Анизотропные полупроводниковые датчики интенсивности излучения миллиметрового диапазона тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 01.04.10, кандидат физико-математических наук Казарян, Ваган Артаваздович

• Казарян, Ваган Артаваздович
• кандидат физико-математических наук
• 2004

Оглавление диссертации кандидат физико-математических наук Казарян, Ваган Артаваздович

Введение.

ГЛАВА 1. Термоэлектрические эффекты (обзор литературы).

1.1. Термоэлектрические явления.

1.2. Механизм возникновения термо-ЭДС.

1.3. Условия возникновения анизотропии термо-ЭДС.

1.4. Термоэлектрические материалы.

1.5. Основная задача исследований.

ГЛАВА 2. Поперечные термоэлектрические эффекты в анизотропных термоэлементах при воздействии СВЧ излучения.

2.1. Общие соотношения для термоэлектрических эффектов в анизотропных полупроводниках.

2.2. Прямоугольный анизотропный термоэлемент.

2.3. Нестационарная термо-ЭДС в анизотропном термоэлементе.

2.4. Анализ нестационарной термо-ЭДС.

2.5. Спектральная характеристика термоэлектрического отклика.

2.6. Стационарная термо-ЭДС в анизотропном термоэлементе.

ГЛАВА 3. Экспериментальное исследование поперечных термоэлектрических эффектов в анизотропных термоэлементах из р — CdSb

3.1. Подготовка анизотропных термоэлементов для экспериментальных исследований.

3.2. Исследование анизотропных термоэлементов на стандартных волноводах.

3.3. Зеркальные диэлектрические волноводы.

3.4. Электрическое поле волн электродинамически связанных структур зеркальных волноводов.

3.5. Исследование AT, электродинамически связанного с ЗДВ.

3.6. Влияние длины термоэлемента на генерацию термоотклика в связанных линиях.

3.7. Определение оптимальной ориентации AT относительно ЗДВ

3.8. Возникновение термо-ЭДС в анизотропных полупроводниках, закрепленных над ЗДВ.

3.9. Нестационарный поперечный термоотклик в AT при Л = 8 мм.

3.10. Использование поперечных термоэлектрических эффектов для приема СВЧ излучения в МДВ.

ГЛАВА 4. Измерительные приборы на термоэлектрическом эффекте.

4.1. Основные положения.

4.2. Принцип работы термоэлектрических измерительных приборов.

4.3. Калибровка измерительных приборов. а. Калибровка на постоянном токе. б. Калибровка импульсом постоянного тока.

4.4. Измеритель мощности в коротковолновой части миллиметрового диапазона.

4.5. Измеритель энергии импульсов СВЧ.

4.6. Измеритель мощности и энергии импульсов.

ГЛАВА 5. Экспериментальные исследования эффектов в n — InSb при СВЧ нагреве.

5.1. Исследование детектирующего эффекта в монокристаллических слоях п — InSb на подложке из сапфира при воздействии СВЧ излучения.

5.2. Исследование эффектов преобразования частоты сигнала в образцах п — InSb на сапфире.

5.3. Использование монокристаллических слоев InSb для высокочувствительного приема излучения диапазонов СВЧ и КВЧ.

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Анизотропные полупроводниковые датчики интенсивности излучения миллиметрового диапазона»

В последние десятилетия ушедшего века появилась тенденция к широкому использованию электромагнитных волн миллиметрового (ММ) и субмиллиметрового диапазонов в различных областях науки и техники. В настоящее время множество приборов и устройств работают именно в этом диапазоне длин волн. Среди них важное место занимают устройства, фиксирующие интенсивность излучения электромагнитной волны (ЭМВ). Однако, существующие в настоящее время приемники, вследствие тех или иных причин, не могут полностью решить проблему эффективного приема ММ излучения и остается весьма актуальной задача создания новых типов приемных устройств, в частности, устройств, обеспечивающих регистрацию, контроль и измерение интенсивности СВЧ излучения (как непрерывного, так и импульсного), способных работать в широком диапазоне частот с различными типами волноведущих структур ММ диапазона ЭМВ. Особенно важным является создание широкополосных чувствительных элементов (датчиков), работающих при комнатной температуре и устойчивых к выгоранию при кратковременных перегрузках.

В предлагаемой работе рассматривается возможность использования в качестве чувствительных элементов анизотропных полупроводниковых датчиков на основе поперечных термоэлектрических эффектов, возникающих под воздействием СВЧ излучения.

Структура диссертации.

В первой главе приводится краткий обзор литературы, посвященной исследованиям термоэлектрических эффектов. На основе законов термодинамики показывается, что в средах с анизотропией термо-ЭДС могут существовать поперечные термоэлектрические эффекты. Рассматриваются механизмы возникновения термо-ЭДС в различных средах, а также условия осуществления максимальной анизотропии термо-ЭДС. Описываются основные свойства полупроводникового соединения антимонида кадмия с дырочной проводимостью p-CdSb), используемого в данной работе в качестве материала для создания анизотропных термоэлементов (AT).

В заключение главы приводится постановка основной задачи, рассматриваемой в настоящей диссертационной работе.

Во второй главе разрабатывается феноменологическая модель поперечных термоэлектрических эффектов, возникающих в прямоугольных AT из p-CdSb под воздействием импульсного или непрерывного излучения СВЧ. Рассматриваются временные зависимости термоотклика от начальных и граничных условий нагрева AT, а также от параметров полупроводникового материала и металлических контактов на торцах термоэлемента, предназначенных для «съема» термоэлектрического отклика. Здесь же приводятся результаты спектрального анализа термоотклика.

Третья глава представляет экспериментальные результаты исследования свойств прямоугольных анизотропных термоэлементов из р — CdSb, помещенных в различные волноведущие структуры. Исследован термоотклик на воздействие импульсного и непрерывного СВЧ излучения в частотном диапазоне 10-5-300/71/. Приводятся результаты анализа экспериментальных исследований, а также сравнение опытных данных с результатами применения построенной феноменологической модели поперечных термоэлектрических эффектов.

Четвертая глава описывает три измерительных прибора, разработанных автором в рамках выполнения диссертационной работы. Работа этих приборов основана на эффектах возникновения напряжений поперечных термо-ЭДС в объемных AT из p — CdSb при комнатной температуре. Здесь же представлен способ калибровки термоэлектрических приборов, основанный на применении импульсов постоянного тока.

В пятой главе приведены результаты экспериментальных исследований объемных эффектов в изотропных полупроводниках при СВЧ нагреве. Подробно исследуются свойства монокристаллических слоев п - InSb на теплопрово-дящей подложке при комнатной температуре. Обсуждается возможность создания высокочувствительных датчиков малой инерционности на основе таких слоев для детектирования и преобразования частоты излучения миллиметрового диапазона электромагнитной волны.

В заключении приводятся основные результаты и выводы диссертационной работы.

Положения, выносимые на защиту;

1. Феноменологическая модель нестационарных и стационарных поперечных термоэлектрических эффектов, возникающих под воздействием импульсного или непрерывного СВЧ излучения в полупроводниковых анизотропных термоэлементах из р - CdSb, применительно для регистрации и измерения энергии электромагнитной волны на практике.

2. Способы согласования анизотропных термоэлементов со стандартным металлическим, зеркально-диэлектрическим и металлодиэлектрическим волноводами, работающими на основных типах волны.

3. Конструкции трех термоэлектрических приборов, предназначенных для измерения энергии одиночных импульсов СВЧ и (или) мощности непрерывного СВЧ излучения на частотах, как минимум, lO-т-ЗОО ГГц.

4. Способ калибровки термоэлектрических приборов, основанный на применении импульсов постоянного тока.

5. Как показано экспериментально, в образцах n-InSb на сапфировой подложке при комнатной температуре под воздействием электромагнитных волн сантиметрового и миллиметрового диапазонов обнаружены эффекты детектирования и преобразования частоты сигнала "вниз" и "вверх".

Заключение диссертации по теме «Физика полупроводников», Казарян, Ваган Артаваздович

Заключение

В рамках выполнения данной диссертационной работы были получены следующие наиболее важные результаты:

1. На основе построенной феноменологической модели проведено теоретическое исследование нестационарных и стационарных поперечных термоэлектрических эффектов в полупроводниках, обладающих анизотропией термо-ЭДС при комнатной температуре. В качестве объекта исследований рассмотрен полупроводник p-CdSb, имеющий форму прямоугольного параллелепипеда, на теплопроводящей подложке, нагреваемый импульсным или непрерывным СВЧ излучением.

2. Разработаны конструкции преобразователей с анизотропными термоэлементами из тонких монокристаллических слоев р — CdSb на основе различных волноведущих структур миллиметрового диапазона длин волн. Рассмотрены различные условия согласования термоэлементов с СВЧ излучением.

3. Приведены результаты исследования стационарных и нестационарных поперечных термоэлектрических откликов изготовленных преобразователей на воздействие СВЧ излучения. Результаты эксперимента хорошо согласуются с результатами применения построенной феноменологической модели поперечных термоэлектрических эффектов.

4. Показана возможность широкополосного приема СВЧ излучения на основе исследованных эффектов. Подробно рассмотрены простые способы регистрации как поглощаемой, так и проходящей мощности или энергии непрерывного или импульсного СВЧ излучения анизотропными термоэлементами на открытых линиях передачи (например, ЗДВ).

5. Разработаны и прошли испытания три термоэлектрических прибора, работа которых основана на поперечных термоэлектрических эффектах в анизотропных термоэлементах из р - CdSb. Приведены основные конструктивные и технико-эксплуатационные характеристики этих приборов. Показано, что данные приборы могут быть успешно использованы для измерения мощности непрерывного СВЧ излучения и (или) энергии одиночных СВЧ импульсов в одноволновом металлическом, зеркально-диэлектрическом, сверхразмерном металлодиэлектрическом и др. волноводах в широком диапазоне частот (как минимум в диапазоне 10 -г- 300 ГГц ).

6. Предложена и реализована в экспериментальных исследованиях возможность внутренней калибровки измерительных приборов с инерционными термопреобразователями на анизотропных полупроводниках короткими импульсами постоянного тока, несущими известное количество энергии. Такой способ калибровки исключает использование калибровочных пленок, что упрощает конструкцию и улучшает параметры преобразователей (следовательно, и измерителей в целом).

7. Проведено экспериментальное исследование реакции тонких монокристаллических слоев изотропного полупроводника n — InSb, выращенных на подложках из сапфира, на СВЧ нагрев. Показано, что датчики из таких структур являются эффективными элементами для детектирования и преобразования частоты излучения миллиметрового диапазона электромагнитной волны при комнатной температуре. Получена предельная чувствительность предлагаемых датчиков, ее величина может быть лучше, чем 10~9 Вт/^[Гц, вольт-ваттная чувствительность Кр > 100 В/Вт, инерционность г<3-10~п сек, потери преобразования около 10 дБ.

Материалы диссертационной работы изложены в 11 научных работах, в том числе в 8 печатных. Основные результаты диссертации получены в ходе проведения 3-х научно-исследовательских работ ([55], [56], [65]). Результаты работы опубликованы в 2 статьях ([122], [123]), доложены на 4 научных конференциях ([108], [111], [112], [113]), на семинарах ИРЭ РАН. В ходе работы над диссертацией получено 1 авторское свидетельство на изобретение ([107]). Выпущена опытная партия измерителя мощности в коротковолновой части миллиметрового диапазона СКБ ИРЭ РАН СССР. Разработанные в процессе выполнения диссертационной работы измерительные приборы награждены серебряной медалью ВДНХ СССР в 1988 г. ([104]).

В заключение, автор выражает глубокую благодарность своему научному руководителю — доктору физико-математических наук, профессору Любчен-ко В. Е. и кандидату физико-математических наук, ведущему научному сотруднику Трифонову В. И. за большую помощь и постоянный интерес к данной работе на всех этапах ее выполнения, а также Толмачеву М. М. за сотрудничество в теоретической части работы. Автор искренне благодарен своей жене — Матосян Ж. В. за моральную поддержку в завершении работы, настоящая работа посвящается ей.

Список литературы диссертационного исследования кандидат физико-математических наук Казарян, Ваган Артаваздович, 2004 год

1. Самойлович А.Г., Коренблит J1.JI. Современное состояние теории термоэлектрических и термомагнитных явлений в полупроводниках. Часть 1. Термодинамическая теория. // УФЫ, т. 49, № 2, 1953. с. 243-272.

2. Пригожим И. Введение в термодинамику необратимых процессов. —М.: Изд. иностр. лит., 1960. 127 с.

3. Самойлович А.Г. Термодинамика и статистическая физика. —М.: Гостехиздат, 1955. 368 с.

4. Domenicalli СИ. A. Irreversible thermodynamics of thermoelectricity. // Rev. Mod. Phys., v. 26, N 2, 1954. p. 237-275.

5. Тацу Я. Фото- и термоэлектрические явления в полупроводниках. -М.: Изд. иностр. лит., 1962. 253 с.

6. Анатычук И.И., Выграненко Ю.В., Jlycme О.Я., Пинчук И.И. Распределение потенциалов в однородном изотропном полупроводнике при большом градиенте температуры. // ФТП, т. 6, № 5, 1972. с. 981-982.

7. ВейнгерА.И., Крамер Н.И., Парщкий Л.Г., АбдиновА.Ш. Возникновение термо-ЭДС в однородном полупроводнике (явление Бенедикса) при разогреве насителей тока СВЧ полем в германии. // ФТТ, т. 6, № 5, 1972. с. 915-921.

8. Lukosz W. Geschlossene elektrische strome in thermoelektrisch anisotropen kristallen. // Z. Naturforsch., b. 19a, N 13, 1964. s. 1599-1610.

9. Анатычук Л.И., Искра В.Д., Лусте О.Я. Влияние примесей на термоэлектрические свойства анизотропных материалов. //УФЖ, т. 14, № 1, 1969. с. 151156.

10. Самойлович А.Г., Коренблит Л.Л. Вихревые термоэлектрические токи в анизотропной среде. // ФТТ, т. 3, № 7, 1961. с. 2054-2059.

11. Анатычук Л. И., Лусте О.Я. Вихревые термоэлектрические токи и вихревые термоэлементы (обзор). // ФТП, т. 10, № 5, 1976. с. 817-832.

12. JustiE. Патент ФРГ № 1076210.

13. Пилат ИМ., Беликов А.Б., Казанская JI.JJ., АщеуловА.А. Влияние анизотропии теплопроводности на поперечную термо-ЭДС в анизотропных средах. //ФТП, т. 10, №5, 1976. с. 1019-1021.

14. ИоффеА.Ф. Полупроводниковые термоэлементы. —M.-JL: Изд. АН СССР, 1960. 188 с.

15. Анселъм А.И. Введение в теорию полупроводников. —М—JL: Физматлит, 1962.418 с.21 .Анатычук Л.И. Термоэлементы и термоэлектрические устройства. Справочник. —Киев: Наукова думка, 1979. 768 с.

16. Андроник И.К., КотМ.В. Зависимость подвижности носителей тока в кристаллах антимонида кадмия от температуры. // Изв. АН СССР, серия физическая, т. 28, № 6, 1964. с. 1028-1032.

17. Кот М.В., КрецуИ.В. Зависимость подвижности носителей тока в кристаллах антимонида цинка от температуры. // Изв. АН СССР, серия физическая, т. 28, № 8, 1964. с. 1295-1299.

18. Грабов В.М., Иванов Г.А. О поведении дифференциальной термо-ЭДС в сплавах висмута. // ФТТ, т. 8, № 8, 1966. с. 2460-2461.

19. Гусев С.М. Зависимость свойств кристаллов CdSb, легированных элементами IV и VI групп, от концентрации примеси. // Изв. АН СССР, серия физическая, т. 28, № 6, 1964. с. 1033-1039.

20. Анатычук Л.И, Искра В.Д., ЛустеО.Я. Вихревые термоэлектрические токи в Ge.llИзв. ВУЗов в СССР, физика, № 2, 1968. с. 127-128.

21. ГицуД.В., Иванов Г.А., Попов A.M. О термоэлектродвижущей силе в висмуте и его сплавах с теллуром. // ФТТ, т. 4, № 1, 1962. с. 22-28.

22. ЗЗ.Коренблит Л.Л. Исследование замкнутых термоэлектрических токов в анизотропных кристаллах. // ФТТ, т. 6, № 10, 1964. с. 3059-3064.

23. ЗА.АнатычукЛ.И, ЛустеО.Я. Вихревые термоэлектрические токи в CdSb. II ФТТ, т. 8, № 8, 1966. с. 2492-2494.

24. Анатычук Л.И., Лусте О.Я. Исследование замкнутых термоэлектрических токов в зонально неоднородных средах. //УФЖ, т. 14, №8, 1969. с. 13911395.

25. Анатычук Л.И, ЛустеО.Я. Вихревые термоэлектрические токи и поперечная термо-ЭДС в зонально неоднородных пластинках. // Изв. ВУЗов СССР, физика, т. 6,№1, 1969. с. 134-136.

26. АнатычукЛ.И, ДимитрачукВ.Т., ЛустеО.Я., ЦыганюкЮ.С. Вихревой термоэлектрический ток в нестационарном температурном поле. // Изв. ВУЗов СССР, физика, № 3, 1972. с. 23-29.

27. Коломоец Н.В., Рябошанко В.А., Полников В.Г. Вихревые термоэлектрические токи в тонких пленках. // ФТП, т. 8, № 10, 1974. с. 1999-2001.

28. Анатычук Л.И., Искра В.Д., Лусте О.Я. Метод определения термоэффективности анизотропных материалов. // УФЖ, т. 13, № 7, 1968. с. 1226-1228.

29. СамойловичА.Г., Слипченко В.Н. Исследование КПД анизотропных термоэлементов. // ФТП, т. 9, № 10, 1975. с. 1897-1901.41 .Регелъ А.Р., Стильбанс Л.С. О термоэлектрической энергетике. // ФТП, т. 1, № И, 1967. с. 1614-1619.

30. JCozapm К. Материалы, используемые в полупроводниковых приборах. —М.: Мир, 1968. 349 с.

31. Соколовский К.А. Получение монокристаллов и физико-химические свойства диарсенидов кадмия, цинка и эвтектических композиций на их основе. / Автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата химических наук. -М.: ИОНХ АН СССР, 1984.

32. Анатычук JJ.К, Лусте О.Я. Анизотропия термо-ЭДС CdSb. // УФЖ, т. 11, № 9, 1966. с. 971-977.

33. Пилат И.М. Электрические свойства интерметаллических соединений СЖ.//ЖТФ, т. 27, № 1, 1957. с. 119-122.4%.Най Дж. Физические свойства кристаллов. —М.: Мир, 1967.

34. Пилат И.М., Анатычук Л.И., Любченко А.В. Теплопроводность сурьямисто-го кадмия. // ФТТ, т. 4, № 6, 1962. с. 1649-1654.

35. Анатычук Л.И., Гнатюк A.M. Электрические и термоэлектрические исследования CdSb. II Изв. АН СССР, неорган, материалы, т. 8, № 1, 1972. с. 44-48.

36. ЪХ.КотИ.М., АнатычукЛ.И. Анизотропия теплопроводности антимонида кадмия. // Изв. АН СССР, серия физическая, т. 28, № 6, 1964. с. 1040-1043.

37. Юрков В.А., Алексеев Н.Е. Термоэлектрические свойства сплавов Cd — Sb. IIЖТФ, т. 26, № 4, 1956. с. 911-912.

38. Шевченко В.Я., Гончаров А.Д., Лазарев В.Б., Маркович В.Б., Рудольф Г. Получение тонких слоев полупроводниковых веществ направленной кристаллизацией расплава. -М.: ИОНХ АН СССР, 1973.

39. ЪА.Падалко А. Т. Физико-химическое исследование процессов получения тонких слоев некоторых полупроводниковых веществ направленной кристаллизацией расплава. / Автореферат диссертации. —М.: ИОНХ АН СССР, 1979.

40. Исследование возможности создания измерителя энергии мощных одиночных импульсов СВЧ излучения на основе термоэлектрических свойств полупроводниковых соединений. /Отчет ИРЭ АН СССР, № 176/169-3-83. Шифр «Алиса-ИРЭ», М., 1984.

41. Исследование возможности создания измерителей мощности коротковолновой части миллиметрового диапазона на основе термоэлектрических явлений в полупроводниках. / Отчет ИРЭ АН СССР, № 173-3-87, Шифр «Алиса— 2ИРЭ», М., 1987.

42. Самойлович А.Г. Проблемы современной физики. / Сб. ст., Л., 1980.

43. Гуров К П. Феноменологическая теория необратимых процессов. —М.: «Наука», 1978.

44. Самойлович А.Г., БудаИ.С. Теория эффекта увлечения электронов фонона-ми. // ФТП, т. 9, № 8, 1975. с. 1478-1484.

45. Смит Р. Полупроводники. —М.: Изд. иностр. лит., 1962. 468 с.

46. JCapKeeu4 А.А. Спектры и анализ. —М.: Связьиздат, 1962.

47. JCapKeeun А. А. Основы радиотехники. —M.: Связьиздат, 1962.

48. Разработка широкополосных элементов трактов на основе зеркального диэлектрического волновода для измерительной аппаратуры КВЧ диапазона. / Отчет ИРЭ АН СССР, № 138-24-89. Шифр «Зевс-Модуль», М., 1989.

49. Трифонов В.И. Болометр на эффекте Холла. // ФТП, т. 1, № 9, 1967. с. 13421350.

50. Solbach К., Wolfl. The electromagnetic fields and the phase constants of dielectric image lines. // IEEE Trans. On MTT, v. 26, N 4. April, 1978. p.266-274.

51. MareatiIi E.A.J. Dielectric rectangular waveguide and directional coupler for integrated optics. // B.S.T.J., v. 48, N 7, 1969. p. 2071-2132.

52. Shindo S., Itanami T. Low-loss rectangular dielectric image line for millimeter-wave integrated circuits. // IEEE Trans. On MTT, v. 26, N 10, 1978. p. 749-750.

53. Сазонов Д.М., ГридинА.Н., Мишустин Б.А. Устройства СВЧ. —М.: Высшая школа, 1981. 295 с.

54. Конструкции СВЧ устройств и экранов. / Под ред. A.M. Чернушенко, -М.: Радио и связь, 1983. 400 с.

55. Klaus S. The calculation and measurement of the coupling properties of dielectric image lines of rectangular cross section. // IEEE Trans. On MTT, v. 27, N 1, 1979. p. 54-58.

56. Tiwari А.К., Bhat В., Singh R.P. Generalized coupled dielectric waveguide and its variants for millimeter-wave applications. // IEEE Trans. On MTT, v. 34, N 8, 1986. p. 869-875.

57. Lanfen Qi, LigunXu, IeZuo Image guide couplers used in millimeter wave integrated circuits. // International J. Of integrated and millimeter waves, v. 9, N 12, 1988. p. 1051-1056.

58. SA.BirandM.T., GelsthorpeR.V. Experimental millimetric array using dielectric radiators fed by means of dielectric waveguide. //Electronic letters, v. 17, N 18, 1981. p. 633-635.

59. S5.Itoh T. Open guiding structures for millimeter wave integrated circuits. // Microwave J., September, 1982. p. 113-126.

60. Rutledge D.B., Schwarz S.E., Hwang T.-L., Angelakos D.J., Mei K.K., YokotaS. Antennas and waveguides for far-infrared integrated circuits. // IEEE J. Of quantum electronics, v. 16, N 5, 1980. p. 508-516.

61. Klonh K.L. Metall walls in close proximity to a dielectric waveguide antenna. // IEEE Trans. On MTT, v. 29, N 9, 1981. p. 962-966.

62. Ш.Мурмужев Б.А., Трифонов В.И. Сверхвысокочастотный измеритель мощности. / Положительное решение о выдаче авторского свидетельства по заявке № 4446652/24-09/097728, приоритет от 24.06.88.

63. Гигоян С.С., МурмужевБ.А. Широкополосные ответвители на зеркальных диэлектрических волноводах. // Радиотехника, № 2, 1988. с. 86-87.

64. Казанцев Ю.Н., Харлашкин О.А. Прямоугольные волноводы класса «полый диэлектрический канал». //Радиотехника и электроника, т. 23, № 10, 1978. с. 2060-2068.

65. Техника субмиллиметровых волн. / Под ред. проф. Р.А. Валитова. —М.: Сов. Радио, 1969. 480 с.

66. Билько М.И., Томашевский А.К., Шаров /7.77., Баймурагпов Е.А. Измерение мощности на СВЧ. -М.: Сов. Радио, 1976. 168 с.9%.Тимер Ф. Техника измерений на сверхвысоких частотах. —М.: Физматлит, 1963. 368 с.

67. Измерения на миллиметровых и субмиллиметровых волнах. Методы и техника. /Под ред. Р.А. Валитова и Б.И. Макаренко. —М.: Радио и связь, 1984. 295 с.

68. Benson F.A., Tuscher F.J. Some guiding structures for millimeter waves. // Proc. IEE, v. 131, Pt. A, N 7, 1984. p. 429-449.

69. Anderson T.N. State of the waveguide art. //Microwave J., December, 1982. p. 22-48.

70. Нетепловое воздействие импульсного СВЧ излучения на биологические объекты. / Отчет ИРЭ АН СССР, № 169-18-80, Шифр «Мишень-ИРЭ», М., 1981.

71. Райзер М.Д., ЦоппЛ.Э. Детектирование и излучение мощности СВЧ излучения наносекундной длительности. // Радиотехника и электроника, т. 20, № 8, 1975. с. 1691-1693.

72. Казарян В.А. Удостоверение на серебряную медаль ВДНХ СССР за достигнутые успехи в развитии народного хозяйства СССР, № 10427. Постановление от 14.06.88г., № 309.Н.

73. Билько М.К, Томашевский А.К. Измерители мощности на СВЧ. —М.: Сов. Радио, 1986.

74. Clark R.F. The microcalorimeter as a national microwave power standard. // Proc. IEEE, v. 74, N 1, 1986. p. 102-104.

75. Казарян В.А., Трифонов В.И. Способ калибровки измерителя мощности на инерционном элементе. / ИРЭ АН СССР. Авторское свидетельство1748080. Заявка №4739095, приоритет изобретения 20.09.90., опубл. в Б.И. 15.07.92., № 26, МКИ G01R21/04.

76. Казарян В.А., Трифонов В.И. Измеритель мощности короткой части миллиметрового диапазона. / Радиоастрономическая аппаратура. XXI Всесоюзная конференция. Тезисы докладов. —Ереван, АН Арм. ССР, ч. 1, 1989. С. 6.

77. Алексеенко А.Г. и др. Применение прецизионных аналоговых микросхем. -М.: Радио и связь, 1985.

78. Измеритель мощности излучения. Авторское свидетельство №693782 с приоритетом от 14.11.77.

79. Клич С.М. Проектирование СВЧ устройств радиоприемных устройств. — М.: Энергия, 1969.

80. Еселкина Н.А., Корольков Д.В., Парийский Ю.Н. Радиотелескопы и радиометры. -М.: Наука, 1973.

81. Кристаллические детекторы. /Под ред. Е.Я. Пумпера, -М.: Сов. Радио, т. 1,2, 1950.

82. Наследов Д.Н., Халилов А.Ю. Электрические свойства InSb. IIЖТФ, т. 25, № 1, 1956. с. 6-14.

83. ГалавановВ.В. О ширине запрещенной зоны InSb. //ЖТФ, т. 27, №4, 1957. с. 651-655.

84. Виноградова К.И., Галаванов В.В., Наследов Д.Н. Получение сурьямисто-го индия высокой степени чистоты методом зонной плавки. // ЖТФ, т. 27, №9, 1957. с. 1976-1986.

85. Моделунг О. Физика полупроводниковых соединений элементов III и V групп. -М.: «Мир», 1967.

86. Аммонтас С. Электроградиентные явления в полупроводниках. / Серия электроны в полупроводниках, т. 5, Вильнюс, Мокелас, 1984.122.

87. Казарян В. А., Трифонов В. И. Электрическое поле волн электродинамически связанных структур зеркальных волноводов. // Электродинамика и техника СВЧ, КВЧ и оптических частот, т. 10,выпуск 1 (33), 2002, с. 69-71.

88. Казарян В. А., Толмачев М. М., Трифонов В. И. Нестационарная поперечная терм-ЭДС в анизотропных термоэлементах из p-CdSb при воздействии СВЧ импульса. // Электродинамика и техника СВЧ, КВЧ и оптических частот, т. 10,выпуск 1 (33), 2002, с. 72-76.