Термодинамическая теория полидоменных и гетерофазных состояний в сегнетоэлектрических эпитаксиальных тонких пленках тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 01.04.07, кандидат физико-математических наук Кухарь, Владимир Геннадьевич

  • Кухарь, Владимир Геннадьевич
  • кандидат физико-математических науккандидат физико-математических наук
  • 2002, Санкт-Петербург
  • Специальность ВАК РФ01.04.07
  • Количество страниц 204
Кухарь, Владимир Геннадьевич. Термодинамическая теория полидоменных и гетерофазных состояний в сегнетоэлектрических эпитаксиальных тонких пленках: дис. кандидат физико-математических наук: 01.04.07 - Физика конденсированного состояния. Санкт-Петербург. 2002. 204 с.

Оглавление диссертации кандидат физико-математических наук Кухарь, Владимир Геннадьевич

ВВЕДЕНИЕ.

Глава 1. Доменные структуры в сегнетоэлектрических кристаллах и тонких пленках и их теоретическое описание (обзор литературы).

§1.1 Экспериментальное наблюдение доменных структур в сегнетоэлектрических монокристаллах, керамиках и тонких пленках.

1.1.1 Общая характеристика полидоменных состояний объемных сегнетоэлектрических материалов.

1.1.2 Полидоменные состояния в эпитаксиальных тонких пленках.

§1.2 Теоретические методы описания явления сегнетоэлектричества.

1.2.1 Микроскопическое описание.

1.2.2 Феноменологические (континуальные) подходы.

§ 1.3 Теоретическое описание сегнетоэлектрических тонких пленок

ПОСТАНОВКА ЗАДАЧИ.

Глава 2. Термодинамическая теория плотных доменных структур в монокристаллических сегнетоэлектрических тонких пленках.

§2.1 Приближение плотных доменных структур в эпитаксиальных сегнетоэлектрических пленках.

2.1.1 Геометрия и энергетика эпитаксиальной пары «пленка-подложка».

2.1.2 Общий алгоритм расчета устойчивых термодинамических состояний пленки.

§2.2 Метод расчета поляризаций, напряжений и деформаций внутри доменов в эпитаксиальной пленке в приближении плотной структуры.

2.2.1 Граничные условия на поверхностях пленки и доменных стенках.

2.2.2 Общий алгоритм расчета устойчивых термодинамических состояний пленки.

§2.3 Возможные ориентации сегнетоэластических доменных границ в эпитаксиальных пленках.

Глава 3. Полидоменное clalcla состояние, его поляризационная неустойчивость в сегнетоэлектрическнх пленках и образование гетерофазных состояний.

§3.1 Фазовые диаграммы эпитаксиальных тонких пленок РЬТЮз и ВаТЮз с внутренними границами, ориентированными под углом 45° к поверхности подложки.

§3.2 Характеристики доменной clalcla структуры и ее поляризационная неустойчивость.

§3.3 Диэлектрические свойства полидоменных и гетерофазных пленок РЬТЮз и ВаТЮз с внутренними границами, ориентированными под углом 45° к поверхности подложки.

Глава 4. Полидоменные состояния с доменными стенками, ориентированными перпендикулярно границе раздела между пленкой и подложкой.

§4.1 Фазовые диаграммы эпитаксиальных тонких пленок РЬТЮз и ВаТЮз с доменными стенками, перпендикулярными поверхности подложки.

§4.2 Свойства доменной axla^ayla^ структуры и ее неустойчивость по отношению к превращению в аа фазу.

§4.3 Поляризационная конфигурация и деформации решетки в пленках с aa\laa2laa\laa структурой.

§4.4 Рз-неустойчивость а\1ат)а\1аг и аа\1ааг1аа\1ааг структур и формирование новых полидоменных состояний.

Глава 5. Равновесные фазовые диаграммы эпитаксиальных пленок РЬТЮз и ВаТЮз и их диэлектрические и пьезоэлектрические свойства.

§5.1 Диаграммы устойчивых состояний эпитаксиальных пленок титаната свинца и титаната бария.

§5.2 Диэлектрические свойства сегнетоэлектрических тонких пленок.

5.2.1 Зависимость диэлектрических констант пленок РЬТЮз и ВаТЮз от деформации несоответствия в эпитаксиальной системе.

5.2.2 Закон типа Кюри-Вейсса для диэлектрической восприимчивости сегнетоэлектрической пленки как функции деформации несоответствия или внутреннего напряжения.

5.2.3 Температурная зависимость диэлектрической проницаемости пленок РЬТЮз и ВаТЮз.

§5.3 Пьезоэлектрические свойства эпитаксиальных сегнетоэлектрических пленок.

Рекомендованный список диссертаций по специальности «Физика конденсированного состояния», 01.04.07 шифр ВАК

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Термодинамическая теория полидоменных и гетерофазных состояний в сегнетоэлектрических эпитаксиальных тонких пленках»

Уникальные электрофизические свойства сегнетоэлектриков вызывают неугасающий интерес исследователей, работающих в области физики конденсированного состояния. Экспериментальные и теоретические исследования этих материалов ведутся уже в течение многих десятилетий после открытия Валашеком [1,2] в 1920 году аномальных свойств сегнетовой соли и, в особенности, после обнаружения сегнетоэлектричества в титанате бария (ВаТЮз) Вулом и Гольдман [3]. С начала 90-х годов основное внимание уделяется изучению сегнетоэлектрических тонких пленок, поскольку эта геометрическая форма открывает возможность создания сегнетоэлектрической памяти случайного доступа (FeRAM) и использования сегнетоэлектриков в качестве ячеек динамической памяти (DRAM) нового поколения [4].

Проведенные экспериментальные исследования показали, что структура и физические свойства тонкопленочных сегнетоэлектриков могут сильно отличаться от характеристик соответствующих объемных материалов [5]. Одним из важных факторов, обуславливающих это различие, является механическое взаимодействие между пленкой и подложкой, на которой выращивается сегнетоэлектрический слой. Механический эффект подложки должен особенно отчетливо проявляться в случае монокристаллических эпитаксиальных пленок, когда ориентация кристаллической решетки во всей пленке определяется микроструктурой поверхности подложки. Из-за несоответствия параметров решеток, обычно имеющегося в эпитаксиальной паре, тонкая пленка оказывается в упруго деформированном состоянии. Соответственно, в ней возникают механические напряжения, которые, как известно, оказывают существенное влияние на свойства сегнетоэлектрических материалов.

В эпитаксиальных слоях многоосных сегнетоэлектриков внутренние напряжения могут релаксировать не только за счет образования дислокаций несоответствия, хорошо известного для полупроводниковых гетероструктур, но и в результате разбиения слоя на упругие домены (двойники). Характерной особенностью процесса упругой (сегнетоэластической) полидоменизации эпитаксиальных пленок является преимущественное возникновение регулярных доменных конфигураций. Формирование регулярных 90° доменных структур многократно наблюдалось в пленках PbTi03 и сходных сегнетоэлектрических окислах, имеющих перовскитоподобное кристаллическое строение. Поскольку полидоменизация изменяет поляризационное состояние кристалла и снижает внутренние напряжения, ясно, что доменная структура эпитаксиальных сегнетоэлектрических тонких пленок должна оказывать сильное влияние на их физические свойства.

Благодаря своим уникальным свойствам, сегнетоэлектрики и родственные им материалы находят широкое применение в микроэлектронике, радиотехнике и гидроакустике, в устройствах управления лазерным излучением и в генераторах оптических гармоник, в устройствах акустоэлектроники и оптической обработки информации, пиро- и пьезодатчиках и т. д. Однако, несмотря на такой широкий спектр практических приложений, потенциальные возможности сегнетоэлектриков еще полностью не реализованы. Дальнейшее расширение области применения сегнетоэлектрических материалов связано в основном с использованием тонких пленок. В настоящее время уже производятся блоки энергонезависимой памяти (FeRAM или NVFRAM), базирующиеся на переключении спонтанной поляризации в сегнетоэлектрических микроконденсаторах. Высокая диэлектрическая проницаемость сегнетоэлектриков обеспечивает возможность создания на их основе упоминавшейся выше динамической памяти (DRAM гигабитного объема) и уже используется в микроволновых монолитных интегрированных контурах (MMICs), производимых в коммерческом масштабе для мобильных телефонов [4]. Сильный пьезоэлектрический эффект, наблюдающийся в сегнетоэлектрических пленках, позволяет изготавливать различные микроприборы, такие как ультразвуковые микромоторы, микропомпы, фильтры, датчики давления, и акселерометры [6]. Хотя пьезоэлектрические микроприборы пока не производятся в широких масштабах, большое число функционирующих моделей было продемонстрировано в лабораторных условиях. Эти приборы можно рассматривать как составную часть большого класса микроэлектромеханических систем (MEMS), которые комбинируют электронные приборы с датчиками, преобразователями, приводами, и т.п. Другим представителем этого класса являются пироэлектрические инфракрасные микродатчики, имеющие значительный потенциал практического использования в различных видах сигнализации и инфракрасных камерах. Большой пироэлектрический коэффициент сегнетоэлектрических тонких пленок позволяет добиться высокой чувствительности таких датчиков.

Актуальность темы диссертации. Приведенные примеры практического применения тонкопленочных сегнетоэлектриков и дальнейшие перспективы их использования в микроэлектронике свидетельствуют о важности изучения сегнетоэлектрических пленок. В силу более совершенной микроструктуры, монокристаллические эпитаксиальные пленки являются наилучшими кандидатами для ряда приложений, а также могут рассматриваться как модельный объект для теоретических и экспериментальных исследований. Согласно многочисленным экспериментальным данным, для эпитаксиальных пленок многоосных сегнетоэлектриков характерна упругая полидоменизация (двойникование). В течение последних десяти лет сегнетоэластические доменные структуры были обнаружены в эпитаксиальных пленках РЬТЮз, Pb(ZrxTii.x)03, (Pbi.xLax)Ti03, ВаТЮз, KNBO3, и SrBi2Ta209, выращенных на различных монокристаллических подложках. Хорошо известно, что доменная структура оказывает сильное влияние на электрофизические свойства сегнетоэлектриков. В случае объемных сегнетоэлектрических материалов эти свойства и их аномалии вблизи фазовых переходов успешно описываются теоретически с помощью нелинейной термодинамической теории

Ландау-Гинзбурга-Девоншира. Следовательно, весьма актуальным представляется применение этого подхода для теоретического изучения явления полидоменизации тонкопленочных сегнетоэлектриков с целью предсказания особенностей их физических свойств.

Цель исследования. Разработать термодинамическое описание полидоменных сегнетоэлектрических эпитаксиальных пленок на основе нелинейной феноменологической теории Ландау-Гинзбурга-Девоншира. Исследовать влияние механического взаимодействия пленки с подложкой на поляризационное состояние пленки и ее диэлектрические и пьезоэлектрические свойства на примере двух классических сегнетоэлектриков - РЬТЮз и ВаТЮ3.

Научная новизна работы.

1. Развита нелинейная термодинамическая теория эпитаксиальных сегнетоэлектрических пленок с плотной ламинарной доменной структурой. Выполненные теоретические расчеты явным образом учитывают механическое воздействие подложки на спонтанную поляризацию и деформации решетки в упругих доменах (двойниках) двух типов, образующихся в эпитаксиальной пленке.

2. Впервые построены фазовые диаграммы пленок РЬТЮз и ВаТЮ3, учитывающие возможность возникновения полидоменных состояний. В координатах "температура -деформация несоответствия" определены области стабильности различных полидоменных и монодоменных состояний в эпитаксиальных пленках, выращенных на монокристаллах кубической симметрии.

3. Обнаружены три вида неустойчивости 90° доменных структур в эпитаксиальных сегнетоэлектрических пленках. Потеря устойчивости проявляется в повороте векторов спонтанной поляризации внутри доменов при неизменной ориентации доменных границ и возникает при достижении деформацией несоответствия некоторого критического значения. Поляризационная неустойчивость может приводить к возникновению гетерофазного состояния или особой доменной конфигурации, не существующей в свободном объемном кристалле. 4. Впервые вычислены полные диэлектрические и пьезоэлектрические отклики полидоменных сегнетоэлектрических пленок, включающие в себя как объемный (собственный), так и доменный (несобственный) вклад. Предсказано существование сильных диэлектрических аномалий при комнатной температуре в пленках ВаТЮз, выращенных на специальных подложках, которые обеспечивают деформации несоответствия, близкие к критическим значениям. Практическая ценность полученных результатов. Выполненные в работе теоретические расчеты создают более глубокое понимание взаимосвязи между строением и электрофизическими свойствами сегнетоэлектрических гетероструктур, что может использоваться для оптимизации процессов изготовления тонких пленок с требуемыми характеристиками. Практическая ценность построенных фазовых диаграмм связана с применением сегнетоэлектрических пленок для создания энергонезависимой памяти персональных компьютеров (NVFRAM). Теоретическое предсказание диэлектрических аномалий, возникающих при некоторых «критических» значениях решеточного несоответствия в эпитаксиальной паре, представляет интерес с точки зрения разработки сверхъемких ячеек динамической памяти (DRAM) на основе сегнетоэлектрических пленок. Наконец, найденные зависимости пьезоэлектрических констант сегнетоэлектрических пленок от деформации несоответствия в гетероструктуре могут быть полезны при конструировании ряда микроэлектромеханических систем (MEMS) в качестве рекомендаций по улучшению их рабочих характеристик.

Похожие диссертационные работы по специальности «Физика конденсированного состояния», 01.04.07 шифр ВАК

Заключение диссертации по теме «Физика конденсированного состояния», Кухарь, Владимир Геннадьевич

Основные результаты диссертации опубликованы в работах [248-252].

ЗАКЛЮЧЕНИЕ И ВЫВОДЫ

Термодинамический подход, базирующийся на теории Ландау-Гинзбурга-Девоншира, открывает широкие возможности для теоретического описания физических свойств сегнетоэлектрических тонких пленок. С помощью этого подхода удается корректно учесть механическое влияние подложки на спонтанную поляризацию и деформации кристаллической решетки в эпитаксиальной пленке. Развитая в данной работе нелинейная термодинамическая теория позволяет включить ламинарные полидоменные состояния в фазовые диаграммы сегнетоэлектрических пленок и рассчитать полные диэлектрические и пьезоэлектрические отклики полидоменных пленок.

Выполненные нами теоретические расчеты выявили ряд важных особенностей полидоменизации (двойникования) эпитаксиальных пленок РЬТЮз и ВаТЮз. В частности, образование 90°-ной доменной clalcla структуры в пленках РЬТЮз при понижении температуры происходит непосредственно из параэлектрической фазы только в узком интервале деформаций несоответствия вблизи Sm = 0. При отрицательных значениях Sm сегнетопереход сначала приводит к появлению однородной тетрагональной с фазы, которая трансформируется в clalcla состояние только при дальнейшем охлаждении. Эта трансформация включает в себя зарождение а доменов внутри сегнетоэлектрической с фазы, которое должно быть термоактивационным процессом.

Следовательно, для формирования равновесной clalcla структуры при понижении температуры требуется определенное время. Экспериментально наблюдаемые в пленке объемные доли сна доменов могут поэтому сильно зависеть от скорости охлаждения dTldt. Малые скорости dTldt должны способствовать увеличению объемной доли а доменов фа, фиксируемой при комнатной температуре. Наоборот, при очень больших скоростях охлаждения следует ожидать полного подавления полидоменизации и сохранения метастабильной с фазы при низких температурах (фс = 1). Такая зависимость объемных долей с и а доменов от скорости dTldt действительно наблюдалась в эпитаксиальных пленках РЬТЮз и PbZro.20Tio.80O3 [106,108]. Разработанная нами теория, таким образом, дает естественное объяснение этим экспериментальным результатам. Отметим, что это объяснение существенно отличается от предположения, сформулированного в работе [109] на основе линейной теории полидоменизации.

При положительных деформациях несоответствия в результате сегнетоэлектрического перехода пленка первоначально поляризуется в плоскости, параллельной поверхности подложки. Поэтому образование clalcla структуры в пленках РЬТЮз происходит путем зарождения с доменов в сегнетоэлектрической фазе а типа. В этом случае равновесная объемная доля фс согласно формуле (3.6) должна возрастать при понижении температуры. Критическая температура Га>с/а, при которой с домены начинают формироваться в пленке, может быть существенно ниже температуры Кюри-Вейсса 0= 479°С объемных кристаллов РЬТЮз (см. рис. 5.1(a)). Обе эти особенности экспериментально наблюдались Ли и Байком в пленках РЬТЮз, выращенных на (001)-ориентированных кристаллах MgO [247]. Подчеркнем, что при изучении эпитаксиальных пленок с помощью рентгеновской дифракции температура Та^с/а может быть ошибочно воспринята как температура сегнетоперехода Тс. Это соображение позволяет снять противоречие между теоретическим условием Tc(Sm) > в и обнаруженным в ряде экспериментов кажущимся снижением Тс в пленках по сравнению с температурой Кюри объемного кристалла.

На основании проведенного теоретического исследования можно сделать следующие

Список литературы диссертационного исследования кандидат физико-математических наук Кухарь, Владимир Геннадьевич, 2002 год

1. Valasek J. Piezoelectric and applied phenomena in Rochelle salt. // Phys. Rev. -1920. - v. 15, ser. 2. - P. 537-538.

2. Valasek J. Piezoelectric and applied phenomena in Rochelle salt. // Phys. Rev. -1921. v. 17, ser. 2.-P. 475-481.

3. Вул Б. M., Гольдман И. М. Диэлектрический гистерезис в титанате бария. // Доклады АН СССР. 1946. - т. 51, № 1. - С. 21-24.

4. Auciello О., Scott J. F., Ramesh R. The physics of ferroelectric memories. // Physics Today. -1998.-v. 51, №7.-P. 22-27.

5. Waser R. M. Microstructure of ceramic thin films. // Current opinion in Sol. Stat. & Mater. Sci. 1996. - v. 1. - P. 706-714.

6. Setter N., Waser R. Electroceramic materials. // Acta Mater. 2000. - v. 48, № 1, P. 151-178.

7. Иона Ф., Ширане Д. Сегнетоэлектрические кристаллы.: Пер. с англ. М.: Мир, 1965. -555 с.

8. Желудев И. С. Основы сегнетоэлектричества. М.: Атомиздат, 1973. - 472 с.

9. Лайнс М., Гласс А. Сегнетоэлектрики и родственные им материалы.:Пер. с англ. М.: Мир, 1981.-736 с.

10. Naray-Szabo S. Kurse original mittelungen die strukturen von verbindunsen ABO3 "Schwesterstrukturen". // Naturwiss. -1943. v. 31, № 39. - P. 466-468.

11. Naray-Szabo S., Miiegyetemi Kozlemenyek. Tokyo, 1947. - 226 p.

12. Megaw H. D. Crystal structure of the double oxides of the perovskite type // Proc. Phys. Soc. 1946. - v. 58., № 326. - P. 133-152.

13. Roth R. S. Classification of perovskite and other АВОз-type compounds. // Journ. Res. Natl. Bur. Stand. 1957. - v. 58, № 2. - P. 75-88.

14. Веневцев Ю. Н., Жданов Г. С. Кристаллохимия сегнетоэлектриков со структурой типа перовскита. // Изв. АН СССР, серия физич. 1957. - т. 21, № 2. - С. 275-285.

15. Веневцев Ю. Н., Жданов Г. С. Кристаллохимический анализ температурных фазовых переходов в сегнето- и антисегнетоэлектриках со структурой типа перовскита. // Кристаллография. 1958. -т. 3, № 6. - С. 751-752.

16. Веневцев Ю. Н., Жданов Г. С., Соловьев С. П. Влияние различных факторов на температуру Кюри сегнетоэлектриков со структурой типа перовскита. // Изв. АН СССР, серия физич. 1958. - т. 22, № 12. - С. 1476-1482.

17. Веневцев Ю. Н., Любимов В. Н., Соловьев С. П., Жданов Г. С. Расчет внутренних электрических полей и их градиентов в перовскитных соединениях с особыми диэлектрическими свойствами. // Изв. АН СССР, серия физич. 1964. - т. 28, № 4. - С. 630-635.

18. Грановский В. Г. Характер химических связей в сегнетоэлектрических кристаллах АВОз со структурой типа перовскита. // Кристаллография. 1962. - т. 7, № 4. - С. 604608.

19. Крайник Н. Н. Антисегнетоэлектричество в соединениях со структурой типа перовскита. // Изв. АН СССР, серия физич. -1964. т. 28, № 4. - С. 643-648.

20. Смоленский Г. А. Новые сегнетоэлектрики и антисегнетоэлектрики. // Усп. физич. наук. 1957. - т. 62, № 1. - С. 41-69.

21. Вул Б. М., Гольдман И. М. Диэлектрическая проницаемость титанатов металлов второй группы. // Доклады АН СССР. -1945. т. 46, № 4. - С. 154-157.

22. Вул Б. М., Гольдман И. М. Диэлектрическая проницаемость титаната бария в зависимости от напряженности в переменном поле. // Доклады АН СССР. -1945. т. 49, № 3. - С. 179-183.

23. Смоленский Г. А. Новые сегнетоэлектрики. // Доклады АН СССР. -1950. т. 70, № 3. -С. 405-408.

24. Смоленекий Г. А. Сегнетоэлектрические свойства некоторых титанатов и цирконатов двухвалентных металлов, имеющих структуру типа перовскита. // Журнал технической физики. 1950. - т. 20, № 2. - С. 137-148.

25. Shirane G., Hoshino S., Suzuki К. X-Ray Study of the Phase Transition in Lead Titanate. // Phys. Rev.-1950.-v. 80, № Ю.-Р. 1105-1106.

26. Matthias В. T. New Ferroelectric Crystals. // Phys. Rev. 1949. - v. 75, № 11. - P. 1771.

27. Курчатов И. В. Сегнетоэлектрики. М.: Гостехиздат, 1933. - 104 с.

28. Веневцев Ю. Н., Политова Е. Д., Иванов С. А. Сегнето- и антисегнетоэлектрики семейства титаната бария. М.: Химия, 1985. - 256 с.

29. Герзанич Е. И., Фридкин В. М. Сегнетоэлектрики типа AVBVICVI1. М.: Наука, 1982. -228 с.

30. Кенциг В. Сегнетоэлектрики и антисегнетоэлектрики.: Пер. с англ. . М.: Изд. иностр. лит., 1960.-234 с.

31. Fatuzzo Е., Merz W. J. Ferroelectricity. Amsterdam: North-Holland, 1967. - 267 p.

32. Смоленский Г. А., Крайник H. H. Сегнетоэлектрики и антисегнетоэлектрики. М.: Наука, 1968.- 184 с.

33. Холоденко JI. П. Термодинамическая теория сегнетоэлектриков типа титаната бария. -Рига: Зинатне, 1971.-227 с.

34. Bell A. J., Cross L. Е. A phenomenological Gibbs function for ВаТЮз giving correct E-field dependence of all ferroelectric phase changes. // Ferroelectrics. 1984. - v. 59, No 3-4. - P. 197-203.

35. Ландау Л. Д., Лифшиц Е. М. Электродинамика сплошных сред. 3-е изд., испр. М.: Наука, 1992. - 661 с.

36. Хачатурян А. Г. Теория фазовых превращений и структура твердых растворов. М.: Наука. 1974. - 384 с.

37. Sapriel J. Domain-wall orientations in ferroelastics. // Phys. Rev. B. 1975. - v. 12, № 11. - P. 5128-5140.

38. Хуберт А. Теория доменных стенок в упорядоченных средах.:Пер. с нем. М.: Мир, 1977. - 306 с.

39. Бурсиан Э. В., Гиршберг Я. Г. Когерентные эффекты в сегнетоэлектриках. М.: Изд. МГПИ "Прометей", 1989. - 197 с.

40. Kleman М. Points, lines and walls in liquid crystals, magnetic systems and various ordered media. New-York: Willey, 1983. - 322 p.

41. Желудев И. С., Шувалов JI. А. Сегнетоэлектрические фазовые переходы и симметрия кристаллов. // Кристаллография. 1956. - т. 1, № 6. - С. 681-688.

42. Love Е. А. N. A Treatise on the Mathematical Theory of Elasticity. New York: Dover press, 1944.-624 p.

43. Pertsev N. A., Arlt G. Internal stresses and elastic energy in ferroelectric and ferroelastic ceramics: calculations by the dislocation method. // Ferroelectrics. -1991, v. 123. P. 27-44.

44. Aizu K. Possible species of 'ferroelastic' crystals and simultaneously ferroelectric and ferroelastic crystals. // J. Phys. Soc. Japan. 1969. - v. 27, № 2. - P. 387-396.

45. Fousek J., Janovec V. The orientation of domain walls in twinner ferroelectric crystals. // J. Appl. Phys. 1969. - v. 40, № 1. - P. 135-142.

46. Фридкин В. M. Сегнетоэлектрики-полупроводники. М.: Наука, 1976. - 408 с.

47. Фесенко Е. Г., Гавриляченко В. Г., Семенчев А. Ф. Доменная структура многоосных сегнетоэлектрических кристаллов. Рост. -н. -Дон.: Изд. Рост, унив., 1990. - 185 с.

48. Roitburd A. L., Kurdjumov G. V. Nature of martensitic transformations. // Mater. Sci. Eng. -1979.-v. 39, №2.-P. 141-167.

49. Salje E. К. H. Phase transitions in ferroelastic and co-elastic crystals. Cambridge: Cambridge university press, 1993. - 276 p.

50. Смоленский Г. А., Боков В. А., Исупов В. А. и др. Физика сегнетоэлектрических явлений. Л.: Наука (Лен. отд.), 1985. - 367 с.

51. Завадский Э. А., Ищук В. М. Метастабильные состояния в сегнетоэлектриках. Киев: Наукова думка, 1987. - 255 с.

52. Matthias В. Т., von Hippel A. Domain structure and dielectric response of barium titanate single crystals. // Phys. Rev. 1948. - v. 73, № 11. - P. 1378-1384.

53. Merz W. J. Domain formation and domain wall motions in ferroelectric ВаТЮз single crystals. // Phys. Rev. 1954. - v. 95, № 3. - P. 690-698.

54. Forsbergh P. W., Jr. Domain structures and phase transitions in barium titanate. // Phys. Rev. -1949.-v. 76, №8. -P. 1187-1201.

55. Kay H. F., Vousden P. Symmetry changes in barium titanate at low temperatures and their relation to its ferroelectric properties. // Phil. Mag. 1949. - v. 40, № 10. - P. 1019-1040.

56. Arlt G. Twinning in ferroelectric and ferroelastic ceramics: stress relief. // J. Mater. Science. -1990. v. 25, №. - P. 2655-2666.

57. Tsai F., Khiznichenko V., Cowley J. M. High-resolution electron microscopy of 90° ferroelectric domain boundaries in ВаТЮз and Pb(Zro. 52Tio. 4в)Оз. //Ultramicroscopy. 1992. -v. 45,№ l.-P. 55-63.

58. Chrosch J., Salje E. К. H. Temperature dependence of the domain wall width in ЬаАЮз. // J-Appl. Phys. 1999. - v. 85, № 2. - P. 722-727.

59. Newton R. R., Ahearn A. J., McKay K. G. Observations of the ferro-electric Barkhausen effect in barium titanate. // Phys. Rev. 1949. - v. 75, № 1. - P. 103-106.

60. Chynoweth A. G. Barkhausen pulses in barium titanate. // Phys. Rev. 1958. - v. 110, № 6. -P. 1316-1332.

61. Little E. A. Dynamic behavior of domain walls in barium titanate. // Phys. Rev. 1955. - v. 98, № 4. - P. 978-984.

62. Fousek J., Brezina B. Irreversible motions of a 90° domain in ВаТЮз. H Czech. J. Phys. -1959.-v. 9,№2.-P. 265-266.

63. Fousek J., Brezina B. The movement of single 90° domain walls of ВаТЮз in alternating electric field. // Czech. J. Phys. 1960. - v. 10, № 7. - P. 511-528.

64. Бржезина Б., Фоусек Я. О взаимодействии 90-градусных и 180-градусных доменов в ВаТЮз. // Физика твердого тела. 1962. - т. 4, № 6. - С. 1400-1411.

65. Barsch G. R., Krumhansl J. A. Twin boundaries in ferroelastic media without interface dislocations. // Phys. Rev. Lett. 1984. - v. 53, № 11. - P. 1069-1072.

66. Miller R. C., Savage A. Velocity of sideways 180° domain wall motion in BaTi03 as a function of the applied electric field. // Phys. Rev. 1958. - v. 112, № 3. - P. 755-762.

67. Miller R. C., Savage A. Further experiments on the sidewise motion of 180° domain walls in BaTi03. //Phys. Rev. 1959. - v. 115, № 5. - P. 1176-1180.

68. Borodina V. A. Formation of a periodic domain structure in a-domain ВаТЮз crystals under the influence of an electric field. // Ferroelectrics. 1990. - v. Ill, Pt. B. - P. 277-281.

69. Турик А. В., Чернобабов А. И. Ориентационный вклад в диэлектрические, пьезоэлектрические и упругие свойства сегнетоэлектрической керамики. // Журнал технической физики. 1977. - т. 47, № 3. - С. 1944-1948.

70. Arlt G., Dederichs Н. Complex elastic, dielectric and piezoelectric constants by domain wall damping in ferroelectric ceramics. // Ferroelectrics. 1980. - v. 29. - P. 47-50.

71. Алешин В. И. Доменно-ориентационный вклад в константы сегнетоэлектрического полидоменного кристалла и пьезокерамики. // Журнал технической физики. 1990. - т. 60, № 1.-С. 179-183.

72. Bondarenko E. I., Topolov V. Yu., Turik A. V. The effect of 90° domain wall displacements on piezoelectric and dielectric constants of perovskite ferroelectric ceramics. // Ferroelectrics. 1990.-v. 110.-P. 53-55.

73. Pertsev N. A., Arlt G. Theory of the banded domain structure in coarse-grained ferroelectric ceramics. // Ferroelectrics. 1992. - v. 132. - P. 27-40.

74. Ishibashi Y. Phenomenological theory of domain walls. // Ferroelectrics. 1989. - v. 98. - P. 193-205.

75. Pertsev N. A., Arlt G., Zembilgotov A. G. Prediction of a giant dielectric anomaly in ultrathin polydomain ferroelectric epitaxial films. // Phys. Rev. Lett. 1996. - v. 76, № 8. - P. 13641367.

76. Capelle В., Malgrange C. Antiphase boundaries in GdDy(M04)3 crystals: evaluation of their thickness and energy from experimental results. // J. Phys. (France). 1984. - v. 45, № 11. - P. 1827-1834.

77. Ferroelectric thin films.: ed. by Myers E. R., Kingon A. // Mater. Res. Soc. Symp. Proc., 1990, v. 200.

78. Ferroelectric thin films II.: ed. by Kingon A., Myers E. R. // Mater. Res. Soc. Symp. Proc., 1992, v. 243.

79. Ferroelectric thin films III.: ed. by. Myers E. R., Tuttle B. A., Desu S. В., Larsen P. K. // Mater. Res. Soc. Symp. Proc., 1993, v. 310.

80. Сидоркин А. С., Сигов А. С., Ховив А. М. и др. Получение и свойства тонких сегнетоэлектрических пленок титаната свинца. // Физика твердого тела. 2000. - v. 42, № 4.- С. 727-732.

81. Epitaxial oxide thin films and heterostructures.: ed. by Fork D. K., Philips J. M., Ramesh R., Wolf R. M. // Mater. Res. Soc. Symp. Proc., 1994, v. 341.

82. Epitaxial oxide thin films II.: ed. by Speck J. S., Fork D. K., Wolf R. M., Shiosaki T. // Mater. Res. Soc. Symp. Proc., 1996, v. 401.

83. Waser R. Dielectric analysis of integrated ceramic thin film capacitors // Proc. 8th Int. Symp. Integr. Ferroel. (ISIF). 1996. - P. 1-13.

84. Томашпольский Ю. Я., Платонов Г. JI. Сегнетоэлектрические пленки сложных окислов. М.: Металлургия, 1978. - 200 с.

85. Томашпольский Ю. Я. Пленочные сегнетоэлектрики. М.: Радио и связь, 1984. - 192 с.

86. Nakamura Т., Muhammet R., Shimizu М., Shiosaki Т. Preparation of Bi4Ti30i2 films by MO-CVD and their application to memory devices. // Integr. Ferroelectrics. 1995. - v. 6. - P. 3546.

87. Wessels B. W., Nystrom M. J., Chen J. et al. Epitaxial niobate thin films and their nonlinear optical properties. // Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 1993. - v. 401. - P. 211-218.

88. Kirlin P., Bilodeau S., Van Buskrik P. MOCVD of BaSrTi03 for ULSI DRAMs // Integr. Ferroelectrics. 1995. - v. 7. - P. 307-318.

89. Ainger F., Patel A., Shorrocks N. M. et al. Thin ferroelectric films for thermal detector applications. // Integr. Ferroelectrics. 1992. - v. 1. - P. 363-378.

90. Hayashi Т., Oji N., Maiwa H. Film thickness dependence of dielectric properties of ВаТЮз thin films prepared by sol-gel method. // Jpn. J. Appl. Phys. 1994. - v. 33, № 9. - P. 52775280.

91. Prasadarao A. V., Selvaraj U., Komarneni S. Fabrication of Sr2Nb207 thin films by sol-gel processing. // J. Mater. Res. 1995. - v. 10, № 3. - P. 704-707.

92. Sato E., Huang Y., Kosec M. et al. Lead loss, preferred orientation, and the dielectric properties of sol-gel prepared lead titanate thin films. // Appl. Phys. Lett., 1994, v. 65, № 21, p. 2678-2680.

93. Tuttle B. A., Voigt J. A., Goodnow D. C. et al. Highly oriented, chemically prepared Pb(Zr, Ti)03 thin films. // J. Am. Ceram. Soc. 1993. - v. 76, № 6. - P. 1537-1544.

94. Joshi V., Roy D., McCartney M. L. Substrate influenced nucleation and crystallization of LiNb03 thin films made by sol-gel. //Mater. Res. Soc. Symp. Proc. -1993. v. 310. - P. 287292.

95. Nashimoto K. Preparation and characterization of sol-gel derived heteroepitaxial LiNb03 and LiTa03 thin films. // Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 1993. - v. 310. - P. 293-298.

96. Graettinger Т. M., Lichtenwalner D. J., Chow A. F. et al. Processing thin films of KNb03 for optical waveguides. // Integr. Ferroelectrics. 1995, v. 6. - P. 363-373.

97. Gao Y., Bai G., Merkle K. L. et al. Microstructure of PbTi03 thin films deposited on (001) MgO by MOCVD. // J. Mater. Res. 1993. - v. 8, № 1. - P. 145-153.

98. De Veirman A. E. M., Timmers J., Hakkens J. et al. ТЕМ and XRD characterization of epitaxially grown PbTi03 prepared by pulsed laser deposition. // Philips J. Res. 1993. - v. 47, № l.-P. 185-200.

99. Tabata H., Murata O., Kawai T. et al. C-axis preferred orientation of laser ablated epitaxial PbTi03 films and their electrical properties. // Appl. Phys Lett. 1994. - v. 64, № 4. - P. 428430.

100. Kwak B. S., Erbil A., Budai J. D. et al. Domain formation and strain relaxation in epitaxial ferroelectric heterostructures. //Phys. Rev. B. 1994. - v. 49, № 21. - P. 14865-14879.

101. Chen Y. -F., Yu Т., Chen J-X. et al. РЬТЮз thin films prepared by metalorganic chemical vapor deposition on LaA103. // Appl. Phys. Lett. 1995. - v. 66, № 2. - P. 148-150.

102. Stemmer S., Streiffer S. K., Ernst F., Ruhle M. Dislocations in PbTi03 thin films. // Phys. Status. Solid. A. 1995. - v. 147, № 1. - P. 135-154.

103. Foster С. M., Li Z., Buckett M. et al. Substrate effects on the structure of epitaxial РЬТЮз thin films prepared on MgO, LaAlCb, and SrTiCb by metalorganic chemical-vapor deposition. // J. Appl. Phys. 1995. - v. 78, № 4. - P. 2607-2622.

104. Foster С. M., Pompe W., Daykin A. C. et al. Relative coherency strain and phase transformation history in epitaxial ferroelectric thin films. //J. Appl. Phys. -1996. v. 79, № 3. -P. 1405-1415.

105. Takayama R., Tomita Y. Preparation of epitaxial Pb(Zr^Tii^)03 thin films and their crystallographic, pyroelectric, and ferroelectric properties. // J. Appl. Phys. 1989. - v. 65, № 4.-P. 1666-1670.

106. Ramesh R., Sands Т., Keramidas V. G. Effect of crystallographic orientation on ferroelectric properties of PbZr0.2Ti0.8 thin films. //Appl. Phys. Lett. 1993, v. 63, № 6. - P. 731-733.

107. Speck J. S., Seifert A., Pompe W., Ramesh R. Domain configurations due to multiple relaxation mechanisms in epitaxial ferroelectric thin films. II. Experimental verification and implications. // J. Appl. Phys. 1994. - v. 76, № 1. - P. 477-483.

108. Kim S., Hishita S., Kang Y. M., Baik S. Structural characterization of epitaxial BaTi03 thin films grown by sputter deposition on MgO(lOO). // J. Appl. Phys. 1995. - v. 78, № 9. - P. 5604-5608.

109. Kim S., Park Y., Kang Y. et al. Ferroelectric domains in epitaxial РЬТЮз and BaTi03 thin films grown on MgO(lOO). // Thin Solid Films. 1998. - v. 312. - P. 249-253.

110. Hwang C. S., Vaudin M. D., Stauf G. T. Influence of substrate annealing on the epitaxial growth of BaTi03 thin films by metal-organic chemical vapor deposition. // J. Mater. Res. -1997. v. 12, № 6. - P. 1625-1633.

111. Kwak B. S., Erbil A., Wilkens B. J. et al. Strain relaxation by domain formation in epitaxial ferroelectric thin films. // Phys. Rev. Lett. 1992. - v. 68, № 25. - P. 3733-3736.

112. Alpay S. P., Nagarajan V., Bendersky L. A. et al. Effect of the electrode layer on the polydomain structure of epitaxial PbZr0.2Ti0. s03 thin films. // J. Appl. Phys. -1999. v. 85, № 6.-P. 3271-3277.

113. Iijima K., Takayama R., Tomita Y., Ueda I. Epitaxial growth and the crystallographic, dielectric, and pyroelectric properties of lanthanum-modified lead titanate thin films. // J. Appl. Phys. 1986. - v. 60, № 8. - P. 2914-2919.

114. Kang Y. M., Ku J. K., Baik S. Crystallographic characterization of tetragonal (Pb,La)Ti03 epitaxial thin films grown by pulsed laser deposition. //J. Appl. Phys. -1995. v. 78, № 4. -P. 2601-2606.

115. Kang Y. M., Baik S. In situ high-temperature x-ray diffraction study on domain evolution in ferroelectric (Pb,La)Ti03 epitaxial thin films. //J. Appl. Phys. -1997. -v. 82, № 5. P. 25322537.

116. Kolosov O., Gruverman A., Hatano J. et al. Nanoscale visualization and control of ferroelectric domains by atomic force microscopy. // Phys. Rev. Lett. 1995. - v. 74, № 21. -P. 4309-4312.

117. Auciello O., Gruverman A., Tokimoto H. et al. Nanoscale scanning force imaging of polarization phenomena in ferroelectric thin films. // Mat. Res. Soc. Bullet. 1998. - v. 23, № l.-P. 33-42.

118. Colla E. L., Hong S., Taylor D. V. et al. Direct observation of region by region suppression of the switchable polarization (fatigue) in Pb(Zr,Ti)03 thin film capacitors with Pt electrodes. // Appl. Phys. Lett. 1998. - v. 72, № 21. - P. 2763-2765.

119. Hong S., Colla E. L., Kim E. et al. High resolution study of domain nucleation and growth during polarization switching in Pb(Zr,Ti)03 ferroelectric thin film capacitors. // J. Appl. Phys. 1999. - v. 86, № 1. - P. 607-613.

120. Roelofs A., Bottger U., Waser R., Schlaphof F., Trogisch S., Eng L. M. Differentiating 180° and 90° switching of ferroelectric domains with three-dimensional piezoresponse force microscopy. // Appl. Phys. Lett. 2000 - v. 77, No 21. - P. 3444-3446.

121. Stemmer S., Streiffer S. K., Ernst F., Ruhle M. Atomistic structure of 90° domain walls in ferroelectric PbTi03 thin films. // Phil. Mag. A. 1995. - v. 71, № 3. - P. 713-724.

122. Seifert A., Lange F. F., Speck J. S. Epitaxial growth of PbTi03 thin films on (001) SrTi03 from solutions precursors. // J. Mater. Res. 1995. - v. 10, № 3. - P. 680-691.

123. Hsu W. -Y., Raj R. X-ray characterization of the domain structure of epitaxial lead titanate thin films on (001) strontium titanate. // Appl. Phys. Lett. 1995. - v. 67, № 6. - P. 792-794 .

124. Nystrom M. J., Wessels B. W., Chen J., Marks T. J. Microstructure of epitaxial potassium niobate thin films prepared by metalorganic chemical vapor deposition. // Appl. Phys. Lett. -1996. v. 68, № 6. - P. 761-763.

125. Gopalan V., Raj R. Domain Structure and phase transitions in epitaxial KNb03 thin films studied by in situ second harmonic generation measurements. // Appl. Phys. Lett. 1996. - v. 68,№10.-P. 1323-1325.

126. Streiffer S. K., Zielinski E. M., Larson В. M., Bravman J. C. Thickness dependence of the twin density in Yba2Cu307-s thin films sputtered onto MgO substrates. // Appl. Phys. Lett. -1991. v. 58, № 19. - P. 2171-2174.

127. Lettieri J., Jia Y., Urbanik M. et al. Epitaxial growth of (OOl)-oriented and (llO)-oriented SrBi2Ta209 thin films. // Appl. Phys. Lett. 2000. - v. 73, № 20. - P. 2923-2925.

128. Жирнов В. А. К теории доменных стенок в сегнетоэлектриках. // Журнал экспериментальной и теоретической физики. 1958. - т. 35, № 5. - С. 1175-1180.

129. Иванчик И. И. К макроскопической теории сегнетоэлектриков. // Физика твердого тела. 1961. - т. 3, № 12. - С. 3731-3742.

130. Булаевский JI. Н. Термодинамическая теория доменных стенок в сегнетоэлектриках типа перовскита. // Физика твердого тела. 1963. - т. 5, № 11. - С. 3183-3187.

131. Fouskova A., Fousek J. Continuum theory of domain walls in Gd2(M(>4)3. // Phys. Status Solid. A. 1975. - v. 32, № 1. - P. 213-219.

132. Ishibashi Y., Dvorak V. Domain walls in improper ferroelectrics. // J. Phys. Soc. Japan. -1976. v. 41, № 5. - P. 1650-1658.

133. Falk F. Ginzburg-Landau theory of static domain walls in shape memory alloys. // Z. Phys. В (Germany). 1983. - v. 51, № 2. - P. 177-185.

134. Jacobs A. E. Solutions of the square-rectangular martensitic transformation. // Phys. Rev. B. -1985. v. 31, № 9. - P. 5984-5989.

135. Cao W., Barsch G. R., Krumhansl J. A. Quasi-one-dimensional solutions for domain walls and their constraints in improper ferroelastics. // Phys. Rev. B. 1990. - v. 42, № 10. - P. 6396-6401.

136. Cao W., Cross L. E. Theory of tetragonal twin structures in ferroelectric perovskites with a first-order phase transition. // Phys. Rev. B. -1991. v. 44, № 1. - P. 5-12.

137. Speck J. S., Pompe W. Domain configurations due to multiple misfit relaxation mechanisms in epitaxial ferroelectric thin films. I. Theory. // J. Appl. Phys. 1994. - v. 76, № 1. - P. 466476.

138. Pertsev N. A., Zembilgotov A. G. Domain populations in epitaxial ferroelectric thin films: theoretical calculations and comparison with experiment. // J. Appl. Phys. 1996. - v. 80, № 8. - P. 6401-6406.

139. Romanov A. E., Pompe W., Mathis S. et al. Threading dislocation reduction in strained layers. // J. Appl. Phys. 1999. - v. 85, № 1. - P. 182-192.

140. Jin Wook Jang, Woon Jo Cho, Jong Ho Lee et al. Ninety Degree Domains in RF-Sputtered ВаТЮЗ Thin Films on Platinum Substrates. I I Jap. J. Appl. Phys. 1997. - v. 36, № 11. - P. 6937-6941.

141. Srikant V., Tarsa E. J., Clarke D. R., Speck J. S. Crystallographic orientation of epitaxial ВаТЮз: the role of thermal-expansion mismatch with the substrate. // J. Appl. Phys. 1995. -v. 77,№4. -P. 1517-1522.

142. Kushida K., Takeuchi H. Piezoelectricity of c-axis oriented РЬТЮЗ thin films // Appl. Phys. Lett. -1987. v. 50, № 25. - P. 1800-1801.

143. Yoneda Y., Okabe Т., Sakaue K. et al. Structural characterization of ВаТЮЗ thin films grown by molecular beam epitaxy. // J. Appl. Phys. -1998. v. 83, № 5. - P. 2458-2461.

144. Kwak B. S., Boyd E. P., Erbil A. Metalorganic chemical vapor deposition of РЬТЮз thin films. // Appl. Phys. Lett. 1988. - v. 53, № 18. - P. 1702-1704.

145. Carlson С. M., Rivkin Т. V., Parilla P. A. et al. Large dielectric constant (c / e0 > 6000) Bao.4Sro. бТЮ3 thin films for high-performance microwave phase shifters. // Appl. Phys. Lett. 2000. - v. 76, № 14. - P. 1920-1922.

146. Mabud S. A., Glazer A. M. Lattice parameters and birefrigence in РЬТЮз single crystals. // J. Appl. Crystall. 1979. - v. 12, № 1. - P. 49-53.

147. Брус А., Каули P. Структурные фазовые переходы.: Пер. с англ. М.: Мир, 1984. - 405 с.

148. Domb С., Green М. S. Phase transitions and critical phenomena, New York: Acad. Press, 1972.-350 p.

149. Андерсон П. В. Качественные соображения относительно статистики фазового перехода в сегнетоэлектриках типа ВаТЮ3 // в сб.: Физика диэлектриков (Под ред. Г. И. Сканави). М.: Изд-во АН СССР, 1960. - 532 с. - С. 290-296.

150. Cochran W. Crystal stability and the theory of ferroelectricity. // Adv. Phys. 1960. -v. 9, № 36. - P. 387-423.

151. Слэтер Дж. Методы самосогласованного поля для молекул в твердых телах.: Пер. с англ. М.: Мир,1978. - 662 с.

152. Silverman В. D., Joseph R. I. Temperature dependence of the dielectric constant ofparaelectric materials. // Phys. Rev. -1963. v. 129, № 5. - P. 2062-2068.

153. Silverman B. D., Joseph R. I. Nonlinear dielectric constant of a paraelectric material. // Phys. Rev. 1964. - v. 133, № 1A. - P. A207-A210.

154. Silverman B. D. Temperature dependence of the frequency spectrum of a paraelectric material. // Phys. Rev. 1964, v. 135, № 6A. - P. A1596-A1603.

155. Cowley R. A. On the theory of ferroelectricity and anharmonic effects in crystals. // Phil. Mag. 1965. - v. 11, № 112. - P. 673-707.

156. Boccara N., Sarma G. Self-consistent microscopic theory of the transitions accompanying a modification in crystalline structure. // Physics. 1965. - v. 1, № 4. - P. 219-228.

157. Hooton D. J. A new treatment of anharmonicity in lattice dynamics (I,II). // Phil. Mag. 1955. - v. 46, № 375. - P. 422-442.

158. Hooton D. J. Some vibrational properties of solid helium. // Phil. Mag. 1955. - v. 46, № 376. - P. 485-498.

159. Hooton D. J. The use of model in anharmonic lattice dynamics. // Phil. Mag. 1958. - v. 3, № 25. - P. 49-54.

160. Werthamer N. R. Theory of quantum crystals. // Amer. Journ. Phys. 1969. - v. 37, № 8. - P. 763-782.

161. Werthamer N. R. Self-consistent phonon formulation of anharmonic lattice dynamics. // Phys. Rev. B. -1970. v. 1, № 2. - P. 572-581.

162. Boccara N., Sarma G., Inelastic scattering of neutrons, vol. 1, IAEA Vienna, 1965, 313 p.

163. Pietrass B. Self-consistent lattice-dynamical theory of structural phase transitions in perovskite-type crystals. // Phys. St. Solidi. 1972. - v. 53b, № 1. - P. 279-286.

164. Aizu K. On the theory of simultaneously ferroelectric and ferroelastic crystals. // Journ. Phys. Soc. Jap. -1966. v. 21, № 4. - P. 1240-1256.

165. Lines M. E. Statistical Theory for Displacement Ferroelectrics. // Phys. Rev. 1969. - v. 177, №2.-P. 797-812.

166. Thomas H., Muller K. A. Structural phase transitions in perovskite-type crystals. // Phys. Rev. Lett. 1968. - v. 21, № 17. - P. 1256-1260.

167. Miller P. В., Kwok P. C. Phonons in Time-dependent hartree approximation with application to order-disorder ferroelectrics. //Phys. Rev. -1968. v. 175, № 3. - P. 1062-1071.

168. Вакс В. Г., Галицкий В. М., Ларкин А. И. Коллективные возбуждения вблизи точек фазового перехода второго рода. // Журнал экспериментальной и теоретической физики. -1966. т. 51, № 5. - С. 1592-1608.

169. Вакс В. Г., Ларкин А. И., Пикин С. А. О методике самосогласованного поля при описании фазовых переходов. // Журнал экспериментальной и теоретической физики. -1966.-т. 51, № 1,-С. 361-374.

170. Koehler Т. R., Gillis N. S. Phase Transitions in a model of interacting anharmonic oscillators. //Phys. Rev. B. 1973. - v. 7, № 11. - P. 4980-4999.

171. Gillis N. S., Koehler T. R. Phase transitions in a simple model ferroelectric -comparison of exact and variational treatments of a molecular-field Hamiltonian // Phys. Rev. B. 1974. - v. 9, №9. -P. 3806-3818.

172. Cohen R. E., Krakauer H. Lattice dynamics and origin of ferroelectricity in ВаТЮз: Linearized-augmented-plane-wave total-energy calculations. // Phys. Rev. B. 1990. - v. 42, № 10.-P. 6416-6423.

173. King-Smith R. D., Vanderbilt D. First-principles investigation of ferroelectricity in perovskite compounds. // Phys. Rev. B. 1994. - v. 49, № 9. - P. 5828-5844.

174. Zhong W., Vanderbilt D., Rabe К. M. First-principles theory of ferroelectric phase transitions for perovskites: The case of ВаТЮЗ. // Phys. Rev. B. 1995. - v. 52, № 9. - P. 6301-6312.

175. Waghmare U. V., Rabe К. M. Ab initio statistical mechanics of the ferroelectric phase transition in PbTi03. // Phys. Rev. B. -1997. v. 55, № 10. - P. 6161-6173.

176. Иванов О. В., Шпорт Д. А., Максимов Е. Г. Микроскопическая модель сегнетоэлектрической неустойчивости в кристаллах со структурой типа перовскита. // Журнал экспериментальной и теоретической физики. -1998. т. 114, № 2. - С. 333-358.

177. Padilla J., Vanderbilt D. Ab initio study of BaTi03 surfaces. // Phys. Rev. B. -1997. v. 56, № 3.-P. 1625-1631.

178. Park С. H., Chadi D. J. Microscopic study of oxygen-vacancy defects in ferroelectric perovskites. // Phys. Rev. B. -1998. v. 57, № 22. - P. R13961-R13964.

179. Poykko S., Chadi D. J. Dipolar defect model for fatigue in ferroelectric perovskites. // Phys. Rev. Lett. -1999. v. 83, № 6. - P. 1231-1234.

180. Padilla J., Zhong W., Vanderbilt D. First-principles investigation of 180° domain walls in ВаТЮз- // Phys. Rev. B. 1996 - v. 53, No 10. - P. R5969-R5973.

181. Poykko S., Chadi D. J. Ab initio study of 180° domain wall energy and structure in РЬТЮз. H Appl. Phys. Lett. -1999. v. 75, № 18. - P. 2830-2832.

182. Ghosez Ph., Rabe К. M. Microscopic model of ferroelectricity in stress-free РЬТЮз ultrathin films. // Appl. Phys. Lett. -2000. v. 76, № 19. - P. 2767-2769.

183. Vul D. A., Salje E. К. H. Periodic twin microstructures in YBa2Cu307 thin films: a computer simulation study. // Physica C. 1995. - v. 253, № 3-4 . - P. 231-242.

184. Гинзбург В. JI. О поляризации и пьезоэффекте титаната бария вблизи точки сегнетоэлектрического перехода. // Журнал экспериментальной и теоретической физики. 1949. - т. 19, № 1. - С. 36-41.

185. Devonshire A. F. Theory of barium titanate. I. // Phil. Mag. 1949. - v. 40, № 10. - P. 10401063.

186. Devonshire A. F. Theory of Ferroelectrics. // Advances in Phys. -1954. v. 3. - P. 85-130.

187. Landau L., Lifshitz E. Theory of the dispersion of magnetic permeability in ferromagnetic bodies. // Phys. Zeits. d. Sowjetunion. 1935. - v. 8, № 2. - S. 153-169.

188. Ландау Л. Д. К теории фазовых переходов I. // Журнал экспериментальной и теоретической физики. 1937. - т. 7, № 1 . - С. 19-32

189. Ландау Л. Д. К теории фазовых переходов II. // Журнал экспериментальной и теоретической физики. 1937. - т. 7, № 5 . - С. 627

190. Толедано Ж. -К., Толедано П. Теория Ландау фазовых переходов.: Пер. с англ. М.: Мир, 1994. - 462 с.

191. Гинзбург В. Л. О диэлектрических свойствах сегнетоэлектриков и титаната бария. // Журнал экспериментальной и теоретической физики. 1945. - т. 15, № 5 . - С. 739-749.

192. Devonshire A. F. Theory of barium titanate. II. // Phil. Mag. 1951. - v. 42, № 10. - P. 10651079.

193. Haun M. J., Furman E., Jang S. J. et al. Thermodynamic theory of РЬТЮз. 11 J- Appl. Phys. -1987. v. 62, № 8. - P. 3331-3338.

194. Buessem W. R., Cross L. E., Goswami A. K. Phenomenological theory of high permittivity in fine-grained Barium Titanate. // J. Amer. Ceram. Soc. 1966. - v. 49, № 1. - P. 33-38.

195. Cao W., Barsch G. R. Landau-Ginzburg model of interphase boundaries in improperferroelastic perovskites of Dsymmetry. // Phys. Rev. B. 1990. - v. 41, № 7. - P. 43344348.

196. Mitsui Т., Furuichi J. Domain structure of rochelle salt and KH2PO4. // Phys. Rev. -1953. v. 90, № 2. - P. 193-202.

197. Перцев Н. А., Арльт Г. Дислокационный метод расчета внутренних напряжений в поликристаллических сегнетоэластиках. // Физика твердого тела. 1991. - v. 33, № 10. -Р. 3077-3088.

198. Хирт Дж., Лоте И. Теория дислокаций.: Пер. с англ. М.: Атомиздат, 1972. - 599 с.

199. Владимиров В. И., Романов А. Е. Дисклинации в кристаллах. Л.: Наука, 1986. - 223 с.

200. Roitburd A. L. Equilibrium structure of epitaxial layers. // Phys. Status Solidi A. 1976. - v. 37, №1,-P. 329-339.

201. Roytburd A. L. Modulated domain and heterophase structures in epitaxial layers due to solid-solid transformations. // Mater. Res. Soc. Symp. Proc. -1991. v. 221. - P. 255-267.

202. Roytburd A. L., Yu Y. Ferroelectric and ferroelastic domain structures in epitaxial layers. // Ferroelectrics. -1993. v. 144. - P. 137-146.

203. Roytburd A. L. Evolution of equilibrium twin structures under mechanical stress and electric or magnetic fields. // In: Twinning in advanced materials, ed. by Yoo M. H. and Wuttig M. -Minerals, Metals & Materials Society, 1994. P. 217-230.

204. Pompe W., Gong X., Suo Z., Speck J. S. Elastic energy release due to domain formation in the strained epitaxy of ferroelectric and ferroelastic films. // J. Appl. Phys. 1993. - v. 74, № 10.-P. 6012-6019.

205. Pertsev N. A., Zembilgotov A. G. Energetics and geometry of 90° domain structures in epitaxial ferroelectric and ferroelastic films. // J. Appl. Phys. 1995. - v. 78, № 10. - P. 61706180.

206. Pertsev N. A., Arlt G., Zembilgotov A. G. Domain-wall and intrinsic contributions to the dielectric response of epitaxial ferroelectric films. // Microel. Engin. -1995. v. 29. - P. 135140.

207. Pertsev N. A., Emelyanov A. Yu. Domain-wall contribution to the piezoelectric response of epitaxial ferroelectric thin films. // Appl. Phys. Lett. 1997. - v. 71, № 25. - P. 3646-3648.

208. Romanov A. E., Pompe W., Speck J. S. Theory of microstructure and mechanics of the . a\la2la\la2. domain pattern in epitaxial ferroelectric and ferroelastic films. // J. Appl. Phys. -1996. v. 79, № 8. - P. 4037-4049.

209. Romanov A. E., Vojta A., Pompe W. et al. Domain patterns in (111) oriented tetragonal ferroelectric films. // Phys. Status. Solid. A. 1999. - v. 172, № 1. - P. 225-253.

210. Romanov A. E., Lefevre M. J., Speck J. S. et al. Domain patterns in epitaxial rhombohedral ferroelectric films. II. Interfacial defects and energetics. //J. Appl. Phys. 1998. - v. 83, № 5. -P. 2754-2765.

211. Roytburd A. L. Thermodynamics of polydomain heterostructures. I. Effect of macrostresses. //J. Appl. Phys. 1998. - v. 83, № 1. - P. 228-238.

212. Roytburd A. L. Thermodynamics of polydomain heterostructures. II. Effect of microstresses. // J. Appl. Phys. 1998. - v. 83, № 1. - P. 239-245.

213. Alpay S. P, Roytburd A. L. Thermodynamics of polydomain heterostructures. III. Domain stability map. // J. Appl. Phys. v. 83, № 9. - P. 4714-4723.

214. Kretschmer R., Binder K. Surface effects on phase transitions in ferroelectrics and dipolar magnets. // Phys. Rev. B. 1979. - v. 20, № 3. - P. 1065-1076.

215. Tilley D. R., Zeks B. Landau theory of phase transitions in thick films. // Solid State Communications. 1984. - v. 49, № 8. - P. 823-827.

216. Scott J. F., Duiker H. M., Beale P. D. et al. Properties of ceramic KNO3 thin-film memories. //PhysicaB. 1988. - v. 150. - P. 160-167.

217. Zhong W. L., Qu B. D., Zhang P. L., Wang Y. G. Thickness dependence of the dielectric susceptibility of ferroelectric thin films. // Phys. Rev. B. 1994. - v. 50, № 17. - P. 1237512380.

218. Li S., Eastman J. A., Vetrone J. M. et al. Dimension and size effects in ferroelectrics. // Jpn. J. Appl. Phys. -1997. v. 36, № 8. - P. 5169-5174.

219. Batra I. P., Wurfel P., Silverman B. D. New type of first-order phase transition in ferroelectric thin films. // Phys. Rev. Lett. 1973. - v. 30, № 9. - P. 384-387.

220. Tilley D. R., Zeks B. Phase transitions in ferroelectric films. // Ferroelectrics. -1992. v. 134. -P. 313-318.

221. Watanabe Y. Theoretical stability of the polarization in a thin semiconducting ferroelectric. // Phys. Rev. B. 1998. - v. 57, № 2. - P. 789-804.

222. Zakharchenko I. N., Nikitin E. S., Mukhorotov V. M. et al. Peculiarities of ferroelectric phase transition in (Ba, Sr)Ti03 heteroepitaxial films obtained by HF cathode sputtering. // Phys. Status Solidi. (a) -1989. v. 114. - P. 559-566.

223. Rossetti G. A., Jr., Cross L. E., Kushida K. Stress induced shift of the Curie point in epitaxial РЬТЮз thin films. // Appl. Phys. Lett. -1991. v. 59, № 11. - P. 2524-2526.

224. Yano Y., Iijima K., Daitoh Y. et al. Epitaxial growth and dielectric properties of ВаТЮз films on Pt electrodes by reactive evaporation. // J. Appl. Phys. -1994. v. 76, № 12. - P. 78337838.

225. Yamamoto Т., Matsuoka H. Crystallographic and ferroelectric properties subjected to two-dimensional stress in c-axis-oriented РЬТЮз thin films. // Jpn. J. Appl. Phys. -1994. v. 33, № 9B. - P. 5317-5322.

226. Pertsev N. A., Zembilgotov A. G., Tagantsev A. K. Effect of mechanical boundary conditions on phase diagrams of epitaxial ferroelectric thin films. // Phys. Rev. Lett. 1998. - v. 80, № 9. -P. 1988-1991.

227. Pertsev N. A., Zembilgotov A. G., Tagantsev A. K. Equlibrium states and phase transitions in epitaxial ferroelectric thin films. // Ferroelectrics. 1999. - v. 223. - P. 79-90.

228. Pertsev N. A., Tagantsev A. K., Setter N. Phase transitions and strain-induced ferroelectricity in SrTi03 epitaxial thin films. // Phys. Rev. B. 2000. - v. 61, № 2. - P. R825-R829.

229. Desu S. В., Dudkevich V. P., Dudkevich P. V. et al. Thermodynamics of epitaxial ferroelectric films. // Mat. Res. Soc. Proc. -1996. -v. 401. P. 195-201.

230. Tagantsev A. K., Pawlaczyk Cz., Brooks K., Landivar M., Colla E., Setter N. Depletion and depolarizing effects in ferroelectric thin-films and their manifestations in switching and fatigue // Integr. Ferroelectrics. -1995. v. 6, № 1-4 - P. 309-320.

231. Корн Г., Корн Т. Справочник по математике для научных работников и инженеров.: Пер. с англ. М.: Наука, 1973. - 832 с.

232. Pertsev N. A., Zembilgotov A. G., Hofmann S. et al. Ferroelectric thin films grown on tensile substrates: renormalization of the Curie-Weiss law and apparent absence of ferroelectricity. // J. Appl. Phys. 1999. - v. 85, № 3. p. 1698-1701.

233. Touloukian Y. S., Kirby R. K., Taylor R. E., Lee T. Y. R. Thermal Expansion, Nonmetallic Solids, Thermophysical Properties of Matter, Vol. 13: New York, Plenum Press, 1997, 322 p.

234. Sidorkin A. S. Translational vibrations of domain structure in ferroelectrics // J. Appl. Phys. -1998. v. 83, № 7. - P. 3762- 3768.

235. Chen H. D., Udayakumar K. R., Gaskey C. J., Cross L. E. Electrical properties' maxima in thin films of zirconate-lead titanate solid solution system. // Appl. Phys. Lett. 1995. - v. 67, №23.-P. 3411-3413.

236. Xu F., Trolier-McKinstry S., Ren W., Baomin Xu Domain wall motion and its contribution to the dielectric and piezoelectric properties of lead zirconate titanate films. // J. Appl. Phys. -2001. v. 89, № 2. - P. 1336-1348.

237. Shaw Т. M., Suo Z., Huang M. et al. The effect of the stress on the dielectric properties of barium strontium titanate thin films. // Appl. Phys. Lett. 1999. - v. 75, № 14. - P. 2129-2131.

238. Streiffer S. K., Basceri C., Parker С. B. et al. Ferroelectricity in thin films: the dielectric response of fiber textured (BaxSrix)Tii+y03+z thin films grown by chemical vapor deposition. // J. Appl. Phys. 1999. - v. 86, № 8. - P. 4565-4575.

239. Hilton A. D., Ricketts B. W. Dielectric properties of BaixSrxTi03 ceramics. // J. Phys. D: Appl. Phys. -1996. v. 29, № 5 - P. 1321.

240. Hoffmann S., Waser R. Curie-Weiss law of (BaixSrx)Ti03 thin films prepared by chemical solution deposition. // J. Phys. IV. 1998. - v. 8, Pt. 9. - P. 221-224

241. Lee K. S., Baik S. Reciprocal space mapping of phase transformation in epitaxial РЬТЮз thin films using synchrotron x-ray diffraction. // J. Appl. Phys. -1999. v. 85, № 3. - P. 19951997.204

242. Pertsev N. A., Koukhar V. G. Polarization instability in polydomain ferroelectric epitaxial thin films and the formation of heterophase structures. // Phys. Rev. Lett. 2000. - v. 84, № 16. - P. 3722-3725.

243. Pertsev N. A., Koukhar V. G., Waser R., Hoffmann S. Curie-Weiss-type law for the strain and stress effects on the dielectric response of ferroelectric thin films. // Appl. Phys. Lett. 2000. -v. 77,№ 16.-P. 2596-2598.

244. Pertsev N. A., Koukhar V. G., Waser R., Hoffmann S. Effects of domain formation on the dielectric properties of ferroelectric thin films. // Integrated Ferroelectrics. 2001. - v. 32. - P. 235-249.

245. Koukhar V. G., Pertsev N. A., Waser R. In-plane polarization states and their instabilities in polydomain epitaxial ferroelectric thin films. // Appl. Phys. Lett. 2001. - v. 78, № 4. - P. 530-532.

246. Koukhar V. G., Pertsev N. A., Waser R. Thermodynamic theory of epitaxial ferroelectric thin films with dense domain structures. // Phys. Rev. B. 2001. - v. 64, № 21. - 214103 - 15 p.

Обратите внимание, представленные выше научные тексты размещены для ознакомления и получены посредством распознавания оригинальных текстов диссертаций (OCR). В связи с чем, в них могут содержаться ошибки, связанные с несовершенством алгоритмов распознавания. В PDF файлах диссертаций и авторефератов, которые мы доставляем, подобных ошибок нет.