Взаимодействие компонентов в фосфиде галлия и его растворах в галлии тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 01.04.07, кандидат физико-математических наук Рязанов, Дмитрий Владимирович

• Рязанов, Дмитрий Владимирович
• кандидат физико-математических наук
• 1998

Оглавление диссертации кандидат физико-математических наук Рязанов, Дмитрий Владимирович

СОДЕРЖАНИЕ

ВВЕДЕНИЕ___________3

Глава 1. ЛИТЕРАТУРНЫЙ ОБЗОР_8

1.1. Основные закономерности процесса испарения

летучего вещества из конденсированной фазы_8

1.1.1. Условия испарения Кнудсена и Ленгмюра_8

1.1.2. Макроскопическое описание процесса испарения летучего вещества из многокомпонентной конденсированной фазы _11

1.1.3. Испарение компонентов из твердого фосфида

галлия и его растворов в гагшии_14

1.2. Теоретические методы исследования структурных

и физических свойств веществ, находящихся в жидком

состоянии ___20

1.2.1. Метод Монте-Карло__21

1,2.2. Метод молекулярной динамики.

1.2.3. Потенциалы парного взаимодействия _30

1.2.4. Моделирование жидких полупроводниковых соединений АШВ¥ и галлия методами Монте-Карло

и молекулярной динамики_36

Выводы к первой главе ________48

Глава 2. ЛЕНГМЮРОВСКОЕ ИСПАРЕНИЕ КОМПОНЕНТОВ ИЗ РАСТВОРОВ ФОСФОРА В РАСПЛАВАХ ГАЛЛИЯ И ТВЕРДОГО ФОСФИДА ГАЛЛИЯ _50

2.1. Методика проведения экспериментов по ленгмюровскому испарению компонентов из твердого фосфида галлия_51

2.2. Обсуждение результатов эксперимента по испарению фосфида галлия __63

Выводы ко второй главе _____67

Глава 3. МЕТОДИКА РАСЧЕТА ЭЛЕКТРОННОЙ СТРУКТУРЫ

МОЛЕКУЛ______68

3.1. Метод Хартри-Фока-Рутана_69

3.2. Выбор функций базисного набора и способы построения атомных базисов __73

3.3. Вычисление молекулярных интегралов с гауссовыми функциями__84

3.4. Краткое описание программы расчета электронной структуры молекул методом Хартри-Фока-Рутана _94

3.5. Решение уравнений Хартри-Фока-Рутана_96

3.6. Вычисление средних значений физических величин_98

3.7. Вычисление параметров парных потенциалов

для молекул Рг, ОаР и Оаг_103

Выводы к третьей главе_

Глава 4. МОДЕЛИРОВАНИЕ РАСТВОРОВ ФОСФОРА

В РАСПЛАВЕ ГАЛЛИЯ_110

4.1. Расчет структуры ближнего порядка жидкого галлия _111

4.2. Расчет структуры ближнего порядка растворов

фосфора в расплавах галлия_115

4.3. Оценка энергии испарения компонентов фосфида галлия

выше и ниже температуры конгруэнтного испарения_119

Выводы к четвертой главе _______________122

ЗАКЛЮЧЕНИЕ_123

СПИСОК ЛИТЕРАТУРЫ_125

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Взаимодействие компонентов в фосфиде галлия и его растворах в галлии»

ВВЕДЕНИЕ

Актуальность темы. Твердое тело представляет собой совокупность большого числа атомов, связанных друг с другом. Поэтому взаимодействие атомов в твердых телах определяет их структуру и свойства. В бинарных соединениях это взаимодействие усложняется, поскольку свойства компонентов, входящих в них, могут существенно различаться. Выявление закономерностей взаимодействия атомов в твердом теле составляет одну из основных задач физики конденсированных сред. Очевидно, что при решении таких задач целесообразно использовать различные теоретические методы, в частности, метод молекулярной динамики, учитывающий парное взаимодействие между атомами.

Среди бинарных полупроводниковых соединений видное место занимает фосфид галлия [1-4]. Технология приборов на основе СаР включает, как правило, высокотемпературные операции (эпитаксиальное наращивание пленок из растворов-расплавов, выращивание монокристаллов и т.д. [5,6]), во время которых происходит неконтролируемое испарение летучего компонента. При этом процесс испарения определяется структурой приповерхностных слоев и взаимодействием компонентов в твердом фосфиде галлия и его галлиевых растворах. В настоящее время взаимодействие компонентов в системе Оа-Р изучено недостаточно.

В связи с этим несомненный интерес представляет исследование испарения компонентов монокристаллического фосфида галлия в условиях Ленгмюра. Это позволяет определить в макроскопическом приближении важные энергетические характеристики процессов, протекающих на поверхности конденсированной фазы: энергию активации и лимитирующую стадию процесса испарения компонентов,

Метод молекулярной динамики позволяет промоделировать, зная соответствующие потенциалы , парного взаимодействия, основные особенности структуры конденсированной фазы. Параметры потенциалов парного взаимодействия определяются, как правило. из экспериментальных данных. Альтернативным способом решения данной проблемы может быть привлечение неэмпирических методов квантовой механики, и, в частности, метода Хартри-Фока-Рутана, используемого для расчета электронной структуры молекул.

Привлечение полученных таким способом потенциалов при молекулярно-динамическом моделировании позволит раскрыть основные качественные и количественные особенности процессов, протекающих не только б газовой, но и в конденсированной фазе.

Использование данных по ленгмюровскому испарению фосфида галлия и по моделированию взаимодействия компонентов в фосфиде галлия и его растворах в галлии методом молекулярной динамики позволит установить некоторые параметры взаимодействия атомов в объеме конденсированной фазы и на межфазных границах твердое тело-паровая фаза, расплав-паровая фаза. А это, в свою очередь, поможет скорректировать технологические режимы при испарении компонентов фосфида галлия в газовую среду при разнообразных операциях по получению этого материала и изготовлению приборов на его основе.

Таким образом, с учетом вышесказанного, можно считать тему диссертации, посвященную исследованию взаимодействия компонентов в фосфиде галлия и его растворах-расплавах, актуальной.

Цель работы. Целью диссертации было экспериментальное и теоретическое исследование взаимодействия компонентов в поверхностных слоях твердого фосфида галлия и его растворах в расплавах галлия при Т 1000 К.

Для достижения поставленных целей в работе были решены следующие задачи.

1. Экспериментально исследован процесс конгруэнтного и инконгруэнтного испарения компонентов из твердого фосфида галлия и его растворов в галлии, а также определена температура конгруэнтного испарения твердого фосфида галлия.

2. Рассчитаны потенциалы Морзе и Л еннарда-Джонса молекул Р2, GaP и Ga2 неэмпирическим методом Хартри-Фока-Рутана.

3. Проведено молекулярно-динамическое моделирование растворов фосфора в расплавах галлия, используя полученные нами потенциалы парного взаимодействия.

Научная новизна.

В работе впервые получены следующие результаты.

1. Измерены энергии активации процесса конгруэнтного и инконгруэнтного испарения фосфида галлия.

2. Экспериментально определена температура конгруэнтного испарения компонентов из твердого фосфида галлия.

3. Установлено, что испарение димеров фосфора из фосфида галлия протекает с выделением энергии.

4. Рассчитаны потенциалы парного взаимодействия Р-Р, Ga-Ga и Ga-P для моделирования взаимодействия компонентов в фосфиде галлия и его галлиевых расплавах.

5. Структурные характеристики растворов фосфора в галлии.

6. Показано, что в системе расплав галлия-фосфор имеет место положительная адсорбция фосфора.

Основные положения, выносимые на защиту:

1. Энергии активации процессов инконгруэнтного и конгруэнтного испарения компонентов из твердого фосфида галлия равны 326.6

кДж/моль (3,4 эВ/атом) и 148,1 кДж/моль (1.54 эВ/атом), соответственно, и температура конгруэнтного испарения твердого фосфида галлия, равная

1064±3 К.

2. Процесс испарения молекул Р2 из твердого фосфида галлия протекает с выделением энергии, равной 121.2+8.8 кДж/моль.

3. Рассчитанные методом Хартри-Фока-Рутана потенциалы парного взаимодейстия Ga-Ga. Ga-P и Р-Р.

4. Рассчитанные методом молекулярной динамики структурные характеристики растворов фосфора в расплавах галлия.

5. Энергии испарения компонентов фосфида галлия выше и ниже температуры конгруэнтного испарения.

Научная и практическая ценность работы.

Диссертационная работа является необходимым этапом в исследовании энергетических и структурных свойств полупроводниковых соединений А3В~, Полученные в работе результаты могут послужить

теоретической базой для объяснения существующих и новых эксперимен гальных данных. Апробация работы.

Материалы диссертации докладывались и обсуждались на межвузовской научно-технической конференции "Микроэлектроника и информатика - 97" (Зеленоград, 1997 г.), V Международной конференции '"Термодинамика и материаловедение полупроводников5' (Москва, 1997 г. ). Международном семинаре "Карбид кремния и родственные материалы"

/ Т -Г 1 .--I f~\ Ч ТТ7 J »О» I

(Новгород, ivy/ г.), на iV международной конференции "Межмолекулярное взаимодействие в материалах" (Гданьск, Польша. 1997 г.), 36, 38 научных конференциях профессорско-преподавательского

состава, научных работников, аспирантов и студентов ВГТУ (Воронеж, 1996 г., 1998 г. ).

Публикации. По результатам исследований опубликовано б работ в виде научных статей, докладов и тезисов докладов.

Личный вклад автора.

В совместных работах автору принадлежит проведение экспериментов, расчетов, обсуждение результатов и написание статей. Эксперимент по инконгруэнтному испарению проводился совместно с Комбаровой И.В. При проведении квантово-механических расчетов большая помощь была оказана к.ф.-м.н., доц. Скрипниковым В.А. Определение целей работы, обсуждение результатов экспериментов и расчетов осуществлялось совместно с научным руководителем д.ф.-м.н., проф. Хухрянским Ю.1Т

Сгруктура и объем работы. Диссертация состоит из введения, 4 глав и заключения. Общий объем диссертации составляет 133 страницы, включая оглавление, 14 рисунков, 13 таблиц и список литературы из 103 источников.

Заключение диссертации по теме «Физика конденсированного состояния», Рязанов, Дмитрий Владимирович

ВЫВОДЫ К ЧЕТВЕРТОЙ ГЛАВЕ

1. Несмотря па некоторые расхождения рассчитанных в нашей работе характеристик жидкого галлия с экспериментально определенными величинами, использование рассчитанного нами потенциала Морзе молекулы Оа- позволяет с достаточно хорошей точностью описывать структурные свойства жидкою галлия. Поэтому потенциал можно использовать и для моделирования растворов фосфора в расплавах галлия.

2. Определены структурные характеристики растворов фосфора в расплаве галлия.

3. Теоретическая оценка энергии испарения компонентов фосфида галлия выше температуры конгруэнтного испарения позволяет сделать заключение, образование молекул Р2 на поверхности расплава галлия происходит с меньшей затратой энергии, чем в вакууме. А также сделать вывод, что взаимодействие атомов галлия и фосфора в расплаве приводит к положительной адсорбции фосфора расплавом галлия, к уменьшению энергии образования молекул Р2. что представляет несомненный интерес для практического использования

ЗАКЛ ЮЧЕНЙЕ

Проведенное теоретическое и экспериментальное исследование взаимодействия компонентов фосфида галлия позволяет сделать следующие выводы:

1. Энергии активации процессов конгруэнтного и инконгруэнтного испарения компонентов из твердого фосфида галлия составляют

326.6 кДж/модь (3.4 зВ/атом) и 148.1 кДж/моль (1.54 зВ/атом), соответственно.

2. Температура конгруэнтного испарения твердого фосфида галлия равна 1064±3 К.

3. Процесс испарения молекул ?2 из насыщенного раствора фосфора в расплаве галлия протекает с выделением энергии, равной 121.2±8.8 кДж/модь.

4. Методом Хартри-Фоке-Рутаня рассчитана электронная структура молекул Pi, Gap к Q&2. Определены параметры потенциалов парного взаимодействия (Морзе и Леннарда-Джонеа) указанных структур.

5. Методом молекулярной динамики рассчитаны структурные характеристики растворов фосфора в расплавах галлия и установлены температурная и концентрационная зависимости этих характеристик,

6. Теоретическая оценка энергии испарения компонентов фосфида галлия выше температуры конгруэнтного испарения позволяет сделать заключение, что образование молекул ?2 на поверхности расплава, галлия происходит с выделением энергии ~ 0,5 эВ, что значительно меньше аналогичной величины в вакууме (5,06 эВ).

7. Взаимодействие атомов галлия и фосфора в расплаве приводит к положительной адсорбции фосфора расплавом галлия.

1Я/1

1 ^ "Г

Образование молекул ОаР на поверхности твердого фосфида галлия при конгруэнтной пспарекин протекает с в^хдслсш-юм лгьрхшх

ИТ

Список литературы диссертационного исследования кандидат физико-математических наук Рязанов, Дмитрий Владимирович, 1998 год

СПИСОК ЛИТЕРАТУРЫ

1. Мзделукг О, Физика полупроводниковых соединений элементов III и У Групп. - М.: Мир, 1967. 477 с.

2. Хилсум К., Роуз-Икс А. Полупроводники типа АшВу.-- М.: Кзд-во иностр. лит-ры; 1963. 323 с.

3. Зи С. Физика полупроводниковых приборов. - М.: Мир. 1984. 456 с.

4. Готра З.Ю. Технология микроэлектронных устройств. Справочник. - М.: Радио и связь. 1991 528 с.

5. Уфимцев В.Б., Акчурин Р.Х. Физико-химические основы жидкофазной эпитаксии. - М.: Металлургия, 1983. 224 с.

6. Андреев В.М., Додгинов Л.М., Третьяков Д.Н. Жидкостная эштаксшт в технологии полупроводниковых приборов. - М.: Сов. радио, 1975. 328 с.

7. Ландау Л.Д., Лившиц Е.М. Статистическая физика. - М.: Наука. 1976. 584с.

8. Ожегов П.К.. Мерзляков A.B., Кушш Л.Л. Отклонение давления пара от равновесного в эффузионной камере 7 Неорг. материалы. 1972, Т,8, JSg 3. С.564-566.

9. Несмеянов AIT., Хандамирова Н.Э. Влияние коэффициента Ленгмюра и молекулярного состава пара на результаты измерения давления пара, // Ушешдпмик. 1959. Т.28. №2. С.117-132.

10. Melville В,Н,„ (¿ray S.С. The vapour pressure of red phosphorus '7 Trans.Faraday Soc. 1936. № 32. P.1026-1030.

11. Хухрянский ЮЛ. Кинетика испарения летучего компонента идеальною раствора // Журн. физ, химии. 19S0. Г.34. Tfe 0. С.2017-2020.

12. Жуковицкий A.A., Шварцмсн Л.А. Физическая химия. - М.; Металлургия. 1976. 342 с.

13. Николаева ЕЛ.; Хухрянский Ю.П. Жидкофазная зпитаксия СаАз из растворов с испаряющимся растворителем и' Яеорг.материалы. 1982. Т.3 8. №3. С.348-350.

14. Хухрянский Ю.П, Николаева Е.П. Исследование процесса жидкофазхюй зпитаксии из растворов с испаряющимся растворителем // Кристаллография. 1982. Т.2'7. Вып.4. С.763-766.

15. Хухрянский Ю.П. Эпитаксия пленок из многокомпонентных растворов-расплавов при изотермическом испарении растворителя Ч Кристаллография, 1992. Т.37. Вып.5. С. 1275-1280.

16. Хухрянский Ю.П. Механизм обмена фосфора между фазами в системе пар-раствор 1п-Р//"Журн. физ, химии. 1981, Т.55. № 9. С.2374-2377.

17. Хухрянский Ю.П, Диффузионная модель процесса испарения летучего вещества из разбавленного растем ' Т..: 1_ - ' 'Г 'О. № 10. С.2634-263».

18. Хухрянский 10.П., Ермилин В.П., Бордахоз Е.В., Сысоев и.И. Кинетика поглощения пара летучего вещества пасштавами металлов И Расплавы. 1988.1.2. Вын.1. С. 12-16.

19 Х^осрянскин Ю.П. Закономерности испарения летучего компонента при диффузионном перемешиваний раствора // Получение и анализ чистых веществ : Межвуз. сб. науч. тр. Горький: ГГУ, 1987. С.14-17.

20. Хухрянский Ю.П. Влияние ассоциации в паровой фазе на испарение летучего компонента из растворы ,7 Здскт. техника. 1934. Серия б. Выа. .10. 0.15-17.

21. Горбов С.И, Термодинамика полупроводниковых соединений Ал'в\ Итоги науки и техники. Химическая термодинамика и равновесие. М.: ВИНИТИ. 1975.1.3. 149 с.

22. Молекудярно-дучевая зпитахеих и гетероетруктуры. Иод ред. гт "х:: Плога К. - Мт Мир. 19X9, 582 с.

J .<"7 i

23. Foxon €.17 Boudry M.R.. Joyce B.A. Evaluation of surface kinetic data, by the transform. analysis of modulated molecular bearn. measm'cmonts // SurLSdcncc. 1974. Г.69--92.

24. Foxon C.'i.. Joyce B.A., Farrow R.F.C.; Griffiths R..M The identification 01 species evolved in the evaporation of IIX-V compound^// J. Рщъ. D. Appj.Phys. ¡974. V. 7. p. 2422-2435.

25. Richman D. Dissociation pressures oi'GaAs, Gap. and InP and the nature of the I1.I-V melts// J. Phys.Oiiem.Solids. 1963. V. 24. P, 1131-1139.

26. Johnston W.D. The phosphorous dissociation pressure over the system GaP-Ga 7J. Electrochem. Soc. 1963. V.110. №2. P. 117419.

27. Drowart 1.. Goldfinger P. Etude themodynamique des composes IH-V et П~ VI par spectrometrie de masse //J.Chem.Pliys. 1958, ¥. 55. P. 721-732.

28.. Голдфингер П. Полупроводниковые соединения д;и9 • - М.: металлургия. 1967. 682 с.

29. Thurmond C.D. Phase equilibria in the GaAs and OaP systems " T.Phvs.Chem.Soiids. 1965. V 26 ж 5. P, 785-802.

30. Iiegems M., Panish M.B., Arthur J.R. Phase equilibria ада vapor pressures m the Ga-P system //}, Chem, Thermodynamics. 1974. У.6. P. 157-177.

31. Крокетом К. Физика жидкою состояния. -M.: Мир, 1978. 4ÖÖ с.

32. Базаров И.П., Николаев H.H. Теория систем многих частиц,- М.: Ксд-ло Моск. Ун-та, 1984. 312 с.

33. Гулд X., Тобо-шик Я. Компьютерное моделирование в физике. В 2-х частях. Часть i. - М.: Мир. 1996, 349 с.

34. Abraham F.F. Computer simulations of surfaces and physisorbed ühns /7 J, Vacuum science and technology. 1984. V, 2. P.. 534-549,

35. Maciiiup S. ana Gnsager L. Huciimiions and irreversible process, li Systems with kinetic energy^ Phys. Rev. 1953. V.91. P. 1512-1515.

36. Яворский Б.М.. Детлаф A.A. Сншвоиник по физика для инженеров и студентов вузов. ~~М.; Наука. 1964. 847 с.

37. Стптер Дж. Электронная структура молскзсх - М,: Мир, 1965. 587 с.

38. Гиршфельдер Дж.; Кертис 4„ Берд Р. Молекулярная теория гыюв и жидкостей. - М.: Изд-eö иностр. днт-ры, 1961. 929 с.

39. Хейне В., КоэнМ,. Уэйр Д. Теорияпсевдопотенциалд - М.: Мир, '973. 557 с.

40. Wang Z.Q. and Stroud D. Mocte Carlo study of liquid OaAs: bulk and surface properties ,1 J.Phys.Rev. B. 1990. V.42. № 8. P.S353-5355.

41. Wang Z.Q. and Stroud D. Moats Carlo study of the liquid CdTe surface !! j.Phys Rev, и ¡ 989. учи M> 5, P. 3129-5132.

42. ZUaiig Q.-M., Cliiarotti G., and Selloni A., Сат R,. Paxineilo M. Atomic structure and bonding in liquid GaAs from ab initio molecular dynamics 9 J. Pkys.Rev. B. 1990. V.42. N 8. P. 5071-5081.

43. Hatner J. and .Tank W. //J. Phys. Condeiis.Mütier. 19S9. V.l. P.4235.

44. Иванова P.B, Химия и технология галлия. - Мл Металлургия, 1973,

С.391.

45. Шахтаронов М.И, Введение в современную теорию растворов, ~ М.:

Наука. 1968. з26 с.

46. Еремин НИ. Галлий.......М.: Металлургия, 1964. 169 с.

47. Дутчак Я.И. Рентгенография жидких металлов. Львов: Выща школа.

1977. 163 с.

48. Татаринова ЛИ. Структура, твердых аморфных и жидких веществ. -М.: Наука, 1983. 151 с.

49. Heiidus Н. Die Atoi^verteilvng mi Flüssigen Metalle //Z. Naiiirforschtmg.

194/. V.2a. Ks 7. P.505.

50. Rodriguez S.E., Pings C.J. X-Ray diffraction stadiec of stable and supercooled liquid gallium ,7 J.Chem.Phys. 1965. V. 42. № 7, P. 2435.

51, Дутчак Я.И., Миколайчук А.Г., Клым И.М, Рентгенографическое исследование структуры некоторых, металлических жидкостей с ФММ, 1962,1. 14. №4. С. 548.

52. Tsay S.-F., Wang S. Anomalies m the liquid structure of Ga metai fi J. Phys.Rev. B. 1994. V.50. M 1. P.108-112.

53. Hafiier J., .Tank W. Structura! and electronic properties of the !»qi.iîd polyvalent elements. III. The trivaieot elements ,vPuys.Rc v. B. 1990. V.42. P, 11530-1 1539.

54. Lai S.K.. Li W., Tosi M.P. Evaluation of liquid structure of potassium, zmc.

and cadmium// Phys.Rev. A. 1990. V.42. P.72S9-7303.

55. Tsay S.-F. Structure of rapidly quenched Ga metal // j.Phys.Rev. B. 1993,. V,

48. №9. P. 5945-5948. 56 Tsay S.-F, Relation between the p aud rapidly quenched liquid gai hum /V J. Phys.Rev. B, 1994. ¥.50. № 1, P. 1034 07,

57. Farrow R.F.C. The evaporation of In? under Knudsen (equilibrium) and Langrmiirt (free) evaporation conditions/^ J.Phys.D: Appl.Phys. 1974. V. 7.. P. 2436-2443.

58. Foxon C.T., Harvey J.A., Joyce B.A. The evaporation of GaAs under equilibrium and non-equilibrium conditions using a modulated beam technique// J. Phys.Chem. Solids 1973, V. 34. P.1693-1701.

59. Lou C.Y., Somorjai G.A. Studies of the vaporization mechanism of gallium

arsenide single crystals 2 J.Chem.Phys. 1971. V.55. Xs 9, P.4554-4565.

60. Panish M.B,f Arthur J,R. Phase equilibria, and vapor pressures of the system

Ïu-P If J.Chem.Tliermodynaimcs. 1970. V.2. P.299-3J8.

61. Хухрянский Ю.П., Веремьянина Л.H., Комбарова И.В., Кшсшпг-гна И.В., Сысоев О.И. Ленгмюровское испарение бинарных соединений hip, InAs, Gap /.' Актуальные проблемы тлердотельыой электроники и

микроэлектроники: Тр.втор.Всерос.шуч.мехн.конф, Таганрог, 1995. С.48.

62. Комбаоова И.В.. Рязанов Д.В. Лешмюровское испарение твердого фосфида галлия// Тезисы докладов межвузовской нз.учиомехнической конференций "Микроэлектроника и информатика - 979 Часть 1,-М,: МГИЭТ (ТУ), 1997. С. 66.

63. Физико-химические свойства окислов. Справочник / Под ред. Г,В, Самсонова.-М.: Металлургия, 1969. 453 с.

64. Ремк Г. Курс неорганической химия. - М.: На\ка, 1978. 7.1. Кн.2, 32бс. 63. Беклемишев А.В. Меры и единицы физических величин. - Ы.: Havwa.

1935:315 с.

66. Хухрямский Ю.П., Веремьянина Л.Н.. Сысоев О.Й,, Крылова Л/В Испарение галлия и индия в условиях Леш шора. // Журн. техи. физики. 1996. Т. 66. №4. С, 186-188

67. Хухрянский 10.11. /7 Пронессы роста ii<«i,vi,)ч»«.»«пиковых кристаллов и -

пленок [иод ред. Кузнецова Ф.А.]. Поч^м.Хх^сгг Наука, 1981. С. 104.

68. Хухрянский K).'iL.. Веремьянина Л,PL Комбарова Й.В., Никишина И.В., Сысоев O.K. Кинетика лешмюронскою испарения да&шошитов из фосфид? и срсеиида тщт// Жури. физ. химии, 1997. Т. /и С. 870-о74.

6° ЛДидау Л.Д., Лифшиц Е.М. Теоретическая физика: УчсА пособие для вузов. В 10 т. Т III. Квантовая механика (нерелятивистская теория). -М.: Наука, 1989. 768 с. 70, Влохинцев Д.И, Основы квантовой механик??. - Мм Высшая школа, 1961. 512с.

7' Дыоср М, Зеория молекужршлх орбитадей в органической химии. .....

Мт Мир, )972, ;>90 с. 72. Полумтпирхчес.кке методы расчет электронной структуры/ под ред. Дж,Сигала' - М.: Мир. 1980. 327 с.

73. Барановский В,И.г Братцев В.Ф., Панин A.M., Третьяк В.М, Методы расчета электронной структуры атомов и молекул. Л,: йзд-во Леииигр. ун-та, 1975. 203 с,

74. Фудзината С. Метод молекулярных орштлеи. М,: Мир, 1983, С, 17 i-

202.

75. Маделунг О. Теория твердого тела, - М.: Наука, 1980, 416 с,

76. McWeeney R. Gaussian approximations ю wave funerions// Nature. 1950.

¥.166. 26 4209. P. 21-22.

77. McWeeney R. X-ray scattering by aggregates of bonded atoms: Ш Tbe bond

scattering iaclor; Simple methods of арргслЩшЛои in ilie gcucial case/7 Acta Ctyst. 1953, 'V,6. № 7. F,63! -637. 7s, Fluzmaga 3. Gaussian-type functions for polyatomic systems, 77

t.Chem.Phys. 1965. V.42. №4. P. 1293»? 302. 79. Kiessinger M. Gaussian expansions of minimal STG basis for calculations in molecular quantum mechanics 7 Theor.Chim.Acts, 1969. V.I5. № 4. P.333-364.

20. O'ohata K., Taketa IF, Kuzinaga S. Gaussian expansions of atomic orbitals

" J Phys. Soc. Japan. 1966. V.21. № 1!. P.2306-23J 3, SI. Stewart R.F. Small Gaussian expansions of atomic orbnals/v .А31шп.РЬун.

1969. V.50, P.2485-2495.

82 Siewarl k.F Small gaussian expansions oi: Siater-vvpe omitaiiG J.Chcm.PhvS. 1970. V.52. Fa 1. P.43F-438.

83, .Hillier l.R, Sarmdera V,R, Ah initio rnofecakr orbital calcinations of the

ground ana exiled stales of the pemiaiigan&ie and chromai ion/7 Proc.Roy.SocA. ?970. V.320. № I54T P. 161-173.

84. Hhner 1.Н., Saunders V.R. Ad mriio calculations. usmg a small Gaussian baris set, of the electronic structure of the sulphate ion- ItOrJ.Quarit.Cbern.

1970. V.4. Ш2. ?,203-21 a.

85, Dunning > H. Pitzer RjML Soe Aung, Near Hcrtry-Fcck calculations on 'the ground state of the waœr moieciue: eiiergies; ionization potenimb. geometry, force constants, and one-electron properties.'/ J.C!icm,Phys.!972. ¥.57, № 12. P.5044-5051. S6. Takcta H., Huziaaga S.„ Ooliata K. Gaussian-expansion method for

molecular integrals X J.Phys.Soc Japan. 1966. V.21. № i L P.2313-2324. 87. Schaad L.J., Moreii G.O. Approximations for the fonctions Fm(Z) occurmg in molecular calculations with a Gaussian basis/' J. Chem.Phys., 1971. ¥.54. №5. P. 1965-1967. 83. Huziaaga S. Molecular iiïtegrals,7Siippl. to Progr.Theor.Phys. 1967. Ш 40. P. 52-77.

89. Kshre W'.J,. Stewart R.F., Popic J.A. Self-consistent molecular-orbital

methods. I. Use of Gaussian expansions of Slate?-type atomic orbital". • j.Chem.Phys, «969. ¥.5B Jn<»6. P.26S7-2664.

90. Кругляк Ю.А., Длдюша Г.Г., Хупрхезшч В.А., Подольская Л.M., Каган

P.M. Методы распета электронной структуры и спектров молекул. -Киев: Паукова думка, 1969. 307 с.

91. Рязанов Д.В-, Скритшиков В,А.,, Хухрянский Ю21 Нотсштиалтт межчастичного взаих\к> ie«n • ■»п. ч>. ч ни >.

фосфора ......х • . ' >

Тезисы докладов V Международной конференции '"'Термодинамика и

— А' -М.. МИЗТ, 1997. С.136.

92. Рязанов Д.В.. Окрипников В.А.. Х)'хр'отсккй Ю и. Расчет электронной

структуры состояния L'L" молекулы Gar методом Хартри-Фока-Рутана

!! Тезисы докладов Международного семинара "Карбид кремния родственные материалы".-Новгород.. 1997. С. 24-25,

и

93. Ryazanov D.V., Scripnikov V.A., Khukhiyanskii Yu.P. About interaction between gallium and phosphorus atoms in a condensed phase// Тезисы докладов 41" international Conference '"intermobcniar Interaction in Mattel - Gdansk. POL,AND, September P. 37.

94. Рязаыоп Д.Б., Скрипнпкиа B.A., Хухрхискдй Ю.П. Потенциалы парного мсжааститного взаимодействия при моделирований растворов фосфора в расплавах галтя метолом молкжуляоной динамики.// Известия высших учебных заведений. Материалы •^яектроиг-юй техники. 1998, №3. С.51-53.

95. Рязанов Д.Е., Схфипншсов Б.А. Взаимодействие атомов фосфора х г&ллйй в молекулах Рг и Gap !! Вестник ВГТУ. 1998. Вып. 1.3. С.41-44.

96. Guv de Brouckere. Feller D, configuration interaction on the P? molecule: III.

spectroscopic properties of the A. lOg state-, the A TI. - X1!^ transition bands and a comparison with the results for the XFSg, a^Si, and ЬТРЙ states and related transition bands/7 J. Phys. B. 1995. ¥. 28. № 15. P. 3135-3145.

97. Shim F, Mandix K.:, Gmgerich К .А. Theoretical and experimental

investigations of the Ga- mokcnte .7J. PhysGhem, 1991. ¥.95. P, 54355412.

98. Гсрцбсрг Г. Спектры и строение двухатомных молекул. М.: Изд-во иностр. лит-ры, 1949. 403 с,

99. Смирнов Б.М., Яценко А.С. Свойства димеров /7 Успехи физ. navK.

1996. Т. 166. № 3. С. 225-2-43.

100. Хьюбер К.П., Герцберг F. Константы двухатомных моле!суд. М.: Мир, 1984. 4.1. 408 с.

101. Евтеев А.В.. Косилов А.Т. Моделирование жидкого и аморфного железа // Расплавы, 1998. № 1. С,55-61.

102. Евтеев А.В., Косилов А.Т. Стрз-тстура расплавов железо-углерод по данным компьютерного эксперимента /7 Вестник ВГТУ. Сер. "Материаловедение". Вып. 1.2. С.79-80.

103. Гороновский И.Т., Назаренко К).IF, Некреч Е.Ф, Краткий справочник по химии/ иол ред. О,Д. Куриленко. Киев: Наукова думка, 1965, 835с,