б. Сандомирский, А.А. Суханов, А.Г. Ждан, Феноменологическая теория концентрационной неустойчивости в полупроводниках // ЖЭТФ 58, 1683 (1970).

170. Н.Н. Розанов, Гистерезисные явления в распределенных оптических системах // ЖЭТФ 80, 96 (1981).

171. N.N. Rozanov, Spatial Hysteresis and Optical Patterns, Springer, Berlin, 2002.

172. T.M. Rice, Electron-hole liquid in semiconductors // Sol. St. Phys. 32, 1 (1977).

173. J. Barrau, M. Heckmann, J. Collet, M. Brousseau, Binding probabiliy of free electrons and free holes into Wannier-Mott exciton in non-polar semiconductors // J. Phys. Chem. Solids 34, 1567 (1973).

174. И.Б. Левинсон, Генерация и детектирование фононов больших энергий, в сб. Физика фононов больших энергий, ред. И.Б. Левин-сон, Мир, М., 1976.

175. Н. Haken, Introduction to Synergetics, Springer, Berlin, 1977.

176. R.B. Hammond, R.N. Silver, Analysis of LO and TO phonon assisted free exciton luminescence in silicon // Sol. St. Commun. 28, 993 (1978).

177. D.L. Smith, T.C. McGill, Temperature dependence of the relative integrated intensities of symmetry-allowed phonon-assisted exciton emission in Si and Ge // Phys. Rev. В 14, 2448 (1976).

178. D.L. Smith, D.S. Pan, T.C. McGill, Impact ionization of excitons in Ge and Si // Phys. Rev. В 12, 4360 (1976).

179. E.H. Bogardus, Н.В. Bebb, Bound-exciton, free-exciton, band-acceptor, donor-acceptor, and Auger recombination in GaAs // Phys. Rev. 176, 993 (1968).

180. M. Yamawaki, C. Hamaguchi, Effect of electric fields on luminescence in GaAs // Phys. St. Sol. (b) 112, 201 (1982).

181. Ю.В. Жиляев, Г.Р. Маркарян, B.B. России, Т.В. Россина, В.В. Травников, Поляритонная люминесценция арсенида галлия // ФТТ 28, 2688 (1986).

182. Н. Weman, Q.X. Zhao, В. Monemar, Impact ionization and electric field quenching of photoluminescence in silicon // Sol. St. Electron. 31, 791 (1988).

183. Б.М. Ашкинадзе, B.B. Бельков, А.Г. Красинская, Воздействие горячих электронов на люминесценцию GaAs // ФТП 24, 883 (1990).

184. Б.М. Ашкинадзе, В.В. Бельков, А.Г. Красинская, Микроволновый циклотронный резонанс в чистом GaAs // ФТП 24, 572 (1990).

185. R. Ulbrich, Energy relaxation of photoexcited hot electrons in GaAs // Phys. Rev. В 8, 5719 (1973).

186. B.H. Абакумов, И.Н. Крещук, И.Н. Яссиевич, Захват носителей на притягивающий центр в сильных электрических полях // ФТП 12, 264 (1978).

187. D.J. Ashen, P.J. Dean, D.T. Hurle, J.B. Mullin, A.M. White, P.D. Greene, The incorporation and characterisation of acceptors in epitaxial GaAs // J. Phys. Chem. Solids 36, 1041 (1975).

188. M. Fukai, Н. Kawamura, К. Sekido, I. Imai, Line-broadering of cyclotron resonance due to lattice and neutral impurity scattering in silicon and germanium //J. Phys. Soc. Jpn. 19, 30 (1964).

189. E. Otsuka, Electron scattering by impurities in semiconductors // Jpn. J. Appl. Phys. Part I 25, 303 (1986).

190. T. Ohyama, H. Kobori, E. Otsuka, Electron scattering in GaAs at quantum limit // Jpn. J. Appl. Phys. Part I 25, 1518 (1986).

191. J.M. Chamberlain, R.A. Stradling, Cyclotron resonance and Hall experiments with high-purity epitaxial GaAs // Sol. St. Commun. 7, 1275 (1969).

192. П.Г. Баранов, Ю.П. Вешунов, P.A. Житников, Н.Г. Романов, Ю.Г. Шретер, Оптическое детектирование микроволнового резонанса в германии по люминесценции ЭДК // Письма в ЖЭТФ 26, 369 (1977).

193. B.C. Cavenett, E.J. Pakulis, Optically detected cyclotron resonance in a GaAs/Gao.67Alo.33As superlattice // Phys. Rev. В 32, 8449 (1985).

194. В.В. Бельков, Ф.Г. Пикус, Спектральная зависимость подвижности фотовозбужденных электронов в GaAs // Письма в ЖЭТФ 54, 458 (1991).

195. Т.О. Poehler, Far-Infrared Cyclotron Resonance in GaAs // Appl. Phys. Lett. 20, 69 (1972).

196. R.G. Mani, J.H. Smet, K. von Klitzing, V. Narayanamurti, W.B. Johnson, V. Umansky, Demonstration of a 1/4-cycle phaseshift in the radiation-induced oscillatory magnetoresistance in GaAs/AlGaAs devices // Phys. Rev. Lett. 92, 146801 (2004).

197. J.S. Blakemore, Semiconducting and other major properties of gallium arsenide //J. Appl. Phys. 53, R123 (1982).

198. В.Г. Голубев, Ю.В. Жиляев, В.И. Иванов-Омский, Г.Р. Марка-рян, А.В. Осутин, В.Е. Челноков, Фотоэлектрическая лазерная магнитная спектроскопия мелких доноров в чистом GaAs // ФТП 21, 1771 (1987).

199. W. Bludau, Е. Wagner, H.J. Quisser, Optical determination of carrier mobility in GaAs // Sol. St. Commun. 18, 861 (1976).

200. P.T. Landsberg, A. Pimpale, Recombination-induced non-equilibrium phase transitions in semiconductors // J. Phys. С 9, 1243 (1976).

201. К.M. Mayer, R. Gross, J. Parisi, J. Peinke, R.P. Huebener, Spatially resolved observation of current filament dynamics in semiconductors // Sol. St. Commun. 63, 55 (1987).

202. W. Eberle, J. Hirschinger, U. Margull, W. Prettl, V. Novâk, H. Kostial, Visualization of current filaments in n-GaAs by photoluminescence quenching // Appl. Phys. Lett. 68, 3329 (1996).

203. M. Kozhevnikov, B.M. Ashkinadze, E. Cohen, Arza Ron, Self-oscillations at photoinduced impurity breakdown in GaAs // Phys. Rev. B. 52, 4855 (1995).

204. F. Karel, J. Oswald, J. Pastrnak, O. Petricek, Impurity breakdown and electric-field-dependent luminescence in MBE and VPE GaAs layers // Semicond. Sci. Technol. 7, 203 (1992).f

205. К. Aoki, Т. Kobayashi, К. Yamamoto, Chaotic motions in the electrical avalanche breakdown caused by weak photoexcitation in n-GaAs // J. Phys. Soc. Jpn. 51, 2373 (1982).

206. B.S. Kerner, V.V. Osipov, Autosolitons, Kluwer, Dordrecht, 1994.

207. П.Л. Капица, О природе шаровой молнии // ДАН 101, 245 (1955).

208. И.Б. Левинсон, Эффект убегания горячих электронов в n-InSb // ФТТ 7, 1362 (1965).