Тепловые процессы в системах металлизаций полупроводниковых структур и керамик тема диссертации и автореферата по ВАК РФ 01.04.07, кандидат физико-математических наук Зуев, Сергей Михайлович

• Зуев, Сергей Михайлович
• кандидат физико-математических наук
• 2012

Оглавление диссертации кандидат физико-математических наук Зуев, Сергей Михайлович

Оглавление

Список используемых обозначений

Введение

1. Состояние вопроса и задачи исследования

1.1 Природа тепловой деградации полупроводниковых

структур и систем металлизации

1.2. Механизмы тепловой деградации

2. Теоретический анализ тепловых процессов в системах

металлизаций и методические аспекты работы

2.1. Тепловые процессы, происходящие в проводнике при пропускании импульса тока

2.2. Методика проведения эксперимента

2.3 Тепловые процессы при наличии геометрических неоднородностей

3. Деградационные процессы в объемных проводниках при

наличии градиента температур

3.1. Тепловые процессы в проводнике при пропускании импульса тока

3.2. Экспериментальная часть

4. Тепловые процессы в паяных соединениях

4.1. Расчет температурных напряжений в паяном соединении

4.2. Экспериментальное изучение состояния паяных соединений

4.3. Моделирование тепловых процессов в структуре металл-

диэлектрик

4.4. Теоретические основы расчета термоупругих напряжений в системах металл-диэлектрик

4.5. Расчет термоупругих напряжений в системах металл-диэлектрик в комплексе ANS YS

4.6. Анализ механики разрушения металлизаций на поверхности диэлектрика

Основные результаты и выводы

Заключение

Литература

Приложения

Список используемых обозначений

а = АУ(сс1) - коэффициент температуропроводности образца, м2/с, с - удельная теплоемкость, Дж/(кг-К), с! - плотность, кг/м3,

е, м - расстояние от плоскости стыка до нейтрального слоя в паяном соединении,

^ - момент инерции поперечного сечения детали,

Ь, м - толщина полупроводниковой пластины,

г - радиальная компонента, м,

1)2, м/с - колебательная скорость частицы,

аь К 1 - температурный коэффициент линейного расширения

а2/ +а2/ д1/

А = /дх2 /ду2 /дг2 - оператор Лапласа,

- тензор Кронекера, £ - относительное растяжение кристалла в направлении деформации, (3 - коэффициент теплового расширения, 1/К, X - теплопроводность, В/(м-К), а, Па - упругое напряжение, со, Вт - мощность точечного источника тепла,

00 ¿/(I

Е = { ехр(-^)— - интегральная экспонента,

%

Е0, Па - модуль Юнга недеформированного кристалла при Т=Т0, С(г,т) - функция Грина задач теории упругости и теплопроводности,

А/м2 - плотность электрического тока, Я,Ом - сопротивление дорожки металлизации, Я0,Ом - сопротивление дорожки металлизации при Т=Т0, Т, К - температура,

Т0, К - температура окружающей среды в нормальных условиях, /, м - длина дорожки металлизации,

Ъ, м - длина дорожки металлизации, и(т), В - падение напряжения на исследуемом образце, V/, Па - объемная плотность энергии деформации Ф(^) - интеграл вероятности,

X, У, Ъ, м - система координат, связанная с главными осями кристалла,

МОП - транзистор - транзистор на основе структуры металл - оксидная пленка - подложка.

Введение диссертации (часть автореферата) на тему «Тепловые процессы в системах металлизаций полупроводниковых структур и керамик»

Введение

Хорошо известно, что надежность и качество современных полупроводниковых устройств во многом определяется надежностью контактов металл-полупроводник и систем металлизации. Постоянное стремление к минимизации топологического размера элементов приводит к повышенным «тепловым нагрузкам» проводящих систем, активизации процессов электропереноса, способствующим ускоренной их деградации [14].

Деградационные процессы в рассматриваемых условиях могут развиваться как при статических, так и при импульсных воздействиях. Однако в большинстве работ [5,6], температура рассматривается как постоянный во времени фактор. Нестационарные тепловые процессы и сопутствующие с ними эффекты, такие как тепловой удар, локальное оплавление и др. остаются практически нерассмотренными, либо анализируются методами численного моделирования [7,8].

Поэтому данная работа посвящена анализу температурных полей в полупроводнике с дорожкой металлизации при пропускании через нее импульсов тока, а также разработке методики диагностики систем металлизации, включая тепловую деградацию, вплоть до оплавления проводящих систем.

В настоящее время проведено большое число исследований электрофизических процессов и явлений, возникающих в структуре полупроводниковых приборов («краевой эффект», «шнурование» тока, электротермическая деградация, локальный перегрев). Данные процессы отрицательно влияют на рабочие и эксплуатационные характеристики приборов. Считается [9], что ключевую роль в деградации играют именно тепловые процессы. Поэтому анализ данных явлений является актуальной задачей в рамках физического материаловедения, а также микро - и наноэлектроники.

Межэлементные соединения интегральных микросхем реализуются на основе тонкопленочных дорожек металлизации малого размера. В моменты включения и выключения приборов, как и при их работе в импульсном режиме, действие возникающего при таком воздействии термоудара на металлизацию приводит к локальным тепловым возмущениям. Следствием этого является деградация полупроводниковых приборов и микросхем. Поэтому анализ тепловых процессов в кристалле может дать важную информацию о характере возникновения и динамике протекания рассматриваемых явлений.

Результаты последних исследований показали, что деградационные процессы в системах алюминиевая пленка - кремниевая подложка при прохождении импульса тока связаны с процессами контактного плавления на границе Al-Si, а также оплавлением Al-металлизации при достижении соответствующих температур. Полученные результаты позволяют проводить четкую диагностику контактных систем и определять их область безопасной работы.

В ходе работы было обнаружено, что процессы тепловой деградации при импульсном токовом воздействии возникают во всех соединениях приборов микроэлектроники, таких как системы металлическая пленка -диэлектрическая подложка, объемные проводники тока (металлические проволоки и межсоединения), паяные соединения типа металл-диэлектрик. Поэтому методики исследования деградационных процессов, описанные в данной работе, могут быть применены для анализа практически всех типов соединений, используемых в современных полупроводниковых приборах, что имеет значительную практическую ценность.

1. Состояние вопроса и задачи исследования

Хорошо известно, что надежность и качество современных полупроводниковых устройств во многом определяется надежностью контактов металл - полупроводник и систем металлизации. Постоянное стремление к минимизации топологического размера элементов приводит к повышенным «тепловым нагрузкам» проводящих систем, активизации процессов электропереноса, способствующим ускоренной их деградации [14].

Деградационные процессы в рассматриваемых условиях могут развиваться как при статических, так и при импульсных воздействиях. Однако в большинстве работ температура рассматривается как постоянный во времени фактор. Нестационарные тепловые процессы и сопутствующие им эффекты, такие как тепловой удар, локальное оплавление и др. остаются практически нерассмотренными, либо анализируются методами численного моделирования [15].

Современное производство полупроводниковых материалов и оборудования предполагает использование в технологических процессах целого ряда материалов с низкой диэлектрической проницаемостью. Они используются в качестве альтернативы изоляторов для уменьшения емкости межэлементных соединений и увеличения срока эксплуатации устройств. Материалы с низкой диэлектрической проницаемостью обладают меньшей теплопроводностью по сравнению с известными диэлектриками, такими как диоксид кремния, германий, структуры из бериллиевой керамики, ситалла. Это сильно увеличивает вероятность термически активированной деградации отдельных элементов приборов [16].

Постоянное совершенствование современной технологии приводит к росту плотности тока, увеличению количества уровней межэлементных соединений, а также к применению новых материалов и структур с низкой диэлектрической проницаемостью, что в итоге приводит к увеличению

тепловыделения в слоях металлизаций, контактах металл-полупроводник, металл-окисел-полупроводник, а также приконтактных областях. Влияние электротепловых эффектов приводит к тепловой деградации таких структур. Поэтому исследования в данной области являются актуальной задачей.

Для достижения указанной цели необходимо решить следующие задачи:

1. Разработать методику анализа тепловых процессов в полупроводниковых структурах и системах металлизаций при воздействии токовыми импульсами различной формы и плотности тока ];

2. Провести теоретический анализ деградационных процессов в полупроводниковых структурах и системах металлизаций при импульсном токовом воздействии на основе разработанной методики;

3. Провести экспериментальное исследование процессов тепловой деградации в исследуемых структурах (системы металлизаций типа металл-диэлектрик, паяных соединений типа металл-припой-диэлектрическая подложка, объемных проводниках тока);

4. Методами математического моделирования в программном комплексе АЫ8У8 описать термоупругое состояние исследуемых структур при токовом импульсном воздействии, выполнить расчет термоупругих напряжений.

5. Провести анализ процессов трещинообразования с помощью методов механики разрушения.

1.1 Природа тепловой деградации полупроводниковых структур и систем металлизаций

Известно, что работа полупроводниковых приборов и структур при импульсных режимах работы сопровождается нестационарным и неравномерным нагревом токопроводящих дорожек металлизаций и приконтактных областей [17]. Это приводит к локальному оплавлению металлизаций, возникновению упругих напряжений и дефектообразованию в приповерхностных слоях полупроводниковой матрицы. Подобные процессы

определяются особенностью динамики процессов нагрева и охлаждения исследуемой структуры, а также тепловыми свойствами контакта металл-полупроводник.

Высокая производительность и надежность приборов микроэлектроники, а также силовых транзисторов возможна лишь при их правильной эксплуатации и использовании чистых материалов с сохранением заданной технологии изготовления соединений. Данные системы в связи со сложной технологией производства, отличаются наличием дефектов и структурных неоднородностей (дефекты на поверхности полупроводника и диэлектрической подложки, дефекты на межфазной границе). Эти дефекты влияют на плотности протекающих через структуру токов и, как следствие, на тепловые процессы во всем кристалле.

Рассмотрим основные технологические этапы по созданию систем металлизаций.

Нанесение металлических пленок на предварительно подготовленную поверхность диэлектрических пластин осуществлялось методом электроннолучевого испарения [18,19]. Слой металлизации формировался с использованием фотошаблонов.

Для изготовления фотошаблонов систем металлизаций используются планшетные фотоплоттеры. Пленка в таких плоттерах размещается горизонтально, не претерпевая каких-либо деформаций и механических нагрузок [20].

Нанесение фоторезиста, сушка образца, экспонирование и проявление, при изготовлении описываемых систем, осуществляется по стандартной технологии, подробно описанной в [21-23].

По окончании травления и удаления фоторезиста полученные пластины с искомой структурой обычно промываются в изопропиловом спирте.

Полное удаление фоторезиста с поверхности образца тщательно контролируется, т.к. наличие органических соединений на поверхности металла приводит к значительному изменению его поверхностного

сопротивлений и может приводить к* неконтролируемому возмущению при проведении опытов, что могло сказаться на корректности получаемых данных.

Тонкопленочное направление микроэлектроники основано на последовательном наращивании пленок различных металлизации (А1, Си) на общем основании (подложке из оксидов нитридов ситалла) с одновременным формированием из этих пленок контактных площадок, резисторов, конденсаторов, а также внутрисхемных соединений [24, 25]. Стоить отметить, что данный тип соединения широко используется в современных силовых транзисторах. Вид полупроводникового прибора на основе структуры металл - диэлектрик представлен на рисунке 1.1.

Рис. 1.1. Вид полупроводникового прибора па основе структуры металл -диэлектрик - мощный высоковольтный МО] I силовой транзистор.

Геометрические размеры силового транзистора используемого в качества образца в экспериментах по анализу тепловых процессов при импульсном токовом воздействии представлены на рис. 1.2:

!

.1...

I

Т

Сток

3/пах М.Г" -....................-

1,6

/ 2 отд.

ад т у

£9

Ш?7

50л7С

\ Исток Зтах

12 /пах

Рис. 1.2. Геометрические размеры силового транзистора используемого в качества образца в экспериментах.

В данном типе силовых транзисторов используются структуры типа медь - бериллиевая керамика. Вид данной структуры представлен на рисунке 1.3.:

и

"'¡т - / *

ЯШМ

фйСТЭ л.в Соедините! 1ьные / проводники

коллектор ' ^

б

,Х

Л- ,

Л " . -- л

: : Л--"

Заключение диссертации по теме «Физика конденсированного состояния», Зуев, Сергей Михайлович

Основные результаты и выводы

1. Предложена методика анализа тепловых процессов в системах металлизации: на примере структуры Al-Cu при воздействии на образец токовыми импульсами прямоугольной формы, а также с линейно нарастающим передним фронтом.

Впервые получены данные о температуре образца при таком воздействии.

2. Впервые исследовано воздействие на структуру типа металл - окисел - полупроводник последовательности ряда импульсов с одинаковой скважностью и частотой. Показано, что при импульсном токовом воздействии происходит накопление тепла в приконтактной области, способствующее развитию необратимых деградационных процессов. Это выражается немонотонным ростом потенциала при прохождении импульса тока через дорожку металлизации.

3. Впервые исследованы электротепловые эффекты сложных структур типа полупроводник - окисел - металл. На примере системы Al-Si при наличии диэлектрической ступеньки на поверхности диэлектрика при воздействии импульсов с критическими плотностями тока j~8T010 А/м2 показано, что за оплавление токоведущей дорожки несет ответственность градиент температуры, активизирующий транспортные процессы в металлической пленке, что приводит к уменьшению значения «критической» плотности тока. Зарождение жидкой фазы только у отрицательного электрода свидетельствует о несимметричных тепловыделениях в контактной области медных токовых зондов с алюминиевой дорожкой и однозначно связано с термоэлектрическими явлениями. Убедительным подтверждением этому служит симметричное зарождение жидкой фазы у обеих токовых площадок при использовании Al зондов.

4. Методами токового импульсного воздействия изучены процессы деградации и разрушения объемных проволочных образцов в разных средах на воздухе, в воде, в масле). Оценено влияние геометрии образца на характер разрушения. Определено, что при пропускании импульсов с

1 I 9 критическими плотностями тока ]кр >8,8-10 А/м образуется область перегорания проводника, размеры которой зависят от амплитуды импульса.

Экспериментальным путем были полученные данные, свидетельствующие об ускоренном процессе тепловой деградации проволочных образцов за счет экранирования тепла и коллапса пузырьков.

В электролитах с высокой теплопроводностью ] прямоугольных токовых импульсов, приводящих к деградации проволок, намного меньше ] для образцов находящихся на воздухе. Так, для алюминиевой проволоки длиной

30 мм и радиусом поперечного сечения г порядка 2,5 мкм]кр = 4,65 ТО11 А/м2

• 112 • 112 на воздухе, ^р = 4,32 ТО А/м - в воде,, ]кр = 4,13 -10 А/м -вмасле.

5. Проведен анализ тепловых, а также деградационных процессов (термических и механических) контактных зон металлизированной керамики (на примере структуры Си - бериллевая керамика). Показано, что при токовом импульсном воздействии с ] ~ 3-1011-8-1011А/м2 при наличии градиента температур АТ между паяными слоями в интервале 30-100 К возникают атах приводящие к процессам дефектообразования в исследуемых структурах.

Определены максимальные толщины бериллиевой керамики для конкретной области перепада температур сЛ7с1х. Впервые получены кривые распределения напряжений для слоя металлизации и припоя, а также керамики и припоя. Они позволяют судить о пределах использования данного типа соединений с заданной геометрией.

6. В ходе работы проанализированы тепловые процессы в местах дефектов спая металл - диэлектрик. Показано, что при наличии в паяном соединении областей соприкосновения металлизации с подложкой из ВеО термоупругие напряжения в момент включения и выключения токового импульсного воздействия превышают предел прочности для данного типа соединения. Так для медной металлизации при ДТ~ 120 К и выше возникают термоупругие напряжения приводящие к активному дефектообразованию.

Для бериллиевой керамики данные процессы возникают при AT = 100 К и выше.

Полученные данные позволяют выявлять области безопасной работы данного типа соединений.

7. При оценке опасности, которую представляет напряженно-деформированное состояние для целостности конструктивного элемента, и предсказания возможного развития трещин, были использованы критерии разрушения, основанные на вычислении J-интеграла с использованием стандартной программы ANS YS.

Впервые получена зависимость упругопластических значений J-интеграла от длины трещины в образце.

Было отмечено, что данный метод описывает лишь механизм распространения трещин, имеющий чисто механическую природу.

Заключение

Автор выражает признательность коллективу кафедры Физического материаловедения Ульяновского государственного университета, а также всем соавторам научных работ за терпимое отношение и помощь при проведении исследований, проф. C.B. Булярскому, проф. А.Г. Рокаху, проф. Р.Б. Моргунову, проф. Н.Т. Турину, проф. В.В. Учайкину, проф. О.Ю. Сабитову, к.ф.-м.н. А.Г. Гришину, к.ф.-м.н. В.В. Рыбину за творческие контакты и плодотворные обсуждения результатов, проф. A.M. Орлову за всестороннее содействие.

Автор искренне благодарен проф. A.A. Скворцову за многолетний интерес и поддержку данной тематики.

Список литературы диссертационного исследования кандидат физико-математических наук Зуев, Сергей Михайлович, 2012 год

Список литературы

1. Светцов В.И., Холодков И.В. Физическая Электроника и Электронные Приборы. М., ИГХТУ им. Менделеева, 2008 г. , 500 стр.

2. Орлов A.M., Скворцов A.A., Рыбин В.В. К вопросу диагностики деградационных процессов в системе алюминий - кремний при импульсных электрических воздействиях. // ЖТФ, т. 32, вып. 6, 2006 г., с. 18-23.

3. A.A. Скворцов, В.В. Рыбин, С.М. Зуев. Особенности электростимулированного разрушения алюминиевой металлизации при наличии диэлектрических ступенек на поверхности кремния. // Письма в ЖТФ, 2010, том 36, вып. 6, стр.73-79.

4. Орлов A.M., Костишко Б.М., Скворцов A.A. Физические основы технологии полупроводниковых приборов и интегральных микросхем, Ульяновск. УлГУ, 2001 г, с. 370.

5. A.A. Скворцов, A.M. Орлов, С.М. Зуев. К вопросу диагностики деградационных процессов в системе металл-полупроводник. // Микроэлектроника, 2011, том 40, №6, стр. 1-11.

6. J.O. Bird. Electrical and Electronic Principles and Technology. Newnes. 2004, 420 pp.

7. М.Д. Скубилин, В.В. Поляков. Электронная техника: производство и применение. ТТИ-ЮФУ, 2010 г. 375 с.

8. В. Зенин, А. Кочергин, А. Рягузов. Влияние качества напайки кристалла на нагрев силового полупроводникового прибора// Силовая электроника №1, 2010. 340 с.

9. Котов В.Э. "К расчету температурного поля проводника при его медленном нагреве током высокой плотности", Вестник МГТУ им. Н.Э. Баумана, сер. "Естественные науки", 1(6), 2001, с.51-60

10. Старосельский В.И. Физика полупроводниковых приборов микроэлектроники. М.: ЮРАЙТ Высшее образование, 2009 год. 463 стр.

11. Орлов A.M., Скворцов A.A., Фролов В.А. Акустическая эмиссия в дислокационном кремнии при токовых и тепловых воздействиях. // Письма в ЖТФ, т. 25, вып. 21, 1999 г. с. 25-32.

12. А.И. Дмитриев, A.A. Скворцов, О.В. Колпак, Р.Б. Моргунов, И.И. Проскуряков. Влияние режима пластической деформации на магнитные свойства монокристаллов кремния Cz-Si. // ФТТ, т.53, вып. 8, 2011 г., с. 14731478.

13. И.Я. Орлов и др. Основы радиоэлектроники. Н.Новгород, Нижегородский университет им. Н.И. Лобачевского. 2011, 169 с.

14. Орлов A.M., Скворцов A.A., Литвиненко О.В. Генерация изгибных колебаний полупроводниковых пластин локальными тепловыми источниками. // ЖТФ, т. 73, вып. 6, 2003 г., с. 76-81.

15. Орлов A.M., Скворцов A.A., Насибов A.C., Литвиненко О.В. Акустическая эмиссия в сульфиде кадмия при токовых и тепловых воздействиях. // Письма в ЖТФ, т. 26, вып. 22, 2000 г. с.45-49.

16. В.Н. Лозовский, Г.С. Константинова, C.B. Лозовский. Нанотехнология в электронике. Введение в специальность. Лань, 2008 г, 415 с.

17. Орлов A.M., Скворцов A.A., Пирогов A.B., Фролов В.А. Изгибные колебания полупроводниковых пластин при наличии импульсного источника возбуждения тепловой природы. // Письма в ЖТФ, т. 25, вып. 5., 1999 г., с. 57-63.

18. Лякишев Н. П., Банных О. А., Рохлин Л. Л., Диаграммы состояния двойных металлических систем. М. Машиностроение, 1996 г., 507 с.

19. WaynerP. //Byte. 1994. 8. P. 67{74}.

20. Burggra_ P. II Sol. St. Tech. 2000. V. 43. N 1. P. 63.66.

21. Wang H., Fischman G.S. II J. Appl. Phys. 1994. N 3. P. 1557.1562.

22. Маллер P., Кейминс Т. Элементы интегральных микросхем. M.: Мир, 1989, 630 с.

23. Kato N.I., Nishikava A., Saka H. dislocations in Si generated by fatigue at room temperature//Mater. Sei. Semicond. Process., 2001, v.4, № 1-3, p.113-115.

24. Burggraaf P. Microelectronics' nanotechnology future // Sol. StateTech., 2000, v.43, № l,p. 63-66.

25. Лыков A.B. Теория теплопроводности. M.: высшая школа, 1967, 600 с.

26. Коренев Б.Г. Задачи теории теплопроводности и термоупругости: Решения бесселевых функциях. М.: Гос. Изд-во физ.-мат. лит., 1980, 400 с.

27. Орлов A.M., Пирогов A.B., Емельянова Т.Г. Разрушение слоев металлизации в импульсном токовом режиме // Неорганические материалы, т. 29, № 11, 1993, с. 1559-1562.

28. Никитин К.Е. О механизме аномального роста модуля Юнга при деформации кристаллов. // ФТТ. 1994, т. 36, вып. 12, с 3587-3595.

29. Бойко B.C., Гарбер Р.И., Косевич A.M. Обратимая пластичность кристаллов. М.: Наука, 1991, 280 с.

30. Milstein S. Dislocations in microelectronics // Phys. stat. sol. (a), v. 171, 1999, p. 371-376.

31. Давыдов B.H., Данилов Г.Н., Рыбченков A.A. Синергетические особенности быстрого охлаждения твердых тел. // Из. Вузов. Сер.физ., 2002, т. 45, №4, с. 69-73.

32. Олемский А.И., Хоменко A.B. Синергетика пластической деформации. // Успехи физ. мет., 2010, т.2, № 3, с. 189-263.

33. Петухов Б.В. Статистическая теория движения дислокаций при наличии спонтанных процессов блокирования-деблокирования. // ФТТ, 2001, т.43, вып. 5, с. 813-817.

34. Концевой Ю.А., Литвинов Ю.М., Фаттахов Э.А. Пластичность и прочность полупроводниковых материалов и структур. М.: Радио и связь, 1982. 240 с.

35. Лаврентьев М.А., Шабат Б.В. Методы теории функций комплексного переменного. М.: Наука, 1973, 736 с.

36. Охотин A.C., Пушкарский A.C., Горбачев В.В. Теплофизические свойства полупроводников. М.: Атомиздат, 1972, 187 с.

37. Дислокации и физические свойства полупроводников.// Отв. ред. Регель А.Р. Л.: Наука, 1967. 64 с.

38. Косевич A.M. Дислокации в теории упругости. Киев: Наук. Думка, 1978,219 с.

39. Сундзуки Т., Есинага X., Такеути С. Динамика дислокаций и пластичность. М.: Мир, 1989, 296 с.

40. Фридель Ж. Дислокации. М.: Мир. 1967. 626 с.

41. Hull R., Stach Е.А., Tromp R. & others. Interactions of moving dislocations in semiconductors with point, line and planar defects. // Phys. Stat. Sol. (a) 1999. Vol. 171, P. 133-146.

42. Rabier J., Cordier P., Tondellier Т., Dement J.L., Garem H. Dislocations microstructure in Si plastically deformed at RT // J. Phys. Condense. Matter., 2000, v. 12, №496. P. 217-225.

43. Зеегер К. Физика полупроводников. М.: Мир, 1977, 615 с.

44. Полякова A.JI. Деформация полупроводников и полупроводниковых приборов, Энергия, Москва, 1979, 167 с.

45. Бир Г.Л., Пикус Г.Е., Симметрия и деформационные эффекты в полупроводниках, Наука, Москва, 1972, 584 с.

46. Л.Д. Ландау, Л.М. Лифшиц. Теория упругости. М. Наука, 1987 г., с. 248.

47. А.А. Скворцов, A.M. Орлов, А.А. Саланов // Письма в ЖТФ. 2001. Т.27. В. 19. С. 76-84.

48. А.А. Скворцов, В.В. Рыбин, И.П. Романенко. С.М. Зуев. Электростимулированное разрушение алюминиевой металлизации при наличии диэлектрических ступенек на поверхности кремния. // Труды 8-й международной конференции «Пленки и покрытия - 2007». Санкт-Петербург, 2007 г. с. 200-202

49. А.А. Скворцов, В.В. Рыбин, С.М. Зуев, Е.А. Каштанова. Особенности деградационных процессов в системах металлизаций в условиях термоудара. //Труды 7- всероссийской молодежной научной школы «Материалы нано-,

микро-, оптоэлектроники: физические свойства и применение». Саранск, 2008 г. с.83-84.

50. Спицын В.И., Троицкий O.A. Электропластическая деформация металлов. М: Наука. 1985.278 с.

51. Полупроводники. Под редакцией Хеннея Н.Б. М.: Издательство иностранной литературы. 1962. 668 с.

52. Концевой Ю.А., Литвинов Ю.М., Фаттахов Э.А. Пластичность и прочность полупроводниковых материалов и структур. М.: Радио и связь. 1982. 240 с.

53. Алыпиц В.И., Даринская Е.В., Петржик Е.А. Магнитопластический эффект в монокристаллах алюминия.//ФТТ. 1992. Т.24. №1. С. 155-158.

54. Рейви К. Дефекты и примеси в полупроводниковом кремнии. М.: Мир. 1984.475с.

55. Макара В.А., Стебленко Л.П., Обуховский В.В., Робур Е.Г. Электропластический эффект в кристаллах кремния.// ФТТ. 1994. Т.36. №9. С.2618-2621.

56. Матаре Г. Электроника дефектов в полупроводниках. М.: Мир. 1974. 463с.

57. Е.Д. Мишина, К.А. Воротилов, В.А. Васильев и др. // ЖЭТФ. 2002. Т. 122. Вып. 3 (9). С. 582-585.

58. A.A. Скворцов, В.В. Рыбин, С.М. Зуев. Особенности деградации систем металлизаций при наличии диэлектрических ступенек на поверхности кремния. // Труды X международной конференции «Опто-, наноэлектроника, нанотехнологии и микросистемы». Ульяновск, 2008 г. с.200.

59. A.A. Скворцов, С.М. Зуев. К вопросу тепловой деградации тонких алюминиевых пленок, напыленных на поверхность полупроводника. // Труды Международной научно-технической конференции «Автомобиле- и

тракторостроение в России: приоритеты развития и подготовка кадров». Москва, 2010 г. с.95-107.

60. Орлов А.Н. Введение в теорию дефектов в кристаллах. М.: Высшая школа. 1983. 457 с.

61. Новиков H.H. Структура и структурно-чувствительные свойства реальных кристаллов. Киев. Вигца школа. 1983. 264 с.

62. Проектирование датчиков для измерения механических величин. Под ред. Осадчего Е.П. М.: Машиностроение. 1979. 480 с.

63. Ю. В. Воробьев, В. Н. Добровольский, В. И. Стриха. Методы исследования полупроводников. К.: Вищашк. Головное изд-во, 1988.

64. Батавин В.В. и др. Измерение параметров полупроводниковых материалов и структур. - М.: Радио и связь, 1985. - 264 с.

65. Устюжанинов В.Н., Фролова Т.Н. Нестационарные и релаксационные процессы в полупроводниках. - Владимир, Изд-во Владим. гос. ун-та, 2002. - 124 с.

66. Минаев B.C. Стеклообразные полупроводниковые сплавы. - М.: Металлургия. 1991. — 407 с.

67. Мильвидский М.Г. Полупроводниковый кремний на пороге XXI века. //Известия ВУЗов. Материалы электронной техники. №1. 2000. С.4-14.

68. К. А. Валиев, Р. В. Гольдштейн, Ю. В. Житников, Т. М. Махвиладзе, М. Е. Сарычев. Теория и моделирование процессов разрушения тонкопленочных проводников и долговечность металлизации интегральных микросхем. Часть П. Деградация и объемное разрушение поликристаллической проводящей линии. //Микроэлектроника. Т.39. №3. 2010. С.163-177.

69. Рухадзе A.A., Шпигель И.С. Электрический взрыв проводников. М.: Мир. 1965. 360 с.

70. O.A. Кузнецов, А.И. Погалов. Прочность паяных соединений. М.: Машиностроение, 1987. 112 стр.

72. A.A. Скворцов, C.M. Зуев. Деградационные процессы в системах металл-диэлектрик. // Труды 2-й международной научно-технической конференции «Технологии микро- и наноэлектроники в микро- и наносистемной технике». Зеленоград, 2011 г. с.57-60.

73. A.A. Скворцов, С.М. Зуев. Исследование влияния импульсного токового воздействия на процессы дефектообразования в системах металл-диэлектрик. // Труды 2-й международной научно-технической конференции «Технологии микро - и наноэлектроники в микро - и наносистемной технике». Зеленоград, 2011 г. с. 11-14.

74. Шалимова К.В. Физика полупроводников. М.: Энергоатомиздат, 1985. — 392 с.

75. Каленик Д.В. Технология материалов электроники. - Челябинск: Изд. ЮУрГУ, 2001. -Ч .1.- 119 с.

76. Вычислительные методы в механике разрушения. Под редакцией С. Атлури. М.: Мир. 1990. 390 с.

77. Литовченко В.Г., Горбань А.П. Основы физики микроэлектронных систем металл-диэлектрик-полупроводник. К.: Наукова думка, 1978. - 316 с.

78. Григорьев И.С., Мейлихов Е.З. Физические величины. М.: Энергоатомиздат, 1991. 1234 стр.

79. Аскеров Б.М. Электронные явления переноса в полупроводниках. Москва, Издательство "Наука", 1985 год - 320 стр.

80. Вавилов B.C., Киселев В.Н., Мукашев Б.Ф. Дефекты в кремнии и на его поверхности. М., 1990 г. 378 с.

81. А.М. Орлов, И.О. Явтушенко, A.B. Журавлева. Стартовые режимы возбуждения плазмы в проводящих водных растворах. // М. ЖТФ, 2010, том 80, вып. 2. с.56-62.

82. B.C. Тесленко, А.П. Дрожжин, Г.Н. Санкин. Автоцикличный кольцевой пробой в электролите с вынужденным коллапсом пузырьков. // Письма в ЖТФ, 2006, т.32, вып. 4. с.9-14.

83. В.Я. Ушаков, В.Ф. Климкин, С.М. Коробейников, В.В. Лопатин. // Пробой жидкостей при импульсном напряжении. Томск: Издательство НТЛ, 2005 488 с.

84. Курносов А.И., Юдин В.В. Технологии производства полупроводниковых приборов и интегральных микросхем. "Высшая школа", 1986. - 368 с.

85. Hutchinson J.W. Fundamentals of the phenomenological theory of nonlinear fracture mechanics. Trans. ASME, J. Appl. Mech., 1983, 1051 p.

86.Tarui Y. VLSI Technology (Fundamentals and Aplications). Springer 1986 (Tokyo 1981) pp.450.

87. Абрамов И.И., Ивкин B.M., Горбач В.Б. Методика численного моделирования распределения температуры в кремниевых БИС. //Электронная техника. Серия 3.Микроэлектроника. Вып.4. 1992. С.28-30.

88. ГОСТ 11069 - 2001. Алюминий первичный. Марки. 560 с.

89. Курносов А.И., В.В. Юдин. Технология производства полупроводниковых приборов и интегральных микросхем.// М.: Высшая школа, 1968.-364 с.

90. А.С.Шалумов, А.С.Ваченко, О.А.Фадеев, Д.В.Багаев. Введение в ANS YS: прочностной и тепловой анализ. // М.:Мир, 2002, 350 с.

91.К. А. Басов - Графический интерфейс комплекса ANS YS. // М.: Мир, 2006, 257 с.

92. А. Сирин - Руководства по моделированию, построению геометрии и динамике в Ansys. // Екатеринбург, 2005, 322 с.

93. Пер. В.П.Югова - ANSYS 5.7 Thermal Analysis Guide. Решение задач теплообмена.//М., 2001, 215 с.

94. А.С.Шалумов, А.С.Ваченко, О.А.Фадеев, Д.В.Багаев - Введение в ANSYS: прочностной и тепловой анализ. // М., 2008, 253 с.

95. Е.Г.Андреева, С.П.Шамец, Д.В.Колмогоров - Расчет стационарных магнитных полей и характеристик электротехнических устройств с помощью Ansys// М.:Мир, 2004, 319 с.

96. Yoda, М., 1980, The J-integral fracture toughness for Mode II, Int. J. ofFracture, 16(4), pp. R175-R178.

97. Kobayashi A.S., Chiu S.T., Beeuwkes R.A., numerical investigation on the use of J-integral, Eng. Fracture Mech., 5 (1973) pp. 293-305.

98. Irwin G.R., Fracture. Handbuch der Physik VI, Fligge, Ed Springer (1958), pp. 551-590.

99. Справочник по коэффициентам интенсивности напряжений: В 2-х томах. Т.2. Пер. с англ./ Под ред. Ю. Мураками. - М. Мир, 1990. - 1016 с.

100. Landes J.D., Begley J.A. The effect of specimen geometry on /rc, ASTM STP 514, 1972, pp. 1-20.

101. Rice J.R., A path independent integral and the approximate analysis of strain concentrations by notches and cracks. / Appl. Mech., (1968) pp. 379-386.