Ядерный квадрупольный резонанс и электронные свойства полупроводникового соединения CuAlO2 тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 01.04.10, кандидат наук Шмидт Станислав Владимирович

• Шмидт Станислав Владимирович
• кандидат наук
• 2021

Оглавление диссертации кандидат наук Шмидт Станислав Владимирович

Введение

Глава 1. Основы физики прозрачных проводящих оксидов с проводимостью р-типа (р-ППО)

1.1. Краткая история открытия прозрачных проводящих оксидов

1.2. Особенности электронной структуры прозрачных проводящих оксидов р-типа

1.3. Методы получения прозрачного проводящего оксида СиЛ1О2

1.4. Кристаллическая структура прозрачного проводящего оксида СиЛЮ2

1.5. Нестехиометрия и допирование р-ППО

1.6. Электрические свойства ППО -СиЛ1О2

1.7. Механизмы рассеяния зарядовых носителей

1.8. Оптические и магнитные свойства СиЛЮ2

1.9. Зонная структура полупроводникового соединения СиЛЮ2

1.10. Краткие выводы к главе

Глава 2. Методика эксперимента

2.1. Приготовление и кристаллическая структура образцов

2.2. Импульсные методы исследования сигналов ЯКР

2.3. Спектрометр ЯКР Теста§-Кеёв1:опе

2.4. Проточный азотный криостат ОРТСЯУО 198 М

2.5. Краткие выводы к главе

Глава 3. Ядерный квадрупольный резонанс 6365Си в СиАЮ2

3.1. Явление ЯКР (ядерный квадрупольный момент, градиенты электрического поля (ГЭП) в кристалле, уровни энергии и частоты переходов)

3.2. Спектр ЯКР 63'65Си в СиАЮ>2

3.3. Температурная зависимость частоты ЯКР 63Си в СиА102

3.4. Краткие выводы к главе

Глава 4. Исследования спин-решеточной релаксации ядерных спинов 6365Си в соединении СиАЮ2 методом ЯКР 63,65Си

4.1. Основы теории ядерной релаксации в полупроводниковых кристаллах

4.2. Особенности ядерной спин-решеточной релаксации изотопов ^^^ в полупроводниковом соединении СиЛ102

4.3. Температурная зависимость скорости спин-решеточной релаксации ядерных спинов в полупроводниковом соединении СиЛ102

4.4. Краткие выводы к главе

Основные результаты и выводы

Рекомендации и перспективы дальнейшей разработки темы

Список работ автора

Список литературы

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Ядерный квадрупольный резонанс и электронные свойства полупроводникового соединения CuAlO2»

Введение

Актуальность темы исследования и степень ее разработанности

В настоящее время большое внимание исследователей обращено на твердотельные термоэлектрические преобразователи энергии (ТПЭ), которые имеют целый ряд преимуществ перед традиционными электрическими генераторами. Высокая надежность, простота конструкции, отсутствие движущихся частей, бесшумность работы, возможность миниатюризации без потери эффективности являются важными преимуществами ТПЭ. Кроме того, их также можно использовать в холодильных агрегатах, так как преобразование энергии с их помощью возможно в обоих направлениях [1].

Однако для термоэлектрических преобразователей энергии характерно большое отрицательное свойство - малая эффективность. Для достижения высокой эффективности термоэлектрического преобразования необходимы материалы, которые будут одновременно иметь высокую удельную электропроводность (а) и низкую удельную теплопроводность (%), а также демонстрировать высокий коэффициент Зеебека (Б), для того, чтобы безразмерный параметр термоэлектрической добротности 7Т=Б2аТ/%, где Т - абсолютная температура, был максимален. Требуемое сочетание указанных физических свойств представляет большую редкость, поскольку сами свойства тесно связаны между собой. Термоэлектрические устройства могли бы совершить прорыв в решении целого ряда задач, если бы их добротность достигала значений 7Т=1.5-2.0. Поэтому поиску и исследованию новых термоэлектрических материалов с улучшенными параметрами уделяется в настоящее время особое внимание [2].

В последнее время интерес к разработкам ТПЭ заметно возрос и это связано в значительной степени с получением термоэлектрических материалов с наноразмерными элементами структуры и их синтезом с использованием методов нанотехнологий [3-6].

Известно, что в термоэлектрических преобразователях энергии в настоящее время используются в большинстве случаев полупроводниковые материалы на

основе теллурида висмута и теллурида свинца (Ы2Те3, РЬТе). Хотя их термоэлектрическую эффективность за последние годы и удалось заметно увеличить, но содержание в своем составе токсичных и редких элементов (РЬ, Те) сильно ограничивает практическое применение этих материалов [7-10].

В этой связи особый интерес вызвало обнаружение эффективных термоэлектрических свойств у полупроводникового соединения алюмината меди (СиЛ1О2), относящегося к группе прозрачных проводящих оксидов с электрической проводимостью дырочного типа (р-ППО). Хорошо известные и широко используемые ППО в основном имеют п-тип проводимости. Поэтому с точки зрения создания работающих структур, необходимо исследовать кристаллы с дырочным типом проводимости. Однако р-ППО соединения являются сравнительно новыми кристаллическими материалами и в настоящее время их свойства изучены значительно в меньшей степени по сравнению со свойствами прозрачных проводящих оксидов с проводимостью п-типа. Поэтому для получения эффективных термоэлектрических материалов на основе р-ППО требуется дальнейшее выяснение природы уникальных свойств этих соединений.

На сегодняшний день многие аспекты влияния параметров материала: химического состава, легирования, микро и наноструктуры - на термоэлектрические характеристики остаются неясными. В последние годы особое внимание в физике термоэлектрических материалов привлекают различные спиновые явления. В этом случае ключевую роль играют процессы спиновой релаксации. Поэтому исследователям в различных областях науки предстоит еще большая работа, прежде чем удастся создать материалы с высокой величиной термоэлектрической добротности на основе полупроводниковых р-ППО соединений. При этом основная роль отводится физическим исследованиям потому, что в первую очередь важно понять микроскопические свойства термоэлектрических материалов. Понимание этих свойств является необходимым условием направленного поиска новых материалов, необходимых для разработки более эффективных термоэлектрических преобразователей.

Следует отметить, что к моменту начала данного диссертационного исследования в научной литературе практически отсутствовали публикации по изучению ядерной спин-решеточной релаксации в полупроводниковом соединении СиЛ102. На основании вышесказанного можно утверждать об актуальности темы представленной диссертационной работы.

Цель и основные задачи

Целью настоящей диссертационной работы являлось исследование спин-решеточной релаксации ядерных спинов для получения сведений о зарядовых носителях в перспективном термоэлектрическом полупроводниковом соединении СиЛ102.

Для достижения поставленной в работе цели надо было решить следующие задачи:

1. Выполнить анализ существующих данных о физико-химических свойствах исследуемого полупроводникового соединения СиЛЮ2 и методах его получения.

2. Охарактеризовать полученные поликристаллические образцы полупроводникового соединения СиЛЮ2, методами спектроскопии ЯКР 63,65Си и рентгеновской дифракции.

3. Провести измерение спектра ЯКР 63,65Си в полупроводниковом соединении СиЛЮ2 в условиях слабой интенсивности сигналов и сравнительно широких резонансных линий.

4. Установить возможность использования экспериментальных результатов по спин-решеточной релаксации ядер обоих естественных изотопов меди (63Си и 65Си) для оценки транспортных характеристик зарядовых носителей в полупроводниковом соединении СиЛЮ2.

Научная новизна диссертационной работы заключается в следующем:

1. Впервые импульсным методом ЯКР 63,65Си детально исследована спин-решеточная релаксация ядерных спинов распространенных изотопов меди 63Си и 65Си в образце полупроводникового соединения СиЛ102.

2. Выявлены механизмы релаксации ядерных спинов естественных изотопов меди 63Си и 65Си в полупроводниковом соединении СиЛЮ2.

3. Проведена оценка по релаксационным данным транспортных характеристических параметров зарядовых носителей в исследованном полупроводниковом соединении СиЛ102.

Теоретическая и практическая значимость полученных результатов определяется широким применением прозрачных проводящих оксидов в термоэлектричестве, оптоэлектронике и полупроводниковой гелиоэнергетике. Полученные в диссертации результаты важны как для более глубокого понимания физических процессов, происходящих в исследованном соединении, так и для разработки новых устройств на основе прозрачных проводящих оксидов с проводимостью р-типа.

Методология и методы исследования

Объект исследования: поликристаллические образцы полупроводникового соединения СиЛ102.

Предмет исследования: особенности спин-решеточной релаксации ядерных

спинов изотопов меди 63Си и 65Си и характеристики зарядовых носителей в термоэлектрическом полупроводниковом соединении СиЛ102.

Методы исследования: импульсный метод ЯКР 63,65Си. Использование импульсного метода обусловлено тем, что спектры ЯКР Си в полупроводниковых соединениях со структурой делафоссита имеют широкие резонансные линии (~ 100 кГц) и исследование таких соединений невозможно без использования импульсных методов, которые характеризуются малой зависимостью начальной амплитуды сигналов квадрупольного спинового эха от ширины резонансных линий. Импульсные методы ЯКР позволяют наиболее удобно и точно проводить измерения релаксационных времен.

На защиту выносятся следующие положения и результаты:

1) Характеризация структурных свойств приготовленных образцов полупроводникового соединения СиЛ102 методом спектроскопии ЯКР 63,65Си

(спектральные параметры: частоты, ширина и форма резонансных ЯКР линий) и методом рентгеновской дифракции.

2) Детальное изучение скорости ядерной спин-решеточной релаксации для двух естественных изотопов меди 63Cu и 65Cu в полупроводниковом соединении CuAlO2. При комнатной температуре и температуре жидкого азота выполнено разделение магнитного и квадрупольного вкладов в скорость ядерной спин-решеточной релаксации для обоих изотопов меди.

3) Оценка характеристических параметров зарядовых носителей: концентрации зарядовых носителей (дырок) (n-5-1018 см-3) и их подвижности (^-1,2 см2/Вс) на основе экспериментальных данных, полученных при измерении скорости спин-решеточной релаксации изотопов меди 63Cu и 65Cu в соединении CuAlO2.

4) Экспериментальное исследование температурной зависимости скорости спин-решеточной релаксации и формы линии ЯКР ядер изотопа меди 63Cu в полупроводниковом соединении CuAlO2 в температурном диапазоне 77-374 К. В области низких температур получена энергия активации подвижных зарядовых носителей (дырок) (Е - 0.190 эВ).

Достоверность полученных результатов определяется тем, что они получены с помощью надежных современных методик, хорошо воспроизводятся и подтверждаются сравнительным анализом экспериментальных данных с результатами теоретических расчетов, а также имеющимися литературными данными для родственных полупроводниковых соединений с кристаллической структурой делафоссита.

Личный вклад автора

Постановка задач диссертационной работы и обсуждение результатов исследований проводились совместно с научным руководителем работы доцентом Р.Р. Хуснутдиновым. Самостоятельно сделаны эксперименты по измерению времен спин-решеточной релаксации. Совместно с к.ф.-м.н. Шульгиным Д. А. были получены образцы исследованных соединений. Низкотемпературные исследования выполнялись совместно со старшим научным сотрудником

Института физики металлов имени М.Н. Михеева УрО РАН к.ф.-м.н. Оглобличевым В.В. Автор принимал участие в анализе и интерпретации полученных экспериментальных данных, а также в подготовке результатов работы к печати и оформлении статей.

Апробация работы. Основные результаты работы докладывались и обсуждались на VII и VIII Молодежной международной научной конференции «Тинчуринские чтения» (Казань, 2012, 2013, 2018), XVIII Всероссийской конференции «Структура и динамика молекулярных систем» (Яльчик, 2012), 14 и 15 Международных форумах по термоэлектричеству (Москва, 2011; Таллин, 2013), 1 Всероссийской научной конференции «Наноструктурированные материалы и устройства для солнечных элементов 3-го поколения» (Чебоксары, 2013), Международной конференции «Функциональные материалы ICFM-2013» (Партенит, Украина, 3013), VI Международная школа с элементами научной школы для молодежи «Физическое материаловедение» (Тольятти, 2013). X Всероссийская конференция молодых ученых «Наноэлектроника, нанофотоника и нелинейная физика», NNNPH-20015 (Саратов, 2015), 16 Международной конференции молодых ученых «Magnetic resonance and its applications Spinus 2019» (Санкт-Петербург 2019).

Публикации. Основное содержание диссертации изложено в 11 публикациях: 5 статьях в журналах, индексируемых в международных базах данных Web of Science и SCOPUS и входящих в перечень ВАК, глава в монографии и 5 в материалах докладов международных научных конференций.

Структура и объем диссертации. Диссертация состоит из введения, четырех глав, заключения и списка цитируемой и авторской литературы, включающего 104 наименований. Работа изложена на 120 страницах машинописного текста, содержит 32 рисунка и 4 таблицы.

Во введении кратко обосновываются выбор темы исследования и ее актуальность, определяется основная цель диссертационной работы и ее задачи. Кратко излагается содержание работы, и формулируются основные результаты и положения, выносимые на защиту.

В первой главе содержится краткий литературный обзор по теме диссертационной работы. В этой главе кратко описаны как история открытия прозрачных проводящих оксидов, так и их основные электрофизические свойства.

Во второй главе рассмотрена методика эксперимента. Приведены результаты работы по получению методом твердофазного синтеза образцов полупроводникового соединения СиЛ102, обработки и подготовки образцов к измерениям. Дано описание экспериментальной аппаратуры - многоимпульсного ЯКР спектрометра Теста§-Кеёв1:опе, на котором были выполнены основные эксперименты по измерению спектральных и релаксационных параметров ЯКР 63,65Си. Рассмотрены методики измерения параметров спектров ЯКР 63,65Си и в этой же главе дано описание азотного потокового криостата, используемого в низкотемпературных ЯКР измерениях.

В третьей главе основное внимание уделено результатам экспериментального исследования образцов полупроводникового соединения СиЛ102 методом спектроскопии ЯКР 63,65Си. На основании полученных результатов сделаны выводы.

В четвертой главе приведены результаты изучения особенностей процессов ядерной спин-решеточной релаксации распространенных, естественных изотопов меди 63Си и 65Си в полупроводниковом соединении СиЛЮ2. Проведен анализ полученных результатов и представлены выводы.

В заключении диссертационной работы подводится итог проведенным исследованиям, и перечислены основные результаты и выводы.

Диссертационная работа выполнялась на кафедре физики Казанского государственного энергетического университета.

11

ГЛАВА 1

ОСНОВЫ ФИЗИКИ ПРОЗРАЧНЫХ ПРОВОДЯЩИХ ОКСИДОВ С ПРОВОДИМОСТЬЮ Р-ТИПА (Р-ППО)

1.1. Краткая история открытия прозрачных проводящих оксидов

Оптическая прозрачность и электрическая проводимость могут сосуществовать в особом классе полупроводников. Этими уникальными материалами являются прозрачные проводящие оксиды (ППО) - прямозонные полупроводниковые соединения, которые пропускают излучение видимого спектра из-за своей широкой запрещенной зоны [11]. Впервые сосуществование электрической проводимости и оптической прозрачности было обнаружено на полученных тонких пленках оксида кадмия (CdO) [12]. Путем допирования ППО соединений имеется возможность контролировать их электрическую проводимость. При высоком уровне концентрации допантов полупроводники становятся вырожденными, и их проводимость ограничивается рассеянием зарядовых носителей. Кроме того, оптические свойства ППО соединений в сильной степени зависят от концентрации допантов. Оба основных параметра - величина энергетической щели и плазменная частота существенно изменяются с плотностью зарядовых носителей.

Среди ППО соединений с р-типом проводимости в первую очередь следует отметить полупроводниковое соединение CuA102, обладающее низким электрическим сопротивлением и высокой прозрачностью в видимом диапазоне спектра. Это соединение, будучи известным сравнительно давно, в последнее время вновь привлекает к себе большое внимание многих исследователей: возобновление интереса к СиА102произошло в 1997 году, когда в журнале Nature вышла статья японского исследователя Кавазое (Kawazoe) с соавторами, в которой сообщалось о получении методом импульсного лазерного осаждения прозрачной, высоко проводящей оксидной пленки CuAlO2 с проводимостью р - типа [13]. В том же номере Nature была напечатана работа Томаса (Thomas),

Рис. 1.1. Электронная зонная щель для прозрачности (an electronic bandgap

designed for transparency) [14]

в которой на основе результатов работ Кавазое обсуждалась перспектива создания перспектива создания так называемых невидимых электронных цепей, дающих новое применение проводящим оксидным материалам, которые до этого использовались только в качестве пассивных элементов электронных схем [14]. Электронная зонная щель для прозрачности ППО соединений приведена на рис. 1.1. С тех пор количество публикаций, посвященных полупроводниковому соединению СиА102, постоянно растет [15-20].

1.2. Особенности электронной структуры прозрачных проводящих оксидов

р-типа

Известно, что большинство существующих ППО соединений имеют проводимость п-типа, а в получении ППО соединений с проводимостью р-типа имеются значительные трудности. Возможная причина такого положения была отмечена Кавазое, который указал на важное значение особенностей электронной

структуры металлических оксидов, приводящих к сильной локализация дырок (они могут быть сформированы допированием соединения или получением нестехиометрического материала) на 2р уровнях кислорода или на вершине валентной зоны, что обусловлено высокой электроотрицательностью кислорода, т. е. эта локализация вызвана высокой ионностью металлических оксидов [21]. Кислородные 2р-уровни расположены значительно ниже валентных орбиталей металлических атомов, что приводит к образованию глубокого акцепторного уровня. Другими словами, дырки имеют высокую вероятность оказаться вблизи кислородных атомов. Следовательно, носителям заряда требуется сравнительно большая энергия, для того чтобы они смогли преодолеть высокий барьер и мигрировать в пределах кристаллической решетки. Все это приводит к плохой проводимости и низкой дырочной подвижности.

Первая проблема состояла в поиске путей уменьшения высокой локализации дырок в валентной зоне оксидных материалов. Эта локализация обусловлена большой ионностью металлических атомов. Возможным решением проблемы могло бы быть введение определенной степени ковалентности в металл-кислородные связи, необходимой для образования расширенной валентно-зонной структуры. Это явилось существенной характеристикой предложенного подхода для получения ППО с проводимостью р-типа, а сам предложенный метод получил название химической модуляции валентной зоны (ХМВЗ).

Следующее требование состояло в выборе соответствующих катионов для метода ХМВЗ. Исследования показали, что необходимым требованиям удовлетворяют ионы одновалентной меди Си+ (3ё10заполненная оболочка) и ионы Л§+ (4ё10заполненная оболочка). На рис. 1.2 показана схема метода ХМВЗ. Обе атомные орбитали заполнены электронными парами и результирующий антисвязывающий уровень становится наивысшим заполненным уровнем, т.е. краем валентной зоны.

Следует отметить также структурные особенности рассматриваемых полупроводниковых соединений. Тетраэдрическая координация оксидных ионов имеет определенное преимущество для р-типа проводимости, поскольку она

благоприятствует уменьшению локализации 2р электронов [21]. Валентное состояние оксидных ионов может быть представлено как Бр3. Восемь электронов (включая 2б2) оксидного иона распределены по четырем Б-связям с ближайшими катионами. Эта электронная конфигурация уменьшает несвязывающий характер оксидных ионов, что и будет приводить к увеличению делокализации дырок в валентной зоне.

Рис. 1.2. Схематическая диаграмма метода ХМВЗ

Валентная зона и зона проводимости разделены запрещенной зоной с энергетической шириной Её. В совершенном кристалле эта зона не содержит энергетических уровней и в кристалле электроны с энергиями, соответствующими запрещенной зоне, находиться не могут. Для того, чтобы валентный электрон стал

электроном проводимости, он должен быть возбужден электромагнитным облучением, если энергия кванта излучения Ьу>Её. Если же величина щели больше 3.1 эВ (энергия голубого фотона-верхний край видимого спектра) материал будет прозрачным. Реальные кристаллы всегда содержат дефекты (вакансии, атомы в междоузлиях и т.д.). Дефекты обычно локализованы в координатном и энергетическом пространстве (волновые функции дефектов не распространяются на весь кристалл), поэтому для них характерно существование дискретных уровней, которые попадают в запрещенную зону. Электроны, находящиеся у потолка валентной зоны, получают возможность переходить на эти уровни, что приводит к возбуждению дырок (рис. 1.1). Таким образом, наличие дефектов может привести к смещению уровня Ферми и соответственно к изменению проводимости кристалла относительно собственной. Следует отметить, что концентрация дефектов в кристаллах в значительной степени определяется технологией их выращивания.

1.3. Методы получения прозрачного проводящего оксида СиАЮ2

ППО соединения с проводимостью р-типа могут быть получены различными методами. Одним из этих методов является метод импульсного лазерного осаждения. Его суть заключается в следующем: исходная мишень ППО располагается внутри вакуумной камеры и с помощью лазерного излучения определенной частоты и мощности испаряется небольшое количество вещества, а затем проводится его осаждение на подложку. Для исключения перегрева и расплавления мишени излучение лазера происходит в импульсном режиме (длительность лазерного импульса порядка нескольких десятков наносекунд). Было установлено, что при изготовлении ППО покрытий методом импульсного лазерного осаждения главными параметрами, влияющими на физические свойства пленок, являются давление кислорода в вакуумной камере и температура подложки при осаждении [22-25].

Другим из широко применяемых методов получения соединения CuAlO2 является метод магнетронного напыления [26-28]. Используют, как правило, напыление на постоянном токе, радиочастотное магнетронное напыление и реактивное магнетронное напыление. В первом случае на катод мишени прикладывают постоянный потенциал и распыление мишени происходит при постоянном токе инертного газа. В случае радиочастотного магнетронного напыления подают с определенной частотой переменный по знаку электрический потенциал на электрод мишени. В реактивном магнетронном напылении применяют реактивную газовую смесь (обычно смесь Ar + O2) во время распыления металлической мишени. Этот метод напыления используется для получения определенной стехиометрии оксидной пленки через соотношения инертного и реактивного газа.

ППО соединение CuAlO2 получают не только физическими, но и химическими методами, а также их комбинациями. В последние годы разработан большой набор химических методов получения прозрачных проводящих оксидов. Одним из них является химическое осаждение паров - сИешка1 vapor deposition (CVD). Метод состоит из химической реакции, происходящей на поверхности нагретой подложки, с участием газообразных реагирующих веществ. Основными технологическими параметрами метода являются: температура подложки, газовый поток, состав газообразной реагирующей смеси, общее давление при осаждении и геометрия рабочей установки [28]. Методом химического осаждения из газовой фазы можно получить достаточно большое количество высококачественных прозрачных проводящих оксидов. Синтез образцов прозрачных Cu-Al-O пленок р-типа методом CVD был выполнен в работе Гонга с соавторами [29].

Другим сравнительно распространенным химическим методом получения большого набора функциональных тонких пленок, включая как простые, так и сложные ППО, является золь-гель метод. Благодаря своей экономичности и универсальности по отношению к исходным компонентам этот метод является одни из наиболее технологических способов получения ППО материалов. Процесс получения тонкопленочных ППО образцов при помощи золь-гель метода состоит

из нескольких этапов. На первом этапе подготавливается прекурсионный раствор, а затем этот раствор переводят в каллоидальный раствор (золь). После этого, коллоидальный раствор преобразуют в гелеобразную форму и с помощью специального устройства наносят его на определенную подложку. Этим методом проведен синтез нанокристаллических образцов CuA102 в работе [30].

Таким образом, в настоящее время для получения полупроводникового соединения CuA102 применяют как физические, так и химические методы синтеза прозрачных проводящих оксидов. Из всего набора разработанных методов нами лишь кратко упомянуты методы, которые широко распространены и интенсивно используются. Следует отметить, что другие методические способы синтеза Р-ППО, как правило, основываются на вышеуказанных методах.

1.4. Кристаллическая структура проводящего оксида CuAlO2

Полупроводниковое соединение CuA102 относится к семейству оксидов с кристаллической структурой типа делафоссита, которые имеют химическую формулу MIMIII02, где M1 - одновалентные катионы такие как Cu+, Ag+, Pd+, Pt+, ... и Мш - трехвалентные катионы такие как A1+3, Ga+3, In+3, Сг+3, Fe+3, Co+3, Y+3, La+3, Sc+3,... [31]. Общий вид кристаллической структуры типа делафоссита показан на рис. 1.3. Данные по кристаллической структуре соединения CuA102 приведены в таблице 1.1. Делафоссит - это минерал основного состава CuFeO2, имеет ромбоэдрическую структуру с пространственной группой (D3d - R-3m). В элементарной ромбоэдрической ячейке содержится одна формульная единица (Z = 1), в гексагональной установке Z = 3. Минерал впервые обнаружен на Урале в Екатеринбургской губернии и назван в честь французского минералога и кристаллографа XIX века Ж. Делафоса (Gabrie1 Delafosse, 1796-1878).

Рис. 1.3. Кристаллическая структура типа делафоссита

Таблица 1.1. Кристаллические данные для CuA102 [32-35]

Система - Ромбоэдрическая Пространственная группа - R3^(D3d) a = 2.858 Á = b, c = 16.958 Á a= 28.1о = p Cu-O = 1.86 Á, Al-O = 1.91 Á, Cu-Cu = 2.86 Á

Особенностью структурного типа делафоссита является наличие слоев Си1+ (аЬ - плоскость), которые чередуются со слоями из совмещенных по ребрам октаэдров М0б, образованных катионами М и кислородом О. Октаэдры ориентированы вдоль с оси кристаллической структуры. Другая особенность структуры состоит в том, что каждый ион меди Си1+ находится в двойной координации с кислородом, формируя «гантелеподобную» структуру, которая связана с МОб октаэдром [32-33]. Слоистая структура уменьшает Си - Си взаимодействия и приводит к заметному увеличению величины запрещенной зоны по сравнению с оксидом одновалентной меди Си20, который также относится к полупроводникам р-типа, но является изотропным соединением со значением щели Её = 2.1 эВ. Анизотропное геометрическое расположение атомов в структуре соединения СиЛ102 (полупроводник р-типа) должно привести к анизотропным транспортным и оптическим свойствам.

Список литературы диссертационного исследования кандидат наук Шмидт Станислав Владимирович, 2021 год

СПИСОК ЛИТЕРАТУРЫ

1. Иоффе, А.Ф. Энергетические основы термоэлектрических батарей из полупроводников // А.Ф. Иоффе. М.-Л.: АН СССР. - 1950. - C. 342.

2. Дмитриев, А.В., Звягин И.П., Современные тенденции развития физики термоэлектрических материалов //Успехи физических наук. - 2010. - Т. 180. - С. 821-838.

3. Анатычук, Л.И. Термоэлектричество. Термоэлектрические преобразователи энергии / Л.И. Анатычук - Киев, Черновцы: Институт термоэлектричества. - 2003. - С. 376.

4. Hicks, L.D., Dresselhaus M.S. Effect of quantum-well structures on the thermoelectric figure of merit / L.D. Hicks, M.S. Dresselhaus // Phys. Rev. B. - 1993. -V. 47 - P. 12727-12731.

5. Dresselhaus, M.S., Dresselhaus G., Sun X., et al. Low-dimensional thermoelectric materials // Phys. Solid State. - 1999. - V. 41. - P. 679-682.

6. Dresselhaus, M.S., Chen G., Tang M.I., Yang R., Lee H., Wang D., Ren Z., Fleurial, J-P, Gagna P. New Directions tar Low-Dimentional Thermoelectric Matetrials // Adv. Mater. - 2007. - V. 19. - P. 1043-1053.

7. Poudel, B., Hao Q., Ma Y., Lan X.Y., Minnich A., Yu B., Yan X., Wang D.Z., Muto A., Vashaee D., Chen X.Y., Liu J.M., Dresselhaus M.S., Chen G., Ren Z.F. High-Thermoelectric Perfomance of Nanostructured Bismuth Antimony Telluride Bulk Alloys // Science. - 2008. - V. 320. - № 5876. - P. 634-638.

8. Булат, Л.П., Драбкин И.А., Освенский В.Б., Пивоваров Г.И. Объемные наноструктурные термоэлектрики на основе теллурида висмута // Термоэлектричество. - 2008. - № 4. - С. 27-33.

9. Bulat, L.P., Bublik V.T., Drabkin I.A., Karataev V.V., Osvenskii V.B., Parkhomenko Yu.N., Pivovarov G.I., Pshenai-Severin D.A., TabachkovaN.Yu. Nanostructured Polycrystalline p-Bi-Sb-Te Thermoelectrics Obtained by Mechanical Activation Method with Hot pressing // Electronic Mater. - 2010. - V. 39. - № 9. - P. 1650-1653.

10. Шульгин, Д.А., Матухин В.Л., Шмидт С.В. Наноструктурированные материалы в термоэлектричестве // Казань, Казанский государственный энергетический институт. Монография «Наноматериалы и нанотехнологии в энергетике»- 2014, том 2, стр. 162-176.

11. Chopra, K.L. Transparent conductors - Astatus review / K.L. Chopra, S. Major, D.K. Pandya // ThinSolidFilms. - 1983.- V. 102.- P. 1-46.

12. Bädeker, K. Über die elektrischeLeitfähigkeit und die thermoelektrische Kraft einiger Schwermetal Verbindungen / K. Bädeker // Annalen Der Physik, Vol. 22, No. 4, March 1907, pp. 749-766.

13. Kawazoe, H. P-type electrical conduction in transparent thin films of CuAlO2 / Kawazoe H, Yasukawa M, Hyodo H, Kurita H., Yanagi H. and Hosono H. //Nature. - 1997. - V. 389 (45). - P. 939.

14. Thomas, G. Materials science: Invisible circuits. /Thomas G. //Nature. -1997. - V. 389 (45). - P. 907.

15. Tate, J. Origin of p-type conduction insingle-crystal CuAlO2 /J. Tate, H. L. Ju, J. C. Moon, A. Zakutayev, A. P. Richard, J. Russell, and D. H. McIntyre //Phys.Rev. B. - 2009. - V. 80 (16). -P. 165206.

16. Dura, O.J. Transport, electronic, and structural properties of nanocrystalline CuAlO2delafossites / O.J. Dura, R. Boada, A. Rivera-Calzada, C. Leon, M.A. Lopez de la Torre, and J. Chaboy // Phys. Rev. B. - 2011. - V. 83. - P. 45202.

17. Dittrich, Th. Photovoltage characterization of CuAlO2 crystallites. / Th. Dittrich, L.Dloczik, T. Guminskaya, M.Ch. Lux-Steiner, N. Grigorieva and I. Urban // Appl. Phys. Lett. - 2004.- V. 85(5). - P. 742.

18. Banerjee, A. N. Fabrication and characterization of all-oxide heterojunction p-CuAlO2+x/n-Zn1-xAlxO transparent diode for potential application in "invisible electronics'TBanerjee A. N., Nandy S., Ghosh C. K., Chattopadhyay K.K. //Thin Solid Films - 2007. - V.515. - P.7324.

19. Chi, C.T. Bandgap tuning of MgZnO in flexible transparent n+-ZnO:Al/n-MgZnO/p-CuAlOx:Ca diodes on polyethylene terephthalate substrates / Chi C.T., Cheng I. C., Chen J. Z. // J. Alloys Compd. - 2012. - V.544. - P. 111.

20. Banerjee, A. N. Quantum size effect in the photoluminescence properties of p-type semiconducting transparent CuAlO2 nanoparticles / Banerjee A. N, Joo S. W., Min B. K. // J. Appl. Phys. - 2012. - V. 112 (11). - P. 114329.

21. Kawazoe, H. Transparent p-type conductive oxides: design and fabrication of p-n heterojunctions. / H. Kawazoe, H. Yanagi, K. Ueda, H. Hosono. // MRS Bull. -2000.- P.28.

22. Deng, Z. The influence of growth temperature and oxygen on the phase compositions of CuAlO2 thin films prepared by pulsed laser deposition /ZanhongDenga, Xiaodong Fang a, Ruhua Tao a, Weiwei Donga, Da Lia, Xuebin Zhu // Journal of Alloys and Compounds. - 2008. - V. 466, - P. 408.

23. Stauber, R.E. Thin Film Growth of Transparent p-type CuAlO2 / R.E. Stauber, J.D. Perkins, P.A. Parilla and D.S. Ginley // Electrochem. Solid State Lett. -1999. - V.2. - P. 654-656.

24. Yanagi, H. Electronic structure and optoelectronic properties of transparent p-type conducting CuAlO2 / H. Yanagi, S. Inoue, K. Ueda, H. Kawazoe and H. Hosono// Journal of Applied Physics. - 2000.- V.88, - P. 4159.

25. Neumann-Spallart, M.PLD growth of CuAlO2 / Neumann-Spallart M., Pai S. P., Pinto R. //Thin Solid Films. - 2007. - V. 515. - P. 8641-8644.

26. Shy, J.H. Characterization of CuAlO2 thin film prepared by rapid thermal annealing of an Al2O3/Cu2O/ sapphire structure./J.H. Shy, B.H. Tseng/Journal of Physics and Chemistry of Solids -2005. - V.66.- P. 2123-2126.

27. Shy, J.H. A novel method for preparing CuAlO2 thin films and the film properties. / J.H. Shy, B.H. Tseng // Journal of Physics and Chemistry of Solids. -2008. - V.69. - P.547-550.

28. Тамбасов, И. А. Тонкие In2O3, Fe-In2O3 и Fe3O4-ZnO пленки, полученные твердофазными реакциями: дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.07 /Тамбасов Игорь Анатольевич.- Красноярск, 2014.- 116 с.

29. Gong, H. Nanocrystalline p-type transparent Cu-Al-O semiconductor prepared by chemical vapor deposition with Cu(acac)2 and Al(acac)3 precursors./ H. Gong, Y. Wang and Y. Luo.//Appl. Phys. Lett.- 2000.- V. 76. - pp. 3959-3961.

30. Ghosh, C.K. Preparation of nanocrystalline CuAlO2 through sol-gel route./

C. K. Ghosh, S. R. Popuri, T. U. Mahesh and K. K.Chattopadhyay.// J. Sol-Gel Sci. Technol.- 2009.- V.52.- pp. 75-81.

31. Shannox, R.D. Chemistry ofNoble Metal Oxides. I. Syntheses and Properties of ABO2, DelafossiteComounds / R. D. Shannox, D. B. Rogers and C. T. Prewitt // Inorg. Chem. -1971.- V.10.- P.713-718.

32. Kohler, B.U. Darstelling und Strukturdaten von "Delafossiten" CuM02 (M=Al,Ga,Sc,Y) /Kohler B.U., Jansen M. // Z. Anorg. Allg. Chem.-1986.B. - V.543. P.73-80.

33. Ishiguro, T. Single-crystal growth and crystal structure refinement of CuAlO2. /Ishiguro T., Kitazawa A., Mizutani N., Kato M. // J. Solid State Chem.-1980.-V.40.-P.170-174.

34. Benko, F. A. Opto-Electronic Properties of CuAlO2 /Benko F. A., Koffyberg F. P. // J. Phys. Chem. Solids. - 1984.- V.45 P. 57-59.

35. Shannon, R.D. Chemistry of noble metal oxides. III. Electrical transport properties and crystal chemistry of ABO2 compounds with the delafossite structure. / R.

D. Shannon, D. B. Rogers, C.T. Prewitt, J. L. Gillson. // Inorg. Chem.- 1971.- V.10 (4).-P. 723-727.

36. Calnan, S. High mobility transparent conducting oxides for thin film solar cells./ S. Calnan, A.N. Tiwari // Thin Solid Films. - 2010.- T. 518, №№ 7. - C. 1839-1849.

37. King, P.D.C. Conductivity in transparent oxide semiconductors / P.D.C. King, T.D. Veal // Journal of Physics-Condensed Matter. - 2011.- T. 23, № 33.

38. Koumoto, K. Thermoelectric properties of single crystal CuAlO2 with a layered structure./K. Koumoto, H. Koduka, and W.S. Seo. // J. Mater. Chem. - 2001.- V. 11.- P. 251-252.

39. Banerjee, A.N. P-type Transparent Semiconducting Delafossite CuAlO2 Thin Films: Promising Material for Optoelectronic Devices and Field-Emission Displays. / Banerjee A.N., Chattopadhyay K. // In: Materials Science Research Trends, Nova Science Publishers, Inc. -2007.- P.1-116.

40. Lalic, M.V. Changes induced by the presence of Zn or Ni impurity at Cu sites in CuAlO2delafossite. / Lalic M.V., FilhoJ.M.,Carbonari A.W., Saxena R. N. // Solid State Communication - 2003.- V.125.- P. 175-178.

41. Lalic, M.V. Influence of Cd impurity on the electronic properties of CuAlO2 delafossite: first-principles calculations./Lalic M.V., Filho J.M., CarbonariA.W., Saxena R. N., Moralles M. // J. Phys. Condens. Matter - 2002.- V.14.- P. 5517.

42. Shahriari, D.Y.A High-Yield Hydrothermal Preparation of CuAlO2 /Shahriari D.Y, Barnabe A., Mason T.O., Poeppelmeier K. P. // Inorg. Chem.-2001. - V. 40.- P. 5734-5735.

43. Tate, J. P-Type oxides for use in transparent diodes./Tate J., Jayaraj M. K., Draeseke A. D., UlbrichT., Sleight A. W., Vanaja K. A., Nagrajan R., Wager J. F., Hoffman R. L. // Thin Solid Films.-2002. - V. 411.- P.119.

44. Ueda, K. Epitaxial growth of transparent p-type conducting CuGaO2 thin films on sapphire (001) substrates by pulsed laser deposition. Ueda, K.; Hase, T. /Yanagi, H.; Kawazoe, H.; Hosono, H.; Ohta, H.; Orita, M.; Hirano. M. // J. Appl. Phys. - 2001.-V. 89.- P. 1790-1793.

45. Rogers, D.BChemistry of noble metal oxides. III. Electrical transport properties and crystal chemistry of ABO2 compounds with the delafossite structure./ Rogers D. B., Shannon R. D., Prewitt C. T., Gilson J. L.// Inorg. Chem.-1971.-V.10.- P.719-723.

46. Hiroshi, Y. Bipolarity in electrical conduction of transparent oxide semiconductor CuInO2 with delafossite structure. / Hiroshi Yanagi, Tomomi Hase, ShuntaroIbuki, Kazushige Ueda and Hideo Hosono// Appl. Phys. Lett. - 2001.- V.78.-P.1583-1585.

47. Yanagi, H. Fabrication of all oxide transparent p-n homojunction using bipolar CuInO2 semiconducting oxide with delafossite structure./Yanagi, H.; Ueda, K.; Ohta, H.; Orita, M.; Hirano, M.; Hosono, H. //Solid State Comm. -2001.- V.121.- P. 1517.

48. Nagarajan, R. P-type conductivity in CuCr1-xMgxO2 films and powders./ R. Nagarajan, A.D. Draeseke, A.W. Sleight, J. Tate.// J. Appl. Phys. - 2001.- V.89.- P. 8022.

49. Jayaraj, M. K. P-type transparent thin films of CuY1-xCaxO2./Jayaraj M. K., Draeseke A. D., Tate J. Sleight A.W.//Thin Solid Films -2001.- V. 397.- P. 244.

50. Nagarajan, R.P-type conductivity in the delafossite structure./R. Nagarajan, N. Duan, M. K. Jayaraj, J. Li, K.A. Vanaja, A. Yokochi, A. Draeseke, J. Tate, and A.W. Sleight. // International Journal of Inorganic Materials - 2001.- V.3.- P. 265-270.

51. Mott, N. F. The transition to the metallic state. / Mott N. F.// Philos. Mag.-1961.- Vol. 6. - P. 287-309.

52. Dingle, R. B. Scattering of electrons and holes by charged donors and acceptors in semiconductors./ R.B. Dingle.// Philos. Mag.- 1955.- V. 46. - P. 831.

53. Moore, E.J. Quantum-Transport Theories and Multiple Scattering in Doped Semiconductors. II. Mobility of n-type Gallium Arsenide./ Moore E.J.//Phys. Rev.-1967.-V.160.- P. 618.

54. Seto, J.Y. The electrical properties of polycrystalline silicon films. / Seto J. Y.// J. Appl. Phys. -1975.- V. 46. - P. 5247.

55. Petritz, R.L. Theory of Photoconductivity in Semiconductor Films./Petritz R. L.// Phys. Rev. -1956.- V.104.- P. 1508.

56. Pisarkiewicz, T. Scattering of charge carriers in transparent and conducting thin oxide films with a non-parabolic conduction band. / PisarkiewiczT., Zakrzewska K., Leja E. // Thin Solid Films.-1989.- V.174.- P.217.

57. Kulkarni, A.K. Estimation and verification of the electrical properties of indium tin oxide based on the energy band diagram. / Kulkarni A. K., Knickerbocker S. A.// J. Vac. Sci. Technol. A. - 1996.- V. 14. - P. 1709-1713.

58. Frank, G. Electrical Properties and Defect Model of Tin-Doped Indium Oxide Layers. / Frank G.,Kostlin H. // Appl. Phys. - 1982.- V. A 27.- P. 197-206.

59. Noguchi, S. Electrical properties of Sn-doped M2O3 prepared by reactive evaporation. / Noguchi S., Sakata H. // J. Phys. D: Appl. Phys. - 1981.- V.14. - P.1523.

60. Ellmer, K. Resistivity of polycrystalline zinc oxide films: current status and physical limit. / Ellmer K. // J. Phys. D: Appl. Phys. - 2001. - V. 34.-P. 3097.

61. Грудман, М. Основы физики полупроводников. /М. Грудман М.: Физматлит, 2012.-778 c.

62. Шульгин, Д. А. Особенности электронной структуры и динамические свойства полупроводникового соединения CuAlO2: дис. ... канд. физ.-мат. наук: 01.04.10 / Шульгин Дмитрий Анатольевич. - Казань, 2013. - 110 с.

63. Шмидт, С.В. Получение и свойства прозрачного полупроводникового оксида CuAlO2 / Д.А. Шульгин, М.Н. Бадретдинов, С.В. Шмидт, В.Л. Матухин // Сборник материалов VI Международной школы с элементами научной школы для молодежи «Физическое материаловедение». Тольятти: ТГУ.-2013.- С.116-117.

64. Кульбачинский, В.А. Структура и свойства полупроводниковой керамики CuAlO2, синтезированной из прекурсоров с различной валентностью меди / В.А. Кульбачинский, В.Г. Кытин, Д.Ю. Кондратьев, А.Н. Григлорьев, А.А. Каменев, В.А. Амеличев, И.Е. Корсаков // Международный журнал прикладных и фундаментальных исследований. 2017. №1. С. 223-227.

65. Bloom, M. Free Magnetic Induction in Nuclear Quadrupole Resonance / Bloom, E.L. Hahn, B. Herzog // Phys. Rev. - 1955 - v.97 - P. 1699 - 1709.

66. Hahn, E.L. Spin-echoes / E. L. Hahn // Phys. Rev. - 1950 - V. 80 - P. 580594.

67. Fukushima, E. Experimental pulse NMR: a nuts and bolts approach / E. Fukushima, S.B. Roeder-Massachusetts: Addison-Wesley publishing company, Inc, 1981. 539 P.

68. Дероум, Э. Современные методы ЯМР для химических исследований / Э. Дероум; пер. с англ. под ред. Ю.А. Устынюка М.: Мир,1992 .- 403 с.

69. Леше, А. Ядерная индукция / А. Леше М.: Изд. иностр. литературы, 1963.- 684 с.

70. Гольдман, М. Спиновая температура и ЯМР в твердых телах / М. Гольдман; пер. с англ. подред. Г.В. Скроцкого М.: Мир, 1972.- 342 С.

71. Dehmelt, H.G. Kern quadrupol frequenzen infestem DiеЫorg;thylen /H.G. Dehmelt, H. Kruger // Naturwiss. 1950. - V.37.-P.111 - 112.

72. Das, T.P., Hahn, E.L. Solid State Supplements Nuclear Spectroscopy. -N.Y.,Acadamic Press, 1958.

73. Dehmelt, H. Nuclear Quadrupole Resonance / H. Dehmelt // Am. J. Phys.-1954 - V. 22. - P. 110-112.

74. Das, T.P., Saha A.K. Electric Quadrupole Interaction and Spin Echoes in Crystals // Phys. Rev. - 1955. - Vol. 98. - P. 516-524.

75. Гречишкин, В.С. Ядерные квадрупольные взаимодействия в твердых телах / В.С. Гречишкин М.: Наука, 1973. -264 С.

76. Семин, Г.К. Применение ядерного квадрупольного резонанса в химии / Г.К. Семин, Т.А. Бабушкина, Г.Г. Якобсон Л.: Химия, 1972. - 536 С.

77. Сафин, И.А. Ядерный квадрупольный резонанс в соединениях азота / И.А. Сафин, Д.Я. Осокин М.: Наука, 1977. -263С.

78. Чижик, В.И. Квантовая радиофизика: учебное пособие / П.М. Бородин, В.С. Касперович, А.В. Комолкин, А.В. Мельников, В.В. Москалев и др.: под ред. В.И. Чижика. - СПб.: С.- Петербургский университет, 2004. - 689 С..

79. Кравченко, Э.А. Ядерный квадрупольный резонанс в координационной химии / Э.А. Кравченко, Н.Т. Кузнецов, В.М. Новоторцев М.: «Либроком», 2014. -272 С.

80. Suits, B.H. Nuclear Quadrupole Resonance Spectroscopy //Handbook of Applied Solid State Spectroscopy. - SpringerUS, 2006, -P. 65-96.

81. Шмидт, С.В. Исследование перспективного термоэлектрического соединения СuAlO2 методом ядерного квадрупольного резонанса Cu. / В.Л. Матухин, И.Х. Хабибуллин, Д.А. Шульгин, С.В. Шмидт, Е.И. Теруков // Физика и техника полупроводников - 2012 .- Т.46. № 46.- С. 1126-1129.

82. Шмидт, С.В. Особенности распределения электронной плотности в делафоссите СпАЮ2 / А.И. Погорельцев, С.В. Шмидт, А.Н. Гавриленко, Д.А. Шульгин, Б.В. Корзун, В.Л. Матухин // Журн. прикл. спектр.- 2015.- Т.82. - №^3.- С. 411-416.

83. Шмидт, С.В. Прозрачные проводящие оксиды с проводимостью р-типа / Д.А. Шульгин, С.В. Шмидт, С.О. Гарькавый, Е.В. Шмидт // Тезисы докладов X конференции молодых ученых «Наноэлектроника, нанофотоника и нелинейная физика», NNNPH-20015. Саратов- 2015.- С.210.

84. Шмидт, С.В., Исследование дефектов в многокомпонентных полупроводниковых соединениях, используемых в фотоэлектрических преобразователях, методом ЯМР / Шульгин Д.А., Севастьянов М.Г., Шмидт С.В., Матухин В.Л., Корзун Б.В. // Сборник материалов I Всероссийской научной конференции «Наноструктурированные материалы и преобразовательные устройства для солнечных элементов 3-го поколения»: Сборник материалов. Чебоксары - 2013. - С. 82 - 83.

85. Bruker Almanac 2005 (2005).

86. Abdullin, R.S. Investigation of Copper Minerais by NQR: Crystallochemistry, Electronic Structure, Lattice Dynamics / R.S. Abdullin, V.P. Kalchev, I.N. Penkov // Phys. Chem. Miner. 1987. - V. 14. - P. 258-263.

87. Абдуллин, Р.С. Ядерные квадрупольные взаимодействия в полупроводниках CuMO2 /Р.С. Абдуллин, И.Н. Пеньков, Н.Б. Юнусов // Изв. АН СССР(Сер.физ.) 1981.- Т. 45.- № 9.- С. 1787-1791.

88. Матухин, В. Л. Исследование полупроводникового соединения CuAlO2 методом ЯКР Cu / В.Л. Матухин, И.Х. Хабибуллин, Д.А. Шульгин //Изв. Высших учебных заведений: Физика - 2012 -т.55 - №2- С.53-56.

89. Jeffrey, K.R. Nuclear quadrupole resonance studies in cuprous oxide / K.R. Jeffrey and R.L. Armstrong // Can. J. Phys. -1966.- V.44.-P. 2314-2328.

90. Bayer, H. ZurTheorie der Spin-Gitter relaxation in Molekulkristallen / H. Bayer // Z. f. Phys.-1951. -V. 130.- № 2.- P. 227 - 238.

91. Абрагам, А. Ядерный магнетизм / А. Абрагам; пер. с англ. под ред. Г.В. Скроцкого М.: Иностр. лит-ра, 1963. — 552с.

92. Сликтер, Ч. Основы теории магнитного резонанса / Ч. Сликтер; пер. с англ. под ред. Г.В. Скроцкого М.: Наука, 1969. - 260 с.

93. Нарат, А. Ядерный магнитный резонанс в магнетиках и металлах. - В сб. Сверхтонкие взаимодействия в твердых телах / Под ред. Е.А. Турова // М.: Мир, 1970, с. 163 - 236.

94. Van-Kranendonk, J. Theory of quadrupolar nuclear spin-lattice relaxation / J. Van Kranendonk //Physica - 1954 - V.20 - P.781 - 800.

95. Шмидт, С.В. Особенности спин-решеточной релаксации ядерных спинов 63,65Cu в полупроводниковом соединении CuAlO2 / В.Л. Матухин, Д.А. Шульгин, С.В. Шмидт, Е.И. Теруков // Физика и техника полупроводников - 2014 .- Т.48. № 6.- С.801 -804.

96. Warren, W.W. Nuclear quadrupole resonance studies of transparent conducting oxides / W.W. Warren Jr., A. Rajabzadeh, T. Olheiser, J. Liu, J. Tate, M.K. Jayaraj, and K.A. Vanaja // Solid State Nuclear Magnetic Resonance - 2004 - V.26 - P. 209 - 214.

97. Ioffe, A.F. Non-Crystalline, Amorphous and Liquid Electronic Semiconductors / A.F. Ioffe, A.R. Regel // Progr. Semiconductors -1960 -V. 4 - P. 237 -291.

98. Warren, W.W. Nuclear Magnetic Resonance and Relaxation in the "Liquid Semiconductors" In2Te3, Ga2Te3 and Sb2Te3 /W.W. Warren // Phys. Rev.B. -1971 - V. 3 - P. 3708 -3724.

99. Warren, W.W. Nuclear Magnetic Resonance and Relaxation in Liquid Tellurium /W.W. Warren // Phys. Rev.B. - 1972 - V. 6 - P. 2522-2530.

100. Абрагам, А. Электронный парамагнитный резонанс переходных ионов / А. Абрагам, Б. Блини; пер. с англ. под ред. С.А. Альтшуллера и Г.В. Скроцкого М.: Мир, 1972. — 652с.

101. Yanagi, H. Electronic structure and optoelectronic properties of transparent p-type conducting CuAlO2 / H. Yanagi, S. Inoue, K. Ueda, H. Kawazoe, H. Hosono, and N. Hamada // J. Appl. Phys. -2000 - V. 88 - P. 4159 -4163.

102. Ogloblichev, V.V. 63,65Cu NQR spectra and spin-lattice relaxation in thermoelectric CuAlO2 / V.V. Ogloblichev, V.L. Matukhin, I.Yu.Arapova, C.V. Schmidt, R.R.Khusnutdinov // Applied Magnetic Resonance. -2019. -V. 50- P. 619- 624.

103. Raffa, F. Low-energy excitation in the infinite-layer antiferromagnet Cao.85Sr015CuO2 / F. Raffa, M. Mali, J. Roos, and D. Brinkmann, M. Matsumura, K. Conder // Phys. Rev. B - 1998 - V.58 - P. 2724-2729.

104. Кульбачинский, В.А. Структура и свойства полупроводниковой керамики CuAlO2, синтезированной из прекурсоров с различной валентность меди

/ В.А. Кульбачинский, В.Г. Кытин, Д.Ю. Кондратьева, А.Н. Григорьев, А.А. Каменев, В.А. Амельчев, И.Е. Корсаков // Международный журнал прикладных и фундаментальных исследований -2017.- №1.- С.223-227.