Тонкие структурные особенности напряженных гетероструктур тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 01.04.07, доктор физико-математических наук Мартовицкий, Виктор Петрович

• Мартовицкий, Виктор Петрович
• доктор физико-математических наук
• 2012

Оглавление диссертации доктор физико-математических наук Мартовицкий, Виктор Петрович

Введение

Глава 1. Методики рентгенодифракционного анализа слоистых монокристаллов и эпитаксиальных слоев на подложках (001)

Глава 2. Тонкие структурные особенности купратных ВТСП

Глава 3. Хрупко-пластическая релаксация напряжений несоответствия в эпитаксиальных слоях 81 ххОех/81(001)

Глава 4. Повышенная послеростовая диффузия в сверхрешетках с квантовыми точками Ое(

0 /л 1 г

Глава 5. Структурные особенности напряженных сверхрешеток А В и А В

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Тонкие структурные особенности напряженных гетероструктур»

Эффективность исследований в области физики твердого тела тесно связана с использованием новых и более сложных материалов, с повышением чистоты исходных веществ и с усовершенствованием методов получения монокристаллов, эпитаксиальных слоев и сверхрешеток. Например, открытие в 1986 году купратных высокотемпературных сверхпроводников (ВТСП) позволило в течение нескольких лет повысить значение температуры сверхпроводящего перехода (Тс) более чем на 110 К [Gao], тогда как после открытия явления сверхпроводимости Камерлинг-Оннесом в 1911 за следующие 75 лет значение Тс возросло менее чем на 20 К. Основной платой за такое повышение Тс стала необходимость работы со сложными соединениями. В структурах ВТСП, как правило, содержится от четырех до шести различных элементов, тогда как большинство традиционных сверхпроводников были однокомпонентными или двухкомпонентными веществами. Сложный состав купратных ВТСП и необходимость управления регулярным ансамблем точечных дефектов для возникновения квантового явления сверхпроводимости, по нашему мнению, требует совместных усилий физиков и материаловедов для достижения воспроизводимых результатов.

Дело в том, что в купратных ВТСП не выполняется условие неизменности самого материала, что было убедительно показано методами сканирующей туннельной микроскопии и спектроскопии [Fischer]. Во всех исследованных этими методами материалах были выявлены микронеоднородности размерами от одного до нескольких десятков нанометров. В настоящее время большинство исследователей сходятся в том, что физика ВТСП - это физика легированных Мотг-изоляторов [Lee]. В этой модели предпринимаются попытки описать основные свойства ВТСП процессами, происходящими в плоскостях CuCV Такой подход не может ответить на вопрос: почему в одни Мотт-изоляторы могут быть введены только дырки, а в другие - только электроны. Это можно понять при учете несоответствия длин связей в двух чередующихся вдоль оси с структурных блоков при их объединении в единую структуру ВТСП: жесткого со структурой перовскита и мягкого со структурой хлористого натрия или флюорита. То есть, при учете внутренних напряжений, величину которых можно оценить по изменению длины сильнейшей связи Cu-O(l) в яб-плоскости при приложении внешнего давления. Важная роль внутренних напряжений в явлении высокотемпературной сверхпроводимости стала еще более очевидной после исследований РеБе, принадлежащего к недавно открытому классу ВТСП на основе железа. В этом соединении отсутствует второй структурный блок и температура сверхпроводящего перехода равна всего 8 К, но при приложении внешнего давления в 36 кБар она возрастает до 37 К [Ма^аёоппа].

Возрастание внутренних напряжений является основной тенденцией в расширении диапазона свойств уже известных полупроводниковых систем. Для высокоскоростных транзисторов на основе 811.хСех/81(001) требуется введение в состав эпитаксиального слоя не менее 50% германия. Вхождение 40-50% кадмия в решетку 2п1хС(1х8е позволяет сдвинуть длину волны лазерного излучения из синей области спектра в зеленую область спектра, а 30-40% индия в Са1.х1пхАз сдвигает длину волны лазера в область 1200-1300 нм, которая имеет наименьший коэффициент поглощения в световодах. Однако введение таких концентраций легирующих элементов вынуждает выращивать структуры в метастабильной области роста, когда уже превышена равновесная критическая толщина генерации дислокаций несоответствия, но их размножения еще не происходит благодаря кинетическому барьеру. Для этого в методе молекулярно пучковой эпитаксии (МВЕ) используются все более низкие температуры роста, как можно более чистые исходные материалы и все более высокий вакуум. И, тем не менее, даже в таких условиях получения часть образцов с такой концентрацией легирующего элемента не люминесцирует или длина волны лазерного излучения сдвинута в нежелательную область.

Предельным случаем метастабильного роста является получение самоформирующихся квантовых точек (КТ), образующихся по механизму Странского-Крастанова. Рассмотрим это на примере КТ германия. Германий вблизи вершин островков имеет практически релаксированную структуру и выигрыш в упругой энергии превышает проигрыш в поверхностной энергии при потере плоского фронта роста [Tersoff 2002]. В лучших образцах этот процесс происходит без генерации дислокаций. Но концентрация германия в КТ понижается до 30-50% в зависимости от температуры выращивания. Как правило, это связывается с повышенной диффузией кремния из напряженных участков вблизи оснований островков [Sutter 1998]. Но исчерпывается ли такое понижение концентрации германия лишь ростовой фазой образования островков или оно продолжается и в процессе послеростовой диффузии? Тем более что нанесение покровного слоя кремния еще больше понижает концентрацию германия в островках, приводя к возрастанию диаметра основания островков и уплощению их вершин. С понижением температуры выращивания от 700 до 370 °С концентрация германия в КТ возрастает, но при более низких температурах 350 - 250 °С зафиксировано образование КТ вершинами вниз [Cheng], которое имеет явно диффузионную природу. И опять-таки без появления дислокаций. Поскольку диффузия германия ускоряется в присутствии вакансий [Venezuela], то вполне можно допустить, что именно вакансии ответственны за возросшую послеростовую диффузию германия.

Таким образом, в напряженных полупроводниковых гетероструктурах, выращиваемых на самых лучших в мире установках МВЕ или из паровой фазы металлоорганических соединений, можно предположить смещение центра тяжести дефектообразования от дислокаций к точечным дефектам. Это новая реальность на современном этапе развития физики твердого тела. Но исследование структурными методами тонких квантовых ям с вакансиями крайне затруднено. Во-первых, из-за малой интенсивности дифрагированного излучения, которая для ямы толщиной 56 нм на четыре порядка меньше интенсивности пика подложки. А во-вторых, из-за низкой равновесной концентрации вакансий в кремнии, составляющей по разным j Л 2 оценкам около 5x10 см [Fahey], Поэтому возрастание на три-четыре порядка неравновесной концентрации вакансий не будет оказывать никакого заметного влияния на форму или интенсивность дифракционного пика от квантовой ямы. По нашему мнению, именно по этой причине, возрастание неравновесной концентрации вакансий до сих пор ускользало от внимания исследователей.

1 с 1

В то время как концентрация оборванных связей порядка 10 см и более оказывает заметное влияние на люминесцентные характеристики квантовых ям SiGe. То есть, существует разрыв примерно в два-три порядка между порогами чувствительности люминесцентных и структурных методов исследования. Выходом из этой ситуации могло бы стать применение непрямых структурных методов обнаружения повышенной концентрации вакансий, основанных на свойствах самих вакансий. А для вакансий, прежде всего, характерна повышенная диффузия, поскольку вблизи вакансии всегда есть атом, с которым она может поменяться местами, а вблизи атома германия в каждый конкретный момент времени рядом вакансии может и не быть. Другим характерным свойством вакансий является легкость их выхода на поверхность или конденсация вакансий в микропоры [Таланин]. В напряженных структурах такие микропоры могут играть роль концентраторов напряжений, приводящих к хрупкому растрескиванию образцов или к генерации дислокационных полупетель.

Целью работы является исследование эволюции структурных и физических свойств совершенных монокристаллов висмут-содержащих ВТСП и бездислокационных эпитаксиальных слоев в полупроводниковых системах х0ех/81(001), 7м | ,хС(1х8е/СаА8(001) и Са1.х1пхАз/СаА8(001) с ростом величины несоответствия в длинах связей двух структурных мотивов в ВТСП-материалах или напряжений несоответствия в полупроводниковых эпитаксиальных слоях.

Современные рентгеновские дифрактометры позволяют проводить комплексное структурное исследование монокристаллов и эпитаксиальных слоев. Светосила монохроматизированного излучения возросла почти в 20 раз без увеличения мощности рентгеновской трубки за счет применения рентгеновских зеркал, представляющих собой многослойные структуры нанесенные на параболическую поверхность. Сочетание высокой светосилы с повышением точности измерения углов до 0.0001° позволяет прописывать не только стандартные кривые качания, но и рефлектометрические кривые отражения от поверхностей с различной электронной плотностью при малых углах (0<2°), а также кривые качания в скользящей дифракции рентгеновских лучей. Традиционные методы записи кривых качания симметричных и асимметричных рефлексов для определения параметров решетки, разориентации подложки и эпитаксиального слоя дополнились записью кривых качания кристалла-анализатора, повышающего точность измерения межплоскостных расстояний и позволяющие получать в автоматическом режиме фрагменты двумерных областей обратного пространства. Возможно также получение двумерных картин и в прямом пространстве. Совокупность различных дифрактометрических методик позволяет изучать тонкие структурные особенности реального строения монокристаллов, эпитаксиальных слоев и сверхрешеток.

Каждая исследуемая в настоящей работе система имеет свои специфические структурные особенности. Конструкция дифрактометра Panalytical X'pert Pro MDR Extended с системой Prefix, не требующей дополнительной юстировки при переходе от одного метода работы к другому, позволяет дополнять и видоизменять известные методики для лучшего выявления структурных особенностей каждой конкретной системы. Поэтому в первой главе кратко описаны возможности дифрактометра Panalytical X'pert Pro MDR Extended и основные методы исследований на нем, применимые практически ко всем известным системам. А в последующих главах при структурных исследованиях каждой конкретной системы описаны также и специальные аппаратные ухищрения для выявления той или иной тонкой структурной особенности, характерной именно для этой системы.

Глава 2 посвящена исследованию влияния межслоевых напряжений на структурные особенности купратных ВТСП. Если в полупроводниковых системах напряжения несоответствия всегда принимаются в расчет, поскольку они определяют критическую толщину, выше которой генерируются дислокации несоответствия, то в области ВТСП, по нашим данным, пока ни одна из современных теорий такие напряжения не рассматривает. Хотя уровень этих напряжений равносилен применению внешнего давления от нуля до 50 кбар и изменяется на узком диапазоне концентрации носителей от 0 до р=0.2 на один атом меди [Мартовицкий 2006а]. При том, что оптимальная концентрация носителей в большинстве систем находится вблизи р=0.16 [Lee],[Talion]. То есть, при незначительном изменении концентрации носителей может заметно изменяться конфигурация дефектов, влияющих на значение Тс кристаллов. И тогда общепринятая двумерная диаграмма Тс-р на самом деле может иметь третью ось для различных дефектных конфигураций.

В главе 3 собраны косвенные доказательства о возрастании неравновесной концентрации вакансий на 4-5 порядков в напряженных слоях Sii.xGex/Si(001) (х<0.3). Система SiGe является единственной хорошо изученной полупроводниковой системой с одним типом атомов в решетке, поэтому возросшую концентрацию вакансий невозможно объяснить отклонениями от стехиометрии, как это может быть в системах А3В5 или А2В6.

В главе 4 сравниваются структурные характеристики двух примерно одинаковых сверхрешеток с КТ Ое(81), полученных в ИФМ (Нижний Новгород) на установках ШЬег и Вакеге. Послеростовое диффузионное размытие КТ меньше в образце, полученном на установке ШЬег с лучшей стабильностью испарения германия. Но диффузия в КТ, полученных из состава Sio.7Geo.3j намного меньше, чем при напылении чистого германия. Возрастание неравновесной концентрация вакансий в самоформирующейся системе КТ ве^) заметно больше, чем в эпитаксиальных слоях 81].хОех. Что позволяет привести дополнительные доказательства того, что рост сильно напряженных эпитаксиальных слоев сопровождается не только потерей плоского фронта роста, но и возрастанием неравновесной концентрации вакансий.

2 6

В главе 5 исследованы периодические структуры А В , выращенные на разориентированных на 10° от (001) в сторону (111)А подложках ваАв. Такая разориентация подложки способствует получению более гладких слоев роста и приводит к заметной поляризации лазерного излучения [Вопёагеу]. Рост напряженных эпитаксиальных слоев на разориентированной подложке приводит к моноклинной деформации решеток КЯ и барьеров в противоположных направлениях. Что использовано нами для анализа неоднородной деформации решеток КЯ. Концентрация кадмия в КЯ 2пЬхС<1х8е1у8у в периодических структурах с толстыми барьерами («200 нм) без пластической релаксации оказалась на треть меньше его концентрации над ростовой поверхностью в методе молекулярно-пучковой эпитаксии. Накопившийся кадмий в адсорбционном слое диффундирует в барьерные слои, повышая параметр решетки в слое толщиной до 100 нм в каждом барьерном слое. В КЯ Оа1.х1пхАз на подложках СаА8(001) индий также отталкивается ростовой поверхностью вплоть до начала пластической релаксации напряжений несоответствия.

Заключение диссертации по теме «Физика конденсированного состояния», Мартовицкий, Виктор Петрович

Выводы к главе 5.

2 6 3 5

В периодических структурах А В и А В наблюдается такое же отталкивание легирующей примеси с большим ионным радиусом, как и в системе 8Юе. Колоссальную диффузию кадмия из напряженных КЯ в барьеры невозможно объяснить, не допустив повышенную концентрацию точечных дефектов в подрешетке металла.

Разориентация подложек ваАв от плоскости (001) на 10° в направлении (111)А приводит к моноклинной деформации решеток КЯ и барьеров в противоположных направлениях. Разная степень моноклинной деформации решеток КЯ была использована для выявления неоднородностей в КЯ, образующейся в процессе послеростовой диффузии компонентов, а также для выявления слоев, параметр решетки которых близок к параметру решетки подложки.

Состав барьеров Zni.xMgxSei.ySy (х«20, у» 10) с параметром решетки, близким к параметру решетки арсенида галлия, нестабилен и может распадаться на две близких по составу и структуре фазы. Эффективным рентгенодифракционным методом выявления начала такого распада является сравнение интенсивностей и полуширин барьерных слоев на рефлексах (004), (006) и (117). Одним из проявлений такой нестабильности является выпадение на начальных стадиях роста барьера состава с параметром решетки, близким к параметру решетки подложки. Что выявляется на кривых качания или двумерных картинах обратного пространства, полученных в скользящей дифракции при малой глубине проникновения рентгеновских лучей в образец.

Заключение.

В настоящей работе исследованы тонкие структурные особенности напряженных гетероструктур двух типов: образующихся в процессе самосборки двух блоков различных структурных типов за счет кулоновского взаимодействия в структурах купратных ВТСП и в эпитаксиальных полупроводниковых структурах с одной и той же структурой, но с различными значениями параметров решетки. Общим свойством всех напряженных гетероструктур является стремление системы к понижению упругой энергии несоответствия, что приводит к небольшим структурным изменениям, оказывающим значительное влияние на физические свойства.

Нами была разработана методика раздельного определения компонент модуляционного вектора в монокристаллах низкотемпературной сверхпроводящей фазы В12201, которая позволила впервые выявить линейную зависимость между углом моноклинной сверхрешетки и значением Тс. Линейная зависимость между компонентами модуляционного вектора наблюдалась и в несверхпроводящих монокристаллах В12201. Это позволило нам подбирать подходящие образцы для дорогостоящих экспериментов в высоких магнитных полях по структурным параметрам и за 10 лет исследований не было обнаружено ни одного исключения. Существование линейной зависимости было объяснено возрастанием межслоевых напряжений из-за увеличения длины связи Си-0 с уменьшением концентрации носителей на один атом меди, что приводит к внедрению дополнительной порции междоузельного кислорода для частичной компенсации этих напряжений. Но получение совершенных несверхпроводящих монокристаллов В12201 становится проблематичным из-за больших межслоевых напряжений.

Легирование лантаном фазы В12201 повышает структурное совершенство кристаллов В8ЬСО в ипёегёореё области фазовой диаграммы Тс-р как раз на границе между сверхпроводящими и несверхпроводящими монокристаллами. В результате совместно с А. Крапф (Университет Гумбольда, Берлин) были получены свободным ростом в пустотах расплава совершенные как сверхпроводящие, так и несверхпроводящие монокристаллы ВБЬСО размерами в аб-плоскости до 4 мм и толщиной до 50 мкм. В них было обнаружено сосуществование моноклинной и ромбической модулированных сверхрешеток, причем в сверхпроводящих кристаллах преобладала ромбическая сверхрешетка, а в несверхпроводящих -моноклинная сверхрешетка. Это означает, что общепринятая в настоящее время двумерная диаграмма состояния Тс-р на самом деле является трехмерной, поскольку значение Тс зависит не только от концентрации носителей, но также и от регулярных дефектных конфигураций в "резервуарном" слое. С возрастанием концентрации лантана до х=0.8 было обнаружено появление подвижного междоузельного кислорода вдоль оси а, приводившего к отклонению проекции вектора модулированной сверхрешетки от оси Ъ. Это было связано нами с частичным замещением лантаном позиций висмута при возрастающих межслоевых напряжениях с уменьшением концентрации носителей в слоях Си02. Дополнительный междоузельный кислород вблизи атомов лантана в позициях висмута не имеет второй сильной связи и поэтому может покидать свои позиции.

Исследование сразу несколькими непрямыми методиками напряженных эпитаксиальных слоев 81|.хСех/81(001), выросших в метастабильной области роста, выявило существование неизвестной ранее стадии роста, характеризующейся возрастанием на несколько порядков неравновесной концентрации вакансий еще до появления дислокаций несоответствия. Конденсация вакансий в микропоры, способствующих началу хрупкого растрескивания образцов, приводит к появлению особого типа диффузного рассеяния на двумерных картинах обратного пространства асимметричных рефлексов, записанных в приближенном положении счетчика импульсов. Локализация микротрещин в образцах возможна при записи двумерных картин Х-У сканирования в прямом пространстве. С возрастанием концентрации германия при одной и той же толщине эпитаксиального слоя 81Се увеличивается степень искажения дифракционных пятен по шкале Омега на двумерных картинах вблизи симметричного рефлекса (004), появляется слабое диффузное рассеяние по обе стороны от пика слоя 8Юе и возрастает диффузия германия через границы раздела. Все наблюдаемые факты объясняются отклонениями от ламинарного вхождения германия в растущий слой с ростом напряжений несоответствия.

Периодические структуры с КТ Ое(81) и спейсерными слоями кремния, полученные при напылении нескольких монослоев германия, являются наилучшими объектами для выявления в них послеростового диффузионного размытия нижних слоев Ое(81) за время роста верхних периодов. При большой толщине эпитаксиальной структуры в образце №1184 («740 нм) на рефлектометрической кривой вклад от трех нижних слоев КТ полностью отсутствует. А при угле дифракции 29>2° основной вклад в дифракционную картины вносят только два верхних слоя. Сравнение двух примерно одинаковых сверхрешеток с 20 периодами КТ и спейсерных слоев 81, полученных в ИФМ на установках ШЬег 81УА-21 (образец №11287) и Вашего (образец №1201), показало, что диффузионное размытие КТ меньше в образце, полученном на установке ШЬег с большей стабильностью испарения германия. Парадокс заключается в том, что одиночные эпитаксиальные слои 81|.хОех (х<0.3), полученные на установке Вакеге, лучше люминесцируют, чем подобные образцы, полученные на установке ШЬег. Большее диффузионное размытие в образце №1201 наблюдалось сразу несколькими различными структурными методами. При отсутствии заметной пластической релаксации напряжений несоответствия. Это позволяет нам предполагать повышенную концентрацию неравновесных вакансий в образце №1201, конденсация которых в микропоры вызывает хрупкое растрескивание эпитаксиальной структуры. В отличие от напряженных одиночных слоев 811хСех хрупкое растрескивание не распространяется в подложку.

В образце №1290, в котором КТ образовались при напылении состава 810.7Ое0.з, заметной послеростовой диффузии не наблюдается. Это позволяет предложить комбинированный метод получения более совершенных сверхрешеток с КТ ве(81) в два этапа: первых два-три слоя КТ растить при напылении чистого германия для формирования самой структуры КТ на поверхности, а все остальные слои КТ растить из твердого раствора 8Юе.

В периодических структурах А2В6 с КЯ Zn1xCdxSe (х=0.45-0.5), выращенных методом МВЕ (Бремен, Германия), реальная средняя концентрация кадмия в КЯ толщиной 4 нм оказалась на треть меньше технологической. Не вошедший в КЯ кадмий диффундирует в барьерные слои на глубину до 100 нм, увеличивая параметр решетки у этой части барьерных слоев. Поскольку пластическая релаксация в исследованных структурах отсутствовала, то такую гигантскую диффузию кадмия можно объяснить только совместным действием повышенной концентрации точечных дефектом в плоскостях (111)а и большими межслоевыми напряжениями. В эпитаксиальных структурах А3В5 с КЯ GaixInxAs (х«0.17) также наблюдалось частичное отталкивание индия, но в меньшей степени из-за начала процесса пластической релаксации. л /

Рост напряженных периодических структур AB на подложках GaAs, разориентированных на 10° от (001) в сторону (111)А, вызывает противоположное направление моноклинизации решеток КЯ и барьеров. Это было использовано для выявления неоднородности в КЯ при совместном анализе кривых качания (444) и (444). Противоположные направления моноклинизации решеток КЯ и барьеров позволили выявить частичное разложение состава барьерных слоев Zn|.xMgxSeiySy на кривых качания и двумерных картинах рефлексов в скользящей геометрии. Нестабильность этого состава барьерных слоев выявляется также при сравнении кривых качания на рефлексах (004), (006) и (117).

Автор выражает благодарность A.B. Новикову (ИФМ, Нижний Новгород), В.И. Козловскому, И.П. Казакову (ФИАН) и А. Крапф (Университет Гумбольда, Берлин) за предоставленные образцы для исследований. Автор благодарен B.C. Багаеву за постоянный интерес к работе и ценные замечания. Особая благодарность Ю.В. Копаеву и В.М. Пудалову, без помощи которых эта работа, вероятнее всего, не была бы закончена.

Список литературы диссертационного исследования доктор физико-математических наук Мартовицкий, Виктор Петрович, 2012 год

1. A. Asbrink and L.-J. Norrby. A refinement of the crystal structure of copper (1.) oxide with a discussion of some exceptional. Acta Crystallogr., B26, 8-15 (1970).

2. D. B. Aubertine, M. A. Mander, N. Ozguven, A. F. Marshall, P. C. Mclntyre, J. O.

3. Chu, P. M. Mooney. Observation and modeling of the initial fast interdiffusion regime in Si/SiGe multilayers. J. Appl. Phys., 92, 5027-5035 (2002).

4. J. Bardeen, L. N. Cooper, and J. R. Schrieffer, Theory of Superconductivity, Phys. Rev. 108, 1175-1204(1957).

5. J.-M. Baribeau, X. Wu, N.L. Rowell and D.J. Lockwood. Ge dots and nanostructures grown epitaxially on Si. J. Phys.: Condens Matter, 18, R139-R174 (2006).

6. W.J. Bartels. Characterization of thin layers on perfect crystals with a multipurpose high resolution x-ray diffractometer. J. Vac. Sci. Technol., В 1, 338-345 (1983).

7. W.J. Bartels and W. Numan. X-ray double-crystal diffractometry of Gaj.xAlxAsepitaxial layers. J. Cryst. Growth, 44, 518-525 (1978).

8. J.C. Bean. Silicon-based semiconductor heterostructures: Column IV bandgap engineering. Proc. IEEE, 80, 571-587 (1992).

9. J.A. Bearden and J.S. Thomsen. The Double CrystalX-Ray Spectrometer:

10. Corrections, Errors, and Alignment Procedure. J. Appl. Cryst., 4, 130-138 (1971).

11. J. G. Bednorz and K. A. Muller, Possible high Tc superconductivity in the Ba-La-Cu

12. O system. Z. Physik B: Condensed Matter 64, 189-193 (1986).

13. I. Berbezier, A. Ronda. SiGe nanostructures. Surface Science Reports, 64, 47-98 (2009).

14. A.I. Beskrovnyi, S. Durcok, J. Hejtmanek, Z. Jirak, E. Pollert, I.G. Shelkova. Structural modulation, oxygen content and transport properties in Bi2 uSr ! 87CuO^+y andBi2.o5SrU4Lao.4iCu06+y superconductors. Physica C222, 375-385 (1994).

15. T.N. Blanton, C.L. Barnes, M. Lelental. The effect of X-ray penetration depth on structural characterization of multiphase Bi-Sr-Ca-Cu-O films by X-ray diffraction techniques. Physica C173, 152-158 (1991).

16. W.L. Bond. Precision Lattice Constant Determination. Acta Crystallogr., 13, 814-818(1960).

17. V.Yu. Bondarev, V.l. Kozlovsky, A.B. Krysa, J.S. Roberts, Ya.K. Skasyrsky. Scanning e- beam pumped resonant periodic gain VCSEL based on an MOVPE-grown GalnP/AlGalnP MQWstructure. J. Crystal Growth, 272, 559-563 (2004).

18. E.S. Bozin, G.H. Kwei, H. Takagi, and S.J.L. Billinge. Neutron Diffraction Evidence of Microscopic Charge Inhomogene ities in the CuÖ2 Plane of Superconducting Lü2. xSrxCu04 (0<x<0.30). Phys. Rev. Lett., 84, 5856-5859 (2000).

19. I. Bozovic, G. Logvenov, I. Belca, B. Narimbetov, and I. Sveklo. Epitaxial Strain and Superconductivity in La2.xSrxCu04 Thin Films. Phys. Rev. Lett., 89, 107001, 1-4 (2002).

20. M. Braden, P. Schweiss, G. Heger, W. Reichardt, Z. Fisk, K. Gamayunov, I. Tanaka, H. Kojima, Relation between structure and doping in Lü2-xSrxCu04+s. A neutron diffraction study on single crystals. Physica C223, 396-416 (1994).

21. H. Budin, O. Eibl, P. Pongratz and P. Skalicky. Disorder in the BiO sublattice of Bi2Sr2Can.,Cun02n+4+zphases. Physica C207, 208-224 (1993).

22. F. Bugge, U. Zeimer, M. Sato, M. Weyers, G. Trancle. MOVPE growth of highly strained InGaAs/GaAs quantum wells. J. Cryst. Growth, 183, 511-518 (1998).

23. M.K. Chai, S.F. Wee, K.P. Homewood, W. P. Gillin, T. Cloitre, R.L. Aulombard. An optical study of inter diffusion in ZnSe/ZnCdSe. Appl. Phys. Lett., 69, 1579-1581 (1996).

24. C. Chaillout, J. Chenavas, S.W. Cheong, Z. Fisk, M. Marezio, B. Morosin and J.E. Schirber. Two-phase structural refinement of Lü2CuO4 032 at 15 K. Physica, C 170, 87-94 (1990).

25. H.H. Cheng, C.T. Chia, V.A. Markov, X.J. Guo, C.C. Chen, Y.H. Peng, C.H. Kuan. A novel structure in Ge/Si epilayers grown at low temperature. Thin Solid Films, 369, 182-184 (2000).

26. S.-W. Cheong, J.D. Thompson and Z. Fisk. Properties ofLa2Cu04 and related compounds. Physica, C 158, 109-126 (1989).

27. A.L. Cornelius, S. Klotz and J.S. Schilling. Simple model for estimating the anisotropic compressibility of high temperature superconductors. Physica, C 197, 209-223 (1992).

28. A. Cullis, D. Norris, T. Walther, M. Migliorato, and M. Hopkinson. Stranski-Krastanow transition and epitaxial island growth. Phys. Rev. B 66, 081305(R) 1-4 (2002).

29. B.D. Cullity. Elements of X-ray Diffraction. 2nd ed., Addison-Wesley, Reading, p. 292 (1978).

30. A. Damascelli, Z. Hussain, Z.X. Shen. Angle-resolved photoemission studies of the cuprate superconductors. Rev. Mod. Phys., 75, 473-541 (2003).

31. A. A. Darhuber, P. Schittenhelm, V. Holy', J. Stangl, G. Bauer, G. Abstreiter. Highresolution x-ray diffraction from multilayered self-assembled Ge dots. Phys. Rev., B55, 15652-15663 (1997).

32. P. Disseix, J. Leymarie, A. Vasson, A.-M. Vasson, and C. Monier. Optical study of segregation effects on the electronic properties of molecular-beam-epitaxy grown (In, Ga)As/GaAs quantum wells. Phys. Rev., B 55, 2406-2412 (1997).

33. W. Dmowski, R.J. McQueeney, T. Egami, Y.P. Feng, S.K. Sinha, T. Hinatsu, S. Uchida. Temperature-dependent x-ray diffuse scattering from single crystals of La2-xSrxCu04. Phys. Rev., B 52, 6829-6839 (1995).

34. C.M.H. Driscoll, A.F.W. Willoughby, J.B. Mullin, B.W. Straughan. Precision lattice parameter measurement on doped gallium arsenide. Inst. Phys. Conf. Ser. #24, Chapter 5, 275-291 (1975).

35. D.J. Eagleham, E.P. Kvam, D.M. Mäher, C. J. Humphreys & J. C. Bean. Dislocation nucleation near the critical thickness in GeSi/Si strained layers. Phil. Mag., A59, 1059-1073 (1989).

36. H. Eisaki, N. Kaneko, D.L. Feng, A. Damascelli, P.K. Mang, K.M. Shen, Z.-X. Shen, and M. Greven. Effect of chemical inhomogeneity in bismuth-based copper oxide superconductors. Phys. Rev., B69, 064512, 1-8 (2004).

37. D. E. Jesson, K. M. Chem, S. J. Pennycook, T. Thundat, and R. J. Warmack. Morphological Evolution of Strained Films by Cooperative Nucleation. Phys. Rev. Lett., 77, 1330-1333(1996).

38. P.M. Fahey, P.B. Griffin, and J.D. Plummer. Point defects and dopant diffusion in silicon. Rev. Mod. Phys., 61, 289-380 (1989).

39. J.M. Fatah, P. Harrison, T. Stirner, J.H.C. Hogg, and W. E. Hagston. Double crystal x-ray diffraction simulations of diffusion in semiconductor microstructures. J. Appl. Phys., 83, 4037-4041 (1998).

40. P.F. Fewster. Probing Semiconductor MQWStructures by X-Ray Diffraction. In: Thin Film Growth Techniques for Low Dimensional Structures. NATO ASI Series B: Physics, ed. Farrow, New York: Plenum, 163, 417-440 (1987).

41. P.F. Fewster. X-ray scattering from Semiconductors. Imperial College Press, 299 p. (2003).

42. E.A. Fitzgerald. Dislocations in strained-layer epitaxy: theory, experiment, and applications. Mater. Sci. Reports, 7, 87-142 (1991).

43. R.M. Fleming, S.A. Sunshine, L.F. Schneemeyer, R.B. Van Dover, R.J. Cava, P.M. Marsh, J.V. Waszczak, S.H. Glarum, S.M. Zahurak, F.J. DiSalvo. Stoichiometry and superconductivity in single layer Bi2+xSr2.xCu06+s. Physica C173, 37-50 (1991).

44. J.A. Floro, E. Chason, S.R. Lee, R.D. Twesten, R.Q. Hwang, L.B. Freund. RealTime Stress Evolution During Si¡-xGex Heteroepitaxy: Dislocations, Islanding, and Segregation. J. Electron. Mat., 26, 969-979 (1997).

45. M. Fujita, H. Goka, K. Yamada, and M. Matsuda. Competition between Charge- and Spin-Density-Wave Order and Superconductivity in Lai g7sBao.i25-xSrxCu04. Phys. Rev. Lett., 88, 167008 1-4 (2002).

46. A. Fukuhara and Y. Takano. Determination of strain distributions from X-ray Bragg reflexion by silicon single crystals. Acta Crystallogr., A33, 137-142 (1977).

47. E.E. Fullerton, J. Pearson, S.A. Sowers, S.D. Bader, X.Z. Wu, S.K. Sinha.1.ter facial roughness of sputtered multilayers: Nb/Si. Phys. Rev., B48, 17432-17444 (1993).

48. L. Gao, Y. Y. Xue, F. Chen, Q. Xiong, R. L. Meng, D. Ramirez, C. W. Chu, J. H. Eggert, and H. K. Mao, Superconductivity up to 164 K in HgBa2Cam-jCum02m+2+d(m= 1, 2, and 3) under quas¿hydrostaticpressures. Phys. Rev., B 50, 4260-4263 (1994).

49. J.B. Goodenough. Chemical and structural relationships in high-Tc materials. Supercond. Sci. Technol., 3, 26-37 (1990).

50. Y.I. Gorina, G.A. Kaljuzhnaia, V.P. Martovitsky, V.V. Rodin and N.N. Sentjurina. Comparative study of Bi2201 single crystals grown from solution melt and in cavities formed in KCl. Solid State Commun, 108, 275-278 (1998).

51. H.-J.Gossmann, P. Asoka-Kumar, T. C. Leung, B. Nielsen, K.G. Lynn, F.C. Unterwald, L.C. Feldman. Point defects in Si thin films grown by molecular beam epitaxy. Appl. Phys. Lett., 61, 540-542 (1992).

52. Z. Guien, S. Lei, H. Yunlan, Y. Lianzeng, J. Yunbo, Z. Yuheng. The comparison of structural characteristics between 2212 and 2201 phases in the Bi-Sr-Ca-Cu-O system. Physica C212, 151-154 (1993).

53. M.A.G. Halliwell, M.H. Lyins, and M.J. Hill. The interpretation of X-ray rocking curves from III-V semiconductor device structures. J. Cryst. Growth, 68, 523-531 (1984).

54. D. Haskel, E.A. Stern, D.G. Hinks, A.W. Mitchell, J.D. Jorgensen, J.I. Budnick. Dopant and Temperature Induced Structural Phase Transition in La2.xSrxCu04. Phys. Rev. Lett., 76, 439-442 (1996).

55. R.M. Hazen and L.W. Finger. Structural Variations with Temperature. In: Comparative Crystal Chemistry. New York: John Wiley & sons, 115-146 (1982).

56. R.L. Headrick, J.-M. Baribeau. Correlated roughness in (GeJSQp superlattices on Si(100). Phys. Rev., B 48, 9174-9177 (1993).

57. M.M. Henneberg, D.A. Stevenson. Zn and Se self diffusion in ZnSe. Phys. Status Sol. B 48, 255-269(1971,).

58. N. Herres, F. Fuchs, J. Schmitz, K.M. Pavlov, J. Wagner, J.D. Ralston, P. Koidl, C. Gadaleta, G. Scamarcio. Effect of interfacial bonding on the structural and vibrational properties oflnAs/GaSb superlattices. Phys. Rev., B53, 15688-15703 (1996).

59. A. Hesse, J. Stangl, V. Holy', T. Roch, G. Bauer, O.G. Schmidt, U. Denker, B. Struth. Effect of overgrowth on shape, composition, and strain of SiGe islands on Si (001). Phys. Rev., B66, 085321, 1-8 (2002).

60. J. Hornstra and W. J. Bartels. Determination of the lattice constant of epitaxial layers of III-V compounds. J. Cryst. Growth, 44, 513-517 (1978).

61. X. R. Huang, J. Bai, M. Dudley, R. D. Dupuis, U. Chowdhury. Epitaxial tilting of GaN grown on vicinal surfaces of sapphire. Appl. Phys. Lett., 86, 211916, 1-4 (2005).

62. U. Jain, S.C. Jain and A.H. Harker. Nucleation of dislocation loops in strained epitaxial layers. J. Appl. Phys., 77, 103-105 (1995).

63. S.C. Jain, M. Willander and H. Maes. Stresses and strains in epilayers, stripes and quantum structures of III-V compound semiconductors. Semicond. Sci. Technol., 11, 641-671 (1996).

64. J.M. Jensen, A.B. Oelkers, R. Toivola, D.C. Johnson, J.W. Elam, S.M. George. X-ray Reflectivity Characterization 0fZn0/Al203 Multilayers Prepared by Atomic Layer Deposition. Chem. Mater., 14, 2276-2282 (2002).

65. D.E. Jesson, M. Kaestner, and B. Voigtlander. Direct Observation of Subcritical Fluctuations during the Formation of Strained Semiconductor Islands. Phys. Rev. Lett. 84, 330-333 (2000).

66. Y. Idemoto, H. Tokunaga, K. Fueki. Effect of La substitution on Tc and electronic structure ofBi 2201 phase. Physica C, 231, 37-49 (1994).68. {International Tables for X-Ray Crystallography. V.III, 362 p. (1983).

67. M. Itsumi, M. Tomita, M. Yamawaki, The origin of defects in Si02 thermally grown on Czochralski silicon substrates. J. Appl. Phys., 78, 1940-1943 (1995).

68. S. S. Iyer and F. K. Legoues. Thermal relaxation of pseudomorphic Si/Ge superlattices by enhanced diffusion and dislocation multiplication. J. Appl. Phys. 65, 4693-4698 (1989).

69. V.M. Kaganer and K.H. Ploog. Energies of strained vicinal surfaces and strained islands. Phys. Rev. B 64, 205301 1-14 (2001).

70. S. Kakimoto, H. Yamamoto, T. Greibe and M. Naito. New Superconducting Sr2Cu04$ Thin Films Prepared by Molecular Beam Epitaxy. Jpn. J. Appl. Phys., Part 2, 40, L127-L130 (2001).

71. Y. Kamihara, T. Watanabe, M. Hirano, and H. Hosono, J. Am. Chem. Soc. 130, 3296-3297 (2008).

72. M. Kato, T. Yoshida, Y. Ikeda, Yutaka Kitagawara. Transmission Electron Microscope Observation of' IR Scattering Defects" in As-Grown Czochralski Si Crystals. Jap. J. Appl. Phys. 35, 5597-5599 (1996).

73. T. Kegel, T.H. Metzger, J. Peisl, P. Schittenhelm, G. Abstreiter. Lateral ordering of coherent Ge islands on Si (001) studied by triple-crystal grazing incidence diffraction. Appl. Phys. Lett., 74, 2978-2980 (1999).

74. S.A. Kivelson, LP. Bindloss, E. Fradkin, V. Oganesyan, J.M. Tranquada, A. Kapitulnik and C. Howard., How to detect fluctuating stripes in the high-temperature superconductors, Rev. Mod. Phys. 75, 1201-1241 (2003)]

75. R. Koch, G. Wedler, J.J. Schulz, and B. Wassermann. Minute SiGe Quantum Dots on Si(001) by a Kinetic 3D Island Mode. Phys. Rev. Lett., 87, 136104 1-4 (2001).

76. I. Kojima and B. Li. Structural characterization of thin films by X-ray reflectivity. The Rigaku J., 16, 31-41 (1999).

77. V.I. Kozlovsky, V.P. Martovitsky. Formation of nonuniformity in ZnSe/ZnMgSSe quantum well structures during MOVPE on GaAs(0 01) misoriented by 10°to (111)A plane. PhysicaB 404, 5009-5012 (2009).

78. P. A. Lee, N. Nagaosa, X.-G. Wen. Doping a Mott insulator: Physics of high-temperature superconductivity. Rev. Mod. Phys., 78, 17-85 (2006).

79. M. Lelental, T.N. Blanton, C.L. Barne, H.J. Romanofsky. Semiquantitative assessment of2223/2212 phase homogeneity in Bi-(Pb)-Sr-Ca-Cu-0 superconducting films usingXRD techniques. Physica, C 193, 395-400 (1992).

80. H. Leligny, S. Durcok, P. Labbe, M. Ledesert and B. Raveau. X-ray Investigation on the Incommensurate Modulated Structure of Bi2 osSr/ g4Cu06s- Acta Crystallogr., B 48, 407-418(1992).

81. Y. Le Page, W.R. McKinnon, J.-M. Tarascon, P. Barboux. Origin of the incommensurate modulation of 80-K superconductor Bi2Sr2CaCu2Os 21 derived from isostructural commensurate Bi10Sri5Feio046. Phys. Rev., B40, 6810-6816 (1989).

82. J.Q. Li, C. Chen, D.Y. Yang, F.H. Li, Y.S. Yao, W.K. Wang, Z.X. Zhao. Modulated structure of the supercondicting compounds Bi2Sr2Can.Cu„Oy with n—1 and 2. Z. Phys. B-Condensed Matter, 74, 165-172 (1989)]

83. Z.Z. Li, H. Raffy, S. Bals, G. Van Tendeloo, S. Megtert. Interplay of doping and structural modulation in superconducting Bi2Sr2xLaxCu06+s. Phys. Rev., B 71, 174503, 1-7 (2005).

84. H. Lichtenberger. Kinetic and Strain-Induced Self-Organization ofSiGe Heterostructures. Ph. D. Dissertation. Johannes Kepler Universität, Linz, Austria, 1163 (2006).

85. F. Liu, J. Tersoff, and M. G. Lagally. Self-Organization of Steps in Growth of Strained Films on Vicinal Substrates. Phys. Rev. Lett., 80, 1268-1271 (1998).

86. H.Y. Liu, X.D. Wang, Y.Q. Wei, B. Xu, D. Ding, Z.G. Wang. Effects ofinter diffusion on the luminescence of InAs/GaAs quantum dots covered by InGaAs overgrowth layer. J. Cryst. Growth, 220, 216-219 (2000).

87. Q. Q. Liu, H. Yang, X. M. Qin, Y. Yu, L. X. Yang, F. Y. Li, R. C. Yu, C. Q. Jin, S. Uchida. Enhancement of the superconducting critical temperature ofSr2Cu03,sup to 95 K by ordering dopant atoms. Phys. Rev., B 74, 100506(R) 1-4 (2006).

88. J.-P. Locquet, J. Perret, J. Fompeyrine, E. Machler, J.W. Seo, G. Van Tendeloo. Doubling the critical temperature of Lai 9Sro 1Cu04 using epitaxial strain. Nature, 394, 453-456 (1998).

89. S. Lütgen, T. Marschner, W. Stolz, E.O. Göbel, L. Tapfer. Atomic incorporation efficiencies for strained (Galn)AsGa(PAs) superlattice structures grown by metalorganic vapour phase epitaxy. J. Cryst. Growth, 152, 1-13 (1995).

90. V.P. Martovitsky, Y.I. Gorina and G.A. Kaljushnaia. Improved Bi-(2201) single crystals grown in cavities formed in KCl solution-melt. Solid State Commun., 96, 893-896(1995).

91. M. Matsuda, M. Fujita, K. Yamada, R.J. Birgeneau, Y. Endoh, G. Shirane. Electronic phase separation in lightly doped La2-xSrxCu04. Phys. Rev., B 65, 134515 1-6 (2002).

92. C. Michel, M. Hervieu, M.M. Borel, A. Grondi, F. Deslandes, J. Provost and B. Raveau. Superconductivity in the Bi-Sr-Cu-O system. Z. Phys., B68, 421 (1987).

93. M. Momose, A. Taike, M. Kawata, J. Gotoh, and S. Nakatsuka. Disordering of the ZnCdSe single quantum well structure by Cd diffusion. Appl. Phys. Lett., 69, 35723574 (1996).

94. K. Muraki, S. Fukatsu, Y. Shiraki, R. Ito. Surface segregation of In atoms during molecular beam epitaxy and its influence on the energy levels in InGaAs/GaAs quantum wells. Appl. Phys. Lett., 61, 557-559 (1992).

95. H. Nagai. Structure of vapour deposited of GaxInixAs crystals. J. Appl. Phys., 45, 3789-3794 (1974).

96. T. Nagano, Y. Tomioka, Y. Nakayama, K. Kishio, and K. Kitazawa. Bulk Superconductivity in both tetragonal and orthorhombic solid solutions of (Lai. xSrx)2Cu04& Phys. Rev., B48, 9689-9696 (1993).

97. Y.I. Nesterets and V. I. Punegov. The statistical kinematical theory of X-ray diffraction as applied to reciprocal-space mapping. Acta Crystallogr., A56, 540-548 (2000).

98. M. Niwano, A. Kanai, M. Suemitsu, H. Nakamura and N. Miyamato. Effects of Refraction ofX-Rays in Double-Crystal Topography. Jpn. J. Appl. Phys., 27, 849-854 (1988).

99. S. Ono and Y. Ando. Evolution of the resistivity anisotropy in Bi2Sr2xLaxCu06vS single crystals for a wide range of hole doping. Phys. Rev., B67, 104512, 1-8 (2003).

100. M. Onoda, A. Yamamoto, E. Takayama-Muromachi, S. Takekawa. Assignment of the Powder X-Ray Diffraction Pattern of Superconductor Bi2(Sr, Ca)3.xCu2Or Jpn. J. Appl. Phys., 27, L833-L836 (1988).

101. L. Pauling. The nature of the chemical bond. New York: Cornell Univ. Press, 644 p. (I960).

102. R. People and J.C. Bean. Calculation of critical layer thickness versus lattice mismatch for GexSij.x/Si strained-layer heterostructures. Appl. Phys. Lett., 47, 322324 (1985).

103. V. Petricek, Y. Gao, P. Lee, P. Coppens. X-ray analysis of the incommensurate modulation in the 2:2:1:2 Bi-Sr-Ca-Cu-O superconductor including the oxygen atoms. Phys. Rev., B42, 387-392 (1990).

104. L. Pierre, J. Schneck, D. Morin, J.C. Toledano, J. Primot, D. Daguet and H. Savary. Role of lead substitution in the production of 110-K superconducting single-phase Bi-Sr-Ca-Cu-O ceramics. J. Appl. Phys., 68, 2296-2303 (1990).

105. X.R. Qin, B.S. Swartzentruber, and M.G. Lagally. Scanning Tunneling Microscopy Identification of Atomic-Scale Intermixing on Si(100) at Submonolayer Ge Coverages. Phys. Rev. Lett., 84, 4645-4648 (2000).

106. A. Rastelli, and H. von Kanel. Island formation and faceting in the SiGe/Si(0 01) system. Surf. Sci. 532-535, 769-773 (2003a).

107. A. Rastelli, H. von Kanel, B. J. Spencer, and J. Tersoff. Prepyramid-to-pyramid transition ofSiGe islands on Si(001). Phys. Rev. B 68, 115301 1-6 (2003b).

108. A. Rosenauer, T. Reisinger, E. Steinkirchner, J. Zweck, W. Gebchardt. High resolution transmission electron microscopy determination of Cd diffusion in CdSe/ZnSe single quantum well structures. J. Cryst. Growth, 152, 42-50 (1995).

109. G.A. Rozgonyi, P.M. Petroff and M.B. Panish. Control of lattice parameters and dislocations in the system Ga/xAlxAs ¡.yP/GaAs. J. Cryst. Growth, 27, 106-117 (1974).

110. M. Rzaev, F. Schaffler, V. Vdovin, T. Yugova. Misfit dislocation nucleation and multiplication in fully strained SiGe/Si heterostructures under thermal annealing. Materials Science in Semiconductor Processing, 8, 137-141 (2005).

111. H. Sato, M. Naito. Increase in the superconducting transition temperature by anisotropic strain effect in (001) La. 85Sr0 ¡iCu04 thin films on LaSrAl03 substrates. Physica, C 274, 221-226 (1997)]

112. A.E. Schlogl, J.J. Neumeier, J. Diederichs, C. Allgeier, J.S. Schilling and W. Yelon. Transport, structural, and magnetic properties of the single-copper-oxygen layer Bi2Sr2.xLaxCuOy system. Physica, C 216, 417-431 (1993).

113. H. Shaked, P.M. Keane, J.C. Rodriguez, F.F. Owen, R.L. Hitterman, J.D. Jorgensen. Crystal Structures of the High-Tc Superconducting Copper-Oxydes. Physica C, Elsevier Science B.V., North-Holland, p. 1-71 (1994).

114. R. D. Shannon. Revised effective ionic radii and systematic studies of interatomic distances in halides and chalcogenides. Acta Crystallographica, A 32, 751-767 (1976).

115. T.K. Sharma, B.M. Arora, S. Kumar, M. R. Gokhale. Effect of growth temperature on strain barrier for metalorganic vapor phase epitaxy grown strained InGaAs quantum well with lattice matchedInGaAsP barriers. J. Appl. Phys., 91, 5875-5881 (2002).

116. H.-E. Shin, Y.-G. Ju, H.-W. Song, D.-S. Song, II-Y. Han, J.-H. Ser, H.-Y. Ryu, Y.-H. Lee. High-finesse AlxO/AlGaAs nonabsorbing optical cavity. Appl. Phys. Lett., 72, 2205-2207(1998).

117. V.I. Simonov, L.A. Muradyan, R.A. Tamazyan, V.V. Osiko, V.M. Tatarintsev, K. Gamayumov. Distribution ofSr atoms in single crystals of (LaixSrx)2Cu04s and the superconducting transition temperature. Physica, C 169, 123-132 (1990).

118. D. Smith. Thin-Film Deposition: Principles and Practice. MacGraw-Hill, p. 1-616 (1995).

119. J.S. Song, S.H. Seo, M.H. Oh, J.H. Chang, M.W. Cho, T. Yao. Suppression of impurity interdiffusion in heteroepitaxy by inserting a low-temperature buffer layer in between the epilayer and the substrate. J. Crystal Growth, 261, 159-163 (2004).

120. V.S. Sorokin, S.V. Sorokin, V.A. Kaygorodov, S.V. Ivanov. Instability and immiscibility regions in MgxZn/ xSySe/alloys. J. Cryst. Growth, 214/215, 130-134 (2000).

121. B. J. Spencer, P. W. Voorhees, and S. H. Davis. Morphological instability in epitaxially strained dislocation-free solid films: Linear stability theory. J. Appl. Phys. 73, 4955-4970 (1993).

122. E. Spiller. Characterization of multilayer coatings by X-ray reflection. Revue Phys. Appl. 23, 1687-1700 (1988).

123. J. Stangl, V. Holy, G. Bauer. Structural properties of self-organized semiconductor nanostructures. Rev. Mod. Phys., 76, 725-783 (2004).

124. K. Stoev and K. Sakurai. Recent theoretical models in grazing incidence X-ray reflectometry. The Rigaku J., 14, 22-37 (1997).

125. M. Strasburg, M. Kuttler, U.W. Pohl, D. Bimberg. Diffusion ofCd, Mg and Sin ZnSe-based quantum well structures. Thin Solid Films, 336, 208-212 (1998).

126. I. Sunagawa. Crystals: Growth, Morphology, and Perfection. Cambridge University Press, New York, p. 295 (2005).

127. P. Sutter and M. G. Lagally. Embedding of Nanoscale 3D SiGe Islands in a Si Matrix. Phys. Rev. Lett, 81, 3471-3474 (1998).

128. P. Sutter and M. G. Lagally. Nucleationless Three-Dimensional Island Formation in Low-Misfit Heteroepitaxy. Phys. Rev. Lett, 84, 4637-4640 (2000).

129. T. Taguchi, Y. Takeuchi, K. Matugatani, Y. Ueno, T. Hattori, Y. Sugiyama and M. Tacano. Critical layer thickness of Ino.sGaojAs/Ino^AlojsAs heterostructures. J. Crystal Gtowth, 134, 147-150 (1993).

130. H. Takahashi, H. Shaked, B.A. Hunter, P.G. Radaelli, R.L. Hitterman, D.G. Hinks, and J.D. Jorgensen. Structural effects of hydrostatic pressure in orthorhombic La2. xSrxCu04, Phys. Rev., B50, 3221-3229 (1994).

131. H. Takagi, R.J. Cava, M. Marezio, B. Batlogg, J.J. Krajewcki, W.F. Peck, P. Bordet, D.E. Cox. Disappearance of Superconductivity in Overdoped La2.xSrxCu04 at a Structural Phase Boundary. Phys. Rev. Lett., 68, 3777-3781 (1992).

132. J.L. Tallon, J.W. Loram. The doping dependence ofT* what is the real high-Tc phase diagram? Physica, C 349, 53-68 (2001).

133. J.M. Tarascon, W.R. McKinnon, Y. LePage, K. Remschnig, R. Ramesh, R. Jones, G. Pleizier, G.W. Hull. Superconductivity at 27Kin modulation-free Bi2.xPbxSr2. yLayCu06phases with x^y+0.2. Physica, C172, 13-22 (1990).

134. C. Teichert. Self-organization of nanostructures in semiconductor heteroepitaxy. Physics Reports, 365, 335^132 (2002).

135. C. Teichert, Y.H. Phang, L.J. Peticolas, J.C. Bean, and J. Tersoff. Surface Diffusion: Atomistic and Collective Processes, Stress-driven morphological changes ofSiGe films grown on vicinal Si(001) substrates. Plenum Press, New York, pp. 297307 (1997).

136. J. Tersoff and F.K. LeGoues. Competing Relaxation Mechanisms in Strained Layers. Phys. Rev. Lett., 72, 3570-3574 (1994).

137. J. Tersoff, Y. H. Phang, Z. Zhang, and M. G. Lagally. Step-Bunching Instability of Vicinal Surfaces under Stress. Phys. Rev. Lett., 75, 2730-2733 (1995).

138. J. Tersoff, B. Spencer, A. Rastelli, and H. von Kanel. Barrierless Formation and Faceting ofSiGe Islands on Si(001). Phys. Rev. Lett. 89, 196104 1-4 (2002).

139. J.Z. Tischler, J.D. Budai, D.E. Jesson, G. Eres, and P. Zschack. Ordered structures in SixGe ¡.x alloy thin films. Phys. Rev., B 51, 10947-10955 (1995).

140. Y. Tokura, H. Takagi and S. Uchida. A superconducting copper oxide compound with electrons as the charge carriers. Nature 337, 345-347 (1989).

141. Tomiya, H. Okuyama, A. Ishibashi. Relation between interface morphology and recombination-enhanced defect reaction phenomena in II—VI light emitting devices. Appl. Surf. Sci., 159/160, 243-249 (2000).

142. R. M. Tromp, F. M. Ross, and M. C. Reuter. Instability-Driven SiGe Island Growth. Phys. Rev. Lett., 84, 4641-4644 (2000).

143. A.B. Vailionis, Cho, G. Glass, P. Desjardins, D. G. Cahill, and J. E. Greene. Pathway for the Strain-Driven Two-Dimensional to Three-Dimensional Transition during Growth of Ge on Si(OOl). Phys. Rev. Lett. 85, 3672-3675 (2000).

144. S.I. Vedeneev and D.K. Maude. Metal-to-insulator crossover andpseudogap in single-layer Bi2+xSr2-xCu1+y06+s single crystals in high magnetic fields. Phys. Rev., B 70, 184524, 1-11 (2004).

145. S.I. Vedeneev and D.K. Maude. Vortexlike excitations in a nonsuperconducting single-layer compound Bi2+xSr2.xCu06+s. Phys. Rev., B72, 214514 1-8 (2005).

146. P. Venezuela, G.M. Dalpian, A.J.R. da Silva, and A. Fazzio. Vacancy-mediated diffusion in disordered alloys: Ge self-diffusion in Si{.xGex. Phys. Rev., B65, 193306 1-4 (2002).

147. P. Venezuela, J. Tersoff, J. A. Floro, E. Chason, D. M. Follstaedt, Feng Liu. Self-organized growth of alloy superlattices. Nature 397, 678-681 (1999).

148. N. Wainfan, L.G. Parrat. X-Ray Reflection Studies of the Anneal and Oxidation of Some Thin Solid Films. J. Appl. Phys., 31, 1331 (I960).

149. G. Wedler, J. Walz, T. Hesjedal, E. Chilla, and R. Koch. Stress and Relief of Misfit Strain of GeyyySi(OOl). Phys. Rev. Lett. 80, 2382-2385 (1998).

150. A. A. Williams, J. M. C. Thornton, J. E. Macdonald, R. G. van Silfhout, J. F. van der Veen, M. S. Finney, A. D. Johnson, C. Norris. Strain relaxation during the initial stages of growth in Ge/Si(001). Phys. Rev., B 43, 5001-5011 (1991).

151. X.S. Wu, L. Lu, D.L. Zhang, Y. Xuan, H.J. Tao. Observation of room-temperature chemical phase segregation in overdoped Bi2Sr2CaCu208+x single crystals. Phys. Rev., B 66, 134506 1-3 (2002).

152. C. Xianhui, X. Cheng, C. Liezhao, C. Zhaojia. The influence ofPb on the stability of the Bi-type modulated structure. Physica, C 208, 38-42 (1993).

153. M. Yamada, S. Ogita, M. Yamagishi, and K. Tabata. Anisotropy and broadening of optical gain in a GaAs/AlGaAs multiquantum-well laser. IEEE. J. Quantum Electron., 21, 640-645 (1985).

154. N. Yamamoto, Y. Hirotsu, Y. Nakamura and S. Nagakura. Super space Group Analysis of the Modulated Structure in Superconductor Bi-Sr-Ca-Cu-O. Jpn. J. Appl. Phys., 28, L598-L601 (1989).

155. A. Yamamoto, E. Takayama-Muromachi, F. Izumi, T. Ishigaki, H. Asano. Rietveld analysis of the composite crystal in superconducting Bi2 +xSr2xCu06+y. Physica, C 201, 137-144(1992).

156. W.L. Yang, H.H. Wen, Y.M. Ni, J.W. Xiong, H. Chen, C. Dong, F. Wu, Y.L. Qin, Z.X. Zhao. Crystal growth and superconductivity of heavily La-doped Bi-2201 single crystals. Physica, C, 308, 294-300 (1998).

157. S.F. Yoon, K. Radhakrishnan, H.M. Li and Z.Y. Han. A photoluminescence investigation of the critical thickness in InGaAs/AlGaAs pseudomorphic structures grown by molecular beam epitaxy. Thin Solid Films, 243, 267-271 (1994).

158. H.W. Zanbergen, W.A. Groen, G. Van Tendeloo, and S. Amelinckx. HighResolution Electron Microscopy and Electron Diffraction on Bi2Sr2 xLaxCanCu1+n06+2n+s Appl. Phys. A48, 305-314 (1989).

159. H.W.Zandbergen, W.A, Groen, A. Smit and G. van Tendeloo. Structure and properties of(Bi,Pb)2Sr2(Ca,Y)Cu208+& Physica, C168, 426 (1990).

160. Zangwill, A. Physics at Surfaces. Cambridge University, Cambridge, England, pp. 454(1988).

161. H. Zhang and H. Sato. Universal Relationship between Tc and the Hole Content in p-Type Cuprate Superconductors. Phys. Rev. Lett., 70, 1697-1699 (1993a).

162. H. Zhang and H. Sato. Structural stability ofBi-based cuprates. Physica, C 214, 265-271 (1993b).

163. Q. Zhang, X. Chen. Dependence of superconducting transition temperature on oxygen content and number of Cu02 layers in mercury-based cuprates. Physica C, 282-287, 905-906 (1997).

164. M. Zhiqiang, F. Chenggao, S. Lei, Y. Zhen, Y. Li, W. Yu, Z. Yuheng. Multiple Bi2Sr2.xBaxCuOy microstructures and the effect of element doping (Ba,La,Pb) on the 2:2:0:1 phase. Phys. Rev., B 21, 14467-14475 (1993).

165. M. Zhiqiang, X. Gaojie, Z. Shuyuan, T. Shun, L. Bin, F. Chenggao, X. Cunyi, Z. Yuheng. Relation of the superstructure modulation and extra-oxygen local structural distortion in Bi2 .yPbySrL9.xLaxCuOz. Phys. Rev., B 55, 9130-9135 (1997)]

166. Акустические кристаллы. Справочник. М.: Наука, 632 с. (1982).

167. К.С. Александров, А.Т. Анистратов, Б.В. Безносиков, Н.В. Федосеева. Фазовые переходы в кристаллах галоидных соединений АВХ3. Новосибирск: Наука, 266 с. (1981).

168. Ред. С. Амелинкс, Р. Геверс, Дж. Ван Ланде Дифракционные и микроскопические методы в материаловедении. М.: Металлургия, 504 с. (1984).

169. Е.В. Антипов, A.M. Абакумов. Структурный дизайн сверхпроводников на основе сложных оксидов меди. УФН, 178, 190-202 (2008).

170. A.M. Афанасьев, П.А. Александров, P.M. Имамов. Рентгенодифракционная диагностика субмикронных слоев. М.: Наука, 152 с. (1989).

171. B.C. Багаев, B.C. Кривобок, В.П. Мартовицкий, А.И. Новиков. Распределение германия в слоях Sij.xGex (х<0.1), выращенных на подложке Si(001), в зависимости от их толщины. ЖЭТФ, 136, 1154-1169 (2009).

172. И. Божович. Эксперименты с атомарно гладкими тонкими пленками сверхпроводящих купратов: сильное электрон-фононное взаимодействие и другие сюрпризы. УФН, 178, №2, 179-190 (2008).

173. Г.Б. Бокий, Кристаллохимия. Изд-во Московского ун-та, 359 с (I960).

174. В.Ю. Бондарев, В.И. Козловский, А.Б. Крыса, Ю.М. Попов, Я.К. Скасырский. Однородность излучения лазерной ЭЛТ на основе низкоразмерной структуры GalnP/AIGalnP. Квантовая электроника, 34, 919-923 (2004).

175. В.Б. Брик. Диффузия и фазовые превращения в металлах и сплавах. Киев: Наукова думка, 232 с. (1985).

176. Е.И. Гиваргизов. Рост нитевидных и пластинчатых кристаллов из пара. М,: Наука, 304 с. (1977).

177. С.С. Горелик, Л.Н. Расторгуев, Ю.А. Скаков, Рентгенографический и электроннооптический анализ, Москва: Металлургия, 366 с. (1970).

178. Р. Д. Джеймс. Оптические принципы дифракции рентгеновских лучей. М.: Изд-во иностранной лит-ры, 572 с. (1950).

179. А. Келли, Г. Гровс. Кристаллография и дефекты в кристаллах. М.: Мир, 496 с. (1974).

180. В.И. Козловский, П.А. Трубенко, Ю.В. Коростелин, В.В. Роддатис. Распределенные брэгговские зеркала на основе ZnMgSe/ZnCdSe, полученные методом молекулярно-пучковой эпитаксии на подложках ZnSe. ФТП, 34, №10, 1237-1243 (2000).

181. O.K. Колеров, В.Г. Скрябин, М.Ф. Калышенко, А.Н. Логвинов, В.Д. Юшин. О рентгенодифрактометрическом исследовании тонкой структуры поликристаллов. Заводская лаб, 51, 46-49 (1985).

182. П.И. Кузнецов, В.П. Мартовицкий, А.Н. Печенов, С.Д. Скорбун, О.Н. Таленский. Дефекты и напряжения в пленках ZnSe, полученных их элементорганических соединений (MOCVD) на подложках (100) GaAs. Краткие сообщ. по физике, №3, 3-6 (1987).

183. Ю.Ю. Логинов, П. Д. Браун, К. Дьюроуз. Закономерности образования2 6структурных дефектов в полупроводниках А В . М.: Логос, 304 с. (2003).

184. В.П. Мартовицкий. Межслоевые напряжения в купратных ВТСПр-типа. Краткие сообщения по физике ФИАН, №5, 3-10 (2006 а).

185. В.П. Мартовицкий. Слоистое строение легированных лантаном монокристаллов Bi2201. Краткие сообщения по физике ФИАН, №5, 11-19 (2006 б).

186. В.П. Мартовицкий, В.И. Козловский, П.И. Кузнецов, Д.А. Санников.2 6

187. Самосогласованная неоднородность квантовых ям полупроводников А В . ЖЭТФ, 132, 1379-1392 (2007а).

188. В.П. Мартовицкий, А. Крапф, J1. Дюди. Существование двух типов совершенных монокристаллов Bi2Sr2-xLaxCuO<s+s. Письма в ЖЭТФ, 85, 349-353 (20076).

189. В.П. Мартовицкий, B.C. Кривобок. Хрупко-пластическая релаксация напряжений несоответствия в системе Si(001)/Sij.xGex. ЖЭТФ, 140, 330-349 (2011).

190. К. Сангвал. Травление кристаллов: Теория, эксперимент, применение. М.: Мир, 492 с. (1990).

191. Современная кристаллография. Том 3. Образование кристаллов. A.A. Чернов, Е.И. Гиваргизов, Х.С. Багдасаров и др., М.: Наука, 408 с. (1980).

192. В.И. Таланин. Взаимодействие точечных дефектов в процессе роста бездислокационных монокристаллов кремния. Материалы электронной техники, №4, 27-40 (2007).

193. Р. Фейнман. Характер физических законов. М: Наука, 160 с. (1987).

194. Р.Б. Хейман. Растворение кристаллов. Теория и практика. Ленинград: Недра, с. 272 (1979).

195. М.П. Шаскольская. Кристаллография. М.: Высшая школа, 391 с. (1976).