Высокотемпературная термолюминесценция кристаллов анионодефицитного корунда и ее связь с собственными и примесными дефектами тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 01.04.07, кандидат наук Абашев, Ринат Мансурович

• Абашев, Ринат Мансурович
• кандидат наук
• 2018

Оглавление диссертации кандидат наук Абашев, Ринат Мансурович

ОГЛАВЛЕНИЕ

ВВЕДЕНИЕ

1 Центры люминесценции и захвата в кристаллах а-А1203-5 и их роль в формировании термолюминесцентных свойств в диапазоне 300-1000 К

1.1 Общие сведения о корунде и его применениях

1.2 Центры люминесценции в а-А1203-5 и особенности их свечения при повышенных температурах

1.2.1 F+- и F- центры

1.2.2 Центры А1 - и F2 -типа

1.3 Термолюминесценция (ТЛ) а-А1203-5

1.3.1 ТЛ в интервале температур 300 - 600 К

1.3.2 ТЛ в интервале температур 600 - 1000 К

1.4 Выводы и постановка задач исследования

2. Экспериментальный комплекс, объекты и методы исследования

2.1 Объекты исследования

2.2 Комплекс для исследования ТЛ и оптически стимулированной люминесценции (ОСЛ)

2.3 Методики измерения спектров оптического поглощения, фото-, термо-, рентгено- и катодолюминесценции

2.3.1 Методы и аппаратура

2.3.2 Методика проведения пошагового отжига образцов а-А1203-5

2.4 Методика измерения ТЛ, ОСЛ и спектров оптического опустошения ловушек в облученных образцах

2.4.1 Облучение образцов ионизирующем излучением

2.4.2 Методы и аппаратура для измерения ТЛ и ОСЛ

2.4.3 Методика определения спектра оптического опустошения глубокой ловушки

2.5 Выводы

3 Высокотемпературная ТЛ и ОСЛ сильно облученных кристаллов а-А1203-5

3.1 Высокотемпературная ТЛ а-А1203-5

3.2 Накопление и перераспределение светосумм в основном, хромовом и высокотемпературном ТЛ-пиках при высокодозном облучении а-Д1203-5

3.3 Спектральные характеристики ТЛ в интервале 300-950 К у сильно облученных кристаллов а-А1203-5

3.4 ОСЛ и другие фототрансферные эффекты в сильно облученном а-Д1203-5

3.4.1. ОСЛ облученных кристаллов a-Al2O3-s

3.4.2 Спектр оптического опустошения глубокой ловушки, ответственной за ТЛ-пик при 830 К

3.4.3. Особенности фототрансфера носителей заряда с глубоких уровней захвата

3.5 Наведенная радиоактивность в протонно-облученном a-Al2O3-s и связанные с ней радиолюминесценция, ТЛ и ОСЛ. Возможные применения в фотопреобразователях космического базирования

3.6. Выводы

4 Роль собственных и примесных дефектов в формировании высокотемпературной ТЛ a-Al2O3-s

4.1 Термостимулированные преобразования активных центров собственного типа в сильно облученных кристаллах a-Al2O3-s и их взаимосвязь с ТЛ-свойствами

4.1.1 Изменения концентраций активных центров собственного типа при пошаговом отжиге

4.1.2 Изменение фотолюминесцентных откликов собственных центров при пошаговом отжиге

4.1.3 Изменения ТЛ-откликов в основном пике при пошаговом отжиге кристаллов a-Al2O3-s

4.2 Влияние собственных и примесных дефектов на ТЛ-выход в высокотемпературном пике при 830 К

4.3. Моделирование фото-, термо- и фототермостимулированных рекомбинационных процессов с участием F+-, F- и Al^-центров и электронных ловушек

4.3.1 Физическая и математическая модели

4.3.2 Подбор параметров и апробация модельных представлений на примере рекомбинационной люминесценции F-центров

4.4 Выводы

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

СПИСОК ОСНОВНЫХ СОКРАЩЕНИЙ И ОБОЗНАЧЕНИЙ

СПИСОК ЛИТЕРАТУРЫ

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Высокотемпературная термолюминесценция кристаллов анионодефицитного корунда и ее связь с собственными и примесными дефектами»

ВВЕДЕНИЕ

Актуальность и степень разработанности темы исследования. Моно- и поликристаллический анионодефицитный корунд (а-А1203-б) широко используется как основа детекторов ТЛД-500 или А1203:С в твердотельной дозиметрии с использованием эффектов термически и оптически стимулированной люминесценции (ТЛ и ОСЛ) [1, 2, 3]. Область применения детекторов ТЛД-500 до последнего времени ограничивалась диапазоном доз 10-6 -10 Гр, характерным для индивидуальной дозиметрии. Однако с начала двухтысячных годов наблюдается существенный рост интереса к исследованиям дозиметрических и люминесцентных свойств накопительных детекторов, включая ТЛД-500, направленным на изучение возможности регистрации больших и сверхбольших доз [4, 5, 6, 7]. Такой интерес, с одной стороны, обусловлен, расширяющимся применением импульсных рентгеновских и электронных источников микро-, нано- и субнаносекундной длительности в радиационных технологиях, контроле, медицине, а также при изучении быстропротекающих физических и химических процессов [8, 9, 10]. С другой, возникающими при измерении поглощенных доз трудностями, обусловленными повышенными температурами окружающей среды, сильными электромагнитными помехами и значительными импульсными мощностями доз, то есть там, где не работают электронные, фотохромные, ЭПР- и другие дозиметры [8, 11].

Недавние исследования ТЛ-, ОСЛ- и спектрально-оптических свойств кристаллов а-А1203-5 показали возможность дальнейшего расширения диапазона регистрируемых доз вплоть до 100 Гр [4, 5, 12]. В них отмечено, что определяющую роль в таком расширении играют более глубокие ловушки носителей заряда, чем обуславливающие основной дозиметрический ТЛ-пик при 450 К и ОСЛ-сигнал. В [5, 12] указанный вывод подтвержден наблюдением конверсии F- в F+ -центры (анионные вакансии с двумя и одним электроном соответственно), регистрируемой при пошаговом отжиге в области 800-1000 К и фиксируемой по изменению обуславливающих их полос оптического поглощения

(ОП). Такая F^■F+-конверсия сопровождалась экстремальными изменениями ТЛи ОСЛ-выходов, связанных с опустошением основной ловушки, причем эти изменения не имели одинаковой характер у трех типов исследуемых образцов А1203:С. Природа глубоких ловушек в [5, 12] также определялась по виду F+•F-конверсии. Так, согласно [5, 12, 13] фиксируемая при пошаговом отжиге в области 800-1000 К F^■F+-конверсия однозначно свидетельствует о дырочной природе глубокой ловушки, хотя никаких других доказательств не приводится. Более того, ни в одной из известных нам работ нет совместно полученных данных об изменениях концентраций F+- и F-центров, определенных при пошаговом отжиге, и о высокотемпературной ТЛ, измеренной до 1000 К. Отсутствие таких данных обусловлено существенными трудностями измерения высокотемпературной ТЛ при Т>600 К. Кроме того, в [4, 5, 12] не рассматривается возможность участия в обсуждаемых процессах примесных центров типа Сг3+ и Т^+, а также сложных комплексных центров, основными элементами которых являются интерстициалы алюминия, анионные и катионные вакансии в разных зарядовых состояниях. Тем не менее, в [14, 15, 16] показано их вовлечение в релаксационные процессы в области не только основного, «титанового» и «хромого» ТЛ-пиков при 450, 470 и 580 К соответственно, но и высокотемпературных при 720 и 900 К, создаваемых в а-Л1203-5 специальной термооптической обработкой. Образование сложных центров, в том числе и ранее не обнаруживаемых, подтверждено данными радио- и фотолюминесценции (РдЛ и ФЛ) и их кинетиками.

Таким образом, дальнейшее изучение физики релаксационных процессов в сильно облученном а-Д1203-51, происходящих в ходе ТЛ- и ОСЛ-считываний, в том числе при повышенных температурах, привлекая наряду с оптико-абсорбционным спектральные радио- и фотолюминесцентные и люминесцентно-кинетические методы исследования является актуальной задачей. Важным также является сравнительное изучение с использованием указанных методов особенностей

:Здесь и далее по тексту диссертации и автореферата под понятием образец (кристалл или а-Л1203-8), подвергнутый «высокодозному облучению», а также «сильно облученный образец» подразумевается такой, доза облучения которого составляет не менее 50 Гр.

запасания и течения ТЛ- и ОСЛ- процессов в кристаллах а-А1203-5, облученных непрерывным и импульсным рентгеновским и электронным излучением в существенно расширенном диапазоне доз, мощностей доз и температур. Полученные результаты позволят расширить возможности практического применения а-А1203-5 и будут полезны с фундаментальной точки зрения.

Поэтому целью работы является поиск в кристаллах а-А1203-5 возможной связи между особенностями термолюминесценции в области 300-1000 К и преобразованием простых и сложных центров собственного и примесного типа, вызванными высокодозным непрерывным и импульсным облучением.

Для достижения поставленной цели необходимо решить следующие задачи:

1. Подбор образцов а-А1203-5 с существенно неизменяемыми ТЛ-свойствами при многократном высокодозном облучении и установление для них общих закономерностей накопления и перераспределения запасенной энергии в расширенном диапазоне доз, мощностей доз и температур при непрерывном и импульсном облучении рентгеновским и электронным излучениями.

2. Изучение ТЛ при Т>600 К и ее спектров, сравнение их с аналогичными для основного ТЛ-пика, выявление возможных связей ТЛ-выходов и наблюдаемых свечений в высокотемпературной области с девозбуждением известных центров собственной и примесной природы, либо их тушащего действия, что предполагает также специальный подбор образцов а-А1203-5, определение у них примесного состава и концентраций активных центров.

3. Выявление в сильно облученных кристаллах а-А1203-5 взаимосвязи между фототрансфером носителей и ОСЛ- и ТЛ-выходами, обусловленными опустошением основной и глубоких ловушек.

4. Разработка методик и нагревательных устройств, позволяющих без перемещений в одном цикле пошагового отжига в диапазоне Та=300-1400 К исследовать в облученных образцах а-А1203-5 изменения по данным ОП концентраций активных центров, их ФЛ-откликов и ФЛ-кинетик,

спектрального состава ТЛ, а также сопоставить на финальном этапе весь массив полученных данных с соответствующими ТЛ-кривыми.

5. Поиск взаимосвязей и установление закономерностей в изменениях ТЛ-свойств, ТЛ-спектров, концентраций и ФЛ-откликов не только F+-, F-, но и других активных центров при пошаговом отжиге вплоть до Та=1400 К.

6. Разработка модели рекомбинационных процессов с участием F+- и F-центров в облученном а-А1203-5, теоретически подтверждающей некоторые из экспериментально полученных закономерностей, базирующейся на современных представлениях об электронной структуре F- и F+-центров и учитывающей соотношение между их концентрациями, а также энергетическую структуру, активность и степень заселенности электронных ловушек.

Объекты исследований. Объектами исследования являлись анионодефицитные образцы монокристаллов а-А1203-5 и детекторы ТЛД-500 на их основе с отличающимися концентрациями активных центров F-типа, ТЛ-выходами в основном и высокотемпературных пиках и известным примесным составом.

Методы и методология исследований. При исследовании кристаллов а-А1203-5 в работе использовались следующие методы: ТЛ, ОСЛ, ФЛ и кинетики ФЛ, ОП. Кроме того, для получения дополнительных данных о роли собственных дефектов и примесей в релаксационных процессах применялись также рентгено-и катодолюминесцентный методы. Для изучения примесного состава исследуемых кристаллов а-А1203-5 использовался рентгенофлуоресцентный метод.

Научная новизна:

1. Установлено, что ТЛ-выход образцов а-А1203-5 и детекторов ТЛД-500 коррелирует со средней концентрацией анионных вакансий, если она определяется усреднением суммарных концентраций F+-и F-центров, измеренных локально в нескольких точках.

2. В сильно облученных рентгеновским излучением образцах кристаллов а-А1203-5 и детекторах ТЛД-500 обнаружен высокотемпературный ТЛ-пик при

830 К, выход в котором антикоррелирован с ТЛ-выходами в пиках при 400 и 520 К и с концентрацией примесного Т^+. В его спектре имеется одна широкая УФ-полоса с Ьует=4.1 эВ и Н=0.86 эВ, которая не связана с переходами ни в одном из известных центров. Обуславливающая его глубокая ловушка имеет в спектре опустошения полосу с кут=5.2 эВ и Н=1.6 эВ, и УФ-излучения из указанной полосы не инициируют фотоперенос носителей заряда на другие более мелкие ловушки, включая основную дозиметрическую. Показано, что природа ТЛ-пика при 830 К связана с радиационно- и термостимулированной перестройкой дефектного образования, в состав которого входят анионные вакансии и френкелевские дефекты в катионной подрешетке.

3. В температурном интервале 300 - 1000 К систематически изучена ТЛ и ее особенности у кристаллов а-А1203-5 и детекторов ТЛД-500, облученных непрерывным и импульсными рентгеновскими и электронными излучениями в

3 7 3 11

диапазоне доз 10 - 3-10 Гр и мощностей доз 0.5-10" - 10 Гр/с. Установлено, что в отличие от непрерывного, когда насыщение дозовых зависимостей ТЛ-выходов в пиках при 450, 580 и 830 К происходит соответственно при 2, 40 и 2103 Гр, при импульсном наносекундном облучении верхний предел регистрируемых доз может быть увеличен соответственно вплоть до ~2 102, ~2 103 и ~6 106 Гр вследствие появления на дозовых зависимостях вместо насыщения вторых линейных участков, вид которых связан с время-импульсными и мощностными параметрами излучений.

4. Высокодозное облучение двух типов кристаллов а-А1203-5 - с ТЛ-пиком при 830 К и без него - существенно различным способом проявляется в их ОСЛ-свойствах. Показано, что быстрый компонент в кинетике затухания ОСЛ у образцов обоих типов обусловлен опустошением ловушки, обуславливающей основной дозиметрический пик при 450 К, а медленный компонент наблюдается только у образцов с ТЛ-пиком при 830 К.

5. Комплексные исследования облученных кристаллов а-А1203-5 с ТЛ-пиком при 830 К и без него, проведенные при пошаговом отжиге в диапазоне 300-1400 К и включающие изучение изменений концентраций простых F+-) и

сложных центров (А1*-, F2+- и др.), их ФЛ-выходов, спектров ТЛ в области основного пика при 450 К и приобретенной ТЛ-чувствительности, а также их сопоставление с ТЛ-кривыми, показали, что указанные изменения жестко связаны с отсутствием или наличием ТЛ-пика при 830 К, а ход термостимулированных процессов определяется не только опустошением электронных и дырочных ловушек с сопутствующими F+^■F- и F^■F+-видами конверсии, но и созданием и преобразованием сложных центров.

6. Предложены физическая и математическая модели, описывающие рекомбинационные процессы с участием F-центров и учитывающие наличие синглет-синглетных излучательных переходов в F-центрах, термостимулированные преобразования активных центров, включая взаимную конверсию F+- и F-центров, изменения их ФЛ-откликов. Модели позволили описать сложную кинетику люминесценции F-центров при их внутрицентровом и рекомбинационном возбуждении, изменяющуюся в зависимости от активности и заселенности электронных ловушек.

Защищаемые положения:

1. ТЛ-выход в основном пике при 450 К у образцов а-А1203-5 и детекторов ТЛД-500 пропорционален средней концентрации анионных вакансий, определяемой усреднением суммарных концентраций F+- и F-центров.

2. С ростом дозы облучения кристаллов а-А1203-5 идет последовательное заполнение ловушек, обуславливающих пики ТЛ при 450, 580 и 830 К, а вид дозовых зависимостей для ТЛ-выходов в указанных пиках и их насыщение связаны с время-импульсными и мощностными параметрами излучений.

3. ТЛ-выход в пике при 830 К антибатен содержанию примеси титана в образцах а-А1203-5, в его спектре свечения имеется одна широкая УФ-полоса с Ь^ет=4.1 эВ и Н=0.86 эВ, спектр опустошения обуславливающей его ловушки, содержит УФ-полосу с Ьут=5.2 эВ и Н=1.6 эВ, излучения из которой не инициируют трансфер носителей заряда на другие более мелкие ловушки, включая основную, однако ее наличие существенно усложняет кинетики ОСЛ.

4. Характер изменений при пошаговом отжиге концентраций простых F+-) и сложных центров (А^+-, F2+- и др.), их ФЛ-выходов, спектров ТЛ в области основного пика при 450 К и приобретенной ТЛ-чувствительности связан с особенностями кривых термовысвечивания у а-А1203-5, а в диапазоне 800 -1000 К - с отсутствием или наличием ТЛ-пика при 830 К, ход термостимулированных процессов определяется не только опустошением электронных и дырочных ловушек с сопутствующими F+^■F- и F^■F+-видами конверсии, но и созданием и преобразованием сложных центров.

Теоретическая значимость. Экспериментальные и теоретические результаты, полученные в работе при изучении высокотемпературной ТЛ анионодефицитного корунда, имеют существенное значение для физики конденсированного состояния, поскольку расширяют представления о релаксационных процессах с участием центров захвата и люминесценции в а-А1203-5, облученных непрерывным и импульсными рентгеновскими и электронными излучениями, а также в расширенном температурном и дозовом диапазонах. Сравнительные исследования оптических и спектрально-кинетических свойств кристаллов а-А1203-5, их примесного состава наряду с ТЛ, ОСЛ и фототрансферной ТЛ вносят определенный вклад в теорию люминесценции и позволяют лучше понять роль собственной анионной и примесной дефектности в формировании высокотемпературной ТЛ при Т>600 К.

Практическая значимость. При высокодозном облучении кристаллов а-А1203-5 и детекторов ТЛД-500 на ТЛ-кривых обнаружен новый пик при 830 К, отклик в котором пропорционален дозе. Его использование в дозиметрической практике наряду с основным и хромовым пиками при 450 и 580 К позволяет существенно расширить диапазон регистрируемых доз, а при измерении больших доз увеличить температуру применения до 700 К. Так, при непрерывном облучении детекторы ТЛД-500 могут быть использованы в диапазоне от долей мкГр до единиц кГр. В случае импульсного наносекундного облучения верхний предел может быть увеличен до единиц МГр (Патент РФ на изобретение №2570107).

Результаты изучения ОСЛ в сильно облученном a-Al2O3-s и связанных с ней фототрансферных эффектов имеют важное практическое значение для ОСЛ-дозиметрии, поскольку в образцах без ТЛ-пика при 830 К существенно сокращается и упрощается процедура обнуления накопленной дозиметрической информации. Более того, в таких детекторах при ОСЛ-считывании минимальны проявления фототрансфера, что позволяет повысить точность измерения поглощенных доз. Вышеприведенное стало основой при разработке устройства для измерения аварийных доз облучения (Патент РФ на полезную модель №146319).

На основании изучения в протонно-облучаемых образцах a-Al2O3-s протонолюминесценции, наведенной радиоактивности и инициируемых последней мгновенных и отложенных эффектов, таких как радио-, термолюминесценция и ОСЛ, предложена и запатентована конструкция фотоэлектрического модуля космического базирования с покрытием из a-Al2O3-s, существенно повышающего эффективность генерации электрической энергии, особенно в области солнечной тени. (Патент РФ на изобретение №2584184).

Личный вклад автора

Определение цели и задач диссертационной работы, интерпретация полученных результатов, формулирование выводов и защищаемых положений выполнены совместно с научным руководителем.

Автором лично проведены экспериментальные исследования ОСЛ, высокотемпературной ТЛ и ее спектральных особенностей, а также изменений концентраций, ФЛ-откликов и их кинетик для центров F-типа и других активных центров, в том числе примесной природы, при пошаговом отжиге облученных образцов a-Al2O3-s. Кроме того, изготовлен нагревательный модуль, позволяющий реализовывать линейный нагрев образцов в диапазоне Ta=300-1400 K при р=2 К/с и изотермическую выдержку при T=300-1170 К внутри кюветных отделений Cary-60 и Cary Eclipse, а также выполнена проверка его градуировки по температуре.

Элементный анализ исследуемых образцов a-Al2O3-s проведен с.н.с Н.П. Горбуновой и м.н.с. Л.А. Татариновой, сотрудниками лаборатории физических и химических методов исследования Института геологии и геохимии УрО РАН.

Достоверность и апробация работы. Достоверность изложенных в работе основных результатов и выводов подтверждена отсутствием противоречий с известными общепринятыми представлениями, соответствующими публикациями в рецензируемых журналах из первой и второй квартилей, а также их обсуждением на международных и отечественных конференциях. Точность экспериментальных результатов обеспечена многократностью измерений с использованием апробированных методик и аттестованных образцов, проведением калибровок измерительного оборудования, в том числе используя прописанные в технической документации процедуры. При обработке экспериментальных данных применены методы математической статистики.

Основные результаты диссертации представлялись на 7 всероссийских и международных конференциях: Всероссийских школах-семинарах по проблемам физики конденсированного состояния СПФКС-14 и СПФКС-15 (г. Екатеринбург, Россия, 2013 г.; 2014 г.); 4th and 5th International congress on energy fluxes and radiation effects (г. Томск, Россия, 2014 г.; 2016 г.); 9th International conference on luminescent detectors and transformers of ionizing radiation (г. Тарту, Эстония,

2015 г.); 18th International conference on solid state dosimetry (г. Мюнхен, Германия,

2016 г.); 19th International conference on defects in insulating materials (г. Лион, Франция, 2016 г.).

Публикации. Основные результаты исследований опубликованы в 22 научных работах, включая 10 статей в ведущих российских и зарубежных рецензируемых научных журналах из списка ВАК, Scopus, Web of Science; 2 патента РФ на изобретение и патент РФ на полезную модель.

Объем и структура диссертации. Диссертация состоит из введения, четырех глав, заключения и списка цитируемой литературы. Ее объем составляет 185 страниц, включая 57 рисунков, 7 таблиц и библиографический список из 181 наименования.

1 Центры люминесценции и захвата в кристаллах а-Л1203_5 и их роль в формировании термолюминесцентных свойств в диапазоне 300-1000 К

1.1 Общие сведения о корунде и его применениях

Монокристаллы корунда (а-А12О3) относятся к классу широкощелевых оксидов с шириной запрещённой зоны ~9.5 эВ [17, 18, 19] и имеют

2 3+

ромбоэдрическую кристаллическую решетку, образованную ионами О " и А1 [17]. В решетке а-А12О3 анионы О " образуют гексагональную плотнейшую

3+

упаковку [17]. Катионы А1 располагаются между плотноупакованными ионами О2- в октаэдрических пустотах и заполняют их на 2/3 [17]. Соотношение ионных

2 3+

радиусов О" и А1 (гО2-=0.140 нм и гА13+=0.057 нм) позволяет катионам располагаться в октаэдрических пустотах, практически не искажая решетку и не выходя за пределы устойчивости октаэдрических позиций [17]. Тип связи в кристаллах а-А12О3 преимущественно ионный, а доля ковалентной связи составляет примерно 20 % [17].

2- 3+

Высокая плотность упаковки ионов О и А1 , относительно большое значение энергии связи ионов и ее тип определяют ряд уникальных физико-химических свойств корунда [17, 20]. Кристаллы а-А12О3 обладают высокой твердостью (второй после алмаза по Моосу) и температурой плавления (Тпл.=2318 К), химической инертностью, радиационной стойкостью и механической прочностью. В настоящее время на основе а-А12О3 изготавливают биологические имплантаты, диэлектрические подложки, химическую посуду, огнеупорную керамику и другие виды изделий [20].

Кристаллы а-А12О3 стехиометрического и нестехиометрического составов с различными точечными дефектами также нашли широкое применение в оптике. Так, номинально чистые и совершенные кристаллы а-А12О3 обладают широким диапазоном оптической прозрачности от 0.14 до 6 мкм [20]. Поэтому на основе а-А12О3 изготавливают оптические окна, линзы, световоды, работающие в экстремальных условиях, а именно: при повышенной температуре и давлении, в контакте с агрессивными средами и в мощных радиационных полях.

Введение в состав а-А1203 точечных дефектов примесной и собственной природы приводит к образованию центров окраски (ЦО), которые определяют люминесцентные свойства корунда и используются для создания элементов квантовой электроники, элементов лазерных устройств и силовой оптики, накопительных люминесцентных детекторов ионизирующих излучений [20].

Интересными с точки зрения дозиметрических приложений являются кристаллы анионодефицитного корунда или а-А1203-5. Они содержат в своем составе анионные вакансии, которые могут образоваться в процессе выращивания, термохимического окрашивания или облучения корпускулярными видами излучений. Наряду с вакансиями в а-А1203-5 имеется также целый спектр центров захвата носителей заряда или ловушек. В 1982-1985 гг. а-А1203-5 был предложен в качестве материала для термолюминесцентной (ТЛ) дозиметрии ионизирующих излучений [1, 21, 22, 23, 24], и на его базе были созданы одни из самых чувствительных ТЛ-детекторов - ТЛД-500 [21, 22, 25]. В конце 20-го века кристаллы а-А1203-5 также нашли широкое применение в новом направлении дозиметрии, основанном на родственном с ТЛ-явлении, - оптически стимулированной люминесценции (ОСЛ) [2, 3, 26, 27].

Обнаруженные значительные ТЛ- и ОСЛ-отклики у кристаллов а-Д1203-5 дали новый импульс в изучении их спектрально-оптических и дозиметрических свойств [20, 27, 28, 29]. В настоящее время далеко продвинулось понимание физической природы дефектов и их роли в формировании люминесцентных свойств у а-А1203. Так, в [14, 19, 30] установлена определяющая взаимосвязь анионного дефицита с высокой ТЛ- и ОСЛ-активностью а-А1203-5. Однако четкой корреляционной зависимости между анионным дефицитом и ТЛ- или ОСЛ-выходами у детекторов ТЛД-500 пока не обнаружено. Более того, многими исследователями отмечается отсутствие такой зависимости. В тоже время, рядом авторов [30, 31, 32, 33, 34, 35] исследованы ТЛ-свойства у а-А1203 и а-А1203-5 в зависимости от концентрации примесных элементов таких, как Сг, Т^ Mg и т.д. В

частности, обнаружена связь ТЛ-выхода в пике при 580-600 К с примесью хрома [31, 32] и в пике при 470-500 К с примесью титана [30].

1.2 Центры люминесценции в а-А1203_5 и особенности их свечения при повышенных температурах

Активными участниками рекомбинационных процессов в а-А1203-5, протекающих как во время облучения, так и при последующей оптической и термической стимуляции, являются центры свечения собственного типа. Они определяют оптические свойства кристаллов а-А1203-5 и вносят основной вклад в формирование их ТЛ-свойств [16, 19, 21, 22, 25, 30, 36].

Центры свечения собственного типа обусловлены структурными нарушениями кристаллической решетки а-А1203, а именно: одиночными анионными вакансиями (центры F-типа), междоузельными катионами (центры типа А^) и их комплексами. Их структура и свойства были достаточно хорошо изучены до начала 2000-х годов [37, 38, 39, 40, 41, 42, 43, 44].

1.2.1 F+- и F- центры

Одними из первых в кристаллах а-А1203 были идентифицированы F+- и F-центры (анионные вакансии с одним и двумя электронами соответственно) [39, 40, 45, 46]. Как было показано в дальнейшем, такие центры оказались доминирующими в анионодефицитных и облученных умеренными флюенсами частиц образцах корунда [37, 40, 47].

F+-центр в а-А1203 имеет достаточно низкую локальную симметрию С2, что обуславливает расщепление его возбужденного синглетного ^-состояния на три уровня, обозначаемые как 1В, 2А и 2В [48]. В первых экспериментальных работах [39, 40, 41], в которых исследовались нейтронно-облученные образцы а-А1203, были обнаружены только две полосы оптического поглощения (ОП) при 5.4 и 4.8 эВ. Они были приписаны соответственно переходам 1А^1В и 1А^2А в F+-центре. Согласно выдвинутым в [39, 40, 41] предположениям, сделанным на

основе анализа стационарных спектров возбуждения люминесценции (СВЛ), полоса ОП, связанная с третьим возбуждённым состоянием F+-центра (переход 1А^2В), должна была находиться вблизи ~6.0-6.3 эВ. Однако она не могла быть явно выделена в спектрах ОП из-за перекрытия с интенсивной F-полосой поглощения при 6.05 эВ [39, 40, 41], а в СВЛ - из-за непрерывного режима возбуждения [19, 49]. Экспериментально третье 2В-возбужденное состояние было обнаружено в поляризованных СВЛ F+-центра [19, 49], измеренных с субнаносекундным разрешением. Максимум hvex соответствующей полосы в СВЛ находится при 5.94 эВ, если Т=5.6 К, а ее полуширина Н составляет 0.39 эВ. Наряду с ней при той же ориентации и Т=5.6 К была также зарегистрирована полоса с hvex=6.6 эВ и Н=0.7 эВ [19, 49]. Она была приписана переходу электрона из основного на 3Р-состояние F+-центра (переход 1А^3Р).

Согласно опытным данным [19, 39, 49] и расчетам [19] возбуждение в область всех 4-х переходов F+-центра, т.е. 1А^1В [39], 1А^2А [39], 1А^2В [19, 49] и 1А^3Р [19, 49], инициирует люминесценцию с hvem=3.80 эВ, Н=0.35 эВ и постоянной времени затухания (время жизни в возбужденном состоянии) ^+=2.1 нс. В [19] было теоретически показано, что излучательным у F+-центра является только синглет-синглетный переход с нижнего возбужденного уровня 1В на основной 1А (переход 1В^1А). В соответствии с рассчитанной в [19] конфигурационной моделью F+-центра переходы электрона с остальных возбужденных состояний (2А, 2В, 3Р) являются безызлучательными и сопровождаются его переходами в 1В-состояние. Важно также отметить, что с ростом Т до 550 К максимум люминесценции F+-центров смещается в область меньших энергий (^ует=3.71 эВ), а полуширина ее полосы увеличивается с 0.35 эВ до 0.49 эВ [39]. Кроме того, при Т>400 К люминесценция F+-центров испытывает сильное температурное тушение [39, 40]. Так, при Т=550 К ее квантовый выход в ~20 раз меньше, чем при Т=300 К [39].

Согласно [38, 50, 51], полоса ОП с максимумом вблизи ^уаЬ5=6.05 эВ и Н=0.68 эВ соответствует переходу F-центра из основного в возбужденное

Список литературы диссертационного исследования кандидат наук Абашев, Ринат Мансурович, 2018 год

СПИСОК ЛИТЕРАТУРЫ

1 А.с. 1072461 СССР, МКИ C 09 K 11/30. Вещество для твердотельного дозиметра / М. С. Аксельрод, В. С. Кортов, И. И. Мильман, А. И. Мунчаев, А. П. Чиркин (СССР). - 3472355/18-25; заявл. 19.07.82; опуб.15.12. 84, Бюл. № 46. - 4 с.

2 Мильман И. И. Оптически стимулированная люминесценция дозиметрических кристаллов анион-дефектного корунда / И. И. Мильман, E. B. Моисейкин, C. B. Никифоров // Журнал прикладной спектроскопии. -2005. - Т. 72. - №1. - С. 140-142.

3 Characterization of Al2O3 for Use in Thermally and Optically Stimulated Luminescence Dosimetry / S. W. S. McKeever, M. S. Akselrod, L. E. Colyott, N. A. Larsen, J. C. Polf, V. Whitley // Radiation Protection Dosimetry. - 1999. -V. 84. - P. 163-166.

4 Luminescence properties of a-Al2O3 dosimetric crystals exposed to a high-current electron beam / I. I. Milman, E. V. Moiseykin, S. V. Nikiforov, S. G. Mikhailov, V. I. Solomonov // Radiation Measurements. - 1995. - V. 38. - I. 4-6. - P. 443446.

5 The effects of deep trap population on the thermoluminescence of Al2O3:C / E. G. Yukihara, V. H. Whitley, J. C. Polf, D. M. Klein, S. W. S. McKeever, A. E. Akselrod, M. S. Akselrod // Radiation Measurements. - 2003. - V. 37. -P. 627-638.

6 Lo D. Superlinear dose dependence of high temperature thermoluminescence peaks in Al2O3:C / D. Lo, J. L. Lawless, R. Chen // Radiation Protection Dosimetry. - 2006. - V. 119. - Nos. 1-4. - P. 71-74.

7 Obryk B. Method of thermoluminescent measurement of radiation doses from micrograys up to a megagray with a single LiF:Mg,Cu,P detector / B. Obryk, P. Bilski, P. Olko // Radiation Protection Dosimetry. - 2011. - V. 144. N. 1 -4. -P. 543-547.

8 Алимов А.С. Практическое применение электронных ускорителей / А. С. Алимов. - М.: НИИЯФ МГУ, 2011. - 41 с.

9 Вавилов С. П. Импульсное рентгеновское излучение в дефектоскопии / С. П. Вавилов, В. И. Горбунов. - М.: Энергоатомиздат, 1985. - 78 c.

10 Быстропротекающие радиационно-стимулированные процессы в щелочно-галоидных кристаллах / Э. Д. Алукер, В. В. Гаврилов, Р. Г. Дейч, С. А. Чернов. - Рига: Зинатне, 1987. - 183 с.

11 Itoh M., Stoneham A.M. Materials Modification by Electronic Excitation. Cambridge: Univer-sity Press, 2001. 520 p.

12 Yukihara E. G. Ionisation density dependence of the optically and thermally stimulated luminescence from Al2O3:C / E. G. Yukihara, S. W. S. McKeever // Radiation Protection Dosimetry. - 2006. - V. 119. - Nos. 1-4. - P. 206-217.

13 Akselrod M. S. Deep traps in highly sensitive a-Al2O3:C TLD crystals / M. S. Akselrod, E. A. Gorelova // Nuclear Tracks Radiation Measurements. -1993. - V. 21. - No. 1. - P. 143-146.

14 Surdo A. I. Exciton mechanism of energy transfer to F-centers in dosimetric corundum crystals / A. I. Surdo, V. S. Kortov // Radiation Measurements. - 2004

- V. 38. - P. 667 - 671.

15 Surdo A. I. Thermoactivated spectroscopy in dosimetric a-Al2O3 / A. I. Surdo // Radiation Measurements. - 2007. - V. 42. - P. 763-766.

16 Surdo A. I. On the nature of the slow emission at 3.8 eV in a-Al2O3-s crystals /

A. I. Surdo, M. I. Vlasov, I. I. Milman // Radiation Measurements. - 2016. - V. 90.

- P. 99-103.

17 Рубин и сапфир / Колл. авт. под рук. Классен-Неклюдовой М. В. и Багдасарова Х. С. Отв. ред. Беляев Л.М. - М.:Наука, 1974.- 236 с.

18 Оптические свойства и электронная структура флюорита и корунда /

B. В. Соболев, А. И. Калугин, В. Вал. Соболев, С. В. Смирнов // Физика твердого тела. - 2002. - Т. 44. - В. 5. - С. 836-844.

19 Сюрдо А. И. Радиационно-оптические и эмиссионные свойства широкозонных анионодефектных оксидов с пониженной симметрией.: дис. ... д-ра физ.-мат. наук: 01.04.07 / Сюрдо Александр Иванович. -Екатеринбург, 2007. 405 с.

20 Dobrovinskaya E. Sapphire: Material, manufacturing, applications / E. Dobrovinskaya, L. Lytvynov, V. Pishchik. - New-York: Springer, 2009. -481 p.

21 Профилированные легированные углеродом монокристаллы окиси алюминия для термолюминесцентных дозиметрических детекторов. / М. С. Аксельродь,

В. С. Кортов, И. И. Мильман и др. // Известия АН СССР, Серия Физическая.

- 1988. - Т. 52. - №10. - С. 1981-1984.

22 Akselrod M. S. Thermoluminescent and exoemission properties of new high-sensitivity TLD a-Al2O3:C crystals / M. S. Akselrod, V. S. Kortov // Radiation Protection Dosimetry. - 1990. - V. 33. - P. 123-126.

23 Akselrod M. S. Preparation and properties of a-Al2O3:C/ M. S. Akselrod, V. S. Kortov, E. A. Gorelova // Radiation Protection Dosimetry. - 1993. - V. 47. -P. 159-164.

24 Сюрдо А.И., Мильман И.И., Аксельрод М.С. Люминесценция и экзоэлектронная эмиссия термохимически окрашенного корунда / А. И. Сюрдо, И. И. Мильман, М. С. Аксельрод // XXX Всесоюзное совещание по люминесценции. Тезисы докладов. Ровно. - 1984. - С. 130.

25 Akselrod M. S. Highly sensitive thermoluminescent anion-defect a-Al2O3:C single crystal detectors / M. S. Akselrod, V. S. Kortov, D.J. Kravetsky, V.I. Gotlib // Radiation Protection Dosimetry. - 1990. - V. 32. - No. 1. - P. 15-20.

26 Optically stimulated luminescence of Al2O3 / M. S. Akselrod, A. C. Lucas, J. C. Polf, S. W. S. McKeever // Radiation Measurements. - 1998. - V. 29. -P. 391-399.

27 Yukihara E. G. Optically Stimulated Luminescence: Fundamentals and Applications / E. G. Yukihara, S. W. S. McKeever. - Chichester: Wiley, 2011. -370 p.

28 Chen R. Theory of thermoluminescence and related phenomena / R. Chen, S. W. S. McKeever. - Singapore: World Scientific Publishing, 1997. - 559 p.

29 Botter-Jensen L. Optically Stimulated Luminescence Dosimetry / L. Botter-Jensen, S. W. S. McKeever, A. G. Wintle. - Elsevier Science, 2003. - 355 p.

30 Surdo A. I. Luminescence of anion-defective corundum with titanium impurity /

A. I. Surdo, V. S .Kortov, F. F. Sharafutdinov // Radiation Protection Dosimetry. -1999. - V. 84. - P. 261-264.

31 Бессонова Т. С. Концентрационная зависимость радиационно-оптических эффектов в рубине / Т. С. Бессонова, М. П. Станиславский, А. И. Собко,

B. Я. Хаимов-Мальков // Журнал прикладной спектроскопии. - 1977. - Т. 27.

- № 2. - С. 238-243.

32 Стукалов В. И. Концентрационные зависимости электронных и радиационно-оптических свойств корундов. / В. И. Стукалов, B. C. Кортов, Т. С. Бессонова // Деп. в ВИНИТИ. - № 3961-80. - 1980. - 28 с.

33 Квятковский С. Ф. Термостимулированная люминесценция и поглощение Al2O3:Ti / С. Ф. Квятковский, В. С. Коневский, Е. В. Кривоносов, Л. А. Литвинов // Журнал прикладной спектроскопии. - 1989. - Т. 51. - № 1. - С. 90-94.

34 Molnar G. Photoluminescence and thermoluminescence of titanium ions in sapphire crystals / G. Molnar, M. Benabdesselam, J. Borossay, D. Lapraz, P. Iacconi, V. S. Kortov, A. I. Surdo // Radiation Measurements. - 2001. V. 33. -N. 5. - P. 663-667.

35 Аксельрод M. C. Рекомбинационный процессы в легированном анионодефектном корунде / M. C. Аксельрод, B. C. Кортов, И. И. Мильман // Украинский физический журнал. - 1983. - Т. 28. - № 7. - С. 1053-1056.

36 Optical properties of complex anion vacancy centers and photo-excited electronic processes in anion defective a-Al2O3 / I. Tale, T. M. Piters, M. Barbosa-Flores, R. Perez-Salas, M. Springis // Radiation Protection Dosimetry. - 1996. - V. 65. -Nos. 1-4. - P. 235-238.

37 Crawford J. H., Jr. A Review of neutron radiation damage on corundum crystals / J. H. Crawford, Jr. // Journal of Nuclear Materials. - 1982. - V. 108/109. - P. 644654.

38 Brewer J. D. Low-temperature fluorescence in sapphire / J. D. Brewer, B. T. Jeffries, G. P. Summers // Physical Review B. - 1980. - V. 22. - I. 10. -P. 4900-4906.

39 Evans B. D. Optical properties of the F+- center in crystalline Al2O3 / B. D. Evans, M. Stapelbroek // Physical Review B. - 1978. - V. 18. - N. 12. - P. 7089-7098.

40 Evans B. D. A review of the optical properties of anion lattice vacancies, and electrical conduction in a-Al2O3: their relation to radiation-induced electrical degradation / B. D. Evans // Journal of Nuclear Materials. - 1995. - V. 219. -P. 202-223.

41 Draeger B.G. Defects in Unirradiated a-Al2O3 / B.G. Draeger, G.P. Summers // Physical Review B. - 1979. - V. 19. - I. 2. - P. 1172-1177.

42 Springis M. J. Visible luminescence of colour centers in sapphire / M. J. Springis, J. A. Valbis // Physica Status Solidi (B). - 1984. - V. 123. - P.335-343.

43 Мартынович Е. Ф. Энергетические уровни и квантовые переходы в центре окраски a-Al2O3 / Е. Ф. Мартынович, А. Г. Токарев // Физика твердого тела. -1984. - Т. 26. - В. 2. - С. 616-618.

44 Сюрдо А. И. Особенности образования и электронная структура Al^-центра в корунде / А. И. Сюрдо, В. С. Кортов, И. И. Мильман // Украинский физический журнал. - 1988. - Т. 33. - № 6. - С. 872-875.

45 Lee K.H. Luminescence of the F center in sapphire / K.H. Lee, J.H. Crawford // Phys. Rev. B. - 1979. - V. 19. - No. 6. - P. 3217-3221.

46 Lee K. H. Electron Centers in Single Crystal Al2O3 / K. H. Lee, J. H. Crawford // Physical Review B. - 1977. - V. 15. - I. 8. - P. 4065-4070.

47 Сюрдо А. И. Генерация агрегатных F-центров при облучении корунда быстрыми электронами / А. И. Сюрдо, В. С. Кортов, И. И. Мильман // Письма в ЖТФ. - 1985. - Т. 11, В. 15. - C. 943-947.

48 La S. Y. The F+ center in reactor-irradiated aluminum oxide / S. Y. La, R. H. Bartram, R. T. Cox // Journal of Physics and Chemistry of Solids. - 1973. -V. 34. - P. 1079-1086.

49 Сюрдо А. И. Оптические свойства и электронное строение F+-центра в a-Al2O3 / А. И. Сюрдо // Известия вузов. Физика. - 2011. - № 1/3. - С. 277283.

50 Валбис Я. А. Дефекты решетки и люминесценция монокристаллов a-Al2O3. 1. Аддитивно окрашенные кристаллы / Я. А. Валбис, М. Е. Спрингис // Известия АН Латвийской СССР. Серия физических и технических наук. -1977. - № 5. - С. 51-57.

51 Валбис Я. А. Дефекты решетки и люминесценция монокристаллов a-Al2O3. 2. О природе люминесценции аддитивно окрашенных кристаллов / Я. А. Валбис, П. А. Кулис, М. Е. Спрингис // Известия академии наук латвийской ССР. Серия физических и технических наук. - 1979. - № 6. - С. 22-28.

52 Jeffries B. J. Photoconductivity and charge trapping in a-Al2O3 / B. J. Jeffries, J. D. Brewer, G. P. Summers // Physical Review B. - 1981. - V. 24. - N. 10. -P. 6074-6082.

53 Thermal quenching of F-center luminescence in Al2O3:C / M. S. Akselrod, L. N. Agersnap V. H. Whitley, S. W. S. McKeever // Journal of Applied Physics. -1998. - V. 84. - P. 3364-3373.

54 UV luminescence of F-centers in aluminum oxide / A. I. Surdo, V. S. Kortov, V. A. Pustovarov, V. Yu. Yakovlev // Physica Status Solidi (c). - 2005. - V. 2. -I. 1. - P. 527-530.

55 Tale I. Advanced trap spectroscopy in a-Al2O3 by TSL and TSEE / I. Tale, G. Rudlof // Scientific reports of the OPOLE Technical University. Series Physics.

- 1997. - V. 20. - No. 240. - P. 95-103.

56 Fowler W. B, Henry C. H., and Slichter C. P. Physics of Color Centers. - New York: Academic Press, 1968. - P. 89-90

57 Гринченко А. Ю. Местоположение ионов трех- и четырехвалентного титана в решетке / А. Ю. Гринченко, В. С. Коневский, Е. В. Кривоносов, Л. А. Литвинов, В. А. Олейник // Физика твердого тела. - 1992. - Т. 34. - В. 1.

- С. 249-253.

58 Гурвич A. M. Введение в физическую химию кристаллофосфоров: Учеб. пособие для вузов. М.: Высш. школа, 1982. 376 с.

59 Кофстад П. Отклонение от стехиометрии, диффузия и электропроводность в простых окислах. М.: Мир, 1975. 396 с.

60 Сюрдо А. И. Люминесценция F-центров в корунде с радиационными нарушениями / А. И. Сюрдо, В. С. Кортов, И. И. Мильман // Оптика и спектроскопия. - 1988. - Т. 64. - В. 6. - С. 1363-1366.

61 Kulis P.A. Recombination Luminescence in Single crystal Al2O3 / P. A. Kulis, M. J. Springis, I. A. Tale, J. A. Valbis // Physica Status Solidi (a). - 1979. - V. 53.

- P. 115-119.

62 Welch L. S. Polarised luminescence in neutron- and proton-irradiated a-Al2O3 / L. S. Welch, A. E. Hughes, G. P. Pells // J. Phys. C: Solid State Phys. - 1980. -V. 13. - P. 1805-1816.

63 Levy P. W. Annealing of the defects and colour centres in unirradiated and in reactor irradiated Al2O3 / P. W. Levy // Discussions of the Faraday Society. -1961. - No. 31. - P. 118-129.

64 Evans B. D. Optical vibronic absorption spectra in 14.8 MeV neutron damaged sapphire / B. D. Evans, M. Stapelbroek // Solid State Communications. - 1980. -V. 33. - P. 765-770.

65 Mitchell E. W. J. The anisotropy of optical absorption induced in sapphire by neutron and electron irradiation / E. W. J. Mitchell, J. D. Rigden, P. D. Townsend // Philosophical Magazine. - 1960. V. 5. P. 1013-1027.

66 Pogatshnik G.J. A Model of Lattice Defects in Sapphire / G. J. Pogatshnik, Y. Chen, B. D. Evans // IEEE Trans. Nucl. Sci. - 1987. - Vol. 34. - No. 6. - P. 1709-1712.

67 Itou M. Reversible Photoinduced Interconversion of Color centers in a-Al2O3 Prepared under Vacuum / M. Itou, A. Fujiwara, T. Uchino // Journal of Physical Chemistry. - 2009. - V. 113. - P. 20949-20957.

68 Ikeda S. Temperature and excitation energy dependence of the photoionization of the F2 center in a -Al2O3 / S. Ikeda, T. Uchino // Journal of Physical Chemistry C.

- 2014. -V. 118. - I. 8. - P. 4346-4353.

69 Мартынович, Е.Ф. Поляризованная люминесценция в видимой и инфракрасной областях спектра центров окраски в а Al2O3 / Е. Ф. Мартынович, А. Г. Токарев, С. А. Зилов // Оптика и спектроскопия. -1986. - Т.61. - В. 2. - С. 338-341.

70 Зилов С. А. Поляризованная люминесценция центров окраски в диэлектрических кристаллах.: дис. ... д-ра физ.-мат. наук: 01.04.07 / Зилов Сергей Анатольевич. - Иркутск, 2007. 268 с.

71 Moore C. E. Atomic energy levels / C. E. Moore // Nat. Stand. Ref. Data Ser., Nat. Bur. Stand. (U.S.), - 1971. - V. 1. - P. 359.

72 Summers G. P. Thermoluminescence in single crystal a-Al2O3 / G. P. Summers // Radiation protection dosimetry. - 1984. - V. 8. - No. У2. - P. 69-80.

73 Hole-induced exoelectron emission and luminescence of corundum doped with Mg / V. S. Kortov, T. S. Bessonova, M. S. Akselrod, I. I. Milman // Physica Status Solidi - 1985. - N. 87. - P. 629-639.

74 Influence of dopants and preparation method on the thermoluminescence properties of corundum crystals. / J. Kvapil, Z. Vitmvas, В. Perner, Jos. Kvapil, В. Manek, O. Adametz, J. Kubelka // Kristall und Technik. - 1980. - V. 15. -I. 7.

- P. 859-864.

75 Springis M. Origin of the 430 K TL peak in thermochemically reduced a-Al2O3 / M. Springis, P. Kulis, A. Veispals, V. Tale, I. Tale // Radiation Protection Dosimetry. - 1996. - V. 65. - I. 1-4. - P. 231-234

76 Портнягин А.С., Кортов В.С., Мильман И.И. Эффект разгорания рентгенолюминесценции сапфира // Урал. политехн. ин-т. им. Свердловск. -1988. -36 с. Деп. в ВИНИТИ 02.12.88. N 8996-И 88.

77 Кортов В. С. Термолюминесценция анионодефектного корунда при ультрафиолетовом и лазерном облучении / В. С. Кортов, А. И. Сюрдо, Ф. Ф. Шарафутдинов // Журнал технической физики. - 1997. - Т. 67. - В. 7. -

C. 72-76.

78 Oster L. A study of photostimulated thermoluminescence in C-doped a-Al2O3 crystals / L. Oster, D. Weiss, N. Kristianpoller // Journal of Applied Physics. -1994. - V. 27. - P. 1732-1736.

79 Cooke D. W. Low-temperature thermoluminescence studies of Al2O3 /

D. W. Cooke, I. W. Payne, R. S. Santi // Journal of Applied Physics. - 1981. - V. 52. No. 5. - P. 3606-3610.

80 Cooke D. W. Spectral emission from glow peaks in x-irradiated Al2O3 /

D. W. Cooke // Journal of Applied Physics. - 1984. - V. 55. No. 9. - P. 34373440.

81 Colyott L. E. Phototransferred thermoluminescence in a-Al2O3:C / L. E. Colyott, M. S. Akselrod, S. W. S. McKeever // Radiation Protection Dosimetry. - 1993. -V. 65. - P. 263-266.

82 Xu Y. Ab initio calculations for the neutral and charged О vacancy in sapphire / Y. Xu, Z. Gu, X. Zhong, W. Y.C hing // Physical Review B. - 1997. - V. 56. -N. 12. - P. 7277-7284.

83 Mehta S. K. Gamma dosimetry with Al2O3 thermoluminescent phosphor / S. K. Mehta, S. Sengupta // Phys. Med. Biol. - 1976. - V. 21. - No. 6. -P. 955-964.

84 Niklas A. Thermoluminescence of a ruby crystal colored by X-rays / A. Niklas, B. Sujak // Acta Physica Polonica. - 1975. - V. 48. - P. 291-305.

85 Klaffky R. W. Radiation-induced conductivity of A12O3. Experiment and theory / R. W. Klaffky, B. H. Rose, A. N. Golland, G. J. Dienes // Physical Review B. -1980. - V. 21. - P. 3610-3634.

86 Коневский В. С. Оптическое поглощение тикора / В. С. Коневский,

E. В. Кривоносов, Л. А. Литвинов, М. И. Шахнович // Журнал прикладной спектроскопии. - 1989. - Т. 50. - №. 4. - С. 651- 654.

87 Lee K. H. Optical and ESR studies of hole centers in y-irradiated Al2O3 / K. H. Lee, G. E. Holmberg, J. H. Crawford, Jr // Physica Status Solidi (A). - 1977. - V. 39. -P. 669-674.

88 Lee К. Н. Hole centers in у -irradiated, oxidized Al2O3 / K. H. Lee, G. E. Holmberg, J. H. Crawford, Jr // Solid State Communications. - 1976. -V. 20. -P. 183-185.

89 Бессонова Т. С. Влияние термических обработок на спектры поглощения корунда / Т. С. Бессонова, М. П. Станиславский, В. Я. Хаимов-Мальков // Оптика и спектроскопия. - 1976. - Т. 41. - №. 1, С. 152-154.

90 Иванов В. И. Курс дозиметрии. 4-е изд., перераб. и доп. / В. И. Иванов. - М.: Энергоатомиздат, 1988. - 400 с.

91 Chen R. Intrinsic superlinear dose dependence of thermoluminescence and optically stimulated luminescence at high excitation dose rates / R. Chen, J. L. Lawless, V. Pagonis // Radiation Measurements. - 2014. - V. 71. -P. 220-225.

92 Chen R. Time and dose-rate dependence of TL and OSL due to competition between excitation and fading / R. Chen, V. Pagonis, J. L. Lawless // Radiation Measurements. - 2015. - V. 82. - P. 115 - 121.

93 Goldstein N. Dose-Rate Dependence of Lithium Fluoride for Exposures 15,000 R Per Pulse / N. Goldstein // Health Physics. - 1972. - V. 22. - P. 91-93.

94 Gorbics S. G. Thermoluminescent dosimeters for high-dose applications / S. G. Gorbics, F. H. Attix // Health Physics. - 1973. - V. 25. - P. 499-506.

95 Барышников В. И. Фемтосекундные механизмы электронного возбуждения кристаллических материалов / В. И. Барышников, Т. А. Колесникова // Физика твердого тела. - 2005. - Т. 47. - В. 10. - С. 1776-1780.

96 Роль глубоких ловушек в люминесценции анион-дефектных кристаллов Al2O3:C / И. И. Мильман, Е. В. Моисейкин, С. В. Никифоров, С. В. Соловьев, И. Г. Ревков, Е. Н. Литовченко // Физика твердого тела. - 2008. - Т. 50. - В. 11. - С. 1991-1995.

97 Influence of the irradiation temperature on TL sensitivity of Al2O3:C / G. Molnar, M. Benabdesselam, J. Borossay, D. Lapraz, P. Iacconi, M. Akselrod // Radiation Measurements. - 2001. - V. 33. - P. 619-623.

98 Vlasov M. I. Features of OSL and TL properties of anion-defective corundum crystals exposed to thermo-optical treatment / M. I. Vlasov, A. I. Surdo, I. I. Milman, R. M. Abashev // Radiation Measurements. - 2016. - V. 90. -P. 71-74.

99 Власов M. И. Радиационно-оптические, люминесцентные и дозиметрические свойства анионодефицитного оксида алюминия в макро- и наноструктурированном состоянии.: дис. ... канд. физ.-мат. наук: 01.04.07 -Власов Максим Игоревич. - Екатеринбург, 2015. 182 с.

100 Кружалов А. В. Оптически стимулированная люминесценция кристаллов a-Al2O3, облученных протонами / А. В. Кружалов, И. И. Мильман, Ф. Г. Нешев, И. Г. Ревков // Письма в Журнал технической физики. - 2008. - V. 34. - I. 18.

- P. 83-88.

101 ТУ 2655-006-02069208-95. Детектор термолюминисцентный дозиметрический ТЛД-500К.

102 Lee K. H. Additive coloration of sapphire / K. H. Lee, J. H. Crawford // Applied Physics Letters. - 1978. - V. 33. - P. 273-275.

103 Горбунова H. П. Волновой рентгенофлуоресцентный спектрометр XRF-1800 (Shimadzu, Япония): методика определения микропримесей в рубинах / Н. П. Горбунова, Л. А. Татаринова, В. С. Кудякова, М. П. Попов // 2014. - Тр. ИГГ УрО РАН. - Вып. 162. - 2015. - с. 238-241

104 Моисейкин Е.В. Интерактивное взаимодействие ловушек в кристаллах анион-дефектного оксида алюминия: дис. ... канд. физ.-мат. наук: 01.04.07 -Моисейкин Евгений Витальевич. - Екатеринбург, 2011. 126 с.

105 Соловьев С. В. Термо-фотоиндуцированное преобразование центров люминесценции в анион-дефектных кристаллах a-Al2O3 / С. В. Соловьев, И. И. Мильман, А. И. Сюрдо // Физика твердого тела. - 2012. - Т. 54. - В. 4. -С. 683-690.

106 Михальченко Г.А. Радиолюминесцентные излучатели / Г. А. Михальченко -М.: Энергоатомиздат, 1988. - 151 с.

107 Cary Eclipse Fluorescence Spectrophotometer [Электронный ресурс] / Agilent Technologies. - Электрон. дан. - [Б. м.], 2017. - Режим доступа: https://www.agilent.com/en-us/products/fluorescence/fluorescence-systems/cary-eclipse-fluorescence-spectrophotometer. - Загл. с экрана.

108 Cary 60 UV-Vis [Электронный ресурс] / Agilent Technologies. - Электрон. дан.

- [Б. м.], 2017. - Режим доступа: https://www.agilent.com/en/products/uv-vis-uv-vis-nir/uv-vis-uv-vis-nir-systems/cary-60-uv-vis. - Загл. с экрана.

109 Whitson M. E., Jr. Handbook of the infrared optical properties of Al2O3, Carbon, MgO, and ZrO, Volume 1/ M. E. Whitson, Jr. - The Aerospace Corporation El Segundo, Calif, 1975 - 471 p.

110 He, Xiaodong. High emissivity coatings for high temperature application:Progress and prospect / Xiaodong He, Yibin Li, Lidong Wang, Yue Sun, Sam Zhang // Thin Solid Films. - 2009. - V. 517. - I. 17. - P. 5120-5129.

111 Непомнящих А.И. Центры окраски и люминесценция кристаллов LiF / А. И. Непомнящих, Е. А. Раджабов, A. B. Егранов // Новосибирск, Наука,

1984, 113 с.

112 Mckeever S.W.S. Thermoluminescence of Solids. Cambridge: University Press,

1985. - 376 p.

113 Красновский П. А. Обеспечение единства измерений в радиационных технологиях / П. А. Красновский. - Менделеево: ВНИИФТРИ, 2007. - 255 с.

114 Electron beam parameters of RADAN-220 and RADAN-EXPERT accelerators / V. N.Afanas'ev, V. B. Bichkov, V. D. Larsev, V. P. Pudov, V. I. Solomonov, S. A. Shunailov, V. V. Generalova, A. A. Gromov // Instrum. Exp. Tech. - 2005. -V. 5. - P. 88-92.

115 Hashimoto T. An Automated system for both red/blue thermoluminescence and optically stimulated luminescence measurement / T. Hashimoto , T. Nakagawa, Duk-Geun Hong, M. Takano // Journal of Nuclear Science and Technology. -2002 - V. 39. - N. 1. - P. 108-109.

116 Miller S. D. Technical performance of the luxel Al2O3:C optically stimulated luminescence dosemeter element at radiation oncology and nuclear accident dose levels / S. D. Miller, M. K. Murphy // Radiation Protection Dosimetry. - 2006. -V. 123. - I. 4. - P. 435-442.

117 Высокотемпературная термолюминесценция анионодефицитного корунда и возможности его применения в высокодозной дозиметрии / А. И. Сюрдо, И. И. Мильман, Р. М. Абашев, М. И. Власов // Письма в журнал технической физики. - 2014. - Т. 40. - В. 23. - С. 22-30.

118 Патент №2570107 Российская Федерация, RU 2570107 C1. Способ измерения высоких и сверхвысоких доз, накопленных в термолюминесцентных детекторах ионизирующих излучений на основе оксида алюминия, в том числе при облучении в условиях повышенных температур окружающей среды [Текст] / Соловьев С. В., Власов М. И., Хохлов К. О., Моисейкин Е. В.,

Сарычев М. Н., Мильман И. И., Сюрдо А. И., Абашев Р. М.; заявитель и патентообладатель ФГАОУ ВПО «Уральский федеральный университет имени первого Президента России Б. Н. Ельцина», ФГБУН «Институт промышленной экологии Уральского отделения Российской академии наук»

- № 2014123948/28; приор. 10.06.2014, опубл. 10.12.2015 Бюл. 34.

119 Accumulation features and TL of the TLD-500 detectors in a wide temperature range at pulsed and continuous high-dose irradiation / A. I. Surdo, R. M. Abashev, I. I. Milman, E. V. Moiseykin // Radiation Measurements. - 2016. - V. 90. - I. 5. -P. 192-195.

120 Особенности ТЛ-свойств кристаллов анионодефицитного корунда, экспонированных в импульсных радиационных полях / Р. М. Абашев, А. И. Сюрдо, И. И. Мильман, Е. В. Моисейкин, М. И. Власов // Известия высших учебных заведений. Физика. - 2012. - Т. 55. - № 11/3. - С. 252-255.

121 Патент №146319 Российская Федерация, RU 146319 U1. Устройство для измерения аварийных и случайных доз ионизирующих излучений [Текст] / Соловьев С.В., Власов М.И., Хохлов К.О., Моисейкин Е.В., Сарычев М.Н., Хохлов Г.К., Мильман И. И., Сюрдо А. И., Абашев Р.М.; заявитель и патентообладатель ФГАОУ ВПО «Уральский федеральный университет имени первого Президента России Б. Н. Ельцина» - № 2013153973/28; приор.

04.12.2013, опубл. 10.10.2014 Бюл. 28.

18

122 Cyclotron production of F in TLD-500 and other new usage potentialities of anion-deficient corundum / I. I. Milman, A. I. Surdo, R. M. Abashev, M. N. Sarychev, E. V. Moiseykin // Radiation Measurements. - 2017. - V. 106. -P. 210-213.

123 Патент № 2584184 Российская Федерация, RU 2584184 C1. Конструкция фотоэлектрического модуля космического базирования [Текст] / Абашев Р.М., Мильман И. И., Иванов В. Ю., Сарычев М. Н., Сюрдо А. И.; заявитель и патентообладатель ФГАОУ ВПО «Уральский федеральный университет имени первого Президента России Б. Н. Ельцина», ФГБУН «Институт промышленной экологии Уральского отделения Российской академии наук»

- № 2014146838/28; приор. 20.11.2016, опубл. 20.05.2016 Бюл. 14.

124 Власов М.И. Фототрансферные эффекты в люминесцентных детекторах ТЛД-500 и их связь с выходами термически и оптически стимулированной

люминесценции // М.И. Власов, А.И. Сюрдо, И.И. Мильман, Р.М. Абашев // Известия РАН. Серия физическая. 2014. Т. 78. № 9. С. 1198-1200/

125 Власов М.И. Влияние фототрансферных эффектов на выходы, кинетики и спектры радио-, термо- и оптически стимулированной люминесценции в анионодефицитном корунде // М.И. Власов, А.И. Сюрдо, И.И. Мильман, Е.В. Моисейкин, Р.М. Абашев // Известия высших учебных заведений. Физика. 2014. Т. 57. № 12/3. С. 111-116

126 Особенности ТЛ- свойств детекторов ТЛД-500, экспонированных в импульсных радиационных полях / Р. М. Абашев, А. И. Сюрдо, И. И. Мильман, Е. В .Моисейкин, М. И. Власов // Проблемы спектроскопии и спектрометрии. Вузовско-академический сборник научных трудов. Екатеринбург, УрФУ. - 2014. - В. 33. - С. 16-24.

127 Abashev R. Accumulation features and TL of the TLD-500 detectors in a wide temperature range at pulsed and continues high-dose irradiation / R. Abashev, A. Surdo, I. Milman, M. Vlasov // Abstract book of the 9th International conference on luminescent detectors and transformers of ionizing radiation. 20-25 September 2015, Tartu. - 2015. - P. 86.

128 Features of TL properties of TLD-500 detectors irradiated in pulsed radiation fields / R. M. Abashev, A. I. Surdo, I. I. Milman, E. V. Moiseykin, M. I. Vlasov // Abstract book of the 4th International congress on radiation physics, high current

electronics and modification of materials. - Tomsk. - 2014. - P. 434.

18

129 Milman I. I. Cyclotron production of F in TLD-500: New Usage Potentialities / I. I. Milman, A. I. Surdo, R. M. Abashev // Abstract book of the 18th International conference on solid state dosimetry. 3-8 July 2016. - Munich. - P. 509.

130 Pells G. P. Radiation Damage of a-Al2O3 in the HVEM. 1. Temperature Dependence of the Displacement Threshold / G. P. Pells, D. C. Philips // Journal of Nuclear Materials. - 1979. - V. 80. - P. 207-211.

131 Физические величины: Справочник / Под ред. И. С. Григорьева и Е. З. Мейлихова. - М.: Энергоатомиздат, 1991. - 1232 с.

132 Соковнин С.Ю. Наносекундные ускорители электронов и радиационные технологии на их основе. - Екатеринбург: УрО РАН, 2007. - 260 с.

133 Электронный импульсный стендовый стерилизатор для поверхностной обработки медицинского инструмента и материалов. А. К. Горн,

Г. Г. Качушкина, Е. С. Сахаров, В. Г. Шпак- В кн: Сильноточные импульсные электронные пучки в технологии. - Новосибирск: наука, 1983.

134 Левшин Л. В., Салецкий А. М. Оптические методы исследования молекулярных систем. Ч.1. Молекулярная спектроскопия. - М.: Изд-во МГУ, 1994. - 320 с.

135 Шварц К.К., Экманис Ю. А. Диэлектрические материалы: Радиационные процессы и радиационная стойкость. - Рига: Зинатне, 1989. - 187 с.

136 Kortov V. S. Features of thermoluminescence in anion-defective alumina single crystals after highdose irradiation / V. S. Kortov, S. V. Zvonarev, V. A. Pustovarov, A. I. Slesarev // Radiation Measurements. - 2014. - V. 61. -P. 74-77.

137 Kortov V.S. Luminescence and radiation-induced color centers in anion-defective alumina crystals after high-dose irradiation / V. S. Kortov, V. A. Pustovarov, S. V. Zvonarev, T. V. Shtang // Radiation Measurements, 2016, V. 90, P. 90-93.

138 Kortov V.S. Photoluminescence dose dependences of F and F+-centers in TLD-500 detectors / V.S. Kortov, S.V. Zvonarev, V.A. Pustovarov // Radiation Measurements. - 2017. - V. 106. - P. 52-54.

139 Luminescence in anion-defective a-Al2O3 crystals over the nano-, micro- and millisecond intervals / A. I. Surdo, V. A. Pustovarov, V. S. Kortov, A. S. Kishka, E. I. Zinin // Nuclear Instruments and Methods in Physics Research A. - 2005. -V. 543, I. 5, P. 234-238.

140 Kulis P. A. On the mechanism of the recombination luminescence of a-Al2O3 crystals with nonstoichiometric excess of aluminium / P. A. Kulis, M. J. Springis, I. A. Tale, J. A. Valbis // Physica Status Solidi (B). - 1980. - V. 58. - P.225-229.

141 SR-excited luminescence of corundum with native defects / A.I. Syurdo, V. S. Kortov, V. A. Pustovarov, F. F. Sharafutdinov, E. I. Zinin // Nuclear Instruments and Methods in Physics Research. - 1998. - V. 405. - P. 408-411

142 Studies of concentration dependences in the luminescence of Ti-doped Al2O3 / V. B. Mikhailik, P. C. F. Di Stefano, S. Henry, H. Kraus, A. Lynch, V. Tsybulskyi, M. A. Verdier // Journal of Applied Physics. - 2011. - V. 109. - P. 1-6.

143 Effect of high-dose irradiation on the optically stimulated luminescence of Al2O3:C / E. G. Yukihara, V. H. Whitley, S. W. S. McKeever, A. E. Akselrod, M. S. Akselrod // Radiation Measurements. - 2004. - V. 38. - P. 317-330.

144 Surdo A. I. White Light-Emitting Diodes For Optical Stimulation Of Aluminium Oxide In OSL Dosimetry / A. I. Surdo, I. I. Milman, M. I. Vlasov // Radiation Measurements. - 2013. - V. 59. - P. 188-192.

145 The Wavelength Dependence of Light-Induced Fading of Thermoluminescence from а-АШз:С / F. D. Walker, L. E. Colyott, N. A. Larsen, S. W. S. McKeever // Radiation Measurements. - 1996. - V. 26. - P. 711-718.

146 Оптически индуцированные эффекты в термолюминесценции дозиметрических кристаллов анион-дефектного корунда / В. С. Кортов, И. И. Мильман, Е. В. Моисейкин, С. В. Никифоров // Журнал прикладной спектроскопии. - 2004. - Т. 71. - В. 2. - С. 227-230.

147 Spooner N. A. On the optical dating signal from quart / N. A. Spooner // Radiation Measurements. - 1994. - V. 23. - P. 593-600.

148 Characterization of deep energy level defects in a-Al2O3:C using thermally assisted OSL / A. Soni, D. R. Mishra, B. C. Bhatt, S. K. Gupta, N. S. Rawat, M. S. Kulkarni, D. N. Sharma // Radiation Measurements. - 2012. - V. 47. -P. 111-120.

149 Grimmeiss H. G. Photo-ionization of deep impurity levels in semiconductors with non-parabolic bands / H. G. Grimmeiss, L.-A. Ledebo // Journal of Physics C: Solid State Physics. - 1975. - V. 8. - N. 16. - P 2615-2626.

150 Medical application of optically stimulated luminescence dosimeters (OSLDs) / E. G.Yukihara, P. B. R. Gasparian, G. O. Sawakuchi, C. Rian, S. Ahmad, C. Ralavagunta, W. J. Close, N. Sahoo, U. Titt // Radiation Measurements. - 2010. - V. 45. - P. 658-662.

151 Medical proton dosimetry using radioluminescence from aluminium oxide crystals attached to optical - fiber cables / C. E. Andersen, J. M. Edmund, J. Medin, E. Grusell, M. Jain, S. Mattsson // Nuclear Instruments and Methods in Physics Research A. - 2007. - 580, P. 466-468.

152 Optically stimulated luminescence from Al2O3:C irradiated with 10-60 MeV protons / G. M. Edmund, J. Medlin, J. M. Edmund, C. E. Andersen, S. Greilich, G. O. Sawakuchi, E. G. Yukihara, M. Jain, W. Hajdas, S. Mattson // Nuclear Instruments and Methods in Physics Research A. - 2007. - 580, P. 210-213.

153 Damkjaer S. M. S. Improved real-time dosimetry using the radioluminescence signal from Al2O3:C / S. M. S. Damkjaer, C. E. Andersen, M. C. Aznar // Radiation Measurements. - 2008. - V. 43. - P. 893-897.

154 Ionization density dependence of the curve shape and ratio of blue to UV emissions of Al2O3:C optically stimulated luminescence detectors exposed to 6-MV photon and therapeutic proton beams / D. B Flint, D. A. Granville, N. Sahoo, M. McEven, G. O. Sawakuchi // Radiation Measurements. - 2016. - V. 89. - P. 35-43.

155 Ionoluminescence and formation of color centers in a-Al2O3 single crystals under proton irradiation / A. V. Kruzhalov, I. I. Milman, O. V. Ryabukhin, I. G. Revkov,

E. N. Litovchenko // Radiation Measurements. - 2010. - V. 45. - P. 362-364.

18 18

156 Excitation function of the O(p, n) F nuclear reaction from up to 30 MeV / E. Hess, S. Takacs, B. Scolten, F. Tarkanyi, H. H. Coenen, S. M. Qaim // Radiochimica Acta. - 2001. - V. 89. - I. 6. - P. 357-362.

157 Production of 14,15O, 18F, and 19Ne radioactive nuclei from (p, n) reactions up to 30 MeV / SW Kitwanga; P. Leleux, P. Lipnik, J. Vanhorenbeeck // Physical Review C (Nuclear Physics). - 1990. - V. 42. - I. 2. - P. 748-752.

158 Barksdale J. The encyclopedia of the chemical elements / J. Barksdale // Skokie, Illinois: Reinhold Book Corporation. — 1968. — Pp. 732-738.

159 The Stopping and Range of Ions in Matter/ J.F. Ziegler. - Режим доступа: http://www.srim.org, свободный. - Загл. с экрана.

160 Hovel H. J. The effect of fluorescent wavelength shifting on solar cell spectral response / H. J. Hovel, R. T. Hodgson, J. M. Woodall // Solar Energy Materials. -1979. V. 2. - I. 1. - P. 19-29.

161 Systematic development of new thermoluminescence and optically stimulated luminescence materials / E. G. Yukihara, E. D. Milliken, L. C. Oliveira, V. R. Orante-Barron, L. G. Jacoson, M. W. Blair // Journal of Luminescence. -2013. - V. 133. - P. 203-210.

162 Радиолюминесценция лейкосапфира и рубина при электронном возбуждении / Т. С. Бессонова, М. П. Станиславский, В. И. Туманов, В. Я. Хаимов-Мальков // Оптика и спектроскопия. - 1974. - Т. 37. - Вып. 2. - С. 279-284.

163 Abashev R. M. High-temperature thermoluminescence of anion-deficient corundum and its connection with Ti impurity / R. M. Abashev, A. I. Surdo, I. I. Milman // Radiation Measurements. - 2017. - V. 106. - P. 161-165.

164 Surdo A. I. Thermally stimulated transformations of luminescence centers in TLD-500 detectors and their correlation with TL properties / A. I. Surdo,

R. M. Abashev, I.I. Milman // Radiation Measurements. - 2017. - V. 106. -P. 40-45.

165 On the real structure of profiled anion-deficient corundum / V. I. Maksimov, V. I. Sokolov, A. I. Surdo, R. M. Abashev, E. N. Yushkova // Journal of Physics: Conf. Series. - 2017. -V. 169. - P. 1-6.

166 Surdo A. I. Thermally stimulated transformations of luminescence centers in TLD-500 detectors and their correlation with TL properties / A. I. Surdo, R. M. Abashev, I. I. Milman // Abstract book of the 18th International conference on solid state dosimetry. 3-8 July 2016. - Munich. - P. 11-12.

167 Abashev R. M. High-temperature thermoluminescence of TLD-500 detectors and its connection with intrinsic and impurity defects / R. M. Abashev, A. I. Surdo, I. I. Milman // Abstract book of the 18th International conference on solid state dosimetry. 3-8 July 2016. - Munich. - P. 433-434.

168 Surdo A. I. Thermoluminescence of anion-deficient corundum and its connection with Ti impurity / A. I. Surdo, R. M. Abashev, I. I. Milman // Abstract book of the 18th International conference on defects in insulating materials. 10-15 July 2016. -Lyon. - P. 49.

169 Abashev R. M. Thermally stimulated transformations of luminescence centers in anion-defective corundum and their correlation with high-temperature TL / R. M. Abashev, A. I. Surdo, I. I. Milman // Abstract book of the 5th International congress on radiation physics, high current electronics and modification of materials. - Tomsk. - 2016. - P. 365.

170 Surdo A. I. High-temperature thermoluminescence of anion-deficient corundum and its connection with Ti impurity / A. I. Surdo, R. M. Abashev, I. I. Milman // Abstract book of the 5th International congress on radiation physics, high current electronics and modification of materials. - Tomsk. - 2016. - P. 366.

171 Сюрдо А. И. Колебательная структура спектров поглощения и люминесценции корунда, облученного быстрыми электронами и нейтронами / А. И. Сюрдо, В. С. Кортов, И. И. Мильман // Оптика и спектроскопия. -1987. - Т. 62. - № 4. -С. 801-804.

172 Surdo A. I. Luminescence of F and F+ centers in corundum upon excitation in the interval from 4 to 40 eV / A. I. Surdo, V. S. Kortov, V. A. Pustovarov // Radiation Measurements. - 2001. - V. 33. - P. 587-591.

173 Whitley V. H. Photoionization of deep centers in Al2O3 / V. H. Whitley, S. W. S. McKeever // Journal of Applied Physics. - 2000. - V. 87, No. 1. -P. 249-256.

174 Reddy K. P. R. Oxygen Diffusion in Sapphire / K. P. R. Reddy, A. R. Cooper // Journal of the American Ceramic Society. - 1982. - V. 65. - P. 634-638.

175 On the growth of Al2O3 scales / A. H. Heuer, T. Nakagawa, M. Z. Azar, D. B. Hovis, J. L. Smialek, B. Gleeson, N. D. M. Hine, H. Guhl, H.-S. Lee, P. Tangney, W. M. C. Foulkes, M. W. Finnis // Acta Materialia. - 2013. - V. 61. - I. 18. -P. 6670-6683.

176 Optical and electron spin resonance spectroscopy of Ti3+ and Ti4+ in Al2O3 / M. Yamaga, T. Yosida, S. Hara, N. Kodama, B. Henderson // Journal of Applied Physics. - 1994. - V. 75. - P. 1111-1117.

177 Low-temperature spectroscopic and scintillation characterisation of Ti-doped Al2O3 / V. B. Mikhailik, H. Kraus, M. Balcerzyk, W. Czarnacki, M. Moszynski, M. S. Mykhaylyk, D. Wahl // Nuclear Instruments and Methods in Physics Research A. - 2005. - V. 546. - P. 523-534.

178 Simulations of time-resolved photoluminescence experiments in a-Al2O3:C / V. Pagonis, R. Chen, J. W. Maddrey, B. Sapp // Journal of Luminescence. - 2011. - V. 131. - P. 1086-1094.

179 Механизм люминесценции F-центров в анион-дефектных монокристаллах оксида алюминия / В. С. Кортов, И. И. Мильман, С. В. Никифоров,

B. Е. Пеленев // Физика твердого тела. - 2003. - Т. 45. - Вып. 7. -

C. 1202-1208.

180 Левшин Л. В., Салецкий А.М. Люминесценция и её измерения. М.: Изд-во МГУ, 1989. 272 с.

181 Markey B. G. Time-resolved optically stimulated luminescence from a-Al2O3:C / B. G. Markey, L. E. Colyott, S. W. S. McKeever // Radiation Measurements. -1995. - V. 24. - P. 457-463.