Взаимодействие радиационных дефектов с неравновесными носителями заряда в ковалентных полупроводниках тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 01.04.07, кандидат физико-математических наук Мизрухин, Леонид Вениаминович

• Мизрухин, Леонид Вениаминович
• кандидат физико-математических наук
• 1985

Оглавление диссертации кандидат физико-математических наук Мизрухин, Леонид Вениаминович

СПИСОК СОКРАЩЕНИЙ.

ВВЕДЕНИЕ.

ГЛАВА I. ОБРАЗОВАНИЕ И ОТЖИГ РАДИАЦИОННЫХ ДЕФЕКТОВ ПРИ ВОЗБУЖДЕНИИ ЭЛЕКТРОННОЙ ПОДСИСТЕМЫ (обзор литературных данных).

§ I.I. Возбуждение электронной подсистемы высокоэнергетическиш частицами,инжекцией и лазерным излучением

1.1.1. Гамма-кванты

1.1.2. Быстрые электроны

1.1.3. Ионизация электронами допороговых энергий

1.1.4. Инжекция и лазерное излучение.

§ 1.2. Кинетика накопления радиационных-дефектов и интенсивность потока высокоэнергетических электронов и гамма-квантов.

1.2.1. Влияние интенсивности в модели барьера комплексообразования.

1.2.2. Интенсивность облучения и скорость аннигиляции генетических компонентов пар Френкеля

1.2.3. Интенсивность облучения и мощность стоков радиационных дефектов

1.2.4. Стационарное облучение с "подсветкой"

§ 1.3. Ускорение отжига ионизацией

1.3.1. Микроскопические модели

1.3.2. Термодинамические теории.

Выводы.

ГЛАВА 2. ИССЛЕДОВАНИЕ ПРОЦЕССОВ РЕЛАКСАЦИИ НЕРАВНОВЕСНЫХ НОСИТЕЛЕЙ ЗАРЯДА В КОВАЛЕНТНЫХ ПОЛУПРОВОДНИКАХ, ОБЛУЧЕННЫХ ЭЛЕКТРОНАМИ И ФОТОНАМИ.

§ 2.1. Введение.,.

§ 2.2. Рекомбинационные свойства кремния,облученного мощными импульсами электронов

2.2.1. Физические основы метода облучения

2.2.2. Методика облучения мощными электронными импульсами

2.2.3. Экспериментальные результаты.

§ 2.3. Процессы релаксации неравновесных носителей заряда при облучении мощными оптическими импульсами

§ 2.4. Термически стимулированная излучательная рекомбинация в облученных синтетических алмазах

2.4.1. Термолюминесценция природных и синтетических алмазов.

2.4.2. Методика исследования термолюминесценции облученных синтетических алмазов

2.4.3. Влияние ионизирующих излучений на параметры термолюминесценции синтетических алмазов

2.4.4. Кинетика накопления и релаксации энергии при облучении р-алмаза

Выводы.

ПАВА 3. КИНЕТИКА НАКОПЛЕНИЯ И ОТЖИГА РАДИАЦИОННЫХ ДЕФЕКТОВ

ПРИ МАЛОМ УРОВНЕ ВОЗБУЖДЕНИЯ ЭЛЕКТРОННОЙ ПОДСИСТЕМЫ

§ 3.1. Введение.

§ 3.2. Зависимость эффективности введения дефектов в п. -германий от интенсивности потока электронов и гамма-квантов.

3.2.1. Интенсивность облучения и зарядовые состояния точечных дефектов.

3.2.2. Экспериментальные результаты

§ 3.3. Образование и отжиг дефектов в п. -германии при независимом от дефектообразующего излучения возбуждении электронной подсистемы

3.3.1. Инжекция неосновных носителей в процессе облучения .••.•.•••

3.3.2. Отжиг радиационных дефектов, ускоренный возбувдением электронной подсистемы.

§ 3.4. Некоторые теоретические подходы к описанию взаимодействия неравновесных носителей заряда с радиационными дефектами

3.4.1. Влияние неравновесных носителей заряда на процесс аннигиляции-распада генетических пар Френкеля и эффективность введения дефектов при облучении. III

3.4.2. Термодинамическая теория ускорения отжига неравновесными носителями

Выводы.

ГЛАВА 4. ОБРАЗОВАНИЕ РАДИАЦИОННЫХ ДЕФЕКТОВ В ГЕРМАНИИ и- -ТИПА ПОД ДЕЙСТВИЕМ МОЩНЫХ ИМПУЛЬСОВ ВЫСОКОЭНЕРГЕТЙЧЕСКИХ ЭЛЕКТРОНОВ.

§ 4.1, Введение.

§ 4.2. Зависимость эффективности введения дефектов от интенсивности облучения

4.2.1. Особенности облучения мощными импульсами электронов

4.2.2. Экспериментальные результаты.

§ 4.3. Экранирование компонентов пар Френкеля неравновесными носителями

§ 4.4. Распределение генетических пар Френкеля по расстояниям меаэду их компонентами в облученных кремнии и германии

4.4.1. Модель дефектообразования, основанная на концепции экранирования компонентов генетических пар Френкеля

4.4.2. Построение функции распределения

Выводы.

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Взаимодействие радиационных дефектов с неравновесными носителями заряда в ковалентных полупроводниках»

Широкое применение твердотельных электронных приборов в новой технике стимулирует интенсивное изучение цроцессов дефекто-образования, протекающих в кристаллах при воздействии ядерных излучений. В настоящее время наиболее активно исследуются электрофизические, фотоэлектрические, оптические и другие свойства полупроводников с радиационными дефектами. Установлены основные типы дефектов в важнейших материалах твердотельной электроники - Si , Ge , GaAs . Определена их термическая стабильность, электронная структура и ряд других свойств.

В микроэлектронной технологии все более широкое использование находят методы направленного изменения свойств полупроводников действием радиации. В то же время прогнозирование поведения полупроводниковых приборов в полях ионизирующих излучений, применение радиационной обработки цри производстве полупроводниковых приборов все еще ограничивается недостаточной информацией о процессах, происходящих в кристаллах под действием радиации.

При изучении процессов образования и отжига радиационных дефектов большую роль играет состояние электронной подсистемы, влияние которой до самого последнего времени недооценивалось. Имеется много экспериментальных данных и теоретических моделей, указывающих на сложный характер взаимодействия дефектов и носителей заряда в полупроводниках. Облучение высокоэнергетическими частицами наряду с введением дефектов производит возбуждение электронной подсистемы 1фисталла. В случае импульсного облучения (импульсные ускорители заряженных частиц применяются в большинстве последовательных лабораторий) ионизация может играть определяющую роль в прсцессах дефектообразаваяия, так как характерные времена жизни первичных радиационных дефектов могут быть сравнимы с временами жизни неравновесных носителей заряда.

Существо прикладного аспекта проблемы состоит в том, что до настоящего времени влияние интенсивности потока радиации как правило не учитывается в лабораторной и технологической практике, а именно этот параметр определяет концентрацию неравновесных носителей заряда и может существенно изменять эффективность дефектообразования. Тесно примыкает к этой проблеме и вопрос о технологической целесообразности облучения и отжига полупроводников в активном режиме, то есть в условиях независимой дополнительной инжекции неравновесных носителей заряда, способной изменять уровень возбуждения электронной подсистемы кристаллов.

Перечисленные вопросы затрагивают фундаментальные проблемы радиационной физики твердого тела о влиянии состояния электронной подсистемы кристаллов на элементарный акт аннигиляции или распада созданной облучением генетической пары Френкеля,прсцес-сы миграции точечных дефектов в кристалле, реакции между разными типами точечных дефектов в зависимости от их зарядовых состояний. Таким образом, исследование процессов накопления и отжига дефектов при разных уровнях возбуждения электронной подсистемы тлеет важное научное и прикладное значение.

Заключение диссертации по теме «Физика конденсированного состояния», Мизрухин, Леонид Вениаминович

Основные результаты диссертационной работы докладывались и обсуждались на научных семинарах и конференциях Института физики АН УССР, Республиканских семинарах по радиационной физике твердого тела (Киев, 1980-1983 гг.), Республиканском семинаре по фотоэлектрическим явлениям в полупроводниках (Ужгород, 1979 г.), Всесоюзных семинарах по радиационной физике полупроводников (Новосибирск, 1980,1981 гг.), Всесоюзном семинаре по радиационным эффектам в полупроводниках и полупроводниковых приборах (Баку, 1980 г.), Всесоюзном совещании по радиационной физике твердого тела (Звенигород, 1981 г.), выездной научной сессии научного совета по проблеме РФТТ АН СССР (Фергана, 1983 г.), Всесоюзной конференции по радиационной физике полупроводников (Ташкент, 1984 г.), Всесоюзных конференциях по когерентной и нелинейной оптике (Ленинград, 1979 г.; Киев, 1981 г.), Всесоюзном семинаре по теории полупроводников (Черновцы, 1984 г.), Международном семинаре по синтетическим алмазам (Киев, 1981 г.), Международном конгрессе по импульсной энергетической модификации материалов (ГДР, Дрезден, 1984 г.) и опубликованы в 9 научных статьях /84, 85,88,89,91,125,126,139,141/, защищены в I авторском свидетельстве /90/ и изложены в 5 тезисах докладов.

Работа выполнена в течение 1979-1984 гг. в отделе физики радиационных процессов Института физики АН УССР.

B заключение считаю приятным долгом выразить благодарность своему научному руководителю - кандидату физико-математических наук В.И.Шаховцову за предложенную тему исследований,постоянное научное руководство, помощь и поддержку при выполнении настоящей работы.

Автор глубоко признателен кандидатам физико-математических наук А.Н.Крайчинскому и А.И.Хижняку, без тесного сотрудничества с которыми данная работа была бы невозможна.

Автор искренне благодарит заведующего отделом нелинейной оптики академика М.С.Бродина и заведующего отделом квантовой электроники профессора М.С.Соскина за предоставленную возможность пройти научную стажировку и участвовать в выполнении некоторых работ по тематике и в коллективах руководимых ими отделов.

Автор благодарен сотрудникам отдела физики радиационных процессов Института физики АН УССР за обсуждение результатов, критические замечания и помощь при выполнении диссертационной работы.

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

1. Установлено, что при облучении германия п. -типа (Т=87 К) увеличение интенсивности импульсного потока высокоэнергетических электронов от 1,1*Ю15 эл./см2с до 1,5'Ю18 эл./см2 приводит к увеличению эффективности введения дефектов от 1,3»1СП2 до 1,0см""1. Это свидетельствует о высокой чувствительности полупроводниковых кристаллов к интенсивности облучения, определяющей уровень возбуждения электронной подсистемы,

2. Показано, что причиной увеличения эффективности введения дефектов с ростом интенсивности облучения является экранирование компонентов генетических пар Френкеля неравновесными носителями заряда. Экранирование приводит к уменьшению числа проаннигилиро-вавших пар Френкеля из-за уменьшения при экранировании кулоновского взаимодействия между противоположно заряженными компонентами генетической пары. Предложена модель радиационного дефекто-образования, основанная на концепции экранирования компонентов генетических пар Френкеля неравновесными и равновесными свободными носителями заряда. Показано, что использование этой модели и экспериментальных данных позволяет восстановить функцию распределения генетических пар Френкеля по расстояниям между их компонентами.

3. Установлено,что при облучении германия и кремния п -типа (Т=300 К) увеличение интенсивности потока высокоэнергетических электронов (6,25'Ю-5-3 - 6,25*10"^ эл./см2с) или гамма-квантов (5,2•IO^^-i^,9* 10^ гамма—квантов/см^с) приводит к уменьшению эффективности введения дефектов. Показано,что "подсветка" облученных кристаллов электронами допороговых энергий приводит к ускорению процессов отжига радиационных дефектов.

4. Предложена модель процесса радиационного дефектообразо-вания,учитывающая изменения вероятностей нахождения компонентов генетических пар Френкеля в различных зарядовых состояниях при изменении интенсивности облучения (в диапазоне интенсивноетей, соответствующем малому уровню возбуждения электронной подсистемы s i ). В рамках этой модели объяснены полученные экспериментальные данные.

Проведен теоретический анализ ускорения отжига радиационных дефектов внешней "подсветкой". Исследовано влияние на величину и знак сдвига температуры отжига интенсивности "подсветки",концентрации отжигающихся дефектов, их зарядовых состояний, типа и степени легирования полупроводника.

5. Предложены новые экспериментальные и расчетные методы определения ряда параметров полупроводников (коэффициент оже-ре-комбинации, постоянная времени линейной рекомбинации и некоторые другие) непосредственно в процессе их облучения высокоинтенсивными электронными и оптическими импульсами. Так, например, коэффициент оже-рекомбинации в кремнии равен (6+3) «КГ^ см^/с.

6. Экспериментально определены параметры термически стимулированной электронной излучательной релаксации предварительно возбужденных гамма-квантами синтетических алмазов р-типа. Установлена радиационная стойкость дозиметрической характеристики синтетических алмазов (зависимость интенсивности интегральной термолюминесценции от дозы гамма-излучения) по отношению к облучению высокоэнергетическими нейтронами и электронами. Совокупность полученных данных позволила предложить синтетические алмазы р-типа в качестве термолюминесцентных гамма-дозиметров. Показано, что кинетика термолюминесценции хорошо описывается в рамках простой модели, учитывающей исходную акцепторную примесь и электронные ловушки алмаза, а также эффект повторного захвата на ловушки ранее термически ионизованных с них носителей заряда.

Список литературы диссертационного исследования кандидат физико-математических наук Мизрухин, Леонид Вениаминович, 1985 год

1. Емцев В.В., Машовец Т.В. Примеси и точечные дефекты в полупроводниках. - Москва: Радио и связь, 1981. - 248 с.

2. Вавилов В.С.,Ухин Н.А. Радиационные дефекты в полупроводниках и полупроводниковых приборах. Москва: Атомиздат, 1969. -311 с.

3. Винецкий В.Л., Холодарь Г.А. Радиационная физика полупроводников. Киев: Баукова думка, 1979. - 335 с.

4. Лейман К. Взаимодействие излучения с твердым телом и образование элементарных дефектов. Москва: Атомиздат,I979.-296 с.

5. Вавилов B.C. Действие излучений на полупроводники. Москва: Физматгиз, 1963. - 264 с.

6. Davisson G.M.,Evans E.D. Gamma-ray absorption coefficients.-Rev.Mod.Ph.ys., 1952, v.24, I 2, p.79-107.

7. Коноплева P.Ф.,Литвинов В.Л.,Ухин H.A. Особенности радиационного повреждения полупроводников частицами высокой энергии. -Москва: Атомиздат, 1971. 75 с.

8. Fermi Е. The Ionization Loss of Energy in Gases andin Condensed Materials. Phys. Rev., 1940, v.57, И 2, p.485-493.

9. Birkhoff R.D. The passage of fast electrons through matter. In.: S.Frugge (ed.). Encyclopedia of Physics, v.34. Berlin, Gottingen, Heidelberg,Springer-Verlag,1958,p.53.

10. Голубев Г.П.,Вавилов B.C.,Егоров В.Д. Энергия ионизации электронами в кристаллах германия и карбида кремния. ФТТ, 1965, т.7, № 12, с.3702-3704.

11. И. Bussolati С.,Fiorentini A.,Fabri G. Energy for Electron

12. Holl Pair Generation in Silicon by Electrons and dL-Particle. Phys.Rev., 1964, v.136, H 6А, р.А1756-А1758.

13. Пацкевич В.M.,Вавилов В.С.,Смирнов Л.С. Энергия ионизации электронами в кристаллах кремния. ЖЭТФ,1957,т.ЗЗ, № 3, с.804-805.

14. Щульман А.Р., Фридрихов С.А. Вторично-эмиссионные методы исследования твердого тела. Москва: Наука, 1977. - 551 с.

15. Крейндель Ю.Е.,Лебедева Н.Й.,Мартене В.Я.,Месяц Г.А. Отжиг полупроводников низкоэнергетическим электронным пучком секундной длительности. Письма в ЖТФ,1982,т.8,№ 23, с.1465-1468.

16. Губская В.И.,Кучинский П.В.,Ломано В.М. Влияние зарядового состояния первичных дефектов на комплексообразование в кремнии п -типа. ФТП, 1980, т.14, № 2, с.323-326.

17. Lang D.V., Kimerling L.C. Observation of Recombination -Enhanced Defect Reactions in Semiconductors. Phys. Rev. Lett., 1974, v.33, И 8, p.489-492.

18. Бонч-Бруевич В.Л., Калашников С.Г. Физика полупроводников. -Москва: Наука, 1977. 672 с.

19. Качурин Г.А. ,Придачин Н.Б.,Смирнов Л.С. Отжиг радиационных дефектов импульсным лазерным излучением. ФТП, 1975, т.9, № 7, с.1428-1429.

20. Хайбуллин И.Б.,Штырков Е.И.,Зарипов М.М.,Галяутдинов М.Ф., Баязитов P.M. Отжиг ионно-легираванных слоев под действием лазерного излучения. Москва: ВИНИТИ, деп.№ 2661-74 , 32 с.

21. Амиров Ю.А. Данишевский A.M.,Челноков В.Е. 0 релаксации неравновесных носителей заряда в кремнии в широком диапазоне уровней возбуждения. ФТП, 1977, т.II, № 4, с.775-777.

22. Wierdman J.P. Some Optical and Electrical Properties of a Laser generated Free-carrier Plasma in Si. - Phyl. Res. Repts, 1971, v.7, Suppl.2, p.1-88.

23. Гаубас Э. ,Вайткус Ю. ,Ярашгонас К. Дифракция света на динамических неоднородных решетках в полупроводниках. Лит.физ. сб., 1981, т.21, № 5, с.77-86.

24. Вайткус Ю.,Гривицкас В.,Стораста Ю. Электронно-дырочное рассеяние и рекомбинация неравновесных носителей заряда в кремнии при высоком уровне возбуждения. ФТП, 1975, т.9, J6 7, с.1339-1345.

25. Аут И.,Генцов Д.,Герман К. Фотоэлектрические явления. Москва: Шр, 1980. - 208 с.

26. Грехов И.В., Делимова Л.А. Оже-рекомбинация В1фемнии. ФТП, 1980, т.14, J6 5, с.897-901.

27. Зуев В.А., Крюченко Ю.В. Люксашерные зависимости фотоэффектов в условиях проявления поверхностной и объемной оже-ре-комбинации в кремнии. ФТП, 1981, т.15, № 2, с.404-407.

28. Панов В.И., Смирнов Л.С. Влияние интенсивности облучения на процессы накопления радиационных дефектов в кремнии. ФТП, 1971, т.5, № 2, с.346-348.

29. Герасименко Н.Н.,Двуреченский А.В.,Панов В.И.,Смирнов Л.С. 0 пороговой энергии образования радиационных дефектов в полупроводниках. ФТП, 1971, т.5, № 8, с.1644-1646.

30. Золотухин А.А.,Коваленко А.К.,Мещерякова Т.М., Милевский Л.С.,Пагава Т.А. 0 влиянии интенсивности облучения на радиационное повреждение кремния. ФТП, 1975, т.9, № 6, с.1201-1202.

31. Болотов В.В.,Васильев А.В.,Двуреченский А.В.,Качурин Г.А.,

32. Придачин Н.Б., Смирнов Л.С.,Стась В.Ф. Вопросы радиационной технологии полупроводников. Новосибирск: Наука,1980.-296 с.

33. Болотов В.В.,Васильев А.В.,Смирнов Л.С. Об энергии миграции простейших дефектов в германии и кремнии. ФТП, 1974, т.8, № 3, с.518-521.

34. Болотов В.В.,Васильев А.В.,Смирнов JI.C. 0 влиянии интенсивности облучения на процессы накопления радиационных дефектов в полупроводниках. ФТП, 1973, т.7, № II, с.2132-2136.

35. MacKay J.V.,Klontz Е.Е. Low-Temperature Irradiation of Semiconductors and Ionisation Effects. In.: Radiation Damage in Semiconductors. Paris, Dunod, 1965, p.11-25.

36. Болотов B.B.,Васильев А.В.,Герасименко Н.Н.,Двуреченский А.В., Качурин Г.А.,Панов В.И.,Смирнов Л.С.,Стась В.Ф. Физические процессы в облученных полупроводниках. Новосибирск: Наука, 1977. - 256 с.

37. Васильев А. В. 0 кинетике образования и отжига радиационных дефектов в кристаллах. 1972, т.6, № 4, с.603-608.

38. Хайновская В.В.,Эдельман Ф.Л.,Смирнов Л.С. 0 корреляции электрических и механических свойств облученных кристаллов германия. ФШ, 1968, т.10, № I, с.274-276.

39. Wertheim G.K. Temperature Dependent Production in Bombardment of Semiconductors. - Phys. Rev., 1959, v.115, 1 3, p.568-569.

40. MacKay J.W., Klontz В.Б. Low-Temperature Annealing Studies in Ge. J.Appl.Phys., 1959, v.30, К 8, p.1269-1274.

41. MacKay J.W., Klontz Б.Б. The Role of Carriers in the Displacement Process in Germanium. In.: Radiation Damage in Solids.v•3»Viena,Int.,Atomic Energy Agency,1963,p.27-36.

42. Винецкий В.Л.,Ехиден Г.Н.,Конозенко И.Д.,Старчик М.И. Скорость введения Г -радиационных дефектов в кремний. ФЩ, • 1968, т.2, № 9, с.1236-1242^

43. Ерицян Г.Н. Исследование факторов, влияющих на образование и распад радиационных дефектов в кремнии. Дис.канд.физ.-мат.наук. - Киев, 1967. - 142 с.

44. Ткачев В.Д. ,Лугаков П.Ф.,Лукьяница В.В. Влияние интенсивности облучения на образование радиационных дефектов в кремнии и -типа. ДАН БССР, 1978, т.22, & 4, с.318-321.

45. Кожевников В.П., Михнович В.В. Интерпретация зависимости скорости введения А-центров в п. -кремнии от интенсивности облучения электронами. ФТП, 1981, т.15, № 8,с.1598-1600.

46. Казакевич Л.А.,Лугаков П.Ф.,Ткачев В.Д. Влияние дислокаций на накопление радиационных дефектов в кремнии. ФТП, 1980, т.14, & I, с.124-128.

47. Gregory B.L., Barnes С.Е. Defects Reordering at Low Temperaturs in gamma Irradiated n-Type Silicon. In.: Ra~ diation Effects in Semiconductors. Ed. by F.L.Vook.

48. U.Y. Plenum Press, 1968, p.124-135.

49. Klontz Е.Е., Sivo Ъ.Ъ. Radiation Annealing in Degenerate n-Type Silicon. In.: Radiation Effects in Semiconductors. Ed. by F.L.Vook. N.Y., Plenum Press, 1968, p.136-142.

50. Милевский Л.С., Гарнык B.C. Использование локального облучения для изучения радиационных свойств полупроводников. ФТП,1979, т.13, № 7, с.1369-1374.

51. Емцев В.В.,Машовец Т.В.,Назарян Е.Х. Метастабильные пары Френкеля в кремнии. ФТП, 1982, т.16, № 4, с.687-691.

52. Веригин А.А.,Коваль Б.А.,Крючков Ю.Ю.Лебедева Н.И., Мамонтов А.Л.,Проскуровский Д.И.,Чернов К.П. Импульсный элекарон-ный отжиг кремния, легированного фосфором. ФТП, 1982,т.16, & 4, с.759.

53. Двуреченский А.В.,Кашников Б.П.,Смирнов Л.С. Перестройка дефектов в аморфизи ров энных ионной бомбардировкой слоях S\ и

54. G>aKs под действием мощных электронных импульсов. ФТП,1980, т.14, № 9, C.I837-I839.

55. Лидоренко Н.С.,Месяц Г.А.,Рябинов С.В.,Бовдаренко В.Д., Зайцева А.К.Лебедева Н.И.,Полисан А.А.,Шпак В.Г. Об использовании сильноточных электронных пучков для отжига полупроводников. ЖТФ, 1981, т.51, № 6, с.1303-1305.

56. Погребняк А.Д.,Лопатин В.€., Воробьев С.А. Эффект "импульсного протонного отжига" и разрушение полупроводниковых кристаллов при воздействии сверхплотных протонных пучков. 1ТФ, 1983, т.53, № 6, C.II86-II89.

57. Данильченко Б.А.,Курицын Е.М.,Мокрицкий В.А.,Шаж>вцов В.И. Эпитаксия слоев в радиационном поле. УФЖ, 1982, т.27, № 4, с.572-575.

58. Крайчинский А.Н. Исследование низкотемпературного отжига дефектов в германии, облученном высокоэнергетическими частицами. Дис. . канд.физ.-мат.наук. - Киев, 1975. - 143 с.

59. Герасимов А.Б., Голубков В.Б.,Кутелия Э.Р.,Минеев В.П., Мкртычян Э.М.,Церцвадзе А.А. Роль ультрафиолетового облучения при термическом отжиге имплантированного бором кремния.-Письма в ЖТФ, 1980, т.6, $ I, с.58-61.

60. Gregory В.Ъ. Injection-Stimulated Vacancy Reordering in p-Type Silicon at 76°K.-J .Appl.Phya. ,1%5,<36,П2,р.3765- 3769.

61. Шейнкман M.K. Новый механизм фотохимических реакций в полупроводниках. УФЖ, 1983, т.28, $ 10, с.1586-1589.

62. Шейнкман М.К. Новое объяснение рекомбинационно-стимулирован-ных явлений в полупроводниках. Письма в ЖЭТФ, 1983, т.38,6, с.278-280.

63. Watkins G.D., Troxell J.R.,Chatter;) ее A.P., Harris R.D. Ionization Enchanced Migration of Radiation Produced Defects in Silicon. In.: Radiation Physics of Semiconductors and Related Materials. Ed. by G.P.Kekelidze,

64. V.I.Shakhovtsov. Tbilisi. Tbilisi State University Press,1980, p.97-109.

65. Винецкий В.Л. Некоторые достижения и проблемы радиационной физики полупроводников. В сб.: Вопросы атомной науки и техники» серия: Физика радиационных повреждений и радиационное материаловедение. 1982, вып.1/20/, Харьков, ФТИ АН УССР.с.3-26.

66. Зайковская М.А.,Кив А.Е.,Шязова О.Р*, Subtheshoid Irradiation Effects in Silicon Epitaxial Films. Phys.St. Sol., 1S70, v.3, N 1, p.99-104.

67. Карпов В.Т., Клингер М.И. Механизм радиационного дефектообразования при электронных переходах в примесных полупроводниках. ФТП, 1978, т.12, № 10, C.I887-I897.

68. Витовский Н.А.,Клингер М.И.,Машовец Т.В.,ЭДустафакулов Д., Рыбкин С.М. О реализуемости ионизационного механизма образования дефектов в примесных полупроводниках. ФТП, 1979, т.13, № 5, с.925-932.

69. Емцев В.В.,Клингер М.И.,Машовец Т.В.,Назарян Е.Х.,Рыбкин С.М. Проявления примесного ионизационного механизма образования дефектов цри "надпороговом" облучении германия и кремния. -ФТП, 1979, т.13, В 5, с.933-937.

70. Оксенгендлер Б.Л. Электронные волновые функции молекул и твердых тел. В кн.: Прикладная ядерная физика, т.1, Ташкент, ФАН, 1973, с.221-226.

71. Bourgoin J.C.,Corbett J.W. A nev; mechanism for interstitial migration. Phys.Letts., 1972, V.38A, Ef 2, p.135-137.

72. Стародубцев С.В.,Кив А.Е.,Розенцвит Г.Л. Об ионизационном механизме активации диффузии излучением. ДАН СССР, 1967, т.172, № 4, с.907-908.

73. Оксенгендлер Б.Л. Инверсон-дефектон нового типа. Письма в ЖЭТФ, 1976, т.24, I, с.12-15.

74. Клингер М.И. 0 возможном низкотемпературном механизме гигантского радиационного усиления диффузии в кристаллах. ФШ, 1977, т.Ц, )1 9, с. 1675-1679.

75. Клингер М.И. 0 механизме низкотемпературного радиационного дефектообразования типа эффекта Уоткинса в полупроводниках.-ФШ, 1978, т.12, & 12, с.2289-2297.

76. Винецкий В.Л., Холодарь Г.А. Статистическое взаимодействие электронов и дефектов в полупроводниках. Киев: Наукова думка, 1969. - 188 с.

77. Chaika G.E., Vinetskii V.L. New Mechanism of Electric

78. Field Influence on Defect Creation in non-metallic crystals.-Phys.Stat.Sol.(b), 1980, v.98, N 3, p.727-730.

79. Герасимов А.Б.,Гоголадзе И.А.,Церцвадзе А.А. Образование "холодной жидкости" при облучении вещества лазером. Письма в ЖТФ, 1982, т.8, № 17, с.1032-1035.

80. Van Vechten J.A.,Tsu R.,Saris F.W.Nontheimal Pulsed Laser Annealing of Si; Plasma Annealing.-Physiett.,1979,V.74A,N6,p.422-426.

81. Van Vechten J.A., Tsu R. , Saris F.W. , Hoonhout D. Reasons to Believe Pulsed Laser Annealing of Si Does Hot Involv Simple Thermal Melting.-Phys.Lett., 1979, V.74A, N 6,p.417-421.

82. Френкель Я.И. Кинетическая теория жидкостей. Ленинград: Наука, 1975. - 592 с.

83. Кошкин В.М., Забродский Ю.Р. Неустойчивые пары новый тип точечных дефектов в твердых телах. - ДАН СССР, 1976, т.227, № 6, с.1323-1326.

84. Абакумов В.Н., Алферов Ж.И., Ковальчук Ю.В., Портной Е.Л. К вопросу о механизме лазерного отжига полупроводников. -ФТП, 1983, т.17, № 12, с.2224-2228.

85. Борисенко В.Е.,Ершов С.Н.,Калинкин Ю.Л.,Пантелеев В.А. Эффект дальнодействия при облучении кремния низкоэнергетическими ионами. Письма в ЖТФ, 1982, т.8, № 9, с.559-561.

86. Войцеховский А.И.,Крайчинский А.Н.,Мизрухин Л.В., Шахов-цов В.И. Переходные прсцессы в а Si при облучении мощными электронными импульсами, - ФШ, 1981, т.15, 5, с.938-942.

87. Мизрухин Л.В., Пежо И.И., Хижняк А.И. Применение динамической голографии для изучения неравновесных процессов в полупроводниках. В сб.: Фотоэлектрические явления в полупроводниках. - Киев, Наукова думка, 1979, с.170.

88. Мизрухин Л.В.,Пешко И.И.,Резников Ю.А.,Соскин М.С.,Хижняк А.И. Динамические характеристики голографических решеток, записанных в кремнии ультракороткими импульсами. Тезисы докл. Третьей Всесоюзной конференции по голографии, Ульяновск,1978, c.II-12.

89. Мизрухин Л.В.,Пешко И.И.,Соскин М.С.,Хижняк А.И. Свойства голографических решеток в кристаллах кремния при записи ультракороткими импульсами света. I. Теория. УФЖ, 1983, т.28,1. J6 5, с.675-683.

90. Мизрухин Л.В.,Шаховцов В.И. ,Шаховцова С.И. Свойства облученных синтетических алмазов. В сб.: Радиационные эффекты в твердых телах. - Киев, Наукова думка, 1977, с.40-68.

91. Вишневский А.С.,Мизрухин Л.В. Детинцев В.М.,Шаховцов В.И., Шаховцова С.И. Термолюминесцентное вещество для гамма-дозиметра. Авторское свидетельство № 716286. Официальный бюллетень Госкомизобретений СССР, 1981, № 20, с.259.

92. Вишневский А.С.,Мизрухин Л.В.,Устинцев В.М. .Шаховцов В.Й., Шаховцова С.И. Некоторые особенности термслюминесценции синтетических алмазов. Сверхтвердые материалы, 1982, № 6,с.19~22.

93. Вишневский А.С.,Мизрухин Л.В.,Устинцев В.М.,Шаховцов В.И., Шаховцова С.И. Некоторые особенности термолюминесценции облученных синтетических алмазов. Тезисы Международного семинара "Сверхтвердые материалы", Киев, ИСМ АН УССР, 1981, т.1, с.122-123.

94. MacKay J.W. Defect Behavior-Annealing and Migration.1..: Radiation Effects in Semiconductor Components.Touluse-Prance, Journees D'Electronique, 1967, v.1, p.A2.

95. Бергнер X.,Брюкнер Ф.,Шредер Б. Изучение быстропротекающих процессов в полупроводниках в пикосекундной области. Квантовая электроника, 1983, т.10, № 6, с.1150-1159.

96. Ширшев Л.Г. Ионизирующее излучение и электроника. Москва:

97. Советское радио, 1969. 191 с.

98. Абакумов В.Н., Яссиевич И.Н. Оже-рекомбинация в кремнии. -ФЩ, 1977, т.II, 7, с.1302-1310.

99. Пешко И. И. Динамические томографические решетки в кристаллах Si и CoLTe . Препринт ИФ АН УССР, 1983,№ 6,с.1-41.

100. Бонч-Бруевич А.М.,Имас Я.А.,Либенсон М.Н. и др. Волны просветления и потемнения в кремнии, индуцируемые излучением неодимового (ЖГ. ЖТФ, 1977, т.47, № 3, с.609^-616.

101. Reintjes J.F., Megroddy J.С. Indirect two-photon transition in Si at 1,06 mm. Phys.Rev.Lett.,1973,v.30,N19,p.901-903.

102. Мизрухин Л.В.,Пешко И.И. ,Соскин М.С.,йтняк А.И. Свойства голографических решеток, использующих эффект самоиндуцированной прозрачности. Письма в ЖТФ, 1979, т.5, № 21, с.1332-1335.

103. Мизрухин Л.В.,Пешко И.И.,Хижняк А.И. Об использовании переходов из возбужденного состояния для исследования самоиндуцированной прозрачности. Квантовая электроника, 1980,т.7, № 9, с.2031-2034.

104. Clark C.D., Mitchell E.W.J. Radiation Induced Defects in Diamond. In.: Radiation Effects in Semiconductors. -London, New-York, Paris: Gordon and Breach Science Pablishers, 1971, p.257-272.

105. Vavilov V.S. Semiconducting Diamond. Phys.St.Sol.(a) 1975, v.31, N 1, p.11-26; Defects in Diamond. - In.: Defects and Radiation Effects in Semiconductors, 1978.- Conf. Ser.

106. H 46, Bristol and London: The Institute of Physics, 1979,p.74-81.

107. Clark C.D., Kemmey P.W., Mitchell E.W.J. Optical and Electrical Effects on Radiation Damage in Diamond. Dise. Farad.Soc., 1961, v.31, p.96-106.

108. Miyashita K., Henisch H.K., Toole J. Use of Diamond for Photo-Stimulated Ultraviolet Radiation Dosimetiy. Solid St.Electron., 1967, v.10, jj 3, p.193-197.

109. Austin I.G., Wolf R. Electrical and Optical Properties of a Semiconducting Diamond. Proc.Phys.Soc,, 1956, v.69, Part 3, Ж 435 В, p.329-338.

110. Dean P.J., Ligtowlers E.C., Wight D.R. Intrinsic and Extrinsic Recombination Radiation from natural and Synthetic Aluminum Doped Diamond. - Phys.Rev., 1965, v.140, H 1A, Р.А352-А368.

111. Gusters J.F.H. Unusual Phosphorescence of a Diamond. -Physica, 1952, v.18, И 8-9, p.489-496.

112. Gusters J.F.H. Type lib Diamonds. Physica, 1954, v.20, H 3, p.183-184.

113. Brophy J.J. Preliminary Study of the Electrical Properties of a Semiconducting Diamond. Phys.Rev., 1955, v.99, U 4, p.1336-1337.

114. Ligtowlers E.C., Collins A.T. Electrical-Transport Measurements on Synthetics Semiconducting Diamond. Phys. Rev., 1966, v.151, N 2, p.685-688.

115. Никитин A.B., Безруков Г.Н., Варагин B.C. и др. Термсшюми-несценвдя искусственных алмазов. ФТТ, 1968, т. 10, № I, с.243-247.

116. Bull С., Garlick G.F.J. The Luminescence of Diamonds. -Proc.Phys.Soc.,1950,v.63, Part 11, И 371A, p.1283-1291.

117. Halperin A. ,Nahum J. Some Optical and Electrical Properties of Semiconducting Diammds.-J.Phys.Giem.Sol., 1961,v.18;sr4,p. 297-306.

118. Hahum J., Halperin A. Themoluminescence and the Relation Between Thermal and Optical Activation Energies in Diamond,-J.Phys.Chem.Sol., 1963, v.24, N 7, p.823-834.

119. Wight D.R., Dean P.J. Extrinsic Recombination Radiation from Natural Diamond: Exciton Luminescence Assosiated with the N 9 Center.-Phys.Rev. ,1967,'v. 154,11 3, p.689-696.

120. Никитин А.В.,Безруков Г.Н.,Варагин B.C. Фосфоресценция и термовысвечивание искусственных алмазов с примесью бора. -ДАН СССР, сер.матем.физики, 1968, т.180,11 3,с.597-598.

121. Петрова Н.И., Безруков Г.Н. Некоторые особенности термолюминесцентного свечения синтетических алмазов, полученных в различных углеродных средах. ДАН СССР, еер.матем.физики,1974, т.217, & 2, с.333-335.

122. Никитин А.В. ,КЛиентова Г.П.,Безруков Г.Н. Некоторые физические свойства искусственных алмазов, легированных азотом. -Неорганические материалы, 1970, т.6, № 2, с.370-371.

123. Никитин А.В.,Самойлович М.И.,Ворожейкин К.Ф. О влиянии дисперсной примеси азота на термолюминесценцию искусственных алмазов. ФТТ, 1968, т.10, Ш 7, с.2200-2202.

124. Безруков Г.Н.,Бутузов В.П.Дателишвили В.Г.,Чернов Д.Б. Изучение состава включений в синтетических кристаллах алмаза методом локального анализа. ДАН СССР, сер.матем.физикиа 1972, т.204, № I, с.84-87.

125. Голубев Н.Ф., Латышев А.В. Влияние зарядового состояния первичных дефектов на процессы дефектообразования в германии, легированном палладием.-ФТП,1981,т.15,$ 6,с.П66-П71.

126. Радиационные эффекты в твердых телах: Сб.статей. Киев: Наукова думка, 1977. - 180 с.

127. Вавилов В.С.,Кив А.Е.,Ниязова О.Р. Механизмы образования и миграции дефектов в полупроводниках. Москва: Наука, 1981.368 с.

128. Войцеховский А.И. ,Крайчинский А.Н.,Мизрухин Л.В., Шаховцов В.И. Влияние интенсивности гамма- и электронного облучения на кинетику накопления радиационных дефектов в n-Ge . Письма в ЖТФ, 1981, т.7, & 17, с.1054-1057.

129. Крайчинский А.Н.,Мизрухин Л.В.,Шаховцов В.И. Отжиг дефектов в германии, ускоренный "подсветкой". УФ1, 1982, т.27, № 7, с.1060-1066.

130. Баранский П.И.,Клочков В.П.,Потыкевич И.В. Полупроводниковая электроника. Киев: Наукова думка, 1975. - 704 с.

131. Ткачев В.Д., Уренев В.И. Об эффективности образования и природе радиационных дефектов структуры в Ge . ФТП, 1970,т.4, & 12, с.2405-2408.

132. Винецкий В.Л., Кондрачук А.В. О механизме статистической кластеризации точечных дефектов. УФЖ, 1982, т.27, № 3, с.383-387.

133. Винецкий В.Л., Ясковец И.И. Теория квазистационарных реакций между точечными дефектами в кристаллах. ФТТ, 1972, т.14, & 10, с.3046-3052.

134. Смит Р. Полупроводники. Москва: Мир, 1982. - 560 с.

135. Fukuoka Noboru, Saito Haruo. Defect States in n-Type

136. Germanium Irradiated, with 1,5 MeV Electrons. Jap.J.Appl. Phys. , 1982, v.21, Part 1, N 6, p.930-935.

137. Аешн А.И.,Смирнов Л.С.,Стась В.Ф. Исследование радиационных дефектов в германии методом емкостной спектроскопии. -ФШ, 1983, т.17, № 8, с.1535-1537.

138. Troxell J.R., Chaterjee А.Р., Watkins G.D. ,Kimerling L.C. Recombination-Enchanced Migration of Interstitial Aluminium in Silicon.-Phy s. Rev. B,1979 ,v.19,11 10,p. 5336-5348.

139. Kraitchinskii A.M., Rzewuski H., Suski J., Werner Z. Defects in Ge Irradiated with 1 MeV Electrons at 85 K. -f Phys.St.Sol., 1972, v.13, p.661-668.

140. Vineyard G.H.Frequency Factors and Isotop Effects in Scflid State Rate Processes.-J.Phys.Ghem.Sol.,1957,v.3,N1-2,p. 121-127.

141. Watkins G.D., Troxell J.R. Negative U Propertiesfor Point Defects in Silicon. Phys.Rev.Letts., 1980, v.44, N 9, p.593-596.

142. Гленсдорф П., Пригожин И. Термодинамическая теория структуры, устойчивости и флуктуации. Москва: Мир, I973.-248 с.

143. Войпеховский А.И. Драйчинский А.Н.,Мизрухин Л.В., Шаховцов В.И. Образование дефектов в при облучении мощными импульсами электронов. Письма в ЖТФ, 1981, т.7, № 17, с.I029-1032.

144. Мизрухин Л.В.,Пешко И.И.,Соскин М.С.,Хижняк А.И. Свойства голографических решеток на эффекте СИП. Тезисы докл.Девятой Всесоюзной конференции по когерентной и нелинейной оптике, Ленинград, 1978, т.1, с.261.

145. Крайчинский А.Н.,Мизрухин Л.В.,Шаховцов В.И. Распределение пар Френкеля по расстояниям в облученных кремнии и германии. ФТП, 1983, т.17, № 3, с.437-440.

146. Hiraki A., Cleland J.W. , Crawford J.H. Annealing of

147. Defects Produced in n-Type Ge by Electron Irradiation at 30 Phys.Rev., v» 177» H 3, p. 1203-1207.143. вгота W.L., Augustyniak W»M*, Wait© T*R» Annealing of Radiation Defects in Semiconductors»— J.J^ploPbyrs» 1959,v» 30, 338, p.'1258-1268.

148. Hill D.E. Electron Bombardment of Silicon*- Phys. Rev.,1959, v»114, Ж 6, p*1414~1420*

149. Губская В.И.Кучинский П.В. Домако В.М. Дефектообразование в сильнолегированном кремнии при облучении. ФТП, 1982, т.16, № I, с.93-97.

150. Винецкий В.Л.,Ентинзон И.Р.Долодарь Г.А. О "пороговой" энергии образования дефектов Френкеля быстрыми частицами. -ФТП, 1979, т.13, № 5, с.912-918.

151. Вайсбурд Д.И. Высокоэнергетическая электроника твердого тела. Новосибирск: Наука, 1982. - 227 с.