Влияние политипизма на отражательные свойства частично прозрачных гетерогенных систем в условиях высоких температур тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 01.04.07, кандидат наук Казакова, Марина Васильевна

• Казакова, Марина Васильевна
• кандидат наук
• 2013

Оглавление диссертации кандидат наук Казакова, Марина Васильевна

ОГЛАВЛЕНИЕ

ВВЕДЕНИЕ

Глава 1 Оптические свойства частично-прозрачных в видимом диапазоне

гетерогенных систем в условиях высоких температур

1.1 Частично-прозрачные гетерогенные системы

1.2 Политипные соединения. Основные свойства

1.3 Структура и оптические свойства частично прозрачных соединений

1.3.1 Структура и оптические свойства лейкосапфира

1.3.2 Структура и оптические свойства алмаза

1.3.3 Структура и оптические свойства селенида цинка

1.3.4 Структура и оптические свойства сульфида цинка

1.3.5 Структура и оптические свойства карбида кремния

Выводы по первой главе и постановка задач исследования

Глава 2 Отражательные свойства гетерогенных систем, обладающих оптической прозрачностью в видимом диапазоне, в условиях высоких температур

2.1 Физическая модель расчета отражательных свойств

2.2 Влияние физических свойств на отражательные характеристики оптически прозрачных гетерогенных систем, обладающих политипизмом

2.2.1 Влияние структурных характеристик на оптические свойства гетерогенных систем

2.2.2 Влияние температуры на оптические свойства гетерогенных систем

2.3 Методика экспериментальных исследований

2.4 Результаты исследований коэффициентов отражения, пропускания

и излучения частично прозрачных гетерогенных систем

Выводы по второй главе

Глава 3 Анализ влияния цвета полупрозрачной гетерогенной системы на спектральные характеристики отраженного излучения в условиях

высоких температур

3.1 Метод расчета спектрального состава отраженного излучения

3.2 Результаты исследований влияния цвета полупрозрачной

гетерогенной системы на цвет отраженного излучения

Выводы по третьей главе

Глава 4 Физико-технические основы метода формирования яркостного

контраста

4.1 Оптические устройства для высоких температур

4.2 Сущность метода формирования яркостного контраста

4.3 Анализ яркостного контраста

4.4 Спектральный диапазон

4.5 Моделирование тепловых характеристик отражательной гетерогенной системы в условиях воздействия направленных излучающих газовых потоков

4.6 Анализ качества оптической системы на базе 8Ю-отражателя

4.6.1 Обзорные характеристики оптической системы

4.6.2 Энергетический расчет

4.7 Влияние температуры отражательной гетерогенной системы на качество оптической системы

4.8 Экспериментальные данные

4.8.1 Экспериментальная установка

4.8.2 Результаты исследований и их обсуждение

4.8.3 Модификация яркостного контраста

Выводы по четвертой главе

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

Список публикаций автора по теме диссертации

СПИСОК ИСПОЛЬЗОВАННЫХ ИСТОЧНИКОВ

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Влияние политипизма на отражательные свойства частично прозрачных гетерогенных систем в условиях высоких температур»

ВВЕДЕНИЕ

Актуальность темы

Исследование закономерностей изменения физических свойств кристаллических твердых тел при их различных политипных состояниях на внешние воздействия является актуальной задачей физики конденсированного состояния, поскольку прогнозирование параметров при различных условиях позволяет создавать материалы с заданными характеристиками. В частности, изучение влияния теплового излучения на гетерогенные системы при их различных структурных состояниях, и нагретых газовых потоков, необходимо для создания термостойких оптоэлектронных устройств.

Особый интерес представляют исследования, нацеленные на выявление закономерностей изменения оптических коэффициентов частично-прозрачных гетерогенных систем от варьирования их структурных, геометрических параметров, а также от действия на них нагретых газовых потоков. В настоящее время получены значения коэффициентов поглощения, показателя преломления, пропускания, отражения, термолюминесценции, люминесценции, фотоотражения частично-прозрачных соединений, в зависимости от длины волны, а также известны некоторые результаты по их температурным зависимостям.

Проведение исследований, посвященных разработке методов определения коэффициентов отражения, пропускания и излучения в тонких частично-прозрачных гетерогенных системах в условиях высоких температур позволяет расширить основные положения известной теории Мак-Магона, что способствует формированию научных основ инженерного базиса создания термостойких оптических деталей (зеркал, линз), микроизлучателей, сенсоров. Использование политипных соединений обеспечивает дополнительную возможность варьирования отражательных свойств систем путем изменения их кристаллической структуры.

В качестве модельных гетерогенных систем для исследования влияния политипизма на оптические свойства в условиях высоких температур

рассматриваются соединения А,уВ1У, а в частности карбид кремния (81С), а также селенид и сульфид цинка (2п8е, 2п8). Это связано с тем, что эти соединения находят широкое практическое применение, в том числе и для создания оптоэлектронных приборов. Поэтому изучение закономерностей влияния структурных характеристик 81С, 2п8, 2п8е на их отражательные свойства имеет не только фундаментальное, но и прикладное значение.

В настоящее время развитие производственных технологий, космических и энергетических систем требует исследования оптических свойств гетерогенных систем, способных преобразовывать излучение видимого диапазона в экстремальных условиях эксплуатации. Значительный интерес представляют исследования оптических свойств термостойких материалов, направленные на решение задач, связанных с обзором и контролем промышленных объектов с высокими температурами, а также с измерением температуры обтекателей гиперзвуковых летательных аппаратов, что необходимо при калибровке сенсоров, управляющих движением ракеты.

Цель и задачи

Целью данной диссертационной работы является разработка моделей и методов оценки влияния политипизма на изменение физических свойств частично-прозрачных гетерогенных систем на основе широкозонных материалов для создания научных основ метода формирования яркостного контраста исследуемых объектов в условиях высоких температур.

В соответствии с поставленной целью решались следующие частные задачи:

¡.Анализ оптических характеристик гетерогенных систем, частично прозрачных в видимом диапазоне при их различных политипных состояниях.

2.Построение физической модели и разработка методики расчета коэффициентов излучения, пропускания и отражения оптически-прозрачной гетерогенной системы в условиях воздействия высоких температур.

3.Экспериментальные исследования оптических коэффициентов гетерогенных систем в условиях воздействия высокой температуры.

4.Разработка методики расчета спектральных характеристик отраженного излучения.

5.Разработка физико-технических основ метода формирования яркостного контраста исследуемых объектов, реализованного на базе отражательной 81С-гетерогенной системы.

Методы исследования

Для решения поставленных в диссертационной работе задач были использованы численные методы и методы математического моделирования, натурные эксперименты измерения коэффициента направленного отражения, экспериментальное получение изображений с использованием разработанного макета оптической системы, компьютерные эксперименты. В частности при модельном исследовании оптических свойств частично прозрачных систем использовалась адаптированная теория Мак Магона.

Научная новизна

1. В рамках адаптированной теории Мак Магона получены выражения для расчета оптических коэффициентов частично прозрачных в видимом диапазоне гетерогенных систем, обладающих политипизмом, в широком интервале температур.

2. Установлено, что уменьшение концентрации доноров БЮ гетерогенной системы приводит к увеличению коэффициента отражения и уменьшению коэффициента излучения в видимом диапазоне. Коэффициент отражения БЮ-гетерогенной системы, остается практически постоянным до 1500°С, его изменения в зависимости от температуры не превышают 0.01 на каждые 100°С.

3. Представлены результаты исследования спектральных характеристик отраженного излучения частично прозрачных гетерогенных систем, с максимумом их пропускания на длине волны, которая характеризует цвет исследуемой системы. Показано, что уменьшение толщины гетерогенной системы приводит к увеличению доли излучения от всего отраженного на длине волны, характеризующей максимум пропускания образца, и не превышает 10 %.

4. Впервые с помощью бН-БЮ- гетерогенной системы, находящийся при температуре 1000°С, получен яркостный контраст объектов исследований в видимом диапазоне, пригодный для температурного анализа.

5. Рассмотрено практическое применение высокотемпературного отражения частично-прозрачных гетерогенных систем, разработаны физико-технические основы метода формирования яркостного контраста в условиях высоких температур.

Достоверность и обоснованность результатов обеспечивается использованием апробированных методов теоретической физики, оптики, оптоэлектроники, проверенных экспериментальных методик, а также широкой апробацией результатов работы.

Личный вклад автора заключается в постановке цели и задач исследования, разработке моделей и методик расчетов, проведении экспериментальных исследований, обобщении результатов, формулировке основных выводов. Написание опубликованных работ осуществлялось совместно с соавторами. Обсуждение задач исследований, анализ результатов, окончательная редакция статей, защищаемых научных положений и выводов по работе, а также разработка метода формирования яркостного контраста проводились совместно с научным руководителем.

Практическая значимость работы

- Разработаны методы и методики исследования отражательных свойств частично прозрачных в видимом диапазоне гетерогенных систем в условиях воздействия высоких температур.

- Разработан метод получения яркостного контраста в условиях высоких температур, реализуемый на базе отражательной бН-БЮ гетерогенной системы.

Научные положения, выносимые на защиту

1. Физическая модель гетерогенных систем на базе политипных соединений с заданной степенью гексагональности, обладающих оптической прозрачностью в идимом диапазоне, позволяет рассчитывать коэффициенты отражения, пропускания и излучения в зависимости от структурных, геометрических и температурных характеристик.

2. Метод расчета спектрального состава отраженного излучения от легированных и нелегированных гетерогенных систем с определенной степенью гексагональности, обладающих частичной прозрачностью в видимом диапазоне, и подвергающихся воздействию высоких температур, позволяет рассчитывать количественное содержание излучения от всего отраженного на длине волны, характеризующей максимум пропускания исследуемого образца.

3. Отражательная гетерогенная система в виде оптически прозрачного зеркала, выполненного из легированного или нелегированного широкозонного наноматериала определенного политипного состава - карбида кремния, обеспечивает реализацию метода формирования яркостного контраста исследуемых объектов при температурах, достигающих 1000°С.

Внедрение результатов работы

Результаты, полученные в диссертации, являются частью НИР РФФИ грант 13-07-98800 р_север_а и НИР Министерства образования и науки РФ проект №.1.7.08.

Исследования по теме диссертационной работы неоднократно поддержаны грантами для аспирантов и молодых ученых:

- по результатам конкурса на выполнение научно-исследовательских работ студентами и аспирантами ВУЗов Новгородской области «Перспектива 2010». Тема НИР: «Разработка технологии создания термостойкого зеркала на основе тугоплавких соединений, обладающих политипизмом»;

- по результатам «Девятого конкурса грантов молодых ученых НовГУ», 2011г. Тема НИР: «Оптические элементы для высокотемпературных систем».

- по результатам конкурса «Молодой исследователь», 2012г. Тема НИР: «Термостойкая система с вихревым охлаждением».

Апробация работы

Основные результаты диссертационной работы докладывались на:

- международных научно-технических конференциях («Современное телевидение», Москва, 2009...2013 г.);

- всероссийской конференции с международным участием (МФТИ «Современные проблемы фундаментальных и прикладных наук», 2009);

- «Научная конференция преподавателей, аспирантов и студентов НовГУ» (Великий Новгород, 2010-2013 г.г.);

- конкурсах («Перспектива 2010»: 2 место в номинации «Радио-, вычислительная техника, электроника», Девятый конкурс грантов молодых ученых НовГУ, 2011г.).

Публикации

По теме диссертации опубликовано 25 научных работ, из которых 8 статей, в том числе, 7 в изданиях, рекомендованных ВАК РФ, тезисы к 15 докладам на международных и всероссийских научно-технических конференциях, 1 патент РФ, 1 подана заявка на изобретение.

Структура и объем диссертации

Диссертация состоит из введения, четырех глав, заключения и списка литературы. Объем работы составляет 114 страниц машинописного текста, в том числе 53 рисунка, 3 таблицы. Список цитированной литературы включает 123 наименования.

КРАТКОЕ СОДЕРЖАНИЕ РАБОТЫ

Во введении сформулирована цель работы, показана ее актуальность, приведены основные результаты исследования.

В первой главе приведен обзор литературы, посвященный исследованию оптических свойств частично прозрачных в видимом диапазоне термостойких соединений, в том числе и обладающих политипизмом. Приведены зависимости показателя преломления, коэффициента отражения, пропускания и поглощения политипных соединений от длины волны и температуры.

По результатам исследований проведенных в первой главе показано, что влияние структурных параметров, высокой температуры, геометрической формы на отражательные свойства полупрозрачных политипных соединений изучены недостаточно. Глава завершается формулировкой цели и выделением задач исследования.

Во второй главе рассмотрено теоретическое и экспериментальное исследование коэффициента отражения, пропускания, излучения гетерогенных

систем на основе соединений, обладающих политипизмом, в условиях воздействия высокой температуры.

Физическая модель гетерогенных систем, обладающих частичной оптической прозрачностью в видимом диапазоне, была представлена оптико-геометрической моделью и математическими выражениями, основанными на адаптированной теории Мак Магона (Mc.Mahon Н.О. J.Opt. Soc. Amer. 1950. vol.40, p.376-380). Задача теплового переноса рассматривалась как трехмерная задача, было учтено, энергия Ê излучается не только с поверхностей структуры, но и с внутренней части.

Основная задача моделирования заключалась в определении входящих в систему поверхностного коэффициента отражения, коэффициента пропускания, зависящих от показателя преломления, коэффициента поглощения. Оптические коэффициенты исследуемых структур определялись структурными, геометрическими параметрами, а также влиянием внешних условий, в том числе температуры. В расчетах были учтены обе независимые поляризации света.

Показатель преломления рассчитывался по модели Вепля-Дидоменико, его зависимость от температуры и степени легирования определялась по формулам Херве-Вандамма. Коэффициент поглощения частично прозрачных соединений на частотах ниже края собственного поглощения при высоких температурах рассчитывался как сумма коэффициентов поглощения на свободных носителях и примесях. Их зависимость от температуры учитывалась температурным изменением концентрации свободных носителей, подвижности носителей заряда, и показателя преломления.

При расчете коэффициента поверхностного отражения также учитывалось качество обработанной поверхности, которая зависит от вида обработки и может содержать неровности, соизмеримые с длиной волны света, что вызывает рассеяние и приводит к уменьшению зеркального отражения.

Проведены исследования оптических коэффициентов гетерогенных систем с луночным рельефом. Такие системы представляют интерес для создания

измерительных микросистем пирометрии газовых потоков, содержащих поверхности нагрева с развитой морфологией.

Для проведения экспериментальных исследований коэффициента направленного отражения при высоких температурах была разработана экспериментальная установка. Методика измерения была реализована на основе известного метода определения коэффициентов направленного пропускания и отражения света стекла (ГОСТ 26302-93).

Исследованные закономерности влияния физических параметров и характеристик на оптические свойства гетерогенной системы на основе политипных соединений в условиях высокой температуры показывают, что уменьшение толщины и концентрации доноров БЮ ведет к увеличению коэффициента отражения и уменьшению коэффициента излучения в видимом диапазоне. Коэффициент отражения 8Ю-гетеросистемы, остается практически постоянным до 1500°С, его изменения в зависимости от температуры не превышают 0.01 на каждые 100°С.

В третьей главе представлено теоретическое исследование спектральных характеристик теплового излучения, отраженного от цветных гетерогенных систем, частично прозрачных в видимом диапазоне, разработана методика расчета доли окрашенного излучения в общем отраженном. Падающее на образец излучение характеризовалось сплошным спектром, положение максимума которого зависело от температуры. Методика расчета базировалась на теории Мак Магона.

Результаты исследования спектральных характеристик отраженного излучения 81С-гетеросистемы зеленого цвета толщиной с1=Ю.1 мм показали, что доля окрашенного излучения в общем отраженном, в том числе при воздействии высоких температур, составила <10 %. Поэтому цвет отраженного излучения будет почти полностью зависеть от цвета падающего излучения. Вследствие сдвига коэффициента поглощения в длинноволновую часть спектра с ростом температуры, наблюдается аналогичное смещение зависимости доли отраженного излучения.

Четвертая глава посвящена практическому применению высокотемпературного отражения политипных гетерогенных систем. Осуществлена разработка физико-технических основ метода формирования яркостного контраста на базе полупрозрачной отражательной 8Ю - системы политипа 6Н.

Получение яркостного контраста объектов исследования, находящихся в труднодоступных зонах в условиях высоких температур сопряжено с разработкой термостойких оптических систем, состоящих из тугоплавких оптических деталей.

Метод формирования яркостного контраста оптической системой на базе матричного фотоприемника в ' условиях высоких температур основан на зависимости энергетической яркости теплового излучения объекта от его температуры.

Разработка предложенного метода сопряжена с выполнением следующих основных этапов:

- обеспечение яркостного контраста,

- выбор спектрального диапазона визуализирующих оптических устройств,

- моделирование энергетических характеристик оптической системы,

- моделирование тепловых и гидродинамических характеристик отражателя и системы формирования яркостного контраста,

- проведение экспериментальных исследований,

- модификация яркостного контраста.

Для решения поставленных задач были разработаны методы и методики моделирования и экспериментальных исследований.

Эксперименты, проведенные без обдува при температурах, исключающих быструю модификацию отражающей поверхности 81С - зеркала в условиях нагретой воздушной среды муфельной печи, показали на возможность надежной визуализации исследуемых тест - объектов. В тоже время согласно исследованиям при температурах отражателя значительно превышающих 1000°С не удавалось получить изображения тест - объектов пригодных, даже, для простого анализа, прежде всего, из-за невозможности обеспечения контрастного

соотношения объекта и фона. Поэтому был применен способ повышения яркостного контраста исследуемых тест - - объектов, реализованный на базе технологии вейвлет - функций (преобразования).

В заключении приведены результаты диссертационной работы и сформулированы основные выводы.

Работа выполнена в Новгородском государственном университете имени Ярослава Мудрого.

Глава 1. Оптические свойства частично прозрачных в видимом диапазоне гетерогенных систем в условиях высоких температур

1.1 Частично прозрачные гетерогенные системы

Гетерогенная система - неоднородная термодинамическая система, состоящая из различных по физическим и химическим свойствам частей (состав, кристаллическая структура, электрические или магнитные моменты), разделенных поверхностью раздела [1]. Конденсированная структура, рассматриваемая не изолированно, а в совокупности с нагретой средой представляет собой гетерогенную систему: материал - газ.

Прозрачными в видимом диапазоне в основном являются чистые диэлектрики, а также широкозонные полупроводники, которые в зависимости от введенных примесей могут быть окрашены, являясь непрозрачными для определенной области спектра. Такие соединения в основном используются для оптических применений [2].

Исследование зависимости влияния структурных, геометрических, температурных характеристик гетерогенных систем, частично прозрачных в видимом диапазоне, и находящихся в условиях нагретых газовых потоков, на оптические свойства представляет актуальную задачу физики конденсированного состояния. В работе рассматриваются материалы, стойкие к воздействию высоких температур, в том числе и соединения, обладающие политипизмом.

В качестве модельных систем для исследования закономерностей изменения оптических свойств в условиях высоких температур наибольший интерес представляют, гетерогенные системы, конденсированной структурой которых является карбид кремния, селенид цинка, сульфид цинка, алмаз, лейкосапфир. Это связано с тем, что эти материалы обладают высокой термостойкостью и широко используются в оптоэлектронных устройствах. Оптические свойства модельных и других материалов исследовались многими учеными, основные параметры представлены в статьях и справочниках [3-56].

1.2 Политипные соединения. Основные свойства

Фазы некоторых материалов, в основном с ковалентным типом связи, и различной кристаллической структурой, не испытывая фазовых превращений, способны существовать при одинаковых условиях. Изменение свойств таких материалов при одинаковых термодинамических условиях и химическом составе может быть осуществлено за счет варьирования кристаллической структуры их фаз, которые представляют собой политипные и некоторые полиморфные разновидности твердых тел [5].

Явление политипизма - это способность одного и того же вещества кристаллизоваться в более чем одну слоистую структурную модификацию, которые различаются только порядком чередования или поворотом одинаковых слоев [6]. Размеры элементарных ячеек в плоскости слоя одинаковы для всех политипных модификаций. Период повторяемости в направлении, перпендикулярном слоям, всегда в целое число раз больше толщины одного слоя и зависит от последовательности наложения слоев. Кристаллические вещества, обладающие политипизмом, имеют одинаковый химический состав, но обладают разными физическими свойствами. Политипизм иногда рассматривают как особый одномерный полиморфизм [7].

Политипные модификации отличаются лишь по характеру вторых или еще более удаленных координационных сфер и имеют одинаковое ближайшее окружение атомов.

Явление политипизма проявляется в различных классах веществ: металлах, керамике, минералах, интерметаллидах, органических веществах. Причем он обнаружен при изучении не только монокристаллов, но и пленок, частиц порошков, поликристаллических компактных материалов [8]. В настоящее время механизмы образования политипных фаз не достаточно изучены.

Для различия многочисленных политипных модификаций используются специальные обозначения, которые в значительной мере основаны на геометрических принципах плотнейших упаковок одинаковых шаров [9].

Существует несколько разных способов обозначения политипов: символы Г.С. Жданова, Рамсделла, буквенные обозначения Л. Полинга, символы Хегга, последовательность интервалов по Отту, операторы Наборро - Франка и др.. Одним из наиболее распространенных является обозначение с помощью символов Рамсделла, в котором число указывает период повторяемости слоев вдоль оси с, а буква - обозначает сингонию к которой относится данная структура [10].

Для характеристики кристаллических структур, обладающих политипизмом, удобно использовать такой параметр, как степень гексагональности, которая определяется отношением числа слоев, находящихся в гексагональном положении пг, к общему числу слоев. Разные политипы могут иметь различную степень гексагональности [6].

пк - число слоев в кубическом положении. пг - число слоев в гексагональном положении.

При использовании описания кристаллических структур с помощью классической АВС-схемы, которая указывает последовательность чередования двумерных слоев, можно определить положение слоя: гексагональным считается слой, у которого соседние слои имеют одинаковые обозначения (рис. 1.1). Например, в последовательности слоев ABA слой В является гексагональным, в последовательности слоев ABC слой В является кубическим, поскольку соседние слои имеют разные обозначения [8,11].

Широкий диапазон изменения физических характеристик наблюдается для полиморфных структурных разновидностей материалов. Значительный интерес представляет изучение влияния политипизма на оптические свойства прозрачных систем, в том числе при воздействии высоких температур.

Политипы наблюдаются в молибдените, графите, сульфиде и селениде цинка, дибромидах магния, марганца, кобальта, железа и в многих других соединениях со слоистой структурой, но наибольшее их количество наблюдается в карбиде кремния [10].

4Н 151? 6Н

Рисунок 1.1- Последовательность упаковок атомов углерода и кремния в пяти различных политипах карбида кремния [6]

1.3 Структура и оптические свойства частично прозрачных соединений

1.3.1 Структура и оптические свойства лейкосапфира

Кристаллы сапфира обладают высокой химической стойкостью, прочностью и не имеют фазовых переходов до температуры 2000°С [12]. Сапфир имеет гексагональную кристаллическую решетку, является анизотропным материалом.

Монокристаллический сапфир обладает высокой прозрачностью в спектральном диапазоне от вакуумного ультрафиолета до инфракрасной области, низким светорассеянием в области прозрачности, высокой оптической прозрачностью при воздействии высокоэнергетического излучения и температур, и поэтому незаменим в оптическом приборостроении [13-15].

Исследование спектральных зависимостей показателя преломления кристаллов лейкосапфира (АЬОз) проведены в [16]. Изменение показателя преломления с температурой носит линейный характер от 20°С до 700°С, температурные коэффициенты для длины волны 546.1 нм, 579.1 им составили соответственно 1.37 -10-5 АГ-1 и 1.4'10"'Г'.

Оптические свойства сапфировых изделий определяются примесным составом и наличием точечных дефектов в исходном кристалле. Применяемые в производстве оптических изделий из сапфира высокотемпературные процессы могут привести к окрашиванию кристалла, снизить или увеличить стойкость к воздействию высокоэнергетического излучения [17]. Основные оптические свойства лейкосапфира представлены на рис. 1.2, 1.3.

100 90 80 70

40 30 20 10 0

150 250 350 450 550

Л, нм

Рисунок 1.2 - Зависимость коэффициента пропускания лейкосапфира от

длины волны. Т— 300 К. [17]

кс, 1/см 1.0Е+02 1,0Е+01 1.0Е+00 1,0^01 1,0Е—02 1,0Е—03

500 1500 2500 3500 4500 5500 6500 Длина волны, нм

Рисунок 1.3 - Зависимость коэффициента поглощения лейкосапфира от

длины волны и температуры \-Т= 700 К;2-Т= 1700 К;3- Т=1900 К; Л - Т=2300К. [18]

1.3.2 Структура и оптические свойства алмаза

Сингония алмаза кубическая, пространственная группа РёЗш. Элементарная ячейка кристаллической решетки алмаза (С) представляет собой гранецентрированный куб, в котором в четырех секторах расположенных в шахматном порядке, находятся атомы углерода [19]. Иначе алмазную структуру можно представить как две кубических гранецентрированных решетки, смещенных друг относительно друга по главной диагонали куба на четверть её длины. Структура типа алмаза установлена у некоторых простых веществ, в том числе у кремния, низкотемпературной модификации олова и др. [20]. Алмаз состоит из углерода (96-99,8%). Прочная связь атомов углерода объясняет высокую твёрдость алмаза. В алмазе содержатся примеси химических элементов -азота, кислорода, алюминия, бора, кремния, марганца, меди, а также примеси железа, никеля, титана, цинка и др., в количестве от тысячных до 0,2-0,3%, также встречаются включения графита, оливина, пиропа, хромита, хромдиопсида, энстатита и др. [21].

Список литературы диссертационного исследования кандидат наук Казакова, Марина Васильевна, 2013 год

СПИСОК ИСПОЛЬЗОВАННЫХ ИСТОЧНИКОВ

1. Рахматулин Х.А., Сагомонян А.Я., Зверев И.Н., Бунимович А.И. Газовая динамика/ М.: Высшая школа. - 1965. - 725 с.

2. Вавилов B.C. Особенности физики широкозонных полупроводников и их практических применений// Успехи физических наук - 1994. - т. 164. №3. - С.287-296.

3. Соловьёв В.Г., Романов С.Г., Сотомайор Торрес K.M. Отражение, пропускание и рассеяние света фотонными кристаллами на основе плёнок опалов // Известия высших учебных заведений. Физика. - 2004. Т.47. - С.54-58.

4. Немов С.А., Благих Н.М., Дема Н.С., Жигинская М.К., Прошин В.И., Свечникова Т.Е., Шелимова Л.Е. Влияние легирования медью на кинетические коэффициенты и их анизотропию в PbSb2Te4 // ФТП. 2012. т. 46. вып. 4. - С.463-468.

5. Агалямова Э.Н., Беленков Е.А., Грешняков В.А. Структура полиморфных разновидностей карбида кремния // Вестник ЧелГУ. Физика. №15 (230). вып. 10. -2011. - С. 15-24.

6. Таиров Ю.М., Цветков В.Ф. Полупроводниковые соединения Ап'BIV. В кн.: Справочник по электротехническим материалам// Под ред. Корицкого Ю.В, Пасынкова В.В., ТарееваБ.М. Л.: Энергоатомиздат, 1988. - С.446-472.

7. Полиморфизм и политипизм в кристаллах / А. Верма, П. Кришна. - М.: Мир. - 1969.-276с.

8. Беленков Е.А. Агалямова Э.Н. Исследование формирования политипов алмаза и карбида кремния // Вестник ЧелГУ. Физика. №24 (162), вып.5. -2009. -С. 13-21.

9. Урусов B.C., Еремин H.H. Кристаллохимия. Краткий курс. Часть 2. Учебное пособие. / М.: Изд-во Московского университета - 2005. - 125 с.

10. Пирометрические зонды на основе тугоплавких соединений: монография/ Карачинов Д.В., Карачинов В.А.; НовГУ им. Ярослава Мудрого. - Великий Новгород. - 2008. - 123 с.

11. Арисова В.Н. Элементы структурной кристаллографии: учеб.пособие/ В. Н. Арисова, О.В. Слаутин. - ВолгГТУ. - Волгоград. 2007. - 94 с.

12. Габа В.М. Измерение температуры с использованием оптических датчиков на основе двулучепреломляющих кристаллов// Технология и конструирование в электронной аппаратуре. № 1. - 2009. - С.45-52.

13. Хачатрян В.А. Исследование и разработка теоретических и технологических основ управления примесью при росте оксидных монокристаллов лейкосапфира из высокотемпературного расплава: монография/ В.А.Хачатрян. - Ер.: Авт.Изд. -2011.-802 с.

14. Malitson I. H., Murphy F. V., Rodney W. S. Refractive Index of Synthetic Sapphire// J. Opt. Soc. Am. 48. - 1958. - P.72-73

15. Багдасаров X.C. Высокотемпературная кристаллизация из расплава/ Х.С. Багдасаров. - М.: Физматлит. 2004. - 160с.

16. Багдасаров Х.С., Гречушников Б.А., Качалов О.В. и др. Оптические свойства синтетического лейкосапфира // Кристаллография. Т. 30. Вып. 3. - 1985. - С.605-607.

17. Еськов Э.В., Игнатов Ю.А. Сабельникова М.М. Влияние примесей в кристаллах сапфира на оптическую прозрачность// Химия твердого тела и современные микро и нанотехнологии. VI Международная конференция. -Кисловодск - Ставрополь: СевКавГТУ. - 2006. - 510 с.

18. Гавриш C.B. Теплофизические процессы в сапфировых колбах разрядных ламп. //Прикладная физика. №4. 2010. - с.45-51

19. Справочник «Физические свойства алмаза»/ Под ред. Новикова Н.В. -Киев: Наукова думка, 1987. - 188 с.

20. Коршунов A.B. Основы кристаллохимии неорганических веществ: Учебное пособие / A.B. Коршунов. - Томск: Изд-во ТПУ. - 2006 - 86с.

21. Васильев JI.A. Алмазы, их свойства и примеиение/ JI.A. Васильев, З.П. Белых. - М.: Недра. - 1983. - 101с.

22. Davies, Walker R. L., Thrower Jr. and P. A. In Chemistry and Physics of Carbon, eds., vol. 13.- 1977. - p. 1-143.

23. Rand S. С. and DeShazer L. G. Visible color-center laser in diamond // Optics letters. - 1985. - Vol. 10, No. 10. - P.481-483.

24. Edwards, D. F., Ochoa E. Infrared refractive index of diamond // J. Opt. Soc. Amer. - №71 - 1981. P.607-608.

25. Андреев В. Д. Спонтанная графитизация и термодеструкция алмаза при Т>2000К//ФТТ — 1999. -т.41. вып.4. - С.695-701.

26. Трубицын Ю.В., Левинзон Д.И., Трубицын В.Ю. Полупроводниковые материалы на основе элементов IV группы // Складш системи i процеси. Електронне матер1алознавство i технологи - №1.- 2007. - С. 18-37.

27. Wilks, J. and Е. Wilks Properties and Applications of Diamond. //Butterworth-Heinemann Ltd.. Oxford. - 1994. - 525p.

28. Справочник по электротехническим материалам. Т.З. / Под ред. Ю.В. Корицкого, В.В. Пасынкова, Б.М. Тареева. - Л.: Энергия. - 1988. - 728с.

29. Тарасов С. А., Пихтин А. Н. Полупроводниковые оптоэлектронные приборы: Учеб. пособие.// СПб.: Изд-во СПбГЭТУ «ЛЭТИ», 2008. 96 с.

30. Чижиков Д. М., Счастливый В. П. Селен и селениды. — М.: Наука. 1964. — 321 с.

31. Грибковский В.П., Гладыщук А.А., Гурский А.Л., Луценко Е.В., Морозова Н.К., Шульга Т.С., Яблонский Г.П. Кристаллографическая ориентация и примесное свечение стримерных разрядов в монокристаллах ZnS и ZnSe// ФТП. -1992.-t.26. в.11. - С.1920-1926.

32. Селенид цинка (CVD-ZnSe). [Электронный ресурс]. - ЗАО «Тидекс». -Режим доступа:

http://www.tydexoptics.com/ru/materials/for_transmission_optics/cvd_znse.

33. Сеник Б.Н. Применение кристаллов в перспективных разработках гиперспектральных оптических систем// Прикладная физика. - 2007. - №3-С.134-141.

34. Морозова Н.К., Кузнецов В.А. Сульфид цинка. Получение и оптические свойства// М.:Наука. - 1987. - 220с.

35. Nada M. Saeed. Structural and Optical Properties of ZnS Thin Films Prepared by Spray Pyrolysis// Technique Journal of Al-Nahrain University. - 2011. - Vol.14 (2). -P.86-92.

36. Ma C., Moore D., Li Y. D. J. and Lin Z. Wang Nanobelt and nanosaw structures of II-VI semiconductors // Int. J. Nanotechnology, Vol. 1, No. 4. - 2004 . - P.431-451.

37. Абрикосов H.X., Банкина В.Ф., Порецкая JI.B., Скуднова Е.В., Чижевская Е.Н. Полупроводниковые халькогениды и сплавы на их основе // М.: Наука. -1975.-220с.

38. Васильев Б.В., Яськов Д.А. Полупроводниковые соединения А" ВУ1 и A'vBVI. В кн.: Справочник по электротехническим материалам// Под ред. Корицкого Ю.В, Пасынкова В.В., ТарееваБ.М. Л.: Энергоатомиздат, 1988. - С.521-549.

39. Tropf W.J., Thomas М.Е., Harris T.J. Properties crystals and glasses. In book: Optics—Handbooks, manuals, etc.// Michael Bass, editor in chief. Optical Society of America .- 1995.-P.33.1-33.101.

40. Nadeem M.Y., Ahmed W. Optical Properties of ZnS Thin Films// Turk J Phy. 24 - 2000. P.651- 659.

41. Harris G. Properties of Silicon Carbide // INSPEC, London, United Kingdom. -1995.- 295 p.

42. Mutschke H., Andersen A.C., Clement D., Henning Th., and Peiter G. Infrared properties of SiC particles.// Astronomy and Astrophysics. V.l. 1999. - p. 1-16.

43. Daulton T. L., Bernatowicz T. J., Lewis R. S., Messenger S., Stadermann F. J., Amari S. Polytype distribution of circumstellar silicon carbide: Microstructural characterization by transmission electron microscopy // Geochimica et Cosmochimica Acta. - Vol. 67. No. 24. - 2003. - P.4743-4767.

44. Limpijumnong S., Lambrecht R. L., Rashkeev S. N., and Segall B. Optical-absorption bands in the 1-3 eV range in «-type SiC polytypes // Physical Review B. -1999.-V. 59, N. 20. - p.12890-12899.

45. Горбань И.С., Крохмаль А.П. Примесное оптическое поглощение и структура зоны проводимости в 6H-SiC// ФТП. 2001. - т.35. - вып.11. с.1299-1305.

46. Neuberger М. Silicon carbide. EPIC. - 1965. - 105 p.

47. Dubrovskii, G.B., A.A. Lepneva, E.I. Radovanova, Phys. Stat. Sol. (b) 57. 1. -1973. - P.423-431.

48. Agueev O.A., Svetlichny A.M., Soloviev S.I. Simulation of incoherent radiation absorption in 3C-, 6H- and 4H-SiC at rapid thermal processing// Semiconductor Physics. Quatum Electronics & Optoelectronics. - 2000. - V.3. N.3. - P.379-382.

49. Lely, Kroeger J.A. and F.A.// Optical Properties of Pure and Doped SiC. In: Semiconductors and phosphors. Intersci. Pub., Inc. - 1958. - p. 514-524.

50. Соболев В.В., Шестаков А.Н. Оптические спектры и электронная структура кубического карбида кремния. ЖТП. - 2000. - т.34, вып. 4. - с.447-45.

51. Dalven R. Temperature Coefficient of the Energy Gap of beta-Silicon Carbide// J. of Phys. and Chem. of Solids. - 1965. v. 26. №. 2. Feb. - P. 439-441.

52. Goldberg Yu., Levinshtein M.E., Rumyantsev S.L. Properties of Advanced Semiconductor Materials GaN, A1N, SiC, BN, SiC, SiGe .// Eds. Levinshtein M.E., Rumyantsev S.L., Shur M.S., John Wiley & Sons, Inc., New York, 2001. - P.93-148.

53. Лебедев. A.A. Вечнозеленый полупроводник // Химия и жизнь. 2006. - №4. -С.14-19.

54. Грузинцев А.Н. Исследование фотомодулированного отражения монокристаллов бЯ-SiC// ФТП. - 2013. -т.47. вып.4 - С.442-446.

55. Powell J.A. Reflective index and birefringence of 2H silicon carbide // J. Opt. Soc. Am. - 1972. - Vol.62, Iss.3 - P. 341-344.

56. Мадисон A.E. Различия в атомном окружении неэквивалентных узлов структурах политипов SiC// ФТТ. - 1999. - т.41. - вып.2. - С. 183 - 186.

57. Карачинов В.А., Казакова М.В., Карачинов Д.В., Петров А.В. Технология создания термостойкого зеркала телевизионного эндоскопа промышленного назначения// Труды 20-ой Международная научно-техническая конференция "Современное телевидение". М.: ФГУПМКБ "Электрон". - 2012. - С.262-264.

58. Mc.Mahon Н.О. Thermal radiation from partially transparent reflecting bodies // J.Opt. Soc. Amer. - 1950. - vol.40. - p.376.

59. Гуга К.Ю., Коллюх Г.А., Липтуга А.И., Мороженко В.А., Пипа В.И. Особенности теплового излучения плоскопараллельных пластин полупроводника

// ФТП. - 2004. - т.38. вып.5. - С.524-528.

60. Кизель В.А. Отражение света. М.: Наука, 1973. 352 с.

61. Ландсберг Г.С. Оптика // М.: ФИЗМАТЛИТ. - 2003. - 848 с.

62. Козловский В.И., Трубенко П.А., Коростелин Ю.В., Роддатис В.В. Распределенные брэгговские зеркала на основе ZnMgSe/ZnCdSe, полученные методом молекулярно-лучевой эпитаксии на подложках ZnSе// ФТП. - 2000. -т.34. вып.10. - С.1237-1243.

63. Карачинов В.А., Джеренов И.Г., Карачинов Д.В., Казакова М.В. Исследование рельефной структуры нарушенного слоя эрозионной природы в кристаллах карбида кремния// Проектирование и технология электронных средств. - 2010. - № 4. - С.67 - 70.

64. Излучательные свойства твердых материалов. Справочник. // Под ред. А.И. Шейндлина. М.: Энергия, 1974. 671 с.

65. Карачинов В.А., Карачинов Д.В., Казакова М.В. Теплофизические и оптические свойства микросистем с луночным рельефом на основе карбида кремния // ЖТФ. - 2012. - Т. 82, вып. 8. - С. 129 - 133.

66. Магунов А.Н. Лазерная термометрия твердых тел. // М.: Физматлит. - 2001. - 224 с.

67. Забродский А.Г., Немов С.А., Равич Ю.И. Электронные свойства неупорядоченных систем СПб..:Наука. - 2000. - 72с.

68. Oloomi S. A. A., Saboonchi A. and Sedaghat A. Effects of thin film thickness on emittance, reflectance and transmittance of nano scale multilayers // International Journal of the Physical Sciences. Vol. 5(5). - 2010 - P. 465-469.

69. Слободян Т.Е., Булашевич К.А., Карпов С.Ю. Оптическое ограничение в лазерных диодах на основе нитридов III группы. Теория, оптические свойства материалов// ФТП. - 2008 - т.42, вып.7. - С.864-870.

70. Tan W.C., Koughia К., Singh J., Kasap S.O. Fundamental Optical Properties of Materials I // Optical Properties of Condensed Matter and Applications. - 2006. - 25p.

71. Сидоров А.И. Динамика фотоиндуцированной линзы в примесном полупроводнике вблизи порога оптического ограничения// Письма в ЖТФ. - 2003. -т.29 вып.7. - С.77-81.

72. Киреев П.С. Физика полупроводников // М.: Высшая школа. - 1975. - с.584.

73. Шалимова К.В. - Физика полупроводников. М., Энергоатомиздат, 1985. -392 с.

74. Розеншер Э., Винтер Б. Оптоэлектроника// Москва: Техносфера. - 2004. -592с.

75. Ravindra N.M., Ganapathy P., Choi J. Energy gap-refractive index relations in semiconductors - An overview// Infrared physics & Technology. 2007. - N50. - p.21-29.

76. W. Choyke, D.R. Hamilton, L. Patrick // Phys. Rev. A .USA. - 1964. - vol.133. -p.1163.

77. Царькова О.Г. Оптические и теплофизические свойства металлов, керамик и алмазных пленок при высокотемпературном лазерном нагреве. // Труды института общей физики им. A.M. Прохорова. - 2004. - Т.60. - С.30 - 82.

78. Лукин А.Е., Яников М.В., Соловьев В.Г. Экспериментальная установка для изучения спектров отражения и пропускания фотонных кристаллов на основе плёнок опалов // Труды Псковского политехнического института. Псков: ППИ. -2006. -№ 10.1- С.20-23.

79. Битюков, В. К. Петров В. А. Бесконтактное измерение температуры диэлектриков и полупроводников // Микроэлектроника. - Т. 33, N 6. - 2004. - С. 403-418.

80. ГОСТ 26302-93 Стекло. Методы определения коэффициентов направленного пропускания и отражения света. - М.: Стандартинформ, 1993. - 5с.

81. Datasheet. NPN-Silizium-Fototransistor Silicon NPN Phototransistor. // OSRAM. - 2001. - 6p.

82. Казакова M.B. Расчет оптических характеристик термостойкого зеркала// Вестник НовГУ. Сер.: Техн. Науки. - 2012. - №68. - С.126-127.

83. Schaffer P.T.B. Refractive Index, Dispersion, and Birefringence of Silicon Carbide Polytypes // Appl. Opt. USA. - 1971. - vol.10, Iss.5 - P.1034-1036.

84. Caras Gus J. Silicon carbide for semiconductors// Research Branch Redstone Scientific Information. Center Directorate of Research and Development U. S., Alabama. - 1965.- 196p.

85. Xiaodong He, Yibin Li, Lidong Wang, Yue Sun, Sam Zhang/ High emissivity coatings for high temperature application: Progress and prospect// Thin Solid Films. - -2009. №517.-P.5120-5129.

86. Домасев M.B., Гнатюк С., П. Цвет, управление цветом, цветовые расчеты и измерения// Учебное пособие. Спб.: Питер - 2009. - 224с.

87. Tilley, R. J. D. Colour and the optical properties of materials : an exploration of the relationship between light, the optical properties of materials and colour // WILEY. -2011. - 510 p.

88. Карачинов B.A., Карачинов Д.В., Торицин С.Б. Зондовые методы телевизионной пирометрии газовых потоков: Монография// НовГУ им. Ярослава Мудрого. - Великий Новгород. 2006. - 108с.

89. Прядко А. Светотехнические характеристики поверхностей материалов // журнал «625». - 2004. - №7.

90. Ивенс Р. М. Введение в теорию цвета// М.: Мир, 1964, 442 с.

91. Лучинин В.В., Таиров Ю.М. Карбид кремния - алмазоподобный материал с управляемыми наноструктурно-зависимыми свойствами // Наноиндустрия. - 2010 - №1. - С.36-40.

92. Карачинов В.А., Петров А.В., Ионов А.С., Карачинов Д.В. Исследование качества кристаллов карбида кремния телевизионным методом// Системы и средства связи, телевидения и радиовещания. - 2013. - № 1,2 - С.97-99.

93. Торицин С.Б. Термостойкие телевизионные системы для предприятий стекольной промышленности// Стекло Мира. - 2005. - №6. - С.47-49.

94. Казакова М.В. Энергетический расчет оптической схемы телевизионного пирометра эндоскопического типа// Вестник НовГУ - 2009. - №50. - С.57-58.

95. Магунов А. H., Захаров А. О., Лапшинов Б. А.// Приборы и техника эксперимента, 2012, № 1. - с. 143-148.

96. Карачинов В.А., Казакова М.В., Карачинов Д.В., Торицин С.Б. Телевизионный эндоскоп промышленного назначения// Труды 19-ой Международная научно-техническая конференция "Современное телевидение". М.: ФГУП МКБ "Электрон". - 2011. - С.76-77.

97. Карачинов В.А., Казакова М.В., Торицин С.Б. Анализ теплового режима пирометра телевизионного эндоскопического типа// Труды 17-ой Международная научно-техническая конференция "Современное телевидение". М.: ФГУП МКБ "Электрон". - 2009. - С.74-76.

98. Пат. 2457521 Российская Федерация, МПК G02B23/24. Телевизионный эндоскоп// М.В. Казакова, В.А. Карачинов; патентообладатель Новгородский Государственный Университет имени Ярослава Мудрого - №2010144887/28. заявл. 02.11.2010; опубл. 27.07.2012, Бюл. № 21 - 7с.

99. Проектирование оптико-электронных приборов. - Парвулюсов Ю.Б. и др. Под ред. Якушенкова Ю.Г. - М.: Логос. - 2000. - 488с.

100. Якушенков Ю.Г. Теория и расчет оптико-электронных приборов. - М.: Логос, - 1999. -480с.

101. Карачинов В.А., Казакова М.В, Петров A.B., Торицин С.Б., Герасимов A.B. Анализ контраста телевизионной эндоскопической системы// Системы и средства связи, телевидения и радиовещания. - 2013. - № 1,2. - С. 138-140.

102. Казакова М.В., Карачинов В.А., Торицин С.Б., Петров A.B. Расчет контраста изображения в телевизионной эндоскопической системе промышленного назначения// Труды 21-ой Международной научно-технической конференции «Современное телевидение» М.: ФГУПМКБ «Электрон». - 2013. - С. 134-136.

103. Свет Д.Я. Оптические методы измерения истинных температур. // М.: Наука. - 1982.-296 с.

104. Преображенский В.П. Теплотехнические измерения и приборы.- М.: Энергия. - 1978.-704 с.

105. Карачинов В.А., Торицин С.Б., Казакова М.В., Пивень A.A. Моделирование температурного режима телевизионной эндоскопической системы промышленного назначения// Системы и средства связи, телевидения и радиовещания. - 2011. - № 1,2. - С.94 - 97.

106. Исаченко В.П. и др. Теплопередача. - М.: Энергия, 1975г., 488 с.

107. Чернов A.B. и др. Основы гидравлики и теплотехники. - М.: Энергия. 1975. - 416с.

108. Дульнев Т.Н. Тепло- и масообмен в радиоэлектронной аппаратуре. // М.:Высшая школа. 1984. - 247 с.

109. Михеев М.А. Основы теплопередачи: Учебное пособие // М.: Энергия. - 1973. -236с.

110. Зенкевич О. Метод конечных элементов в технике //М.: Мир. - 1975 -318с.

111. Теплофизический свойства технически важных газов: Справочник. Зубарев В.Н., Козлов А.Д. и др.- М: Энергоатомиздат. 1989. - 232 с.

112. ГОСТ 10153-70 Изделия высокоогнеупорные карбидкремниевые. Технические условия. - М.: Стандартен форм. - 1970. - 5 с.

113. Карачинов В.А., Казакова М.В., Торицин С.Б. Анализ теплового режима пирометра телевизионного эндоскопического типа// Труды 17-ой Международная научно-техническая конференция "Современное телевидение". М.: ФГУП МКБ "Электрон". - 2009. - С.74-76.

114. Справочник конструктора оптико-механических приборов.// В.А. Панов, М.Я. Крюгер и др.: под общ. ред. В.А. Панова. // Л.: Машиностроение. - 1980. -742с.

115. Карачинов В.А., Торицин С.Б., Казакова М.В., Расчет углового поля зрения телевизионной эндоскопической системы при условии изгибной деформации термостойкого зеркалаII Системы и средства связи, телевидения и радиовещания. -2012.-№ 1,2 - С.145-147.

116. Карачинов В.А., Казакова М.В., Торицин С.Б., Разумовская А.О. Математическое моделирование системы формирования изображения

телевизионного эндоскопа промышленного назначения// Системы и средства связи, телевидения и радиовещания. - 2010. - № 1.2. - С.125-128.

117. Гонсалес Р., Вудс Р., Эддинс С. Цифровая обработка изображений в среде MATLAB. - М.: Техносфера, 2006, 616 с.

118. Ткаль В.А., Окунев А.О., Белехов Я.С.,Петров М.Н., Данильчук JI.H. Цифровая обработка топографических изображений дефектов структуры монокристаллов на основе вейвлет-анализа // Электронный журнал «Исследовано в России». 211. - 2005. - с.2181-2190.

119. Ткаль В.А., Окунев А.О., Белехов Я.С., Петров М.Н., Данильчук JI.H. Применение вейвлет-анализа для устранения фоновой неоднородности поляризационно-оптических изображений дефектов структуры монокристаллов // Заводская лаб. Диагностика материалов. - 2006. Т. 72. - № 7. - С. 22-29.

120. Смоленцев Н.К. Основы теории вейвлетов. Вейвлеты в MATLAB. - М: ДМК-Пресс, 2005. - 304 с.

121. Антощук С.Г., Николенко A.A., Ткаченко Е.В., Бабилунга 0.10. // Искусственный интеллект. - 2009. - № 4. - С. 23 - 29.

122. Дьяконов В., Абраменкова. И. MATLAB. Обработка сигналов и изображений. Специальный справочник. - СПб: Питер, 2002. - 608 с.

123. Жизняков A.JL, Фомин A.A., Симонова Т.АЛ Информационные технологии, №8, 2007. - С. 43-49.