Воздействие импульсных магнитных полей на подсистему дефектов и свойства немагнитных кристаллов тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 01.04.07, кандидат физико-математических наук Дронов, Максим Александрович

• Дронов, Максим Александрович
• кандидат физико-математических наук
• 2007

Оглавление диссертации кандидат физико-математических наук Дронов, Максим Александрович

ВВЕДЕНИЕ

СОДЕРЖАНИЕ

ГЛАВА I

ВОЗДЕЙСТВИЕ СЛАБЫХ МАГНИТНЫХ ПОЛЕЙ НА СПИН

ЗАВИСИМЫЕ РАДИКАЛЬНЫЕ И ДЕФЕКТНЫЕ РЕАКЦИИ аналитический обзор)

1.1. Экспериментальные данные по воздействию импульсных магнитных полей на дефектную структуру и свойства немагнитных Кристаллов.

1.2. Механизмы влияния слабых магнитных полей на химические реакции радикальных пар в рамках концепции спиновой химии.

1.3.Механизм влияния слабых магнитных полей на дефектные реакции в немагнитных кристаллах в рамках концепции решеточного магнетизма, индуцированного дефектами (DILM).

ГЛАВА II

ВОЗДЕЙСТВИЕ ИМПУЛЬСНЫХ МАГНИТНЫХ ПОЛЕЙ НА

ДЕФЕКТНУЮ ПОДСИСТЕМУ И СВОЙСТВА ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ

СОЕДИНЕНИЙ AmBv

2.1 Эффект изменения температуры плавления арсенида индия в результате воздействия импульсного магнитного поля.

2.2 Воздействие импульсных магнитных полей на поверхностные свойства кристаллов арсенида галлия и фосфида индия.

2.3 Влияние предварительной обработки импульсным магнитным полем кристаллов фосфида индия на кинетику их окисления.

ВЫВОДЫ К ГЛАВЕ II.

ГЛАВА III

ВЛИЯНИЕ МАГНИТНЫХ ПОЛЕЙ НА ФОТОЛЮМИНЕСЦЕНТЦИЮ КРИСТАЛЛОВ ГАЛОГЕНИДОВ СЕРЕБРА И ФОТОГРАФИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА СВЕТОЧУВСТВИТЕЛЬНЫХ СЛОЕВ НА ИХ ОСНОВЕ 3.1 Влияние импульсных магнитных полей на люминесцентные свойства монокристаллов хлорида серебра.

3.2 Влияние импульсного магнитного поля на люминесценцию микрокристаллов хлорида серебра, легированных йодом.

3.3 Влияние магнитного поля на люминесцентные и фотографические свойства светочувствительных слоев на основе галогенидов серебра.

ВЫВОДЫ К ГЛАВЕ III.

ГЛАВА IV

ВОЗДЕЙСТВИЕ ИМПУЛЬСНЫХ МАГНИТНЫХ ПОЛЕЙ НА КУПРАТНЫЕ

ВЫСОКОТЕМПЕРАТУРНЫЕ СВЕРХПРОВОДНИКИ

4.1 Воздействия импульсного магнитного поля на структуру и свойства

ВТСП керамики YBaCuO.

4.2 Возможный механизм изменения типа проводимости ВТСП керамики YBaCuO в результате воздействия импульсного магнитного поля.

4.3 Селективное воздействие слабого постоянного магнитного поля на фазовые переходы в сегнетоэлектрических кристаллах с водородными связями.

ВЫВОДЫ К ГЛАВЕ IV.

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Воздействие импульсных магнитных полей на подсистему дефектов и свойства немагнитных кристаллов»

Актуальность темы.

Исследование воздействия слабых магнитных полей на дефектную подсистему (микроструктуру) диамагнитных кристаллов является актуальным как с прикладной, так и фундаментальной точки зрения. С одной стороны привлекает перспектива технологического использования таких воздействий для управления микроструктурой реальных кристаллов с целью придания им требуемых свойств. С другой стороны остается невыясненной природа самого явления структурных изменений в немагнитных кристаллах в результате воздействия магнитного поля, энергия которого ничтожно мала на тепловом фоне.

В первых статьях о влиянии слабого (B^l Т) импульсного магнитного поля (ИМП) на реальную структуру твердых тел сообщалось о распаде дефектных комплексов в щелочно-галоидных кристаллах NaCl в результате воздействия ИМП, о долговременных («запаздывающих») структурных изменениях, индуцированных импульсом магнитного поля в полупроводниковых соединениях АП,ВУ. К сожалению, в дальнейшем эти исследования долговременных трансформаций дефектных комплексов в кристаллах, вызванных кратковременным воздействием ИМП, не получили должного развития.

Основной объем экспериментальных исследований был посвящен изучению «магнитопластического» эффекта, состоящего в повышении подвижности дислокаций в слабых магнитных полях и впервые описанного в работе. Возможный механизм магнитопластического эффекта был предложен в и базировался на развитых в спиновой химии представлениях о механизмах магнитной чувствительности реакций радикальных пар в жидких средах. Повышение подвижности дислокаций в магнитном поле объяснялось облегченным откреплением дислокации от парамагнитного точечного дефекта - стопора. Предполагалось, что роль магнитного поля, как и в спиновой химии, состоит в изменении спинового состояния радикальной пары, образуемой ненасыщенной валентной связью в ядре дислокации и парамагнитным стопором, вследствие чего меняется вероятность химической реакции радикальной пары.

Несмотря на привлекательность разработанной в спиновой химии концепции магнитных спиновых эффектов в химических реакциях, правомерность её использования для объяснения . воздействия магнитных полей на реальную структуру немагнитных кристаллов, наблюдаемых как изменение дефектной структуры и подвижности дефектов, остается под вопросом. В частности, предположение о том, что распад парамагнитных дефектных комплексов, являющихся стопорами дислокаций, происходит в магнитном поле за счет изменения спинового состояния короткоживущих радикальных пар, возникающих при термофлуктуационном удлинении и последующем разрыве напряженных химических связей, встречает принципиальные возражения. Время изменения заселенности спиновых уровней в магнитном поле (10"9-10"8sec) существенно превышает время жизни

1 "X флуктуационно-растянутой связи (-10 sec), а прямая экспериментальная проверка не подтверждает влияния магнитного поля на разрыв механически напряженных ковалентных связей.

При исследовании влияния ИМП на низко-дислокационные нелегированные полупроводниковые кристаллы АШВУ было установлено, что наличие парамагнитных примесей не является необходимым условием чувствительности диамагнитных кристаллов к внешним магнитным полям. К началу выполнения данного исследования в литературе был накоплен достаточно большой объем экспериментальных данных, убедительно свидетельствующих об уникальной способности ИМП существенным образом воздействовать на реальную структуру и свойства диамагнитных материалов различной природы. В то же время вопрос о том, имеет ли воздействие относительно слабых магнитных полей на дефектную структуру весьма разнообразных по химическому составу, типу химических связей и физическим свойствам немагнитных кристаллических твердых тел достаточно универсальный характер оставался открытым.

Полученные в данной работе результаты, в совокупности с результатами других исследований, позволили дать положительный ответ на этот вопрос и, наряду с результатами других исследований, стали основой для построения феноменологической схемы, позволившей с единых позиций описать магнито-индуцированную перестройку дефектной структуры кристаллов.

Выбор объектов исследования был обусловлен тем, что полупроводниковые кристаллы AnIBv, галогениды серебра и ВТСП купраты YBaCuO являясь немагнитными кристаллами с различным типом химической связи, кристаллической решетки и проводимости, характеризуются высокой чувствительностью свойств к состоянию дефектной подсистемы, изменения которой могут надежно контролироваться хорошо развитыми прецизионными электрофизическими и фотолюминесцентными методами.

Цель работы состояла в установлении общих закономерностей воздействия импульсных магнитных полей на дефектную структуру и свойства немагнитных кристаллов различной природы.

В соответствии с поставленной целью были сформулированы следующие задачи исследования.

1. Проведение экспериментальных исследований воздействия ИМП на дефектную структуру и свойства полупроводниковых соединений AnIBv.

2. Проведение экспериментальных исследований влияния магнитных полей на люминесцентные свойства кристаллов галогенидов серебра и фотографические свойства светочувствительных слоев на их основе.

3. Проведение экспериментальных исследований воздействия ИМП на температурную зависимость проводимости купратных ВТСП YBaCuO.

Научная новизна

1. Впервые обнаружены эффекты изменения температуры плавления кристаллов InAs и физико-химических свойств поверхности кристаллов InP и GaAs в результате воздействия ИМП.

2. Впервые обнаружены эффекты изменения интенсивности фотолюминесценции кристаллов галогенидов серебра и фотографических свойств светочувствительных слоев на основе микрокристаллов AgHal результате воздействия ИМП.

3. Впервые обнаружен эффект изменения знака коэффициента температурной зависимости сопротивления ВТСП керамики YBaCuO вблизи перехода в сверхпроводящее состояние в результате воздействия ИМП.

Практическая значимость

1. Воздействия ИМП могут быть использованы для снижения исходной дефектности немагнитных кристаллов.

2. Воздействия ИМП могут быть использованы для активации физико-химических процессов формирования покрытий на поверхности немагнитных кристаллов.

3. Воздействия ИМП могут быть использованы для очувствления фотоматериалов.

4. Обнаруженная чувствительность фотопроцессов к магнитному воздействию может быть использована для визуализации магнитных полей.

Положения, выносимые на защиту:

1. Воздействие ИМП на кристаллы полупроводниковых соединений АШВУ приводит к долговременным немонотонным изменениям физико-химических свойств кристаллов, обусловленным перестройкой дефектной подсистемы кристалла с распадом исходных дефектных комплексов, образованием подвижных вакансий летучего компонента и возникновением диффузионных потоков продуктов распада.

2. Воздействие ИМП на кристаллы галогенидов серебра вызывает долговременные изменения интенсивности фотолюминесценции кристаллов, что обусловлено распадом исходных дефектных комплексов с образованием подвижных вакансий летучего компонента и диффузионных потоков точечных дефектов, приводящих к формированию новой микроструктуры с повышенным содержанием вакансий серебра в объеме и серебросодержащих комплексов на поверхности кристалла.

3. Воздействие ИМП на ВТСП YBa2Cu307.x изменяет знак температурного коэффициента сопротивления в области сверхпроводящего перехода, что обусловлено переходом ВТСП из нормального металлического состояния в псевдощелевой режим вследствие повышения содержания х кислородных вакансий в цепочках Cu-0 решетки УВа2Сиз07.х.

Апробация работы. Ниже перечислены конференции, семинары и совещания, на которых представлялись результаты работы.

IV Международный семинар по сегнетопластичности (Воронеж, 2003); V Международ. Науч.-техн. конф. «Действие электромагнитных полей на пластичность и прочность материалов» (Воронеж, 2003); Международная научно-техническая школа-конф. «Молодые ученые - науке, технологиям и профессиональному образованию» (Москва, 2003); IX Международ, науч.-техн. конф. «Радиолокация, навигация, связь» (Воронеж, 2003); Topical Meeting of the European Ceramic Society "Nanoparticles, Nanostructures,

Nanocomposites" (S.-Peterburg, 2004); XI Международ, науч.-техн. конф. «Радиолокация, навигация, связь» (Воронеж, 2005); III Всерос. конф. «Физико-химические процессы в конденсированном состоянии и на межфазных границах. Фагран-2006» (Воронеж, 2006) ); LVII International Conference of Nuclear Physics (S.-Petersburg, 2007).

Публикации. По результатам исследований, представленных в диссертации, опубликовано 18 печатных работ, в том числе 7 статей, 3 доклада и 8 тезисов докладов на научных и научно-технических конференциях, совещаниях и семинарах. В совместных работах личный вклад автора состоит в проведении экспериментальных исследований и участии в интерпретации результатов.

Структура и объем диссертации. Диссертация состоит из введения, четырех глав, включая аналитический обзор литературных данных (глава I), выводов и списка литературы. Объем диссертации составляет 152 страницы машинописного текста, включая 59 рисунков. Список литературы содержит 132 наименования.

Заключение диссертации по теме «Физика конденсированного состояния», Дронов, Максим Александрович

ОСНОВНЫЕ РЕЗУЛЬТАТЫ И ВЫВОДЫ

1. Воздействие ИМП на кристаллы полупроводниковых соединений АШВУ приводит к долговременным немонотонным изменениям физико-химичес-ких свойств кристаллов. Впервые наблюдались эффекты изменения температуры плавления InAs, спектра поверхностных состояний GaAs, топологии и сорбционных свойств поверхности GaAs и InP. Эффект обусловлен перестройкой дефектной подсистемы кристалла с распадом исходных дефектных комплексов, образованием подвижных вакансий летучего компонента и возникновением диффузионных потоков продуктов распада.

2. Воздействие ИМП на кристаллы галогенидов серебра вызывает долговременные изменения интенсивности фотолюминесценции, что обусловлено распадом исходных дефектных комплексов с образованием подвижных вакансий летучего компонента и диффузионных потоков точечных дефектов, приводящих к формированию новой микроструктуры с повышенным содержанием вакансий серебра в объеме и серебросодержащих комплексов на поверхности кристалла.

3. Воздействие ИМП приводит к изменениям интенсивности фотолюминесценции и фотографических характеристик светочувствительных слоев на основе легированных микрокристаллов галогенидов серебра, связанным с изменением содержания дефектных комплексов, являющихся светочувствительными центрами и центрами вуали.

4. Впервые наблюдался эффект повышения скорости проявления светочувствительных слоев на основе галогенидов серебра магнитным полем. Эффект обусловлен влиянием магнитного поля на скорости радикальных химических реакций, происходящих при проявлении и объясняется в рамках спиновой химии. Обнаруженный эффект открывает возможность визуализации магнитных полей фотографическим способом.

5. Воздействие ИМП на ВТСП YBa2Cu307.x приводит к изменению знака температурного коэффициента сопротивления в области перехода в сверхпроводящее состояние, что обусловлено переходом ВТСП из нормального металлического состояния в псевдощелевой режим из-за повышения содержания кислородных вакансий л: в цепочках Cu-0 решетки УВагСизС^.

6. Кратковременное воздействие ИМП на сегнетоэлектрический кристалл ТГС приводит к долговременному повышению низкочастотной диэлектрической проницаемости кристалла в парамагнитной фазе, что обусловлено повышением подвижности доменных стенок в результате распада дефектных комплексов, являвшихся стопорами доменных стенок и обеспечивавших их «пиннинг» в исходном кристалле.

7. Общие закономерности воздействия ИМП на немагнитные кристаллы различной природы состоят в том, что эти воздействия вызывают долговременные немонотонные изменения свойств кристаллов за счет распада исходных дефектных комплексов с диффузией образующихся продуктов распада, их взаимодействием и формированием новой дефектной подсистемы кристалла.

Список литературы диссертационного исследования кандидат физико-математических наук Дронов, Максим Александрович, 2007 год

1. Вонсовский С.В. Магнетизм. /С.В. Вонсовский - М. : Наука. - 1971. -1032 с.

2. Effects of Magnetic Fields on the Mutual Annihilation of Triplet Excitons in Molecular Crystals / Johnson R.C. et al. // Phys. Rev. Lett. 1967. - VOL. 19,№6,-P. 285.

3. Merrifield R.E. Theory of Magnetic Field Effects on the Mutual Annihilation of Triplet Excitons / R.E. Merrifield // J. Chem. Phys. 1968. -VOL. 48,№12,-P. 4318.

4. Hayashi H. Magnetic field effects on dynammic behavior of excited molecules / H. Hayashi, Y. Sakaguchi, H. Abe // Physica. 1990. - VOL. 164,-P. 217-221.

5. Франкевич Е.Л. Новый эффект увеличения фотопроводимости полупроводников в слабом магнитном поле / Е.Л. Франкевич, Е.И. Балабанов // Письма в ЖЭТФ. 1965. с T.I, В.6, - С.33-37.

6. Власов В.П. Оже-электронная спектроскопия полупроводниковых кристаллов после воздействия импульсного магнитного поля / В.П. Власов, В.М. Каневский, А.А. Пурцхвадзе // Физика твердого тела. -1991. Т. 33, №7. - С. 2194-2300.

7. Reaction yield detected magnetic resonance spectra of intermediate pairs of triplet excitions evolution of spectra during degeneracy of energy levels / Lesin V.I. et al // Phys. Stat. Sol. 1977. - VOL. 84(b), №2, - P.513-520.

8. Frankevich E.L. Photoconductivity of sublimated rubrene films during oxidation. The magnetic field effect / E.L. Frankevich, M.M. Tribel, I.A. Sokolik // Phys. Stat. Sol. 1976. - VOL.77, №1, - P.265.

9. Frankevich E.L. Magnetic resonance of short-lived triplet exciton pairs detected by fluorescence modulation at room temperature / E.L. Frankevich, A.I. Pristupa, V.I. Lesin // Chem. Phys. Lett. 1977. - VOL 47, №2,1. Р.304.

10. Ю.Постников С.Н. Влияние импульсных магнитных полей на усталость быстрорежущей стали / С.Н. Постников, А.Д. Кунгин, А.А. Черников // Электронная обработка материалов. 1981. - №6. - С. 8-11.

11. П.Франкевич E.JI. Двухкратные резонансные СВЧ переходы в промежуточных комплексах реакции аннигиляции триплетных экситонов / E.JI. Франкевич, А.И. Приступа, В.И. Лесин // Письма в ЖЭТФ. 1977 - Т.26,. В.77. - С.725-729.

12. Пека Г.П. Физические явления на поверхности полупроводников / Г.П. Пека //Киев : Вища школа. 1984. - 214 с.

13. Влияние слабого магнитного поля на электропроводность пленок полиацетилена / Е.Л. Франкевич и др. // Письма в ЖЭТФ. 1982. -Т.36, В.77,-С.401-404.

14. Suzuki К. X-ray Studies on Precipitation of Metastable Centers in Mixed Crystals NaCl-CdC12 / K. Suzuki // J. Phys. Soc. Japan, 1961. - VOL. 16. -P. 67.

15. П.Френкель Я.И. Кинетическая теория жидкостей. / Я.И. Френкель М. : Изд-во АН СССР, 1945. - 724 с.

16. Лифшиц И.М. Влияние длины свободного пробега электронов на. образование трека траектории заряженной частицы в. металле / И.М. Лифшиц, Я.Е. Гегузин // ФТТ. 1965 - Т. 7, - С. 62-68.

17. Кривоглаз М. А. Эффекты, связанные с обогащением дефектами слоем вблизи границы или в тонкой пленке неметаллического кристалла / М.

18. A. Кривоглаз // ФТТ. 1968. - Т. 10. - С. 3348-3352.

19. Molotski М. Dislocation paths in a magnetic field M. Molotski, V. Fleurov //J. Phys. Chem. 2000. - V. В104. - №16. -P. 3812-3816.

20. Molotski M.I. Theoretical basis for electro- and magnetoplasticity / M.I. Molotski // Mat. Sci and Engin. 2000. - V. A287. - P. 248-258.

21. Головин Ю.И. О роли обменных сил в формировании пластических свойств диамагнитных кристаллов / Ю.И. Головин, Моргунов Р.Б. // Доклады РАН. 1997. - Т. 354. - №5. - С. 632-634.

22. Ржанов А.В. Электронные процессы на поверхности полупроводников / А.В. Ржанов // М.: Изд-во АН СССР,. 1971. - 480 с.240 природе глубоких акцепторов в антимониде индия / Заитов Ф.А. и др. // ФТП. 1981. -Т.15, В.6. - С. 1230-1232.

23. Давыдов В.Н. Запаздывающие структурные изменения в полупроводниках, стимулированные магнитным полем / В.Н. Давыдов, Е.А. Лоскутова, Е.П. Найден // ФТП. - 1989. - Т.23, В.9. - 1596-1600.

24. Левин М.Н. Импульсная магнитная обработка кремниевых подложек для осаждения тонких пленок методом пульверизации / М.Н. Левин,

25. B.Н. Семенов, А.В. Наумов // Письма в ЖТФ. 2001. - Т.27, В.7. - с.35-39

26. Pawlowski L. The Science and Engineering of Thermal Spray Coatings. / L. Pawlowski // Chichester UK : Wiley. 1995. - 500 P.

27. Herman H. Thermal Spray: Current Status and Future Trends / H. Herman, S. Sampath, R. McCune // MRS Bulletin. 2000. - V. 25. N 7. - P. 17-25.

28. Спектрально-люминесцентные свойства пленок, полученных распылением растворов тиомочевидных комплексов кадмия на нагретую подложку / Семенов В.Н. и др. // Журн. прикладной спектроскопии. 1993. - Т. 59. № 1-2. - С. 114-119.

29. Семенов В.Н. Подготовка и свойства пленок Bi2S3 / В.Н. Семенов, О.В. Остапенко, А.Н. Лукин // Неорганические материалы. 2000. - Т. 36. №2.-С. 160-163.

30. Киселев А.В. Инфракрасные спектры поверхностных соединений и адсорбированных веществ / А.В. Киселев, В.И. Лыгин М. : Наука. -1972.-459 с.

31. Левин М.Н. Воздействие импульсных магнитных полей на тонкие слои Cdo.5Zno.5S / М.Н. Левин, В.Н. Семенов, Ю.В. Метелева // Письма в ЖТФ,-2001.-Т. 27, № 10. -С.37-42.

32. Физические свойств тонких пленок CdS-In2S / В.Н. Семенов и др. // Неорганические материалы. 2000. - Т. 36, В. 2. - С. 111-114.

33. Влияние магнитного поля на интенсивность электролюминесценции монокристаллов ZnS / Ю.И. Головин и др. // ФТТ. 1999. - Т. 41, № 11. - С. 1944-1947.

34. Влияние магнитного поля на пластичность, фото- и электролюминесценцию монокристаллов ZnS / Ю.И. Головин и др. // Письма в ЖЭТФ. 1999. - Т.69, № 2. - С. 114-118.

35. Воздействие импульсных магнитных полей на реальную структуру кристаллов арсенида индия / М.Н. Левин и др. // Письма в ЖТФ. -2002.-Т. 28, № 19.-С.50-55

36. Термодинамика и кинетика взаимодействующих дефектов в полупроводниках / С.В. Булярский и др. М.: Наука. - 1997. - 352 с.

37. Чеботкевич Л.А. Движение дислокаций под действием магнитного поля / Л.А. Чеботкевич, А.А. Урусовская, В.В. Ветер // Кристаллография. 1965. - Т. 10, - В.2, - С.688-692.

38. Взаимодействие блоховских стенок с дислокациями в слабых полях / Чеботкевич Л.А. и др. // ФТТ 1967. - Т.9, - С. 1093-1097.

39. Hayashi S. Plastic Deformation of Nickel Single Crystals in an Alternating Magnetic Field / S. Hayashi, S. Takahashi, M. Yamamoto // J. Phys. Soc.

40. Japan. 1968. - VOL.25. - P.910.

41. Hayashi S. Magneto-plastic effect in nickel single crystals / S. Hayashi, S. Takahashi, M. Yamamoto // J. Phys. Soc. Japan. 1971. - V. 30, № 2, - P. 381.

42. Hayashi S. Magneto-plastic effect in nickel and nickel-cobalt alloy single crystals / S. Hayashi, S. Takahashi, M. Yamamoto // J. Phys. Soc. Japan -. 1972. V. 32, № 2, - P.349-352.

43. Hayashi S. Effect of an alternating magnetic field on the flow stress of Ni and Ni-Co alloy single crystals / S. Hayashi, S. Takahashi, M. Yamamoto // Phys. Letters. 1972. - V. A 42. с P. 171-172.

44. Кравченко В.Я. О влиянии магнитного поля на электронное торможение дислокаций / В.Я. Кравченко // Письма в ЖЭТФ. 1970. -В.12, № 77. - С.551-555.

45. Galligan J.M. Electron-Dislocation Interaction in Copper / J.M. Galligan, T.N. Lin, C.S. Pang // Phys Rev. Letters. 1997. - VOL.38, №8, - P.405.

46. Galligan J.M. The electron drag on mobile dislocations in cooper and aluminum at low temperatures. Strain rate, temperature and field dependence / J.M. Galligan, C.S. Pang // Appl. J. Phys. 1979. - V.50, № 10,-P.6253-6256.

47. Абраимов B.B. Влияние магнитного поля на низкотемпературную пластическую деформацию некоторых нормальных ГЦК металлов / В.В. Абраимов // ФНТ. 1980. - Т.6, В. 10, - С.1334.

48. Головин Ю.И. Оптическое возбуждение магниточувствительных центров в ионных кристаллах / Ю.И. Головин, Р.Б. Моргунов, С.З. Шмурак // Доклады РАН. 1998. - Т. 360. - №6. - С. 753-755.

49. Лебедев В.П. Электронное торможение дислокаций в алюминии в магнином поле / В.П. Лебедев, B.C. Крыловский // ФТТ. 1985. - Т.7, В.5,-С.1285-1290.

50. Galligan J.M. Dislocation drag mechanisms in normal state metals / J.M.

51. Galligan // Scripta Metall. 1984. - V.18, № 7, - P.653-656. 51., Магнитный резонанс в короткоживущих комплексах структурных дефектов в монокристаллах NaCl. / Головин Ю.И. и др. // Доклады РАН. - 1998. - Т. 361. - №3. - С. 352-354.

52. Electron dislocation drag at low temperatures / Galligan J.M. et al // J. Appl Phys. 1986. - VOL.59, - P.3747-3755.

53. Kim C.S. Viscosity limited dislocation motion / C.S. Kim, J.M. Galligan // Scripta Metall. 1992. - vol.26, - p. 1769.

54. Kim C.S. Dislocation velocities at low temperatures / C.S. Kim, J.M. Galligan // Acta Mater. 1996. - VOL.44, - P.775-779.

55. Климов Ю.И. Долговременная релаксация параметров полупроводниковых структур после воздействия магнитного поля / Ю.И. Климов, В.М. Масловский, К.В. Холоднов // Электрон, техника. -1990. Сер. 3. - Вып. 5(144). - С. 22-26.

56. Гришин A.M. Электронное торможение дислокаций в магнитном поле / A.M. Гришин, Е.А. Канер, Е.Л. Фельдман // ЖЭТФ. 1976. - Т.70, В.4, -С.1445-1450.

57. Molotski М. Influence of static and alternative magnetic fields on plasticity of crystals / M. Molotski, V. Fleurov // Phil. Mag. Lett. 1996. - V. 73, №1. -P. 11-15.

58. Molotski M. Spin effectsin plasticity / M. Molotski, V. Fleurov // Phys. Rev. Lett. 1997. - V. 78. - №14. - P. 2779-2782.

59. Molotski M. Manifestations of hyperfine interaction in plasticity / M. Molotski, V. Fleurov // Phys. Rev. 1997. - V. B56. - №17. - P. 1080910811.

60. Molotski M. Dislocation paths in a magnetic field / M. Molotski, V. Fleurov // J. Phys. Chem. 2000. - V. В104. - №16. - P. 3812-3816.

61. Pavlov V.A. The Influence of Permanent Magnetic and Alternative Electric

62. Fields on the Dislocation Dynamics in Ionic Crystals / V.A. Pavlov, L.A. Pereturina, N.L. Pecherkina // Phys. Stat. Sol с 1980. VOL.57, №2, -P.449-452.

63. Влияние пластической деформации на парамагнитную восприимчивость монокристаллов молибдена / А.И. Дерягин и др. // ФММ. 1971. - Т.32, В.6, - С.1231-1234.

64. Власов К.Б. Дислокационный магнетизм в переходных парамагнитных металлах / К.Б. Власов, А.И. Дерягин, В.А. Павлов // ФММ. 1977. -Т.44, В.6, - С.1206-1214.

65. Дерягин А.И. Магнитная восприимчивость пластически деформированных вольфрама и молибдена / А.И. Дерягин, Р.Ш. Насыров // ФММ. 1980. - Т. 49, В 6, - С.1199-1203.

66. Sharp E.J. Magnetic Polarizations of Electrons at Dislocations in Alkali Halides / E.J. Sharp, D.A. Avery // Phys. Rev. 1967. - VOL.158, №2, -P.511-514.

67. Косевич A.M., Шкловский B.H.// ЖЭТФ. 1968. т.55, в.3(9) ,c.l 131-1139.

68. Покровский B.JI. Спиновые волны на дислокациях / B.JI. Покровский // Письма в ЖЭТФ. 1970. - Т. 11, № 4, - С.233-235.

69. Бучаченко A.JI. Второе поколение магнитных эффектов в химических реакциях / A.JI. Бучаченко // Успехи химии. 1993. - Т. 62, № 12. - С. 1139-1149.

70. Бучаченко A.JI. Лекции по спиновой химии / А.Л. Бучаченко // М : изд.1. МГУ.-2000-345 с.

71. Зельдович Б.Я. Магнитно-спиновые эффекты в химии и молекулярной физике / Б.Я. Зельдович, A.JI. Бучаченко, E.JI. Франкевич // УФН, -1988.-Т. 155,-С. 3-45.

72. Бучаченко A.JI. Фотохимия уранила: спиновая селективность и магнитные эффекты / A.JI. Бучаченко, И.В. Худяков // Успехи химии. -1991. Т. 60, № 6, - С. 1105-1127.

73. Бучаченко A.JI. Химически индуцированное радиоизлучение и химическая радиофизика / A.JI. Бучаченко, B.JI. Берлинский // Успехи химии. 1983. - Т. 52, № 1 - С. 3-19.

74. Бучаченко A.JI. Магнитные и спиновые эффекты в химических реакциях. / A.JI. Бучаченко, Р.З. Сагдеев, К.М. Салихов Новосибирск : Наука. - 1978. -296 с.

75. Бучаченко A.JI. Магнитные эффекты в химических реакциях / A.JI. Бучаченко // Успехи химии 1976. - Т. 45, № 5. - С.761-792.

76. Salikhov К.М Spin polarization and magnetic field effects in radical reactions, edited by Yu.N. Molin. / K.M. Salikhov et al. 1984. - Elsevier, Amsterdam. - 286 p.

77. Бучаченко A.JI. Химия на рубеже веков: свершения и прогнозы / A.JI. Бучаченко // Успехи химии. 1999. - Т. 68, № 2. - С. 99-117.

78. BuchachenkoA.L. Chemical generation and reception of radio and microwaves / A.L. Buchachenko, E.L. Frankevich // VCH Publisher : New York.- 1993.- 180 p.

79. Бучаченко A.JI. Ядерно-спиновая селективность химических реакций / A.JI. Бучаченко // Успехи химии. 1995. - Т. 64, № 9. - С. 863-871.

80. Сагдеев Р.З. Влияние магнитного поля на процессы с участием радикалов и триплетных молекул в растворах / Р.З. Сагдеев, К.М. Салихов, Ю.И. Молин // Успехи химии. 1977, - Т. 46, № 4, - С. 569

81. Effects of Magnetic Fields on the Mutual Annihilation of Triplet Excitons in Molecular Crystals / R.C. Johnson et al // Phys. Rev. Lett. 1967. -VOL. 19, №6.-P. 285-287.

82. Зельдович Я.Б. Магнито-спиновые эффекты в химии и молекулярной физике / Я.Б. Зельдович, A.JI. Бучаченко, E.JI. Франкевич // УФН. -1988.-Т. 155,№ 1,-С.З -45.

83. Belyavsky V.I. Spin Effects in Defect Reactions / V.I. Belyavsky , M.N. Levin // Phys. Rev. 2004. - V.B70, №10, - P. 104-110.

84. Белявский В.И. Магнонный механизм реакций дефектов в твердых телах / В.И. Белявский, Ю.В. Иванков, М.Н. Левин // ФТТ. 2006. - Т. 48, № 7.-С.1255-1259.

85. Альшиц В.И. «In situ» изучение магнитопластического эффекта в кристаллах NaCl методом непрерывного травления / В.И. Альшиц, Е.В. Даринская, Е.А. Петржик // ФТТ. 1991. -Т.ЗЗ, В. 10, - С. 3001.

86. Молоцкий М.И. Возможный механизм магнитопластического эффекта / М.И. Молоцкий // ФТТ. 1991. - Т. 33, № 10. - С.3112-3114.

87. Molotski М. Spin effectsin plasticity / М. Molotski, V. Fleurov // Phys. Rev. Lett. 1997. - V.78, №14. - P. 2779-2782.

88. Движение дислокаций, стимулированное импульсом магнитного поля с амплитудой до 30 Т, в кристаллах NaCl / Ю.И. Головин и др. // Кристаллография. 1998. - Т.43, В.6. - С. 1115-1120.

89. Тяпунина Н.А. Влияние магнитного поля на неупругие свойствакристаллов LiF / Н.А. Тяпунина B.JI. Красников, Э.П. Белозерова // ФТТ. 1999. - Т.41, №6, - С. 1035-1041.

90. Левин М.Н. Селективное воздействие слабого постоянного магнитного поля на кристаллы триглицинсуль-фата / М.Н. Левин, В.В. Постников, М.Ю. Палагин // ФТТ. 2003. - Т. 45, № 9. - С. 1680-1684.

91. Структурные превращения в твердых растворах Sb-As при воздействии слабых импульсных магнитных полей / В.В.Постников и др. // Конденс. среды и межфазные границы. 2002. - Т. 4, №4 - С. 326-332.

92. Влияние импульсного магнитного поля на реальную структуру твердых растворов в системе Sb-As / М.Н. Левин и др. // Физика твердого тела. 2003. - Т. 45, №4. - С. 609-612.

93. Воздействие импульсных магнитных полей на реальную структуру кристаллов арсенида индия / М.Н. Левин и др. // Письма в ЖТФ. -2002.-Т. 28, №19.-С. 50-55.

94. Булярский С.В. Термодинамика и кинетика взаимодействующих дефектов в полупроводниках / С.В. Булярский, В.И. Фистуль. М. : Наука, - 1997.-352 с.

95. Стрельченко С.С. Соединения AII,BV / С.С. Стрельченко, В.В. Лебедев. М.: Металлургия, - 1984. - 144 с.

96. Мильвидский М.Г. Физико-химические основы получения разлагающихся полупроводниковых соединений / М.Г. Мильвидский, О.В. Пелевин, Б.А. Сахаров. М : Металлургия. - 1974. - 392 с.

97. Данилюк АЛ. Колебательная релаксация поверхностной проводимости кремния после воздействия слабого магнитного поля / АЛ. Данилюк, А.И. Нарейко // Поверхность. -1996. -№ 9. С. 27-33.

98. Изменение упруго- напряженного состояния структур Si-Si02 / Кукушкин Н.В. и др. // ЖТФ. 1985. - Т. 55. Вып. 10. - С. 2083-2084.

99. Левин М.Н. Воздействие импульсных магнитных полей на кристаллы Cz-Si / М.Н. Левин, Б.А Зон // Журнал Экспериментальной и Теоретической

100. Физики. -1997. -Т. 111, № 4. С. 1373-1397

101. Levin M.N. Magnetic-field induced generation of A-like centers in Cz-Si / M.N. Levin, B.A. Zon // MRS Proc. 2000. - Vol. 583. - P. 278-284.

102. Левин M.H. Эффект магнитно-индуцированной диффузионной неустойчивости в полупроводниковых соединениях AmBv / M.H. Левин, Г.В. Семенова, Т.П. Сушкова // ДАН. Физика. 2003. - Т. 388, № 5. - С. 11-13

103. Активация поверхности полупроводников воздействием импульсного магнитного поля / М.Н Левин и др. // ЖТФ. 2003. - Т. 73,№10.-С. 85-87

104. Долговременные изменения топологии поверхности кристаллов CsSi после воздействия импульсного магнитного поля / М.Н. Левин и др. // Конденсированные среды и межфазные границы. 2003. - Т. 5. №2.-С. 213-215.

105. Якушев А.И. Взаимозаменяемость, стандартизация и технические измерения. / А.И. Якушев, Л.Н. Воронцов, Н.М. Федотов М. : Машиностроение. - 1986. - 352 с.

106. Левин М.Н. Импульсная магнитная обработка кремниевых подложек для осаждения тонких пленок методом пульверизации / М.Н. Левин, В.Н. Семенов, А.В. Наумов // Письма в ЖТФ. 2001. - Т. 27, № 7.-С. 35-39.

107. Levin M.N. Relaxation processes induced in Si- SiC>2 systems by ionizing radiation and pulsed magnetic field treating / M.N. Levin, V.M. Maslovsky // Solid State Comm. 1994. - V.90. №12. -P.813 - 819.

108. Косцов A.M. Абсорбционные спектры кристалла триглицинсульфата в коротковолновом диапазоне / A.M. Косцов // Изв. РАН. Сер. Физика.-2000. Т. 64, № 9. - С. 1712-1713.

109. Технология СБИС: В 2-х кн. Кн. 2. Пер. с англ./ Под ред. С.Зи. -М.: Мир. 1986. -453 с.

110. Крячко В.В. Бесконтактный метод исследования зарядового состояния границы раздела полупроводник-диэлектрик / В.В. Крячко и др. // ЖТФ. 2004. - Т. 74, №10. - С. 128-133.

111. Пассивация поверхности GaAs (100) халькогенидом галлия Сысоев Б.И. и др. // ФТП. 1995. - Т. 29. №1. - С. 24-32.

112. Автоматизированная установка для емкостной спектроскопии полупроводников / А.В. Каданцев и др. // ПТЭ. 2004. - №6. - С. 138139.

113. An investigation of the passivating effects of hydrogen sulphide on the GaAs(100) surface / Hughes G.J. et al. // Mater. Sci. Eng. B. 1991. - V. 9. -P.37-41.

114. Реконструкция и электронные состояния гетерограницы Ga2Se3~ GaAs / Б.Л. Агапов и др. // ФТП. 1999. - Т. 33. №6. - С.712-715.

115. Comparison of deep levels spectra and electrical properties of GaAs crystals grown by vertical Bridgeman and by liquid encapsulated Czochralski methods / A.V. Markov et. al. // Solid St. Electron. 2002. - V. 46.-P. 269-277.

116. Сошников И.М., Дементьев H.H. // Химия: Теория и технология. 1999.-№ 2.-С. 43-48.

117. Кристаллография, рентгенография и электронная микроскопия. / Уманский Я.С. и др. М.: Металлургия. - 1982. - 632 с.

118. Волошина Т.В. Влияние магнитного поля на свойства фотомтериалов / Т.В. Волошина Т.В., М.А. Дронов, М.А. Ефимова, А.Н. Латышев, М.Н.Левин, В.А. Москинов // Химия высоких энергий. -2005. -Т.39, № 3. -С.213-217.

119. Effect of Magnetic Fields on Preparation of Silver Halid Emultion in Gelatin and its Mechanism / Yan Jun et al. // Photogr. Sci. Photochem. -2002. V.20, № 5. - P.358-362.

120. Effect of Pulsed Magnetic Field on YBCO Ceramics / M.N. Levin, V.I. Belyavsky, V.V. Postnikov, E. A. Dolgopolova, M. A. Dronov // Ferroelectrics. 2004. - V.307. - P. 161-166.

121. Мейкляр П.В. Физические процессы при образовании скрытого фотографического изображения / П.В. Мейкляр // М: Наука. 1972г - 456 с.

122. Джеймс Т.Х. Теория фотографического процесса / Т.Х. Джеймс Пер. с англ. Под ред. Картужанского A.JI. Л.: Химия. - 1980. - 672 с.

123. Гриднев С. А. Механическая нелинейность высокотемпературного сверхпроводника УВа2Сиз07. / С.А. Гриднев,

124. Н. Иванов, А.Г. Лучанинов // Известия АН СССР. Серия физическая. 1989. - Т. 53, № 7. - С. 1349-1352.

125. Высокотемпературная сверхпроводимость: фундаментальные и прикладные исследования. / Сб. статей под ред. Киселева А.А. Вып.

126. Л.: Машиностроение. - 1990. - 686 с.

127. Плакида Н.М. Высокотемпературные сверхпроводники. / Н.М. Плакида М. : Международная программа образования. - 1996. - 288 с.

128. Dagotto Е. Correlated electrons in high-temperature superconductors. / E. Dagotto // Rev. Mod. Phys. 1994. - V. 66, № 3. - P. 763-840.

129. Левин M.H. Влияние импульсной магнитной обработки на кристаллизацию и плавление полиэтилен-оксида. / М.Н. Левин, В.В. Постников, Н.Н. Матвеев // ЖФХ. 2003. - Т. 77, № 4. - С. 758-761.

130. Левин М.Н. Селективное воздействие слабого магнитного поля на сегнетоэлектрические кристаллы с водородными связями / М.Н. Левин, В.В. Постников, М.Ю. Палагин // ПЖТФ. 2003. - Т. 29. № 12. -С. 62-67.

131. Воздействие слабых импульсных магнитных полей на кристаллытриглицинсульфата / М.Н. Левин и др. // ФТТ. 2003. - Т.45, №3. - С. 513-517.

132. Лайнс М. Сегнетоэлектрики и родственные им материалы. / М. Лайнс, А. Гласе // М.: Мир. 1981. - 736 с.