Термо- и фотостимулированные процессы в системах полупроводник - металл, полупроводник - органическая среда тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 01.04.10, доктор физико-математических наук Костенко, Михаил Иванович

• Костенко, Михаил Иванович
• доктор физико-математических наук
• 1997

Оглавление диссертации доктор физико-математических наук Костенко, Михаил Иванович

Оглавление

Введение

Глава 1. Процессы переноса заряда и оптические свойства систем полупроводник - металл, полупроводник органическая среда

1.1 Фоточувствителъность слоистых тонкопленочных систем металл - полупроводник (диэлектрик) - металл

1.1.1 Процессы переноса заряда на границах раздела полупроводник - металл, диэлектрик -

металл

1.1.2 Механизмы детектирования излучения композициями металл - полупроводник (диэлектрик) - металл

1.2 Фоточувствительность гетерогенных тонкопленочных систем полупроводник - органическая среда

1.2.1 Физико - химические свойства поливинилового спирта

1.2.2 Физико - химические свойства оксида цинка

1.2.3 Композиции ЪЮ - ПВС как фоточувствительные материалы

1.3 Фото чувствительность гомогенных тонкопленочных систем комплексные соединения меди - поливиниловый спирт

1.3.1 Фото- и термодеструкция ПВС

1.3.2 Комплексные соединения меди: структура и оптические свойства

1.3.3 Композиции галогениды меди - ПВС как фоточувствительные материалы

Глава 2. Механизмы фоточувствительности тонко - пленочных

систем полупроводник - металл, диэлектрик - металл

2.1 Объекты исследования систем полупроводник (диэлектрик) - металл

2.2 Туннелирование в системе металл - диэлектрик - металл

2.3 Электропроводность структур металл - полупроводник - металл

2.4 Термостимулированное детектирование оптического излучения

2.5 Релаксация тепловых возбуждений в слоистых структурах

Глава 3. Механизмы фоточувствительности гетерогенных систем на основе композиций полупроводник - органическая среда

3.1 Объекты и методы исследования систем полупроводник - органическая среда

3.2 Оптические свойства поливинилового спирта

3.3 Оптические свойства окиси цинка

3.4 Фотоактивированные превращения в системе ZnO -

ПВС

3.5 Процессы сенсибилизации композиций ZnO - ПВС

Глава 4. Влияние дефектного состава органической матрицы

на кинетику образования фотоактивных центров

4.1 Структурные дефекты в ПВС при у-облучении полимера

4.2 Кинетика образования хлоридных комплексов меди

в водных и жидких спиртовых растворах

4.3 Примесные дефекты в пленках ПВС при введении хлоридных комплексов меди

4.4 Люминесценция примесных и собственных дефектов

в ПВС

4.5 Фото и термостимулированные процессы в модифицированных пленках ПВС при ЗООК

4.6 Фото и термостимулированные процессы в модифицированных пленках ПВС при 80К

Глава 5. Технические аспекты применения исследуемых соединений

5.1 Тонкопленочные металл - барьер - металл фотонри-емники излучения

5.2 Фоточувствительные слои на основе оксида цинка

5.3 Фотоаддитивный способ изготовления печатных

плат

5.4 Термопроявляемые фотосои на основе галогенидов

меди

Заключение и общие выводы

Литература

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Термо- и фотостимулированные процессы в системах полупроводник - металл, полупроводник - органическая среда»

Введение

Актуальность проблемы. Разработка модельных представлений, адекватно описывающих механизмы фотоактивированных превращений в многофазных гетерогенных структурах, представляет особую актуальность как с точки зрения расширения области фундаментальных знаний о релаксационных процессах в твердых органических матрицах и переходных областях, характеризующихся скачком потенциала, так и возможности на их основе создания новых сред записи информации и эффективных приемников излучения.

Процессы переноса заряда в слоистых структурах металл - полупроводник (диэлектрик) - металл при наложении внешних электрических полей связаны со своеобразием протекания тока в пограничных областях за счет наличия специфических переходных слоев с измененными, по сравнению с объемом, параметрами решетки, возможности зарядового обмена между различными компонентами структуры и значительного удельного веса поверхности. Эти особенности позволяют использовать такие системы напосредственно для детектирования оптических колебаний в средней и близкой ИК областях спектра, где метрологическое обеспечение связано с трудностями из- за принципиальных ограничений.

Особенно велика роль пограничных областей в релаксационных процессах фотоактивированного распада сложных поверхностных комплексов в системах полупроводник - органическая среда, предельные свойства которых ограничены, главным образом, квантовым выходом фотолиза и степенью усиления первичного изображения. При этом следует ожидать, что для повышения чувствительности систем необходимо увеличить количественный выход активных центров за счет усиления нестехиометрии используемого полупроводника, изме-

нения структуры поверхностных комплексов и модификации полимерной матрицы, а также изменения потенциального рельефа на границах фаз. Это положение легло в основу проведенных исследований, главной идеей которых было рассмотрение первичных стадий формирования фотоактивных центров и выявление влияния структуры потенциального рельефа на динамику фотоактивированных превращений в гетерогенных системах, имеющих границу раздела фаз.

Не смотря на достаточное число работ по экспериментальному исследованию подобных систем, основными направлениями их изучения были совершенствование либо технологических режимов обработки, либо условий согласования с регистрируемым излучением. Целенаправленных исследований и анализа влияния особенностей зарядового обмена на границах фаз на механизмы упомянутых процессов не проводилось.

Значительная часть представленных результатов выполнена в соответствии с Координационным планом научно - исследовательских работ Научного Совета АН СССР по проблеме "Фотографические процессы регистрации информации" (раздел 2.5.2).

Цель работы. Теоретическое и экспериментальное обоснование общей физической природы процессов, инициируемых излучением в пограничных областях гетерогенных многофазных систем полупроводник - металл, полупроводник - органическая среда.

На основе зонной теории твердых тел, а также современных физических представлений о механизмах комплексообразования в твердых органических матрицах, в том числе в пограничных областях микрокристаллов полупроводника (окиси цинка), диспергированных в поливиниловый спирт, с использованием экспериментальных методов изучения физико - химических свойств: электронной и молекулярной спектроскопии, поляризационной микроскопии, рН-метрии, денсито-

метрии, рентгеновской дифрактометрии, фото- и рентгенолюминес-денции, а также измерений АЧХ, ВАХ и их первых и вторых производных решались следующие задачи.

1. Провести анализ влияния особенностей зонной структуры и дефектного состава диэлектрика (полупроводника) на механизмы переноса заряда в слоистых тонкопленочных переходах металл - диэлектрик (полупроводник) - металл при толщинах промежуточного слоя от нескольких ангстрем до 1 мкм.

2. Установить основной механизм, ответственный за регистрацию оптического излучения композициями металл - барьер - металл, а также сделать прогноз и выявить оптимальные параметры потенциального барьера (барьеров) для достижения предельно высокой фоточувствительности систем подобного типа. Провести общий теоретический расчет и экспериментально исследовать кинетику релаксационных явлений в пограничных областях многофазных слоистых структур для определения предельных времен срабатывания приемников излучения на их основе.

3. Исследовать кинетику поверхностных комплексов на границах фаз полупроводник - органическая среда, выявить влияние внешних физико - химических и оптических воздействий на их структуру и состав и установить их роль в процессах фотоактивированных превращений в системах данного типа.

4. Рассмотреть роль органической матрицы в первичных и вторичных процессах фотостимулированного распада сложных центров светочувствительности, а также возможные механизмы релаксации возбуждений на дефектных группах полимера и установить модельные представления о механизмах формирования скрытого изображения в данных материалах.

Научная новизна. В рамках одно- и двухзонной моделей проведен анализ механизмов переноса заряда в тонкопленочных слоистых структурах и выявлены характерные особенности обменных процессов в пограничных областях в зависимости от их реального геометрического рельефа и наличия переходных слоев на границах фаз. Апробирована методика и установлены критерии их непротиворечивой идентификации.

Впервые предложена возможность использования таких переходов в качестве быстродействующих неохлаждаемых ИК фотоприемников. Проанализированы процессы взаимодействия оптического излучения с системами подобного типа, детально рассмотрены конкурирующие механизмы и оценен их относительный вклад в регистрируемый сигнал в условиях рассогласования приемной антенны с оптическим излучением. Рассмотрены релаксационные тепловые явления в гетерогенных слоистых структурах при возбуждении синусоидальными и прямоугольными импульсами света и оценены их предельные времена.

В пограничных областях систем полупроводник - органическая среда впервые обнаружены зоны оптической анизотропии, в которых формируются поверхностные комплексы сложной структуры. Детально исследован их состав и рассмотрена кинетика фотоактивированного распада. Развиты общие подходы к объяснению природы фотоактивных центров и первичных стадий формирования скрытого изображения. Обоснованы критерии повышения чувствительности таких материалов.

Обобщена роль органической матрицы в механизмах термо- и фотоинициированного разложения центров светочувствительности и найдена системная связь радиационного дефектообразования с обменными процессами между возбужденными состояниями. Предложена

физическая модель релаксации возбуждений на дефектных группах полимера и продуктах взаимодействия с комплексами переходных металлов. Развитые представления о роли дефектных групп полимера в механизмах инициированных светом явлений в исследуемых системах позволяют рассматривать последние в рамках единого релаксационного подхода.

Практическая значимость. Полученные теоретические и экспериментальные результаты позволяют прогнозировать изменение оптических свойств и эволюцию процессов дефектообразования в переходных областях термодинамически неравновесных систем, имеющих границу раздела фаз.

На основе результатов исследований электрических и оптических свойств тонкопленочных слоистых структур показана принципиальная возможность изготовления высокочастотных неохлаждаемых фотоприемников на их основе, пригодных для непосредственной регистрации оптического излучения в средней и близкой ИК областях спектра, изучения пространственных, амплитудных и временных характеристик лазерных импульсов, прецезионного измерения частот оптических квантовых генераторов, а также в других областях физики, требующих лазерных методов исследования.

Предложенные способы повышения квантового выхода фотолиза и расширения границ спектральной чуствительности исследуемых систем (A.c. СССР №1254414) позволяют целенаправленно воздействовать на их фотографические параметры.

Экспериментально подобранные режимы интенсивного осаждения меди на видимое и скрытое изображение в гетерогенных фотослоях дали возможность отработать отдельные стадии технологического цикла изготовления печатных плат фотоаддитивным способом.

Результаты исследования радиационного дефектообразования в органической матрице могут быть применены для создания устойчивых к ионизирующему излучению материалов.

В целом, полученные результаты представляют научную основу для создания единой теории фотоактивированных превращений в гетерогенных композициях полупроводник - металл, полупроводник - органическая среда.

Основные защищаемые положения.

1. Общие закономерности процессов переноса заряда на границах фаз в гетерогенных слоистых структурах, характеризующихся скачком потенциала, и их идентификация по виду кривой дифференциальной проводимости {си/йХ] - 17с) в зависимости от реального геометрического рельефа и наличия переходных областей в пограничном слое.

2. Теоретические расчеты и экспериментальные результаты о механизмах термостимулированного детектирования излучения переходами полупроводник (диэлектрик) - металл и оценка их относительного вклада в регистрируемый сигнал.

3. Теоретические расчеты и экспериментальные результаты релаксации тепловых возбуждений при импульсном воздействии лазерного излучения на многослойные структуры и установление предельных времен, ограничивающих их быстродействие.

4. Природа фотоактивных центров в многофазных системах полупроводник - органическая среда, представляющих поверхностные комплексы, в состав которых входят сложноэфирные и гидроксильные группировки, радикалы макромолекул органической матрицы, а также молекулы воды.

5. Наличие активных зон с явно выраженной оптической анизотропией, как общее свойство гетерогенных светочувствительных систем на основе поливинилового спирта.

6. Модельные представления для адекватного описания процессов фотоинициированного распада центров светочувствительности и механизмов формирования скрытого изображения.

7. Общие физические принципы процессов комплексообразова-ния металлов переходной валентности в жидких и твердых органических матрицах.

8. Совокупность экспериментальных результатов о влиянии собственных и наведенных, в том числе у-облучением, структурных дефектов органической матрицы в первичных и вторичных процессах термо-и фотохимического разложения светочувствительной системы. Обнаружение зависимости скорости релаксации энергии возбуждения от концентрации и вида дефектных групп в полимере.

Заключение диссертации по теме «Физика полупроводников», Костенко, Михаил Иванович

Выводы

1. Полученные в настоящей работе научные результаты привели к возможности изготовления серии экспериментальных приемников излучения, пригодных для непосредственного использования в прикладных измерениях (рис.5.7)

Изготовленные на основе металл-барьер-металл тонкопленочных систем фотоприемники имеют следующие характеристики:

- спектральный диапазон, мкм 0,3-10;

- чувствительность приемника, В/Вт 1-10;

- мин. обнаружительная способность, Вт/Гц1/2 10"7

- размер чувствительной площадки, м2 10*8 -10"10;

- постоянная времени, с 10 8;

- динамический диапазон, Вт 103 -1;

- пространственное разрешение, мкм 10;

- рабочая область температур, °С -200 - +100.

2. Оптимизация температурного режима процессов химической сенсибилизации (~30°С) и последующего усиления изображения в МФП (~25°С) 7пО - фотослоев позволило увеличить их чувствительность к УФ свету более, чем на порядок по величине и довести ее до ~103см2/Дж.

3. Увеличение чувствительности ZnO - фотослоев {более, чем в 6 раз) наблюдается также при введении в их состав небольшого количества ионов серебра (~10"бг/м2). Но в этом случае значительно усиливается процесс вуалеобразования на и при медном формальдегидном проявлении величина вуали ~1 образуется за время 0,5-2 мин.

4. Эффективным способом расширения области спектральной чувствительности слоев на основе оксида цинка является введение в их состав красителей типа - эозин, эозин калий, бронкрезиловый пурпурный, акрединовый оранжевый, приводящих к расширению 80,2я" до ~700нм. При этом чувствительность цинкооксидных слоев к видимому свету, подвергнутых сенсибилизации красителями, примерно в 4-5 раз больше чувствительности несенсибилизированных образцов.

5. Изменение в широких пределах коэффициента контрастности ZnO - фотослоев наблюдается в случае их дополнительной обработки в водных растворах медь-содержащих и никель-содержащих солей, а также при изменении процентного содержания компонент, входящих в МФП, используемого для сенсибилизации и проявления фотослоев.

6. Экспериментально подобраны растворы и режимы интенсивного осаждения меди на видимое и скрытое изображение в ЪпО - фотослоях, которые позволили отработать отдельные стадии технологического цикла изготовления печатных плат и микросборок фотоаддитивным способом. Изготовленные таким способом функциональные металлические рисунки имели толщину медных дорожек 25-30мкм, удельное сопротивление 4-5-Ю~60м-см, адгезию к диэлектрической поверхности ~500г/см2.

7. Фотослои на основе ПВС - СиСЬ имеют порог чувствительности опор.~ 101 - 102см2/Дж; разрешающую способность ~600мм', светочувствительность 80,2 ~ 0,2 - 0,5см2/Дж, коэффициент контрастности у - 2-3 и позволяют получать высокие плотности почернения (Бтах > 2) без образования вуали (Оо < 0,1) в режиме двойного термоусиления с промежуточным фмксированием в воде при ~50°С в течение 30с. Простая и дешевая технология их изготовления и проявления позволяют считать эти фотослои перспективными для изготовления фотошаблонов. Модификация органической матрицы за счет у-облучения полимера позволяет повысить светочувствительность таких систем более, чем на порядок.

Заключение и общие выводы

В результате обобщения выполненных исследований решена актуальная научная проблема - разработаны теоретические и методологические основы, позволяющие прогнозировать влияние и роль пограничных эффектов на кинетику образования фотоактивных центров и возникновение нестационарных механизмов переноса заряда в условиях плотного контакта отдельных фаз с учетом реального геометрического рельефа и наличия переходных областей на границах раздела полупроводник - металл, полупроводник - органическая среда. Проведенный анализ позволил рассматривать отмеченные выше эффекты в рамках единого релаксационного подхода.

Полученные в настоящей работе научные результаты о физико -химических и оптических свойствах многофазных гетерогенных систем привели к возможности разработать и предложить ряд устройств и технологий на их основе, пригодных для непосредственного использования в прикладных целях.

По результатам диссертационной работы сформулированы следующие общие выводы.

1. В рамках одно- и двухзонной моделей проведен детальный анализ процессов переноса заряда в слоистых пленочных структурах металл - диэлектрик - металл и металл - полупроводник - металл. Рассмотрены возможные механизмы электропроводности в таких переходах, в частности, ток Ричардсона - Шоттки и Пула - Френкеля, а также токи, ограниченные пространственным зарядом. Апробирована непротиворечивая методика их идентификации по зависимости дифференциальной проводимости от постоянного напряжения смещения, Показано, что наличие переходных областей на границах металл - диэлектрик и металл - полупроводник существенно видоизменяет вольт амперные характеристики этих структур, а при определенных параметрах потенциального барьера ( барьеров) может полностью определять их электропроводность и эффекты выпрямления. Проведенные расчеты для потенциальных барьеров различной формы с учетом реального профиля границ раздела фаз, позволили объяснить экспериментально наблюдаемые эффекты перемены знака выпрямления в системах подобного типа.

2. С учетом общих теоретических представлений о релаксационных процессах в слоистых системах, установлен основной механизм, ответственный за регистрацию оптического излучения тонкопленочными переходами типа металл - барьер - металл, который оказался обусловленным термостимулированным туннелированием электронов на границе раздела диэлектрик - металл и температурной стимуляцией тока Пула - Френкеля в переходных областях полупроводник - металл. Проведенные расчеты относительного вклада теплового и антенного механизмов детектирования в регистрируемый сигнал, позволили выработать общие критерии к параметрам слоистых структур при использовании их в качестве неохлаждаемых приемников И К и видимого излучения.

3. Проведены расчеты характеристических времен нарастания и релаксации тепловых импульсов в МБМ структурах при возбуждении их синусоидально модулированными и прямоугольными сигналами. Получены общие выражения для зависимости сигнала детектирования от частоты модуляции регистрируемого излучения и показано, что постоянная времени теплового механизма не превышает 10"8с в широкой спектральной области. Это является важным преимуществом, по сравнению со стандартными неохлаждаемыми тепловыми фотоприемниками ИК диапазона.

4. Впервые теоретически и экспериментально доказана принципиальная возможность использования тонкослойных металл - барьер -металл структур в качестве приемников ИК и видимого излучения. Чувствительность таких систем в режиме видеодетектирования составляет ~10В/Вт . Проведенные расчеты позволили оптимизировать параметры ЯС - цепи и последующего усилительно - измерительного тракта для достижения предельно высокой чувствительности и быстродействия таких приемников излучения.

5. Совокупность экспериментальных данных по сравнительному анализу оптических свойств порошков оксида цинка и поливинилового спирта, как необходимых компонент светочувствительных гетерогенных систем, позволили интерпретировать характерные полосы в их спектрах ИК и электронного поглощения, а также фото- и рентгено-люминесценции. Установлена их связь со структурными дефектами в полимере и полупроводнике, предложены модели соответствующих центров: вакансии кислорода; комплексы, представляющие собой анионную вакансию и ион щелочного металла; дефектные группы с различным сопряжением С=0 и С=С - связей; ветвления боковых цепей ПВС и т.д. Проанализированы процессы обмена энергией между дефектными группами полимера и обнаружена колебательная структура характерных полос свечения.

6. Впервые обнаружено существование переходных областей на границах раздела полупроводник - органическая среда, представляющих собой зоны оптической анизотропии, возникающих за счет упорядоченного расположения молекул полимера вокруг микрокристаллов полупроводника. Наличие оптически активных зон является общим свойством данных систем. На примере композиций ZnO - ПВС показано образование в этих зонах сложных гидратных комплексов цинка, в координационную сферу которых входят карбоксилатные и гидроксильные группировки полимера, а также молекулы воды. Установлена структура поверхностных комплексов и их связь с фотоактивными центрами, определяющими светочувствительность систем подобного типа.

7. Исследованы процессы сенсибилизации композиций 2лО -ПВС путем введения в их состав органических кислот, спиртов и неорганических оснований. Показано, что встраивание ОН - группировок в координационную сферу поверхностных комплексов, а также образование новых сложноорганизованных комплексов цинка или меди приводит к увеличению фоточувствительности систем более, чем на порядок по величине. Оценено соотношение отдельных структурных элементов в оптически активных центрах, обеспечивающих наиболее высокую чувствительность таких фотослоев. Предложена непротиворечивая модель для адекватного описания процессов фотойнициированно-го распада этих центров путем преобразования их в триплетные состояния, в которых один из двух спаренных электронов остается на атоме кислорода, входящего в состав карбонильных групп, а другой делокализуется по сопряженной цепи.

8. Проведена модификация органической матрицы наведением в ней примесных и собственных структурных дефектов за счет у-облучения и введения комплексных солей меди. Из анализа процессов комплексообразования в водных, жидких и твердых спиртовых растворах хлорида меди сделан вывод о том, что системы ПВС - СиСЬ являются твердыми растворами сольватохлоридных комплексов меди, в которых молекулы ПВС играют роль лигандов. Сильное взаимодействие комплексов меди с молекулами ПВС осуществляется через дефектные группы полимера. При этом, образование комплексов различного типа зависит от относительной концентрации ионов меди и хлора в системе. Оценены энергии термической активации создания характерных центров поглощения в модифицированных пленках ПВС.

9. Исследованы процессы фото- и термостимулированного распада фотоактивных центров в модифицированных пленках ПВС и показано, что УФ облучение приводит к созданию в них ряда метаста-бильных состояний (первичных продуктов разложения), преобразование которых в устойчивые центры связано с диффузионными процес- ' сами и вторичными реакциями, требующими термической активации. Из сравнения эффектов, возникающих при облучении и отжиге пленок ПВС - СиСЬ, установлено, что облучение создает центры, поглощающие в коротковолновой области спектра, в то время как отжиг стимулирует возникновение центров, с которыми связано длинноволновое поглощение. Это дало основание утверждать о процессах образования вторичных продуктов разложения сольватохлоридных комплексов меди и их агрегации вследствие диффузии. При этом, взаимодействие матрицы с ионами и радикалами хлора, образующимися в результате фотоинициированного распада хлоридных комплексов меди, сопровождается увеличением концентрации карбонильных групп и двойных С—С - связей в полимере.

10. Экспериментально подобраны растворы и режимы интенсивного формирования функциональных металлических рисунков на видимом и скрытом изображении в исследованных фотослоях. Это позволило отработать отдельные стадии технологического цикла изготовления печатных плат фотоадцитивным способом. Оптимизацией процессов сенсибилизации и усиления изображения в таких системах достигнуто повышение их чувствительности более, чем на порядок по величине и расширена область спектральной чувствительности с 400 до 700нм.

11. Проведен обзор имеющихся литературных данных, а также оригинальных исследований по процессам переноса заряда и механизмам фотоактивированных превращений в гетерогенных системах полупроводник - металл, полупроводник - органическая среда. Обсуждены явления и факты, где релаксационные эффекты на границах раздела фаз могут играть определяющую роль.

Список литературы диссертационного исследования доктор физико-математических наук Костенко, Михаил Иванович, 1997 год

Литература

1. Simmons J.G. Generalized formula for the electric tunnel effect between similar electrodes separated by a thin insulating films // J. Appl. Phys.- 1963.-Vol.34.-№6.-P. 1793-1803.

2. Simmons J.G. Potential barriers and emission-limited current flow between closely parallel metal electrodes // J. Appl. Phys. - 1964. - Vol.35. -№8. - P.2472-2481. ^

3. Stratton R. Volt-current characteristics for tunneling through insulating films // J. Phys. Chem. Sol. - 1962. - Vol.23. - P. 1177-1190:

4. Stratton R. The effect of nonparabolic energy bands on tunneling through thin insulating films // J. Phys. Chem. Sol. - 1966. - Vol.27. -P. 1599-1604.

5. Simmons J.G. Theory of metallic contacts on high resistivity solids -1. Shallow traps //J. Phys. Chem. Sol. - 1971. - Vol.32. - P. 1987-1999.

6. Simmons J.G. The electric-tunnel effect and its use in determining properties of surface oxides // Transactions of the metallurgigal society of aime. - 1965. - Vol.233. - P.485-498.

7. Simmons J.G. Electric tunnel effect between dissimilar electrodes separated by a thin insulating films // Appl. Phys. - 1963. - Vol.34. №9. -P.2581-2590.

8. Braunstein A.I., Braunstein M., Picus G.S. Voltage dependence of the barrier heights in АЬОз tunnel junctions // Appl. Phys. Lett. - 1966. -Vol.8. - №4.. - P95-98.

9. Simmons J.G. Intrinsic fields in thin insulating films between dissimilar electrodes//Phys. Rev. Lett. - 1963. - Vol.10. - №i. - P.10-12.

10. Терещенко А.К. О роли сил зеркального изображения в формировании потенциального барьера на •"" контакте металл-полупроводник // В кн.: Полупроводниковая техника и микроэлектроника. - К.: Наукова думка, 1973. - Вып.12. - С.85-89.

11. Технология тонких пленок: Пер. с англ. под ред. М.И. Елин-сона, Г.Г. Смолко. - М., Сов. радио, 1977. - Т.2. - 768С.

12. Geppert D.V. Theoretical shape of metal-insulator-metal potential barriers // J. Appl. Phys. - 1963. - Vol.34. - №3. - P.490-493.

13. Вопросы пленочной электроники: Под ред. Д.В. Зернова, М.И. Елинсона, В.Б. Сандомирского. - М., Сов. радио, 1966. - 471с.

14. Chen I.A model of charge injection at metal-insulator contacts// Sol. Stat. Commun. - 1978. - Vol.26. - №6. - P.359-363.

15. Жгун С.А., Штыков В.В. Влияние локализованных состояний на свойства туннельных структур МДМ // Тр. МЭИ. - 1977. - Вып.433. -С.16-19.

16. Жгун С.А., Лобов Г .Д., Штыков В.В. Эмпирическая дисперсионная зависимость в запрещенной зоне туннельной структуры металл-диэлектрик-металл//Тр. МЭИ. - 1977. - Вып.341. - С.54-56.

17. Кальницкий А.П., Файнштейн А.И. Поглощение медленных электронов в тонких окисных пленках // ЖТФ. - 1977. - Т.47. - Вып. 12. -С.2616-2618.

18. Kauffer Е., Pecheur P., Gerl М. Comment on the electronic structure of the neutral vacancy in silicon // Phys. Rev. B. - 1977. - Vol. 15. -№8. - P.4107-4108.

19. Brinkman W.F., Dynes R.C., Rowde J.M. Tunneling conductance of asymetrical barriers //J. Appl. Phys. - 1970. - Vol.41. - №5. - P.1915-1921.

20. Ekrut П., Hahn A. Polarity-dependent tunneling conductance of Ta/Ta205/Ag junctions7/ J. Appl. Phys. - 1980. - Vol.53. - №3. - P.628-630.

21. Floyd R.B., Walmsley D.G. Tunneling conductance of clean and doped Al-I-P junctions // J. Phys. Chem.: Solid State. Phys. - 1978. - Vol.11. - P.4601-4614.

22. Mead C.A. Metal-semiconductor surface barriers // Solid State Electron. - 1966. - Vol.9. - P.1023-1033.

23. Simmons J.G., Taylor G.W. Dielectric relaxation and its effect on the isothermal electrical characteristics of defect insulators // Phys. Rev. B. -1972. - Vol.6. - №12. - P.4793-4803.

24. Simmons J.G., Taylor G.W. Dielectric relaxation and its effect on the thermal electric characteristics of insulators // Phys. Rev. B. - 1972. -Vol.6.-№12.-P.4804-4814.

25. Gupta H.M. An alternative theory of thermal dielectric relaxation in MIM structures // Appl. Phys. Lett. - 1978. - Vol.33. - №8. - P.778-780.

26. Zielinska K., Wilczak B., Zdanowicz L. The thermally stimulated currents in thin-film structures Al- SiOx-Al with dielectric of high defect concentration // Acta Phys. Pol. - 1977. - Vol.A52. - №6. - P.793-802.

27. Skoda V., Hrach R. Dielectric relaxation effect in MIM systems // Czech. J. Phys. B. - 1978. - Vol.28. - P.919-927.

28. Simmons J.G., Nadkarni G.S. Stimulated-dielectric-relaxation currents in thin film Al-CeFs-Al samples It Phys. Rev. B. - 1972. - Vol.6. -№12. - P.4815-4827.

29. Smith J.L. Dielectric relaxation and d.c. current-temperature measurements in evaporated CaFz films // Thin Solid Films. - 1969. - Vol.3. - №1. - P.R9-R12.

30. Nadkarni G.S., Simmons J.G. Isothermal-dielectric-relaxation current in thin-film Al-CeFs-Al samples // Phys. Rev. B. - 1973. - Vol.7. -№8. - P.3719-3724.

31. Gundlach K.H., Kadlec J. The effect of indium electrode on aluminium oxide tunnel barrier// Solid State Commun. - 1974. - Vol.15. -P.895-898.

32. Gundlach K.H., Antula J. Aqueously anodized versus plasma or thermally-oxidized Al-(Al-oxide)-metal sandwiches // Thin Solid Films. -1972.-Vol.11.-P.401-414.

33. Gundlach K.H., Holzl J. Logarithmic conductivity of Al-AhCb-Al tunnelin junctions produced by plasma- and by thermal oxidation // Surface Sci. - Vol.27. - P. 125-141.

34. Gundlach K.H. Determination of low energy barriers in metal-insulator-metal tunneling junctions // Solid State Electron. - 1971. - Vol. 15. -P.329-333.

35. Al-Mousawy A.H., Al-Bassam T.S. The effect of dysposium dopant on the electron transport mechanisms and the barrier height of thin АЬОз films // Thin Solid Films. - 1978. - Vol.52.- P.251-257.

36. Walmsley D.G., Floyd R.B., Timms W.E. Conductance of clean and doped tunnel junctions //Solid State Commun. - 1977. - Vol.22. - P.497-499.

37. Туннельные явления в твердых телах: Пер. с англ. под ред. В.И.Переля. - М., Мир, 1973. - 421с.

38. Plassa М. Effects of elastic instability of thin germanium films // Thin Solid Films. - 1969. - Vol.3. - №5. - P.305-314.

39. Servini A., Jonscher A.K. Electrical conduction in evaporated silicon oxide films // Thin Solid Films. - 1969. - Vol.3. - №5. - P.341-365.

40. Croitoru N., Vescan L. Non-ohmic behaviour in amorphous germanium at high electric fields // Thin Solid Films. - 1969. - Vol.3. - №4. -P.269-276.

41. Sommerfeld A., Bethe H. Handbuh der Physic. - Berlin, 1933. -

S.450

42. Fisher J.C., Giaever I. Tunneling through thin insulating layers // J. Appl. Phys. - 1961. - Vol.32. - №2. - P. 172-177.

43. Simmons J.G. Generalized thermal J-V Characteristic for the electric tunnel effect // J. Appl. Phys. - 1964. - Vol.35. - №9. - P.2655-2558.

44. Simmons J.G., Unterkofler G.J., Allen W.W. Temperature characteristics of BeO tunneling structures 11 Appl. Phys. Lett. - 1963. -Vol.2. - №4. - P.78-80.

45. Pollack S.R., Morris C.E. Tunneling Through gaseous oxidized films of АЬОз // Transactions of the Metallurgical Soc. of Aime. - 1965. -Vol.233. - P.497-501.

46. Pollack S.R., Morris C.E. Electron tunneling through asymmetric films of thermally grown АЬОз // J. Appl. Phys. - 1964. - Vol.35. - №5. -P. 1503-1513. ^

47. Young R., Ward J., Scire F. Observation of metal-vacuum-metal tunneling, field emission, and the transition region // Phys. Rev. Lett. - 1971. -.Vol.27. -№14. -P.922-924.

48. Абдуллаев А.Г., Карнаухов А.И. Исследование туннельных переходов структур // Изв. АН Аз. ССР. - 1977. - №4. - С.65-70.

49. Ватова Л.Б., Ривлин А.А., Соловьев B.C. Токи в точечно-контактных системах металл-окисел-металл // Радиотехника и электроника. - 1974. - Т.19. - №3..- С.590-595.

50. Лейкин А.Я., Ривлин А.А., Соловьев B.C., Ватова Л.Б. Статические характеристики диодов металл-оксид-металл // Укр. физич. журнал. - 1973. - Т. 18. - №4. - с.652-654.

51. Stratton R. Electron tunneling with diffuse boundary conditions // Phys. Rev. - 1964. - Vol. 136. - №3A. - P.837-841.

52. Gundlach K.H. Theory of metal-insulator-metal tunneling for a simple two-band model // J. Appl. Phys. - 1973. - Vol.44. - №11. - P.5005-5010.

53. Franz W. Dielektrischer durchschlag. in Handbuch der Physik ed. by Flugge. - Berlin, 1956. - Bd. 17. - 155s.

54. Emtage P.R., Tantraporn W. Schottky emission through thin insulating films // Phys. Rev. Lett. - 1962. - Vol.6. - №7. - P.267-268.

55. Gundlach K.H. Zur Berechnung des thermischen Elektronenstroms durch dünne dielektrische Schichten // Phys. Stat. Sol. -1964. - Bd.4. - S.527-532.

56. Standley C.L., Maissei L.I. Some observations on conduction through thin tantalum oxide films // J. Appl. Phys. - 1964. - Vol.35. - №5. -P. 1530-1534.

57. Flannery W.E., Pollack S.R. Electron transfer processes through tantalum-tantalum- oxide diodes //J. Appl. Phys. - 1966. - Vol.37. - №12. -P.4417-4422. '

58. Antula J. Effect of positive ionic space charge on electrical capacitance and Schottky current in thin AI2O3 films // Thin Solid Films. -1969. -YoL4.-P.281-289.

59. Hartman Т.Е., Blair J.С., Bauer R. Electrical conduction through SiO films // J. Appl. Phys. - 1966. - Vol.37. - Ш. - P.2468-2474.

60. Meaudre M., Meaudre R. Low electric field Poole-Frenkel effect in r.f. -sputtered Si02 films // Thin Solid Films. - 1979. - Vol.61. - P.83-88.

61. Sciri E., Chabicovsky R. Conduction phenomena in Nb-Nb^Os-Au thin film structures fabricated by various techniques // Vacuum. - 1975. -Vol.27. - №4. - P.299-304.

62. Ждан А.Г., Чугунова M.E., Елинсон М.И. Электрические свойства тонких пленок SiCX, полученных напылением в вакууме // Радиотехника и электроника. - 1968. - Т.13. - №2. - С.305-315.

63. Bonham J.S. On the theory of space-charce-limited current with diffusion for an exponential trap distribution // Phys. Stat. Sol. (a). - 1979. -Vol.55.-P61-65.

64. Lee КО., Gan T.T. Space-charge-limited currents in evaporated films of pentacene // Phys. Stat. Sol. (a). - 1977. - Vol.43. - P. 565-571.

65. Jain D.K., Gard J.C. Space charge limited current in ferric oxide // Proc. Indian Nat. Sei. Acad. - 1978. - Vol.44A. - №5. - P.281-285.

66. Dees J.W. Detection and harmonic generation in the submillimeter wavelength region // The microwave journal. - 1966. - Vol.8. - P.48-55.

67. Hocker L.O., Javan A., Rao D.R., Frenkel L., Sullivan T. Absolute frequency measurement and spectroscopyof gas laser transitions in the far infrared // Appl. Phys. Lett. - 1967. - Vol.10. - №5. - P. 147-149.

68. Hocker L.O., Sokoloff D.R., Daneu V., Szoke A., Javan A. Frequency mixing in the infrared and far-infrared using a metal-to-metal point contact diode // Appl. Phys. Lett. - 1968. - Vol.12. - №12. - P.401-402.

69. Daneu V., Sokoloff D., Sanchez A., Javan A. Extension of laser harmonig-frequency mixing techniques into the 9ii region with an infrared metal-metal point-contact diode// Appl. Phys. Lett.- 1969. - Vol.15. - №12. - P.398-401.

70. Hocker L.O., Javan A. Laser harmonic frequency mixing of two different far infrared laser lines up to 118p // Phys. Lett. - 1968. - Vol.26A. -№6. - P.255-256.

71. Hocker L.O., Small J.G., Javan A. Extension of absolute frequency measurements to the 84p range // Phys. Lett. - 1969. - Vol.29A. -№6. - P.321-322. ,

72. Evenson K.M., Wells J.S., Matarrese L.M., Elwell L.B. Absolute frequency measurements of the 28- and 78-(um cw water vapor laser lines // Appl. Phys. Lett. - 1970. - Vol.16. -№4. - P.159-162.

73. Sokoloff D., Javan A. Absolute frequency determinationm of 9,3p CO: laser transitions // Bull. Am. Phys. Soc. - 1970. - Vol.15. - P.505.

74. Sokoloff D.R., Sanchez A., Osgood R.M., Javan A. Extension of laser harmonic-frequency mixing into the 5-,u regions // Appl. Phys. Lett. -1970. - Vol.17. - №6.- P.257-259.

75. Evenson K.M., Wells J.S., Petersen F.R., Danielson B.L., Day G.W. Accurate frequencies of molecular transitions used in laser

stabilization: the 3,39,11m transition in CH4 and the 9,33- and 10,18-pm transitions in CO2 // Appl. Phys. Lett. - 1973. - Vol.22. - №4. - P.192-195.

76. Evenson K.M., Day G.W., Wells J.S., Mullen L.O. Extension of absolute frequency measurements to the cw He-Ne laser at 88 Thz (3,39u) // Appl. Phys. Lett. - Vol.20. - №3. - P. 133-134.

77. Jennings D.A., Petersen F.R., Evenson K.M. Extension of absolute frequency measurements to 148 Thz: frequencies of the 2,0- and 3,5-ц.т Xe Laser// Appl. Phys. Lett. - 1975. - Vol.26. - №9. - P.510-511.

78. Green S.I. Point contact MOM tunneling detector analysis // J. Appl. Phys. - 1971. - Vol.42. -№3. - P.l 166-1169.

79. Кобзев В.В., Ривлин А.А., Соловьев B.C. К вопросу об оптимизации параметров MOM - диодов // Радиотехника и электроника. -1974. - Т.19. - №5. - С.647-648.

80. Зарщиков В.А., Лобов Т.Д., Штыков В.В. Преобразование когерентного И К - излучения миллиметрового диапазона на контакте двух металлов // Радиотехника и электроника. - 1973. - Т. 18. - №7. -С.1545-1547.

81. Jain R.K., Wagner S., Olson D.H. Stable room-temperature light emission from metal-insulator-metal junctions // Appl. Phys. Lett. - 1978. -Vol.32. - .Noi. - P.62-64.

82. Riccius H.D. Improved metal-insulator-metal point-contact diodes for harmonic generation and mixing // Appl. Phys. - 1978. - Vol.17, P.49-52.

83. Jansen A.G.M., Mueller F.M., Wyder P. Normal metallic point contacts // Science. - 1978. - Vol.199. - №4333. - P.1037-1040.

84. Sanchez A., Davis C.F., Liu K.C., Javan A. The MOM tunneling diode: theoretical estimate of its performance at microwave and infrared frequencies // J. Appl. Phys. - 1978. - Vol.49. - №10. - P.5270-5277.

85. Matarrese L.M., Evenson K.M. Improved coupling to infrared whisker diodes by use of antenna theory // Appl. Phys. Lett. - 1970. - Vol. 17.' - №1. - P.5270-5277.

86. Gustafson Т.К. Radiation of difference frequencies produced by mixing in metal-barrier-metal diodes // Appl. Phys. Lett. - 1974. - Vol.25. -№1 - P.56-59

87. Twu Bor-long, Schwarz S.E. Properties of infrared cat-whisker antennas near 10,6ц // Appl. Phys. Lett. - 1975. - Vol.26. - №12. - P.672-675.

88. :Хинрикус X.B., Соонурм Т.Э. Антенные свойства МОМ-детектора // Радиотехника и электроника. - 1975. - Т.20. - №10. - С.2219-2220. 0

89. Астрик Р.В., Соонурм Т.Э., Хинрикус Х.В. Предельная чувствительность МОМ-детектора // Квантовая электроника. - 1976. - Т.З. -№6. - С 1233-1238.

90. Зарщиков В.А. Экспериментальное исследование шумовых характеристик детектора МДМ // Тр. МЭИ. - 1975. - Вып.231. - С.80-82.

91. Строганов В.И. Нелинейная металлооптика. - Новосибирск: Наука, 1977. - 95с.

92. Зарщиков В.А., Ривлин А.А. Стабильная конструкция детектора МДМ, использующего точечный контакт металл-диэлектрик-металл//Тр. МЭИ.-Вып. 194. - С.35-38.

93. Лобов Г.Д. Использование туннельного перехода в системе металл-диэлектрик-металл для детектирования СВЧ колебаний // Изв. Вузов СССР - Радиоэлектроника. - 1971. - Т. 14. - №3. - С.298-307.

94. Small J.G., Elchinger G.M., Javan A., Sanchez A., Bachner F.J., Smythe D.L. Ac electron tunneling at infrared frequencies: Thin-film M-O-M diode structure with broad-band characteristics // Appl. Phys. Lett. -1974. - Vol.24. - №6. - P.275-279.

95. Wiesendanger E., Kneubul F. Thin-film MOM-diodes for infrared detection // Appl. Phys. - 1977. - Vol.13. - P.343-349.

96. Wang S. Antenna properties and operation of metal-barrier-metal devices in the infrared and visible regions // Appl. Phys. Lett. - 1976. -Vol.28. - №6. - P.303-305.

97. Twu Bor-long, Schwarz S.E. Mechanism and properties of point-contact metal-insulator-metal diode detectors at 10,6p // Appl. Phys. Lett. -1974. - Vol.25. - №10, - P.595-598.

98. Ушаков C.H. Поливиниловый спирт и его производные. - М.-Л.: АН СССР, 1960. - 790с.

99. Розенберг М.Э. Полимеры на основе поливинилацетата. - Л.: Химия, 1983. - 174с.

100. Polyvinyl Alcohol. Properties and application. - London - N.Y. -Sydney - Toronto : Edited by Finch C.A., 1973. - 622p. ,

101. Masaru Ohsaku, Tashie Hatamoto, Hiromi Murata. Stability of the crystal structures of poly (vinyl alcohol PVA) by CNDO/2 calculation // Polymer. - 1982. - Vol.23. - №5. - P.776-778.

102. Физика и химия твердого состояния органических соединений. - Под ред Ю.А. Пентина. М.: Мир, 1967. - 738с.

103. Короденко Т.Д., Липатов Ю.С. Влияние ацетата натрия на структуру ПВС // ВМС (А). - 1984. - Т.26. - №2. - С.257-262.

104. Вундёрлих Б. Физика макромолекул. - М.: Мир, 1976. - 623с.

105. Калуцкая Э.П., Гусев С.С. Влияние сорбированной водь? на сруктуру гидратцеллюлозных пленок // Журн. прикл. спектр. - 1988. -Т.48. - №3. - С. 463-467.

106. Рэнби Б., Рабек Я. Фотодеструкция, фотоокисление, фотостабилизация полимеров. - М.: Мир, 1978. - 59с.

107. Николаев А.Ф., Охрименко Г.И: Водорастворимые полимеры. - Л.: Химия, 1979. - 144с.

108. Энциклопедия полимеров. - М.: Сов. энциклопедия, 1972. -С.218.

109. Гельфман А.Я., Бидкая Д.С., Буравлева М.Г., Лузан Р.Г. Межмолекулярная структура и некоторые электрофизические свойства поливинилового спирта 7/ Докл. АН СССР. - 1963. - Т. 150. - №4. -С.833-836.

110. Еркин В.Г. Исследование люминесцентных и электрических процессов, стимулированных ионизирующим излучением в полимерных материалах: Дис. ...канд. хим. наук. - Л., 1979. - 211с.

111. Эллиот А. Инфракрасные спектры и структура полимера. -М.: Мир, 1972. -159с.

112. Смирнов Л.В., Куликова Н.П., Платонова Н.В. Инфракрасные спектры поливинилового спирта // ВМС. - 1972. - Т.(А)IX. - Xq 11.-С.2515-2520.

113. Дехант И., Данц Р., Киммер В., Шмольке Р. Инфракрасная спектроскопия полимеров. - М.: Химия, 1976. - 386с.

114. Терней А. Современная органическая химия. - М.: Мир, 1981. -Т.1.- 678С., Т.2.-651с. -

115. Панов В.П., Овсенян A.M., Кобяков В.В., Жбанков Р.Г. ИК-спектры водных растворов некоторых полимеров // Журн. прикл. спектр. - 1978. - Т.29. - Вып.1. - С.62-68.

116. Kiyashi F., Takani М., Saburo I. Investigation of the Stereoregularity of Poly (vinyl alcohol) // J. Pol. Sci. - 1964. - Part A. - Vol2. - №5.-P.- 2327-2347. '

117. Rek V. and Bravar M; Influence of the physical state on the ultraviolet degradation of poly (vinyl alcohol) // ГлаСник Хемщског друштва Београд. Bulletin de la societe chimique Beograd. - 1982. - T.47. -Vol.17. - P.331-337. .

118. Kroh J., Wysocki S. Primary processes induced in polyethylens film by electron beam irradiation at low and very low temperatures // Radiat. Phys. and Chem. - 1992. - Vol.40. - №5. - P.395-400.

119. Тоиров А., Саидов Д., Марухов P., Хабибулаев X. Исследование колебательных спектров поливинилового спирта в условиях одновременного действия температуры и УФ радиации // Журн. прикл. спектр. - 1981. - Т.34. - С.277-280.

120. Tokio Y., Kanuo A., Yukitcehi T. Electronic and vibrational structure of finite polyenes // J. Phys. Chem. - 1982. - Vol.86, - №13. -P.2359-2365.

121. Krimm .S. Infrared Spectra- of High Polymers // Adv. Polymer. Sci. - 1960. - Vol.2.-P.51-172.

122. Калекин B.C. Термостимулированная электронная эмиссия и люминесценция полимерных материалов: Дис. ... канд. ф.-м. наук. - Л., 1980. - 187с.

123. Казицына JI.A., Куплетская Н.В. Применение УФ-, ИК- и ЯМР-спектроскопии в органической химии. - М.: Высш. школа, 1971. -263с.

124. Шусторович Е.М. Электронное строение полимерных молекул с кратным связями в основной цепи. - М., 1967. - 198с.

125. Gorlich R., Schnabel W. Kinetic investigation of the dehydration of Poly (vinyl alcohol) and model Compounds in aqueous solution // European Polymer J. - 1972. - Vol.8. - P.1087-1095.

126. Мйлинчук В.К., Пшежецкий С.Я. Образование и рекомбинация радикалов при у-облучении поливинилового спирта и твердого раствора гидразина в поливиниловом спирте // Химические свойства и модификация полимеров. - 1964. - С.64-69.

127. Ибраев Н.Х., Кепле Г,А., Левшин Л.В. Анигиляционная замедленная флуоресценция эозина и родамина 6Ж в пленках ПВС // Журн. прикл. спектр, - 1982. - Т.36. - №5. -С.750-755.

128. Федорова А.П. Фото- и термоактивированные процессы в пленках поливинилового спирта, содержащих галоидный комплекс золота : Дисс.... канд. физ.-мат. наук. - Саласпилс, 1988. -193с.

129. Heiland G., Mollwo Е., Stockmann Е. Electronic Processec in Zinc oxide //Solid State Phys. - 1959. - Vol.8. -PJ91-323.

130. Hirschwald W., Bonasewicz P., Ernst L. Zinc Oxide: Properties and Behaviour of the Bulk, the Solid (vacuum and solid) Gas Interface // Curr. Top. Mater. Sei. - 1981. - Vol.7. - P. 143-482.

131. Вест А. Химия твердого тела. Теория и приложение. - М.: Мир, 1988. - 4.1. - 588с. - 4.2. - 336с.

132. Kleber W., Mlodoch R. Uber die Synthese von Zinkit-Einkristallen //Kris, und Tëchn. - 1966. - Bd. 1. - S.249-259.

133. Электроотрицательность элементов и химическая связь. -Новосибирск : СО АН СССР, 1962. - 28с.

134. Реми Г. Курс неорганической химии: в 2-х т. - М.: Мир, 1966. -Т.1.- 833С.-Т.2.-467с. •

135. Patey D.R. Mineral Specimen N121 - Zincnte // Mine and Quarry Engineering. - 1963. - Vol.29. - P.430-431:

136. Кнунянц И.Л. Кратная химическая энциклопедия. - M.: Сов. Энциклопедия, 1967. - Т.5. - 866с.

137. Костов И. Минералогия. - М.: Мир, 1971. - 261с.

138. Кофетад П. Отклонение от стехиометрии, диффузия и электропроводность в простых окислах металлов. - М.: Мир, 1975. - 119с.

139. Третьяков Ю.Д. Химия нестехиометрических окислов. - М.: МГУ, 1974.-70с.

140. Шод Д. Атомная диффузия в полупроводниках. - М.: Мир, 1975. - 684с.

141. Hagemark K.I., Toren Р.Е. Determination of Excess Zn in ZnO. The Phase Boundary Zn-Znl+xO // J. Electrochem. Soc. - 1975. - Vol. 122. -P.992-994.

142. Крегер Ф. Химия несовершенных кристаллов. - M.: Мир, 1969.-654с.

143. Никитенко В.А. Оптические свойства монокристаллов окиси цинка, полученных различными методами газотранспортных реакций: Автореф. дисс. ... канд. физ.-мат. наук. - М.: МИСиС, 1975. - 24с.

144. Pantelides S.T., Harrison W.H. Vacance Bands of Crystals // Phys. Rev. В. - 1975. - Vol.11.-№10.-P.3006-3013,

145. Roeller U. Energy Bands of A2B2 // Phys. Rev. - 1969. - Vol.184.

- №3. - P.733-737.

146. Bloom S., Ortenburger J. Band Structure of ZnO // Phys. State Sol. B. - 1973. - Vol.58. - №2. -P.561-567.

147. Bloom S. Electronic Structure of ZnO // Solid State Communs. -1977. - Vol.22. - №5. - P.351-354.

148. Гербштейн Ю.М., Зеликин Я.М. О природе центров желто-оранжевой люминесценции окиси цинка// Опт. и спектр. - 1969. - Т.27.

- С.515-516.

149. Scharowsky A. Optosche und Electrische Eigenschaften von ZnO einkristallen mit Zn-Ubeschup // Ztsctir. Phys. - 1963. - Bd.135. - S.318-339.

150. Кузьмина И.Л., Никитенко В.А., Терещенко А.И., Шалдин Ю.В., Лазаревская О.А. Влияние условий выращивания и легирования на некоторые оптические свойства монокристаллов окиси цинка // Гидротермальный синтез и выращивание монокристаллов. - М.: Наука, 1972. - С.40-68.

151. Brown E.H. Zinc Ozide: Properties and Applications. - New York: Pergamon press, 1976. - 112p.

152. Соколов B.A., Горбань A.H. Люминесценция и адсорбция. -М.: Наука, 1969. - 188с.

153. Милославский В.К., Коваленко Н.А. Поглощение окиси цинка в инфракрасной области спектра // Опт. и спектр. - 1958. - Т.5. -С.614-617.

154. SchindlerP., Althaus Н., Feitknecht W. Loslichkeitshrodukte von Metalloxiden und Hydroxiden // Helv. chem. acta. - 1964. - Vol.47. - P.982-991.

155. Михайлов M.M. Релаксационные процессы на поверхности ZnO, облученной электронами // Изв. Вузов - Физика. - 1985. - №6. -С.81-85.

156. Thomas D.G. The Exciton Spectrum of Zinc Oxide // J. Phys. and Chem. Solids. - 1960. - Vol.15. - P.86-96.

157. Сегал Б., Мэрил Д. Собственное экситонное поглощение // В кн.: Физика и химия соединений, АгВб / Под. ред. С.А.Медведева. - М.: Мир, 1970. -С.246-295.

158. Dietz R.F., Hopfield J.J., Thomas D.G. Excitons and the Absorption Edge of ZnO // Appl. Phys. - 1961. - Vol.32. - P.2282-2286.

159. Segall B. Intrinsic Absorption Edge in 11-VI Semiconducting Compounds with the Wurtzite Steucture // Phys. Rev. - 1967. - Voll63. -P.769-778.

160. Liang W.J., Yoffe A.D. Transmission Spectra of ZnO // Phys. Rev. Lett. - 1968. - Vol.20. - №1. - P.59-62.

161. Гросс Е.Ф. Исследования по оптике и спектроскопии кристаллов и жидкостей. - Л.: Наука, 1976. - 447с.

162. Reynolds D.S., Litton C.W., Collins T,C. Some Optical properties of Group 11-VI Semiconductors (1) // Phys. State Sol. - 1965. -Vol.9. - P.645-684.

163. Permogorov S. Hot Excitons in Semiconductors // Phys. State Sol. В.- 1975.- Vol.68. -P.9-42.

164. НоллеЭ.Л. Экситоны в полупроводниковых кристаллах при больших уровнях возбуждения // Тр. ФИАН. - 1981. - Т.128. - С.65-102.

165. Hopfreld j.J. Absorption Edge of Crystals // J, Phys. Chem. Solids. - 1960. - Vol.15. - JNqL - P.97-107.

166. Кузьмина И.П., Нйкитенко В.А. Окись цинка. Получение и оптические свойства. - М.: Наука, 1984. - 166с.

167. Collins B.J., Rleinman D.A. Infrared Reflectity of Zinc Oxide // J. Phys. and Chem. Solids. - 1959. - Vol.11. - P.190-194.

168. Finkerath H., Krug K., Uhle N. Optical Absorption by Free Polarons in ZnO // Phys. State Sol. B. - 1976. - Vol.78. - P.K27-K30.

169. Давыдов А.А. ИК - спектроскопия в химии поверхности окислов. - Новосибирск: Наука (СО), 1984. - '246с.

170. Гладилин А.Ю. Расчет колебательного спектра кристалла " оксида цинка и моделирование примеси междоузельного Zn // Журн. структурн. химии. - 1993. - Т.34. - №1. - С.133-140.

171. Никитенко В.А., Малов М.М., Пасько П.Г., Черный В.Д. Фиолетовая люминесценция монокристаллов окиси цинка // Журн. прикл. спектр. - 1974. - Т.21. - С.835-839.

172. Никитенко В.А. Малов M.M. Очувствленная ультрафиоле-" товая люминесценция монокристаллов окиси цинка // Изв. Вузов - Физика. - 1975. - №2. - С.50-55.

173. Никитенко В.А., Терещенко А.И., Стоюхин С.Г., Кузьмина И.П. Термовысвечивание и спектры возбуждения люминесценции монокристаллов ZnO // Журн. прикл. спектр. - 1980. - Т.33. - С.755.

174. Никитенко В.А., Малов M.M., Казанджиев С.А., Димова-Алякова Д.И. Оптические и фотоэлектрические свойства ZnO в видимой области спектра // Журн. прикл. спектр. - 1977. - Т.26. - Вып.2. -С.332-336.

175. Бердников C.JI., Зеликин Я.М., Левицкая Т.Д., Пасько П.Г. Спектры люминесценции и возбуждения монокристаллов окиси цинка // Успехи фотоники / Сб. научн. тр. - Л.: ЛГУ, 1974. - №4. - С.89-98.

176. Lauer R.B. The IR Photoluminescence Emission Band in ZnO // J. Phys. and Chem. Solids. - 1973. - Yol.34. - P.249-253.

177. Никитенко В.А., Терещенко А.И. Спектры возбуждения фото- и тер молю минесценции монокристаллов окиси цинка // Журн. прикл.спектр. - 1979. - Т.ЗО. - С.841-845.

178. Никитенко В.А., Терещенко А.И. Фотовозбуждение и излу-чательная рекомбинация через глубокие уровни в ZnO // В кн.: Тез.

■ докл. 11 Всесоюзного совещания по глубоким уровням в полупроводнике. - Ташкент, 1980. - Т.2. - С.90,

179. Никитенко В.А., Терещенко А.И.^Кузьмина И.П., Лобачев А.Н. Стимулированное излучение ZnO при высоком уровне однофо-тонного возбуждения // Опт. и спектр. - 1981. - Т.50. - С.605-607.

180. Weiher R.L., Tait W.C. Mixed-mode Tons in the Photoluminescence of Zinc Oxide - Reabsorption and Exciton Diffusion // Phys. Rev. B. - 1972. - Vol.5. - P.623-672.

181. Холстед P.E. Излучательная рекомбинация в области края полосы поглощения // Физика и химия соединений А2В0 / Под ред. С.А.Медведева. - М.: Мир, 1070. - С.296-333.

182. Solbrig Ch., M oll wo E. Der Einfluss von Temperatur und Uniaxlater Verspaunung auf das Linienspektrum von Zinkoxyd-Kristallen // Sol. State Communs. - 1967. - Vol.5. - P.625-631.

183. Шалимова К.В., Никитенко В.А., Пасько Г.Г. Параметры ловушек и видимая люминесценция монокристаллов окиси цинка // Опт. и спектр. - 1975.-T.39. - С.597-598.

184. Черный В.Д. Оптические свойства и электронный парамагнитный резонанс локализованных дефектов в окиси цинка: Автореф. дисс.... канд. физ,-мат. наук. -М.: МИЭТ, 1977. - 18с.

185. Lehmann W. Zinc Oxide and Zinc-Cadmium Oxide Phosphors // J. Electrochem. Soc. - 1968. - Vol.l 15. - P.538-540.

186. Soni R.S., Divan P.S., Sivaraman S. Luminescence of ZnO Phosphor in Green and Red Régions // Ind. J. Pure and Appl. Phys. - 1980. -Vol. 18. - P.292-294. .

187. Soriano V., G.allud D. Photosensitivity of the EPR Spectrum of the F+ - center in ZnO // Phys. Stat. Sol. В. - 1976. - Vol.77/ - P.739-743.

188. Никитенко В.A. Люминесценция и ЭПР оксида цинка // Журн. прикл. спектр. - 1992. - Т.57. - №5-6. - С.367-385.

189. Михайлов М.М. Фотоотжиг дефектов в облученной окиси цинка // Изв. Вузов - Физика. - 1985. - Т.28. - №9. - С.3-7.

190. Михайлов М.М., Дворецкий М.И. Исследование спектров отражения окиси цинка при освещении // Журн. прикл. спектр. - 1980. -Т.32. - С.939-942.

191. Михайлов М.М. Изменение энергии активации поверхностной проводимости поликристаллической окиси цинка при облучении электронами // Изв. Вузов - Физика. - 1984. - №7. - С.94-97.

192. Михайлов М.М., Дворецкий М.И. Анализ спектров диффузного отражения ZnO в ближней И К области // Изв. Вузов - Физика. -1988. -№7. -С.86-90.

193. Несеребряные фотографические процессы / Под ред. А.Л.Картужанского. - Л.: Химия, 1984. - 376с.

194. Чибисов K.B. Общая фотография. - М.: Искусство, 1984. -

446с.

195. Berman Е. // Photogr. Sei. Eng. - 1969. - Vol. 13. - P.50-67.

196. Кунцевич Н.И., Уточкина С.П., Зотов Н.И., Воробьева Т.И., Свиридов В.В. Влияние условий приготовления оксида цинка на его фотографическую чувствительность // Весщ АН БССР - Сер. хим. наук. - 1982. -Вып.З. -С.30-36.

197. Свиридов В.В. Предельные свойства фотографических слоев, проявляемых в физических бессеребряных проявителях // Успехи научн. фотогр.- 1982.-Т.21.-С. 167-187. '

198. Кунцевич Н.И., Уточкина С.П., Соколик Г.А., Тарасик H.H., Гаевская Т.В., Ивановская М.И. Особенности физического бессеребряного проявления на основе полупроводниковых оксидов // В кн.: Тез. докл. Всесоюзной конференции по процессам усиления в фотографических системах регистрации информации. - Минск, 1981. - С.225-228.

199. Акимов И.А. Физические основы явления спектральной сенсибилизации фотоматериалов красителями // Успехи научн. фотогр. -1980. Т.20. - С.131-142.

200. Картужанский А.Л., Захаров В.И., Перфилов H.A., Плаче-нов Б.Т., Федорова А.П. Фотографические свойства слоев золотохло-ристоводородной кислоты с поливиниловым спиртом // Бессеребряные и необычные фотографические процессы: Тез. докл. 111 Всесоюзной конференции. - Вильнюс, 1980. - С. 106-108.

201. Плюснин В.Ф., Бажин Н.М. Бессеребряный фотографиче-. ский процесс на системе поливиниловый спирт - галогенид переходного металла // Журн. научн. и приют, фотогр. и кинематогр. - 1980. -Т.25. - №2. - С.90-95.

202. Плюснин В.Ф., Бажин Н.М. Фотграфический материал // A.c. №481015 /СССР/ 1975. - БИ №>30.

203. Сырец О.Ф., Рогач Л.П., Свиридов В.В. Особенности термического проявления фотослоев на основе хлорида меди (11) и железа (111), распределенных в ЛВС И В кн.: Тез. докл. Всесоюзной конференции по процессам усиления в фотографических системах регистрации информации. - Минск, 1981. - С. 193.

204. Воробьева Г.П., Данильченко Е.М. Исследование закономерностей формирования скрытого и проявленного изображения на палладийсодержащих слоях в поливиниловом спирте // В кн.: Тез. докл. Всесоюзной конференции по процессам усиления в фотографических системах регистрации информации. - Минск, 1981. - С.262.

205. Картужанский А.АЛ., Захаров В.И., Перфильев H.A., Пла-ченов Б.Т., Федерова А.П. Запись оптической информации на системах из полимеров галогеноводородных кислот некоторых металлов // Опт. и спектр. - 1981. - Т.50. - С.403-405.

206. Кожемяк И.В., Подберезская И.В., Бакакин В.В. Кристаллическая структура дигидратов комплексов диаква-бис-(2,2,5,5- тетраме-тилзимидазолин-1-окисел-4-карбоксилато)-цинка 11 и меди 11 //Журн. структ. химии. - 1980. - Т.21. - №5. - С.124-128.

207. Фатеев В.Н., Власьев В.П., Антонова Л.Л., Кондратьев В.А., Пахомов В.П. Электрохимическое исследование механизма несеребряного физического проявления цинкооксидных фотоматериалов // Журн. научн. и прикл. фотогр. и кинематогр. - 1980. - Т.25. - №5. -С.356-361.

208. Смирнов Л.В., Платонова Н.В., Попов К.З. Изменение цвета поливинилового спирта при термообработке // Журц. прикл. спектр. -1967. -Т.7. - Вып. 1.-С.94-98.

209. Рэнби В., Рабек Я. Фото деструкция, фотоокисление, фотостабилизация полимеров. - М.: Мир, 1978, - 59с.

210. Савастенко Г.К., Ермоленко И.Н. Действие УФ излучения на смесь ацетофталата или ацетосукцината целлюлозы с ПВС // Изв. АН БССР - Сер. хим. - 1980. - №5. - С.44-48.

211. Майер Г.В., Галеева А.И. Спектроскопия сложных молекул // В кн.: Тез. докл. XIX Всесоюзного съезда по спектроскопии. - Томск, 1983. - Ч.З. - С. 189-190.

212. Рабек Я. Экспериментальные методы в фотохимии и фотофизике. М.: Мир, 1985. -Т.1. - 608с.

213. Лаврентович Я.И. Исследование действия различных видов ионизирующего излучения на поливиниловый спирт, содержащий добавки красителей: Автореф. ... дисс. канд. хим. наук. - Киев, 1965. - 22с.

214. Бутягин Л.Ю., Дубинская А.Я., Радциг В.А. // Успехи химии. - 1969. - Т.ЗЗ. - №4. - С.593-598.

215.0gawa S. II J. Phys. Japan. - 1960. - Vol.16. - P.1488-1490.

216. Анели Дж., Топчиашвили М.И. Кинетика гибели свободных радикалов в облученном ПВС при высоком давлении // ВМС (Б). -1985. - Т.27. - С.309-311.

217. Криминская З.К. Структура свободных радикалов при низкотемпературном радиолизе поливинилового спирта // Химия высоких энергий. - 1993. - Т.27. - №1. - С.37-40.

218. Радиационная стойкость органических материалов. - М.: Энергоиздат, 1986. - 267с.

219. Чалтыкян С.А. Купрокатализ. - Ереван: Айпетрат, 1963. -

134с.

220. Ballhausen С.J. Electrostatic model Cu(ll). Theory of copper (11) spectra // Mat. fys. Medd. Dan. Ved. Selsh. - 1954. - Vol.29. - №4. -P.l-18.

221. Коттон Ф., Уилкинсон Дж. Современная неорганическая химия. - М.: Мир, 1969. - 326с.

222. Андреев С.Н. К вопросу о процессах комплексообразования в водных растворах солей переходных металлов: Дисс. ... докг. хим. наук. - Л. - 1969. - 279с,

223. Asmus Е., Reich J.G. // Angew. Chemic. 61 Jahrgang. - 1949. -P.208-218. ■,,.

224. Sylvie R. Desjardins, Kevin W. Penfield and other. Detailed Absorption, Reflectance, and UV Photoelectron Spectroscopic and Theoretical Studies of the Charge-Transfer Transition of CuCl-r: Correlation of the Square-Planar and the Tetrahedal Limits II J. Am. Chem. Soc. - 1983.-Yol.105. - P.4590-4603.

225. Gill N.S. and Nyhold R.S. Complex Halides of the Transition Metals. Part 1 // J. Chem. Soc. - 1959. - P.3997-4007.

226. Busu G. and Busu S. Electron transfer spectra in copper ammines // Anal. Chem. Acta. - 1959. - Vol.21. - P.189.

227. Howald R.A., Kector D.P. Scharge transfer spectra and structure of the copper (11) halide complexes // Spectrochim acta. - 1966. - Vol.22. -РЛ211-1222.

228. Von J. Csasrak, Balog J. und Lehotai L. // Acta Univ. Szegediensis. Acta. Phys. et. Chem. - 1956. - Vol.2. - №5. - P.56-62.

229. Helmgolz L. and Kruh R.F. The Crystal! structure of Cesium Chlorocuprate ion // J. Amer. Chem. Soc. - 1952. - Vol.74. - №5. - P. 11761181.

230. Doehlemann E. and Fromherz Н.7/ Z. phyzik. chem. - 1934. -. Vol.A171. - P.353-378

231 .Harringtoh G., Sundheim B.R. Absorpsion spectra in molten salts // Ann. N. Y.: Acad. Sci. - 1960. - Vol.79. - P.950-970.

232. Balsani V., Carassiti V. Photochemistry of coordination compounds // Pergamon Press. - 1970. - №4-L. - P.376.

233. Плюснин В.Ф., Усов О.M. // В кн.: Тез. докл. Всесоюзного совещания по фотохимий. - Ленинград, 1984. - С.225.

234. Ошерович А.Л., Плехотина Т.А. Радиационные времена жизни возбужденных атомов и ионов меди // Опт. и спектр. - 1981. -Т.50. - №6. - С.1046-1049.

235. Stevenson K.L. // Inorg. Chem. - 1988. - Vol.27. - №20. - P.3472-

3476.

236. Зашивайло T.B. Влияние катионов основания на спектральные свойства растворов галоидных солей меди // Укр. физ. журнал. -1982. - Т:27. - №9. - С.1287-1290.

237. Белый М.И., Кривенко П.И. Влияние температуры на спектры люминесценции и поглощения растворов солей тяжелых металлов (соли меди) // Укр. физ. журн. - 1965. - Т. 10. - №4. - С.420-426.

238. Kirkbright G.F., Saw C.G. and West T.S. // Talana. - 1969. -Vol.16. - №1. - P.65-73.

239. Kochi J.K. Photolyses of Metal Compounds: Cupric Chlorids in Organic Media // J. Am. Chem. Soc. - 1962. - Vol.84. - P.2121-2124.

240. Ferraudi G. and Muralidharan S. Photochemical properties of copper complexes // Coordination Chem. Rev. - 1981. - Vol.36. - P.45-88.

241. Позняк А.Л., Романов,Б.А., Аржанков С.И. Фотолиз замороженных растворов хлорной меди // Превращение комплексных соединений под действием света, радиации и температуры / Минск: БГУ, 1973.-С.17-30.

242. Позняк А.Л. Химия высоких энергий. - 1969. - Т.З. - С.380-381. . ......

243. Плюснин В.Ф., Усов О.М., Хмелинский И.В. Радикальные комплексы в фотохимии галогенидов меди Си(1 Г).// В кн.: Тез. докл. IV Всесоюзного совещания по фотохимии. - Ленинград, 1981. - С.324.

• -ii;

244. Хмелинский PI.В., Плюенин В.Ф. Лазерный импульсный фотолиз спиртовых растворов хлоридных комплексов двухвалентной меди // В кн.: Тез. докл. У Всесоюзного совещания по фотохимии. - Суздаль, 1985. - 4.2. - С.374.

245. Sumita О., Fukuda A. and Kuze Е. Photoconductivity of Poly (vinyl alcohol) Films Containing Cu2+ Complexes // J. Polym. Sci. Polym. Phys. End. - 1980.-Yol.18. - P.877-890.

246. Смирнова Й.И. Радиационно- и фотостимулированные фазовые превращения в пленках поливинилового спирта, содержащих хлоридные комплексы золота и меди: Автореф. дисс. ... канд. хим. наук. - Санкт Петербург, 1992. - 18с.

247. Abd El-Kader F.H., Attia G., Ibrahim S.S. Optical absorpsion and thermally stimulated depolarisation current studes of nickel chloride-djped poly (vinyl alcohol) irradiated with low-level fast neutron doses // J. Appl. Polym. Sci. - 1993. - Vol.50. - №7. - P.1281-1286.

248. Скрипник E.A., Карапетян Г.О., Косяков В.И. Термохро-мизм пленок ПВС, активированных солями СоСЬ-бНЬО // Укр. физ. жури. - 1979. - Т.24. - С. Ю-15.

249. Плюенин В.Ф., Бажин Н.М. Бессеребряный фотографический процесс в системе поливиниловый спирт - галоген ид переходного металла // Журн. научн. и прикл. фотогр. и кинематогр. - 1980. - Т.25. -№2. - С.90-95.

250. Соколова И.В. Фотоинициированное разложение систем поливиниловый спирт-галогенидсодержащие соединения металлов: Автореф. дис.... канд. хим. наук. - Кемерово, 1987. - 22с.

251. Сырец О.Ф., Рогач Л.Г., Свиридов В.В. Особенности термического проявления фотослоев на основе хлоридов меди (11) и железа (111) // В кн.: Тез. докл. Всесоюзной конференции по проблемам усиле-

ния в фотографических системах регистрации информации. - Минск, 1981. - СЛ93-195.

252. Птоснин В.Ф., Усов О.М., Бажин Н.М. Механизм образования скрытого изображения в термически проявляемом фотографическом слое на основе ПВС // Журн. научи, и прикл. фотогр. и кинема-тогр. - 1982. - Т.27. - №4. - С.267-270.

253. Федорова А.П., Драчев А.И., Соколова И.В., Осипов Д.П. Оптические и фотографические свойства систем на основе ПВС и солей переходных металлов // В кн.: Влияние электромагнитного излучения на твердые тела. - Хабаровск: ХГПИ, 1984. - С.24-32.

254. Федорова А.П-., Плаченов Б.Т. Цепной механизм фотолиза системы HjAuCL] - поливиниловый спирт // В кн.: Влияние электромагнитного излучения на твердые тела. - Хабаровск: ХГПИ, 1984. -С.72-77.

255. Канаев Б.В., Соколова И.В., Федорова А.П., Бабин П.А., Захаров В.И., Картужанский АЛ., Крашенинников A.A., Плаченов Б.Т. Фотолиз в сложных композициях на основе поливинилового спирта и галогеносодержащих соединений металлов // Журн. физ. химии. - 1984. - Т.58. - №5. - СЛ 147-1153.

256. Котов Г.В., Плаченов Б.Т., Смирнова И.И., Федорова А.П. Электронно - микроскопическое исследование механизмов фазовых переходов в пленках ПВС - HjAuCU], вызванное излучением //' Воздействие ионизирующего излучения и света на гетерогенные системы: Тез. докл. IV Всесоюзной конференции. - Кемерово, 1986. - 4.1. - С. 120.

257. Котов Г.В., Плаченов Б.Т., Смирнова PI.И. Влияние концентрации светочувствительного компонента на процессы инициированного излучением распада системы ПВС - HfAuCLj // Бессеребряные и необычные фотографические процессы: Тез. докл. V Всесоюзной конференции. - Черноголовка, 1988. - Т.2. - с.35.

258. Костенко М.И. Механизмы фоточувствительности тонкопленочных систем полупроводник - металл, диэлектрик - металл // Благовещенск - Хабаровск: АмурНЦ ДВО РАН, 1997. - 67с.

259. Хебард А.Ф., Шумейт П.В. Новый подход к измерению тонкой структуры токов в сверхпроводящих /туннельных переходах // Приборы для научных исследований. - 1974. - №4. - С.59-65.

260. Томас и Клей. Выявление структуры туннельного тока с помощью дифференцирования // Приборы для научных исследований. -1963 - №8. - С.85.

261. Pollack S.R., Morris С.Е. On Mott's theory of formation of protective oxide films // Solid State Commun. - 1964. - Vol.2. - P.21 - 22.

262. Chopra K.L. Photo-effects in thin film sandwich structures // Solid State Electron. - 1965. - Yol.8. - P.715-720.

263. Braunstein A.I., Braunstem M., Picus G.S. Hot-electron, attenuation in thin АЬОз films // Phys. Rev. Lett. - 1965. - Vol.15. - №25. -P.956-958.

264. Костенко М.И. Влияние переходного слоя на характеристики MOM диодов // Изв. Вузов СССР - Радиоэлектроника. - 1981. - Т.24, -№1. - С.92-94.

265. Костенко М.И., Строганов В.И., Бабин П.А. Механизмы переноса заряда в структурах типа металл-полупроводник-металл // В кн.: Оптические, люминесцентные и электрические свойства твердого тела . - Хабаровск: ХГПИ, 1981. - С.68-75.

266. Смит Р. Полупроводники. - М., 1962. - 467с.

267. Костенко М.И,, Строганов В.И., Бабин П.А. Свойства MOM диода в видимой и близкой И К областях спектра // Письма в ЖТФ. -1978. - Т,4. - Вып.23. - СЛ408-1410,

268. Бабин П.А., Костенко М.И., Строганов В.И. Характеристики быстродействующих неохлаждаемых фотоприемников на основе

MOM систем // Фотометрия и ее метрологическое обеспечение: Тез. докл. 111 Всесоюзной конференции. - Москва, 1979. - С.334.

269. Костенко М.И., Бабин П. А., Строганов В.И. К вопросу о детектировании лазерного излучения структурами типа металл-диэлектрик-металл (МДМ) // В кн;: Тез. докл. 11 Всесоюзного совещания по воздействию ионизирующего излучения на гетерогенные системы. - Кемерово, 1979. - С. 105.

270. Строганов В.И., Костенко М.И., Бабин П.А. Тонкопленочные МПМ приемники излучения // Использование современных физических методов в неразрушающих исследованиях и контроле: Тез. докл. Всесоюзной конференции. - Хабаровск, 1981. - С. 116-117.

271. Костенко М.И., Строганов В.И. Линейка приемников излучения на тонкопленочных диодах металл-окисел-металл // Приборы и техн. эксперим. - 1981. - Вып.6. - С.190-192.

272. Kostenko M.I., Stroganov V.l., Kondratyev A.I. Thermally encanced response of metal-oxide-metal diodes // Opt. Commun. - 1981. -Vol.36.-№2.-P. 140-143.

273. Костенко M.И. Видеодетектирование излучения диодами типа металл-диэлектрик-металл // В кн.: Оптико-люминесцентные и радиационные свойства ионных кристаллов. - Хабаровск: ХГПИ, 1980. -С.95-104.

274. Жгун С.А., Зарщиков В.А., Лобов Г.Д., Соловьев B.C., Ри-влин A.A., Штыков В.В. Широкополосные детекторы И К диапазона с большим сроком службы на базе контакта металл-окисел-металл // Квантовая электроника. - 1976. - Т.З. - №6. - С.1357-1359.

275. Косцов Э.Г. Влияние особенностей микрорельефа поверхности электродов на характер нарушения электрической прочности диэлектрических пленок // Изв. Вузов СССР - Физика. - 1970. - №7. -С.32-36.

276. Гершинский А.Б., Косцов Э.Г. О механизме прохождения токов в тонкопленочных структурах металл-диэлектрик-металл // ФТТ. - 1967. - Т.9. - Вып.6. - С.1695-1701.

277. Nagae М Response time of metal-insulator-metal tunnel junctions // Japan J. Appl. Phys. - 1972. - Vol.11. - №11. - P.1611-1621.

278. Костенко М.И., Бабин П.А., Строганов В.И. Высокочастотные свойства MOM диодов с большой площадью перехода // В кн.: Оптические, люминесцентные и электрические свойства твердого тела. -Хабаровск: ХГПИ, 1981,-С.15-21.

279. Тихонов А.Н., Самарский А.А. Уравнения математической физики. - М., 1972. - 437с.

280. Костенко М.И. Механизмы фоточувствительности гетерогенных систем на основе композиций полупроводник - органическая среда // Благовещенск - Хабаровск:. АмурНЦ ДВО РАН, 1997. - 61с.

281. Ohsaku M., Hatamota Т., Murata Н. Stability of the crystal structures of poli (vinyl alcohol) by CNO0/2 calculations // Polymer. - 1982. -Vol.23. - №5. - P.776-778. -

282. Бабин П.А., Костенко М.И., Ли М.Е., Пак Ч.С. Фотографические свойства слоев на основе оксигалогенидов висмута с примесью ионов серебра // В кн.: Влияние электромагнитного излучения на твердые тела. - Хабаровск: ХГПИ, 1984. - С.3-12.

283. Осипов Д.П., Костенко М.И.,' Ивахненко П.С. Оптико люминесцентные свойства порошков окиси цинка // В кн.: Оптические, люминесцентные и электрические свойства твердых тел. - Хабаровск: ХГПИ, 1985.-С.З-14. ■■ '

284. Костенко М.И., Ивахненко П.С., Бабин П.А., Осипов Д.П., Плаченов Б.Т. О природе видимой люминесценции в порошках окиси цинка // Журн. прикл. спектр. - 1987. - Т.46. - №4. - С.685.

285. Никитенко В.А., Свиридов C.B., Чукичев М.В., Кузьмина И.П. Низкотемпературная катодо люминесценция монокристаллов ZnO // Журн. прикл. спектр. - 1984. - Т.51. - Вып.1. - С. 149-151.

286. Александрова Е.Б., Зеликин Я.М., Соловьева A.A. Влияние лития и железа на формирование центров красной люминесценции окиси цинка // Журн. физ. химии. - 1983. - Т.57. - №6. - С. 1536-1538.

287. Антонов С .Д., Костенко М.И., Осипов Д.П., Пагубко А.Б. Фотографические процессы в светочувствительных композициях на основе оксида цинка // В кн.: Влияние электормагнитного излучения на твердые тела . - Хабаровск: ХГПИ, 1984. - С. 13-23.

288. Пагубко А.Б., Римлянд Е.Ю., Костенко М.И., Осипов Д.П. О стабильности центров светочувствительности в бессеребряных фотографических материалах на основе оксида цинкй // В кн.: Оптические, люминесцентные и электрические свойства твердых тел. - Хабаровск: ХГПИ, 1985.-С.37-42.

289. Костенко М.И., Ивахненко П.С., Бабин П.А., Осипов Д.П., Пагубко А.Б. Исследование действия рентгеновского излучения на системы состава окись цинка - поливиниловый спирт // Воздействие ионизирующего излучения и света на гетерогенные системы: Тез. докладов IV Всесоюзного совещания. - Кемерово, 1986. - Т. 1. - С. 115.

290. Костенко М.И., Осипов Д.П., Пагубко А.Б. Влияние поверхностных состояний в микрокристаллах ZnO на фоточувствительность композиций окись цинка - ПВС // В кн.: Влияние электромагнитного излучения на физические свойства материалов. - Хабаровск: ХГПИ, 1987.-С.63-69. :

291. Осипов Д.П., Никитин М.Н., Костенко М.И., Плаченов Б.Т. Механизм оптической сенсибилизации .композиции окись цинка - поливиниловый спирт гетерогенными каитализаторами окисления углеводородов // Бессеребряные и необычные фотографические процессы:

Тез. докладов У Всесоюзной конференции. - Суздаль, 1988. - Т.З. -С.308.

292. Осипов Д.П., Никитин М.Н., Костенко М.И., Плаченов Б.Т. Механизм контактной сенсибилизации светочувствительного слоя на границе с подложкой в композиции окись цинка - поливиниловый спирт // Бессеребряные и необычные фотографические процессы: Тез. докладов У Всесоюзной конференции, - Суздаль, 1988. - Т.З. - С.309.

293. Костенко М.И., Липатов В.Г., Пагубко А.Б., Емельяненко A.B. Фотохимия тонких пленок на основе композиций смесей полимеров с оксидом цинка // В кн.: Тез. докладов VI Всесоюзного совещания по фотохимии . - Новосибирск, 1989. - С.324.

294. Костенко М.И., Ивахненко П.С., Бабин П.А., Осипов Д.П., Пагубко А.Б. Исследование действия рентгеновского излучения на системы состава оксид цинка - поливиниловый спирт // В кн.: Радиаци-онно стимулированные явления в твердых телах. - Свердловск: УПИ, 1988.-С.13-17. '

295. Костенко М.И., Бабин' П.А., Осипов Д.П. Оптико-люминесцентные исследования светочувствительных композиций окись цинка - ПВС // В кн.: Электронные возбуждения и структурные " дефекты кристаллов. - Хабаровск: ХГПИ, 1986. - С.7-13.

296. Костенко М.И., Ивахненко П.С., Бабин П.А., Осипов Д.П., Плаченов Б.Т. Люминесцентные и фоточувствительные свойства композиций на основе мелкодисперсных порошков окиси цинка // Воздействие ионизирующего излучения и света на гетерогенные системы: Тез. докладов IV Всесоюзного совещания. - Кемерово, 1986. - Т.1. - С.116-117.

297. Костенко М.И., Осипов Д.П., Бабин П.А., Емельяненко A.B. Люминесцентные исследования фотохимических превращений в системе ZnO - ПВС // Бессеребряные и необычные фотографические процес-

сы: Тез. докладов У Всесоюзной конференции, - Суздаль, 1988. - Т.З. -С.306.

298. Костенко М.И., Плаченов Б.Т., Осипов Д.П., Бабин ILA., Емельяненко A.B. Сравнительные исследования люминесцентных свойств порошков ZnO и ТЮ2 и композиций на их основе // Бессеребряные и необычные фотографические просессы: Тез. докладов V Всесоюзной конференции. - Суздаль, 1988. - Т.З. - С.307.

299. Akiba Etsuo, Soma Mitsuyaki, Okishi Takaharu, Tamaru Kenzi. The mechanism of the decomposition reaction of 2-propanol on ZnO //J. Phys. Chem. (BRD). - 1980. - V.l 19. - №1. - P.103-110.

300. Вода в полимерах / Под ред. С. Роуленд. - М.: Мир, 1984. -

555с..

301. Осипов Д.П., Костенко М.И. Модельные представления о механизме фотографической чувствительности композиции окись цинка - ПВС // В кн.: Электронные возбуждения и структурные дефекты кристаллов . - Хабаровск: ХГПИ, 1986. - С.3-7.

302. Костенко М.И., Плаченов Б.Т., Осипов Д.П., Бабин П.А. Фотостимулированные процессы в гетерогенных светочувствительных композициях окись цинка - поливиниловый спирт // Бессеребряные и необычные фотографические процессы: Тез. докладов V Всесоюзной конференции.- Суздаль, 1988. - Т.З.- С.305.

303. Пальм В.А. Введение в теоретическую органическую химию. - М.: Высшая школа, 1974. - 446с.

304. Кери Ф., Сандберг Р. Углубленный курс органической химии: В 2 г. - М.: Химия, 1981. - 451с.

305. Гиллет Дж. Фотофизика и.фотохимия полимеров. - М.: Мир, 1988.- 116с.

306. Костенко М.И., Римлянд Е.Ю. Влияние дефектного состава органической матрицы на кинетику образования фотоактивных центров . - Благовещенск - Хабаровск: АмурНЦ ДВО РАН, 1997. - 82с.

307. Попов К. Р., Смирнов Л.В. Спектроскопическое исследование поливинилена // Опт. и спектр. - 1963. - №14. - Вып.6. - С.787-792.

308. Гребенкина В.М., Картужанский А.Л., Костенко М.И., Плаченов Б.Т., Римлянд Е.Ю., Студзинский О.П. Комплексные галоге]гиды металлов как светочувствительные системы. Природа фотохимически активных центров поглощения в системе ПВС-хлорид меди (11) и моделирующих ее жидких растворах // Ж. прикл. химии. - 1990. - №5. -С.1074-1080.

309. Студзинский О. П., Римлянд Е.Ю., Карту жанский А. Л., Костенко М.И., Гребенкина В.М., Плаченов Б.Т. Влияние Среды-на комплексообразование в системе СиСЬ-СГ // В кн.: Тез. докл. XVI1 Всесоюзного Чугаевского совещания по химии комплексных соединений.-Минск, 1990. - Ч.З.- С.511.

310. Студзинский О.П., Гребенкина В.М., Картужанский А.Л., Костенко М.И., Плаченов Б,Т., Римлянд Е.Ю. Формирование спектральной чувствительности двухфазных оптических регистрирующих сред на основе СиСЬ // В кн.: Тез. докл. V Всесоюзного совещания по радиационным гетерогенным процессам. - Кемерово, 1990. - 4.1. -С. 87.

311. Костенко М.И., Полетаева Е.В., Римлянд Е.Ю. Оптическое поглощение пленок ПВС-СиСЬ // В кн.: Влияние электромагнитного излучения на физические свойства материалов. - Хабаровск: ХГПИ, 1987. - С.70-76, .

312. Веснеболоцкий К.И., Федерова А.П. Анализ взаимного расположения галогенидного комплекса и полимерных молекул в пленке

ПВС-ЩАиСЬ] // В кн,: Электронные возбуждения и структурные дефекты кристаллов. - Хабаровск: ХГПИ, 1986. - С.26-32.

313. Hojo N., Shirai Н., Chujo Т. // J. Chem. Soc. Japan. - 1972. -Vol.8. - P.1518. -

314. Stevenson k.l., Braun J.L. and other. Luminescence and Ultraviolet Photoinduced Electron Transfer in Chlorocuprate (1) Complexes in Aqueous Solution at Room Temperature // Inorg. Chem. - 1988. - Vol.27. - P.3472-3476.

315. Шалимова K.B., Борошнева T.B. Оптические свойства спресованных порошков хлористой меди// Тр. Моск. энерг. ин-та. - 1983. -№587. - С .60-65,

.' -•.•^ 316. Римлянд Е.Ю., Плаченов Б.Т., Костенко М.И., Данченко О,П. О фотохимических превращениях в композиции ПВС-галогенид меди // В кн.: Оптические, люминесцентные и электрические свойства конденсированных систем . - Хабаровск: ХГПИ, 1990. - С.45-5!.

317. Kartuzhnski A.L., Kostenko M.I., Plachenov В.Т., Rimlyand E.Yii., Studzinski O.P. Photochemical processes in light-sensi-tive films of polyvynil alcohol (PVA), containing cuprous halide complexes // Proceed. Intern. Cong, of Phot. Sci. / Beijing: China, 1990. - P.581-583.

318. Костенко М.И., Пагубко А.Б., Римлянд Е.Ю. Фотоактиви-рованныё процессы в светочувствительных пленках поливинилового спирта, содержащих галогенидные комплексы меди // Оптическое изображение и регистрирующие среды: Тез, докл. 11 Всесоюзной конференции. - Ленинград, 1990. - Т.2. - С.56.

319. Римлянд Е.Ю., Костенко М.И., Бабин П.А. Фотохимические превращения в композиции ПВС-галогенид меди // Бессеребряные и необычные фотографические процессы: Тез. докладов V Всесоюзной конференции. - Суздаль, 1988, - Т.2. - С.33.

320. Римлянд Е.Ю., Костенко М.И., Бабин П.А. Фотолиз медьсодержащих комплексов в поливиниловом спирте // Тез. докладов VI Всесоюзного совещания по фотохимии. - Новосибирск, 1989. - 4.2. -С.326.

321. Картужанский А.Л., Костенко М.И., Плаченов Б.Т., Потина Г.В., Римлянд Е.Ю., Студзинский О.П. Особенности возникновения новой фазы при фотолизе систем "СиСЬ-органическая среда" // Радиационные гетерогенные процессы: Тез. докладов V Всесоюзного совещания. - Кемерово, 1990. - 4.1. - С.57.

322. Картужанский А.Л., Костенко М.И., Плаченов Б.Т., Потина Г.В., Римлянд Е.Ю., Студзинский О.П. Особенности возникновения новой фазы при фотолизе систем "СиСЬ- органическая среда" // Ж. прикл. хим. - 1990. - №12. - С.87-90.

323. Римлянд Е.Ю., Студзинский О.П., Картужанский А.Л., Костенко М.И., Плаченов Б.Т. Фотохимические свойства хлоридных комплексов меди (11) в растворах и твердой матрице // В кн.: Тез. докладов XVI1 Всесоюзного Чугаевского совещания по химии комплексных соединений . - Минск, 1990, - Ч.З. - С.576.

324. В.Ф. Плюснин, Н.М. Бажин. Фотографический материал: . А. с. 461015/СССР/ Опубл. в БИ. - 1975.- №30.

325. Строганов В.И., Костенко М.И. Частотные характеристики тонкопленочных металл-окисел-металл фотоприемников // Журн. прикл. спектр. - 1980. - Т.ЗЗ, - Вып.З. - С.541-544.

326. Жгун С.А. Исследование структуры металл-диэлектрик-металл (МДМ) с целью создания приемного устройства ИК диапазона: Автореф. дис.... канд. техн. наук. - Москва, 1979. - 17с.

327. Строганов В,И., Костенко М.И. Регистрация наносекундных лазерных импульсов тонкопленочными МДМ диодами // В кн.: Тез.

докладов 14 международного конгресса по высокоскоростной фотографии и фотонике. - М., 1980. - С.280.

328. Степанова Л,И., Ивановская М.И. Шичкова Т.А. Закономерности совместного восстановления ионов меди с ионами кадмия и никеля из растворов физических проявителей // В кн.: Тез. докл. Всесоюзной конференции по процессам усиления в фотографических системах регистрации информации. - Минск, 1981. - С.212-214.

329. Браницкий Г.А., Воробьева Т.Н., Данильченко Е.М. Особенности процессов усиления при получении металлических рисунков на светочувствительных пленках диоксида титана // В кн.: Тез. докл. Всесоюзной конференции по процессам усиления в фотографических системах регистрации информации. - Минск, 1981. - С.248-249.

330. Акимов И,А. Физические основы явления спектральной сенсибилизации фотоматериалов красителями // Успехи научй, фотогр. -1980. -Т.20. - С.131-142.

331. Шапиро Б.И. Спектральная сенсибилизация фотографических материалов // Журн. научн. и прикл. фотогр. и кинематогр. - 1981. - Т.20. - №6. - С.463-465.

332. Демидов К.Б., Титов A.B., Акимов И.А. Полные спектры, локальных электронных уровней в нееенсибилизированном и сенсибилизированном красителями фотопроводнике // Журн. научн. и прикл. фотогр. и кинематогр. - 1981. - Т.26. - №5. - С.375-377.

333. Ямпольский A.M., Ильин В.А. Краткий справочник гальванотехника. - Л.: Машиностроение, 1981. - 270с.

334. Ильин В.А., Терешкин В.А. Прогрессивная технология изготовления печатных плат, - Л., 1983, - 1983, - 30с.

335. Ильин В.А. Металлизация диэлектриков. - Л., 1977. - Вып.8. -

96с.

336. Свиридов B.B. Успехи научн. фотогр. - 1982. - Т.21, - С.167-

337. Федулова A.A., Котов Е.П., Явич Э.Р. Химические процессы в технологии изготовления печатных плат. - М.: Радио и связь, 1981. -136с.

338. Яцимирский К.Б., Васильев В.П. Константы нестойкости комплексных соединений. - М.: АН СССР, 1959. - 208с.

ГОСУДАРСТаенИЫЙ £О.Щ«Г£Т с ТаГстли^гТлм

iT'i^r "м-1-" л

«Я — -Жл-у -J

и луч ко - производств ; i i-joe

ОБЪЕДИНЕНИИ

ДАЯЬСТАНДАРТ

vt'-ICCT. X.fa^:/ Кг;.:..',

juzm. ы*

"Утверздаю" зам. генерального ди-НПО "Дальстан-

.т.н.

АКТ О ВНЕДРЕНИИ

Разработанные в Хабаровском государственном педагогическом институте приемники излучения на основе слоистых пленочных структур типа металл-диэлектрик-металл и металл-полупроводник-металл внедрены в научно-производственном объединении "Дальстандарт" путем использования их в качестве чувствительного элемента при разработке инфракрасного пирометра для бесконтактного измерения температур нагретых объектов в соответствии с темой №15/78 "Исследование воз -можностей создания быстродействующих приемников ИК излучения на основе MOM систем".

Зам. начальника отдела №230 НПО "Дальстандарт" "¡fob./ /Г.Я.Лобастов/

Щ0*

тосудестепшм л ' "чнтл сссг

ТЮ'СТЛНДЛ'-ТЛЛ

НАУЧАЮ; ПРО ИЗВОДСТВ и! П ЮЕ СБТ^ДЙПКПИГ.

ДАЛЬСТАНДАРТ

"Утверждаю" зам.генерального директора НПО "Дальстан-

к. т•н.

Л0?*-

тШ

Дробот/

СПРАВКА о внедрении результатов разработки фотоприемников на основе МПМ систем.

В научно-производственном объединении "Дальстандарт" при выполнении научно-исследовательских работ в соответствии с темой Р 15/78 использовались результаты разработки фотопри емников ИК излучения на основе металл-полупроводник-металл систем, изложенные в диссертационной работе аспиранта ка -федры общей физики Хабаровского государственного педагогического института Костенко Михаила Ивановича "Детектирование оптического излучения тонкопленочными системами металл-барьер-металл".

В соответствии с договором о научно-исследовательской рг боте мезвду НПО "Дальстандарт" и Хабаровским государственным педагогическим институтом М.И.Костенко создан экспериментальный образец инфракрасного пирометра для бесконтактного измере ния температур нагретых объектов, имеющий в качестве чувстви' тельного элемента фотоприемник на основе алюминий-германий-алюминий структуры.

Зам.начальника отд. №230 НПО "Дальстандарт"

/Г.Я.Лобастой/