Закономерности и механизмы диффузий в бинарных тонкопленочных системах ГЦК металлов, образующих непрерывный ряд твердых растворов тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 01.04.07, доктор физико-математических наук Васильев, Алексей Дмитриевич

• Васильев, Алексей Дмитриевич
• доктор физико-математических наук
• 1999

Оглавление диссертации доктор физико-математических наук Васильев, Алексей Дмитриевич

1. ДИФФУЗИЯ В ЭПИТАКСИАЛЬНЫХ ПЛЕНКАХ

1.1. Введение.

1.2. Методика эксперимента

1.2.1. Методика приготовления образцов

1.2.2. Определение толщины тонких пленок рентгеновским способом

1.2.3. Определение плотности дислокаций рентгеновскими методами

1.2.4. О точности определения плотности дислокаций по уширению рентгеновских дифракционных линий . .

1.2.5. Определение коэффициента взаимной диффузии в тонких пленках

1.2.6. О точности нахождения концентрационных кривых по профилю рентгеновской дифракционной линии твердого раствора

1.3. Диффузия в эпитаксиальных монокристаллических пленках

1.4. Механизм диффузии в монокристаллических пленках

1.5. Диффузия в крупнокристаллических пленках

1.5.1. Системы Pd/Au и Au/Pd

1.5.2. Системы Pd/Ag и Ag/Pd

1.5.3. Система Ni/Cu

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Закономерности и механизмы диффузий в бинарных тонкопленочных системах ГЦК металлов, образующих непрерывный ряд твердых растворов»

3.2. Диффузия в тонких пленках под действием миллисекундных лазерных импульсов . . . 166

3.2.1. Система Pd/Au . . . . . . 166

3.2.2. Система Pd/Ag . . . . . . 17 3

3.3. Диффузионный массоперенос под действием микросекундных механических импульсов . . 17 3

3.4. Механизм диффузионного массопереноса под действием микросекундных механических импульсов 181

3.5. Основные выводы по разделу. . . . . 198

4. МАССОПЕРЕНОС ВДОЛЬ ПЛОСКОСТИ ПЛЕНКИ В ПРОЦЕССЕ ВЗАИМНОЙ ДИФФУЗИИ В КРУПНОКРИСТАЛЛИЧЕСКИХ СИСТЕМАХ . . . . . . . 2 01

4.1. Введение . 201

4.2. Экспериментальное исследование массопереноса в крупнокристаллических пленках . 203

4.2.1. Системы Ni/Cu и Cu/Ni . 203

4.2.2. Система Pd/Ag . . . . . . 20 9

4.2.3. Система Pd/Au . 212

4.2.4. Система Au/Ag . . 214

4.2.5. Системы Cu/Au и Au/Cu . 214

4.3. Массоперенос в процессе ползучести . . . 214 4

4.4. Напряжения, возникающие в бинарных системах в процессе диффузии . . . . . 215

4.5. Механизм образования бугорков на поверхности эпитаксиальных пленок в процессе взаимной диффузии . . . . . . . . 218

4.6. Механизм образования бугорков на поверхности

ГЦК металлов во время ползучести . . . 239

4.7. Основные выводы по разделу . . . . . 243 5. ЗАКЛЮЧЕНИЕ . 245

5.1. Перспективы дальнейших исследований . . . 248 ЛИТЕРАТУРА . 251

ВВЕДЕНИЕ

В последнее время большое внимание уделяется изучению диффузионных процессов, происходящих по дефектам кристаллического строения: границам зерен, дислокациям и межфазным границам. Это обусловлено многими причинами. Применение современных методов исследований: растровой и просвечивающей электронной микроскопии, рентгеновских методов анализа дефектной структуры позволило добиться значительного прогресса при изучении диффузии в реальных кристаллах. Введение в практику исследования рентгеноспек-трального микроанализа и Оже-спектроскопии значительно расширило возможности изучения диффузии, происходящей в малых объемах. При этом установлена большая роль диффузионных процессов, происходящих по дефектам кристаллической решетки.

Наилучшими механическими свойствами обладают двухфазные сплавы, у которых упрочняющая фаза находится в мелкодисперсном состоянии. Последнее возможно, если эта фаза формируется при относительно низкой температуре, когда преобладает диффузия по дефектам. Роль такой диффузии становится заметной при температуре ниже 0,7 Тпл металла или сплава. Выше этой довольно условной границы доминирует решеточная диффузия.

Эксплуатация большинства металлов и сплавов осуществляется при температурах ниже 0,7 Тпл. В этом случае диффузионные процессы, происходящие по дефектам, ответственны как за ползучесть, так и за скорость окисления металла, и выход детали из строя по этим причинам.

Появление новых физических технологий обработки материалов с применением взрыва, лазеров, плазменных и электронно-лучевых установок привело к необходимости исследования диффузионных явлений, происходящих в процессе различных импульсных воздействий.

Одной из особенностей структуры материалов, подвергнутых мощным импульсным воздействиям, является большое количество дефектов: дислокаций, избыточных точечных дефектов. Поэтому актуальной является задача изучения роли различных дефектов кристаллической структуры в осуществлении диффузии и массопереноса при различных импульсных воздействиях.

Бурное развитие микроэлектроники, использующей в качестве элементной базы интегральные микросхемы, в которых различные элементы структуры (металлические пленочные проводники, резисторы, обкладки конденсаторов, контактные площадки) обладают большой дисперсностью, еще больше повысило интерес к диффузионным процессам, происходящим по дефектам кристаллической структуры. Диффузия между подложкой и металлической пленкой может привести к образованию соединений, обладающих низкой электропроводностью, и к выходу из строя проводниковых элементов внутри микросхемы.

В связи с тем, что с течением времени степень интеграции элементов в микросхемах будет расти, а, следовательно, размеры отдельных структурно-однородных областей будут уменьшаться, то и проблемы, связанные с диффузионными процессами, происходящими по дефектам кристаллической решетки, будут обостряться.

Несмотря на успехи, достигнутые за последнее время в исследовании диффузионных процессов, происходящих по линейным и пла-нарным дефектам кристаллического строения, не полностью определена роль, которую играет это явление в различных физических процессах, наблюдаемых в металлах с ГЦК решеткой в диапазоне температур от 0,3 до 0,7 Тпл. Следует особо подчеркнуть, что остается практически не изученной диффузия по движущимся дислокациям, а также ее роль в различных диффузионных процессах. В то же время диффузия по движущимся границам зерен интенсивно изучается в течение последних двадцати лет. Решение проблем диффузии по дефектам кристалла позволит углубить наши представления о механизмах диффузии, а также даст возможность более целенаправленно вести поиск конструкционных материалов и решить некоторые проблемы микроэлектроники, связанные с повышением рабочего ресурса интегральных микросхем.

Целью диссертационной работы является исследование закономерностей и механизмов диффузии в бинарных тонкопленочных системах ГЦК металлов, образующих непрерывный ряд твердых растворов, и выявление роли диффузии по движущимся дислокациям в диффузионных процессах, происходящих в стационарных условиях и при импульсных воздействиях.

Для реализации указанной цели предусмотрено решение следующих задач.

1. Анализ механизмов диффузии в монокристаллических эпитак-сиальных пленках с различной плотностью дислокаций.

2. Изучение изменений характера диффузионных процессов в тонких металлических пленках при изменении структуры этих пленок: при переходе от монокристаллических пленок к крупнокристаллическим и поликристаллическим тонким пленкам.

3. Исследование механизмов диффузии в тонких поликристаллических пленках с помощью ультразвука и явления внутреннего трения .

4. Выявление роли дислокаций несоответствия в диффузионных процессах, происходящих в тонких металлических пленках.

5. Изучение роли дислокаций в диффузионных процессах, происходящих в образцах при импульсных воздействиях: под действием миллисекундных лазерных импульсов и микросекундных механических импульсов.

6. Анализ закономерностей массопереноса в крупнокристаллических образцах, происходящего вдоль плоскости пленки в процессе диффузии.

В качестве объектов исследования выбраны тонкие пленки ГЦК металлов различной структуры: монокристаллические, крупнокристаллические и поликристаллические. Компоненты диффузионных пар образуют непрерывный ряд твердых растворов, что существенно упрощает анализ полученных результатов.

Основное внимание в работе уделено трем системам: Рс1-Ад, Рс1-Аи, Ыл-Си. Эти пары выбраны по следующим соображениям. Тонкопленочные системы Рс1-Аи и Ыл-Си нашли применение в качестве элементов структуры интегральных микросхем. Особенно широко используется пара Рс1-Аи. Компоненты пары Рс1-Ад обладают существенно различными отношениями энергии дефекта упаковки к модулю сдвига. Поэтому свойства дислокаций в серебре и палладии неодинаковы. Это позволяет провести в системе Рс1-Ад ряд интересных экспериментов .

Исследование диффузионных процессов, происходящих в металлических пленках, осуществлялось с помощью различных методик рент-геноструктурного анализа, рентгеноспектрального микроанализа, электронной микроскопии, металлографии.

С помощью такого комплекса физических методов анализа проведено изучение закономерностей диффузии в тонких металлических пленках с различной структурой в стационарных условиях. Исследованы диффузионные процессы, происходящие под действием миллисе-кундных лазерных импульсов и микросекундных механических импульсов. Проанализированы возможные механизмы диффузии в рассматриваемых случаях.

Настоящая работа выполнена на кафедре общей и лазерной физики Самарского государственного технического университета в соответствии с госбюджетной темой "Физические основы создания высокопрочного состояния материалов путем комбинированных внешних воздействий", имеющей номер государственной регистрации 01860040441 и выполненной в соответствии с координационным планом НИР АН СССР по направлению 1.3 - "Физика твердого тела" на 198 6-1990 г. и госбюджетной НИР Госкомвуза России по направлению "Высокие технологии".

В результате проведения экспериментальных исследований сформулированы основные обобщающие положения и выводы, которые выносятся на рассмотрение и защиту.

1. Установленные закономерности взаимной диффузии в монокристаллической тонкопленочной системе Pd/Ag при различной плотности дислокаций.

2. Описание диффузионного массопереноса, происходящего под действием микросекундных механических импульсов в тонкопленочной системе Pd/Ag в условиях, когда механические напряжения находятся вблизи предела упругости исследуемых материалов.

3. Закономерности взаимной диффузии в крупно и поликристаллических пленках в системах Pd/Ag, Pd/Au, Ni/Cu, свидетельствующие о преобладании в этих системах диффузии по движущимся дислокациям.

4. Описание обнаруженного явления транспорта материала вдоль плоскости пленки в крупнокристаллических системах Pd/Ag, Pd/Au, Ni/Си, сопровождающего взаимную диффузию.

Научная новизна работы. Впервые исследована диффузия в монокристаллических пленках с различной плотностью дислокаций при изменении энергии дефектов упаковки в широких пределах.

Показано сильное влияние величины несоответствия параметров решеток пленки и подложки на эффективный коэффициент диффузии в тонких поликристаллических пленках с размерами зерен 0,1 мкм. В парах Рс1/Ад, Рс1/Аи при уменьшении этого несоответствия до 1% коэффициент диффузии снижается на 5 порядков величины и становится близким к коэффициенту диффузии, характерному для монокристаллических пленок.

Проанализировано влияние ультразвука на диффузию в тонких поликристаллических пленках в условиях, когда частота ультразвука близка к частоте резонанса поперечных колебаний дислокационных линий.

Установлено, что в крупнокристаллических пленках, в которых размер зерен на 2 - 3 порядка величины превышает толщину пленки, эффективный коэффициент диффузии мало отличается от коэффициента диффузии в поликристаллических пленках, в которых размер зерен примерно на 3 порядка величины меньше, чем в крупнокристаллических пленках.

Предложен механизм диффузии по движущимся дислокациям в тонких пленках, заключающийся в переходе атомов, продиффундиро-вавших по дислокационным трубкам, из дислокационных ядер в объем зерен в процессе движения дислокаций под действием напряжений, возникающих во время диффузии.

Исследован диффузионный массоперенос при импульсных воздействиях в условиях, когда практически отсутствуют пластическая деформация и перемещение фронта давления механического импульса.

Изучен массоперенос вдоль плоскости пленки, сопровождающий взаимную диффузию в крупнокристаллических пленках ГЦК металлов, образующих непрерывный ряд твердых растворов, и предложен механизм такого массопереноса, заключающийся в транспорте материала по движущимся дислокациям несоответствия под действием напряжений, возникающих в процессе диффузии.

Практическая значимость работы представлена результатами исследования диффузии в тонких пленках, показавшего, что во многих случаях основную роль в диффузионных процессах играет диффузия по движущимся дислокациям. Это дает возможность более целенаправленно вести поиск конструкционных материалов и решать некоторые проблемы, связанные с повышением рабочего ресурса интегральных микросхем.

Найденные закономерности диффузионного массопереноса при незначительной пластической деформации и отсутствии перемещения фронта давления механического импульса позволяют пересмотреть существующие представления о механизмах аномального массопереноса при мощных импульсных воздействиях и указывают на определенную роль взаимодействия фононов с точечными дефектами при таком массопереносе. Последнее создает основу для разработки новых физических технологий, в том числе и тонкопленочных, с применением различных импульсных воздействий.

Представленные в работе результаты исследований и положения в совокупности представляют собой основу нового научного направления, которое можно сформулировать следующим образом:

Установление закономерностей диффузионных процессов, происходящих в тонких пленках при высоких градиентах концентраций компонентов диффузии в стационарных условиях или при импульсных воздействиях, и разработка механизмов этих процессов".

Таким образом, на основании выполненных автором исследований разработаны теоретические положения, совокупность которых можно квалифицировать как новое крупное достижение в физике тонких пленок, а также в области физики диффузионных процессов, происходящих при высоких градиентах компонентов диффузии или при наличии импульсных воздействий.

Заключение диссертации по теме «Физика конденсированного состояния», Васильев, Алексей Дмитриевич

Результаты исследования диффузионных процессов по движущимся дислокациям являются новыми. Это позволяет совершенно оригинально рассматривать механизм многих диффузионных процессов при высоких градиентах концентрации компонентов диффузии и при интенсивных импульсных воздействиях. Однако в настоящей работе представлены результаты исследований в этой области, находящиеся на начальном этапе. Поэтому существует широкий фронт для научных работ в рассматриваемом направлении.

Требуется более детальное изучение поведения дислокаций в процессе диффузии: взаимодействия дислокаций друг с другом, конкретных схем движения дислокаций. Весьма вероятно, что дислокации двигаются неравномерно и различные участки дислокаций перемещаются с различной скоростью. Это должно приводить к изменению кинетики диффузионных процессов, как это уже наблюдалось в случае движения границ зерен при диффузии.

Насущной проблемой является исследование диффузионных процессов, при которых происходит сильное изменение структуры материалов: размножение и аннигиляция дислокаций, изменение размеров зерен. Анализ экспериментальных результатов в этом случае чрезвычайно затруднен, однако, в реальных условиях при высоких градиентах концентрации компонентов диффузии изменение структуры образцов в процессе диффузии встречается довольно часто.

Несомненный интерес представляет собой задача определения кинетики автокаталитических или самоподдерживающихся процессов в приложении к диффузии, так как именно такими процессами определяется диффузия по движущимся дислокациям и Б1СМ. Это особенно важно при самоорганизации структур бинарных тонких пленок, в том числе при неквазиравновесной релаксации после внешних воздействий [294] .

Дальнейшей и более внимательной разработки требуют детальные модели взаимодействия точечных дефектов с дислокациями. До сих пор неизвестны энергии образования и энергии активации движения вакансий и межузельных атомов в дислокационных трубках. Это существенно осложняет анализ диффузионных процессов, происходящих с участием дислокаций.

Рассмотрение диффузионного массопереноса под действием микросекундных механических импульсов при отсутствии активной пластической деформации показало, что важную роль при массопереносе могут играть процессы взаимодействия фононов, образующих механические импульсы, с точечными дефектами, находящимися в дислокационной трубке. Поэтому требуется дальнейшее изучение механизмов взаимодействия фононов с дефектами кристаллической решетки: границами зерен, границами фаз, дислокациями, вакансиями, межузель-ными атомами.

Продолжительное время считалось, что в поликристаллических тонких пленках преобладает диффузия по границам зерен, а роль дислокаций несущественна. Это привело к тому, что в поликристаллических пленках плохо изучены дислокационные структуры, практически отсутствуют экспериментальные данные о строении в этих пленках межфазных границ, об особенностях взаимодействия в них границ зерен и дислокаций. Решение перечисленных вопросов будет способствовать лучшему пониманию механизмов диффузии в тонких поликристаллических пленках.

Дальнейшее изучение роли различных дефектов кристаллического строения материалов в диффузионных процессах, разработка детальных механизмов взаимодействия этих дефектов между собой во время

5. ЗАКЛЮЧЕНИЕ

На основании выполненных исследований сделаны следующие выводы.

1. На основе анализа совокупности экспериментальных результатов, полученных в тонких поликристаллических пленках: аномально высоких значений эффективных коэффициентов диффузии; влияния величины несоответствия параметров решеток пленки и подложки на этот коэффициент; низкой энергии активации диффузии; ее структурной чувствительности и ряда других фактов предложен новый механизм диффузии - диффузия по движущимся дислокациям, позволяющий объяснить эти экспериментальные результаты.

2. В работе показано, что при переходе от структур, в которых движение дислокаций затруднено, к структурам, в которых дислокации более подвижны, коэффициент диффузии увеличивается на несколько порядков величины. Стимулирование движения дислокаций за счет воздействия ультразвука приводит к дальнейшему росту коэффициента диффузии. Наблюдаемые закономерности свидетельствуют в пользу предлагаемого механизма диффузии.

3. Установлено влияние линейной плотности дислокаций несоответствия на эффективный коэффициент диффузии в тонкопленочных системах, что находит объяснение в рамках предлагаемой теоретической модели диффузии.

4. В поликристаллических парах Рс1/Аи и Рс1/Ад наблюдается аномальная концентрационная зависимость эффективного коэффициента диффузии. В палладиевых пленках этот коэффициент выше, чем в золотых и серебряных подложках, то есть диффузия протекает быстрее в материале с более высокой температурой плавления. Это объясняется большей подвижностью дислокаций в палладии по сравнению с золотом и серебром и находится в согласии с рассматриваемым механизмом диффузии.

5. Аномально высокий коэффициент диффузии наблюдается не только в поликристаллических системах, но и в монокристаллических парах. В пленках палладия в системе Pd/Ag при температуре 77 3 К коэффициент диффузии превышает решеточный коэффициент диффузии на 5 - 6 порядков величины. Это обстоятельство, а также структурная чувствительность эффективного коэффициента диффузии и вид его концентрационной зависимости говорят о том, что в анализируемой ситуации диффузия происходит по движущимся дислокациям.

6. Установлено, что в крупнокристаллической системе Pd/Ag при воздействии микросекундных механических импульсов происходит диффузионный массоперенос атомов серебра в палладиевой пленке при отсутствии активной пластической деформации. Закономерности диффузионного массопереноса хорошо объясняются преобладанием в рассматриваемом случае диффузионного массопереноса по движущимся дислокациям.

7. Анализ явления транспорта материала вдоль плоскости пленки в крупнокристаллических системах Ni/Cu, Pd/Au и Pd/Ag показывает, что транспорт материала происходит за счет массопереноса

5.1. Перспективы дальнейших исследований.

Список литературы диссертационного исследования доктор физико-математических наук Васильев, Алексей Дмитриевич, 1999 год

1. Frank F.С., Van der Merwe J. One-dimensional dislocation. 1.Static theory// Proc. Roy. Soc. 1949. V. A198, № 2. P.205-225.

2. Ван дер Мерве Дж.Х. Несоответствие кристаллических решеток и силы связи на поверхности раздела между ориентированными пленками и подложкой//Монокристаллические пленки. М.:Мир, 1966. С.172-201.

3. Matthews J.W. Accommodation of misfit across the interface between singl crystal films of various face centred cubic metals//Phil. Mag. 1966. V.13, № 126. P.1207-1221.

4. Метьюз Дж.В. Монокристаллические пленки, полученные испарением в вакууме//Физика тонких пленок. М. : Мир, 1970, т.4. С.167-227.

5. Matthews J.W. Defect associated with the accommodation of misfit between crystals//J.Vac.Sci.Technol. 1975. V.12, № 2. P.126-133.

6. Matthews J.W. The observation of dislocations to accommodate the misfit between crystals with different lattice parameter/Phil. Mag. 1961. V.6, № 71. P.1347-1349.

7. Иевлев В.M., Трусов А.И., Холмянский В. А. Структурные превращения в тонких пленках. М.: Металлургия, 1988. 325 с.

8. Структура межкристаллических и межфазных границ. /В.М. Косевич, В.М. Иевлев, Л.С. Палатник, А. И. Федоренко. М.: Металлургия, 1980. 256 с.

9. Matthews J.W. Coherent interface and misfit disloca-tions//Epitaxial Growth. New York: Academic Press. 1975. P.560-610.

10. Goro Honzo. "Misfit dislocation" in epitaxial thin films//Thin Solid Films. 1976. V.36, № 2. P.143-150.

11. Постников B.C., Иевлев В.M., Соловьев К. С. Дислокации несоответствия и упругие деформации в бикристаллах золото-серебро//ФММ. 1975. Т.39, № 1. С.196-201.

12. Chern D. , Stowell M.J. Misfit dislocations sources in epitaxial films. Part I. Growth of Pd on (001) Au sub-strates//Thin Solid Films. 1976. V.29, № 2. P.117-125.

13. Chern D., Stowell M.J. Misfit dislocations sources in epitaxial films. Part II. Growth of Pd on (111) Au sub-strates//Thin Solid Films. 1976. V.29, № 2. P.126-143.

14. Метьюз Дж.В. Наблюдение дислокаций несоответствия в сплаве золото-палладий с небольшим различием состава // Монокристаллические пленки. М.: Мир, 1966. С.202-209.

15. Pippel Е. Pseudomorphic growth of palladium and palladium-gold alloy on gold//Phys. Stat. Sol. 1981. V.A67, № 2. P.443-452.

16. Pippel E., Woltersdorf J. Influence of substrate deformation on interface structures.II Experimental investigations for epitaxial Ag/Pd and Au/Pd bicrystals//Phys. Stat. Sol. 1983. V A7 9, № 1. P.18-198.

17. Hilla F., Gillet M. Misfit dislocations: experimental evidence for nucleation of partial dislocations in thin film of golden on Pd(001)//Thin Solid Films. 1982. V.82, № 1. P.L7-L12.

18. Nakahara S., Felder E.C. Generation of growth'in dislocation at Ni-Cu misfit boundaries during three dimensional nu~ cleation and growth//Thin Solid Films. 182. V.991, № 2. P.111-121.

19. Woltersdorf J. Interface structure in bicrystal systems of small misfit studied in the case gold on silver//Thin Solid Films. 1976. V.32, № 3. P.277-282.

20. Vook R.W., Macur J.E. Microstructural characterisation of epitaxial Au/Cu bicrystals//Thin Solid Films. 1976. V.32, № 3. P.199-203.

21. Macur J.E., Vook R.W. Interdiffusion phenomena in Au/Cu and Cu/Au bilayers//Thin Solid Films. 1980. V.66, № 3. P.311-324 .

22. Ijevlev V.M., Solovjev K.S., Kuchev S.B. Interface boundary structure during the growth of gold on platinum at high temperature//Phil. Mag. 1982. V.A45, № 5. P.647-656.

23. Иевлев B.M., Кущев С.Б., Бугаков А.В. Зависимость критической толщины псевдоморфного роста пленки от размеров подлож-ки//ФММ. 1979. Т.48, № 6. С.1101-1103.

24. Косевич В.М., Клименко Б.Л. Диффузия через межфазные границы в пленочной системе палладий-серебро//Металлофизика и новые технологии. 1994. Т.16, № 3. С.71-75.

25. Тхорик Ю.А., Хазан А.С. Пластическая деформация и дислокации несоответствия в гетероэпитаксиальных системах. Киев: Наукова думка, 1983. 304 с.

26. Гегузин Я.Е. Диффузионная зона. М.: Наука, 1979. 344 с.

27. Еремеев B.C. Диффузия и напряжения. М. : Энергоиздат, 1984. 182 с.

28. Стрелков В.И. Диффузионные напряжения//Диффузионные процессы в металлах. Тула: Политехнический институт, 1987. С.112-115.

29. Stewens D.W., Powell G.W. Diffusion-induced stress and plastic deformation//Met. Trans. 1977. V.8A, № 10. P.1532-1541.

30. Balluffi R.W. The superior saturation and precipitation of vacancies during diffusion//Acta Met. 1954. V.2, № 2. P.194-202.

31. Balluffi R.W., Sciegle L.L. Effect of grain boundaries upon pore formation and dimensional changes during diffu-sion//Acta Met. 1955. V.3, № 2. P.170-177.

32. Beers A.M., Mittemeijer E.J. Modification of interfaces in thin epitaxial bimetallic films during interdiffusion//Thin Solid Films. 1978. V.50, № 1. P.33-37.

33. Хирс Дж. Движение дислокаций поверхности раздела в процессе диффузии//Монокристаллические пленки. М.: Мир, 1966. С.211-214.

34. Matthews J.W. Effect of coherency strain on the climb of misfit dislocation during diffusion//Scripta Met. 1974. V.8, № 3. P.505-508.

35. Matthews J.W. Some factors of the behaviour of misfit dislocation during interdiffusion//Thin Solid Films. 1975. V.25, № 1. P.199-211.

36. Shinohara K., Hirth J.P. The behaviour of misfit dislocation during interdiffusion//Thin Solid Films. 1973. V.16, № 3. P.345-357.

37. Guglielmacci J.M., Gillet M. Etude de 1'interdiffusion entre 1'argent et palladium dans les couches minces par spec-trometrie Auger//Surfase Science. 1981. V.105, № 2. P.386-394.

38. Henein G.E., Hillard J.E. Interdiffusivities in silver-palladium composition modulated foils//J. Appl. Phys. 1984. V.55, № 8. P.2895-2900.

39. Tsakalakis Т., Hillard J.E. Effect of long-range interaction in copper-nickel composition modulated alloys//J. Appl. Phys. 1984. V.55, № 8. P.2885-2894.

40. Kirch R.G., Poate J.M., Eibschutz M. Interdiffusion mechanism in Ag-Au thin-film couples//Appl. Phys. Let. 1976. V.29, № 12. P.772-774.

41. Meinel K, Klaua M, Bethge H. Diffusion of Ag in Au thin films studied by Auger spectroscopy //Thin Solid Films. 1976. V.34, № 3. P.157-160.

42. Hall P.M., Morabito J.M., Poat J.M. Diffusion mechanisms in the Pd/Au thin film system and the correlation of resistivity change with Auger electron spectroscopy and Rutherford backscat-tering profiles//Thin Solid Films. 1976. V.33, № 1. P.107-134.

43. Lau S.S., Sun R.C. Internal stresses and interdiffusion of Ti-Pd-Au films studied by X-ray diffraction techniques//Thin Solid Films. 1972. V.10, № 2. P.273-282.

44. Murakami M., de Fontaine D., Fodor J. X-ray diffraction study of interdiffusion in bimetallic Au/Pd thin films//J. Appl. Phys. 1976. V.47, № 7. P.2850-2856.

45. Волков P.П., Волков Ю.А., Пугачев А. Т. Исследование параметров низкотемпературной зернограничной диффузии золота в се-ребро//ФММ. 1984. Т.58, № 5. С.1029-1031.

46. Hwang J.C.M., Pan J.D., Balluffi R.W. Measurement of grain boundary diffusion at low temperature by the surface-decumulation method. II Result for gold-silver system//J. Appl. Phys. 1979. V.50, № 3. P.1349-1359.

47. Lefakis H., Gain J.F., Ho P.S. Low temperature interdiffusion in Cu/Ni thin films//Thin Solid Films. 1983. V.101, № 2. P.207-218.

48. Balluffi R.W., Blakeli J.M. Special aspect of diffusion in thin films//Thin Solid Films. 1975. V.25, № 2. P.303-392.

49. Беглин Дж. , Поут. Дж. Взамодиффузия в системах металл-металл//Тонкие пленки. Взаимная диффузия и реакции. М.: Мир, 1982. С.309-360.

50. Зернограничная и объемная диффузия в тонких пленках в системе золото-медь/ А.Н.Алешин, Б.С.Бокштейн , В.К.Егоров, П.В.Куркин //Поверхность: физ., хим., мех. 1992. № 10-11. С.111-117.

51. Hwang М., Lauglim D.E., Bernstein I.M. The effect of interdiffusion on the interfacial microstructural of Au-Pd/ /Acta Met. 1985. V.33, № 7. P.1195-1204.

52. Bukaluk A. Analysis of diffusion mechanism in thin poly-crystalline Au-Ag films using Auger electron spectros-copy//Surface and interface analysis. 1983. V.5, № 1. P.20-27.

53. An investigation of silver diffusion through gold films by Auger electron spectroscopy/Y.Y.Lie, L.Wang, J.Z.Zhan, L.Chui//Vacuum. 1985. V.35, № 12. P.537-538.

54. Cook H.E., Hillard J.E. Interdiffusion in polycrystal-line Au-Ag couple // J. Appl. Phys. 1969. V.40, № 12. P.2191-2196.

55. Конденсационно-стимулированная зернограничная диффузия в двухслойных пленках золото-серебро/В.М.Косевич, С.М.Космачев, М.В.Карповский и др.//Поверхность: физ., хим., мех. 198 6. № 8. С.151-152.

56. Диффузия в двухслойных пленках золото-серебро, развивающаяся в процессе конденсации/В.М.Косевич, С.М.Космачев, М.В.Карповский и др.//Поверхность: физ., хим., мех. 1987. № 1. С.111-116.

57. Direct observation of grain boundary diffusion by scanning Auger microscopy/A.P.Janssen, J.A.Venables, J.C.Hwang, R.W.Balluffi//Phil. Mag. 1977. V.36, № 6. P.1537-1540.

58. Greer A.L. Interdiffusion in metallic multilayers // Defect and Diffusion Forum. 1997. V.143-147, № 2. P.557-568.

59. Wood J.K., Alvarez J.L., Mauchan R.Y. The diffusion of gold through polycrystalline silver in thin films at temperaturehear 150°C//Thin Solid Films. 1975. V.29, № 3. P.359-364.

60. AES investigation at low temperature interdiffusion in thin Au films on Ag(lll) substrates/ K.Meinel, M.Klaua, G.Ammer, H.Bethge.//Phys. Stat. Sol. 1988. V.A106, № 2. P.493-507.

61. Vevas R., Pampler W., Hofmann H. Grain boundary diffusion in Ni-Cu multilayer films//Thin Solid Films. 1988. V.162, № 2. P.155-160.

62. Bukaluk A. Determination of the activation energy of Ag diffusion through grain boundaries of thin Au films using AES in a simplified accumulation method//Appl. Surface Sci. 1988. V.35, № 3. P.317-326.

63. Bukaluk A. AES depth profile studied of interdif-fusion in thin polycrystalline Au-Ag multilayer films//Appl. Surface Sci. 1990. V.45, № 1. P.57-64.

64. Алешин A.H., Бокштейн B.C., Куркин П. В. Зернограничная диффузия золота в тонких пленках меди//Поверхность: физ., хим., мех. 1991. № 5. С.155-160.

65. Волошко С.М., Макеева И.М., Сидоренко С.И. Низкотемпературная взаимная диффузия в тонкопленочной системе Cu-Ni-Au/ /Металлофизика. 1993. Т.15, № 8. С.61-70.

66. Низкотемпературная диффузия меди в тонких пленках золота/ А.Н.Алешин, Б.С.Бокштейн, В.К.Егоров, П.В.Куркин // Поверхность: физ., хим., мех. 1993, № 3. С.126-128.

67. Study of diffusion in thin Au-Cu films/А.N.Alechin, V.Egorov, B.C.Boksteine, P.Kurkin//Thin Solid Films. 1993. V.223, № 1. P.51-55.

68. Jeon I.J., Hong J.H., Lee Y.P. Study of interdiffusion in Pd/Cu multilayered film by Auger depth profiling//J. Appl. Phys. 1994. V.75, № 12. P.7825-7828.

69. Wadendristel A., Wolf D., Bargert H. Evolution of diffusion parameters in thin films diffusion couples by means of Kissing X-ray interference//Thin Solid Films. 1976. V. 32 № 2. P.307-310.

70. Diffusion in Ag-Au-Pd films microcouples/ M.Murakami, D. de Fontaine, J.M.Sachez, J.Fodor//Acta Met. 1974. V.22, № 6. P.709-720.

71. Pan J.D., Balluffi R.W. Diffusion induced grain boundary migration in Au/Cu and Au/Ag Thin films//Acta Met. 1982. V.30, № 4. P.861-870.

72. Tu K.M., Berry B.S. X-ray study interdiffusion in bimetallic Cu-Au films//J. Appl. Phys. 1972. V.43, № 8. P.3283-3290.

73. Низкотемпературная взаимная диффузия в тонкопленочной системе Cu-Ni/M.В.Белоус, С.М.Волошко, А.Д.Красюк, С.И.Сидоренко/ /Металлофизика. 1986. Т.8, № 5. С.54-60.

74. Mittemeijer E.J., Beers A.M. Recrystallization and interdiffusion in thin bimetallic films//Thin Solid Films. 1980. V.65, № 1. P.125-135.

75. Grovenor C.R.M. On the measurement of interfacial diffusion coefficient during diffusion induced boundary migra-tion//Scripta Met. 1982. V.16, № 3. P.317-320.

76. Berndt K. , Korin M. Thin films diffusion studied by high temperature electron probe microanalysis//Crystal Research and Technology. 1985. V.20, № 11. P.1461-1465.

77. Волков P. П., Палатник Jl. С., Пугачев А. Т. Резистометриче-ский метод исследования низкотемпературной зернограничной диффузии в двухслойных поликристаллических пленках//ФТТ. 1982. Т. 24, № 4. С.1161-1165.

78. Transport du cuivre a travers un film mince d'or protec-teur/M.Gillet, J.M.Guglielmacci, S.Behenda, T.Rech//Appl. Surface Sci. 1985. V.24, № 1. P.1-10.

79. Зернограничная диффузия и зернограничная сегрегация в тонких пленках системы медь-платина/А.Н.Алешин, Б.С.Бокштейн, В.К.Егоров, П.В.Куркин//Поверхность: физ., хим., мех. 1994. № 8-9. С.55-60.

80. Chen C.Y., Huang M.L. Grain boundary diffusion in thin films couples//J. Vac. Sci. Technol. 1981. V.18, № 2. P.396-400.

81. Tu K.N. Interdiffusion in thin films//Annu. Rew. Mater. Sci. 1985. V.15, № 2. P.147-176.

82. Палатник Л.С., Бойко В.Т., Лебедева М.В. Субструктурная нерановесность и особенности диффузии в бинарных тонкопленочных системах//Изв. АН СССР, сер. физ. 1974. Т.38, № 11. С.2367-2370.

83. Smidoda К., Gottschak W., Gleiter Н. Diffusion in migrating interfaces//Acta Met. 1978. V.26, № 12. P.1833-1836.

84. Diffusion along migrating and stationary grain boundaries in the Cu-Ag system/ W. Gust, J.Beuers, J.Steffen, S.Stiltz, B.Predel //Acta Met. 1986. V.34, № 8. P.1671-1678.

85. Liu D., Miller W.A.,Aust K.T. Diffusion induced grain boundary migration in Ni-Cu diffusion couples//Acta Met. 1989. V.37, № 12. P.3367-3378.

86. Ju C.P., Fournelle R.A. Allular precipitation and discontinuous coarsening of allular precipitate in an A1 29 at% Zn alloy//Acta Met. 1986. V.34, № 1. P.71-81.

87. Grain boundary diffusion of In in Cu along a symmetric45° <100> tilt boundaries/ W.Gust, A.Lodding, H.Odelius,

88. B.Predel, U.Role//Scripta Met. 1984. V.18, № 10. P.1149-1154.

89. Neuhaus P., Herzig C., Gust W. Grain boundary diffusion of indium in nickel//Acta Met. 1989. V.37, № 2. P.587-595.

90. Tu K.N., Turnbull D. Analysis of kinetics of boundary diffusion limited cellular precipitation//Scripta Met. 1967. V.l, № 3. P.173-180.

91. Diffusion along migrating and stationary grain boundaries: The Al-Zn system / W.Gust, M.B.Hintz, R.Lucic B.Predel //Phase Transform. Solids Symp. Maleme-Chanin, 27 June-1 Jule, 1983. New York e.a. 1984. P.513-518.

92. Wirth R., Gleiter H. Is discontinuous (cellular) precipitation an effect of a structural transformation in the migrating phase boundary//Acta Met. 1981. V.29, № 11. P.1825-1830.

93. Oberchmidt J., Kim K.K., Gupta D. Grain-boundary diffusion in some Pb-Sn alloys//J.Appl.Phys. 1982. V.53, № 8. P.5672-5677.

94. Discontinuous coarsening of discontinuous precipitate in a Ni 7.5 at% In alloy / T.H.Chuang, R. A. Fournelle, W.Gust, В.Predel//Acta Met. 1988. V.36, № 3. P.775-785.

95. Broeder F.J.A. den. Interface reaction and a special form of grain boundary diffusion in the Cr-W system//Acta Met. 1972. V.20, № 3. P.319-332.

96. Мишин Ю.М., Разумовский И.М. Модель диффузии в движущейся границе зерна//Поверхность: физ. хим. мех. 1983, № 7. С.5-17.

97. Индуцированный диффузией миграция границ зерен в системе Al-Ga/Лариков JT.H., Франчук Р.И., Тихонович В.В., Максименко Е.А. //Металлофизика. 1991. Т.13, № 8. С.56-62.

98. Zieba P., Pawtowski A. Diffusional penetration during diffusion-induced grain-boundary migration process in Al-Zn cou-ple//J. Mater. Sci. 1994. V.29, № 23. P.6231-6240.

99. Hillert M., Purdy G.R. Chemical induced grain boundary migration//Acta Met. 1978. V.26, № 2. P.333-340.

100. Chongmo C.L., Hillert M.A. A metallographic steady of diffusion-induced grain boundary migration in the Fe-Zn system/ /Acta Met. 1981. V.29, № 12. P.1949-1960.

101. Chongmo C.L., Hillert M.A. Diffusion induced grain boundary migration in Cu-Zn//Acta Met. 1982. V.30, № 6. P.1133-1145.

102. Diffusion induced grain boundary migration in the Cu-Zn system / T.J.Piccone, D.B.Butymowicz, D.E.Newbury, J.R.Manning, J.W.Chahn //Scripta Met. 1982. V.16, № 7. P.839-843.

103. Афанасьев Н.И. Индуцированная диффузией миграция границ зерен//Поверхность: физ., хим., мех. 1991. № 10. С.144-151.

104. Balluffi R.W., Cahn J.W. Mechanism for diffusion induced grain boundary migration//Acta Met. 1981. V.29, № 3. P.494-500.

105. Доэрти P.Д. Диффузионные фазовые превращения в твердом теле // Физическое металловедение. М. : Металлургия, 1987, т.2. С.276-365.

106. Васильев А.Д. Диффузия по движущимся дефектам решетки в металлах и сплавах// Вестник СамГТУ, серия физико-математические науки, 1996. № 4. С.131-138.

107. Burrand G.N., Dobson P.J. Pseudomorphik behaviour and interdiffusion between palladium film and silver or gold//Thin Solid Films. 1981. V.75, № 3. P.383-390.

108. Guglielmacci J.H., Gillet M. Caracterisation par spec-trometrie Auger et decapage ionique des mode de croissance et de1'interface de couples Ag-Pd//Thin Solid Films. 1980. V.68, № 2.1. P.407-416.

109. Aly-Jouden M.A., Davies B.M., Montano P.A. LEED, Auger and electron energy loss studied of Ni epitaxially growth on Cu(100)//Surface Science. 1986. V.171, № 3. P.331-348.

110. In situ electron microscope studies of epitaxial growth of thin metal films on substrates/K. Yagi, K. Takayamagi, K. Ko-bayashi, G. Honzo//Thin Solid Films. 1976. V.32, № 2. P.185-190.

111. The structure of epitaxial growth metal films on single crystal surfaces of other metals: gold on Pt(100) and platinum on Au(100) /J.W.A. Sachtler, M.A. Van Hole, J.P. Biberian, G.A Somorjас//Surface Science. 1981. V.110, № 1. P.19-42.

112. Мамедов К.П., Геллер И.Х., Мехтиев К.М. Рентгенодиф-рактометрическое определение толщины тонких покрытий на металлах/заводская лаборатория. 1960. Т.26, № 4. С.445-446.

113. Бекренев А.Н., Федоров Б.Н. Определение толщины тонких покрытий с помощью наклонных рентгеновских съемок//Заводская лаборатория. 1979. Т.45, № 10. С.908-910.

114. Уманский Я.С. Рентгенография металлов. М.: Металлургия, 1967. 236 с.

115. Иверонова В.И., Ревкевич Г.Г. Теория рассеивания рентгеновских лучей. М.: изд-во МГУ, 1978. 276 с.

116. Кривоглаз М.А., Рябошапка К.П. Теория рассеивания рентгеновских лучей кристаллами, содержащими дислокации. Случай хаотического распределения по кристаллу винтовых и краевых дислокаций // ФММ, 1963 Т.15, № 1. С.18-31.

117. Кривоглаз М.А. Теория рассеивания рентгеновских лучей и тепловых нейтронов реальными кристаллами. М. : Наука, 1967. 336 с.2

118. Wilkens М. Das mittere Spannungsquadrat <а > begrenztregellos Verteilte Versetzungen in einem zylinderförmigen Korper // Acta Met. 1969. V.17, № 9. P.1155-1159.

119. Oettel H., Freibirg. Uber Möglichkeiten der rontgenographischen Versetzungsdichte bestimmand an polykpistalline EFZ Metallen und Legierungen // Experimentalle Technik der Physik. 1973. B.21, № 1. S.99-108.

120. Кристаллография, рентгенография и электронная микроскопия / Я.С.Умансий, Ю.А.Скаков, А.И.Иванов, Л.Н.Расторгуев. М. : Металлургия, 1982. 632 с.

121. Миркин Л.И. Справочник по рентгеноструктурному анализу поликристаллов. М.: ГИФМЛ, 1961. 860 с.

122. Пинес Б.Я., Чайковский Э.Ф. Рентгенографическое определение коэффициента гетеродиффузии в сплавах, образующих твердые растворы замещения // ДАН СССР. 1956. Т. 111, № 6. С. 1234-1237.

123. Бекренев А.H., Федоров Б.H. О точности построения концентрационных кривых по профилю рентгеновской дифракционной линии твердого раствора//Аппаратура и методы рентгеновского анализа. 1984, вып. 32. С.36-40.

124. Koch R. The intrinsic stress of polycrystalline and epitaxial thin metal films//J. Phys.: Condens Mater. 1994. V. 6, № 45. P.9519-9550.

125. Массальский Т.Б. Структура твердых растворов // Физическое металловедение. М.: Металлургия, 1987, т.2. С.485-547.

126. Vasilyev A.D. Dislocation mechanism of diffusion in Pd/Ag monocrystalline system.//Thin Solid Films. 1996. V.289, № 2. P.205-206.

127. Васильев А. Д. Пластическая деформация в процессе взаимной диффузии // Тез. докл. Междунар. конф. "Взаимодействие дефектов и неупругие явления в твердых телах". Тула: Изд-во ТулГУ. 1997. С.102-103.

128. Бекренев А.Н., Васильев А. Д. Дислокационный механизм диффузии в монокристаллической системе Pd/AgZ/Известия вузов. Физика. 1996. Т.59, № 8. С.116-118.

129. Малышев В.М., Румянцев Д.В. Серебро. М. : Металлургия, 1987. 320 с.

130. Бокэ Дж.Л., Бребек Г., Лимож И. Диффузия в металлах и сплавах//Физическое металловедение. М. : Металлургия. Т.2. 1987. С.98-177.

131. Brown A.M., Ashby M. F. Correlation for diffusion con-stant//Acta Met. 1980. V.28, № 8. P.1085-1101.

132. Hart E. On the role of dislocation in bulk diffusion/ /Acta Met. 1957. V.5, № 10. P597-602.

133. Каур И., Густ В. Диффузия по границам зерен и фаз. М.: Машиностроение, 1991. 446 с.

134. Вол А. Е., Каган И. К. Строение и свойства двойных металлических систем. М.: Наука, 1976, т. 3. 814 с.

135. Бекренев А.Н., Васильев А.Д. Диффузия по движущимся границам зерен и дислокациям в ГЦК-металлах. Самара: Изд-во СамГТУ, 1996. 140 с.

136. Бекренев А.Н., Васильев А.Д. Низкотемпературная диффузия в крупнокристаллических пленках в эпитаксиальных системах Ni/Cu и Pd/Ag // Металлофизика. 1992. Т.14, № 3. С.91-93.

137. Васильев А.Д. Рентгеновский анализ неоднородной диффузии в тонких пленках//Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. 1997. № 3. С.32-35.

138. Васильев А.Д. Диффузия меди в никелевой эпитаксиальной пленке при низкой температуре//Физические проблемы прочности и пластичности материалов. Самара: Политехнический институт, 1990. С.117-119.

139. Бекренев А.H., Васильев А.Д. Дислокационный механизм диффузии в тонких пленках ГЦК металлов//ФММ. 1996. Т.81, № 4. С.126-132.

140. Гупта Д., Кэмпбелл Д., Хо П. Диффузия по границам зе-рен//Тонкие пленки. Взаимная диффузия и реакции. М. : Мир, 1982. С.161-249.

141. Atkinson A., Le Claire A.D. What's new about pipe-diffusion//Dislocat., 1984 c.r. Colloqu. int. CNRS. Dislocat.: struct, coer et propr. phys. Aussois 8-17 mars 1984. Paris. 1984. P.253-266.

142. Le Claire A.D. Diffusion in dislocation "pipe diffu-sion"//Exp. Proc. Ind. Semin. Kingston Au 5-9 1985. Toronto. 1986. P.251-270.

143. Васильев А.Д. Влияние межфазных поверхностей на диффузию в поликристаллической тонкопленочной паре Pd/Ag // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. 1998. № 7. С.125-128.

144. Криштал М.А., Головин С.А. Внутреннее трение и структура металлов. М.: Металлургия. 1976. 375 с.

145. Постников B.C. Внутреннее трение в металлах. М.: Металлургия. 1974. 351 с.150 . Лебедев. A.B. Внутренне трение в процессе квазистатического деформирования кристаллов// ФТТ. 1993. Т.35, № 9. С.2305-2341.

146. Бокштейн Б. С., Копецкий Ч.В., Швиндлерман JI.C. Термодинамика и кинетика границ зерен в металлах. М. : Металлургия, 1986. 224 с.

147. Бекренев А.Н., Васильев А. Д. Влияние ультразвука на диффузию в тонких поликристаллических пленках в системе Pd/Ag//Письма в ЖТФ. 1996. Т.22, вып. 5. С. 6-8.

148. Hultquist G. Room temperature diffusion in polycrystal-line materials: an experimental study of interdiffusion in AuCu alloys // J. Mat. Sei. 1986. V.21, № 9. P.3253-3258.

149. Фридель Ж. Дислокации. M.: Мир, 1967, 643 с.

150. Дамаск А., Дине Д. Точечные дефекты в металлах. М. : Мир, 1966, 291 с.

151. Баллуффи Р.В., Келлер Д.С., Симмонс P.O. Современное состояние знаний о точечных дефектах в металлах//Возврат и рекристаллизация металлов. М.: Металлургиздат, 1966. С.9-68.

152. Хирт Дж. , Лоте И. Теория дислокаций. М. : Атомиздат, 1972. 600 с.

153. Хирт Дж. Дислокации//Физическое металловедение. М.: Металлургия, 1987. Т.З. С.74-112.

154. Ван Бюрен. Дефекты в кристаллах. М.: ИИЛ,1962. 584 с.

155. Пресняков A.A. К вопросу о влиянии пластической деформации на скорость диффузии//ЖТФ. 1957. Т.27, № 3. С.575-576.

156. Чайковский Э.Ф. Некоторые данные о коэффициентах гете-родиффузии в сплавах с искаженной и неискаженной кристаллической решеткой//ДАН СССР. 1957. Т.112, № 4. С.716-719.

157. Влияние напряжений и деформаций на процессы диффузии /С.З.Бокштейн, Т.И.Гудкова, А.А.Жуховицкий, С.Т.Кишкин//Некоторые проблемы прочности твердого тела. M.-JI.: Изд. АН СССР,1959. С.76-86.

158. Замедление диффузии после механико-термической обработки/ С.З.Бокштейн, М.А.Губарев, С.Т.Кишкин и др.//МиТОМ. 1969. № 1. С.3-5.

159. Пинес Б.Я., Чайковский Э.Ф. Влияние пластической деформации никеля на скорость диффузии в системе никель-сера/ /ФММ.1960. Т.9, № 3. С.369-373.

160. Ромашкин Ю.П., Шестопалов JT.M. Изучение диффузии по границам, возникающим в процессе ползучести меди//ФТТ. 1960. Т.2, № 12. С.3029-3039.

161. Криштал М.А., Дубровский Р.И., Степанова О. В. Исследование диффузии меди в железе в процессе деформации/ /ФиХОМ. 1973. № 6. С.88-93.

162. Диффузия в неравновесном металле/С.3.Бокштейн, М.А.Губарев, С.Т.Кишкин и др.//ФММ. 1968. Т.25, № 4. С.702-707.

163. О влиянии необратимых структурных изменений, возникающих при пластической деформации, на диффузионную подвижность /С.З.Бокштейн, Т.И.Гудкова, А.А.Жуховицкий, С.Т.Кишкин//ДАН СССР. 1958. Т.121, № 6. С.1015-1018.

164. Савицкий A.B. К вопросу о влиянии напряжений на самодиффузию/ /ФММ . 1960. Т.10, № 4. С.564-571.

165. Guy F.G., Philibert J. Effect of strain on diffusion in metals//Trans. Metall. Soc. AIME. 1961. V.221. P.1174-1178.

166. Darby I.В., Tomisuka С.Т., Balluffi R.W. Self-diffusion in silver during plastic deformation in torsion//J. Appl. Phys. 1951. V.32, 5. P.840-848.

167. Pearson S., Board M.J., Wheeler C. The effect of fatigue stressing on the diffusion rate of zinc in aluminium/ /Phil. Mag. 1961. V.6. № 68. P.979-985.

168. Barry B.E., Brovon A.F. Self-diffusion in silver during torsional deformation //Acta Met. 1964. V.12, № 12. P.209-214.

169. Кулемин А.В. Ультразвук и диффузия в металлах. М.: Металлургия, 1978. 200 с.

170. Пинес Б.Я, Омельяненко И.Ф., Сиренко А.Ф. Влияние ультразвуковых колебаний на кинетику гетеродиффузии в образцах FeAl, Ni-Cu и Ni-Si//0MM. 1969. Т.27, № 6. С.1110-1112.

171. Buffington F.S., Hirano К., Cohen М. Self-diffusion in iron//Acta Met. 1961. V.9, № 5. P.222-228.

172. О природе диффузионных процессов, ответственных за образование соединений при сварке в твердой фазе/Л.Н.Лариков, А.М.Макара, А.Т.Назарчук, В.М.Фальченко//ФиХОМ. 1971. № 4. С.113-116.

173. Аномальное ускорение диффузии при импульсном нагруже-нии металлов/Л.Н.Лариков, В.М.Фальченко, В.Ф.Мазанко//ДАН СССР. Серия мат. и физ. 1975. Т.221, № 5. С.1073-1075.

174. Герцрикен Д.С., Мазанко В.Ф., Фальченко В.М. Некоторые закономерности миграции атомов в условиях скоростной пластической деформации//Металлофизика. 1983. Т.5, № 4. С.74-77.

175. Исследование механизма аномального массопереноса при скоростной пластической деформации/В.В.Немошкаленко, Л.Н.Лариков, В.Ф.Мазанко и др.//ДАН УССР. 1978. № 9. С.830-834.

176. Ruoff A.L. Enhanced diffusion during plastic deformation by mechanical diffusion//J. Appl. Phys. 1967. V.38, № 10. P.3999-4003.

177. Инденбом В.Л. Межузельный (краудионный) механизм пластической деформации//Письма в ЖТФ. 1970. Т.12, № 11. С.526-528.

178. Красулин Ю.Л. Об "аномальной" диффузии в материалах при импульсном нагружении//ФиХОМ. 1981. № 4. С.133-135.

179. Лариков Л.Н., Мазанко В.Ф., Фальченко В.М. Массоперенос в металлах при импульсном нагружении//ФиХОМ. 1983. № 6. С.144-145.

180. Влияние импульсных нагружений высокой мощности на процесс миграции атомов в металлах/ Д.С.Герцрикен, Ю.А.Сергеева,

181. B.М.Тьпцкевич, В.М.Фальченко//Влияние внешних воздействий на структуру и свойства твердых тел. Куйбышев: Изд. КГУ. 1987. С.З-17.

182. Исследование массопереноса при импульсном воздействии /Д.С.Герцрикен, В.Ф.Мазанко, В.М.Тыщкевич, В.М.Фальченко/ /Диффузионные процессы в металлах. Тула: Изд. Тул. ПИ, 1987.1. C.107-112.

183. Влияние лазерного излучения на подвижность атомов железа/ М.Е.Гуревич, Л.Н.Лариков, В.Ф.Мазанко, А.Е.Погорелов, В.М.Фальченко//ФиХОМ. 1977. № 2. С.7-9.

184. Влияние многократного лазерного воздействия на массо-перенос в металлах/ М.Е.Гуревич, Л.Н.Лариков, В.Ф.Мазанко, А.Е.Погорелов, В.М.Фальченко//Металлофизика. 1978. Вып. 73. С.80-83.

185. Влияние дефектов кристаллической структуры на массопе-ренос в никеле при лазерном облучении/ М.Е.Гуревич, М.С.Засимчук, Л.Н.Лариков, А.Е.Погорелов, В.М.Фальченко//ДАН УССР. 1989. № 9. С.740-743.

186. Laser-stimulated mass-transfer in metals/M.E.Gure-vich, L.N.Larikov, A.E.Pogorelov et all.//Phus. Stat. Sol. 1983. V. A76, № 2. P.474-484.

187. Герцрикен Д.С., Фальченко В.М., Мазанко В.Ф. Импульсная обработка и массоперенос в металлах при низких температурах. Киев: Наукова Думка, 1991. 204 с.

188. Земской С.В., Рябчиков Е.А., Эпштейн Г.Н. О массопере-носе углерода под воздействием ударной волны//ФММ. 1978. Т. 46, № 1 С.197-198.

189. Массоперенос атомов железа при электроимпульсной обра-ботке/Ю.И.Бабей,М.Е.Гуревич, Э.Л.Докторович и др//ФиХОМ. 1979. № 2. С.76-77.

190. Эпштейн Г.Н. Массоперенос в ударных волнах//Высокие давления и свойства материалов. Киев: Наукова Думка, 1980. С.108-112.

191. Павлович В.Н. Массоперенос в ударных волнах // Металлофизика. 1982. Т.4, № 6. С.86-91.

192. Земской С.В., Карпельев В.А., Рябчиков Е.А. Вопросы теории диффузии при воздействии ударной волны//ФГВ. 1983. № 5. С.116-119.

193. Эпштейн Г.Н. Строение металлов, деформированных взрывом. М.: Металлургия. 290 с.

194. Бекренев А.Н., Федоров Б.Н. Массоперенос меди в никеле под действием ударных волн//ФиХОМ. 1984. № 5. С.136-137.

195. Бекренев А.Н., Эпштейн Г.Н. Последеформационные процессы высокоскоростного нагружения. М.: Металлургия, 1992. 158 с.

196. Филатов A.B. О возможных путях реализации процесса мас-сопереноса в ударных волнах//Диффузионные процессы в метал-лах. Тула, 1989. С.85-92.

197. Бушин И.Н., Гусак A.M. Простая модель массопереноса при импульсном воздействии//Металлофизика. 1991. Т.13, № 4. С.21-25.

198. Массоперенос при ударном нагружении кристаллов молибдена и молибдена, легированного рением/М.Н.Белякова, В.В.Жолудь, Л.Н.Лариков, В.Ф.Мазанко//Металлофизика. 1992. Т.14, № 2. С.96-100.

199. Особенности перераспределекния атомов в системе Ni-63Ni-Ni при прохождении ударных волн с различными параметрами/ А.О.Зворыкин, Б.В.Румянцев, В.М.Фальченко, А.В.Филатов//Метал-лофизика. 1989. Т.11, № 3. С.123-124.

200. Массоперенос и структурные изменения в металлах при прохождении ударных волн с различными параметрами/П.Ю.Волосевич, И.К.Засимчук, А.О.Зворыкин, В.М.Фальченко//Металлофизика. 1989. Т.11, № 3. С.126-129.

201. Зворыкин Jl.О., Филатов A.B. Влияние характеристик плоских ударных волн на массоперенос в металлах // Доклады АН Украины. 1997. № 2. С.84-89.

202. Взаимодействие лазерного излучения с металлами/И. Урсу, И.Н.Михэилеску, А.М.Прохоров, В.И.Конов//М.: Наука, 1988. 537 с.

203. Бекренев А.Н., Васильев А.Д. Диффузия в кристаллических тонких пленках под действием миллисекундных лазерных импуль-сов//ФиХОМ. 1996, № 6. С. 46-48.

204. Бекренев А.Н., Васильев А. Д. Массоперенос в системе Ад (подложка)-Pd(пленка) под действием механических импульсов микросекундной длительности//Физика и химия обработки материалов. 1996, № 5. С. 64-66.

205. Физика взрыва/ Ф.А.Баум, Л.П.Орленко, К.П.Станюкевич и др. М.: Наука, 1975. 704 с.

206. Васильев А.Д. Исследование механизма диффузионного мас-сопереноса под действием микросекундных механических импульсов в системе Pd/Ag // Известия вузов. Физика. 1997. Т.60, № 10. С.99-102.

207. Itskovich I.F., Sorbello R.S. Phonon-assisted diffusion and electromigration of light interstitial in metals/ /Phys. Rew. 1992. V.45, № 2. P.718-727.

208. Ahlquist C.N., Gasca-Neri R., Nix W.D. A phenomenologi-cal theory of transient creep//Acta Met. 1970. V.18, № 6. P.663-681.

209. Nabarro F.R.N. Steady-state diffusion creep//Phil. Mag. 1967. V.16, № 140. P.231-237.

210. Springarn J.R., Barnett D.M., Nix W.D. Theoretical description of climb controlled steady-state creep at high and intermediate temperature//Acta Met. 1979. V.27 № 9. P.1549-1547.

211. Weertman J. Theory of steady-state creep based dislocation climb//J. Appl. Phys. 1955. V.26, № 10. P.1213-1217.

212. Иванов JI.И., Янушкевич В.А. Механизм установившейся ползучести ОЦК металлов при высоких температурах. Ползучесть циркония//ФММ. 1964. Т.17, № 1. С.112-116.

213. Clauer A.N., Wilcox В.A., Hirth J. P. Dislocation substructure induced by creep in molybdenum singl crystals//Acta Met. 1970. V.18, № 3. P.381-397.

214. Дехтяр А.И., Кононенко В.А. Влияние ширины расщепления дислокаций на скорость высокотемпературной ползучести//ФММ. 1978. Т.46, № 3. С.615-619.

215. Burton В. The dislocations network of creep//Phil. Mag. 1982. V. A45, № 6. P.657-675.22 6. Evans H.E., Knowles G. A model of creep in pure materi-als//Acta Met. 1977. V.25, № 9. P.963-975.

216. Окраинец П.H., Пищак В. К. Зависимость скорости ползучести от напряжения для металлов с ГЦК решеткой//ФММ. 1978. Т.46, № 3. С.597-601.

217. Evans Н.Е., Knowles G. Dislocation creep in nickel and copper//Metal Science. 1980. № 4. P.152-154.

218. Luthy h., Miller A.K., Sherby O.D. The stress and temperature dependence of steady-state flow at intermediate temperature for polycrystalline aluminium//Acta Met. 1980. V.28, № 2. P.169-178.

219. Ruano O.A., Sherby O.D. On the applicability of diffu-sional flow to the creep of polycrystalline materials at low stress and intermediate temperature//Mater. Sci. Eng. 1984. V.64, № 1. P.61-66.

220. Ito Т., Yamanoi Т., Nakayama Y. Deformation of polycrystalline copper at elevated temperature with low strain rate//Scripta Met. 1985. V.19, № 9. P.1059-1063.

221. Kong Q.P., Li Y. Investigation of the climb of extended dislocation during high-temperature creep//Phil. Mag. 1993. V. A68, № 1. P.113-119.

222. Stress relaxation in singl crystals of copper and aluminium /А.А. Ale, T.G. Abdel-Malik, A.M. Abdeen, N.M. Ellabany //Mater Sci. Eng. 1984. V.62, № 2. P.181-185.

223. Scithoff H. Change in steady-state deformation mechanism of F.C.C. metals at intermediate temperature //Z. Metallk. 1986. V.77, № 8. P.481-488.

224. González-Doncel G. , Wolfenstine Z. Pipe-diffusion controlled creep under constant structure of an aluminium al-loy//Phil. Mag. Lett. 1993. V.67, № 3. P.173-177.

225. Myshlaev M.M. Dislocation creep // Annual Review of Materials Science. 1981. V.ll, № 1. P.31-50.

226. Martin J.L. Subboundary propertiel and creep resistance //Phys. Chem. Solid State Appl. Metals and Compaund Prop. 37 int. Meet. Paris 19-23 Sept. 1983. Amsterdam. 1984. P.253-261.

227. Blum W. Dislocation models of plastic deformation of metals at elevated temperature // Z. Metallk. 1977. V.68, № 7. P.484-492.

228. Миллер К. Ползучесть и рарушение. М.: Металлургия, 1986. 120 с.24 0. Чадек И. Ползучесть металлических материалов. М.: Мир, 1987. 304 с.

229. Martin J.L. Creep of pure metals// Creep Behav. Cryst. Solids. Swansea. 1985. P.1-32.

230. Oikawa h., Langdom T.G. The creep characteristics of pure metals and metallic solid solution alloys // Creep Behav. Cryst. Solids. Swansea. 1985. P.33-82.

231. Виртман Дж. , Виртман Дж. П. Механические свойства, существенно зависящие от температуры // Физическое металловедение. М.: Металлургия, 1987, т.З. С.156-185.

232. Фрост Г.Дж., Эшби М.Ф. Карты механизмов деформации. М.: Металлурги, 1989. 325 с.

233. Goodhew P.J., Smith D.A. Grooving at grain boundary in thin films//Scripta Met. 1982. V.16, № 1. P.91-94.24 6. Колешко B.M., Белицкий В.Ф. Массоперенос в тонких пленках. Минск: Наука и техника, 1980. 296 с.

234. Гарбовицкая Т.Г., Гегузин Я.Е., Парицкая J1.H. Взаимная диффузия в тонкопленочных образцах "торцевого" типа с перекрытием (система Ag-Au)//ФММ. 1979. Т.47, № 6. С.1244-1251.

235. Lindborg U. A model for the spontaneous growth of zinc, cadmium and tin whiskers//Acta Met. 1976. V.24, № 2. P.181-186.

236. Gangulee A. Strain relaxation in lead thin films on substrates//Acta Met. 1974. V.22, № 2. P.177-183.

237. Murakami M. Thermal strain in lead thin films. II Strain relaxation mechanisms //Thin Solid Films. 1978. V.55, № 1. P.101-111.

238. Santoro C.J. Thermal cycling and surface reconstruction in aluminium thin films//J. Electrochemical Soc. 1969. V.116, № 3. P.361-364.

239. Pennebaker V.B. Hillock growth and stress relief in sputtered Au films//J.Appl. Phys. 1969. V.40, № 1. 394-400.

240. Lahiri K. Stress relief and hillock formation in thin lead films//J.Appl. Phys. 1970. V.41, № 7. P.3172-3176.

241. Rondy M., Aliotta C.F. Hillock growth in lead films by grain boundary sliding//Phyl. Mag. 1980. V.42, № 2, part 1. P.161-184.

242. Fu C.Y., Van Durer. Hillock growth on lead films upon cycling to cryogenic temperature//J. Vac. Sci. Thechnol. 1980. V.17, № 3. P.752-754.

243. Sharma S.K., Spitz J. Hillock formation, hole growth and agglomeration in thin silver films//Thin Solid Films. 1980. V.65, № 3. P.33-350.

244. Sharma S.K., Spitz J. Hillock growth and agglomeration in thin silver films//Thin Solid Films. 1979. V.61, № 2. P.L13-L15.

245. Chaudhari P. Hillock growth in thin films//J. Appl. Phys. 1974. V.45, № 10. P.4339-4346.

246. Гарбовицкая Т.Г., Гегузин Я.Е., Парицкая JI.H. Исследование эффекта Френкеля и Киркедалла в тонких поликристаллических пленках (система Си-М)//ФММ. 1976. Т.42, № 6. С.1214-1220.

247. Lindborg U. Observation on the growth of whisker crystals zinc electroplate//Met. Trans. 1975. V.6A, № 8. P.1581-1586.

248. Hillock growth kinetics in thin Pd-In-Au films/ J.C.M.Hwang, P.Chaudhari, C.J.Kircher, M.Murakami//Phil. Mag. 1986. V.A54, № 4. P.583-599.

249. Sharma S.К., Rao S.U.M., Marendra К. Hillock formation and agglomeration in silver films prepared by thermal evaporation//Thin Solid Films. 1986. V.142, № 1. P.L95-L98.

250. Formation de whiskers et de hillock sur la surfaces des couches minces de Cu/Sn /R.Halimi, E.M.Chpilevski, D.A.Gorbatchevski, С.A.Yazitchenko //Thin Solid Films. 1987. V. 150, № 2-3. 357-368.

251. Стрелков В.И., Васильев А.Д., Медикова A.M. Массопере-нос по границам зерен в полях диффузионно-концентрационных напряжений/ /ФиХОМ . 1986. № 2. С.102-105.

252. Васильев А.Д., Стрелков В.И. Массоперенос в металлических эпитаксиальных пленках в процессе взаимной диффузии//Тез. докл.XI Всесоюзной конф. по физике прочности и пластичности металлов и сплавов. Куйбышев: Политехнический институт, 1986. С.261-262.

253. Бекренев А.Н., Васильев А.Д. Массоперенос при гетеро-диффузии вдоль плоскости пленки в эпитаксиальных системах ГЦК металлов с неограниченной взаимной раствори-мостью//Металлофизика. 1989. Т.11, № 4. С.83-84.

254. Васильев А.Д., Стрелков В.И., Медикова A.M. Массоперенос по границам зерен под действием сжимающих напряжений // Тез. докл. XI Всесоюзной конф. по физике прочности и пластичности металлов и сплавов. Куйбышев: Политехнический институт, 1986. С.291-292.

255. Васильев А.Д. Массоперенос по дислокациям в полях на-пряжений//Физические проблемы импульсной обработки металлов и сплавов. Куйбышев: Политехнический институт, 1988. С.129-132.

256. Malis Т., Lloyd D.J., Tangri К. Dislocation generation from grain boundaries in nickel//Phys. Stat. Sol. 1972. V.ll(a), № 1. P.275-285.

257. Валиев P.3., Герцман В.Ю., Кайбышев О. А. Взаимодействие границ зерен с дислокациями и свойства металлов //Металлофизика. 186. Т.8, № 4. С.72-85.

258. Li J.C.M. Dislocation sources // Dislocat. Model, Phys. Syst. Proc. Conf. Gainesville Fba, June 22-27, 1980. 1981. P.498-518.

259. Кайбышев О.А., Валиев Р.З. Границы зерен и свойства металлов. М.: Металлургия, 1987. 214 с.

260. Varin R.A., Wyrzykowski J.M. In situ observation of dislocation generation from grain boundary in aluminium//Phys. Stat. Sol. 1978. V.46 A, № 1. P.K79-K81.

261. Murr L.E. Strain-induced dislocation emission from grain boundaries in stainteel steel//Mater. Sci. Eng. 1981 V.51, № 1. P.71-79.

262. Исследование взаимодействия дислокаций и границ зерен при деформации в электронном микроскопе/Р.З.Валиев, В.Ю.Герцман, О.А.Кайбышев, В.И.Сергеев//Металлофизика. 1983. Т. 5, № 2. С. 94100.

263. Sharma S.К., Spitz J. Void growth in thin silver films//Thin Solid Films. 1980. V.67, № 1. P.109-116.

264. Nakahara S., Mc Coy R.J. Kirkendalle void formation in thin films diffusion couples// Appl. Phys. Let. 1980. V.37, № 1. P.42-44.

265. Процессы взаимной диффузии в сплавах/ И.Б.Боровский, К.П.Гуров, И.Д.Марчукова, Ю.А.Угастэ. М.: Наука, 1973. 360 с.

266. Heumann Th., Rottwinteel Th. Measurement of the interdiffusion intrinsic and tracer diffusion coefficient in Cu-rich Cu-Au solid solution // J. Nucl. Mat. 1978. V.69&70, № 5. P.567-570.

267. Wuttig M., Birnbaum H.K. Self-diffusion along dislocation in nickel//Phys. Rev. 1966. V.147, № 2. P.495-504.28 6. Алехин В. П. Физика прочности и пластичности поверхностных слоев материалов. М.: Наука, 1983. 280 с.

268. Kenzi Kimura. Determination of stacking fault energies in silicon and nickel single crystals by channelling technique //J. Phys. Soc. Jap. 1983. V.52, № 3. P.895-904.

269. Benetedi A., Gulomb P. Measure of the stacking fault energies of FCC metals and alloys by tensile deformation of polycrystalline sample //Scripta Met. 1978. V.12, № 6. P.741-743.

270. Grampin S., Vvedensky D.D., Honnier R. Stacking fault energies of random metallic alloys//Phil. Mag. 1993. V. A67, № 6. P.1447-1457.2 90. Вишняков Я.Д. Дефекты упаковки в кристаллической структуре. М.: Металлургия, 1976. 215 с.

271. Gerlomb P. Estimation experimentale des energies dedeffaut d'empilement et de parol d'antiphase // J. Microsc. Spectrosc. Electron. 1978. V.3, № 3. P.295-303.