Визуализация атомного строения реакционно-способных межфазовых границ на начальных стадиях их формирования тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 01.04.04, кандидат физико-математических наук Валдайцев, Дмитрий Александрович

• Валдайцев, Дмитрий Александрович
• кандидат физико-математических наук
• 2000

Оглавление диссертации кандидат физико-математических наук Валдайцев, Дмитрий Александрович

страница

ВВЕДЕНИЕ

Глава I ОБЗОР ЛИТЕРАТУРЫ

§1.1 Дифракция электронов и структурный анализ поверхности твердого тела

§1.2 Дифракция рентгеновских фото-и оже-электронов

§1.3 Дифракция квазиупруго рассеянных электронов средней энергии

§ 1.4 Выводы из обзора и постановка задачи исследования

Глава II ТЕХНИКА ЭКСПЕРИМЕНТА

§2.1 Экспериментальная установка

§2.2 Электронограф с микроканальным усилителем яркости изображения

§2.3 Система регистрации дифракционных картин

§2.4 Настройка прибора и компьютерная обработка изображений

Глава III ВИЗУАЛИЗАЦИЯ ПАССИВНЫХ И РЕАКЦИОННО-СПОСОБНЫХ МЕЖФАЗОВЫХ ГРАНИЦ МЕТАЛЛ/КРЕМНИЙ

§3.1 Механизм формирования кикучи-полос в дифракционных картинах кремния

§3.2 Визуализация атомного строения пленок серебра на поверхности 81( 100) 2x

§3.3 Реактивная эпитаксия дисилицида кобальта на поверхности 81(111)7x

§3.4 Твердофазная эпитаксия дисилицида кобальта на

81(111) 7x

§3.5 Выводы

Глава IV ИНТЕРКАЛЯЦИЯ ДИХАЛЬКОГЕНИДОВ

ПЕРЕХОДНЫХ МЕТАЛЛОВ КАЛИЕМ

§4.1 Строение и свойства дихалькогенидов переходных металлов

§4.2 Исследование атомной структуры приповерхностной области У8е2(0001)

§4.3 Интеркаляция У8е2 калием

§4.4 Интеркаляция Т182 калием

§4.5 Выводы

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Визуализация атомного строения реакционно-способных межфазовых границ на начальных стадиях их формирования»

Актуальность темы исследования. Настоящая работа посвящена дальнейшему развитию нового метода визуализации атомного строения поверхности твердого тела, базирующегося на анализе картин дифракции отраженных электронов средней энергии. Становление данного метода относится к началу 90-х годов. В отличие от традиционных методов дифракции медленных и быстрых электронов, отображающих атомное строение поверхности в обратном пространстве, дифракционные картины электронов средней энергии дают изображение атомной структуры приповерхностной области твердого тела в реальном пространстве. Эта возможность была наглядно продемонстрирована в ряде работ на примере исследования монокристаллов металлов, полупроводников и диэлектриков. Специфика рассматриваемого метода обусловлена тем, что в его основе лежит эффект фокусировки отраженных электронов, приводящий к появлению в дифракционных картинах интенсивных максимумов, наблюдаемых вдоль направлений плотной упаковки кристаллов. Однако до сих пор с позиций этого эффекта не нашли своего объяснения такие важные особенности картин, как кикучи-полосы, которые отчетливо проявляются в случае кристаллов легких элементов.

При исследовании атомных процессов, протекающих в приповерхностной области твердого тела, большое значение имеет их изучение в режиме реального времени, что недоступно большинству существующих методов структурного анализа поверхности. Поэтому разработка метода визуализации, обладающего такими возможностями, является актуальной задачей физической электроники.

Важными объектами структурных исследований являются межфазовые границы контактирующих твердых тел. Поскольку они могут обладать необычными свойствами и обусловливать появление новых эффектов, изучение межфазовых границ представляет большой интерес для фундаментальной науки. В то же время такие границы имеют широчайшее применение в технике и технологии, например, в твердотельной электронике. Поэтому исследование микроскопических характеристиках указанных границ и, в частности, их атомного строения чрезвычайно важно для практических приложений.

Цель настоящей работы состояла:

• во-первых, в разработке нового варианта метода дифракции отраженных электронов средней энергии, позволяющего не только визуализовать атомное строение приповерхностной области, но и изучать протекающие в ней атомные процессы в режиме реального времени;

• во-вторых, в дальнейшем развитии физических основ метода, состоящем в изучении механизма формирования кикучи-полос, наблюдаемых в картинах дифракции электронов средней энергии, отраженных от кристаллов легких элементов,

• в-третьих, в исследовании формирования реакционно-способных межфазовых границ разработанным методом.

Научная новизна работы определяется тем, что в ней впервые:

• Выявлен механизм формирования кикучи-полос в дифракционных картинах кристаллов легких элементов.

• Обнаружена островковая мода роста дисилицида кобальта на самых ранних стадиях формирования межфазовой границы Со812/81(111)7x7 в режимах реактивной и твердофазной эпитаксии.

• Изучены дифракционные картины электронов средней энергии, отраженных от слоистых кристаллов дихалькогенидов переходных металлов, и выявлена их специфика.

• Обнаружена интеркаляционно-стимулированная перестройка приповерхностной области монокристаллов дихалькогенидов переходных металлов при нанесении на их поверхность атомов калия.

• Продемонстрирован обратимый характер процесса интеркаляции кристалла Т182(0001) калием.

На защиту выносятся следующие положения:

1. Метод визуализации атомной структуры поверхности, основанный на регистрации дифракционных картин при скользящем падении электронного пучка на исследуемый образец; его приборная реализация, позволяющая проводить измерения в режиме реального времени.

2. Новый механизм формирования кикучи-полос в дифракционных картинах кристаллов легких элементов, в котором определяющую роль играют фокусировка электронов отдельными атомными плоскостями и интерференционные максимумы первого порядка, возникающие вследствие межплоскостного рассеяния.

3. Образование островков дисилицида кобальта с А- и В-ориентацией на поверхности монокристалла 81(111) на ранних стадиях нанесения кобальта при комнатной температуре; термостимулированная перестройка доменов Со812 А-типа в процессе твердофазной эпитаксии.

4. Интеркаляционно-стимулированная перестройка приповерхностной области кристаллов У8е2(0001) и Т1$2(0001), протекающая при нанесении на их поверхность атомов калия и проявляющаяся в увеличении межслоевых зазоров на 2,2 А и в структурном фазовом переходе 1Т ЗЩ1).

5. Релаксация кристаллической структуры приповерхностной области Кх1и 82(0001), обусловленная ее деинтеркаляцией в результате взаимодействия с кислородом.

Научная и практическая значимость работы. Научная ценность работы состоит в выявлении нового механизма формирования кикучи-полос при средних энергиях электронов, в установлении некоторых ранее неизвестных закономерностей формирования гетерограницы Сд^/З^! 11), в обнаружении интеркаляционно-стимулированной перестройки приповерхностной области кристаллов дихалькогенидов переходных металлов при нанесении на их поверхность при комнатной температуре атомов калия, а также в наблюдении процесса деинтеркаляции кристалла КхТл82 при его контакте с кислородом. Практическая значимость работы состоит в разработке нового варианта метода визуализации атомной структуры поверхности, пригодного для исследования атомных процессов в режиме реального времени.

Заключение диссертации по теме «Физическая электроника», Валдайцев, Дмитрий Александрович

ОСНОВНЫЕ РЕЗУЛЬТАТЫ И ВЫВОДЫ

1. Создан прибор для визуализации атомной структуры поверхности и происходящих на ней изменений в режиме реального времени. Его основу составляет низковольтный электронограф с микроканальным усилителем яркости изображений, получаемых при скользящем падении электронного пучка на исследуемый образец. Для извлечения количественной структурной информации из наблюдаемых картин разработан специальный пакет прикладных программ, адаптированных к среде

2. Установлен новый механизм формирования кикучи-полос в дифракционных картинах кристаллов легких элементов. Определяющую роль в нем играют, во-первых, процессы рассеяния электронов одиночными атомными плоскостями, обусловленные фокусировкой электронов на имеющихся в этих плоскостях атомных цепочках, и, во-вторых, процессы межплоскостного рассеяния, приводящие к возникновению и наложению интерференционных максимумов первого порядка. Последний механизм работает только для внутренних источников, локализованных на достаточно большой глубине.

3. Обнаружена островковая мода роста дисилицида кобальта на поверхности монокристалла 81(111)7x7 на самых ранних стадиях реактивной эпитаксии. При этом на поверхности кремния формируются островки Со812(111) В-типа, ориентированные антипараллельно подложке. С увеличением степени покрытия происходит их латеральный рост и последующая коалесценция при покрытиях, превышающих примерно 3 монослоя.

4. При нанесении кобальта на поверхность кремния при комнатной температуре также наблюдается островковый рост пленки Со812(111). Однако в данном случае образуются островки А- и В-типов, соотношение которых не меняется в диапазоне покрытий 1-3 монослоя. После коалесценции островков на их поверхности растет неупорядоченная пленка кобальта. Процесс последующей твердофазной эпитаксии Со812 при отжиге таких сверхтонких пленок кобальта начинается при температуре около 250°С. Он приводит к формированию дисилицида кобальта, состоящего из А и В доменов. При дальнейшем повышении температуры (до ~500°С) наблюдается постепенная рекристаллизация А доменов в В домены.

5. Прямым методом показано, что при нанесении атомов калия на поверхность монокристаллов У8е2(0001) и Т182(0001) происходит спонтанная интеркаляция приповерхностной области этих соединений, приводящая к их радикальной структурной перестройке. Она проявляется как в значительном увеличении (на 2,2 А) межслоевых зазоров, так и в структурном фазовом переходе от исходного 1Т политипа к политипу ЗЩ1).

6. Показано, что процесс интеркаляции протекает путем последовательного частичного заполнения зазоров ван дер Ваальса атомами интеркалянта, начинающегося с поверхности. Обнаружено, что при контакте КхТ182(0001) с кислородом протекает обратный процесс деинтеркаляции, при котором атомы калия выходят из кристалла, соединяясь с кислородом, а решетка релаксирует в исходное состояние.

Все перечисленные выше результаты получены впервые.

155

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

В заключении хотелось бы выразить глубокую признательность за предоставленную тему, постоянное внимание и помощь в работе над диссертацией моему научному руководителю главному научному сотруднику, доктору физ.-мат. наук М. В. Гомоюновой и старшему научному сотруднику, канд. физ.-мат. наук И. И. Пронину.

Особую благодарность хотелось бы выразить н.с. Н. С. Фараджеву, поделившемуся бесценным опытом в области техники эксперимента и обработки результатов.

Список литературы диссертационного исследования кандидат физико-математических наук Валдайцев, Дмитрий Александрович, 2000 год

1.. Van Hove M.A., Weinberg W.H., Chan C.-M.,Low-Energy Electron Diffraction. Springer Series in Surface Science 6. - SpringerVerlag Berlin Heidelberg, 1986, - 603 p.

2. Pendry J.B. Low energy electron diffraction. The theory and its Application to Determination of Surface Structure. Acad. Press: London, New York, 1974.

3. H а у м о в e ц A . E . Дифракция медленных электронов. В кн.: Спектроскопия и дифракция электронов при исследовании поверхности твердых тел. -М: Наука. 1985. С. 162-221.

4. Городецкий А.Е. Исследование атомных поверхностных структур методом дифракции быстрых электронов на отражение. В кн.: Спектроскопия и дифракция электронов при исследовании поверхности твердых тел. М: Наука. 1985. С. 222-285.

5. К i k и с h i S . Beugung der Materiestahlen // Phys. ZS. 1930. - V. 31. - P. 737-752.

6. Dingley D.J., Baba-Kishi K.Z., V . Randl e . Atlas of Backscattered Kikuchi Diffraction Patterns. Insitute of Physics Publishing Bristol and Philadelphia 1995, - 135P.

7. McRae E.C., Caldwell C.W. Low-energy electron diffraction study of lithium fluoride (100) surface // Surf.Sci. 1964. - V.2. - P.509-515

8. Robins J.L., Gerlach R.L., Rhodin T .N. Kikuchi effects from LEED in Ni. // Appl.Phys.Lett. 1966. - V.8. - P. 12-14

9. T a u b H . Stern R . M . Nearest-neighbor electron scattering in Si // Appl. Phys.Let. 1966. - V. 9. -№ 7. - P. 261-263.

10. Johnson D.C., MacRae A.U. Kikuchi Bands in LEED// J.Appl.Phys. 1966. - V. 37. - P. 1945-1951

11. Marklund 1., Andersson S LEED study of NaCl( 100) surface// Surf.Sci. 1966 - V.5. - P. 197-202

12. S t e r n R . M ., T a u b H . Origin of the angular dependence of secondary emission of electrons from W // Phys.Rev.Lett. 1968. - V. 20. - № 24.1. P.1340-1343.

13. L de В er su de r Observation et interpretation geometrique de lignes de Kikuchi liees a un reseau a deux dimensions. // C.r. Acad. Sci. 1968. - V. 266B. - № 25. - P.1489-1493.

14. M о s s e r A., Burggraf Ch. Etude du fond continue des diagrames de diffraction obtenus a partir d'une face (100) MgO. // Cr. 1972. - V. 274. - P. 1355-1358.

15. Mo s s er A., Burggraf Ch., Goldsztaub S., Ohtsuki

16. Y . H. LEED Kikuchi pattern phonon and plasmon contributions // Surf.Sci. -1976. V. 54. - № 3. - P. 580-592.

17. S h i n d о S., Mosser A., Contrast change of the LEED kikuchi pattern due to plasmon excitation // Surf. Sci. 1978. - V. 71. - № 1. - P. 155-160.

18. Г о м о ю н о в a M.В., Заславский С.JI., Пронин И.И. Анизотропия упругого отражения электронов от монокристаллического молибдена // ФТТ. 1978. - Т.20. - №5 - С. 1586-1589.

19. Гомоюнова М.В., Пронин И.И., Заславский С.Л. Анизотропия выхода вторичных электронов из монокристаллического молибдена // ФТТ. 1982. - Т.24. - № 7 - С. 2006-2011.

20. G ото у un о va M.V., Pronin 1.1., Schmulevitch J.А. Kikuchi Patterns of Mo(lOO) and Primary Electron Localization // Surf.Sci. -1984. V. 139-P.443-452.

21. Howie A., W h elan M.J. Diffraction Contrast of Electron Microscope Images of Crystal Lattice Defects. II The development of Dynamical Theory. //Prog. Roy. Soc. 1961. - V.A263. -№1313.-P.217-237.

22. Hashimoto H., Howie A., W h elan M.J. Anamalous electron adsorption effects in metal foils: Theory and Comparision with experiment. // Prog. Roy. Soc. 1962. - V.A269. -№1.-P.80-117.

23. Хирш П., Хови А., Николсон P., Пэшли Д., Уэлан

24. М . Электронная спектроскопия тонких кристаллов. М.:Мир - 1968.

25. Chens D., Howie A., Jacobs М.Н. Characteristic X-ray production in thin crystalls. // Z. Naturforsch. 1973. - V.28. -P.565-571.25. .Humphreys C.J. The scattering of fast electrons by crystalls. // Rep.

26. Prog. Phys. 1979. - V.42. - №11.- P.1825-1887.

27. Siegbahn K., Gelius U., Siegbahn H., and Olsen E. // Phys. Lett. 1970. - V. 32A. - P. 221.

28. Egelhoff W.F., Jr., X-ray photoelectron and Auger-electron forward scattering: a new tool for studying epitaxial growth and core-level binding-energy shifts // Phys. Rev. B. 1984. - V. 30. - № 2 - P. 1052-1055

29. Egelhoff W . F ., Jr.// Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 1985. - V. 37. -P. 443.

30. Thompson K.A.,Fadley C.S. X-ray photoelectron diffraction study of oxygen adsorption on the stepped copper surfaces (410) and (211)// Surf.Sci. 1984. - V.146. - P.281-308

31. To nne г B.P., Zhang J., Han Z.-L. Structure of Cu on Ir(l 11): A case study in photoelectron holography and quantitative photoelectron diffraction // Appl. Surf. Sci. 1993. - V. 70/71. - №. 1/4 - P. 378-385.

32. Egelhoff W.F., Jr. X-ray photoelectron and Auger electron forward scattering: a new tool for surface crystallography // Crit. Rev. Solid State Mater. Sci. 1990. - V. 16. - № 3,- P. 213-235.

33. F a d 1 e у С . S ., Angle-resolved X-ray photoelectron spectroscopy // Prog, in Surf. Sci. 1984. - V. 16. - № 3,- P. 275-388.

34. Fadley C.S. The study of surface structures by Photoelectron diffraction and Auger electron diffraction // in: Synchrotron Radiation Research: Advances in Surface Science (Plenum, New York). 1992. - ch. 9. - P. 421-518.

35. Chambers S.A. Epitaxial film crystallography by high-energy Auger and

36. X-ray photoelectron diffraction 11 Adv. in Phys. 1991. - V. 40. - № 4. -P.357-415.

37. Chambers S.A. Elastic scattering and interference of backscattered primary, Auger and X-ray photoelectrons at high kinetic energy: principles and applications // Surf. Sci. Rep. 1992. - V. 16. - № 6. - P.261-331.

38. F r i t z s c h e V . Surface structure determinations by photoelectron diffraction: Theoretical foundations // Workschop on Photoelectron diffraction, Gwatt, Switzerland, March 31-April 2. 1993. - Abstract IT1.

39. Kuette 1 O.M., Osterwalder J., Schlapbach, Agostino R ., Photoelectron analysis of diamond and metal-diamond interfaces // Diamond and Rel.Mat. 1993. - V. 2. - P. 548-551.

40. Bart on J.J., Shirley D.A. Curred-ware-front corrections for photoelectron scattering // Phys. Rev. B. 1985. - V. 32. - № 4 - P.1892-1905.

41. Barton J . J ., Shirley D.A. Small-atom approximations for photoelectron scattering in the intermediate-energy range // Phys. Rev. B. -1985.-V. 32.-№4-P. 1906-1920.

42. Barton J.J., Robey S.W., Shirley D.A. Theory of angle-resolved photoemission extended fine structure // Phys. Rev. B. 1986. - V.34.- № 2. P. 778-791

43. Re hr J.J., Albers R., Natoli C., Stern E . A. Newhigh-energy approximation for x-ray-absorption near-edge structure // Phys. Rev. B.- 1986,- V.34.-№6,- P.4350-4353.

44. Rehr J.J., Mustre de Leon J., Natoli C.R., Fadley C.S., Osterwalder J. Spherical-wave corrections in photo-electron diffraction //Phys. Rev. B. 1989,- V. 39. -№ 9 -P.5632-5639.

45. Ton g S.Y., Poon H.C., Snider D.R. Importance of multiple forward scattering in medium- and high-energy electron emission and/or diffraction spectroscopy // Phys. Rev. B. 1985. - V.32. - № 4 - P.2096-2100

46. X u M .-L., Barton J.J., Van Hove M . A. Electron scattering by atomic chains: Multiple-scattering effects // Phys. Rev. B, 1989. - V. 39. -№ 12. -P.8275-8283

47. Aeb i s cher H.A., Greber T., Osterwalder J.,

48. Kaduwela A. P., Friedman D.J., Herman G . S ., Fadley С . S. Material dependence of multiple-scattering effects assotiated with photoelectron and Auger electron diffraction along atomic chaines // Surf. Sci. -1990. V.239. - P.261-264.

49. Egelhoff W.F., Jr. Role of Multiple scattering in X-ray photoelectron spectroscopy and Auger-electron diffarction in crystals // Phys. Rev. Lett. -1987. V.59. - № 5 - P.559-562.

50. X u M.L., Van Hove M.A., Surface structure determination with forward focused electrons//Surf. Sci. 1989,- V. 207.-№ 2/3-P.215-232

51. Hi lferink H., Lang E., Heinz К . Angular resolved auger emission and LEED kikuchi intensities at 850 eV from a Ni(100) surface // Surf. Sci., 1980. - V. 93. - P.398-406.

52. Гомоюнова M.B., Пронин И . И . Анизотропия возбуждения и выхода оже-электронов из монокристаллического молибдена // Поверхность (Физика, химия, механика). 1982. - № 7. - С. 44-48.

53. Han Z.-L., Hardcastle S., Harp G . R ., et. al. Structural effects in single-crystal photoelectron, Auger-electron, and Kikuchi-electron angular diffraction patterns // Surf. Sci. 1991. - V. 258. - P. 313-327.

54. Farajev N.S., Gomoyunova M.V., Pronin I.I. Medium-Energy Backscattered Electron Diffraction Patterns from W(100) // Phys. Low-Dim. Struct. 1994. - V.9. - p.l 1-20.

55. Farajev N.S., Gomoyunova M.V., Osterwalder J., Pronin 1.1., Wolf Th. Medium-energy kikuchi patterns from YBa2Cii30x(001). // Surf.Sci. 1995. - V.331-333. -P.1446-1453.

56. Г о м о ю н о в a M.B., Пронин И. И., Фараджев Н.С. Фокусировка электронов средней энергии при квазиупругом отражении от кристалла // ЖЭТФ. 1996. - Т. 110. - В. 1. - № 7. - С. 311 -321.

57. Farajev N.S., Gomoyunova M.V., Pronin I.I. The Initial Growth of Ag Layers on Mo(l 10) Studied by MEED // Phys.Low-Dim.Struct. -1996.-V. 7/8.-P. 103-114

58. Г о м о ю н о в а М.В., Пронин И.И., Фараджев Н.С. Визуализация строения поверхностных слоев на основе фокусировкиотраженных электронов // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. 1997. - №6,- с. 117-121.

59. П ронин И.И., Фарад ж ев Н.С., Гомоюнова М.В. Роль фокусировки электронов в формировании кикучи-картин монокристалла кремния // ФТТ. 1997. - Т. 39. - № 4. - С. 752-757

60. Г о м о ю н о в а М.В., Пронин И. П., Фараджев Н.С. Атомное строение кластеров серебра на кремнии // ЖТФ. 1997. - Т. 67. -№ 12.-С. 62-66.

61. Пронин И. И., Фараджев Н.С., Гомоюнова М.В. Визуализация структурной перестройки пленки серебра на кремнии // Письма в ЖТФ. 1997. - Т. 23. - С. 35-39.

62. Farajev N.S., Go шоу u nova M.V., Pronin I.I. Surface Crystallography by Forward-Focusing of Quasi-Elastically Reflected Electrons: Physical Bases and Applications // Phys.Low-Dim.Struct. 1997. - V. 3/4. - P. 93-112.

63. Г о м о ю н о в а М.В., Пронин И.И., Фараджев Н.С. Кристаллическое строение кластеров серебра, сформированных на поверхности Si(100) 2x1 // Письма в ЖТФ. 1998. - Т. 24. - № 7. - С. 5156.

64. Пронин И.И., Фараджев Н.С., Гомоюнова М.В. Фокусировка электронов при отражении от монокристалла Si(100) // ФТТ. -1998.-Т. 40,-№7.-С. 1364-1369.

65. Гомоюнова М.В., Пронин И.И., Фараджев Н.С. Фокусировка электронов, отраженных от кристалла с потерями энергии. // ЖТФ. 1998. - Т. 68. -№ 6. - С. 128-133.

66. Ф ар а д ж е в Н.С., Гомоюнова М.В., Пронин И.И. Дифракция некогерентно рассеянных электронов с энергией 1-2 кэВ // Поверхность. 1998. - № 8. - С. 56-59.

67. Pronin Igor I. and Gomoyunova Marina V. Imaging of the near-surface atomic structure by forward-focused backscattered electrons // Progress in Surf. Sci. 1998. - V.59. - №1-4. - P. 53-65.

68. Пронин И.И., Гомоюнова M. В., Бернацкий Д.П.,

69. Заславский С.Л. Спектрометр вторичных электронов с угловым разрешением для исследования поверхности монокристаллов // ПТЭ. -1982. -№ 1.- С. 175-178.

70. Бернацкий Д. П., Заславский С.Л., Пронин И.И., Гомоюнова М.В. Система регистрации спектрометра вторичных электронов. // ПТЭ. 1982. - № 1. - С. 178-180.

71. Hochstrasser М., Erbudak М., Atrei A., Wetli Е., Z u г k i г с h М., Structure of metal-on-metale ultrathin films studied by secondary electron imaging // Phys. Low-Dim. Struct. 1995. - V. 10/11. -P.325-338.

72. Erbudak M., Hochstrasser M., Wetli E., Zurkirch M., Investigation of symmetry properties of surfaces by means of backscattered electrons // Surf. Rev. Lett. 1997. - V. 4. - № 1. - P. 179-196.

73. Van Hove MA., Tong S.Y., El с on in M . H ., Surface structure refinements of 2H-M0S2, 2H-NbSe2 and W(100)p(2xl)-0 via new reliability factors for surface crystallography // Surf. Sci. 1977. - V.64 - P.85-98.

74. Cunningham S.L., Chan C.-M., Weinberg W.H., Determination surface relaxation from low-energy electron diffraction via a transform method // Phys. Rev. В. 1978. - V. 18 - № 4 - P. 1537-1549.

75. Landman U., Adams D . L ., Study of the transonn-decon volution method for surface srtucture detemination // Surf.Sci. 1975. - V.51 - № 1 -P.149-173.

76. Zanazzi E., Jon a F A reliability factor for surface structure determinations by low-energy electron diffraction // Surf.Sci. 1977. - V.62 -№> 1 - P.61-80.

77. Фарад ж ев H.C. Структурный анализ поверхности методом дифракции квазиупруго рассеянных электронов Диссертация на соискание ученой степени кандидата физ.-мат. наук, С-Петербург, 2000.

78. Ishizaka A., Shiraki Y . Low temperature surface cleaning of silicon and its application to silicon MBE // J. Electrochem.Soc. 1986. - V.133- № 4. - P.666-670.

79. Davis L.E., MacDonald N.C., Palmberg P.W., Riach

80. G.E., Weber P.E. Handbook of Auger Electron Spectroscopy Phis. Electr. Ind. inc., USA, 1976.

81. Протопопов О.Д., Горелик В . А., Атлас оже-спектров чистых материалов Научно-исследовательский интситут, Рязань, 1984. 101 с.

82. Bau doing R., Stern R.M. and Taub H . Inner sources in low energy electron diffraction: Tungsten (110) // Surf. Sci. 1968. - V.l 1.1. P.255-264.

83. Tr eh an R., Osterwalder J., and Fadley С . S . Single-scattering-cluster description of substrate X-ray photoelectron diffraction and its relationship to kikuchi bands // J. Electr. Spectr. & Rel. Phenom. 1987. -V.42. - P.187-215.

84. Osterwalder J., Stewart E.A., Cyr D., Fadley C.S., Mustre de Leon J., and Rehr J.J. X-ray photoelectron diffraction at high angular resolution // Phys. Rev. 1987. - V.B35. - P.9859-9862.

85. Bardi U., Torrini M., Ichinohe Y., Omori S., Ishii

86. H., Owari M. and Nihei Y. Kikuch-like effects in X-ray photoelectron diffraction from the Ca/sub 2/(111) surface // Surf. Sci. 1997. -V.394. - P.L150-L160.

87. Ichinohe Y., Ishii H., Owari M. and Nihei Y. Site-specific characteristic of the Kikuchi-like bands in high-angular-resolution X-ray photoelectron diffraction // Jpn. J. Appl. Phys. 1996. - V.35. - P.L587-L590.

88. S e a h M . P ., Data Compilations: their use to improve measurement certainty in surface analysis by AES and XPS // Surf. Interf. Anal. 1986. - V. 9.-P. 85-98.

89. Gomoyunova M.V., Konstantinov O.V., Shmulevitch

90. A . The perturbation theory of diffraction effects in secondary electron emission on the crystal surface // Surf.Sci. 1981. - V.l08,- P.281-291.

91. Li fs hits V.G., Saranin A.A., Zotov A.V. Surface Phaseson Silicon. Preparation, structure and properties. Chichester; John Wiley & Sons, 1994, 454 P.

92. Hasegawa S ., Dai m on H., Ino S. A study of adsorption and desorption processes of Ag on Si(l 11) surface by means of RHEED-TRAXS // Surf. Sci. 1987. - V. 186. -№ 1/2. -P. 138-162.

93. L e Lay G . Physics and electronics of the noble-metal / elemental-semiconductor interface formation: a status report // Surf. Sci. 1983. - V. 132. - № 1. - P. 169-204.

94. Wilson R.J., Chiang S. Structure of the Ag/Si(l 11) surface by sanning tunneling microscopy // Phys. Rev. Lett. 1987. - V. 58. - № 4. - P. 369-372.

95. Win au D., Itoh H., Schmid A.K., Ichinokawa T. Reconstructions and growth of Ag on Si(001) (2x1) // Surf. Sci. 1994. - V. 303. -№1. - P. 139-145.

96. Lin X.F., Wan K.J., Nogami J. Ag on the Si (001) surface: Growth behavior of the annealed surface // Phys.Rev.B. 1993. - V. 47. -№20.-P. 10947-10950.

97. Doraisuwamy N ., Jayaram G., Marks L.D. Unusual island structures in Ag growth on Si(100)-(2xl) // Phys. Rev. B. 1995. - V. 51. -№15-P. 10167-10170.

98. Yakabe T., Dong Z.-C., Nejoh H. Observation of negative differential resistance on Ag/Si(100) using STM // Appl. Surf. Sci. 1997. - V. 121/122. -P. 187-190.

99. Lin X.F., Wan K.J., No gamy J. Surface reconstructions in the Ag/Si(001) system // Phys.Rev.B. 1994. - V. 49. - № 11. - P. 7385-7393.

100. Cho W.S., Kim J.Y., Park N.G., Chae K.H., Kim

101. Y. W., Lyo I.W., Kim S.S., Choi D.S., Wang C.N. Atomic structure of Ag grown on Si(100) (2x1) at high temperature // Surf. Sci. Lett. 1999. - V. 439. - P. L792-L798.

102. Win au D., Ttoh H., Schmid A.K., Ichinokawa T. Agon Si(OOl) (2x1) formation of a 2x3 superstructure // J.Vac.Sci.Techn.B. 1994. -V. 12.-№3.-P. 2082-2085.

103. Hanbucken M ., Neddermeyer H. A LEED-AES study of the growth of Ag films on Si(100) // Surf.Sci. 1982. - V. 114. - № 2/3 - P. 563573.

104. Shivaprasad S.M., Abukava T., Yeom H.W., et al.Ag adsorption on a single domain Si(001) 2x1 studied by electron and photoelectron diffraction // Surf. Sci. 1995. - V.344. - P.L1245-L1251.

105. Chen L.J., Tu K .N. //Mater. Sci. Rep. 1991. - V.7.-P.53-59.

106. S a i t o h S ., I s h i w a r a H., Furukawa S . Double heteroepitaxy in the Si(l 1 l)/CoSi2 structure // Appl. Phys. Lett. 1980. - V.37. - №2. -P.203-208.

107. P i r r i C., Peruchetti J.C., Gewinner G., Derrien J. Cobalt disilicide epitaxial growth on the silicon (111) surface //Phys. Rev. -1984. V.B29. - № 6. - P.3391-3397.

108. D e r r i e n J . Structural and electronic properties of CoSi2 epitaxially grown on Si(l 11)// Surf. Sci. 1986. - V.168. -№1. -P.171-183.

109. Chambers S.A., Anderson S.B., Chen H.W., Weaver J . H . High-temperature nucleation and silicide formation at the Co/Si(l 11)-7x7 interface: A structural investigation // Phys. Rev. 1986. - V.B34. - №2. - P.913-920.

110. B o s chrini F., Joyce J. J., Ruckincn M.W., Weaver J . H . High resolution photoemission study of Co/Si(l 11) interface formation // Phys. Rev. 1987. - V.B35. - №9. - P.4216-4221.

111. C h amb 1 i s s D.D., Rhodin T.N., Rowe J.E., Shigekawa H. Study of interface formation on Co/Si(l 1 l)-7x7 using angle -resolved photoemission // J. Vac. Sci. Technol. 1989 - V.A7. - №3. -P.2449-2453.

112. B en s ao ul a A., Veuillen J.Y., Nguyen T.T.A., Derrien J., De Crescenzi M . Study of the Co/Si(l 11) interface formation using electro energy loss spectroscopy // Surf. Sci. 1991. - V.241.- P.425-430.

113. Von Kan el H .//Mater. Sci. Rep. 1992. - V.8. - P. 193-198.

114. B u 11 e L i e u w m a C . W . T . Epitaxial growth of CoSi'2/Si structures // Appl. Surf. Sci. - 1993. - V.68. - P.l-5.

115. P1 u s n i n N.I., Milenin A.P., Prihodko D . P . Study of the Co/Si(l 11 ) 7x7 interface fonnation by AES and EELS methods // Phys. Low-Dim. Struct. - 1999. - V.9/10. - P. 107-111.

116. Hay ash i Y., Yoshinaga M., Ikeda H., Zaima S.,

117. Y a s u d a Y . Solid-phase epitaxial growth of CoSi2 on clean and oxygen-adsorbed Si(001) surfaces // Surf. Sci. 1999. - V.438. - № 1. - P.l 16-122.

118. Anterroches C.D. High-resolution electron microscopy of the initial stages of CoSi2 fonnation on Si(l 11)// Surf. Sci. 1986 - V. 168. - №1. -P.751-757.

119. Tung R.T., Bats tone J . L . Control of epitaxial orientation of CoSi2 on Si(l 11)// Appl. Phys. Lett. 1988. - V.52. - №19. - P. 1611-1613.

120. Derrien J., De Crescenzi M., Chainet E., d'Anterroches C., Pirri C., Gewinner G., Peruchetti J . C . Co/Si(l 11) interface fonnation at room temperature // Phys. Rev.- 1987.- V.B36. №12. - P.6681 -6684.

121. Von Kanel H., Schwarz C., Gencalves-Conto S.New epitaxially stabilized CoSi phase with CsCl structure // Phys. Rev. Lett. -1995. V.74. -№7. - P.l 163-1166.

122. Fuj itani H., Asano S. Schottky-barrier heigth and electronic structure of the Si interface with metal silicides: CoSi2 NiSi2 and YSÎ2 // Phys. Rev. 1994. - V.B50. - №12. - P.8681-8698.

123. Arnaud F., d' Avitayas, Delage S., Rosencher E., Derrien J . Kinetics of formation and properties of epitaxial CoSi2 films on Si(lll)//J. Vac. Sci. Technol. 1985. V.B3. -№2. -P.770-773.

124. H a m a n D . R . New silicide interface model from structural energy calculations // Phys. Rev. Lett. 1988. - V.60. -№4. - P.313-316.

125. Rossi G., Santaniello A., De Padova P., Jin X., Chandesris D. Structural chemisorption of Co on Si(l 11)7x7 // Europhys. Lett. 1990. -V.U.- №3. - P.235-241.

126. Ben net P.A., Cahili D.G., Copel M. The temperature evolution of ultrathin films in solid-phase reaction of Co with Si(l 11) studied by scanning tunneling microscopy // Phys. Rev. Lett. 1994. - V.73. -№3. -P.452-455.

127. H e 11 m a n n F ., Tung R. T . Surface structure of thin CoSi2 grown on Si(l 11) // Phys. Rev. 1988. - B37. - №18. - P.10786-10794.

128. Starke U., Schardt J., Weiß W., Rangelov G., Fauster Th., Heinz K. Surface of epitaxial CoSi2 films on Si(l 11) studied with LEED // Surf. Rev. and Lett. 1998. - V.5. - №1. - P.139-143.

129. D o 1 b ak A.E., Olshanetsky B.Z., Teys S . A. Initial stages of Co silicides growth on Si surface structures // Phys. Low-Dim. Struc. -1997. V.3/4. -P.l 13-117.

130. Chamblis s D.D., Rhodin T.N., Rowe J . E . Electronic and atomic structure of thin CoSi2 films on Si(l 11) and Si(100) // Phys. Rev. -1992. V.B45. - №3. P.l 193-1203.

131. Tung R.T., Gibson J.M., Poate J.M. Growth of single cristal silicide on silicon by the use of template layers // Appl. Phys. Lett. 1983. -V.42. №10 - P.888-870.

132. Bo scherin i F., Joyce J.J., Ruck man M.V., Weaver J. H . High-resolution photoemission study of Co/Si(l 11) interface formation // Phys. Rev. 1987. - V.B 35. - P.4216-4220.

133. Veuillen J.Y., Bensaoula A., De Crescenzi M., D e r r i e n J . Short-range local order of the Co/Si(l 11) interface by the extended Auger fine structure technique // Phys. Rev. 1989. - V.B39. -№14. P.10398-10401.

134. IIge B., Palasantzas G., De Nijs J., Geerligs L.J.The temperature evolution of ultra-thin films in solid-phase reaction of Co with

135. Si(l 11) studied by scannieng tunneling microscopy // Surf. Sei. 1998. -V.414. P.279-289.

136. Rossi G., Santaniello A., De Padova P. From the chemisorption of Co on Si(l 11 )7x7 to the formation of apitaxial A and B-type CoSi2 // Solid State Comm. 1990. - V.73. - №12. P.807-812.

137. Weigers G.A. Physical properties of first row transition metal dichalcogenides and their intercalates // Phys. B + C. 1980. - V.99. - № %. -P. 151 -165.

138. Starnberg H.I., Hughes H. P ., //J. Phys. C. 1987. - V.20.-P.4429-4435.

139. Ja eg ermann W., Petternkofer C.,SchellenbergerA. et a 1. Cs deposition on layered 2H-TaSe2 (0001) surfaces: adsorption or intercalation? // Solid State Comm. 1992. - V.84. - №9. P.921-926.

140. Brauer H.E., Ekvall I., Olin H., Starnberg H.I., Wahlstrom E., Hughes H. P., Strocov V.N.Na intercalation of VSe2 studied by photoemission and scanning tunneling microscopy. // Phys. Rev. 1997. - V.B 55. - P. 10022-10025.

141. Rems kar M., Popovic A., Starnberg H . I. Effects of in situ intercalation of TiS2 with Cs: direct observation of incomplete stacking transformation and defect creation // Surf. Sei. 1999. - V.430. - P. 199-203.

142. Starnberg H.I., Brauer H.E., Holleboom L.J., Hughes H.P. 3D-to-2D transition by Cs intercalation of Vse2 // Phys. Rev. Lett. 1993. - V.70. -№20. P.3111-3114.

143. Brauer H.E., Starnberg H.I., Holleboom L .J., Strocov V.N., Hughes H. P. Electronic structure of pure and alkali-metal-intercalated Vse2 // Phys. Rev. 1998. - V.B58. - P. 1003110035.

144. СПИСОК ПУБЛИКАЦИЙ ПО ТЕМЕ ДИССЕРТАЦИИ

145. Faradzhev N.S., Gomoyunova M.V., Pronin I.I., Valdaitsev D.A. Near-Surface Atomic structure of VSe2(0001) // 14th International Vacuum Congress, ICC, Birmingham, 1998 - Abstracts, Session S.S. PTh, P. 297.

146. Пронин И.И., Валдайцев Д.А., Гомоюнова M.B., Фараджев Н.С., Банщиков А.Г. Прибор для визуализации атомной структуры поверхностных слоев на основе эффекта фокусировки электронов // ЖТФ. 1998 - Т. 68. - № 12 - С. 80-84.

147. Гомоюнова М.В., Пронин И.И., Фараджев Н.С., Валдайцев Д.А. Кикучи-картины как средство отображения атомной структуры кластеров,сформированных на поверхности твердого тела // Изв. АН, сер. физ. -1998-Т. 62 -№ 10-С. 1996-2001.

148. Gomoyunova M.V., Pronin 1.1., Faradzhev N.S., Valdaitsev D.A. Recent Developments in Surface Crystallography by Forward Focusing of Backscattered Electrons // Phys. Low-Dim. Struct. 1998 - V. 11/12. - P. 125143.

149. Pronin I.I., Gomoyunova M.V., Faradzhev N.S., Valdaitsev D.A. Real-time imaging of the near-surface atomic structure by backscattered electrons //

150. Atomic Layer Epitaxy /ALENET Workshop, Helsinki, June 20-23, 1999, -Abstracts, P. 4.

151. Гомоюнова M.B., Пронин И.И., Фараджев H.C., Валдайцев Д.А. Формирование Кикучи-полос в дифракционных картинах электронов средней энергии // ФТТ. 1999 - Т. 41. - № 3. - С. 411-417.

152. Пронин И.И., Гомоюнова М.В., Фараджев Н.С., Валдайцев Д.А. Визуализация атомной структуры приповерхностной области твердого тела // ЖТФ. 1999 - Т. 69. - № 9. - С. 68-71.

153. Гомоюнова М.В., Пронин И.И., Валдайцев Д.А., Фараджев Н.С. Приложение эффекта фокусировки электронов средней энергии к изучению начальных стадий формирования CoSi2 на кремнии // XXX

154. Международная конференция по физике взаимодействия заряженных частиц с кристаллами, Москва, 29-31 мая 2000 г., - Тез. докл., С. 117.

155. Pronin 1.1., Gomoyunova M.V., Faradzhev N.S., Valdaitsev D.A. Reconstruction of the Near-Surface Layers of TMDC Induced by in situ Intercalation 11ECM-19 satellite meeting "Surface crystallography", Nancy, August 31st September 2nd, 2000, Abstracts, P.

156. Pronin I.I., Gomoyunova M.V. Faradzhev N.S. Valdaitsev D.A. Starnberg H.I.til

157. Reversible intercalation of TiS2 with К imaged by backscattered electrons //19 International Conference on Surface Science, Madrid, 5-8 September, 2000, -Abstracts, P.

158. Гомоюнова M.B., Пронин И.И., Валдайцев Д.А., Фараджев Н.С. Фокусировка электронов при отражении от слоистого кристалла // ФТТ. -2000 Т. 42. - № 3. - С. 542-547.

159. Валдайцев Д.А., Гомоюнова М.В., Пронин И.И., Фараджев Н.С. Визуализация структурной перестройки приповерхностной области VSe2 в процессе интеркаляции // Поверхность. 2000. - Jvfe 5. - С. 44-47.