Влияние физико-химических воздействий на поверхностные характеристики свинцовосиликатных и боратно-бариевых стекол тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 01.04.14, кандидат физико-математических наук Керефов, Азамат Хамидбиевич

• Керефов, Азамат Хамидбиевич
• кандидат физико-математических наук
• 2005

Оглавление диссертации кандидат физико-математических наук Керефов, Азамат Хамидбиевич

ВВЕДЕНИЕ.

1. ПОВЕРХНОСТНЫЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ СИЛИКАТНЫХ СТЕКОЛ.

1.1. Параметры поверхностного кремнеземистого слоя.

1.1.1. Образование кремнеземистого слоя.

1.1.2. Толщина кремнеземистого слоя.

1.1.3. Структура пористого слоя.

1.1.4. Химические свойства кремнеземистой пленки.

1.1.5. Дегидратация гидратов кремнезема. to 1.1.6. Зависимость устойчивости стекла от пористости кремнеземистого слоя. Влияние режимов механической обработки на пористость выщелоченного слоя.

1.1.7. Анализ поровой структуры.

1.2. Коррозия стекла в водных растворах.

1.2.1. Коррозия в кислотных и щелочных растворах.

1.2.2.Ингибиция кислотной коррозии стекол.

1.2.3.Ингибиторы в щелочных растворах.

1.3. Анализ поверхностных слоев силикатных стекол.

1.3.1. Анализ поверхностных слоев оптическими методами.

1.3.2. Рентгенографическое исследование поверхностных слоев стекол.

1.3.3. Химические профили, полученные методом спектрометрии резерфордовского обратного рассеяния заряженных частиц.

1.3.4. Количественная оже-спектроскопия поверхности стекол.

1.3.5. Спектроскопия характеристических потерь энергии электронами.

1.3.6. Электронная спектроскопия для химического анализа

•ф, поверхности стекол.

1.3.7. Метод фотостимулированной экзоэлектронной эмиссии.

1.3.8. Коэффициент вторичной электронной эмиссии и сопротивление свинцовосиликатных стекол.

1.3.9. Углеродсодержащие соединения на поверхности стекол.

1.4. Выводы к первой главе.

2. ОБЪЕКТЫ, МЕТОДЫ И МЕТОДИКИ ИССЛЕДОВАНИЯ.

2.1. Методика приготовления образцов.

2.1.1. Объекты исследования.

2.1.2. Механическая обработка образцов.

2.1.3. Восстановление образцов в токе водорода.

2.1.4. Поверхностные слои свинцовосиликатных стекол после механической обработки.

2.2. Методы исследования поверхности стекол.

2.3. Установка для изучения взаимодействия стекол с кислотными растворами.

2.4. Экспериментальная установка и методика определения краевого угла смачивания методом лежащей капли для жидкостей, частично смачивающих поверхность.

2.5. Установка для комплексного эмиссионного исследования поверхности.

2.6. Методика приготовления кислотных растворов.

2.7. Выводы ко второй главе.

3. ПОЛУЧЕННЫЕ РЕЗУЛЬТАТЫ И ИХ ОБСУЖДЕНИЯ.

3.1. Кинетика растворения боратно-бариевого стекла с кислотными растворами.

3.2. Смачивание поверхности боратно-бариевого (Х230) и свинцовосиликатных (6Ба4 и М034) стекол кислотными и щелочными растворами.

3.3. Анализ поверхности свинцовосиликатных стекол методом экзоэлектронной эмиссии.

3.4. Коэффициенты вторичной электронной эмиссии для свинцовосиликатных стекол.

ВЫВОДЫ.

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Влияние физико-химических воздействий на поверхностные характеристики свинцовосиликатных и боратно-бариевых стекол»

Актуальность темы. Интенсивное развитие современной науки и техники в области разработки и внедрения новых технологий ставит перед исследователями задачи, связанные с получением материалов с заранее заданными поверхностными и приповерхностными характеристиками, что в свою очередь ведет к повышению качества и долговечности конечных продуктов. Для получения заданных характеристик нужно освоить существующие и внедрять новые методы исследования поверхности, а также на основе этих методов изучать влияние различных сред и воздействий на поверхность исследуемого материала.

Свинцовосиликатные и боратно-бариевые стекла широко используются при производстве вакуумных приборов, работа которых основаны на эффекте вторичной электронной эмиссии. Это влечет за собой необходимость проведения исследований поверхности свинцовосиликатных и боратно-бариевых стекол.

Из анализа литературы видно, что из-за высокой чувствительности к поверхностным слоям экспериментаторы чаще других используют методы исследования, основанные на эффектах, возникающих при бомбардировке поверхности электронами. Но, стоит отметить, что данными методами в литературе изучались поверхностные характеристики восстановленных свинцовосиликатных стекол. Насколько нам известно, отсутствуют данные о влиянии физико-химической обработки на поверхностные свойства невосстановленных свинцовосиликатных стекол. Этому вопросу уделено внимание в нашей работе.

Другая проблема, изученная в настоящей диссертационной работе - взаимодействие поверхности боратно-бариевых стекол с кислотными растворами. Нами использован метод изучения кинетики взаимодействия разбавленных кислотных растворов со стеклами, который заключается в непрерывном или периодическом измерении уходящей в раствор стеклянной массы с учетом выталкивающей силы. Используя этот метод, в работе изучена кинетика растворения боратно-бариевого (Х230) стекла, а также взаимодействие Х230 и свинцовосиликатных (6Ба4 и М034) стекол с кислотными и щелочными растворами методом лежащей капли для жидкостей, частично смачивающих поверхность.

В диссертации изучены параметры экзоэлектронной и вторичной электронной эмиссии с поверхности свинцовосиликатных стекол, прошедших резку, полировку, восстановление, а также химическую обработку в кислотных и щелочных растворах.

Цель диссертации - исследование поверхностных характеристик свинцовосиликатных стекол М034 (С78-4, объемный состав - 36.8% SiC>25 54% РЬО, 0.5% Na20, 1.7% К20, 3.0% BaO, 2.0% А1203, 1.0% Bi203,), 6Ба4 (С87-2, объемный состав - 40.2% Si02, 41% РЬО, 7.0% Na20, 7.0% BaO, 3.5% А1203, 1.0% Bi203, 0.3% As203) и боратно-бариевого стекла Х230 (С78-5, объемный состав - 2.2% Si02, 57.8% В203, 8.2% К20, 19.0% ВаО, 3.5% СаО, 8.8% А1203, 0.5% MgO) после физико-химических воздействий.

Для достижения поставленной цели в работе решались следующие основные задачи:

1. Анализ методов исследования поверхности и выбор из них наиболее подходящих для изучения стекол.

2. Литературный анализ результатов, полученных другими авторами, исследовавшими поверхностные характеристики стекол.

3. Разработка методики для исследования кинетики растворения стекол с учетом выталкивающей силы, а также создание экспериментальной установки. Изготовление модуля для экзоэлектронной спектроскопии. Изготовление установки для измерения краевого угла смачивания.

4. Изучение кинетики растворения боратно-бариевого стекла Х230 в разбавленных кислотных растворах.

5. Исследование растекания различных химических растворов на боратно-бариевом (Х230) и свинцовосиликатных (М034 и 6Ба4) стеклах.

6. Изучение состояния поверхности свинцовосиликатных стекол (М034 и 6Ба4) методами оже-электронной спектроскопии и экзоэлектронной эмиссии, измерения коэффициентов вторичной электронной эмиссии после физико-химических воздействий.

Методы исследований. В работе использован весовой метод изучения кинетики взаимодействия кислотных растворов со стеклами с учетом выталкивающей силы, метод определения краевого угла для жидкостей, частично смачивающих поверхность, метод фотостимулированной экзоэлектронной эмиссии и измерения коэффициентов вторичной электронной эмиссии, электронная оже-спектроскопия.

Научная новизна:

1. Впервые установлено влияние некоторых добавок в кислотные растворы на кинетику растворения боратно-бариевого стекла Х230.

2. Впервые исследованы процессы растекания дистиллированной воды и различных химических растворов на поверхности боратно-бариевого (Х230) и свинцовосиликатного (6Ба4 и М034) стекол.

3. Впервые изучены эмиссионные характеристики стекол 6Ба4 и М034 после механической, химической обработки и термоводородного восстановления.

Практическая ценность работы:

Исследуемые свинцовосиликатные стекла 6Ба4 и М034 являются конструкционными стеклами микроканальных пластин, работа которых основана на принципе каналового вторично-электронного умножения. Вспомогательным стеклом в данных приборах является боратно-бариевое стекло Х230, которое используют для формирования каналов из свинцовосиликатного стекла 6Ба4. Разработанную нами методику непрерывного контроля массы с учетом выталкивающей силы можно использовать при корректировке технологических процессов в производстве указанных приборов. Данные по кинетике растворения боратно-бариевого стекла Х230 помогут оптимизировать химико-технологические процессы, используемые в производстве ряда приборов вакуумной электроники. Добавки глицерина в кислотные технологические растворы помогут снять проблему появления посторонних частиц на рабочих поверхностях стеклянных узлов. Усовершенствованный электронный спектрометр и установки для измерения краевого угла смачивания и уходящей массы применяются при выполнении научно исследовательских работ и в учебном процессе на факультете микроэлектроники и компьютерных технологий Кабардино-Балкарского государственного университета.

Полученные результаты также могут быть использованы в различных научно-исследовательских организациях и промышленных предприятиях, занимающихся проблемами разработки и изготовления стеклянных узлов вакуумных приборов.

Положения, выносимые на защиту:

1. Методика изучения взаимодействия стекол с растворами, которая заключается в непрерывном или периодическом измерении уходящей в водный раствор стеклянной массы.

2. Модернизация электронного спектрометра для комплексного исследования поверхности.

3. Кинетические кривые растворения боратно-бариевого стекла (Х230) разбавленными растворами соляной кислоты с добавками глицерина, лимонной и аскорбиновой кислот, а также солей ВаСЬ, КС1, NaCl.

4. Результаты по кинетике растекания дистиллированной водой и различных химических растворов на боратно-бариевом и свинцовосиликатных стеклах.

5. Вторично-эмиссионные характеристики стекол 6Ба4 и М034 и их зависимость от состояния поверхности после физико-химической обработки стекол.

Апробация результатов. Основные результаты докладывались на региональной конференции "Вакуумная электроника на Северном Кавказе" (Нальчик, 2001 г.), российской научно-технической конференции "Приборы и техника ночного видения" (Нальчик, 2002 г.), научно-технической конференции "Микроканальные пластины" (Владикавказ, 2002 г.), научных семинарах Владикавказского технологического центра "Баспик" (Владикавказ, 2000-2003 гг.), научном семинаре факультета микроэлектроники и компьютерных технологий КБГУ "Физика поверхности и проблемы микроэлектроники" (Нальчик, 2000-2005 гг.), всероссийской с международным участием научно-технической конференции "Современные проблемы радиоэлектроники" (Красноярск, 2005 г.), II международной конференции "Физика электронных материалов" (Калуга, 2005 г.), VII всероссийском семинаре "Проблемы теоретической и прикладной электронной и ионной оптики" (Москва, 2005 г.), II всероссийской выставке-ярмарке научно-исследовательских работ и инновационной деятельности студентов, аспирантов и молодых ученых высших учебных заведений1 Российской Федерации "Иннов - 2005" (Новочеркасск, 2005 г.), V международной научной конференции "Химия твердого тела и современные: микро- и нанотехнологии" (Кисловодск, 2005 г.).

Публикации. Результаты диссертационной работы опубликованы в 12 печатных работах [103-114].

Заключение диссертации по теме «Теплофизика и теоретическая теплотехника», Керефов, Азамат Хамидбиевич

ВЫВОДЫ

1. Сконструирована установка и отработана методика по экспериментальному изучению процессов взаимодействия водных кислотных и щелочных растворов с поверхностью стекол с учетом выталкивающей силы. Изготовлена установка для измерения краевого угла смачивания. Сконструирован и изготовлен модуль на фланце ДУ-50 для метода экзоэлектронной эмиссии, размещаемый на установке комбинированной диагностики поверхности.

2. Выполнено исследование кинетики растворения боратно-бариевого стекла Х230 в кислотных растворах, которое показало, что максимальная скорость растворения данного стекла наблюдается для О.Зн раствора НС1. Введение в кислотный раствор НС1 лимонной и аскорбиновой кислот, а также солей ВаСЬ, КС1, NaCl оказывает ингибирующее влияние на процесс взаимодействия стекла с раствором. Добавление глицерина в раствор соляной кислоты приводит к увеличению скорости травления в 0.4н растворе.

3. Изучены процессы смачивания поверхности стекол Х23О, М034 и 6Ба4 кислотными и щелочными растворами. Показано, что лучшее смачивание достигается на восстановленных стеклах.

4. Установлена зависимость кривых фотостимулированной экзоэлектронной эмиссии от состояния поверхности свинцовосиликатных стекол. Показано, что КВЭЭ с поверхности невосстановленных стекол 6Ба4 и М034 мало зависят от микроструктуры, химического состава, стехиометрии, парциальных КВЭЭ окислов, а также от наличия на поверхности натрия, калия и углеродсодержащих соединений.

124

Исследуемые свинцовосиликатные стекла являются очень сложными химическими соединениями, состоящими из нескольких стеклообразующих компонентов. Известно, что однозначное заключение трудно сделать даже в случае двухкомпонентных систем. В нашем же случае можно делать только качественные выводы по некоторым результатам.

В [119] указано, что для области малых энергий первичных электронов (1-ЮОэВ) в случае оксидов металлов, обладающих малым электронным сродством (MgO, ВаО и др.), максимальные коэффициенты упругого отражения достигают значений 0.5-0.6. Еще большими значениями Куо ~ 0.70.8 характеризуются монокристаллические поверхности щелочно-галоидных соединений NaCl, КС1, KBr, KI, а также сурьмяно-щелочные и телуро-щелочные соединения. Для области средних энергий первичных электронов (0.1-1.0 кэВ) при исследовании металлических монокристаллов приводятся значения коэффициентов упругого отражения до 0.1.

Полученные нами значения коэффициентов упругого отражения с поверхности аморфных стекол М034 и 6Ба4 (рис.3.15, 3.17) в области средних энергий (300-800эВ) показывают, что коэффициенты изменяются в пределах от 0.2 до 0.6 в зависимости от энергии первичных электронов и предварительной обработки исследуемых образцов. Это подтверждает вывод о том что, что для мишени любой структуры (моно-, поликристаллы, твердые и жидкие аморфные образцы) и любой природы наибольшее упругое отражение электронов наблюдается в области низких значений энергии первичных электронов [119].

Наши экспериментальные результаты по КВЭЭ (рис.3.16, 3.18) хорошо согласуются с данными, приведенными в работе Н.Б. Леонова и Ф.С. Волкова [95], которые показали, что невосстановленные свинцовосиликатные стекла одинакового состава и даже одной варки после различной термообработки имеют различную микроструктуру. Различие в КВЭЭ этих стекол проявляется только после восстановления. Из наших данных следует, что механическое и химическое воздействие на невосстановленные стекла также формирует различную микроструктуру и мало влияет на КВЭЭ стекол.

Таким образом, вторично-эмиссионные свойства изученных стекол зависят от нескольких факторов: микроструктуры поверхности, химического состава, стехиометрии, парциальных КВЭЭ оксидов, наличия на эмитирующей поверхности натрия, калия и углерода. к, отн. ед

0.6 п

0,2 -ч. -и

- 0,8 - "S

0.4 -

0 -

0,4

0

0,4 -0

0.6

0,2 -V

0.8

0.4

0 -v

0,4

О

0,4 О

-0,0009 -0,0005 -0,0001 dE

IL

JL. восстановление

I-1-1-1-1—

300 400 500 600 700 энергия первичных электронов, эВ

HF- 5 %

HNO3 -10%

NaOH-5 %

HCI-0.2H

H 202-5% полировка резка.

800

Вид обработки

Рис.3.15. Коэффициенты упругого отражения первичных электронов и их угловые коэффициенты после различной обработки для стекла М034.

1.5

0,5 :

-0,0015 -0,001 -0,0005 dk dE

300 400 500 600 700 800 энергия первичных электронов, эВ восстановление

HF- 5 %

HNO3-10 %

NaOH-5 %

IHCI-U.2H

Н202-5% полировка резка

Вид обработки

Рис.3.16. Коэффициенты вторичной эмиссии электронов и их угловые коэффициенты после различной обработки для стекла М034. к, отн. ед.

0,4

0 -v

0.4 -О

0.4

0.4

О 0,8

0.4 ^ О

0.4

О J

0.4 -О

0.4 О

-0.0008 -0,0004

IIII1 dk dE восстановление

300 400 500 600 700 800 энергия первичных электронов, эВ

HF- 5 %

HNQ3 -10 %

NaOH-5 %

HCI- 0,2 н

Н 202-5% полировка: резка =

Виды обработки

Рис.3.17. Коэффициенты упругого отражения первичных электронов и их угловые коэффициенты после различной обработки для стекла 6Ба4. к, отн. ед.

1 -0,5: v 2

1 -v v

2

1 ч.

2 -1 :

2 -1

2 1

2.5 ^ 1.5 2 1

-0,002

300 400 500 600 700 800 энергия первичных электронов, эВ

-0,001 jI dk dE восстановление

HF- 5 %

HNO3-10 %

NaOH-5 %

HCI- 0,2 н

H2O2- 5 % полировка резка

Вид обработки

Рис.3.18. Коэффициенты вторичной эмиссии электронов и их угловые коэффициенты после различной обработки для стекла 6Ба4.

123

Список литературы диссертационного исследования кандидат физико-математических наук Керефов, Азамат Хамидбиевич, 2005 год

1. Ботвинкин O.K., Тарасов Б.В. К вопросу о химической устойчивости стекла. // Стекло и керамика. 1954. № 6.-С.12-14.

2. Гребенщиков И. В., Фаворская Т.А. // Труды ГОИ. -1931. -Вып.7. -С.72.

3. Просветление оптики. -М.: ОГИЗ. -1946.

4. Ястребова J1.C. Защита силикатных стекол от разрушения. -М.: ОГИЗ. -1958. 167с.

5. Кузнецов А.Я. // Заводская лаборатория. -1957. -№ 1.

6. Гребенщиков И.В., Молчанова О.С. // Журн. общ. химии. -1942. -№ 12. -С.11-12.

7. Жданов С.П. // Тр. ГОИ.- 1956.- Т.24.--Вып.145. -С.86.

8. Добычин Д.П., Погодаев А.К. // Жур. физ. химии. -1958. -Т.32. -С.2637-2640.9: Ястребова Л.С., Молчанов B.C. // Жур. прикл. химии. -1958. -Т.31. -С.1628-1636.

9. Norton. // Gener. Elektric Rev. -1944. -N6. P.47.

10. Гребенщиков И.В., Молчанова О.С. // Жур. общ. химии. -1942. -№12. -С. 588.

11. Молчанова О.С. // Тр. ГОИ. -1956. -Т.24.-Вып.145. -С.68.

12. Качур Л.А. Автореф. канд. дис. -Л., 1946.

13. Жданов С.П. Автореф. канд. дис.-Л., 1949.

14. Жданов С.П. Автореф. докт. дис. -Л., 1959.

15. Добычин Д.П. О состоянии кремнекислоты в микропористом стекле. В кн.: Строение стекла.- М.-Л., 1955. -С.176-180.

16. Добычин Д.П., Киселева Н.Н. О влиянии термической обработки натриевосиликатных стекол на пористую структуру продуктов их выщелачивания в кислоте. //ЖФХ. -1958.-Т.32. -№1. -С. 27-34.

17. Добычин Д.П., Киселева Н.Н. О природе термических превращений в щлочноборосиликатных стеклах. // ДАН АН СССР, Отд. физ. хим. -1957. -Т.113. -№2. -С. 372-375.

18. Жданов С.П. О низкотемпературной дегидратации гидратов кремнезема. -М.: Наука, 1961. -321с.

19. Шмидт Ю.А. Взаимодействие стеклообразных силикатов и алюмосиликатов натрия с водными растворами. // Изв. АН СССР, ОХН. -1954. -№ 2. -С.236-243.

20. Бондарев К.Т. Напряжения, возникающие при выщелачивании натриевоборосиликатных стекол. // Стекло и керамика. -1961.-№1. -С. 19-23.

21. Добычин Д. П., Погодаев А. К. Пористая структура пленок травления и химическая устойчивость оптических стекол. // Жур. прикл. химии. -1961. -№7. -С.1477-1485.

22. Чернышева Г.Л., Пешкова А.И. Исследование зависимости структуры пористых стекол от условий химической обработки. В кн.: "Исследование в области химической технологии стекла и стеклоизделий". -М. -1986. -С.71-73.

23. Лукьянович В.М., Колюцкий В.Н. Электронномикроскопическое исследование поровой структуры твердых тел. Применение к пористым стеклам. // Физ. и хим. стекла. -1976. -Т.2. -№ 1. -С.92-93.

24. Антропова Т.В., Дроздова И.А. Влияние условий получения пористых стекол на их структуру. // Физ. и хим. Стекла. -1995. -Т.21. -№2. -С.199-209.

25. Молчанов B.C., Приходько Н.Е. Коррозия силикатных стекол щелочными растворами. Сообщение 3, Ингибиторы щелочной коррозии стекол. //Изв. АН СССР, ОХН. -1958. -№ 1. -С.3-7.

26. Светлов В.А. Влияние добавок электролитов на скорость коррозии стекол в слабокислых и слабощелочных растворах. // Физ. и хим. стекла. -1983. -Т.9. -№3. -С.322-325.

27. Дуброво С.К. Стекло для лабораторных изделий и химической аппаратуры. Наука. -М.- Д., 1965. -С.105.

28. Тихонова З.И., Молчанов B.C. Ингибиция разрушения стекол кислыми растворами. // Физ. и хим. стекла, 1979. -Т.2. -№ 4. -С. 377-378.

29. Светлов В.А., Павличенко Т.И. Влияние состава кислых растворов на процесс коррозии свинцовоборосиликатных и бариевофосфатного стекол. // Физ. и хим. стекла. -1984. -Т.10. -№6. -С.698-700.

30. Павлушкин Н.М., Журавлев А.К. Легкоплавкие стекла. -М., 1970. -С. 144.

31. Гребенщиков И. В. // Керамика и стекло. -1931. -Вып.7. -№ 11/12. -С.36.

32. Молчанов B.C., Молчанова О.С. // Тр.ГОИ. -1956. Т.24.-Вып. 145. -С.25.

33. Светлов В.А., Ефремова И.С., Маклачкова Т.В. Коррозия эмалевого покрытия в щелочных растворах // ЖПХ. -1981. -Т. 54. -№ 7. -С. 15261530.

34. Gefcken W. //Kolloid. Z. -1939. -V.l 1. -P.86.

35. Wegst W., Bacon L., Vanghu T. // Glass. -1947. -V.24. -P.235.

36. Эванс Ю. Коррозия, пассивность и защита металлов. М.- Л.: Металлург-издат, 1941.-С. 31.

37. Berger Е. // J. Soc. Glass. Technol. -1936. -V.20. -Р.257.

38. Evans. //Kolloid. Z. -1939. -V.86. -N.ll. -P. 114.

39. Wegst W., Bacon L., Vaughu T. // Glass. -1947. -V.24. -N7. -P. 245-333.

40. Cooper W. Am. пат. 2241984; Chem. Abstrs. 35, № 15, 5220 (1941).

41. Sasaki B. Chem. Abstras. 48, 7395 (1954).

42. Furuuhi S., Uno T. JSGT,39, №187, 30A (1955).

43. Hurl U., Walington K. // Glastechn. -Ber. -1955. -V.28. -№ 6. -P.250.

44. Файнберг Е.Л. Химический состав фазы, восстанавливающейся на поверхности высокосвинцовых стекол в процессе их термообработки в водороде. // Жур. прикл. химии. -1965. -Т. 38.- № 10. -С. 2192-2196.

45. Артамонов О.М., Саттаров Д.К., Смирнов О.М. и др. Исследование восстанавливающихся свинцовосиликатных стекол методом спектроскопии медленных электронов // Физ. и хим. стекла. -1981. -Т. 7. -№4. -С. 450-476.

46. Тютиков A.M. О режиме восстановления некоторых свинцовосиликатных стекол, используемых для изготовления микроканальных пластин. // ОМП. -1974. -№9. -С.41-45.

47. Blodgett К.В. Surface conductivity of lead silicate glass after hydrogen treatment. // J.Amer. Ceram. Soc. -1957. -V. 34. -N 1. -P. 14-27.

48. Улько Ю.Н., Фаинберг E.A. О влиянии термообработки свинцовосиликатных стекол в водороде на коэффициент вторичной электронной эмиссии. // Изв. АН СССР. Неорган, матер. -1967. -Т.З. -№2. -С.345-346.

49. Саттаров Д.К., Канчиев З.И., Конаева Г.Я., Печерская К.П. Исследование пропускания свинцовосиликатных стекол, подвергнутых термоводородному восстановлению. // Жур. прикл. химии. -1978. -Т. 51. -№4. -С. 933-935.

50. Петровский Г.Т., Саттаров Д.К., Канчиев З.И. Структура и свойства восстановленных слоев на поверхности свинцовосиликатных стекол. // Физ. и хим. стекла. -1981. -Т. 7. -№4. -С. 457-469.

51. Шелюбский В.И. Исследование процесса восстановления свинца при обработке свинцового стекла в восстановленном пламени. // ДАН СССР. -1954. -Т. 96. -№4. -С. 745-747.

52. Файнберг Е.А. Об изменении электропроводности поверхностного слоя свинцовосиликатного стекла в процессе термической обработки в водороде. // Изв. АН СССР. Неорган, матер. -1966. -Т.2. -С. 1154-1156.

53. Hill G.E. Secondary electron emission and compositional studies on chanel plate glass surface. // Adv. Electron. Electr. Phys. -1976. -V.40A. -P.153-165.

54. Тютиков A.M., Королев H.B., Тоисева M.H., Петухова JI.B., Харин A.C. Исследование состава поверхностного слоя и коэффициента вторичной электронной эмиссии свинцовосиликатных стекол. // ОМП. -1980. -№4. -С.11-13.

55. Authinarayanan A., Dudding R.W. Changes in secondary electron yield from reduced lead glasses. // Adv. Electron. Electr. Phys. -1976. -V. 40A. -P.167-181.

56. Власов А.Г., Флоринская В.А., Венедиктов А.А., Дутова К.П., Морозов

57. B.Н., Смирнова Е.В. Инфракрасные спектры неорганических стекол и кристаллов. Л., 1972. - С. 126-219.

58. Капитонова JI.H., Харьюзов В.А., Никитин В.А., Золотарев В.М. Спектроскопическое исследование оптических параметров и толщины поверхностного слоя восстанавливающегося свинцовосиликатного стекла.//Физ. и хим. стекла. -1985. -Т.П.- №2. -С. 193-197.

59. Золотарев В.М. Исследование свойств материалов в объеме и поверхностном слое методами спектроскопии внутреннего отражения: Автореф. докт. дис. -JL, 1981. 25 с.

60. Технология изготовления элементов нарушенного полного внутреннего отражения. Проспект Т-03596. М., 1983. -С. 7.

61. Капитонова J1.H., Харьюзов В.А., Золотарев В.М. Определение концентрации металлического свинца в поверхностном слое восстановленного свинцовосиликатного стекла по ИК спектрам пропускания и НПВО. // Физ. и хим. стекла. -1985. -Т. П.- №2. -С. 232233.

62. Минков И.М., Велицкая E.JL, Золотарев В.М., Капитонова JI.H. Определение показателя преломления неоднородного слоя по спектрам отражения. // Оптика и спектр. -1985. -Т. 58. -№3. -С. 689-693.

63. Maxwell-Gernett J.C. Colours in metal glasses and metallic films.//Phyl. Trans.Roy.Soc. -1906. -V. 205A. -P.237-288.

64. Сидоров Т.А. Инфракрасные и ультрафиолетовые спектры и структура свинцовосиликатных стекол // Жур. прикл. химии. -1967. -Т. 6.- № 1.1. C. 98-101.

65. Основы эллипсометрии / Под ред. А. В. Ржанова. -Новосибирск: Наука. -1979. -422 с.

66. Хэнерт М., Раушенбах Б. Исследование поверхностных слоев силикатных стекол // Физ. и хим. стекла. -1983. -Т. 9. -№6. -С.696-703.

67. Wiley Н.С. Glass article. Patent USA N 2314804, 07.12.1938 (cl. 49-92).

68. Chu W.K., Mayer J.W., Nicolet M.A. Backscattering spectrometry. N. Y. 1978.-P. 384.

69. Филипович В. H. Теоретическая схема процесса ликвации в растворах и стеклах. II. Диффузионная стадия фазового распада // Изв. АН СССР. Неорган, матер. -1967. -Т. 3.- №7. -С. 1192-1201.

70. Иоши А., Дэвис JI., Палмберг П. Электронная оже-спектроскопия. IV. Количественный анализ / Методы анализа поверхностей. -М., 1979. -С. 221-232.

71. Davis L. Е., MacDonald N. С., Palmberg P. W., Riach G. Е., Weber R. Е. Hand of Auger electron spectroscopy. -Minnesota: -1976. -P. 253.

72. Елисеев C.A., Новолодский В.А., Смирнов O.M., Харьюзов В.А. Применение оже-спектроскопии для изучения распределения элементов в поверхностном слое восстановленных свинцово-силикатных стекол // Физ. и хим. стекла. -1985. -Т. 11. -№5. -С.603-6004.

73. Елисеев С.А., Новолодский В.А., Полухин В.Н. и др. Профили распределения элементов в поверхностном слое восстановленных свинцовосиликатных стекол // Физ. и хим. стекла. -1985. -Т. 11. -№5. -С.600-602.

74. Гусаров А.Я., Машков В.А., Пронин В.П. и др. Характеристические потери энергии электронов при отражении от свинцовосиликатных стекол // Физ. и хим. стекла. -1986. -№4. -С. 488-490.

75. Машков В. А. Расчет диэлектрической проницаемости свинцовосиликатных стекол // Физ. и хим. стекла. 1984. -Т. 10. -№2. -С. 167-173.

76. Артамонов О.М., Костиков Ю.П., Новолодский В.А. и др. Исследование эмиссионными методами поверхности восстановленных свинцовосиликатных стекол // Физ. и хим. стекла. -1985. -Т. 11. -№3. -С. 326-330.

77. Зигбан К., Нордлинг К., Фальман А. и др. Электронная спектроскопия. -М.,1971. 493с.

78. Scofield J. Н. Hartree-Slatar subshell photoionisation cross-sections at 1254 1487 eV // J. Electron Spectr. and Related Phenom. -1976. -V. 8. -№2. -P. 129.

79. Евдокимов В.Д., Семов Ю. И. Экзоэлектронная эмиссия при трении. -М.: Наука, 1973.-182с.

80. Томпкинс X. Инфракрасная отражательно-абсорбционная спектроскопия. В кн.: Методы анализа поверхности. -М.: Мир, 1979. -543-569 с.

81. Харрик Н. Спектроскопия внутреннего отражения. -М.: Мир, 1970. -335 с.

82. Берштейн В. А., Никитин В. В. Исследование поверхности^ стекла с помощью ИК- спектров многократного полного внутреннего отражения //ДАН СССР. -1970. -Т.190. -№4. -С. 823- 826.

83. Дехтяр И.Я., Пилипенко В.В., Шалаев A.M. Экзоэлектронная эмиссия металлов и сплавов и некоторые применения метода экзоэлектронной эмиссии для исследования явлении на поверхности. -Металлофизика. -1968.-Вып. 16.-С.5-16.

84. Основы эллипсометрии / Под ред. А. В. Ржанова. -Новосибирск: Наука, 1979.- 424 с.

85. Ruggieri D.J., IEEE Trans. Nucl. Sci. -1972. -V.19, N 3. -P. 74.

86. Trap J.L. Venes et refractaires. -1969, -V.23. -№1. -P. 28-42.

87. Улько Ю.Н. Влияние состава на вторичную электронную эмиссию стекол. // Электронная техника. Сер. Материалы. -1975. -№1. -С. 8793.

88. Тютиков A.M., Лобанова Н.В., Тонсева М.Н. и др. Исследование связи эмиссионных свойств свинцовосиликатных стекол с их составом и структурой. // Физ. И хим. стекла. -1979. -Т. 5.- № 5. -С.628-631.

89. Королев Н.В., Мешыцикова Е.М., Гинзбург С.К. и др. Послойный спектральный анализ изломов литой стали. // ДАН СССР. -1975. -№ 5. -С.1082-1084.

90. Trap H.F.L., Stevels P.M. Les verres a coductibilite electronique, leurs properties at quelques applications en electonique. Verres et Refract. -1971. -V. 25. -N 4/5. -P. 176-196.

91. Тютиков A.M., Тоисева M.H., Полухин B.H. и др. Влияние окислов металлов на свойства эмитирующего слоя свинцовосиликатного стекла. // Физ. И хим. стекла. -1981. -Т. 7. -№ 6. -С.705-711.

92. Бабанина В.И., Гричаник Д.А., Суздалева Л.С. Влияние А120з и Na20 на свойства силикатных стекол содержащих свинец. // Физ. И хим. стекла. -1975. -Т.1. -№ 3. -С.271-275.

93. Леонов Н.Б., Волков Ф.С., Мурашов С.В. Влияние структуры свинцовосиликатных стекол на их коэффициент вторичной электронной эмиссии. // Физ. И хим. стекла. -1988. -Т.14. -№ 5. -С.686-690.

94. Sakai J., Mogami A. Studi of gain fatigue mechanism in chanel electron tipliers. // Surface Sci. -1979. -V. 86. -P. 359.

95. Елисеев C.A., Новолодский B.A., Смирнов O.M. и др. Углерод на поверхности восстановленных свинцовосиликатных стекол // Физ. И хим. стекла. -1986. -Т. 12.- №4. -С. 461-466.

96. Леонов Н.Б., Тоисева М.Н., Новиков Ю.Б. и др. Измерение шумов микроканальных пластин. // ОМП. -1981. -№ 12. -С. 39-44.

97. Броздниченко А. Н., Пронин В. П., Тютиков А. М., Яковлева В. Е. Вторично-эмиссионная эффективность свинцовосиликатных стекол. // Тез. Докл. По ЭОС и эффективным фотоэмиттерам. 4 Всес. Симп. По ВЭЭ и ФЭЭ. -Л., 1981. -С. 32-33.

98. Кулов С.К. Микроканальные пластины для электронно-оптических преобразователей. -Владикавказ: СКГТУ, 1998. -С. 196.

99. Козаков А.Т., Никольский А.В., Мазурицкий М.И. и др. Сравнительный анализ состояния поверхности свинцово-силикатных стекол и микроканальных пластин. // Физ. И хим. стекла. -1991. -Т.17,-№6. -С. 928-935.

100. Ашхотова И.Б. Влияние физико-химических операций на процесс формирования исполнительной поверхности микроканальных пластин. Автореф. Канд. Дис. Владикавказ, 2003. С.22.

101. Ашхотов О.Г., Ашхотова И.Б., Керефов А.Х., Чагай Е.О. Поверхностные слои свинцовосиликатных стекол после механической обработки. // Современные проблемы радиоэлектроники: Сб. науч. Тр. Красноярск: ИПЦ КГТУ, 2005 г. -С. 319.

102. Керефов А.Х., Ашхотова И.Б., Калинина Н.В. Метод изучения кинетики травления стекол в водных растворах. // Материалы 2-й научно-практической конференции «Фундаментальные и прикладные исследования в системе образования». -Тамбов. -2004.- Ч. 1. С.68-69.

103. Керефов А.Х., Калинина Н.В., Ашхотов О.Г. Взаимодействие разбавленных кислотных растворов с бариево-боратным стеклом. // Электронный журнал «Исследовано в России». -2004. -№ 169. -С.1815-1823. http://zliurnal.ape.relarn.ru/articles/2004/l69.pdf

104. Керефов А.Х., Калинина Н.В., Ашхотов О.Г. Кинетика травления бариево-боратного стекла Х-230 в кислотных смесях. // Известия ВУЗов. Северо-Кавказский регион. Естественные науки. -2005. -№5. -С.55-58.

105. Керефов А.Х., Ашхотов О.Г. Вынос остаточных продуктов травления из каналов в электрическом поле. // Вакуумная электроника на Северном Кавказе: Тез. Докл. Регион. Конф. -Нальчик, 2001. -С.38-39.

106. Керефов А.Х., Ашхотов О.Г. Воздействие механических колебаний микроканальных пластин на выход растворимого стекла Х230 // Вакуумная электроника на Северном Кавказе: Тез. Докл. Регион. Конф. -Нальчик, 2001. -С. 39.

107. Керефов А.Х., Ашхотов О.Г., Платов Э.А. Увеличение входного диаметра каналов МКП // Тезисы докладов российской конференции «Приборы и техника ночного видения «. -Нальчик, 2002. -С.63.

108. Ашхотов О.Г., Ашхотова И.Б., Мусаева Э.Б., Керефов А.Х. Растворение соляной кислотой боратного стекла Х230 в заготовках микроканальных пластин // Микроканальные пластины (теория, технология, применение). -Владикавказ: СКГТУ, 2002. -Вып.1. -С.252-256.

109. Керефов А.Х., Чагай Е.О., Ашхотов О.Г., Ашхотов А.О. Метод фотостимулированной экзоэлектронной эмиссии для оценки состояния поверхности стекла МО-34. // Вестник КБГУ. Серия физические науки.-Нальчик. -2004. -Вып. 9. С.46-47.

110. Ashkhotov O.G., Chagaje Е.О., Kerefov А.Н., Ashkhotov А.О. Exoelectron spectroscopy of leaden-silicate glasses.// Physics of electronic materials 2nd International Conference Proceedings. -Kaluga, 2005. Vol. 1. -P. 110.

111. Ashkhotov O.G., Chagaje E.O., Kerefov A.H., Ashkhotova I.B. Emission characteristics of leaden-silicate glass MO-34 // Problems of theoretical and applied charged particle optics. -Moscow, 2005. -P.219.

112. Керефов A.X., Ашхотов A.O., Калинина H.B. Метод изучения кинетики взаимодействия стекол с водными растворами. // Прикладная физика. -2005. №4.-С.44-46.

113. Гречаник JI.A. и др. Вопросы радиоэлектроники. // -Сер.1 "Электроника". -1962. -Вып. 9. -С. 109.

114. Бронштейн И. М., Фрейман Б. С. Вторичная электронная эмиссия. М.: Наука, 1969. -С.408.

115. Добрецов Л. Н., Гомоюнова М.В. Эмиссионная электроника. М.: Наука.-1966.-С. 564.

116. Савицкий Е. М., Буров И. В., Пирогова С. В. и др. Электрические и эмиссионные свойства сплавов.- М.: Наука. -1978. -С. 293.

117. Шульман А.Р., Фридрихов С. А. Вторично-эмиссионные методы исследования твердого тела.- М.: Наука, 1977. -С.551.

118. Арифов У. А., Алиев А. А. Угловые закономерности взаимодействия атомных частиц с твердым телом.- Ташкент: Фан, 1974. -С.288.

119. Кораблев В. В., Ионов В. В. Проявление анизотропии вторично-эмиссенных монокресталов при их сканировании электронным лучом. // ФТТ.- 1972.- №14.- Вып. 3. -С.811- 815.

120. Кораблев В. В., Майоров А. А. Комплексное исследовании кристаллической структуры и физико-химических свойств в различных участках поверхности твердых тел. // Письма в ЖТФ. -1978. -Т.4. -Вып. 20. -С. 1256- 1261.

121. Kirschner I., Staib P. Dissappearance potential spectroscopy. // Appl. Phys. -1975.-V.6.-N l.-P. 99- 109.

122. Gerlach R. L. Electron binding energies of Ba from the secondary electron yield spectrum // Surface Sci. -1971. -V.28, N 2. -P.648- 650.

123. Комолов С. А. Механизм отражения медленных электронов от поверхности сулфида кадмия. // Изв. АН СССР. Сер. Физ. -1976. -Т.40. -№12.-С. 2528- 2531.

124. Комолов С. А. Спектроскопия полного тока тонких слоев селенида кадмия. // ЖТФ. -1979. -Т. 49. -№ 1. -С.158- 162.

125. Stohr J. EXSAFS and surface- EXAFS studies in the soft X- ray region using electron yield spectroscopy. // J. Vac. Sci. and Technol. -1979. -V16. -Nl. -P.37-41.

126. Киселев А. В., Лыгин В. И. Инфракрасные спектры поверхностных соединений и адсорбированных веществ.- М.: Наука, 1972,- С.459.

127. Литтл Л. Инфракрасные спектры адсорбированных молекул.- М.: Мир, 1969.-С.514.

128. Киселев Е. Ф., Крылов О. В. Адсорбционные процессы на поверхности полупроводников и диэлектриков.- М.: Наука, 1978. -С.256.

129. Горшков М. М. Эллипсометрия.- М.: Сов Радио, 1974.- С.200

130. Батавин В. В., Концевой Ю. А. Оптические методы исследовании и контроля в электронной технике. // Электрон, пром. -1979. -Вып. 1/2. -С.63-73.

131. Резвый Р. Р. Эллипсометрия- эффективный метод контроля технологических процессов. // Электрон, пром. -1979. -№1/2. -С.73- 85.

132. Петров Н. Н., Аброян И. А. Диагностика поверхности с помощью ионных пучков.- JL: Изд-во Ленинград ун-та, 1977. -С.159.

133. Тулинов А. Ф. Влияние кристаллической решетки на некоторые атомные и ядерные процессы.- УФН, 1965.-Т. 87. -Вып. 4. -С.8-23.

134. А.С. 1469318 (СССР). Устройство для определения поверхностного натяжения жидких щелочных металлов и их сплавов /Алчагиров Б.Б. (СССР). Бюллетень изобр., 1989.- №12. -С.188.

135. Venzel B.I., Svatovskaya L.G., Melnikova I.W. Influence of hydrochloric acid concentration on the leaching linetics of phase separated sodium borosilicate glasses // Proc. 17 th Int. Congr. Crlass 1995 Vols.-Beijing, 1995. -P.43 7-440.

136. Бутт Л.М., Поляк В.В. Технология стекла.- М.:'Стройиздат. -1971. -С. 219.

137. Ашхотов О.Г., Ашхотова И.Б. Спектроскопическое исследование поверхности свинцовосиликатных стекол. // Вестник Кабардино-Балкарского государственного университета. Сер. физические науки. -Нальчик. -2002.- Вып. 7. -С. 25.

138. Гребенщиков И. В.//Изв. АН СССР. ОШ.-1937.-№ 1.-С.З.

139. Дуброво С.К., Шмидт Ю.А. // Изв. АН СССР, ОХН. -1955. -С.403.

140. Berger Е., Geffcken W. // Glastechn. Ber. -1938. -V.16. -Р.296.

141. Вацек М., Купф В. Химическая обработка стекла. -М.: Легкая индустрия. -1974. -С.5-7.

142. Принятые сокращения и обозначения

143. НБС натриевоборосиликатные стекла1. ПС поверхностный слой

144. ЭЭЭ экзоэлектронная эмиссия

145. АЭЭ авто электронная эмиссия

146. ФЭЭ фотоэлектронная эмиссия

147. ВЭЭ вторичноэлектронная эмиссия

148. ЭОС электронная оже-спектроскопия

149. СХПЭ спектроскопия характеристических потерь энергии

150. ХПЭ характеристические потери энергии

151. ЭСХА электронная спектроскопия для химического анализа

152. ИСХПЭ ионизационная спектроскопия характеристических потерь энергии

153. НЭСХПЭ низкоэнергетическая спектроскопия характеристических потерьэнергии

154. ПСХПЭ плазменная спектроскопия характеристических потерь энергии

155. КСХПЭ колебательная спектроскопия характеристических потерь энергии

156. КВЭЭ коэффициент вторичноэлектронной эмиссии

157. СПИ спектроскопия потенциала исчезновения

158. СППОЭ спектроскопия потенциалов появления оже-электронов

159. СПП спектроскопия пороговых потенциалов

160. СПТ спектроскопия полного тока

161. УФЭС ультрафиолетовая электронная спектроскопия

162. РФЭС рентгеновская фотоэлектронная спектроскопия

163. СПРИ спектроскопия поглощения рентгеновского излучения

164. ЦЗЭА цилиндрический зеркальный энергоанализатор1. ИК инфракрасный

165. ИКСП инфракрасная спектроскопия поглощения

166. ОАИКС отражательно-абсорбционная инфракрасная спектроскопия

167. ИКСВО инфракрасная спектроскопия внутреннего отражения

168. НПВО нарушенное полное внутреннее отражение

169. МНПВО многократное нарушенное полное внутреннее отражение1. ЭМ эллипсометрия

170. СЭМ спектральная эллипсометрия

171. POP резерфордовское обратное рассеяние

172. ПБД поверхностно-барьерный детектор

173. ЭСА электростатический анализатор

174. ССС свинцовосиликатное стекло

175. ВССС восстановленное свинцовосиликатное стекло

176. V- начальный объем образца

177. Кив коэффициент истинно-вторичных электронов

178. Куо коэффициент упругого отражения электронов

179. Кн/уоэ ~ коэффициент неупругого отражения электронов

180. Квээ коэффициент вторичной электронной эмиссии