Влияние примесей воздушной среды на диффузионные процессы и адгезию в системе металлический конденсат/кристалл галогенида тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 01.04.07, кандидат физико-математических наук Столярова, Сара Вольфовна

• Столярова, Сара Вольфовна
• кандидат физико-математических наук
• 1984

Оглавление диссертации кандидат физико-математических наук Столярова, Сара Вольфовна

Введение.

Глава I. СОВРЕМЕННОЕ СОСТОЯНИЕ ВОПРОСА. II

1.1. Влияние окружающей среды на диффузионные процессы в тонкопленочных системах.

1.2. Влияние окружающей среды на адгезию тонкой пленки ас подложке.

1.3. Постановка проблемы.

Глава 2. ИССЛЕДОВАНИЕ ВЛИЯНИЯ ВОЗДУШНОЙ АТМОСФЕРЫ И ЕЕ ОТДЕЛЬНЫХ КОМПОНЕНТОВ И ПРИМЕСЕЙ НА ФИЗИКО-ХИМИЧЕСКИЕ ПРОЦЕССЫ В СИСТЕМЕ КОНДЕНСАТ СЕРЕБРА/БРОМИСТО-ЙОДИСТЫЙ ТАЛЛИЙ

2.1. Методика получения объектов исследования - ювенильных контактов серебра с бромисто-йодистым таллием

2.2. Исследование изменений внешнего вида системы Aj/TCBr-Tf?I

2.3. Исследование влияния воздушной среды на диффузионные процессы в системе методом послойного оже-электронного анализа.

2.4. Исследование влияния газовых сред на электрическое сопротивление конденсата серебра на бромистойодистом таллии

2.4.1. Методика измерения электрического сопротивления металлических конденсатов in bitvu

2.4.2. Измерение электросопротивления конденсатов серебра на Т£Вг-Т£ в вакууме.

2.4.3. Измерение электросопротивления конденсатов серебра на Т£Вг-Т£ на воздухе.

2.4.4. Измерение электросопротивления конденсата серебра на Т£Вг-Т£ в газовых средах - компонентах воздуха.

2.4.5. Определение коэффициента диффузии Á<j в кристалл методом электросопротивления.

2.5. Электронномикроскопические наблюдения внешней поверхности образца и зоны контакта конденсата с кристаллом

Глава 3. ОПИСАНИЕ АТМОСФЕРНО-ИВДУЦИРОВАННЫХ ПРОЦЕССОВ В СИСТЕМАХ МЕТАЛЛИЧЕСКИЙ КОНДЕНСАТ - ГАЛОГЕНИД.

3.1. Модель атмосферно-индуцированной диффузии в системе üg/TEBr-Ttl

3.2. Распространение предложенной модели атмосферно-индуцированных процессов на другие системы металл/галогенид .НО

3.3. Влияние подготовки поверхности кристалла на развитие атмосферно-индуцированных процессов.

3.3.1. Роль чистоты поверхности в атмосферно-индуцированном старении.

3.3.2. Влияние обработки поверхности кристалла в плазме тлеющего разряда на интенсивность атмосферно-индуцированных процессов.

Глава 4. ВЛИЯНИЕ АТМОСФЕРНО-ИНДУЦИРОВАННЫХ ПРОЦЕССОВ НА АДГЕЗИЮ МЕТАЛЛИЧЕСКИХ КОНДЕНСАТОВ К БРОМИСТО-ЙОДИСТОМУ ТАЛЛИЮ.

4.1. Методика измерения адгезии металлических конденсатов к галогенидам.

4.2. Влияние воздушной атмосферы на адгезию серебра к ювенильной поверхности бромисто-йодистого таллия.

4.3. Определение энергии активации процесса нарушения адгезии АукШг-Ш

4.4. Влияние воздушной атмосферы на адгезию никеля к бромистойодистому таллию

4.5. Влияние промежуточных слоев на развитие атмосферно-индуцированных процессов.

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Влияние примесей воздушной среды на диффузионные процессы и адгезию в системе металлический конденсат/кристалл галогенида»

Одним из фундаментальных вопросов физики твердого тела является контактное взаимодействие поверхностей тел различной пророды и влияние на это взаимодействие различных внешних факторов, в частности, окружающей газовой среды. Этот вопрос представляет особый интерес, когда одним из контактирующих тел является тонкая твердая пленка, поскольку вследствие ее малой толщины и высокой структурной дефектности влияние окружающей среды на взаимодействие пленки с поверхностью твердого тела проявляется наиболее явно и может обладать рядом особенностей.

Исследование воздействия внешней среды на системы пленка/ подложка не только интересно в научном плане, но и важно в практическом отношении в связи с необходимостью использования таких систем, и в особенности контактов металлических пленок с неметаллическими кристаллами в современном приборостроении. Однако, серьезной проблемой, ограничивающей их применение, является неустойчивость параметров контакта, и прежде всего, ослабление прочности адгезии мшенки к кристаллу. Как показано для некоторых систем металл/полупроводник, в основе деградации адгезионных, электрических и других свойств контакта лежит развитие диффузионных процессов и химических реакций между пленкой и основой, которое в свою очередь может существенно стимулироваться отдельными компонентами окружающей среды. Системы металлическая пленка/кристалл галогенида в этом отношении не изучены. Вместе с тем, именно эти системы, в особенности, контакты металлов с галогенидами таллия являются одними из наиболее перспективных материалов для использования в качестве функциональных элементов приборов акустооптики и оптоэлектроники, одним из условий работоспособности которых является прочная адгезия на контакте.

Исходя из вышеизложенного, целью настоящей работы являлось исследование влияния воздушной атмосферы и ее отдельных компонентов и примесей на физико-химические процессы и адгезию на исходно ювенильном контакте металлический конденсат/кристалл галогенида.

Основным объектом исследования была выбрана система конденсат серебра/кристалл бромисто-йодистого таллия. Выбор системы лд /тевг-тп был обусловлен использованием серебра как материала для проводящих контактов и тем обстоятельством, что бромисто-йодистый таллий, обладая уникальными оптическими и акустическими свойствами, находит наиболее широкое применение среди галогенидов, и кроме того, является интересным модельным объектом физики твердого тела.

Закономерности, полученные в системе Дд/ТРВг-ТРТ проверялись на ряде других подобных систем: / В Г ,

Си/сяI , N1 /тевг-те1, Со/тевг-т?! ,

Лд/ТЕСЕ , -Яд / Т1Х , выбранных произвольно и обработанных согласно предложенным в данной работе критериальным оценкам с целью доказательства общности результатов.

Поставленная цель диссертационной работы определила следующие конкретные задачи:

I. Исследовать влияние воздушной атмосферы и ее отдельных компонентов и примесей на диффузионные процессы и электрические свойства конденсата в системе Яд /ТРВГ~Т£1 и других системах металл/галогенид.

2. Исследовать адгезию Ад И Ж К ТеВг-ТС1 в вакуумных и атмосферных условиях и ее связь с атмосферно-индуциро-вэнными процессами.

3. Исследовать интенсивность атмосферно-индуцированных процессов деградации при различных уровнях чистоты и методах подготовки адгезионных поверхностей кристалла, в том числе, для контактов, близких к атомарно-чистым.

4. Разработать физическую модель влияния воздушной среды на адгезию и физико-химические процессы в системах металл/га-логенид и критериальные оценки существования атмосферно-инду-цированных процессов в этих системах.

Для решения поставленных задач были проведены комплексные исследования физико-химических процессов при старении систем металл/галогенид. Изучались диффузия, электрические свойства, фазовый состав, структура и адгезионная прочность систем в вакууме, на воздухе и в средах 0 2. , Кг , СО2 ,

СО , С2Н2, М, СЕ г э Н^З с использованием методов электроннойоже-спектроскопии, рентгеновского фазового анализа, инфракрасной спектроскопии, электронной микроскопии, измерения электросопротивления металлической пленки и ее адгезионной прочности на отрыв.

При этом методической особенностью работы являлось проведение исследований на близких к атомарно-чистым контактах металлических пленок с галогенидом, что в совокупности с комплексом использованных экспериментальных методов обеспечило достоверность полученных результатов.

Диссертация состоит из введения, четырех глав и заключения.

Заключение диссертации по теме «Физика конденсированного состояния», Столярова, Сара Вольфовна

Основные результаты диссертационной работы опубликованы в 10 печатных работах, цитированных в списке литературы под номерами 132-139, 172, 173, и доложены на Всесоюзной конференции "Новые физические принципы в аналитическом приборостроении" (Киев, 1980), П Республиканской конференции по электронной микроскопии и вопросам прогнозирования (Кишинев, 1981), Республиканском семинаре "Послойный анализ и свойства поверхности твердых тел" (Киев, 1981), Ш научно-технической конференции по вакуумной металлизации (Рига, 1982), 1У Всесоюзном совещании по адгезии в расплавах и пайке материалов (Николаев, 1982), П Всесоюзном совещании "Адгезионные соединения в машиностроении" (Рига, 1983), У Всесоюзной школе по поверхностным явлениям в расплавах и твердых фазах и их применению в технологии и технике (Кацивели, 1984), I Уральской конференции "Поверхность и новые материалы" (Свердловск, 1984).

Ниже цриводятся основные результаты и выводы работы.

1. Исследовано взаимодействие на исходно ювенильном контакте пленки серебра с кристаллом бромисто-йодистого таллия in bbtiu в вакууме, на воздухе и в различных газовых средах Оь , NÄ , С0А , СО , CiUfH^O *UZ .HaS ) и обнаружена атмосферно-индуцированная диффузия серебра в кристалл и компонент кристалла в конденсат. Выявлено, что диффузию индуцируют не основные компоненты атмосферы, а ее примеси -хлор и сероводород.

2. Обнаружено нарушение адгезии серебра к бромисто-йодис-тому таллию на воздухе в результате роста на границе раздела прослойки новых кристаллических фаз с низкими адгезионными и прочностными свойствами. Установлено, что в вакууме рост фаз не происходит , и система адгезионно-устойчива.

3. Предложена модель, согласно которой определяющим фактором |в развитии атмосферно-индуцированных процессов диффузии и нарушения адгезии в системе jtg/T£Br-T£I является возможность протекания твердофазных реакций между соединениями серебра с элементами среды , с одной стороны, и галогенидом , с другой.

Установлено, что предложенная модель применима и к другим системам металлическая пленка/галогенид, а значения изменений изобарно-изотермических потенциалов при указанных в модели реакциях могут служить критериальными оценками для прогнозирования атмосферно-индуцированных процессов. Предсказана и обнаружена атмосферно-индуцированная диффузия в системах

Aß /Csbr , Ca /С&1 , Aq /та.

4. На основании проведенных исследований даны практические рекомендации по условиям эксплуатации акустооптических устройств на основе системы серебро/бромисто-йодистый таллий. Показана необходимость герметизации системы в вакууме для сохранения устойчивости ее параметров.

Вьщелен класс систем металлическая пленка/кристалл гало-генида, цригодный для детектирования хлора в газовой среде, защищенный авторским свидетельством. ххх

Автор искренне благодарен научному руководителю Георгию Петровичу Упиту, заведующей лабораторией физики поверхности Института физики АН Латвийской ССР С.А.Варчене и всему коллективу лаборатории за постоянное внимание и помощь в работе.

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

Проведенное исследование относится к общей проблеме влияния внешней среды на физико-химические процессы в тонкопленочных системах.

В рамках этой проблемы впервые проведено исследование воздушной среды и ее отдельных компонент на электрические свойства, адгезию и диффузионные процессы в системе металлический конденсат-кристалл- галогенидаталлия с помощью комплекса методов: послойного оже-электронного анализа, электронной микроскопии, рентгеновского фазового анализа, инфракрасной спектроскопии, измерения электросопротивления конденсата и его прочности сцепления с подложкой на нормальный отрыв.

В результате исследования было обнаружено, что воздействие атмосферы индуцирует в системе Яд / TCBr-TEI интенсивные диффузионные процессы и химические реакции, которые приводят к росту кристаллических фаз на внешней поверхности пленки и межфазовой границе конденсат/кристалл. Появление на межфазовой границе прослойки, содержащей новые кристаллические фазы с низкими прочностными и адгезионными свойствами, обусловливает в целом нарушение адгезии в системе.

Методами послойного оже-электронного анализа и измерения электросопротивления оценивался коэффициент диффузии серебра в TfBr-TEI . Совпадение результатов, полученных этими методами, показало эффективность применения метода измерения электросопротивления и предложенной обработки результатов для оценки интенсивности диффузии в различных средах и выявления индуцирующих диффузию компонентов внешней среды. Из данных по измерению электросопротивления установлено, что элементами атмосферы, индуцирующими диффузию в системе Яд /ТЕ&г-ТП являются примеси серый хлора в воздушной атмосфере.

Для объяснения результатов исследований системы Яд / ТЕ Вг - ТЕ I предложена модель атмосферно-индуциро-ванных процессов. Новизна этой модели заключается в том, что;" во-первых, в ней учитываются свойства кристалла как соединения, в отличие от известных моделей, где учитываются характеристики отдельных элементов кристалла. Во-вторых, согласно предложенной модели процесс взаимодействия включает несколько стадий: вначале происходит взаимодействие металла конденсата с элементами окружающей среды, а затем продукты этого взаимодействия реагируют с галогенидом. Понижение энергии Гибб-са д G" при этой реакции создает стимул для наблюдаемых направленных диффузионных потоков металла конденсата в кристалл и компонентов галогенида в конденсат.

Исходя из этого, знак изменения свободной энергии при реакциях между соединениями конденсата со средой, с одной стороны, и галогенидом, с другой, может служить критерием существования атмосферно-индуцированной диффузии, а, следовательно, и нарушения адгезии системы в атмосфере. Таким образом, можно прогнозировать поведение систем металл-галоге-нид в заданной газовой среде расчетным путем. Справедливость критерия проверена на ряде произвольно взятых систем металл-галогенид: Яд/CsBr, Cu/Cs I , Лд /тесе ,Яд/ТЕВг и др. Интенсивная атмосферно-индуцированная диффузия была обнаружена только в тех системах, для которых А & при реакциях по предложенному механизму отрицательна. Это позволяет распространить модель и на другие системы металл/галогенид.

В целом исследования показали, что только при определенном сочетании параметров элементов окружающей среды, пленки и галогенида кристалла возможно протекание атмосферно-индуци-рованных процессов.

Изменение состояния поверхности кристалла до нанесения металлического конденсата не вносит принципиальных изменений в характер атмосферно-индуцированных процессов, однако может существенно влиять на интенсивность их протекания. Ювениль-ность контакта конденсата с кристаллом обеспечивает высокую интенсивность процесса. Адсорбированные на поверхности кристалла газы и пары в случае ее подготовки на воздухе тормозят атмосферно-индуцированные процессы и замедляют спад адгезии. С другой стороны, изненением стехиометрии поверхности, например, с помощью обработки ее в плазме тлеющего разряда, можно существенно повысить интенсивность процесса старения.

В работе показано, что применение промежуточных слоев в целях предотвращения атмосферно-индуцированного старения является малоэффективным. Было установлено, что нарушение адгезии в системе Л^/ -ЬГь/ТЕ Вг-ТПобусловлено атмосферно-индуцированной диффузией серебра через конденсат никеля в кристалл с накоплением его на межфазовой границе. Поэтому для обеспечения полной устойчивости систем металл-галогенид, в которых может иметь место АВД, необходима герметизация их в высоком вакууме.

Возможность прогнозирования процессов деградации в атмосфере определяет практическую значимость результатов работы. На основании расчетов согласно предложенное критерию были даны практические рекомендации по условиям эксплуатации устройств на основе систем металл-галогенид, а также ввделен класс систем, пригодных для детектирования хлора, защищенный авторским свидетельством.

Исследования по данной проблеме целесообразно продолжить в следующем направлении:

- изучить влияние структуры конденсата на протекание атмос-ферно-индуцированных процессов;

- проверить возможность распространения механизма АИД и критерия ее существования на класс систем металлический конденсат-прлупроводник, в частности, Яд/ Тп Р , Яд/баЯз , Яд/ баР и др.

Список литературы диссертационного исследования кандидат физико-математических наук Столярова, Сара Вольфовна, 1984 год

1. Болтакс ь. ' Диффузия, в-полупроводниках. — Физматгиз, М., 1961. — 46^

2. Гегузин Я.Е. Дифф,> -онная. зона. — М.; Наука, 1979. — 344 с.

3. Бокштейн Б.С., Бокштек ^.3., Жуковицкий А.А. Термодинамикаи кинетика диффузии в тверг " телах. — М.: Металлургивдат,1974. — 280 с.

4. Бокштейн С.З. Диффузия и структура галлов. — М.: Металлургия, 1973. — 204 с.

5. Шьюмон JI. Диффузия в твердых телах. — М.: к яллургия, 1966.195 с.

6. Болтакс Б.И. Диффузия, и точечные дефекты в полупровьг "ках.1. Л.: Наука, 1972. — 384 с.

7. Маннинг Дж. Кинетика диффузии атомов в кристаллах. — М.: Мир, 1971. — 277 с.

8. Гегузин Я.Е. Физика спекания. — М.: Наука, 1967. — 360 с.

9. Герцрикен С.Д., Дехтяр И.Я. Диффузия в металлах и сплавах в твердой фазе. — М.: Физматгиз, I960. — 564 с.

10. Уивер К. Диффузия в металлических пленках. — В кн.: Физика тонких пленок, М.: Мир, 1973, т.6, с.334-388.

11. Gjostein N.A. Diffusion. American Society for Metals. Metals Park, Ohio, 1973, p.241.

12. Nicolet M.-A. Diffusion barriers in thin films. — Thin Solid Films, 1978, v.52, p.415-443.

13. Gupta D., Ho P.S. Diffusion processes in thin films. — Thin Solid Films, 1980, v.72, p.399-418.

14. Гупта Д., Кемпбелл Д., Хо П. Диффузия по границам зерен. — В кн.: Тонкие пленки. Взаимная диффузия и реакции. /Под.ред. Поута Да., Ту К., Мейера Дж. М.: Мир, 1982, с.163-269.

15. Беглин Дж., Поут Дк. Взаимодиффузия в системах металл-металл. — В кн.: Тонкие пленки. Взаимная, диффузия, и реакции. / Под ред. Поута Дж., Ту К., Мейера Дж. — М.: Мир, 1982, с.309-360.

16. Палатник JI.C., Сорокин В.К. Материаловедение в микроэлектронике. — М.: Энергия, 1977. — 280 с.

17. Hiraki A., Lugujjo Е., Nikolet М.-А., Mayer J.W. Low-Temperature Migration of Silicon through Metal Films : Importance of Silicon-Metal Interface. — Phys.Status Solidi (a), 1971, v.7, p.401-406.

18. Hiraki A., Lugujjo E. Low-temperature migration of silicon in metal films on silicon substrates studied by backscatter-ing techniques. — J.Vac.Sci.Technol., 1972, v.9, p.155-158.

19. Hiraki A. Low-temperature reactions at Si-metal contacts from Si02 growth due to Si-Au reaction to the mechanism of silicide formation. — Jpn.J.Appl.Phys., 1983, v.22, Ho.4, p.549-562.

20. Chang C.-A. Similarity of interactions between metal semiconductor amd metal - metal interfaces. — J.Vac.Sci.Technol., 1982, v.21, No. 2, p.639-642.

21. Munitz A., Komem I. Structural and resistivity changes in heat treated chromium-gold films. — Thin Solid Films, 1976, v.37, p.171-180.

22. Munitz A., Komem I. The increase in the electrical resistivity of heat-treated Au/Cr films. — Thin Solid Films, 1980, v.71, p.177-188.

23. Weinmann L.S., Orent T .W., Lin T.S. Auger study of Cr/Au thin films deposited on aluminia and sapphire. — Thin Solid Films, 1980, v.72, p.143-149.

24. Thompkins H.G., Pinnel M.R. Low-temperature diffusion of copper through gold. — J.Appl.Phys., 1976, v.47, No.9, p. 3804-3812.

25. Синха А., Поут Дзк. Реакции в системе металл-полупроводник. — В кн.: Тонкие пленки. Взаимная диффузия и реакции./ Под.ред. Поута Дж., Ту К., Мейера Дзк. — М.: Мир, 1982, с.408-434.

26. Chang С.-A., Chen N.J. Ambient effects on the out-diffusion of CaAs through thin gold films. — J.Vac.Sci.Technol., 1980, v.17, No.6, p.1358-1361.

27. Chase B.D ., Collins C.C.S., Huntluy P.A., Steeds J.W. Materials analysis of thin film transistors. —: Thin Solid Films, 1980, v.67, p.207-228.

28. Chung M.P., Farnsworth H.E. Effect of bulk resistivity, annealing temperature and illumination on oxygen sorption on CdSe surfaces. — Surface Sci., 1971, v.25, p.321-331.

29. Hall P.M., Morabito J.M. Diffusion problems in microelectronic packaging. — Thin Solid Films, 1978, v.53, p.175-179.

30. Thompkins H.G., Pinnel M.R. Relative rates of nickel diffusion through gold. — J.Appl.Phys., 1977, v.48, p.3144-3148.

31. Бендере P.Б., КалначЯ.В., Калныня P.П., Квасков JI.В., Фел-тыныи И.А. Свойства межфазной границы кремний-золото. — Всесоюзный симпозиум по физике поверхности твердых тел. Киев, 1983, с.115.

32. Hall P.M., Morabito J.M. Resent advances in solder bond technology for microelectronic packaging. — Thin Solid Films, 1980, v.72, p.433-442.

33. Sylwestrowicz W.D., Elkholy H.A. Effect of chlorine on gold titanium thin films. — J.Mat.Sci., 1980, v.15, p.42-52.

34. Kang K.D., Burgese R.B., Coleman M.J., Keil J.G. A Cr-Ag-Au metallization. — IEEE Trans.Electron.Device, 1969, v.16, p.356-360.

35. Cynlai J., Mayer J.W., Rodriquez V.Y., Yu A.Y.C., Gopen H.J. Alloying behaviour of Au and Au-Ge on GaAs. — J.Appl.Phys., 1971, v.42, p.3578-3585.

36. Sinha A.K., Poate J.M. Effect of alloying behaviour on the electrical characteristics of n-GaAs Shottky diodes metallized with W, Au and Pt. — Appl.Phys.Lett., 1973, v.23, p.666-668.

37. Sinha A.K., Poate J.M. Electrical characteristics of n-GaAs Shottky diodes. — Jpn.J.Appl.Phys.Suppl.2, 1974, Pt.l,p.841-844.

38. Robinson G.Y. Variation of Schottky barriers energywith interdiffusion in Au and Ni/Au-Ge films on GaAs. — J. Vac.Sci.Technol., 1976, v.13, p.884-887.

39. Берзиня А.И., Алехин В.П. Физико-химические свойства никелевых интегральных микросхем. — ФХОМ, 1984, № 3,с. 95-98.

40. Puss F.N., Hartwig С.Т., Morabito J.M. Corrosion of solder-coated TiPdAu thin film conductors in a moist chlorine atmosphere. — Thin Solid Films, 1977, v.43, p.189-213.

41. Ho P.S. General aspects of barrier layers for very-large-scale integration applications. I. Concepts. — Thin Solid Films, 1982, v.96, p.301-316.

42. Nowicki R.S., Nicolet M.-A. General aspects of barrier layers for very-large-scale integration applications. II. Practice. — Thin Solid Films, 1982, v.96, p.317-326.

43. Keramidas V.G, Metallurgical interactions at metallization-compound semiconductor interfaces. — Thin Solid Films, 1982, v.96, p.347-363.

44. Sinha A.K. Metallization scheme for n-GaAs Shottky diodes incorporating sintered contacts and a W-diffusion barrier. — Appl.Phys.Lett., 1975, v.26, p.171-173.

45. Chang C.C., Quintana G. Auger studies of Au diffusion through Pt films; dependence on annealing effects. — Appl.Phys. Lett., 1976, v.29, p.453-454.

46. Chang C.-A. Effect of CO on the low-temperature diffusion of Cr and Si through thin gold films. — J.Electrochem.Soc., 1980, v.127, p.1331-1334.

47. Ohkawa S., Akanuma 0., Ichikawa H. Atmosphere effect on migration of Co and Si in Au-Co-Si. — Jpn.J.Appl.Phys., 1975, v.14, p.1589-1593.

48. Chang C.-A. Annealing ambient A useful probe for interface interaction in thin films. — Appl.Phys.Lett., 1981, v.38, p.860-862.

49. Surplice H.A., Brearly W. The adsorption of carbon monoxide ammonia and wet air on gold. — Surface Sci., 1975, v,52, p.62-74.

50. Wells R.L., Fort T. Adsorption of water on clean gold by measurement of work function changes. — Surface Sci., 1972, v.32, p.554-560.

51. Chang C.-A., Chu W.-K. Ambient effects on the diffusion of Cr and Si in thin Pt films. — Appl.Phys.Lett., 1980, vol.37, p.161-162.

52. Chang С.-A., Chu W.-K. Effect of oxygen on the diffusion of Hi in Pt in Pt-Ni-Pt films. — J.Appl.Phys., 1981, v.52, p.512-515.

53. Robinson G.J. Metallurgical and electrical characterization of metal-semiconductor contacts. — Thin Solid Films, 1980, v.72, p.129-141.

54. Hwang J.C.M., Ho P.S., Balluffi R.W. Effect of surface condition on diffusion in thin films at low temperature. — Appl.Phys,bett., 1978, v.33, No.5, p.458-461.

55. Санжаровский А.Т. Методы определения механических и адгезионных свойств полимерных покрытий. — М.: Наука, 1974. 114с.

56. Зимон А.Д. Адгезия пленок и покрытий. — М.: Химия, 1977. — 252 с.

57. Гегузин Я.Е., Макаровский Н.А., Богданов В.В. Особенности рекристаллизации поликристаллических пленок на твердой подложке. — ФММ, 1977, т.44, в.2, с.329-335.

58. Гегузин Я.Е., Макаровский Н.А., Богданов В.В. Исследование "бугоркового" механизма диффузионного распада поликристаллической тонкой пленки на твердой подложке. —ФММ, 1978, т.45, в.2, с.347-357.

59. Mattox D.M. Thin film adhesion and "deadhesion". — Int.J. Hybrid Microelectron., 1981, v.4, No.2, p.164-167.

60. Snyder J.R., Smith M.A., Levenson L.L. Adhesion of Hi films on graphite. — J.Vac.Sci.Technol., 1980, v.IT, No.l,p.421-424.

61. Найдич Ю.В. Контактные явления в металлических расплавах. — Киев: Наукова думка, 1972. — 196 с.

62. Варченя С.А., Упит Г.П. Адгезия металлических конденсатов к ювенильной и сколотой на воздухе поверхности кварца. — Адгезия расплавов и пайка материалов, Киев: Наукова думка, 1983, в.II, с.3-8.

63. Orent T.W., Wagner R.A. Investigation of the chemical bonding of Cr and Ti to silicon nitride. — J.Vac.Sci.Technol., 1983, v.l, N0.3, p.844-849.

64. Уивер К. Сцепление тонких пленок. — В кн.: Сорбционные процессы в вакууме, М.: Атомиздат, 1966, с.195-301.67. baugier М. Unusual adhesion aging behaviour in ZnS thin films. — Thin Solid Films, 1981, v.75, р.Ь19-Ь20.

65. Sundren J.-E,, Hibbs M.K., Helmersson V., Jacobson B.E., Hentzell B.E. The effect of oxygen and substrate temperature on growth of Ti thin films on stainless substrates. — J. Vac .Sci.Technol., 1983, v.Al, No.2, part 1, p.301-304.

66. Muktepavel F.O., Upit G.P. The embrittlement of Sn-Al eu-tectic alloy in water vapour. — J.Mater.Sci., 1984, v»19, No.2, p.559-606.

67. Kinloch A.J. The science of adhesion. I. Surface and interfacial aspects. — J.Mater.Sci., 1980, v.15, n0.9, p.2141-2166.

68. Gledhill R.A., Kinloch A.J., Show S.J. A model for predicting joint durability. — J.Adhesion, 1980, v.11, p.3-15.

69. Andrew Е.Н., Stevenson A. Adhesive failure of epoxy-tita-nium bonds in aqueous environments. — J.Adhesion, 1980, v.ll, p.17-40.

70. Лин Д.Г. Влияние контактного окисления, полиэтиленовых покрытий на адгезию к металлам: Автореф.дисс. . канд.техн. наук. — М, 1973. — 26 с.

71. Hiraki A., Lugujjo Е., Majer J.W. Formation of silicon ovide over gold layers on silicon substrates. — J.Appl. Phys., 1972, v.43, p.3643-3649.

72. Hollowway P.H. Adhesion failure of Cr-Au metallization. — Solid State Technol., 1980, No.2, p.109-112.

73. Vandenberg J.M., Kinebron E. Interface reaction of gold films with n-type Ca^Al^As and GaAs. Thin Solid Films, 1980, v.65, p.259-265.

74. Chang C.C. Transmission electron microscope of Au-based ohmic contact to n-AlxGa1-3fAs. — J .Appl.Phys. (USA), 1979, v.50, No.11, pt.l, p.70 30 -70 33.

75. Nakahara S., McCoy R.J. Interfacial structure of Au-Sn-Al metallization on GaAlAs. — J.Electrochem.Soc., 1981, v.28, N0.8, p.1781-1787.

76. Nakahara S., McCoy R.J. Interfacial void structure of Au/ Sn/Al metallizations on Ga-Al-As light emitting diodes. — Thin Solid Films, 1980, v.72, p.457-461.

77. Nakahara S., McCoy R.J. Kirkendall void formation in thin film diffusion couples. — Appl.Phys.Lett., 1980, v.37, p.42-44.

78. Столярова С.В., Стлановский А.А., Упит Г.П. Влияние тлеющего разряда на адгезию металлических конденсатов к 11ЩК. —

79. В кн.: 3-я науч.-техн.конфер. по вакуумной металлизации. Рига, ЛатНИИНТИ, 1982, с.89-93.

80. Варченя С.А., Симановский A.A., Упит Г.П. Прочностные свойства зоны контакта металлических конденсатов к галогенидам щелочных металлов. — Изв. АН Латв.ССР, сер.физ. и техн. наук, 1983, № 3, с.14-20.

81. Варченя С.А., Симановский A.A. Адгезия на ювенильном контакте s -металл/фтористый литий. — В кн.: Поверхность и новые материалы: Тез. докл. I Уральской конференции, ч.2, Свердловск, 1984, с.70-72.

82. Варченя С.А., Симановский A.A., Столярова C.B., Упит Г.П. Адгезионные явлёния на ювенильном контакте металлическая пленка/кристалл галогенида. I. Адгезионная прочность и межмолекулярное взаимодействие. Препринт, Саласпилс,1984, 38 с.

83. Губанов А.И., .Яунаевский С.М. Адгезия, ионного кристалла. — ФТТ, 1977, т.19, с.1369-1373.

84. Benjamin P., Weaver С. Condensation energies for metals on glass and other substances. — Proc.Roy.Soc., 1959, V.252A, p.418-430.

85. Хантер В.P. Изготовление свободных металлических пленок и их применение в качестве светофильтров для. крайней ультрафиолетовой области спектра. — В кн.: Физика тонких пленок, под ред. А.Хасса, М.Х.Франкомба и Р.У.Го^мана. М.: Мир, 1977, с.52-132.

86. Коваль А.Г., Исаев Ф.М., Лавренко В.А. Исследование продуктов коррозии меди, золота и серебра в атмосфере хлора методом масс-спектрометрии вторичных ионов. — В кн.: Вторичная ионная и ионно-фотонная эмиссия, Харьков, 1980, с.177-179.

87. Schwaha К., Spencer N.D., Lambert R.M. A single crystal study of the initial stages of silver sulphidation molecular sulphur (S2) and Ag (111). Surface Sci., 1979, v.81, p.273-284.

88. Kitson M., Lambert R.M. A structural and kinetic study of chlorine and silver chlorine on Ag (100): the transition from overlayer to bulk halide. — Surface Sci., 1980, v.100, p.368-380.

89. Burge D.V., Bennett J.M., Bennett M.E. Growth of surface films on silver. — Surface Sci., 1969, v.l6, p.303-309.

90. Stepanov A.V. The study of mechanical properties of silver and thallium halides. — J.Sov.Phys., 1934, v.6, p.312-325.

91. Лисицкий И.С., Толсторожев М.Н., Каневский И.Н., Озерецкий С.Н., Белоусов А.П., Иванычев В.В. Механические свойства монокристаллов КРС-5 и КРС-6. — Оптико-мех. промышленность, 1976, № 4, с.41-44.

92. Лисицкий И.О., Людина Л.Л., Дарвойд Т.И., Моспан В.И. Термические характеристики монокристаллов КРС-5 и КРС-6 : — Оптико-мех. промышленность, 1975, № 8, с.33-35.

93. Исследование процессов получения солей и выращивания, моно- . кристаллов галогенидов таллия. — Сб.научных трудов ГИРЕД-МЕТа, М.: Металлургия., т.29. — 158 с.

94. Лисицкий И.С., Овсянникова Н.В., Дарвойд Т.И., Белоусов А.

95. П. Коротковолновое спектральное пропускание кристаллов твердых растворов галогенидов таллия. — Оптико-мех. промышленность, 1981, № 4, с. 16-17.

96. Smacula A. Precision Density Determination of Large Single Crystals by Hydrostatic Weighting. — Phys.Rev.,v.99, Ho.6, p.1737-1743.J

97. Smacula A. The plastic deformation and crystal orientation of thallium halides. — Quart.Opt.Soc.Amer., 1949, v.39, No.6, p.445-453.

98. Куклева З.А. Шлифовка и полировка йодисто-бромистого таллия и йодистого цезия при изготовлении оптических делатей.

99. Оптико-мех.промышленность, 1968, № 10, с.46-50.

100. Singh R., Khare P. On crystal binding and thermophysical properties of copper and thallium halides. — J.Phys.Soc. Japan, 1982, v.51, No.l, p.141-146.

101. Упит Г.П., Варченя С.А. Природа адгезионных сил на ювениль-ном контакте золото-кремний. — В сб. тез. II Всесоюзн. симпозиума по активной поверхности твердых тел, Тарту, 1977, с.55-56.

102. Фарнворс Х.Е. Приготовление атомно чистых поверхностей твердых тел и методы оценки их качества. — В кн.: Боонст-ра А. Поверхностные свойства германия и кремния. — М.: Мир, 1970, — 176 с.

103. Технология тонких пленок / Под ред. Майссела Л., Гленга Р.

104. М.: Советское радио, 1977. — 764 с.

105. Palmberg P.W. Handbook of Auger electron spectroscopy. — Phys.Electron.Industr., Edina, 1972. — 244 p.

106. Davis L.E., MacDonald N.C., Palmberg P.W., Riach G.E., Weber R.E. Handbook of Auger Electron Spectroscopy, 2nd ed.

107. Phys .Electron.Industr., Edina, 1976. — 288 p.

108. Кораблев В.В. Электронная оже-спектроскопия. —Л.: Изд-во ЛПИ им. М.И.Калинина, 1973. — 66 с.

109. Ю7. Йоши А., Девис Л., Палмберг П. Электронная оже-спектроско-пия. — В кн.: Методы исследования поверхности / Под ред. Зандерны А. — М.: Мир, 1979, с.200-275.

110. Казаков Н.Ф. Диффузионная сварка в вакууме. — М.: Машиностроение, 1968. — 331 с.

111. Малкович Р.Ш. О диффузии примеси из нанесенного слоя. — ФММ, 1963, т.15, в.6, с.880-884.

112. Audino R., Destctanis G., Gorgelino F., Pollino E., Tama-yno S. Interface behaviour evaluation in Au/Cr, Au/Ti and Au/Pd/Ti thin films by means of resistivity and stylus measurements. — Thin Solid Films, 1976, v.36, p.343-347«

113. Haber J., Okoska I., Kozlowska I. Electrical conductivity as a method of solid state reactions. — J.Solid State Chem., 1980, v.35, p.22-28.

114. Гребенник И.П., Демидова В.А. Исследование процессов в контактирующих пленках A(j (ое . — ФММ, 1980, т.50, в.1,с .95-99.

115. Kepinski Ь., Romanovski W., Szymanski S. Effect of temperature on the dispersion of nickel deposited on to amorphous substrates of carbon, SiO and glass. — Thin Solid Films, 1981, v.81, p.225-232.

116. Narayanda K., Radhakrishnan M., Balasubramanian C. Thickness dependence of defect density in silver films. — Thin Solid Films, 1980, v.67, p.357-359.

117. Pucalka V. Der Einfluse der OrdnungvorgSnge in dttnnen metallschichten auf Ihren Elektrischen Widerstand. — Thin Solid Films, 1968, B.l, S.429-436.

118. Соколов Ю.Н., Лусис А.Х., Лепинъ И.К., Кадек В.М. Физико-химические свойства тонких пленок алюминия, меди и их аналогов. — В кн.: XI Менделеевский съезд по общей и прикладной химии. Рефераты докладов и сообщений. М.: Наука, 1975, № 9, с.74-75.

119. Палатник Л.С., Фукс М.Я., Косевич Б.М. Механизм образования и субструктура конденсированных пленок. — М.: Наука, 1972. — 320 с.

120. Соколов Ю.И. Исследование физико-химических свойств тонких пленок меди, алюминия, и их аналогов: Автореф. дисс. . канд. хим. наук. — Рига. — 18 с.

121. Ли Дж. Некоторые свойства дисклинационной структуры границ зерен Ag Au . — В сб.: Атомная, структура межзерен-ных границ, М.: Мир, 1978, с.114-125.

122. Косевич В.М., Иевлев В.И., Федоренко А.И. Структура меж-кристаллитных и межзеренных границ. — М.: Металлургия, 1980. — 81 с.

123. Le Lay G. Physics and electronics of the поЬ1ё metal/elemental semiconductor interface formation: a status report. — Surface Sci., 1983, v.132, p.169-204.

124. Cros A., Salvan P., Commandre M., Derrien J. Enhancement of the room temperature oxidation of silicon by very thin predeposited gold layers. — Surface Sci., 1981, v.103, P.L109-L111.

125. Watanabe M., Hiratuka A. Reflection of light from gas-adsorbed thin metallic films and their electrical resistance.

126. Surface Sci., 1979, v.86, p.398-405.

127. Данков П.Д., Игнатов Д.В., Шишаков H.A. Электронографиче-ские исследования, окисных пленок на металлах. — М. : Изд. АН СССР, 1953. — 200 с.

128. Шишаков И.А., Андреева В.В., Андрушенко Н.К. Строение и механизм образования окисных пленок на металлах. — М.: Изд. АН СССР. — 195 с.

129. Kumikov V.E., Khokonov Kh.B. On the measurement of surface free energy and surface tension of solid metals. J.Appl. Phys., 1983, v.54, p.1346-1350.

130. Чопра К.Л. Электрические явления в тонких пленках. — М.: Мир, 1972. — 436 с.

131. Мейер Дж., Поут Дж. Методы определения профилей концентрации. — В кн.: Тонкие пленки. Взаимная, диффузия и реакции / Под ред. Поута Дж., Ту К., Мейера Дж. — М.: Мир, 1982,с.122-162.

132. Столярова C.B., Симановский A.A., Упит Г.П., Еловиков С.С. Диффузионный массоперенос в системе вакуумный конденсат серебра бромисто-йодистый таллий. — Изв. АН Латв.ССР, сер.физ. и техн.наук, 1980, № 3, с.49-51.

133. Simanovski A.A., Stolyarova S.V., Upit G.P. Ambient-induced diffusion in metal film/halide system. — Thin Solid Films, 1982, v.97, No.4, p.301-311.

134. Симановский А.А., Столярова С.В., Упит Г.П. / А.с. СССР № 1017995, Детектор газа. — Опубл. в Б.И., 1983, № 18.

135. Столярова С.В. Влияние состояния, поверхности кристалла на развитие диффузионных и адгезионных процессов в системе конденсат серебра бромисто-йодистый таллий. — Изв. АН Латв.ССР, сер.физ. и техн.наук, 1984, № 5, с.32-37.

136. Столярова С.В. Исследование атмосферно-индуцированных процессов в системе Aq/Tlbr ~т£1 методом оже-электронной спектроскопии. — В кн.: Поверхность и новые материалы : Тез.докл. I Уральской конф., Свердловск, 1984, ч.1,с.117-119.

137. Бацанов С.С.,Электроотрицательность и эффективные заряды атомов. — М.: Знание, 1971 . — 48 с.

138. Третьяков Ю.Д. Твердофазные реакции. — М.: Химия, 1978. — 360 с.

139. Карапетьянц М.Х., Карапетьянц M.JI. Основные термодинамические константы неорганических и органических веществ. — М.: Химия, 1968. — 472 с.

140. Архаров В.И., Баланаева H.A., Богословский В.Н., Стафеева Н.М. О комплексном механизме реакционной диффузии. — В кн.: Физическая химия окислов. М.: Наука, 1971, с.19-27.

141. Питанов B.C., Корнфельд И.Н., Ильина Т.Н. Ускоренная диффузия фосфора в кремнии. — Неорганические материалы, 1984, т.20, №9, с.1582-1583.

142. F'öll Н. Lattice imaging of electroless silicide-silicon interfaces and interpretation of interfacial defects. — Phys.Status Solidi (a), 1982, v.69, Wo 2, p.779-788.

143. Накамото К. Инфракрасные спектры неорганических и координационных соединении. — М.: Мир, 1966. — 412.с.

144. Якерсон Б.И., Лафер Л.И., Рубинштейн A.M. ИК-спектроскопия адсорбированного состояния и роль поверхностных соединений в катализе. — В кн.: Поверхностные соединения, в гетерогенном катализе, М.: Наука,1975 , с.49-67.

145. Закис Ю.Р. 0 взаимодействии щелочногалоидных солей с воздухом. — Изв. АН Латв.ССР, 1965, Je I, с. 19-25.

146. Закис Ю.Р. Исследование колебательных спектров поглощения примесных кислородосодержащих анионов в щелочногалоидных кристаллах. — Изв. АН Латв.ССР, сер.физ. и техн.наук, 1966, № I, с.54-59.

147. Губарева T.B. Исследование радиационных изменений поверхности ионных нитевидных кристаллов. Автореф. дисс. . канд.физ.-мат.наук. —Рига, 1979, 16 с.

148. Симановский A.A., Столярова C.B., Лубане М.С., Упит Г.П. Плазмохимические реакции на поверхности КРС-5 при облучении в тлеющем разряде. — В кн.: 5-е Всесоюзное совещание по радиационной физике и химии ионных кристаллов. — Рига, 1983, с.438.

149. Дарвойд Т.И., Кисловский Л.Д., Попов Л.Ю. Исследование влияния, некоторых примесей на спектральную прозрачность КРС-5 в инфракрасной области спектра. — Журнал прикладной спектроскопии, 1968, т.8, № 2, с.272-276.

150. Ройх И.Л., Жаров В.А., Горелова О.Н. Особенности адгезии вакуумно-осажденных слоев к стеклу и металлу, обработанных тлеющим разрядом. — Электронная обраб. материалов, 1976, № 5 (71), с.31-34.

151. Покрытия металлические и неметаллические неорганические. ГОСТ 16875-71. — М.: Изд. Госком. Стандартов СМ СССР, 1971.

152. КротоваН.А., Топоров Ю.П. Исследование адгезионной прочности полимеров. — В кн.: Исследования в области поверхностных сил. М.: Наука, 1964, с.338-349.

153. Баграмян А.Т., Соловьева З.А. Методы исследования, электро-осавдения металлов. — М.: Изд. АН СССР. — 327 с.

154. Федотьев Н.П., Ямпольский A.M. Определение прочности сцепления. никелевых покрытий на алюминии и его сплавах. — Курн. прикл. химии, I960, т.33, № 8, с.1844-1849.

155. Берри Р., Холл П., Гаррис М. Тонкопленочная технология. — М.: Энергия, 1972. — 486 с.

156. Heavens O.S. Some factors influencing the adhesion of films produced by vacuum evaporation. — J.Physique Radium, 1950, v.ll, No.7, p.355-360.

157. Benjamin P., Weaver C. Measurement of adhesion of thin films. — Proc.Roy,Soc., I960, v.254, No. 1277, p.163-176.

158. Йыги Х.П. 0 методике и результатах сопоставления, величин адгезии и когезии некоторых сублимированных слоев. — В кн.: Исследования по лнминесценции, Тарту, 1964, Jfc 30, с.57-66.

159. Ройх И.Л., Колтунова Л.Н. Защитные вакуумные покрытия, на стали. — М.: Машиностроение, 1971. — 280 с.

160. Горбатенко В.Е., Кричевский Ю.И., Ефимова А.И. Методы и аппаратура для исследования и контроля, свойств эмалей и покрытий. — В кн.: Защитные высокотемпературные покрытия, Л.: Наука, 1972, с.348-353.

161. Beams j.w., Breaseall jib., Bart w.L. Mechanical strength of thin films of metals. — Phys.Rev., 1955, v.100, p.1657.

162. Понизовский B.M., Пентюхов Л.Н. Определение прочности сцепления никелевых покрытий со стальной основой методом больших центробежных полей. — Заводск.лаб., 1969, № 3,с.351-352.

163. Кречмар Э. Напыление металлов, керамики и пластмасс. — М.: Машиностроение, 1966. — 432 с.

164. Jacobsson R. Measurement of adhesion of thin films. — Thin Solid Films, 1976, v.34, n0.3, p.191-199.

165. Дамаск А., Дине Дж. Точечные дефекты в металлах. — М.: Мир, 1966. — 292 с.

166. Корнилов И.И., Матвеева Н.М., Пряхина Л.И., Полякова P.C. Металло-химические свойства элементов периодической системы. — М.: Наука, 1966. — 352 с.

167. Хоперня Т.Н. Химическое никелирование неметаллических материалов. — Л.: 1953. — 23 с.

168. Powder Diffraction Pile Search Manual, Alphabethical Listing, Inorganic. Ed. by Berry L.G. Pensylvania, USA. Published by Joint Committee on powder diffraction standards, 1973.

169. Столярова C.B., Симановский А.А., Лубане M.С., Упит Г.П. Атмосферно-индуцированное нарушение адгезии серебра к бромисто-йодистому таллию. — Изв. АН Латв.ССР, сер.физ. и техн.наук, 1982, В 5, с.34-40.

170. Симановский А.А., Столярова C.B., Упит Г.П. Антиадгезиру-кнцее влияние надслоя серебра на адгезию никеля, к бромисто-йодистому таллию. — В кн.: 3-я научно-техническая конференция по вакуумной металлизации. Рига, 1981, с.97-101.

171. Ломакин А.Т., Санжаровский А.Т. Лакокрасочные материалы и их применение. —1962, №6, 23 с.