Термодинамика легирования и образования точечных дефектов в кремнии тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 01.04.10, кандидат физико-математических наук Санчищин, Дмитрий Владимирович

• Санчищин, Дмитрий Владимирович
• кандидат физико-математических наук
• 2004

Оглавление диссертации кандидат физико-математических наук Санчищин, Дмитрий Владимирович

ВВЕДЕНИЕ.

ГЛАВА 1. ЛИТЕРАТУРНЫЙ ОБЗОР.

1.1. Собственные точечные дефекты в кремнии

1.2. Растворимость точечных дефектов в полупроводнике

ГЛАВА 2. ТЕРМОДИНАМИКА ОБРАЗОВАНИЯ ТОЧЕЧНЫХ ДЕФЕКТОВ.

2.1. Свободная энергия системы расплав-полупроводник.

2.2. Минимизация свободной энергии Гиббса методом неопределенных коэффициентов Лагранжа.

2.3. Определение положения уровня Ферми.

2.4. Расчет активности примеси в расплаве.

2.5. Определение термодинамических параметров образования примеси в кремнии и германии. 2.6. Моделирование совместной растворимости фосфора и алюминия в кремнии

2.7. Выводы ко второй главе:

ГЛАВА 3. ТЕРМОДИНАМИКА ОБРАЗОВАНИЯ СОБСТВЕННЫХ

ТОЧЕЧНЫХ ДЕФЕКТОВ В КРЕМНИИ.

3.1. Зарядовые состояния собственных точечных дефектов в кремнии

3.2. Термодинамика образования вакансий и междоузельных атомов.

3.3. Влияние электронной подсистемы на соотношения между концентрациями вакансий и междоузельных атомов в кремнии.

3.4. Вывода к третьей главе:

ГЛАВА 4 ВЛИЯНИЕ ЭЛЕКТРОННОЙ ПОДСИСТЕМЫ И УСЛОВИЙ

• ВЫРАЩИВАНИЯ НА ДЕФЕКТООБРАЗОВАНИЕ

4.1 Изменение модели Воронкова для случая легированного полупроводника.

4.2. Моделирование распределения микродефектов в кремнии в процессе выращивания.

• 4.3. Влияние легирования на распределение микродефектов в бездислакационном кремнии в процессе выращивания.

4.4. Выводы к четвертой главе:

ГЛАВА 5. ТЕРМОДИНАМИКА РАСТВОРИМОСТИ ОДИНОЧНЫХ

АТОМОВ В СИСТМЕ КВАНТОВЫХ ТОЧЕК

5.1.Рассмотрение задачи растворимость одиночных атомов в системе квантовых точек методом минимизации свободной энергии Гиббса.

5.2. Критерии эффективного введение в квантовые точки одиночного атома примеси.

5.3. Моделирование растворимости атомов фосфора в системе германиевых квантовых точек.

5.4. Выводы к пятой главе: 106 ВЫВОДЫ ПО ДИССЕРТАЦИИ: 109 СПИСОК ЛИТЕРАТУРЫ: 110 СПИСОК РАБОТ АВТОРА ДИССЕРТАЦИИ: 118 ПРИЛОЖЕНИЕ

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Термодинамика легирования и образования точечных дефектов в кремнии»

Проблема получения материалов и структур с заданными свойствами является основной проблемой материаловедения полупроводников. Необходимые электрофизические, оптические и др. свойства достигаются путем легирования - введением, соответствующих примесных атомов в процессе роста кристаллов. Свободные носители заряда - электроны и дырки, атомы примесей, собственные дефекты кристалла - вакансии, междоузельные атомы, различные ассоциации примесей и собственных дефектов решетки относятся к широкому классу точечных дефектов. Разнообразие свойств полупроводниковых материалов и структур для практических применений достигается направленным введением тех или иных дефектов и варьированием их концентраций.

Управление процессами образования дефектов в полупроводниках и их взаимодействием являются основой для ряда современных технологий микро- и нано- электроники. В последнее время интенсивно развивается направление физики полупроводников, получившее название defect engineering, основной целью которого является управление процессами образования дефектной структуры с заданными свойствами.

Сейчас, когда; достаточно хорошо разработаны методы управления содержанием и распределением легирующих примесей в кремнии, особое внимание уделяется выяснению природы и управлению собственными точечными дефектами, а также влиянию, которое оказывает наличие примеси на процессы их формирования в растущих кристаллах. Также большой интерес представляют собой процессы легирования наноразмерных структур, которые являются основой для наиболее перспективных полупроводниковых технологий.

Для совершенствования современных технологий необходимо дальнейшее развитие теоретических моделей образования дефектов в полупроводниках, а также определение их параметров. Это важно как для замены длительных дорогостоящих экспериментов компьютерным моделированием,, так и для оптимизации технологических процессов, в основе которых лежат процессы взаимодействия дефектов. Несмотря на достаточно большое количество работ, появившихся по данной тематике в последнее время, эта проблема остается актуальной и недостаточно изученной.

Цель исследований и постановка задачи

Целью настоящей работы является термодинамическое исследование процессов образования электрически активных точечных дефектов в кремнии и их взаимодействие между собой.

Для достижения поставленной цели решались следующие задачи:

1. Разработка термодинамической модели, описывающей процессы растворимости примесей с учетом возможности вырождения электронной подсистемы в кремнии.

2. Изучение влияния электронной подсистемы на процессы образования собственных точечных дефектов - вакансий и междоузельных атомов, с учетом их многозарядности в кремнии.

3. Рассмотрение влияния условий выращивания кристалла и легирования на формирование собственных точечных дефектов в кремнии, выращенном методом Чохральского.

4. Моделирование распределения вакансий и междоузельных атомов кремния по объему кристалла в процессе выращивания по методу Чохральского.

5. Термодинамический анализ задачи о взаимодействии системы квантовых точек с примесными атомами.

Научная новизна

1. Разработана термодинамическая модель растворимости примесей и образования собственных точечных дефектов в двух и трехкомпонентных системах, позволяющая учитывать вырождение электронного газа и многозарядность точечных дефектов в кремнии.

2. Определены условия преобладания вакансий или междоузельных атомов в зависимости от концентрации и типа легирующей примеси. Показано, что наличие электрически активной примеси может оказывать существенное влияние на тип и концентрацию собственных точечных дефектов в процессе выращивания кремния методом Чохральского. Получено модифицированное, с учетом многозарядности собственных точечных дефектов, выражение для критического значения определяющего условие смены типа собственных точечных дефектов в процессе выращивания. Получены зависимости критического значения от концентрации легирующих примесей, таких как бор, сурьма, золото, марганец.

3. Показана возможность легирования квантовых точек одиночными примесными атомами и определены условия осуществления данного процесса.

Практическая ценность

1. Разработан алгоритм обработки экспериментальных данных, позволивший определить термодинамические параметры растворимости алюминия, фосфора, мышьяка, галлия, сурьмы, олова в , кремнии с учетом многозарядности дефектов и вырождения электронной подсистемы.

2. Вычислены значения парциальных энтропий и энтальпий для растворимости алюминия, фосфора, мышьяка, галлия, сурьмы, олова в кремнии.

3. Определены значения =— (V - скорость вытягивания кристалла из расплава, в — осевой градиент температуры вблизи фронта кристаллизации), при котором происходит смета типа собственных точечных дефектов в процессе выращивания кремния методом Чохральского для случая легирования золотом, марганцем, сурьмой и мышьяком.

4. Определены области значения температуры и концентрации примеси при фиксированном размере квантовых точек, а также области значения размеров квантовых точек и концентрации примеси при фиксированной температуре, для которых возможно легирование германиевых квантовых точек в кремниевой матрице одиночным атомом фосфора.

Положения, выносимые на защиту

1. Для точного описания процессов растворимости различных примесей в кремнии необходимо правильное определение положения уровня Ферми с учетом влияния всех зарядовых состояний точечных дефектов.

2. Увеличение растворимости при совместном легировании кремния донорами и акцепторами связано с влиянием взаимной компенсации и изменением активности компонентов в расплаве.

3. Преобладание дефектов вакансионного или междоузельного типа связано не только с условиями выращивания (в соответствии с критерием Воронкова), но и процессами легирования кристалла электрически активными примесями.

4. Эффективное легирование квантовых точек одиночным примесным атомом возможно при наличии кулоновской блокады второго вводимого в квантовую точку примесного атома.

Апробация

Основное содержание работы докладывалось на научных семинарах и конференциях в Ульяновском государственном университете на физико-техническом факультете.

По материалам диссертации были представлены и опубликованы тезисы на следующие конференции: труды международной конференции "Оптика полупроводников" (Ульяновск, 2000 г.), Труды третьей научной конференции "Математическое моделирование" (Ульяновск, 2000 г.), труды второй Российской конференции по материаловедению и физико-химическим основам технологий получения легированных кристаллов кремния. "Кремний 2000" (Москва, 2000 г.), труды международной конференции "Оптика, оптоэлектроника и технологии" (Ульяновск, 2002 г.), совещание по росту кристаллов, пленок и дефектам структуры кремния "Кремний 2002" (Новосибирск 2002 г.), четвертой всероссийской молодежной конференции по физике полупроводников и полупроводниковой опто- и наноэлектронике (Санкт-Петербург, 2002 г.), третьей Российской конференции по материаловедению и физико-химическим основам получения легированных кристаллов кремния и приборных структур на их основе "Кремний 2003" (Москва 2003 г.), труды международной конференции "Оптика, оптоэлектроника и технологии" (Ульяновск 2003 г.)

Личное участие автора

Основные теоретические положения разработаны совместно с профессором Булярским C.B. и д.ф.-м.н. Светухиным В.В. Численное моделирование выполнено автором самостоятельно.

Публикации

Основное содержание работы изложено в 12 публикациях, приведенных в списке pa6oj автора диссертации.

Структура и объем диссертации

Диссертация состоит из введения, пяти глав, выводов по диссертации и приложения. Материал изложен на 136 страницах, включает 61 рисунков, 6 таблиц и библиографический список из 113 наименований.

Заключение диссертации по теме «Физика полупроводников», Санчищин, Дмитрий Владимирович

Выводы по диссертации:

1) С учетом влияния электронной подсистемы получены термодинамические параметры растворимости алюминия, фосфора, мышьяка, галлия в кремнии.

2) Проведено термодинамическое рассмотрение влияния легирования на процессы образования вакансий и междоузельных атомов в кремнии. Показано, что в полупроводнике п-типа с сильным легированием преобладают вакансии, а в полупроводнике р-типа с сильным легированием -междоу-зельные атомы.

3) Получено выражение для критерия Воронкова, модифицированного с учетом многозарядности собственных точечных дефектов.

4) Предложен новый алгоритм моделирования распределения собственных точечных дефектов в процессе выращивания кремния методом Чохральского при легировании примесями различного типа.

5) Проведено термодинамическое рассмотрение задачи о взаимодействии системы квантовых точек с примесными атомами. Показано, что эффективное легирование квантовых точек одиночным примесным атомом возможно при наличии кулоновской блокады второго вводимого в квантовую точку примесного атома. Проведено рассмотрение задачи о легировании германиевых квантовых точек, находящихся в кремниевой матрице атомами фосфора.

Список литературы диссертационного исследования кандидат физико-математических наук Санчищин, Дмитрий Владимирович, 2004 год

1. Рейви К. Дефекты и примеси в полупроводниковом кремнии. М: Мир, 1984. с.490

2. Глазов В.М. Земсков B.C. Физико-химические основы легирования полупроводников. М: Наука, 1967, .с 250

3. Зи С. Физика полупроводниковых приборов / В двух томах М.: Мир, 1984

4. Шалимова К.В. Физика полупроводников М: Энергия, 1971

5. Горелик С.С., Дашевский М.Я. Материаловедение полупроводников и диэлектриков. М.: Металлургия. 1988. с. 259

6. Ланно М, Бургуэн Ж. Точечные дефекты в полупроводниках. Технология полупроводниковых материалов. М., 1961. с. 230

7. Фистуль В.И. Распад пересыщенных полупроводниковых твердых растворов. М.: Металлургия, 1977. с. 240

8. Фистуль В.И. Введение в физику полупроводников. М.: Высш. школа, 1975. с. 296

9. Болтакс Б.И. Диффузия полупроводников. — М.: Энергия, 1971

10. Болтакс Б.И. Диффузия и точечные дефекты в полупроводниках. — Ленинград: Наука, 1972, 384 с.

11. Емцев В.В., Машовец Т.В. Примеси и точечные дефекты в полупроводниках. М: Радио и Связь, 1981, -248 с.

12. Фистуль В.И. Сильно легированные полупроводники. М.: Наука. Гл. ред. физ.-мат. лит., 1967. с. 416

13. Фистуль В.И. Беседы о ХТТ и ФТТ. М., 1994. с. 120

14. Мильвидский М.Г. Материалы электронной техники, 1998, №3, с.4-12

15. V.V. Voronkov.// J. Cryst. Growth 59,625, (1982)

16. Эйдензон A.M.,Пузанов Н.И.// Кристаллография, 1985,том 30, в.5, с.992-998.

17. Воронков В.В., Воронкова Г.И. Веселовская Н.В. и др. // Кристаллогра фия, 1984,том 29, в.6, с.1176-1181.

18. Эйдерзон A.M., Пузанов Н.И., Калюжная С.И. // Кристаллография, 1986,том 31, в.2, с.337-344.

19. Пузанов Н.И., Эйдензон A.M.//Кристаллография, 1986,том 31, в.2, с.373-378.

20. Пузанов Н.И. // Неорганические материалы, 1996, том 32, №1, с. 7-16.

21. К. Nakamura, Т. Saisoji, Т. Kubota, etc //J. Cryst. Growth 180, (1997), 6172.

22. R. Felster, V.V. Voronkov, F. Quats. // Phys. St. Sol., (b) 222, 219 (2000)

23. R. Felster, V.V. Voronkov.//Materials Science Engineering, B73, (2000), 87-94.

24. R.A. Brown, Z. Wang, T. Mori // J. Cryst. Growth 225, (2001), 97-109.

25. V.V. Voronkov, R. Felster // (7/11/2003) Future Fab Int. Volume 15.

26. Мильвидский М.Г., Освенский В.Б. Структурные дефекты в монокристаллах полупроводников. М:Металлургия,1984, 349с.

27. Foil Н., Kolbesen В.О // Appl. Phys.,1975, v.8, р.319-331.

28. Foil Н., Gosele U., Kolbesen В.О. // J. Cryst. Growth,1977, v.40, p.90-103.

29. Petroff P.M., Kock A.J. R. de // J. Cryst Growth,1975, v.30, p.l 17-128.

30. Kock A J. R. de. Semiconductor Silicon/ed. Huff H.R., Sirtl E. Princeton: Electrochem.Soc., 1977,p. 508-521.

31. Chikawa J., Shirai S // Jap. J. Appl. Phys., 1979, v. 18, p. 153-164.

32. Chikawa J., Shirai S // J. Cryst. Growth,1977, v.39, p.238-338.

33. J.A. Van Vechten // Phys. Rev. В., 1978, v.17, p.3197-3202

34. HuS. M.//J. Vacuum Sci. TechnoL, 1977, v. 14p. 17-31.

35. Kock A. J. R. de, Wijgert W.M. de. // J. Cryst. Growth,1980, v.49, p. 718734.

36. Симирский Ю.Н., Фирсова JI.H., Зломанов В. П. и др//ДАН СССР, 1978, т. 242, с. 1371-1374; 1979, т. 247, с. 1354-1358.

37. V.V. Voronkov, R. Felster //J. Appl. Phys., 2000, v.87, p. 4126-4129

38. V.V. Voronkov, R. Felster//Microelectronic Engineering, 2001, v. 56, p. 165-168.

39. V.V. Voronkov, R. Felster // J. Electrochemical Society, 2002, v. 149 (3), p. 167-174.

40. Ковтуненко П.В. Физическая химия твердого тела. М.: Высш. школа, 1993, с. 352

41. Блайкмор Дж. Физика твердого состояния. М.: Металлургия, 1972. с. 488

42. F. Bailly. Lattice defects in semiconductors, 231. Univ. of Tokyo Press, Tokyo(1968)

43. R.A. Swalin. J. Phys. Chem. Sol., 18, 290 (1961)

44. K.H. Benneman. Phys. Rev., 137, A1497 (1965)

45. A.Scholz, A. Seeger. Phys. St. Sol., 3, 1480 (1963)

46. T. Soma, M. Saeki, A. Morita. J. Phys. Soc. Japan, 35, 146 (1973)

47. J.C. Phillips, J.A. van Vechten. Phys. Rev. Lett., 30, 220 (1973)

48. В .А. Пантелеев. ФТТ, 19,1801 (1977)

49. В. И. Окулич. Автореф. канд. дис. ГТУ им. Н.И. Лобачевского, Горький (1976)

50. L. Elstner and W. Kamprath, Phys Status Solidi, 22, 541 (1967)

51. G.D. Watkins, in Deep Centers in Semiconductors, edited by S.T. Pantelides (Gordon and Breach, New York, 1986)

52. R. Car, P.J. Kelly, A. Oshiyama and S.T. Pantelides, Phys. Rev. Lett. 54, 360(1985)

53. Van Vechten, Phys. Rev. В 33, 2674 (1986)

54. J.A. Van Vechten and C.D. Thurmond, Phys. Rev. В 14, 3539 (1976); 14, 3551(1976)

55. F.J. Demond, S. Kalbitzer, H. Mannsperger, and H. Damjantschitsch, Phys. Lett. 93A, 503 (1983)

56. G.D. Watkins and J.W. Corbett, Phys. Rev. 134, A1359 (1964)

57. T.Y. Tan and U Gosele, Appl. Phys. A 37,1 (1985)

58. Машовец T.B. Термодефекты в полупроводниках, ФТП, Т. 16, в. 1, (1982) стр. 3-18

59. S. Dannefaer, P. Mascher and D. Kerr, Monovacancy Formation Enthalpy in Silicon, Phys. Rev. Lett. Vol. 56, Num 20 (1986)

60. J.A. Van Vechten, Phys. Rev. В 10, 1482 (1974)

61. J.A. Van Vechten, J. Electrochem. Soc. 122,419 (1975)

62. J.A. Van Vechten, in Handbook on Semiconductors, edited by S.P. Keller (North-Holland, Amsterdam, 1980), Vol. 3, Chap. 1

63. J.A. Van Vechten, Phys. Rev. В 11,3910 (1975)

64. Y. Bar-Yam and E. Sun, J. Appl. Phys. 47,3776 (1976)

65. G.D. Watkins, in International Conference on Lattice Defects in Semiconductors, Freiburg, Germany, 1974 (IOP, London, 1975), p. 1

66. J.A. Van Vechten, Phys. Rev. В 12, 1247 (1975)

67. J.A. Van Vechten and J.F. Wager, Phys. Rev. В 32, 5259 (1985)

68. A. Seeger and K.P. Chik, Phys. Status Solidi 29,455 (1968)

69. A. Chantre, M. Kechouane, and D. Bois, Physica 116B, 547 (1983)

70. A. Chantre, Appl. Phys. Lett. 46,263 (1985)

71. E. Weber and H.G. Riotte, J. Appl. Phys. 51, 1484 (1980)

72. Y.H. Lee, R.L. Kleinhenz, and J.W. Corbett, Appl. Phys. Lett 31,142 (1977)

73. Seeger A., Foil h., Frank W.F.// Radiation Effects in Semiconductors, 1976-Conf. Ser. № 31. Briston L., The Inst, of Physics,1977, p. 12-29.

74. T. Sinno, Z. K. Jiang, R. A. Brown. Atomistic Simulation of Point Defects in Silicon at High Temperature. Appl. Phys. Lett. 68, 3028 (1996).

75. L. Colombo, M. Tang, T. Diaz de la Rubia, F. Cargnoni. Structure, Energetics, Clustering and Migration of Point Defects in Silicon. Physica Scripta T66,207(1996).

76. Булярский C.B. Фистуль. В.И. Термодинамика и кинетика ^ взаимодействующих дефектов в полупроводниках. М.: Наука, 1997. с. 352

77. WeisserK.//J.Phys. Chem. Solids. 1958. V.15.N 2. P. 118-126.

78. Волков Д.А. Автореферат на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук. Квантовохимический метод расчетаэнтальпии растворения примеси III-V групп в кремнии и германии. М., 1994.

79. Волков Д.А., Фистуль В.И., Топологическая оценка вероятности образования точечных дефектов в кристаллах AU,BIV со структурой сфалерита. //ФТП. 1990. Т.24. В.З. с. 475 478.

80. Волков Д.А., Фистуль В.И. Метод расчета энергии связи изовалентных примесей в тетраэдрических полупроводниках.//ФТП. 1993. Т.27. В.З. с. 431-437.

81. Булярский C.B., Грушко Н.С. Генерационно-рекомбинационные процессы в активных элементах. М.: Изд-во Моск. Ун-та, 1995. с. 399

82. Крегер Ф. Химия несовершенных кристаллов.М.: Мир,1969, с. 654

83. Bulyarskii S.V., Oleinikow V.P. Thermodynamical Evaluation of Point Defect Density and Impurity Solubility in Compound Semiconductors.// Phys. Stat. Sol. (b), Vol. 141,1987, p.K7-K10

84. Bulyarskii S.V., Oleinikow V.P. Thermodynamics o f Defects Formation and Defect Interaction in Compound Semiconductor.// Phys. St. Sol. (b) Vol. 146,1988, p.439-442.

85. Булярский C.B., Светухин B.B., Львов П. Е. Термодинамика комплексообразования и кластеризации дефектов. // ФТП, 2000, №4. с. 385389

86. Булярский C.B., Светухин В.В. Кинетика и термодинамика образования дефектов в полупроводниках. Труды лекторов школы " Критические технологии и фундаментальные проблемы физики конденсированных сред", Ульяновск, 1999, с. 26-60

87. Булярский C.B., Комлев A.B. Влияние потенциального взаимодействия на процессы растворения примесей Al, Ga, As, Р в кремнии. // Неорганические материалы, 1997, т.ЗЗ (2), с. 134-138

88. Глазов В.М. Изменение пределов эффективности легирования германия путем варьирования соотношения концентрации доноров и акцепторов // МЭТ, 1998, №2. с. 15-18.

89. Глазов В.М., Потемкин А.Я. Экспериментальные исследования совместной растворимости меди и сурьмы в германии. // журнал физ. хим. т.73. №9. 1999. с. 1537.

90. Захаров A.M., Диаграммы состояния двойных и тройных систем. М.: Металлургия, 1990, с. 250

91. Глазов В.М., Потемкин А. Я. Взаимодействие между медью и сурьмой в твердом растворе на основе германия с образованием заряженного комплекса. // ФТП. 2000. том 34. вып. 5. с. 513-518

92. Потемкин А. Я., Мельников Е.В. Исследование совместной растворимости меди и сурьмы в германии. // Легированные полупроводники. М.,1975.

93. A.A.Larionov, L.E.Fedichkin, K.A.Valiev //Nanotechnology, v.12, p.536-539 (2001).

94. Пчеляков О.П., Болховитянов Ю. Б. и др // ФТП,2000, том 34, вып. И, с.1281-1297.

95. Герасименко H. Н. // Рос. хим. ж., 2002, том XLVI, №5, с.30-40.

96. Константинов О.В., Котельников Е. Ю. и др.//Письма в ЖТФ, 2001, том 27, вып. 16, с. 40-46.

97. М.Г.Мильвидский, В.В. Чалдышев, ФТП, v.32, 513 (1998).

98. Валиев К.А., Кокмн A.A. Квантовые компьютеры: надежды и реальност. — Москва Ижевск: НИЦ "регулярная и хаотическая динамика", 2002,320 стр.

99. В.Е.Kane,Nature,v.393,р. 133-137,(1998).

100. Санчищин Д.В., Львов П.Е., Светухин В .В., Булярский C.B. Определение термодинамических параметров растворимости примесей в кремнии и германии. // Ученые записки УлГУ. Серия физическая, 2000.Вып 1(8). С.49-51.

101. Булярский C.B., Светухин В.В., Санчищин Д.В. Моделирование совместной растворимости фосфора и алюминия в кремнии // Ученые записки УлГУ. 2000.Вып 2(9). С.24-26.

102. Булярский C.B., Светухин В.В., Санчищин Д.В., Львов; П.Е. Термодинамика процесса многокомпонентного легирования// Тезисы второй международной конференции "Оптика полупроводников". Ульяновск, 2000, С.52

103. Светухин В.В., Булярский C.B., Санчищин Д.В., Салих-Заде П.Ф. Влияние электронной подсистемы на растворимость примесей в кремнии // Совещание по росту кристаллов, пленок и дефектам структуры кремния "Кремний 2002". Новосибирск, 2002. С.ЗЗ.

104. Булярский C.B., Светухин В.В., Санчищин Д.В. Термодинамика образования вакансий и междоузельных атомов в легированномполупроводнике // Известия вузов, поволжский регион. Серия естественные науки, №6 вып. 9, 2003 г. С. 88-96.

105. Е. Dornbergwr, D Graf, etc // J. Cryst. Growth,1997, v. 180, p. 343-352. ПО.Булярский C.B., Светухин B.B. Физические основы управления дефектообразованием в полупроводниках. Ульяновск: УлГУ, 2002. - 386 с.

106. Светухин В.В., Булярский C.B., Санчищин Д.В. Термодинамика взаимодействия примесных атомов с системой квантовых точек. // ПЖТФ,2004. Т. 30. Вып. 6. С. 9-15.

107. Светухин В.В., Булярский C.B., Санчищин Д.В. Термодинамика растворимости одиночных атомов в системе квантовых точек.// Известия вузов. Электроника. 2004. №2. С. 3-8.

108. Список работ автора диссертации:

109. Санчищин Д.В., Львов П.Е., Светухин В.В., Булярский C.B. Определение термодинамических параметров растворимости примесей в кремнии и германии. // Ученые записки УлГУ. Серия физическая, 2000.Вып 1(8). С.49-51.

110. Булярский C.B., Светухин В.В., Санчищин Д.В. Моделирование совместной растворимости фосфора и алюминия в кремнии // Ученые записки УлГУ. 2000.Вып 2(9). С.24-26.

111. Булярский C.B., Светухин В.В., Санчищин Д.В., Львов П.Е. Термодинамика процесса многокомпонентного легирования// Тезисы второй международной конференции "Оптика полупроводников". Ульяновск, 2000, С.52

112. Светухин В.В., Булярский C.B., Санчищин Д.В., Салих-Заде П.Ф. Влияние электронной подсистемы на растворимость примесей в кремнии// Совещание по росту кристаллов, пленок и дефектам структуры кремния "Кремний 2002". Новосибирск, 2002. С.ЗЗ.

113. Булярский C.B., Светухин В.В., Санчищин Д.В. Термодинамика образования вакансий и междоузельных атомов в легированном полупроводнике // Известия вузов, поволжский регион. Серия естественные науки, №6 вып. 9,2003 г. С. 88-96.

114. Светухин В.В., Булярский C.B., Санчищин Д.В. Термодинамика взаимодействия примесных атомов с системой квантовых точек. // ПЖТФ, 2004. Т. 30. Вып. 6. С. 9-15.

115. Светухин В.В., Булярский C.B., Санчищин Д.В. Термодинамика растворимости одиночных атомов в системе квантовых точек.// Известия вузов. Электроника. 2004. №2. С. 3-8.