Влияние рельефа подложек лейкосапфира на процессы роста эпитаксиальных пленок теллурида кадмия и частиц золота тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 01.04.18, кандидат физико-математических наук Муслимов, Арсен Эмирбегович

• Муслимов, Арсен Эмирбегович
• кандидат физико-математических наук
• 2012

Оглавление диссертации кандидат физико-математических наук Муслимов, Арсен Эмирбегович

ВВЕДЕНИЕ

ГЛАВА 1. СТРУКТУРИРОВАННЫЕ ПОДЛОЖКИ ЛЕЙКОСАПФИРА И НАНЕСЕНИЕ ПЛЕНОК НА НИХ. ЛИТЕРАТУРНЫЙ ОБЗОР

1.1. Создание регулярных структур на поверхности лейкосапфира

1.1.1. Структурированная поверхность кристаллов

1.1.2. Создание регулярных структур на поверхности лейкосапфира

1.2. Пленки теллурида кадмия на подложках лейкосапфира

1.3. Частицы золота на подложках лейкосапфира.

Оптические исследования Au/A 1203

1.3.1. Нанесение золота на подложки лейкосапфира

1.3.2. Оптические иследования частиц золота на лейкосапфире

ГЛАВА 2. ИССЛЕДОВАНИЕ ТОПОГРАФИИ И СВОЙСТВ ПОВЕРХНОСТИ МЕТОДАМИ АТОМНО-СИЛОВОЙ МИКРОСКОПИИ. ПОЛУЧЕНИЕ НАНО СТРУКТУРИРОВАННЫХ ПЛАСТИН ЛЕЙКОСАФИРА

2.1. Метод зондовой микроскопии

2.1.1. Описание приборов и их технические характеристики

2.1.2. Полуконтактная топография

2.2. Исследование покрытий методами зондовой

микроскопии

2.2.1. Метод фазового контраста

2.2.2. Спектроскопические методики

2.3. Получение наноструктурированной поверхности сапфировых пластин

2.3.1. Методы анализа статистических свойств поверхности

2.3.2. Сопоставление различных методик исследования

шероховатости

2.3.3. Получение наноструктурированных сапфировых

пластин

ГЛАВА 3. ПОЛУЧЕНИЕ И ИССЛЕДОВАНИЕ ПЛЕНОК ТЕЛЛУРИДА КАЛМИЯ

IVxlXliTl X JL/JL«

3.1. Получение пленок теллурида кадмия на подложках лейкосапфира,

обработанных механически и термически, в вакууме и на воздухе

3.2. Исследования эпитаксиального роста пленок методами дифракции быстрых электронов

3.3. Связь рельефа подложки и нанесенной пленки

ГЛАВА 4. ПОЛУЧЕНИЕ УПОРЯДОЧЕННЫХ АНСАМБЛЕЙ ЧАСТИЦ ЗОЛОТА И ИХ МОРФОЛОГИЧЕСКОЕ ОПИСАНИЕ

4.1. Получение упорядоченных ансамблей частиц золота

4.2. Развитие метода фазового контраста АСМ для диагностики наночастиц золота

4.3. Морфология упорядоченных ансамблей частиц золота, полученных

отжигом при различных температурах

ОСНОВНЫЕ ВЫВОДЫ ДИССЕРТАЦИИ

ПУБЛИКАЦИИ ПО МАТЕРИАЛАМ ДИССЕРТАЦИИ

СПИСОК ЛИТЕРАТУРЫ

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Влияние рельефа подложек лейкосапфира на процессы роста эпитаксиальных пленок теллурида кадмия и частиц золота»

ВВЕДЕНИЕ

Развитие микроэлектроники требует постоянного уменьшения размеров функциональных элементов и изделий. Переход к наноразмерам сопряжен со значительными технологическими трудностями, связанными, в частности, с процессами фотолитографии, где до сих пор используется видимый свет (с длиной волны порядка одного микрона). В настоящее время в этих процессах ценой значительных усилий удалось превзойти дифракционный предел, но перспективы дальнейшей миниатюризации не очевидны. Трудности возрастают, когда материалы, обладающие нужными электрическими и оптическими свойствами, различаются по параметрам кристаллической ячейки. Это значительно усложняет процессы эпитаксиального нанесения. Возможности использования графоэпитаксии (искусственной эпитаксии) [1] при этом ограничены, поскольку этот метод не позволяет пока получить элементы субмикронного размера. Применение методов ионного (или электронного) травления ограничено размерами обрабатываемых поверхностей - десятки или, в лучшем случае, сотни микрон. Одним из решений проблемы является использование наноструктурированной поверхности подложечных монокристаллов. Применение таких подложек могло бы стать весьма перспективным, в частности, для нанесения пленок полупроводниковых материалов с сохранением высокого структурного совершенства даже при сравнительно большом несоответствии параметров решёток (графоэпитаксия, реализованная на наноуровне). Кроме того, наноразмерный рельеф подложки можно использовать как эффективный шаблон для самоорганизации металлических нанокластеров [2], которые сегодня находят широкое применение в оптических устройствах [3-6]. Поэтому весьма актуальны исследования, связанные с созданием наноструктурированных подложечных монокристаллов и их использованием при эпитаксиальном наращивании полупроводниковых и металлических пленок.

Цель работы:

Исследование влияния рельефа наноструктурированных подложек лейкосапфира на процессы получения полупроводниковых и металлических пленок.

В соответствии с поставленной целью были решены следующие задачи:

1. Исследование процессов образования наноструктурированной поверхности монокристаллических подложек лейкосапфира.

2. Изучение влияния рельефа лейкосапфировых подложек на совершенство наносимых на них эпитаксиальных слоев теллурида кадмия.

3. Изучение условий создания золотых покрытий на поверхности наноструктурированных лейкосапфировых подложек.

Научная новизна работы

1. Впервые исследовано влияние внешних воздействий на процесс получения наноструктурированной поверхности монокристаллического лейкосапфира с заданным периодом и высотой ступеней.

2. Впервые проведены исследования эпитаксиального роста пленок теллурида кадмия на подложках лейкосапфира с наноструктурированной поверхностью. Обнаружен рост эпитаксиальных слоев высокой степени совершенства на ранних стадиях при наличии ориентированного нанорельефа поверхности подложек. Предложен возможный механизм роста и доказана связь рельефа поверхности подложки и растущего слоя.

3. Впервые получены наноансамбли частиц золота на структурированной подложке лейкосапфира. Выявлены морфологические

особенности формирования .таких ансамблей в зависимости от последующей температуры обработки.

4. Для визуализации наночастиц металла на поверхности диэлектрика с наноразмерным рельефом был развит метод фазового контраста атомно-силовой микроскопии.

Практическая значимость работы

Разработанный способ получения наноструктурированных подложек лейкосапфира и методика получения гетероэпитаксиальных пленок теллурида кадмия с узким переходным слоем 7 нм могут быть применены для создания высококачественных элементов для микроэлектроники. Разработанная методика, позволяющая идентифицировать наночастицы золота на лейкосапфире, в перспективе может применяться для фазового анализа низкоразмерных систем.

На защиту выносятся следующие положения:

1. Способ получения рельефных подложек лейкосапфира с заданными параметрами (период и высота ступеней) путем среза относительно базисной грани (0001) лейкосапфира, сверхгладкой химико-механической полировкой до значения шероховатости 0,2-0,3 нм и отжигом в интервале температур 1000-1400°С в течение 1 часа.

2. Результаты исследований эпитаксиального роста пленок теллурида кадмия на подложках лейкосапфира с наноструктурированной поверхностью (изучение механизма роста, обнаружение связи шероховатости поверхности пленки и растущего слоя), полученные с использованием методов зондовой микроскопии в совокупности с методами дифракции быстрых электронов.

3. Результаты экспериментов по формированию структурированных ансамблей наночастиц золота путем напыления тонких слоев золота на профилированные подложки лейкосапфира и дальнейшего термического отжига при различных температурах.

4. Идентификация наночастиц золота на рельефной поверхности лейкосапфира может быть осуществлена методом фазового контраста атомно-силовой микроскопии в совокупности с методами контактной атомно-силовой спектроскопии.

Достоверность результатов

Достоверность результатов и выводов диссертации обоснована воспроизводимостью результатов получения наноструктурированных подложек лейкосапфира с заданными параметрами (период и высота ступеней), воспроизводимостью процессов получения гетероэпитаксиальных пленок CdTe на подложках лейкосапфира, обеспеченной прецизионным контролем параметров проведения процессов (температура, давление), а также проведением экспериментов на сертифицированных приборах (использование зондовых микроскопов Solver PRO-M, Ntegra Aura), использованием комплекса программ обработки данных, входящих в программное обеспечение приборов.

Апробация работы

Основные положения диссертационной работы докладывались и обсуждались на: конференции ЕХМАТЕС 06, Испания, 14-17 мая 2006 г.; XIII Национальной конференции по росту кристаллов НКРК-2008, Москва, 17-21.11.2008.; Ежегодной конференции по актуальным вопросам теоретической и прикладной биофизики, физики и химии, БФФХ-2010, Севастополь. 2010; 10 th European Conference on Non-destructive Testing, Moscow, 2010, June 7-11; IV Всероссийском форуме студентов, аспирантов и молодых ученых "Наука и инновации в технических университетах", Санкт-Петербург, 25-28 сентября 2010 г.; IX Национальной конференции по росту кристаллов (НКРК 2010), Москва, 6-10 декабря 2010 г.; 5-м международном научном семинаре «Современные методы анализа дифракционных данных», 12-16 сентября 2011, Великий Новгород; VIII Национальной конференции "Рентгеновское, синхротронное излучение, нейтроны и электроны для

исследования наносистем и материалов. Нано-Био-Инфо-Когнитивные технологии", РСНЭ - НБИК 2011, Москва, 14-18 ноября 2011 г.

Личный вклад автора. Автором лично проведен обзор литературных источников и систематизированы данные по получению наноструктурированных кристаллов и нанесению на них полупроводниковых (Сс1Те) и металлических (Аи) пленок; проведены эксперименты по подбору параметров внешних воздействий для получения наноструктурированного монокристаллического лейкосапфира, исследованы условия роста пленок Сс1Те и режимов получения упорядоченных ансамблей наночастиц золота. Автором развита методика фазового контраста зондовой микроскопии, позволяющая контрастнее визуализировать наноразмерные объекты. Совместно с научным руководителем сформулирована цель работы, проведено обсуждение и обобщение полученных в диссертации данных, осуществлена интерпретация результатов.

Заключение диссертации по теме «Кристаллография, физика кристаллов», Муслимов, Арсен Эмирбегович

Основные результаты работы полностью отражены в следующих публикациях:

1. Муслимое А.Э., Волков Ю.О., Каневский В.М. и др. Применение различных методик атомно-силовой микроскопии для детальной диагностики золотых нанопокрытий на поверхности монокристаллического лейкосапфира. // Кристаллография.- 2011.- Т. 56. -N 3. - С. 545-554.

2. Прохоров И. А., Захаров Б. Г., Муслимое А.Э., Каневский В.М., Асадчиков В.Е. и др. Характеризация монокристаллических подложек лейкосапфира рентгеновскими методами и атомно-силовой микроскопией. // Кристаллография.- 2011.- Т. 56.- N 3. -С. 490-496.

3. Михайлов В.И., МуслимовА.Э., Каневский В.М. и др. Исследование молекулярно-лучевой эпитаксии теллурида кадмия на сапфире. // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования,-2011.-N 6,- С. 97-102.

4. KanevskyV.M., Muslimov А. Е. Growth, Structure, and Some Electrical Properties of Cadmium telluride Epitaxial Layers. Конференция EXMATEC 06, Испания, 14-17 мая 2006 г. Сб. тезисов. С.285.

5. Асадчиков В.Е., Благов А.Е., Муслимое А.Э. и др. Создание и исследование регулярных наноразмерных структур на поверхности кристаллов лейкосапфира и иттрий-алюминиевого граната. Тезисы докладов XIII Национальная конференция по росту кристаллов НКРК-2008, Москва, 1721.11.2008. С. 441.

6. Асадчиков В.Е., Буташин A.B., Каневский В.М, Муслимое А.Э. и др. Получение, исследование и испытание дифракционных решёток металлических нанопроводков на структурированной поверхности монокристаллического лейкосапфира. РСНЭ-НБИК 2009, Москва, 16-21 ноября 2009 г. Сб. тезисов. С. 121.

7. Коновко A.A., Андреев AB., Асадчиков В.Е., Муслимое А.Э., Рощин Б.С. и др. Разработка элементов для управления электромагнитным излучением в широком диапазоне энергий на базе оксидных соединений. Сборник тезисов итоговой конференции по результатам выполнения мероприятий ФЦП «Исследования и разработки по приоритетным направлениям развития научно - технологического комплекса России на 2007-2012 годы» за 2009 г. Москва, 15-16 февраля 2010 г. С.15.

8. Асадчиков В.Е., Буташин A.B., Волков Ю.О., Каневский В.М., Муслимое А.Э., Рощин Б.С., Коновко A.A., Шкуринов А.П., Смирнов И.С. Получение, микроскопические и оптические исследования наноструктурированных подложек лейкосапфира и нанесенных металлических покрытий. БФФХ-2010, Севастополь, 2010. Сб. тезисов. С. 26.

9. Asadchikov V.E., Muslimov А.Е. Investigatin of nanoscale profile of dielectric surface with the use of x-ray scattering technique. 10 th european conference on non-destructive testing. Moscow, 2010, june 7-11. P. 300.

10. Асадчиков B.E., Волков Ю.О., Каневский B.M, А.Э.Муслимое. Получение наноструктур Au на поверхности монокристаллического лейкосапфира и их диагностика методами АСМ. Тезисы докладовГУ Всероссийского форума студентов, аспирантов и молодых ученых. Санкт-Петербург, 25-28 сентября 2010 г. С. 235.

11. Михайлов В.И., Буташин A.B., Муслимое А.Э. и др. Особенности роста тонких пленок CdTe на подложках (0001) AI2O3. Тезисы докладов XIV Национальной конференции по росту кристаллов{НКРК 2010). Москва, 6-10 декабря 2010 г. С. 51.

12. Муслимое А.Э., Каневский В.М., Асадчиков В.Е. и др. Получение и исследование структурированной поверхности лейкосафпира. Труды 5-го международного научного семинара «Современные методы анализа дифракционных данных» Великий Новгород, 12-16 сентября 2011г. С. 163.

13. Муслимое А.Э. Каневский В.М., Асадчиков В.Е. и др. Применение наноструктурированных подложек лейкосапфира для получения регулярных металлических наноструктур. Пятый Всероссийский форум студентов, аспирантов и молодых ученых «Наука и инновации в технических университетах». Санкт-Петербург, 27 сентября-1 октября 2011г. Сб. тезисов. С. 165

14. Муслимое А.Э., Каневский В.М., Асадчиков В.Е. и др. Линейные наноструктуры золота на поверхности лейкосапфира: АСМ и оптические исследования. Тезисы докладов VIII Национальной конференции "Рентгеновское, синхротронное излучение, нейтроны и электроны для исследования наносистем и материалов. Нано-Био-Инфо-Когнитивные технологии". РСНЭ - НБИК 2011. Москва, 14-18 ноября 2011 г. С. 185.

15. Михайлов В.И., Муслимое А.Э., Каневский В.М. и др. Программа обработки электронограмм для установки молекулярно-лучевой эпитаксии. VIII Национальная конференция "Рентгеновское, синхротронное излучение, нейтроны и электроны для исследования наносистем и материалов. Нано-Био-Инфо-Когнитивные технологии". РСНЭ - НБИК 2011. Москва, 14-18 ноября 2011 г. Сб. тезисов. С. 255.

Список литературы диссертационного исследования кандидат физико-математических наук Муслимов, Арсен Эмирбегович, 2012 год

СПИСОК ЛИТЕРАТУРЫ

1. 1. Шефталъ H.H. Искусственная эпитаксия - Диатаксия (графоэпнтаксня). Материалы электронной техники, ч. 1 - Физико-химические принципы методов синтеза, Новосибирск: Наука, 1983.- С. 83102.

2. Суздалев И.П. Нанотехнология: физико-химия нанокластеров, наноструктур и наноматериалов. Серия "Синергетика: от прошлого к будущему", Москва, 2006.- С. 592.

3. Bennewitz R. II J. Phys. Condens. Matter. - 2006. - V.18. - P.417.

4. Son J., Lim S., Cho J„ Seong W., Kim H. // Appl. Phys. Lett. - 2008. -P. 93.

5. Sakata О.,. Soon J, Matsuda A., Akita Y., Yoshimoto М.П Appl. Phys. Lett. -2008.-P. 93.

6. Joselevich E. II NanoRes. - 2009. -Vol. 2. - P. 743.

7. Хайдуков E. В., Храмова О. Д., Рочева В. В., Зуев Д. А., Новодворских^ О. А., Лотин А. А., Паршина Л. С., Поройков А. Ю., Тимофеев М. А., Унтила Г. Г. Лазерное текстурирование кремния для создания солнечных элементов. // Приборостроение.- 2011 г. - № 02. - С.26-32.

8. http://www.ntmdt.com. Сайт компании NT-MDT производителя зондовых микроскопов

9. Дунаевский М.С., Макаренко КВ., Петров В.Н., Лебедев A.A., Лебедев С.П., Титков А.Н. Применение структурированных атомными ступенями поверхностей 6H-SiC (0001) для калибровки наноперемещений в сканирующей зондовой микроскопии. // ПЖТФ.- 2009.- Т. 35.- № 1. - С.98-104.

10. Гомоюнова М.В., Пронин И.И., Петров В.Н., Титков А Л/. Взаимодействие атомов железа с поверхностью кремния, покрытого слоем естественного окисла. // Журнал технической физики. - 2009. - Т. 79. -№8. -С. 124-128.

11. BethgeH. II Surf. Sei.- 1964.-№3.-Р. 33.

12. Sugawara A and Мае К. II Surf. Sei.- 2004.-№ 7.. р.211.

13. Sugawara A, Hembree G and Scheinfein MM J. Appl. Phys. -1997.-№ 82 P.5662.

14. Sugawara A and Mae K// J. Cryst. Growth.-2002.- №2.-P.237-239.

15. Sugawara A and Мае К1/ J. Vac. Sci. Technol. -2005. -№. 23-P. 443.

16. Sugawara A, Coyle T, Hembree G and Scheinfein M. // Appl. Phys. Lett. -1997. -№5 -P. 1043.

17. Westphalen A, Zabel H and Theis-Brohl KM Thin Solid Films.- 2004.449 207-14.

18. Oster J, Kallmayer M, Wiehl L, Elmers H, Adrian H, Porrati F and Huth MM J. Appl. Phys.- 2005. 97 14303.

19. Lin J L, Petrovykh D, Kirakosian A, Rauscher H, Himpsel F and Dowben PM Appl. Phys. Lett.- 2001.-№ 31,- P.78.

20. Huth M., Ritley K., Oster J., Dosch H. and Adrian HM Adv. Funct. Mater. -2002.-№ 12 -P.333.

21. Асадчиков B.E., Буташин A.B., Волков Ю.О. и др. // Зав. Лаб.- 2008. -№Ю.-С. 21.

22. Разработка технологий выращивания крупногабаритных монокристаллов со структурой граната для применения в оптоэлектронике и лазерной технике.: Технологическая документация АБШВ 10.00.000 / Институт кристаллографии РАН (ИК РАН); ГК от 13.05.2005 г. № 02.447.11.2001; Руководитель Каневский В.М.- Per. Номер 13243.6904008332.06.1.001.6.-М. -2006.

23. Shiratsuchi Y., Yamamoto М., Kamada Y. Surface structure of self-organized sapphire (0001) substrates with various inclined angles // Japanese J. Applied Physics. - 2002. - V. 41. - P. 5719-5725.

24. HeffelfingerJ.R., CarterC.B. Mechanism of surface faceting and coarsening // Surf. Sci. - 1997. - V. 389. - P. 188-200.

25. Ismach A., Kantorovich D., Joselevich E. Carbon nanotube graphoepitaxy: highly oriented growth by faceted nanosteps // J. Am. Chem. Soc. - 2005. - V. 127.-P. 11554-11555.

26. Cui J., Sun A., Reshichkov M., et. al. Preparation of sapphire for high quality Ill-nitride growth // MRS Internet J. Nitride Semicond. Res. - 2000. - V. 5. - P. 713.

27. Kurnosikov O., Pham Van L., Cousty J. About anisotropy of atomic-scale height stepon (0001) sapphire surface // SurfaceScience. - 2000. - V. 459. - P. 256264.

28. Yoshimoto M., Maeda T., Ohnishi T., et. al. Atomic-scale formation of ultrasmooth surfaces on sapphire substrates for high-quality thin-film fabrication // Appl. Phys. Lett. - 1995. - V. 67. - P. 2615-2620.

29. Данько А.Я., Ром M.A., Сиделъникова H.С. и др. Трансформация приповерхностного слоя сапфира в результате высокотемпературного отжига в восстановительной среде // Поверхность. Рентгеновские синхротронные и нейтронные исследования. - 2005. - №11. - С. 85-88.

30. Van L. P., Kurnosikov О., Cousty J. Evolution of step on vicinal (0001) surfaces of a-alumina // Surf. Sei. - 1998. - V. 411. - P. 263-271.

31. Lintz M., Bouchiat M.-A. Oservation of the diffraction of helium-neon laser beam on the monoatomic steps of vicinal sapphire surface // Surf. Sei. - 2002. - V. 511.-P. L319-L324.

32.MaruyamaK., YoshikawaM.,TakigawaH.il J. Cryst. Growth. -1988. -V. 93.- P. 761.

33. Xin Y., Browning N.D., Rujirawat S., et al. II J. Appl. Phys.- 1998.- V. 84. -№8.-P. 4292.

34. Zuniga-Perez J., Tena-Zaera R., Munoz-Sanjose V.II J. Cryst. Growth. 2004.- V. 270.-P. 309.

35. Sorgenfrei R., Greiffenberg D., Bachem K.H., et al. II J. Cryst. Growth. 2008.-V. 310.-P. 2062.

36. Neretina S., Hughes RA., Britten J.F., et al. II Appl. Phys.A. -2009. -V. 96. - P. 429.

37. Беляев А.П., Рубец В.П., Калинкин И.П. Механизмы гетероэпитаксиального роста тонких пленок теллурида кадмия в тепловом

поле градиента температуры. // Физика твердого тела - 2001. Т.43.- №. 4.-С. 43.

38. Беляев А.П., Рубец В.П., Калинкин И.П. Сравнительный анализ начальных стадий роста эптиксиальных пленок теллурида кадмия на нагретых и охлажденных подложках // Неорган, материалы. -1998.-Т. 34.- № 3. - С. 283-287.

39. Sorgenfrei, R. Greiffenberg, D.Fiederle, МЛ J. Cryst. Growth- 2008,-№310.-P. 2062.

40. БайдулаеваА.,ВласенкоА.К, МозолъП.Е, СмирновА.Б.П ФТП.- 2001-№ 35, С. 745-748.

41. Байдулаева А., Власенко А.И., Мозоль П.Е., Смирнов А.Б., ЛомовцевА.ВЛФТП.- 2004.-№38.- вып.1.- С. 26.

42. И.В.Сабинииа, А.К.Гутаковский, Ю.Г. Сидоров, В.С.Варавин, М.В.Якушев, А.ВЛатышев. Наблюдение антифазных доменов в пленках CdxHgl-xTe на кремнии методом фазового контраста в атомно-силовой микроскопии. - Письма в ЖЭТФ.-2005.- т.82. вып.5.-С.326-330.

43. ZhangR., Bhatl.B. Atomic Force Microscopy Studies of CdTe Films Grown by Epitaxial Lateral Overgrowth.//Journal of Electronic Materials, 1998. -№30,- P.1370-1376

44. Kreibig U., Vollmer M. Optical Properties of Metal Clusters. Berlin: Springer Verlag. -1995.

45. Haglund Jr. R.F., Yang L., Magruder R.H. et al. II Nucl.Instr. Meth. B.-1994. -Vol. 91.-P. 493-504.

46. Дистлер Г.И., Лебедева B.H., Москвин В.В. Визуализация центров окраски щелочно-галоидных кристаллов. ФТТ. -1968. -Т. 10. -№11. - С. 34893491.

47. Шулимович Т. В., Наслузова О. К, Шор А. М., Наслузова В.А.,. Рубайло А. И. Квантово-химический расчет структуры и энергии нуклеации наноразмерных кластеров золота на поверхности а-А1203(0001) Journal of Siberian Federal University. Chemistry.- 2008.-№l.-P. 71-79

48. Haruta M., Tsubota S., Kobayashi Т., Kageyama M., Genet M.,Delmon B. Low-temperature oxidation of CO over gold supported on Ti02, Fe203 and Co304 // J. Catal. - 1993. - V. 144. - № 1-2.-P. 175-192.

49. Bond G.C., Thompson D.T. Catalysis by gold .Catal. Rev. Eng.Sci. - 1999. -V. 41.-№ 1.-P. 319-388.

50. Лундин В.В.,Заеарин E.E., Сиинщын M.A.,Николаев А.Е.,Лундина Е.Ю., Сахаров A.B., Трошков С.И.,Цацулъников А. Ф. InGaAIN гетеростркутуры для светодиодов выращенных напрофилированных сапфировых подложках. Письма в ЖТФ. -2008.- том 34,-вып 21.- С.39-45.

51. АА.Коновко И Письма в ЖЭТФ, т.92, вып. 11, с. 823-826.

52. Нио Z, Tsung СК, Huang W, Zhang X, Yang P. Sub-two nanometer single crystal Au nanowires. Nano Lett.-2008. -Vol. 8 -№ 7.- P.2041-2044.

53. Anghinolfi L., Moroni R., Mattera L., Сапера M., and BisioF. Flexible Tuning of Shape and Arrangement of Au Nanoparticles in 2-Dimensional Self-Organized Arrays: Morphology and PlasmonicResponse J. Phys. Chem. -2011.-Vol. 115.- Issue 29.-P. 14036-14043.

54. Tanahashi 1., Inouye H., Mito A. Effect of Dielectric Matrices on Femtosecond Nonlinear Optical Properties of Au/Dielectric Composite Thin Films Journal of the Ceramic Society of Japan Vol.-2003,-№. 1292 .-P.288-290.

55. E.B. Kaganovic et al. II Ukr. J. Phys. -2009. -V. 54.- N 6 .- P.621-626

56. Степанов А.Л., Marques C., Alves E., Silva M.R., Ганеев PA., Ряснянский А. И., Усманов Т. Нелинейно-оптические свойства наночастиц золота, синтезированных в сапфире ионной имплантацией.// Письма в ЖТФ.-2005.-том 31.-вып. 16.- С 59-66.

57. Cárdenas-Lizana F, Gómez-Quero S, Keane M.A.Exclusive production of chloroaniline from chloronitrobenzene over Au/ТЮг and Аи/А12Оз. // Chem Sus Chem.- 2008.-№ 1.-P.215.

58. Arrii S., Morfin F., Renouprez S.J., Rousset J.L.I I J. Am. Chem. Soc.- 2004-№ 126.-P. 1199.

59. Schubert M.M., Plzak V., Garche J., Behm R.J. // Catal. Lett. - 2001,- № 76.-P.143.

60. Лозовская E. Атомно-силовая микроскопия. // Наука и жизнь.№1, 2004г. С. 56.

61.Суслов А. А., Чижик С. А. Сканирующие зондовые микроскопы (обзор) // Материалы, Технологии, Инструменты. Т.2 (1997), № 3, С. 78-89.

62. Быков В.А. Приборы и методы сканирующей электронной микроскопии для исследования и модификации поверхностей. Докторская диссертация. Москва. - 2000. - 393 с.

63. DurigU., GimzewskiJ. К., PohlD. W. //Phys. Rev. Lett. -1986.-№ 57, P.2403

64. Magonov S.N., Whangbo M-H. Surface analysis with STM and AFM: experimental and theoretical aspects of image analysis. WeinHeim; New York; Basel; Cambridge; Tokyo: VHC.- 1996.-P. 318.

65. Яминский И.В., Еленский В.Г. Сканирующая зондовая микроскопия: библиография (1982-1997). М.: Научный мир.- 1997. -318 с.

66. Martin Y., Williams С. С. and Wickramasinghe Н. К. Atomic force microscope-force mapping and profiling on a sub 100-A scale.// J. Appl. Phys., -1987.-№61.-P. 4723-4729.

67. Meyer G., Amer N.M. Erratum: Novel optical approach to atomic force microscopy.// Appl. Phys. Lett. -1988.- № 53.- P. 2400 - 2402.

68. Hudlet S., Saint Jean M., Guthmann C., Berger J. II European Phys. J. B. -1998. -V. 2. -№ l.-P. 5.

69. ДедковГ.В., ДедковаЕ.Г.,ТегаевР.К, ХоконовХ.Б. II Письма в ЖТФ. -2008.-Т. 34. -№ 1.-С. 38.

70. Дедков В. Г., Дедкова А. Г. II Письма в ЖТФ. -2010. -Т. 36,- № 3.- С. 76.

71. Дедков Г.В., Тегаев Р.И., Дедкова Е.Г. II Нано- и микросистемная техника.- 2007. -Т. 2. - С. 8.

72. SaderJ. Е. // J. Appl. Phys. -1998. -V. 84. - P. 64.

73. Виноград о в А. В., Кожевников И.В. Отражение и рассеяние рентгеновского излучения от шероховатых поверхностей, Труды ФИАН. -1989.-№ 196.- С. 18-46.

74. Palasantzas G. Roughness spectrum and surface width of self-affine fractal surfaces via the K-correlation model. //Phys. Rev. В - 1993. - Vol. 48. - N. 19. P. 14 472-14 478.

76. Борн M., Вольф Д. Основы оптики - М., Наука, 1973. - 720 с.

77. Виноградов А.В., Брытов И.А., ГрудскийА.Я. и др.; под общей редакцией Виноградова А.В. Зеркальная рентгеновская оптика - Л.: Машиностроение. 1989 - 463с.

78. ВиноградовА.В., Кожевников И.В. Рентгеновское рассеяние на слабошероховатых поверхностях // Труды ФИАН.— 1989.— Т. 196.— С. 31.

79. Asadchikov V.E., Kozhevnikov I. V., KrivonosovYu.S., Mercier R., Metzger Т.Н., Morawe C., Ziegler E. Application of X-ray scattering technique to the study of supersmooth surfaces. // Nuclear Instruments and Methods in Physics Research. Section A: Accelerators, Spectrometers, Detectors and Associated Equipment. 2004,- T. 530. - № 3.- C. 575-595.

80. Буташин A.B., Каневский В.M., Семенов В.Б.,. Федоров В.А, Занавескин М.Л.. Контейнер для отжига оксидных монокристаллов // Патент на полезную модель №73877. Дата регистрации 10.06.2008 г. Заявка № 2007146175/22(050606) от 13.12.2007. Положительное решение от 17.01.2008 г.

81. Godin Т. J., LaFemina J. P. // Phys.Rev. В. - 1994.- V. 49,- №11.- P. 7691.

82. Renaud G., Villete В., Vilfan I., Bourret A.I I Phys. Rev. Lett. - 1994.- V. 73. № 13.-P. 1825

83. Wang J., Howard A., EgdellR.G., et. al. // Surface Science. -2002. -V. 515. -P. 337.

84. Данько А.Я., Ромм M. А., Сиделъникова H.C., и др. //Поверхность. 2055. № 11. С. 85;S.G. Kim and J.S. Yang // Jour. Amer. Ceram. Soc. -2006.-V. 89,- P. 3194.

85. Kudoyarova V.Kh., Kozyukhin S.A., Tsendin K.D. et al. 11 Inorg. Mater. -2006,- V. 42.- № 8,- P. 850.

86. Goldstein J.I., Newberry D.E., Echlin P. et al. Scanning electron microscopy and X-ray microanalysis. N.Y.; Dordrecht; London; Moscow: Kluwer Academic/Plenum Publisher,- 2003.

87. Gavrilov G., Krivchitch A., Lebedev V. II Nucl. Instruments and Methods in Phys. Res. A.- 2003.-V. 515.-№ 1-2.- P. 108.

88. Михайлов В. И., Поляк Л. Е., КаневскийВ. М. Масс-спектрометрическое исследование кинетики молекулярно-лучевой эпитаксии CdTe. Часть I: Cd, Те[2], CdTe // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. - 2007. - N 6. - С.53-58.

89. Рабаданов М.Х., Верин И.А., Иванов Ю.М., Симонов В.И. Кристаллография. -2001.- Т. 46.- № 4.- С. 703-709.

90. Renaud G., Villete В., Vilfan I., Bourret А. II Phys. Rev.Lett.- 1994. -V. 73. -№ 13.-P. 1825.

91. Godin T.J., LaFemina J.P. II Phys. Rev. B. - 1994,- V. 49.-№ 11.- P. 7691.

92. Neretina S., Hughes R.A., Britten J.F. et al. II Appl. Phys.A. - 2009. -V. 96. -P. 429.

93. Витковский В.Э., Федорук М.П. //Вычислительные технологии. -2008. -Том 13. - № 6. - с.40-49

94. Азарова В.В., Занавескин М.Л., Занавескина И.С., Рощин Б.С., Асадчиков В.Е., Кожевников ИВ., Грищенко Ю.В., Толстихина А.Л. Исследование шероховатости поверхности методами атомно-силовой микроскопии, рентгеновского рассеяния и дифференциального рассеяния света. // Вестник московского университета. Серия 3. Физика. Астрономия. -2006.-№3.-с. 80-82,

95. Палатник Л. С., Фукс М.Я., Косевич В.М. Механизм образования и субструктура конденсированных пленок. - М.: Наука, 1972. - 320 с

96. Дистлер Г.И., Власов В.П., Герасимов Ю.М. и др. Декорирование поверхности твердых тел. М.: Наука, 1976.-111 с.

97. Власов В.П., Каневский В.М. Электронно-микроскопические исследования эволюции ориентации первичных микрокристаллов при вакуумном осаждении Au, Ag, AgCl на поверхности (100) щелочногалоидных кристаллов.//Поверхность.-2002.- №10.- С.26.

98. Власов В.П., Пикин С.А. Критическая переориентация кристаллических зародышей, растущих на анизотропной поверхности. // Кристаллография. -1992. -Т. 37. -Вып. 5.- С. 1303.

99. Тихое C.B., Шенгуров В.Г., Павлов Д.А., Шиляев //.^.//Физика твёрдого тела.Вестник Нижегородского университета им. Н.И. Лобачевского. -2010.-№ 2 (1). - с. 60-65.

100. Прохоров И. А., Захаров Б. Г., Асадчиков В. Е, Буташин А. В., Рощин Б. С., Каневский В.М. и др. Характеризация монокристаллических подложек лейкосапфира рентгеновскими методами и атомно-силовой микроскопией.// Кристаллография.- 2011.- том 56.- № 3.- С. 490-496.

101. Асадчиков Виктор Евгеньевич. Рентгенооптические методы - полное внешнее отражение с учетом рассеяния и микроскопия - в анализе границ раздела конденсированных фаз : Дис. ... д-ра физ.-мат. наук : 01.04.18 : Москва, 2003-311 с.

102. Hwang Е., Smolyaninov I, Davis С. //Nano Lett. - 2010.- № 20.- P. 813.

103. Ченг JI., Плог К. Молекулярно-лучевая эпитаксия и гетероструктуры. М., Мир, 1989 г.- 600 с.

104. Каштанов П.В., Смирнов Б.М., Хипплер P. I/ УФН. -2007.- Т. 177.- № 5. -С. 473.

105. Bassett G.A. Il Philos. Mag.- 1958.- V. 3,- № 33.- P. 1042.

106. Pashley D. W. //Adv.Phys.- 1965.-V. 14,-№ 55,-P. 327.

107. Chopra K.L. Il J. Appl. Phys. -1966. -V. 37. - P. 2249.

108. Дистлер Г.И., Власов В.П. II Кристаллография. -1969.- T. 14.- Вып. 5. -С. 872.

109. Буханъко Н.Г., Казакова Е.Ф., Соколовская Е.М. II Вестн. МГУ. Серия 2. Химия. -2002. -Т. 43.- № 1. - С. 51.

110. GoldsteinJ.I., NewberryD.E.,EchlinP. Etal. Scanning electron microscopy and X-ray microanalysis. N.Y.; Dordrecht; London; Moscow: Kluwer Academic/ Plenum Publisher. - 2003.

111. Gavrilov G., Krivchitch A., Lebedev V. II Nucl. Instruments and Methods in Phys. Res. A.- 2003.-V. 515.- № 1-2. - p. 108.

112. Kudoyarova V.Kh., Kozyukhin S.A., Tsendin K.D. et al. 11 Inorg. Mater. -2006. -V. 42.- № 8,- P. 850.

113. Панин A.B., Шугуров A.P., Ивонин КВ., Шестериков Е. В. II Физика и техника полупроводников.- 2010.- Т. 44. -№ 1.- С. 118.

114. Дунаевский М.С., Grob J J., Забродский А.Г., Laiho R., Крыжановский A.K., Титков А.Н. ACM визуализация нанокристаллов81 в термическом окисле Si02 с помощью селективного травления.// ФТП.- 2004.- том 38.-вып.11,- с. 1294-1300.

115. Щеглов Д.В., Латышев А.В. // ЖЭТФ. -2008. -Т. 133,- № 2. - С. 271.

116. TamayoJ., GarciaR. II Appl. Phys. Lett.- 1997. -V. 71. -№ 18,- P. 2394.

117. SalapakaM. V., ChenD.J., ClevelandJ.P. II Phys. Rev. В.- 2000. -V. 61.- № 2.-P. 1106.

118. Cleveland J.P.,Anczykowski В., Schmid A.E., Elings KB. II Appl. Phys. Lett. - 1998. - V. 72.- № 20.- P. 2613.

119. Anczykowski В., Gotsmann B.,Fuchs H. et al. II Appl. Surf. Sci. -1999.-V. 140. -P. 376.

120. Garcia R., Tamayo J., San Paulo A. II Surf. Interface Analysis.- 1999. -V. 27.-P. 312.

121. Занавескин М.Л. Атомно-силовая микроскопия в исследовании шероховатости наноструктурированных поверхностей. Дис. канд. физ.-мат. наук. М., ИК РАН, 2008.-133с.

122. Дедков Г.В., Дедкова Е.Г., Карамурзов Б.С. и др. II Поверхность. -2007. -Т. 6,-С. 93.

123. Л. С. Палатник, И.И. Папиров. Эпитаксиальные пленки. М.: Наука, 1971.- 480 с.