Взаимоотношения дуба и ели в Московской области тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 00.00.00, Киселева, К. В.

• Киселева, К. В.
• 1966

Оглавление диссертации Киселева, К. В.

Б в е д е н и е

Основные обозначения

ГЛАВА I. НЕКОТОРЫЕ ЗАДАЧИ ТЕОРИЙ р-п-р-п СТРУКТУР

1.1. Развитие физических основ и технологии тиристоров

1.2. Одномерные динамические модели р-п-р-п структуры

1.3. Механизмы непосредственного выведения заряда п-базы при выключении.

1.4. Общая постановка задачи исследования

ГЛАВА П. ЭФФЕКТИВНОСТЬ ИЗБЫТОЧНОГО ЗАРЯДА ПРИ ВКЛЮЧЕНИИ р-п-р-п СТРУКТУРЫ В НЕОДНОМЕРНОМ ПРИБЛИЖЕНИИ

2.1. Введение.

2.2. Стационарное условие переключения

2.2.1. Неодномерное описание состояния удержания (34)

2.2.2. Области эффективной утечки и регенерации заряда (37). 2.2.3. Ограничения одномерной теории (41)

2.3. Нестационарная теория критического заряда ••••.•

2.3.1. Объемная модель релаксации неравновесного распределения (42). 2.3.2. Условие включения в представлении для эффективностей распределенных зарядов баз (47)

2.4» Обсуждение результатов неодномерной теории

ГЛАВА Ш. ДИНАМИКА ВЫКЛЮЧЕНИЯ р+- V-р-п+ СТРУКТУРЫ С

ВЫВЕДЕНИЕМ ЗАРЯДА ОБРАТНЫМ ТОКОМ

3.1. Введение

3.2* Замечания о механизмах рассасывания заряда неравновесной амбидолярной плазмы в тонкослойных структурах.

3.2.1. Об одном предельном решении уравнения амбипо-лярной диффузии в тонком V-слое (57). 3.2.2. В реализации условий предельного режима (60).

3.3. Выведение заряда в р+- \>-р-п+ структуре электронной компонентой коллекторного тока.

3.3.1. Качественный анализ процесса рассасывания заряда (64). 3.3.2. Постановка предельной нелинейной одномерной задачи (66). 3.3.3. Представление искомого решения в виде суперпозиции предельных динамических состояний (68). 3.3Л. Вывод релаксационной формулы (72).

ЗА* Анализ эффективности одномерного механизма рассасывания заряда

3.4.1. Истощение я-эмиттера и инверсия дырочного тока коллектора (73). 3.4.2. Временная константа рассасывания "быстрой11 части процесса и "рекомби-национная амплитуда" медленного этапа (78).

3.5. Обсуждение результатов.

ГЛАВА 1У. ВЫКЛЮЧЕНИЕ ТИРИСТОРОВ G ЛОКАЛЬНЫМИ ЗОНАМ

ПОВЫШЕННОЙ РЕКОМБИНАЦИИ '

4 Л. Тангенциальное рассасывание заряда

4.1Л. Качественная картина формирования тангенциальных полей (89). 4.1.2. Оценка эффективности тангенциального механизма в идеализированной модели (92). 4.1.3. Шунтирование тангенциальной проводимости п-базы базой р-типа (94). 4.1.4. Противоречивость взаимосвязи механизмов, ускоряющих релаксацию, и механизмов, обеспечивающих устойчивость к повторному включению (98)»

4.2. Объединенная модель механизмов непосредственного выведения заряда в структуре с комбинированной шунтнровкой

4.2.1. Представление нестационарного профиля концентрации в объединенной модели (101). 4.2.2. Динамика заряда в объединенной модели (108). 4.2.3. Амплитуда рекомбинационного процесса в объединенной модели (НО). 4.2.4. Оценка допустимого поперечного напряжения (112). 4.2.5. Накопление заряда в зонах повышенной рекомбинации (113).

4.3. Обсуждение результатов

ГЛАВА У. ПЕРЕНОС ЗАРЯДА В ТАНГЕНЦИАЛЬНЫХ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ

СЛОЯХ С ПЛАВАЮЩИМИ ПОТЕНЦИАЛАМИ И ИСПОЛЬЗОВАНИЕ ЭТОГО ЯВЛЕНИЯ В КАЧЕСТВЕ МЕХАНИЗМА ВЫКЛЮЧЕНИЯ ТИРИСТОРНЫХ СТРУКТУР

5.1» Введение.

5.2* Перенос избыточного заряда в тангенциальных сдоях с плавающим барьером

5.2.1. Области инжекции и экстракции (121). 5.2.2. Сопряжение и рассогласование тангенциальных полей (123). 5.2.3. Баланс токов в "плавающем переходе" (125).

5.3. Ускоренное рассасывание заряда в р- V-р-п структуре с вынуждающим током в У-слое

5.З.Х. Постановка задачи (126). 5.3.2. Динамика радиального распределения заряда (130). 5.3.3. Учет пробоя низковольтного эмиттера (133). 5.3.4. Оценка времени выключения (140).

5.4. Механизм выключения р- V-p-n структуры с вынуждающим током в р-базе.

5.4.1. Постановка задачи на этапе релаксации (142). 5.4.2» Вытеснение области инжекции и перераспределение избыточного заряда (146). 5.4.3. Коэффициенты эффективности остаточного заряда (148). 5.4.4. Условие выключения в модели с вытеснением области инжекции (152).

5.5. Обсуждение результатов исследования неоднородных эффектов рассасывания заряда

3 а к л ю ч е н и е

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Взаимоотношения дуба и ели в Московской области»

Интерес к физическим явлениям и процессам в многослойных полупроводниковых структурах обусловлен широким использованием этих структур в качестве основы мощных твердотельных коммутаторов электроэнергии - тиристоров, обладающих рядом бесспорных преимуществ перед своими газорязрядными аналогами й занявших в последние года центральное место в элементной базе силовой преобразовательной и импульсной техники.

Современные тенденции развития физики и технологии многослойных тиристорных структур связаны с проблемой увеличения мощности и быстродействия единичных приборов. Однако, на пути решения этой проблемы возникают определенные трудности теоретического характера, а также ряд принципиальных физических ограничений. Общепринятые одномерные и квазиодномерные представления оказываются недостаточными для интерпретации реальных процессов в структуре большой площади, рассчитанной на. большие коммутируемые токи. Механизмы переключения такой структуры существенно нелинейны и, поэтому, труднодоступны для анализа. Взаимосвязь ее основных функциональных и физических свойств чрезвычайно слогша и противоречива. В связи с этим исследование и описание реальных явлений и процессов в многослойных структурах мощных тиристоров, поиск новых физических механизмов, реализация которых помогла бы преодолеть существующие ограничения приборов по мощности и быстродействию, представляются актуальными как в теоретическом отношении, так и в плане практических приложений.

В диссертации рассмотрены два класса теоретических задач. Первый из них связан с описанием механизмов переключения р-п-р-п структуры мощного тиристора в критических условиях. К настоящему времени детально разработана только одномерная теория процесса переключения. Известны также неодномерные описания стационарных критических состояний и некоторые частные подходы к решению нестационарных двумерных проблем. Однако, существующие теории либо не учитывают особенностей реальных конструкций, либо основываются на слишком грубых приближениях. Отсутствует единый подход к анализу различных критических процессов, вследствие чего относительно слабо раскрыта взаимосвязь характеристик структуры с внешними условиями переключения, которые могут иметь весьма разнообразную физическую природу.

Другой класс задач рассмотрен в плане актуальной проблемы уменьшения времени выключения мощных тиристоров. Эта проблема возникает из-за ограничения возможностей механизмов рассасывания заряда, накапливаемого в структуре в докоммутацнонный период. Так, непосредственное выведение зардда затруднено ввиду специфической зонной конфигурации тиристорной структуры, содержащей p-V-p потенциальную яму .для электронной компоненты избыточной плазмы, а увеличение темпа рекомбинации в слаболегированном V -слое ограничено допустимым нижним пределом для ,длины диффузионного смещения, ответственной за механизм прохождения прямого тока. Указанные ограничения обусловлены требованиями к функциональным качествам структур и, зачастую технологическими традициями, тем не менее они не являются критичными с физической точки зрения. Некоторые новые исследования указывают на возможность увеличения эффективности механизмов непосредственного выведения заряда в р-п-р-п- структурах при пересмотре отдельных принципов конструирования структур или при видоизменении режимов их работы. Эти исследования, однако существенно недоработаны в принципиальном отношении, и последовательная теория механизмов непосредственного выведения заряда до настоящего времени не сознана.

Целью диссертации является исследование различных нестационарных процессов в многослойных структурах с большой площадью р-п переходов, механизмов переключения структур, а также исследование ряда эффектов, ускоряющих динамику выключения мощных тиристоров. Более конкретной задачей поставлено создание неодномерного аналога для одной из наиболее универсальных теорий переключения тиристоров - теории критического зардда, и разработка последовательной теории .диффузионного механизма выключения р- V -р-п структуры при ее обратном восстановлении. Общая постановка задачи произведена в главе I.

Методика работы заключается в теоретическом анализе явлении переноса заряда в полупроводниковых структурах с учетом взаимной связи нормальных и тангенциальных эффектов.

На защиту выносятся новые положения, развитые автором и сводящиеся к следующему:

1. Обобщены представления о критическом заряде переключения р-п-р-п структуры на неодномерный случай и построена теория эфг-фектввности избыточных зарядов с произвольным двумерным начальным распределением (Глава П).

2. Исследован механизм .двухсторонней диффузионной экстракции избыточного зардда из р- V -р потенциальной ямы в условиях с наеыщенным состоянием одного из р-\> переходов и определены условия реализацти этого механизма в р+- V -р-п+ структуре (Глава Ш).

3. Исследована взаимосвязь нормальных .диффузионных и тангенциальных полевых процессов при выключении специальных структур с локальными зонами повышенной рекомбинации (Глава 1У).

4. Разработаны представления о неоднородном рассасывании избыточного заряда р- у -р потенциальной ямы через "плавающий" барьер и исследована возможность использования этого эффекта в качестве механизма ускоренного выключения тиристоров (Глава У).

Практическая ценность результатов диссертации состоит в .выработке технологических и конструкторских рекомендаций, направленных на создание нового класса быстродействующих высоковольтных тиристоров с диффузионным выведением Заряда при выключении. На основе этих рекомбинаций в ЗПО "Преобразователь" разработана серия высоковольтных тиристоров с малым временем выключения.

Представления и результаты неодномерной теории критического заряда обладают большой общностью и могут быть использованы при решении широкого круга теоретических и практических вопросов, связанных с описанием условий и режимов включения, с определением устойчивости к неконтролируемым воздействиям, а также могут быть применены для расчета параметров многослойных структур мощных тиристоров в системах автоматизации производства.

ОСНОВНЫЕ ОБОЗНАЧЕНИЯ

В - отношение подвижностей электронов и дырок

Д/1Ц- коэффициенты диффузии электронов (в р-базе) и Лр(дл) дырок (в н-базе) - тангенциальное поле в ^-й базе

- нормированная функция распределения концентрации ^ избыточных носителей в j-й базе параметры аппроксимации тангенциального распределения потенциала

1„ - прямой анодный ток

Где - ток удержания тиристора

Ifto - линейно аппроксимированный ток утечки п-эмит

1и - полный ток области инжекции 1Э - полный ток области экстракции I - тангенциальные (радиальные) токи баз • > электронная и дырочная компоненты тангенциального тока j. ~ плотность тока, нормального к р-п переходам

J. j, J,- плотности токов соответственно п-эмиттера, кол-1> 2> 3 лектора и р-эмиттера. j l - электронная и дырочная компоненты плотности тока h)Op j I - плотности тока в области инжекции и в области г экстракции к - постоянная Больцмана kj - коэффициенты эффективности одномерного распределения избыточного заряда в J-й базе

К - коэффициенты эффективности 2-мерного распределения избыточного заряда в J-Ш базе

Ln(t-il~ Д®*®1 диффузии электронов (в р-базе) и дырок LpdJ (в п-базе)

Lgp - длина t - площадь четырехслойной части р-п-р-п структуры; половина расстояния между линейными шунтаil" концентрации акцепторов (в р-базе) и доноров (в п-базе) , flj - концентрация избыточных носителей заряда в J-ft базе ftp - концентрация равновееных электронов в р-слое

- собственная концентрация носителей заряда ttj, г^- концентрации электронов в области регенерации и в области эффективной утечки р - концентрация избыточных носителей заряда при высоком уровне инжекции (в плазме) р - концентрация избыточных носителей заряда, усредненная по толщине базового слоя

Q - полный избыточный заряд

QKf) - критический заряд включения тиристора

Ц - плотность заряда, приведенная к единице площади

QjiQjf полные заряды (плотности зарядов) в области ин-Еекции и в обласгй экстракции

- заряд электрона

Я - радиус элемента р-п-р-п структуры

К - радиальная координата

С0 - радиус элемента шунтировки

S - скорость поверхностной рекомбинации

Т - абсолютная температура fcg - время смыкания области инжекции

U - напряжение, потенциал толщины р- и п-базы тиристора i^ - нормированная концентрация носителей заряда в плазме - нормированная концентрация носителей заряда усредненная по толщине сдоя

- параметр функции распределения избыточного заряда

- коэффициенты усиления составных триодов У - коэффициент инжекции р-п перехода - площадь области экстракции

Л - характеристическая длина распределения акцепторов

AiWPffit иоДвияности электронов (в р-базе) и дырок (в п-ба-> зе)

- параметры функции критического распределения потенциала р-базы - площадь области инжекции р - нормированный радиус d^ - удельная проводимость ^'-й базы времена жизни электронов (в р-базе) и дырок (в п-ба-tpCtJ зе) н > G- J R ) рлс j ои, -оговоренные в тексте временные постоянные различных нестационарных процессов У - нормированный потенциал

- радиальный нормирующий множитель -1 -i cOq. со^ - характеристические длины растекания носителей заря-} да в области регенерации и в области эффективной утечки.

Заключение диссертации по теме «Другие cпециальности», Киселева, К. В.

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

В первой части диссертации (глава П) разработана теория эффективности избыточного заряда при включении тиристорных р-п-р-п структур с технологическими неоднородностями потерь в п-эмиттере, представляющая по существу неодномерный аналог теории критического заряда мощного тиристора. Теоретический аппарат, основные представления и результаты этой теории могут быть применены при описании широкого круга вопросов, связанных с определением условий включения при контролируемом управлении тиристоров, а также.при определении устойчивости к неконтролируемым воздействиям, В частности, эти результаты могут быть использованы при теоретическом рассмотрении следующих вопросов: устойчивость к эффекту dU/dt ; включение световым импульсом; локальное включение базовым током управления; распространение включенного состояния; теория удерживающего стационарного состояния; оценка эффективности различных начальных распределений; включение за счет импульсного пробоя коллектора; выключение различными внешними воздействиями; и кроме этого, результаты этой теории могут быть непосредственно использованы при расчете параметров многослойных структур мощных тиристоров в системах автоматического управления производством, В рамках диссертационной работы результаты неодномерной теории эффективности избыточного заряда использованы при нахождении эффективности остаточного заряда некоторых двумерных переходных процессов рассасывания с целью корректного определения времени выключения.

Во второй части работы (глзеы Ш~У) последовательно развита теория предельно эффективного рассасывания заряда в амбиполярной плазмы при обратном восстановлении тиристорной структуры для различных режимов диффузионной экстракции. Практическая ценность этой части заключается в разработке формального аппарата для описания нелинейных процессов релаксации заряда в некоторых новых типах р-п-р-п структур, в развитии новых представлений о двумерных механизмах выключения, а также в выработке конструктивных рекомендаций, направленных на создание целого класса быстродействующих мощных тиристоров с диффузионным выведением заряда при выключении. Проведенный в работе теоретический анализ позволил сформулировать некоторые новые принципы конструирования тиристоров, ставшие предметом изобретения. Предложенные рекомендации легли в основу разработки серийного высоковольтного тиристора с малым временем выключения в Запорожском производств ином объединении "Преобразователь".

Ниже сформулированы основные результаты и выводы диссертации.

1. Развиты неодномерные представления об эффективности избыточного заряда включения р-п-р-п структур с большой площадью р-п переходов и локальными, периодическими по площади, утечками в п-эмиттере. Предложены нелинейные объемные модели, для описания критического состояния шунтированной р-п-р-п -ячейки и динамики включающего возмущения. Введенц ограничения для для одномерной теории критического заряда.

2. Сформулировано условие включения структуры и получены аналитические выражения для коэффициентов эффективности начальных зарядов для произвольного случая с 2-мерным распределением.

3. Оценена эффективность различных способов генерации избыточного заряда. Показано, что тангенциальная неоднородность генерации существенно влияет на условие включения; в частности, заряд, генерируемый в окрестности шунтирующих каналов рекомбинационного типа, в несколько раз менее эффективен, чем заряд промежуточных областей.

4. Исследовано влияние пространственной сипметрии процесса включения на величину коэффициентов эффективности. Показано, что линейные шунты по сравнению с шунтами цилиндрической формы в в несколько раз сильнее уменьшают эффективность заряда прилегающих окрестностей. Предложен и проверен !метод расчета тока удержания мощного тиривтора.

5. Предложено нелинейное описание процесса одномерного рассасывания избыточного заряда в р+- -р-п+структуре.

6. Показано, что при снижении концентрации примеси в высоколегированной базе р-типа и одновременном уплотнении специальной шунтировки п-эмиттера удается, с одной стороны, реализовать механизм инжекции электронов из п-базы через барьер центрального перехода и экстракционное выведение дырок ( двухстрроннюю экстракцию), а с другой стороны, скомпенсировать потерю устойчивости структуры при повторном включении. Образцы, сконвтруйрованные согласно предложенным рекомендациям, обладают в 1,5 - 2 раза меньшими временами выключения, чем серийные приборы аналогичных типов.

7. Развита теория быстродействующих мощных тиристоров с локальными зонами повышенной рекомбинации. Оценено влияние сопутствующих паразитных эффектов на тангенциальный механизм выведения заряда в структуре с ЗПР, и даны рекомендации для их устранения путем искусственного разделения каналов прямой шунтировки и каналов обратного выведения.

8. Предложена модель процесса релаксации избыточного заряда при одновременном действии механизмов выведения заряда инжекционной электронной компонентой и тангенциальным током в структуре с разделенными каналами прямого и обратного токов. Теоретически предсказываемое сокращение времени выключения 2-3 раза подтверждено опытными данными, полученными на нескольких специальных образцах.

9. Развита физическая модель явлений переноса избыточного заряда в тангенциальных полупроводниковых слоях с плавающими потенциалами. Показано, что эти явления можно использовать в качестве эффективного механизма выключения мощных тиристорных структур.

10. Предложена количественная модель процессов перераспределения и непосредственного выведения избыточного заряда в структуре с вынуждающим током в умелое. Учтено влияние пробоя п-эмиттера на процессы выведения. Указаны соотношения для параметров структуры, обеспечивающие эффективное протекание названных процессов.

11, Предложена количественная модель процессов перераспределения и непосредственного выведения избыточного заряда в структуре с вынуждающим током в базовом р-слое. Предложен принцип вытеснения области инжекции коллектора в зону низкой эффективности остаточного заряда. Показано теоретически, что конструктивная реализация этого принципа позволила бы использовать предельные возможности одномерного механизма амбиполярной диффузии в толще структуры. Результаты теории подтверждены имеющимися в литературе экспериментами по комбинированному режиму выключения тиристоров.

Основные положения и результаты работы докладывались на научных семинарах лаборатории физики мощных полупроводниковых приборов ЛФТИ им. Иоффе АН СССР, на УШ Всесоюзной конференции по проблемам автоматизированного электропривода, силовых полупро водниковых приборов и преобразователей на их основе (Ташкент, 1979 г,), а также содержатся в следующих работах:

1. Выключение тиристоров с зонами повышенной рекомбинации при высоком уровне инжекции. - "Радиотехника и электроника", 1976, т, 21, № 7, стр. 1501 (в соавторстве с Уваровым А.И,).

2. Неоднородное рассасывание избыточного заряда в широкой базе тиристоров с зонами повышенной рекомбинации при выключении. -"Радиотехника и электроника", 1977, т. 22, № 8, стр. 1755 (в соавторстве с Уваровым А.И.).

3. Условие включения р-п-р-п структуры при различных распределениях начального заряда вдоль баз. -"Радиотехника и электроника". 1978, т. 23, № 5, стр. 1039-1045. (В соавторстве с Р.Э.Аязйном и А.И, Паламарчуком),

4. О возможности повышения быстродействия мощных тиристоров при выключении. -"Радиотехника и электроника", 1979, т.24,

В 3, стр. 606-614 (в соавторстве с И.В.Греховым и Л.С,Костиной).

5. Тиристор. Авторское свидетельство № 593601 по заявке Л 2390459 с приоритетом от 2 августа 1976г, (Совместно с И.В, Греховым, Л.С, Костиной и Я.И. Павлынивым),

6. Замедление процесса выключения тиристоров с зонами повышенной рекомбинации, вызываемое пробоем низковольтного эмиттера. - Реферативный научно-техн. сборник "Электротехническая промышленность", Серия "Преобразовательная техника", 1979 г., № 8, стр. 1-3 (В соавторстве с А.И. Уваровым).

7.Влияние сопротивления растекания тонкой базы на быстродействие тиристоров с зонами повышенной рекомбинации при выключении. "Электронная техника", серия 4, 1979 г., J&3, стр. 58-63 В соавторстве с А.И.Уваровым ).

8. Тиристор. Патент Франции № 2424631 ( совместно с И.В.Греховым, Л.С.Костиной и Я.И.Павлынивым ).

9. Тиристор. Патент Великобритании № W/588835 ( совместно с И.В.Греховым, Л.С.Костиной и Я.И.Павлынивым ).

10. А.В.Горбатюк. Усиление эффекта тангенциального рассасывания заряда в тиристорах с зонами повышенной рекомбинации. -"Электронная техника", серия 4, 1979 г., Л 3, стр. 63-67.

11. А.В.Горбатюк. Эффективность избыточного заряда при включении р-п-р-п структур в неодномерном приближении.-" Физика и техника полупроводников", 1980 г., т. 14, стр. 1364 -1370.

В заключение автор искренне благодарит своего научного руководителя старшего научного сотрудника к.ф.-м.н. А.И.Уварова за обсуждение различных вопросов теории р-п-р-п структур, профессора д.ф.-м.н. И.В.Грехова за обсуждение результатов диссертации, ценные советы и замечания, а также коллектив лаборатории мощных полупроводниковых приборов ЛФТИ им. А.Ф.Иоффе АН СССР за полезные дискуссии.

Список литературы диссертационного исследования Киселева, К. В., 1966 год

1. Skockteff W. iheoty. ofr р-п junction in semiconduotoi arid p-n Junction ttannrtois.

2. BM. System %chnJ."iWt irj£t Щ P

3. Bazdeen J Bxattain IfcH. The twnuAoi, sem conducts Uiod. — „ Physical Review1.1. JW; 4LБ j P• 230-238.

4. Шокли В., Рид В. Статистика рекомбинации дырок и электронов. В сб. переводов "Полурроводниковые и электронные приборы", М., Изд-во иностр. лит. 1953.

5. Rittnei £.£. Extent Con of the ikeo'cg of iAe junction ttansiftoz, „ Physical Review"; WHtVjS t MS, p. U6i-i<U.1. Gjeh&t&twm

6. Sak C.I, Motfs R.N, SkockUy W. Слшпand lecomUnodiori in p-n junction ocnd p-n functions zha Wtctutics.-,, Pvec. ofifie IRC. r1951 s it. 4s; p.j12s-113*.

7. Kingston R.H. Switching time, in junction diods and junction itansistots. — „ Pwc. of the IR£.

8. Стафеев В.И. Влияние сопротивления толщины полупроводника на вид вольтамперной характеристики диода. -"Журнал технической физики", 1958, т. 28, й 8, стр. 1631,- 1641.

9. Шокли В. Теория электронных полупроводников. М., Изд-во иностр. лит., 1953, 294 с.

10. Федотов Я.А. Основы физики полупроводниковых приборов. М.,1. Советское радио", 1963.1.. Пикус Г.Е. Основы теории полупроводниковых приборов. М., "Наука", 1965.

11. Носов Ю.Р. Физические осноеы работы полупроводникового диода в ишульсном режиме. М., "Наука", 1968.

12. Shoddy W.j Spatks M.j Teoct G-.K. function tmnriftoty „ Physic*! Review", 1951, v. *3} рШ-Ш.

13. Moll lLy Тапеп$аит My коЫеу XHy Hobnyak Ж p-n-p-n iunction ttantiitot switches,—-„ pt*c. of tke IRS. mt, и-. M9jP. тн-ш

14. Тучкевич B.M. Силовая полупроводниковая преобразовательная техника. «"Физика и техника полупроводников", 1977, т. II, В II, стр. 2065-2071.

15. Мощные диффузионные кремниевые вентили. -"Электросвязь", 1963, № II, с. 42. Авт.: Грехов Й.В., Крылов Л.Н., Линий-чук И.А., Тучкевич В.М., Челноков В.Е., Шуман В.Б.

16. Кремниевые вентили. Под.ред. С.Б. Юдицкого. М., "Энергия", 1967.

17. Кузьмин В.А., Сенаторов К.Я. Четырех-слойные полупроводниковые приборы. "Энергия", М., 1967, 184 с.

18. Челноков В.Е., Евсеев Ю.А, Физические основы работы силовых полупроводниковых приборов. "Энергия", М,, 1973, 280 с

19. Евсеев Ю.А. Полупроводниковые приборы для мощных высоковольтных преобразовательных устройств. "Энергия", М.,1978, 193 с.

20. Грехов И.В. Физические процессы в мощных кремниевых приборах с р-п переходами. Автореферат дис. на соиск. учен.степени докт. физ.мат.наук. Л., 1972 (ФЕИ).

21. Лабуяцов В.А., Тугов Н.М. Динамические режимы эксплуатациимощных тиристоров. "Энергия", М. ,1,977, 192 с.

22. Jounshet Д.К. Motes of Hit iheoty ofr foui-ta^z semuonductn witches . * SoAW- Hate Siecttmi^ *isa, bJj p. ^3-m.

23. Джентри Ф., Гутцвиллер, Голоньяк H,, Э.фон Застров, Управляемые полупроводниковые вентили. Пер. под ред. Туч-кевича В.М., "Мир", М., 1967, 455 с.

24. Лебедев А.А., Уваров А.И., Челноков В.Е. Статическая вольт-амперная характеристика кремниевых р-п-р-п структур с учетом рекомбинации в области объемного заряда р-п переходов. -В кн.: Физика р-п переходов, Рига, "Зинатне", 1966, с. 501-507.

25. Уваров А.И. Статическая вольт-амперная характеристика симметричной р-п-р-п структуры с учетом сопротивления растекания баз. В кн.: Физика р-п переходов, Рига "Зинатне", 1966, с. 508-517.

26. Лебедев А.А, Исследование физических процессов полупроводниковых структур типа р-п-р-п, Автореферат канд. дне. Ленинград, 1967.

27. Лебедев А.А., Уваров А.И., Челноков В.Е, Переходная характеристика р-п-р-п структуры. -"Радиотехника и электроника", 1966, т. II, №8, стр. 1458— 1461.

28. Лебедев А.А., Уваров А.И., Челноков В.Е. Установление стационарного состояния при включении р-п-р-п структуры.-"Радиотехника и электроника", 1967, т. 12, № 4, стр. 677-685.

29. Лебедев А.А., Уваров А.И., Включение симметричной р-п-р-п структуры при учете зависимости коэффициентов усиления от тока. -"Радиотехника и электроника", 1967, т, 12, № 5,стр. 896 903.

30. Тогатов В.В,, Уваров А.И. Установление стационарного состояния при включении р-п-р-п структуры в условиях высокого уровня инжекции в обеих базах, -"Радиотехника и электроника", 1971, т, 16, № 6, стр. 1048-1057.

31. Кузьшн В.А, В сб. физика электронно-дырочных переходов-и полупроводниковых приборов, Л., "Наука", 1969, стр. 106.

32. Не. Kay K.G-, Не tiffee КВ. £tec,U<?n muHipludion in silicon cend дегтапсит, h Physical Peirie iSQ3JvJiJ p. 10J9-10#4.

33. Силовые диффузионные кремниевые вентили с контролируемым лавинообразоваяием типа ВЙДЛ. -"Электричество", 1966,7, стр. 66, Авт.: Грехов И.В., Крюкова Н.Н,, Тучкевич В.М., Челноков В.Е., Шуман В.Б., Якивчик Н.И,

34. Грехов И.В. Исследование лавинного пробоя р-п переходов и разработка мощных полупроводниковых приборов с лавинными характеристиками. Автореферат канд. дис,, ФТИ им. А.Ф.Ноф-фе АН ССОР, 1966.

35. Deris RX.jG-enty F.&. Cordtot ofr etui tic jj-ieids oct -tk mface ofr p-n functions. IEEE Ъ&м.

36. StecUm Vev!L 1Ш, ir. ED-11, AC, p. 3i3-323.

37. Грехов И.В., Линийчук И.А., Челноков В.Е., Шуман В.Б. Влияние слоя объемного заряда на волътамперные характеристики многослойных диффузионных структур. -"Радиотехника и электроника", 1966, т. II, № 10, стр. 1956 I960.

38. Сережкин Ю.П. Исследование микроплазменного пробоя высоковольтных кремниевых р-п переходов. Автореф. дис. на соиск. уч. степ. канд.техн,наук, М., 1974. 19 с (ВЭИ).

39. Кузьмин В.А. Вольт-амперная характеристика полупроводник овых приборов со структурой типа р-п-р-п во включенном состоянии. -"Радиотехника и электроника", 1963, т. 8, № I, стр. 171- 174.

40. Кокоза П.А. Распределение потенциалов и носителей заряда в открытом р-п-р-п приборе. -ТИИЭР, 1967, т. 55, № 8, стр. 1389. 161 173.

41. Грехов И.В., Отблеск А.Е. О статической вольтамперной характеристике включенного тиристора. -"Радиотехника и электроника", 1964, т. 19, № 7, стр. 1566 1568 .

42. Варламов И.В,, Осипов В.В. Шнурование тока в многослойных структурах. -"Физика и техника полупроводников", 1969,т. 3, Ш 7, с. 950 958.

43. Vodson W.H., Longim R.L РчоШ determination of-Ыгп-оп 4puad ofr luge, OLUCL "ihyuttoi.-u Pxoc .IEEE Тыщ. on Itectwn Veiricer * iiftj ir ED-i3t p. m-kt*-:

44. Some: ^ PiconeD.E. Plat me, spte&d in htyh-pomt ihywtm undei dynamic and. tf&tCc Conditions. Jt IEEE Ttans. on. Etedion Devices*m} v-ed-11j р.ш-ш.

45. RuhlH.l fpve&dincj, rttocity of ike occtitre а.ш fouidcLM in & -ttuicrtoi. „ НЕЕ, Ton a Vtr.1) ur, ED-11 j M9}

46. Грехов И.В., Левинштейн М.Е., Уваров А.И,.Простая модель распространения включенного состояния вдоль рпрп структуры.--"Физика и техника полупроводников", 1971, т. 5, $ 6 ,стр. IIII, III4 .

47. Дьяконов М.И., Левинштейн М.Е., Теория распространения включенного состояния в тиристоре. -ФТП, 1978, $ 4, 729-741.

48. Щуман В.Б. Разработка я исследование силовых кремниевых управляемых вентилей с диффузионными р-п переходами.- Авфор#ф. даю. на соискание уч.степени к.т.н., ФТИ АНСССР. Л.,1965 г.

49. Расчет оптимальных статических параметров высоковольтных мощных тиристоров, -"Радиотехника и электроника", 1973, т. 18, В 9, стр. 1933. Авт.: §олле В.М., Грехов И.В., Лизин А.И. » Попова М.В.

50. Адшинази Г,А., Кузьмин В.Л., Рухамкин В.М. Силовые быстродействующие тиристоры с оптимальными параметрами.-В сб. "Техника полупроводниковых приборов и микроэлектроника, Таллин, "Валгус", 1975, 28-38.

51. Лебедев А.А., УвароЕ А.И. К теории процесса включения р-п-р-п структур. -"Физика и техника полупроводников", 1967, т. I, № 2, стр. 2II-2I6.

52. Тогатов В.В. О включении тиристоров "эффектом

53. Воскех ДЛ; Q-olcLe^ J.My Ron ХМ, Recoreutihe в$- р-п-р-п olCools. „ IRE И/escon. Con\r.Ruozdu 19M, of 3J ЛЗ t p. 41-48.

54. Metety MJ. Minimum time fou Ып-о^ Ln fm-tyet Aitdi, Pw. of tkt IRE) <961 v. J/9/ p.

55. Daet R.Fy Houokton &X. Тчи-off- time ckvtActe-tuition, 'of- titum cordulleJ uttifiets.-„ Diiut Сишиt\ 1962, r. р. Ш- MS.

56. Кузьмин В.А. О времени выключения приборов со структурой р-п-р-п.-"Радйотехника и электроника", 1964, т. 9, №8, стр. 1410,- 1413.

57. Лебедев А.А., Уваров А.й., Постоянная времени рассасывания заряда в р-п-р-п структуре при выключении ее под действием обратного анодного напряжения. -"Радиотехника и электроника"., 1967, т. 12, № 4, стр. 686 692.

58. Грехов И.В., Костина Л.С., Отблеск А.Е., Процесс выключения р-п-р-п структуры при высоком уровне инжекции в базовых слоях. -"Физика и техника полупроводников", 1970', т.4, № 12, стр. 2322 2325.

59. Грехов И.В., Костина Л.С., Лебедев А.А. О восстановлении запирающей способности эмиттерных переходов при выключении р-п-р-п структуры. -"Физика и техника полупроводников", 1971, т. 5, J* 4, 767-771.

60. Грехов И.В., Костина Л.С., Лебедев А.А,, Процесс выключения £ьп-р~п структуры при высоком уровне инжекции в базовых слоях, -"Радиотехника и электроника", 1972, т. 17, № 4, стр. 852 856.

61. Кузьмин В.А,, Мочалкина О.Р, Об едином методе уменьшения времени выключения в полупроводниковых приборах р-п-р-п типа. "Радиотехника и электроника", 1963, т, 9, I 7, стр. 1279 - 1281.

62. Bemski Re com ii nut ion рчорбЖи of pU in 4 lit con. — „ Phytic л I HeirCeur* /05"/,1. Jj9, p. 4519.^

63. BatijtL B.ytJ Kvuhna S. Optimization of71. 0 времени выключения тиристоров, подвергнутых J^-облуче-нию. -"Физика и техника полупроводников", 1975, т. 9, № 2, стр. 338. Авт.: Витман Р.Ф*, Кутлахметов В.А., Решетин В.П., Шаховцев В.И., Шуман В.Б.

64. Берман Л.С., Шуман В.Б, Исследование ^Г-обдучения на диффузионные кремниевые диоды с примесью золота. -"Физика и техника полупроводников", 1976, т. 10, № 12, стр. 2389.

65. ГрехоЕ И,В., Горбатюк А.В., Костина Л.С. О возможности повышения обыстродействия мощных тиристоров при выключении. -"Радиотехника и электроника", 1979, т. 24, I 3, стр.606-614.

66. ЛебедеЕ А.А., Уваров А.И. Об одной возможности повышения частотных сеойств тиристоров. -"Физика и техника полупроводников", 1967, т. I, № 3, стр. 463 464.

67. Корольков В.И., Никитин В.Г., Рахимов Н.Р. Тиристор на основе гетероструктур &0L fls- fitх fts. -Письма в Ж®, 1976, т. 2, № 20, стр. 941 942.

68. Schleyd £~.S. Д tetknic^ue fot cptimizinp thedesign of powet ^emitonofuctoz cteirius .-„IFEE1. Тхаы, ш74

69. Алферов Ж,И., Ашкинази Г.А/, Корольков В.И., Челноков В.Е. Силовые высокочастотные высокотемпературные приборы на основе новых полупроводниковых материалов.-"Электротехника", 1979, № 3, стр. 4-7.

70. Silhx В.} Maedet И. %е effect of gold cmcentta-■bion. cjiadizntj on ihyttitot Mitckinj pwpitiies. -„IEEE hans. ok № dev. so. G-amo Hitothij Kctvekami flkiia. Thyiufot vrilh yoU doping ptofiie Пат.СШЙ, /г/?. Ш -з<р, ( H0LIU/10J, J/3M09W. On. <4. Otis'.

71. Отблеск A.E. Исследования физических процессов в диодных и тиристорных структурах при высокой плотности неравновесных носителей. Канд.дис. ФТИ им. А.Ф.Иоффе АН СССР, Л., 1975.

72. Пат. США, кл. 317-235 (HOIIII(IO), № 3434022, опубл.18,03. 1969.

73. Грехов И.В., Костина Л.С., Сергеев В.Г. О новой возможности уменьшения времени выключения высоковольтных |ьп-р-п структур.-"Физика и техника полупроводников", 1971, т. 5, № 7, стр. 1408,- 1414.

74. Грехов И.В,, Костина Л.С. Полупроводниковый управляемый вентиль. А.с. JS 332786, заявл. 26.08.1970 (№1475087/26-25), М.кл. HOI 11/10, Опубл. (088.8).

75. Быстродействующий прибор ключевого типа комбинированно {выключаемый тиристор.-"Электричество", 1977, № 10, стр.82-84. Авт.: Аязян Р.Э., Булатов О.Г., Грехов И.В., Лабуицов В.А., Линийчук И.А., Одынъ С,В., Паламарчук А.И.,Шедерей С.В,82

76. О физических процессах в р-п-р-п структуре при комбинированной выключении. Авт.: Аязян Р.Э., Грехов И.В., Ли-нийчук И.А., Паламарчук А.И., Шендерей С.В. "Радиотехника и электроника", 1978, 23, life 8, 1693-1698.

77. Ламперт М., Марк П. йнжекциошгае токи в твердых телах. Пер. под ред.Рывкина С.М. "Мир", М., 1973 г.

78. Губанов А.И., Гущина Н.А., Расчет резко несимметричнойр-п-р-п структуры в стационарном режиме с учетом сопротивления растекания баз. "Радиотехника и электроника" 1967, to 4, 547-553.

79. Горбатюк А.В. Усиление эффекта тангенциального рассасывания заряда в тиристорах с зонами повышенной рекомбинации. "Электронная техника", серия 4, № 3, стр. 63-67.

80. Варламов И.В., Осипов В.В., Полторацкий Э.А . Исследование шнурования тока в четырехслойных структурах.-"Физика и техника полупроводников", 1969, т. 3, № 8, с. 1162,- 1167.

81. Каше Э. Справочник по обыкновенным дифференциальным уравнениям, "Наука", М., 1976.

82. Двайт Г.Б. Таблицы интегралов, М., "Наука", 1969, 228 с.

83. Лебедев А.А., Уваров А.И., Челноков В.Е, Переходный процесс выключения р-п-р-п структуры посредством тока управления базы,- "Раднотехн. и электрон.", 1968, т. 13, Щ,стр.115-123.

84. Грехов И.В,, ЛеЕИНштейн М,Е., Сергеев В.Г. Об однородном включений светом полупроводниковых структур большой площади.-"Физика и техника полупроводников", 1974, т.8, № 4,

85. Корн Г., Корн Т. Справочник по математике, "Наука", М., 1968,

86. Горбатюк А.В., Уваров А.й. Выключение тиристоров с зонами повышенной рекомбинации при высоком уровне инжекции.-"Радиотехника и электроника", 1976, т. 21, № 7, стр. 1501.

87. Стриха В.И., Вузанова Е.В., Радзиевский И.А. Полупроводниковые приборы с барьером Шоттки, "Сов.радио", М,, 1974.

88. Ю4. МоогеДЛу ^eSstet ММ. The еЦ-Ц-есйи-е suzjjace xecomBincttLon ofr a getmanium sutfyace uritk a jj-locding Battiet.Proceedings off-ike IRE. 1955f ir.43, J/3^ т-Ш.

89. А.В.Горбатюк. Эффективность избыточного заряда при включении р-п-р-п структур в неодномерном приближении. "Физика и техника полупроводников", 1980, т.14, А 7, стр. 1364 1370.

90. S. Комбинированно-выключаемый тиристор (КВТ). В сб. Электротехническая промышленность, серия "Преобразовательная техника", 1979, Ш 7 (114), стр 6-8. Авт.: Р.Э.Аязян, И.В.Грехов, И.А.Линийчук, А.И.Паламарчук, С.В.Шендерей.