Устойчивость атомарной структуры оксида кремния после радиационно-термической обработки МОП приборов тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 05.27.01, кандидат технических наук Протопопов, Григорий Александрович

• Протопопов, Григорий Александрович
• кандидат технических наук
• 2011

Оглавление диссертации кандидат технических наук Протопопов, Григорий Александрович

ВВЕДЕНИЕ.

ГЛАВА 1. ОБЗОР ЛИТЕРАТУРЫ.

1.1 Эффекты радиационно-термической обработки.

1.2 Атомарное строение оксида кремния в МОП-структуре.

1.2.1 Полиморфизм оксида кремния.

1.2.2 Ближний порядок в атомарной структуре оксида кремния.

1.2.3 Изменение характеристик ближнего порядка атомарной структура оксида кремния после облучения и термообработки.

1.2.4 Механические напряжения в МОП структуре.

1.2.5 Электронная структура оксида кремния.

1.3 Радиационные дефекты в оксиде кремния и их отжиг.

1.4 Постановка задачи.

1.5 Выводы по главе.

ГЛАВА 2. РЕЗУЛЬТАТЫ ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНЫХ ИССЛЕДОВАНИЙ

2.1 Исследование изменения концентрации ловушечных центров в оксиде кремния /7-канальных МОП транзисторов при радиационно-термической обработке.

2.1.1 Методика эксперимента и обработки экспериментальных данных.

2.1.2 Результаты эксперимента.

2.2 Исследование изменения концентрации ловушечных центров в оксиде кремния КМОП инверторов при радиационно-термической обработке.

2.2.1 Методика эксперимента и обработки экспериментальных данных.

2.2.2 Результаты эксперимента.

2.3 Исследование тестовых МОП структур методом вольт-фарадных характеристик после радиационно-термической обработки при высокой интенсивности облучения.

2.3.1 Методика эксперимента и обработки экспериментальных данных.

2.3.2 Результаты эксперимента.

2.4 Исследование тестовых МОП структур методом вольт-фарадных характеристик после радиационно-термической обработки при низкой интенсивности облучения.

2.4.1 Методика эксперимента и обработки экспериментальных данных.

2.4.2 Результаты эксперимента.

2.5 Исследование влияния облучения и термообработки на структурные характеристики термического оксида кремния.

2.5.1 Методика эксперимента и обработки экспериментальных данных.

2.5.2 Методика расчета характеристик ближнего порядка.

2.5.3 Анализ ошибок эксперимента.

2.5.4 Результаты эксперимента.

2.6 Исследования влияния радиационно-термической обработки на ИМС иностранного производства.

2.6.1 Методика эксперимента и обработки экспериментальных данных.

2.6.2 Результаты эксперимента.

2.7 Выводы по главе.

ГЛАВА 3. АНАЛИЗ ПРОЦЕССА-ПЕРЕСТРОЙКИ АТОМАРНОЙ СТРУКТУРЫ ОКСИДА КРЕМНИЯ НАРАЗНЫХ ЭТАПАХ РТО.

3.1 Энтропия атомарной.структуры оксида кремния, связанная с разбросом углов связи.

3.2 Изменение энтропии атомарной структуры БЮ2 при облучении ионизирующим излучением.

3.3 Изменение энтропии атомарной структуры БЮг при термообработке после облучения.

3.4 Изменение свободной энергии атомарной структуры БЮ2 после этапов РТО.

3.5 Расчет термодинамических параметров по экспериментальным данным

3.6 Оптимизация методики применения РТО для повышения стойкости МОП ИМС к воздействию ионизирующего излучения.

3.7 Выводы по главе.

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Устойчивость атомарной структуры оксида кремния после радиационно-термической обработки МОП приборов»

Одним из методов отбраковки интегральных микросхем (ИМС) с аномально пониженной надежностью и стойкостью к воздействию ионизирующего излучения (ИИ) является метод радиационно-термической обработки (РТО), суть которого заключается в облучении ИМС ИИ и последующей термообработке. При облучении выявляются образцы с низкой радиационной стойкостью. При последующей термообработке выявляются ненадежные образцы, которые либо не восстановили свои параметры, либо отказали при повышенной температуре.

Такая технология является ресурсосберегающей, легко контролируема, воспроизводима, полностью совместима со стандартной технологией изготовления ИМС и при корректном выборе режимов не вносит в материалы дефекты или загрязнения, негативно влияющие на рабочие характеристики изделий [1].

Проведенные ранее исследования показывают, что метод позволяет не только отбраковывать на пластинах потенциально ненадежные кристаллы ИМС, но и может обеспечить повышение надежности кристаллов, выдержавших эту процедуру, а также оказывает положительное корректирующее воздействие на существенные параметры изделий, в частности - на время выборки БИС ОЗУ. Кроме того, РТО может повысить крутизну сток-затворных характеристик при сохранении напряжений смыкания сток-исток, увеличить запас по радиационной стойкости для элементов БИС. Радиационная обработка быстрыми электронами и последующий термический отжиг тиристорных структур позволяет увеличить быстродействие структур, снизить потери электроэнергии при выключении тиристорных ключей, увеличить область их безопасной работы. Проведение РТО транзисторных структур позволяет" повысить стойкость транзисторных структур к статическому и импульсному излучению, улучшить электропрочность транзисторных структур, повысить пробивные напряжения эмиттерного и коллекторного переходов. РТО составных силовых транзисторов позволяет обеспечить производство транзисторов с наилучшим сочетанием динамических и статических параметров и повышенной радиационной стойкостью.

В основе эффекта повышения стойкости к воздействию ИИ и улучшения характеристик ИМС после РТО лежат процессы образования дефектов, их эволюции и устранения в системе 8Ю2 - 81. Но вопрос о причинах возникновения подобного эффекта остается открытым.

Пленка оксида кремния (8Ю2) является неотъемлемым компонентом всех планарных полупроводниковых приборов и ИМС на их основе. Качество оксидной пленки в значительной степени определяет надежность и стойкость планарных приборов и ИМС к воздействию ИИ. Особенно сильно дефектность пленки БЮг проявляется в МОП-приборах и в МОП ИМС, так как атомарная структура пленки ЭЮг наиболее чувствительна к воздействию * излучения. В настоящее время изучена структура пленок оксида кремния и влияние ИИ и термообработки на атомарную структуру пленок оксида кремния. При облучении МОП структуры образуются дефекты в объеме оксида кремния (в виде разорванных валентных связей БьО) и на границе1 раздела, причем концентрации дефектов в объеме и на границе раздела коррелируют между собой. Также при облучении имеет место релаксация механических напряжений, возникающих при изготовлении МОП структуры вследствие различия коэффициентов линейного расширения материалов кремния и оксида кремния. При термообработке часть разорванных валентных связей восстанавливается.

Хорошо известно, что чувствительность твердого тела к радиационным воздействиям определяется особенностями его дефектной структуры, причем, чем стабильнее структура, тем больше ее стойкость к воздействию внешних факторов. Стабильность любой системы определяется ее термодинамическими характеристиками. При воздействии ИИ образуются дефекты, что создает условия для перехода атомарной структуры в новое состояние, последующая термообработка переводит ее в новое равновесное состояние. Однако физико-математического описания происходящих с атомарной структурой оксида кремния в МОП приборах процессов при РТО с термодинамической точки зрения и доказательства того, что атомарная структура оксида кремния переходит в более стабильное состояние, ранее проведено не было.

Объектом исследования в работе выбрана атомарная структура оксида кремния в МОП структуре.

Целью настоящей диссертационной работы является разработка методики проведения РТО МОП ИМС с оптимизированными параметрами режима.

Поставленная цель достигается решением следующих задач:

- проведение экспериментальных исследований тестовых МОП структур на воздействие ИИ и термообработки;

- разработка физико-математической модели процессов РТО с использованием термодинамических характеристик;

- определение связи между структурными и термодинамическими характеристиками атомарной структуры оксида кремния;

- определение выражений и численных значений параметров физико-математической модели процессов РТО; разработка методики проведения РТО МОП ИМС с оптимизированными параметрами режима.

Научная новизна работы заключается в следующем:

- разработана оригинальная физико-математическая модель процессов, происходящих с атомарной структурой оксида кремния в МОП приборах при РТО, построенная с позиций термодинамики, дающая новый критерий выбора рациональных режимов РТО - минимум свободной энергии атомарной структуры оксида кремния;

- установлены аналитические соотношения между структурными и термодинамическими характеристиками атомарной структуры оксида кремния, позволяющие определить количественное значение изменения свободной энергии атомарной структуры оксида кремния;

- установлено, что атомарная структура оксида кремния переходит в более устойчивое термодинамическое состояние после РТО; разработана методика проведения РТО МОП ИМС с оптимизированными параметрами режима.

Практическая значимость результатов работы: разработанная физико-математическая модель и полученные аналитические соотношения дают критерии для выбора рациональных режимов РТО - минимум свободной энергии атомарной структуры оксида кремния, позволяют объяснить эффект повышения стойкости МОП ИМС к ИИ после РТО и повысить эффективность метода РТО в зависимости от параметров облучения и термообработки;

- разработанная методика проведения РТО МОП ИМС позволяет улучшить параметры стойкости МОП ИМС к воздействию ИИ КП на 20 -50%.

На защиту выносятся следующие положения и результаты:

- результаты экспериментальных исследований тестовых МОП структур на воздействие ИИ и термообработки, подтверждающие, что при облучении происходит разупорядочивание МОП структуры, а при термообработке - ее упорядочивание; физико-математическая модель процессов, происходящих с атомарной структурой оксида кремния в МОП приборах при РТО, построенная с позиций термодинамики;

- результаты анализа атомарной структуры оксида кремния, показывающие, что она переходит в более устойчивое состояние после РТО;

- методика проведения РТО МОП ИМС с оптимизированными параметрами режима.

Апробация работы. Основные результаты диссертации докладывались и обсуждались на кафедральном научном семинаре 2005 г., научном семинаре на кафедре физики твердого тела ПТУ 2006 г., научном семинаре на кафедре общей физики и молекулярной электроники МГУ 2006 г, на конференции « Радиационная стойкость электронных систем» 2006 г. и 2010 г., а также на конференциях «Научная сессия МИФИ» 2005 - 2008 г.

Публикации. По материалам диссертации опубликовано 11 работ, в том числе 4 статьи в журналах, рекомендованных ВАК РФ.

Объем и структура диссертации.

Диссертация состоит из введения, трех глав, заключения, списка использованной литературы из 70 наименований. Основной текст диссертации изложен на 107 страницах, в том числе 25 рисунков и 16 таблиц.

Заключение диссертации по теме «Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро- и нано- электроника на квантовых эффектах», Протопопов, Григорий Александрович

3.7 Выводы по главе

1. Разработана физическая модель процессов РТО, основанная н^. термодинамическом подходе. Получены выражения для энтропии атомарно^ структуры оксида кремния, связанное с разбросом, углов связи, дл^ изменения энтропии атомарной структуры оксида кремния на различны^ этапах РТО. Разброс диэдрического угла и связанная с ним энтропия имее-^ относительно большее значение, но оно фиксировано и слабо меняется ^ результате различных воздействий. Разброс тетраэдрического угла ^ связанное с ним значение энтропии имеют меньшее значение, но заметно изменяется в результате облучения и термообработки.

2. Получены выражения для изменения свободной энергии атомарно^ структуры оксида кремния на различных этапах РТО и выражение дг^ суммарного изменения свободной энергии атомарной структуры оксида кремния.

3.33)

3. Из экспериментальных данных получены численные значения изменения энтропии и свободной энергии атомарной структуры оксида кремния на различных этапах РТО и суммарное значение. Во всех случаях свободная энергия системы атомов оксида кремния уменьшается после РТО, причем основной вклад в изменение свободной энергии дает энтропийная составляющая. В итоге атомы находятся в более устойчивом состоянии после РТО с меньшим количеством дефектов и напряженных валентных связей.

4. Разработана методика проведения РТО МОП ИМС с оптимизированными параметрами режима.

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

Основные научные результаты диссертационной работы заключаются в следующем:

1. Разработана физико-математическая модель процессов, происходящих с атомарной структурой оксида кремния в МОП приборах при РТО, построенная с позиций термодинамики. Получены выражения для параметров модели — энтропии и свободной энергии атомарной структуры оксида кремния - и их численные значения из экспериментальных данных. Показано, что свободная энергия уменьшается после РТО, а это свидетельствует о том, что атомарная структура оксида кремния переходит в более устойчивое состояние. Переход атомарной структуры оксида кремния в более стабильное состояние после РТО приводит к повышению ее устойчивости к воздействию ИИ, а значит и к повышению стойкости МОП транзисторов и МОП ИМС к воздействию облучения.

2. Разработанная модель дает критерий для выбора рациональных режимов РТО - минимум свободной энергии атомарной структуры оксида кремния. Физически это означает, что для получения наиболее стабильной атомарной структуры оксида кремния РТО следует проводить в таком режиме, чтобы обеспечить разрыв максимального числа напряженных валентных связей; термообработку проводить в таком режиме, чтобы обеспечить восстановление наибольшего числа разорванных связей.

3. Разработанная модель объясняет наблюдаемые явления улучшения характеристик и повышения стойкости МОП приборов к воздействию ИИ после РТО, и может служить обоснованием применения РТО в технологическом процессе изготовления МОП транзисторов и МОП ИМС для повышения их стойкости к воздействию ИИ.

Основные практические результаты диссертационной работы заключаются в следующем:

1. Получены экспериментальные значения изменения количества дефектов в оксиде кремния и распределения углов связей атомарной структуры оксида кремния. Показано, что для всех режимов РТО после облучения растет количество разорванных валентных связей БьО и увеличивается разброс в распределении углов связи 0-81-0, а при термообработке часть разорванных связей восстанавливается и разброс углов связи уменьшается.

2. В результате проведения РТО /»-канальных МОП транзисторов и КМОП инверторов темп роста числа заряженных центров в оксиде кремния уменьшился на 61% и 68%, соответственно.

3. Получены экспериментальные значения стойкости МОП ИМС иностранного производства к воздействию ИИ. Анализ экспериментальных данных показывает, что РТО во всех случаях не ухудшает, а в большинстве случаев увеличивает стойкость МОП ИМС к воздействию ИИ в среднем на 15%.

4. Разработана методика проведения РТО МОП ИМС с оптимизированными параметрами режима.

Список литературы диссертационного исследования кандидат технических наук Протопопов, Григорий Александрович, 2011 год

1. Попов В.Д. Методы отбраковки интегральных микросхем с пониженной радиационной стойкостью и надежностью. // Радиационная стойкость электронных систем. «Стойкость-2003». Научно-техн. сб. Вып.6. М.: -СПЭЛС, 2003.

2. Катеринич И.И., Курин Ф.М., Попов В.Д. Методы радиационно-термической отбраковки и повышения надежности МОП ИС. // Вопросы атомной науки и техники. Сер. Физика радиационного воздействия. 1995. Вып. 3-4. С. 127-131.

3. Попов В.Д., Катеринич И.И., Курин Ф.М. Радиационная технология: уникальные возможности в производстве МОП ИС. // Chip news. 1997. №3. С. 20-22.

4. Катеринич И.И., Попов В.Д. Метод для диагностики технологического процесса изготовления МОП ИС с использованием радиационно-термических процессов. // Chip News. 2003. №7. С. 50-53.

5. Катеринич И.И., Малышев М.М., Попов В.Д. Определение параметров модели радиационной надежности КМОП ИС. // Радиационная стойкость электронных систем. Вып. 2. М.: СПЭЛС, 1999. С. 27-28.

6. Коновалов М.П. и др. Кинетика накопления и отжига глубоких радиационных центров в базовой области силовых диодных структур. // Радиационная стойкость электронных систем. «Стойкость-2006». Научно-техн. сб. Вып.9. М.: МИФИ, 2006. С. 149-150.

7. Ладыгин Е.А. и др. Управление динамическими и статическими параметрами составных силовых транзисторов методом радиационной технологии. // Радиационная стойкость электронных систем. «Стойкость-2006». Научно-техн. сб. Вып.9. М.: МИФИ, 2006. С. 151-152.

8. Алешина Л. А., Репникова Е.А. Структура аморфных материалов и природа дефектов в них. Учеб. Пособие. Петрозаводск, 1995.

9. Гриценко В.А. Строение и электронная структура аморфных диэлектриков в кремниевых МДП-структурах.- Новосибирск: Наука, Сиб. Изд. Фирма, 1993.

10. Харрисон У. Электронная структура и свойства твердых тел. Том I.-М.:Мир, 1983.

11. Скрышевский А.Ф. Структурный анализ жидкостей и аморфных тел. -М.: Высшая школа, 1980. -328 с.

12. Репникова Е.А. Исследование изменения ближнего порядка в аморфных слоях двуокиси кремния в условиях радиационных воздействий. //Кристаллография. 1998. Том 43. № 2. С. 361-365.

13. Алешина JI.A., Фофанов А.Д. Рентгеноструктурный анализ аморфных материалов. Учебн. Пособие. Петрозаводск, 1987.

14. Mozzi R.L. Warren В.Е. The Structure of Vitreous Silica. // J. Appl. Cryst. 1969, Vol. 2, P. 164-168.

15. Hideo Hosono et al. Physical Disorder and Optical Properties in the Vacuum Ultraviolet Region of Amorphous Si02. // Phys. Rev. Lett., 2001. Vol. 87, Num. 17.

16. S. Mukhopadhyay et al. Modeling of the structure and properties of oxygen vacancies in amorphous silica. // Phys. Rev В 70, (2004).

17. Киселев В.Ф., Козлов C.H., Зотеев А.В. «Основы физики поверхности твердого тела», М.: Издательство Московского университета Физический факультет МГУ им. М.В. Ломоносова, 1999.

18. Малиновский В.К. Неупорядоченные твердые тела: универсальные закономерности в структуре, динамике и явлениях переноса. // Физика твердого тела, 1999, том 41, вып. 5.

19. A. Munkholm and S. Brennan. Observation of a Distributed Epitaxial Oxide in Thermally Grown Si02 on Si(001). // Phys. Rev. Lett. 1995. Vol. 75, Num. 23.

20. Revesz A.G. Noncristalline silicon dioxide films on silicon: a review. //J. ofNon-Cristalline Solids. 1973. Vol.11. P.309-330.

21. Березин A.C., Мочалкина O.P. Технология и конструирование интегральных микросхем. М.: Радио и связь, 1983.

22. Першенков B.C., Попов В.Д., Шальнов A.B. Поверхностные радиационные эффекты в ИМС. М.: Энергоатомиздат, 1988.

23. Аскаров Б., Оксенгендлер Б.Л., Юнусов М.С. Новый подход к микроскопической теории квазихимических процессов в полупроводниках. //Докл. АНУзССР. 1980. №1. С. 33-36.

24. Коноров П.П., Барабан А.П. О связи образования радиационных дефектов с электронными процессам Si SÍO2. // Электрофизика слоистых структур. Тезисы докладов конф. Сер. 6. Материалы. Вып. 5 (281).- М.: ЦНИИ «Электроника», 1988. С. 3-12.

25. Болисов В.А., Попов В.Д. Термофлуктуационный механизм генерации радиационных дефектов в термической Si02. // Электрофизика слоистых структур. Тезисы докладов конф. Сер. 6. Материалы. Вып. 5 (281).-М.: ЦНИИ «Электроника», 1988.

26. Линник Л.Н., Патрикеев Л.Н., Попов В.Д., Ройзин Н.М. Тензорадиационный эффект в полупроводниковых структурах. // Известия ВУЗов Радиоэлектроника. 1982. Том XXV. №5. С.90-92.

27. C.W. Gwyn. Model for radiation-induced charge trapping and annealing in the oxide layer of MOS devices. // J. Appl. Phys. 40 (12), 4886 (1969).

28. Болисов B.A., Патрикеев Л.Н., Попов В.Д. Физическая модель релаксации напряженных связей в термической Si02. // Микроэлектроника. 1983. Т. 12, №5. С. 477-480.

29. Селезнев Б.И., Ткаль В.А. Отжиг радиационных дефектов при лазерном облучении систем диэлектрик полупроводник. // Электрофизикаслоистых структур. Тезисы докладов конф. Сер. 6. Материалы. Вып. 5 (281).-М.: ЦНИИ «Электроника», 1988.

30. Яворский Б.М., Детлаф A.A. Справочник по физике. М.: Наука. ФИЗМАТЛИТ, 1977. С. 269-271.

31. Лукасевич М.И., Горнев Е.С. Концепция развития базовых субмикронных технологий в РФ до 2001 г. // Всероссийская научно-техническая конференция "Микро- и наноэлектроника-98", Том 1, Звенигород, 1998, С.01-7.

32. Ying Li et al. Proton Tolerance of Multiple-Threshold Voltage and Multiple-Breahdown Voltage CMOS Diveci Design Points in a 0.18 urn System-on-a-Chip CMOS Technology.// Trans. On Nuclear Science, Vol. 50, No 6, (2003).

33. Чумаков А.И. Действие космической радиации на интегральные схемы. М.: Радио и связь, 2004.

34. Васильева Е.Д. и др. Влияние межфазных механических напряжений на радиационную стойкость МДП структур. // Электрофизика слоистых структур. Тезисы докладов конф. Сер. 6. Материалы. Вып. 5 (281).-М.: ЦНИИ «Электроника», 1988.

35. P.J. McWhorter and P.S. Winokur. Appl. Phys. Lett. 48 (2), 133 (1986).

36. Авдеев H.A., Воронов Ю.А., Попов В.Д., Протопопов Г.А. Изменение концентрации ловушечных центров в оксиде кремния МОП структуры при разных режимах радиационно-термической обработки. Научная сессия МИФИ-2008. Сб. научных трудов, М.: МИФИ, 2008.

37. Кацнельсон A.A. Исследования температурной зависимости ближнего порядка в сплавах NiPt. // Вестник МГУ. 1959, № 4, с. 131-133.

38. Hubell J.H. Relativistic //J.Phys.Chem.Ref.Data. 1979. - Vol.1 (1), 69-105 (1986)

39. Hajdu F. //Acta Cryst., Vol.A28, part 3, 250-252 (1972).

40. Вайнштейн B.K. //ДАН СССР, T.l 12, №4, 1957. С.640-647.

41. Скрышевский А.Ф. Структурный анализ жидкостей и аморфных тел. М.: Высшая школа. -1980. - 328 с.

42. Thin film X-ray diffractometer. The Rigaku Journal 1984, V. 1, No 2, p. 22-24.

43. Ландау Л.Д., Лифшиц Е.М. Статистическая физика. Часть 1.-М.: Наука, 1987.

44. Попов В.Д., Протопопов Г.А. Изменение энтропии атомарной структуры пленки оксида кремния при радиационно-термической обработке. //Микроэлектроника, 35 (5), 304 (2006)

45. Маделунг О. Физика твердого тела. Локализированные состояния. М.: Наука, ФИЗМАТЛИТ, 1985.

46. Ч. Киттель. Введение в физику твердого тела (М., Наука, ФИЗМАТЛИТ, 1978).

47. Воронкова Г.М., Попов В.Д., Протопопов Г.А. Уменьшение плотности ловушечных центров в оксиде кремния при радиационнотермической обработке. // Физика и техника полупроводников, том 41, вып. 8, 2007. С. 977-980.

48. Механические напряжения, вносимые в кремниевые пластинки в процессе изготовления полупроводниковых приборов и микросхем. Kasjani uk S. "Elektronika", 1986, 27, №9, 11-1.62. www.bms.by/RUS/GENERAL/news/1 .pdf.

49. Булушева М.А., Попов В.Д., Протопопов Г.А., Скородумова A.B. Физическая модель процесса старения МОП-структуры. // Физика и техника полупроводников, том 44, вып. 4, 2010. С. 527-532.

50. Способ контроля МОП полупроводниковых приборов и интегральных схем на пластинах, патент № 2073254, 1997 г.

51. Способ отбраковки полупроводниковых приборов и интегральных схем на основе структур металл-диэлектрик-полупроводник, патент № 2009517, 1994 г.

52. Способ ускоренных испытаний МОП-интегральных микросхем на пластине, патент № 2005308, 1993 г.

53. Способ отбраковки МДП-полупроводниковых приборов и интегральных схем с нестабильными параметрами, патент № 1609307, 1988 г.

54. Попов В.Д., Протопопов Г.А. Оптимизация параметров режима радиационно-термической обработки МОП ИМС. // Радиационная стойкость электронных систем «Стойкость-2010». Научно-техн. сб. Вып. 13. МАНИЛУ МИФИ, 2010. С. 133-134.

55. Протопопов Г.А. Оптимизация параметров режима радиационно-термической обработки МОП ИМС. // Вопросы атомной науки и техники.

56. Сер. Физика радиационного воздействия на радиоэлектронную аппаратуру. 2011. Вып. 1.С. 27-31.'