Возбуждение и преобразование центров окраски кристаллов LiF и MgF2 в интенсивных радиационных и оптических полях тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 01.04.07, кандидат физико-математических наук Дорохов, Сергей Владимирович

• Дорохов, Сергей Владимирович
• кандидат физико-математических наук
• 1999

Оглавление диссертации кандидат физико-математических наук Дорохов, Сергей Владимирович

СОДЕРЖАНИЕ

Введение

ГЛАВА 1. ОБЪЕКТЫ ИССЛЕДОВАНИЯ, МЕТОДЫ ИЗМЕРЕНИЙ И ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНЫЕ УСТАНОВКИ

1.1. Объекты исследования

1.2. Установка для измерения спектральных и кинетических характеристик люминесценции и оптического поглощения

1.3. Высокочувствительный метод измерения короткоживущего поглощения при оптическом и электронном возбуждениях

ГЛАВА 2. ОСОБЕННОСТИ ОБРАЗОВАНИЯ СОБСТВЕННЫХ ЦЕНТРОВ ОКРАСКИ В КРИСТАЛЛАХ MgF2

2.1. Центры окраски в кристалле М§Р2 (обзор литературы)

2.2. Образование центров окраски в кристаллах М§Р2 при радиационном облучении

2.3. Особенности преобразования центров окраски в кристаллах М§Р2 при оптическом и радиационном воздействиях

2.4. Преобразование центров окраски в М§Г2 при одновременном оптическом и термическом воздействии

2.5. Выводы

ГЛАВА 3. МЕХАНИЗМЫ ПРЕОБРАЗОВАНИЯ ЦЕНТРОВ ОКРАСКИ В КРИСТАЛЛАХ

3.1. Природа полосы поглощения 370 нм

3.2. Особенности строения и энергетическая структура

центров в кристаллах М£р2

3.3. Механизмы образования Р~ центров в кристаллах MgF2

3.4. Особенности люминесценции центров окраски в MgF2

3.5. Природа полос поглощения с А,тах 300, 358 и 435 нм

3.6. Выводы

ГЛАВА 4. ОСОБЕННОСТИ ПРЕОБРАЗОВАНИЯ РАДИАЦИОННЫХ ДЕФЕКТОВ В КРИСТАЛЛАХ Ш

4.1. Механизмы преобразования электронных центров окраски

в кристаллах фтористого лития (обзор литературы)

4.2. Особенности преобразования собственных центров окраски

в кристаллах ОБ при электронном воздействии

4.3. Особенности преобразования собственных центров окраски

в кристаллах 1лР при оптическом воздействии

4.4. Механизмы преобразования Р2 центров в кристаллах 1лР

при оптическом и радиационном воздействиях

4.5. Выводы

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

ЛИТЕРАТУРА

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Возбуждение и преобразование центров окраски кристаллов LiF и MgF2 в интенсивных радиационных и оптических полях»

Введение.

Кристаллы фтористого лития (1лР) и магния (М^), благодаря наибольшей областью прозрачности (0.11 - 7 мкм), традиционно широко используются в устройствах ВУФ - УФ спектроскопии [1,2]. Высокие требования к стабильности оптических элементов, применяемых в данной аппаратуре, стимулировали изучение процессов радиационного образования и преобразования центров окраски (ЦО) в кристаллах 1лР и М^г-Полученные при этом результаты по влиянию примесного состава и температуры на эффективность образования радиационных дефектов определили значительный интерес к данным кристаллам в плане создания чувствительных термолюминесцентных детекторов ионизирующего излучения [3-8]. На базе системного анализа особенностей дефектообразо-вания и свойств ЦО, наведенных в ЬлР при дозах радиационного облучения, превышающих 107Р, были созданы активные элементы перестраиваемых по частоте лазеров [9-15]. Эти принципиально новые достижения дали толчок бурному развитию радиационной физики кристаллов и твердотельной квантовой электроники. К настоящему времени определены фундаментальные механизмы дефектообразования и выявлена природа многих ЦО в кристаллах 1лР, ЫаР, КС1, А1203 и др. [16-19]. Создано большое число активных и пассивных сред на основе ЦО в кристаллах 1лР, КС1, М^, А1203 и др. для различных типов перестраиваемых и од-ночастотных лазеров [9-15,20-23]. Благодаря использованию мощных пучков электронов, обеспечивающих высокие темпы окрашивания кристаллов, разработаны миниатюрные активные Р2: 1лЕ среды для эффективного усиления и формирования фемтосекундных лазерных импульсов [24].

Вместе с тем ряд важнейших вопросов относительно природы процессов радиационного преобразования и оптической устойчивости ЦО в Ы¥ и остаются нерешёнными. Так, анализ литературных данных

показывает, что во фториде магния однозначно определены только элементарные ¥ центры [27-29]. Идентификацию Б-агрегатных центров и прежде всего Р2 ЦО нельзя считать завершенной, поскольку отсутствуют классические кинетические данные о поглощении в области Р полосы, о миграции и локализации анионных вакансий, а также о традиционных в таких случаях сопутствующих процессах перезарядки Р2+, Р2, Р~ ЦО.

Кроме того, в течение длительного времени при разработке активных сред перестраиваемых лазеров видимого диапазона на основе кристаллов ЫР с ЦО существует проблема оптической устойчивости рабочих ¥2 и Р^ центров к излучению когерентной накачки. При этом установлено, что нежелательные процессы фотопреобразования ¥2 и Р3+ ЦО обусловлены двухступенчатой ионизацией центров [30,31]. Вместе с тем было замечено, что число разрушенных в результате ионизации ¥2 центров значительно превосходит количество созданных при этом Р2 ЦО [32]. Для объяснения этой особенности, а также сопутствующего процесса увеличения концентрации Р центров был предложен механизм фотодиссоциации возбуждённых ¥2 ЦО [32]. Позже авторы [33] обнаружили эффективную секундную компоненту распада наведенных ЦО и показали, что происходит диссоциация Р2+, а не ¥2 центров. Однако и в этой работе не установлена причина секундного распада Р2+ центров, а

следовательно, и процессы, составляющие механизм фоторазрушения Р2 ЦО, остались нераскрытыми.

В связи с актуальностью представленных выше проблем была поставлена задача: исследовать кинетику оптического поглощения, выход

люминесценции и стабильность ЦО в кристаллах 1лР и М§Р2 при воздействии мощных электронных пучков и световых импульсов с целью установления механизмов образования и преобразования ЦО.

Научная новизна работы отражена в следующих положениях, выносимых на защиту:

1. В кристаллах М§р2 наведенные электронными и оптическими пучками анионные вакансии неподвижны в температурном интервале 78630 К. Этим объясняется низкая вероятность создания Р-агрегатных центров. Полосы поглощения при 300, 358, 370 и 435 нм, эффективно образующиеся в радиационно облученных кристаллах при УФ - фототермическом воздействии, обусловлены одновакансионными центрами анионной подрешетки.

2. В кристаллах фтористого магния за полосы поглощения при 370 нм и излучения при 420 нм ответственны Р~ центры. Образование Р- ЦО происходит в результате захвата Р центрами электронов зоны проводимости.

3. При электронном облучении кристаллов Ы¥ образование Р2ЦО по механизму локализации анионных вакансий на Р~ центрах происходит вследствие накопления Р* ЦО. Эффективный процесс захвата горячих электронов Р2+ центрами приводит к созданию возбуждённых Р2 ЦО

с последующим образованием Р" центров в результате туннельного переноса электронов с возбужденных Р2 ЦО на близко расположенные Р центры.

4. Оптическое разрушение Р2 центров в кристаллах 1лР происходит вследствие туннелирования электронов с высокоэнергетического (Е > 4,5 эВ) возбуждённого уровня Р2 на Р ЦО. При этом образуются пары близкорасположенных Р2+ и Р~ центров. В результате взаимодействия близ-

корасположенных Р , Р2+ ЦО происходит их диссоциация и образуются

три пространственно разделённых Р центра.

Практическая значимость работы.

В процессе выполнения поставленных задач разработаны и изготовлены оптические узлы и элементы мощной ВУФ-ИК наносекундной лампы. Разработан чувствительный метод измерения короткоживущего поглощения в области 190-1200 нм, наведенного в кристаллах мощными световыми импульсами. Полученные результаты используются в разработке высокоэффективных Р2 : 1лР усилителей ультракоротких лазерных импульсов.

Апробация работы и публикации.

Материалы работы докладывались и обсуждались на Международной конференции по перестраиваемым лазерам (Иркутск, 1989 г.); Всесоюзной конференции по радиационной физике неорганических материалов (Рига, 1989 г.); Семинаре молодых ученых по радиационной физике и химии твёрдого тела (Львов, 1990 г.); Международной конференции по изоляторам (Нагоя (Япония), 1993 г.); Международной конференции по перестраиваемым твёрдотельным лазерам (Минск, 1994 г.); Международном семинаре БСШТМАТ 96 (Екатеринбург, 1996 г.); Школе-семинаре по люминесценции и сопутствующим явлениям (Иркутск, 1996-1998 г.); Международной конференции ЕХЖСЮГМ 98 (Великобритания, 1998 г.) и на Международной конференции по физико-химическим процессам в неорганических материалах (Кемерово, 1998 г). Результаты исследований изложены в 15 публикациях.

Личный вклад соискателя в опубликованных статьях. Печатные работы, представленные диссертантом, основаны на экспериментальных результатах, полученных в соавторстве и интерпретированных как лично автором, так и в соавторстве.

Объём и структура работы.

Диссертация изложена на 113 страницах, включая 80 страниц машинописного текста, иллюстрирована 33 рисунками и 2 таблицами, состоит из введения, 4 глав, заключения и списка литературы, включающего 118 наименований.

Введение отражает актуальность, новизну и практическую значимость работы и её основные цели и задачи.

В первой главе представлены характеристики исследуемых кристаллов. Приведены особенности окрашивания кристаллов сильноточными наносекундными электронными пучками, методы измерения ко-роткоживущего оптического поглощения при мощном электронном и световом воздействиях, а также оригинальные фрагменты техники эксперимента.

Во второй главе представлен краткий обзор литературы по предложенной природе собственных центров окраски кристаллов М§Р2, сделан анализ литературных данных по механизмам образования ¥-агрегатных центров. Приведены дополнительные экспериментальные данные, на базе которых определена энергия активации движения анионных вакансий. На основании анализа литературы и полученных экспериментальных результатов сделан вывод о механизмах дефектообразова-нияв кристаллах

В третьей главе на основе анализа литературы и полученных результатов о наносекундной перезарядке ЦО раскрывается природа полосы поглощения 370 нм в кристаллах М^. Определена энергетическая структура Р~ центров (370 нм), их основные параметры и ориентация. Предложен механизм образования центров. Вскрыты особенности высокоэнергетического возбуждения (Е >5.5 эВ) фотолюминесценции при 420 нм. На основании результатов фототермического преобразования на-

веденных электронным облучением дефектов сделано предположение о происхождении и структуре ЦО, поглощающих при 358 и 435 нм.

В четвёртой главе приведён краткий обзор литературы по механизмам образования и преобразования ^ и Р3+ центров в кристаллах фтористого лития (ЫР) при электронном и оптическом облучении. На базе литературного обзора проведён анализ возможных механизмов преобразования данных дефектов с участием в них Р~ центров. На основании полученных данных о кинетике создания и разрушения полос поглощения ЦО при электронном и оптическом воздействиях предлагается механизм преобразования ¥2 центров. Представлен набор экспериментальных результатов, свидетельствующий о принадлежности полосы ко-роткоживущего поглощения при 350 нм в кристаллах 1лР к Б" центрам.

В заключении представлены основные научные и практические выводы, полученные в данной работе.

Заключение диссертации по теме «Физика конденсированного состояния», Дорохов, Сергей Владимирович

4.5. Выводы

При электронном облучении кристаллов фтористого лития образование Р2 центров по механизму локализации анионных вакансий на Р" ЦО (Р'+а^Рг) происходит вследствие появления возбужденных Р2 ЦО при захвате горячих электронов Р2+ центрами.

Образование Р" центров в 1лР при радиационном или оптическом воздействии происходит по механизму туннельного переноса электрона с высокоэнергетического возбуждённого состояния Р2ЦО на близко расположенный Р центр.

Оптическая ионизация Р2 центров в кристаллах ГлР происходит вследствие туннелирования электронов с высокоэнергетического возбуждённого уровня (> 4.5 эВ) на Р ЦО. При этом создаются пары близко расположенных Р2+ и Р~ ЦО, которые взаимодействуют между собой и во временном интервале с х « 3 с диссоциируют. В результате данного процесса происходит образование трёх пространственно разделённых Р центров (Р2+Р~—>ЗР).

Заключение

1. Установлено, что в кристаллах М£р2, наведённые электронными и оптическими пучками анионные вакансии, неподвижны в температурном интервале 78 - 630 К. Этим объясняется низкая вероятность образования Б агрегатных центров в данных кристаллах.

2. Установлено, что полоса поглощения с А,тах 370 нм в кристаллах М£р2 обусловлена Р" центрами. Данный центр в решётке фтористого магния имеет локальную симметрию С2и- Переход а1 - аГ, дипольный момент которого ориентирован перпендикулярно главной оптической оси кристалла (Е 1 С), соответствует полосе поглощения с А,тах 370 нм и является основным переходом Р" центра.

3. Показано, что анизотропия оптических свойств Р~ центров в кристаллах М^Р2 обусловлена особенностью строения его кристаллической решётки, которая ограничивает ориентацию дипольного момента основно* го (а1 - а1 ) оптического перехода Р центра двумя взаимно ортогональными и перпендикулярными главной оптической оси кристалла направлениями.

4. Предложен механизм образования Р" центров в кристаллах М^Р2 при радиационном облучении, который заключается в локализации электронов зоны проводимости на Р центрах. Оптическое создание Р~ центров происходит в результате фототермической ионизации Р ЦО, заключающейся в оптическом возбуждении центра и термическом забросе электрона с возбуждённого уровня Р ЦО в зону проводимости, а также в результате прямого перевода электрона с основного уровня Р центра в зону проводимости при энергии возбуждающих фотонов больше 4.3 эВ.

5. Показано, что в кристаллах фтористого магния, наведённые фототермическим воздействием полосы поглощения при 300, 358 и 435 нм, принадлежат Б" подобным центрам.

6. Установлено, что при электронном облучении кристаллов фтористого лития образование ¥2 центров по механизму локализации анионных вакансий на Б" ЦО (Р~+а-»Р2) происходит вследствие появления возбужденных Р2 ЦО при захвате горячих электронов Р2+ центрами.

7. Установлено, что в 1ЛР образование Р~ центров при радиационном или оптическом воздействии происходит по механизму туннельного переноса электрона с высокоэнергетического возбуждённого состояния Р2ЦО на близко расположенный Р центр.

8. Показано, что оптическая ионизация Р2 центров в кристаллах 1лР происходит вследствие туннелирования электронов с высокоэнергетического возбуждённого уровня (> 4.5 эВ) на Р ЦО. При этом создаются пары близко расположенных Р2+ и Е" ЦО, которые взаимодействуют между собой и во временном интервале с т«3с диссоциируют. В результате данного процесса происходит образование трёх пространственно разделённых Р центров (Р2++Р"-^ЗР).

Список литературы диссертационного исследования кандидат физико-математических наук Дорохов, Сергей Владимирович, 1999 год

ЛИТЕРАТУРА

1. Лях В.В., Назьмов В.П. / Спектрометр для фотохимии // Тезисы доклада, IX Всесоюзная конференция по физике ВУФ излучения и его взаимодействия с веществом (ВУФ-91), Томск (Москва), 1991, с.233.

2. Heath D.F., Sacher P.A. / Effects of simulated high-energy space environment on the ultraviolet transmittance of optical materials between 1050Ä and 3000Ä // Applied optics, 1966, vol.5, № 6, p.937-943.

3. Шварц K.K., Кристапсон Я.Ж., Лусис Д.Ю., Подинь A.B. / Фтористый литий: оптические свойства и применение в термолюминесцентной дозиметрии // Радиационная физика, Рига, 1967, в.5, с. 179-235.

4. Кронгауз B.F., Шавер И.Х. / Люминофоры для термолюминесцентной дозиметрии // М: НИИТЭХИМ, 1978, 35 с.

5. Шварц К.К., Грант З.А., Меж Т.К., Грубе М.М. / Термолюминесцентная дозиметрия//Рига, Зинатне, 1968, 183 с.

6. Франк М., Штольц В. / Твердотельная дозиметрия ионизирующего излучения // М.: Атомиздат, 1973, 248 с.

7. Мироненко С.Н., Непомнящих А.И., Селявко А.И., Кузнецова А.П. / Получение однородных по чувствительности монокристаллических детекторов на основе LiF // IV Всесоюзный симпозиум по люминесцентным приёмникам и преобразователям рентгеновского излучения, Иркутск, 1982, с.76.

8. Непомнящих А.И., Раджабов Е.А., Егранов A.B. / Центры окраски и люминесценция кристаллов LiF // Новосибирск, Наука, 1984, 113 с.

9. Архангельская В.А., Феофилов П.П. / Перестраиваемые лазеры на центрах окраски в ионных кристаллах (обзор) // Квантовая электроника, 1980, т.7, № 6, с.1141-1160.

10. Басиев Т.Т., Воронько Ю.К., Миров С.Б. / Твёрдотельные перестраиваемые лазеры на центрах окраски в ионных кристаллах // Известия АН СССР, Сер. физ., 1982, т.46, № 8, с.1600-1610.

11. Парфианович И.А., Хулугуров В.М., Иванов H.A. и др./ Лазеры на центрах окраски в щелочно-галоидных кристаллах //Изв. АН СССР, сер.физ., 1981, т.45, № 2, с.309-313.

12. Martynovich E.F., Tokarev A.G., Grigorov V.A. / A1203 color center lasting in near infrared at 300 К // Optic Commun.,1985, v.53, № 4, p. 254-256.

13. Martynovich E.F., Baryshnicovv V.l., Grigorov V.A. / Lasting in A1203 color centers at room temperature in the visible // Optics Commun., 1985, V.53, № 4, p.257-258

14. Мартынович Е.Ф., Токарев А.Ф./ Генерация лазерного излучения в области 1 мкм центрами окраски в А120з // Журнал технической физики, 1985, Т.55, вып. 10, с.2038-2039

15. Гусев Ю.Л., Маренников С.И., Чеботаев В.П. / Перестраиваемые лазеры на центрах окраски // Известия АН СССР, Сер. физ., 1980, т.44, № 10, с.2018-2028.

16. Nahum J. / Optical properties and mechanism of formation of some F-aggregate centers//Phys. Rev. 1967, vol.158, №3, p.814-825.

17. Адуев Б.П., Вайсбурд Д.И., Москалев B.A. / Создание и превращение F2, F2+ и F2~ центров в кристаллах LiF при импульсном облучении плотными пучками электронов//Письма в ЖТФ, 1981, т.7, № 13, с.791-794.

18. Барышников В.И., Мартынович Е.Ф. / Преобразование центров окраски в монокристаллах лейкосапфира // ФТТ, 1986, т.28, вып.4, с. 1258-1260.

19. Барышников В.И., Мартынович Е.Ф., Колесникова Т.А., Щепина Л.И. / Механизмы преобразования и разрушения центров окраски в монокристаллах А1203 // ФТТ, 1990, т.32, вып.1, с.291-293.

20. Иванов H.A., Парфианович И.А., Хулугуров В.М., Чепурной В.А. / Нелинейные насыщающиеся фильтры на основе щелочно-галоидных кристаллов с центрами окраски // Изв. АН СССР, Сер. физ., 1982, т. 116, №10, с.1985-1991.

21. Майоров А.П., Макуха В.К. и др. / Использование кристаллов LiF с F2~ центрами в качестве нелинейных фильтров в лазерных системах на стекле с неодимом // Письма в ЖТФ, 1980, № 6, в.15, с.941-943.

22. Хулугуров В.М., Лобанов Б.Д. и др. / Пассивный модулятор добротности резонатора лазера // Авт. свид. № 818423, 1979.

23. Лобанов Б.Д., Максимова Н.Т. / Пассивный модулятор добротности резонатора лазера и способ его изготовления // Авт. свид. № 1037818, 1981.

24. Барышников В.И. / Малоинерционная люминесценция, возбуждение и преобразование дефектов диэлектрических кристаллов в интенсивных радиационных полях // Автореф. докт. диссертации, Иркутск, 1997, 44 с.

25. Соболев Л.М., Карнаухов E.H., Пензина Э.Э., Ружников Л.И. / Нестационарная спектроскопия и кинетика пикосекундной релаксации фотовозбуждённых Z2 центров в щелочно-галоидных кристаллах // Оптика и спектроскопия, 1988, т.64, в.5, с.1056-1061.

26. Брюквин В.В., Лукин A.B., Пензина Э.Э., Соболев Л.М. / Щелочно-галоидные кристаллы с Z4 центрами как фототропные затворы для лазеров // Оптика и спектроскопия, 1989, т.67, в.З, с.701-703.

27. Vehse W.E., Fasey O.E., Sibley W.A. / Additive coloration of MgF2 // Phys. stat. sol. (a), 1970, vol.1, p.679-683.

28. Unruh W.P., Nelson L.G., Lewis J.T., Kolopus J.L. / The F center in MgF2. I: Epr and Endor// J. Phys. Chem., 1971, vol.4, p.2992-3005.

29. Kolopus J.L., Lewis J.T., Unruh W.P., Nelson L.G. / The F center in MgF2. II: Optical absorption and epr // J. Phys. Chem., 1971, vol.4, p.3007-3014.

30. Басиев Т.Т., Воронко Ю. К. и др. / Превращение центров окраски в кристаллах LiF под действием лазерного излучения // Краткие сообщения по физике, 1982, № 3, с.3-9.

31. Мартынович Е.Ф., Барышников В.И., Григоров В. А. / Лазерные среды на кристаллах LiF с предельно высокими концентрациями F2 центров // Письма в ЖТФ, 1985, т.11, вып. 14, с.875-878.

32. Мартынович Е.Ф., Григоров В.А., Колесникова Т.А. / Оптическое преобразование центров окраски фторида лития // Шестая всесоюзная конференция по радиационной физике и химии ионных кристаллов. Рига, 1986. 4.1, с.189-180.

33. Барышников В.И., Колесникова Т.А. / Взаимодействие мощных наносе-кундных оптических вспышек и лазерных импульсов с центрами окраски фторида лития // Оптика и спектр., 1994, т.11, № 1, с.57-60.

34. Fouassier С. // Optical Properties of fluorides //1985, Academic Pressm, Inc. P.477-487.

35. Большаков А.Ф. Дмитриенко A.O. /Физико-химические свойства кристаллов // М., Химия, 1980. 208с.

36. Лидин P.A., Андреева Л.Л., Молочко В.В. / Справочник по неорганической химии: константы неорганических веществ // М., Химия, 1987, 318с.

37. Кристаллография / Под редакцией Шаскольской М.П.- Москва: Высшая школа, 1976, 386 с.

38. Кристаллография / Под редакцией Костова И.- Москва: Мир, 1965, 400 с.

39. Барышников В.И. / Люминесценция центров окраски и механизмы их преобразования при облучении монокристаллов А120з пучками электронов высокой плотности // Диссертация на соискание ученой степени канд. физ. мат. наук, Иркутск, 1986.

40. Барышников В.И., Дорохов С.В., Колесникова Т.А. / Мощная наносе-кундная ВУФ - ИК лампа // Тезисы докладов IX Всесоюзной конферен-

ции по физике ВУФ излучения и его взаимодействия с веществом (ВУФ-91), Томск (Москва), 1991, с.220-221.

41.Барышников В.И., Дорохов С.В., Мартынович Е.Ф. / Малогабаритный наносекундный лазер с ламповой накачкой F2 центров в LiF // Тезисы доклада, Международная конференция по перестраиваемым лазерам, 1989, Иркутск, 4.1, с. 121-124.

42. Парфианович И.А., Саломатов В.Н. / Люминесценция кристаллов // Иркутск: Издательство Ирк. университета, 1988, 248 с.

43. Blunt R.F., Cohen M.I. / Irradiation - induced color centers in magnesium fluoride//Physical Review, 1967, vol.153, № 3, p.1031-1038.

44. Никанович M.B., Умрейко Д.С., Шкадаревич А.П. и другие / Спектрально люминесцентные свойства электронных центров окраски в кристаллах MgF2 // Оптика и спектроскопия, 1986, том 60, № 2, с.307.

45. Williams Р.Т., Marquardt C.L., Williams J.W., Kabler M.N. / Transient absorption and luminescence in MgF2 following electron pulse excitation // Physical Review B, 1977, vol.15, № 10, p.5003-5010.

46. Facey O.E., Sibley W.A. / Optical absorption and luminescence in irradiated MgF2 // Physical Review, 1969, vol.186, № 3, p.926-932.

47. Агафонов A.B., Родный П.А. / Исследование механизмов образования центров окраски фторидов магния, кальция и лития импульсным рентгеновским методом // Отчёт о НИР, 1986, № гос. per. 61940083524 Ленинградский политехнический институт.

48. Ueda Y. / Epr study of hole centers in MgF2 crystals irradiated with x-rays and neutrons at low temperatures// J. of Phys. Soc. Jap., 1976, vol.41, № 4, p.1255

49. Norman C.D., Halliburton L.E. / Radiation-induced fluorine interstitial atoms in MgF2 // Phys. Rev B, 1977, vol.15, № 12, p.5883-5889.

50. Агафонов A.B., Головин A.B., Ершов H.H., Родный П.А. / Природа рент-генолюминесценции облучённых кристаллов фторида магния // Изв. Акад. Наук СССР, серия физика, 1986, т.50, № 3, с.544.

51. Захаров Н.Г., Родный П.А. / Механизмы возбуждения центров люминесценции в кристаллах MgF2-Mn // ФТТ, 1988, т.ЗО, № 12, с.3698.

52. Лисицын В.М., Яковлев В.Ю., Корепанов А.П. / Кинетика разрушения М-центров после импульсного облучения электронами в кристалле MgF2 //ФТТ, 1978, т.20,№3, с.731.

53. Агафонов A.B., Головин A.B., Родный П.А. / Люминесценция центров окраски во фториде магния // Оптика и спектроскопия, 1986, т.60, № 2, с.297.

54. Захаров Н.Г. / Особенности рентгенолюминесценции F2 центров в MgF2 //ЖПС, 1981, т.35, № 1, с.170-172.

55. Горлач В.В., Лисицын В.М. / Энергия образования дефектов по Френкелю в MgF2 // Известия вузов, Физика, 1976, № 5, с. 128.

56. Seager С.Н., Welch D.O., Royce S.H. // Phys. St. Sol. (b), 1972, vol.49, p.609, vol.50, p.241.

57. Farge Y., Lambert M., Smoluchowski R. // Phys. Rev., 1967, vol.159, p.700.

58. Корепанов В.И., Лисицын В.М.//Извест. вузов СССР, Физика, 1975, № 8.

59. Барышников В.И., Колесникова Т.А., Щепина Л.И., Дорохов С.В, Соцер-дотова Г.В. / УФ спектроскопия монокристаллов MgF2 при воздействии наносекундных оптических и электронных пучков // Оптика и спектроскопия, 1989, т.67, в. 1, с.217-219.

60. Sibley W.A., Facey O.E. //Phys. Rev. В. 1970, vol.2, № 4, p.l 111-1116.

61. Корепанов В.И., Копайлова Е.Ф. / Генерация F-центров в кристаллах MgF2 при низких температурах // Тезисы доклада VI Международной конференции по радиационным гетерогенным процессам, Кемерово, 1995,с.86.

62. Барышников В.И., Щепина Л.И., Дорохов С.В., Колесникова Т.А. / Фототермические преобразования центров окраски в монокристаллах MgF2 // Оптика и спектроскопия, 1992, т.73, в.З, с.499-501.

63. Барышников В.И., Дорохов С.В., Щепина Л.И., Колесникова Т.А. / Фотостимулированные процессы в облучённых электронами кристаллах MgF2 при электронном отжиге // Тезисы докл., Семинар молодых ученых по радиационной физике и химии твёрдого тела, Львов, 1990, с. 10.

64. Baryshnikov V.I., Dorohov S.V., Kolesnikova Т.A., Schepina L.I. / Creation mechanism of point defects in annealing processes and electron, light irradiation of MgF2 crystals // Abstract, International conference REI-7, 1993, Na-goya, Japan, РАЗ 6.

65. Baryshnicov V.I., Dorohov S.V., Schepina L.I. / Photothermal destruction mechanism of F-center in MgF2 crystals // Abstract, International conference SCINTMAT-96, Ekaterinburg, Russia, 1996, P6.

66. Парфианович И.А., Пензина Э.Э. / Электронные центры окраски в ионных кристаллах // Иркутск, 1977, Вост-Сиб. книжное издательство.

67. Cade Р.Е., Shouehem A.M., Tasrer P.W. / Self-trapped holes (Vk) in alkali halide crystals like NaCl // Phys. Rev. B, Condens. Matter., 1984, v.30, № 8, p. 4621-4639.

68. Park D.S., Nowick A.S. / Ionic conductivity and point defects in pure and doped MnF2 and MgF2 single crystals // J. Phys. Chem. solids, 1976, vol.37, p.607-617.

69. Барышников В.И., Дорохов С.В. / Особенности образования электронных центров окраски в кристаллах MgF2 // Тезисы докл., Школа-семинар по люминесценции и сопутствующим явлениям, Иркутск, 1997, с.210.

70. Соболев А.Б., Лушников И.Ф., Шкадаревич А.П. и др. / Кластерные расчёты электронной структуры F подобных центров в кристаллах MgF2 методом рассеянных волн // ФТТ, 1991, т.ЗЗ, № 1, с. 144.

71. Baryshnicov V.I., Dorohov S.V. / Particularities of forming of electron color centres in MgF2 crystal // Abstract, International conference EURODIM 98, Keele, (Great Britain), 1998 r. .

72. G.P. Summers / Photoconductivity in MgF2 // J. Phys. C: Solid State Phys.,

1975, vol.8, p.3621-3627.

73. Барышников В.И., Щепина Л.И., Дорохов С.В., Колесникова Т.А / Механизм фотостимулированного процесса в монокристаллах MgF2 с радиа-ционно наведёнными центрами окраски // Тезисы доклада, VII Всесоюзная конференция по радиационной физике и химии неорганических материалов, Рига, 1989, ч.2, с.514.

74. Baryshnicov V.I., Dorohov S.V./ Particularities of forming of electron color centers in MgF2 crystal // Abstract, International conference EURODIM 98, Keele, (Great Britain), 1998 r.

75. Захаров Г.М., Никитинская H.M. и др. / Температурная зависимость выхода рентгенолюминесценции MgF2 - Мп // Оптика и спектроскопия,

1976, т.40, № 4, с.766.

76. Барышников В.И., Дорохов С.В., Колесникова Т.А., Мартынович Е.Ф., Щепина Л.И. / Новые методы мощной широкополосной оптической накачки кристаллических лазерных сред // Тезисы доклада, Международная конференция по перестраиваемым лазерам, 1989, Иркутск, 4.1, с.130-135.

77. Барышников В.И., Дорохов С.В., Колесникова Т.А., Мартынович Е.Ф., Щепина Л.И. / Малоинерционная широкополосная ВУФ-УФ накачка кристаллических сред // Известия АН СССР, серия Физика, 1990, т.54, №8,с.1484-1486.

78. Гусев Ю.Л., Коноплин С.Н., Маренников С.И. / Генерация когерентного излучения на F2 центрах окраски в монокристаллах LiF // Квантовая электроника, 1977, т.4, № 9, с.2024-2025.

79. Kulinski Т., Kacmarek F. // Opt. Commun., 1979, № 28, р.101.

80. Mollenauer L.F., Bloom D.M. // Opt. Lett., 1979, № 4, p.247.

81. Басиев Т.Т., Воронко Ю. К., Миров C.B., Осико В.В, Прохоров A.M. / Кинетика накопления и генерации F2+ центров в кристаллах LiF(F2) //, Письма в ЖЭТФ, 1979, т.30, № ю, с.661-665.

82. Басиев Т.Т., Воронко Ю. К., Миров C.B., Осико В.В., Прохоров A.M., Соскин М.С., Тараненко В.Б. // Квантовая электроника, 1982, № 9, с. 175.

83. Zeng L.X., Wan L.F. // Opt. Commun, 1985, № 55, p.277.

84. Mollenauer L.F, Bloom D.M., Guggenheim H. / Simple two step photo-ionization yield high density's of laser-active F2+centers // Apll. Phys. Lett, 1978, vol.33, № 6, p.506-509.

85. Хулугуров В.M. / Центры окраски, люминесценция и вынужденное излучение кристаллов LiF с катионо- и анионо- замещающими примесями // Автореферат канд. дисс, Иркутск, 1978, 24с.

86. Мартынович Е.Ф, Барышников В.И, Григоров В. А, Щепина Л.И. / Миниатюрные лазерные элементы на ЦО с предельно низким порогом генерации // Квантовая электроника, 1988, Т. 15, № 1, с.47-50.

87. Лисицына Л.А, Кравченко В.А, Рейтеров В.М, Галанов Ю.И. / Механизм образования F2 центров в кристаллах LiF при импульсном облучении // Тезисы докладов Седьмой всесоюзной конференции по радиационной физике и химии неорганических материалов, Рига, 1989, с.248-249.

88. Nahum J, Wiegard D.A. / Optical properties of some F-aggregate centers // Phys. Rev, 1967, vol.154, № 3, p.817-830.

89.Адуев Б.П, Вайсбурд Д.И. / Образование F2 центров в кристаллах LiF при импульсном облучении плотными пучками электронов // ФТТ, 1981, т.23, №6, с.1796-1797.

90. Адуев Б.П, Вайсбурд Д.И. / Создание и разрушение F2+ центров в кристаллах LiF при импульсном облучении плотными пучками электронов // ФТТ, 1981, т.66, № 23, с. 1869-1871.

91. Адуев Б.П., Вайсбурд Д.И. / Исследование перескока дырок валентной зоны LiF при наносекундном облучении плотными пучками электронов // ФТТ, 1978, т.20, № 12, с.3739-3740.

92. Калинов B.C., Михнов С.А., Овсейчук С.И. / Изменение спектров поглощения у-облученных кристаллов фторида лития в области вакуумного ультрафиолета в зависимости от дозы облучения и последующих световых воздействий // Минск, 1987, Препринт, № 496.

93. Билан О.Н., Калинов B.C., Михнов С.А., Овсейчук С.И. / Спектры одновалентных центров окраски в кристаллах фторида лития и натрия // Оптика и спектроскопия, 1989, т.66, вып.2, с.312-316.

94. Михнов С.А., Калинов B.C., Овсейчук С.И. / Исследование ориентации поглощающих диполей в гамма облученных кристаллах фторида лития и натрия // Тезисы докладов, Седьмой всесоюзной конференции по радиационной физике и химии неорганических материалов, Рига, 1989.

95. Михнов С.А., Калинов B.C., Овсейчук С.И., Салтанов A.B. / Определение ориентации поглощения диполей в гамма облученных кристаллах фторида лития и натрия по исследованиям спектров поворота электрического вектора // Минск, Препринт, № 575.

96. Лисицына Л.А., Кравченко В.А., Рейтеров В.М. / Образование сложных электронных центров окраски в кристаллах LiF под действием импульсов электронов // ЖПС, 1989, т.50, с.658-664.

97. Лисицына Л.А. / Закономерности создания электронных центров окраски в кристаллах LiF при импульсном радиационном воздействии // Известия вузов, Физика, 1996, т.39, № 11, с.57-75.

98. Лисицына Л.А. / Механизм возбуждения радиолюминесценции ионизованных центров окраски в LiF // Международная конференция по физико-химическим процессам в неорганических материалах, Кемерово, 1998, с.135.

99. Алексеева Е.П., Соцердотова Г.П., Сидоровская Т.И. // Известия вузов, Физика, 1972, № 3, с. 149-151.

100. Барышников В.И., Колесникова Т.А., Квапил И. / Возбуждение люминесценции примесных ионов широкозонных кристаллов мощными электронными пучками и оптическими вспышками // ФТТ, 1994, т.36, № 9, с.2045.

101. Егранов A.B., Раджабов Е.А. / Спектроскопия кислородных и водородных примесных центров в ЩГК // Новосибирск, Наука, 1992.

102. Егранов A.B. / Водородные дефекты в кристаллах фторидов лития и натрия // Автореферат док. дис., Иркутск, 1997.

103. Константинова А.Ф., Улуханов И.Т., Еречушников Б.Н. / Дихроизм у-облучённых деформированных кристаллов LiF // Тезисы докладов Седьмой всесоюзной конференции по радиационной физике и химии неорганических материалов, Рига, 1989, с.257.

104. Щепина Л.И., Мартынович Е.Ф., Барышников В.И., Мунхогыйн Е, Колесникова Т.А. / Механизм образования F2 центров при облучении кристаллов фтористого лития сильноточными электронными пучками // ЖИС, 1989, т.51, депонирована в ВИНИТИ 20.04.89, № 2590-В89.

105. Барышников В.И., Колесникова Т.А. / Возбуждение собственных дефектов в ионных кристаллах мощными оптическими и электронными пучками // ФТТ, 1998, т.40, № 6, с.1030-1035.

106. Baryshnicov V.l., Kolesnikova Т.A., Harikawa О, Segawa Y / Laser media at lithium fluoride with super-high concentration of F2+ color centers // abstract'of international conference on tunable solid state lasers (TSSL,94), Minsk, 1994, p.22.

107. Барышников В.И., Мартынович Е.Ф. / Тушение люминесценции Г2 центров фторида лития, наведённых плотными пучками электронов //

Всесоюзная научная конференция «Физика диэлектриков». Баку, 1982, с.103-105.

108. Лобанов Б.Д., Максимова Н.Т., Титов Ю.М., Шуралёва Е.И. / Механизм оптического разрушения F и F2 центров в кристаллах LiF // Оптика и спектроскопия, 1987, т.62, в.6, с.1315-1319.

109. Lee R., Merklin J., Marrs D., Richter M. // Phys. St. Sol. (b), 1981, v.33, p.506-509.

110. Щепина Л.И., Лобанов Б.Д., Максимова Н.Т., Мыреева З.И. // Оптика и спектроскопия, 1986, т.60, в.З, с.402-403.

111. Мартынович Е.Ф. / Преобразование центров окраски и пространственные модуляционные явления в диэлектрических лазерных кристаллах // Докторская диссертация, Иркутск, 1991.

112. Ed. By W.B. Fowler / Physics of color centers // N.-Y., Academic Press, 1968, p.655.

113. Moyer A., Wood R.F. / Electronic structure of the M-center in LiCl and LiF //Phys. Rev., 1964, v. 133A, p. 1436-1440.

114. Baryshnicov V.l., Kolesnikova T.A., Dorohov S.V. / Formation and transformation of defects in LiF at powerful electron - beam and optical influence // Abstr., International conference EURODIM 98, Keele, (Great Britain), 1998.

115. Барышников В.И., Колесникова T.A., Дорохов C.B. / Преобразование центров окраски в LiF при мощном электронном и оптическом воздействии // Тезисы доклада, Школа-семинар по люминесценции и сопутствующим явлениям, Иркутск, 1998, с. 17-18.

116. Барышников В.И., Колесникова Т.А., Дорохов C.B. / Особенности преобразования дефектов в LiF при мощном электронном и оптическом воздействии // Тезисы доклада, Международная конференция по физико-химическим процессам в неорганических материалах, Кемерово, 1998, с.103-105.

117. Lord N.W. / M-center spin resonance and oscillator strength in LiF // Phys. Rev., 1957. v.106, p.1100-1110.

118. Пологрудов В.В. /взаимодействие пространственно разделённых точечных дефектов и «эксимероподобные» состояния в щелочных кристаллах // Автореферат док. диссертации, Иркутск, 1988.