Термолюминесценция в полосе 2,4 ЭВ облученных анионодефектных монокристаллов оксида алюминия тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 01.04.07, кандидат физико-математических наук Вохминцев, Александр Сергеевич

• Вохминцев, Александр Сергеевич
• кандидат физико-математических наук
• 2009

Оглавление диссертации кандидат физико-математических наук Вохминцев, Александр Сергеевич

ВВЕДЕНИЕ.

ГЛАВА 1. СПЕКТРАЛЬНЫЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ

ЛЮМИНЕСЦЕНЦИИ КРИСТАЛЛОВ ОКСИДА АЛЮМИНИЯ (литературный обзор).

1.1 Атомная структура кристаллов 0AI2O3.

1.2 Абсорбционные и люминесцентные свойства кристаллов оксида алюминия.

1.2.1 Спектры оптического поглощения и фотолюминесценции.

1.2.2 Спектральный состав термолюминесценции.

1.2.3 Стационарные и время-разрешенные спектры рентгено- и катодолюминесценции.

1.3 Температурное тушение люминесценции в кристаллах а-А^Оз.

1.4 Люминесценция в полосе 2,4 эВ кристаллов оксида алюминия.

1.5 Обобщение литературных данных и постановка задач исследований.

ГЛАВА 2. ОБРАЗЦЫ, ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНАЯ УСТАНОВКА И

МЕТОДИКИ ИЗМЕРЕНИЙ.

2.1 Изготовление исследуемых образцов и их характеристики.

2.2 Измерительный комплекс для исследования термо- и фотостимулированных процессов в твердых телах.

2.3 Используемые экспериментальные методики.

2.3.1 Регистрация спектрально-температурных зависимостей люминесценции.

2.3.2 Регистрация ТЛ со спектральным разрешением.

2.4 Расчетные методы анализа термоактивационных кривых.

2.5 УФ-возбуждение и корпускулярное облучение исследуемых образцов.

2.5.1 Возбуждение УФ-светом.

2.5.2 Облучение быстрыми электронами.

2.5.3 Имплантация ионов Ti+ и Си+.

2.6 Анализ воспроизводимости и ошибок результатов измерений.

2.6.1 Анализ воспроизводимости результатов регистрирующего тракта установки.

2.6.2 Оценка температурных погрешностей для различных режимов измерений.

2.6.3 Проверка отклонений температурных параметров на нормальность распределений.

2.7 Выводы.

ГЛАВА 3. СПЕКТРАЛЬНО-КИНЕТИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ

ТЕРМОЛЮМИНЕСЦЕНЦИИ ДОЗИМЕТРИЧЕСКОГО ПИКА АНИОНОДЕФЕКТНЫХ КРИСТАЛЛОВ а-А1203.

3.1 Спектральный состав основного дозиметрического пика.

3.1.1 Спектрально-температурные зависимости.

3.1.2 Изотермические сечения трехмерных зависимостей.

3.1.3 Сравнительный анализ параметров для исследуемых полос свечения.

3.1.4 Температурные зависимости люминесценции в различных спектральных полосах.

3.2 Оценка параметров термоактивационных кривых в полосе 2,4 эВ.

3.2.1 Вариация скоростей нагрева.

3.2.2 Варьирование дозы/5-излучения.

3.3 Компенсационный эффект в термолюминесценции анионодефектных кристаллов а-АЬОз в полосе 2,4 эВ.

3.3.1 Варьирование дозы /^-излучения.

3.3.2 Вариация скоростей нагрева.

3.3.3 Сравнительный анализ для известных полос термолюминесценции.

3.4 Проявления компенсационного эффекта в термолюминесцентной кинетике.

3.4.1 Анализ уравнения первого порядка кинетики.

3.4.2 Анализ уравнения общего порядка кинетики.

3.4.3 Расчет параметров компенсационных зависимостей.

3.5 Применение развитого формализма к экспериментальным данным

3.6 Выводы.

ГЛАВА 4. ОПТИЧЕСКИЕ И ЛЮМИНЕСЦЕНТНЫЕ СВОЙСТВА

КРИСТАЛЛОВ <х-А1203 ПРИ КОРПУСКУЛЯРНОМ ОБЛУЧЕНИИ.

4.1 Облучение быстрыми электронами.

4.1.1 Спектры оптического поглощения.

4.1.2 Фотолюминесценция в полосе 2,4 эВ.

4.1.3 Термолюминесценция в полосе 2,4 эВ.

4.2 Имплантация ионами Ti+ и Си+.

4.2.1 Спектры оптического поглощения.

4.2.2 Термолюминесценция анионных центров.

4.2.3 Фотолюминесценция анионных центров.

4.3 Анализ спектров оптического поглощения облученных кристаллов оксида алюминия.

4.4 Облучение /^-излучением.

4.4.1 Анализ изменения формы ТЛ кривых в полосе 2,4 эВ после (3-облучения.

4.4.2 Дозовая зависимость ТЛ свечения в полосе 2,4 эВ.

4.5 Выводы.

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Термолюминесценция в полосе 2,4 ЭВ облученных анионодефектных монокристаллов оксида алюминия»

Актуальность темы. Собственные и примесные дефекты в значительной степени определяют механизмы радиационно-стимулированных явлений в кристаллах и их электрофизические свойства. Одним из методов исследования дефектов в твердых телах является термолюминесценция (TJI) — свечение вещества, возникающее в процессе его нагревания. Данный экспериментальный метод используется в различных областях науки и техники, в том числе в твердотельной дозиметрии ионизирующих излучений (ИИ). В частности, в УГТУ-УПИ разработаны и нашли широкое применение высокочувствительные TJI детекторы ИИ ТЛД-500К на основе анионодефектных монокристаллов а-А12Оз, выращенных или термообработанных в восстановительных условиях. Поглощенную дозу ИИ определяют по светосумме в интервале дозиметрического пика (Ттах = 450 К). Многочисленными работами установлено, что основной вклад в формирование термостимулированного свечения вносят кислородные вакансии с двумя и одним захваченными электронами: F- (3,0 эВ) и F+- (3,8 эВ) центры, соответственно.

Вместе с тем остаются нерешенными ряд важных вопросов, связанных с природой дозиметрической ловушки в анионодефектных кристаллах а-АЬОз, с механизмами свечения центров, созданных собственными и примесными дефектами, со структурой глубоких ловушек и их влиянием на TJI свойства. Изучение указанных проблем является актуальной научной задачей физики конденсированного состояния, поскольку позволяет расширить имеющиеся представления о роли дефектов кристаллической решетки в формировании оптических и люминесцентных свойств широкозонных оксидов. Полученные данные будут также полезны для практического применения, поскольку на их основе возможно улучшить качественные показатели TJI детекторов ИИ.

При регистрации TJI анионодефектных кристаллов а-А1203 с целью оценки поглощенной дозы, как правило, не делается попыток для выделения различных полос свечения. Измерение TJ1 с использованием широко- и узкополосных фильтров в ближней УФ и синей области спектра является нормой, поскольку позволяет ослабить влияние нагревателя на измерение кривых TJI и эффективно регистрировать свечение F- и Р+-центров. К сожалению, при таком способе регистрации теряется много полезной информации о люминесценции в других областях спектра, что, в свою очередь, может привести к неверным заключениям о механизмах и кинетике TJI процессов. Измерения TJI со спектральным разрешением позволяют провести детальное исследование спектра свечения кристаллов и получить информацию, полезную для более глубокого понимания основных механизмов и закономерностей TJI в анионодефектных кристаллах а-А1203.

Известно, что в кристаллах а-А1203, кроме F- и Б+-центров могут образовываться и другие центры свечения, созданные собственными дефектами: агрегаты кислородных вакансий — центры F2-rana в различном зарядовом состоянии, а также междоузельные ионы А1. Свой вклад в люминесцентные свойства вносят также неконтролируемые примеси, присутствующие в кристалле. Все вышеперечисленные типы дефектов также могут участвовать в формировании спектрального состава и кинетики TJI. Например, имеются экспериментальные-данные о термо- и фотолюминесценции (ФЛ) кристаллов оксида алюминия в зеленой области спектра, которая слабо изучена.

Цель и задачи исследования. Целью диссертационной работы является исследование в дозиметрических кристаллах о:-А1203 закономерностей TJI в полосе 2,4 эВ (зеленая область спектра), обоснование природы центров и механизмов свечения в указанной полосе.

Для достижения поставленной цели необходимо решить следующие задачи:

1. Усовершенствование экспериментального комплекса с целью повышения чувствительности измерений люминесценции в полосе 2,4 эВ при различных видах и режимах стимулирующих воздействий.

2. Исследование различными методами кинетических особенностей TJI в полосе свечения 2,4 эВ в температурном диапазоне дозиметрического пика.

3. Изучение закономерностей свечения в полосе 2,4 эВ и наведенного оптического поглощения (ОП) при различных видах облучения (быстрые электроны, ионы, /3-излучение, УФ), обоснование природы центров, ответственных за зеленую люминесценцию в облученных анионодефектных кристаллах а-А1203.

4. Исследование дозовых зависимостей TJI в полосе свечения 2,4 эВ, разработка практических рекомендаций.

Научная новизна. 1. Впервые для дозиметрических монокристаллов а-А1203 методами вариации скоростей нагрева и дозы /3-излучения получены количественные данные о параметрах кинетики TJI в полосе 2,4 эВ.

2. При облучении кристаллов се-АЬ03 быстрыми электронами и ионами, металлов получены доказательства, устанавливающие определяющую роль междоузельных катионов А1,+ в создании центров, ответственных за полосу свечения 2,4 эВ.

3. На основе комплексного исследования абсорбционных и люминесцентных свойств анионодефектных кристаллов а-АЬОз, облученных электронами и ионами, получены дополнительные доказательства, подтверждающие наличие резонансной безызлучательной передачи энергии возбуждения от F- к А1;+-центрам при регистрации TJI в полосе 2,4 эВ.

4. Обнаружена компенсационная взаимосвязь энергии активации и эффективного частотного фактора в TJI кристаллов се-А1203 в полосе свечения 2,4 эВ. Близкие значения изокинетической температуры и предэкспоненциального множителя для полос свечения F-, F+- и А1,+-центров указывают на общность термоактивационных процессов, протекающих с участием агрегатов собственных анионных и катионных дефектов.

5. Впервые в кристаллах а-А12Оз установлены количественные характеристики дозовых зависимостей параметров пика TJI в полосе 2,4 эВ при jS-облучении.

Защищаемые положения. 1. В спектре TJI анионодефектных монокристаллов а-АЬОз в интервале температур основного пика (Гтах = 450 К) присутствует полоса свечения 2,4 эВ с максимумом при Т = 470 К. Наличие указанной полосы свечения коррелирует с ОП при 4,2 эВ.

2. Доминирующее влияние на формирование закономерностей свечения в полосе 2,4 эВ оказывают термостимулированные процессы первого порядка кинетики.

3. Появление при облучении ионами (30 кэВ) в спектрах наведенного ОП полос, связанных с F- и Р2-центрами в различном зарядовом состоянии, не вызывает изменений интенсивностей TJI и ФЛ в полосе свечения 2,4 эВ, что исключает взаимосвязь указанной полосы с излучательными переходами на анионных центрах и их агрегатах.

4. При облучении кристаллов а-А1203 быстрыми электронами (10 МэВ) установлена четкая взаимосвязь между ростом интенсивности свечения в полосе 2,4 эВ и увеличением ОП при 4,2 эВ, связанных с повышением концентрации катионных дефектов Alj+, что позволяет считать интерстициальные А1;+-центры ответственными за зеленую люминесценцию исследуемых кристаллов.

5. Один из возможных механизмов ТЛ в полосе 2,4 эВ заключается в резонансной безызлучательной передаче энергии возбуждения от F- к А1;+-центрам.

6. Дозовые зависимости интенсивности и светосуммы ТЛ в полосе свечения А1{+-центров кристаллов а-А1203 при /3-облучении изменяются линейно в диапазоне 10 мкГр 1 Гр.

Практическая значимость работы. 1. Модернизированный экспериментально-измерительный комплекс может быть использован для исследований со спектральным разрешением слабо интенсивных свечений в кристаллах с собственными и примесными нарушениями при различных режимах возбуждений.

2. Обнаруженное существенное повышение интенсивности TJI в полосе свечения Р+-центров для кристаллов а-АЬОз, облученных ионами Ti+ и Си+, может быть полезно при разработке технологий их ионно-лучевой модификации.

3. Продемонстрирована возможность использования полосы свечения 2,4 эВ для целей TJI дозиметрии ИИ с высокой надежностью и достоверностью оценки поглощенной дозы в связи с отсутствием сверхлинейности дозовой характеристики в диапазоне больших доз.

Личный вклад автора. Формулирование цели и задач диссертационной работы, защищаемых положений выполнены совместно с научным руководителем. Автором самостоятельно проведена модернизация установки, все измерения, обработка экспериментальных данных, расчет кинетических параметров ТЛ, анализ результатов измерений и формулировка выводов. Интерпретация компенсационного эффекта в ТЛ исследуемых кристаллов выполнена совместно с научным консультантом. Облучение образцов быстрыми электронами проведено на микротроне М-20 УГТУ-УПИ с участием к.ф.-м.н. Ф.Г. Нешова. Ионное облучение образцов выполнено на специализированных установках Института электрофизики УрО РАН под руководством д.т.н. Н.В. Гавршюва.

Апробация работы. Основные результаты диссертации были представлены и обсуждены на следующих конференциях: 14-ой и 15-ой международных конференциях по люминесценции - ICL (Пекин, Китай, 2005; Лион, Франция, 2008); 6-й и 7-й международных конференциях по люминесцентным детекторам ионизирующего излучения - LUMDETR (Львов, Украина, 2006; Краков, Польша, 2009); 12-ой Международной конференции по фононному рассеянию в конденсированных средах - PHONONS (Париж, Франция, 2007); 4-й Международном семинаре по персональному контролю ионизирующего излучения (Оа-рай, Япония, 2008); XI Международной школе-семинаре по люминесценции и лазерной физике (Иркутск, 2008); летней школе по радиационной физике, новым материалам и информационным технологиям (Бишкек, Кыргызстан, 2008); IV Уральском семинаре «Люминесцентные материалы и твердотельные детекторы ионизирующих излучений» (Екатеринбург, 2008); Международной научно-практической конференции «Трансфер технологий, инновации, современные проблемы атомной отрасли» (Снежинск, 2006); VII, VIII, XI и XII отчетных конференциях молодых ученых ГОУ ВПО УГТУ-УПИ (Екатеринбург, 2005, 2006, 2007).

Публикации. Результаты исследований изложены в 4 статьях в рецензируемых журналах согласно перечням ВАК разных лет, 1 статье в сборнике трудов международной конференции, 12 тезисах докладов международных и российских конференций и в 2 заявках на получение патентов РФ.

Заключение диссертации по теме «Физика конденсированного состояния», Вохминцев, Александр Сергеевич

4.5 Выводы

1. Проведен сравнительный анализ полос поглощения для кристаллов оксида алюминия, облученных корпускулярным и фотонным излучением, с работами других авторов. Показано, что практически все полосы поглощения удовлетворительно согласуются по положению максимумов и полуширине независимо от вида излучения. Исключение составляют дополнительные полосы с положением максимумов в диапазоне энергий: 6,7 6,6; 3,2 3,0 и 2,2 2,1 эВ, наводимые при ионной имплантации.

2. Исследовано влияние облучения быстрыми электронами (10 МэВ) для Ф < 1,5-1018 см"2 на спектры ОП. Показано, что спектры ОП кристаллов после облучения характеризуются полосами: 6,35; 5,95; 5,40; 4,86; 4,20; 3,55; 2,78 и 2,10 эВ.

Установлено, что при увеличении электронного флюенса возрастает концентрация дефектов с полосой поглощения в области 4,2 эВ. Обнаружено, что при возбуждении квантами света с энергией 4,1 эВ кристаллов, облученных быстрыми электронами, регистрируется полоса ФЛ с энергией 2,46 эВ и полушириной 0,26 эВ.

3. Изучено влияние облучения быстрыми электронами на ТЛ в полосе 2,4 эВ. При увеличении Ф появляются дополнительные низко- (400 К) и высокотемпературные (500, 570 и 610 К) ТЛ пики. Регистрируется увеличение све

17 2 18 2 тосуммы в 4 раза при флюенсе Ф =4-10 см" и 1,3 раза при Ф = 1,5-10 см" . Анализ данных показал, что свечение в зеленой области спектра может быть связано преимущественно с А1,+-центрами.

Одновременное снижение интенсивности основного пика ТЛ в полосе

17 2

3,0 эВ (более чем на порядок) для Ф >4-10 см" и рост интенсивности данного

17 О пика ТЛ в полосе 2,4 эВ (в 2 раза) для Ф =4-10 см", а также наблюдаемый рост концентраций центров свечения F-типа при увеличении флюенса электронов подтвердили известный ранее резонансный безызлучательный механизм передачи энергии от возбужденных F- к А1;+-центрам.

4. Исследована трансформация спектров оптического поглощения и люминесценции анионодефектных кристаллов оксида алюминия, облученных ионами Ti+ и Си+. Установлено, что в результате воздействия ионных пучков, вызывающих аморфизацию приповерхностных слоев, возрастает концентрация центров вакансионного типа в кислородной подрешетке кристаллов. Обнаружено существенное изменение интенсивности ТЛ Р+-центров в облученных ионами образцах. Полученные результаты дополняют существующие представления об определяющем вкладе анионных вакансий в формирование люминесцентных свойств кристаллов се-А120з и могут быть полезны при разработке технологий их ионно-лучевой модификации.

5. При исследовании ионно-имплантированных кристаллов полоса в области 4,1 -г- 4,2 эВ в спектрах наведенного ОП отсутствует. В тоже время явно образуются полосы поглощения: 3,6; 2,6 и 2,1 эВ, относящиеся к Р2-центрам в различном зарядовом состоянии. При возбуждении в полосу 4,1 эВ свечение 2,4 эВ в спектрах стационарной ФЛ не регистрируется. ТЛ в спектральной области 2,4 эВ не изменяется. Отсутствие полосы свечения 2,4 эВ при явном наличии в спектрах ОП полос Р2-центров позволяет сделать вывод об определяющей роли А1]+-центров, ответственных за зеленую люминесценцию в ани-оннодефектных кристаллах а-А1203.

6. Для образцов с разбросом стандартной чувствительности не более 10 % исследована TJI в полосе 2,4 эВ кристаллов оксида алюминия в зависимости от дозы р-облучения в диапазоне D= 10 4- 10" Гр. Установлено, что значения параметров экспериментальных TJI кривых при дозах D < 1 Гр остаются практически постоянными: Гтах = 493 ±ЗК; <yr = 51±4KHjtig = 0,43 ±0,01. При дальнейшем росте дозы облучения (D > 1 Гр) TJI пик смещается в область низких температур, уширяется и увеличивается значение формфактора. По поведению вышеуказанных параметров можно сделать вывод, что в исследуемой полосе свечения 2,4 эВ преобладают процессы 1-го порядка кинетики.

На основе анализа изменения кинетических параметров TJI в полосе 2,4 эВ у кристаллов а-А120з при варьировании дозы /3-облучения определена пороговая доза - 1 Гр. При достижении указанной дозы и ее дальнейшем увеличении происходят существенные изменения практически всех кинетических параметров дозиметрического TJI пика в исследуемой полосе, обусловленные насыщением дозиметрических ловушек.

7. Изучены дозовые характеристики в исследуемой полосе при варьироваг л нии доз Р-излучения в диапазоне D = 10" ч- 10 Гр. Показана линейность дозо-вых зависимостей с коэффициентами линейности = 0,97 — 1,04 для светосуммы и к\ = 0,93 - 1,01 для максимальной интенсивности при D < 1 Гр. Произведена оценка параметров сверхлинейности g(D) = 1,2 и flJD) =1,3. Низкие значения указанных параметров подтверждают отсутствие участка сверхлинейности на дозовых характеристиках для исследуемой полосы. Таким образом, показана возможность использования полосы 2,4 эВ в TJI дозиметрии ионизирующих излучений в диапазоне доз /3-излучения до « 1 Гр. Преимуществом измерения дозы в полосе 2,4 эВ является отсутствие сверхлинейности дозовой зависимости.

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

Комплекс исследований, проведенных в диссертационной работе, позволил получить следующие основные результаты.

1. Выполнен анализ известных из литературы теоретических и экспериментальных данных по спектральному составу люминесценции в кристаллах се-А12Оз. Отмечено, что наряду с основными полосами свечения 3,0 и 3,8 эВ, связанными с дефектами анионной подрешетки - F- и Р+-центрами соответственно, в спектре ТЛ, присутствуют полосы люминесценции Р2-димеров в различном зарядовом состоянии (2,4 и 3,8 эВ). Люминесценция центров катионной подрешетки характеризуется свечением ионов междоузельного А1;+ (2,4 эВ), а также свечением примесных ионов Сг3+ (1,79 эВ) и Ti3+ (1,75 эВ). Совпадение полос свечения F2- и А1;+-центров (2,4 эВ) затрудняет интерпретацию механизмов люминесценции в полосе 2,4 эВ при использовании различных видов излучения и при варьировании условий измерений.

2. Анализ воспроизводимости результатов измерений показал, что в диапазоне скоростей нагрева 0,1 -г 2 К/с максимальный разброс изменения температуры равен 5 %, в области 5 10 К/с - 8,5 %, а при охлаждении - 4 % (в диапазоне скоростей 1,5 + 3,5 К/с). Разброс температур при термостатировании не более 1 %. Установлено, что распределения ошибок указанных скоростей термических воздействий и температур при термостатировании удовлетворяют нормальному закону по критерию Колмогорова-Смирнова.

3. Исследованы кривые свечения в тройных координатах («температура — длина волны — интенсивность») анионодефектных монокристаллов се-А12Оз в исходном состоянии и после возбуждения УФ излучением. В спектре свечения основного ТЛ пика в области температур 450 -т- 480 К можно выделить мало изученную и слабоинтенсивную полосу 2,4 эВ с полушириной 0,24 ± 0,08 эВ. При этом температура максимума свечения в полосе 2,4 эВ, сдвинута в высокотемпературную область примерно на 10 ч- 15 К относительно полосы 3,0 эВ.

4. Изучена кинетика TJI для анионодефектных кристаллов се-А12Оз в полосе свечения А1+-центров при вариации дозы /3-излучения в диапазоне

5 2

D = 10 ч- 10 Гр. Методом анализа формы термоактивационных кривых установлено, что температура максимума и полуширина TJI пика при дозах D < 1 Гр остаются практически постоянными. Данные факты указывают на то, что в исследуемой полосе преобладают процессы кинетики 1-го порядка. Значения формфактора fig = 0,43 ± 0,01 температурных кривых также соответствуют значениям близким к первому порядку кинетики. При дальнейшем росте дозы облучения (D > 1 Гр) пик ТЛ смещается в область низких температур, уширяется и растет значение формфактора. Кроме этого, возрастают значения порядка кинетики, достигая значений Ъ— 1,5 ч- 1,7. Эти данные свидетельствуют о наличии конкурирующего захвата носителей заряда на глубокие ловушки при высокодозном облучении кристаллов.

5. При исследовании особенностей ТЛ в полосе свечения 2,4 эВ при изменении дозы /З-излучения обнаружена компенсационная связь кинетических параметров - энергии активации ЕА и частотного фактора s". Анализ уравнения кинетики общего порядка показал, что параметр компенсационного соотношения s % зависит от многих факторов: скорости нагрева, температуры максимума ТЛ пика, энергии активации и порядка кинетики, а изокинетическая температура равна температуре максимума ТЛ пика (Г; = Гтах). Различия компенсационных зависимостей в полосе свечения 2,4 эВ для разных образцов при одинаковых условиях эксперимента обусловлены, в большей мере, отличием Гтах пиков ТЛ. На положение Ттах, в свою очередь, влияет большое число энергетических и структурных факторов.

Близость полученных значений параметров компенсационного соотношения для спектральных областей термовысвечивания 2,4; 3,0 и 3,8 эВ в температурном диапазоне 400 ч- 500 К позволила сделать вывод, что кинетика ТЛ в этом диапазоне определяется лимитирующей стадией, соответствующей распаду одной и той же электронной ловушки, однако центры рекомбинации имеют различную природу.

6. Методами оптической и люминесцентной спектроскопии исследовано

1 о влияние облучения быстрыми электронами (10 МэВ, Ф <1,5-10 см"*") на генерацию А1;+-центров в анионодефектных кристаллах а-АЬОз- При облучении быстрыми электронами регистрируется увеличение ОП в полосе 4,2 эВ, обусловленное созданием дефектов в катионной подрешетке исследуемых кри

17 2 сталлов. С увеличением флюенса электронов до Ф =4-10 см" интенсивность ТЛ пика в полосе свечения 2,4 эВ возрастает (в 2 раза). Похожий рост (примерно в 11 раз) наблюдается для ФЛ в данной полосе при возбуждении квантами света с энергией 4,1 эВ.

Анализ процессов ТЛ исследуемых кристаллов в полосах 2,4 и 3,0 эВ, а также рост концентрации А1;+-центров и центров F-типа подтвердили резонансный безызлучательный механизм передачи энергии от F- к А1*-центрам.

7. Облучение исследуемых кристаллов низкоэнергетичными ионами Ti+ и

I 17 2

Си с (30 кэВ, Ф <10 см" ) не влияет на образование Alj -центров (полоса поглощения в области 4,1 — 4,2 эВ не наблюдается). Этот факт согласуется с отсутствием изменений интенсивности ТЛ и ФЛ в полосе свечения 2,4 эВ для исследуемых Ф. В то же время из анализа спектров наведенного ОП, следует вывод о генерации при ионном облучении Рг-центров в различном зарядовом состоянии (полосы ОП: 3,6; 2,6 и 2,1 эВ). Эти факты указывают на отсутствие связи свечения в полосе 2,4 эВ с образованием агрегатных анионных дефектов.

8. Кристаллы с одинаковой чувствительностью к ионизирующему излучению отличаются различной интенсивностью свечения в полосе 2,4 эВ в результате изменений концентрации А11+-центров. Сопоставляя результаты проведенных нами исследований люминесценции кристаллов ог-А12Оз, облученных быстрыми электронами и ионами, с независимыми литературными данными, можно заключить, что за люминесценцию в полосе 2,4 эВ ответственны А1*-центры.

9. Изучены дозовые зависимости светосуммы и максимальной люминесценции TJ1 пика в полосе свечения 2,4 эВ в широком диапазоне доз /З-излучения

5 2

D = 10" -ь 10 Гр). Рассчитанные максимальные значения параметров сверхлинейности g(D) = 1,2 и J(D) =1,3 подтвердили отсутствие участка сверхлинейности на измеренных дозовых характеристиках, что повышает точность оценки поглощенной дозы в указанном диапазоне доз. Таким образом, впервые показана возможность использования полосы 2,4 эВ в TJI дозиметрии ионизирующих излучений в диапазоне доз |3-излучения до « 1 Гр.

Список литературы диссертационного исследования кандидат физико-математических наук Вохминцев, Александр Сергеевич, 2009 год

1. Ruberto С., Bulk and surface structure of alumina. Department of Applied Physics Chalmers University of Technology and Goteborg University. — Sweden, 1998.-P. 7-9.

2. Summers G.P., Thermoluminescence in single crystal a-Al203 // Radiation Protection Dosimetry. 1984. - Vol. 8, № 1/2. P. 69-80.

3. Moulson A.J., Herbert J.M.,. Electroceramics: Materials, Properties, Applications. Wiley, Chichester, UK, 2002. 2nd ed. P. 276-284.

4. Kirfel A., Eichhorn K., Accurate structure analysis with synchrotron radiation. The electron density in A1203 and Cu20, Locality: synthetic // Acta Crystallographies Section A. 1990. - Vol. 46. - P. 271-284.

5. Javier Carrasco, Jose R.B. Gomes, Francese Illas, Theoretical study of bulk and surface oxygen and aluminum vacancies in a-Al203 // Physical Review B. -2004. Vol. 69. - P. 064116-1-064116-13.

6. Draeger B.G., Summers G.P., Defects in unirradiated ce-Al203 // Physical Review B. 1979. - Vol. 19, № 2. - P. 1172-1177.

7. Lee K.H., Crawford J.H., Luminescence of the F center in sapphire // Physical Review B. 1979. - Vol. 19, № 6. - P. 3217-3221.

8. Evans B.D., Stapelbroek M., Optical properties of the F+ center in crystalline o:-A1203 // Physical Review B. 1978. - Vol. 18, № 12. - P. 7089-7098.

9. Kortov V.S., Milman I.I., Kirpa V.I., Lesz J., Some features of a-Al203: dosimetric thermoluminescent crystals // Radiation Protection Dosimetry. 1994. -Vol. 55, №4.-P. 279-283.

10. Мойжес Б.Я., Физические процессы в оксидном катоде. М.: Наука, 1968. 480 с.

11. Кортов B.C., Полежаев Ю.М., Гаприндашвили А.И., Шаляпин А.Л., Экзоэлектронная эмиссия аниондефектной двуокиси циркония // Изв. АН СССР. Сер. «Неорг. материалы». 1975. - Т. 11, № 2. - С. 257-260.

12. Kortov V.S., Role of non-stoichiometry in exoelectron oxide emission // Jap. J. Appl. Phys. 1985. - Vol. 24. - P. 65-71.

13. Мильман И.И., Термостимулированные процессы в облученных широкозонных оксидах с нарушенной стехиометрией / дисс. докт. физ.-мат. наук. 01.04.10. Екатеринбург. 1999.

14. Портнягин А.С., Нестационарные процессы и эффекты электрического поля в люминесценции кристаллов а-А1203 / дисс. канд. физ.-мат. наук. 01.04.07. Екатеринбург. 1989.

15. Сюрдо А.И., Экзоэлектронная эмиссия и люминесценция корунда с радиационными нарушениями / дисс. канд. физ.-мат. наук. 01.04.07. Екатеринбург. 1985.

16. Никифоров С.В., Особенности термостимулированной люминесценции аниондефектных монокристаллов а!-А1203 / дисс. канд. физ.-мат. наук. 01.04.07. Екатеринбург. 1998.

17. Osvay М., Biro Т., Aluminium oxide in TL dosimetry // Nucl. Instrum. Meth. 1980. - Vol. 175. - P. 60-61.

18. Akselrod M.S., Kortov V.S., Kravetsky D.J., Gotlib V.I., High sensitive thermoluminescent anion-defective A1203:C single crystal detectors // Radiation Protection Dosimetry. 1990. - Vol. 32, № 1. - p. 15-20.

19. McKeever S.W.S., Moscovitch M., Townsend P.D., Thermoluminescence dosimetry materials: properties and uses. Ashford, UK: Nuclear Technology Publishing. 1995.

20. Akselrod M. S., Kortov V. S. and Gorelova E. A. Preparation and properties of a-Al203:C // Radiation Protection Dosimetry. 1993. - Vol. 47, № 1/4. P. 159-164.

21. Кортов B.C., Мильман И.И., Сюрдо А.И., Аксельрод М.С., Афонин Ю.Д. / А.с. 1347729 СССР, МЕСИ GOIT I/II. Способ обработки вещества твердотельного детектора ионизирующих излучений на основе оксида алюминия. 1987. № 4042240/18-25; Заявл. 24.03.86.

22. Аксельрод М.С., Кортов B.C., Мильман ИИ, Мунчаев А.И., Чиркин А.П. / А.с. 1072461 СССР, МКИ GOIT 1/11. Вещество для твердотельного дозиметра. 1983. № 3472355/18-25; Заявл. 19.07.82.

23. Аксельрод М.С., Зацепин А.Ф., Кортов B.C., Мильман И.И. / А.с. 993728 СССР, МКИ GOIT I/II. Способ термической обработки вещества твердотельного детектора ионизирующих излучений на основе оксида алюминия. 1982. № 3314844/18-25; Заявл. 03.06.81.

24. Pagonis V., Chen R., Lawless J.L., A quantitative kinetic model for А12Оз:С: TL response to UV-illumination // Radiation Measurements. 2008. - Vol. 43, Iss. 2-6. - P. 175-179.

25. Sykora G.J., Salasky M., Akselrod M.S., Properties of novel fluorescent nuclear track detectors for use in passive neutron dosimetry // Radiation Measurements. 2008. - Vol. 43, Iss. 2-6. - P. 1017-1023.

26. Imatoukene D., Abdelaziz F., Mezaguer M., Lounis-Mokrani Z., Development of new system for environmental monitoring based on A1203:C detectors // Radiation Measurements. 2008. - Vol. 43, Iss. 2-6. - P. 668-671.

27. Nagabhushana K.R., Lakshminarasappa B.N., Fouran Singh, Thermolumi-nescence studies in swift heavy ion irradiated aluminum oxide // Radiation Measurements. 2008. - Vol. 43, Iss. 2-6. - P. S651-S655.

28. Bhatt B.C., Page P.S., Rawat N.S., Dhabekar B.S., Mishra D.R., Kulkarni M.S., TL, OSL and PL studies in Al203:Si,Ti phosphor // Radiation Measurements. -2008. Vol. 43, Iss. 2-6. - P. 327-331.

29. W. M. de Azevedo, G. B. de Oliveira, E. F. da Silva, H. J. Khoury, E. F. Oliveira de Jesus, Highly sensitive thermoluminescent carbon doped nanoporous aluminium oxide detectors // Radiation Protection Dosimetry. 2006. - Vol. 119, № 1-4.-P. 201-205.

30. Kortov V.S., Ermakov A.E., Zatsepin A.F., Nikiforov S.V., Luminescence properties of nanostructured alumina ceramic // Radiation Measurements. — 2008. -Vol. 43, Iss. 2-6. P. 341-344.

31. Evans B.D., A review of the optical properties of anion lattice vacancies and electrical conduction in а-А12Оз: their relation to radiation-induced electrical degradation // Journal of Nuclear Materials. 1995. - Vol. 219. - P. 202-223.

32. Вайнштейн И.А., Кортов B.C., Температурное поведение полосы 6,05 эВ в спектрах оптического поглощения кислород-дефицитного корунда // Физика твердого тела. 2000. - Т. 42, вып. 7. - С. 1223-1229.

33. Weinstein I.A., Kortov V.S., The shape and the temperature dependence of the main band in UV absorption spectra of TLD-500 dosimetric crystals // Radiation Measurements. 2001. - Vol. 33. - P. 763-767.

34. Pogatshnik G.J., Chen Y. and Evans B.D., A model of lattice defects in sapphire // IEEE trans. Nucl. Sci. 1987. - NS-34. - P. 1709-1712.

35. Springis M.J., Valbis J.A., Visible luminescence of color centres in sapphire // Phys. Stat. Sol. (b). 1984. - Vol. 123. - P. 335-343.

36. Сюрдо А.И., Кортов B.C., Мильман И.И., Особенности образования и электронная структура А1;+-центра в корунде // Укр. физ. журн. 1988. - Т. 33, №6.-С. 872-875.

37. Kortov V.S., Milman I.I., Some new data on thermoluminescence properties of dosimetric a-Al203 crystals // Radiat. Prot. Dosim. 1996. - Vol. 65, № 1-4. -P. 179-184.

38. Сюрдо А.И., Кортов B.C., Мильман И.И., Генерация агрегатных F-центров при облучении корунда быстрыми электронами // Письма в ЖТФ. — 1985. Т. 11, вып. 15. - С. 943-947.

39. Сюрдо А.И., Кортов B.C., Мильман И.И., Люминесценция F-центров в корунде с радиационными нарушениями // Оптика и спектроскопия. — 1988. — Т. 64, вып. 6. С. 1363-1366.

40. Evans B.D., Pogatshnik G.J., Chen Y., Optical properties of lattice defects in a-Al203 // Nuclear Instruments and Methods in Physics Research B. 1994. - Vol. 91.-P. 258-262.

41. Akselrod M.S., Agersnap Larsen N., Whitley V., McKeever S.W.S., Thermal quenching of F-center luminescence in а-А12Оз:С // Radiation Protection Dosimetry. 1999. - Vol. 84, № 1. - P. 39-42.

42. Vinceller S., Molnar G., Berkane-Krachai A., Iacconi P., Influence of thermal quenching on the thermostimulated processes in a;-Al203. Role of F and F+ centers // Radiation Protection Dosimetry. 2002. - Vol. 100, № 1-4. - P. 79-82.

43. Milman I.I., Kortov V.S., Nikiforov S.V., An interactive process in the mechanism of the thermally stimulated luminescence of anion-defective q:-A1203 crystals // Radiation Measurements. 1998. - Vol. 29, № 3-4. - P. 401-410.

44. Kortov V.S., Milman I.I., Nikiforov S.V., The effect of deep traps on the main features of thermoluminescence in dosimetric секАЬОз crystals // Radiation Protection Dosimetry. 1999. - Vol. 84, № 1-4. - P. 35-38.

45. Rehavi A., Kristianpoller N., Defect in X-irradiated A1203 // Phys. Stat. Sol. A. 1980.-Vol. 57.-P. 221-227.

46. Agersnap Larsen N., Botter-Jensen L., McKeever S.W.S., Thermally stimulated conductivity and thermoluminescence from A1203 :C // Radiation Protection Dosimetry. 1999. - Vol. 84, № 1. - P. 87-90.

47. Pelenyov V.E., Kortov V.S., Milman I.I., The interaction of deep traps in anion-defective a-Al203 // Radiation Measurements. 2001. - Vol. 33. - P. 629-631.

48. Yukihara E.G., Whitley V.H., Polf J.C., Klein D.M., McKeever S.W.S., Akselrod A.E., Akselrod M.S., The effect of deep trap population on the thermoluminescence of A1203:C // Radiation Measurements. 2003. - Vol. 37. - P. 627-638.

49. Орозбек уулу Аскар, Вайнштейн И.А., Слесарев А.И., Кортов B.C., Кинетические закономерности термолюминесценции в кислородно-дефицитных кристаллах оксида алюминия. // Известия вузов. Физика. — 2006. -Вып. 10, Приложение. С. 138-141.

50. Архангельский Г.А., Моргенштейн 3.JL, Неустроев В.Б., Центры окраски в кристаллах рубина // Известия АН СССР. Серия физическая. — 1968. — Т. 32. С. 2-5.

51. Грицына В.Т., Базилевская Т.А., Добровинская Е.Р., Литвинов Л.А., Пищик В.В., О закономерностях вхождения хрома в кристаллы а-А1203 // ЖПС. 1981. - Т. 35, вып. 4. - С. 742-744.

52. Bohm М., Iacconi P., Kromm K.D., Scharmann A., Low thermoluminescence and thermally stimulated conductivity of а-А1203 // Phys. Status Solidi (a) . -1994.-Vol. 146.-P. 757-764.

53. Iacconi P., Petel F., Lapraz D., Bindi R. Thermostimulated exoelectronic emission and thermoluminescence of various а-А12Оэ samples // Phys. Status Solidi (a). 1993.-Vol. 139.-P. 489-501.

54. Petel F., Iaconni P., Bindi R., Lapraz D., Breuil P., Simultaneous detection of thermostimulated luminescence and exoelectronic emission between 77 and 650

55. К: application to alpha alumina // Radiation Protection Dosimetry. 1996. - Vol. 65, № 1-4.-P. 247-250.

56. Akselrod M. S., Lucas A. C., Polf J. C., McKeever S.W.S., Optically stimulated luminescence from А12Оз:С // Radiation Measurements. 1998. - Vol. 29. P. 391-399.

57. Kortov V.S., Bessonova T.S., Akselrod M.S., Milman I.I., Hole-induced exoelectron emission and luminescence of corundum doped with Mg // Phys. Status Solidi (a).- 1985.-Vol. 87.-P. 629-639.

58. Runcinan W.A., Sapphire luminescence under X-ray excitation // Solid State Communications. 1968. - Vol. 6. - P. 537-539.

59. Кулис П.А., Рачко 3.A., Спрингис M.E., Тале И.А., Янсонс Я.Д., Ре-комбинационная люминесценция неактивированной окиси алюминия // Труды латвийского государственного университета. 1985. — С. 85-123.

60. Surdo A.I., Pustovarov V.A., Kortov V.S., Kishka A.S., Zinin E.I., Luminescence in anion-defective a-Al203 crystals over the nano-, micro- and millisecond intervals // Nuclear Instruments and Methods in Physics Research A. 2005. - Vol. 543. P. 234-238.

61. Surdo A.I., Kortov V.S., Pustovarov V.A., Yakovlev V.Ya. Transformation of the excitation energy in anion-defective corundum. // Radiation Protection Dosimetry. 2002. - Vol. 100, № 1-4.-P. 171-174.

62. Kortov V.S., Milman I.I., Kirpa V.I., Lesz J. Some features of а-А12Оз dosimetric thermoluminescent crystals // Radiation Protection Dosimetry. 1994. -Vol. 55, №4.-P. 279-283.

63. Kitis G., Papadopoulos J.G., Charalambous S. and Tuyn J.W.N. The influence of heating rate on the response and trapping parameters of а-А1203:С // Radiation Protection Dosimetry. 1994. - Vol. 55, № 3. P. 183-190.

64. Кондратенко П.А. Температурное тушение люминесценции корунда. //УФЖ.- 1970.-Том 15, № Ю.-С. 1730-1731.

65. Апанасенко А.Л., Кузниченко А.В., Говядовский Ю.Б., Якунин В.Г., Температурная зависимость рентгенолюминесценции и термолюминесценции корунда. // Журнал прикладной спектроскопии. 1991. - Т. 54, № 3. С. 438444.

66. Мильман И.И., Кортов B.C., Кирпа В.И., Температурное тушение в люминесценции анионодефектных кристаллов а-А12Оз // Физика твердого тела. 1995. - Т. 37, № 4. - С. 1149-1159.

67. Кортов B.C., Мильман И.И., Термостимулированная люминесценция дозиметрических кристаллов а-А1203 // Известия вузов. Физика. 1996. - Вып. 11.-С. 145-161.

68. Akselrod M.S., Agersnap Larsen N., Whitley V., McKeever S.W.S., Thermal quenching of F-centre luminescence in A1203:C // Journal of Applied Physics. 1998. - Vol. 84, № 6. - P. 3364-3373.

69. Мильман И.И., Кортов B.C., Никифоров C.B., Интерактивный процесс в механизме термостимулированной люминесценции анион-дефектных кристаллов а-А1203 // Физика твердого тела. 1998. - Т. 40, № 2. - С. 229-234.

70. Nikiforov S.V., Milman I.I., Kortov V.S., Thermal and optical ionization of F-centers in the luminescence mechanism of anion-defectlve corundum crystals // Radiation Measurements. 2001. - Vol. 33. - P. 547-551.

71. Кортов B.C., Мильман И.И., Никифоров C.B., Пеленев B.E. Механизм люминесценции F-центров в анион-дефектных монокристаллах оксида алюминия // ФТТ. 2003. - Т. 45, № 7. - С. 1202-1208.

72. Гурвич A.M., Введение в физическую химию кристаллофосфоров. М.: «Высшая школа», 1982. 376 с.

73. Brewer J.D., Jeffries В.Т., Summers G.P., Low-temperature fluorescence in sapphire. // Physical Review B. 1980. - Vol. 22, № 10. - P. 4900-4906.

74. Evans B.D., Ubiquitous blue luminescence from undoped synthetic sapphires. // Journal of Luminescence. 1994. - Vol. 60&61. - P. 620-626.

75. Evans B.D., Stapelbroek M., Optical vibronic absorption spectra in 14.8 MeV neutron damaged sapphire // Solid State Communications. 1980. - Vol. 33. P. 765-770.

76. Lee K.H., Crawford J.H., Electron centers in single-crystal A1203 // Physical Review B. 1977. - Vol. 15, № 8. - P. 4065^070.

77. Williams G.P., Rosenblatt G.H., Ferry M.J., Williams R.T., Chen Y., The resolved luminescence and absorption spectroscopy of defects in MgO and AI2O3 // Journal of Luminescence. 1988. - Vol. 40-41. - P. 339-340.

78. Сюрдо А.И., Мильман И.И., Сулимов E.M. Особенности повреждения корунда реакторными нейтронами. М., ВИНИТИ, 1984, деп. № 3259, с.74.

79. Arutyunyan V.V., Babayan А.К., Belskii A.N., Gevorkyan V.A., Makhov V.N., Martirosyan U.M., Luminescence of color centers in а—А12Оз single crystals // Journal of Applied Spectroscopy. 1995. - Vol. 62, № 3. - P. 585-588.

80. Jeffries В., Summers G.P., Crawford J.H., F-center fluorescence in neutron-irradiated sapphire // Journal of Applied Physics. 1980. - Vol. 51, № 7. - P. 3984-3986.

81. Peto A., Kelemen A., Radioluminescence properties of a-Al203 TL dosimeters // Radiation Protection Dosimetry. 1996. - Vol. 65, № 1-4. - P. 139-142.

82. Kristianpoller N., Rehavi A., Shmilevich A., Weiss D., Chen R., Radiation efects in pure and doped А12Оз crystals // Nuclear Instruments and Methods in Physics Research B. 1998. - Vol. 141.-P. 343-346.

83. Levy P.W., Color centers and radiation-induced defects in А12Оз // Physical Review. 1961. - Vol. 123, №4.-P. 1226-1233.

84. Yufeng Song, Qi Liu, Youmei Sun, Jie Liu, Zhu. Color center formation in ct-Al203 induced by high energy heavy ions // Nuclear Instruments and Methods in Physics Research B. 2007. - Vol. 254. - P. 268-272.

85. Степанов A.B. Будущее металлообработки. Лениздат, 1963. 132 с.

86. Пеленев В.Е., Кортов B.C., Экспериментальный комплекс для изучения глубоких ловушек дозиметрических анион-дефектных монокристаллов а-А12Оз Н Проблемы спектроскопии и спектрометрии. Межвузовский сборник. Екатеринбург. 1999. - В. 3. - С. 92-97.

87. Аксененко М.Д., Бараночников М.Л., Приемники оптического излучения. Справочник. М.: Радио и связь, 1987. 296 с.

88. Pagonis V., Kitis G., Furetta С., Numerical and practical exercises in thermoluminescence . New York: Springer, 2006. 208 p.

89. Вайнштейн И.А., Вохминцев A.C., Кортов B.C., Особенности температурного тушения фотолюминесценции 3,0 эВ в монокристаллах а:-А1203 // Письма в ЖТФ. 2006. - Т. 32, вып. 2. - С. 21-27.

90. Weinstein I.A., Pelenyov V.E., Kortov V.S., The effect of thermally stimulated photoconversion of oxygen centers on the sensitivity of TLD-500 dosimetric crystals // Radiation Protection Dosimetry. 2002. - Vol. 100. - P. 159-162.

91. Орозбек уулу Аскар, Особенности люминесценции Р+-центров ва-нионодефектных кристаллах оксида алюминия / дисс. канд. физ.-мат. наук. 01.04.07. Екатеринбург. 2007. 125 с.

92. Kotomin Е.А., Popov A.I., Radiation-induced point defects in simple oxides // Nuclear Instruments and Methods in Physics Research B. —1998. Vol. 141. — P. 1-15.

93. Surdo A.I., Kortov V.S., Exciton mechanism of energy transfer to F-centers in dosimetric corundum crystals // Radiation Measurements. — 2004. Vol. 38.-P. 667-671.

94. Сюрдо А.И., Радиационно-оптические и эмиссионные свойства широкозонных анионодефектных оксидов с пониженной симметрией / Автореферат док. физ.-мат. наук. 01.04.07. Екатеринбург. 2007. 45 с.

95. Попко Е.А., Орозбек уулУ Аскар, Вайнштейн И.А., Кортов B.C., Учет температурного тушения при моделировании пареметров TJI-пиков в а-А12Оз // Вестник УГТУ-УПИ. 2004. - С. 279-283.

96. Pradhan A.S., Thermal quenching and two peak methods influence of heating rates in TLDs // Radiation Protection Dosimetry. - 1996. — Vol. 65, № 1-4. P. 73-78.

97. Казаков В.П., О температурном тушении люминесценции. Компенсационный эффект // Оптика и спектроскопия. 1965. — Т. XVIII, вып. 1. — С. 53-57.

98. Федоров Г.Б., Некоторые закономерности в изменении параметров D0 и Q при диффузии в металлах и сплавах // В сб. Подвижность атомов в кристаллической решетке. Киев: «Наукова думка». 1965. - С. 40.

99. Кислишин В.А., Изв. АН СССР. Металлы. 1976. - № 1. - С. 230.

100. Крысов В.И., Компенсационные эффекты кинетики термоактиви-руемых процессов в аморфных металлических сплавах // Физика металлов и металловедение. 2002. - Т. 93, №3. - С. 70-74.

101. Сорокин Н.И., Соболев Б.П., Брайтер М., Особенности анионного переноса в суперионных проводниках на основе MF2 (М = Pb, Cd) // Физика твердого тела. 2002. - Т. 44, вып. 8. - С. 1506-1512.

102. Ехпег О., Determination of the isokinetic temperature //Nature. 1970. -Vol. 227.-P. 366-367.

103. Boon M.R., Termodynamic compensation rule // Nature. 1973. - Vol. 243, №5407.-P. 401.

104. Harris P.S., Compensation effect and experimental error // Nature. -1973. Vol. 243, № 5407. - P. 401-402.

105. Weinstein I.A., Kortov V.S., Vohmintsev A.S., The compensation effect during luminescence of anion centers in aluminum oxide // Journal of Luminescence. 2007. - Vol. 122-123. - P. 342-344.

106. Weinstein I.A., Vokhmintsev A.S., Kortov V.S., Compensation effect in thermoluminescence of TLD-500 // Radiation Measurements. 2008. - Vol. 43. - P. 259-262.

107. Кортов B.C., Мильман И.И., Никифоров C.B., Особенности кинетики термостимулированной люминесценции в кристаллов а-А1203 с дефектами // Физика твердого тела. 1997. - Т. 39, № 9. - С. 1538-1543.

108. Weinstein I.A., Popko Е.А., The simulation of TL processes in a-Al203 using different ratios between parameters of trapping and luminescent centers // Journal of Luminescence. 2007. - Vol. 122-123. - P. 377-380.

109. Sunta C.M., Ayta W.E. Feria, Piters T.M., Watanabe S., Limitation peak fitting and peak shape methods for determination of activation energy of thermoluminescence glow peaks // Radiation Measurements. 1999. — Vol. 30. — P. 197—201.

110. Chen R., McKeever S.W.S., Theory of thermoluminescence and related phenomena. Singapore: World Scientific, 1997. 560 p.

111. Рабинович B.A., Хавин З.Я., Краткий химический справочник. Л.: Химия, 1977. 53 с.

112. Canut В., Benyafoub A., Marest G., Meftah A., Moncoffre N., Ramos S.M.M., Studer F., Thevenard P., Toulemonde M., Swift-uranium-ion-induced damage in sapphire // Physical Review B. 1995. - Vol. 51, № 18. - P. 12194-12201.

113. Mohanty Т., Mishra N.C., Singh F., Bhat S.V., Kanjilal D., Color center formation in sapphire by swift heavy ion irradiation // Radiation Measurements. -2003. Vol. 36. - P. 723-727.

114. Зацепин А.Ф., Бирюков Д.Ю., Кортов B.C., Фотоэлектронная спектроскопия Е' центров в кристаллическом и стеклообразном диоксиде кремния // Физика твердого тела. 2006. - Т. 48, вып. 2. - С. 229-238.

115. Skuja L., Optically active oxygen-deficiency-related centers in amorphous silicon dioxide // Journal of Non-Crystalline Solids. 1998. — Vol. 239. — P. 16-48.

116. Кортов B.C., Вайнштейн И.А., Вохминцев A.C., Гаврилов H.B., Оптическая спектроскопия анионных центров в облученных ионами Си+ и Ti+ кристаллах а-А12Оз // ЖПС. 2008 . - Т.75, №3 . - С. 422-424.

117. Ramires R., Tardio M., Gonzalez R., Munoz Santiuste J.E., Optical properties of vacancies in termochemically reduced Mg-doped sapphire single crystals // Journal of Applied Physics.- 2007. -Vol. 101.-P. 123520-1-123520-12.

118. Chen R., On the analysis of thermally stimulated processes // Journal of Electrostatics. 1977. - Vol. 3. - P. 15-24.

119. Кортов B.C., Мильман И.И., Никифоров C.B., Моисейкин E.B., Механизм формирования нелинейности дозового выхода термостимулированной люминесценции анион-дефектных кристаллов а-А1203 // Физика твердого тела. 2006. - Т. 8, вып. 3. - С. 421-426.

120. Weinstein I.A., Pelenyov V.E., F- => F+-centers transformations in mechanisms of sensitization of TLD-500 I I Radiation Measurements. 2004. - Vol. 38.-P. 421-425.

121. Способ определения поглощенной дозы /З-излучения в твердотельном термолюминесцентном детекторе на основе анион-дефектного монокристалла оксида алюминия / Кортов B.C., Вайнштейн И.А., Вохминцев А.С. // Заявка на изобретение РФ 2008146273 от 24.11.08 г.