Туннельная атомно-силовая микроскопия твердотельных наноструктур тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 05.27.01, кандидат наук Филатов, Дмитрий Олегович

• Филатов, Дмитрий Олегович
• кандидат наук
• 2013

Оглавление диссертации кандидат наук Филатов, Дмитрий Олегович

СОДЕРЖАНИЕ

Введение

1. НАНОКЛАСТЕРЫ Аи НА ПОВЕРХНОСТИ И В ТОЛЩЕ ПЛЁНОК Si02 НА ПОДЛОЖКАХ Si

1.1. Металлические нанокластеры на поверхности и в диэлектрической матрице: получение и свойства. Обзор литературы

1.1.1. Поверхностные нанокластеры

1.1.2. Нанокластеры в диэлектрических матрицах

1.1.3. Метод туннельной атомно-силовой микроскопии

1.2. Методика эксперимента

1.2.1. Методика формирования нанокластеров Аи в толще и на поверхности плёнок Si02

1.2.2. Методика исследования электронных свойств нанокластеров Аи в плёнках SiOi/Si методом туннельной АСМ

1.3. Формирование токовых изображений металлических нанокластеров в диэлектрической плёнке

1.4. Кулоновская блокада туннелирования электронов через нанокластеры Аи в плёнках БЮг

1.4.1. Особенности кулоновской блокады в нанокомпозитных структурах Si02/Si02:nc-Au/Si02/«+-Si, сформированных различными методами

1.4.2. Влияние модуляции ОПЗ в полупроводниковой подложке на ку-лоновскую блокаду туннелирования

1.4.3. Влияние положения АСМ зонда относительно нанокластера на период кулоновской лестницы

1.5. Резонансное туннелирование через нанокластеры Аи в плёнках Si02

2. САМОФОРМИРУЮЩИЕСЯ КВАНТОВЫЕ ТОЧКИ И КОЛЬЦА In(Ga) As/GaAs(001)

2.1. Рост, морфология и электронные свойства гетероструктур с самоформирующимися квантовыми точками и кольцами In(Ga)As/GaAs(001).

Обзор литературы

2.1.1. Рост и морфология самоформирующихся квантовых точек In(Ga) As/GaAs(001 )

2.1.2. Энергетический спектр и оптические свойства гетероструктур In(Ga)As/GaAs(001) с квантовыми точками

2.1.3. Фотоэлектрические свойства гетероструктур InAs/GaAs(001) с квантовыми точками

2.1.4. Приборы на основе гетероструктур с квантовыми точками

2.2. Описание образцов с квантовыми точками и кольцами In(Ga)As/GaAs(001 )

2.2.1. Методика выращивания гетероструктур In(Ga)As/GaAs(001) с квантовыми точками методом МОС-гидридной эпитаксии при атмосферном давлении

2.2.2. Морфология квантовых точек InAs/GaAs(001 ), выращенных методом МОС-гидридной эпитаксии при атмосферном давлении

2.2.3. Формирование квантовых колец InGaAs/GaAs в процессе МОС-гидридной эпитаксии при атмосферном давлении

2.2.4. Исследование морфологии заращенных квантовых точек InAs/GaAs методом атомно-силовой микроскопии в сочетании с жидкостным химическим травлением

2.3. Исследование электронной структуры квантовых точек InAs/GaAs(001) методом туннельной АСМ

2.3.1. Электронные состояния в KT InAs/GaAs(001)

2.3.2. Дырочные состояния

2.3.3 Спектры фоточувствительности гетероструктур InAs/GaAs(001) с

квантовыми точками

2.4. Исследование электронной структуры квантовых колец InGaAs/GaAs(001 )

3. ИССЛЕДОВАНИЕ ГЕТЕРОСТРУКТУР In(Ga)As/GaAs С КВАНТОВЫМИ ЯМАМИ И ТОЧКАМИ МЕТОДОМ МИКРОСКОПИИ

СОПРОТИВЛЕНИЯ РАСТЕКАНИЯ НА ПОПЕРЕЧНЫХ СКОЛАХ В ЗАЩИТНОЙ ЖИДКОЙ СРЕДЕ

3.1. Исследование морфологии, состава, атомной и электронной структуры квантовых ям и точек методом СТМ на поперечных сколах. Обзор литературы

3.2. Методика эксперимента

3.3. Лазерные гетероструктуры ГпОаР/ОаАзЛпОаАз

3.4. Гетероструктуры с квантовыми точками 1пА8/СаА8(001)

4. САМОФОРМИРУЮЩИЕСЯ ОСТРОВКИ 810е/81(001)

4.1. Самоформирующиеся наноостровки 81Се/81(001): получение и свойства. Обзор литературы

4.1.1. Кремниевая оптоэлектроника

4.1.2. Рост, морфология и состав самоформирующихся наноостровков 81Се/81(001)

4.1.3. Электронная структура наноостровков 81Се/81(001)

4.2. Описание образцов для экспериментальных исследований

4.3. Зависимость морфологии островков 81Се/81(001), выращенных методом СМЛЭ-ГФЭ, от условий роста

4.4. Зависимость состава и упруго-напряжённого состояния материала самоформирующихся островков 81Се/81(001) от условий роста

4.4.1. Исследование самоформирующихся островков 81Се/81(001) методом конфокальной рамановской микроскопии

4.4.2. Локальная рамановская спектроскопия индивидуальных островков 810е/81(001)

4.5. Исследование локальной плотности электронных состояний в самоформирующихся островках 81Се/81(001) методом туннельной атомно-силовой микроскопии

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

СПИСОК ИСПОЛЬЗОВАННЫХ ИСТОЧНИКОВ

ПРИЛОЖЕНИЕ

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Туннельная атомно-силовая микроскопия твердотельных наноструктур»

ВВЕДЕНИЕ

Актуальность темы диссертации.

Развитие технологии формирования твердотельных наноструктур (НС) на основе полупроводников, диэлектриков и металлов, исследование их структуры, энергетического спектра, электрофизических, оптических и др. свойств в течение последних 30 лет являлось одним из основных направлений развития физики конденсированного состояния [1]. В настоящий момент исследования в области создания принципиально новых материалов со структурой нанометрового масштаба являются одним из приоритетных направлений развития науки и техники [2]. Такие материалы, в частности, составляют основу для создания новых твердотельных электронных и оптоэлектронных устройств для систем оптоволоконной связи, наноэлектроники, телекоммуникаций, квантового компьютинга и криптографии, устройств памяти и пр.

Технологии создания твердотельных наноструктурированных материалов, используемые и развиваемые в настоящий момент, основаны на двух различных подходах к формированию структуры нанометрового масштаба в изначально однородном исходном материале:

1. Перенесение искусственной структуры в изначально однородный материал с использованием различных методов нанолитографии: ультрафиолетовой (УФ), рентгеновской, электронной, ионной, нанозондовой и т. п. Этот подход доминирует в промышленных технологиях современной микроэлектроники, которая, по сути, стала наноэлектроникой, хотя и основана на технологии оптической фотолитографии, сформировавшейся в конце 1950-х гг.

2. Использовании процессов самоформирования, за счёт которых в изначально однородном материале непосредственно в процессе синтеза (преимущественно, в существенно неравновесных условиях) возникает структура нанометрового масштаба. Среди разнообразных материалов, получаемых методом самоформирования, особое внимание привлекают полупроводниковые гетероструктуры с нанообьектами, обладающими уникальными, отличными

от трёхмерного (ЗЭ) материала свойствами, в частности, размерно-квантованным энергетическим спектром. С освоением технологии, основанной на использовании самоформирования в процессе гетероэпитаксии сильно решёточно рассогласованных полупроводников, связан качественный прорыв в развитии технологии синтеза массивов квантовых точек (КТ) в начале 1990-х гг. [3].

Фундаментальной задачей материаловедения наноструктур, получаемых методами самоформирования, является установление связи условий формирования, морфологией и свойствами наноструктур. Знание законов, связывающих свойства наноструктур с их морфологией и условиями формирования, служат основой для разработки технологий синтеза наноструктури-рованных материалов с необходимыми для практического применения свойствами.

В рамках настоящей работы проводились исследования по трём направлениям, объединённым общей направленностью на решение сформулированной выше фундаментальной проблемы физики и технологии твердотельных наноструктур, получаемых методами самоформирования: установление закономерностей связи условий формирования, морфологии, электронной структуры, энергетического спектра и электронных (оптических, фотоэлектрических и др.) свойства наноструктур трёх нижеперечисленных типов.

1. Нанокластеры (НК) Аи, сформированные на поверхности и в толще сверхтонких плёнок 8 Юг на подложках 81 методом импульсного лазерного осаждения (ИЛО). Исследования металлических нанокластеров (МНК), как осаждённых на различные подложки [4], так и диспергированных в диэлектрических матрицах [э] в последние годы вызывают значительный интерес [6]. В таких системах наблюдаются эффекты кулоновской блокады [7], резонансное туннелирование [8] и т.п. [9]. В последние годы значительное внимание вызывают разработки технологий формирования и исследованиям нанокомпозитов, представляющих из себя системы металлических и полупроводниковых НК, диспергированных в сверхтонких диэлектрических

слоях на полупроводниковых подложках [10]. Практический интерес к подобным системам связан с перспективами создания на их базе одноэлектронных устройств [11], нелинейно-оптических сред (т. наз. метаматериалов) [12] и пр. Кроме того, такие структуры представляют интерес в качестве среды, способной хранить электрический заряд, локализованный на НК, с перспективой использования в МОП-транзисторах с плавающим затвором, являющихся элементами флэш-памяти [13]. Среди множества подобных материалов, система Si02:nc-Au представляет особый интерес. Поскольку отсутствуют стабильные химические соединения Аи и Si, равно как и оксид золота, возможно формирование нанокомпозитов Si02:nc-Au путём плазменного окислении смеси Аи и Si посредством сегрегации Аи в процессе окисления [14].

2. Гетероструктуры с КТ и квантовыми кольцами In(Ga)As/GaAs(001), полученные с использованием самоформирования в процессе МОС-гидридной эпитаксии при атмосферном давлении. КТ InAs/GaAs(001) являются на данный момент наиболее изученными среди всего многообразия ге-тероструктур с КТ, полученных к настоящему времени [15]. Исторически, в этой системе материалов были получены первые инжекционные лазеры с активной областью на основе КТ, экспериментально продемонстрированы фундаментальные свойства 0-мерных систем: дискретный энергетический спектр, независимость ширины линий фотолюминесценции (ФЛ) массива КТ и порогового тока лазеров на КТ от температуры [16]. К настоящему времени получены самоформирующиеся КТ в большом количестве систем материалов типа А3В5, А2В6, Ge/Si и пр. Однако интерес к КТ InAs/GaAs не ослабевает, несмотря на большое число работ, посвящённых изучению процессов самоформирования и свойств КТ InAs/GaAs(001) [16]. Остаётся открытым даже вопрос о точном определении энергетического спектра и пространственной конфигурации огибающих волновых функций размерно-квантованных электронных и дырочных состояний в КТ InAs/GaAs(001).

Если в большинстве опубликованных работ исследовались КТ, полученные методами молекулярно-лучевой эпитаксии (МЛЭ) или, реже, МОС-

гидридной эпитаксии при пониженном давлении, в настоящей работе предметом исследования являлись КТ, выращенные методом МОС-гидридной эпитаксии при атмосферном давлении, развиваемым в Научно-исследовательском физико-техническом институте (НИФТИ) Нижегородского государственного университета (ННГУ) им. Н.И.Лобачевского. Благодаря относительной простоте и связанным с этим экономическим достоинствам, особенно ценным при массовом производстве, дальнейшее развитие и усовершенствование этого метода, для чего необходимы исследования связи условий формирования, морфологии, электронной структуры и свойств КТ, полученных с его помощью, являются актуальными.

3. Самоформирующиеся островки 811 ех/81(001). Актуальность этого направления связана с проблемой создания светоизлучающих оптоэлектрон-ных приборов на базе традиционной кремниевой технологии (так называемой кремниевой оптоэлектроники) [17]. Основным препятствием на пути решения этой проблемы является непрямозонность 81, в связи с чем вероятность бе-зызлучательной рекомбинации в 81, как правило, много больше излучатель-ной. Как один из перспективных путей решения этой проблемы, рассматривалось использование самоформирующихся наноостровков 81 ]_лОеу/81(001) в качестве активной среды светодиодов и инжекционных лазеров, излучающих в практически важном для оптоволоконной связи диапазоне длин волн 1,3 -ь 1,6 цм (т. наз. коммуникативном диапазоне длин волн) [18]. Ожидалось, что благодаря эффекту размерного квантования в островках 8Юе/81(001), в них возможны квазипрямые излучательные межзонные переходы и, как следствие, повышение квантового выхода электролюминесценции (ЭЛ) [19]. В последнее время усилился интерес к исследованию фотоэлектрических свойств структур 81Се/81(001) в области энергий световых квантов Иу, меньших ширины запрещенной зоны 81 связанный с расширением спектрального диапазона фотоприемников на базе 81 в инфракрасную (РЖ) область (прежде всего — на коммуникативный диапазон 1,3 ^ 1,6 цм) [20].

Управление свойствами самоформирующихся островков 8Юе/81 — не-

обходимое условие их практического использования. Несмотря на большое количество работ по росту и исследованиям самоформирующихся островков 81Се/81(001), связь их морфологии и свойств с условиями роста остается не до конца выясненной. Для решения указанной задачи необходимы комплексные исследования с привлечением как традиционных, так и новых методов.

В большинстве опубликованных к настоящему времени работ гетерост-руктуры с наноостровками 8Юе/81(001) выращивались методом МЛЭ [21]. В настоящей работе исследовались островки 8Юе/81(001), полученные гибридным методом сублимационной МЛЭ (СМЛЭ) в сочетании с ГФЭ [22], развиваемым в НИФТИ ННГУ. В этом методе слои 81 осаждаются из сублимационного источника, а для осаждения ве в ростовую камеру напускается веНь который разлагается на поверхности нагретой подожки. Таким образом, данный метод представляет собой гибрид СМЛЭ и ГФЭ при низком давлении. Использование сублимационного источника для осаждения 81 позволяет выращивать структуры любой сложности с высоким кристаллическом совершенством при достаточно низких температурах осаждения (до 400 500°С), а, кроме того, предоставляет значительно более широкие возможности в выборе и доступной концентрации легирующих примесей, чем метод ГФЭ из силанов и МОС. Однако, если закономерности роста наноостровков 8Юе/81(001) в процессе МЛЭ интенсивно изучались в последние 15 лет (см., например, обзоры [23, 24]), то особенности роста и энергетического спектра островков 8Юе/81(001), выращенных методом СМЛЭ-ГФЭ к началу настоящей работы не были изучены, что и обусловило её актуальность.

Исследования по вышеуказанным направлениям включают в себя в качестве органической и ключевой составной части исследования морфологии, электронных и др. свойств самоформирующихся наноструктур в нанометро-вом масштабе размеров с применением различных методов сканирующей зондовой микроскопии (СЗМ). В цепочке "технология — структура — свойства" СЗМ (наряду с другими методами, как то: просвечивающая электронная микроскопия (ПЭМ) [25], растровая электронная микроскопия (РЭМ) [26] и

др.) играет важную роль. Здесь следует отметить, что отличительной особенностью и, вместе с тем, немаловажным достоинством СЗМ является то, что наряду с информацией о структуре материала в нанометровом масштабе, различные методы СЗМ позволяют получать широкий спектр информации о различных физических (а также химических и пр.) свойствах материала с беспрецедентным пространственным разрешением. Уникальные возможности методов СЗМ позволяют, например, проводить анализ атомной структуры и локального состава материала отдельных КТ с субнанометровым пространственным разрешением [27]. Поэтому развитие методов СЗМ применительно к анализу различных видов самоформирующихся твердотельных наноструктур, чему, в значительной степени, посвящена настоящая работа, имеет несомненное научное и практическое значение.

Для изучения морфологии поверхностных наноструктур широко применяются методы сканирующей туннельной микроскопии (СТМ) и атомно-силовой микроскопии (АСМ). Метод сканирующей туннельной спектроскопии (СТС) также широко применяется для изучения электронных свойств металлических и полупроводниковых наноструктур на поверхности проводящих подложек, а также на поверхности тонких (туннельно-прозрачных) изолирующих слоев на проводящих подложках. Одной из задач настоящей диссертационной работы являлось развитие метода туннельной АСМ в сверхвысоком вакууме (СВВ) применительно к исследованию твердотельных наноструктур вышеперечисленных типов. Данный метод предназначен для исследования морфологии и электронных свойств различных твердотельных наноструктур, сформированных на поверхности проводящей подложки. Сущность метода заключается в сканировании поверхности образца электропроводящим АСМ зондом, при этом между зондом и подложкой приложено напряжение Vg. Одновременно с регистрацией рельефа поверхности плёнки z(pc, у), где х, у — координаты АСМ зонда в плоскости поверхности образца; z — высота рельефа поверхности в точке с координатами х, у, регистрируется пространственное распределение силы туннельного тока между АСМ зондом и

проводящей подложкой It(x, у), далее называемое токовым изображением. Необходимо, чтобы напряжение в цепи АСМ зонд — туннельный контакт — подложка — источник напряжения Vg — преобразователь ток-напряжение падало, преимущественно, на указанной наноструктурированной плёнке, а сопротивление растекания подложки необходимо минимизировать. Данная методика позволяет проводить туннельную спектроскопию исследуемых диэлектрических пленок, встроенных в них МНК и пр. путём измерения вольт-амперных характеристик (ВАХ) туннельного контакта между АСМ зондом и поверхностью образца. Указанный метод был впервые применён для исследования электронных свойств массивов НК Zr в толще плёнок ZrC>2(Y)/Si, синтезированных методом имплантации ионов Zr с последующим отжигом [28]. В зарубежной литературе для обозначения указанного метод также используется термин Conductive AFM (компания Bruker использует товарный знак TUNA™) [29]. В большинстве работ он применяется для исследования сверхтонких слоёв подзатворных диэлектриков для современных МОП-транзисторов и дефектов в них [30].

Следует отметить также, что для исследования массивов МНК, диспергированных в тонких диэлектрических плёнках на поверхности проводящих подложек, применялся также традиционный метод СТМ/СТС (см., например, [31, 32]). Немаловажным достоинством метода туннельной АСМ по сравнению с методом СТМ в области исследования нанокомпозитных тонкоплёночных материалов является то, что в первом случае каналы поддержания обратной связи (АСМ) и измерения туннельного тока в контакте зонд-образец разделены. Данное обстоятельство позволяет изучать образцы, поверхность которых имеет непроводящие участки, что, очевидно, невозможно с применением метода СТМ. Кроме того, в методе туннельной АСМ при измерении ВАХ обратная связь может не отключаться (в отличие от метода СТС), что снимает ограничения на скорость записи ВАХ, накладываемые дрейфом сканера.

Цель работы

Установление связи электронной структуры и свойств наноструктур

Si02:nc-Au/Si, In(Ga)As/GaAs(001) и SiGe/Si(001) с их морфологией и

условиями формирования с использованием метода туннельной АСМ.

Задачи работы:

1. Исследование процессов формирования токового изображения МНК в сверхтонких диэлектрических плёнках на проводящих подложках. Установление зависимости токовых изображений от геометрических параметров зонда и объектов исследования.

2. Исследование методом туннельной АСМ туннельных спектров индивидуальных НК Au в сверхтонких плёнках Si02/Si, экспериментальное исследование эффектов кулоновской блокады и резонансного туннелирования через НК Au.

3. Развитие метода туннельной АСМ применительно к исследованию электронных свойств самоформирующихся KT и квантовых колец In(Ga)As/GaAs(001). Исследование связи электронной структуры KT и колец In(Ga)As/GaAs(001) с их морфологией.

4. Разработка метода микроскопии сопротивления рассекания (MCP) на поперечных сколах в защитной жидкой среде применительно к исследованию ГС на основе соединений типа А3В5.

5. Исследование связи между условиями роста, морфологией и составом самоформирующихся островков SiGe/Si(001), полученных методом СМЛЭ-ГФЭ.

6. Развитие метода туннельной АСМ применительно к исследованию электронных свойств самоформирующихся островков SiGe/Si(001). Исследование зависимости электронной структуры и свойств островков SiGe/Si(001) от их морфологии и состава.

Научная новизна работы

1. Метод туннельной АСМ впервые применён для исследования электронного транспорта через индивидуальные металлические нанокластеры в диэлек-

трических плёнках на проводящих подложках.

2. Впервые проанализирована связь размеров токовых изображений металлических нанокластеров в диэлектрических плёнках на проводящих подложках при исследовании методом туннельной АСМ с геометрическими размерами нанокластеров, АСМ зонда и толщиной слоёв диэлектрика.

3. Методом туннельной АСМ впервые наблюдалось резонансное туннелиро-вание электронов и кулоновская блокада туннелирования через индивидуальные нанокластеры Аи в плёнках SiCVSi при 300К.

4. Впервые с использованием метода туннельной АСМ установлена электронная структура квантовых точек InAs/GaAs(001), выращенных методом МОС-гидридной эпитаксии при атмосферном давлении.

5. Методом туннельной АСМ впервые экспериментально исследована электронная структура размерно-квантованных дырочных состояний в квантовых точках InAs/GaAs(001).

6. Методом туннельной АСМ впервые экспериментально исследована электронная структура самоформирующихся квантовых колец InGaAs/GaAs(001).

7. Предложен и развит новый метод исследования гетероструктур на основе полупроводниковых соединений типа А3В5 — микроскопия сопротивления растекании на поперечных сколах в защитной жидкой среде. Впервые продемонстрирована возможность визуализации квантовых ям и точек, дефектов и поля упругих напряжений на сколах структур, идентификации материала, типа проводимости, измерения толщины слоёв.

8. Впервые экспериментально исследованы зависимости морфологии, состава и упруго-напряжённого состояния материала самоформирующихся островков SiGe/Si(001), полученных методом СМЛЭ-ГФЭ, от условий роста.

9. Метод конфокальной рамановской микроскопии впервые применён для исследования состава и упруго-напряжённого состояния материала индивидуальных островков SiGe/Si(001). Впервые продемонстрирована возможность измерения спектров рамановского рассеяния от индивидуальных

островков SiGe/Si(001) размерами 100 нм и более. Впервые получены карты пространственного распределения атомной доли Ge и упругой деформации по поверхности структур, на которых визуализированы островки SiGe.

10. Методом туннельной АСМ впервые исследована электронная структура самоформирующихся островков SiGe/Si(001).

Научная значимость результатов работы

1. Экспериментально продемонстрировано, что метод туннельной АСМ позволяет визуализировать металлические нанокластеры в толще диэлектрических плёнок и изучать туннельный (в том числе — одноэлектронный) транспорт через индивидуальные нанокластеры.

2. Показано, что размер токовых изображений металлических нанокластеров в диэлектрических плёнках при исследовании методом туннельной АСМ определяется размерами области контакта АСМ зонда к поверхности диэлектрической плёнки.

3. С использованием метода туннельной АСМ исследован электронный транспорт через индивидуальные нанокластеры Аи различных размеров и формы в плёнках SiC^/Si. Показана возможность наблюдения указанным методом эффектов кулоновской блокады и резонансного туннелирования электронов через нанокластеры Аи при 300К.

4. С использованием метода туннельной АСМ установлена электронная структура квантовых точек InAs/GaAs(001), выращенных методом МОС-гидридной эпитаксии при атмосферном давлении. Идентифицированы уровни размерного квантования в квантовых точках, переходы между которыми проявляются в спектрах фоточувствительности гетероструктур с квантовыми точками при межзонном фотовозбуждении.

5. Установлена возможность самопроизвольного формирование квантовых колец InGaAs/GaAs(001) непосредственно в ходе заращивания квантовых точек InAs/GaAs(001) покровным слоем GaAs в процессе роста методом МОС=гидридной эпитаксии.

6. Показана необходимость учёта при анализе туннельных спектров квантовых точек InAs/GaAs(001) падения части напряжения между АСМ зондом и образцом на поверхностных состояниях на границе полупроводника с собственным окислом.

7. Показано, что возможность наблюдения угловой зависимости локальной плотности состояний в квантовых кольцах InGaAs/GaAs(001) методом туннельной АСМ связана с асимметрией потенциала носителей заряда в кольцах, в частности — обусловленной влиянием пьезоэлектрического поля в упруго-напряжённом InGaAs.

8. Установлено, что морфология самоформирующихся островков SiGe/Si(001), полученных методом СМЛЭ-ГФЭ в диапазоне температур 700 800°С, определяется процессами переконденсации (оствальдовского созревания) в ходе роста.

9. С использованием метода туннельной АСМ установлено, что поверхностные островки Sii_.vGex/Si(001) при х < 0,45 проявляют свойства гетероструктур I рода.

Практическая ценность результатов работы

1. Развит метод туннельной АСМ применительно к исследованию локальных электронных свойств наноструктурированных диэлектрических плёнок с МНК. Данный метод был успешно применён в разработке технологии элементов энергонезависимой памяти на базе МОП транзисторов с нанокомпозитными подзатворными диэлектриками.

2. Разработан оригинальный метод исследования гетероструктур на основе

Л Г

полупроводниковых соединений типа AJB — микроскопия сопротивления растекания на поперечных сколах в защитной жидкой среде. Данный метод успешно применён для диагностики лазерных гетероструктур на основе InGaP/GaAs(001) с квантовыми ямами InGaAs.

3. Экспериментально установлена зависимость морфологии, состава и электронной структуры самоформирующихся островков SiGe/Si(001), полученных методом СМЛЭ-ГФЭ, от условий роста. Полученные в работе данные

используются в разработках приборов кремниевой оптоэлектроники на базе гетероструктур SiGe/Si(001), полученных методом СМЛЭ-ГФЭ.

На защиту выносятся следующие основные положения:

1. Метод туннельной АСМ позволяет визуализировать отдельные нанокла-стеры Аи в толще плёнок SiCVSi и изучать туннельный электронный транспорт через индивидуальные нанокластеры Аи.

2. Особенности в туннельных спектрах индивидуальных нанокластеров Аи в толще плёнок Si02/Si в виде последовательности ступеней и в виде пиков обусловлены кулоновской блокадой туннелирования и резонансным тун-нелированием электронов через нанокластеры Аи размерами 2 + 3 и ~ 1 нм, соответственно.

3. Метод туннельной АСМ позволяет определить пространственное распределение и энергетический спектр локальной плотности размерно-квантованных состояний в квантовых точках и кольцах In(Ga)As/ GaAs(OOl).

4. Метод микроскопии сопротивления растекания на поперечных сколах в защитной жидкой среде позволяет визуализировать нанорельеф поверхности скола гетероструктур А3В5, обусловленный наличием в гетерострукту-рах упруго-напряжённых слоёв, определять толщину слоёв, а также их состав, тип и уровень легирования.

5. Морфология самоформирующихся островков SiGe/Si(001), выращенных методом СМЛЭ-ГФЭ в диапазоне температур 700 800°С, определяется процессами переконденсации в ходе роста.

6. Поверхностные островки Si ]_лGev/Si(001) при х < 0,45 проявляют свойства гетероструктур I рода.

Апробация работы

Основные результаты работы докладывались на Всероссийских и международных научных конференциях, в том числе:

— Российских конференциях по физике полупроводников (Новосибирск

1999; Нижний Новгород 2001; С.-Петербург 2003; Екатеринбург 2007),

— Всероссийских рабочих совещаниях «Нанофотоника» (Нижний Новгород) 1999, 2000, 2001, 2002, 2003, 2004;

— Международных симпозиумах «Нанофизика и наноэлектроника» (Нижний Новгород) 2006; 2007, 2008, 2009, 2010;

— International Symposium "Scanning Probe Microscopy" (Nizhny Novgorod, Russia) 1999, 2000, 2001, 2002, 2003, 2004;

— International Symposium "Nanostructures: Physics and Technology" (St.-Petersburg 2000, 2001, 2003, 2010; Novosibirsk 2007, Nizhny Novgorod 2012);

— International Conference «Quantum Dots 2010" (Nottingham, UK, April 25-30, 2010);

International Conference on the Physics of Semiconductors (Osaka, Japan, 2000; Edinburgh, UK, 2002; Flagstaff, AZ, 2004);

а также на семинарах Научно-образовательного центра «Физика твердотельных наноструктур» (НОЦ ФТНС) ННГУ им. Н.И.Лобачевского и Института физики микроструктур РАН (Нижний Новгород). Публикации

По теме диссертации опубликовано 36 научных работ, из них 30 статей в ведущих научных изданиях, входящих в «Перечень ведущих рецензируемых научных журналов и изданий, в которых должны быть опубликованы основные научные результаты диссертации на соискание ученой степени доктора и кандидата наук» ВАК РФ и 6 публикаций в прочих Российских и международных научных изданиях. Общая характеристика работы

Диссертация состоит из введения, 4 глав, заключения и приложения, в котором приведён список научных работ автора по теме диссертации. Объём диссертации составляет 353 страницы. Текст диссертации включает 176 рисунков и 9 таблиц. Список использованных источников содержит 344 наименования.

1. НАНОКЛАСТЕРЫ Аи НА ПОВЕРХНОСТИ И В ТОЛЩЕ ПЛЁНОК

8Ю2 НА ПОДЛОЖКХ 81

1.1. Металлические нанокластеры на поверхности и в диэлектрической матрице: получение и свойства. Обзор литературы

1.1.1. Поверхностные нанокластеры

Методы формирования поверхностных МНК. Физические основы разнообразных методов получения поверхностных МНК являются процессы зарождения другой фазы в виде зародышей, как гомогенного, так и гетерогенного [4]. Соответственно, методы создания МНК на поверхности подложек можно подразделить на две следующие группы:

1. Методы, основанные на конденсации паров металла, из которого состоят МНК, в среде инертного газа. Сформированные МНК затем осаждаются на подложку.

2. Методы, основанные на процессе осаждения атомарного (молекулярного) потока материала МНК на поверхность подложки с последующей нук-леацией МНК. При этом гомогенное зародышеобразование является нежелательным, и его необходимо подавить. Поэтому обычно напыление ведётся в высоком или сверхвысоком вакууме (СВВ). Напротив, газовая среда, используемая в источниках МНК, основанных на гомогенном зародышеобразова-нии, препятствует конденсации материала МНК на стенки камеры.

Список литературы диссертационного исследования кандидат наук Филатов, Дмитрий Олегович, 2013 год

СПИСОК ИСПОЛЬЗОВАННЫХ ИСТОЧНИКОВ

1. E.L.Wolf. Nanophysics and Nanotechnology: An Introduction to Modern Concepts in Nanoscience. Wiley - VCH, 2006.

2. L. E. Foster. Nanotechnology: Science, Innovation, and Opportunity. Prentice Hall PTR, 2005.

3. Ж.И.Алферов. История и будущее полупроводниковых гетероструктур. ФТП32, 3 (1998).

4. С. Binns. Clusters on surface. Surf. Sci. R 44, 1 (2001).

5. Metal Nanoclusters in Catalysis and Materials Science: The Issue of Size Control. Eds. B.Corain, G.Schmid, N.Toshima. Elsevier, 2007.

6. W.A. de Heer. The physics of simple metal clusters: experimental aspects and simple models. Rev. Mod. Phys. 65, 611 (1993).

7. К. К. Лихарев. О возможности создания аналоговых и цифровых интегральных схем на основе дискретного одноэлектронного туннелирования. Микроэлектроника 16, 195 (1987).

8. С. Schonenberg, Н. van Houten, H.C.Donkersloot. Single-electron tunneling up to room temperature. Physica Scripta, 1992, № 45, p. 289.

9. В. П. Драгунов, И.Г.Неизвестный, В.А.Гридчин. Основы наноэлектроники. Новосибирский государственный технический университет, 2000.

10. S.Tiwary, F.Rana, H.Hanafi, A.Hartstein, E.Crabbe, K.Chan. A silicon nanocrystals based memory, Appl. Phys. Lett. 68, 1377 (1996).

11. G.F.Cerofolini, G.Arena, M.Camalleri, C.Galati, S.Reina, L.Renna, D. Mascolo, V.Nosik. Strategies for nanoelectronics. Microel. Eng. 81, 405 (2005).

12. D.R.Smith, J.B.Pendry, M.C.K.Wiltshire. Metamaterials and Negative Refractive Index. Science 305, 788 (2004).

13. H.I.Hanafi, S.Tiwari, I.Khan. Fast and Long Retention-Time Nano-Crystal Memory. IEEE Trans. Electron Devices ED 43, 1553 (1996).

14. A.V.Zenkevich, Yu.Yu.Lebedinskii, A.A.Timofeyev, I.A.Isayev, V.N.Tronin. Formation of ultrathin nanocomposite Si02:nc-Au structures by Pulsed Laser Deposition. Appl. Surf. Sci. 255, 5355 (2009).

15. Nano-optoelecrtonics: physics, concepts, and devices. Ed. by M.Grundmann. Springer, 2004.

16. H. H. Леденцов, В. M. Устинов, В. А. Щукин, П. С. Копьев, Ж. И. Алферов, Д. Бимберг. Гетероструктуры с квантовыми точками: получение, свойства, лазеры. ФТП 32, 385 (1998).

17. L.Pavesi. Will silicon be the photonic material of the third millennium? J. Phys.: Cond. Matt. 15, R1169 (2003).

18. G.Abstreiter, P.Schittenhelm, C.Engel, E.Silveira, A.Zrenner, D.Meertens, W.Jager. Growth and characterization of self-assembled Ge-rich islands on Si. Semicond. Sci. Technol. 11, 1521 (1996).

19. З.Ф.Красильник, А.В.Новиков. Оптические свойиства напряжённых гетероструктур на основе Si|_xGx и Si|_x_yGexCy. УФН 170, 338 (2000).

20. A.Rogalski. Infrared detectors: status and trends. Prog. Quantum Electron. 27, 59 (2003).

21. Y.Shiraki, A.Sakai. Fabrication technology of SiGe hetero-structures and their properties. Surf. Sci. Rep. 59, 153 (2005).

22. С.П.Светлов, В.Г.Шенгуров, В.Ю.Чалков, З.Ф.Красильник. Б.А.Андреев, Ю.Н.Дроздов. Гетероэпитаксиальные структуры Sii_xGex/Si(100), полученные методом сублимационной молекулярно-лучевой эпитаксии кремния в среде GeH4. Изв. РАН. Серия физическая 65, 204 (2001).

23. О.П.Пчеляков, Ю.Б.Болховитянов, А.В.Двуреченский, Л.В.Соколов, А.И.Никифоров, А.И.Якимов, Б.Фойхтлендер. Кремний-германиевые наноструктуры с квантовыми точками: механизмы образовнаия и электрические свойства. ФТП 34, 1281 (2000).

24.1. Berbezier, A. Ronda. SiGe nanostructures. Surf. Sci. Rep. 64, 47 (2009). 25. J.C.H.Spence. The future of atomic resolution electron microscopy for materials science. Mater. Sci. Eng. R 26, 1 (1999).

26. L.Reimer. Scanning Electron Microscopy: Physics of Image Formation and Micro-analysis. Springer, 2000.

27. G. В inn ig, H.Rohrer. In touch with atoms. Rev. Mod. Phys. 71, S324 (1999).

28. D.A.Antonov, O.N. Gorshkov, A.P. Kasatkin, G.A.Maximov, D.A.Saveliev, D.O.Filatov. Investigation of the electronic properties of the Zr nanoclusters in the YSZ films by Combined STM/AFM. Physics of Low - Dimensional Structures., 2004, №1/2, p. 139.

29. A Practical Guide to'Scanning Probe Microscopy. Veeco Instruments, 2005.

30. U. Schwalke. Application of Scanning Probe Microscopy Techniques for Strutural and Electrical Characterization of Dielectrics, Carbon Nanotubes and Nanoelectronic Devices. ECS Trans. 11, 301 (2007).

31. H.Imamura, J.Chiba, S.Mitani, K.Takanashi. Coulomb staircase in STM current through granular films. Phys. Rev. В 61, 46 (2000).

32. E.Bar-Sadeh, Y.Goldstein, C.Zhang, H.Deng, B.Abeles, O.Millo. Single-electron tunneling effects in granular metal films. Phys. Rev. В 50, 8961 (1994).

33. K.Sattler, J.Mühlbach, E.Recknagel. Generation of metal clusters containing from 2 to 500 atoms. Phys. Rev. Lett. 45, 821 (1980).

34. B.K.Неволин. Физические основы туннельно-зондовой нанотехнологии. Изд. МГИЭТ, 2004.

35. J.Shen, Zh.Gai, J.Kirschner. Growth and magnetism of metallic thin films and multilayers by pulsed-laser deposition. Surf. Sei. R. 52, 163 (2004).

36. О.Д.Парфенов. Технология микросхем. Высшая школа, 1986.

37. W.Z.Ostwald. Über die vermeintliche Isomerie des rotten und gelben Quecksilberoxyds und die Oberflächenspannung fester Körper. Zeitschr. Phys. Chem. 34, 495 (1900); 37, 385 (1901).

38. W.Thomson (Lord Kelvin). On the equilibrium of vapour at a curved surface of liquid. Philosophical Magazine 43, 448 (1871).

39. J.W.Gibbs. On the equilibrium of heterogeneous substances. Transactions of Connecticut Academy 3, 108 (1876)

40. И.М.Лившиц, В.В.Слёзов. О кинетике диффузионного распада пересыщенных твердых растворов. ЖЭТФ 35, 479 (1958)

41. I.M.Livshitz, V.V.Slyozov. Kinetics of precipitation from supersaturated solid solutions. J. Phys. Chem. Solids 19, 35 (1961).

42. С. Z.Wagner. Theorie der Alterung Von Niederschlagen durch Umlösen (Ostwald-Reifung). Zeitschr. Electrochem. 65, 581 (1961).

43. В. K. Non-conseraverty. Grain size distribution in thin films. Conservative systems. J. Phys. Chem. Solids 28, 2404 (1967).

44. В. K. Chakraverty. Grain size distribution in thin films. Non-conservative systems. J. Phys. Chem. Solids 28, 2413 (1967).

45. I.N. Stranski, L. von Krastanow. Zur Theorie der orientierten Ausscheidung von Ionenkristallen aufeinander, itzungsberichte der Akademie der Wissenschaften im Wien. Mathnaturwissenschaft Klasse. 146, 797 (1937).

46. A.V.Zenkevicn, M.A.Pushkin, V.N.Tronin, V.I.Troyan, V.N.Nevolin, G.A.Maximov, D.O.Filatov, E.Lagsgaard. Formation of Au fractal nanoclusters during pulsed laser deposition on highly oriented pyrolitic graphite. Phys. Rev. В 65, 3406 (2002).

47. G.A.Maximov, D.O.Filatov, Yu.Yu.Gushina, D.A.Antonov, V.N.Nevolin, M.A.Pushkin, A.V.Zenkevich, V.N.Tronin, V.I.Troyan. STM investigation of fractal Au nanoclusters on HOPG surface grown by Pulsed Laser Deposition. Phys. Low-Dim. Struct. 2002, № 5-6, p.223.

48. L. D. Marks. Experimental studies of small particle structures. Rep. Prog. Phys. 57, 603 (1994).

49. P.J. F. Harris. Growth and structure of supported metal catalyst particles. Int. Mater. Rev. 40, 97 (1995).

50. V. P. Zhdanov, B. Kasemo. Simulations of the reaction kinetics on nanometer supported catalyst particles. Surf. Sei. R 39, 25 (2000).

51. H.Haberland, B. von Issendorff, J.Yufeng, T.Kolar. Transition to plasmonlike absorption in small Hg clusters. Phys. Rev. Lett. 69, 3212 (1992).

52. В.Д.Борман, С.Ч.Лай, М.А.Пушкин В.Н.Тронин, В.И.Троян. Об использовании процесса Костера-Кронига для исследования перехода нанокластеров металла в неметаллическое состояние. Письма в ЖЭТФ 76, 520 (2002).

53. K.Rademann, В.Kaiser, U.Even, F.Hensel. Size dependence of the gradual transition to metallic properties in isolated mercury clusters. Phys. Rev. Lett. 59, 2319(1987).

54. M.E.Garcia, G.M.Pastor, K.H.Bennemann. Derealization of a hole in van der Waals clusters: Ionization potential of rare-gas and small Hgn clusters. Phys. Rev. В 48, 8388 (1993).

55. J.Zhao, X.Chen, G.Wang. Critical size for a metal-nonmetal transition in transition-metal clusters. Phys. Rev. В 50, 15424 (1994).

56. J.Wang, G.Wang, J.Zhao. Nonmetal-metal transition in Znn (n = 2 - 20) clusters. Phys. Rev. A 68, 013201 (2003).

57. S.B.DiCenzo, S.D.Berry, E.H.Hartford Jr. Photoelectron spectroscopy of single-size Au clusters collected on a substrate. Phys. Rev. В 38, 8465 (1988).

58. C.Xu, X.Lai, G.W.Zajac, D.W.Goodman. Scanning tunneling microscopy studies of the Ti02(l 10) surface: Structure and the nucleation growth of Pd. Phys. Rev. В 56, 13464(1997).

59. P.N.First, J.A.Stroscio, R.A.Dragoset, D.T.Pierce, R.J.Celotta. Metallicity and gap states in tunneling to Fe clusters in GaAs(llO). Phys. Rev. Lett. 63, 1416 (1989).

60. В. Д. Борман, П. В. Борисюк, В. В. Лебидько, М. А. Пушкин, В. Н. Тро-нин, В. И. Троян, Д. А. Антонов, Д. О. Филатов. Исследование многочастичных явлений в нанокластерах металлов (Au, Си) вблизи их перехода в неметаллическое состояние. ЖЭТФ 129, 343 (2006).

61. Н. Frohlich. The specific heat of small metallic particles at low temperatures. Physica (Utrecht) 4, 406 (1937).

62. А.Я.Шик, Л.Г.Бакуева, С.Ф.Мусихин, С.А.Рыков. Физика низкоразмерных систем. Наука, 2001.

63. Б.А.Тавгер, В.Я.Демиховский. Квантовые размерные эффекты в полупроводниковых и полуметаллических пленках. УФН 96, 61 (1968).

64. О.Н.Филатов, И.А.Карпович. Зависимость края поглощения пленок анти-монида индия от толщины. ФТТ 10, 2886 (1968).

65. О.Н.Филатов, И.А.Карпович. Зависимость ширины запрещённой зоны плёнок антимонида индия от толщины. ФТТ 11, 805 (1969).

66. Т.Андо, А.Фаулер, Ф.Стерн. Электронные свойства двумерных систем. Мир, 1985.

67. Silicon Nanocrystals: Fundamentals, Synthesis and Applications. Eds. L. Pavesi, R. Turan. Wiley-VCH, 2010.

68. V.P.Halperin. Quantum size effects in metal particles. Rev. Mod. Phys. 58, 533 (1986).

69. K.Kimura, S.Bandow. Quantum size effect observed in ultrafine magnesium particles. Phys. Rev. В 37, 4473 (1988).

70. P.Yee, W.D.Knight. Quantum size effect in copper: NMR in small particles. Phys. Rev. В 11, 3261 (1975).

71. K.Saiki, T.Fujita, Y.Shimizu, S.Sakoh, N.Wada. Electron spin resonance in fine particles of metallic lithium. J. Phys. Soc. Jpn. 32, 447 (1972).

72. M.G.Mason. Electronic structure of supported small metal clusters. Phys. Rev. В 27, 748 (1983).

73. J.Colbert, A.Zangwill, M.Strongin, S.Krummacher. Evolution of a metal: A photoemission study of the growth of Pd clusters. Phys. Rev. В 27, 1378 (1983).

74. R.P.Devaty, A.J.Sievers. Comment on Gor'kov and Eliashberg's theory for far-infrared absorption by small metallic particles. Phys. Rev. В 22, 2123 (1980).

75. U.Kreibig. Electronic properties of small silver particles: the optical constants and their temperature dependence. J. Phys. F: Mat. Phys. 4, 999 (1974).

76. R.Kubo. Electronic properties of metallic fine particles. J. Phys. Soc. Jpn. 17, 975 (1962).

77. Л.П.Горьков, Г.М.Элиашберг. Малые металлические частицы в электромагнитном поле. ЖЭТФ 21, 940 (1965).

78. T.A.Brody, J.Flores, J.B.French, P.A.Mello, A.Pandey, S.S.M.Wong. Random-matrix physics: spectrum and strength fluctuations. Rev. Mod. Phys. 53, 385 (1981).

79. R.Denton, B.Muhlschlegel, D.J.Scalapino. Thermodynamic properties of electrons in small metal particles. Phys. Rev. В 7, 3589 (1973).

80. J.Buttet, R.Car, C.W.Myles. Size dependence of the conduction-electron-spin-resonance g shift in a small sodium particle: Orthogonalized standing-wave calculations. Phys. Rev. В 26, 2414 (1982).

81. Д.А.Антонов, Г.А.Вугальтер, О.Н.Горшков, А.П.Касаткин, Д.О.Филатов, М.Е.Шенина. Резонансное туннелирование электронов через нанокластеры, сформированные в стабилизированном диоксиде циркония методом ионной имплантации. Вестник Нижегородского государственного университета им.Н.И.Лобачевского. Серия «Физика твёрдого тела», 2007, №3, с. 55.

82. R.E.Cavicchi, R.H.Silsbee. Coulomb suppression of tunneling rate from small metal particles. Phys. Rev. Lett. 52, 1453 (1984).

83. D.V.Averin, A.N.Korotkov, K.K.Likharev. Theory of single-electron charging of quantum wells and dots. Phys. Rev. В 44, 6199 (1991).

84. K.K.Likharev. Correlated discrete transfer of single electrons in ultrasmall tunnel junctions. IBM J. Res. Develop. 1988, № 1, p. 144.

85. L.J.Geerlings. Charge quantization effects in small tunnel junctions // Physics ofNanostructures. Cambridge University Press, 1992. pp. 171 - 204.

86. S.Luryi, J.Xu, A.Zaslavsky. Future Trends in Microelectronics: Up the Nano Creek. Wiley-IEEE, 2007.

87. A.Ohata, H.Niyama, K.Nakahima, A.Toriumi. Silicon-based single-electron tunneling transistor operated at 4,2 K. Jpn. J. Appl. Phys. 1995, №34, p. 4485.

88. L.I.Glazman. Single electron tunneling. J. Low Temp. Phys. 118, 247 (2000).

89. C.Schonenberg, H. vanHouten, H.C.Donkersloot. Single-electron tunneling observed at room temperature by Scanning Tunneling Microscopy. Europhys. Lett. 20, 249(1992).

90. M.Dorogi, J.Gomez, R.Osifchin. Room - temperature Coulomb blockade from a self - assembled molecular nanostructure. Phys. Rev. B 52, 9071 (1995).

91. Y.Uehara, S.Ohayama, K.Ito, S.Ushioda. Optical observation of single-electron charging effect at room temperature. Jpn. J. Appl. Phys. 35, L167 (1996).

92. H. van Kempen, J.G.A.Dubois, J.W.Gerritsen, G.Schmidt. Small metallic particles studied by tunneling microscopy. Physica B 204, 51 (1995).

93. R.Wilkins, E.Ben-Jacob, R.C.Jaklevic. Scanning-Tunneling-Microscope observations of Coulomb blockade and oxide polarization in small metal droples. Phys. Rev. Lett. 63, 801 (1989).

94. M.Amman, S.B.Field. Coulomb-blockade spectroscopy of gold particles imaged with Scanning Tunneling Microscopy. Phys. Rev. B 48. 12104 (1993).

95. M.Nastasi, J.W.Mayer, J.K.Hirvonen. Ion-solid interaction: Fundamentals and applications. Cambridge University Press, 1996.

96. J.Davenas, A.Perez, P.Thevenard, C.H.S.Dupuy. Correlation between absorption bands and implanted alkali ions in LiF. Phys. Stat. Sol. a 19, 679 (1973).

97. M.Treilleux, P.Thevenard, G.Ghassagne, L.H.Hobbs. Observation of implanted potassium aggregates in MgO single crystals. Phys. Stat. Sol. a 48, 425 (1978).

98. A.L.Stepanov, I.B.Khaibullin, Fabrication of metal nanoparticles in sapphire by low-energy ion implantation. Rev. Adv. Mater. Sci. 9, 109 (2005).

99. F.Ren, X.Heng, X.Guang, X.Cai, J.B.Wang, C.Z.Jiang. Engineering embedded metal nanoparticles with ion beam technology. Appl Phys A 96, 317 (2009).

100. S.H.Cho, S.Lee , D.Y.Kub, T.S.Leec, B.Cheongc, W.M.Kimc, K.S.Leec. Growth behavior and optical properties of metal-nanoparticle dispersed dielectric thin films formed by alternating sputtering. Thin Solid Films 447 - 448, 68 (2004).

101. F.Ruffmo, R. de Bastiani, M.G.Grimaldi, C.Bongiorn, F.Giannazzo, F. Roccaforte, C.Spinella, V.Raineri. Self-organization of Au nanoclusters on the Si02 surface induced by 200 keV-Ar+ irradiation. Nucl. Instr. Meth. B 257, 810 (2007).

102. J.Orloff, L.Swanson, M.Utlaut. High Resolution Focused Ion Beams: FIB and Applications. Springer; 2002.

103. В.Ч.Жуковский, Ю.И.Дахновский, О.Н.Горшков, В.Д.Кревчик, М.Б.Семенов, О.Ф.Семенов, Ю.Г.Смирнов, Е.В.Чупрунов, В.А.Рудин, Н.Ю. Скибицкая, П.В.Кревчик, Д.О.Филатов, Д.А.Антонов, М.А.Лапшина, К.Ямамото. Наблюдаемые двумерные туннельные бифуркации во внешнем электрическом поле // Управляемое диссипативное туннелирование. - М.: Физматлит, 2011. - С. 435 - 444.

104. T.J.Thornton. Mesoscopic devices. Rep. Prog. Phys. 58, 311 (1994).

105. L.Guo, E.Leobandung, S.Y.Chou. A silicon single-electron transistor memory operating at room temperature. Science 275, 649 (1997).

106. F.Ruffino, M.G.Grimaldi. Structural and electrical characterization of gold nanoclusters in thin Si02 films: realization of a nanoscale tunnel rectifier. Microel. Eng. 84, 532 (2007).

107. S.Tiwari, J.A.Wahl, H.Silva, F.Rana, J.J.Welser. Small silicon memories: confinement, single-electron, and interface state considerations. Appl. Phys. A 71, 403 (2000).

108. K.Yano, T.Ishii, T.Sano, T.Mine, F.Murai, T.Kure, K.Seki. Status of single-electron memories. Proc. IEEE Electron Devices Meeting, 1998, p. 107.

109. K.Yano, T.Ishii, T.Hashimoto, T.Kobayashi, F.Murai, K.Seki. Room-temperature Single-electron memory. IEEE Trans. Electron Devices ED 41, 1628 (1994).

110. S.Seo, M.J.Lee, D.H.Seo, E.J.Jeoung, D.-S.Suh, Y.S.Joung, I.K.Yoo, I.R. Hwang, S.H.Kim, I.S.Byun, J.-S.Kim, J.S.Choi, B.H.Park. Reproducible resistance switching in polycrystalline NiO films. Appl. Phys. Lett. 85, 5655 (2004).

111. R.Dong, D.S.Lee, W.F.Xiang, S.J.Oh, D.J.Seong, S.H.Heo, H.J.Choi, M.J. Kwon, S.N.Seo, M.B.Pyun, M.Hasan, H.Hwang. Reproducible hysteresis and resistive switching in metal-CurO-metal heterostructures. Appl. Phys. Lett. 90, 042107 (2007).

112. D.Lee; H.Choi; H.Sim; D.Choi; H.Hwang; M.-J.Lee; S.-A.Seo; I.K.Yoo. Resistance switching of the nonstoichiometric zirconium oxide for nonvolatile memory applications. IEEE Electron Device Lett. EDL 26, 719 (2005).

113. B.J.Choi, D.S.Jeong, S.K.Kim, C.Rohde, S.Choi, J.H.Oh, H.J.Kim, C.S. Hwang, K.Szot, R.Waser, B.Reichenberg, S.Tiedke. Resistive switching mechanism of TiC>2 thin films grown by atomic-layer deposition. J. Appl. Phys. 98, 033715 (2005).

114. Defects in Hlgh-k Gate Dielectric Stacks. Ed. Eugene Gusev. Springer, 2006.

115. W.Guan, S.Long, R.Jia, M.Liu. Nonvolatile resistive switching memory utilizing gold nanocrystals embedded in zirconium oxide. Appl. Phys. Lett. 91, 062111 (2007).

116. T.-Y.Chiang . Impact of joule heating on scaling of deep sub-micron Cu/low-k interconnects. IEEE Symp. VLSI Circuits, Dig. Tech. Pap. 38 (2002).

117. Y.Taur, T.H.Ning. Fundamentals of Modern VLSI Devices. Cambridge Univ. Press, 2009.

118. D.A.B.Miller. Rationale and challenges for optical interconnects to electronic chips. Proc. IEEE 88, 72 (2000).

119. W.L.Barnes. Surface plasmon subwavelength optics. Nature 424, 824 (2003).

120. J.Takahara, T.Kobayashi. Low-dimensional optical waves and nano-optical circuits. Opt. Photon. News 15, 54 (2004).

121. R.F.Haglund Jr., Li Yang, R.H.Magruder III, C.W.White, R.A.Zuhr, Lina Yang, R.Dorsinville, R.R.Alfano. Nonlinear optical properties of metal-quantum-dot composites synthesized by ion implantation. Nucl. Instr. Meth. B 91, 493 (1994).

122. A.Ryasnyansky, B.Palpant, S.Debrus, R.Ganeev, A.Stepanov, N.Can, C. Buchal, S.Uysal. Nonlinear optical absorption of ZnO doped with copper nanoparticles in the picosecond and nanosecond pulse laser field. Appl. Opt. 44, 2839 (2005).

123. N.Felidj, J.Aubard, G.Levi, J.R.Krenn, A.Hohenau, G.Schider, A.Leitner, F.R. Aussenegg. Optimized surface-enhanced Raman scattering on gold nanoparticle arrays. Appl. Phys. Lett. 82, 3095 (2003).

124. C.L.Haynes, R.P. van Duyne. Plasmon-sampled surface-enhanced Raman excitation spectroscopy. J. Phys. Chem. B 107, 7426 (2003).

125. V.P.Drachev, M.D.Thoreson, E.N.Khaliullin, V.J.Davisson, V.M.Shalaev. Surface enhanced Raman difference between human insulin and insulin lispro detected by adaptive nanostructures. J. Phys. Chem. В 108, 18046 (2004).

126. K.E.Shafer-Peltier, C.L.Haynes, M.R.Glucksberg, R.P. van Duyne. Towards a glucose biosensor based on Surface-Enhanced Raman Scattering. J. Am. Chem. Soc. 125, 58 (2003).

127. K.B.Crozier, A.Sundaramurthy, G.S.Kino, C.F.Quate. Optical antennas: Resonators for local field enhancement. J. Appl. Phys. 94, 4632 (2003).

128. S.M.Nie, S.R.Emery. Plasmonic band gap structures for surface- enhanced Raman scattering. Science 275, 1102 (1997).

129. K.Kneipp, Y.Wang, H.Kneipp, L.T.Perelman, I.Itzkan, R.R.Dasari, M.S.Feld. Single molecule detection using Surface-Enhanced Raman Scattering (SERS). Phys. Rev. Lett. 78, 1667 (1997).

130. D.P.Fromm, A.Sundaramurthy, A.Kinkhabwala, P.J.Schuck, G.S.Kinoand, W. E.Moerner, Exploring the chemical enhancement for surface-enhanced Raman scattering with Au bowtie nanoantennas. J. Chem. Phys. 124, 061101 (2006).

131. H.Mertens, A.Poiman. Plasmon-enhanced erbium luminescence. Appl. Phys. Lett. 89, 211107 (2006).

132. АЛ.Степанов, C.Marques, E.Alves, R.C. da Silva, M.R.Silva, Р.А.Ганеев, A.M. Ряснянский, Т.Усманов. Ионный синтез и анализ оптических свойств наноча-стиц золота в матрице AI2O3. ЖТФ 76, 79 (2006).

133. P. de Wolf, E.Brazel, A.Erickson. Electrical characterization of semiconductor materials and devices using scanning probe microscopy. Mater. Sci. Semicond. Process. 4, 71 (2001).

134. P.Eyben, M.Xu, N.Duhayon, T.Clarysse, S.Callewaert, W.Vandervorst. Scanning spreading resistance microscopy and spectroscopy for routine and quantitative two-dimensional carrier profiling. J. Vac. Sci. Techn. В 20, 471 (2002).

135. X.Blasco, J.Petry, M.Nafria, X.Aymerich, O.Richard, W.Vandervorst. C-AFM characterization of the dependence of HfA10x electrical behavior on postdeposition annealing temperature. Microelectron. Eng. 72, 191 (2004).

136. J.Petry, W.Vandervorst, X.Blasco. Effect of N2 anneal on thin НЮ2 layers studied by conductive atomic force microscopy. Microelectron. Eng. 72, 174 (2004).

137. Л.Е.Воробьёв, Е.Л.Ивченко, Д.А.Фирсов, В.А.Шалыгин. Оптические свойства наноструктур. СПб.: Наука, 2001.

138. О.Н.Горшков, Т.А.Грачева, А.П.Касаткин. Ионно-пучковая модификация свойств приповерхостных слоев Zri.xYx02.5. Поверхность: физика, химии, механика, 1997, №1, С. 15.

139. А.В.Зенкевич, Ю.Ю.Лебединский, А.А.Тимофеев, В.Н.Неволин, Д.А. Антонов, Д.О.Филатов, Г.А.Максимов. Формирование сверхтонких наноком-позитных структур Si02:Au методом импульсного лазерного осаждения. Перспективные материалы 2008, №4, с. 5.

140. M.F.Hochella Jr., A.H.Carim. A reassessment of electron escape depths in silicon and thermally grown silicon dioxide thin films. Surf. Sci. Lett. 197, L260 (1988).

141. А.А.Бухараев, Н.В.Бердунов, Д.В.Овчинников, К.М.Салихов. Диагностика поверхности с помощью сканирующей силовой микроскопии. Микроэлектроника 26, 163 (1997).

142. J.Tersoff, D.R.Hamann. Theory and application for the scanning tunneling microscope. Phys. Rev. Lett. 50, 1998 (1983).

143. J.Tersoff, D.B.Hamann. Theory of the scanning tunneling microscope. Phys. Rev. В 31, 805 (1985).

144. Л.Д.Ландау, Е.М.Лифшиц. Теоретическая физика - в 10 тт. Т.7. Теория упругости. Наука, 1987.

145. Г.Эберт. Спраочник по элементарной физике. Физматгиз, 1967.

146. J.Bardeen. Tunnelling from a many-particle point of view. Phys. Rev. Lett. 6, 57 (1961).

147. S.Flugge. Practical Quantum Mechanins. Springer, 1971.

148. R.Ludeke, E.Cartier, A.Schenk. Determination of the energy-dependent conduction band mass in Si02. Appl. Phys. Lett. 75, 1407 (1999).

149. Таблицы физических величин. Справочник. Ред. И.К. Кикоин. Атомиз-дат, 1976.

150. И.Е.Иродов. Основные законы электромагнетизма. Высшая школа, 1991.

151. Д.В.Сивухин. Общий курс физики. Т. 3. Электричество. Высшая школа, 1978.

152. C.Weisbuch, B.Vinter. Quantum Semiconductor Structures: Fundamentals and Applications. Academic Press, 1991.

153. Л.Д.Ландау, Е.М.Лифшиц. Теоретическая физика - в 10 т. Т.З. Квантовая механика: нерелятивистская теория. Наука, 1989.

154. R.Tsu, L.Esaki. Tunneling in a finite superlattice. Appl. Phys. Lett. 22, 562 (1973);

155. С.Зи. Физика полупроводниковых приборов. Мир, 1982.

156. Physical Properites of Semiconductors //New Semiconductor Materials Database. http ://www.matprop.ru/.

157. С.М.Файнштейн. Роль состояния поверхности в производстве полупроводниковых приборов. Госэнергоиздат, 1961.

158. L.Quattropani, I.Maggio-Aprile, P.Niedermann, O.Fisher. Ballistic-electron-emission-microscopy studies on Au/SiOi/rc-type Si(100) and Ir/Si02/«-type Si(100) structures with very thin oxides. Phys. Rev. В 57, 6623 (1998).

159. S.M.Reimann, M.Manninen. Electronic structure of quantum dots. Rev. Mod. Phys. 74, 1283 (2002).

160. M.Illing, G.Bacher, T.Kiimmell, A.Forchel, D.Hommel, B.Jobst, G.Landwehr. Fabrication of CdZnSe/ZnSe quantum dots and quantum wires by electron beam lithography and wet chemical etching. J. Vac. Sci. Tech. В 13, 2792 (1995).

161. T.Inokuma, Y.Wakayama, T.Muramoto, R.Aoki, Y.Kurata, S.Hasegawa. Optical properties of Si clusters and Si nanocrystallites in high-temperature annealed SiOA films. J. Appl. Phys. 83, 2228 (1998).

162. Ж.И.Алферов, Д.Бимберг, А.Ю.Егоров, А.Е.Жуков, П.С.Копьев, Н.Н.Леденцов, С.С.Рувимов, В.М.Устинов, И.Хейденрайх. Напряженные

субмонослойные гетероструктуры и гетероструктуры с квантовыми точками. УФН, 165, 224(1995).

163. S.Viefers, P.Koskinen, P.Singha Deo, M. Manninen. Quantum rings for beginners: energy spectra and persistent currents. Physica E 21, 1 (2004).

164. A.Lorke, R.J.Luyken. Many-particle ground states and excitations in nanometer-size quantum structures. Physica В 256, 424 (1998).

165. A. Lorke, J. M. Garcia, R. Blossey, R. J. Luyken, P. M. Petroff. Self-Organized InGaAs Quantum Rings — Fabrication and Spectroscopy. Adv. Solid State Phys. 43, 125 (2003).

166. V.A.Shchukin, N.N.Ledentsov, P.S. Kop'ev, D.Bimberg. Spontaneous ordering of arrays of coherent strained islands . Phys. Rev. Lett. 75, 2968 (1995).

167. D.M.Bruls, P.M.Koenraad, H.W.M.Salemink, J.H.Wolter, M.Hopkinson, M.S.Skolnick. Stacked low-growth-rate InAs quantum dots studied at the atomic level by Cross-sectional Scanning Tunneling Microscopy. Appl. Phys. Lett. 82, 3757 (2003).

168. E.T.Yu. Nanoscale characterization of semiconductor materials and devices using scanning probe techniques. Mat. Sci. Eng. R 17, 147 (1996).

169. Л.Н.Болотов, В.П.Евтихиев, В.Е.Токранов, А.Накамура, А.Н.Титков. UHV STM и STS исследования одиночных квантовых точек InAs на поверхности GaAs после термического удаления с поверхности защитного слоя аморфного мышьяка. Материалы Всероссийского совещания " Сканирующия зондовая микроскопия" (Нижний Новгород, 1999) с. 18.

170. M.Grundmann, O.Stier, D.Bimberg. InAs/GaAs pyramidal quantum dots: Strain distribution, optical phonons, and electronic structure. Phys. Rev. В 52, 11969 (1995).

171. O.Stier, M.Grundmann, D.Bimberg. Electronic and optical properties of strained quantum dots modeled by 8-band k-p theory. Phys. Rev. В 59, 5688 (1999).

172. P.N.Keating. Effect of invariance requirements on the elastic strain energy of crystals with application to the diamond structure. Phys. Rev. 145, 637 (1966).

173. E.O.Kane. Phonon spectra of diamond and zinc-blende semiconductors. Phys. Rev. В 31, 7865 (1985).

174. T.Maltezopoulos, A.Bolz, C.Meyer, C.Heyn, W.Hansen, M.Morgenstern, R.Wiesendanger. Wave-function mapping of InAs quantum dots by Scanning Tunneling Spectroscopy. Phys. Rev. Lett. 91, 196804 (2003).

175. M.Grundmann, J.Christen, N.N.Ledentsov, J.Bohrer, D.Bimberg, S.S.Ruvimov, P.Werner, U.Richter, U.Gosele, J.Heydenreich, V.M.Ustinov, A.Yu.Egorov, A.E.Zhukov, P.S.Kop'ev, Zh.I.Alferov. Ultranarrow luminescence lines from single quantum dots. Phys. Rev. Lett. 74, 4043 (1995).

176. J.-Y.Marzin, J.M.Gerard, A.Izrael, D.Barrier, G.Bastard. Photoluminescence of single InAs quantum dots obtained by self-organized growth on GaAs. Phys. Rev. Lett. 73, 716(1994).

177. Б.Н.Звоноков, И.Г.Малкина, Е.Р.Линькова, В.Я.Алешкин, И.А.Карпович, Д.О.Филатов. Фотоэлектрические свойства гетероструктур GaAsAnAs с квантовыми точками. ФТП 31, 1100 (1997).

178. E.O.Kane. Band structure of indium antimonide. J. Phys. Chem. Solids 1, 249 (1957).

179. B.N.Zvonkov, I.G.Malkina, E.R.Lin'kova, V.Ya.Aleshkin, I.A.Karpovich, D.O.Filatov. Burstein-Moss effect in the GaAs/InAs quantum dots. Abst. 5th Int. Symp. "Nanostructures: Physics and Technology" (St. Petersburg, Russia, 1996) p.271.

180. A.Lorke, R.J.Luyken, A.O.Govorov, J.P.Kotthaus, J.M.Garcia, P.M.Petroff. Spectroscopy of nanoscopic semiconductor rings. Phys. Rev. Lett. 84, 2223 (2000).

181. W.Lei, C.Notthoff, A.Lorke, D.Reuter, A.D.Wieck. Electronic structure of self-assembled InGaAs/GaAs quantum rings studied by capacitance-voltage spectroscopy. Appl. Phys. Lett. 96, 033111 (2010).

182. R.A.Romer; M.E.Raikh. The Aharonov-Bohm effect for an exciton. APS Ann. Meeting (March 20-24, 2000 Minneapolis, MN) V28.002.

183. Y.Aharonov, D.Bohm. Significance of electromagnetic potentials in the quantum theory. Phys. Rev. 115, 485 (1959).

184. M.Bayer, M.Korkusinski, P.Hawrylak, T.Gutbrod, M.Michel, A.Forchel. Optical Detection of the Aharonov-Bohm Effect on a Charged Particle in a Nanoscale Quantum Ring. Phys. Rev. Lett. 90, 186801 (2003).

185. A.O.Govorov, S.E.Ulloa, K.Karrai, R.J.Warburton. Polarized excitons in nanorings and the optical Aharonov-Bohm effect. Phys. Rev. B. 66, 081309(R) (2002).

186. Э.Н.Богачек, И.В.Криве. Осцилляции Ааронова-Кашера в мезоскопиче-ских магнитных кольцах. Письма в ЖЭТФ 54, 506 (1991).

187

. Y.Aharonov, A.Casher. Topological quantum effects for neutral particles. Phys. Rev. Lett. 53, 319 (1984).

188. И.А.Карпович, Д.О.Филатов. Диагностика гетероструктур с квантовыми ямами методом спектроскопии конденсаторной фотоэдс. ФТП 30, 1745 (1996).

189. L.Bergmann. Phys. Zeitschrift. 33, 209 (1932).

190. И.А.Карпович, В.Я.Алешкин, А.В.Аншон, Т.С.Бабушкина, Б.Н.Звонков, И.Г.Малкина. Фотоэлектрические свойства эпитаксиальных гетероструктур GaAs/InGaAs с квантовой ямой. ФТП, 24, 2172 (1990).

191. И.А.Карпович, В.Я.Алешкин, А.В.Аншон, Т.С.Бабушкина, Б.Н.Звонков, И.Г.Малкина. Фотоэлектронные явления в слоях GaAs с встроенной на поверхности квантовой гетероямой. ФТП 26, 1886 (1992).

192. V.Ya.Aleshkin, B.N.Zvonkov, I.G.Malkina, E.R.Lin'kova, I.A.Karpovich,

D.O.Filatov. Photoconductivity and capacitive photovoltage in GaAs/InAs quantum dot heterostructures. Proc. 23th Int. Conf. Phys. Semicond. (Berlin, Germany, July 1996) Singapore: World Scientific, 1996. Vol. 2, p. 1397.

193. J.A.Barker, E.P.O'Reilly. Theoretical analysis of electron-hole alignment in InAs-GaAs quantum dots. Phys. Rev. В 61, 13840 (2000).

194. P.W.Fry, I.E.Itskevich, D.J.Mowbray, M.S.Skolnick, J.J.Finley, J.A.Barker,

E.P.O'Reilly, L.R. Wilson, I.A.Larkin, P.A.Maksym, M.Hopkinson, M.Al-Khafaji, J.P.R.David, A.G.Gullis, G.Hill, J.C.Clark. Inverted electron-hole alignment in InAs-GaAs self-assembled quantum dots. Phys. Rev. Lett., 84, 733 (2000).

195. P.W.Fry, I.E.Itskevich, S.R.Parnell, J.J.Finley, L.R.Wilson, K. L. Schumacher, D.J.Mowbray, M.S.Skolnick, M.Al-Khafaj, A.G.Cullis, M.Hopkinson, J.C.Clark, G.Hill. Photocurrent spectroscopy of InAs/GaAs self-assembled quantum dots. Phys. Rev. В 62, 16784 (2000).

196. F.Findes, M.Baier, E.Beham, A Zrenner, G Abstreiter. Photocurrent and photoluminescence of a single self-assembled quantum dot in electric field. Appl. Phys. Lett. 78, 2958 (2001).

197. D.Bimberg. N.Ledentsov. Quantum dots: lasers and amplifiers. J. Phys.: Condens. Matter 15, R1063 (2003).

198. R.L.Sellin, Ch.Ribbat, M.Grundmann, N.N.Ledentsov, D.Bimberg. Close-to-ideal device characteristics of high-power InGaAs/GaAs quantum dot lasers. Appl. Phys. Lett. 78, 1207 (2001).

199. Л.В.Асрян, Р.А.Сурис. Теория пороговых характеристки полупроводникового лазера на квантовых точках. ФТП 38, 3 (2004).

200. Quantum Dots: a Doorway to Nanoscale Physics. Ed. by W.D.Heiss. Springer, 2005.

201. Single Quantum Dots: Fundamentals, Applications, and New Concepts. Ed. by P.Michler. Springer, 2004.

202. J.Szafraniec, S.Tsao, W.Zhang, H.Lim, M.Taguchi, A.A.Quivy, B.Movaghar, M.Razeghi. High-detectivity quantum-dot infrared photodetectors grown by metalorganic chemical-vapor deposition. Appl. Phys. Lett. 88, 121102 (2006).

203. M.D.Kim, A.G.Choo, T.I.Kim, S.S.Ko, D.H.Baek, S.C.Hong. Normal incidence infrared photoconductor of self-assembled InAs quantum dots in modulation doped AlGaAs/GaAs heterostructures. J. Cryst. Growth 227-228, 1162 (2001).

204. J.S.Nig, H.Y.Liu, M.J.Steer, M.Hopkinson, J.P.R.David. Photoluminescence beyond 1.5 цт from InAs quantum dots. Microel. J. 37, 1468 (2006).

205. K.Nishi, H.Saito, S.Sugou, J.-S.Lee. A narrow photoluminescence linewidth of 21 meV at 1.35 цт from strain-reduced InAs quantum dots covered by In^Gao.gAs grown on GaAs substrates. Appl. Phys. Lett. 74, 1111 (1999).

206. Б.Н.Звонков, В.В.Подольский, В.П.Лесников, С.А.Ахлестина, Л.М.Батукова, Е.Р.Демидова, Ю.Н.Дроздов, И.Г.Малкина, Д.О.Филатов, Т.Н.Янькова. Легирование GaAs в процессе МОС-гидридной эпитаксии из эрозионной лазерной плазмы. Высокочистые вещества, 1993, №4, С. 114.

207. W.G.Breiland, M.E.Coltrin, J.R.Creighton. Organometallic vapor phase epitaxy (OMVPE). Mat. Sci. Eng. R24, 241 (1999).

208. В.Я.Алёшкин, С.А.Ахлестина, Б.Н.Звонков, Н.Б.Звонков, И.Г.Малкина, Е.А.Ускова. Рост квантовых ям GaAsSb/GaAs методом МОС-гидридной эпитаксии с лазерным распылением сурьмы. Письма в ЖЭТФ. 68, 91 (1998).

209. A.A.Bukharaev, N.V.Berdunov, D.V.Ovchinnikov, K.M.Salikhov. Three-dimensional probe and surface reconstruction for Atomic Force Microscopy using deconvolution algorithm. Scanning Microscopy 12, 225 (1998).

210. Тестовый образец для ACM TCG01. Паспорт. ЗАО NT-MDT.

211. R.Leon, S.Fafard, P.G.Piva, P.G.Ruvimov, Z.Liliental-Weder. Tunable intersublevel transitions in self-forming semiconductor quantum dots. Phys. Rev. В 58, R4262 (1998).

212. J.M.Garscia, T.Mankad, P.O.Holtz, P.J.Wellman, P.M.Petroff. Electronic states tuning of InAs self-assembled quantum dots. Appl. Phys. Lett. 72, 3172 (1998).

213. Z.M.Wang, S.L.Feng, Z.D.Lu, Q.Zhao, X.P.Yang, Z.G.Chen, Z.Y.Xu, H.Z.Zheng. Annealing behavior of InAs/GaAs quantum dot structures. J. Electron. Mat. 27, (1998).

214. G.D.Lian, J. Yuan, L.M.Brown, G.H.Kim. D.A.Ritchie. Modification of InAs quantum dot structure by the growth of the capping layer. Appl. Phys. Lett. 73, 49 (1998).

215. И.А.Карпович, Д.О.Филатов, С.В.Морозов, Н.В.Байдусь, Б.Н.Звонков, Ю.Ю.Гущина. О связи спектров фотоэлектрической чувствительности и фотолюминесценции с геометрическими параметрами слоя квантовых точек в гетероструктурах InAs/GaAs. Известия РАН: Сер. физ. 63, 313 (2000).

216.1.A.Karpovich, B.N.Zvonkov, N.V.Baidus', S.V.Tikhov, D.O.Filatov. Tuning the Energy Spectrum of the InAs/GaAs Quantum Dot Structures by Varying the Thickness and Composition of a Thin Double GaAs/InGaAs Cladding Layer // Trends in Nanotechnology Research. - Ed. Eugene V. Dirote. Nova Science, 2004. p. 173-208.

217. X.-H. Tang, Z.-Y.Yin, A.-Y.Du, J.-H.Zhao, S.Deny. MOVPE growth of InAs quantum dots for mid-IR applications. Trans. Nonferr. Met. Soc. China 16, s25 (2006).

218. Н.В.Байдусь, Б.Н.Звонков, Д.О.Филатов, Ю.Ю.Гущина, И.А.Карпович, А.В.Здоровешцев. Исследование процесса заращивания нанокластеров InAs в гетероструктурах с квантовыми точками GaAs/lnAs, полученных методом газофазной эпитаксии. Поверхность, 2000, №7, С.71.

219. A.-L. Barabasi. Self-assembled island formation in heteroepitaxial growth. Appl. Phys. Lett. 70, 2565 (1997).

220. J.M.Garcia, G.Medeiros-Ribeiro, K.Schmidt, T.Ngo, J.L.Feng, A.Lorke, J.Kotthaus, P.M.Petroff. Intermixing and shape changes during the formation of InAs self-assembled quantum dots. Appl. Phys. Lett., 71, 2014 (1997).

221. R.Rettig, W.Stolz. Atomic scale properties of interior interfaces of semiconductor heterostructures as determined by quasi-digital highly selective etching and atomic force microscopy. Physica E. 2, 277 (1998).

222. В.А.Перевощиков, В.Д.Скупов. Особенности абразивной и химической обработки поверхности полупроводников. Нижегородский государственный университет, 1992.

223. C.J.Chen. Introduction to Scanning Tunneling Microscopy. Oxford Science, 2007.

224. J. A.Kubby, J.J.Boland. Scanning Tunneling Microscopy of semiconductor surfaces. Surf. Sci. R 26, 61 (1996).

225. H.Hasegawa, T.Sawada. On the electrical properties of compound semiconductor interfaces in metaliinsulatorisemiconductor structures and the possible origin of interface states. Thin Solid Films 103, 119 (1983).

226. Б.И.Бедный, Н.В.Байдусь, Т.В.Белич, И.А.Карпович. Влияние сульфиди-рования на поверхностные состояния и фотоэлектрические свойства InP и GaAs. ФТП 26, 775 (1992).

227. P.W.Fry, J.J.Finley, L.R.Wilson, A.Lemaître, D.J.Mowbray, M.S.Skolnick, M.Hopkinson, G.Hill, J.C.Clark. Electric-field-dependent carrier capture and escape in self-assembled InAs/GaAs quantum dots. Appl. Phys. Lett. 77, 4344 (2000).

228. Z.Barticevic, M.Pacheco , A.Latge. Quantum rings under magnetic fields: Electronic and optical properties. Phys. Rev. B. 62, 6963 (2000).

229. В.М.Галицкий. Задачи по квантовой механике. Едиториал УРСС, 2001.

230. S.P.Wilks. Engineering and investigating the control of semiconductor surfaces and interfaces. J. Phys. D: Appl. Phys. 35, 77 (2002).

231. R.M.Feenstra, D.A.Kollins, T.C.McGill. Scanning Tunneling Microscopy of InAs/GaSb superlattices with various growth conditions. Superlatt. Microstruct. 15, 215(1994).

232. B.Lita, R.S.Goldman, J.D.Phillips, P.K.Bhattacharya. Interdiffusion and surface segregation in stacked self-assembled InAs/GaAs quantum dots. Appl. Phys. Lett. 75, 2797 (1999).

233. C.Bai. Scanning Tunneling Microscopy and its Application. Springer, 2000.

234. P.Offermans, P.M.Koenraad, J.H.Wolter, K.Pierz, M.Roy, P.A.Maksym. Atomic-scale structure and photoluminescence of InAs quantum dots in GaAs and AlAs. Phys. Rev В 72, 165332 (2005).

235. D.M.Bruls, J.W.A.M.Vugs, P.M.Koenraad, H.W.M.Salemink, J.H.Wolter. Determination of the shape and indium distribution of low-growth-rate InAs quantum dots by cross-sectional scanning tunneling microscopy. J. Appl. Phys. 81, 1708 (2002).

236. P.Offermans, P.M.Koenraad, R.Nôtzel, J.H.Wolter. Formation of InAs wetting layers studied by cross-sectional scanning tunneling microscopy. Appl. Phys. Lett. 87, 111903 (2005).

237. F.Pulizzi, D.Walker, A.Patane, L.Eaves, M.Henini, D.Granados, J.M.Garcia, V.V.Rudenkov, P.C.M.Christianen, J.C.Maan, P.Offermans, P.M.Koenraad, G.Hill. Excited states of ring-shaped (InGa)As quantum dots in a GaAs/(AlGa)As quantum well. Phys. Rev В 72, 310 (2005).

238. J.He, R.Notzel, P.Offermans, P.M.Koenraad, Q.Gong, G.J.Hamhuis, T.J.Eijkemans, J.H.Wolter. Formation of columnar (In,Ga)As quantum dots on GaAs (100). Appl. Phys. Lett. 85, 2771 (2004).

239. K.Suzuki, K.Kanisawa, C.Janer, S.Perraud, K.Takashina, T.Fujisawa, Y.Hirayama. Spatial imaging of two-dimensional electronic states in semiconductor quantum wells. Phys. Rev. Lett. 98, 136802 (2007).

240. В.Я.Демиховский, Д.О.Филатов. Исследование электронных состояний в низкоразмерных структурах методами сканирующей зондовой микроскопии. Нижегородский государственный университет, 2007.

241. R.M.Feenstra. Tunneling spectroscopy of the (110) surface of direct-gap III-V semiconductors. Phys. Rev. В 50, 4561 (1994).

242. R.M.Feenstra, J.A.Stroscio. Tunneling spectroscopy of the GaAs (110) surface. J. Vac. Sci. Technol. В 5, 923 (1987).

243. B.Grandidier, Y.M. Niquet, B.Legrand, J.P.Nys, C.Priester, D.Stievenard, J.M.Gerard, V. Thierry-Mieg. Imaging the wave-function amplitudes in cleaved semiconductor quantum boxes. Phys. Rev. Lett. 85, 1068 (2000).

244. С.Дэшман. Научные основы вакуумной техники. Мир, 1964.

245. Г.Э.Цырлин, В.Н.Петров, В.Г.Дубровский, Н.К.Поляков, С.Я.Типисев, А.О.Голубок, Н.Н.Леденцов. Формирование наноструктур InGaAs/GaAs методами субмонослойного напыления из молекулярных пучков. ФТП 31, 902 (1997).

246. А.В.Анкудинов, В.П.Евтихиев, В.Е.Токранов, В.П.Улин, А.Н.Титков. Нанорельеф окисленной поверхности скола решетки чередующихся гетерос-лоев Gao7Alo3As и GaAs. ФТП 33, 594 (1999).

247. В.С.Эдельман. Сканирующая туннельная микроскопия (обзор). ПТЭ, 1989, № 5, с. 25.

248. J. D. Cressler. Silicon Earth: Introduction to the Microelectronics and Nano-technology Revolution. Cambridge Univ. Press, 2009.

249. J. D. Plummer, Michael Deal and P. D. Griffin. Silicon VLSI Technology: Fundamentals, Practice, and Modeling. Prentice Hall, 2000.

250. H.Zimmermann. Silicon Optoelectronic Integrated Circuits. Springer, 2010.

251. F.Bachmann, P.Loosen, R.Poprawe. High Power Diode Lasers. Springer, 2007.

252. III-V Compound Semiconductors: Integration with Silicon-Based Microelectronics. Eds: T. Li, M. Mastro, A. Dadgar. CRC Press, 2010.

253. H.Foell, M.Christophersen, J.Carstensen, G.Hasse. Formation and application of porous silicon. Mat. Sci, Eng. R 39, 93 (2002).

254. A.G. Cullis, L.T. Canham, P.D.J. Calcott. The structural and luminescence properties of porous silicon. Appl. Phys. Lett. 82, 909 (1997).

255. O.Bisi, S. Ossicini, L.Pavesi. Porous silicon: a quantum sponge structure for silicon based optoelectronics. Surf. Sci. R138, 1 (2000).

256. L Pavesi, G,Panzarini, L.C.Andreani. All-porous silicon-coupled microcavities: Experiment versus theory. Phys. Rev. В 58, 15794 (1998).

257. E.Desurvire. Erbium-Doped Fiber Amplifiers: Principles and Applications. Wiley, 1994.

258. F.Priolo, G.Franzo, A.Carnera. Excitation and nonradiative deexcitation processes of Er3+ in crystalline Si. Phys. Rev. В 57, 4443 (1998).

259. В.Б.Шмагин, Б.А.Андреев, А.В.Антонов, З.Ф.Красильник, В.П.Кузнецов, О.А.Кузнецов, Е.А.Ускова, C.A.J.Ammerlaan, G.Pensl. Электрически активные центры в светоизлучающих слоях Si:Er, полученных методом сублимационной молекулярно-лучевой эпитаксии. ФТП 36, 178 (2002).

260. N.Q.Vinh, H.Przybylinska, Z.F.Krasil'nik, T.Gregorkiewicz. Optical properties of a single type of optically active center in Si/Si:Er nanostructures. Phys. Rev. В 70, 115332 (2004).

261. J.Palm, F.Gan, B.Zheng, J.Michel, L.C.Kimerling. Electroluminescence of erbium-doped silicon. Phys. Rev. В 54, 17603 (1996).

339

262. В.Б.Шмагин, Д.Ю.Ремизов, З.Ф.Красильник, В.П.Кузнецов,

B.Н.Шабанов, JT.B. Красильникова, Д.И.Крыжков, М.Н.Дроздов. Влияние характера пробоя /»-«-перехода на интенсивность и эффективность возбужде-

Л I

ния электролюминесценции ионов ErJ в эпитаксиальных слоях Si:Er, полученных методом сублимационной молекулярно-лучевой эпитаксии. ФТТ 46, 110(2004).

263. М.В. Степихова, Д.М.Жигунов, В.Г.Шенгуров, В.Ю.Тимошенко, Л.В.Красильникова, В.Ю.Чалков, С.П.Светлов, О.А.Шалыгина, П.К.Кашкаров, З.Ф.Красильник. Инверсная населенность уровней энергии ионов эрбия при передаче возбуждения от полупроводниковой матрицы в структурах на основе кремния/германия. Письма в ЖЭТФ 81, 614 (2005).

264. Л.В.Красильникова, М.В.Степихова, Ю.Н.Дроздов, М.Н.Дроздов, З.Ф.Красильник, В.Г. Шенгуров, В.Ю.Чалков, С.П.Светлов, О.Б.Гусев. Анализ коэффициента усиления и исследование люминесцентных свойств гете-роструктур Si/Si 1 _Л-СеY:Er/S i, полученных методом сублимационной молеку-лярно-лучевой эпитаксии в газовой фазе. ФТТ 47, 90 (2005).

265. В.П.Кузнецов, Д.Ю.Ремизов, В.Б.Шмагин, К.Е.Кудрявцев, В.Н.Шабанов,

C.В.Оболенский, О.В.Белова, М.В.Кузнецов, А.В.Корнаухов, Б.А.Андреев, З.Ф.Красильник. Электролюминесценция ионов эрбия в кремниевых диодных структурахp^/nVn-SKEr/n"1". ФТП 1, 1329 (2007).

266. M.L.Brongersma, A.Polman, K.S.Min, E.Boer, T.Tambo, H.A.Atwater. Tuning the emission wavelength of Si nanocrystals in Si02 by oxidation. Appl. Phys. Lett. 72, 2577(1998).

267. L.Pavesi, L.Dal Negro, C.Mazzoleni, G.Franzo, F.Priolo. Optical gain in silicon nanocrystals. Nature 408, 440 (2000).

268. D.I.Tetelbaum, O.N.Gorshkov, S.A.Trushin, D.G.Revin, D.M.Gaponova, W.Eckstein. The enhancement of luminescence in ion implanted Si quantum dots in Si02 matrix by means of dose alignment and doping. Nanotechnology 11, 295 (2000).

269. D.I.Tetelbaum, S.A.Trushin, V.A.Burdov, A.I.Golovanov, D.G.Revin, D.M.Gaponova. The influence of phosphorus and hydrogen ion implantation on the photoluminescence of Si02 with Si nanoinclusions. Nucl. Instr. Meth. В 174, 123 (2001).

270. M.Fujii, Y.Yamaguchi, Y.Takase, K.Ninomiya, S.Hayashi. Control of photoluminescence properties of Si nanocrystals by simultaneously doping n- and /Муре impurities. Appl. Phys. Lett. 85, 1158 (2004).

271. Д.И.Тетельбаум, И.А.Карпович, М.В.Степихова, В.Г.Шенгуров, К.А.Марков, О.Н. Горшков. Особенности фотолюминесценции в Si02 с на-новключениями кремния, полученными методом ионной имплантации. Поверхность 1998, №5, С.31.

272. Е.И.Зорин, П.В.Павлов, Д.И.Тетельбаум. Ионное легирование полупроводников. М.: Энергия, 1975.

273. Н.А.Соболев, А.М.Емельянов, В.В.Забродский, Н.В.Забродская, В.Л.Суханов, Е.И.Шек. Кремниевые светодиоды с дислокационной люминесценцией при комнатной температуре, изготовленные имплантацией ионов эрбия и газофазного осаждения поликристаллических слоев кремния, сильно легированных бором и фосфором. ФТП 41, 635 (2007).

274. V.Kveder, M.Kittler, W.Schroter. Recombination activity of contaminated dislocations in silicon: A model describing electron-beam-induced current contrast behavior. Phys. Rev. В 63, 115208 (2001).

275. S.Binetti, S.Pizzini, E.Leoni, R.Somaschini, A.Castaldini, A.Cavallini. Optical properties of oxygen precipitates and dislocations in silicon. J. Appl. Phys. 92, 2437 (2002).

276. M.Nakamura, S.Nagai, Y.Aoki, H.Naramoto. Oxygen participation in the formation of the photoluminescence Ж center and the center's origin in ion-implanted silicon crystals. Appl. Phys. Lett. 72, 1347 (1998).

277. V.Kveder, M.Badylevich, E.Steinman, A.Izotov, M.Seibt, W.Schroeter. Room-temperature silicon light-emitting diodes based on dislocation luminescence. Appl. Phys. Lett. 84, 2106 (2004).

278. Г.Э.Цырлин, В.Н.Петров, В.Г.Дубровский, Ю.Б.Самсоненко, Н.К.Поляков, А.О.Голубок, С.А.Масалов, Н.И.Комяк, В.М.Устинов, А.Ю.Егоров, А.Р.Ковш, М.В.Максимов, А.Ф.Цацульников, Б.В.Воловик, А.Е.Жуков, П.С.Копьев, Н.Н.Леденцов, Ж.И.Алферов, Д.Бимберг. Гетероэпи-таксиальный рост InAs на Si: новый тип квантовых точек. ФТП 33, 1066 (1999).

279. J.Liu, X.Sun, D.Pan, X.X.Wang, L.C.Kimerling, T.L.Koch, J.Michel. Tensile-strained, n-type Ge as a gain medium for monolithic laser integration on Si Opt. Express 15, 11272 (2007).

280. J.Liu,, X.Sun, R.Camacho-Aguilera, L.C.Kimerling, J.Michel. Ge-on-Si laser operating at room temperature. Opt. Express 35, 679 (2010).

281. R.E.Camacho-Aguilera, Y.Cai, N.Patel, J.T.Bessette, M.Romagnoli, L.C. Kimerling, J.Michel. An electrically pumped germanium laser. Opt. Express 20, 13316 (2012).

282. R.A.Soref, L.Friedman. Direct-gap Ge/GeSn/Si and GeSn/Ge/Si heterostructures. Supperlatt. Microstr. 14, 189 (1993).

283. G.He, H.A.Atwater. Interband Transitions in SnxGel-x Alloys. Phys. Rev. Lett. 79, 1937(1997).

284. S.Zaima. Technology Evolution for Silicon Nanoelectronics: Postscaling Technology. Jpn. J. Appl. Phys. 52, 030001 (2013).

285. Silicon Heterostructure Handbook: Materials, Fabrication, Devices, Circuits and Applications of SiGe and Si Strained-Layer Epitaxy. Ed. J. D. Cressler. CRC Press, 2005.

286. F.Namavar, R.A.Soref. Optical waveguiding in Si/Sii_xGex/Si heterostructures. J. Appl. Phys. 70, 3370 (1991).

287. K.Suto, J.Nishizawa. Semiconductor Raman Lasers. Artech, 1994.

288. М.М.Соболев, Г.Э.Цырлин, А.А.Тонких, Н.Д.Захаров. Эффект Ваннье-Штарка в сверхрешетке квантовых точек Ge/Si. ФТП 42, 311 (2008).

289. U.König. Challenges for a Si/Ge heterodevice technology. Microelectron. Eng. 23, 3 (1994).

290. D.J.Paul, P.See, I.V.Zozoulenko, K.-F.Berggren, B.Kabius, B.Hollander, S.Mantl. Si/SiGe electron resonant tunneling diodes. Appl. Phys. Lett. 77, 1653 (2000).

291. Y.H.Xie. SiGe field effect transistors. Mat. Sci. Eng. R 25, 89 (1999).

292. C.Teichert. Self-organization of nanostructures in semiconductor heteroepitaxy. Phys. Rep. 365, 335 (2002).

293. M.Tomitori, K.Watanabe, M.Kobayashi, O.Nishikawa. STM study of the Ge growth mode on Si(001) substrates. Appl. Surf. Sci. 76-77, 322 (1994).

294. B.Voigtlander. Fundamental processes in Si/Si and Ge/Si epitaxy studied by scanning tunneling microscopy during growth. Surf. Sci. R 43, 127 (2001).

295. H. В. Востоков, И. В. Долгов, Ю. H. Дроздов, З.Ф.Красильник, Д.Н.Лобанов, Л.Д.Молдавская, А.В.Новиков, В.В.Постников, Д.О.Филатов. Однородные наноостровки Ge на Si(001). Изв. РАН: Серия физическая 63, 302 (2000).

296. M.Kastner, B.Voigtlander. Kinetically Self-Limiting Growth of Ge Islands on Si(001). Phys. Rev. Lett. 82, 2745 (1999).

297. G.Medeiros-Ribeiro, A.M.Bratkovski, T.I.Kamens, D.A.A.Ohlberg, R.S.Williams . Shape Transition of Germanium Nanocrystals on a Silicon (001) Surface from Pyramids to Domes. Science 279, 353 (1998).

298. F.M.Ross, R. M.Tromp, M.C.Reuter. Transition States Between Pyramids and Domes During Ge/Si Island Growth. Science 286, 1931 (1999).

299. H.B.Востоков, С.А.Гусев, И.В.Долгов, Ю.Н.Дроздов, З.Ф.Красильник, Д.Н.Лобанов, Л.Д.Молдавская, А.В.Новиков, В.В.Постников, Д.О.Филатов. Упругие напряжения и состав самоорганизующихся наноостровков SiGe на Si (001). ФТП 34, 8 (2000).

300. A.V.Novikov, B.A.Andreev, N.V.Vostokov, Yu.N.Drozdov, Z.F.Krasil'nik, D.N.Lobanov, L.D.Moldavskaya, A.N.Yablonskiy, M.Miura, N.Usami, Y.Shiraki, M.Ya.Valakh, N.Mesters, J.Pascual. Strain-driven alloying: effect on sizes, shape and photo luminescence of SiGe/Si(001) self-assembled islands. Mat. Sci. Eng. В 89, 62 (2002).

301. S.A.Chaparro, Y.Zhang, J.Drucker. Strain relief via trench formation in Ge/Si(100) islands. Appl. Phys. Lett. 76, 3534 (2000).

302. D.T.Tambe, V.B.Shenoy. On the energetic origin of self-limiting trenches formed around Ge/Si quantum dots. Appl. Phys. Lett. 85, 1586 (2004).

303. X.Z.Liao, J.Zou, D.J.H.Cockayne, J.Qin, Z.M.Jiang, X.Wang, R.Leon. Strain relaxation by alloying effects in Ge islands grown on Si(001). Phys. Rev. В 60, 15605 (1999).

304. Ph.Sonnet, P.C.Kelires. Physical origin of trench formation in Ge/Si(100) islands. Appl. Phys. Lett. 85, 203 (2004).

305. A.Rastelli, H. von Kanel. Surface evolution of faceted islands. Surf. Sci. Lett. 515, L493 (2002).

306. T.Merdzhanova, S.Kiravittaya, A.Rastelli, M.Stoffel, U.Denker, O.G.Schmidt. Dendrochronology of Strain-Relaxed Islands. Phys. Rev. Lett. 96, 226103 (2006).

307. В.Г.Дубровский, В.М.Устинов, А.А.Тонких, В.А.Егоров, Г.Э.Цырлин, P.Werner. Температурная зависимость морфологии ансамблей нанокластеров в системе Ge/Si(100). Письма в ЖТФ 29, 41 (2003).

308. А.А.Тонких, Г.Э.Цырлин, В.Г.Дубровский, В.М.Устинов, P.Werner. О возможностях подавления формирования dome-кластеров

при молекулярно-пучковой эпитаксии Ge на Si (100). ФТП 38, 1239 (2004).

309. F.Ratto, F.Rosei. Order and disorder in the heteroepitaxy of semiconductor nanostructures. Mat. Sci. Eng. R 70, 243 (2010).

310. Н.В.Востоков, Ю.Н.Дроздов, З.Ф.Красильник, Д.Н.Лобанов, А.В.Новиков, А.Н.Яблонский, Особенности фотолюминесценции Ge(Si)/Si(001) самоформирующихся островков, выращенных на напряженном Si|.vGev слое. ФТП 40, 343 (2006).

311. Н.В.Востоков, Ю.Н.Дроздов, З.Ф.Красильник, О.А.Кузнецов, Д.Н.Лобанов, А.В.Новиков, М.В.Шалеев. Особенности формирования Ge(Si) островков на релаксированных S i iGeA/Si(001) буферных слоях. ФТП 40, 235 (2006).

312. D.J. Paul. Si/SiGe heterostructures: from material and physics to devices and circuits. Semicond. Sci. Technol. 19, R75-R108 (2004).

313. A.B. Двуреченский, А.И. Якимов. Квантовые точки 2 типа в системе SiGe. ФТП 35, 1143 (2001).

314. А. И. Якимов, А. В. Двуреченский, Н. П. Степина, А. И. Никифоров, А. В. Ненашев. Эффекты электрон-электронного взаимодействия в оптических свойствах плотных массивов квантовых точек. ЖЭТФ 119, 3 (2001).

315. R. People, J.C. Bean. Band alignments of coherently strained Ge^Si^/Si heterostructures on (001) Ge,,Sii-y substrates. Appl. Phys. Lett. 48, 538 (1986).

316. L. Colombo, R. Resta, S. Baroni. Colombo L. Valence-band offsets at strained Si/Ge interfaces. Phys. Rev. B. 44, 5572 (1991).

317. S. Fukatsu, Y. Shiraki. Optical investigation of interwell coupling in strained Sii_AGev/Si quantum wells. Appl. Phys. Lett. 63, 2378 (1993).

318. D.C. Houghton, G.C. Aers, S.-R. Eric Yang. Type I band alignment in Sii. xGex/Si(001) quantum wells: Photoluminescence under applied [110] and [100] uniaxial stress. Phys. Rev. Lett. 75, 866 (1995).

319. M. El Kurdi, S. Sauvage, G. Fishman. Band-edge alignment of SiGe/Si quantum wells and SiGe/Si self-assembled islands. Phys. Rev. В 73, 195327 (2006).

320. В. Г. Шенгуров. Молекулярно-лучевая эпитаксия кремния, стимулированная ионным облучением.: Дисс. док. физ.-мат. наук. Н. Новгород, 2003.

321. JT.K. Орлов, А.В. Потапов, С.В. Ивин. Особенности кинетики роста слоев твёрдого раствора кремний-германий из силана и германа при наличии в вакуумной камере дополнительного нагретого элемента. ЖТФ 70, 102 (2000).

322. Г. А. Максимов, 3. Ф. Красильник, Д. О. Филатов и др. Фотоэлектрические свойства и электролюминесценция p—i—n диодов на основе гетерострук-тур с самоорганизованными нанокластерами SiGe/Si. ФТТ 47, 26 (2005).

323. С. Teichert. Self-organization of nanostructures in semiconductor heteroepitaxy. Phys. Rep. 365, 335 (2002).

324. T.I. Kamins, G. Medeiros-Ribeiro, D.A.A. Ohlberg. Evolution of Ge islands on Si(001) during. J. Appl. Phys. 85, 1159 (1999).

325. S.H. Li, S.W. Chung, J.K. Rhee. Gas-source molecular-beam epitaxy using Si2H6 and GeH4 and X-ray characterization of Si,_A.Gex (0 < x < 0.33) alloys. J. Appl. Phys. 71,4916(1992).

326. K. Inoue, K. Ohtaka. Photonic crystals: physics, fabrication and applications. Springer, 2004.

327. Nanostructured and advanced materials for applications in sensor, optoelectronic and photovoltaic technology / Eds. A. Vaseashta, D. Dimova-Malinovska, J.M. Marshall. Springer, 2008.

328. S. Fahr, C. Rockstuhl, F. Lederer. Engineering the randomness for enhanced absorption in solar cells. Appl. Phys. Lett. 92, 171114 (2008).

329. S.A. Chaparro, Y. Zhang, J. Drucker. Strain relief via trench formation in Ge/Si(100) islands. Appl. Phys. Lett. 76, 3534 (2000).

330. Ph. Sonnet, P.C. Kelires. Physical origin of trench formation in Ge/Si(100) islands. Appl. Phys. Lett. 85, 203 (2004).

331. M. Zinke-Allmang, M. L. Feldman, С. H. Grabow. Clustering on surfaces. Surf. Sci. Rep., 16, 377 (1992).

332. M. Goryll, L. Vescan, H. Liith. Bimodal distribution of Ge islands on Si(001) grown by LPCVD. Mat. Sci. Eng. B. 69-70, 251 (2000).

333. X.-H. Tang, Z.-Y. Yin, A.-Y. Du, J.-H. Zhao, S. Deny. MOVPE growth of InAs quantum dots for mid-IR applications. Trans. Nonferr. Metals Soc. China 16, s25 (2006).

334. М.Я. Валах, Р.Ю. Голиней, B.H. Джаган. Спектроскопия комбинационного рассеяния света и электроотражение самоорганизованных SiGe-наноостровков, сформированных при различных температурах. ФТТ 47, 54 (2005).

335. G.A.Maximov, Z.F.Krasil'nik, A.V.Novikov, V.G.Shengurov, D.O.Filatov. D.E.Nikolitchev, V.F.Dryakhlushin, K.P.Gaikovich. Composition Analysis of Single SiGe/Si Nanoclusters by Scanning Auger Microscopy //Nanophysics, Nanoclusters, and Nanodevices, Ed. Kimberly S. Gehar / Nova Science, New York, 2006. - pp. 87-123.

336. R.H. Webb. Confocal optical microscopy. Rep. Prog. Phys. 59, 427 (1996).

337. J. Grônen, R.Carles, S.Christiansen. Phonons as probes in self-organized SiGe islands. Appl. Phys. Lett. 71, 3856 (1997).

338. J.S. Reparaz, A. Bernardi, A.R. Goni. Composition dependence of the phonon strain shift coefficients of SiGe alloys revisited. Appl. Phys. Lett. 92, 1909 (2008).

339. J.S. Reparaz, A.R. Goni, A. Bernardi. Measurement of phonon pressure coefficients for a precise determination of deformation potentials in SiGe alloys. Phys. Stat. Solidi (b) 246, 548 (2008).

340. Д.О.Филатов, М.В.Круглова, М.А.Исаков, З.Ф.Красильник, Д.Н.Лобанов, А.В.Новиков. Исследование фотоэлектрических свойств гетероструктур GeSi/Si с самоформирующимися нанокластерами методом спектроскопии фо-тоЭДС на барьере полупроводник/электролит. Поверхность: рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. 2006. №2. С. 40.

341. T.Engel. The interaction of molecular and atomic oxygen with Si(100) and Si(l 11). Surf. Sci. Rep. 18, 93 (1993).

342. F. K. le Goues, R.Rosenberg, T.Nguyen, F.Himpsel, B.S.Meyerson. Oxidation studies of SiGe. J. Appl. Phys. 65, 1724 (1989).

343. В.Я. Алёшкин, H.А. Бекин. Спектры электронов и дырок и правила отбора для оптических переходов в Gei.xSix/Ge. ФТП 31, 171 (1997).