Влияние анизотропии на магнитные свойства эпитаксиальных CO и CO/CU/CO наноструктур тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 01.04.07, кандидат физико-математических наук Давыденко, Александр Вячеславович

• Давыденко, Александр Вячеславович
• кандидат физико-математических наук
• 2013

Оглавление диссертации кандидат физико-математических наук Давыденко, Александр Вячеславович

СОДЕРЖАНИЕ

Список сокращений

ВВЕДЕНИЕ

ГЛАВА 1. ОБЗОР ЛИТЕРАТУРЫ

1.1. Типы взаимодействий между магнитными слоями в тонкопленочных структурах

1.2. Виды магнитосопротивлений в многослойных ферромагнитных наносистемах

1.2.1. Гигантское магнитосопротивление

1.2.2. Анизотропное магнитосопротивление

1.3. Мультислойные пленки Со/Си(111)

1.3.1. Косвенное обменное взаимодействие и ГМС в зависимости от ростовых процессов

1.3.2. Причины гигантского магнитосопротивления

1.3.3. Структура Со пленок на Си(111)

1.4. Анизотропия, наведенная ступенями подложки

1.5. Магнитные свойства нанополосок с поперечной наведенной анизотропией

1.5.1. Доменная структура нанополосок Со (случай сильной поперечной магнитной анизотропии)

1.5.2. Доменная структура полосок Бе (случай слабой поперечной анизотропии)

1.5.3. Доменная структура поликристаллических нанополосок Со с магнитной анизотропией, наведенной под углом к длинной оси полос

1.6 Выводы

Глава 2. Методика эксперимента

2.1 Молекулярно-лучевая эпитаксия

2.2. Объединение ступеней под действием прямого тока

2.3. Метод приготовления наноструктур сфокусированным ионным пучком ва

2.4. Особенности получения и строения нанополосок

2.5. Методы исследования пленок in situ

2.5.1. Дифракция быстрых электронов

2.5.2. Сканирующая туннельная микроскопия

2.6. Методы исследования магнитных свойств пленок и наноструктур

2.6.1. Индукционный метод

2.6.2. Продольный магнитооптический эффект Керра

2.6.3. Атомно- и магнитно-силовые микроскопии

2.6.4. Микромагнитное моделирование в среде Object Oriented Micromagnetic Framework

2.6.5. Магнитотранспортные измерения

ГЛАВА 3 СВЯЗЬ СТРУКТУРЫ И РОСТОВЫХ ПРОЦЕССОВ С МАГНИТНЫМИ И МАГНИТОРЕЗИСТИВНЫМИ СВОЙСТВАМИ ЭПИТАКСИАЛЬНЫХ ПЛЕНОК Со и Со/Си/Со НА СТУПЕНЧАТОМ Si(lll)

3.1 . Структурный анализ и исследование ростовых процессов пленок Со на Si(l 11 ) с буферным слоем Си

3.1.1. Рост Со(6 МС) на Си(10 MC)/Si

3.1.2. Рост Со(50 МС) на Си(10 MC)/Si

3.2 . Структурный анализ и исследование ростовых процессов пленок Со/Си/Со на Si(l 11) с буферным слоем Си

3.2.1. Рост Со(6 МС)/Си(с?си = 0-7 МС)/Со(6 МС) на Си(10 MC)/Si

3.2.2. Рост Со(25 МС)/Си(25 МС)/Со(25 МС) на Си(10 MC)/Si

3.3. Магнитные и магнитотранспортные свойства пленок Co/Cu/Si(l 11)

3.3.1. Пленки Cu(14 МС)/Со(12 MC)/Cu(10 MC)/Si

3.3.2. Пленки Cu(14 МС)/Со(50 MC)/Cu(10 MC)/Si

3.4. Магнитные и магнитотранспортные свойства пленок Co/Cu/Co/Cu/Si(lll)

3.4.1. Пленки Cu(14 МС)/Со(6 МС)/Си(</Си = 0-7 МС)/Со(6 МС)/Си(10 MC)/Si

3.4.2. Пленки Cu(14 МС)/Со(25 MC)/Cu(25 МС)/Со(25 MC)/Cu(10 MC)/Si

3.5. Выводы

ГЛАВА 4. ПРОЦЕССЫ И МЕХАНИЗМЫ ПЕРЕМАГНИЧИВАНИЯ НАНОПОЛОСОК Со и Со/Си/Со С МАГНИТНОЙ АНИЗОТРОПИЕЙ, НАВЕДЕННОЙ СТУПЕНЯМИ ПОДЛОЖКИ

4.1. Нанополоски Cu(14 MC)/Co(50 MC)/Cu(10 MC)/Si, вырезанные параллельно ступеням подложки

4.2. Нанополоски Cu(14 MC)/Co(50 MC)/Cu(10 MC)/Si, вырезанные перпендикулярно ступеням подложки

4.2.1. Процессы перемагничивания нанополосок шириной 1800 нм (Q = 2,5)

4.2.2. Механизм разворота вектора намагниченности в Неелевских доменных стенках в нанополосках шириной 1800 нм (Q = 2,5)

4.2.3. Процессы перемагничивания нанополосок шириной 500 нм (Q = 0,5)

4.2.4. Механизм разворота вектора намагниченности в Неелевских доменных стенках в нанополосках шириной 500 нм (Q = 0,5)

4.2.5. Процессы перемагничивания нанополосок шириной 900 нм (Q = 1,1)

4.3. Нанополоски Cu(14 MC)/Co(25 MC)/Cu(25 MC)/Co(25 MC)/Cu(10 MC)/Si, вырезанные перпендикулярно ступеням подложки

4.3.1. Процессы перемагничивания нанополосок Со/Си/Со шириной 1800 нм

4.3.2. Процессы перемагничивания нанополосок Со/Си/Со шириной 1000 нм

4.3.3. Процессы перемагничивания нанополосок Со/Си/Со шириной 500 нм

4.4. Выводы

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

СПИСОК ЛИТЕРАТУРЫ

Список сокращений

AMC - анизотропное магнитосопротивление

АСМ - атомно-силовая микроскопия

ACT - анизотропия, наведенная ступенями подложки

АФ - анизотропия формы

АФМ - антиферромагнитный

ГМС - гигантское магнитосопротивление

ГПУ - гексагональный плотноупакованный

ГЦК - гранецентрированный кубический

ДБЭ - дифракция быстрых электронов

МЛЭ — молекулярно-лучевая эпитаксия

МОЭК - магнитооптический эффект Керра

MC - монослой

МСМ - магнитно-силовая микросокопия

О.л.н. - ось легкого намагничивания

О.т.н. - ось трудного намагничивания

ОЦК - объемноцентрированный кубический

РККИ (RKKY) - Ruderman-Kittel-Kasuya-Yosida

СВВ - сверхвысокий вакуум

СТМ - сканирующая туннельная микроскопия

СЭМ - сканирующая электронная микроскопия

ФМ - ферромагнитный

ЭДС - электродвижущая сила

OOMMF - Object oriented micro magnetic framework

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Влияние анизотропии на магнитные свойства эпитаксиальных CO и CO/CU/CO наноструктур»

ВВЕДЕНИЕ

Изучение процессов перемагничивания и доменной структуры магнитных нанополосок на сегодняшний день представляет особый интерес. В настоящее время предложены новые типы энергонезависимой магнитной памяти (памяти на беговых дорожках или Racetrack memory [1]) и логических устройств [2-4], основанных на движении доменных границ в нанополосках. Битами информации в памяти на беговых дорожках служат домены в нанополосках. В первоначальном варианте памяти на беговых дорожках, основанной на поликристаллических магнитных нанополосках, вектор намагниченности в доменах была ориентирован вдоль полосок за счет сильной анизотропии формы [5]. Рядом с каждой нанополоской были установлены считывающий [6] и записывающий [7] элементы, способные производить чтение и запись с участка, равного по размерам длине домена и расположенного непосредственно вблизи элементов. Смещение доменных границ и соответственно битов информации по полоске осуществлялось под действием импульсов спин-поляризованного тока, пропускаемых вдоль нанополоски [8, 9].

Процессы перемагничивания поликристаллических нанополосок, в

которых, как правило, главную роль играет анизотропия формы, достаточно

хорошо изучены [10]. Гораздо интереснее случай полосок, в которых помимо

анизотропии формы присутствует магнитная анизотропия другой природы с

осью легкого намагничивания (о.л.н.), направленной перпендикулярно

длинной стороне полосок [11-13]. Сочетание магнитных анизотропий может .

приводить к различным доменным конфигурациям в нанополосках.

Например, в нанополосках с перпендикулярной анизотропией (о.л.н.

направлена вдоль нормали к плоскости полосок) может возникать полосовая

доменная структура, образованная доменами, антипараллельно

намагниченными перпендикулярно плоскости полоски [14, 15]. В

нанополосках с поперечной анизотропией (о.л.н. направлена поперек

6

длинной стороны полоски в ее плоскости) индуцируется ламинарная доменная структура [16]. Вектор намагниченности в ламинарных доменах нанополоски направлен перпендикулярно длинной стороне и лежит в плоскости полоски. Изменяя относительную ориентацию и энергии наведенных магнитных анизотропий, можно управлять процессами перемагничивания и изменять доменную структуру нанополосок [17]. Использование нанополосок с наведенной поперечной или перпендикулярной магнитной анизотропией в магнитной памяти на беговых дорожках позволит значительно увеличить плотность записи информации за счет уменьшения размеров доменов и доменных границ. Существуют теоретические и экспериментальные работы, в которых показано уменьшение критической плотности тока для движения доменных границ током в нанопроволоках с наведенной перпендикулярной анизотропией [18]. Очевидно, что использование нанополосок с поперечной полосовой или ламинарной доменной структурой в памяти на беговых дорожках существенно улучит характеристики данной памяти, поэтому сегодня большое внимание уделяется исследованию процессов перемагничивания и доменной структуры нанополосок с наведенной анизотропией.

Целью диссертационной работы является исследование влияния конкуренции магнитных анизотропий, обусловленных формой и ступенями подложки, на процессы перемагничивания и доменную структуру нанополосок Со и Со/Си/Со и установление влияния ступенчатой структуры поверхности- подложки81(111) на ..ростовые, процессы, .магнитные и магниторезистивные свойства эпитаксиальных пленок Со/Си/81(111) и Со/Си/Со/Си/БКШ).

Задачи работы:

1. Исследовать ростовые процессы Со и Си на ступенчатой поверхности 81(111).

2. Вырастить магнитные пленки Со и Со/Си/Со на ступенчатой поверхности 81(111).

3. Исследовать магнитные свойства пленок Со и Со/Си/Со с одноосной магнитной анизотропией, наведенной ступенями подложки 81.

4. Измерить магниторезистивные свойства пленок во внешнем магнитном поле, приложенном параллельно и перпендикулярно оси легкого намагничивания с помощью четырехзондового метода измерения сопротивления и объяснить полученные данные, исходя из ростовых процессов и структуры пленок.

5. Приготовить из пленок Со и Со/Си/Со нанополоски различной ширины, так чтобы в нанополосках реапизовывалось различное соотношение энергий магнитных анизотропий, обусловленных формой и ступенями подложки.

6. Исследовать процессы перемагничивания и доменную структуру эпитаксиальных нанополосок Со и Со/Си/Со.

Научная новизна работы.

1. Впервые экспериментально установлен и подтвержден микромагнитным моделированием механизм разворота вектора намагниченности в Неелевских доменных границах в нанополосках Со с наведенной вдоль короткой стороны магнитной анизотропией.

2. Установлены процессы перемагничивания и доменная структура нанополосок Со и Со/Си/Со, в которых реализованы различные соотношения энергий конкурирующих магнитных анизотропий, наведенных ступенями подложки и формой нанополосок.

3. Впервые исследованы особенности ростовых процессов Со и Си на

ступенчатых подложках 81(111) и объяснена связь магнитных и

8

магниторезистивных свойств пленок Со/Си/Со/Си/81(111) со структурой пленок и ростовыми процессами в данной системе. 4. Исследовано влияние одноосной наведенной анизотропии на магнитную структуру трехслойных нанополосок Со/Си/Со. Показано, что в трехслойных нанополосках, в которых преобладает анизотропия, наведенная ступенями, реализуется антипараллельное выстраивание вектора намагниченности в смежных слоях Со.

Практическая значимость работы. Полученные данные о процессах перемагничивания и доменной структуре нанополосок с магнитной анизотропией, наведенной ступенями подложки, могут пригодиться в разработке и совершенствовании устройств записи информации и магнитной логики, основанных на движении доменных границ в магнитных нанополосках.

На защиту выносятся следующие результаты:

1. Под действием магнитного поля, перпендикулярного Неелевским доменным границам в нанополосках Со с ламинарной доменной структурой, полярность Неелевских доменных границ изменяется путем зарождения вихря на краю каждой границы и продвижения его через всю доменную стенку.

2. Изменяя соотношение между энергиями магнитных анизотропий, -наведенных ступенями подложки и формой нанополосок Со и

Со/Си/Со, можно управлять магнитной структурой и процессами перемагничивания в нанополосках Со и Со/Си/Со.

3. Диполь-дипольное взаимодействие между слоями Со в трехслойных

нанополосках Со/Си/Со с преобладающей магнитной анизотропией,

наведенной ступенями, приводит к антипараллельной ориентации

вектора намагниченности в ламинарных доменах смежных слоев Со.

9

4. Антиферромагнитная связь между смежными ферромагнитными слоями Со и величина гигантского магнитосопротивления в С о/С и/С о/С и/S i(l 11) структурах зависят от кинетики роста Си прослойки на ступенчатой поверхности Со.

Личное участие автора в получении результатов состоит в следующем:

- получение эпитаксиальных магнитных пленок Со и Со/Си/Со методом молекулярно-лучевой эпитаксии

- измерение структурных свойств пленок и изучение ростовых процессов Со и Си на Si(lll) методами дифракции быстрых электронов и сканирующей туннельной микроскопии

- исследование магнитных свойств полученных пленок методами магнитооптического эффекта Керра и вибрационной магнитометрии

- исследование магниторезистивных свойств пленок. Для обеспечения стабильного электрического контакта к поверхности пленок автором была сконструирована четырехзондовая измерительная головка, объединенная с держателем образца.

- измерение петель магнитного гистерезиса нанополосок, вырезанных из сплошных пленок, методом магнитооптического эффекта Керра

- исследование магнитной структуры нанополосок методом магнитно-силовой микроскопии

- моделирование процессов перемагничивания и доменной структуры нанополосок в программном пакете Object Oriented Micromagnetic Framework

Апробация работы. Основные результаты работы докладывались на

Всероссийской конференции студентов, аспирантов и молодых ученых по

физике (Владивосток, 2009, 2010, 2011, 2012), The Ninth Russia-Japan Seminar

on Semiconductor Surfaces, RJSSS-9 (Владивосток, 2010), Международном

симпозиуме «Нанофизика и наноэлектроника» (Нижний Новгород, 2011),

Moscow International Symposium on Magnetism (Москва, 2011), Десятой

10

региональной научной конференции «Физика: фундаментальные и прикладные исследования, образование» (Владивосток, 2011), IEEE International Magnetics Conference, Intermag 2012 (Ванкувер, 2012), Joint European Symposium on Magnetism, JEMS-2012 (Парма, 2012).

Структура и объем диссертации. Диссертационная работа состоит из введения, четырех глав, выводов и списка литературы из 132 наименований. Общий объем диссертации 150 страниц, включая 68 рисунков.

Во введении обоснована актуальность темы, сформирована цель

s

работы и поставлены задачи исследования, изложены защищаемые положения, кратко описана структура диссертации.

В первой главе приведен литературный обзор. Литературный обзор разбит на пять параграфов. В первом параграфе описаны виды взаимодействий между ферромагнитными слоями в многослойных пленках. Во втором параграфе рассмотрены два основных вида магнитосопротивлений, определяющих магнитотранспортные свойства ультратонких пленок с чередующимися ферромагнитными и немагнитными слоями: гигантское и анизотропное магнитосопротивления. В третьем параграфе рассмотрены результаты исследований структурных и магнитных свойств пленок Со(111)/Cu(l 11) и суперрешеток [Со(111)/Cu(l 11)]N, осажденных на подложки из различного материала. В четвертом параграфе отдельное внимание уделяется рассмотрению причин возникновения одноосной магнитной анизотропии в магнитных пленках, осажденных на ступенчатые подложки. В пятом параграфе описаны типы доменных -структур, реализующихся_в нанополосках с сочетанием анизотропии формы. и наведенной магнитной анизотропии, в зависимости от соотношения энергий конкурирующих анизотропий и ориентации о.л.н. наведенной магнитной анизотропии. В подпунктах пятого параграфа приведены примеры доменной структуры каждого типа. В заключении литературного обзора указывается о недостаточном исследовании процессов и механизмов

перемагничивания нанополосок, в которых реализовано сочетание магнитных анизотропий.

Во второй главе описано получение магнитных пленок Со и Со/Си/Со на поверхности ступенчатого Si(lll) методом молекулярно-лучевой эпитаксии. Указаны экспериментальные условия, при которых были выращены пленки. Рассмотрен метод и условия сфокусированного ионного травления нанополосок из сплошных пленок. Приведена краткая информация об исследовании структуры пленок методом дифракции быстрых электронов и изучении ростовых процессов методом сканирующей туннельной микроскопии. Описаны методы исследования магнитных свойств наноструктур магнитооптическим эффектом Керра, вибрационной магнитометрией, магнитно-силовой микроскопией, компьютерным моделированием в программном пакете Object Oriented Micromagnetic Framework.

В третьей главе представлена связь магнитных и магниторезизистивных свойств пленок Со/Си/Со с ростовыми процессами и структурными свойствами пленок. Покрытие магнитных слоев Со в исследуемых пленках было равно 6 и 25 монослоев. Покрытие Си прослойки изменялось от 0 до 7 монослоев при покрытии Со 6 монослоев. В случае пленок Со с покрытием 25 монослоев покрытие Си прослойки было взято 0 и 25 монослоев.

Четвертая глава посвящена исследованию процессов перемагничивания и доменной структуры нанополосок, вырезанных из сплошных, лшенок _ Со^ и Со/_Си/Со. Доменная структура и процессы перемагничивания нанополосок определялись соотношением энергий конкурирующих магнитных анизотропий, наведенных формой и ступенями Si подложки. Для управления соотношением энергий конкурирующих магнитных анизотропий ширина нанополосок изменялась от 300 до 2000 нм в случае полосок, ориентированных параллельно ступеням подложки, и от 500

до 1800 нм в случае нанополосок, ориентированных перпендикулярно ступеням подложки.

Основные результаты диссертационной работы выделены в виде итогового заключения.

Заключение диссертации по теме «Физика конденсированного состояния», Давыденко, Александр Вячеславович

4.4. Выводы

Исследование процессов перемагничивания и магнитной структуры нанополосок Си/Со(50 МС)/Си/81 и Си/Со(25 МС)/Си(25 МС)/Со(25 МС)/Си/81 в зависимости от ориентации нанополосок относительно ступеней подложки и от ширины полосок показало:

1. Экспериментально установлено и подтверждено моделированием, что, изменяя ширину нанополосок Со, можно варьировать соотношение между энергиями анизотропий, наведенных формой и ступенями подложки, а следовательно и управлять процессами перемагничивания нанополосок.

2. В нанополосках Со с преобладающей анизотропией, наведенной ступенями подложки, в размагниченном состоянии реализуется ламинарная доменная структура с частичным замыканием магнитного потока. Перемагничивание вдоль оси легкого намагничивания осуществляется путем зарождения и движения доменных границ вдоль длинной стороны полоски, а вдоль оси трудного намагничивания -вращением вектора намагниченности в ламинарных доменах.

3. В полосках Со с преобладающей анизотропией, наведенной формой, в размагниченном состоянии реализуется поперечная доменная структура. Перемагничивание вдоль оси легкого намагничивания осуществляется зарождением на краях полоски доменов с обратным вектором намагниченности и движением доменных границ, а вдоль трудного направления - образованием поперечной доменной структуры и смещением доменных границ вдоль полоски.

4. Экспериментально установлено и подтверждено моделированием, что изменение полярности каждой Неелевской доменной стенки при воздействии на нее магнитного поля, перпендикулярного доменной стенке, осуществляется путем зарождения на краю доменной границы вихря и его движения вдоль доменной границы до ее противоположного края с последующим исчезновением вихря. Вихри в соседних Неелевских стенках зарождаются на противоположных концах, движутся в противоположных направлениях и имеют противоположную хиральность.

5. Диполь-дипольное взаимодействие приводит к антипараллельной ориентации векторов намагниченности в смежных слоях Со, когда энергия магнитной анизотропии, наведенной ступенями подложки, сравнима или больше энергии анизотропии формы, то есть в более широких нанополосках.

6. При перемагничивании нанополосок Со/Си/Со вдоль направления, параллельного ступеням подложки, диполь-дипольное взаимодействие между слоями максимально проявляется в случае энергии магнитной анизотропии, наведенной ступенями, сравнимой с энергией анизотропии формы.

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

1. Установлено, что Си на поверхности Со/Си/81(111) растет трехмерными островками. Трехмерный рост островков Си прослойки в многослойных пленках Си/Со/Си/Со/Си/81(111) приводит к существованию ферромагнитно связанных областей при покрытии Си прослойки от 0 до 7 монослоев. Максимум косвенного антиферромагнитного взаимодействия наблюдался при покрытии Си прослойки 3 монослоя. Доля антиферромагнитно связанных областей в максимуме косвенного антиферромагнитного взаимодействия составила 17 %.

2. Исследованы нанополоски Со и Со/Си/Со с поперечной магнитной анизотропией, наведенной ступенями подложки. Показано, что изменяя соотношение между энергиями магнитных анизотропий, наведенными ступенями подложки и формой нанополосок, можно управлять магнитными свойствами, доменной структурой и процессами перемагничивания в нанополосках Со и Со/Си/Со.

3. Установлено, что под действием магнитного поля, перпендикулярного Неелевским доменным границам в нанополосках Со с ламинарной доменной структурой, полярность доменных границ изменяется путем зарождения вихря на краю каждой границы и продвижения его через всю доменную стенку. Вихри в соседних доменных стенках имеют противоположную хиральность, зарождаются на противоположных концах и двигаются в противоположных направлениях.

4. Показано, что в трехслойных нанополосках с поперечной магнитной анизотропией диполь-дипольное взаимодействие между ферромагнитными слоями приводит к антипараллельной ориентации векторов намагниченности в смежных слоях Со, когда энергия магнитной анизотропии, наведенная ступенями подложки, сравнима или больше энергии анизотропии формы.

В заключение хочу выразить глубочайшую благодарность моему научному руководителю д.ф.-м.н., профессору Чеботкевич Людмиле Алексеевне за постановку задачи, обсуждение результатов, ценные советы в ходе выполнения исследований. Благодарю к.ф.-м.н. Иванова Юрия Павловича за помощь в экспериментальных исследованиях и содействие на идейном уровне в развитии данной научной работы. Отдельные слова благодарности хочу сказать к.ф.-м.н. Ермакову Константину Сергеевичу за помощь в освоении и ремонте сверхвысоковакуумной техники. Благодарю к.ф.-м.н. Пустовалова Евгения Владиславовича за плодотворное сотрудничество и приготовление нанополосок методом сфокусированного ионного травления. С искренней признательностью хочу отметить помощь и участие, оказанные при выполнении данной работы к.ф.-м.н. Огневым Алексеем Вячеславовичем. Выражаю благодарность сотрудникам лаборатории тонкопленочных технологий к.ф.-м.н. Самардаку Александру Сергеевичу, к.ф.-м.н. Печниковой Людмиле Павловне, Суковатицине Екатерине Васильевне за постоянную помощь и поддержку. Благодарю Стеблия Максима Евгеньевича за дружескую помощь при выполнении данной работы.

Больше всего я являюсь обязанным моей семье за их постоянную помощь и поддержку.

Список литературы диссертационного исследования кандидат физико-математических наук Давыденко, Александр Вячеславович, 2013 год

СПИСОК ЛИТЕРАТУРЫ

1. Parkin S. S. P., Hayashi M., Thomas L. Magnetic domain-wall racetrack memory // Science. 2008. Vol. 320. P. 190-194.

2. Allwood D. A., Xiong G., Faulkner C. C., Atkinson D., Petit D., and Cowburn R.P. Magnetic domain-wall logic // Science. 2005. Vol. 309. P. 1688.

3. Hayashi M., Thomas L., Moriya R., Rettner C., Parkin S. S. P. Current-Controlled Magnetic Domain-Wall Nanowire Shift Register // Science. 2008. Vol. 320. P. 209.

4. Demidov V.E., Kostylev M. P., Rott K., Krzysteczko P., Reiss G., and Demokritov S. O. Excitation of microwaveguide modes by a stripe antenna // App.Phys.Lett. 2009 Vol. 95. P. 112509.

5. Adeyeye A.O., Bland J.A.C., Daboo C., and Hasko D.G. Magnetostatic interactions and magnetization reversal in ferromagnetic wires // Phys.Rev.B. 1997. Vol. 56. P. 3265.

6. Parkin S. S. P., Xin Jiang, Kaiser C., Panchula A., Roche K., Samant M Magnetically engineered spintronic sensors and memory // Proceedings of the IEEE. 2003. Vol. 91. P. 661.

7. Parkin S.S.P. Magnetic racetrack memory device // U.S.Patents 6,834,005

8. Berger L. Emission of spin waves by a magnetic multilayer traversed by a current // Phys. Rev. B. 1996. Vol. 54. P. 9353.

9. Slonczewski J.C. Current-driven excitation of magnetic multilayers // J. Magn. Magn. Mater. 1996. Vol. 159. P.LI.

10. Brands M., Dumpich G. Experimental determination of anisotropy and demagnetizing factors of single Co nanowires by magnetoresistance measurements //J. Appl. Phys. 2005. Vol. 98. P. 014309.

11. Hassel C., Römer F. M., Meckenstock R., Dumpich G., and Lindner J. Magnetization reversal in epitaxial Fe nanowires on GaAs(l 10) // Phys. Rev. B. 2008. Vol. 77. P. 224439.

12.Thomas L., Parkin S. S. P., Yu J., Rüdiger U., and Kent A. D. Micromagnetics of submicron (110) Fe elements // Appl. Phys. Lett. 2000. Vol. 76. P. 766.

13.Rüdiger U., Yu J., Zhang S., Kent A. D., Parkin S. S. P. Negative domain wall contribution to the resistivity of microfabricated Fe wires // Phys. Rev. Lett. 1998. Vol. 80. P. 5639.

14.Lee S.H., Zhu F.Q., Chien C.L., and Markovic N. Effect of geometry on magnetic domain structure in Ni wires with perpendicular anisotropy: a magnetic force microscopy study // Phys. Rev. B. 2008. Vol. 77. P. 132408.

15.Noh S. J., Tan R. P., Chun B. S., Kim Y. K. Current induced domain wall motion in nanostripes with perpendicular magnetic anisotropy // J. Magn. Magn. Matt. 2010. Vol. 322. P. 3601.

16.Kent A. D., Rüdiger U., Yu J., Thomas L„ Parkin S. S. P.

Magneto resistance, micromagnetism, and domain wall effects in epitaxial Fe and Co structures with stripe domains (invited) // J. Appl. Phys. 1999. Vol. 85. P. 5243.

17.Paz E., Cebollada F., Palomares F. J., Garcia-Sanchez F., and Gonzalez J. M. Control of magnetization reversal by combining shape and magnetocrystalline anisotropy in epitaxial Fe planar nanowires // Nanotechnology. 2010. Vol. 21. P. 25530.

18.Jung S.W., Kim W., Lee T. D., Lee K. J., and Lee H. W. Current-induced domain wall motion in a nanowire with perpendicular magnetic anisotropy // Appl. Phys. Lett. 2008. Vol. 92. P. 202508.

19.Magnetic and superconducting materials / ed. Buschow K.H.J. -Amsterdam.: Elsevier Science, 2003. - 1340 P.

20.Ruderman M. A. and Kittel C. Indirect exchange coupling of nuclear magnetic moments by conduction electrons // Phys. Rev. 1954. Vol. 96. P. 99.

21.Kasuya T. A theory of metallic ferro- and antiferromagnetism on Zener's model // Prog. Theor. Phys. 1956. Vol. 16. P. 45.

22.Yosida K. Magnetic properties of Cu-Mn alloys // Phys. Rev. 1957. Vol. 106. P. 893.

23.Majkrzak C.F., Cable J.W., Kwo J., Hong M., McWhan D.B., Yafet Y., Waszczak J.W., Vettier C. Observation of a magnetic antiphase domain structure with long-range order in synthetic Gd-Y superlattice // Phys. Rev. Lett. 1986. V.56. P. 2700.

24.Grunberg P., Schreiber R., Pang Y., Brodsky M. B., Sowers H. Layered magnetic structures: Evidence for antiferromagnetic coupling of Fe layers across Cr interlayers // Phys. Rev. Lett. 1986. Vol. 57. P. 2442.

25.Unguris J., Celotta R. J., Pierce D. T. Observation of two different oscillation periods in the exchange coupling of Fe/Cr/Fe(100) // Phys. Rev. Lett. 1991. Vol. 67. P. 140.

26.P. Bruno and C. Chappert Oscillatory coupling between ferromagnetic layers separated by a nonmagnetic metal spacer // Phys. Rev. Lett. 1991. Vol. 67. P. 1602.

27.Ortega J. E., Himpsel F. J., Mankey G. J., Willis R. F. Quantum-well states and magnetic coupling between ferromagnets through a noble-metal layer // Phys. Rev. B. 1993. Vol. 47. P. 1540.

28.Erickson R. P., Hathaway K. B., Cullen J. R. Mechanism for nonHeisenberg-exchange coupling between ferromagnetic layers // Phys. Rev. B. 1993. Vol. 47. P. 2626.

29.Wang Y., Levy P.M. Interlayer magnetic coupling in Fe/Cr multilayered structures // Phys. Rev. Lett. 1990. Vol. 65. P. 2732.

30.Unguris J., Celotta R. J., Pierce D. T. Oscillatory exchange coupling in Fe/Au/Fe(100) // J. Appl. Phys. 1994. Vol. 75. P. 6437.

31.Néel L. // C. R. Acad. Sci. 1962. Vol. 255. P. 1976.

32.Demokritov S., Tsumbal E., Grunberg P., Zinn W., Schuller I. K. Magnetic-dipole mechanism for biquadratic interlayer coupling // Phys. Rev. B. 1994. Vol. 49. P.720.

33.Grunberg P., Schreiber R., Pang Y., Brodsky M. B. and Sowers H. Layered Magnetic Structures: Evidence for Antiferromagnetic Coupling of Fe Layers across Cr Interlayers // Phys. Rev. Lett. 1986. Vol. 57. P. 2442.

34.Binasch G., Grunberg P., Saurenbach F. and Zinn W. Enhanced magneto resistance in layered magnetic structures with antiferromagnetic interlayer exchange // Phys. Rev. B. 1989. Vol. 39. P. 4828.

35.Baibich M., Broto J.M., Fert A., Guyen Van Dau F.N., Petroff F., Etienne P., Creuzet G., Friederich A. Giant magnetoresistance of (001)Fe/(001)Cr magnetic superlattices // Phys. Rev. Lett. 1988. Vol. 61. P. 2472.

36.Parkin S.S.P., More N. and Roche K.P. Oscillations in exchange coupling and magnetoresistance in metallic superlattice structures: Co/Ru, Co/Cr, and Fe/Cr H Phys. Rev. Lett. 1990. Vol. 64. P. 2304.

37.. Parkin S. S. P. Giant magnetoresistance and oscillatory interlayer coupling in polycrystalline transition metal multilayers // In book "Ultrathin Magnetic Structures II", Eds. Heinrich B. and Bland J. SpringerVerlag, Berlin. 1994. P. 148-186.

38.Mosca D.H., Petroff F., Fert A., Schroeder P.A., Pratt W.P. and Loloee R. Oscillatory interlayer coupling and giant magnetoresistance in Co/Cu multilayers // J. Magn. Magn. Mater. 1991. Vol. 94 P. LI.

39. Parkin S.S.P., Bhadra R.and Roche K.P. Oscillatory magnetic exchange coupling through thin copper layers // Phys. Rev. Lett. 1991. Vol. 66. P. 2152.

40.Parkin S. S. P., Li Z. G. and Smith D. J. Giant magnetoresistance in antiferromagnetic Co/Cu multilayers // Appl. Phys. Lett. 1991. Vol. 58. P. 2710.

41.Dieny B., Humbert P., Speriosu V. S., Metin S., Gurney B. A., Baumgart P., and Lefakis H. Giant magnetoresistance of magnetically soft sandwiches: Dependence on temperature and on layer thicknesses // Phys. Rev. B. 1992. V. 45. P. 806.

42.Nanomagnetism and Spintronics / ed. Shinjo T. - Oxford.: Elsevier, 2009. - 346 P.

43.Mott N.F. Electrons in Transition Metals // Adv. Phys. 1964. Vol. 13. P. 325.

44.Daughton J.M. Magneto resistive memory technology // Thin Solid Films. 1992. Vol. 216. P. 162.

45.Parkin S. S. P. Giant magnetoresistance and oscillatory interlayer coupling in polycrystalline transition metal multilayers // In book "Ultrathin Magnetic Structures II", Eds. Heinrich B. and Bland J. Springer-Verlag, Berlin, 1994, P. 148-186.

46.Doudin B. and Viret M. Ballistic magnetoresistance? // J. Phys.: Condens. Matter. 2008. Vol. 20. P. 083201-10.

47.Smit J. Magnetoresistance of ferromagnetic metals and alloys at low temperatures //Physica. 1951. Vol. 17. P. 612.

48.Potter R. Magnetoresistace anisotropy in ferrmagnetic NiCu alloys. // Phys. Rev. B. 1974. Vol. 10. P.4626.

49.Egelhoff W. F. Jr. and Kief M. T. Antiferromagnetic coupling in Fe/Cu/Fe and Co/Cu/Cu multilayers on Cu(lll) // Phys. Rev. B. 1992. Vol. 45. P. 7795.

50.Johnson M. T., Coehoorn R., de Vries J. J., McGee N. W. E., de Stegge J. and Bloemen P. J. H. Orientational dependence of the oscillatory exchange interaction in Co/Cu/Co // Phys. Rev.Lett. 1992. Vol. 69. P. 969.

51.Kohlhepp J., Elmers H. J., and Gradmann U. Magnetic interface anisotropics of Co/Cu(lll) and Co/Au(lll) interfaces from ultrathin Co films on Cu(l 11) // J. Magn. Magn. Mater. 1993. V. 121. P. 487.

52.Schreyer A., Brohl K., Ankner J. F., Majkrzak C. F., Zeidler Th., Bodeker P., Metoki N., and Zabel H. Oscillatory exchange coupling in Co/Cu(l 11) superlattices //Phys. Rev. B. 1993. Vol. 47. P. 15334.

53.Fullerton E. E., Kelly D. M., Guimpel J., Schuller I. K., and Bruynseraede Y. Roughness and giant magnetoresistance in Fe/Cr superlattices // Phys. Rev. Lett. 1992. Vol. 68. P. 859.

54.De la Figuera J.. Prieto J. E!, Ocal C., and Miranda R. Scanning-tunneling-microscopy study of the growth of cobalt on Cu(l 11)// Phys. Rev. B. 1993. Vol. 47. P. 13043.

55.Camarero J., Spendeler L., Schmidt G., Heinz K., de Miguel J. J., and Miranda R. Surfactant-Induced Suppression of Twin Formation During Growth of fee Co/Cu Superlattices on Cu(lll) // Phys. Rev. Lett. 1994. Vol. 73. P. 2448.

64.Tonner B.P., Han Z-L. and Zhang Structure of Co films grown on Cu(l 11) studied by photoelectron diffraction // J. Phys.Rev. B. 1993. Vol. 47. P. 9723.

65.Heinz K., Muller S. M. and Hammer L. Crystallography of ultrathin iron, cobalt and nickel films grown epitaxially on copper // J. Phys.: Condens. Matter. 1999. Vol. 11. P. 9437.

66.Scheuch V., Potthast K., Voigtlinder B. and Bonzel H.P. Investigation of the growth of Co on Cu(l 11) and Sb/Cu(l 11) using photoelectron forward scattering // Surf. Sci. 1994. Vol. 318. P. 115.

67.Gonzalez L., Miranda R., Salmeron M., Verges J.A. and Yndurain F. Experimental and theoretical study of Co adsorbed at the surface of Cu: Reconstructions, charge-density waves, surface magnetism, and oxygen adsorption // Phys. Rev. B. 1981. Vol. 24. P. 3245.

68. Lamelas F.J., Lee C.H., He Hui, Vavra W. and Clarke R. Coherent fee stacking in epitaxial Co/Cu superlattices // Phys. Rev. B. 1989. Vol.40. P. 5837.

69.Harp G. R., Parkin S. S. P., Farrow R. F. C., Marks R. F., Toney M. F., Lam Q. H., Rabedeau T. A. and Savoy R. J. Growth temperature dependence of magnetoresistance in Co/Cu(lll) wedged superlattices // Phys. Rev. B. 1993. Vol. 47. P. 8721.

70.Muller S., Kostka G., Schafer T., de la Figuera J. , Prieto J. E., Ocai C., Miranda R., Heinz K. and Muller K. The structure of Co films on Cu(l 11) up to 15 ML // Surf. Sci. 1996. Vol. 352. P. 46.

71.Dang K. Le, Veillet P., He Hui, Lamelas F. J., Lee C. H. and Clarke R. NMR study of interface structure in epitaxial Co-Cu superlattices // Phys. Rev. B. 1990. Vol. 41. P. 12902.

72.de Gronckel H. A. M., Kopinga K., de Jonge W. J. M., Panissod P., Schillé J. P., den Broeder F. J. A. Nanostructure of Co/Cu multilayers // Phys. Rev. B. 1991. Vol. 44. P. 9100.

73.Renard J.P., Beauvillain P., Dupas C., Le Dang K., Veillet P., Velu E., Marliere C. and Renard D. Large magnetoresistance effects in UHV grown fee (111) Co/Cu multilayers // J.Magn.Magn.Matter. 1992. Vol. 115. P. L147.

74.Rath Ch., Prieto J. E., Muller S., Miranda R. and Heinz K. Hcp-to-fcc stacking switch in thin cobalt films induced by Cu capping // Phys.Rev. B. 1997. Vol. 55. P. 10791.

75.Gradmann U., Korecki J. and Waller G. In-plane magnetic surface anisotropics in Fe(l 10) // Appl. Phys. A: Solids Surf. 1986. Vol. 39. P. 101.

76.Berger A., Linke U., and Oepen H. P. Symmetry-Induced Uniaxial Anisotropy in Ultrathin Epitaxial Cobalt Films Grown on Cu(l 1 13) // Phys. Rev. Lett. 1992. Vol. 68. P 839.

77.Choi H. J., Qiu Z. Q., Pearson J., Jiang J. S., Li D. and Bader S. D. Magnetic anisotropy of epitaxial Fe films grown on curved W (001) □ with a graded step density // Phys. Rev. B. 1998. Vol. 57 P. R12713.

78.Neel L. Anisotropic magnétique superficielle et surstructures d'orientation // J. Phys. Radium. 1954. Vol. 15. P. 225.

79.Chuang D. S., Ballentine C. A., O'handley R. C. Surface and step magnetic anisotropy // Phys. Rev. B. 1994. Vol.49. P. 15084.

80.Kawakami R. K., Escorcia-Aparicio E. J. and Qiu Z. Q. Symmetry-Induced Magnetic Anisotropy in Fe Films Grown on Stepped Ag(001) // Phys. Rev. let. 1996. Vol. 77. P. 2570.

81.Kawakami К., Bowen M. О., Choi Н. J., Escorcia-Aparicio E. J. and Qiu Z. Q. Effect of atomic steps on the magnetic anisotropy in vicinal Co/Cu (001) // Phys. Rev. B. 1998. Vol. 58. P. R. 5924. □

82.Arias R., Mills D. L. Theory of roughness-induced anisotropy in ferromagnetic films: The dipolar mechanism // Phys. Rev. B. 1999. Vol. 59. P. 11871.

83.Хирс JI., Паунд Г. «Испарение и конденсация» М.: Металлургия, 1966. 196 с.

84.Negulyaev N. N., Stepanyuk V. S., Hergert W., Bruno P. and Kirschner J. Atomic-scale self-organization of Fe nanostripes on stepped Cu(lll) surfaces: Molecular dynamics and kinetic Monte Carlo simulations // Phys. Rev. B. 2008. Vol. 77. P. 085430.

85.Brands M., Wieser R., Hassel C., Hinzke D. and Dumpich G. Reversal processes and domain wall pinning in polycrystalline Co-nanowires // Phys. Rev. B. 2006. Vol. 74. P. 174411.

86.Brands M. and Dumpich G. Experimental determination of anisotropy and demagnetizing factors of single Co nanowires by magnetoresistance measurements // J. Appl. Phys. 2005. Vol. 98. P. 014309.

87.Leven В., Dumpich G. Resistance behavior and magnetization reversal analysis of individual Co nanowires // Phys. Rev. B. 2005. Vol. 71. P. 064411.

88. Wang X.W., Fei G. Т., Tong P., Xu X. J., Zhang L. D. Structural control and magnetic properties of electrodeposited Co nanowires // Journal of Crystal Growth. 2007. Vol. 300. P. 421.

89.Ciria M., Castaño F., Diez-Ferrer J., Arnaudas J., Ng B., O'Handley R., Ross C. Origin of transverse magnetization in epitaxial Cu/Ni/Cu nanowire arrays // Phys. Rev. B. 2009. Vol. 80. P. 094417.

90.Cherifi S., Hertel R., Locatelli A., Watanabe Y., Potdevin G., Ballestrazzi A., Balboni M., and Heun S. Tuning the domain wall orientation in thin magnetic strips using induced anisotropy // Appl. Phys. Let. 2007. Vol. 91. P. 092502.

91.Reininger T.and Kronmüller H. Temperature dependence of the magnetization processes for different induced anisotropics in amorphous alloys //Phys. Stat. Sol. A. 1992. Vol. 129. P. 247.

92.0sborn J. A. Demagnetizing factors of the general ellipsoid // Phys. Rev. 1945. Vol. 67. P. 351.»

93.Prejbeanu I. L., Viret M., Buda L. D., Ebels U., and Ounadjela K Magnetotransport measurements as a tool to probe the micromagnetic configurations in epitaxial Co wires // J. Magn. Magn. Mater. 2002. Vol. 240. P. 27.

94. Thomas L., Parkin S.S.P., Yu J., Rudiger U., Kent A.D. Micromagnetics of submicron (110) Fe elements // Appl. Phys. Lett. 2000. Vol. 76. P. 766.

95. Yu J., Rudiger U., Kent A.D., Thomas L., Parkin S.S.P. Micromagnetism and magnetization reversal of micron-scale □ (110)D Fe thinfilm magnetic elements //Phys. Rev. B. 1999. Vol. 60. P. 7352.

96. Kent A.D., Yu J., Rudiger U., and Parkin S.S.P. Domain wall resistivity in epitaxial thin film microstructures // J. Phys.: Condens. Matter. 2001. Vol. 13 P. R461.

97.Arthur J.R. Molecular beam epitaxy // Surface Science. 2002. Vol. 500. P. 189.

98.Stangl J., Holy V. and Bauer G. Structural properties of self-organized semiconductor nanostructures // Rev. Mod. Phys. 2004. Vol. 76. P. 725.

99.Shchukin V. A., Bimberg D. Spontaneous ordering of nanostructures on crystal surfaces //Rev. Mod. Phys. 1999. Vol. 71 P. 1125.

100. Senftleben O., Baumgartner H., and Eisele I. Cleaning of Silicon Surfaces for Nanotechnology // Materials Science Forum. 2008. Vol. 573. P. 77.

101. Sun D.L., Wang D.Y., Du H.F., Ning W.,Gao J.H., Fang Y.P., Zhang X.Q., Sun Y., Cheng Z.H., and Shen J. Uniaxial magnetic anisotropy of quasi-one-dimensional Fe chains on Pb/Si // Appl. Phys. Lett. 2009. Vol. 94. P. 012504.

102. Phaneuf R.J. and Williams E.D. Step-height-trippling transition on vicinal Si(l 11) // Phys. Rev. B. 1990. Vol. 41. P. 2991.

103. Phaneuf R.J., Williams E.D. and Bartelt N.C. Temperature dependence of vicinal Si(lll) surfaces // Phys. Rev. B. 1988. Vol. 38. P. 1984.

104. Lin J.-L., Petrovykh D.Y., Viernow J., Men F.K., Seo D.J. and Himpsel F.J. Formation of regular step arrays on Si(lll) 7 x 7 // J. Appl. Phys. 1998. Vol. 84. P.255.

105. Latyshev A.V., Aseev A.L., Krasilnikov A.B. and Stenin S.I. Transformations on clean Si(lll) stepped surface during sublimations // Surf. Sci. 1989. Vol. 213. P. 157.

106. Yang Y.-N., Elain S.F., Williams E.D. An STM study of current-induced step bunching on Si(l 11) // Surf. Sci. 1996. Vol. 356. P. 101.

107. Кулешов В. Ф., Кухаренко Ю. А., Фридрихов С. А. и др. Спектроскопия и дифракция электронов при исследовании поверхности твердых тел. - М.: Наука. - 1985. - 288 с.

108. Оура К., Лившиц В. Г., Саранин А. А., Зотов А. В., Катаяма М. Введение в физику поверхности. - Институт автоматики и процессов управления ДВО РАН. М.: Наука. - 2006. - 490 с.

109. М. Ohring. The Material Science of Thin Films. - Academic Press. -1992.-794 p.

110. Звездин A.K., Котов В. А. Магнитооптика тонких пленок. - М.: Наука. - 1988. - 192 с.

111. Шалыгина Е.Е., Козловский Л.В., Абросимова Н.М., Мукашева М.А. Влияние отжига на магнитные и магнитооптические свойства пленок Ni // Физика твердого тела. 2005. Т. 47. С. 660.

112. Миронов В.Л. Основы сканирующей зондовой микроскопии. -Нижний Новгород: РАН, Институт физики микроструктур. - 2004. -114 с.

113. The OOMMF code is available at http://math.nist.gov/oommf

114. Ландау Л.Д., Лившиц Е.М. К теории дисперсии магнитной проницаемости ферромагнитных тел // Phys. Ztshr. Sow. 1935. Bd. 8. S. 153.

115. Brown W.F. Theory of the approach to magnetic saturation // Phys.Rev. 1940. V. 58. P.736.

116. Suzuki Т., Weller D., Chang C.-A., Savoy R., Huang Т., Gurney B.A., and Speriosu V. Magnetic and magneto-optic properties of thick face-centered-cubic Co single-crystal films // Appl. Phys. Lett. 1994. V. 64. P. 2736.

117. Gu B.X., Wang H. Structure and magnetic properties of sputtered FCC Co(lll) films grown on a glass substrate // J. Magn. Magn. Matt. 1998. V. 187. P. 47.

118. Weller D., Harp G.R., Farrow R.F.C., Cebollada A., and Sticht J. Orientation dependence of the polar Kerr effect in fee and hep Co // Phys. Rev. Lett. 1994. V. 72. P. 2097.

119. Павлов Л.П. Методы измерения параметров полупроводниковых материалов: Учеб. Для вузов по спец. «Полупроводниковые и микроэлектронные приборы». - 2-е изд., перераб. и доп. - М.: Высш. шк., 1987. -239 с.

120. Howson М.А., Hickey B.J., Xu J., Greig D., and Rhodes P. Magnetization of (11 l)-oriented MBE-grown Co/Cu magnetic multilayers // Phys. Rev. B. 1994. V. 49. P. 9560.

121. Daboo C., Bland J. A. C., Hicken R. J., Ives A. J. R., Baird M. J., and Walker M. J. A magneto-optic technique for studying magnetization reversal processes // J. Appl. Phys. 1993. V. 73. P. 6368.

122. Liu C. S., Chen L. J. Epitaxial growth of metastable face-centered cubic Co on (lll)Si with a thin intermediate Cu layer // Materials Chemistry and Physics. 1996. V. 46. P. 233.

123. Xu H., Huan, А. С. H., Wee A.T.S., Tong D. M. Magnetic properties of ultrathin Co films on Si(lll) / Solid State Communications. 2003. V. 126. P. 659.

124. Ермаков К.С. Структура и магнитные свойства эпитаксиальных пленок и нанодисков Со на Si : диссертация кандидата физико-математических наук : 01.04.07 / Ермаков Константин Сергеевич; [Место защиты: Дальневост. гос. университет].- Владивосток, 2010.134 с

125. Bootsma T. I. M., Hibma T. The epitaxial growth of Cu on Si(l 11)7 7: RHEED study // Surf. Sei., 1995, V. 331-333, P. 636-640.

126. Schwoebel R., Shipsey E.J. Step motion on crystal surfaces // J. Appl. Phys. 1966. Vol. 37. P. 3682.

127. Suzuki T., Weller D., Chang C.A., Savoy R., Huang T. Magnetic and magnetooptic properties of thick facecenteredcubic Co singlecrystal films // Appl. Phys. Lett. 1994. Vol. 64. P. 2736.

128. Brands M, Leven B and Dumpich G. Influence of thickness and cap-layer on the switching behaviour of Single Co-nanowires // J. Appl. Phys. 2005. Vol. 97. P. 114311.

129. Hausmanns B., Krome T. P., Dumpich G., Wassermann E. F., Hinzke D., Nowak U., and Usadel K. D. Magnetization reversal process in thin Co nanowires // J. Mag. Magn. Matt. 2002. Vol. 240. P. 297.

130. Aharoni A. Demagnetizing factors for rectangular ferromagnetic prisms // J. of Appl. Phys. 1998. Vol. 83. P. 3432.

131. De Abril O., Sánchez M. C., and Aroca C. New closed flux stripe domain model for weak perpendicular magnetic anisotropy films // Appl. Phys. Lett. 2006. Vol. 89. P. 172519.

132. A. Hubert, and R. Schäfer, Magnetic domains / Springer, New York. 1998. P. 250.