Взаимодействие плазмы с поверхностью оптических элементов, используемых в литографии экстремального УФ (13,5 нм) тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 01.04.08, кандидат физико-математических наук Малыхин, Евдоким Михайлович

• Малыхин, Евдоким Михайлович
• кандидат физико-математических наук
• 2011

Оглавление диссертации кандидат физико-математических наук Малыхин, Евдоким Михайлович

Введение.

Глава 1. Обзор литературы.

1.1. Закон Мура.

1.2. Принципы оптической литографии.

1.3. Перспективы развития полупроводниковых технологий.

1.4. ЕЦУ литография.

1.5. Многослойные зеркала для ЕЦУ литографии.

1.6. Проблема загрязнения многослойных зеркал для Е1Л/.

1.7. Постановка задачи.

Глава 2. Методы исследования поверхности оптических элементов и их загрязнений в литографии экстремального УФ.

2.1. Спектроскопия рамановского рассеяния.

2.2. РЖ-спектроскопия тонких пленок аморфного углерода.

2.3. Рентгенофлуоресцентный анализ.

2.4. Сканирующая электронная микроскопия поверхности многослойных зеркал.

2.5. Атомно-силовая микроскопия поверхности многослойных зеркал.

Глава 3. Структура загрязнений поверхности многослойных зеркал.

3.1. Загрязнения олова и окисление зеркала

3.2. Структура тонких пленок углерода осажденных под Е1Л/.

3.3. Модель процесса осаждения пленки аморфного углерода на многослойное зеркало под действием ЕЦУ излучения.

3.4. Выводы.

Глава 4. Взаимодействие тонких пленок углерода и олова с плазмой и ее послесвечением.

4.1. Введение.

4.2. Экспериментальная установка для исследования взаимодействия тонких пленок углерода и олова с плазмой.

4.3. Метод актинометрии для измерения плотности атомов водорода в плазме.

4.4. Экспериментальная установка для исследования взаимодействия тонких пленок углерода и олова с послесвечением плазмы.

4.5. Взаимодействие тонких пленок олова с плазмой и ее послесвечением.

4.6. Взаимодействие тонких пленок углерода с плазмой и ее послесвечением.

4.7. Выводы.

Глава 5. Удаленная плазменная очистка многослойных зеркал.

5.1. Введение.

5.2. Эксперимент.

5.3. Обсуждение результатов.

5.4. Моделирование системы удаленной плазменной очистки многослойной оптики.

5.5. Выводы.

Глава 6. Ионная и пон-стнмулированнля плазменная очистка многослойных зеркал.

6.1. Введение.

6.2. Эксперимент.

6.3. Результаты.

6.4. Ион-стимулированная очистка окислов рутения.

6.5. Выводы.

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Взаимодействие плазмы с поверхностью оптических элементов, используемых в литографии экстремального УФ (13,5 нм)»

В соответствии с Международной программой развития полупроводниковых устройств (International Technology Roadmap for Semiconductors, ITRS), наиболее перспективным (как технологически, так и экономически) направлением для дальнейшего развития* микроэлектронных устройств является литография экстремального ультрафиолета, или EUV-литография [1, 2]. В настоящее время используется EUV излучение с длиной волны 13.5 нм, и уже планируется переход на длину волны 6.7 нм Излучение с такой длиной волны сильно поглощается, поэтому использование преломляющей оптики в EUV литографах становится невозможным. В связи с этим современные схемы сбора и управления EUV излучением базируются на отражательной оптике, а именно - на многослойных зеркалах (Multiayei Mirror, ML mirror). Многослойные зеркала на длину волны 13.5 нм состоят из 40-60 Mo:Si бислоев, причем толщина каждого такого бислоя составляет 6.9 нм, а самый верхний слой -это пленка Ru толщиной 1.5-2 нм. Коэффициент отражения такого многослойного зеркала составляет 70% в спектральной полосе ~2 нм вблизи 13.5 нм [3, 4, 5]. Линейные размеры многослойных зеркал могут достигать десятков сантиметров, при этом грубость их поверхности не должна превышать 0.2-0.3 нм. Столь совершенные и сложные в изготовлении зеркала достаточно дороги и вносят значительный вклад в стоимость оборудования для EUV-литографии.

Для использования EUV литографии в производстве сверхбольших интегральных схем необходимо обеспечить очень длительное время жизни EUV оптики - не менее 30 000 часов [6, 7]. Срок службы многослойных зеркал сильно ограничивается их быстрым загрязнением в процессе эксплуатации [8, 9]. Т.к. основным источником EUV-излучения в EUV-литографе на 13.5 нм является горячая многозарядная плазма паров олова, то поверхность Mo:Si многослойных зеркал, особенно близких к источнику, подвергается загрязнению оловом. Кроме этого, на поверхности зеркал осаждается углеродная пленка при разложении на поверхности углеводородов под действием EUV фотонов и вторичных электронов (остаточные углеводороды присутствуют даже в условиях высокого вакуума ~10'8 Тор). На поверхности кроме углеводородов в высоком вакууме, кшс известно, присутствует адсорбированная вода, которая под воздействием EUV излучения и вторичных электронов диссоциирует, что ведет к окислению верхних слоев многослойного зеркала. Все это существенно снижает отражающую способность зеркал и четкость получаемого изображения. Т.к. в предполагаемых схемах EUV литографа может содержаться более десятка многослойных зеркал, то, соответственно, даже небольшое снижение отражательной способности каждого зеркала способно блокировать работу литографа в целом [10].

Для того чтобы работа ЕиУ литографа была эффективной, необходимо, чтобы потери отражательной способности на каждом зеркале не превышали 1.5% [11, 4]. Такая потеря отражательной способности соответствует толщине углеродной пленки всего в несколько нм. Так, например, в зависимости от расположения зеркала в литографе, скорость роста углеродной пленки на зеркале варьируется от 0.001 нм в час до 0.1 нм / час [12, 3]1 Таким образом, без дополнительной очистки время жизни многослойных зеркал сокращается до 100 часов'вместо требуемых 30 000 часов.

Поэтому одной из важнейших задач, которые необходимо решить для эффективного использования ЕЦУ литографии с длиной волны 13.5 нм и менее, является задача прецизионной, неповреждающей очистки многослойных зеркал от загрязнений [2, 13, 14].

Настоящая работа посвящена исследованию взаимодействия плазмы низкого давления с поверхностью многослойных зеркал и их загрязнений, исследованию возможностей и механизмов удаления загрязнений с поверхности многослойной ЕЦУ оптики в плазме.

Научная новизна данной задачи состоит в том, что необходимо удалять слои загрязнений нанометровой толщины, не затрагивая при этом верхний слой зеркала. Иными словами, необходимо достичь исключительно высокой селективности процесса удаления загрязнений. Для этого необходимо детальное знание физических особенностей процесса взаимодействия плазмы с поверхностью оптических элементов и их загрязнений. При этом система удаления загрязнений должна быть достаточно простой и доступной для реализации непосредственно в литографе: процессы юстировки и настройки оптической системы столь сложны, что удаление ЕиУ зеркал из литографа для задач очистки недопустимо.

Практическая значимость задачи обусловлена необходимостью ее решения в соответствии с Международной программой развития полупроводниковых технологий [2].

Диссертация состоит из шести глав. Глава I посвящена краткому обзору принципов ЕЦУ литографии в современной микроэлектронной технологии и существующих литературных данных по многослойным ЕиУ зеркалам и их загрязнениям. В главе 2 описаны использованные в данной работе методы диагностики поверхности многослойных зеркал и их загрязнений. В главе 3 исследуется структура загрязнений многослойных зеркал. Глава 4 посвящена взаимодействию плазмы с загрязнениями на поверхности многослойных зеркал. Глава 5 посвящена исследованию возможности создания систем удаленной плазменной очистки. В главе 6 описаны механизмы химической и ион-стимулированной очистки поверхности многослойных зеркал. Основные результаты работы представлены в заключении.

Личный вклад автора заключается в следующем. Автор принимал участие в разработке и создании экспериментальных стендов для обработки образцов в плазме и ее послесвечении.

С использованием данных экспериментальных установок автором были проведены эксперименты по обработке образцов многослойных зеркал в плазме и ее послесвечении. Автор занимался подготовкой образцов для этих экспериментов и анализом полученных экспериментальных данных по диагностике поверхности.

Апробация результатов работы была проведена в процессе публикаций в журналах «Вестник Московского Университета» (№ 1 и 2 за 2011 год), Journal of Physics D: Applied Physics (№ 1 за 2011 год) и устных докладов на российских и международных конференциях: «63rd Gaseous Electronics Conference & ICRP 2010» и «7-я Курчатовская Молодежная Научная Школа». На основе положительных отзывов и рецензий по результатам работы можно сделать вывод о возможности применения полученных результатов в EUV литографии.

Основные результаты работы опубликованы в журналах и сборниках трудов конференций: 3 статьи в рецензируемом журнале [15, 16, 17] и 2 тезиса доклада [18, 19].

Заключение диссертации по теме «Физика плазмы», Малыхин, Евдоким Михайлович

Основные результаты диссертации

В данной диссертационной работе исследовано* взаимодействие низкотемпературной плазмы с поверхностью многослойной отражающей оптики для 13.5 нм ЕЦУ литографии и основными загрязнениями на ее поверхности - аморфными тонкими (нм толщины) пленками олова, углерода и оксида рутения.

Основное воздействие на поверхность многослойной оптики оказывают атомы и ионы из плазмы.

Изучены физические особенности процессов удаления загрязнений с поверхности многослойных зеркал атомами водорода и азота, образованными в плазме Исследован транспорт атомов Н и N в послесвечении разрядных плазменных источников атомов Показано, что поверхностная рекомбинация атомов определяет их плотность над поверхностью многослойного зеркала и, соответственно, скорость удаления загрязнений. Измерены вероятности рекомбинации атомов на поверхностности материалов, представляющих интерес в ЕЦУ литографии, нержавеющей стали, кварца и тефлона. Показано, что при низком давлении, вследствие высокой вероятности рекомбинации (-0 1) поверхностная рекомбинация на металле целиком и полностью определяет возможности удаленной плазменной очистки многослойных зеркал для ЕЦУ литографии.

Установлено, что основным механизмом удаления аморфных пленок олова являются прямые химические реакции Яп с атомарным водородом, с образованием летучего продукта БпИ,, в то время как легкие ионы водорода и гелия практически не влияют на скорость удаления олова Эффективность ион-стимулированных процессов при взаимодействии олова и водорода низкая Измерена вероятность удаления атома Эп атомом Н, падающим на поверхность при температуре 300 К: ~5-7-10"6. Измеренные вероятности удаления одного атома С и кислорода (восстановления 11и и ЯиОх) одним «холодным» атомом Н также низки: — 1-3-10"6 и 2 106 соответственно. В отличие от водорода вероятность удаления атома углерода (из аморфной пленки) одним атомом азота значительно выше -4-10 4 и сравнима с вероятностью рекомбинации атомов N на поверхности кварца. Низкие вероятности удаления аморфных пленок олова, углерода и оксида рутения атомарным водородом и азотом свидетельствуют о наличии высокого реакционного порога, прежде всего в начальной стадии образования водородных и азотных комплексов на поверхности

Исследованы физические особенности воздействия ионов на поверхность многослойной оптики и ее загрязнения. Поток низкоэнергетичных ионов из водородной плазмы на поверхность аморфных пленок углерода и оксида рутения приводит к включению механизма ион-стимулированных поверхностных процессов. Нейтрализация ионов Нз+ на поверхности и ион-стимулированные реакции с образованием горячих атомов водорода ведут к быстрой гидрогенизации верхних слоев углерода и оксида рутения и, соответственно, к значительному возрастанию скорости ион-стимулированных процессов даже при малой энергии ионов < 10 эВ.

Таким образом, показано, что низкотемпературная водородная плазма низкого давления может быть использована для эффективной и бездефектной очистки многослойных зеркал. Установлены рабочие параметры плазмы, при которых плазменная очистка происходит с высокими скоростью и селективностью.

Данный подход открывает перспективы создания технологии управляемой, прецизионной плазменной многослойной оптики непосредственно в процессе работы EUV литографа, т.е. "in-line". В силу того, что условия и параметры плазмы, индуцированной мощным EUV излучением и вторичными фотоэлектронами над поверхностью зеркала, близки к тем, что изучены в данной работе, поверхность многослойных зеркал будет подвергаться воздействию только ионов малых энергий. Поэтому именно механизм поверхностной нейтрализации ионов Нз* и низкоэнергетичных ион-стимулированных процессов может стать основой технологии управляемой "in-line" очистки многослойной оптики в EUV литографии.

Благодарности

Автор выражает благодарность Александру Турсуновичу Рахимову за научное руководство и конструктивные замечания по работе. Автор признателен Дмитрию Викторовичу Лопаеву и Татьяне Викторовне Рахимовой за помощь при выполнении работы и получение возможности представить ее результаты на российских и международных конференциях. Автор также благодарен сотрудникам отдела микроэлектроники НИИЯФ МГУ Олегу Владимировичу Брагинскому, Анне Николаевне Васильевой, Виктору Александровичу Кривченко, Дмитрию Григорьевичу Волошину, Александру Сергеевичу Ковалеву, Сергею Михайловичу Зырянову, Юрию Александровичу Манкелевичу, Ольге Вячеславовне Прошиной, Михаилу Аркадьевичу Тимофееву, а также сотрудникам Института Спектроскопии РАН Константину Николаевичу Кошелеву и Владимиру Михайловичу Кривцуну, при непосредственном участии которых были получены результаты, представленные в работе.

Заключение

Список литературы диссертационного исследования кандидат физико-математических наук Малыхин, Евдоким Михайлович, 2011 год

1. Banqiu Wu, Ajay Kumar //Extreme Ultraviolet Lithography, 2009, vol. 7, P. 1

2. International Technology Roadmap for Semiconductors, 2009 (http://www.itrs.net)

3. N. Kaiser, S. Yulin, M. Perske, T. Feigl //Proc. of SPIE, 2008, V. 7101, pp. 71010Z-1

4. Slaughter J. M., Schulze Dean W., Hills C. R„ Mirone, A. et al. //J. Appl. Pliys., 1994, V. 76, N. 4, P. 2144

5. T. W. Barbee Jr., S. Mrowka, and M. C. Hettrick//J.Appl. Opt., 1985, V. 24, P. 883-886

6. P. J. Silverman //J. Microlith., Microfab., Microsyst. 2005, N 4(1), P. 011006

7. Seisyan, R.P., "Extreme ultraviolet nanolithography for ULSI: A review", //Techn. Phys., 2005, V. 50, N. 5, pp. 535-545

8. Takahiro Nakayama, Akira Miyake, Hiromitsu Takase, Shigeru Tcrashima et al // Proc. SPIE 2009, V. 7271, P.72713

9. H. Shin; R. Raju; D. N. Ruzic // Proc. of SPIE 2008 Vol. 6921 P. 692132-1

10. Samuel Graham, Jr., Charles A. Steinhaus, W. Miles Clift, Leonard E. Klebanoff et al // Proceedings of SPIE 2003, Vol. 5037, P. 460-469

11. Sasa Bajt, Henry N. Chapman, Nhan Nguyen, Jennifer Alameda et al //Applied Optics 2003, V. 42, N. 28, P. 5750

12. Marc Bienert, Aksel Göhnemeier, Oliver Natt, Martin Lowisch et al //J. Micro/Nanolith. MEMS MOEMS 2009, V. 8, N. 4, P. 041509

13. V. Banine, J. Benschop //Proc. of SPIE, 2004, V. 5401, P. 1

14. Mircea Dusa, Bill Arnold, Jo Finders, Hans Meiling et al //Proc of SPIE 2008, V. 7028, P. 702810-1

15. D. V. Lopaev, E. M. Malykhin, S. M. Zyryanov //Journal of Physics D: Applied Physics, 2011, V.44 P. 015201

16. E.M. Малыхин, B.A. Кривченко, Д.В. Лопаев, T.B. Рахимова, С.М. Зырянов //Вестник Московского Университета, 2011, N. 1, Р. 53

17. Е.М. Малыхин, Д.В. Лопаев, А.Т. Рахимов, Т.В. Рахимова, О.В. Брагинский, A.C. Ковалев, Т.В. Васильева, С.М. Зырянов //Вестник Московского Университета, 2011, N. 2, Р.76

18. Е. Malykhin, О. Braginsky, A. Kovalev, D. Lopaev, A. Rakhimov, Т. Rakhimova, A. Vasilieva, S. М. Zyryanov, К. Koshelev, V. Krivtsun, О. Yakushev //Bulletin of the American Physical Socicty 2010, V, 55 (7) P. 12

19. О. В. Брагинский, А. Н. Васильева, С. М. Зырянов, А. С. Ковалев, Д. В. Лопаев, Е. М. Малыхин, Ю. А. Манкелевич, Т. В. Рахимова, А. Т. Рахимов, М. Р. Бакланов //7-я Курчатовская Молодежная Научная Школа (сборник трудов), 2009, с. 197

20. G.E. Moore. Cramming more components onto integrated circuits. //Electronics Magazine, 1965, V. 38 (8), P. 82

21. G.E. Moore //Intcl/WSTS, 2002, N12, P. 1

22. Chris A. Mack// Proceedings of SPIE 2003, Vol. 5037, P. 1

23. Position paper report submitted by the ITRS Starting Materials Sub-TWG (2005)

24. B. Noyce//"Microelectronics," Scientific American, 1977, Vol. 237, No. 3, pp. 63-69

25. Chris A. Mack // Proceedings of SPIE , 2004, Vol. 5374, P.l

26. S.Y. Chou, P.R. Kraus, and P.J. Renstrom //Science, 1996, V. 227, P 85-87

27. Andrea Wuest, Andrew J. Hazelton, Greg Hughes, Lloyd C. Litt et al //EUVL Symposium, 2008

28. Greg Hughes, Lloyd C. Litt, Andrea Wuest, and Sliyam Palaiyanur. //Proc. SPIE, 2008, V. 7028, P.1

29. Marc Bienert; Aksel Göhnermeier; Oliver Natt; Martin Lowisch et al //J. Micro/Nanolith. MEMS MOEMS, 2009, V. 8(4), P. 041509-1

30. N. N. Salashchenko and N. I. Chkhalo //Herald of the Russian Academy of Sciences, 2008, Vol. 78, No. 3, pp. 279-285

31. Vivek Bakshi; Rainer Lebert; Bernhard Jägle; Christian Wies et al //Proc. of SPIE, 2007, Vol. 6533, P.653315-1

32. B. J. Lin //J. Microlithogr., Microfabr., Microsyst. 2006, V. 5, P. 33005

33. Hans Meiling, Nico Buzing, Kevin Cummings, Noreen Harned et al //Proc. SPIE 2009, V. 7271, P. 727102

34. K. Bergmann, О. Rosier, and C. Metzmacher. // Rev. Sei. Instrum., 2005, V. 76(4) P. 043104

35. Malek, C. Khan; Moreno, Т.; Barchewitz, R.; Rivoira, R. et al //Rev. Sei. Instrum., 1992, V 63 (9), P. 4102

36. Sergiy Yulin, Nicolas Benoit, Torsten Feigl, Norbert Kaiser //Journal of Microelcctronic Engineering, 2006, Vol 83 Issue 4-9, P. 692-694

37. M. Singh and J. J. M. Braat. //Opt. Lett., 2001, V. 26, pp. 259-261

38. K. Boller, R.-P. Haelbich, H. Hogrefe, W. Jark et al //Nucl. Instrum. Meth. Phys. Res., 1983, V. 208, P. 273-279

39. N. Köster, В. Mertens, R. Jansen, A. van de Runstraat, et al //Microelectron. Eng., 2002, V. 61, P. 65-76

40. M.E. Malinowski, С. Steinhaus, W.M. Clift, L.E. Klebanoff et al //Proc. SPIE, 2002, V.4688(1), P. 442-453

41. B. Mertens, M. Weiss, H. Meiling, R. Klein, et al //Microelectron. Eng., 2004, V. 73-74, P. 1622.

42. Takahiro Nakayama; Hiromitsu Takase; Shigeru Tcrashima; Takashi Sudo et al //Proc. of SPIE, 2008, Vol. 6921, P. 69213B-1

43. Hill, S. B.; Faradzhev, N. S.; Tarrio, C. S.; Lucatorto et al // Proceedings of the SPIE, 2009, Vol. 7271, P. 727113-11.

44. Sasa Bajt; Zu Rong Dai; Erik J. Nelson; Mark, A. Wall et al//Proceedings of SPIE, 2005, Vol. 5751, P.118

45. P. A. Grunow, L. E. Klebanoff, S. Graham, Jr., S. J. Haney, and W. M. Clift, //Proc. SPIE, 2003, V. 5037, pp. 418-428.

46. Iwao Nishiyama //Proc. SPIE, 2006, V. 6151, P. 61510G

47. G. Edwards, S. Wurm, O. Wood, S. Bajt//CD-ROM ofEUVL Symposium, 2004.

48. H. Shin, S. N. Srivastava, and D. N. Ruzic //Proc. SPIE, 2007, V. 6518, P. 65184N

49. Samuel Graham, Lennie Klebanoff, Sasa Bajt et al //Proceedings of SPIE, 2003, Vol. 5037, P. 460

50. S. B. Hill; N. S. Faradzhev; C. Tarrio; T. B. Lucatorto et al IIProc. of SPIE, 2008, Vol. 6921, P. 692117-1

51. C.G. Morgan, P.P. Naulleau, S.B. Rekawa, P.E. Denham, B.H. Hoef et al. //Proc. of SPIE, 2010, V. 7636, P. 76361Q-1

52. A. C. Ferrari and J. Robertson //Phys Rev B, 2000, V61, N20, P14095

53. F. Tuinstra, J. L. Koenig//J. Chem. Phys. 1970,V53, Issue 3, PI 126

54. Ralph Kurt, Michiel van Beek, Co Crombeen, Peer Zalm, Yde Tamminga //Proceedings of SPIE, 2002, Vol. 4688, P702

55. A. Gupta, G. Chen, P. Joslii, S. Tadigadapa et al //Nano Lett. 2006, V. 6, N. 12, P. 2667

56. S. B. Hill, N. S. Faradzhev, C. Tarrio, T. B. Lucatorto ct al //Proc. of SPIE, 2008, V. 6921, P. 692117

57. C F Hong et al //J Phys D, 2009, V. 42, P. 1

58. A.H. Kuptsov, G.N. Zhizhin Handbook of Fourier Transform Raman and Infrared Spectra of Polymers. Elsevier, 1998 (Physical Sciences Data, V. 45)

59. S. Hill, I. Ermanoski, C. Tarrio and T. B. Lucatorto //IEUVI-2009

60. Jeromy T. Hollenshead; Leonard E. Klebanoff// Proceedings of SPIE, 2004, Vol. 5374, P. 675

61. Cabrera A. L., Morales Erie, Armor J. N. //Journal of Materials Research, 1995, V.10, N. 3, P.779-785

62. S. Matsunari, T. Aoki, K. Murakami, Y. Gomei //Proc. of SPIE, 2007, V. 6517, P. 65172

63. Raizer Yu.P., "Gas Discharge Physics", 1991, Springer

64. Michael A.Lieberman "Principles of plasma discharges and materials processing", 2005, New Jersey

65. D. Pagnon, J. Amorim, J. Nahoray, M. Touzeau, and M. Vialle, //J. Phys. D„ 1995, V28, N9, P1856

66. P Macko, P Veis and G Cernogora, //Plasma Sources Sei. Technol., 2004, Y13, P251

67. Young C. Kim, Michel Boudart. //Langmuir, 1991, V7, N12, pp 2999

68. Guerra, V. //IEEE Transactions on Plasma Science, 2007, V35, P1397

69. В Gordiets, С M Ferreira, M J Pinheiro and A Ricard //Plasma Sources Sei. Technol., 1998,Y.7, P.363

70. В Gordiets, С M Ferreira, M J Pinheiro and A Ricard, 1998, Plasma Sources Sei. Technol. V7, P379

71. A Fridman, "Plasma Chemistry", 2008, Cambridge (the book)

72. E Tatarova, F M Dias, В Gordiets and С M Ferreira //Plasma Sources Sei. Technol., 2005, V.14, P.19

73. Yasushi Nishiyama, Toshihisa Anazawa, Hiroaki Oizumi, Iwao Nishiyama et al //Proc. SPDE, 2008, V. 6921, P. 692116

74. Chang Sung Moon, Keigo Takeda, Seigo Takashima, Makoto Sekine et al //J. Appl. Phys., 2010, V. 107, P. 103310

75. Phillip J. Stout, H. Q. Yang, Paul Dionne, Andy Leonard ct al // Proc. SPIE, 1999, V. 3680, P. 328

76. M. Moisan, J. Pelletier. "Microwave Excited Plasmas". 1992, Plasma Technology, Elsevier Science Plubishers В. V. Amsterdam-London-New York-Tokyo

77. C. Hopf, A. von Keudell, W. Jacob //J. Appl. Phys., 2003, V. 94, N. 4, P. 2373

78. P. Yeates, J. White, E.T. Kennedy//J. Appl. Phys., 2010, V. 108, V. 093302

79. Справочник констант элементарных процессов с участием атомов, ионов, электронов, фотонов. Под ред. проф. А.Г. Жиглинского. Изд-во СПбГУ, Санкт-Петербург, 1994.

80. ЛопаевД В , Смирнов A.B. // Физика плазмы. 2004. V. 30. N. 10. Р.948.