Влияние конструктивных особенностей ВЧ и СВЧ мощных ДМОП транзисторов на входной импеданс и коэффициент усиления по мощности тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 05.27.01, кандидат технических наук Семейкин, Игорь Валентинович

• Семейкин, Игорь Валентинович
• кандидат технических наук
• 2006

Оглавление диссертации кандидат технических наук Семейкин, Игорь Валентинович

• ОГЛАВЛЕНИЕ.

ВВЕДЕНИЕ.

ГЛАВА 1. ПАРАМЕТРЫ БОЛЬШОГО СИГНАЛА И МАЛОСИГНАЛЬНЫЕ ПАРАМЕТРЫ ВЧ И СВЧ МОЩНЫХ ДМОП-ТРАНЗИСТОРОВ.

1.1. Конструкции и физические особенности работы мощных ВЧ и СВЧ ДМОП-транзисторов.

1.2. Система энергетических параметров ДМОП ВЧ и СВЧ транзисторов и их малосигнальные эквивалентные схемы.

1.3. Модели ВЧ и СВЧ ДМОП-транзисторов в режиме большого сигнала.

1.4. Параметры большого сигнала Pi, КУР, г|С ВЧ и СВЧ ДМОП-транзисторов и их связь с малосигнальными параметрами.

1.5. Методики расчета индуктивностей выводов и входных внутрисогласующих цепей мощных ВЧ и СВЧ транзисторов.

ВЫВОДЫ К ГЛАВЕ 1.

ГЛАВА 2. МЕТОДЫ РАСЧЕТА КОЭФФИЦИЕНТА УСИЛЕНИЯ ПО МОЩНОСТИ И ВХОДНОГО ИМПЕДАНСА ВЧ И СВЧ МОЩНЫХ ДМОП-• ТРАНЗИСТОРОВ НА ОСНОВЕ УТОЧНЕННОЙ ЭКВИВАЛЕНТНОЙ СХЕМЫ.

2.1. Уточненные параметры и эквивалентная схема мощных ВЧ и СВЧ ДМОП-транзисторов на большом сигнале.

2.2. Матрица А-параметров ВЧ и СВЧ мощнах ДМОП-транзисторов. кР 2.3. Методы расчета коэффициента усиления по мощности и входного импеданса на большом сигнале СВЧ (ВЧ) мощных ДМОП-транзисторов.

ВЫВОДЫ К ГЛАВЕ

ГЛАВА 3. МЕТОДИКИ РАСЧЕТА ИНДУКТИВНОСТЕЙ ВЫВОДОВ И

ВХОДНЫХ ВНУТРИСОГЛАСУЮЩИХ ЦЕПЕЙ МОЩНЫХ ВЧ И СВЧ

ДМОП-ТРАНЗИСТОРОВ.

3.1. Аналитический метод расчета индуктивностей выводов мощных ВЧ и СВЧ ДМОП-транзисторов.

3.2. Метод расчета индуктивностей выводов мощных ВЧ и СВЧ ДМОП-транзисторов, основанный на трехмерном электромагнитном моделировании в среде Microwave Office.

3.3. Метод расчета входных внутрисогласующих LC-цепей мощных ВЧ и СВЧ ДМОП-транзисторо.

ВЫВОДЫ К ГЛАВЕ 3.

ГЛАВА 4. ТЕОРЕТИЧЕСКИЕ И ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНЫЕ ИССЛЕДОВАНИЯ ВЛИЯНИЯ КОНСТРУКЦИИ КОРПУСА НА КОЭФФИЦИЕНТ УСИЛЕНИЯ ПО МОЩНОСТИ И ИНДУКТИВНОСТИ

ВЫВОДОВ ВЧ И СВЧ МОЩНЫХ ДМОП-ТРАНЗИСТОРОВ.

4.1. Расчет индуктивностей выводов ВЧ и СВЧ мощных ДМОП-транзисторов разных конструкций.

4.2. Методика измерения энергетических параметров ВЧ и СВЧ мощных ДМОП-транзисторов и сравнительный анализ экспериментальных и рассчитанных значений.

ВЫВОДЫ К ГЛАВЕ 4.

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Влияние конструктивных особенностей ВЧ и СВЧ мощных ДМОП транзисторов на входной импеданс и коэффициент усиления по мощности»

Актуальность темы

Многие годы высокочастотные (ВЧ) и сверхвысокочастотные (СВЧ) полевые транзисторы (ПТ) были маломощными приборами, однако разработчиков электронных устройств привлекал ряд их параметров, сходных с параметрами электровакуумных приборов, например высокое входное сопротивление. За последние годы, в отечественной электронной промышленности была создана обширная номенклатура мощных ПТ с изолированным затвором, по энергетическим и частотным параметрам не уступающих западным образцам.

До настоящего времени, эквивалентные схемы ВЧ и СВЧ мощных ДМОП-транзисторов, характеризующие их работу в режиме большого переменного сигнала, не учитывали ряд особенностей приборов данного класса, таких как наличие индуктивностей выводов и зависимость входной, проходной и выходной емкости от напряжения сток-исток, которые в значительной степени, определяют коэффициент усиления по мощности транзисторов КуР. Кроме того, коэффициент усиления по мощности, как правило, измеряется в тестовых усилителях мощности, обеспечивающих работу транзистора в критическом режиме класса АВ. Поэтому, анализ эквивалентной схемы СВЧ (ВЧ) мощного ДМОП-транзистора, характеризующей его работу в согласованном усилителе мощности, в критическом режиме класса АВ и учитывающей указанные особенности, позволит оптимизировать конструкцию транзистора для достижения максимального коэффициента усиления по мощности Кур.

Для большинства отечественных ВЧ и СВЧ мощных ДМОП-транзисторов отсутствует информация о входном импедансе в режиме большого сигнала. Значения входного импеданса необходимы для использования на этапе разработки радиоаппаратуры современных систем автоматизированного проектирования. Поэтому, разработка методики расчета входного импеданса ВЧ и СВЧ мощных ДМОП-транзисторов в режиме большого сигнала является актуальной задачей.

С ростом рабочей частоты, все более важное значение для расчета входного импеданса, усилительных и широкополосных свойств ВЧ и СВЧ мощных ДМОП-транзисторов приобретают такие элементы эквивалентной схемы, как индуктивность общего вывода, входной и выходной цепей транзистора. При разработке транзисторов, содержащих внутри корпуса входное согласующее LC-звено, важной задачей является определение индуктивности этого звена. Значения же индуктивностей выводов ВЧ и СВЧ мощных ДМОП-транзисторов составляют десятые и сотые доли нГн, поэтому они не могут быть измерены с необходимой точностью. К сожалению, возможности применения современных систем электромагнитного моделирования и методик расчета индуктивностей ВЧ и СВЧ биполярных транзисторов для расчета индуктивностей выводов ДМОП-транзисторов не изучены. Очевидно, насколько необходима разработка методики определения значений индуктивностей выводов ВЧ и СВЧ мощных ДМОП-транзисторов.

Данная работа выполнялась в рамках ГБ НИР кафедры физики полупроводников и микроэлектроники Воронежского госуниверситета.

Цель и задачи работы

Целью настоящей диссертации являлось уточнение эквивалентной схемы ВЧ и СВЧ мощного ДМОП-транзистора в режиме большого переменного сигнала и разработка на ее основе аналитических методов расчета входного импеданса и коэффициента усиления по мощности для оптимизации конструкции транзистора, а также разработка методик расчета индуктивностей выводов и входных внутрисогласующих цепей ВЧ и СВЧ мощных ДМОП-транзисторов.

Поставленная цель определяет следующие задачи:

1. Уточнить эквивалентную схему СВЧ (ВЧ) мощного ДМОП-транзистора, характеризующую его работу в режиме большого переменного сигнала.

2. Разработать аналитические методы расчета коэффициента усиления по мощности и входного импеданса на большом сигнале ВЧ и СВЧ мощных ДМОП-транзисторов на основе уточненной эквивалентной схемы.

3. Предложить методы оптимизации конструкции транзистора для реализации максимального коэффициента усиления по мощности.

4. Исследовать возможность применения методик расчета индуктивностей ВЧ и СВЧ биполярных транзисторов для расчета индуктивностей выводов ДМОП-транзисторов.

5. Разработать метод расчета индуктивностей выводов ВЧ и СВЧ мощных ДМОП-транзисторов, основанный на трехмерном электромагнитном моделировании конструкции транзистора.

6. Разработать методику расчета входных внутрисогласующих цепей ВЧ и СВЧ мощных ДМОП-транзисторов.

Научная новизна

В диссертации получены следующие результаты, имеющие научно-техническую новизну:

1. Уточнена эквивалентная схема СВЧ (ВЧ) мощного ДМОП-транзистора, характеризующая его работу в режиме большого переменного сигнала, в которой для вычисления емкостей эквивалентной схемы предложено использовать значения входной Спи, проходной С2\и и выходной С22И емкостей транзистора при напряжении сток-исток равном рабочему напряжению питания UCH=Un (Спип, С2шп, Сггип)

2. На основе уточненной эквивалентной схемы и матрицы А-параметров ВЧ и СВЧ мощных ДМОП-транзисторов разработаны аналитические методы расчета коэффициента усиления по мощности и входного импеданса на большом сигнале, учитывающие проходную емкость Сзс и согласованную нагрузку. Рассчитанные зависимости коэффициента усиления по мощности от частотны Kyp=Kyp(f), напряжения питания Kyp=Kyp(Un) и выходной мощности Kyp=Kyp(Pi) совпали с экспериментальными при номинальном рабочем напряжении питания Un, частоте f0 и выходной мощности Pj с погрешностью не более ±10 %, а при больших отклонениях от номинальных рабочих Un, fo и Pi - с погрешностью не более ±20 %

3. Теоретически установлено, что для ВЧ и СВЧ мощных ДМОП-транзисторов, с ростом частоты значение коэффициента усиления по мощности убывает со скоростью Р(^=КурдБ(0,5^-КурдБ(^~6 дБ/октава в диапазоне частот f<fF (fF - значение граничной частоты), при дальнейшем увеличении частоты - F(f) возрастает. Согласно расчетам, fF больше либо равно верхней рабочей частоты транзистора fo (fp>fo).

4. Теоретически обосновано, что для повышения коэффициента усиления по мощности ВЧ и СВЧ мощных ДМОП-транзисторов необходимо уменьшать до технологически достижимых минимальных значений индуктивность истока Ьи, проходную емкость Сгшп и входную емкость Сцип транзистора, при этом необходимо повышать крутизну характеристики транзистора S. Определен количественный вклад каждого из этих параметров в увеличение значения КУР.

5. Теоретически доказана возможность применения для расчета индуктивностей выводов ВЧ и СВЧ ДМОП-транзисторов аналитического метода, основанного на вычислении магнитных потоков, создаваемых токами протекающими в входных и выходных цепях транзистора.

6. Разработан новый метод расчета индуктивностей выводов ВЧ и СВЧ мощных ДМОП-транзисторов, основанный на компьютерном трехмерном электромагнитном моделировании конструкции транзистора в среде Microwave Office. Результаты расчета индуктивностей выводов мощных ДМОП-транзисторов 2П977А, 2П978А, 2П819А и 2П979А на основе электромагнитного моделирования конструкции транзистора совпали с аналогичными данными, рассчитанными с помощью аналитического метода, основанного на вычислении соответствующих магнитных потоков, с погрешностью не более ±15 %.

7. Разработана методика автоматизированного сквозного проектирования входной внутрисогласующей цепи ВЧ и СВЧ мощных ДМОП-транзисторов в среде Microwave Office.

Практическая значимость

Аналитические методы расчета коэффициента усиления по мощности и входного импеданса на основе уточненной эквивалентной схемы и матрицы А-параметров ВЧ и СВЧ мощных ДМОП-транзисторов; метод расчета индуктивностей выводов ВЧ и СВЧ мощных ДМОП-транзисторов основанный на трехмерном электромагнитном моделировании конструкции транзистора в среде Microwave Office были применены при разработке новых типов мощных ВЧ и СВЧ МОП-транзисторов в ходе выполнения ОКР "Поток", "Прорыв", "Подшипник", "Пастила" в ФГУП "НИИЭТ" г. Воронеж, что подтверждается соответствующим "Актом о внедрении результатов диссертации". На основе рассчитанных значений входного импеданса и индуктивностей выводов разработаны измерительные усилители мощности и стенды для измерения энергетических параметров ВЧ и СВЧ мощных ДМОП-транзисторов 2П977А, 2П978А, 2П819А и 2П979А.

Основные положения и результаты, выносимые на защиту

1. Уточненная эквивалентная схема СВЧ (ВЧ) мощного ДМОП-транзистора, характеризующая его работу в режиме большого переменного сигнала, в которой для вычисления емкостей эквивалентной схемы предложено использовать значения входной Спи, проходной Сгш и выходной С22И емкостей транзистора при напряжении сток-исток равном рабочему напряжению питания UcH=Un (Сцип, Сгшп» Сггип)

2. Аналитические методы расчета коэффициента усиления по мощности и входного импеданса на большом сигнале ВЧ и СВЧ мощных ДМОП-транзисторов, разработанные на основе уточненной эквивалентной схемы и матрицы А-параметров транзистора.

3. Для ВЧ и СВЧ мощных ДМОП-транзисторов, с ростом частоты значение коэффициента усиления по мощности убывает со скоростью Р(1}=КурдБ(0,50-КурдБ(1}~6 дБ/октава в диапазоне частот f<fF (fF - значение граничной частоты), при дальнейшем увеличении частоты - F(f) возрастает. Согласно расчетам, fF больше либо равно верхней рабочей частоты транзистора f0 (fF>fo).

4. Для повышения коэффициента усиления по мощности ВЧ и СВЧ мощных ДМОП-транзисторов необходимо уменьшать до технологически достижимых минимальных значений индуктивность истока Ьи, проходную емкость Сгшп и входную емкость Сцип транзистора, при этом необходимо повышать крутизну характеристики транзистора S.

5. Теоретическое обоснование возможности применения для расчета индуктивностей выводов ВЧ и СВЧ ДМОП-транзисторов аналитического метода, основанного на вычислении магнитных потоков, создаваемых токами протекающими в входных и выходных цепях транзистора.

6. Новый метод расчета индуктивностей выводов ВЧ и СВЧ мощных ДМОП-транзисторов, основанный на компьютерном трехмерном электромагнитном моделировании конструкции транзистора в среде Microwave Office.

7. Методика автоматизированного сквозного проектирования входной внутрисогласующей цепи ВЧ и СВЧ мощных ДМОП-транзисторов в среде Microwave Office.

Апробация работы

Основные результаты диссертации докладывались и обсуждались на: VIII, IX, XI и XII Международных научно-технических конференциях "Радиолокация. Навигация. Связь" (Воронеж, 2002, 2003, 2005, 2006); V Международной научно-технической конференции "Электроника и информатика - 2005" (Москва, 2005); VIII международной научно-технической конференции "Актуальные проблемы твердотельной электроники и микроэлектроники" (Дивноморское, 2002), научной конференции молодых специалистов "Пульсар-2005" (Москва, 2005).

Публикации

По результатам исследований, представленных в диссертации, опубликовано 15 работ, в том числе 6 статей и 9 материалов докладов на научно-технических конференциях. В совместных работах [1, 2, 3, 4, 5, 12, 13, 15] автору диссертации принадлежат вывод формул для расчета коэффициента усиления по мощности и входного импеданса, разработка методики расчета индуктивностей выводов ВЧ и СВЧ мощных ДМОП-транзисторов и проведение экспериментальных исследований энергетических параметров транзисторов. В работах [6, 7, 8, 9, 10, 11, 14] автору диссертации принадлежат разработка стендов измерения энергетических и электрических параметров ВЧ и СВЧ мощных ДМОП-транзисторов и проведение экспериментальных исследований.

Структура и объем работы

Диссертация состоит из введения, четырех глав, заключения и списка цитируемой литературы, содержащего 77 наименований. Объем диссертации составляет 167 страниц, включая 63 рисунка и 12 таблиц.

Заключение диссертации по теме «Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро- и нано- электроника на квантовых эффектах», Семейкин, Игорь Валентинович

Основные результаты диссертации состоят в следующем:

1. Уточнена эквивалентная схема ВЧ И СВЧ мощного ДМОП-транзисторов, характеризующая его работу в режиме большого переменного сигнала, в которой учтено влияние индуктивности затвора L3, стока Lc и истока Ьи. Для вычисления емкостей эквивалентной схемы предложено использовать значения входной Сци, проходной Сгш и выходной С22И емкостей транзистора при напряжении сток-исток равном рабочему напряжению питания Ucn=Un (Сцип> Сгшгъ Сггип)

2. На основе уточненной эквивалентной схемы разработаны аналитические методы расчета коэффициента усиления по мощности и входного импеданса на большом сигнале ВЧ и СВЧ мощных ДМОП-транзисторов. Измеренные значения коэффициента усиления по мощности ВЧ и СВЧ мощных ДМОП-транзисторов, совпадают с рассчитанными по методу на основе А-параметров транзистора, с погрешностью не более ±10 %, а при использовании метода на основе анализа эквивалентной схемы транзистора— ±15%.

3. Теоретически установлено, что для ВЧ и СВЧ мощных ДМОП-транзисторов, с ростом частоты коэффициента усиления по мощности убывает со скоростью F-6 дБ/октава в диапазоне частот f<fp, при дальнейшем увеличении частоты - F(f) возрастает. Согласно расчетам, для ВЧ и СВЧ мощных ДМОП-транзисторов (2П977А, 2П978А, 2П819А и 2П979А), fF больше либо равно верхней рабочей частоты транзистора f0 (fF>fo).

4. Теоретически обосновано, что для повышения коэффициента усиления по мощности ВЧ и СВЧ мощных ДМОП-транзисторов необходимо уменьшать до технологически достижимых минимальных значений индуктивность истока Ьи, проходную емкость Сгшп и входную емкость СцИп транзистора, при этом необходимо повышать крутизну характеристики транзистора S. Определен количественный вклад каждого из этих параметров в увеличение значения КУР.

5. Теоретически доказана возможность применения для расчета индуктивностей выводов ВЧ и СВЧ ДМОП-транзисторов аналитического метода, основанного на вычислении магнитных потоков создаваемых токами протекающими в входных и выходных цепях транзистора.

6. Разработан новый метод расчета индуктивностей выводов ВЧ и СВЧ мощных ДМОП-транзисторов основанный на компьютерном трехмерном электромагнитном моделировании конструкции транзистора в среде Microwave Office.

7. Результаты аналитического расчета индуктивностей выводов ВЧ и СВЧ мощных ДМОП-транзисторов разной конструкции (2П977А, 2П978А, 2П819А и 2П979А), основанного на вычислении магнитных потоков создаваемых токами протекающими в входных и выходных цепях транзистора и расчетов, с помощью трехмерного электромагнитного моделирования, совпали с точностью не хуже ±15 %.

8. Разработана методика автоматизированного сквозного проектирования входной внутрисогласующей цепи ВЧ и СВЧ мощных ДМОП-транзисторов в среде Microwave Office.

9. На основе рассчитанных значений входного импеданса и индуктивностей выводов разработаны измерительные усилителей мощности для ВЧ и СВЧ мощных ДМОП-транзисторов разной конструкции (2П977А, 2П978А, 2П819А и 2П979А).

10. Разработаны стенды для измерения энергетических параметров ВЧ и СВЧ мощных ДМОП-транзисторов разной конструкции (2П977А, 2П978А, 2П819А и 2П979А). Измеренные с помощью этих стендов зависимости коэффициента усиления по мощности от частотны KyP=KyP(f), напряжения питания KyP=KyP(Un) и выходной мощности KyP=KyP(Pi) совпали с теоретически рассчитанными при номинальном рабочем напряжении питания Un, частоте fo и выходной мощности Pj с погрешностью не ±10%, а при больших отклонениях от номинальных рабочих Un, fo и погрешностью не более ±20 %. более Р, - с

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

Список литературы диссертационного исследования кандидат технических наук Семейкин, Игорь Валентинович, 2006 год

1. Дьяконов В. П. Энциклопедия устройств на полевых транзисторах/ Дьяконов В. П., Максимчук А. А., Ремнев А. М., Смердов В. Ю. -М.-.СОЛОН-Р. -2002. -512 е., ил.

2. Mechanical data. Document number 2597. D1009UK Metal gate RF silicon FET/ -Semelab pic. -1999. -6 p.

3. PTF 10020 125 Watts, 860-960 MHz GOLDMOS™ field effect transistor/ -Ericsson Microelectronics RF Power Products, Morgan Hill, CA 95037 USA.-1998.-6 p.

4. Product specification. VHF push-pull power MOS transistor BLF368/ -Philips Semiconductors. -September 1997. -12 p.

5. Зи. С. Физика полупроводниковых приборов./ Зи. С. -М.: Мир. -1984. -456 с.

6. Бачурин. В. В. Мощные МДП-транзисторы и их применение в радиоэлектронных схемах./ В. В. Бачурин, А. К. Бельков, А. И. Пыхтунова.// -М.: ЦНИИ "Электроника". -1980., -68 с. (Обзоры по электронной технике. Сер. 2. Полупроводниковые приборы; Вып. 1).

7. Бачурин. В. В. Мощные МДП-транзисторы и их применение в радиоэлектронных схемах./ В. В. Бачурин, А. К. Бельков, В. П. Дьяконов.// -М.: ЦНИИ "Электроника". -1981. -Ч. 2. -60 с. (Обзоры по электронной технике. Сер. 2. Полупроводниковые приборы; Вып. 7).

8. Сопов. О. В. Мощные ВЧ и СВЧ МДП-транзисторы импульсные приборы наносекундного диапазона/ О. В. Сопов, В. В. Бачурин, В. П. Дьяконов и др.// Электронная техника. Сер. 2. Полупроводниковые приборы. -1978. -Вып. 5, 6. -С. 103—116.

9. Бачурин. В. В. Исследование динамических параметров мощных МДП-транзисторов/ В. В. Бачурин, В. П. Дьяконов, Т. А. Самойлова,

10. О. А. Фролков.// Электронная техника. Сер. 2. Полупроводниковые приборы. -1983. -Вып. 5. -С. 43-52.

11. Ю.Бачурин В. В. Мощный ВЧ полевой транзистор с изолированным затвором КП902./ Бачурин В. В., Никонов А. С, Садовская Е. А., Сопов О. В.// Электронная промышленность. -1975. —№ 4. -С. 86—88.

12. Бачурин В. В. Мощный высокочастотный МДП-транзистор КП904./ Бачурин В. В., Дьяконов В. П., Сопов О. В.// Электронная промышленность. -1979. —№ 5. -С. 9—10.

13. Бачурин В. В. Мощный кремниевый МДП-транзистор КП908./ Бачурин В. В., Бычков С. С, Дьяконов В. П., Прушинский А. К.// Электронная промышленность. -1980. —№ 1. -С. 44-46.

14. Бачурин В. В. Исследование электрических параметров СВЧ мощных кремниевых МДП-транзисторов КП905А, КП905Б./ Бачурин В. В., Бельков А. К., Либерман В. С.// Электронная техника. Сер. 2. -1979. -Вып. 5. -С. 72-88.

15. Application Note AN98021. 100 400 MHz 250 W Power Amplifier with the BLF548 MOSFET/ -Philips Semiconductors. -2001 Mar 23. -14 p.

16. Motorola semiconductor technical data. MRF275G Power field-effect transistor N-chenel enhancement-mode/ -Motorola inc. -1999. -10 p.

17. Б.Окснер Э. С. Мощные полевые транзисторы и их применение / Э. С. Окснер. -М.: Радио и связь. -1985. 288 с.

18. Никишин. В. И. Проектирование и технология производства мощных СВЧ транзисторов/ В. И. Никишин и др.. М. : Радио и связь. -1989. -145 с.

19. Product Specification. Data Sheet BLF861A UHF power LDMOS transistor / Philips Semiconductors. -2001.-16 p.

20. Сопов. О. В. Кремниевые полевые транзисторы/ О. В. Сопов и др..// Электронная промышленность. 2003. - № 2. - С. 176-188.

21. ГОСТ 20398.14-88. Транзисторы полевые. Метод измерения выходной мощности, коэффициента усиления по мощности и коэффициента полезного действия стока./ -М.: Издательство стандартов. -1989. -7 с.

22. Полу проводниковые приборы в схемах СВЧ: Пер. с англ./ Под ред. М. Хауэса, Д. Моргана. -М.: Мир. -1979. -444 с.

23. Каганов В. И. Радиопередающие устройства./ Каганов В. И. -М.: Академия. -2002. -288 с.

24. Проектирование радиопередающих устройств СВЧ./ Под ред. Г. М. Уткина. -М.: Сов. Радио. -1979. -317 с.

25. Аронов В. JI. Испытание и исследование полупроводниковых приборов./ Аронов В. Д., Федотов Я. А. -М.: Высшая школа. -1975. —325 с.

26. McGregor P. Small-signal High-frequency Performance of Power MOS Transistors / P. McGregor , J. Mena, C.A.T. Salama // Solid State Electronics. -1984. -Vol. 27, -N 5. P. 419-432.

27. Никифоров В. В. Определение элементов эквивалентной схемы мощных МДП-транзисторов./ В. В. Никифоров, А. А. Максимчук.// Полупроводниковая электроника в технике связи. Вып. 25. -1985, -С. 163167.

28. Схемотехника устройств на мощных полевых транзисторах: справочник./ Под. ред. В. П. Дьяконова. -М.: Радио и связь. -1994. -280 с.

29. Grober F. W. Inductance calculations working formulas and tables./ Grober F. W. -New York, Dover publications. Inc. -1962. -112 p.

30. Калантаров П. JI. Расчет индуктивностей: Справочная книга./ Калантаров П. Л., Цейтлин JI. А. —JL: Энергоатомиздат. -1986. -488 с.

31. Булгаков О. М. Расчет индуктивностей эмитерного и базового выводов мощных ВЧ и СВЧ транзисторов./ Булгаков О. М., Петров Б. К., Гуков П. О.// Электронная техника. Сер. 2. Полупроводниковые приборы. -1992. -Вып. 1,-С. 27-29.

32. Булгаков О. М. Композиционные модели индукционных взаимодействий в мощных ВЧ и СВЧ транзисторах./ О. М. Булгаков, Б. К. Петров. —Воронеж: Воронежский государственный университет. -2005. -253 с.

33. Терлецкий Я. П. Электродинамика./ Я. П. Терлецкий, Рыбаков Ю. П. -М.: Высш. шк. -1990. -321 с.

34. Меныпиков П. А. Моделирование малосигнальных параметров мощных ВЧ и СВЧ МОП-транзисторов с вертикальной и горизонтальной структурой: Дис. . канд. тех. наук// -Защищена 22.02.05., Утв. 02.04.05. -Воронеж, Воронежский гос. ун-т. —2005. -132 с.

35. Сидерс Г. Мощные транзисторы фирмы СТС./ Сидерс Г.// Электроника. -1973. -№10, -С. 72-75.

36. Данилин. В. Н. Аналоговые полуроводниковые интегральные схемы СВЧ./ В. Н. Данилин, А. И. Куширенко, Г. В. Петров -М.: Радио и связь.-1985.-192 с.

37. Ганстон М. А. Р. Справочник по волновым сопротивлениям фидерных линий СВЧ./ Ганстон М. А. Р. -М.: Связь. -1976. -152 с.

38. Чальян К. М. Методы расчета электромагнитных параметров токопроводов./ Чальян К. М. -М.: Энегоатомиздат. —1990. -280 с.

39. Бессонов JI. А. Теоретические основы электротехники. Электромагнитное поле: Учебник. -10-е изд. -М.: Гардарики. -2003. -317 .

40. Каден Г. Электромагнитные экраны в высокочастотной технике и технике электросвязи: Пер. с нем./ Каден Г. -М.: Госэнергоиздат. —1957. -326 с.

41. Бессонов JI. А. Теоретические основы электротехники: Электрические цепи./ Бессонов JI. А. -М.: Высш. шк. -1984. -559 с.

42. Rainal A. J. Computing inductive nois of chip packages./ Rainal A. J.// AT&T Bell laboratories technical journal. -1984. -V. 63. -№ 1. -P. 177-195.

43. Петров Б. К. Расчет эквивалентных индуктивностей входных цепей мощных СВЧ транзисторов./ Петров Б. К., Булгаков О. М., Гуков П. О.// ВГУ. -Воронеж. -1992. -деп. в ВИНИТИ №1420. В92.

44. Петров Б. К. Влияние формы проводников на индуктивность первого звена встроенной согласующей цепи мощных ВЧ и СВЧ транзисторов./ Петров Б. К., Булгаков О. М., Гуков П. О.// ВГУ. -Воронеж. -1992. -деп. в ВИНИТИ №1660. В92.

45. Радиопередающие устройства на полупроводниковых приборах. Под ред. Р. А. Валитова, И. А. Попова. -М.: Сов. Радио. -1973. -462 с.

46. Маттаи Г. JI. Таблицы для расчета трансформаторов сопротивлений в виде фильтра нижних частот Чебышева./ Маттаи Г. JI. -ТИИЭР. -1964. -Т. 52. -№ 8. -С. 1003—1028.

47. Семейкин. И. В. Модель мощного транзистора на основе малосигнальных параметров/ И. В. Семейкин, Б. К. Петров, Г. А. Викин, В. В. Асессоров// Петербургский журнал электроники. -ЗАО "Электронстандарт". -Санкт-Петербург. -3 (44) 2005. -С. 96-101.

48. ГОСТ 20398.5-91 Транзисторы полевые. Метод измерения входной, проходной и выходной емкостей./ -М.: Издательство стандартов. -1991.-10 с.

49. Петров. Б. К. Исследование емкостей мощных СВЧ МОП транзисторов/ Б. К. Петров, П. А. Меньшиков, И. В. Семейкин и др.// Сборник трудов 9-й международной научно-технической конференции

50. Радиолокация. Навигация. Связь". -Россия. -Воронеж, -апрель 2003. -С. 528-535.

51. Петров. Б. К. Исследование нелинейных емкостей в мощных СВЧ МОП-транзисторах/ Б. К. Петров, П. А. Меньшиков, И. В. Семейкин и др.// -Вестник ВГУ. -Серия физика, математика. -№1. -Воронеж. -2004. -С. 45-50.

52. Петров Б. К. Расчет емкостей Свх, CBbIX, Спр мощных СВЧ МОП транзисторов/ Б. К. Петров, П. А. Меньшиков, Ю. К. Николаенков// Петербургский журнал электроники. -№ 2. -2003. -С. 45-48.

53. ГОСТ20398.9-94 Транзисторы полевые. Метод измерения крутизны характеристики в импульсном режиме./ -М.: Издательство стандартов. -1994. -8 с.

54. Заездный А. М. Основы расчета радиотехнических цепей/ — М.: Связь.-1966.-368с.

55. Полупроводниковые приборы в схемах СВЧ: Пер. с англ./ Под ред. М. Хауэса, Д. Моргана. -М.:Мир. -1979. -444 с.

56. Булгаков О. М. К расчету индуктивности общего вывода мощного ВЧ (СВЧ) транзистора// -Вестник Воронежского института МВД России. -Вып. 3(15). -Воронеж: ВИ МВД РФ. -2003. -С. 16-21.

57. Петров Б. К. Расчет эквивалентных индуктивностей входных цепей мощных СВЧ-транзисторов/ Петров Б. К., Булгаков О. М., Гуков П. О./ / -Воронеж, Воронежский гос. ун-т. -1992. -деп. в ВИНИТИ № 1420-В92.

58. Петров Б. К. Методики расчета индуктивностей мощных балансных ВЧ и СВЧ МОП транзисторов/ Б. К. Петров, О. М. Булгаков, И. В. Семейкин.// -Вестник ВГУ. -Серия физика, математика. -№1. -Воронеж. -2005. -С. 93-100.

59. Разевиг В. Д., Потапов Ю. В., Курушин А. А. Проектирование СВЧ устройств с помощью Microwave Office. Под ред. В. Д. Разевиг/ -М.: Солон-Пресс. -2003. -496 с.

60. Зарубежные транзисторы и их аналоги. Справочник-каталог. В 5-ти томах, т. 5/ -М.: Электрон. -2001. -768 с.

61. Бычков Ю. А. Основы теории электрических цепей/ Бычков Ю. А., Золотницкий В. М., Чернышев Э. П.// -М.: Лань. -2004. -464 с.

62. Фриск В. Основы теории цепей. Использование пакета Microwave Office/ -М.: СОЛОН-Пресс. -2004. -160 с.

63. Шахгильдян В. В. Проектирование радиопередающих устройств: Учеб. пособие для вузов/ В. В. Шахгильдян, В. А. Власов, В. Б. Козырев и др.; Под ред. В. В. Шахгильдяна. —3-е изд., перераб. и доп. -М.: Радио и связь.-1993.-512 с.