Влияние геометрических и температурных факторов на сублимационный массоперенос в микроразмерных ростовых ячейках: технологические аспекты тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 05.27.06, кандидат технических наук Чеботарев, Сергей Николаевич

• Чеботарев, Сергей Николаевич
• кандидат технических наук
• 2007

Оглавление диссертации кандидат технических наук Чеботарев, Сергей Николаевич

ВВЕДЕНИЕ.

ГЛАВА 1 ОБЗОР ЛИТЕРАТУРЫ.

1.1. Общие сведения о методе зонной сублимационной перекристаллизации.

1.2. Развитие исследований сублимационного осаждения слоев при малых расстояниях между источником и подложкой.

1.3. Сравнительная характеристика метода ЗСП и родственных методов.

1.4. Материалы источников для ЗСП.

1.5. Модели массопереноса при ЗСП.

1.5.1. Интегральная модель.

1.5.2. Диффузионная модель.

1.5.3. Атомно-кинетическая модель.

1.6. Экспериментальные исследования и применение процесса ЗСП.

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Влияние геометрических и температурных факторов на сублимационный массоперенос в микроразмерных ростовых ячейках: технологические аспекты»

Методы получения слоев и слоевых структур являются одной из важнейших технологических основ современной твердотельной электроники. Их развитие в значительной мере обусловливает прогресс не только в области разработки новых функциональных материалов электроники, но и в разработке новых конструкционных материалов для различных технических применений. Существует широкий спектр методов получения слоев и структур металлов и полупроводников. Среди них выделяется гибкостью и универсальностью метод осаждения из молекулярных (атомарных) потоков. Метод широко применяется для нанесения покрытий и слоев, различных по техническому назначению и составу вещества. В своем прецизионном сверхвысоковакуумном варианте этот метод (часто его называют молекулярно-лучевой эпитаксией - МЛЭ) является инструментом нанотехнологий. Он позволяет контролируемо осаждать тонкие аморфные или кристаллические слои заданного состава и синтезировать многослойные структуры для микро-, нано- и оптоэлектроники. Такая технология весьма чувствительна к остаточной газовой среде, загрязнениям из тиглей, в которых содержится расплав испаряемого вещества, и молекулярным потокам из нагретых деталей внутрикамерной оснастки вакуумных установок. Использование сублимирующегося источника повышает чистоту процесса, а также при малых скоростях осаждения делает его более управляемым. Применение сублимирующегося источника в условиях микроразмерной вакуумной зоны, отделяющей источник вещества и подложку приводит к процессу зонной сублимационной перекристаллизации (ЗСП), перспективного с точки зрения целого ряда применений в технологии материалов и структур твердотельной электроники, а также в области нанотехнологий. На основе этого процесса созданы методы получения эпитаксиальных и поликристаллических слоев полупроводников и металлов. При этом как исследование процесса, так и применение были связаны только с наиболее простыми вариантами его реализации. В то же время условия непланарных вакуумных зон, использование неоднородных по структуре и монокомпонентных по составу сублимирующихся источников, а также неоднородных тепловых полей, представляющие несомненный интерес для создания технологических применений, до сих пор систематически не исследовались. В теории ЗСП особенно актуальными является разработка универсальных подходов к моделированию массопереноса при ЗСП, применимых для различных по свойствам источников вещества, варьируемых температурных и геометрических условий процесса. В экспериментальном плане боль4 шой интерес представляет, исследование ЗСП применительно к тугоплавким металлам, используемым для создания элементов высокотемпературной оснастки технологических установок, разработки новых композиционных материалов и методов их получения, а также исследование ЗСП в связи с задачами прецизионного нанесения и стравливания нанослоев полупроводников и металлов.

Цель и задачи работы. В связи со сказанным выше, целью диссертационной работы являлось исследование влияния геометрических и температурных факторов на массоперенос при зонной сублимационной перекристаллизации полупроводниковых материалов и тугоплавких металлов в микроразмерных плоскопараллельных, цилиндрических и рельефных ростовых ячейках.

Для реализации поставленной цели необходимо было решить следующие задачи:

- разработать модель массопереноса при ЗСП в ростовых ячейках различной геометрии;

- разработать алгоритмы реализации компьютерного эксперимента, позволяющего анализировать влияние различных технологически значимых условий проведения процесса ЗСП;

- провести теоретические исследования влияния геометрических и температурных факторов на перенос ростового вещества в плоскопараллельной, цилиндрической и рельефной ростовых ячейках;

- обосновать выбор модельных материалов для проведения экспериментальных исследований ЗСП;

- разработать методику и аппаратуру экспериментальных исследований ЗСП;

- осуществить экспериментальную проверку выводов теории о влиянии геометрических и температурных факторов на массоперенос модельных материалов при ЗСП;

- выявить области практического применения метода ЗСП.

Объекты и методы исследования. Объектами теоретических исследований являлись закономерности массопереноса при сублимационном нанесении слоев металлов и полупроводников в микроразмерных ростовых ячейках различной конфигурации.

Объектом экспериментальных исследований выступал метод зонной сублимационной перекристаллизации в его применении к модельным материалам с использованием плоскопараллельной, цилиндрической и рельефной вакуумных зон.

В качестве методов исследования были использованы: имитационные методы компьютерного моделирования, методы сканирующей электронной, атомно-силовой и оптической микроскопии, методы рентгеновского энергодисперсионного микроанализа.

Научная новизна

1. Разработаны универсальная атомно-кинетическая модель массоперено-са при ЗСП в ростовых зонах различной геометрии и методика компьютерного прогнозирования технологических процессов осаждения слоев методом ЗСП.

2. Впервые проведено исследование и выявлены закономерности мас-сопереноса при ЗСП в цилиндрических и рельефных ростовых зонах.

3. Обоснованы условия получения методом ЗСП наноразмерных эпи-таксиальных слоев.

4. Впервые экспериментально исследован процесс ЗСП тугоплавких металлов; получено подтверждение теоретических зависимостей массопере-носа при ЗСП в цилиндрических и рельефных ростовых зонах.

5. Разработана экспериментальная методика, позволяющая за счет изменения знака скорости ЗСП на одной подложке реализовать рост и травление наноразмерных слоев вещества.

Практическая значимость. Проведенные исследования показывают, что областями практического применения результатов работы могут быть:

1) компьютерное прогнозирование технологических условий процесса осаждения методом ЗСП полупроводниковых и металлических слоев с заданными геометрическими свойствами на основе разработанной универсальной атомно-кинетической модели;

2) осаждение однородные металлических, в том числе тугоплавких, покрытий на подложки сложной геометрии (рельефные, цилиндрические и т.д.) с минимизацией потерь ростового вещества;

3) определение равновесного давления паров и измерение скорости сублимации высокотемпературных материалов;

4) контролируемый рост и прецизионное термотравление наноразмерных полупроводниковых и металлических слоев.

Научные положения, выносимые на защиту

1. Универсальная атомно-кинетическая модель массопереноса при зонной сублимационной перекристаллизации в ростовых зонах произвольной геометрической конфигурации.

2. Результаты теоретических и экспериментальных исследований ЗСП кремния, молибдена и графита в плоскопараллельной, цилиндрической и рельефной ростовых зонах.

3. Результаты теоретических и экспериментальных исследований возможности контролируемого послойного роста-травления наноразмерных слоев методом ЗСП.

Достоверность и обоснованность полученных в диссертационной работе результатов подтверждается полнотой и корректностью исходных посылок, непротиворечивостью математических выкладок при теоретическом моделировании процесса, применением в экспериментах аппаратуры с высокими метрологическими характеристиками, хорошим согласием выводов теории с результатами экспериментальных исследований, а также с известными из литературы экспериментальными данными, практическим использованием результатов работы, подтвержденным соответствующими актами о внедрении.

Апробация работы. Основные результаты диссертационной работы докладывались и обсуждались на семинарах центра коллективного пользования «Высокие технологии» (Ростовский государственный университет, г. Ростов-на-Дону, Южно-Российский государственный технический университет, г. Новочеркасск, Таганрогский государственный радиотехнический университет, г. Таганрог) (2005-2007 гг.), научно-технических конференциях ЮРГТУ (НПИ) (2004-2007 гг.), а также на следующих конференциях:

- «XII Национальной конференции по росту кристаллов», Москва, 2006;

- «XXI Российской конференции по электронной микроскопии», Черноголовка, 2006;

- «III Научно-практической конференции "Нанотехнологии - производству 2006», Фрязино, 2006;

- «XV Российском симпозиуме по растровой электронной микроскопии и аналитическим методам исследования твердых тел, Черноголовка, 2007».

Реализация и внедрение результатов работы. Результаты диссертации использованы в ряде научно-исследовательских работ, проводимых на кафедре «Общая и прикладная физика» ЮРГТУ (НПИ) - «Разработка теоретических основ процесса кристаллизации эпитаксиальных слоев кремния, легированного редкоземельными элементами» (№ гос. регистрации 01200312452, 2003-2007 гг.), «Научно-методическое, организационное и материально-техническое обеспечение развития Центра коллективного пользования Южного корпоративного университета «Высокие технологии» научным оборудованием для проведения научно-исследовательских, опытно-конструкторских и технологических работ по приоритетным направлениям Программы» (№ гос. контр. РИ-27.0/001/062, 2005-2006 гг.), «Разработка научных основ метода получения нанослоев и структур ZnO в ультратонких ростовых ячейках» (№ гос. контр. 02.513.11.3349, 2007 г.).

Кроме того, результаты диссертационной работы использованы:

- в технологических процессах сублимационного нанесения слоев различных веществ при изготовлении электронных модулей со специальными свойствами (ФГУП ВНИИ «Градиент», г. Ростов-на-Дону).

- при разработке зондовых датчиков для атомно-силовых микроскопов с нановискерным сканирующим элементом (ЦКП «Нанотехнологии» ЮРГТУ», г. Новочеркасск).

Публикации. По материалам диссертационной работы опубликовано 16 работ: 3 статьи в журналах, рекомендованных ВАК, 4 публикации в сборниках тезисов докладов всероссийских конференций, 1 монография.

Личный вклад автора. Диссертационная работа выполнена под научным руководством кандидата физико-математических наук, доцента Лозовского C.B., при участии которого были определены главные задачи исследования, и обсуждены основные результаты работы.

По тематике диссертации автором лично выполнено следующее: построена универсальная атомно-кинетическая модель массопереноса при ЗСП; разработаны вычислительные алгоритмы и составлен пакет прикладных программ для реализации компьютерного эксперимента на основе атомно-кинетической модели; проведены теоретические исследования влияния геометрических и температурных условий ЗСП на массоперенос; сконструирована и изготовлена аппаратура для реализации процесса ЗСП кремния, молибдена, графита; разработана методика экспериментальных исследований массопереноса при ЗСП в плоскопараллельной, цилиндрической и рельефной ростовых зонах; проведены эксперименты по исследованию закономерностей массопереноса полупроводников и тугоплавких металлов; поставлен эксперимент, демонстрирующий возможность использования метода ЗСП для контролируемого роста-травления наноразмерных слоев; проведена интерпретация полученных экспериментальных результатов.

Основной соавтор публикаций Лозовский В.Н. участвовал в развитии вопросов теории и методики эксперимента, в обсуждении результатов исследований. При содействии Ирха В.А. проведены экспериментальные исследования осаждения слоев тугоплавких металлов в рельефной ростовой зоне.

Исследование морфологии наноразмерных эпитаксиальных слоев кремния, полученных методом ЗСП, проведено при участии Валова Г.В.

Объем диссертации и ее структура. Диссертация состоит из введения, четырех глав, общих выводов, списка использованной литературы. Общий объем диссертации страниц - 145, рисунков - 62, таблиц - 4, список использованной литературы содержит 144 наименований.

Заключение диссертации по теме «Технология и оборудование для производства полупроводников, материалов и приборов электронной техники», Чеботарев, Сергей Николаевич

ОБЩИЕ ВЫВОДЫ

1. Разработана атомно-кинетическая модель массопереноса при ЗСП, позволяющая описать движение фазовых границ вакуумной ячейки и рассмотреть влияние геометрических и температурных факторов на кинетику процесса ЗСП. На основе этой модели создан пакет прикладных программ и методика их использования в компьютерных экспериментах, которые позволяют заменять натурные эксперименты при отработке технологических процессов осаждения слоев методом ЗСП.

2. Теоретически показано, что геометрические условия, характерные для метода ЗСП, обеспечивают получение однородных по толщине слоев на подложках различной геометрии при практически полном переносе ростового вещества (85-99%), при этом радиальной неоднородностью скорости процесса для плоскопараллельной ростовой зоны и продольной - для цилиндрической можно пренебречь. Выводы теории подтверждены экспериментально.

3. Исследована зависимость скорости ЗСП от перепада температуры 8Г между источником и подложкой. Скорость ЗСП пропорциональна 8Г, и при малых величинах 8Г, существенно меньших температуры источника (5Г>0ДГ), совпадает со скоростью сублимации вещества со свободной поверхности в вакуум (F —»Fmax). На примере кремния показана возможность применения метода ЗСП для контролируемого стравливания и наращивания наноразмерных слоев при варьировании величины и знака 8Г.

4. Для исследования методами атомно-силовой микроскопии получаемых наноразмерных структур в диссертационной работе предложена и апробирована методика электрон-стимулированного наращивания карбоновых нано-вискеров на острие стандартных зондовых датчиков АСМ; на этой основе созданы наносенсоры с радиусом закругления острия менее 10 нм и длиной тела вискера до 1 мм, позволяющие добиться предельного разрешения АСМ.

5. Разработана экспериментальная методика исследования кинетики процесса ЗСП модельных материалов (тугоплавких металлов) в диапазоне температур от 1000 К до 2800 К цилиндрической и рельефной ростовых зонах. Впервые экспериментально исследован массоперенос в ростовых зонах непла-нарной геометрии. Показано, что для цилиндрических ростовых зон при толщинах до 850 мкм и длине ростовой зоны 15-25 см, краевые эффекты проявляются незначительно, и потери вещества не превышают 3%. Установлено, что способ ЗСП позволяет обеспечить однородность толщины покрытия, выращенного на поверхности подложки с глубинным рельефом в пределах 4%.

6. Показана возможность нанесения методом ЗСП толстых молибденовых слоев на графите. Разработана методика нанесения прочных молибденовых покрытий на рельефной поверхности графитовых нагревательных элементов. Установлено наличие на границе с графитовой подложкой протяженной (0,5 до 0,8 мкм) переходной области переменного состава из карбида молибдена, обеспечивающую хорошую адгезию молибденового слоя к графитовой основе. Апробирование нагревателей из композиционного материала при температуре эксплуатации до 1700 К показало их высокие эксплуатационные свойства.

7. Показано, что процесс ЗСП в цилиндрической ростовой зоне может использоваться как физико-технический метод определения скорости сублимации высокотемпературных веществ Ктах и равновесных давлений паров р* над твердой поверхностью. Относительная погрешность измерения скорости Утах составляет не более 3%. Предложенным методом получены температурные зависимости скорости сублимации молибдена и вольфрама и энергии активации сублимации Е^0=6,5 эВ, Ецг =9,1 эВ.

Список литературы диссертационного исследования кандидат технических наук Чеботарев, Сергей Николаевич, 2007 год

1. Handelman Е.Т., Povilonis EJ. Epitaxial Growth of Silicon by Vacuum Subli-mation//J.Electrochem. Soc. - 1964. - V.lll, N2. - P. 201-206.

2. Юрьев В.А. Кинетика наращивания эпитаксиальных слоев кремния из близко расположенного источника // Физика конденсированных сред: Тр. Новочерк. политехи, ин-т. Новочеркасск, 1974. - Т.287. - С. 51-53.

3. Толомасов В.А., Абросимова Л.Н., Сергиевская Т.Н. Получение эпитаксиальных пленок кремния на дисках сублимацией в вакууме // Процессы роста кристаллов и пленок полупроводников. Новосибирск, 1970. -С. 219-225.

4. Дорфман В.Ф. Некоторые вопросы кристаллизации при малых расстояниях между источником и подложкой // Кристаллография. 1968. -Т.13, вып. 1. -С. 140-146.

5. Александров Л.Н., Лозовский СВ., Князев СЮ. Управление массоперено-сом легирующей примеси при зонной сублимационной перекристаллизации //Письма в жури. техн. физики. 1987. -Т.13, вып. 17. - С 1080-1084.

6. Aleksandrov L.N., Lozovskii S.V., Knyazev S.Y. Silicon Zone Sublimation Re-growth // Phys. Stat. Sol. (a), 1988. V.107. - P. 213-223

7. Лозовский СВ. Массоперенос кремния при перекристаллизации через тонкий вакуумный промежуток/ Новочерк. политехи, ин-т. Новочеркасск, 1986.- 18 с. - Деп. в ВИНИТИ 16.10.86, № 7313-В.

8. Лозовский СВ., Князев СЮ. Массоперенос примеси при перекристаллизации через тонкий вакуумный промежуток / Новочер. политехи, ин-т. Новочеркасск, 1986. - 12 с. -Деп. в ВИНИТИ 16.10.86, №7313-В.

9. Александров Л.Н., Князев СЮ., Лозовский СВ. Диффузионная модель переноса примеси при перекристаллизации через тонкий вакуумный промежуток// Кристаллизация и свойства кристаллов: Межвуз. сб. -Новочеркасск: НПИ, 1987.-С 35-40.

10. Зонная сублимационная перекристаллизация как метод получения слоев чистых материалов (на примере кремния)/СВ. Лозовский, СР. Октябрьский, P.A. Рубцова, В.В. Макаров// Высокочистые вещества. -1988. №6.-С. 113115.

11. Лозовский СВ., Плющев Д.Ю., Князев СЮ. О массопереносе в тонком вакуумном капилляре при зонной сублимационной перекристаллизации// Вакуумная наука и техника: Тез. докл. науч.-техн. конф. с междунар. уч. -Гурзуф, 1995.-С 47.

12. Моделирование массопереноса при зонной сублимационной перекристаллизации из составного источника / В.Н. Лозовский, СВ. Лозовский, Д.Ю. Плющев, СЮ. Князев // НТ&СС97: Тез. докл. 2-го Рос. симпозиума. Обнинск, 1997.-С 34.

13. Легирование кремния эрбием в процессе эпитаксии / СВ. Лозовский, Д.Ю. Плющев, СЮ. Князев, Н.Ф. Политова // Кристаллизация и свойства кристаллов: Межвуз. сб. науч. тр. Новочеркасск: ЮРГТУ, 1999. - С. 88-91.

14. Плющев Д.Ю., Лозовский СВ. Получение тонкопленочных сплавных металлических покрытий методом зонной сублимационной перекристаллизации //Исследование проблем совершенствования автомобильного транспорта: Сб. науч. тр. Новочеркасск: НГТУ, 1996. - С 72-75.

15. Атомно-кинетическая модель массопереноса при зонной сублимационной перекристаллизации/В.Н.Лозовский, С.В.Лозовский, Д.Ю. Плющев, С.Ю. Князев // Изв. вузов. Сев.-Кавк. регион. Естеств. науки. №3,1999. С. 38-42.

16. Лозовский СВ., Плющев Д.Ю., Князев СЮ. О применении атомарно-кинетической и диффузионной моделей для исследования массопереноса при ЗСП // Кристаллизация и свойства кристаллов: Межвуз. сб. науч. тр. Новочеркасск: НГТУ, 1996. - С. 90-93.

17. Технология тонких пленок / Под ред. Л. Майсееля, Р. Глэнга. -М.: Сов. радио, 1977. Т. 1.

18. Молекулярно-лучевая эпитаксия и гетероструктуры / Под ред. Л. Ченга, К. Плога. М.: Мир, 1989

19. Маслов В.Н. Репродукционная эпитаксия. М.: Металлургия, 1981

20. Вакуумное нанесение пленок в квазизамкнутом объеме / Ю.З. Бубнов, М.С. Лурье, Ф.Г. Старое, Г.А. Филаретов М.: Сов.радио, 1975.

21. Epitaxial growth of SiC layers by sublimation «sandwich-method (I)» / Ju.A. Vodakov, E.N. Mokhov, M.G. Ramm, A.D. Roenkov // Krist und Techn. -1979. -V.14,N6.-P. 729-740.

22. Лозовский B.H., Лунин Л.С, Попов В.П. Зонная перекристаллизация градиентом температуры полупроводниковых материалов.-М.: Металлургия, 1987

23. Гегузин Я.Е., Кривоглаз М.А. Движение макроскопических включений в твердых телах. М.: Металлургия, 1972.

24. Ржанов A.B., Стенин СИ. Молекулярно-лучевая эпитаксия: состояние вопроса, проблемы и перспективы развития // Рост полупроводниковых кристаллов и пленок. Новосибирск, 1984.-4.1.-С. 5-34.

25. Чистяков Ю.Д., Райнова Ю.П. Физико-химические основы технологии микроэлектроники. -М.: Металлургия, 1979.

26. Эпитаксия германия из молекулярного пучка на вицинальной поверхности кремния вблизи (111) / А.И. Торопов, Л.В. Соколов, О.П. Пчеляков, СИ. Степин // Кристаллография. 1982. - Т.27, №4. -С 751-756.

27. Шенгуров Д.В., Павлов Д.А., Шабанов В.Н. Немонотонный характер зависимости сопротивления пленок поликристаллического кремния от температуры роста// Физика и технология полупроводников. 1998. - Т.32, вып.5. -С. 627.

28. Курносов А.И., Юдин В.В. Технология производства полупроводниковых приборов и интегральных схем. М.: Высш. шк., 1979.

29. Zolkin A.S. Metal vapor sources for scientific research and thin film technology: Review //J.Vac.Sci.Technol. A. 1997. -V. 15, N3. -P. 1026-1031.

30. Установка для получения эпитаксиальных слоев кремния путем сублимации в вакууме/ В.А. Толомасов, JI.H. Абросимова, М.Я. Широбоков, Г.Н. Горшенин, Б.А. Закалов // Электронная техника. 1971. ~ Сер. 10., вып.45. -С. 11-18.

31. Константинов А.О., Мохов E.H. // Письма в журн. техн. физики. -1981. -вып.7. -С. 247.

32. Аникин М.М., Сыркин A.JL, Челноков В.Е. Перспективы развития сублимированной эпитаксии карбида кремния // Физика и техника полупроводников. 1994. - Т.28, вып.7. - С. 127-1230.

33. Эпитаксиальные слои и р-п-переходы, полученные методом сублимации в системе с электронным нагревом / М.М. Аникин, A.A. Лебедев, М.Г. Расте-гаева и др. // Физика и техника полупроводников. 1994. - Т.28, вып.7. -С. 1231-1234.

34. Дорфман В.Ф. Синтез твердотельных структур. М.: Металлургия, 1986

35. Anthony Th.C, Fahzenbrus A.L., Bube R.H. Growth of CdTe films by close-spaced vapor transport // J.Vac. Sei. and Technol. 1984. - V.2, N3. -P. 12961302.39.3игель P., Хауэлл Дж. Теплообмен излучением. М.: Мир, 1975.

36. Ключников А.Д., Иванцов Т.П. Теплопередача излучением в огнетехниче-ских установках. М:. Энергия, 1970.

37. Блох А.Г., Журавлев Ю.А., Рыжков JI.H. Теплообмен излучением: Справочник.-М.: Энергоатомиздат, 1991.

38. Лозовский СВ., Плющев Д.Ю., Князев СЮ. О применении атомарно-кинетической и диффузионной моделей для исследования массопереноса при ЗСП // Кристаллизация и свойства кристаллов: Межвуз. сб. науч. тр. Новочеркасск: НГТУ, 1996. - С. 90-93.

39. Соболь И.М. Численные методы Монте-Карло. М.: Наука, 1973.

40. Бахвалов Н.С. Численные методы. М.: Наука, 1975.

41. Иващенко В.М., Митин В.В. Моделирование кинетических явлений в полупроводниках. Метод Монте-Карло. Киев: Наук, думка, 1990.

42. Машинное моделирование при исследовании материалов. М.: Мир, 1974.

43. Binder К. Monte-Carlo computer experiments on critical phenomena and me-tastable states // Adv. Phys. 1974. - V.23, N6.

44. Binder K. Monte-Carlo calculation of the surface tension for two- and three-dimensional lattice-gas model // Phys. Rev. A. 1982. - V.25, N3. -P. 1699-1710.

45. Берд Г. Молекулярная газовая динамика. М.: Мир, 1981.

46. Liu D., Dew S.K., Brett M.J. Experimental study and computer simulation of collimated sputtering of titanium thin films over topographical features // J.Appl.Phys. 1993. - V.74(2). - P. 1339-1344.

47. Schneider M., Schuller I., Rahman A. Epitaxial growth of silicon: A molecular-dynamics simulation // Phys. Rev. B. 1987. - V.36, N2. -P. 1340-1343.

48. Dodson Brian W. Atomistic simulation of silicon beam deposition // Ibid. -V.36, N2.-P. 1068-1074.

49. Adams CD., Srolovitz D.J. Monte Carlo simulation of phase separation during thin-film codeposition //J.Appl.Phys. 1993. - V.73(3). - P. 1707-1715.

50. Палатник Jl.С., Папиров Н.И. Эпитаксиальные пленки. М.: Наука, 1971

51. А.с. 1321116 СССР, МКИ4 С 23 С 14/26. Способ нанесения покрытий в вакууме / СВ. Лозовский, А.И. Колесниченко, А.В. Балюк (СССР). № 3981071/21; Заявл. 21.10.85; Зарег. 1987.

52. Юрьев В.А., Лозовский СВ. Исследование кинетики роста эпитак-сиальных слоев кремния при перекристаллизации через тонкий вакуумный промежуток//Физика конденсированных сред: Тр. / Новочерк. политехи, инт. Новочеркасск, 1975.-Т.328.- С. 3-6.

53. Получение слоевых источников сублимирующихся металлов на основе процесса ЗСП / СВ. Лозовский, Д.Ю. Плющев, СЮ. Князев, Н.Ф. Политова // Кристаллизация и свойства кристаллов: Межвуз. сб. науч. тр. Новочеркасск: ЮРГТУ, 1999, - С 91-95.

54. Легирование кремния эрбием в процессе эпитаксии / СВ. Лозовский, Д.Ю. Плющев, СЮ. Князев, Н.Ф. Политова // Кристаллизация и свойства кристаллов: Межвуз. сб. науч. тр. Новочеркасск: ЮРГТУ, 1999. - С. 88-91.

55. Хирс Д., Паунд Г. Испарение и конденсация. М.: Металлургия, 1966

56. Несмеянов А.Н. Давление пара химических элементов. М.: Изд-во АН СССР, 1961

57. Свойства элементов / Под ред. Дрица М.Е. М.: Металлургия, 1985

58. Толомасов В.А., Абросимова Л.Н., Горшенин Г.Н. Получение эпитаксиальных пленок кремния n-типа сублимацией в вакууме // Кристаллография. 1970. - Т.15, вып.6. - С. 1233-1238.

59. Физика тонких пленок// Под ред. Г.Часса, Р.Э.Туна. М., 1966. -Т.З.

60. Попов В.П., Лозовский СВ., Ковалев Н,М. Осаждение полупроводниковых пленок на движущуюся подложку // Изв. АН СССР. Неорганические материалы. - 1987.-Т.23, №11.-С. 1859-1863.

61. Ройх И.Л., Колтунова Л.Н., Федосов С.Н./ Нанесение защитных покрытий в вакууме. -М.¡Машиностроение, 1976.

62. Получение и свойства тугоплавких материалов//Под ред. Королева Ю.М.,М.:ИЦМ, 1989

63. Формалев В.Ф., Резников Д.Л. Численные методы. М.:Физматлит, 2006

64. Прикладные интеллектуальные системы. Последние достижения//Под ред. Курейчика В.М. М.:Физматлит, 2004

65. Розанов Л.И. Вакуумная техника. М.: Высшая школа, 1982.

66. Springer Handbook of Nanotechnology/Bhushan Editor. Springer-Verlag, 2004

67. Handbook of crystal growth/ed. D.T.J.Hurle. North-Holland. Amsterdam, 2005

68. Больцман Л., Лекции по теории газов. М.: Мир, 1953

69. Силин В.П., Введение в кинетическую теорию газов, М.:, Наука, 1971

70. Биндер К. Общие вопросы теории и техники статистического моделирования методом Монте-Карло //Методы Монте-Карло в статистической физике.-М., 1982.

71. Metropolis N, Ulam S.M., The Monte Carlo method. J.Amer. Statist. Assoc., 1949,44, №247,335-341.

72. Соболь И.М. Численные методы Монте-Карло М.: Наука, 1973.

73. Кирилин В.А., Сычев В.В., Шейндлин А.Е. Техническая термодинамика, М.: 1974

74. Хирс Д., Паунд Г. Испарение и конденсация, М.: Мир, 1966

75. Д.В. Сивухин Общий курс физики. Термодинамика и молекулярная физика, Т.2. М.: Наука, 1990

76. Тер-Крикоров A.M., Шабунин М.И. Курс математического анализа, М.:МФТИ, 1997

77. Голенко Д.И. Моделирование и статистический анализ псевдослучайных чисел на ЭВМ, «Наука», 1983

78. Осаждение из газовой фазы /Под ред. К.Пауэлла, Дж.Оксли, Дж.Блочера. -М, 1970

79. Физическая кинетика и процессы переноса при фазовых превращениях / Н.В. Павлюкевич, Г.Е. Горелик, В.В. Левданский и др.; Под ред. С.И. Анисимова. Минск: Наука и техн, 1980

80. Левданский В.В., Лейцина В.Г. Угловое распределение частиц, выходящих из цилиндрического канала с испаряющейся поверхностью // Журн. техн. физики. -1991. Т.61, вып.5. - С. 134-136.

81. Гмурман В.Е. Теория вероятностей и математическая статистика, «Высшая школа», M., 1998

82. Поляк Ю.Г. Вероятностное моделирование на ЭВМ, «Сов. радио», М., 1971

83. Беклемишев Д.В. Курс аналитической геометрии и линейной алгебры. -М.:Наука, 1988

84. Выгодский М.Я. Справочник по высшей математике М.: Астрель, 2005

85. Берд Г. Молекулярная газовая динамика. М.: Мир, 1981

86. Liu D., Dew S.К., Brett M.J. Experimental study and computer simulation of collimated sputtering of titanium thin films over topographical features // J.Appl.Phys. 1993. - V.74(2). - P. 1339-1344.

87. Dodson Brian W. Atomistic simulation of silicon beam deposition // Ibid. -V.36, N2. P. 1068-1074

88. Коган M.H. Динамика разряженного газа. M.: Наука, 1967

89. Жданов В.П. Элементарные физико-химические процессы на поверхности. Новосибирск: Наука, 1988

90. Ночилла С. Закон отражения от поверхности в свободно-молекулярном потоке // Взаимодействие газов с поверхностями. М., 1965

91. Силин В.П., Введение в кинетическую теорию газов, М.:, Наука, 1971

92. Уэстон Дж. Техника сверхвысокого вакуума. М.: Мир, 1988

93. Тренделенбург Э. Сверхвысокий вакуум. М.: Мир, 1966

94. Температурные измерения: Справочник/О.А. Геращенко, А.Н. Гордов, А.К. Еремина и др. Киев: Наук.думка, 1989

95. Вредные химические вещества: Справ, изд. / Под ред. В.А. Фролова и др. -Л.: Химия, 1989

96. Практическая растровая электронная микроскопия//Под ред. Дж. Гоулд-стейна, X. Яковица, М.:Мир, 1978.

97. Физические основы рентгеноспектрального локального анализа. М.: Мир, 1973.

98. Быков В.А. Приборы и методы сканирующей зондовой микроскопии для исследования и модификации поверхностей. Диссертация на соискание ученой степени доктора технических наук. Москва. 2000

99. Ковтонюк Н.Ф., Концевой Ю.А. Измерение параметров полупроводниковых материалов. М.: Металлургия, 1970

100. Батавин В.В., Концевой Ю.А., Федорович Ю.В, Измерение параметров полупроводниковых материалов и структур. М.: Радио и связь, 1985

101. Дефекты в кристаллах полупроводников. М.: Мир, 1969

102. Файнштейн СМ. Обработка поверхности полупроводниковых приборов. -М.; Л.: Энергия, 1966

103. А.А.Бухараев, Н.В.Бердунов, Д.В.Овчинников, К.М.Салихов ССМ метрология микро- и наноструктур. // Микроэлектроника, т. 26, № 3, 1997

104. Чеботарев С.Н. Электронный луч как наноинструмент// Научные основы высоких технологий: Тр. центра коллект. польз. «Высокие технологии». -Новочеркасск: ЮРГТУ (ИЛИ), 2006. Вып.1. - С. 57-61.

105. Epitaxial growth of SiC layers by sublimation «sandwich-method (I)» / Ju.A. Vodakov, E.N. Mokhov, M.G. Ramm, A.D. Roenkov // Krist und Techn. -1979. -V.14,N6.-P. 729-740.

106. Anthony Th.C, Fahzenbrus A.L., Bube R.H. Growth of CdTe films by close-spaced vapor transport // J.Vac. Sci. and Technol. 1984. - V.2, N3. -P. 1296-1302

107. Левданский B.B., Лейцина В.Г. Угловое распределение частиц, выходящих из цилиндрического канала с испаряющейся поверхностью // Журн. техн. физики. -1991. Т.61, вып.5. - С. 134-136.

108. Nanbu К. Angular distributions of molecular fluxis // Vacuum. -1986. V.36, №6. - P. 349-354.

109. Bennett R.J., Parish C. Control of impurity density in homoepitaxial semicondactor layers growth by sublimation at UHV// Solid State Electronics. 1973.V.16.-P.497-501

110. Постников B.B. Получение эпитаксиальных слоев кремния сублимацией в вакууме и их исследование: Дис.канд.физ.-мат.наук. Горький:ГГУ. 1969.

111. Лозовский С.В., Авилов А.С., Ковьев Э.К. Рост эпитаксиальных слоев при перекристаллизации через тонкий вакуумный промежуток/М Всесоюз.конф. по росту кристаллов, /Тезисы докл. Ереван: изд-во АН Арм.ССР, 1985. - Т.З. - С.107-108.

112. Лозовский С.В., Чеботарев С.Н., Еримеев Г.А. Дефекты эпитаксиальных слоев кремния как объекты электронно-зондовой микроскопии// Труды центра коллективного пользования ЮКУ «Высокие технологии», вып. 1, 2006, С. 38-43

113. Чистяков Ю.Д., Райнова Ю.П. Физико-химические основы технологии микроэлектроники. М.¡Металлургия. - 1979.

114. Лозовский C.B., Чеботарев С.Н., Трушин С.А. О применении графита и молибдена в качестве материалов деталей высокотемпературной оснастки технологических установок// Труды центра коллективного пользования ЮКУ «Высокие технологии», вып. 1,2006, С. 38-43

115. Костржицкий А.И., Карпов В.Ф., Кабанченко М.П. Справочник оператора установок по нанесению покрытий в вакууме. М.: Машиностроение, 1991.

116. Лозовский В.Н., Лозовский C.B., Чеботарев С.Н., Ирха В.А. Осаждение тугоплавких металлов на рельефные подложки методом зонной сублимационной перекристаллизации// Изв. вузов. Сев.-Кавк. регион. Техн. науки. -2007.-№4.-С.?

117. Палатник Л.С., Ильинский А.И. Механические свойства металлических пленок//Успехи физических наук, Т.95, вып.4,1968

118. Антонец И.В., Котов Л.Н., Некипелов C.B., Карпушов E.H. Проводящие и отражающие свойства тонких металлических пленок//ЖТФ, 2004, Т.74, вып.И. С. 102-106

119. Немец A.M., Николаев Г.И. Определение давления насыщающих паров меди, титана и ванадия методом атомной абсорбции // Журнал прикладной спектроскопии. 1973. - Т. 17, вып.4. - С. 571-578.

120. Исследование испарения никеля / В.И. Северин, Ю.А. Сапожников, A.B. Цепляева и др. // Теплофизика высоких температур. ~ 1993. Т.31, вып.5. - С. 722-726.

121. Бодров Н.В., Николаев Г.И., Немец A.M. Давление насыщающего пара жидкого кремния // Изв.АН СССР. Неорганические материалы. 1983. -Т. 19, №5.-С. 707-710

122. Несмеянов А.Н. Давление пара химических элементов. М.: Изд-во АН СССР, 1961

123. Springer Handbook of Nanotechnology/Bhushan Editor. Springer-Verlag, 2004

124. ПУБЛИКАЦИИ АВТОРА ПО ТЕМЕ ДИССЕРТАЦИОННОЙ РАБОТЫ

125. Лозовский В.Н., Лозовский C.B., Чеботарев С.Н. Моделирование массопе-реноса в процессе зонной сублимационной перекристаллизации при цилиндрической симметрии ростовой зоны //Изв.вузов Сев.-Кавк.регион. Техн.науки- 2006. №3. - С. 60-63

126. Лозовский C.B., Чеботарев С.Н. Моделирование зонной сублимационной перекристаллизации в ростовой зоне коаксиальной симметрии// НКРК-2006: тез. докл. XII Нац. конф. по росту кристалллов, 23-27 окт. 2006 г., Москва, Россия. М.: ПК РАН,2006 - С.216

127. Лозовский C.B., Трушин С.А., Чеботарев С.Н. Научные основы высоких техноло-гий:тр.центра коллект. польз. «Высокие техноло-гии»/Юж.Рос.гос.техн. ун-т (НПИ). Новочеркасск: ЮРГТУ, 2006. - Вып.1. -С.52-56

128. Лозовский C.B., Чеботарев С.Н. Моделирование массопереноса примесей при сублимационной перекристаллизации в цилиндрической ростовой зоне// Изв.вузов Сев.-Кавк.регион. Техн.науки- 2006. Прил.№4. - С. 27-34

129. Чеботарев С.Н. Электронный луч как наноинструмент// Научные основы высоких технологий: Тр.центра коллект. польз. «Высокие технологии»/ Юж .Рос.гос.техн. ун-т (НПИ). Новочеркасск: ЮРГТУ, 2006 - Вып.1. - С.57-61

130. Лозовский В.Н., Лозовский C.B., Чеботарев С.Н. Осаждение тугоплавких металлов на рельефные подложки методом зонной сублимационной перекристаллизации// Изв.вузов Сев.-Кавк.регион. Техн.науки 2006. - №4. - С.68-70

131. ФЕДЕРАЛЬНОЕ ГОСУДАРСТВЕННОЕ УНИТАРНОЕ ПРЕДПРИЯТИЕ

132. ВСЕРОССИЙСКИЙ НАУЧНО ИССЛЕДОВАТЕЛЬСКИЙ ИНСТИТУТгг\ -лги юит I рауии I ип

133. Россия, 344010, Ростов на-Дону проспект Соколова, 96 Тел.: 32-47-70 Факс: [phone] Телетайп: 123032 ГРАД1. Час Щ? №1. На № от1. УТВЕРЖДАЮ»

134. И.В.ДРУЖИНИН В.Н.ГАНОЦКИЙ В.А.САЛО1. Председатель комиссии1. Члены комиссии :